TWI735467B - 製造系統 - Google Patents
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
本發明之製造系統，係一邊將長條之可撓性片材基板搬送於長條方向、一邊藉由複數個處理裝置連續的對該片材基板施以處理，其具備設置在該複數個處理裝置中之第1處理裝置與相鄰之第2處理裝置之間的蓄積部，以及於第1處理裝置中，暫時停止對該片材基板之處理、或該片材基板之搬送時，判定該蓄積部之該片材基板之蓄積狀態是否滿足以預想之該第1處理裝置之停止時間決定之所需蓄積狀態的控制裝置。
Description
本發明係關於卷對卷方式製造電子元件之製造系統。
下述專利文獻1中，揭示了一種為了在帶狀可撓性基板(可撓性之長條塑膠薄膜)上形成電子元件(有機EL之顯示面板)，拉出捲繞成捲筒狀之可撓性基板沿長條方向搬送、並在以沿著長條方向排列之複數個職司各形成製程之處理裝置依序對可撓性基板施以處理後，再捲繞成捲筒狀之捲對卷(RTR)方式的製造系統。此外，專利文獻1中，亦揭示了設有用以進行各形成製程(處理裝置)間之可撓性基板之速度調整的蓄積器(accumulator)，以連續生產有機EL之顯示面板。在此種RTR方式之製造線中，由於係將連接成帶狀之長條的一片可撓性基板連續搬送於長條方向，因此構成製造線之複數個處理裝置之各個，被冀望能在連續搬送之可撓性基板之全長(捲筒長)持續正常運轉。
然而，視不同之處理裝置，為維持該裝置之性能、或維持所製造之電子元件之品質等，會有使可撓性基板之處理動作中斷一定時間之情形。當在製造線中任一處理裝置產生動作中斷時，即便是些微的中斷時間亦有可能引起製造線整體之停止，導致生產性降低。在以對可撓性基板施以成膜製程、圖案化製程、濕式處理製程等不同種類之處理的複數個處理裝置構成製造線之情形時，因每一處理裝置所必須之動作中斷原因、中
斷之時序(interval)、中斷時間不同，製造線整體停止之可能性更高，有可能導致生產性顯著降低。
先行技術文獻
[專利文獻1]日本特開2009-146746號公報
本發明第1態樣之製造系統，係一邊將長條之可撓性片材基板搬送於長條方向、一邊藉由複數個處理裝置連續的對該片材基板施以處理，其具備；蓄積部，係設置在該複數個處理裝置中之第1處理裝置與相鄰之第2處理裝置之間；以及控制裝置，其於第1處理裝置中，暫時停止對該片材基板之處理、或該片材基板之搬送時，判定該蓄積部之該片材基板之蓄積狀態是否滿足以預想之該第1處理裝置之停止時間決定之所需蓄積狀態。
本發明第2態樣之製造系統，係一邊將長條之可撓性片材基板搬送於長條方向、一邊以複數個處理裝置連續的對該片材基板施以處理，其具備：第1處理裝置，係一邊搬送該片材基板、一邊於該片材基板之表面選擇性的或同樣的形成感光性薄膜；第2處理裝置，係一邊搬送形成有該感光性薄膜之該片材基板、一邊對該片材基板表面之該感光性薄膜照射對應既定圖案之光能，以在該感光性薄膜形成對應該圖案之潛像；第3處理裝置，係一邊搬送形成有該潛像之該片材基板、一邊藉由根據該潛像之該感光性薄膜之選擇性的顯影或對根據該潛像之該感光性薄膜之選擇性的鍍敷，使該圖案出現在該片材基板上；第1蓄積部，係設在該第1處理
裝置與該第2處理裝置之間，可蓄積既定長度之該片材基板；第2蓄積部，係設在該第2處理裝置與該第3處理裝置之間，可蓄積既定長度之該片材基板；以及控制裝置，係在該第1處理裝置、該第2處理裝置及該第3處理裝置中至少1個要求暫時停止該處理之情形時，判定與要求暫時停止處理之該處理裝置相鄰之該蓄積部之蓄積狀態，是否滿足以預想之停止時間決定之所需蓄積狀態。
本發明第3態樣之製造系統，係一邊將長條之可撓性片材基板搬送於長條方向、一邊藉由複數個處理裝置之各個依序對該片材基板施以處理，其具備：第1處理裝置，係該複數個處理裝置中、在經設定為能獲得既定處理品質之處理條件下處理該片材基板之通常動作外，亦能在暫時中斷該通常動作之狀態下，實施為防止該處理品質之惡化的附加作業；第2處理裝置，係該複數個處理裝置中、與該第1處理裝置相鄰配置，在既定處理條件對該片材基板施以和該第1處理裝置不同之處理；蓄積裝置，係設在該第1處理裝置與該第2處理裝置之間，能蓄積既定長之片材基板；以及控制裝置，其判定在該第1處理裝置之該通常動作因該附加作業而被中斷之中斷時間之期間，是否能藉由該第2處理裝置之持續處理，使該片材基板在該蓄積裝置之蓄積狀況正常的推移，在判定無法正常推移之情形時，即在從判定時到該附加作業開始為止之待機時間之期間，指示變更該片材基板在該第1處理裝置與該第2處理裝置之至少一方之搬送速度。
10、10’:元件製造系統
12:圖案形成裝置
14:上位控制裝置
16、112:乾燥裝置
16a:膜厚測量裝置
18、24、80:下位控制裝置
30、100、110:搬送部
32:光源裝置
34:光導入光學系
36:曝光頭
37:強度感測器
52:描繪用光學元件
66:多面鏡
82:加熱器驅動部
83:攝影裝置
84:可動構件
86:導軌
87:位置感測器
AM1~AM3、AU1~AU3:對準顯微鏡
AX1~AX3:中心軸
BF1:第1蓄積裝置
BF2:第2蓄積裝置
Cs:濃度感測器
DCH:狹縫塗布頭
DR1~DR3:旋轉筒
EPC1~EPC3:邊緣位置控制器
FR1:供應用捲筒
FR2:回收用捲筒
H1、H2:加熱器
IJH:噴墨頭
Ks1~Ks3:對準標記
L1~L5:掃描線
P:基板
PR1~PR6、PR2’、PR4’:處理裝置
PU1、PU2:處理單元
SP:點光
Ts:溫度感測器
U1~U5:描繪單元
圖1係顯示第1實施形態之元件製造系統之概略構成的概略構成圖。
圖2係顯示圖1之元件製造系統中、於片材基板成膜出感光性功能層之處理裝置之構成的圖。
圖3係顯示圖2之處理裝置中所設之die coater方式之塗布頭部之構成的部分剖面圖。
圖4係圖1之元件製造系統中、進行片材基板之蓄積及曝光之圖案形成裝置置之構成的圖。
圖5係顯示以圖4之圖案形成裝置在片材基板上掃描之點光之掃描線、以及檢測形成在基板上之對準標記之對準顯微鏡之各配置的圖。
圖6係顯示構成圖4之圖案形成裝置之曝光頭之描繪單元之構成的圖。
圖7係顯示設在圖6之描繪單元之反射光監測系之配置的圖。
圖8係顯示圖1之元件製造系統中、進行顯影處理之處理裝置之構成的圖。
圖9係顯示以圖1之元件製造系統處理之片材基板上之元件形成區域與對準標記之配置的圖。
圖10係顯示對在圖1之元件製造系統中之各處理裝置產生之狀態資訊(停止要求)之處理動作的流程圖。
圖11係顯示於圖10之流程圖中實施之停止可能性之模擬處理動作的流程圖。
圖12係顯示第2實施形態中用以判定超過容許範圍發生了處理誤差之處理裝置之元件製造系統之動作的流程圖。
圖13係顯示第2實施形態中作為曝光裝置之處理裝置發生了處理誤差時之元件製造系統之動作的流程圖。
圖14係顯示第2實施形態中作為曝光裝置之處理裝置以外之處理裝置發生了處理誤差時之元件製造系統之動作的流程圖。
圖15係顯示第1及第2實施形態之變形例1之處理單元之構成的圖。
圖16係顯示第1及第2實施形態之變形例2之處理單元之構成的圖。
圖17係第1及第2實施形態之變形例3中之元件製造系統的概略構成圖。
針對本發明態樣之製造系統，舉較佳實施形態為例，在參照所附圖面之同時，詳細說明如下。又，本發明之態樣不限定於此等實施形態，亦包含多種變更或加以改良者。也就是說，以下記載之構成要素中，包含實質相同之物、或發明所屬技術領域中具有通常知識者可容易想定之物，以下記載之構成要素可適當地加以組合。又，亦可在不脫離本發明要旨之範圍內進行構成要素之各種省略、置換或變更。
〔第1實施形態〕
圖1係顯示第1實施形態之元件製造系統(處理系統、製造系統)10之概略構成的概略構成圖。圖1所示之元件製造系統10，係製造例如作為電子元件之可撓性顯示器之部分圖案層(薄膜電晶體之電極層、匯流線配線層、絕緣層、透明電極層等中之1個層構造)的生產線(可撓性顯示器製造線)。作為可撓性顯示器，有例如有機EL顯示器或液晶顯示器等。此元件製造系統10，從將可撓性片材基板(以下，稱基板)P捲繞成捲筒狀之供應用捲筒FR1送出該基板P，對被送出之基板P連續的施以各種處理後，將處理後之基板P以回收用捲筒FR2加以捲繞之所謂的卷對卷(Roll to
Roll)方式。此基板P，具有基板P之移動方向(搬送方向)為長邊、寬度方向為短邊之帶狀的形狀。第1實施形態之元件製造系統10，係顯示薄膜狀之片狀基板P從供應用捲筒FR1送出，從供應用捲筒FR1送出之基板P至少經過處理裝置PR1、PR2、PR3、PR4、PR5，再被捲繞餘回收用捲筒FR2為止之例。圖1中，X方向、Y方向及Z方向成為一正交之正交座標系。X方向係於水平面內為基板P之搬送方向，係連結供應用捲筒FR1及回收用捲筒FR2之方向。Y方向係於水平面內與X方向正交之方向，係基板P之寬度方向。Z方向係與X方向和Y方向正交之方向(鉛直方向)。
此處理裝置PR1，係一邊將從供應用捲筒FR1搬送而來之基板P往沿長條方向之搬送方向(+X方向)搬送、一邊對基板P進行電漿表面處理之處理製程的表面處理裝置。藉由此處理裝置PR1，將基板P之表面加以改質，提升感光性功能層之接著性。處理裝置(第1處理裝置)PR2，係一邊將從處理裝置PR1搬送而來之基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一邊進行感光性功能層之成膜處理之處理製程(第1處理製程)的成膜裝置(塗布裝置)。處理裝置PR2藉由對基板P表面選擇性的或均一的塗布感光性功能液，以在基板P表面選擇性的或均一的形成感光性功能層(感光性薄膜、被覆層、被膜層)。又，處理裝置(第2處理裝置)PR3，係一邊將從處理裝置PR2送來之表面形成有感光性功能層之基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一邊進行曝光處理之處理製程(第2處理製程)的曝光裝置。處理裝置PR3，於基板P表面(感光面)照射反應顯示器面板用電路或配線等圖案之光圖案。據此，於感光性功能層形成對應前述圖案之潛像(改質部)。處理裝置(第3處理裝置)PR4，係一邊將從處理裝置PR3搬送而
來之基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一邊進行濕式顯影處理之處理製程(第3處理製程)的顯影裝置。據此，於感光性功能層出現反應潛像之前述圖案的抗蝕層等。處理裝置PR5，係一邊將從處理裝置PR4搬送而來之基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一邊以形成有圖案之感光性功能層作為光罩進行蝕刻處理之處理製程的蝕刻裝置。據此，在基板P上出現由電子元件用配線或電極之導電材料、半導體材料、絕緣材料等形成之圖案。
在處理裝置PR2與處理裝置PR3之間，設有能蓄積既定長度之基板P的第1蓄積裝置(第1蓄積部)BF1，在處理裝置PR3與處理裝置PR4之間，設有能蓄積既定長度之基板P的第2蓄積裝置(第2蓄積部)BF2。因此，於處理裝置PR3，係透過第1蓄積裝置BF1搬入從處理裝置PR2送來之基板P，處理裝置PR3透過第2蓄積裝置BF2將基板P搬出至處理裝置PR4。處理裝置PR1~PR5係配置在製造工廠之設置面。此設置面可以是設置底座上之面、亦可以是地面。由處理裝置PR3、第1蓄積裝置(蓄積裝置、蓄積部)BF1及第2蓄積裝置(蓄積裝置、蓄積部)BF2構成圖案形成裝置12。
上位控制裝置14，係控制元件製造系統10之各處理裝置PR1~PR5、第1蓄積裝置BF1、及第2蓄積裝置BF2。此上位控制裝置14，包含電腦、與儲存有程式之記憶媒體，由該電腦實施儲存在記憶媒體之程式，據以發揮作為本第1實施形態之上位控制裝置14之功能。又，本第1實施形態之元件製造系統10，雖係設定為具備5個處理裝置PR，但只要是具備2以上之處理裝置PR即可。例如，本第1實施形態之元件製造系統10，可
以是具備處理裝置PR2、PR3、或處理裝置PR3、PR4之合計2個處理裝置PR者，亦可以是具備處理裝置PR2~PR4之合計3個處理裝置PR者。
其次，說明元件製造系統10之處理對象的基板P。基板P，係使用例如由樹脂薄膜、不鏽鋼等之金屬或合金構成之箔(foil)等。樹脂薄膜之材質，可使用包含例如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯乙烯基共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂等材料中之一種或二種以上者。此外，基板P之厚度及剛性(楊氏係數)，只要是在搬送時不會於基板P產生因彎折造成之折痕及非可逆的皺褶之範圍即可。在製作作為電子元件之可撓性顯示器面板、觸控面板、濾光片(color filter)、電磁波防止濾波片等之情形時，係使用厚度25μm~200μm程度之PET(聚對酞酸乙二酯)或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等之樹脂片材。
基板P，以選擇例如熱膨脹係數顯著不大、可實質忽視在對基板P實施之各種處理中因受熱而產生之變形量者較佳。又，可於作為基材之樹脂薄膜中混入例如氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化矽等之無機填充物，以降低熱膨脹係數。此外，又，基板P可以是以浮製法等製造之厚度100μm程度之極薄玻璃之單層體、或於此極薄玻璃貼合上述樹脂薄膜、或鋁及銅等之箔等的積層體。
基板P之可撓性，係指對基板P施加本身重量程度之力亦不致於產生剪斷或斷裂、而能使該基板P撓曲的性質。而可撓性亦包含因自重程度之力而彎曲之性質。又，可撓性之程度會因基板P之材質、大小、厚度、基板P上成膜之層構造、温度、濕度及環境等而改變。無論何者，
只要是在將基板P正確的捲繞於設在本實施形態之元件製造系統10內之搬送路之各種搬送用滾輪、旋轉筒等搬送方向轉換用構件時，不會彎折而產生摺痕、破損(產生破洞或裂開)，能順暢的搬送基板P的話，皆為可撓性之範圍。
以此方式構成之基板P，被捲繞成捲筒狀而成為供應用捲筒FR1，此供應用捲筒FR1被裝著於元件製造系統10。裝有供應用捲筒FR1之元件製造系統10，對從供應用捲筒FR1送出之基板P依序實施用以製造電子元件之各種處理。因此，於處理後之基板P，形成複數個電子元件之各個之元件形成區域W係以在長條方向夾著既定空白區域(空白部)連結之狀態配置。也就是說，從供應用捲筒FR1送出之基板P，為多面用之基板。
電子元件，係由複數個圖案層(圖案積層之多層構造)在既定誤差範圍內重疊而構成。由圖1之各處理裝置PR1~PR5構成之元件製造系統10雖係生成1個圖案層，為生成多層構造之電子元件，則係設置複數個圖1所示之元件製造系統10，使基板P通過複數個元件製造系統10依序進行處理。
處理後之基板P被捲繞成捲筒狀而被回收作為回收用捲筒FR2。回收用捲筒FR2可安裝在未圖示之切割裝置。裝有回收用捲筒FR2之切割裝置，將處理後之基板P就每一電子元件加以分割(dicing)，據以做成複數個(片狀)電子元件。基板P之尺寸、例如寬度方向(短邊之方向)之尺寸為10cm~2m程度、長度方向(長邊之方向)之尺寸為10m以上。又，基板P之尺寸不限定於上述尺寸。
〔處理裝置PR2(成膜裝置)之構成〕
圖2係顯示處理裝置PR2之構成的圖。處理裝置PR2，具備導引滾輪R1、R2、邊緣位置控制器EPC1、張力調整滾輪RT1、RT2、旋轉筒DR1、驅動滾輪NR1、NR2、對準顯微鏡AU、狹縫塗布頭(die coater方式之塗布頭部)DCH、噴墨頭IJH、乾燥裝置16、及下位控制裝置18。藉由旋轉筒DR1及驅動滾輪NR1、NR2搬送基板P。
導引滾輪R1，將從處理裝置PR1搬送至處理裝置PR2之基板P引導至邊緣位置控制器EPC1。邊緣位置控制器EPC1具有複數個滾輪，以控制以既定張力張掛之狀態搬送之基板P之寬度方向兩端部(邊緣部)之位置，不會在基板P之寬度方向產生不均。具體而言，邊緣位置控制器EPC1係以邊緣部之位置能相對邊緣部之寬度方向目標位置控制在±十數μm~數十μm程度範圍(容許範圍)之方式，回應來自用以檢測邊緣部位置之感測器之訊號，使支承基板P之滾輪往寬度方向移動，以一邊修正基板P在寬度方向之位置、一邊將基板P搬送向導引滾輪R2。導引滾輪R2，將搬送來之基板P引導至旋轉筒DR1。邊緣位置控制器EPC1，調整基板P在寬度方向之位置，以使搬入旋轉筒DR1之基板P之長條方向與旋轉筒DR1之中心軸AX1之軸方向正交(避免蛇行)。
旋轉筒DR1具有延伸於Y方向之中心軸AX1、與距離中心軸AX1一定半徑之圓筒狀外周面，一邊順著外周面(圓周面)將基板P之一部支承於長條方向、一邊以中心軸AX1為中心旋轉將基板P往+X方向搬送。旋轉筒DR1，以圓周面支承以對準顯微鏡AU拍攝之基板P上之區域(部分)、及以狹縫塗布(die coater)頭DCH或噴墨頭IJH處理之基板P上之區域(部分)。
對準顯微鏡AU(AU1~AU3)係用以檢測圖5所示之形成在基板P上之對準標記Ks(Ks1~Ks3)之物，沿Y方向設有3個。此對準顯微鏡AU(AU1~AU3)之檢測區域，係於旋轉筒DR1之圓周面上配置成於Y方向排列成一行。對準標記Ks(Ks1~Ks3)，係用以進行待形成電子元件之基板P上之電子元件形成區域(元件形成區域)W與基板P之相對位置對準(alignment)之基準標記。對準標記Ks(Ks1~Ks3)，係在基板P之寬度方向兩端部沿基板P之長條方向以一定間隔形成，並在沿基板P之長條方向排列之元件形成區域W之間，形成在基板P之寬度方向中央。又，以處理裝置PR3對此基板P上之元件形成區域(圖案形成區域)W照射(曝光)反映顯示器面板用之電路或配線等圖案之光圖案。
對準顯微鏡AU(AU1~AU3)，係將對準用照明光投影於基板P，並以CCD、CMOS等之攝影元件拍攝其反射光，據以檢測對準標記Ks(Ks1~Ks3)。也就是說，對準顯微鏡AU1係拍攝在對準顯微鏡AU1之檢測區域(撮像區域)內之形成在基板P之+Y方向側端側的對準標記Ks1。對準顯微鏡AU2拍攝在對準顯微鏡AU2之檢測區域內之形成在基板P之-Y方向側端部之對準標記Ks2。對準顯微鏡AU3則拍攝在對準顯微鏡AU3之檢測區域內之形成在基板P之寬度方向中央之對準標記Ks3。此對準顯微鏡AU(AU1~AU3)所拍攝之影像資料被送至下位控制裝置18，下位控制裝置18根據影像資料算出(檢測)對準標記Ks(Ks1~Ks3)在基板P上之位置及位置誤差。此對準顯微鏡AU(AU1~AU3)之檢測區域在基板P上之大小雖係根據對準標記Ks(Ks1~Ks3)之大小及對準精度加以設定，但約是100~500μm方形程度之大小。
如圖5所示，用以精密檢測基板P之位置的對準標記Ks(Ks1~Ks3)，一般係設置在元件形成區域(電子元件之形成區域)W之外周部，但不一定必須是外周部，亦可設在元件形成區域W內、不存在元件用電路圖案之空白部分。此外，亦可使用將形成在元件形成區域W內之部分電路圖案中、形成在特定位置之圖案(像素區域、配線部、電極部、端子部、通孔部等之部分圖案)本身作為對準標記，在影像辨識後進行位置檢測之對準系。
狹縫塗布頭(狹縫塗布頭部、die coat head部)DCH，將感光性功能液大面積的均勻塗布於基板P。噴墨頭IJH則將感光性功能液選擇性的塗布於基板P。狹縫塗布頭DCH及噴墨頭IJH，可根據使用對準顯微鏡AU(AU1~AU3)檢測之對準標記Ks(Ks1~Ks3)在基板P上之位置，將感光性功能液選擇性的塗布於基板P。狹縫塗布頭DCH及噴墨頭IJH，係於電子元件之形成區域W塗布感光性功能液。狹縫塗布頭DCH及噴墨頭IJH，係相對對準顯微鏡AU(AU1~AU3)設在基板P之搬送方向之下游側(+X方向側)，噴墨頭IJH則相對狹縫塗布頭DCH設在基板P之搬送方向之下游側(+X方向側)。噴墨頭IJH，沿基板P之搬送方向(+X方向)設有複數個。以狹縫塗布頭DCH及噴墨頭IJH塗布感光性功能液之基板P上之區域，被旋轉筒DR1之圓周面支承。
乾燥裝置16，相對狹縫塗布頭DCH及噴墨頭IJH設置在基板P之搬送方向下游側(+X方向側)，使藉由狹縫塗布頭DCH及噴墨頭IJH塗布之基板P上之感光性功能液乾燥，據以在基板P上形成感光性功能層。乾燥裝置16係藉由噴吹熱風或乾燥空氣等之乾燥用氣體，據以除去感
光性功能液中所含之溶劑或水以使感光性功能液乾燥。
