TWI779020B - 顯示設備 - Google Patents
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Abstract
一種包括像素區及在像素區之間的光阻擋區的顯示設備。顯示設備進一步包括第一基底基板、薄膜電晶體及第一、第二及第三彩色濾光片。第一彩色濾光片具有第一色彩、第二彩色濾光片具有不同於第一色彩的第二色彩,及第三彩色濾光片具有不同於第一及第二色彩的第三色彩。在光阻擋區中,薄膜電晶體、第一彩色濾光片及第三彩色濾光片至少部分地互相重疊。在至少一個像素區中的第二彩色濾光片藉由橋接部連接至配置於相鄰之像素區中的相鄰第二彩色濾光片,且橋接部由與第二彩色濾光片相同的材料形成並配置在光阻擋區中。
Description
本發明概念的例示性實施例係關於一種顯示設備。更具體而言,本發明概念的例示性實施例係關於一種包括具有彩色濾光片之下方基板的顯示設備。
近來,已經製造出重量輕且尺寸小的顯示設備。由於性能及競爭價格,已經使用陰極射線管(CRT)顯示設備。然而,CRT顯示設備具有在尺寸上或是可攜帶性上的弱點。因此,如電漿顯示設備、液晶顯示設備及有機發光顯示設備的顯示設備因為小尺寸、輕量及低電力消耗而已被高度關注。
液晶顯示設備配置對特定分子排列施加的電壓以改變分子排列。液晶顯示設備根據分子排列的改變來利用液晶單元之光學性質(例如,雙折射性、旋偏光、雙色性及光散射)的改變來顯示影像。
顯示設備包含配置在顯示影像之像素區的彩色濾光片、配置在沒有影像顯示之光阻擋區的黑色矩陣(black matrix)及用於維持在下方基板及上方基板之間的單元間隙(cell gap)的柱間隔件。然而,為了形成黑色矩陣,需要額外的光罩。顯示設備的結構複雜以及製造成本的提高皆是問題。此外,柱間隔件可包含一直與上方基板接觸的主要柱間隔件以及形成為較該主要柱間隔件低的次要柱間隔件。由於次要柱間隔件是使用半色調光罩或其他類似光罩來形成,難以將次要柱間隔件高度一致地形成在適當的位置上。因此,難以維持顯示設備的單元間隙。
本發明概念的一個或多個例示性實施例提供一種具有簡單結構的顯示設備,其能夠不具有如黑色矩陣之額外的光阻擋構件而實現光阻擋區,且能夠維持在下方基板及上方基板之間的單元間隙。
根據本發明概念的一例示性實施例,顯示設備包括複數個像素區及在複數個像素區之間的光阻擋區。顯示設備包括第一基底基板、配置在第一基底基板上並對應於各個像素區的薄膜電晶體、具有第一色彩並配置於第一基底基板上的第一彩色濾光片、具有不同於第一色彩的第二色彩並配置於第一基底基板的第二彩色濾光片以及具有不同於第一色彩及第二色彩的第三色彩並配置於第一基底基板上的第三彩色濾光片。在光阻擋區中,薄膜電晶體、第一彩色濾光片及第三彩色濾光片至少部分地互相重疊。在至少一個像素區中的第二彩色濾光片藉由橋接部連接至配置於相鄰像素區中的相鄰第二彩色濾光片,且橋接部由與第二彩色濾光片相同的材料形成並配置在光阻擋區中。
在一例示性實施例中,第一色彩可為紅色,第二色彩可為綠色及第三色彩可為藍色。
在一例示性實施例中,像素區可包含複數個第一像素區、複數個第二像素區及複數個第三像素區。第一彩色濾光片可跨越複數個第一像素區在第一方向上延伸。第二彩色濾光片可跨越複數個第二像素區在第一方向上延伸。第三彩色濾光片可跨越複數個第三像素區在第一方向上延伸,使得每一第一彩色濾光片、第二彩色濾光片及第三彩色濾光片可以條狀配置。
在一例示性實施例中,橋接部可以不與薄膜電晶體重疊。
在一例示性實施例中,顯示設備可進一步包括配置於第一基底基板上的第四彩色濾光片,第四彩色濾光片可為透明。第一彩色濾光片、第二彩色濾光片及第三彩色濾光片可與第四彩色濾光片重疊。
在一例示性實施例中,顯示設備可進一步包括配置於第一彩色濾光片、第二彩色濾光片及第三彩色濾光片上,並包含有機絕緣材料的有機絕緣層。
在一例示性實施例中,顯示設備可進一步包括配置於光阻擋區中的有機絕緣層上的屏蔽電極。
在一例示性實施例中,顯示設備可進一步包括電連接至薄膜電晶體並形成自與屏蔽電極相同的層的像素電極。像素電極可經由穿過第一彩色濾光片、第三彩色濾光片及有機絕緣層延伸的接觸孔電連接。
在一例示性實施例中,顯示設備可進一步包括配置於第一基底基板上的浮動電極。像素電極可包含在第一方向或第三方向延伸的桿體。複數個狹縫可以自桿體延伸至像素電極的邊緣。
在一例示性實施例中,顯示設備可進一步包括面向第一基底基板的第二基底基板、在第一基底基板及第二基底基板之間的液晶層及重疊於第一彩色濾光片、第二彩色濾光片及第三彩色濾光片的主要柱間隔件。主要柱間隔件可被用於維持液晶層的單元間隙。
在一例示性實施例中,第二彩色濾光片的橋接部可重疊於第一彩色濾光片、第三彩色濾光片或第一彩色濾光片及第三彩色濾光片。第二次要柱間隔件可小於主要柱間隔件,係藉由橋接部形成以維持液晶層的按壓間隙。
在一例示性實施例中,顯示設備可進一步包括小於主要柱間隔件以維持按壓間隙的第一次要柱間隔件。
在一例示性實施例中,顯示設備可進一步包括配置在光阻擋區中並包含透明導電材料的屏蔽電極。屏蔽電極可為沿著光阻擋區的網狀結構。第二彩色濾光片可在橋接部配置處被截斷,使得橋接部沒有與屏蔽電極重疊。
在一例示性實施例中,第一色彩可為紅色,且第一彩色濾光片可在橋接部配置處被截斷。橋接部可在光阻擋區中與第三彩色濾光片完全重疊,且橋接部可以不與第一彩色濾光片完全重疊。
在一例示性實施例中,第三色彩可以為藍色。第三彩色濾光片可以在橋接部配置處被截斷。橋接部可在光阻擋區中與第一彩色濾光片完全重疊,且橋接部可以不與第三彩色濾光片完全重疊。
根據本發明概念的一實施例,顯示設備包括配置在第二方向及第一方向上以3*2矩陣形式排列的第一、第二、第三、第四、第五及第六像素區,及在第一、第二、第三、第四、第五及第六像素區之間的光阻擋區。顯示設備包括配置於第一像素區以及在第一方向上相鄰於第一像素區的第二像素區內的第一彩色濾光片,配置於在第二方向上相鄰於第一像素區的第三像素區以及在第一方向上相鄰於第三像素區的第四像素區內的第二彩色濾光片,以及配置於在第二方向上相鄰於第三像素區的第五像素區以及在第一方向上相鄰於第五像素區的第六像素區內的第三彩色濾光片。第三彩色濾光片在光阻擋區中與第一彩色濾光片重疊。第二彩色濾光片包括在光阻擋區中介在第三像素區及第四像素區之間的橋接部。
在一例示性實施例中,第一彩色濾光片可為紅色彩色濾光片,第二彩色濾光片可為綠色彩色濾光片,以及第三彩色濾光片可為藍色彩色濾光片。
在一例示性實施例中,顯示設備可進一步包括配置於第七像素區及在第一方向上相鄰於第七像素區的第八像素區內的第四彩色濾光片。第四彩色濾光片可為透明彩色濾光片,並且可配置於所有的第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七及第八像素區中。
在一例示性實施例中,顯示設備可進一步包括配置於第一、第二、第三、第四、第五及第六像素區中的液晶層,以及用於維持液晶層之單元間隙的主要柱間格件。第二彩色濾光片的橋接部可重疊第一彩色濾光片、第三彩色濾光片或第一及第三彩色濾光片。小於主要柱間隔件的第二次要柱間隔件可藉由橋接部來形成,以維持液晶層的按壓間隙。
在一例示性實施例中,顯示設備可進一步包括配置在光阻擋區中並包含透明導電材料的屏蔽電極。
