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CN115113445A - 阵列基板与显示装置 - Google Patents

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CN115113445A
CN115113445A CN202110296865.7A CN202110296865A CN115113445A CN 115113445 A CN115113445 A CN 115113445A CN 202110296865 A CN202110296865 A CN 202110296865A CN 115113445 A CN115113445 A CN 115113445A
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organic insulating
orthographic projection
electrode
array substrate
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刘金刚
郭远辉
石侠
江鹏
廖燕平
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BOE Technology Group Co Ltd
Wuhan BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Wuhan BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Priority to PCT/CN2021/131718 priority patent/WO2022193710A1/zh
Priority to US17/914,388 priority patent/US12228826B2/en
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Abstract

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板与显示装置。该阵列基板可包括：第一衬底；晶体管，形成在所述第一衬底上；有机绝缘层，形成在所述第一衬底上并覆盖所述晶体管；隔垫物，形成在所述有机绝缘层远离所述第一衬底的一侧，且所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影与所述晶体管在所述第一衬底上的正投影的至少部分重叠。该方案便于让滑动后的隔垫物能够快速复位，从而缓解当面板受到碰撞或挤压后容易导致漏光的情况出现，此外，还可提升面板的开口率，进而提升面板的透过率。

Description

阵列基板与显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板与显示装置。
背景技术
液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)是一种重要的平板显示设备，在手机、车载、显示器、电视和公共显示等领域已得到广泛的应用，市场对大尺寸的液晶显示面板需求也越来越大；目前，液晶显示面板存在透过率偏低、碰撞后容易漏光等问题。
发明内容
本公开实施例的目的在于提供一种阵列基板与显示装置，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
本公开第一方面提供了一种阵列基板，其包括：
第一衬底；
晶体管，形成在所述第一衬底上；
有机绝缘层，形成在所述第一衬底上并覆盖所述晶体管；
隔垫物，形成在所述有机绝缘层远离所述第一衬底的一侧，且所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影与所述晶体管在所述第一衬底上的正投影的至少部分重叠。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括像素电极和公共电极，
所述像素电极在所述第一衬底上的正投影与所述公共电极在所述第一衬底上的正投影存在部分重叠，且所述像素电极与所述晶体管的第一极连接；
所述像素电极和所述公共电极中的一者位于所述有机绝缘层靠近所述第一衬底的一侧，另一者位于所述有机绝缘层远离所述第一衬底的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中，所述有机绝缘层具有第一有机绝缘部和第二有机绝缘部，
所述第一有机绝缘部在所述第一衬底上的正投影覆盖所述晶体管在所述第一衬底上的正投影；
