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TWI706000B - 用於包含層元件之應用的聚合物組成物 - Google Patents

用於包含層元件之應用的聚合物組成物 Download PDF

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TWI706000B
TWI706000B TW108104602A TW108104602A TWI706000B TW I706000 B TWI706000 B TW I706000B TW 108104602 A TW108104602 A TW 108104602A TW 108104602 A TW108104602 A TW 108104602A TW I706000 B TWI706000 B TW I706000B
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史提凡 赫史托姆
馬提亞斯 伯各菲斯
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奧地利商柏列利斯股份公司
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Abstract

本發明係關於一種聚合物組成物、一種包含該聚合物組成物之物品、較佳一種包含至少一個包含該聚合物組成物之層元件（LE）的物品及一種用於製造該物品之方法。

Description

用於包含層元件之應用的聚合物組成物
本發明係關於聚合物組成物，係關於層元件（LE），係關於包含聚合物組成物之物品，較佳係關於包含層元件（LE）之物品，係關於聚合物組成物、較佳（LE）用於製造物品之用途，且係關於用於製造物品之方法。
作為包含層元件之物品之一實例，例如為單層元件之物品，如單層膜；為多層元件之物品，如多層膜；包含兩個或更多個用於光伏打裝置之層元件之物品；包含兩個或更多個用於以下建築應用之層元件之物品，如建築物中之元件，例如建築用元件，諸如外部/內部元件，如建築物外部的外牆、窗口元件、門元件或室內牆壁元件；用於橋樑中之元件；用於載具中之元件，諸如汽車、火車、飛機或船中之窗口；用於製造設備中之元件，如機器中之安全窗口；用於家用裝置中之元件；用於投影應用，如平視顯示器，或用於傢俱中之元件等。
舉例而言，亦稱為太陽電池模組之光伏打（PV）模組由光產生電且用於各種應用中，例如室外應用中，如此項技術中所熟知。光伏打模組之類型可不同。模組典型地具有多層結構，亦即具有不同功能之若干個不同層元件。光伏打模組之層元件可相對於層材料及層結構而變化。最終光伏打模組可為剛性或可撓性的。
以上例示之層元件可為單層或多層元件。典型地，根據層元件之功能性之順序組裝PV模組之層元件，且接著層壓在一起以形成整合式PV模組。另外，元件之層之間或不同層元件之間可存在黏著層。
按給定順序，光伏打（PV）模組可例如含有保護性前部層元件，其可為可撓性或剛性的（諸如玻璃層元件）；前部封裝層元件；光伏打元件；後部封裝層元件；保護性背部層元件，其亦稱為背部薄片層元件且其可為剛性或可撓性的；及視情況選用之例如鋁框架。
因此，PV模組之一部分或所有層元件，例如前部及後部封裝層元件及通常背部薄片層典型地具有聚合材料，如基於乙烯乙酸乙烯酯（EVA）之材料。
有時，由於層元件中之一者或兩者之特性，在層壓後兩個層元件之間的黏著對於所需最終應用所需之需求可能並不足夠。
持續需要提供其他層元件組成物以提供用於不同最終用途應用之高級溶液。
因此，本發明係針對一種聚合物組成物，其包含 - 聚合物（P）； - 含有矽烷基之單元（b）；及 - 受阻胺化合物（hindered amine compound，HALS），其包含式（A0）之單元：
Figure 02_image001
其中 R1 為經取代或未經取代之(C1-C20)伸烴基，其視情況間雜有一或多個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；或選自-O-、-N=或-NR-之雜原子； R2 、R3 、R4 及R5 各自獨立地選自經取代或未經取代之(C1-C20)烴基，其視情況間雜有一或多個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子； R6 選自經取代或未經取代之(C1-C20)伸烴基，其視情況間雜有一或多個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；其限制條件為R6 經由除氧-O-外之原子附接至式（A0）之單元之環原子；其中R1 至R6 中之各者之視情況選用之取代基之數目獨立地選自1、2或3個；且各R1 至R6 之視情況選用之取代基獨立地為選定之(C1-C20)烴基，其可視情況間雜有一或多個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子，且其可視情況經(C1-C20)烴基取代，該(C1-C20)烴基視情況間雜有一或多個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；或=O基團；或-N(R)2 ； R獨立地選自H或直鏈(C1-C8)烷基；且 n為1至20。