典型之感光性功能液係光抗蝕劑，作為無需顯影處理之材料，有在受紫外線照射之部分之親撥液性經改質之感光性矽烷耦合劑(SAM)、或受紫外線照射之部分露出鍍敷還元基之感光性還元材等。作為感光性功能液使用感光性矽烷耦合劑時，基板P上被紫外線曝光之圖案部分由撥液性被改質為親液性。因此，可在成為親液性之部分上選擇性塗布導電性墨水(含有銀或銅等導電性奈米粒子之墨水)或含有半導體材料之液體等，以形成圖案層。作為感光性功能液使用感光性還元劑時，基板P上被紫外線曝光之圖案部分被改質而露出鍍敷還元基。因此，曝光後，立即將基板P浸漬於含鈀離子等之鍍敷液中一定時間，以形成(析出)鈀之圖案層。此種鍍敷處理，在以作為添加劑(additive)式處理、除此之外、作為減色(subtractive)式處理之蝕刻處理為前提之情形時，被送至處理裝置PR3之基板P，可以是以PET或PEN為母材，於其表面全面或選擇性的蒸鍍鋁(Al)或銅(Cu)等之金屬製薄膜，再於其上積層光阻劑層者。本第1實施形態中，作為感光性功能層係使用光阻劑。
於乾燥裝置16，設有測量形成在基板P上之感光性功能層之膜厚或膜厚誤差等處理品質的膜厚測量裝置16a。此膜厚測量裝置16a，係以電磁式、過電流式、過電流相位式、螢光X射線式、電阻式、β線後方散色式、磁式、或以超音波式等採接觸或非接觸方式測量膜厚。藉由乾燥裝置16將形成有感光性功能層之基板P導向驅動滾輪NR1。驅動滾輪NR1一邊夾持基板P之表背兩面一邊旋轉，據以將基板P導向驅動滾輪NR2。驅動滾輪NR2，藉由一邊夾持基板P之表背兩面一邊旋轉，將以驅動
滾輪NR1搬送而來之基板P供應至第1蓄積裝置BF1。張力調整滾輪RT1被賦力於-Z方向，以對被搬送至旋轉筒DR1之基板P賦予既定張力。張力調整滾輪RT2被賦力於-X方向，以對被搬送至驅動滾輪NR2之基板P賦予既定張力。張力調整滾輪RT2被賦力於-X方向，對被搬送至驅動滾輪NR2之基板P賦予既定張力。搬送基板P之驅動滾輪NR1、NR2、及旋轉筒DR1被賦予旋轉扭矩而旋轉，此旋轉扭矩來自具有被下位控制裝置18控制之馬達及減速機等的旋轉驅動源(圖示省略)。藉由此驅動滾輪NR1、NR2及旋轉筒DR1之旋轉速度，規定在處理裝置PR2內之基板P之搬送速度。又，從設在驅動滾輪NR1、NR2及旋轉筒DR1等之未圖示之編碼器送來之旋轉速度訊號(基板P之搬送速度訊號)，被送至下位控制裝置18。
下位控制裝置18依照上位控制裝置14之控制，控制處理裝置PR2之各部。例如，下位控制裝置18控制在處理裝置PR2內被搬送之基板P之搬送速度、邊緣位置控制器EPC1、對準顯微鏡AU1~AU3、狹縫塗布頭DCH、噴墨頭IJH、及乾燥裝置16。又，下位控制裝置18將以對準顯微鏡AU(AU1~AU3)檢測之基板P上之對準標記Ks(Ks1~Ks3)之位置資訊、膜厚測量裝置16a檢測之膜厚資訊、旋轉速度資訊(在處理裝置PR2內之基板P之搬送速度資訊)等輸出至上位控制裝置14。下位控制裝置18包含電腦、與儲存有程式之記憶媒體，藉由該電腦實行儲存在記憶媒體之程式，據以發揮作為本第1實施形態之下位控制裝置18之功能。此下位控制裝置18可以是上位控制裝置14之一部分、亦可以是與上位控制裝置14不同之其他控制裝置。
圖3係顯示狹縫塗布頭DCH之一具體構成例的部分剖面
圖。狹縫塗布頭DCH，係由蓄積作為感光性功能液之塗布液LQc的頭本體200A、在頭本體200A之基板P側前端延伸於Y方向(基板P之寬度方向)形成之狹縫部200B、為了將頭本體200A內之塗布液LQc從狹縫部200B擠出而能沿軸線AK移動的活塞部201、將頭本體200A之內壁與活塞部201之間密封以避免塗布液LQc漏出的襯墊部202、於塗布時沿軸線AK壓下活塞部201的驅動部203、以及用以將塗布液LQc供應至頭本體200A內的供應口204構成。狹縫塗布頭DCH之整體係藉由上下動驅動部206，於塗布時調整基板P與狹縫部200B間之間隙、或為了遠離基板P而沿軸線AK上下動。
由於儲存在頭本體200A內之塗布液LQc之容量有限，因此在使活塞部201退至容許位置後，一邊使活塞部201上升、一邊從塗布液補充部207透過供應口204補充新的塗布液LQc。此補充動作時，對基板P之塗布作業中斷(基板P之搬送停止或減速)，狹縫塗布頭DCH藉由上下動驅動部206而移動以從基板P稍微分離。又，於驅動部203內，設有測量活塞部201之移動量的感測器(線性編碼器等)，其測量資訊被逐次送至圖2中之下位控制裝置18。
下位控制裝置18，根據活塞部201之移動量算出殘留在頭本體200A內之塗布液LQc之量，並根據算出之塗布液LQc之殘留量與設定之塗布條件(活塞部201之擠出速度等)，逐次預測可持續之塗布作業時間(可持續時間)、以及到次一塗布液LQc之補充動作開始為止之時間(補充開始時間)。是否需要塗布液LQc之補充動作，雖暫時由下位控制裝置18加以判定，但預測之可持續時間及補充開始時間之資訊亦被送至圖1中之
上位控制裝置14，可考慮製造線整體之運轉狀態(尤其是基板P之搬送狀況)，由上位控制裝置14對下位控制裝置18進行補充動作之指示。
又，本第1實施形態中，設有在頭本體200A退至上方之狀態時，插入頭本體200A與基板P(旋轉筒DR1)間之空間以洗淨頭本體200A之前端部(狹縫部200B)的清洗部210。清洗部210，係在與Y軸垂直之XZ面內之內壁的剖面形狀形成為與頭本體200A前端之剖面形狀配合的V字狀，被設置成可藉由驅動部211往Y方向移動(可插脫)。於清洗部210，設有來自洗淨液供應部212A之洗淨液流入的注入口CPa、以即將通過頭本體200A之前端部與清洗部210之V字狀內壁間之空隙的洗淨液排出至洗淨液回收部212B的排出口CPb。再者，於清洗部210，亦設有為使洗淨後頭本體200A之前端部乾燥而使來自氣體供應部213A之氣體流入的注入口CPc、以及將通過頭本體200A之前端部與清洗部210之V字狀內壁間之空隙的氣體排出至氣體回收部213B的排出口CPd。此外，洗淨液供應部212A與洗淨液回收部212B，為避免洗淨液從清洗部210之V字狀內壁溢出，具備調整洗淨液之供應/排出之流量的功能。
洗淨、乾燥動作係在塗布作業每經過一定時間後，由圖2之下位控制裝置18之判斷加以指示。然而，由於亦須考慮製造線整體之運轉狀態(尤其是基板P之搬送狀況)，因此塗布作業是否在既定時間後暫時停止，係由圖1之上位控制裝置14加以判定，當判定塗布作業可暫時停止時，即在指定之時刻進行洗淨、乾燥動作。又，在以膜厚測量裝置16a測量到膜厚誤差等之情形時，雖以立即實施洗淨、乾燥動作較佳，在此情形時，亦係由下位控制裝置18對圖1之上位控制裝置14進行需要不定期洗淨、乾
燥動作之要求。
藉由以上構成，本實施形態之狹縫塗布頭DCH，可在暫時中斷塗布作業、補充塗布液LQc後，持續進行塗布作業。塗布液LQc之補充動作可以較短時間進行，例如30秒程度。又，亦可在補充動作時，一併進行使用清洗部210之洗淨、乾燥動作。洗淨、乾燥動作亦可以較短時間進行，例如60秒~120秒程度。進一步的，即使是在僅進行補充動作時，若能將狹縫塗布頭DCH整體大幅拉起，並在頭本體200A之前端部與基板P之間插入清洗部210的話，即能防止在補充動作中從狹縫部200B漏出(滲出)之塗布液LQc滴落至基板P。此場合，雖需要清洗部210之插脫動作之時間與狹縫塗布頭DCH之上下動時間，但兩者皆能在短時間內完成。塗布液LQc之補充動作、以清洗部210進行之洗淨、乾燥動作，皆係為避免基板P在處理裝置PR2之處理品質之惡化的附加作業。
〔包含處理裝置PR3之圖案形成裝置12之構成〕
圖4係顯示圖案形成裝置12之構成的圖。圖案形成裝置12之第1蓄積裝置BF1，具有驅動滾輪NR3、NR4與複數個張力滾輪20。驅動滾輪NR3，一邊夾持從處理裝置PR2送來之基板P之表背兩面一邊旋轉，將基板P搬入第1蓄積裝置BF1內。驅動滾輪NR4，一邊夾持基板P之表背兩面一邊旋轉，將第1蓄積裝置BF1內之基板P搬出至處理裝置PR3。複數個張力滾輪20設置在驅動滾輪NR3與驅動滾輪NR4之間，對基板P賦予既定張力。複數個張力滾輪20能往Z方向移動，上側(+Z方向側)之張力滾輪20(20a)被往+Z方向側賦力，下側(-Z方向側)之張力滾輪20(20b)則被往-Z方向側賦力。此張力滾輪20a與張力滾輪20b係於X方向交互配
置。
當搬入第1蓄積裝置BF1之基板P之搬送速度相對從第1蓄積裝置BF1搬出之基板P之搬送速度較快時，蓄積在第1蓄積裝置BF1之基板P之長度(蓄積長)即增加。當第1蓄積裝置BF1之蓄積長變長時，即會因賦力而使張力滾輪20a往+Z方向、張力滾輪20b往-Z方向移動。據此，即使是在第1蓄積裝置BF1之蓄積量增加時，亦能在對基板P賦予了既定張力之狀態下，以既定長度蓄積基板P。相反的，當搬入第1蓄積裝置BF1之基板P之搬送速度相對從第1蓄積裝置BF1搬出之基板P之搬送速度變慢時，蓄積在第1蓄積裝置BF1之基板P之長度(蓄積長)即減少。當第1蓄積裝置BF1之蓄積長減少時，抵抗賦力而張力滾輪20a往-Z方向、張力滾輪20b往+Z方向移動。無論如何，第1蓄積裝置BF1皆能在對基板P賦予既定張力之狀態下蓄積基板P。驅動滾輪NR3、NR4，係藉由旋轉扭矩而旋轉，此旋轉扭矩來自具有被下位控制裝置24控制之馬達及減速機等的旋轉驅動源(圖示省略)。藉由此驅動滾輪NR3之旋轉速度規定搬入第1蓄積裝置BF1之基板P之搬送速度，以驅動滾輪NR4之旋轉速度規定從第1蓄積裝置BF1搬出之基板P之搬送速度。又，從設在驅動滾輪NR3、NR4之未圖示之編碼器送來之旋轉速度訊號，被送至圖案形成裝置12之下位控制裝置24。
圖案形成裝置12之第2蓄積裝置BF2，具有驅動滾輪NR5、NR6與複數個張力滾輪22。驅動滾輪NR5一邊夾持從處理裝置PR3送來之基板P之表背兩面一邊旋轉，將基板P搬入第2蓄積裝置BF2內。驅動滾輪NR6一邊夾持基板P之表背兩面、一邊將第2蓄積裝置BF2內之基板P
搬出至處理裝置PR4。複數個張力滾輪22設在驅動滾輪NR5與驅動滾輪NR6之間，用以對基板P賦予既定張力。複數個張力滾輪22能往Z方向移動，上側(+Z方向側)之張力滾輪22(22a)被賦力向+Z方向、下側(-Z方向側)之張力滾輪22(22b)則被賦力向-Z方向。此張力滾輪22a與張力滾輪22b係於X方向交互配置。藉由此種構成，第2蓄積裝置BF2可與第1蓄積裝置BF1同樣的，在對基板P賦予既定張力之狀態下蓄積基板P。又，第1蓄積裝置BF1與第2蓄積裝置BF2之構成相同。驅動滾輪NR5、NR6被賦予旋轉扭矩而旋轉，此旋轉扭矩來自具有被下位控制裝置24控制之馬達及減速機等的旋轉驅動源(圖示省略)。藉由此驅動滾輪NR5之旋轉速度規定搬入第2蓄積裝置BF2之基板P之搬送速度，藉由驅動滾輪NR6之旋轉速度規定從第2蓄積裝置BF2搬出之基板P之搬送速度。又，從設於驅動滾輪NR5、NR6之未圖示之編碼器送來的旋轉速度訊號，被送至下位控制裝置24。
圖案形成裝置12之處理裝置PR3，於本第1實施形態中，係不使用光罩之直接描繪方式之曝光裝置EX、所謂的光柵掃描(raster scan)方式的曝光裝置EX，對透過第1蓄積裝置BF1從處理裝置PR2供應之基板P，照射反應了顯示器用電路或配線等圖案之光圖案。作為顯示器用電路或配線之圖案，例如有構成顯示器之TFT之源電極及汲電極與附隨於此之配線等的圖案、或TFT之閘電極與附隨與此之配線等的圖案等。處理裝置PR3一邊將基板P往X方向搬送、一邊以曝光用雷射光LB之點光在基板P上於既定掃描方向(Y方向)進行1維掃描，同時將點光之強度依據圖案資料(描繪資料)高速的進行調變(ON/OFF)，據以在基板P表面(感光面)
描繪曝光出光圖案。也就是說，藉由基板P往+X方向之搬送(副掃描)、與點光往掃描方向(Y方向)之掃描(主掃描)，使點光在基板P上2維掃描，對基板P照射反應了圖案之光能(能量線)。如此，即於感光性功能層形成對應既定圖案之潛像(改質部)。此圖案資料可儲存於圖案形成裝置12之下位控制裝置24之記憶媒體，亦可儲存於上位控制裝置14之記憶媒體。
處理裝置PR3，具備搬送部30、光源裝置32、光導入光學系34、及曝光頭36。搬送部30將透過第1蓄積裝置BF1從處理裝置PR2搬送而來之基板P朝向處理裝置PR4搬送。搬送部30，沿著基板P之搬送方向從上游側(-X方向側)起，依序具有邊緣位置控制器EPC2、導引滾輪R3、張力調整滾輪RT3、旋轉筒DR2、張力調整滾輪RT4、及邊緣位置控制器EPC3。
邊緣位置控制器EPC2與邊緣位置控制器EPC1同樣的，具有複數個滾輪，為避免基板P之寬度方向兩端部(邊緣)於基板P之寬度方向有所偏差而能相對目標位置控制在±十數μm~數十μm程度之範圍(容許範圍)，係一邊使基板P於寬度方向移動以修正基板P在寬度方向之位置、一邊將基板P搬送向旋轉筒DR2。邊緣位置控制器EPC2調整基板P在寬度方向之位置，以使搬入旋轉筒DR2之基板P之長條方向與旋轉筒DR2之中心軸AX2之軸方向正交(避免蛇行)。導引滾輪R3將從邊緣位置控制器EPC2送來之基板P引導至旋轉筒DR2。
旋轉筒DR2，如圖5所示，亦具有延伸於Y方向之中心軸AX2、與距離中心軸AX2一定半徑之圓筒狀外周面，一邊順著外周面(圓周面)將基板P之一部分支承於長條方向、一邊以中心軸AX2為中心旋轉
將基板P往+X方向搬送。旋轉筒DR2，將在基板P上光圖案曝光之部分(曝光區域)以其圓周面加以支承。
邊緣位置控制器EPC3與邊緣位置控制器EPC1同樣的，具有複數個滾輪，為避免基板P之寬度方向兩端部(邊緣)於基板P之寬度方向有所偏差而能對目標位置控制在±十數μm~數十μm程度之範圍(容許範圍)，係一邊使基板P於寬度方向移動以修正基板P在寬度方向之位置、一邊將基板P搬送向處理裝置PR4。張力調整滾輪RT3、RT4被賦力向-Z方向側，對被捲繞支承於旋轉筒DR2之基板P賦予既定張力。旋轉筒DR2被賦予旋轉扭矩而旋轉，此旋轉扭矩來自具有被下位控制裝置24控制之馬達及減速機等的旋轉驅動源(圖示省略)。藉由此旋轉筒DR2之旋轉速度，規定處理裝置PR3內之基板P之搬送速度。又，從設在旋轉筒DR2等之未圖之編碼器送來之旋轉速度訊號(基板P之搬送速度訊號)及搬送移動量等之測量資訊，被送至下位控制裝置24。
該編碼器系統，如圖5所示，係設在旋轉筒DR2之中心軸AX2之方向(Y方向)的兩端側，由用以測量旋轉筒DR2之旋轉角度位置、或旋轉筒DR2之外周面(基板P之表面)之周方向移動量的標尺部(標尺圓盤)ESa、ESb、與讀取刻設在標尺部ESa、ESb之繞射光柵狀之刻度的讀取頭EC1a、EC1b、EC2a、EC2b構成。關於標尺部ESa、ESb與各讀取頭EC1a、EC1b、EC2a、EC2b之配置關係，由於已在例如國際公開第2013/146184號小冊子中詳細說明，因此，此處係簡化顯示。
從由標尺部ESa、ESb與各讀取頭EC1a、EC1b、EC2a、EC2b構成之編碼器系統之測量結果求出基板P之搬送距離及搬送速度。又，編
碼器系統，係使用於用以從對準顯微鏡AM1~AM3對基板P之對準標記Ks1~Ks3之檢測位置，求出基板P上之元件(圖案)之元件形成區域W之曝光位置或圖5所示之空白部Sw之位置。進一步的，編碼器系統亦使用於校準(calibration)動作時之旋轉筒DR2之位置管理、或暫時使基板P之搬送反轉時之旋轉筒DR2之位置管理。
光源裝置32具有雷射光源，係用以射出用於曝光之紫外線雷射光(照射光、曝光用光束)LB者。此雷射光LB可以是在370nm以下之波長帶具有峰值波長之紫外線光。雷射光LB亦可以是以發光頻率Fs發光之脈衝光。光源裝置32射出之雷射光LB被導至光導入光學系34後射入曝光頭36、並射入強度感測器37。此強度感測器37係檢測雷射光LB之強度的感測器。
曝光頭36具備來自光源裝置32之雷射光LB分別射入之複數個描繪單元U(U1~U5)。也就是說，來自光源裝置32之雷射光LB被具有反射鏡及分束器等之光導入光學系34引導而射入複數個描繪單元U(U1~U5)。曝光頭36，在被旋轉筒DR2之圓周面支承之基板P之一部分，以複數個描繪單元U(U1~U5)描繪曝光出圖案。曝光頭36由於具有複數個構成相同之描繪單元U(U1~U5)，而為所謂的多光束型曝光頭36。描繪單元U1、U3、U5相對旋轉筒DR2之中心軸AX2配置在基板P之搬送方向上游側(-X方向側)，描繪單元U2、U4則相對旋轉筒DR2之中心軸AX2配置在基板P之搬送方向下游側(+X方向側)。
各描繪單元U使射入之雷射光LB在基板P上收斂成點光、且使該點光沿掃描線掃描。各描繪單元U之掃描線L，如圖5所示，各描
繪單元U之掃描線L係設定成於Y方向(基板P之寬度方向)不彼此分離而相連接。圖5中，將描繪單元U1之掃描線L以L1加以表示、將描繪單元U2之掃描線L以L2加以表示。同樣的，將描繪單元U3、U4、U5之掃描線L分別以L3、L4、L5加以表示。如此，能以全部描繪單元U1~U5覆蓋電子元件區域W之全寬度方向之方式，由各描繪單元U分擔掃描區域。又，例如，當假設1個描繪單元U之Y方向描繪寬度(掃描線L之長度)為20~50mm程度時，藉由將奇數號描繪單元U1、U3、U5之3個與偶數號描繪單元U2、U4之2個、合計共5個描繪單元U配置於Y方向，將Y方向可描繪之寬度擴張至100~250mm程度
其次，使用圖6說明描繪單元U。又，各描繪單元U(U1~U5)由於具有相同構成，因此僅說明描繪單元U2，其他描繪單元U則省略說明。
如圖6所示，描繪單元U2，例如具有聚光透鏡50、描繪用光學元件(光調變元件)52、吸收體54、準直透鏡56、反射鏡58、柱面透鏡60、反射鏡64、多面鏡(光掃描構件)66、反射鏡68、f-θ透鏡70、及柱面透鏡72。
射入描繪單元U2之雷射光LB，從鉛直方向之上方朝下方(-Z方向)前進，透過聚光透鏡50射入描繪用光學元件52。聚光透鏡50將射入描繪用光學元件52之雷射光LB聚光(收斂)成在描繪用光學元件52內成為光腰。描繪用光學元件52對雷射光LB具有穿透性，例如係使用聲光調變元件(AOM：Acousto-Optic Modulator)。
描繪用光學元件52，在來自下位控制裝置24之驅動訊號(高
頻訊號)為OFF狀態時，使射入之雷射光LB穿透至吸收體54側，在來自下位控制裝置24之驅動訊號(高頻訊號)為ON狀態時，則使射入之雷射光LB繞射而朝向反射鏡58。吸收體54係用以抑制雷射光LB漏至外部而吸收雷射光LB之光阱(light trap)。如此，藉由將待施加於描繪用光學元件52之描繪用驅動訊號(超音波之頻率)依據圖案資料(白黒)高速的進行ON/OFF，以進行使雷射光LB朝向反射鏡58、或朝向吸收體54之切換。此時，在基板P上看時，即代表到達感光面之雷射光LB(點光SP)之強度，依據圖案資料被高速的調變在高位準與低位準(例如，零位準)之任一者。
準直透鏡56係使從描繪用光學元件52朝向反射鏡58之雷射光LB成為平行光。反射鏡58將射入之雷射光LB反射向-X方向，透過柱面透鏡60照射於反射鏡64。反射鏡64將射入之雷射光LB照射於多面鏡66。多面鏡(旋轉多面鏡)66，藉由旋轉使雷射光LB之反射角連續的變化，以使照射於基板P上之雷射光LB之位置掃描於掃描方向(基板P之寬度方向)。多面鏡66係藉由以下位控制裝置24控制之未圖示的旋轉驅動源(例如，馬達及減速機等)以一定速度旋轉。又，從設在多面鏡66之未圖示之編碼器送來之旋轉速度訊號(點光SP之掃描速度訊號)，被送至下位控制裝置24。
設在反射鏡58與反射鏡64之間之柱面透鏡60，係在與該掃描方向正交之非掃描方向(Z方向)使雷射光LB聚光(收斂)在多面鏡66之反射面上。藉由此柱面透鏡60，即使是在該反射面相對Z方向傾斜之情形時(失去XY面之法線與該反射面之平衡狀態的傾斜)，亦能抑制其影響，以抑制照射在基板P上之雷射光LB之照射位置偏於X方向。
以多面鏡66反射之雷射光LB，被反射鏡68反射向-Z方向，射入具有與Z軸平行之光軸AXu的f-θ透鏡70。此f-θ透鏡70係投射於基板P之雷射光LB之主光線在掃描中始終作為基板P表面之法線的遠心系之光學系，據此，可使雷射光LB於Y方向正確的以等速度掃描。從f-θ透鏡70照射之雷射光LB，透過母線與Y方向平行之柱面透鏡72，成為直徑數μm程度(例如3μm)之略圓形微小點光SP照射於基板P上。點光(掃描點光)SP，係藉由多面鏡66沿著延伸於Y方向之掃描線L2於一方向進行1維掃描。