根據本發明概念的一例示性實施例,顯示設備包括複數個像素區及在複數個像素區之間的光阻擋區。顯示設備進一步包括第一基底基板、配置在第一基底基板上並對應於各像素區的薄膜電晶體、具有第一色彩且配置在第一基底基板上的第一彩色濾光片、具有不同於第一色彩的第二色彩並配置於第一基底基板上的第二彩色濾光片、以及具有不同於第一色彩及第二色彩的第三色彩並配置於第一基底基板上的第三彩色濾光片。在光阻擋區中,薄膜電晶體、第一彩色濾光片及第三彩色濾光片至少部分地互相重疊。第二彩色濾光片可藉由橋接部連接至相鄰的第二彩色濾光片,且橋接部及第二彩色濾光片包括相同材料。
根據本例示性實施例,可藉由重疊顯示設備之光阻擋區中的第一及第三彩色濾光片、第一浮動電極、閘極圖樣、資料圖樣及屏蔽電極而改良光阻擋功能。進一步地,屏蔽功能可藉由閘極線及光阻擋區的屏蔽電極來改善。因此,顯示設備可不需額外的黑色矩陣結構而實現光阻擋區。
此外,當藉由顯示設備的橋接部形成第二次要柱間隔件,能夠有效地維持顯示設備的按壓間隙。
將被理解的是以上概括性的描述和接下來的詳細描述為例示性及說明性,且意圖提供如所請求的發明概念之進一步理解。
以下,將參照附圖詳細地解釋本發明概念。
第1圖係繪示根據本發明概念之一例示性實施例的顯示設備之方塊圖。
參考第1圖,顯示設備可包括顯示面板10及顯示面板驅動器。顯示面板驅動器可包括時序控制器20、閘極驅動器30、伽瑪參考電壓產生器(gamma reference voltage generator)40及資料驅動器50。
顯示面板10可包括複數個閘極線GL、複數個資料線DL以及電連接到閘極線GL及資料線DL的複數個像素。閘極線GL可在第一方向D1上延伸並且資料線DL可在跨越第一方向D1的第二方向D2上延伸。
每個像素可包括開關元件、液晶電容器及儲存電容器。液晶電容器及儲存電容器係電連接至開關元件。像素可以矩陣形式來配置。
顯示面板10可包括第一基板、面對於第一基板的第二基板及配置在第一基板及第二基板之間的液晶層。閘極線、 資料線、像素的像素電極及開關元件可在第一基板上形成。共同電極可在第二基板上形成。
顯示面板10的結構可參考第2、3A、3B、3C、4A、4B、5A、5B及5C圖詳細解釋。
時序控制器 20可接受來自外部設備(未圖示)的輸入影像資料IMG及輸入控制訊號CONT。輸入影像資料IMG可包括紅色影像資料、綠色影像資料及藍色影像資料。輸入控制訊號CONT可包括主時脈訊號(master clock signal)及資料致能訊號(data enable signal)。輸入控制訊號CONT可進一步包括垂直同步訊號(vertical synchronizing signal)及水平同步訊號(horizontal synchronizing signal)。
時序控制器20可基於輸入影像資料IMG及輸入控制訊號CONT產生第一控制訊號CONT1、第二控制訊號CONT2、第三控制訊號CONT3及資料訊號DATA。
時序控制器20可基於輸入控制訊號CONT產生用於控制閘極驅動器30的操作之第一控制訊號CONT1,並輸出第一控制訊號CONT1至閘極驅動器30。第一控制訊號CONT1可進一步包括垂直啟動訊號(vertical start signal)及閘極時序訊號(gate clock signal)。
時序控制器20可基於輸入控制訊號CONT產生用於控制資料驅動器50的操作之第二控制訊號CONT2,並輸出第二控制訊號CONT2至資料驅動器50。第二控制訊號CONT2可包括水平啟動訊號(horizontal start signal)及負載訊號(load signal)。
時序控制器20可基於輸入影像資料IMG產生資料訊號DATA。時序控制器20可輸出資料訊號DATA至資料驅動器50。
時序控制器20可基於輸入控制訊號CONT產生用於伽瑪參考電壓產生器40的操作之第三控制訊號CONT3,並輸出第三控制訊號CONT3至伽瑪參考電壓產生器40。
閘極驅動器30可產生驅動閘極線GL的閘極訊號,以回應從時序控制器20接收到的第一控制訊號CONT1。閘極驅動器30可依序地輸出閘極訊號至閘極線GL。
伽瑪參考電壓產生器40可產生伽瑪參考電壓VGREF,以回應從時序控制器20接受到的第三控制訊號CONT3。伽瑪參考電壓產生器40可提供伽瑪參考電壓VGREF至資料驅動器50。伽瑪參考電壓VGREF可具有對應於資料訊號DATA之位準的值。
在一例示性實施例中,伽瑪參考電壓產生器40可被配置在時序控制器20中或在資料驅動器50中。
資料驅動器50可接收到來自時序控制器20的第二控制訊號CONT2及資料訊號DATA,並接收到來自伽瑪參考電壓產生器40的伽瑪參考電壓VGREF。資料驅動器50可將資料訊號DATA轉換成具有使用伽瑪參考電壓VGREF之類比型的資料電壓。資料驅動器50可輸出資料電壓至資料線DL。因此,顯示設備可藉由來自分別對應於上述像素的複數個像素區(第一像素區PX1至第六像素區PX6)的發光來顯示影像。
第2圖係詳細繪示在第1圖的顯示設備之第一像素區PX1至第六像素區PX6的平面圖。第3A、3B及3C圖係分別繪示第2圖的顯示設備之第一彩色濾光片R、第二彩色濾光片G及第三彩色濾光片B的平面圖。第4A圖係繪示第2圖的顯示設備之屏蔽電極SCOM及像素電極PE的平面圖。第4B圖係繪示第2圖的顯示設備之第一薄膜電晶體TFT1附近的放大圖。第5A、5B及5C圖係分別繪示沿著第2圖的顯示設備之線I-I’、II-II’及III-III’的截面圖。
參考第2、3A、3B、3C、4A、4B、5A、5B及5C圖,顯示設備可包括第一像素區PX1、第二像素區PX2、第三像素區PX3、第四像素區PX4、第五像素區PX5、第六像素區PX6,有時統一稱為第一像素區PX1至第六像素區PX6,及在第一像素區PX1至第六像素區PX6之間的光阻擋區BM。第一像素區PX1至第六像素區PX6可在第二方向D2及第一方向D1上以3*2矩陣形式配置。第二方向D2可實質上垂直於第一方向D1。第一像素區PX1至第六像素區PX6為於其中發出顯示設備用來顯示影像的光的區域,並且光阻擋區BM為於其中沒有發光的區域。
儘管在圖中僅示出六個像素區的一個像素結構,顯示區可具有重複地形成該像素結構於其中的結構。
顯示設備可包括下方基板、相對於下方基板的上方基板及在下方基板及上方基板之間的液晶層LC。
下方基板可包括第一偏光片POL1、第一基底基板100、緩衝層110、閘極圖樣、主動圖樣ACT、資料圖樣、第一絕緣層120、第一彩色濾光片R、第三彩色濾光片B、有機絕緣層130、透明電極圖案、主要柱間隔件MCS、第一次要柱間隔件SCS1及第一配向層AL1。
第一偏光片POL1可被貼附在第一基底基板100上。第一偏光片POL1可被配置在背光單元(未圖示)之間,以提供光至液晶層LC及第一基底基板100。第一偏光片POL1可極化透射光,且第一偏光片POL1可以是常用的聚乙烯醇(PVA)偏光片。儘管在圖式中未示出,在一些實施例中,第一偏光片POL1可為形成在第一基底基板100上的線柵偏光片。
第一基底基板100可包括透明絕緣基板。例如,第一基底基板100可包括玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。用於第一基底基板100之透明樹脂基板的實例可包括聚亞醯胺基樹脂(polyimide-based resin)、丙烯酸基樹脂(acryl-based resin)、聚丙烯酸酯樹脂(polyacrylate-based resin)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate-based resin)、聚醚樹脂(polyether-based resin)、磺酸樹脂(sulfonic acid containing resin)、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂(polyethyleneterephthalate-based resin)等類似樹脂。