所述第二有机绝缘部在所述第一衬底上的正投影覆盖所述像素电极和所述公共电极在所述第一衬底上的正投影；
其中，所述第一有机绝缘部的厚度大于所述第二有机绝缘部的厚度。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一有机绝缘部的厚度与所述第二有机绝缘部的厚度之比为2至4。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一有机绝缘部的厚度为1μm至3μm；所述第二有机绝缘部的厚度为0.8μm至1.5μm。
在本公开的一种示例性实施例中，还包括：在列方向上延伸的数据线和在行方向上延伸的扫描线，所述扫描线与所述晶体管的栅极连接，所述数据线与所述晶体管的第二极连接；
其中，所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影与所述数据线在所述第一衬底上的正投影的至少部分重叠，并与所述扫描线在所述第一衬底上的正投影的至少部分重叠。
在本公开的一种示例性实施例中，
所述扫描线的宽度与所述第一有机绝缘部的厚度之比为3至20；
所述数据线的宽度与所述第一有机绝缘部的厚度之比为1.5至6.5。
在本公开的一种示例性实施例中，所述扫描线的宽度为10μm至20μm，所述数据线的宽度为5μm至6.5μm。
在本公开的一种示例性实施例中，所述扫描线的部分构成所述晶体管的栅极，所述数据线与所述晶体管的第二极和第一极同层设置并与所述晶体管的第二极连接。
在本公开的一种示例性实施例中，所述公共电极位于所述有机绝缘层靠近所述第一衬底的一侧；所述像素电极位于所述有机绝缘层远离所述第一衬底的一侧；
其中，所述像素电极包括在列方向排布且一体成型的第一部分和第二部分，所述第一部分具有在所述列方向上交替排布的第一电极条和第一缝隙，所述第二部分具有在所述列方向上交替排布的第二电极条和第二缝隙，所述第一电极条和所述第一缝隙的延伸方向为第三方向，所述第二电极条和所述第二缝隙的延伸方向为第四方向，所述第三方向与所述第四方向相交并关于行方向镜像对称。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述第一部分和所述第二部分相接位置的至少中间区域处，所述第一电极条和所述第二电极条之间呈断开状。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括在行方向上延伸的公共线，所述公共线与所述晶体管的栅极同层设置，且所述公共线在所述第一衬底上的正投影与所述晶体管的栅极在所述第一衬底上的正投影不存在重叠；
其中，所述公共线的部分位于所述公共电极远离所述第一衬底的一侧，并与所述公共电极接触。
在本公开的一种示例性实施例中，所述隔垫物远离所述第一衬底的表面在所述第一衬底上的正投影位于所述隔垫物靠近所述第一衬底的表面在所述第一衬底上的正投影内。
在本公开的一种示例性实施例中，所述隔垫物与所述有机绝缘层接触。
本公开第二方面提供了一种显示装置，其包括上述任一项所述的阵列基板及与所述阵列基板对盒设置的对置基板。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1示出了本公开一实施所述的阵列基板的结构示意图；
图2示出了图1所示的阵列基板沿B-B’方向上的剖视示意图；
图3示出了图1中所示的阵列基板中像素电极的结构示意图；
图4示出了图2中所示出的阵列基板与对置基板的对位关系示意图；
图5示出了相关技术中的阵列基板与对置基板的对位关系示意图。
附图标记说明：
1、阵列基板；10、第一衬底；11、晶体管；110、第一极；111、第二极；112、有源层；12、有机绝缘层；120、第一有机绝缘部；121、第二有机绝缘部；13、隔垫物；14、像素电极；140、第一部分；140a、第一电极条；140b、第一缝隙；141、第二部分；141a、第二电极条；141b、第二缝隙；15、公共电极；16、数据线；17、扫描线；18、公共线；19、栅绝缘层；
2、对置基板；20、第二衬底；21、遮挡层；210、遮挡区；211、透光区；22、彩膜层；23、透明保护层。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本公开的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本公开的一种限制。
另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。
本公开实施例提供了一种阵列基板，此阵列基板可应用与显示装置中，具体可应用于液晶显示装置中。结合图1和图2可知，本公开实施例的阵列基板1可包括第一衬底10、子像素单元、有机绝缘层12及隔垫物13，子像素单元可包括至少一个晶体管11，此晶体管11可形成在第一衬底10上；有机绝缘层12可形成在第一衬底10上并覆盖晶体管11；隔垫物13可形成在有机绝缘层12远离第一衬底10的一侧，且隔垫物13在第一衬底10上的正投影与晶体管11在第一衬底10上的正投影的至少部分重叠。