圖7係顯示設在圖6之描繪單元U(U1~U5)中之反射光監測系之構成的圖。通過聚光透鏡50之直線偏光之雷射光LB，被聚光透鏡50在描繪用光學元件(AOM)52內部之偏向部52a收斂成光腰，在驅動訊號(高頻訊號)為OFF狀態時，於偏向部52a中直進之0次光LB0被吸收體(光阱)54吸收。在驅動訊號(高頻訊號)為ON之狀態時，於偏向部52a被偏向成1次繞射光之雷射光LB，穿透偏光分束器55A與1/4波長板55B後成為圓偏光射入準直透鏡56，再次被整形成平行光束。通過準直透鏡56之雷射光LB，再通過圖6之反射鏡58、柱面透鏡60、反射鏡64、多面鏡66、反射鏡68、f-θ透鏡70及柱面透鏡72，照射於基板P(旋轉筒DR2)上。
反應被雷射光LB之點光SP照射之基板P(或旋轉筒DR2)表面之反射率，從點光SP之照射位置產生反射光(正反射光、散射光等)。由於係將f-θ透鏡70做成遠心系，以使從f-θ透鏡70射出之雷射光LB之主光線與基板P(旋轉筒DR2)之表面垂直，因此該反射光中之正反射光，
會從柱面透鏡72射入而反向循雷射光LB之光路，回到準直透鏡56。如圖7所示，回到準直透鏡56之正反射光LRf，被1/4波長板55B從圓偏光轉換成直線偏光，於偏光分束器55A反射而到達受光部62。受光部62之受光面係配置成與基板P之表面光學共軛，受光部62具備輸出反應在受光面之正反射光LRf之光強度之光電訊號SDa的PIN光二極體等之光電元件。
由偏光分束器55A(1/4波長板55B)與受光部62構成之反射光監測系，在以點光SP以橫越形成在旋轉筒DR2上之基準圖案(基準標記)之方式掃描時，對從基準圖案產生之正反射光之強度變化進行光電檢測，監測以旋轉筒DR2之基準圖案為基準之掃描線L2(L)之傾斜、點光SP之掃描位置。據此，即能校正(校準)描繪單元U1~U5各個之圖案描繪位置之相對位置關係的變動(接合精度之變動等)、以及以圖5所示之對準顯微鏡AM1~AM3進行之標記檢測位置(檢測區域Vw1~Vw3)與掃描線L1~L5之各位置之相對位置關係、即所謂的基準線之變動。關於形成在旋轉筒DR2之基準圖案及校準，因已在國際公開第2014/034161號小冊子中有所揭示，因此省略詳細說明。又，圖7所示之反射光監測系，在基準圖案(或旋轉筒DR2之外周面)之反射率為已知值之情形時，可根據反射光之光量(光電訊號SDa之強度)測量，推定點光SP之強度(照度)，因此能求出圖案描繪時描繪單元U1~U5之各個對基板P賦予之曝光量、或描繪單元U1~U5間之曝光量之差。以上之基準線變動之校正動作(測量動作)、曝光量之測量動作，可說皆是為了避免作為曝光裝置EX之處理品質惡化的附加作業。
又，於處理裝置PR3，如圖4及圖5所示，設有用以檢測對
準標記Ks(Ks1~Ks3)之3個對準顯微鏡AM(AM1~AM3)。此對準顯微鏡AM(AM1~AM3)之檢測區域Vw(Vw1~Vw3)，係在旋轉筒DR2之圓周面上於Y軸方向成一行配置。對準顯微鏡AM(AM1~AM3)，藉由對基板P投影對準用之照明光，並以CCD、CMOS等攝影元件拍攝其反射光，據以檢測對準標記Ks(Ks1~Ks3)。也就是說，對準顯微鏡AM1，係拍攝在檢測區域(撮像區域)Vw1內之形成在基板P之+Y方向側端部之對準標記Ks1。對準顯微鏡AM2，拍攝在檢測區域Vw2內之形成在基板P之-Y方向側端部之對準標記Ks2。對準顯微鏡AM3，則拍攝在檢測區域Vw3內之形成在基板P之寬度方向中央之對準標記Ks3。
此對準顯微鏡AM(AM1~AM3)所拍攝之影像資料被送至設在下位控制裝置24內之影像處理部，下位控制裝置24之影像處理部根據影像資料算出(檢測)對準標記Ks(Ks1~Ks3)之位置或位置誤差。此檢測區域Vw(Vw1~Vw3)在基板P上之大小係依據對準標記Ks(Ks1~Ks3)之大小及對準精度設定，為100~500μm方形程度大小。又，對準用照明光係對基板P上之感光性功能層幾乎不具有感度之波長帶的光，例如係波長寬500~800nm程度之寬頻光、或不包含紫外帶波長之白色光等。
下位控制裝置24，依據上位控制裝置14之控制，控制構成圖案形成裝置12之第1蓄積裝置BF1、第2蓄積裝置BF2、及處理裝置PR3之各部。例如，下位控制裝置24控制處理裝置PR3內搬送之基板P之搬送速度、邊緣位置控制器EPC2、EPC3、對準顯微鏡AM1~AM3、光源裝置32、多面鏡66之旋轉、及描繪用光學元件52等。又，下位控制裝置24將以對準顯微鏡AM(AM1~AM3)檢測之基板P上之對準標記Ks(Ks1~Ks3)
之位置資訊、旋轉速度資訊(處理裝置PR3內之基板P之搬送速度資訊、點光SP之掃描速度資訊)、強度感測器37所檢測之雷射光LB之強度資訊等輸出至上位控制裝置14。下位控制裝置24包含電腦、與儲存有程式之記憶媒體，由該電腦實施儲存在記憶媒體中之程式，具以發揮作為本第1實施形態之下位控制裝置24之功能。此下位控制裝置24可以是上位控制裝置14之一部分、亦可以是與上位控制裝置14不同之另一控制裝置。
〔處理裝置PR4(濕式處理裝置)之構成〕
圖8係顯示處理裝置PR4之構成的圖。處理裝置PR4，具有貯留顯影液LQ之處理槽BT、以基板P能浸在貯留於處理槽BT之顯影液LQ之方式形成基板P之搬送路徑之導引滾輪R4~R7、驅動滾輪NR7、NR8、以及下位控制裝置80。於處理槽BT之底部設有用以調整顯影液LQ之溫度的加熱器H1、H2，加熱器H1、H2係在下位控制裝置80之控制下被加熱器驅動部82驅動而發熱。
驅動滾輪NR7，一邊夾持透過第2蓄積裝置BF2從處理裝置PR3送來之基板P之表背兩面、一邊旋轉將基板P導向導引滾輪R4。導引滾輪R4，將往+X方向搬送而來之基板P彎折向-Z方向側後導向導引滾輪R5。導引滾輪R5，將往-Z方向搬送而來之基板P彎折向+X方向側後導向導引滾輪R6。導引滾輪R6，將往+X方向搬送而來之基板P彎折向+Z方向側後導向導引滾輪R7。導引滾輪R7，將往+Z方向搬送而來之基板P彎折向+X方向側後導向驅動滾輪NR8。驅動滾輪NR8一邊夾持送來之基板P之表背兩面、一邊將基板P搬送至處理裝置PR5。藉由此導引滾輪R5、R6將基板P浸於顯影液LQ。驅動滾輪NR7、NR8係藉由旋轉扭矩
而旋轉，此旋轉扭矩來自具有被下位控制裝置80控制之馬達及減速機等的旋轉驅動源(圖示省略)。藉由此驅動滾輪NR7、NR8之旋轉速度，規定處理裝置PR4內之基板P之搬送速度。又，從設在驅動滾輪NR7、NR8之未圖示之編碼器送來之旋轉速度訊號(基板P之搬送速度訊號)，被送至下位控制裝置80。又，於處理裝置PR4內設有拍攝經顯影之基板P表面的攝影裝置(顯微鏡攝影機等)83。此攝影裝置83相對驅動滾輪NR8設在基板P之搬送方向下游側(+X方向側)。攝影裝置83放大拍攝經由顯影而形成在感光性功能層之圖案。
導引滾輪R4、R5設在可動構件84，可動構件84具有線性馬達等之驅動部，可沿導軌86往X方向移動。於可動構件84設有檢測可動構件84於X方向之位置的位置感測器87，位置感測器87檢測之可動構件84之位置資訊被送至下位控制裝置80。當此可動構件84沿導軌86往-X方向側移動時，導引滾輪R5、R6間之距離變長，因此基板P浸於顯影液LQ之時間(浸液時間)變長。又，當可動構件84往+X方向側移動時，導引滾輪R5、R6間之距離變短，因此基板P浸於顯影液LQ之時間(浸漬時間)變短。採此方式，能調整基板P浸於顯影液LQ之時間(接觸液體長度)。
又，處理裝置PR4具有檢測顯影液LQ之溫度的溫度感測器Ts、與檢測顯影液LQ之濃度的濃度感測器Cs。藉由將基板P浸漬於顯影液，反應形成在感光性功能層之潛像(改質部)之圖案即形成於感光性功能層。感光性功能層為正型光阻劑之情形時，被紫外線照射之部分受到改質，改質部因顯影液而溶解被除去。感光性功能層為正型光阻劑之情形時，被紫外線照射之部分受到改質，改質部因顯影液LQ而溶解被除去。又，感
光性功能層為負型光阻劑之情形時，被紫外線照射之部分受到改質，未被紫外線照射之非改質部因顯影液LQ而溶解被除去。於本第1實施形態，以感光性功能層為正型者加以說明。又，雖未圖示，但處理裝置PR4可具備對搬送至處理裝置PR5之基板P用以除去附著在基板P之顯影液LQ的洗淨、乾燥機構。
進一步的，處理裝置PR4之導引滾輪R5、R6具備能藉由馬達驅動往Z方向移動之機構，能將基板P在圖8所示之浸漬於顯影液LQ之狀態、與從顯影液LQ拉起之狀態間切換。據此，能在處理裝置PR4之功能不全(故障)導致製造線整體之停止、或在用以調整處理裝置PR4之短時間暫時停止之情形時，迅速中斷對基板P之顯影處理、並降低基板P長時間浸漬於顯影液LQ所引起之顯影液LQ之劣化等。
下位控制裝置80依據上位控制裝置14之控制，控制處理裝置PR4之各部。例如，下位控制裝置80控制在處理裝置PR4內搬送之基板P之搬送速度、加熱器驅動部82、及可動構件84、導引滾輪R5、R6往Z方向之移動等。又，下位控制裝置80將以溫度感測器Ts及濃度感測器Cs檢測之顯影液LQ之溫度資訊、濃度資訊、以位置感測器87檢測之可動構件84之位置資訊、以攝影裝置83檢測之影像資料、及旋轉速度資訊(處理裝置PR4內之基板P之搬送速度資訊)等輸出至上位控制裝置14。下位控制裝置80包含電腦、與儲存有程式之記憶媒體，藉由該電腦實施儲存在記憶媒體中之程式，發揮作為本第1實施形態之下位控制裝置80之功能。此下位控制裝置80可以是上位控制裝置14之一部分、亦可以是與上位控制裝置14不同之另一裝置。
又，感光性功能層為感光性矽烷偶合劑或感光性還元劑之情形時，於處理裝置PR4之處理槽BT，取代顯影液LQ而貯留例如含有鈀離子等電子元件用材料(金屬)之無電鍍液(以下，亦有稱為鍍敷液之情形)。也就是說，此時，處理裝置PR4係進行鍍敷處理之處理製程(第3處理製程)的鍍敷裝置。藉由將基板P浸漬於鍍敷液，反應形成在感光性功能層之潛像(改質部)而析出鍍敷核(金屬鈀)。進一步藉由追加之電鍍或無電鍍製程，於該鍍敷核析出電子元件用之金屬材料(NiP、Cu、Au等)時，即於基板P形成金屬層(導電性)之圖案。
進行蝕刻之處理裝置PR5，基本上，雖具有與處理裝置PR4相同之構成而未圖示，但於處理槽BT中，取代顯影液LQ而貯留有蝕刻液(腐蝕液)。因此，當處理裝置PR5之可動構件84往-X方向側移動時，基板P浸漬於蝕刻液之時間(浸漬時間)即變長，當可動構件84往+X方向側移動時，基板P浸漬於蝕刻液之時間(浸漬時間)即變短。此外，以處理裝置PR5之溫度感測器Ts檢測蝕刻液之溫度、以濃度感測器Cs檢測蝕刻液之濃度。藉由此處理裝置PR5將基板P浸漬於蝕刻液，以形成有圖案之感光性功能層為光罩，蝕刻形成在感光性功能層之下層之金屬性薄膜(Al或Cu等)。據此，於基板P上出現金屬層圖案。處理裝置PR5之攝影裝置83拍攝因蝕刻而形成在基板P上之金屬層之圖案。以處理裝置PR5進行了處理之基板P可被送至進行下一處理之處理裝置PR。於處理裝置PR4進行鍍敷處理之情形時，因無需蝕刻處理，因此取代處理裝置PR5而設置另一處理裝置PR、例如進行洗淨、乾燥等之處理裝置PR。
〔第1實施形態之動作〕
以上之各處理裝置PR1~PR5之設定條件，係以各處理裝置PR1~PR5實施之實處理(實際處理)之狀態能成為目標之處理狀態之方式預先設定。各處理裝置PR1~PR5之設定條件，可預先儲存於設在各處理裝置PR1~PR5之未圖的記憶媒體、亦可儲存在上位控制裝置14之未圖示的記憶媒體。又，於元件製造系統10內，基板P係假設以一定速度搬送，設定在處理裝置PR1~PR5各個之設定條件中之基板P之搬送速度條件，基本上係設定為相同的規定速度Vpp(例如，5mm/秒~50mm/秒範圍之一定速度)。為維持基板P上形成之電子元件用圖案之品質，設定在處理裝置PR1~PR5各個之設定條件中、除了僅基板P之處理條件係可動態調整外，藉由將基板P之搬送速度條件做成可在各處理裝置之每一個個別的調整，即能在維持圖案品質之同時、盡可能不停止製造線(元件製造系統10)整體之製造線管理。關於此種製造線管理，留待後述實施形態中說明。
以上之圖2、圖4、圖8所示之處理裝置PR2~PR4(PR5)之各個，有時，會有希望中斷對基板P之處理，而進行用以防止處理品質惡化(性能維持)之附加作業(測量動作、調整動作、切換動作、清掃動作、維修保養動作等)的情形。例如，於作為處理裝置PR2之成膜裝置(塗布裝置)，會有進行供應至狹縫塗布頭DCH或噴墨頭IJH之塗布液(感光性功能液)之補充動作、頭DCH、IJH之噴嘴部或旋轉筒DR1之清掃動作、或頭DCH、IJH之更換/切換動作等的情形。於作為處理裝置PR3之曝光裝置EX，會有進行測量圖案之曝光位置(點光SP之掃描形成之掃描線L1~L5)與對準顯微鏡AM1~AM3之檢測區域Vw1~Vw3之相對位置關係(基準線長)之變動、或測量到達基板P(旋轉筒DR2)之點光SP之強度(照
度)的校準(校正)動作、或設想光源裝置32(雷射光源、紫外線燈等)惡化時之更換而切換為預先增設之予備光源裝置的切換動作等。再者，於作為處理裝置PR4(PR5)之濕式處理裝置，會有進行為抑制因顯影液LQ或鍍敷液之濃度降低或氧化導致之惡化之更新(refresh)或更換等的維修保養動作、或除去貯存顯影液LQ或鍍敷液之處理槽(液槽)BT中之微細雜質的清掃動作等。
此等附加作業之動作可在較短時間內完成時，各處理裝置PR2~PR4(PR5)能在適當之時機暫時中斷基板P之處理，以實施該附加作業，並在附加作業完成後再度開始基板P之處理以復歸到通常動作。此場合，於實施附加作業之處理裝置，基板P之搬送是被暫時停止、或減速的。又，雖可限制處理裝置PR2~PR4(PR5)中之2個以上同時實施附加作業，但若係同程度之停止時間之附加作業的話，亦可容許同時實施。暫時停止基板P之搬送之時間，雖因附加作業之內容而有不同，但係設定為在該附加作業之實施時間之期間，其他處理裝置仍能持續基板P之處理。為此，亦有可能會產生將基板P在圖1、圖4中之第1蓄積裝置BF1、第2蓄積裝置BF2各個之已蓄積長或可新蓄積長，視實施附加作業之處理裝置與前後之處理裝置間之各處理狀況，在附加作業開始前預先加以調整的情形。已蓄積長係指蓄積裝置BF1、BF2已蓄積之基板P之蓄積長，可新蓄積長則係指蓄積裝置BF1、BF2從現在起可新蓄積之基板P之蓄積長。
實施附加作業之適當的時機，例如於處理裝置PR2(狹縫塗布方式/噴墨方式之塗布裝置)或處理裝置PR3(曝光裝置EX)，可設定為在對沿基板P之長條方向排列之元件形成區域W(參照圖5)之1個之處理
(塗布、或曝光)結束後立即實施。亦即，可設定為在對次一元件形成區域W之處理開始前之空白部Sw，來到作為處理位置之塗布位置(與頭DCH、IJH對向之位置)或作為處理位置之曝光位置(形成掃描線L1~L5之位置)之時間點。
又，亦可在空白部Sw之上游側與下游側，使待形成在基板P上之元件種類、元件形成區域W之大小及排列等不同，以做成能因應多品種、少量生產之製造線。例如，於空白部Sw之下游側將第1畫面尺寸(32吋等)之顯示面板用電路圖案於基板P之長邊方向排列形成為一行，於空白部Sw之上游側將較第1畫面尺寸小之第2畫面尺寸之顯示面板用電路圖案於基板P之寬度方向以取2面之方式於長邊方向排列形成之情形時，會有在空白部Sw之上游側與下游側，使在處理裝置PR2~PR4(PR5)各個之處理條件或設定條件相異之情形。特別是，於處理裝置PR3，由於待描繪(曝光)之圖案會變更，因此描繪資料之切換作業是必要的。於圖4、圖6所示之直接描繪方式之無光罩曝光機，需要描繪資料切換時之資料轉送時間、且亦需要包含各種參數(描繪倍率、掃描線L之傾斜、曝光量等)之變更/調整時間之設置(set up)操作時間。此種設置操作，因會中斷處理裝置PR3之通常動作，因此可作為附加作業之1個來進行。當然，若在其他處理裝置PR2、PR4(PR5)亦需要使處理條件大幅不同的話，該調整作業即為設置操作，可操作為附加作業。在處理裝置PR3係使用圓筒光罩之投影曝光裝置的情形時，例如，日本專利第5494621號公報所揭示之圓筒光罩之更換作業等即包含在設置操作中。
接著，根據圖10、圖11之流程圖說明第1實施形態之動作，
但在此之前，先使用圖9說明第1實施形態之較佳之基板P之元件形成區域W等的配置。圖9中顯示了之前之圖5所示之基板P上形成之複數個元件形成區域W1、W2…、對準標記Ks1~Ks3之具體的配置例。再者，於基板P上，附隨於元件形成區域W1、W2…之各個，設有形成在基板P之寬度方向兩側部之資訊圖案Msa、Msb。資訊圖案Msa、Msb之位置，係表示元件形成區域W1、W2…之處理開始位置、空白部Sw之區域(範圍)。資訊圖案Msa、Msb，係由配置在圖2之處理裝置(塗布裝置)PR2內之旋轉筒DR1、及圖4之處理裝置(曝光裝置)PR3內之旋轉筒DR2周圍的讀取部加以讀取。資訊圖案Msa、Msb係以1維或2維條碼形成時，條碼可包含空白部Sw之基板P之長邊方向尺寸、元件形成區域W1、W2…之長邊方向尺寸與短邊方向尺寸、元件形成區域W1、W2…之批號等資訊。
第1實施形態之情形時，圖2之處理裝置(塗布裝置)PR2，可藉由以讀取部檢測資訊圖案Msa、Msb，進行選擇性的塗布控制，以避免將塗布液(感光性功能液)LQc塗布到基板P上之空白部Sw上。因此，在基板P之空白部Sw位於處理裝置(曝光裝置)PR3內之旋轉筒DR2上之曝光區域(包含圖5中之掃描線L1~L5的矩形區域)的狀態時，若基板P為透明之PET、PEN時，即能透過基板P之透明部，根據來自設在描繪單元U1~U5各個之反射光監測系(圖7之受光部62)之光電訊號SDa，檢測旋轉筒DR2表面之基準圖案RMP。據此，在空白部Sw(感光性功能液之未塗布區域)進到曝光區域之狀態下使基板P暫時停止，即能進行校準動作。需要對準顯微鏡AM1~AM3之校準(基準線管理)之情形時，在基板P之空白部Sw(透明部)位於對準顯微鏡AM1~AM3之各檢測區域Vw1~Vw3
之位置時，使基板P暫時停止、或使搬送速度減速，以檢測旋轉筒DR2上之基準圖案RMP即可。
〔動作流程〕
圖10、圖11之流程圖，主要係以圖1中之上位控制裝置14實施，但亦可由下位控制裝置18、24、80實施。又，圖10係用以根據從下位控制裝置18送至上位控制裝置14之處理裝置PR2之狀態資訊(插入要求)、從下位控制裝置24送至上位控制裝置14之處理裝置PR3之狀態資訊(插入要求)、以及從下位控制裝置80送至上位控制裝置14之處理裝置PR4(PR5)之狀態資訊(插入要求)等，使處理裝置PR2、PR3、PR4(PR5)個別的停止短時間、或使製造線整體停止的流程。圖11模擬圖10中判定之處理裝置PR2~PR4(PR5)之停止可能性的流程圖。又，圖10之程式，雖係以上位控制裝置14之判斷以一定時間間隔(interval)實施，但亦可由來自下位控制裝置18、24、80各個之插入要求(停止要求)來據以實施。
圖10中，步驟S1，係收到來自處理裝置PR2之下位控制裝置18之狀態資訊、來自處理裝置PR3之下位控制裝置24之狀態資訊、或來自處理裝置PR4(PR5)之下位控制裝置80之狀態資訊，判斷處理裝置PR2~PR4(PR5)之任一者是否有提出長時間停止之插入要求(request)。長時間停止之要求，主要是在處理裝置發生功能不全(突發的故障等)之情形時之緊急停止時亦會產生。步驟S1中，狀態資訊(插入要求)係長時間停止之情形時，由於需要用以使該處理裝置之功能不全復原之零件更換等的維修保養作業，因此不得不使製造線整體停止之情形較多。因此，針對長時間停止之要求，係進到步驟S9之指示製造線停止的路徑。
於步驟S9，為使圖1之製造線整體安全地緊急停止，針對處理裝置PR1~PR5(下位控制裝置18、24、80)之各個，指示適當之停止時機、停止路徑。例如，當需要緊急停止之處理裝置為處理裝置PR4(PR5)時，且其他處理裝置PR2、PR3正常地持續處理動作時，處理裝置PR2，即在圖9所示之基板P之空白部Sw例如與狹縫塗布頭DCH之頭本體200A對向而能中斷塗布作業時緊急停止。同樣的，處理裝置PR3，在圖9所示之基板P之空白部Sw與描繪單元U1~U5之曝光區域對向、曝光作業可中斷時緊急停止。此場合，基板P在處理裝置(曝光裝置)PR3之上游側之第1蓄積裝置BF1與下游側之第2蓄積裝置BF2之各個之蓄積狀況，係以在各處理裝置完全停止為止之時間內能吸收處理裝置PR間之基板P之搬送速度的大差(例如，一方速度為零)而具有餘裕之方式設定。
處理裝置PR2、PR3可中斷處理之時機，係圖9所示般之空白部Sw與塗布位置(狹縫塗布頭部)或曝光位置(掃描線L1~L5)對向時，從緊急停止之指示發出後，至實際上處理中斷(基板P停止)為止之最大延遲時間Td，由空白部Sw之基板P之長邊方向之間隔距離Lss(大略為元件形成區域W之長邊方向長度)與基板P之搬送速度Vpp，而以Td=Lss/Vpp決定。因此，在發出緊急停止(長時間停止)之指示之時間點，蓄積裝置BF1、BF2之一方，只要蓄積有對應最大延遲時間Td之長度之基板P作為已蓄積長即可，蓄積裝置BF1、BF2之另一方則只要可蓄積對應最大延遲時間Td之長度之基板P作為可新蓄積長即可。此種蓄積裝置BF1、BF2之蓄積狀態係由上位控制裝置14加以管理。又，緊急停止時，進行濕式處理之處理裝置PR4(PR5)，由於欲以空白部Sw剛好使處理中斷是非常