緩衝層110可被配置在第一基底基板100上。若第一基底基板的頂面為非平面,緩衝層110可被平面化。可使用無機絕緣材料或有機絕緣材料來形成緩衝層110。
閘極圖樣可被配置於緩衝層110上。閘極圖樣可包括第一閘極線GL1、第二閘極線GL2、第三閘極線GL3、第一浮動電極FE1、第二浮動電極FE2及第三浮動電極FE3。閘極圖樣可包括如鋁(Al)、銅 (Cu)、鈦(Ti)等的金屬。
每個第一閘極線GL1、第二閘極線GL2及第三閘極線GL3可在第一方向D1上延伸,並在第二方向D2上相互間隔開。第一閘極線GL1可被電連接至第一薄膜電晶體TFT1的閘極電極GE及第二薄膜電晶體TFT2的閘極電極。第二閘極線GL2可被電連接至第三薄膜電晶體TFT3的閘極電極及第四薄膜電晶體TFT4的閘極電極。第三閘極線GL3可被電連接至第五薄膜電晶體TFT5的閘極電極及第六薄膜電晶體TFT6的閘極電極。
第一浮動電極FE1可被配置於第一像素區PX1至第六像素區PX6及光阻擋區BM的邊界,使得第一浮動電極FE1可阻擋由於液晶控制的困難而發生的漏光。第二浮動電極FE2可被形成為與未形成狹縫的像素電極PE之桿體重疊,使得第二浮動電極FE2可阻擋由於液晶控制的困難而發生的漏光。第三浮動電極FE3可被形成為與像素電極PE的邊緣重疊,使得第三浮動電極FE3可阻擋由於液晶控制的困難而發生的漏光。如圖式中所示,第一浮動電極FE1、第二浮動電極FE2及第三浮動電極FE3可對應形成於各別的像素區。
第一絕緣層120可被配置在閘極圖樣形成於其上的緩衝層110上。第一絕緣層120可包括矽化合物、金屬氧化物及其類似物。例如,第一絕緣層120可利用氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、氧化鋁(AlOx)、氧化鉭(TaOx)、氧化鉿(HfOx)、氧化鋯(ZrOx)、氧化鈦(TiOx)及其類似物來形成。這些可單獨使用或混合使用。第一絕緣層120可均勻地沿著閘極圖樣的輪廓形成在第一基底基板100上。於此,第一絕緣層120可具有實質上小的厚度,這樣梯狀部分可被形成在閘極圖樣的一部分。在一些實施例中,第一絕緣層120可具有相對大的厚度而足以覆蓋閘極圖樣。
主動圖樣ACT及在主動圖樣ACT上的資料圖樣可被配置在第一絕緣層120上。可利用回蝕刻製程(etch-back process)或類似製程同時形成主動圖樣ACT及資料圖樣。
主動圖樣ACT可包括與源極SE重疊的源極區、與汲極DE重疊的汲極區以及在源極區及汲極區之間的通道區。主動圖樣ACT可包括由非晶矽(a-Si:H)組成的半導體層及由n+非晶矽(n+ a-Si:H)組成的歐姆接觸層(ohmic contact layer),其與源極SE或汲極DE接觸。此外,主動圖樣ACT可包括氧化物半導體。氧化物半導體可包括包含至少一種選自由銦(In)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)及鉿(Hf)所組成之群組中的非晶氧化物。
資料圖樣可包括第一資料線DL1、第二資料線DL2、源極SE及汲極DE。資料圖樣可包括如鋁(Al)、銅(Cu)、鈦(Ti)等的金屬。
每個第一資料線DL1及第二資料線DL2可在第二方向D2上延伸並在第一方向D1上相互間隔開。第一資料線DL1可被電連接至第一薄膜電晶體TFT1的源極SE、第三薄膜電晶體TFT3的源極及第五薄膜電晶體TFT5的源極。第二資料線DL2可被電連接至第二薄膜電晶體TFT2的源極、第四薄膜電晶體TFT4的源極及第六薄膜電晶體TFT6的源極。
第一彩色濾光片R可被配置在於其上配置有資料圖樣的第一絕緣層120上。第一彩色濾光片R可為穿過液晶層LC的光提供顏色。第一彩色濾光片可為紅色彩色濾光片。
第一彩色濾光片R可被配置在第一像素區PX1、第二像素區PX2及光阻擋區BM中。更具體地,再次參考第3A圖,第一彩色濾光片R可沿著第一方向D1形成在相鄰於配置有第一薄膜電晶體TFT1之第一像素區PX1的一部分光阻擋區BM、第一像素區PX1、在第一像素區PX1及第二像素區PX2之間的一部分光阻擋區BM及第二像素區PX2中。此外,第一彩色濾光片R可沿著第二方向D2形成在配置有第一薄膜電晶體TFT1之一部分光阻擋區BM、配置有第三薄膜電晶體TFT3之一部分光阻擋區BM及配置有第五薄膜電晶體TFT5之一部分光阻擋區BM中。此外,第一彩色濾光片R可沿著第二方向D2形成在配置有第二薄膜電晶體TFT2的一部分光阻擋區BM、配置有第四薄膜電晶體TFT4的一部分光阻擋區BM及配置有第六薄膜電晶體TFT6的一部分光阻擋區BM中。
因此,第一彩色濾光片R可沿著在第一方向D1上的複數個像素區以條狀形成並且可形成在對應於在第二方向D2上的複數個像素區之光阻擋區BM中。
此外,未形成有第一彩色濾光片R的第一基板可形成為對應用於各像素區所對應的像素電極之接觸孔。
第二彩色濾光片G可被形成在形成有第一彩色濾光片R的第一絕緣層120上。第二彩色濾光片G可為穿過液晶層LC的光提供顏色。第二彩色濾光片可為綠色彩色濾光片。
第二彩色濾光片G可被配置在第三像素區PX3及第四像素區PX4中。更具體地,再次參考第3B圖,第二彩色濾光片G可沿著第一方向D1形成在第三像素區PX3及第四像素區PX4中。橋接部GBR可被配置在光阻擋區BM中。橋接部GBR可配置在介於兩個配置有第二彩色濾光片G的像素區之間的一部分光阻擋區BM,使得橋接部GBR可連接該兩個像素區的第二彩色濾光片G。
橋接部GBR可重疊第一彩色濾光片R及第三彩色濾光片B。因此,在橋接部GBR形成的一部分中,第一彩色濾光片R、第二彩色濾光片G及第三彩色濾光片B相互重疊以如同作為第二次要柱間隔件SCS2運作(參考第2圖及第5B圖)。
此外,橋接部GBR形成以不與用於像素電極PE的接觸孔CNT及第三薄膜電晶體TFT3或第四薄膜電晶體TFT4重疊(參見第4A圖、第4B圖)。這是因為接觸孔CNT應穿過第一彩色濾光片R、第二彩色濾光片G以及第三彩色濾光片B來形成,並形成在形成有第三薄膜電晶體TFT3或第四薄膜電晶體TFT4的一部分中,薄膜電晶體結構旁的下薄膜之厚度高,因此這對於第二次要柱間隔件SCS2並非是合適的位置。
橋接部GBR可與第二彩色濾光片G在像素區中一體地形成。
因此,第二彩色濾光片G可跨越複數個像素區沿著第一方向D1以條狀形成。介在於其內形成有第二彩色濾光片G的兩個像素區之間的光阻擋區BM中,可形成橋接部GBR以連接在兩個像素區中的第二彩色濾光片G。
第三彩色濾光片B可被配置在配置有第一彩色濾光片R及第二彩色濾光片G的第一絕緣層120上。第三彩色濾光片B可為穿過液晶層LC的光提供顏色。第三彩色濾光片可為藍色彩色濾光片。