在本公开的实施例中，通过采用有机绝缘材料即：有机绝缘层12覆盖晶体管11，相比于采用氮化硅等无机材料覆盖晶体管11的方案，可提高阵列基板1侧的平坦性，以便于隔垫物13占位在阵列基板1上，也就是说，隔垫物13集成在阵列基板1上，且隔垫物13远离第一衬底10的表面能够与对置基板接触，需要说明的是，对置基板的膜层结构少于阵列基板1上的膜层结构，此对置基板整体的平坦性相较于阵列基板1整体的平坦性良好，也就是说，隔垫物13与对置基板接触位置的摩擦力较小，以便于让滑动后的隔垫物13能够快速复位，从而缓解当面板受到碰撞或挤压后容易导致漏光的情况出现。
本公开通过将覆盖晶体管11的材料换成有机绝缘材料并将隔垫物13占位在阵列基板1上，可保证隔垫物13两侧的平坦性，这样设计相比于隔垫物13占位在对置基板上的方案，在保证面板受到碰撞或挤压后隔垫物13能够快速复位的同时，还可不需要在阵列基板1上设置额外的结构来保证其平坦性，因此，还可提升面板开口率。
此外，应当理解的是，晶体管11位于遮挡区域内，因此，通过将隔垫物13在第一衬底10上的正投影与晶体管11在第一衬底10上的正投影的至少部分重叠即即可理解为隔垫物13占位在晶体管11所在区域，还可减小遮挡区域的面积，从而可提升面板的开口率，进而提升面板的透过率。
在本公开的实施例中，子像素单元除了包括前述提到的晶体管11，还可包括公共电极15和像素电极14；而阵列基板1除了包括前述提到的第一衬底10、子像素单元、有机绝缘层12和隔垫物13，还可包括扫描线17、数据线16和公共线18等。
下面结合附图对本公开实施例的阵列基板1进行详细说明。
在本公开的实施例中，如图1所示，第一衬底10可具有沿行方向X和列方向Y呈阵列排布的多个子像素区A2、多行第一布线区A1和多列第二布线区A3，此第一布线区A1与子像素区A2在列方向Y上交替排布，第二布线区A3与子像素区A2在行方向X上交替排布，应当理解的是，第一布线区A1与第二布线区A3之间存在交叠。
举例而言，此第一衬底10可为单层结构，该第一衬底10的材料可为玻璃；但不限于此，此第一衬底10还可多层结构；且第一衬底10的材料不限于玻璃，也可为其他材料，例如：聚酰亚胺(PI)等材料，视具体情况而定。
在本公开的实施例中，如图1所示，扫描线17整体可在行方向X上延伸，此扫描线17可位于第一布线区A1，用于为子像素单元提供扫描信号；举例而言，扫描线17可设置多行，其中，每个第一布线区A1上可设置一行扫描线17，但不限于此，也可设置两行扫描线17或更多。
在本公开的实施例中，如图1所示，公共线18整体可在行方向X上延伸，此公共线18可位于第一布线区A1，用于为子像素单元提供公共信号；举例而言，公共线18可设置多行，其中，每个第一布线区A1上可设置一行公共线18，但不限于此，也可设置两行公共线18或更多。
其中，公共线18与扫描线17可同层设置，以简化工艺，降低成本。需要说明的是，如图1所示，在每个第一布线区A1上，公共线18在第一衬底10上的正投影与扫描线17在第一衬底10上的正投影不存在重叠并相互间隔设置，也就是说，公共线18在第一衬底10上的正投影与晶体管11的栅极在第一衬底10上的正投影不存在重叠。
此外，应该理解的是，在本公开中，“同层设置”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。即一次构图工艺对应一道掩模板(mask，也称光罩)。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。从而简化制作工艺，节省制作成本，提高生产效率。
举例而言，本公开实施例的公共线18和扫描线17可采用金属或合金材料制作而成，例如包括钼、铝及钛等，以保证其良好的导电性能，但不限于此，也可采用其他具有良好导电性能的材料制作而成。
在本公开的实施例中，如图1所示，数据线16整体可在列方向Y上延伸，此数据线16可位于第二布线区A3，用于为子像素单元提供数据信号；举例而言，数据线16可设置多列，其中，每个第二布线区A3上可设置一行数据线16，但不限于此，也可设置两行数据线16或更多。
举例而言，此数据线16可位于扫描线17和公共线18远离第一衬底10的一侧，且数据线16与扫描线17和公共线18之间设置有栅绝缘层19，如图2所示，以避免数据线16与扫描线17及公共线18接触，其中，数据线16可采用金属材料或者合金材料制作而成，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，其中，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(Ti/Al/Ti)等。