如上文、下文或申請專利範圍中所定義之聚合物組成物在本文中亦稱為「本發明之聚合物組成物」或稱為「本發明之組成物」或「聚合物組成物」。
如上文、下文或申請專利範圍中所定義之含有矽烷基之單元（b）在本文中亦稱為含有矽烷基之單元。
包含如上文、下文或申請專利範圍中所定義之式（A0）之單元的受阻胺化合物（HALS）在本文中意謂HALS必須含有該式（A0）之單元，且其中式（A0）之單元以端基終止以形成最終受阻胺化合物（HALS）（A），該最終受阻胺化合物在本文中亦簡稱為「式（A）之HALS」、「HALS化合物（A）」、「HALS（A）」或「HALS」。
在式（A0）之單元之取代基的定義中，且如以上在式（A）之HALS中所述：術語「伸烴基」意謂藉由自烴移除兩個氫原子形成之二價基團，其自由價不形成雙鍵，例如1,3-伸苯基、-CH2CH2CH2-丙烷-1,3-二基、-CH2-亞甲基（根據IUPAC命名法）。另外，術語「烴基」意謂藉由自烴（例如，乙基、苯基（根據IUPAC命名法））移除氫原子形成之單價基團。
已意外地發現，具有特定HALS化合物（A）之本發明聚合物組成物可為層元件（LE）提供在層壓於基板上之後改良之黏著性，且較佳地，除層壓之後直接改良之黏著性以外，以及在潮濕加熱條件之後改良之黏著性。
在不結合任何理論之情況下，咸信HALS化合物（A）具有含有矽烷基之聚合物組成物的聚合物組成物之少量或甚至不顯著交聯活性。
此外，必要時，本發明之聚合物組成物使得能夠製造無過氧化物之層元件。
另外，聚合物組成物高度適用於物品，如適用於光伏打（PV）模組；適用於建築應用、載具中之元件、製造設備中之元件、投影應用中之元件、傢俱中之元件等。
在本發明之另一態樣中，提供如上文或下文或申請專利範圍中所定義之聚合物組成物之用途，其用於製造包含一或多個層之層元件（LE），其中至少一個層包含本發明之聚合物組成物。
在另一態樣中，本發明進一步提供一或多個層之層元件（LE），其中至少一個層包含如上文、下文或申請專利範圍中所定義之聚合物組成物。本發明之層元件（LE）在本文中亦稱為層元件（LE）。
在另一態樣中，本發明進一步提供包含聚合物組成物之物品。較佳地，本發明進一步提供包含本發明之層元件（LE）之物品。
在另一態樣中，本發明進一步提供如上文或下文或申請專利範圍中所定義之聚合物組成物之用途，其用於製造包含層元件（LE）之物品、較佳光伏打（PV）模組，該層元件（LE）包含一或多個層、較佳一個層，其包含如上文或下文或申請專利範圍中所定義之聚合物組成物。
物品較佳為包含兩個或更多個層元件之組件，其中至少一個層元件為層元件（LE）。
物品更佳為包含光伏打元件及一或多個其他層元件之光伏打（PV）模組，其中至少一個層元件、較佳一個層元件為如上文或如下文或在申請專利範圍中所定義之層元件（LE）。
本發明進一步提供一種光伏打（PV）模組，其按給定順序包含保護性前部層元件、前部封裝層元件、光伏打元件、後部封裝層元件及保護性背部層元件，其中較佳地，前部封裝層元件及/或後部封裝層元件中之至少一個層元件、較佳一個或兩個、較佳兩個包含如上文、下文或申請專利範圍中所定義之本發明之層元件（LE），較佳由其組成。
本發明進一步提供一種用於製造包含兩個或更多個層元件之物品之方法，其中至少一個層元件為本發明之層元件（LE），該方法包含以下步驟： - 將該層元件（LE）及一或多個其他層元件組裝成組件； - 在高溫下層壓該組件之該等層元件以使該等元件黏著在一起；且 - 回收該所獲物品；如上文或下文或申請專利範圍中所定義。
用於製造物品之本發明之聚合物組成物、聚合物（P）、HALS、層元件（LE）、物品、較佳PV模組及方法；以及其其他細節、較佳具體實例、範圍及特性描述於下文及申請專利範圍中，該等較佳具體實例、範圍及特性可呈任何組合形式且以任何順序組合。
聚合物組成物
較佳地，HALS（A）為式（A1）之化合物，其中 其中 R1 為經取代或未經取代之(C1-C20)伸烴基，其視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；或選自-O-、-N=NR-之雜原子； R2 、R3 、R4 及R5 各自獨立地選自經取代或未經取代之(C1-C20)烴基，其視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子； R6 選自經取代或未經取代之(C1-C20)伸烴基，其視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；其限制條件為R6 經由除氧-O-外之原子附接至式（A1）之單元之環原子；其中R1 至R6 中之各者之視情況選用之取代基之數目獨立地選自1、2或3個；且各R1 至R6 之視情況選用之取代基獨立地為選定之(C1-C20)烴基，其可視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子，且其可視情況經(C1-C20)烴基取代，該(C1-C20)烴基視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；或=O基團；或-N(R)2 ； R獨立地選自H或直鏈(C1-C8)烷基；且 n為2至20。