第三彩色濾光片B可被配置在第五像素區PX5、第六像素區PX6及光阻擋區BM中。更具體地,再次參考第3C圖,第三彩色濾光片B可沿著第一方向D1形成在相鄰於配置有第五薄膜電晶體TFT5之第五像素區PX5的一部分光阻擋區BM、第五像素區PX5、在第五像素區PX5及第六像素區PX6之間的一部分光阻擋區BM以及第六像素區PX6中。此外,第三彩色濾光片B可沿著第二方向D2形成在配置有第一薄膜電晶體TFT1之一部分光阻擋區BM、配置有第三薄膜電晶體TFT3之一部分光阻擋區BM以及配置有第五薄膜電晶體TFT5之一部分光阻擋區BM中。此外,第三彩色濾光片B可沿著第二方向D2形成在配置有第二薄膜電晶體TFT2的一部分光阻擋區BM、配置有第四薄膜電晶體TFT4的一部分光阻擋區BM及配置有第六薄膜電晶體TFT6的一部分光阻擋區BM中。
因此,第三彩色濾光片B可沿著在第一方向D1上的複數個像素區以條狀形成並且可在第二方向D2上形成於對應複數個像素區的光阻擋區BM中。
此外,未形成有第三彩色濾光片B之開口BOP係形成以對應用於對應每一像素區之像素電極之接觸孔。
因此,可對應配置有第一彩色濾光片R的第一像素區PX1來形成包括了閘極GE、主動圖樣ACT、源極SE以及汲極DE的第一薄膜電晶體TFT1。可對應配置有第一彩色濾光片R的第二像素區PX2來形成第二薄膜電晶體TFT2。可對應配置有第二彩色濾光片G的第三像素區PX3來形成第三薄膜電晶體TFT3。可對應配置有第二彩色濾光片G的第四像素區PX4來形成第四薄膜電晶體TFT4。可對應配置有第三彩色濾光片B的第五像素區PX5來形成第五薄膜電晶體TFT5。可對應配置有第三彩色濾光片B的第六像素區PX6來形成第六薄膜電晶體TFT6。
有機絕緣層130可被配置在第一彩色濾光片R、第二彩色濾光片G及第三彩色濾光片B上。有機絕緣層130可包括有機絕緣材料。有機絕緣層130可覆蓋第一彩色濾光片R、第二彩色濾光片G及第三彩色濾光片B且具有平坦的上表面。
透明電極圖案可被配置在有機絕緣層130上。透明電極圖案可包括透明導電材料。例如,透明電極圖案可包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物 (IZO)及其類似物。透明電極圖案可包括屏蔽電極SCOM及像素電極PE。
再次參考第4B圖,屏蔽電極SCOM可重疊第一資料線DL1及第二資料線DL2、第一閘極線GL1、第二閘極線GL2及第三閘極線GL3。因此,屏蔽電極SCOM可沿著光阻擋區BM形成網狀結構。屏蔽電壓可被施加至屏蔽電極SCOM,使得對應於屏蔽電極SCOM之液晶層LC的液晶可被控制在暗態(black state)。
可形成像素電極PE以對應於第一像素區PX1至第六像素區PX6中的每一個。像素電極PE可經由接觸孔電連接至薄膜電晶體的汲極。可穿過有機絕緣層130、第一彩色濾光片R、第二彩色濾光片G及第三彩色濾光片B來形成接觸孔,且接觸孔暴露了汲極或連接至汲極的接觸板。
像素電極PE可包括在第一方向D1或第二方向D2上延伸的桿體。從桿體至像素電極PE之邊緣延伸的複數個狹縫SL可被形成於像素電極PE。像素電極PE的桿體可重疊第一浮動電極FE1、第二浮動電極FE2或第三浮動電極FE3配置。
主要柱間隔件MCS及第一次要柱間隔件SCS1可被配置在有機絕緣層130上。主要柱間隔件MCS可與上方基板接觸以維持在上方基板及下方基板之間的單元間隙。可進一步將第一配向層AL1配置在主要柱間隔件MCS及上方基板之間。主要柱間隔件MCS可被配置以重疊第六薄膜電晶體TFT6。主要柱間隔件MCS可被配置為除了圖式中所示之外所需的數量。
第一次要柱間隔件SCS1可被形成為低於主要柱間隔件MCS。當液晶顯示設備被施以外力,可藉由第一次要柱間隔件SCS1維持按壓間隙。第一次要柱間隔件SCS1可與第一薄膜電晶體TFT1及第二薄膜電晶體TFT2重疊。第一次要柱間隔件SCS1可配置除了圖式中所示之外所需的數量。第一次要柱間隔件SCS1可以和主要柱間隔件MCS以半色調光罩(half-tone mask)或類似光罩來形成。
可形成多於主要柱間隔件MCS的第一次要柱間隔件SCS1。因此,對於整個顯示設備,主要柱間隔件MCS的密度可低於第一次要柱間隔件SCS1的密度。此外,顯示設備可包括之後將會提到的第二次要柱間隔件SCS2,且第一次要柱間隔件SCS1可被去除。
此外,再次參考第5B圖,第一彩色濾光片R、第二彩色濾光片G及第三彩色濾光片B相互重疊的區域係配置有橋接部GBR的區域,其高於從第一基底基板100配置之一個或兩個彩色濾光片的區域,使得該區域可形成第二次要柱間隔件SCS2。因此,可以第一次要柱間隔件SCS1有效地維持按壓間隙。
特別地,由於組成第二次要柱間隔件SCS2的層係經由全色調曝光製程(full tone exposure process)形成而沒有使用半色調光罩,第二次要柱間隔件SCS2的偏差非常小。在一般使用半色調光罩形成的第一次要柱間隔件SCS1之情況下,可能發生第一次要柱間隔件SCS1的高度偏差。在不使用半色調光罩來形成第二次要柱間隔件SCS2的情況中,第二次要柱間隔件SCS2的偏差可以非常小。因此,可形成具有一致高度的複數個第二次要柱間隔件SCS2。
在本實施例中,主要柱間隔件MCS及第一次要柱間隔件SCS1係配置以不與屏蔽電極SCOM重疊。然而,當需要時主要柱間隔件MCS及第一次要柱間隔件SCS1可與屏蔽電極SCOM重疊。
第一配向層AL1可被配置在透明電極圖案、主要柱間隔件MCS、第一次要柱間隔件SCS1及有機絕緣層130上。第一配向層AL1可包括能夠配向液晶層LC的液晶分子的配向材料。
上方基板可包括第二基底基板200、共同電極CE、第二配向層AL2及第二偏光片POL2。
第二基底基板可包括透明絕緣基板。例如,第二基底基板200可包括玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。用於第二基底基板200之透明樹脂基板的實例可包括聚亞醯胺基樹脂(polyimide-based resin)、丙烯酸基樹脂(acryl-based resin)、聚丙烯酸酯樹脂(polyacrylate-based resin)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate-based resin)、聚醚樹脂(polyether-based resin)、磺酸樹脂(sulfonic acid containing resin)、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂(polyethyleneterephthalate-based resin)及其類似樹脂。
共同電極CE可被配置在第二基底基板200上。共同電壓可施加至共同電極CE。共同電極CE可包括透明導電材料。例如,共同電極CE可包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物 (IZO)及其類似物。
第二配向層AL2可被配置在共同電極CE上。第二配向層AL2可包括能夠配向液晶層LC的液晶分子的配向材料。同時,若必要的話,可根據液晶層LC的組成材料去除第一配向層AL1及第二配向層AL2。當顯示設備不包括第一配向層AL1及第二配向層AL2時,主要柱間隔件MCS可直接接觸共同電極。
第二偏光片POL2可被貼附在第二基底基板200的一個表面上,該表面係相對於形成有共同電極CE的基底基板200的表面。第二偏光片POL2可極化透射光,並且可使用常用的聚乙烯醇(PVA)偏光片。第二偏光片POL2的偏光軸可垂直於第一偏光片POL1的偏光軸。儘管在圖式中未圖示,在一些實施例中,第二偏光片POL2可以是形成在第二基底基板200上的線柵偏光片。