应当理解的是，本公开实施例提到的栅绝缘层19可整层设置在阵列基板1上，此栅绝缘层19可采用无机材料制作而成，例如，氧化硅、氮化硅等无机材料。
在本公开的实施例中，多个子像素单元可沿行方向X和列方向Y阵列排布，子像素单元可与子像素区A2一一对应，即：每个子像素单元对应设置在一子像素区A2上；具体地，每个子像素单元的公共电极15和像素电极14的至少部分位于一子像素区A2上，且每个子像素单元的晶体管11的至少部分可位于第一布线区A1。
如图1和图2所示，晶体管11可包括有源层112、栅极及同层设置的第二极111和第一极110；其中，栅极与有源层112之间还可设置栅绝缘层19，以使栅极与有源层112之间相互绝缘，此栅绝缘层19的厚度可在0.4μm左右，但不限于此；举例而言，本公开实施例的栅极可与前述提到的扫描线17同层设置并相互连接，换言之，此栅极可为前述提到的扫描线17的部分结构；而第二极111和第一极110可分别与有源层112的源掺杂区和漏掺杂区连接。
其中，此第二极111和第一极110可与前述提到的数据线16同层设置，以简化工艺，降低成本。
举例而言，本公开的实施例的晶体管11可为底栅型，即：栅极可先形成在第一衬底10上；然后，再在第一衬底10上形成栅绝缘层19，此栅绝缘层19覆盖栅极；之后在栅绝缘层19背离第一衬底10的一侧形成有源层112，即：有源层112位于栅极远离第一衬底10的一侧，此有源层112与栅极在第一衬底10上的正投影存在交叠，示例的，有源层112在第一衬底10上的正投影可位于栅极在第一衬底10上的正投影内；第二极111和第一极110可在形成有源层112之后形成，此第一极110的一部分可搭接在有源层112的漏掺杂区，第一极110的另一部分可位于子像素区A2上，以与像素电极14连接；第二极111的部分可搭接在有源层112的源掺杂区，第二极111的另一部分可与数据线16连接。
需要说明的是，本公开实施例的晶体管11不限于前述提到的底栅型，还可为顶栅型，即：栅极在形成有源层112之后且在形成第二极111和第一极110之前形成，应当理解的是，在栅极和有源层112及栅极和第一(二)极之间分别形成有一层栅绝缘层19；在晶体管11为顶栅型时，第二极111和第一极110可分别通过转接过孔即：贯穿两层栅绝缘层19的转接过孔与有源层112的相对两端连接。
其中，在形成第二极111和第一极110之后，可形成前述提到的有机绝缘层12，此有机绝缘层12整层设置这第一衬底10上，并覆盖前述提到的有源层112、第二极111、第一极110、数据线16、扫描线17和公共线18等。
在本公开的实施例中，子像素单元的像素电极14和公共电极15均位于第一衬底10上，且每个子像素单元中像素电极14和公共电极15的至少部分位于一子像素区A2内。其中，此像素电极14在第一衬底10上的正投影与公共电极15在第一衬底10上的正投影存在部分重叠，且像素电极14与晶体管11的第一极110连接；具体地，像素电极14和公共电极15中的一者位于有机绝缘层12靠近第一衬底10的一侧，另一者位于有机绝缘层12远离第一衬底10的一侧。
举例而言，本公开实施例的公共电极15可位于有机绝缘层12靠近第一衬底10的一侧，像素电极14可位于有机绝缘层12远离第一衬底10的一侧；其中，本公开实施例的公共电极15和像素电极14均为透明电极，其可采用ITO(氧化铟锡)材料制作而成，但不限于此，也可采用氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等透明材料制作而成。
其中，本公开实施例的公共电极15可为板状电极，即：未经过图案化开缝处理；而像素电极14可为狭缝电极，即：经过图案化开缝处理。
具体地，如图3所示，像素电极14包括在列方向Y排布且一体成型的第一部分140和第二部分141，第一部分140具有在列方向Y上交替排布的第一电极条140a和第一缝隙140b，第二部分141具有在列方向Y上交替排布的第二电极条141a和第二缝隙141b，第一电极条140a和第一缝隙140b的延伸方向为第三方向P，第二电极条141a和第二缝隙141b的延伸方向为第四方向Q，需要说明的是，第三方向P与第四方向Q相交并关于行方向X镜像对称，通过设置两种在不同方向上延伸的缝隙，可减小色偏，提高显示效果。
可选地，在第一部分140和第二部分141相接位置的至少中间区域C(如图3所示)处，第一电极条140a和第二电极条141a之间呈断开状，这样设计可提高透过率。
需要说明的是，本公开实施例中，在除第一部分140和第二部分141相接位置的至少中间区域C(如图3所示)以外的其他区域中，第一缝隙140b和第二缝隙141b在其延伸方向上的两端呈封闭状。