困難的，因此係立即停止基板P之搬送，使圖8中之導引滾輪R5、R6往+Z方向(上方)移動以將基板P從顯影液LQ(或鍍敷液)拉起之狀態。
雖然由處理裝置PR2~PR4(PR5)之各個於內部取得之運轉日誌資訊來預測緊急停止狀態之發生時期並非不可能，但一般而言，是不易預測的。因此，以製造線整體正常運轉，基板P以既定之規定速度Vpp安定搬送之期間，蓄積裝置BF1、BF2之各個至少有蓄積對應最大延遲時間Td之長度Lss之基板P、且能新蓄積長度Lss之基板P之餘裕(可新蓄積長度)之方式，進行蓄積狀態之管理較佳。
於步驟S1，當判斷非長時間停止時，即判斷為產生了短時間之附加作業之需求，進至步驟S2。於步驟S2，根據在此之前發生之短時間之附加作業之要求，判定為了使處理裝置PR2~PR4(PR5)中之任一者移至停止狀態是否已在調整中。於此步驟S2判斷是在調整中時，圖10之流程結束。又，於步驟S2，判斷不是在調整中時，於步驟S3中，若要求短時間之附加作業之處理裝置PR(以下，亦稱停止要求裝置PRd)是處理裝置PR2、PR3之情形時，即確認處理中之基板P之現在的處理位置資訊(圖9中之元件形成區域W1、W2．．．、空白部Sw等之處理位置)、關於在該停止要求裝置PRd之上游或下游之蓄積裝置BF1、BF2之基板P之蓄積狀態(已蓄積長、可新蓄積長等)之蓄積資訊、以及關於從停止要求裝置PRd之下位控制裝置(18、24、80)送來之附加作業內容與作業時間(所需之停止時間)、或從產生要求後至附加作業實際開始為止之可等待之待機時間(可延遲時間)之作業資訊等。當停止要求裝置PRd係處理裝置PR4(PR5)之情形時，於步驟S3中，確認關於第2蓄積裝置BF2之蓄積狀態的蓄積資
訊(已蓄積長及可新蓄積長等)與作業資訊(作業內容、作業時間、可延遲時間)。充填在處理裝置PR2之狹縫塗布頭DCH中塗布液LQc用光時無法持續塗布作業，因此在處理裝置PR2之可延遲時間，例如係到塗布液LQc用光為止之時間等。在處理裝置PR3之可延遲時間，係指例如到進行校準動作為止可等待之時間、到切換為預備光源裝置之切換動作為止之可等待時間等。在處理裝置PR4(PR5)之可延遲時間，則係指例如到進行顯影液LQ及鍍敷液之更新(refresh)及更換等維修保養動作為止可等待之時間等。
此處，若停止要求裝置PRd係處理裝置PR2時，於步驟S3，根據基板P之搬送速度Vpp與作業資訊(停止時間、可延遲時間)，特別是檢驗蓄積資訊。在處理裝置PR2暫時停止之期間，為了不停止製造線(元件製造系統10)整體，只要其他處理裝置PR3、處理裝置PR4(PR5)能持續搬送基板P即可。因此，當處理裝置PR2係停止要求裝置PRd時，設處理裝置PR2之停止時間(中斷時間)為TS2、並從第1蓄積裝置BF1之現在的已蓄積長Lf1與基板P之搬送速度Vpp之關係，驗證是否是Lf1>Vpp‧TS2。也就是說，驗證第1蓄積裝置BF1之蓄積狀態(現在的已蓄積長Lf1)是否滿足所需蓄積狀態(是否為Vpp‧TS2以上)。在第1蓄積裝置BF1之蓄積狀態滿足所需蓄積狀態時，在停止要求裝置PRd(PR2)之停止時間中，第1蓄積裝置BF1之蓄積狀況正常的推移。此場合，在停止要求裝置PRd(PR2)之停止時間中，第1蓄積裝置BF1之蓄積長以一定速度(一定比率)慢慢變短。
又，當停止要求裝置PRd係處理裝置PR3時，於步驟S3，根據基板P之搬送速度Vpp與作業資訊(停止時間、可延遲時間)，檢驗(判
定)蓄積裝置BF1、BF2兩方之蓄積資訊。此場合，由於處理裝置PR2與處理裝置PR4(PR5)係持續運轉，因此關於第1蓄積裝置BF1，從處理裝置PR3之停止時間(中斷時間)TS3與基板P之搬送速度Vpp之關係，檢驗(判定)是否有以Vpp‧TS3決定之長度以上之可新蓄積長。此外，關於第2蓄積裝置BF2，從停止時間TS3與基板P之搬送速度Vpp之關係，檢驗第2蓄積裝置BF2之現在的已蓄積長Lf2，從基板P之搬送速度Vpp之關係，是否為Lf2>Vpp‧TS3。也就是說，檢驗第1蓄積裝置BF1之蓄積狀態(可新蓄積長)是否滿足所需蓄積狀態(是否為Vpp‧TS3以上)，判斷第2蓄積裝置BF2之蓄積狀態(已蓄積長Lf2)，是否滿足所需蓄積狀態(是否為Vpp‧TS3以上)。在蓄積裝置BF1、BF2之蓄積狀態滿足所需蓄積狀態之情形時，在停止要求裝置PRd(PR3)之停止時間中，蓄積裝置BF1、BF2之蓄積狀況係正常的推移。此場合，在停止要求裝置PRd(PR3)之停止時間中，第1蓄積裝置BF1之蓄積長以一定速度(一定比率)慢慢變長，第2蓄積裝置BF2之蓄積長以一定速度(一定比率)慢慢變短。
當停止要求裝置PRd係處理裝置PR4(PR5)時，關於第2蓄積裝置BF2，從處理裝置PR4(PR5)之停止時間(中斷時間)TS4(TS5)與基板P之搬送速度Vpp之關係，檢驗是否有以Vpp‧TS4(TS5)決定之長度以上之可新蓄積長。也就是說，檢驗第2蓄積裝置BF2之蓄積狀態(可新蓄積長)，是否滿足所需蓄積狀態(是否為Vpp‧TS4(TS5)以上)。在第2蓄積裝置BF2之蓄積狀態滿足所需蓄積狀態之情形時，在停止要求裝置PRd(PR4(PR5))之停止時間中，第2蓄積裝置BF2之蓄積狀況正常推移。此場合，在停止要求裝置PRd(PR4(PR5))之停止時間中，第2蓄積
裝置BF2之蓄積長以一定速度(一定比率)慢慢變長。又，由於處理裝置PR4與處理裝置PR5之間沒有蓄積裝置，因此需使處理裝置PR4與處理裝置PR5之基板P的搬送速度大致相同。因此，在停止要求裝置PRd係處理裝置PR4、且使處理裝置PR4暫時停止停止時間TS4之期間之情形時，亦使處理裝置PR5停止停止時間TS4之期間。此外，在停止要求裝置PRd係處理裝置PR5、且使處理裝置PR5暫時停止停止時間TS5之期間之情形時，亦使處理裝置PR4暫時停止停止時間TS5之期間。又，在停止要求裝置PRd係處理裝置PR4、PR5之兩方、且與處理裝置PR4、PR5皆暫時停止之情形時，係以停止時間TS4、TS5中較長一方之停止時間使處理裝置PR4、PR5停止。
於其次之步驟S4，根據步驟S3中之驗證結果，判斷是否可使停止要求裝置PRd停止。也就是說，在使停止要求裝置PRd為了附加作業而停止(中斷)時，判斷於該停止(中斷)時間中蓄積裝置BF1、BF2之蓄積狀況是否正常的推移。在停止要求裝置PRd係處理裝置PR2或PR3之情形時，於步驟S4判斷基板P上最近的空白部Sw到達塗布位置(處理位置)或曝光位置(處理位置)時是否可使基板P停止。於步驟S3中確認之在第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2之已蓄積長及可新蓄積長等之蓄積狀態是必要的狀態(所需蓄積狀態)之情形時，可在基板P之空白部Sw使處理裝置PR2或PR3停止，因此於步驟S4中分歧至Yes而推進至步驟S5，對停止要求裝置PRd(PR2或PR3)下達停止指示(停止許可)。接收到停止指示之處理裝置PR2或PR3，在持續處理到基板P之最近的空白部Sw來到後，在空白部Sw到達塗布位置或曝光位置之時間點停止基板P之
搬送，立即實施既定附加作業。也就是說，處理裝置PR2及處理裝置PR3，由於係在空白部Sw之較基板P之長條方向長度短之範圍施以處理，因此在停止要求裝置PRd(PR2或PR3)之處理位置(塗布位置或曝光位置)來到空白部Sw之時間點，能因附加作業之故暫時停止在停止要求裝置PRd之基板P之搬送及處理。此外，在停止要求裝置PRd係處理裝置PR4(PR5)時，於步驟S3確認在第2蓄積裝置BF2之基板P之蓄積狀態(可新蓄積長)是必要之狀態(所需蓄積狀態)之情形時，可使處理裝置PR4(PR5)停止，於步驟S4分歧至Yes而推進至步驟S5，對停止要求裝置PRd(PR4、PR5)下達停止指示(停止許可)。處理裝置PR4(PR5)，由於係在空白部Sw之較基板P之長條方向長度長的範圍施以處理，因此與停止要求裝置PRd(PR4(PR5))之處理位置無關的，在確認第2蓄積裝置BF2之蓄積狀態達到所需蓄積狀態之情形時，立即因附加作業之故而暫時停止在停止要求裝置PRd之基板P之搬送及處理。
於步驟S3中確認之在蓄積裝置BF1、BF2之蓄積狀態(已蓄積長及可新蓄積長)未達到必要狀態(所需蓄積狀態)時，若因附加作業之故使停止處理裝置PR2~PR4(PR5)之任一者停止的話，於附加作業中基板P在第1蓄積裝置BF1或第2蓄積裝置BF2之已蓄積長或可新蓄積長將變得不足，就結果而言，變成使製造線整體(所有的處理裝置PR1~PR5)停止。因此，於本第1實施形態，於步驟S4之時序判斷不可停止，於步驟S6中實施停止可能條件(狀態)之模擬。此模擬，係探討蓄積裝置BF1、BF2之蓄積狀態，是否可因為進行停止要求裝置PRd之附加作業而遷至可停止狀態，亦即，在變更於各處理裝置PR2~PR4(PR5)對基板P之處理
條件或基板P之搬送速度Vpp之情形時，探討是否可找出能改善至被認為必須之已蓄積長及可新蓄積長的適當條件。關於步驟S6之模擬，參酌圖11留待之後說明。
當藉由步驟S6之模擬，舉出至少1個以上之為確保必須之已蓄積長及可新蓄積長之各處理裝置PR2~PR4(PR5)之處理條件之變更例與基板P之搬送速度Vpp之變更例的候補時，當在其次之步驟S7中，在藉由處理條件之變更例與基板P之搬送速度之變更例之任一方、或兩者之組合調整後之狀態下經過既定時間(亦稱調整時間)後，判斷停止要求裝置PRd是否已成為可停止狀態。於步驟S7中，由停止要求裝置PRd提示之作業資訊(作業內容、作業時間、可延遲時間)中，特別是著眼於可延遲時間(待機時間)，判斷調整時間是否較可延遲時間短。如上所述，由於可延遲時間(待機時間)係到附加作業開始為止停止要求裝置PRd可等待之最大時間，因此調整時間較可延遲時間長時，必須使製造線整體(所有的處理裝置PR1~PR5)停止。又，於步驟S6之模擬中，可在設定“可獲得較可延遲時間短之調整時間”之限制條件的情形下，進行處理條件之變更例與搬送速度之變更例的探討。此場合，可於步驟S7之階段，一邊變更各種條件一邊進行基板P之處理的調整時間後，獲知可停止停止要求裝置PRd。
可延遲時間(待機時間)，有可能因處理裝置PR2~PR4(PR5)各個之附加作業之內容而改變。在步驟S4中判斷無法立即使停止要求裝置PRd停止的狀況下，需要一邊持續各處理裝置PR2~PR4(PR5)對基板P之處理、一邊改善在蓄積裝置BF1、BF2之基板P之已蓄積長及可新蓄積長
的調整時間。此調整時間，亦會因仔得到所須之已蓄積長及可新蓄積長為止之基板P之搬送長程度(改善程度)而大幅變化。一般而言，如處理裝置PR3般之曝光裝置，由於來自光源之光束強度是已決定的，因此用以在圖案曝光時對基板P之感光層賦予既定曝光量之基板P之搬送速度是有其上限的。因此，於處理裝置PR3，係考慮光源惡化造成之光束強度之降低，而將規定之搬送速度Vpp設定為較上限速度低，並為了在該規定之搬送速度Vpp下能獲得正確適當之曝光量，而調整(減光)光束強度。因此，在如處理裝置PR3般之曝光裝置，雖能容易地將基板P之搬送速度設定為較規定速度Vpp低，但不易設定為高。
另一方面，在如處理裝置PR2般之塗布裝置、或如處理裝置PR4般之濕式處理裝置，可將基板P之搬送速度之調整範圍設定得較廣。處理裝置PR2以狹縫塗布頭DCH進行塗布作業之情形時，藉由調整圖3所示之頭本體200A前端之狹縫部200B與基板P間之間隙、或以活塞部01擠出之塗布液LQc之流量等的處理條件(設定條件)，即使基板P之搬送速度變化，亦能將塗布液LQc以適當正確之膜厚塗布在基板P上。又，於處理裝置PR4，藉由將圖8中導引滾輪R5、R6之X方向(基板P之搬送方向)之間隔(處理條件)視基板P之搬送速度之變化加以調整，即能改變處理液(顯影液LQ)與基板P之接液長度(處理條件)，因此能保持適當正確之接液時間(顯影時間)。如以上所述，處理裝置PR2、PR4雖比較能容易地因應基板P之搬送速度之變化，但基板P之搬送速度之急遽變化仍以避免較佳。使基板P之搬送速度從規定速度Vpp變化時，一邊以小的變化率慢慢的改變速度、一邊慢慢的調整處理條件(設定條件)較佳。
在考慮了以上狀況，進行在步驟S6之模擬後，當在步驟S7中，判斷藉由進行條件變更而能在可延遲時間(待機時間)之經過前開始停止要求裝置PRd之附加作業時，於步驟S8，將調整處理(設定)條件及基板P之搬送條件(速度之變化量等)之指示，送至作為對象之處理裝置(調整對象裝置)之下位控制裝置(18、24、80)。藉由此步驟S8，在構成製造線之處理裝置PR2~PR4(PR5)之至少1個中之基板P之搬送速度之調整即開始，第1蓄積裝置BF1或第2蓄積裝置BF2之已蓄積長及可新蓄積長之不足分即被慢慢改善，而能在可延遲時間(待機時間)之經過前，停止要求裝置PRd可開始附加作業，且其他處理裝置之各個能在經變更之處理(設定)條件及基板P之搬送條件下，在不降低處理品質之情形下持續進行處理。又，圖10中，當在步驟S8中一旦對作為調整對象之處理裝置發出調整指示後，成為不會藉由在步驟S2之判定，再次實施步驟S3~S7之流程，但亦可略步驟S2，在每經過一定時間之間隔後，實施步驟S3~S8此場合，在步驟S3中取得之處理位置資訊、蓄積資訊及作業資訊等，會在每一時間間隔中被更新，因此一旦實施步驟S8後，即回應每一時間間隔在步驟S4之判定，實施步驟S5(對停止要求裝置PRd發出停止指示)，因此能實施更正確的控制。
然而，在步驟S6之模擬結果，亦有無法找出在處理裝置PR2~PR4各個之處理(設定)條件及基板P之搬送條件(速度)之較佳的變更例(調整圖案)的情形。此場合，於步驟S7中被判斷為不可調整，而實施與先前說明之緊急停止時之程序相同的步驟S9。
以上，藉由實施圖10之動作流程之步驟S1~S8，即使因附
加作業之故而使處理裝置暫時的短時間停止，亦能使其他處理裝置之運轉持續，抑制電子元件之生產性的顯著降低。又，在使因附加作業而停止之處理裝置回歸時，只要慢慢的回復原本變更之處理(設定)條件，使任一處理裝置之基板P之搬送速度回到規定速度Vpp即可。
其次，以步驟S6實施之模擬之一例，根據圖11之流程圖加以說明。圖11中，步驟S21，隙判定在停止要求裝置PRd之上游側是否有基板P之蓄積裝置的步驟。如圖1、圖4所示，本實施形態中，在處理裝置PR2之上游側、及處理裝置PR4(PR5)之下游側未設置蓄積裝置。因此，在停止要求裝置PRd係處理裝置PR2時，根據步驟S21之判定，推進至步驟S26。在停止要求裝置PRd係處理裝置PR3、或處理裝置PR4時，根據步驟S21之判定，推進至步驟S22。以下，為避免說明之重複，先說明停止要求裝置PRd係處理裝置PR3之情形。
停止要求裝置PRd係處理裝置PR3時，步驟S22之實施，係代表基板P在處理裝置PR3上游側之第1蓄積裝置BF1之可新蓄積長、與基板P在下游側之第2蓄積裝置BF2之已蓄積長中之一方或双方不足。使處理裝置PR3停止時，在附加作業之開始時間點，從現在起可以第1蓄積裝置BF1蓄積之可新蓄積長，必須是以基板P在上游側之處理裝置PR2之搬送速度(規定速度Vpp)與附加作業之作業時間(停止時間TS3)之積所決定之長度以上。可新蓄積長不足時，必須模擬是否可將該不足分在停止要求裝置PRd之處理裝置PR3之可延遲時間之經過前，藉由處理裝置PR2(有時為處理裝置PR3本身)等之處理條件或基板搬送速度之調整來加以消除。因此，於步驟S22，係在上游側之第1蓄積裝置BF1之可新蓄積長不
足時，在將消除可新蓄積長之不足為止之等待時間(調整時間)Tw1(秒)設定為較在停止要求裝置PRd之可延遲時間短的條件下，選定可消除該不足之上游側之處理裝置PR2與停止要求裝置PRd之處理裝置PR3(該裝置)之各種條件變更的候補(組合)。又，於之前之步驟S21，雖係判定上游側是否有蓄積裝置，但亦可以是判定在上游側蓄積裝置之可新蓄積長是否不足。
步驟S22中選定之各種條件變更之候補(組合)，係設定成等待時間Tw1較處理裝置PR3(停止要求裝置PRd)開始附加作業為止可等待之可延遲時間(待機時間)短。此處，若設到處理裝置PR3(停止要求裝置PRd)開施附加處理為止之可延遲時間(待機時間)為Tdp3(秒)、在第1蓄積裝置BF1之可新蓄積長之不足量為△Ls1、在處理裝置PR3之基板P之搬送速度無法從規定速度Vpp提高時，將在上游側之處理裝置PR2之基板P之搬送速度低於規定速度Vpp之最佳的速度變化特性V2(t)，即以滿足下述式1、式2之兩方的方式進行模擬。
Tdp3>Tw1．．．式1
Tw1‧V2(t)≧△Ls1．．．式2此時，設定若干個可從規定速度Vpp降低之搬送速度之值、即速度之降低率來進行模擬。其結果，在作為適切之候補求出之速度變化特性V2(t)的基礎下，判斷處理裝置PR2之狹縫塗布頭DCH之處理條件(狹縫部200B與基板P之間隙量、活塞部201之壓下速度等)是否可連動進行調整。藉由以此方式求出之速度變化特性V2(t)與處理條件(設定條件)之變更(調整)，於其次之步驟S23判斷在處理裝置PR2之塗布製程是否可在保持處理
品質之情形下持續。又，模擬之結果，滿足式1之條件之等待時間Tw1之值亦被再計算。藉由此步驟S22、S23，一邊保持處理品質、一邊變更處理裝置PR2之處理條件及基板P之搬送速度，判斷是否可在可延遲時間Tdp3內，使第1蓄積裝置BF1之蓄積狀態成為所需蓄積狀態。
步驟S22之模擬之結果，因狹縫塗布頭DCH之處理條件之變更無法完全因應等之狀況，使得無法找出適當之速度變化特性V2(t)時，根據步驟S23之判斷，推進至步驟S24，判斷為進行停止要求裝置PRd(處理裝置PR3)之附加作業，在可延遲時間Tdp3之經過前使停止要求裝置PRd(處理裝置PR3)單獨停止是不可能的，而結束模擬。經由步驟S24後之情形時，先前之圖10之步驟S7中判斷為無法停止，而進行步驟S9之製造線停止指示。
另一方面，步驟S22之模擬結果，可透過狹縫塗布頭DCH之處理條件之變更因應，能找出適當之速度變化特性V2(t)之情形時，根據步驟S23之判斷，推進至步驟S25，判定有無下游側之蓄積裝置。處理裝置PR3之情形時，下游側有第2蓄積裝置BF2，使處理裝置PR3因附加作業而停止時，在附加作業之開始時間點，在第2蓄積裝置BF2已蓄積之基板P之已蓄積長，須為在下游側之處理裝置PR4(PR5)之基板P之搬送速度(規定速度Vpp)與附加作業之作業時間(停止時間TS3)之積所決定之長度以上。然而，在實施圖10之步驟S6(圖11之模擬)之時間點，在第2蓄積裝置BF2之已蓄積長是不足的。是否可將該不足分，在停止要求裝置PRd(處理裝置PR3)提示之可延遲時間(待機時間)Tdp3之經過前，藉由處理裝置PR4等之處理條件(設定條件)或基板P之搬送速度之調整來加
以消除，於其次之步驟S26中進行模擬。為消除在第2蓄積裝置BF2之已蓄積長之不足，必須進行提升在上游側之處理裝置PR3之基板P之搬送速度、或降低在下游側之處理裝置PR4(PR5)之基板P之搬送速度的至少一方。如先前之說明，在處理裝置PR3係曝光裝置之情形時，不易提升基板P之搬送速度，因此，此處係藉由慢慢降低在處理裝置PR4(PR5)之基板P之搬送速度來加以因應。
於步驟S26中，亦與步驟S22同樣的，在消除已蓄積長之不足為止之等待時間(調整時間)Tw2(秒)設定為較可延遲時間(待機時間)Tdp3短之條件下，選定可消除在第2蓄積裝置BF2之已蓄積長之不足的下游側處理裝置PR4(PR5)與處理裝置PR3(当該裝置)之各種條件變更之候補(組合)。此處，若設在第2蓄積裝置BF2之已蓄積長之不足量為△Ls2、無法將在處理裝置PR3之基板P之搬送速度從規定速度Vpp加以提升時，在下游側之處理裝置PR4(PR5)之基板P之搬送速度低於規定速度Vpp之最佳的速度變化特性V4(t)(V5(t))，以滿足下述式3、式4之雙方之方式，進行模擬。
Tdp3>Tw2…式3
Tw2‧V4(t)(V5(t))≧△Ls2…式4此時，設定若干個低於規定速度Vpp之搬送速度之值、及速度之降低率來進行模擬。其結果，在做為適切之候補求出之速度變化特性V4(t)(V5(t))的基礎下，判斷處理裝置PR4(PR5)之處理條件(藉由導引滾輪R5、R6之間隔調整帶來之接液長之變更)是否可連動。藉由以此方式求出之速度變化特性V4(t)(V5(t))與處理條件(設定條件)之變更(調整)，於其