液晶層LC可被配置在第一配向層AL1及第二配向層AL2之間。液晶層LC可包括具有光學各向異性的液晶分子。液晶分子被電場驅動,以藉由傳遞或阻擋透過液晶層LC的光來顯示影像。
根據本例示性實施例,光阻擋區BM可進一步重疊閘極線,使得光阻擋區BM可具有網狀結構。在第二方向D2上延伸的一部分光阻擋區BM中,光阻擋功能可藉由重疊第一彩色濾光片R及第三彩色濾光片B、第一浮動電極FE1、閘極圖樣及資料圖樣,以及屏蔽電極SCOM而得到改善。
此外,在第一方向D1上延伸的一部分光阻擋區BM中,可藉由閘極線及屏蔽電極SCOM改良光阻擋功能。因此,顯示設備可不需要額外用於阻擋光的層而實施光阻擋區。
此外,當第二次要柱間隔件SCS2藉由橋接部GBR形成時,可有效地維持顯示設備的按壓間隙。
第6圖係繪示根據本發明概念之一例示性實施例的顯示設備之第一像素區PX1至第六像素區PX6的平面圖。第7圖係繪示第6圖的顯示設備之第二彩色濾光片G的平面圖。第8A、8B及8C圖係分別繪示沿著第6圖的顯示設備之線I-I’、II-II’及III-III’的截面圖。
參考第6、7、8A及8B圖,除了第二彩色濾光片G,顯示設備基本上可與第2圖的顯示設備相同。因此省略重複的描述。
第二彩色濾光片G可被配置於第三像素區PX3及第四像素區PX4中。更具體地,再次參考第7圖,第二彩色濾光片G可沿著第一方向D1形成在第三像素區PX3及第四像素區PX4中。橋接部GBR可被配置於光阻擋區BM中。橋接部GBR可被配置在配置有第二彩色濾光片G的兩個像素區之間的一部分光阻擋區BM,使得橋接部GBR可連接兩個像素區的第二彩色濾光片G。
第二彩色濾光片G在第三像素區PX3及第四像素區PX4可具有第一厚度t1。橋接部GBR可具有在光阻擋區BM中小於第一厚度t1的第二厚度t2。
橋接部GBR可重疊第一彩色濾光片R及第三彩色濾光片B。因此,在形成有橋接部GBR的一部分中,第一彩色濾光片R、橋接部GBR及第三彩色濾光片B相互重疊以如同第二次要柱間隔件SCS2般運作。於此,可使用半色調光罩(half-tone mask)或其類似光罩形成具有第二厚度t2的橋接部GBR。因此,可藉由全色調曝光製程形成具有第一厚度t1的第二彩色濾光片G,並且可藉由半色調光罩形成具有第二厚度t2的橋接部GBR。
因此,第二次要柱間隔件SCS2之高度可低於第2圖中之顯示設備的第二次要柱間隔件。因此,可能藉由調整橋接部GBR的厚度來調整第二次要柱間隔件的高度。
第9圖係繪示根據本發明概念之一例示性實施例的顯示設備之第一像素區PX1至第八像素區PX8的平面圖。
第10A、10B、10C及10D圖係分別繪示第9圖的顯示設備之第一彩色濾光片R、第二彩色濾光片G、第三彩色濾光B片及第四彩色濾光片W的平面圖。第11A、11B、11C及11D圖係分別繪示沿著第9圖的顯示設備之線I-I’、II-II’、 III-III’及IV-IV’的截面圖。
參考第9、10A、10B、10C、10D、11A、11B、11C及11D圖,除了顯示設備進一步包括了第四彩色濾光片W,顯示設備基本上可與第2圖的顯示設備相同。因此省略重複的描述。
顯示設備可包括第一像素區PX1、第二像素區PX2、第三像素區PX3、第四像素區PX4、第五像素區PX5、第六像素區PX6、第七像素區PX7、第八像素區PX8,有時統一稱為第一像素區PX1至第八像素區PX8,以及在第一像素區PX1至第八像素區PX8之間的光阻擋區BM。第一像素區PX1至第八像素區PX8可在第二方向D2及第一方向D1上以4*2矩陣形式配置。閘極圖樣可進一步包括第四閘極線GL4。
第一彩色濾光片R可為穿過液晶層LC的光提供顏色。第一彩色濾光片可為紅色彩色濾光片。第一彩色濾光片R可被配置在第一像素區PX1、第二像素區PX2及光阻擋區BM中。更具體地,再次參考第10A圖,第一彩色濾光片R可沿著第一方向D1形成在相鄰於配置有第一薄膜電晶體TFT1之第一像素區PX1的一部分光阻擋區BM、第一像素區PX1、在第一像素區PX1及第二像素區PX2之間的一部分光阻擋區BM以及第二像素區PX2中。此外,第一彩色濾光片R可沿著第二方向D2形成在配置有第一薄膜電晶體TFT1之一部分光阻擋區BM、配置有第三薄膜電晶體TFT3之一部分光阻擋區BM、配置有第五薄膜電晶體TFT5之一部分光阻擋區BM以及配置有第七薄膜電晶體TFT7之一部分光阻擋區BM中。此外,第一彩色濾光片R可沿著第二方向D2形成在配置有第二薄膜電晶體TFT2的一部分光阻擋區BM、配置有第四薄膜電晶體TFT4的一部分光阻擋區BM、配置有第六薄膜電晶體TFT6的一部分光阻擋區BM以及配置有第八薄膜電晶體TFT8的一部分光阻擋區BM中。
因此,第一彩色濾光片R可沿著在第一方向D1上的複數個像素區以條狀形成並且可形成在對應於在第二方向D2上的複數個像素區之光阻擋區BM中。
此外,未形成有第一彩色濾光片R的開口ROP係可形成以對應用於對應每個像素區的像素電極之接觸孔。
第二彩色濾光片G可為穿過液晶層LC的光提供顏色。第二彩色濾光片可為綠色彩色濾光片。第二彩色濾光片G可被配置在第三像素區PX3及第四像素區PX4中。更具體地,再次參考第10B圖,第二彩色濾光片G可沿著第一方向D1形成在第三像素區PX3及第四像素區PX4中。橋接部GBR可被配置在光阻擋區BM中。橋接部GBR可配置在介於配置有第二彩色濾光片G的兩個像素區之間的一部分光阻擋區BM,使得橋接部GBR可連接兩個像素區的第二彩色濾光片G。
因此,第二彩色濾光片G可沿著在第一方向D1上的複數個像素區以條狀形成。在兩個相鄰像素區的第二彩色濾光片G可藉由在兩個像素區之間的光阻擋區BM的橋接部GBR相互連接。
第三彩色濾光片B可為穿過液晶層LC的光提供顏色。第三彩色濾光片可為藍色彩色濾光片。第三彩色濾光片B可被配置在第七像素區PX7、第八像素區PX8及光阻擋區BM中。更具體地,再次參考第10C圖,第三彩色濾光片B可沿著第一方向D1形成在相鄰於配置有第七薄膜電晶體TFT7之第七像素區PX7的一部分光阻擋區、第七像素區PX7、在第七像素區PX7及第八像素區PX8之間的一部分光阻擋區BM以及第八像素區PX8中。此外,第三彩色濾光片B可沿著第二方向D2形成在配置有第一薄膜電晶體TFT1之一部分光阻擋區域BM、配置有第三薄膜電晶體TFT3之一部分光阻擋區BM、配置有第五薄膜電晶體TFT5之一部分光阻擋區BM及配置有第七薄膜電晶體TFT7之一部分光阻擋區BM中。此外,第三彩色濾光片B可沿著第二方向D2形成在配置有第二薄膜電晶體TFT2的一部分光阻擋區BM、配置有第四薄膜電晶體TFT4的一部分光阻擋區BM、配置有第六薄膜電晶體TFT6的一部分光阻擋區BM及配置有第八薄膜電晶體TFT8的一部分光阻擋區BM中。
因而,第三彩色濾光片B可在沿著第一方向D1上的複數個像素區以條狀形成並且可形成在對應於在第二方向D2上的複數個像素區之光阻擋區BM中。
此外,未形成有第三彩色濾光片B的開口BOP係可形成以對應用於對應每個像素區的像素電極之接觸孔。
第四彩色濾光片W可為透明彩色濾光片且可配置於所有的第一像素區PX1至第八像素區PX8。因此,第五像素區PX5及第六像素區PX6可執行白色像素的功能。未形成有第四彩色濾光片W的開口WOP係可形成以對應用於對應每個像素區的像素電極之接觸孔。
由於第四彩色濾光片W為透明的,其可如同第五像素區PX5及第六像素區PX6般跨越第一基底基板100形成。因此,不像第2圖的顯示設備,有機絕緣層130(參見第5A圖)可被省略。