較佳地，HALS（A）為式（A2）之化合物，其中 R1 選自經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)伸烷基，其視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)伸烷基，其視情況具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸芳基，其視情況具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-環狀(C5-C8)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-(C5-C8)伸芳基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸烷基-(C1-C20)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C5-C8)伸芳基-(C1-C20)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；或選自-O-或-NR-之雜原子； R2 、R3 、R4 及R5 各自獨立地選自經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)烴基，其視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子； R6 選自經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)伸烷基，其視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)伸烷基，其視情況具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸芳基，其視情況具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-(C5-C8)伸芳基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-環狀(C5-C8)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸烷基-(C1-C20)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C5-C8)伸芳基-(C1-C20)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；且 其中R1 至R6 中之各者之視情況選用之取代基之數目獨立地選自1、2或3個；且各R1 至R6 之視情況選用之取代基獨立地選自飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)烴基，其視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)烴基，其視情況具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C5-C8)芳基，其視情況具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；或=O基團；或-N(R)2 ； R獨立地選自H或直鏈(C1-C8)烷基；且 n為2至20。
在一個較佳具體實例中，式（A）之受阻胺化合物（HALS）之pH為9或更低，較佳為3至8.5，較佳為4至8，較佳為5至8，更佳為5.5至7.5。
在一個較佳具體實例中，式（A）之受阻胺化合物（HALS）之分子量為300至6000，較佳為550-5700，較佳為2000-5000，較佳為2700-4500。受阻胺化合物（HALS）之分子量通常揭示於市售HALS化合物之技術資料表中或可使用GPC量測。
在一個較佳具體實例中，式（A）之受阻胺化合物（HALS）之Tm為180℃或更低，較佳為15℃至150℃，較佳為20℃至100℃，較佳為30℃至90℃，較佳為40℃至80℃，最佳為50℃至60℃。
較佳地，HALS為式（A3）之化合物，其中 R1 選自經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)伸烷基，其視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)伸烷基，其視情況具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸芳基，其視情況具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-環狀(C5-C8)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-(C5-C8)伸芳基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸烷基-(C1-C20)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C5-C8)伸芳基-(C1-C20)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；或選自-O-或-NR-之雜原子； R2 、R3 