次之步驟S27，判斷在處理裝置PR4(PR5)之顯影製程(濕式處理)是否可在保持既定品質之情形下持續。又，模擬結果，滿足式3之條件之等待時間Tw2之值亦被再計算。藉由此步驟S26、S27，一邊保持處理之品質、一邊變更處理裝置PR4(PR5)之處理條件及基板P之搬送速度，判斷是否可在可延遲時間Tdp3內，使第2蓄積裝置BF2之蓄積狀態達到所需蓄積狀態。
步驟S26之模擬結果，因處理裝置PR4(PR5)之處理條件(接液長)之變更無法完全因應等之狀況，而無法找出適當之速度變化特性V4(t)(V5(t))之情形時，根據步驟S27之判斷，推進至步驟S24，判斷為進行停止要求裝置PRd(處理裝置PR3)之附加作業，在可延遲時間(待機時間)Tdp3之經過前使停止要求裝置PRd(處理裝置PR3)單獨停止是不可能的，而結束模擬。經過步驟S24之情形時，於先前之圖10之步驟S7中判斷為無法停止，而進行步驟S9之製造線停止指示。又，步驟S26之模擬結果，可藉由處理裝置PR4(PR5)之處理條件(接液長等)之變更來加以因應，可找出適當之速度變化特性V4(t)(V5(t))之情形時，根據步驟S27之判斷，推進至步驟S28，判斷可在可延遲時間Tdp3之經過前使停止要求裝置PRd(處理裝置PR3)單獨停止，而結束模擬。又，先前之步驟S25中，在下游側沒有蓄積裝置時，推進至步驟S28。經過步驟S28之情形時，於先前之圖10之步驟S7中，判斷可在可延遲時間(待機時間)之經過前使停止要求裝置PRd停止，推進至步驟S8。
以上之圖11之模擬，係針對在處理裝置PR3之基板P之搬送速度不從規定速度Vpp變化之情形做了說明，但視處理裝置PR3(曝光
裝置)之構成，使通過處理裝置PR3之基板P以較規定速度Vpp更快之速度搬送。在做成例如於基板P之搬送方向排列複數個旋轉筒DR2，在各旋轉筒DR2之位置將基板P上於長條方向分割之複數個區域，以複數個曝光頭或投影光學系之各個加以個別曝光之構成、所謂之串列(tandem)型曝光裝置，或搭載複數個曝光用之光源，視需要將來自複數個光源之光束加以合成以提高照度之構成，皆能使基板P之搬送速度高於規定速度Vpp。此場合，於步驟S22、S26之模擬中，加上在處理裝置PR3之基板P之搬送速度之調整作為變更條件即可。當在處理裝置PR3之基板P之搬送速度提高時，作為步驟S22、S26之模擬結果求出之等待時間Tw1、Tw2，亦即能縮短為因應進行處理裝置PR3之附加作業之停止而在各處理裝置PR2~PR4(PR5)之調整時間。
又，以上之說明中，雖係設停止要求裝置PRd為處理裝置PR3，但即使是其他處理裝置PR2、PR4(PR5)，亦能同樣的適用圖11之模擬。停止要求裝置PRd係處理裝置PR2、且根據在圖10之步驟S4之判斷，進行步驟S6(圖11)之模擬之情形時，因上游側無蓄積裝置、下游側有第1蓄積裝置BF1，因此在圖11之步驟S21、S26、S27之後，實施步驟S24或S28之其中一方。又，停止要求裝置PRd係處理裝置PR4(PR5)、且根據在圖10之步驟S4之判斷，進行步驟S6(圖11)之模擬之情形時，因下游側無蓄積裝置、上游側有第2蓄積裝置BF2，因此在圖11之步驟S21、S22、S23之後，實施步驟S24與步驟S28之其中一方。進一步的，停止要求裝置PRd係處理裝置PR2、或PR4(PR5)之情形時，可將在處理裝置PR3之基板P之搬送速度之調整加入條件變更。此場合，在使處理裝置PR3之
基板P之搬送速度低於規定速度Vpp之情形時，只要將圖6所示之多面鏡66之旋轉速度、與根據描繪資料(圖案之像素資料)使描繪用光學元件(光調變元件)52On/Off之時鐘脈衝之頻率，以相同比率降低即可。
又，本第1實施形態中，停止要求裝置PRd之附加作業時之停止時間是預先指定，可相對在該停止時間之期間以規定速度Vpp搬送之基板P之搬送長，將在各蓄積裝置BF1、BF2之已蓄積長或可新蓄積長設定得較長，因此在將基板P之搬送速度相對規定速度Vpp有所變更之處理裝置，可控制在停止要求裝置PRd開始附加作業後，立即使基板P之搬送速度回復到規定速度Vpp。
又，第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2之蓄積狀態(已蓄積長、可新蓄積長)，亦可從搬入蓄積裝置BF1、BF2之基板P之速度、與從蓄積裝置BF1、BF2搬出之基板P之速度之差加以求出。此外，亦可設置檢測各張力滾輪20、22在Z方向之位置的位置感測器，從各張力滾輪20、22在Z方向之位置求出蓄積裝置BF1、BF2之蓄積長。
又，圖10、圖11中，雖未針對處理裝置PR1加以說明，但由於處理裝置PR1與處理裝置PR2之間沒有蓄積裝置，因此須將處理裝置PR1與處理裝置PR2之基板P之搬送速度設為大致相同。因此，在使處理裝置PR2暫時停止停止時間TS2之期間時，亦使處理裝置PR1停止停止時間TS2之期間。也就是說，處理裝置PR1係與在處理裝置PR2之基板P之搬送及處理連動，搬送基板P進行處理。
〔第1實施形態之變形例〕
上述第1實施形態可有下述之變形。
(變形例1)如處理裝置PR3般之圖案化裝置(曝光裝置、噴墨描繪機)，如圖5、圖9之說明，必須以對準顯微鏡AM1~AM3之攝影元件等，將因基板P之長條方向之移動而橫越過各檢測區域Vw1~Vw3內之對準標記(標記)Ks1~Ks3之像，從編碼器系統(讀取頭EC1a、EC1b)之測量結果加以捕捉，高速地進行影像檢測。然而，有可能因例如決定元件形成區域W之曝光(描繪)開始位置之最初的對準標記Ks1~Ks3有某種損傷、或消失而產生之錯誤對準，造成對該元件形成區域W之曝光成為不良的情形。此外，為精密的測量元件形成區域W整體之變形，亦有使旋轉筒DR2較曝光時之速度(規定速度Vpp)旋轉得更慢，以提高各對準標記Ks1~Ks3之影像檢測精度(再現性等)的情形。
此等場合，處理裝置PR3，會有中斷而跳過對1個元件形成區域W之曝光動作、或使基板P往反方向返回一定距離後，進行再度往順方向搬送之再試(retry)動作。於此種再試動作，在基板P之反轉移動等期間中處理裝置PR3進行之實質的曝光動作是停止的，因此可將再試動作亦包含於附加作業之1個中。此再試動作之情形，針對圖10、圖11之動作流程中在規定速度Vpp下求出之在各蓄積裝置BF1、BF2之已蓄積長及可新蓄積長之不足分，係加上基板P之一定距離回送的長度分。
(變形例2)以上之第1實施形態中，通過各處理裝置PR2~PR4(PR5)之基板P之搬送速度，雖皆係以設定為規定速度Vpp為前提，但亦可就每一處理裝置PR2~PR4(PR5)，使基板P之搬送速度之規定值稍微不同。此場合，蓄積裝置BF1、BF2係以隨時吸收基板P在前後之處理裝置之搬送速度差分而產生之基板P之剩餘或不足之方式動作，因此根據在
步驟S3取得之資訊求出之在各蓄積裝置BF1、BF2之已蓄積長或可新蓄積長，而提早變化用以修收差分之基板蓄積或基板放出之分。輿於圖11之模擬中，為因應此種提早變化，只要將圖10之程式之實施間隔設定得較短即可。
根據以上之第1實施形態與變形例，在複數個處理裝置之各個依序搬送片狀基板以製造電子元件(電子電路)之元件製造系統中，於複數個處理裝置中之第1處理裝置使基板之搬送暫時停止之附加作業時，可根據預想之停止時間、或到停止為止之可延遲時間(待機時間)Tdp、與在設於相鄰第2處理裝置間之蓄積裝置之基板之蓄積狀況(已蓄積長或可新蓄積長)，設定可一邊持續第2處理裝置之處理動作、一邊使第1處理裝置暫時停止之條件，因此能降低受第1處理裝置之暫時的停止之拖累，而使其他處理裝置(第2處理裝置)停止之可能性，減少使製造線整體停止之風險，並能藉由附加作業維持處理裝置之性能等，將製造之電子元件之品質保持於高品位。
〔第2實施形態〕
於上述第1實施形態，即使是在各處理裝置PR2~PR4為進行附加作業而暫時停止之情形時，亦是吉利不停止製造線整體，但各處理裝置PR2~PR4因經時變化等，會有相對設定之條件，處理誤差慢慢增加、亦即在各處理裝置之處理品質慢慢降低之情形。使基板P通過複數個不同之處理裝置進行連續處理時，當在其中某一個處理裝置之處理誤差增加時，該誤差即有可能將累積至最後，使得製造之元件品質惡化，而終至製造線整體之停止。第2實施形態，係為使複數個處理裝置之各個能維持製造之元件之最終品
質，而動態調整處理條件及基板P之搬送條件，控制製造線整體盡可能不停止。
上述第2實施形態中，亦使用於上述第1實施形態所說明之元件製造系統10及基板P(圖1~圖9)。如上所述，為了以元件製造系統10在基板P出現所欲之金屬層圖案，各處理裝置PR1~PR5依據設定條件對基板P進行各處理。例如，作為處理裝置PR1之設定條件，設定有規定用以射出電漿之電壓及照射電漿之照射時間等的處理條件、與基板P之搬送速度條件。處理裝置PR1，依據該設定條件一邊搬送基板P、一邊對基板P進行電漿表面處理。作為處理裝置PR2之設定條件(第1設定條件)，設定有包含規定形成感光性功能層之區域之區域條件及規定感光性功能層之膜厚之膜厚條件等的處理條件(第1處理條件)、與基板P之搬送速度條件。處理裝置PR2，依據該設定條件一邊搬送基板P、一邊進行感光性功能層之成膜處理。
作為處理裝置PR3之設定條件(第2設定條件)，設定有包含規定雷射光LB之強度的強度條件、規定點光SP之掃描速度(多面鏡66之旋轉速度)的掃描速度條件、規定多重曝光次數的曝光次數條件、及規定描繪之圖案的圖案條件(圖案資料)等之處理條件(第2處理條件)、與基板P之搬送速度條件。處理裝置PR3，依據該設定條件一邊搬送基板P、一邊對基板P進行曝光處理。作為處理裝置PR4之設定條件(第3設定條件)，設定有包含規定顯影液LQ之溫度的溫度條件、規定顯影液LQ之濃度的濃度條件、及規定浸漬時間的浸漬時間條件等之處理條件(第3處理條件)、與基板P之搬送速度條件。處理裝置PR4，依據該設定條件一邊搬
送基板P、一邊進行顯影處理。作為處理裝置PR5之設定條件，設定有包含規定蝕刻液溫度的溫度條件、規定濃度的濃度條件、及規定浸漬時間的浸漬時間條件等之處理條件、與基板P之搬送速度條件，處理裝置PR5依據該設定條件一邊搬送基板P、一邊進行蝕刻處理。又，處理裝置PR4係進行鍍敷處理之情形時，作為處理裝置PR4之設定條件(第3設定條件)，設定有包含規定鍍敷液溫度的溫度條件、規定鍍敷液濃度的濃度條件、及規定浸漬時間的浸漬時間條件等之處理條件(第3處理條件)、與基板P之搬送速度條件。因此，處理裝置PR4係根據該設定條件一邊搬送基板P、一邊進行鍍敷處理。
此各處理裝置PR1~PR5之設定條件係以各處理裝置PR1~PR5實施之實處理(實際處理)之狀態、成為與目標之處理狀態一致之方式預先設定。各處理裝置PR1~PR5之設定條件可儲存於設在各處理裝置PR1~PR5之未圖示之記憶媒體、亦可儲存在上位控制裝置14之未圖示之記憶媒體。又，於元件製造系統10內基板P係以一定速度搬送，因此於各處理裝置PR1~PR5設定之設定條件之搬送速度條件，基本上是相同速度(例如，5mm/秒~50mm/秒範圍之一定速度)。
各處理裝置PR1~PR5雖係依據設定條件對基板P進行處理，但實處理(實際處理)之狀態有時會相對目標之處理狀態超過容許範圍而產生處理誤差E之情形。例如有可能因經年劣化等導致光源裝置32之雷射光源發出之雷射光LB之強度降低、或顯影液、蝕刻液之溫度、濃度降低之情形，因此有時會有實處理之狀態相對目標之處理狀態超過容許範圍而產生處理誤差E之情形。例如，雷射光LB之強度降低時曝光量會降低，
若係光阻劑時，則照射點光SP之部分區域、也就是說照射了點光SP之區域外周部分之感光性功能層(光阻劑層)無法被改質到深部。因此，藉由顯影處理於感光性功能層形成之圖案之線寬將會相對期望之圖案線寬(目標線寬)變得過粗。也就是說，因為被光照射而改質之部分會因顯影而溶解，殘留之光阻劑層部分(非改質部)之區域會成為顯示器面板用之電路或配線等之金屬層(導電性)圖案在蝕刻後殘留，因此當曝光量降低時圖案之線寬會變得過粗。其結果，出現在基板P之金屬層之圖案會與期望之圖案不同。
顯影液LQ之溫度、濃度降低時或顯影液LQ之浸漬時間變短時，會無法充分進行使用顯影液LQ之感光性功能層改質部之去除。因此，反應處理裝置PR4於感光性功能層形成之潛像，形成於感光性功能層之圖案線寬會偏離目標線寬。其結果，出現在基板P之金屬層之圖案將不會是期望之圖案。
蝕刻液之溫度、濃度降低時或蝕刻液之浸漬時間變短時，會無法充分進行以形成有圖案之感光性功能層為光罩進行之形成在感光性功能層下層之金屬性薄膜(導電性薄膜)之蝕刻。因此，處理裝置PR5以蝕刻形成之金屬層圖案之線寬會偏離目標線寬。也就是說，未能以蝕刻除去之金屬性薄膜之部分會成為顯示器面板用電路或配線等之圖案，因此在以形成有圖案之感光性功能層為光罩而蝕刻未充分進行之情形時，圖案之線寬將會變粗。其結果，出現在基板P之金屬層之圖案不會是期望之圖案。
又，當感光性功能層(光阻劑)之膜厚變厚時，被點光SP照射之區域之感光性功能層之深部不易被改質，因此透過以顯影液LQ進行
之改質部之除去，形成在感光性功能層之圖案之線寬會偏離目標值。其結果，出現在基板P之金屬層之圖案不會是期望之圖案
如上所述，在各處理裝置PR1~PR5依據設定條件對基板P實施之實處理之狀態之任一者，相對目標之處理狀態超過容許範圍而有處理誤差E之情形時，即無法在基板P出現期望之金屬層之圖案，圖案之形狀或尺寸會產生變動。因此，於本第2實施形態，上位控制裝置14在各處理裝置PR1~PR5之各個中施予基板P之實處理狀態之至少1者，相對目標之處理狀態超過容許範圍而呈現處理誤差E之情形時，係使產生處理誤差E之處理裝置PR以外之其他處理裝置PR之設定條件，視處理誤差E而變化。此處理誤差E，係顯示形成在基板P之圖案之形狀或尺寸相對目標之圖案之形狀或尺寸產生何種程度之變化。
呈現處理誤差E之設定條件係處理裝置PR3之設定條件時，首先，係變更處理裝置PR3之設定條件，以避免產生處理誤差E或使處理誤差E在容許範圍內。在僅變更處理裝置PR3之設定條件仍無法因應之情形時，即進一步變更其他處理裝置PR(PR1、PR2、PR4、PR5)之設定條件，以避免產生處理誤差E或使處理誤差E在容許範圍內。此時，可在其他處理裝置PR之設定條件之變更結束後，使處理裝置PR3之設定條件回到原來狀態。又，呈現處理誤差E之設定條件係處理裝置PR3以外之處理裝置PR之情形時，優先變更處理裝置PR3之設定條件，以避免產生處理誤差E或使處理誤差E在容許範圍內。
圖1所示之上位控制裝置14，具備就處理裝置PR1~PR5之各個設定作為處理目標值之設定條件(配方)、或修正該等設定條件、或
用以監測各處理裝置PR1~PR5之處理狀況的操作裝置。該操作裝置，係以輸入資料、參數、指令等之鍵盤、滑鼠、觸控面板等的輸入裝置、與顯示處理裝置PR1~PR5各個之設定條件、處理狀態、處理誤差E之產生狀況、可變更用以修正該處理誤差E之設定條件之處理裝置PR之候補、該修正之規模(修正量、修正時間等)等之資訊、及顯示關於基板P之搬送速度之調整之資訊的監測裝置(顯示器)構成。
〔第2實施形態之動作〕
以下，針對各處理裝置PR1~PR5依據設定條件對基板P實施之實處理狀態之任一者，相對目標之處理狀態超過容許範圍而有處理誤差E之情形時之元件製造系統10之動作，詳細地加以說明。圖12係顯示用以判定超過容許範圍產生處理誤差E之處理裝置PR之元件製造系統10之動作的流程圖。首先，上位控制裝置14判斷感光性功能層之膜厚是否在容許範圍內(步驟S31)。也就是說，判斷實際形成之感光性功能層之膜厚，相對作為目標之處理狀態設定之膜厚條件(以下，稱目標膜厚條件)是否在容許範圍內。此判斷係根據膜厚測量裝置16a測量之膜厚進行。亦即，於步驟S31，係檢測因處理裝置PR2之設定條件引起因之形成在基板P之圖案之品質(形狀及尺寸之忠實度、均勻性等)相對目標是否超過容許範圍而有變化(降低)。當於步驟S31判斷膜厚測量裝置16a測量之膜厚相對目標膜厚不在容許範圍內時，上位控制裝置14即判定於處理裝置PR2超過容許範圍而產生了處理誤差E(E2)(步驟S32)。也就是說，判定處理裝置PR2所實施之實處理狀態相對目標處理狀態超過容許範圍具有處理誤差E2。
另一方面，當於步驟S31判斷膜厚測量裝置16a測量之膜厚
在容許範圍內時，上位控制裝置14即判斷以處理裝置PR3對基板P上照射之雷射光LB之曝光量相對目標曝光量是否在容許範圍內(步驟S33)。此判斷，係藉由判斷強度感測器37檢測之雷射光LB之強度相對作為目標處理狀態所設定之強度條件(以下，稱目標強度條件)是否在容許範圍內來進行。也就是說，由於反應雷射光LB之強度形成在感光性功能層之圖案之線寬亦會變化，因此依據顯示曝光量之雷射光LB之強度，判斷曝光量是否在容許範圍內。又，於步驟S33，亦可判斷顯示曝光量之其他資訊、例如點光SP之掃描速度等相對作為目標處理狀態所設定之掃描速度條件(以下，稱目標掃描速度條件)是否在容許範圍內。又，亦可根據複數個資訊(雷射光LB之強度及點光SP之掃描速度等)判斷曝光量是否在容許範圍內。亦即，於步驟S33，係檢測因處理裝置PR3之設定條件引起之形成在基板P之圖案之品質(形狀及尺寸之忠實度、均勻性等)相對目標是否超過容許範圍而有變化(降低)。當於步驟S33判斷曝光量相對目標曝光量(為達到目標之處理狀態所設定之處理條件)不在容許範圍內時，上位控制裝置14即判定於處理裝置PR3超過容許範圍而發生了處理誤差E(E3)(步驟S4)。也就是說，判定處理裝置PR3實施之實處理之狀態相對目標之處理狀態超過容許範圍而有處理誤差E3。
另一方面，當於步驟S33判斷曝光量在容許範圍內時，上位控制裝置14即判斷由處理裝置PR4進行顯影處理而形成在感光性功能層之圖案之線寬是否在容許範圍內(步驟S35)。上位控制裝置14根據設在處理裝置PR4內之攝影裝置83所拍攝之影像資料，測量形成在感光性功能層之圖案之線寬。原則上，雖以形成在感光性功能層之圖案之線寬成為目標線
寬之方式而定有處理裝置PR4之設定條件，但例如在低於或短於以顯影液LQ之溫度、濃度或浸漬時間成為目標之處理狀態所設定之溫度條件(以下，稱目標溫度條件)、濃度條件(以下，稱目標濃度條件)、或浸漬時間條件(以下，稱目標浸漬時間條件)之情形時，形成之圖案之線寬會偏離目標線寬。亦即，於步驟S35，係檢測因處理裝置PR4之設定條件引起之形成在基板P之圖案品質(形狀及尺寸之忠實度、均勻性等)相對目標是否超過容許範圍而有變化(降低)。當於步驟S35判斷形成在感光性功能層之圖案之線寬相對目標線寬不在容許範圍內時，上位控制裝置14即判定於處理裝置PR4超過容許範圍而產生了處理誤差E(E4)(步驟S36)。也就是說，判定處理裝置PR4所實施之實處理之狀態相對目標之處理狀態超過容許範圍而有處理誤差E4。
另一方面，當於步驟S35判斷形成在感光性功能層之圖案之線寬在容許範圍內時，上位控制裝置14即判斷因處理裝置PR5進行蝕刻而出現在基板P上之金屬層之圖案之線寬是否在容許範圍內(步驟S37)。上位控制裝置14根據設在處理裝置PR5內之攝影裝置83拍攝之影像資料測量金屬層之圖案之線寬。原則上，雖以金屬層之圖案之線寬成為目標線寬之方式定有處理裝置PR5之設定條件，但例如在低於或短於以蝕刻液之溫度、濃度、或浸漬時間成為目標處理狀態之方式設定之溫度條件(以下，稱目標溫度條件)、濃度條件(以下，稱目標濃度條件)、或浸漬時間條件(以下，稱目標浸漬時間條件)之情形時，形成之金屬層之圖案之線寬會偏離目標線寬。亦即，於步驟S37，係檢測因處理裝置PR5之設定條件引起之形成在基板P之圖案之品質(形狀及尺寸之忠實度、均勻性等)相對目
標超過容許範圍而有變化(降低)。當於步驟S37判斷金屬層之圖案之線寬相對目標線寬不在容許範圍內時，上位控制裝置14即判定於處理裝置PR5超過容許範圍而產生處理誤差E(E5)(步驟S38)。也就是說，判定處理裝置PR5實施之實處理之狀態相對目標之處理狀態超過容許範圍而有處理誤差E5。另一方面，當於步驟S37判斷金屬層之圖案之線寬在容許範圍內時，即判定處理裝置PR2~PR5未產生處理誤差E(步驟S39)。
接著，說明於圖12之步驟S34，判定於處理裝置PR3超過容許範圍而產生處理誤差E3之情形時元件製造系統10之動作。圖13係顯示於處理裝置PR3超過容許範圍而產生處理誤差E3時之元件製造系統10之動作的流程圖。上位控制裝置14，在處理裝置PR3產生處理誤差E3之情形時，判斷於處理裝置PR3之設定條件中、是否可藉由變更處理條件覆蓋該處理誤差E3(步驟S41)。也就是說，判斷可否藉由處理條件之變更消除處理誤差E3或使處理誤差E3在容許範圍內。例如，在曝光量相對目標曝光量超過容許範圍而較少之情形時，需增加曝光量至目標曝光量，判斷可否藉變更處理條件以達到目標曝光量。此曝光量，係以雷射光LB之強度及點光SP之掃描速度等決定，因此，於步驟S41，判斷是否可藉由變更強度條件及掃描速度條件等，將實際曝光量提升至目標曝光量。