第12圖係簡要繪示根據本發明概念之一例示性實施例的顯示設備之像素區的平面圖。第13A及13B圖係分別繪示沿著第12圖的顯示設備之線I-I’及II-II’的截面圖。
參考第12、13A及13B圖,除了在一些區域省略了橋接部GBR且在橋接部GBR形成的部分斷開了屏蔽電極SCOM,顯示設備基本上可與第2圖的顯示設備相同。因此省略重複的描述。
顯示設備可包括複數個像素區。每個像素區可形成包含紅色彩色濾光片R的紅色像素、包括綠色彩色濾光片G的綠色像素或包括藍色彩色濾光片B的藍色像素。紅色像素、綠色像素及藍色像素可在第一方向D1上延伸並且可以條狀配置。顯示設備可包括資料圖樣DP及閘極圖樣GP。
在相鄰的綠色像素之間的光阻擋區中有橋接部GBR形成的部分及橋接部GBR不形成的部分。因此,綠色彩色濾光片G可在像素區中相互連接。可以規則性的間隔來配置或隨機地配置未形成有橋接部GBR的部分。
在第二方向D2上延伸的屏蔽電極SCOM可在形成有橋接部GBR的部分被斷開,例如,在第二像素區PX2及第三像素區PX3之間的部分。因此,橋接部GBR不會重疊屏蔽電極SCOM。
形成有橋接部GBR的部分可執行第二次要柱間隔件 SCS2的功能。當橋接部GBR重疊屏蔽電極SCOM時,屏蔽電極可因顯示設備被按壓而損壞。根據本實施例,屏蔽電極SCOM係不重疊橋接部GBR,使得即使顯示設備被按壓屏蔽電極SCOM的損壞得以降低。
第14圖係繪示根據本發明概念之一例示性實施例的顯示設備之第一像素區PX1至第六像素區PX6的平面圖。第15A、15B及15C圖係分別繪示第14圖的顯示設備之第一彩色濾光片R、第二彩色濾光片G及第三彩色濾光片B的平面圖。第16A、16B及16C圖係分別繪示沿著第14圖的顯示設備之線I-I’、II-II’ 及 III-III’的截面圖。
參考第14、15A、15B、15C、16A、16B及16C圖,除了第一彩色濾光片R的形狀,顯示設備基本上可與第2圖的顯示設備相同。因此省略重複的描述。
第一彩色濾光片R可為穿過液晶層LC的光提供顏色。第一彩色濾光片R可為紅色彩色濾光片。第一彩色濾光片R可被配置在第一像素區PX1、第二像素區PX2、以及光阻擋區BM中。更具體地,再次參考第15A圖,第一彩色濾光片R可沿著第一方向D1形成在相鄰於配置有第一薄膜電晶體TFT1之第一像素區PX1的一部分光阻擋區、第一像素區PX1、在第一像素區PX1及第二像素區PX2之間的一部分光阻擋區BM及第二像素區PX2中。第一彩色濾光片R可沿著第二方向D2形成在配置有第一薄膜電晶體TFT1之一部分光阻擋區BM、配置有第三薄膜電晶體TFT3之一部分光阻擋區BM及配置有第五薄膜電晶體TFT5之一部分光阻擋區BM中。
於此,第一彩色濾光片R不形成在形成有橋接部GBR的部分。因此,第一彩色濾光片R沿著光阻擋區BM形成。因此,橋接部GBR可與第一彩色濾光片R部分地重疊或不重疊,而不是與整個第一彩色濾光片R重疊。
第一彩色濾光片R可跨越複數個像素區沿著第一方向D1以條狀形成。第一彩色濾光片R可在第二方向D2上形成於對應複數個像素區之光阻擋區BM中,並且可在形成有橋接部GBR的部分被斷開。
此外,未形成有第一彩色濾光片R的開口ROP可形成以對應用於對應每個像素區的像素電極之接觸孔。
因此,第二次要柱間隔件SCS2之高度可低於第2圖中之顯示設備的第二次要柱間隔件。若必要的話,第一彩色濾光片R的切割長度(cut length)可被調整以調整第一彩色濾光片R與橋接部GBR的重疊區域,使得第二次要柱間隔件SCS2的總體高度可被調整。
根據本例示性實施例,決定第二次要柱間隔件SCS2之高度的第一彩色濾光片R、第二彩色濾光片G及第三彩色濾光片B係藉由全色調曝光製程形成,而非半色調曝光製程,使得因半色調曝光製程而造成之次要柱間隔件的高度偏差問題可被解決。
第17圖係繪示根據本發明概念之一例示性實施例的顯示設備之第一像素區PX1至第六像素區PX6的平面圖。第18A、18B及18C圖係分別繪示第17圖的顯示設備之第一彩色濾光片R、第二彩色濾光片G及第三彩色濾光片B的平面圖。第19A、19B及19C圖係分別繪示沿著第17圖的顯示設備之線I-I’、II-II’ 及 III-III’的截面圖。
參考第17、18A、18B、18C、19A、19B及19C圖,除了第三彩色濾光片B的形狀,顯示設備基本上可與第2圖的顯示設備相同。因此省略重複的描述。
第三彩色濾光片B可被配置在第五像素區PX5、第六像素區PX6及光阻擋區BM中。更具體地,再次參考第18C圖,第三彩色濾光片B可沿著第一方向D1形成在相鄰於配置有第五薄膜電晶體TFT5之第五像素區PX的一部分光阻擋區BM、第五像素區PX5、在第五像素區PX5及第六像素區PX6之間的一部分光阻擋區BM及第六像素區PX6中。此外,第三彩色濾光片B可沿著第二方向D2形成在配置有第一薄膜電晶體TFT1之一部分光阻擋區BM、配置有第三薄膜電晶體TFT3之一部分光阻擋區BM及配置有第五薄膜電晶體TFT5之一部分光阻擋區BM中。
於此,第三彩色濾光片B不形成在形成有橋接部GBR的部分,使得延伸光阻擋區BM的第三彩色濾光片B在橋接部GBR被剪切。因此,橋接部GBR可與第三彩色濾光片B部分地重疊或不重疊,而不是與整個第三彩色濾光片B重疊。
因而,第三彩色濾光片B可在第一方向D1上沿著複數個像素區以條狀形成,在第二方向D2上形成於對應複數個像素區之光阻擋區BM中,以及在橋接部GBR處具有剪切部。
此外,未形成有第三彩色濾光片B的開口BOP可形成以對應用於對應每個像素區的像素電極之接觸孔。
因此,第二次要柱間隔件SCS2之高度可低於第2圖中之顯示設備的第二次要柱間隔件。若必要的話,第三彩色濾光片B的切割長度可被調整以調整第三彩色濾光片B與橋接部GBR的重疊區域,使得第二次要柱間隔件SCS2的總體高度可被調整。
第20A、20B、20C、20D、20E、20F、20G及20H圖係繪示第2圖的顯示設備之製造方法。
參考第20A圖,緩衝層110可被形成在第一基底基板100上。緩衝層110可藉由旋轉塗佈製程、化學氣相沈積(CVD) 製程、電漿增強型化學氣相沉積(PECVD) 製程、高密度電漿化學氣相沉積(HDP-CVD) 製程、印刷製程或其類似製程來形成。
閘極圖樣可被形成在緩衝層110上。閘極圖樣可包括複數個閘極線、第一至第三浮動電極及閘極電極。導電層(未圖示)可被形成在緩衝層上並且然後導電層可藉由使用額外刻蝕光罩的光蝕刻製程或蝕刻製程來圖案化。因此,閘極圖樣可被提供在緩衝層110上。於此,導電層可藉由印刷製程、 濺鍍製程、CVD製程、脈衝雷射沉積(PLD) 製程、真空蒸發製程、原子層沉積(ALD) 製程或其類似製程來形成。
參考第20B圖,第一絕緣層120可被形成在形成有閘極圖樣的緩衝層110上。第一絕緣層120可藉由旋轉塗佈製程、CVD製程、PECVD製程、HDP-CVD製程、印刷製程或其類似製程來形成。
主動圖樣ACT及資料圖樣可被形成在第一絕緣層120上。資料圖樣可包括複數個資料線、源極及汲極。主動層(未圖示)可被形成在第一絕緣層120上,並且然後導電層可被形成在主動層上。然後,導電層及主動層可被同時圖樣化以形成主動圖樣及資料圖樣。
參考第20C圖,第一彩色濾光片R可被形成在形成有資料圖樣的第一絕緣層120上。感光性光阻可被塗佈在第一絕緣層120上,並且然後第一彩色濾光片R可藉由使用光罩透過曝光及顯像以圖樣化感光性光阻而被形成。此外,第一彩色濾光片R亦可藉由其他如噴墨法(ink-jet method)的方法被形成。