、R4 及R5 各自獨立地選自經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)烴基，其視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子； R6 選自經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)伸烷基，其視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)伸烷基，其視情況具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸芳基，其視情況具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-(C5-C8)伸芳基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-環狀(C5-C8)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸烷基-(C1-C20)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C5-C8)伸芳基-(C1-C20)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；且 其中R1 至R6 中之各者之視情況選用之取代基之數目獨立地選自1、2或3個；且各R1 至R6 之視情況選用之取代基獨立地選自飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)烴基，其視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)烴基，其視情況具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C5-C8)芳基，其視情況具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；或=O基團；或-N(R)2 ； R獨立地選自H或直鏈(C1-C8)烷基；且 n為2至20。
較佳地，HALS為式（A4）之化合物，其中 R1 經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C8)伸烷基，其選自視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C6)伸烷基，其視情況具有1、2或3個選自-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之環狀(C5-C6)伸芳基，其視情況具有1、2或3個選自-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C1-C8)伸烷基-環狀(C5-C6)伸烷基，其視情況間雜有-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C1-C8)伸烷基-(C5-C6)伸芳基，其視情況間雜有-N=或-NR-；經取代或未經取代之環狀(C5-C6)伸烷基-(C1-C8)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C5-C6)伸芳基-(C1-C8)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；或選自-O-或-NR-之雜原子； R2 、R3 、R4 及R5 各自獨立地選自經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C8)烴基，其視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子； R6 經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C8)伸烷基，其選自視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C6)伸烷基，其視情況具有1、2或3個選自-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之環狀(C5-C6)伸芳基，其視情況具有1、2或3個選自-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C1-C8)伸烷基-環狀(C5-C6)伸烷基，其視情況間雜有-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C1-C8)伸烷基-(C5-C6)伸芳基，其視情況間雜有-N=或-NR-；經取代或未經取代之環狀(C5-C6)伸烷基-(C1-C8)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C5-C6)伸芳基-(C1-C8)伸烷基，其視情況間雜有-O-、-N=或-NR-； 且 其中R1 至R6 中之各者之視情況選用之取代基之數目獨立地選自1或2個；且各R1 至R6 之視情況選用之取代基獨立地選自飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C8)烴基，其視情況間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C6)烴基，其視情況具有1、2或3個選自-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C5-C6)芳基，其視情況具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；或=O基團；或-N(R)2 ； R獨立地選自H或直鏈(C1-C6)烷基；且 n為2至20。