當於步驟S41判斷藉處理條件之變更可覆蓋時，上位控制裝置14即反應處理誤差E3，進行處理裝置PR3之設定條件之處理條件(強度條件及掃描速度條件、圖案條件等)之變更(步驟S42)。另一方面，當於步驟S41判斷僅變更處理條件無法覆蓋時，上位控制裝置14即視處理誤差E3進行處理裝置PR3之處理條件與搬送速度條件之變更(步驟S43)。例如，
實際曝光量相對目標曝光量超過容許範圍是較少時，即變更處理條件、並變更搬送速度條件以使基板P之搬送速度變慢。藉由使搬送速度條件變慢，能增加曝光量。又，將處理誤差E3中，可藉由變更處理條件來加以覆蓋之處理誤差設為E3a，將無法藉由變更搬送速度條件來覆蓋之處理誤差設為E3b。因此，E3=E3a+E3b。僅變更處理條件即能覆蓋處理誤差E3之情形時，E3a=E3、E3b=0。又，無法變更處理條件之情形時，例如，現在設定之強度條件已是最大強度之情形等時，係視處理誤差E3僅變更搬送速度條件來加以因應。此時，E3a=0、E3b=E3。
此處，處理裝置PR1~PR5雖係以一定速度搬送基板P，但因處理裝置PR3係設在第1蓄積裝置BF1與第2蓄積裝置BF2之間，因此亦可獨立變更在處理裝置PR3內之基板P之搬送速度。也就是說，處理裝置PR3之搬送速度與處理裝置PR3以外之處理裝置PR之搬送速度之差，可藉由第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2來加以吸收。當使處理裝置PR3內之基板P之搬送速度較一定速度慢之速度搬送時，第1蓄積裝置BF1之基板P之蓄積量會慢慢增加、而第2蓄積裝置BF2之蓄積量則慢慢減少。相反的，當使處理裝置PR3內之基板P之搬送速度較一定速度快之速度搬送時，第1蓄積裝置BF1之基板P之蓄積量會慢慢減少、而第2蓄積裝置BF2之蓄積量則慢慢增加。當第1蓄積裝置BF1或第2蓄積裝置BF2之蓄積長低於既定蓄積長時，即無法於第1蓄積裝置BF1或第2蓄積裝置BF2蓄積較多的基板P，因此將無法獨立的變更在處理裝置PR3內之基板P之搬送速度。此外，第1蓄積裝置BF1或第2蓄積裝置BF2，無法蓄積既定長度以上長度之基板P。因此，即使可暫時的變更在處理裝置PR3內之基板
P之搬送速度，亦無法變更基板P之搬送速度超過一定時間。
因此，為了將第1蓄積裝置BF1及前述第2蓄積裝置BF2之蓄積長控制在既定範圍內，必須使基板P在處理裝置PR3之搬送速度回復到原來狀態。因此，當於步驟S43變更處理裝置PR3之處理條件與搬送速度條件時，上位控制裝置14判斷是否可藉由變更任一其他處理裝置PR之處理條件，來覆蓋(補足)使處理裝置PR3之搬送速度條件回到原來狀態時產生之處理誤差E3b(步驟S44)。也就是說，由於使處理裝置PR3之搬送速度回到原來狀態時，曝光量會減少，因此判斷是否可藉由其他處理裝置PR來覆蓋因此而產生之不良，以使圖案線寬達到目標線寬。
當於步驟S44判斷可藉由視處理誤差E3b變更任一其他處理裝置PR之處理條件來加以覆蓋時，視將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b，變更判斷可覆蓋之該其他處理裝置PR之處理條件(步驟S45)，進至步驟S47。例如，判斷可藉由變更處理條件加以覆蓋之其他處理裝置PR係處理裝置PR2之情形時，視將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b(例如，曝光量不足)，變更處理裝置PR2之處理條件(膜厚條件等)。在處理誤差E3係曝光量不足之情形時，膜厚越薄則即使曝光量少亦能改質至感光性功能層之深部，因此藉由將膜厚條件之厚度作薄，即能覆蓋將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b(曝光量不足)。其結果，即能使藉由顯影處理形成在感光性功能層之圖案之線寬、及出現之金屬層之圖案之線寬達到目標線寬。
在判斷藉由變更處理條件即能覆蓋之其他處理裝置PR係處
理裝置PR4之情形時，視將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b，變更處理裝置PR4之處理條件(溫度條件、濃度條件、浸漬時間條件)。例如，顯影液LQ之溫度、濃度越高，或基板P浸漬於顯影液LQ之浸漬時間越長，感光性功能層溶解而被除去之區域越廣，因此能將感光性功能層除去至深部。因此，在處理誤差E3係曝光量不足之情形時，藉由提高或加長溫度條件、濃度條件、及浸漬時間條件之至少1者，即能覆蓋將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b(曝光量不足)，使圖案線寬達到目標線寬。處理裝置PR4之下位控制裝置80，依據溫度條件控制處理裝置PR4之加熱器H1、H2，依據浸漬時間條件使處理裝置PR4之可動構件84移動。此外，於處理裝置PR4之處理槽BT設有回收處理槽BT中之顯影液LQ、並對處理槽BT供應新顯影液LQ之循環系，處理裝置PR4之下位控制裝置80依濃度條件變更供應至該處理槽BT之顯影液LQ之濃度。
在判斷藉由變更處理條件即能覆蓋之其他處理裝置PR係處理裝置PR5之情形時，視將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b，變更處理裝置PR5之處理條件(溫度條件、濃度條件、浸漬時間條件)。例如，以形成有圖案之感光性功能層為光罩，蝕刻形成在感光性功能層之下層之金屬性薄膜，而蝕刻液之溫度、濃度越高，或基板P浸漬於蝕刻液之浸漬時間越長，被蝕刻之部分越廣。因此，在處理誤差E3係曝光量不足之情形時，藉由提高或加長蝕刻液之溫度條件、濃度條件、及浸漬時間條件之至少1者，即能覆蓋在將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b(曝光量不足)，使圖案線寬
達到目標線寬。處理裝置PR5之下位控制裝置80，依據溫度條件控制處理裝置PR5之加熱器H1、H2，依據漬時間條件使處理裝置PR5之可動構件84移動。此外，於處理裝置PR5之處理槽BT設有回收處理槽BT中之蝕刻液、並對處理槽BT供應新蝕刻液之循環系，處理裝置PR5之下位控制裝置80依濃度條件變更供應至該處理槽BT之蝕刻液之濃度。
此處，亦可考慮不變更處理裝置PR3之搬送速度條件，而從一開始即藉由處理裝置PR3以外之其他處理裝置PR之處理條件之變更，來覆蓋於處理裝置PR3產生之處理誤差E3b。然而，於處理裝置PR3(曝光裝置EX等之圖案化裝置)，當處理條件變化時會立即反應而能瞬間改變實處理之處理狀態，但處理裝置PR3以外之其他處理裝置PR(主要是濕式處理裝置)，即使變更處理條件，但實際上欲達到以實處理狀態變更後之處理條件所定之目標處理狀態為止仍需若干程度之時間，無法迅速的覆蓋於處理裝置PR3所產生之處理誤差E3b。例如即使改變處理裝置PR2之處理條件(膜厚條件等)，形成在基板P之感光性功能層之膜厚亦是隨著時間經過慢慢改變。又，即使改變處理裝置PR4、PR5之處理條件(溫度條件、濃度條件、浸漬時間條件)，顯影液及蝕刻液之溫度、濃度、浸漬時間亦是隨時間經過而慢慢改變。因此，其他處理裝置PR之實處理狀態欲達到以變更後之處理條件所定之目標處理狀態為止，係藉由慢慢改變處理裝置PR3之基板P之搬送速度來因應處理誤差E3b。其他處理裝置PR之處理條件變更後，該其他處理裝置PR之實處理處理狀態會慢慢接近以變更後之處理條件所定之目標處理狀態，因此，上位控制裝置14即視此而使在處理裝置PR3內之基板P之搬送速度條件慢慢回復原狀。上位控制裝置14根據膜厚測量裝
置16a、溫度感測器Ts、濃度感測器Cs、位置感測器87等之檢測結果，使在處理裝置PR3內之基板P之搬送速度條件慢慢接近變更前之搬送速度條件。
又，在可覆蓋將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b的處理裝置PR有複數個之情形時，可變更接近處理裝置PR3之處理裝置PR之處理條件。例如，可覆蓋將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b的處理裝置PR，係處理裝置PR2與處理裝置PR5之情形時，可變更接近處理裝置PR3之處理裝置PR2之處理條件。又，於步驟S44中，雖係判斷在將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b，可否以其他處理裝置PR覆蓋，但亦可以是判斷於處理裝置PR3產生之處理誤差E3、也就是說判斷將處理裝置PR3之處理條件與搬送速度條件皆回復到原來狀態時產生之處理誤差E3，可否以其他處理裝置PR覆蓋。此時，於步驟S45，係藉由變更判斷可覆蓋之其他處理裝置PR之處理條件，以覆蓋於處理裝置PR3產生之處理誤差E3。此場合，在其他處理裝置PR之處理條件之變更後，以該其他處理裝置PR進行之實處理之處理狀態會慢慢接近以變更後之處理條件所定之目標處理狀態，因此，上位控制裝置14，即視此而在處理裝置PR3之搬送速度條件外使處理條件亦慢慢回到原狀。
另一方面，於步驟S44，當判斷僅變更任一其他處理裝置PR之處理條件是無法覆蓋將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差E3b(例如，曝光量不足)時，上位控制裝置14即將複數個其他處理裝置PR之處理條件，視將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到
原來狀態時產生之處理誤差E3b加以變更(步驟S46)後，進至步驟S47。此場合，複數個其他處理裝置PR之實處理之處理狀態會隨時間經過而慢慢接近以變更後之處理條件所定之目標處理狀態，因此，上位控制裝置14反應此而使在處理裝置PR3內之基板P之搬送速度條件慢慢回到原狀。
此外，亦可根據於處理裝置PR3產生之處理誤差E3，變更複數個其他處理裝置PR之處理條件。此場合，因複數個其他處理裝置PR之處理條件之變更後，實處理之處理狀態會慢慢接近以變更後之處理條件所定之目標處理狀態，因此，上位控制裝置14反應此而在處理裝置PR3之搬送速度條件外使處理條件亦慢慢回復。
當進至步驟S47時，上位控制裝置14即判斷處理條件之變更是否已結束。也就是說，判斷在步驟S45或S46以處理條件經變更之處理裝置PR進行之實處理之狀態，是否已成為以變更後之處理條件所定之目標處理狀態。此判斷，係根據膜厚測量裝置16a、溫度感測器Ts、濃度感測器Cs、位置感測器87等之檢測結果進行。於步驟S47判斷處理條件之變更尚未結束時，即停留在步驟S47，當判斷處理條件之變更已結束時，即使處理裝置PR3之搬送速度條件回到原狀(步驟S48)。又，將在處理裝置PR3產生之處理誤差E3以其他處理裝置PR加以覆蓋之情形時，除處理裝置PR3之搬送速度條件外亦使處理條件回到原狀。
又，於步驟S46，即使變更複數個其他處理裝置PR之處理條件亦無法覆蓋處理裝置PR3之處理誤差E3b之情形時，即判斷可否變更複數個其他處理裝置PR之搬送速度條件，可變更時，可將所有處理裝置PR1~PR5之搬送速度條件變更成相同。例如，可將處理裝置PR1、PR2、
PR4、PR5之搬送速度條件變更成與在步驟S43中變更之處理裝置PR3之搬送速度條件相同。
其次，說明於圖12之步驟S32、S36或S38，判定於處理裝置PR3以外之處理裝置PR(PR2、PR4或PR5)超過容許範圍而產生處理誤差E(E2、E4或E5)之情形時之元件製造系統10之動作。圖14係顯示於處理裝置PR3以外之處理裝置PR超過容許範圍而產生處理誤差E之情形時之元件製造系統10之動作的流程圖。上位控制裝置14，在處理裝置PR3以外之處理裝置PR產生處理誤差E(E2、E4或E5)之情形時，判斷藉變更處理裝置PR3之處理條件可否覆蓋此處理誤差E(E2、E4或E5)(步驟S51)。例如，產生處理誤差E之其他處理裝置PR係處理裝置PR2、且實際形成之感光性功能層之膜厚較目標膜厚條件厚實之情形時，由於在處理裝置PR4於感光性功能層形成之圖案之線寬變粗，因此判斷藉處理裝置PR3之處理條件之變更，可否增加曝光量以使形成在感光性功能層之圖案之線寬達到目標線寬。又，產生處理誤差E之其他處理裝置PR為處理裝置PR4、PR5、且實際之顯影液LQ、蝕刻液之溫度、濃度、或浸漬時間較目標溫度條件、濃度條件、或浸漬時間條件低或短之情形時，由於形成在感光性功能層之圖案、金屬層之圖案之線寬會變粗，因此，判斷藉變更處理裝置PR3之處理條件，是否可增加曝光量以使形成在感光性功能層之圖案、金屬層之圖案之線寬達到目標線寬。
當於步驟S51判斷可藉由變更處理裝置PR3之處理條件來因應時，上位控制裝置14即視處理誤差E(E2、E4或E5)進行處理裝置PR3之處理條件(強度條件或掃描速度條件、圖案條件等)之變更(步驟
S52)。另一方面，當於步驟S51判斷無法藉由處理條件之變更因應時，上位控制裝置14即視處理誤差E(E2、E4或E5)進行處理裝置PR3之處理條件與搬送速度條件之變更(步驟S53)。又，無法變更處理條件時，例如，現在設定之強度條件已是最大強度之情形時等，可視處理誤差E(E2、E4或E5)僅改變搬送速度條件來加以因應。
其次，上位控制裝置14判斷是否可藉由變更產生處理誤差E(E2、E4或E5)之處理裝置PR(PR2、PR4或PR5)之處理條件，即使是在將處理裝置PR3之設定條件回復到原來狀態之情形時亦能覆蓋處理誤差E(E2、E4或E5)(步驟S24)。也就是說，判斷是否可藉由變更產生處理誤差E之處理裝置P之處理條件，即使是在將處理裝置PR3之設定條件回復到原來狀態時亦能消除產生之處理誤差E。例如，產生處理誤差E之處理裝置PR為處理裝置PR2，實際形成之感光性功能層之膜厚相對目標膜厚條件呈現處理誤差E2之情形時，判斷可否視處理誤差E2改變膜厚條件。又，產生處理誤差E之其他處理裝置PR為處理裝置PR4、PR5，實際之顯影液LQ、蝕刻液之溫度、濃度、或浸漬時間相對目標溫度條件、濃度條件、或浸漬時間條件呈現處理誤差E4、E5之情形時，判斷可否視處理誤差E4、E5改變溫度條件、濃度條件、或浸漬時間條件。
當於步驟S54判斷可藉由變更產生處理誤差E之處理裝置PR之處理條件，即使是在將處理裝置PR3之設定條件回復到原來狀態之情形時亦能覆蓋此處理誤差E時，上位控制裝置14即變更產生處理誤差E之處理裝置PR之處理條件(步驟S55)。例如，產生處理誤差E之其他處理裝置PR為處理裝置PR2，實際形成之感光性功能層之膜厚相對目標膜厚條
件較厚之情形時，視處理誤差E2使膜厚條件較薄。又，產生處理誤差E之處理裝置PR為處理裝置PR4或PR5，實際之顯影液LQ、蝕刻液之溫度、濃度、及浸漬時間中至少1者之處理條件相對目標溫度條件、濃度條件、浸漬時間條件較低或較短之情形時，即視處理誤差E4或E5提高或加長溫度條件、濃度條件、及浸漬時間中至少1者之處理條件。此場合，產生處理誤差E之處理裝置PR之實處理之處理狀態會隨著時間經過變化，因此，上位控制裝置14反應此而使處理裝置PR3之設定條件慢慢回到原狀。
另一方面，當於步驟S54判斷即使變更產生處理誤差E(E2、E4或E5)之處理裝置PR(PR2、PR4或PR5)之處理條件亦無法消除處理誤差E(E2、E4或E5)時，上位控制裝置14即判斷可否藉由變更其他處理裝置PR(除處理裝置PR3外)之處理條件以覆蓋此處理誤差E(步驟S56)。例如，產生處理誤差E之處理裝置PR為處理裝置PR2、且實際形成之感光性功能層之膜厚相對目標膜厚條件超過容許範圍而呈現處理誤差E2之情形時，判斷是否可藉由變更處理裝置PR4或PR5之處理條件以覆蓋此處理誤差E2。實際形成之感光性功能層之膜厚較目標膜厚條件厚之情形時，由於圖案之線寬會變粗，因此判斷是否可藉由提高或加長顯影液LQ或蝕刻液之溫度、濃度、浸漬時間，以使圖案之線寬達到目標線寬。
當於步驟S56判斷可藉由變更其他處理裝置PR之處理條件來因應時，上位控制裝置14即視處理誤差E變更該其他處理裝置PR之處理條件(步驟S57)，進至步驟S59。例如，產生處理誤差E之處理裝置PR為處理裝置PR2、且實際形成之感光性功能層之膜厚相對目標膜厚條件較厚之情形時，即視處理誤差E2提高或加長處理裝置PR4或PR5之溫度條件、
濃度條件、及浸漬時間中至少1者之處理條件。此場合，其他處理裝置PR之實處理之處理狀態會隨時間經過接近以變更後之處理條件所定之目標處理狀態，因此，上位控制裝置14反應此而使處理裝置PR3之設定條件慢慢回到原狀。
另一方面，當於步驟S56判斷即使變更其他處理裝置PR之處理條件亦無法因應時，上位控制裝置14即視此處理誤差E進行處理裝置PR3以外之複數個其他處理裝置PR之處理條件之變更(步驟S58)後，進至步驟S59。此場合，複數個其他處理裝置PR之實處理之處理狀態會隨著時間經過接近以變更後之處理條件所定之目標處理狀態，因此，上位控制裝置14反應此而使處理裝置PR3之設定條件慢慢回到原狀。
當進至步驟S59時，上位控制裝置14即判斷處理條件之變更是否已結束。也就是說，判斷於步驟S55、S57或S58中以處理條件經變更之處理裝置PR進行之實處理之狀態，是否已成為以變更後之處理條件所定之目標處理狀態。此判斷，係根據膜厚測量裝置16a、溫度感測器Ts、濃度感測器Cs、位置感測器87等之檢測結果進行。當於步驟S29判斷處理條件之變更尚未結束時，即停留在步驟S29，當判斷處理條件之變更以結束時，使處理裝置PR3之設定條件回到原狀(步驟S60)。
又，於步驟S52中僅變更處理裝置PR3之處理條件之情形時，可與圖13所示之動作同樣的，結束圖14所示之動作。也就是說，此場合，無需步驟S24~S30之動作。也就是說，此場合，無需步驟S54~S60之動作。又，於步驟S60，雖使處理裝置PR3之設定條件回到原狀，但亦可僅使處理裝置PR3之搬送速度條件回到原狀。此場合，於步驟S55、S57或
S58中，係依據僅將處理裝置PR3之搬送速度條件回復到原來狀態時產生之處理誤差變更處理條件。
如上所述，在處理裝置PR2~PR5中以任一處理裝置PR進行之實處理之狀態(實處理結果)相對目標處理狀態(設計值)有處理誤差E之情形時，動態的變更反應處理誤差E之其他處理裝置PR之設定條件，因此無需停止生產線，能持續製造安定品質之電子元件。又，作為處理裝置PR，於曝光裝置(描繪裝置)EX或噴墨印刷機等之圖案化裝置，係對已形成在基板P上之底層圖案進行重疊曝光或重疊印刷。其重疊精度，在製作薄膜電晶體之層構造(閘極層、絶緣裝置、半導體層、源極/汲極層)等時尤其重要。例如，於薄膜電晶體之層構造，層間之相對的重疊精度及圖案尺寸之忠實度(線寬再現性)係依存於圖案化裝置之性能(定位精度、曝光量、墨水吐出量等)。該圖案化裝置之性能，除因某種重大缺失造成突然大幅劣化之情形外，一般而言會慢慢劣化。根據第2實施形態，由於係監測此種性能慢慢劣化之圖案化裝置之狀態，調整其他處理裝置PR之處理條件，因此在圖案化裝置之性能在容許範圍內變動之情形、或達到容許範圍外之情形時，皆能將最終形成在基板P上之圖案之尺寸(線寬)精度控制在目標範圍內。
又，本第2實施形態中，雖係藉由在處理裝置PR3之前後配置第1蓄積裝置BF1與第2蓄積裝置BF2，而能自由的變更處理裝置PR3之基板P之搬送速度，但例如亦可在處理裝置PR2或處理裝置PR4之前後配置第1蓄積裝置BF1與第2蓄積裝置BF2，以自由的變更處理裝置PR2或處理裝置PR4之基板P之搬送速度。此外，亦可例如藉由在複數個處理
裝置PR之前後配置第1蓄積裝置BF1與第2蓄積裝置BF2，以於複數個處理裝置PR自由變更基板P之搬送速度。如此，改變在複數個處理裝置PR各個之搬送速度條件，代表各個處理裝置PR之實處理之狀態變化。例如，就處理裝置PR2而言，假設不變更含膜厚條件之處理條件，僅需使搬送速度條件變慢，即能使形成之感光性功能層之膜厚變厚。相反的，藉由加快搬送速度條件，即能使形成之感光性功能層之膜厚變薄。又，就處理裝置PR4、PR5而言，假設不變更浸漬時間條件等之處理條件，僅需使搬送速度條件變慢，其結果，基板P浸漬於顯影液LQ或蝕刻液之時間即變長。相反的，藉由加快搬送速度條件，其結果，基板P浸漬於顯影液或蝕刻液之時間即變短。此場合，亦是變更各處理裝置PR之搬送速度條件之設定，以將各個第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2之蓄積長控制在既定範圍內。