參考第20D圖,第二彩色濾光片G可被形成在第一彩色濾光片R及第一絕緣層120上。感光性光阻可被塗佈在第一彩色濾光片R及第一絕緣層120上,並且然後第二彩色濾光片G可藉由使用光罩透過曝光及顯像以圖樣化感光性光阻而被形成。於此,光罩可為包括透光部分及光阻部分的全色調曝光光罩。此外,第二彩色濾光片G亦可藉由其他如噴墨法的方法被形成。
參考第20E圖,第三彩色濾光片B可被形成在第一彩色濾光片R、第二彩色濾光片G及第一絕緣層120上。感光性光阻可被塗佈在第一彩色濾光片R、第二彩色濾光片G及第一絕緣層120上,並且然後第三彩色濾光片B可藉由使用光罩透過暴露及顯像以圖樣化感光性光阻而被形成。於此,光罩可為包括透光部分及光阻部分的全色調曝光光罩。此外,第三彩色濾光片B亦可藉由其他如噴墨法的方法被形成。
參考第20F圖,有機絕緣層130可被形成在第一彩色濾光片R至第三彩色濾光片B上。有機絕緣層130可根據包括在有機絕緣層130中的成分藉由旋轉塗佈製程、印刷製程、濺鍍製程、CVD製程、ALD製程、PECVD製程、HDP-CVD製程或真空蒸發製程來獲得。形成有機絕緣層130之後,可圖樣化有機絕緣層130以形成透過有機絕緣層130用於像素電極PE的接觸孔(參見第4A圖及第4B圖中的CNT)。
包括像素電極PE及屏蔽電極SCOM的透明電極圖案可被形成在有機絕緣層130上。透明導電層可被形成在有機絕緣層130上以填充接觸孔。爾後,可藉由圖樣化透明導電層而獲得透明電極圖案。透明導電層可藉由濺鍍製程、CVD製程、PLD製程、真空蒸發製程、ALD製程、印刷製程或其類似製程來形成。
參考第20G圖,主要柱間隔件MCS及第一次要柱間隔件SCS1可被形成在形成有透明電極圖案的有機絕緣層130上。光阻材料可被塗佈在透明電極圖案及有機絕緣層130上,且然後主要柱間隔件MCS及第一次要柱間隔件SCS1可使用半色調光罩藉由曝光及顯像製程獲得。半色調光罩可包括光阻擋區、全色調區及半色調區。光在全色調區可完全穿過並在半色調區部分地穿過。可對應於全色調區形成主要柱間隔件MCS,且可對應於半色調區形成第一次要柱間隔件SCS1。
第一配向層AL1可被形成在形成有主要柱間隔件MCS及第一次要柱間隔件SCS1的有機絕緣層130上。第一配向層AL1可藉由在有機絕緣層130上施加配向劑,並且在之後藉由如摩擦的光學程序或如光照射的光學程序或化學程序來形成。
參考第20H圖,共同電極CE可被形成在第二基底基板200上。共同電極CE可藉由在第二基底基板200上形成透明導電層而形成。透明導電層可藉由濺鍍製程、CVD製程、PLD製程、真空蒸發製程、ALD 製程、印刷製程或其類似製程來形成。
第二配向層AL2可被形成在共同電極CE上。第二配向層AL2可藉由在共同電極CE上施加配向劑,並且在之後藉由如摩擦的光學程序或如光照射的光學程序或化學程序形成。
液晶層LC可被形成在第一配向層AL1及第二配向層AL2上。第一偏光片POL1及第二偏光片POL2可分別貼附到第一基底基板100及第二基底基板200上。因此,可製造顯示設備。
除了第二彩色濾光片係使用半色調光罩形成之外,第6圖之顯示設備的製造方法基本上可相同於第20A圖至第20H圖之顯示設備的製造方法。除了進一步形成第四彩色濾光片之外,第9圖之顯示設備的製造方法基本上可相同於第20A圖至第20H圖之顯示設備的製造方法。另一方面,根據另一實施例之顯示設備的製造方法亦可藉由相似的方法製造。
根據本例示性實施例,可藉由重疊顯示設備的第一及第三彩色濾光片、第一浮動電極、閘極圖樣、資料圖樣及在光阻擋區中的屏蔽電極來改善光阻擋功能。進一步地,可藉由閘極線及光阻擋區的屏蔽電極來改善遮罩功能。因此,顯示設備可實現光阻擋區而不需額外的黑色矩陣結構。
此外,由於第二次要柱間隔件係藉由顯示設備的橋接部形成,顯示設備的按壓間隙可有效地維持。
前述係本發明概念的說明性描述,且不解釋為其限制。雖然描述了一些例示性實施例,然而所屬技術領域具有通常知識者將輕易理解的是,在並未實質上脫離本發明的新穎教示及發明概念的特徵,對於例示性實施例之許多修改是可能的。因此,所有如此的修改係旨在被包含在如申請專利範圍所定義的本發明之範疇內。在申請專利範圍中,功能手段用語(means-plus-function)條款係旨在涵蓋本文中所描述之執行所述功能的結構,且不僅只有結構等同物,而是亦包含等價的結構。因此,應理解的是,前述係為本發明概念的說明,且並非解釋為限於所揭露的特定例示性實施例,而對所揭露的例示性實施例之修改以及其他例示性實施例係旨在包含於所附申請專利範圍的範疇內。
10‧‧‧顯示面板20‧‧‧時序控制器30‧‧‧閘極驅動器40‧‧‧伽瑪參考電壓產生器50‧‧‧資料驅動器100‧‧‧第一基底基板110‧‧‧緩衝層120‧‧‧第一絕緣層130‧‧‧有機絕緣層200‧‧‧第二基底基板ACT‧‧‧主動圖樣AL1‧‧‧第一配向層AL2‧‧‧第二配向層B‧‧‧第三彩色濾光片BM‧‧‧光阻擋區BOP‧‧‧開口CE‧‧‧共同電極CNT‧‧‧接觸孔CONT‧‧‧輸入控制訊號CONT1‧‧‧第一控制訊號CONT2‧‧‧第二控制訊號CONT3‧‧‧第三控制訊號D1‧‧‧第一方向D2‧‧‧第二方向DATA‧‧‧資料訊號DE‧‧‧汲極DL‧‧‧資料線DL1‧‧‧第一資料線DL2‧‧‧第二資料線DP‧‧‧資料圖樣FE1‧‧‧第一浮動電極FE2‧‧‧第二浮動電極FE3‧‧‧第三浮動電極G‧‧‧第二彩色濾光片GBR‧‧‧橋接部GE‧‧‧閘極GL‧‧‧閘極線GL1‧‧‧第一閘極線GL2‧‧‧第二閘極線GL3‧‧‧第三閘極線GP‧‧‧閘極圖樣IMG‧‧‧輸入影像資料LC‧‧‧液晶層MCS‧‧‧主要柱間隔件PE‧‧‧像素電極POL1‧‧‧第一偏光片POL2‧‧‧第二偏光片PX1‧‧‧第一像素區PX2‧‧‧第二像素區PX3‧‧‧第三像素區PX4‧‧‧第四像素區PX5‧‧‧第五像素區PX6‧‧‧第六像素區PX7‧‧‧第七像素區PX8‧‧‧第八像素區R‧‧‧第一彩色濾光片ROP‧‧‧開口SCOM‧‧‧屏蔽電極SCS1‧‧‧第一次要柱間隔件SCS2‧‧‧第二次要柱間隔件SE‧‧‧源極SL‧‧‧狹縫t1‧‧‧第一厚度t2‧‧‧第二厚度TFT1‧‧‧第一薄膜電晶體TFT2‧‧‧第二薄膜電晶體TFT3‧‧‧第三薄膜電晶體TFT4‧‧‧第四薄膜電晶體TFT5‧‧‧第五薄膜電晶體TFT6‧‧‧第六薄膜電晶體TFT7‧‧‧第七薄膜電晶體TFT8‧‧‧第八薄膜電晶體VGREF‧‧‧伽瑪參考電壓W‧‧‧第四彩色濾光片WOP‧‧‧開口
本發明概念之上述及其他特徵將藉由詳細描述其例示性實施例並參考其附圖而變得更顯而易見,其中:
第1圖係繪示根據本發明概念之一例示性實施例的顯示設備之方塊圖;
第2圖係詳細繪示在第1圖的顯示設備之第一至第六像素區的平面圖;
第3A、3B及3C圖係分別繪示第2圖的顯示設備之第一彩色濾光片、第二彩色濾光片及第三彩色濾光片的平面圖;
第4A圖係繪示第2圖的顯示設備之屏蔽電極以及像素電極的平面圖;
第4B圖係繪示第2圖的顯示設備之第一薄膜電晶體附近的放大平面圖;
第5A、5B及5C圖係分別繪示沿著第2圖的顯示設備之線I-I’、II-II’及III-III’的截面圖;
第6圖係繪示根據本發明概念之一例示性實施例的顯示設備之第一至第六像素區的平面圖;
第7圖係繪示第6圖的顯示設備之第二彩色濾光片的平面圖;
第8A、8B及8C圖係分別繪示沿著第6圖的顯示設備之線I-I’、II-II’及III-III’的截面圖;