在本公开的实施例中，公共电极15可先于扫描线17和公共线18制作在第一衬底10上，也就是说，可先在第一衬底10上制作公共电极15，然后再制作扫描线17和公共线18，其中，公共线18的部分位于公共电极15远离第一衬底10的一侧，并与公共电极15接触，即：公共线18的部分可搭接在公共电极15远离第一衬底10的一侧，以实现公共线18为子像素单元的公共电极15提供公共信号。
而像素电极14可在形成有机绝缘层12之后形成，即：先在第一衬底10上形成有机绝缘层12，之后形成像素电极14；此像素电极14可通过有机绝缘层12上的过孔结构S(如图1所示)与晶体管11的第一极110连接。
其中，如图2所示，由于像素电极14和公共电极15分别位于有机绝缘层12的两侧，因此，为了保证像素电极14和公共电极15之间形成足够的电场，可将像素电极14和公共电极15之间的有机绝缘层12的厚度设置较小；而为了保证晶体管11处的平坦性，需要将晶体管11处的有机绝缘层12设计的较厚，基于此，在制作有机绝缘层12时，需要制作出至少两种不同厚度的有机绝缘部，比如：第一有机绝缘部120和第二有机绝缘部121，此第一有机绝缘部120在第一衬底10上的正投影覆盖晶体管11在第一衬底10上的正投影；第二有机绝缘部121在第一衬底10上的正投影覆盖像素电极14和公共电极15在第一衬底10上的正投影；其中，第一有机绝缘部120的厚度H1大于第二有机绝缘部121的厚度H2。
举例而言，第一有机绝缘部120的厚度H1与第二有机绝缘部121的厚度H2之比可为2至4，比如：2、2.5、3、3.5、4等等；这样在保证晶体管11处平坦性及保证子像素区A2的电场强度的同时，还可避免第一有机绝缘部120和第二有机绝缘部121的厚度相差过大而导致有机绝缘层12稳定性差的情况。
其中，第一有机绝缘部120的厚度H1可为1μm至3μm，比如：1μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm等等；第二有机绝缘部121的厚度H2可为0.8μm至1.5μm，比如：0.8μm、1μm、1.2μm、1.5μm等等。
需要说明的是，为了使得有机绝缘层12具有不同厚度的部分，可采用HTM(HalfTone Mask，半色调掩膜法)工艺制作此有机绝缘层12。
在本公开的实施例中，由于有机膜材料相比于氮化硅等无机材料具有更高的电阻率；因此，更加有助于降低数据线16和扫描线17等对像素电极14的干扰，此外，也有助于降低数据线16和扫描线17的负载。
其中，本公开实施例的扫描线17的宽度与前述提到的第一有机绝缘部120的厚度之比可为3至20，比如：3、6、9、12、15、18、20等等；而数据线16的宽度与第一有机绝缘部120的厚度之比可为1.5至6.5，比如：1.5、3、4.5、6、6.5等等。
举例而言，扫描线17的宽度可为10μm至20μm，比如：10μm、12μm、14μm、16μm、18μm、20μm等等；数据线16的宽度为5μm至6.5μm，比如：5μm、5.5μm、6μm、6.5μm等等，这样设计可降低数据线16和扫描线17的负载，此外，还可有助于提升面板开口率，进而提升面板透过率。
在本公开的实施例中，每个第一布线区A1上可设置一行扫描线17和一行公共线18，每个第二布线区A3上可设置一列数据线16，其中，每行扫描线17和与之相邻的同一行子像素单元的晶体管11连接；每行公共线18和与之相邻的同一行子像素单元的公共电极15搭接；每列数据线16和与之相邻的一列子像素单元中位于偶数行的子像素单元的晶体管11的第二极111连接，并和与之相邻的另一列子像素单元中位于奇数行的子像素单元的晶体管11的第二极连接；但不限于此，每列数据线16仅和与之相邻的同一列子像素单元中各子像素单元的晶体管11的第二极111连接。
需要说明的是，本公开实施例的阵列基板1还可包括与数据线16同层设置的跨接线(图中未示出)，此跨接线可通过过孔结构将在列方向Y上相邻两子像素单元的公共电极15连接。
在本公开的实施例中，如图2所示，隔垫物13可与有机绝缘层12接触，具体地，可与有机绝缘层12的第一有机绝缘部120接触。
此外，本公开实施例的隔垫物13在第一衬底10上的正投影除了与晶体管11在第一衬底10上的正投影存在重叠之外，还可与数据线16在第一衬底10上的正投影的至少部分重叠，并与扫描线17在第一衬底10上的正投影的至少部分重叠，这样可进一步有效提升面板开口率，进而提升面板透过率。
其中，本公开实施例的阵列基板1还可包括配向膜层(图中未示出)，此配向膜层可位于阵列基板1的最顶层，即：此配向膜层整层设置并覆盖像素电极14和隔垫物13。
需要说明的是，如图2所示，本公开实施例的隔垫物13远离第一衬底10的表面在第一衬底10上的正投影位于隔垫物13靠近第一衬底10的表面在第一衬底10上的正投影内，这样设计在对置基板和阵列基板1对盒后，可减小隔垫物13与对置基板的接触面积，从而可减小隔垫物13与对置基板的摩擦力，以保证隔垫物13能够快速复位。