又，於圖12之步驟S33中，雖係判斷曝光量是否在容許範圍內，但亦可以是判斷形成在感光性功能層之圖案之線寬是否在容許範圍內。此場合，當判斷圖案之線寬不在容許範圍內時，即於步驟S34判斷於處理裝置PR3產生處理誤差E3，可在判斷圖案之線寬在容許範圍內時，跳過步驟S35而直接進至步驟S37。因此，此場合，無需步驟S35及步驟S36之動作。雖然亦會因顯影處理之條件而使圖案之線寬變化，但圖案之線寬被認為係因處理裝置PR3之實處理之狀態而大幅變化，因此係根據形成在感光性功能層之圖案之線寬，判斷是否於處理裝置PR3產生處理誤差E3。
又，形成在顯影後光阻劑層之圖案之線寬變化，對曝光量變化及光阻層之厚度變化較敏感且具有線性(linearity)。相對於此，以感光性矽烷偶合劑材等形成之感光性功能層，則與其厚度幾乎無關的，會因是否
有被賦予一定曝光量(照度)而從非改質狀態改變成改質狀態。因此，欲透過感光性功能層之厚度調整或曝光量調整來進行線寬修正是實質上是困難的。不過，在賦予所需以上之曝光量之情形時，有待改質部分之線寬多少變粗的傾向。因此使用感光性矽烷偶合劑材等之感光性功能層之情形時，例如根據鍍敷處理後析出之金屬性圖案之線寬測定值，修正鍍敷處理之條件、或將使感光性功能層曝光時之圖案之線寬本身相對設計值進行修正(修正描繪資料)是非常有效的。
以上，根據本發明之第2實施態樣，在複數個處理裝置PR中、有實處理狀態相對目標處理狀態產生處理誤差E之處理裝置PR時，係變更反應了處理誤差E之其他處理裝置PR之設定條件，因此能在不停止製造線之情形下，持續製造電子元件。亦即，在以複數個處理裝置PR於片狀基板P上依序形成電子元件之層構造或圖案形狀之過程中，特定處理裝置PR之實處理結果相對預先設定之設定條件(設計值)產生誤差之情形時，不僅僅是特定處理裝置PR本身自行控制來抑制該誤差，相對特定處理裝置PR位於上游側或下游側之其他處理裝置PR，會動態的變更處理條件以最終抵消、或抑制因該誤差引起之不良狀態。據此，能大幅抑制於製造線中之某一製程產生之誤差引起之處理裝置PR之處理中斷、及製造線整體暫時停止之機率。
又，根據本發明之第2實施形態，並不一定限於3個不同處理裝置PR(處理部)排列於基板P之搬送方向(長條方向)的製造線，只要排列有至少2個依序處理基板P之處理裝置PR(處理部)的話，即能適用。此場合，只要進行就結果而言能打消、或抑制在2個處理裝置PR間因
相對預先設定之設定條件產生之誤差引起之不良情形(線寬變化等)的2個處理裝置PR之各處理條件之動態調整、或在2個處理裝置PR各個之基板P之搬送速度之暫時變更即可。此時，適用第2實施態樣之2個處理裝置PR(處理部)不一定必須是在基板P之搬送方向(長條方向)前後配置，可以是在適用第2實施態樣之2個處理裝置PR(處理部)之間至少配置有另一處理裝置PR(處理部)之構成。例如，在曝光處理後進行顯影處理之情形時，第2實施態樣雖係在使基板P通過曝光部後立即送至顯影部，但在將曝光後之光阻劑層施以較高溫度加熱之後烘(post-bake)處理後進行顯影之情形時，該後烘處理用之加熱裝置(加熱部)等即對應於該另一處理裝置PR。
又，於上述第2實施形態，雖為簡化說明，而以實處理狀態相對目標處理狀態超過容許範圍呈現處理誤差E之處理裝置PR為1個的情形為例做了說明，但實處理之處理狀態相對目標處理狀態超過容許範圍呈現處理誤差E之處理裝置PR可以是2個以上。此場合，如上所述，產生處理誤差E之處理裝置PR不包含處理裝置PR3之情形時，優先的變更處理裝置PR3之設定條件。又，產生處理誤差E之處理裝置PR包含處理裝置PR3之情形時，首先，變更處理裝置PR3之設定條件。
又，為易於理解說明，將本發明態樣之元件製造系統10分為第1實施形態與第2實施形態做了說明。因此，在第2實施形態中說明之元件製造系統10所具有之構成、功能、特性、性能、性質等，可視需要於第1實施形態中加以引用。相反的，在第1實施形態中說明之元件製造系統10所具有之構成、功能、特性、性能、性質等，亦可視需要於第2實
施形態中加以引用。因此，亦可將第1實施形態與第2實施形態加以組合而在元件製造系統10(製造線)內一起實施。根據此組合，由於能長期間安定的維持各處理裝置之性能及精度，因此能正確的覆蓋在複數個處理製程中之某處產生之製成變動所導致之處理誤差，使製造線長期的運轉動。
〔第2實施形態之變形例〕
上述第2實施形態，可有以下之變形。
(變形例1)以上之第2實施形態中，設置在圖1所示之元件製造系統(製造線)之複數個處理裝置PR(PR1~PR5)之各個，可依據各處理裝置PR之處理條件或設定條件之調整，將通過各處理裝置之片狀基板P之搬送速度在處理動作中進行調整。但亦可以是將通過各處理裝置PR之基板P之搬送速度於各該處理裝置PR加以固定，因在處理裝置PR間之基板P之搬送速度之差引起之基板P之搬送量(搬送長)的過與不足，則以設在處理裝置PR間之第1蓄積裝置BF1、或第2蓄積裝置BF2加以吸收之構成。此種構成之情形時，在處理裝置PR間之基板P之搬送速度之差之容許範圍，大致係由待連續處理之基板P之全長Lf、與第1蓄積裝置BF1或第2蓄積裝置BF2之最大蓄積長來加以決定。
例如，設在第1蓄積裝置BF1上游側之處理裝置PR2之基板P之搬送速度為Va、在第1蓄積裝置BF1下游側(亦即，第2蓄積裝置BF2之上游側)之處理裝置PR3(曝光裝置EX等之圖案化裝置)之基板P之搬送速度為Vb、在第2蓄積裝置BF2下游側之處理裝置PR4(或處理裝置PR5)之基板P之搬送速度為Vc。此場合，全長Lf之基板P之連續處理間所須之第1蓄積裝置BF1之必要蓄積長Lac1，在搬送速度Va、Vb是Va
>Vb之關係之情形時，為Lac1=Lf(1-Vb/Va)，是Vb>Va之情形時，則為Lac1=Lf(1-Va/Vb)。同樣的，全長Lf之基板P之連續處理間所須之第2蓄積裝置BF2之必要蓄積長Lac2，在搬送速度Vb、Vc是Vb>Vc之關係時，為Lac2=Lf(1-Vc/Vb)，是Vc>Vb時，則為Lac2=Lf(1-Vb/Vc)。
因此，在處理裝置PR2~PR4各個之處理條件下適當設定之作為基板P之目標的搬送速度Va、Vb、Vc決定後，依據上述計算，求出第1蓄積裝置BF1之必要蓄積長Lac1與第2蓄積裝置BF2之必要蓄積長Lac2，為能確保該必要蓄積長Lac1、Lac2而調整第1蓄積裝置BF1與第2蓄積裝置BF2各個之最大蓄積。最大蓄積長之調整，可藉由以圖4中之第1蓄積裝置BF1內之複數個張力滾輪20、及第2蓄積裝置BF2內之複數個張力滾輪22使基板P反折之次數(支承基板P之張力滾輪20、22之支數)相異之方式進行。減少以張力滾輪20、22使基板P折返之回數，能降低對形成在基板P之薄膜層及電子元件用圖案造成損傷之可能性、附著異物(塵埃)之可能性，因此較佳。此外，使各個張力滾輪20、22之位置可根據最大蓄積長而可變。也就是說，將可使各張力滾輪20、22個別的往Z方向移動，以調整其位置之致動器設置在第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2內。此致動器係以上位控制裝置14或下位控制裝置24加以控制。
又，圖4所示之第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2亦同)其本身可作為一單體單元而卸除，此外，亦可作成可串聯(Tandem)增設之構成。因此，以上述計算所得之必要蓄積長Lac1(Lac2)變長時，即可藉由將複數個第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2)加以串聯，而容易地
增加基板P之最大蓄積長。之後，使從供應用捲筒FR1拉出之基板P之前端，依序通過處理裝置PR1~PR5及蓄積裝置BF1、BF2後捲繞於回收用捲筒FR2，將在蓄積裝置BF1、BF2之基板P之蓄積長設定為初期狀態後，開始以各處理裝置PR1~PR5進行之處理動作(以搬送速度Va、Vb、Vc進行之基板P之搬送)。本變形例1之情形時，亦係在處理裝置PR2~PR4之各個以設定之固定搬送速度Va、Vb、Vc持續搬送基板P之期間，例如，根據以圖6中之攝影裝置83所得之圖案之影像資料解析結果，檢測出形成在基板P之圖案之品質有變化(降低)時，即以例如上位控制裝置14適當的進行處理裝置PR2~PR4各個之搬送速度以外之處理條件(設定條件)之變更可否的判定、處理條件可變更之處理裝置PR的特定、以及變更之條件之程度的運算等。上位控制裝置14對特定出之處理裝置PR發出設定條件之變更內容、變更時機等的指令。據此，即能將形成在基板P上之電子元件用圖案等之品質(形狀及尺寸之忠實度、均勻性等)，於基板P之全長Lf控制在既定容許範圍內。
(變形例2)不增設第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2)之情形時，因1個第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2)之最大蓄積長是有限的，因此當連續處理之基板P之全長Lf較長、或搬送速度之比Va：Vb(Vb：Vc)較大時，在全長Lf之連續處理之途中，會在第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2)產生基板P之蓄積長變滿、或蓄積長為零的情形。因此，本變形例2中，係根據預先設定之第1蓄積裝置BF1、第2蓄積裝置BF2之最大蓄積長Lm1、Lm2，以能在基板P之全長Lf之連續處理無窒礙(暫時停止)的情形下實施之方式，預先設定在處理裝置PR2~PR4各個之
基板P之搬送速度Va、Vb、Vc。亦即，預先設定各搬送速度Va、Vb、Vc，以使第1蓄積裝置BF1之最大蓄積長Lm1滿足Lm1≧Lf(1-Vb/Va)、或Lm1≧Lf(1-Va/Vb)之條件，第2蓄積裝置BF2之最大蓄積長Lm2滿足Lm2≧Lf(1-Vc/Vb)、或Lm2≧Lf(1-Vb/Vc)之條件。
又，處理裝置PR2~PR4之各個，預先調整各部之設定條件，以能在設定之基板P之搬送速度Va、Vb、Vc下實施最佳處理。至少在基板P之全長Lf之連續處理期間、亦即以處理裝置PR2~PR4之各個設定之搬送速度Va、Vb、Vc持續搬送基板P之期間，在檢測出形成於基板P之圖案品質有降低之傾向之情形時，例如能一邊以上位控制裝置14適當的進行處理裝置PR2~PR4各個之搬送速度以外之處理條件(設定條件)之變更可否的判定、處理條件可變更之處理裝置PR的特定、變更之條件之程度的演算等，一邊處理基板P。如此，即能將形成在基板P上之電子元件用圖案等之品質(形狀及尺寸之忠實度、均勻性等)，於基板P之全長Lf控制在既定容許範圍內。
又，如變形例1、變形例2所示，在預先設定於處理裝置PR2~PR4各個之基板P之搬送速度Va、Vb、Vc後，開始就基板P之全長Lf進行連續處理後，例如因處理裝置PR2塗布之光阻層之厚度變動使得處理裝置PR4(PR5)之後出現之圖案的品質相對目標值有變動之情形時，係調整在處理裝置PR3、處理裝置PR4(PR5)各個之各種處理條件(設定條件)。此時，如上述第2實施形態般，可將預先設定在處理裝置PR3及處理裝置PR4之基板P之搬送速度Vb、Vc，移行至組裝有微調整模式之控制方法。又，變形例1及變形例2，雖係以3個處理裝置PR2、PR3、PR4(PR5)與
2個蓄積裝置BF1、BF2為前提作了說明，但在2個處理裝置PR、與設在其間之1個蓄積裝置構成之製造系統時，亦同樣可適用。此外，變形例1、變形例2中，在處理裝置PR2~PR4各個之基板P之搬送速度Va、Vb、Vc，可能的話，最好是設定成在既定誤差範圍內(例如，±數%內)彼此相等較佳。
以上之變形例1、變形例2中，在一邊將長條之可撓性片狀基板P沿長條方向搬送、一邊於基板P形成電子元件用圖案時，藉由實施以對基板P施以互異之處理之第1處理製程(例如，使用處理裝置PR2之成膜製程)、第2處理製程(例如，使用處理裝置PR3之曝光製程與使用處理裝置PR4、PR5之顯影製程、鍍敷製程等)之順序搬送基板P的搬送步驟、在設定於第1處理製程之處理裝置PR之第1處理條件下於基板P表面選擇性的或一樣的形成被膜層(感光性功能層)的動作、在設定於第2處理製程之處理裝置PR之第2處理條件下於被膜層生成與圖案對應之改質部並除去改質部與非改質部中之一方之處理或對改質部與非改質部中之一方施以析出電子元件用材料之處理以在基板P上使圖案出現的動作、在第2處理製程中出現之圖案相對作為目標之形狀或尺寸顯示變動之傾向(品質降低之傾向)之情形時依據該傾向判定第1處理條件與第2處理條件之至少一方之條件可否變更的動作，即能實施降低了可能停止製造線整體之元件製造方法。亦即，在判定第1處理條件與第2處理條件中至少一方之條件是可變更之情形時，即代表可事前通報在維持形成於基板P上之圖案之品質下的製造線稼働(運轉)可持續。因此，能避免生產現場之作業員過早停止製造線。此效果，於先前之第2實施形態亦同。
〔第1及第2實施形態之變形例〕
上述第1及第2實施形態(亦含變形例)，可有以下之變形。
(變形例1)於變形例1中，係將處理裝置PR3及處理裝置PR4，如圖15所示，構成為1個處理單元PU2。也就是說，處理單元PU2係將從處理裝置PR2搬送而來之基板P一邊往搬送方向(+X方向)搬送、一邊進行曝光處理及顯影處理之處理製程(第2處理製程)的裝置。藉由此曝光處理，於感光性功能層形成對應圖案之潛像(改質部)，並藉由顯影處理使改質部或非改質部中之一方溶解加以去除，來於感光性功能層出現圖案。又，處理單元PU2可以是進行曝光處理及鍍敷處理之處理製程的裝置，此場合，藉由鍍敷處理於改質部或非改質部中之一方析出鈀離子等之電子元件用材料(金屬)。
圖15之處理單元PU2之構成中，針對與上述第1及第2實施形態相同之構成係賦予相同符號省略其說明，且針對在說明本變形例1時無特別需要之構成則省略其圖示。處理單元PU2，具備搬送部100、曝光頭36、處理槽BT、及乾燥部102。又，雖未圖示，處理單元PU2亦具有光源裝置32、光導入光學系34、強度感測器37、對準顯微鏡AM(AM1~AM3)、加熱器H1、H2、加熱器驅動部82、溫度感測器Ts、濃度感測器Cs、及攝影裝置83等。此外，處理單元PU2係受未圖示之下位控制裝置控制。第1蓄積裝置BF1設在處理裝置PR2與處理單元PU2之間，第2蓄積裝置BF2設在處理單元PU2與處理裝置PR5之間。
搬送部100，從基板P之搬送方向上游側(-X方向側)起，依序具有驅動滾輪NR10、張力調整滾輪RT10、旋轉筒DR2、導引滾輪R10、
旋轉筒DR3、導引滾輪R12、張力調整滾輪RT12、及驅動滾輪NR12。驅動滾輪NR10，係藉由一邊夾持透過第1蓄積裝置BF1從處理裝置PR2送來之基板P之表背兩面、一邊旋轉，以將基板P搬送向旋轉筒DR2。旋轉筒DR2係一邊順著外周面將基板P之一部分支承於長條方向、一邊以中心軸AX2為中心旋轉以將基板P搬送至導引滾輪R10。導引滾輪R10將從旋轉筒DR2送來之基板P導向旋轉筒DR3。
旋轉筒DR3具有延伸於Y方向之中心軸AX3、與從中心軸AX3起具一定半徑之圓筒狀圓周面，一邊順著外周面(圓周面)將基板P之一部分支承於長條方向、一邊以中心軸AX3為中心旋轉將基板P導向導引滾輪R12。旋轉筒DR3以下側(-Z方向側，亦即，重力作用方向之側)外周面之約一半周面支承基板P。導引滾輪R12將送來之基板P搬送向驅動滾輪NR12。驅動滾輪NR12藉由一邊夾持送來之基板P表背兩面、一邊旋轉，將基板P搬送至處理裝置PR5側。張力調整滾輪RT10、RT12係用以對在驅動滾輪NR10與驅動滾輪NR12之間搬送之基板P賦予既定張力。張力調整滾輪RT10被賦力向+Z方向，張力調整滾輪RT12被賦力向-Z方向。
驅動滾輪NR10、NR12、旋轉筒DR2、DR3係藉由旋轉扭矩而旋轉，此旋轉扭矩係來自被處理單元PU2之前述下位控制裝置控制之旋轉驅動源(馬達或減速機等)。藉由此驅動滾輪NR10、NR12、旋轉筒DR2、DR3之旋轉速度規定處理單元PU2內之基板P之搬送速度。又，從設在驅動滾輪NR10、NR12、旋轉筒DR2、DR3之未圖示之編碼器送來之旋轉速度訊號(基板P之搬送速度資訊)，透過處理單元PU2之前述下位控制裝置被
送至上位控制裝置14。
旋轉筒DR3係以其圓周面之一部分可浸漬於貯留在處理槽BT中之顯影液LQ之方式，設在處理槽BT之上方。因此，可將以旋轉筒DR3支承之基板P浸漬於顯影液LQ中。又，旋轉筒DR3(或處理槽BT)可往Z方向移動，當旋轉筒DR3往+Z方向移動(或處理槽BT往-Z方向移動)時，旋轉筒DR3之圓周面浸漬於貯留在處理槽BT中之顯影液LQ之面積即減少，當旋轉筒DR3往-Z方向移動(或處理槽BT往+Z方向移動)時，旋轉筒DR3之圓周面浸漬於貯留在處理槽BT中之顯影液LQ之面積即增加。如此，可藉由旋轉筒DR3(或處理槽BT)往Z方向之移動，改變基板P浸漬於顯影液LQ之時間(浸漬時間)。於此旋轉筒DR3(或處理槽BT)，雖未圖示，但設有調整旋轉筒DR3與處理槽BT於Z方向之間隔(旋轉筒DR3之中心軸AX3與處理槽BT內之顯影液LQ表面之間隔)的驅動機構，該驅動機構受處理單元PU2之前述下位控制裝置之控制進行驅動。導引滾輪R12設於乾燥部102，乾燥部102係用以除去從旋轉筒DR3透過導引滾輪R12被搬送至張力調整滾輪RT12之基板P上附著之顯影液LQ。
又，在感光性功能層係感光性矽烷偶合劑或感光性還元劑之情形時，於處理單元PU2之處理槽BT中，係取代顯影液LD，貯留有例如包含鈀離子等之電子元件用材料(金屬)的鍍敷液。也就是說，此場合，處理單元PU2係進行曝光處理與鍍敷處理的裝置。藉由將基板P浸漬於鍍敷液，即反應形成在感光性功能層之潛像(改質部)而析出電子元件用材料，於基板P形成圖案。正型之情形時，被紫外線照射之部分受到改質，於未被紫外線照射之非改質部析出電子元件用材料。負型之情形時，被紫
外線照射之部分受到改質，於改質部析出電子元件用材料。據此，於基板P出現金屬層(導電性)之圖案。此處，亦可藉由調整旋轉筒DR3與處理槽BT於Z方向之間隔、或調整處理槽BT內之鍍敷液之量(液面高度)，以調整基板P於鍍敷液之浸漬時間、調整於基板P之表面析出之鈀金屬核之濃度。
處理單元PU2，依據設定條件(第2設定條件)進行曝光處理與顯影處理(或鍍敷處理)。作為處理單元PU2之設定條件，設定有包含規定雷射光LB強度的強度條件、規定點光SP之掃描速度(多面鏡66之旋轉速度)的掃描速度條件、規定多重曝光次數的曝光次數條件、規定描繪之圖案的圖案條件(圖案資料)、規定顯影液(或鍍敷液)之溫度的溫度條件、規定顯影液(或鍍敷液)之濃度的濃度條件、及規定浸漬時間的浸漬時間條件等之處理條件(第2處理條件)、與基板P之搬送速度條件。曝光處理依據強度條件、掃描速度條件、曝光次數條件、及圖案條件等進行。顯影處理(或鍍敷處理)依據溫度條件、濃度條件、浸漬時間條件等進行。此設定條件，係預先設定成以處理單元PU2實施之實處理狀態可成為目標處理狀態。
關於設定條件之變更，因已於上述第2實施形態加以說明故不再詳細說明，但上位控制裝置14在處理裝置PR1、PR2、PR5、及處理單元PU2之各個中對基板P實施之實處理狀態之至少1者，相對目標處理狀態超過容許範圍而呈現處理誤差E之情形時，係使產生處理誤差E之處理裝置PR或處理單元PU2以外之其他裝置之設定條件，視處理誤差E而變化。其理由，當然是因為在處理裝置PR1、PR2、PR5、及處理單元PU2依
據設定條件對基板P實施之實處理之狀態中任一者相對目標處理狀態超過容許範圍而具有處理誤差E之情形時，無法於基板P出現期望之金屬層圖案之故。
呈現處理誤差E之設定條件係處理單元PU2之設定條件時，首先，係變更處理單元PU2之設定條件以避免產生處理誤差E、或將處理誤差E抑制在容許範圍內。若僅變更處理單元PU2之設定條件已無法因應之情形時，即進一步變更其他處理裝置PR(PR2、PR5)之設定條件，以避免產生處理誤差E、或將處理誤差E抑制在容許範圍內。此時，在其他處理裝置PR之設定條件變更結束後，至少使處理單元PU2之搬送速度條件回復原狀。又，在呈現處理誤差E之設定條件係處理單元PU2以外之處理裝置PR時，優先的變更處理單元PU2之設定條件，以避免產生處理誤差E、或將處理誤差E抑制在容許範圍內。此外，雖係將第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2設置在處理單元PU2之前後，但亦可設置在其他處理裝置PR之前後。