第9圖係繪示根據本發明概念之一例示性實施例的顯示設備之第一至第八像素區的平面圖;
第10A、10B、10C及10D圖係分別繪示第9圖的顯示設備之第一彩色濾光片、第二彩色濾光片、第三彩色濾光片及第四彩色濾光片的平面圖;
第11A、11B、11C及11D圖係分別繪示沿著第9圖的顯示設備之線I-I’、II-II’、 III-III’及IV-IV’的截面圖;
第12圖係簡要繪示根據本發明概念之一例示性實施例的顯示設備之像素區的平面圖;
第13A及13B圖係分別繪示沿著第12圖的顯示設備之線I-I’及II-II’的截面圖;
第14圖係繪示根據本發明概念之一例示性實施例的顯示設備之第一至第六像素區的平面圖;
第15A、15B及15C圖係分別繪示第14圖的顯示設備之第一彩色濾光片、第二彩色濾光片及第三彩色濾光片的平面圖;
第16A、16B及16C圖係分別繪示沿著第14圖的顯示設備之線I-I’、II-II’ 及 III-III’的截面圖;
第17圖係繪示根據本發明概念之一例示性實施例的顯示設備之第一至第六像素區的平面圖;
第18A、18B及18C圖係分別繪示第17圖的顯示設備之第一彩色濾光片、第二彩色濾光片及第三彩色濾光片的平面圖;
第19A、19B及19C圖係分別繪示沿著第17圖的顯示設備之線I-I’、II-II’ 及 III-III’的截面圖;
第20A、20B、20C、20D、20E、20F、20G及20H圖係繪示第2圖的顯示設備之製造方法。
BM‧‧‧光阻擋區
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
DL1‧‧‧第一資料線
DL2‧‧‧第二資料線
FE1‧‧‧第一浮動電極
FE2‧‧‧第二浮動電極
FE3‧‧‧第三浮動電極
GL1‧‧‧第一閘極線
GL2‧‧‧第二閘極線
GL3‧‧‧第三閘極線
MCS‧‧‧主要行間隔件
PX1‧‧‧第一像素區
PX2‧‧‧第二像素區
PX3‧‧‧第三像素區
PX4‧‧‧第四像素區
PX5‧‧‧第五像素區
PX6‧‧‧第六像素區
SCS1‧‧‧第一次要柱間格件
TFT1‧‧‧第一薄膜電晶體
TFT2‧‧‧第二薄膜電晶體
TFT3‧‧‧第三薄膜電晶體
TFT4‧‧‧第四薄膜電晶體
TFT5‧‧‧第五薄膜電晶體
TFT6‧‧‧第六薄膜電晶體
Claims (15)
- 一種顯示設備,包含複數個像素區及在該複數個像素區之間的一光阻擋區,並包含:一第一基底基板;一薄膜電晶體,配置於該第一基底基板上並對應於該複數個像素區;一第一彩色濾光片,具有一第一色彩並配置於該第一基底基板上,且對應於該複數個像素區之一第一像素區;一第二彩色濾光片,具有不同於該第一色彩的一第二色彩,並配置於該第一基底基板上,且對應於該複數個像素區中之一第二像素區,該第二像素區不同於該第一像素區;以及一第三彩色濾光片,具有不同於該第一色彩及該第二色彩的一第三色彩,並配置於該第一基底基板上,且對應於該複數個像素區中之一第三像素區,該第三像素區不同於該第一像素區及該第二像素區,其中,在該光阻擋區中,該薄膜電晶體、該第一彩色濾光片及該第三彩色濾光片至少部分地互相重疊而形成一重疊區域,且該重疊區域之厚度係大於該薄膜電晶體、該第一彩色濾光片及該第三彩色濾光片個別之厚度;以及在該複數個像素區的至少一個中的該第二彩色濾光片藉由一橋接部連接至配置於一相鄰像素區中之一相鄰第二彩色濾光片,且該橋接部由與該第二彩色濾光片相同的材料形成並配置在該光阻擋區中。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備,其中該第一色彩為紅色,該第二色彩為綠色並且該第三色彩為藍色。
- 如申請專利範圍第2項所述之顯示設備,其中該複數個像素區包含複數個該第一像素區、複數個該第二像素區及複數個該第三像素區,該第一彩色濾光片跨越該複數個第一像素區在一第一方向上延伸,該第二彩色濾光片跨越該複數個第二像素區在該第一方向上延伸,該第三彩色濾光片跨越該複數個第三像素區在該第一方向上延伸,使得每一該第一彩色濾光片、該第二彩色濾光片及該第三彩色濾光片以一條狀配置。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備,其中該橋接部與該薄膜電晶體不重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備,其進一步包含:一第四彩色濾光片,係配置於該第一基底基板上,該第四彩色濾光片為透明;其中該第一彩色濾光片、該第二彩色濾光片以及該第三彩色濾光片重疊該第四彩色濾光片。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備,其進一步包含:一有機絕緣層,係配置於該第一彩色濾光片、該第二彩色濾光片以及該第三彩色濾光片上,並包含一有機絕緣材料。
- 如申請專利範圍第6項所述之顯示設備,其進一步包含:一屏蔽電極,配置於該光阻擋區中的該有機絕緣層上。
- 如申請專利範圍第7項所述之顯示設備,其進一步包含:一像素電極,電連接至該薄膜電晶體並與該屏蔽電極形成自一 相同的層;其中,該像素電極係經由穿過該第一彩色濾光片、該第三彩色濾光片及該有機絕緣層延伸的一接觸孔電連接。
- 如申請專利範圍第8項所述之顯示設備,其進一步包含:一浮動電極,係配置於該第一基底基板上;以及其中該像素電極包含在一第一方向或一第三方向延伸的一桿體,以及延伸自該桿體至該像素電極的一邊緣之複數個狹縫。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備,其進一步包含:一第二基底基板,係面向該第一基底基板;一液晶層,係介於該第一基底基板及該第二基底基板之間;以及一主要柱間隔件,重疊該第一彩色濾光片、該第二彩色濾光片及該第三彩色濾光片;其中該主要柱間隔件係用於維持該液晶層的一單元間隙(cell gap)。
- 如申請專利範圍第10項所述之顯示設備,其中該第二彩色濾光片的該橋接部重疊該第一彩色濾光片、該第三彩色濾光片或是該第一彩色濾光片以及該第三彩色濾光片,一第二次要柱間隔件,其小於該主要柱間隔件,該第二次要柱間隔件係藉由該橋接部形成以維持該液晶層的一按壓間隙(pressing gap)。
- 如申請專利範圍第11項所述之顯示設備,其進一步包含一第一次要柱間隔件,其小於該主要柱間隔件以維持該液晶層的 該按壓間隙。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備,其進一步包含一屏蔽電極,配置在該光阻擋區中並包含一透明導電材料,以及其中該屏蔽電極為沿著該光阻擋區的一網狀結構,該第二彩色濾光片在該橋接部配置處被截斷,使得該橋接部沒有與該屏蔽電極重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備,其中該第一色彩為紅色,且該第一彩色濾光片在該橋接部配置處被截斷,以及該橋接部在該光阻擋區中與該第三彩色濾光片完全重疊,且該橋接部沒有與該第一彩色濾光片完全重疊。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備,其中該第三色彩為藍色,該第三彩色濾光片在該橋接部配置處被截斷,以及該橋接部在該光阻擋區中與該第一彩色濾光片完全重疊,且該橋接部沒有與該第三彩色濾光片完全重疊。
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