其中，经实验表明，本公开实施例所提供的阵列基板1相比于相关技术中提到的隔垫物13在对置基板2上且其在阵列基板1上的正投影仅位于扫描线17上，以及阵列基板1上采用无机绝缘层a覆盖晶体管11的方案(如图5所示)，可有效提升面板开口率，进而提升面板透过率，具体参考下表1所示。
表1
Figure BDA0002984665950000121
基于此表格可知，在面板为65寸4K 60Hz型号时，本公开的面板相比于相关技术的面板的透过率大约有11％的提升，在面板为75寸4K60Hz型号时，本公开的面板相比于相关技术的面板的透过率大约有8％的提升，在面板为75寸8K 60Hz型号时，本公开的面板相比于相关技术的面板的透过率大约有8％的提升。
在本公开的实施例中，阵列基板1上的隔垫物13可设置多个，并分为主隔垫物和辅隔垫物，该主隔垫物在面板未收到外界压力时，其两端可分别与阵列基板1和对置基板相接触，主要起到支撑作用；而辅隔垫物在显示面板未收到外界压力时，辅隔垫物若形成在阵列基板1上，则辅隔垫物远离第一衬底10的一侧与对置基板之间具有一定的间距，也就是说，主隔垫物与辅隔垫物之间存在段差高度差，通过调节主隔垫物与辅隔垫物之间的段差可以对显示面板的厚度进行微调。
示例地，在面板的厚度方向上，主隔垫物的高度大于辅隔垫物的高度，当显示面板受到外界压力时，主隔垫物先承受所有压力并压缩，当主隔垫物压缩至主隔垫物与辅隔垫物之间的段差降为0时，主隔垫物和辅隔垫物共同承受外界压力。
需要说明的是，主隔垫物和辅隔垫物这两种可按照一定周期排布。工艺制作过程中需要对不同种类隔垫物13的尺寸高度进行监控。因隔垫物尺寸较小，且主隔垫物一般较少，单独依靠尺寸，设备很难准确识别主隔垫物位置，通常将主隔垫物周围某个位置空缺隔垫物设计(即：不设置任何隔垫物)，以方便更快更准确的识别主隔垫物位置对其进行监控，例如：在设计时将主隔垫物下方不设置任何隔垫物，在监控时，可先快速确定不设置任何隔垫物的位置，然后前述提到的设计规则，可明确不设置任何隔垫物的上方位置处的隔垫物即为主隔垫物。
本公开实施例还提供了一种显示装置，其包括前述任一实施提到的阵列基板1，在此不做重复赘述。如图4所示，显示装置还可包括与阵列基板1对盒设置的对置基板2。且显示装置还可包括位于阵列基板1与对置基板2之间的液晶层(图中未示出)，即：此显示装置可为液晶显示装置。其中，液晶层的液晶分子可为负性液晶，以提高透过率，但不限于此，也可为正性液晶。
在本公开的实施例中，对置基板2可包括第二衬底20和位于第二衬底20靠近阵列基板1一侧的遮挡层21；其中，第二衬底20可与第一衬底10的结构相同，具体参考前述对第一衬底10的描述，但不限于此，第二衬底20可与第一衬底10的结构也可不同，视具体情况而定；此遮挡层21开设有遮挡区210和透光区211；透光区211设置多个，并与子像素单元一一对应；其中，透光区211在第一衬底10上的正投影位于像素电极14和公共电极15在第一衬底10上的正投影内，此遮挡区210在第一衬底10上的正投影完全覆盖晶体管11、扫描线17、数据线16、公共线18及隔垫物13，且遮挡区210还可覆盖公共电极15和像素电极14的边缘。
需要说明的是，对置基板2还可设置有具有红色色阻块、绿色色阻块及蓝色色阻块的彩膜层22图中未标示处及覆盖彩膜层22的透明保护层，此彩膜层22可在形成遮挡层21之后形成在第二衬底20上，然后在形成彩膜层22之后形成透明保护层23；其中，对置基板2还可设置配向膜层，此配向膜层位于透明保护层23远离第二衬底20的一侧，并整层设置。
应当理解的是，彩膜层22不仅可以位于对置基板2上，也可位于阵列基板1上，视具体情况而定。
根据本公开的实施例，该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如液晶显示屏、手机、笔记本电脑等移动装置、手表等可穿戴设备、VR装置等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
需要说明的是，该显示装置除了显示面板以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，还可包括背光模组、外壳、主电路板、电源线，等等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。
需要说明的是，本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (15)

1.一种阵列基板(1)，其特征在于，包括：
第一衬底(10)；
晶体管(11)，形成在所述第一衬底(10)上；