又，如圖15所示，若係將曝光處理部(旋轉筒DR2、曝光頭36等)與濕式處理部(旋轉筒DR3、處理槽BT等)一體設置之處理單元PU2時，在處理單元PU2內之片狀基板P之搬送速度一定，無法在曝光處理部與濕式處理部使片狀基板P之搬送速度暫時不同。因此，欲使片狀基板P之搬送速度暫時不同之情形時，係於導引滾輪R10之位置，設置如圖4所示之蓄積裝置BF1、BF2。也就是說，於處理單元PU2之前後設置第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2，並在旋轉筒DR2與旋轉筒DR3之間設置1個與第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2)具有相同構成之蓄積裝
置。又，亦可將第1蓄積裝置BF1設在處理裝置PR2與旋轉筒DR2之間，將第2蓄積裝置BF2設在旋轉筒DR2與旋轉筒DR3之間。此外，亦可將第1蓄積裝置BF1設在旋轉筒DR2與旋轉筒DR3之間，將第2蓄積裝置BF2設在旋轉筒DR3與處理裝置PR5之間。
(變形例2)變形例2之構成，係將處理裝置PR2及處理裝置PR3構成為1個處理單元PU1。也就是說，處理單元PU1係一邊將從處理裝置PR1搬送而來之基板P往搬送方向(+X方向)搬送、一邊進行成膜處理及曝光處理之處理製程(第1處理製程)的裝置。藉由此成膜處理，於基板P表面選擇性的或均一的塗布感光性功能液，據以在基板P表面選擇性的或均一的形成感光性功能層，並藉由曝光處理於感光性功能層形成對應圖案之潛像(改質部)。
圖16係顯示處理單元PU1之構成的圖。針對與上述第1及第2實施形態相同構成係賦予相同符號省略其說明，且針對在說明本變形例2時無特別需要之構成則省略其圖示。處理單元PU1，具備搬送部110、狹縫塗布頭DCH、噴墨頭IJH、乾燥裝置112、及曝光頭36。又，雖未圖示，處理單元PU1亦具有光源裝置32、光導入光學系34、強度感測器37、對準顯微鏡AM(AM1~AM3)、膜厚測量裝置16a等。又，處理單元PU1受未圖示之下位控制裝置控制。第1蓄積裝置BF1設在處理裝置PR1與處理單元PU1之間，第2蓄積裝置BF2設在處理單元PU1與處理裝置PR4之間。
搬送部110，從基板P之搬送方向上游側(-X方向側)起，依序具有驅動滾輪NR14、張力調整滾輪RT14、旋轉筒DR1、導引滾輪R14、R16、張力調整滾輪RT16、旋轉筒DR2、導引滾輪R18、及驅動滾輪NR16。
驅動滾輪NR14藉由一邊夾持透過第1蓄積裝置BF1從處理裝置PR1送來之基板P之表背兩面、一邊旋轉，將基板P搬送向旋轉筒DR1。旋轉筒DR1，一邊順著外周面(圓周面)將基板P之一部分支承於長條方向、一邊以中心軸AX1為中心旋轉，將基板P往+X方向側搬送。導引滾輪R14、R16將從旋轉筒DR1送來之基板P搬送至旋轉筒DR2。
旋轉筒DR2，一邊順著外周面將基板P之一部分支承於長條方向、一邊以中心軸AX2為中心旋轉，將基板P搬送至導引滾輪R18。導引滾輪R18將從旋轉筒DR2送來之基板P搬送至驅動滾輪NR16。驅動滾輪NR16，藉由一邊夾持送來之基板P之表背兩面、一邊旋轉，將基板P往處理裝置PR4側搬送。張力調整滾輪RT14、RT16係對在驅動滾輪NR14與驅動滾輪NR16之間搬送之基板P賦予既定張力者。張力調整滾輪RT14、RT16被賦力向-Z方向。
驅動滾輪NR14、NR16、旋轉筒DR1、DR2係藉由被賦予旋轉扭矩而旋轉，此旋轉扭矩來自受處理單元PU1之該下位控制裝置控制之旋轉驅動源(馬達或減速機等)。以此驅動滾輪NR14、NR16、旋轉筒DR1、DR2之旋轉速度規定處理單元PU1內之基板P之搬送速度。又，從設在驅動滾輪NR14、NR16、旋轉筒DR1、DR2之未圖示之編碼器送來之旋轉速度訊號(基板P之搬送速度資訊)，透過處理單元PU1之前述下位控制裝置被送至上位控制裝置14。
導引滾輪R14設在乾燥裝置112，乾燥裝置112對從旋轉筒DR1透過導引滾輪R14搬送至導引滾輪R16之基板P噴吹熱風或乾空氣等之乾燥用空氣，以除去感光性功能液中所含之溶質(溶劑或水)以使感光
性功能液乾燥。據此，即形成感光性功能層。
處理單元PU1依據設定條件(第1設定條件)進行成膜處理與曝光處理。作為處理單元PU1之設定條件，設定有包含用以規定形成感光性功能層之區域的區域條件、規定感光性功能層之膜厚的膜厚條件、規定雷射光LB之強度的強度條件、規定點光SP之掃描速度(多面鏡66之旋轉速度)的掃描速度條件、規定多重曝光次數的曝光次數條件、及規定描繪之圖案的圖案條件(圖案資料)等之處理條件(第1處理條件)、與基板P之搬送速度條件。成膜處理係依據區域條件及膜厚條件等進行。曝光處理依據強度條件、掃描速度條件、曝光回數條件、及圖案條件等進行。此設定條件，係預先設定成以處理單元PU1實施之實處理狀態可成為目標處理狀態。
關於設定條件之變更，由於已在上述第1實施形態中說明故不再詳細說明，但上位控制裝置14在處理裝置PR1、PR4、PR5、及處理單元PU1之各個中對基板P實施之實處理之狀態之至少1者，相對目標之處理狀態超過容許範圍呈現處理誤差E之情形時，係使產生處理誤差E之處理裝置PR或處理單元PU1以外之其他裝置之設定條件，視處理誤差E變化。其理由，當然是因為在處理裝置PR1、PR2、PR5、及處理單元PU1依據設定條件對基板P實施之實處理之狀態中任一者相對目標處理狀態超過容許範圍而具有處理誤差E之情形時，無法於基板P出現期望之金屬層圖案之故。
呈現處理誤差E之設定條件係處理單元PU1之設定條件時，首先，變更處理單元PU1之設定條件，以避免產生處理誤差E或將處
理誤差E抑制在容許範圍內。在僅變更處理單元PU1之設定條件無法因應之情形時，即進一步變更其他處理裝置PR(PR4、PR5)之設定條件，以避免產生處理誤差E或將處理誤差E抑制在容許範圍內。此時，在其他處理裝置PR之設定條件之變更結束後，至少使處理單元PU1之搬送速度條件回到原狀。又，呈現處理誤差E之設定條件係處理單元PU1以外之處理裝置PR時，優先的變更處理單元PU1之設定條件，以避免產生處理誤差E或將處理誤差E抑制在容許範圍內。此外，雖係將第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2設置在處理單元PU1之前後，但亦可設置在其他處理裝置PR之前後。
以上之變形例2中，如圖16所示，由於係作成將塗布處理部(旋轉筒DR1、狹縫塗布頭DCH、噴墨頭IJH等)、乾燥處理部(乾燥裝置112等)、曝光處理部(旋轉筒DR2、曝光頭36等)一體設置之處理單元PU1，因此在處理單元PU1內之基板P之搬送速度，任何地方皆同。然而，於塗布處理部、乾燥處理部、曝光處理部之各個，使基板P之搬送速度暫時不同之情形時，例如係在乾燥處理部(乾燥裝置112等)之位置，設置如圖4所示之蓄積裝置BF1、BF2。也就是說，在處理單元PU1之前後設置第1蓄積裝置BF1及第2蓄積裝置BF2，並在旋轉筒DR1與旋轉筒DR2之間設置一具有與第1蓄積裝置BF1(第2蓄積裝置BF2)相同構成之蓄積裝置。此外，亦可將第1蓄積裝置BF1設在旋轉筒DR1與旋轉筒DR2之間，將第2蓄積裝置BF2設在旋轉筒DR2與處理裝置PR4之間。又，亦可將第1蓄積裝置BF1設在處理裝置PR1與旋轉筒DR1之間，將第2蓄積裝置BF2設在旋轉筒DR1與旋轉筒DR2之間。
(變形例3)圖17中，顯示了在先前之第1及第2實施形態中作為前提之圖1之元件製造系統10之變形例3所構成之元件製造系統10’的概略構成。本變形例3，係改變圖1之元件製造系統10中各處理裝置之配置與基板P之搬送經路，以建構緊密之製造線者，針對圖17中之各處理裝置及基板P，與先前之圖2~圖9所示之構成相同者係賦予相同符號、省略其詳細說明，且針對在說明本變形例3時無特別需要之構成則省略其圖示。
如圖17所示，本變形例3中，係以將基板P之供應用捲筒FR1與回收用捲筒FR2排列配置在元件製造系統10’之一側的方式，彎折在元件製造系統10’內之基板P之搬送經路，將若干個處理裝置立體的(上下關係)配置。本變形例3之元件製造系統10’，具備：由狹縫塗布頭DCH與旋轉筒DR1構成為塗布裝置的處理裝置PR2、包含第1蓄積裝置BF1構成為使塗布後之基板P乾燥之乾燥裝置(相當於圖2之乾燥裝置16)的處理裝置PR2’、由光源裝置32、光導入光學系34、曝光頭36及旋轉筒DR2等構成為曝光裝置的處理裝置PR3、具有第2蓄積裝置BF2與貯留顯影液或鍍敷液之縱型液漕BT1與貯留洗淨用純水等之縱型洗淨漕BT2而構成為濕式處理裝置的處理裝置PR4’、以及亦具備蓄積部之功能構成為用以使濕式處理後之基板P乾燥之乾燥裝置的處理裝置PR6。
從供應用捲筒FR1送出之片狀基板P，在被處理裝置PR2之旋轉筒DR1支承之狀態下被以既定速度搬送，以狹縫塗布頭DCH塗布塗布液LQc。塗布後之基板P大致水平的被送往+X方向，在被配置在元件製造系統10’上方之處理裝置PR2’內之乾燥裝置(乾燥部)乾燥後，通過
第1蓄積裝置BF1內之多數個張力滾輪Rd，被送至配置在處理裝置PR2’之-Z方向側的處理裝置PR3。第1蓄積裝置BF1內之複數個張力滾輪Rd，係配置成對基板P賦予張力並將之彎折成與XY面(地面)略平行。處理裝置PR3，在將被送往-Z方向之基板P張掛在旋轉筒DR2之下半程度後，以往+Z方向釋放之方式搬送。因此，對基板P進行圖案曝光之曝光頭36係設在旋轉筒DR2之下方(-Z方向側)。在處理裝置PR3曝光後之基板P，被送往配置在處理裝置PR3之-X方向側之第2蓄積裝置BF2，通過複數個張力滾輪Rd後，被送至配置在第2蓄積裝置BF2之-X方向側之處理裝置PR4’。處理裝置PR4’，在使送來之基板P依序通過貯留顯影液或鍍敷液之液漕BT1、貯留洗淨用純水等之洗淨漕BT2後，將之送往配置在處理裝置PR4’之-X方向側之處理裝置PR6。通過處理裝置PR6內之複數個張力滾輪Rd後乾燥之基板P，被捲繞於回收用捲筒FR2。
如圖17所示，並非將處理裝置(塗布裝置)PR2、處理裝置PR2’內之乾燥裝置(乾燥部)、處理裝置PR2’內之第1蓄積裝置BF1、處理裝置(曝光裝置)PR3、第2蓄積裝置BF2、處理裝置(濕式處理裝置)PR4’、處理裝置(乾燥部)PR6之各個排列成一行，而係亦在上下(Z方向)配置成立體，而能抑制製造系統整體之長度使設置地面面積(foot print)更為緊密。先前說明之第1實施形態及第2實施形態之元件製造系統10之管理方法、或元件製造方法，亦同樣的能適用於圖17之變形例3般之元件製造系統10’。
又，圖17之構成中，處理裝置PR2’雖係在空間上分為乾燥裝置(乾燥部)與第1蓄積裝置BF1，但亦可將兩者在空間上不分開而加
以兼用。此外，對處理裝置PR2’之乾燥部內與處理裝置PR6內，吹送使基板P乾燥之100℃以下之溫風時，生成該溫風之溫調裝置(包含加熱器、送風扇、過濾器等)可兼用作為處理裝置PR2’用與處理裝置PR6用。再者，在以處理裝置PR3進行之曝光製程後，對基板P上之抗蝕劑層賦予100℃以下之熱以進行後烘(曝光後之烘烤)處理時，可在處理裝置PR3與第2蓄積裝置BF2之間、或第2蓄積裝置BF2內設置乾燥部。
(變形例4)
於以上之第1實施形態與第2實施形態，例如，係在停止要求裝置PRd發出停止要求時，取的該時間點之基板P在上游側之第1蓄積裝置BF1、或下游側之第2蓄積裝置BF2之可新蓄積長或已蓄積長相關之蓄積狀態之資訊，以判定曝光裝置EX是否可因附加作業之暫時停止，但亦可進行相反之判斷。亦即，逐次更新生成與基板P在停止要求裝置PRd之上游側、或下游側之蓄積裝置(BF1、BF2)之可新蓄積長或已蓄積長相關之蓄積狀態之資訊，從逐次更新之蓄積狀態之狀態，預測運算停止要求裝置PRd可暫時停止之時間，在預測之停止時間之期間，判斷停止要求裝置PRd所需之附加作業是否可完成。因此，於此種變形例中，可建構一種設置逐次生成與基板P在第1處理裝置與第2處理裝置間設置之蓄積部(BF1、BF2)之蓄積狀態相關之蓄積資訊的資訊生成部(上位控制裝置14等)，並設置根據來自資訊生成部之蓄積資訊，進行在第1處理裝置與第2處理裝置之至少一方中作為停止對象之處理裝置，使基板P之處理動作停止時之可停止之持續時間的預測運算，在預測之可停止之持續時間中在作為停止對象之處理裝置可實施附加作業時，使作為停止對象之處理裝置之處理動作停止之
控制裝置(上位控制裝置14等)的製造系統。
10‧‧‧元件製造系統
12‧‧‧圖案形成裝置
14‧‧‧上位控制裝置
BF1‧‧‧第1蓄積裝置
BF2‧‧‧第2蓄積裝置
FR1‧‧‧供應用捲筒
FR2‧‧‧回收用捲筒
P‧‧‧基板
PR1~PR5‧‧‧處理裝置
Claims (14)
- 一種製造系統，係一邊將長條之可撓性片材基板搬送於長條方向、一邊藉由複數個處理裝置連續的對該片材基板施以處理，其具備；蓄積部，係設置在該複數個處理裝置中之第1處理裝置與相鄰之第2處理裝置之間；以及控制裝置，其於該第1處理裝置中，暫時停止對該片材基板之處理動作、或該片材基板之搬送動作時，判定該蓄積部之該片材基板之蓄積狀態是否滿足以預想之該第1處理裝置之停止時間決定之所需蓄積狀態；該控制裝置，在判定該蓄積部之蓄積狀態不滿足該所需蓄積狀態之情形時，即藉由變更該第1處理裝置及該第2處理裝置中之至少一方之該片材基板之搬送速度，判定在使該第1處理裝置之該片材基板之搬送停止為止可等待之可延遲時間內，是否能使該蓄積部之蓄積狀態達到該所需蓄積狀態。
- 如申請專利範圍第1項之製造系統，其中，該第2處理裝置及該蓄積部係沿該片材基板之搬送方向配置在該第1處理裝置之上游側；該控制裝置，在該停止時間使該第1處理裝置暫時停止，亦能在該停止時間之期間由該蓄積部蓄積從該第2處理裝置送來之該片材基板之情形時，即判定該蓄積部之蓄積狀態滿足該所需蓄積狀態。
- 如申請專利範圍第1項之製造系統，其中，該第2處理裝置及該蓄積部係沿該片材基板之搬送方向配置在該第1處理裝置之下游側；該控制裝置，在該停止時間使該第1處理裝置暫時停止，該蓄積部亦蓄積有在該停止時間之期間能供應至該第2處理裝置之長度之該片材基板 之情形時，即判定該蓄積部之蓄積狀態滿足該所需蓄積狀態。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之製造系統，其中，該控制裝置，在判定該蓄積部之蓄積狀態滿足該所需蓄積狀態之情形時，即一邊使該第1處理裝置之該片材基板之搬送動作及處理動作在該停止時間暫時停止、一邊持續在該第2處理裝置之該片材基板之搬送動作及處理動作。
- 如申請專利範圍第4項之製造系統，其中，於該片材基板，待形成圖案之元件形成區域係沿該長條方向夾著空白部以連續之狀態配置；該第1處理裝置，係在較該空白部之該長條方向長度短之範圍施以處理；該控制裝置，在該空白部來到該第1處理裝置對該片材基板施以處理之處理位置時，實施在該第1處理裝置之該片材基板之搬送動作及處理動作的暫時停止。
- 如申請專利範圍第4項之製造系統，其中，於該片材基板，待形成圖案之元件形成區域係沿該長條方向夾著空白部以連續之狀態配置；該第2處理裝置，係在較該空白部之該長條方向長度長之範圍施以處理；該控制裝置，在判定該蓄積部之蓄積狀態滿足該所需蓄積狀態之情形時、或在該蓄積部之蓄積狀態達到該所需蓄積狀態之階段，立即實施在該第1處理裝置之該片材基板之搬送動作及處理動作的暫時停止。
- 如申請專利範圍第1項之製造系統，其中，該控制裝置，為抑制處理品質降低，判定是否可藉由一邊變更該第1處理裝置及該第2處理裝置中至少一方之處理條件、一邊提高該第1處理裝置之搬送速度、或降低該 第2處理裝置之搬送速度，據以在該可延遲時間內使該蓄積部之蓄積狀態達到該所需蓄積狀態。
- 如申請專利範圍第1項之製造系統，其中，該第2處理裝置及該蓄積部係沿該片材基板之搬送方向配置在第1處理裝置之上游側；該控制裝置，判定是否可在該可延遲時間內，使該蓄積部之蓄積狀態在該第1處理裝置暫時停止情形時之該停止時間之期間，成為可蓄積從該第2處理裝置送來之該片材基板之狀態。
- 如申請專利範圍第1項之製造系統，其中，該第2處理裝置及該蓄積部係沿該片材基板之搬送方向配置在該第1處理裝置之下游側；該控制裝置，判定是否可在該可延遲時間內，使該蓄積部之蓄積狀態在該第1處理裝置暫時停止情形時之該停止時間之期間，達到蓄積有可供應至該第2處理裝置之長度之該片材基板之狀態。
- 如申請專利範圍第7至9項中任一項之製造系統，其中，該控制裝置，判定在可延遲時間內使該蓄積部之蓄積狀態達到該所需蓄積狀態之情形時，即在該蓄積部之蓄積狀態達到該所需蓄積狀態的階段，一邊使該第1處理裝置之該片材基板之搬送動作及處理動作在該停止時間暫時停止、一邊持續在該第2處理裝置之該片材基板之搬送動作及處理動作。
- 如申請專利範圍第10項之製造系統，其中，於該片材基板，待形成圖案之元件形成區域係沿該長條方向夾著空白部以連續之狀態配置；該第1處理裝置，係在較該空白部之該長條方向長度短之範圍施以處理；該控制裝置，在該空白部來到該第1處理裝置對該片材基板施以處理 之處理位置時，實施在該第1處理裝置之該片材基板之搬送動作及處理動作的暫時停止。
- 如申請專利範圍第10項之製造系統，其中，於該片材基板，待形成圖案之元件形成區域係沿該長條方向夾著空白部以連續之狀態配置；該第2處理裝置，係在較該空白部之該長條方向長度長之範圍施以處理；該控制裝置，在判定該蓄積部之蓄積狀態滿足該所需蓄積狀態之情形時、或在該蓄積部之蓄積狀態達到該所需蓄積狀態之階段，立即實施在該第1處理裝置之該片材基板之搬送動作及處理動作的暫時停止。
- 如申請專利範圍第10項之製造系統，其中，該控制裝置，當判定無法在可延遲時間內使該蓄積部之蓄積狀態達到該所需蓄積狀態之情形時，即一邊使流動於該複數個處理裝置之該片材基板之搬送動作全部停止，一邊停止以該複數個處理裝置進行之處理動作。
- 如申請專利範圍第1、7~9項中任一項之製造系統，其中，該控制裝置，當判定無法在可延遲時間內使該蓄積部之蓄積狀態達到該所需蓄積狀態之情形時，即一邊使流動於該複數個處理裝置之該片材基板之搬送動作全部停止，一邊停止以該複數個處理裝置進行之處理動作。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428415A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | ルーパ位置制御方法 |
| JPH09142709A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-03 | Toshiba Eng Co Ltd | リザーバ制御装置 |
| CN101605710A (zh) * | 2007-05-16 | 2009-12-16 | 夏普株式会社 | 基材处理装置和使用该基材处理装置的基材处理方法 |
| TW201339766A (zh) * | 2012-03-27 | 2013-10-01 | 尼康股份有限公司 | 光罩搬送裝置、光罩保持裝置、光罩基板、基板處理裝置、及元件製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0428415A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | ルーパ位置制御方法 |
| JPH09142709A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-03 | Toshiba Eng Co Ltd | リザーバ制御装置 |
| CN101605710A (zh) * | 2007-05-16 | 2009-12-16 | 夏普株式会社 | 基材处理装置和使用该基材处理装置的基材处理方法 |
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| TW201413802A (zh) * | 2012-05-23 | 2014-04-01 | 尼康股份有限公司 | 切斷機構、接合機構、基板處理系統、基板處理裝置、以及基板處理方法 |
| JP2015145971A (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-13 | 株式会社ニコン | 基板処理装置及びデバイス製造方法 |
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