有机绝缘层(12)，形成在所述第一衬底(10)上并覆盖所述晶体管(11)；
隔垫物(13)，形成在所述有机绝缘层(12)远离所述第一衬底(10)的一侧，且所述隔垫物(13)在所述第一衬底(10)上的正投影与所述晶体管(11)在所述第一衬底(10)上的正投影的至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板(1)，其特征在于，所述阵列基板(1)还包括像素电极(14)和公共电极(15)，
所述像素电极(14)在所述第一衬底(10)上的正投影与所述公共电极(15)在所述第一衬底(10)上的正投影存在部分重叠，且所述像素电极(14)与所述晶体管(11)的第一极(110)连接；
所述像素电极(14)和所述公共电极(15)中的一者位于所述有机绝缘层(12)靠近所述第一衬底(10)的一侧，另一者位于所述有机绝缘层(12)远离所述第一衬底(10)的一侧。
3.根据权利要求2所述的阵列基板(1)，其特征在于，所述有机绝缘层(12)具有第一有机绝缘部(120)和第二有机绝缘部(121)，
所述第一有机绝缘部(120)在所述第一衬底(10)上的正投影覆盖所述晶体管(11)在所述第一衬底(10)上的正投影；
所述第二有机绝缘部(121)在所述第一衬底(10)上的正投影覆盖所述像素电极(14)和所述公共电极(15)在所述第一衬底(10)上的正投影；
其中，所述第一有机绝缘部(120)的厚度大于所述第二有机绝缘部(121)的厚度。
4.根据权利要求3所述的阵列基板(1)，其特征在于，所述第一有机绝缘部(120)的厚度与所述第二有机绝缘部(121)的厚度之比为2至4。
5.根据权利要求4所述的阵列基板(1)，其特征在于，所述第一有机绝缘部(120)的厚度为1μm至3μm；所述第二有机绝缘部(121)的厚度为0.8μm至1.5μm。
6.根据权利要求3所述的阵列基板(1)，其特征在于，还包括：在列方向(Y)上延伸的数据线(16)和在行方向(X)上延伸的扫描线(17)，所述扫描线(17)与所述晶体管(11)的栅极连接，所述数据线(16)与所述晶体管(11)的第二极(111)连接；
其中，所述隔垫物(13)在所述第一衬底(10)上的正投影与所述数据线(16)在所述第一衬底(10)上的正投影的至少部分重叠，并与所述扫描线(17)在所述第一衬底(10)上的正投影的至少部分重叠。
7.根据权利要求6所述的阵列基板(1)，其特征在于，
所述扫描线(17)的宽度与所述第一有机绝缘部(120)的厚度之比为3至20；
所述数据线(16)的宽度与所述第一有机绝缘部(120)的厚度之比为1.5至6.5。
8.根据权利要求7所述的阵列基板(1)，其特征在于，
所述扫描线(17)的宽度为10μm至20μm，所述数据线(16)的宽度为5μm至6.5μm。
9.根据权利要求6所述的阵列基板(1)，其特征在于，所述扫描线(17)的部分构成所述晶体管(11)的栅极，所述数据线(16)与所述晶体管(11)的第二极(111)和第一极(110)同层设置并与所述晶体管(11)的第二极(111)连接。
10.根据权利要求2所述的阵列基板(1)，其特征在于，所述公共电极(15)位于所述有机绝缘层(12)靠近所述第一衬底(10)的一侧；所述像素电极(14)位于所述有机绝缘层(12)远离所述第一衬底(10)的一侧；
其中，所述像素电极(14)包括在列方向(Y)排布且一体成型的第一部分(140)和第二部分(141)，所述第一部分(140)具有在所述列方向(Y)上交替排布的第一电极条(140a)和第一缝隙(140b)，所述第二部分(141)具有在列方向(Y)上交替排布的第二电极条(141a)和第二缝隙(141b)，所述第一电极条(140a)和所述第一缝隙(140b)的延伸方向为第三方向(P)，所述第二电极条(141a)和所述第二缝隙(141b)的延伸方向为第四方向，所述第三方向(P)与所述第四方向(Q)相交并关于行方向(X)镜像对称。
11.根据权利要求10所述的阵列基板(1)，其特征在于，在所述第一部分(140)和所述第二部分(141)相接位置的至少中间区域处，所述第一电极条(140a)和所述第二电极条(141a)之间呈断开状。
12.根据权利要求10所述的阵列基板(1)，其特征在于，所述阵列基板(1)还包括在行方向(X)上延伸的公共线(18)，所述公共线(18)与所述晶体管(11)的栅极同层设置，且所述公共线(18)在所述第一衬底(10)上的正投影与所述晶体管(11)的栅极在所述第一衬底(10)上的正投影不存在重叠；
其中，所述公共线(18)的部分位于所述公共电极(15)远离所述第一衬底(10)的一侧，并与所述公共电极(15)接触。
13.根据权利要求1所述的阵列基板(1)，其特征在于，所述隔垫物(13)远离所述第一衬底(10)的表面在所述第一衬底(10)上的正投影位于所述隔垫物(13)靠近所述第一衬底(10)的表面在所述第一衬底(10)上的正投影内。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的阵列基板(1)，其特征在于，所述隔垫物(13)与所述有机绝缘层(12)接触。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至14中任一项所述的阵列基板(1)及与所述阵列基板(1)对盒设置的对置基板(2)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102707523A (zh) 2012-04-20 2012-10-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置
JP6116220B2 (ja) * 2012-12-12 2017-04-19 三菱電機株式会社 液晶表示パネル
CN103336396B (zh) 2013-06-28 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和显示装置
CN103488002B (zh) * 2013-09-18 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 像素电极、阵列基板和显示装置
KR20150086827A (ko) * 2014-01-20 2015-07-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN104007574B (zh) 2014-06-18 2017-09-26 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种阵列基板、显示装置及其制造方法
CN104360557B (zh) * 2014-11-26 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法，以及显示装置
JP2016218094A (ja) 2015-05-14 2016-12-22 東京エレクトロン株式会社 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置の製造装置
US10698281B2 (en) 2016-01-20 2020-06-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display panel and method for manufacturing same
CN105572983A (zh) * 2016-03-11 2016-05-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种像素电极结构及液晶显示面板
CN106324923B (zh) * 2016-10-18 2020-02-14 上海中航光电子有限公司 阵列基板及显示面板
KR102347665B1 (ko) * 2017-03-21 2022-01-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN107272292B (zh) * 2017-08-18 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示面板及显示装置
CN107505780A (zh) * 2017-09-26 2017-12-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Bps型阵列基板及其制作方法
KR20190090101A (ko) * 2018-01-22 2019-08-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP7160334B2 (ja) * 2018-11-22 2022-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN111045267A (zh) * 2020-01-06 2020-04-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Coa基板及液晶显示面板
CN111580311B (zh) * 2020-05-18 2022-04-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

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