在HALS化合物（A）或其以上或以下較佳子組中之任一者的一個較佳具體實例中，R6 經由-CH2 -連接至環N原子。
在HALS化合物（A）或其以上或以下較佳子組中之任一者的一個較佳具體實例中，n較佳為3至15，較佳為4至15，較佳為5至15，更佳為6至15，更佳為8至15，更佳為10至15。
更佳地，HALS化合物（A）或其以上或以下較佳子組中之任一者以任何組合且以任何順序符合以下取代基定義1）至4）中之一或多者或全部： 1）R1 較佳為-O-； 2）R2 、R3 、R4 及R5 中之各者獨立地較佳為直鏈(C1-C6)烷基，較佳為直鏈(C1-C4)烷基，較佳為甲基，更佳地各自相同且較佳為直鏈(C1-C6)烷基，較佳為直鏈(C1-C4)烷基，最佳為甲基； 3）R6 較佳為-(CH2 )x -O-(C=O)-(CH2 )y -(C=O)，其中x為1至6，較佳為1至4，較佳為1至2，且y為1至6，較佳為1至4，較佳為1至2，最佳為-(CH2 )2 -O-(C=O)-(CH2 )2 -(C=O)；且/或 4）n較佳為3至15，較佳為4至15，較佳為5至15，更佳為6至15，更佳為8至15，更佳為10至15。
更佳地，HALS化合物（A）或其以上或以下較佳子組中之任一者符合所有以上取代基定義1）至4）。
在最佳具體實例中，HALS化合物（A）具有式（A5），其中 - R1 為-O-； - R2 、R3 、R4 及R5 中之各者獨立地為甲基； - R6 為-CH2 -CH2 -O-C(=O)-CH2 -CH2 -C(C=O)-；且 - n為3至15，較佳為4至15，較佳為5至15，更佳為6至15，更佳為8至15，更佳為10至15。
在HALS化合物（A）或其以上或以下較佳子組中之任一者的較佳具體實例中，其中終止式（A0）之單元的端基為：端基R7 ，其連接至R1 且其為-H基團；及R8 ，其連接至R6 且其為-OH基團。因此，HALS化合物（A）較佳為式（A6）之化合物：
Figure 02_image003
其中R1至R6如上文或申請專利範圍中所定義，以任何順序包括較佳子組；且R7 為-H基團且R8 為-OH基團。
式（A）之HALS及其任何子組較佳藉由縮合聚合而製得，其中在單體反應期間移除H2 O。
式（A）之HALS可以化學文獻中已知之方式製得或可為可商購的。
式（A）之較佳HALS中之一者之cas編號為65447-77-0。該式（A）之HALS之化學名稱為琥珀酸、二甲醚、具有4-羥基-2,2,6,6四甲基-1-哌啶乙醇之聚合物。該化合物可購自許多供應商，視供應商而定具有不同商業名稱。
按聚合物組成物之量（100 wt%）計，HALS（A）之量較佳為0.01至1.0 wt%，較佳為0.01至0.5 wt%，較佳為0.02至0.4 wt%，較佳為0.03至0.3 wt%，較佳為0.05至0.25 wt%。
較佳地，如上文或下文所定義之聚合物組成物僅包括一或多種、更佳一種如上文或下文所定義之受阻胺化合物（HALS）。不屬於如上文或下文所述之定義之受阻胺化合物（HALS）較佳不包括於如上文或下文所定義之聚合物組成物中。
較佳地，聚合物（P）為聚乙烯聚合物。
含有矽烷基之單元（b）可存在 - 作為聚合物（P）之共聚單體， - 作為以化學方式接枝至聚合物（P）之化合物，或 - 作為聚合物組成物中之單獨組分。
較佳地，含有矽烷基之單元併入聚合物（P）中 - 作為聚合物（P）之共聚單體，或 - 作為以化學方式接枝至聚合物（P）之化合物。
因此，在一個較佳具體實例中，聚合物（P）為 - 乙烯之聚合物（a），其選自 - （a1）帶有含有矽烷基之共聚單體之乙烯的聚合物； - （a2）乙烯與一或多種選自丙烯酸(C1-C6)-烷酯或(C1-C6)-烷基丙烯酸(C1-C6)-烷酯共聚單體之極性共聚單體的共聚物，該共聚物（a2）帶有含有矽烷基之單元且該共聚物（a2）不同於乙烯之聚合物（a1）；或 - （a3）乙烯與一或多種(C1-C10)-α-烯烴共聚單體之共聚物，其不同於乙烯之聚合物（a1）及乙烯之聚合物（a2）。
如上文、下文或申請專利範圍中所定義，乙烯之聚合物（a）在本文中亦簡稱為「聚合物（a）」。
如上文、下文或請求項中所定義，定義（a1）帶有含有矽烷基之共聚單體的乙烯之聚合物在本文中亦簡稱為「乙烯之聚合物（a1）」或「聚合物（a1）」。
如上文、下文或申請專利範圍中所定義，定義（a2）乙烯與一或多種選自丙烯酸(C1-C6)-烷酯或(C1-C6)-烷基丙烯酸(C1-C6)-烷酯共聚單體之極性共聚單體的共聚物在本文中亦簡稱為「乙烯之共聚物（a2）」、「共聚物（a2）」或「聚合物（a2）」，該共聚物（a2）帶有含有矽烷基之單元且該共聚物（a2）不同於乙烯之聚合物（a1）。
如上文、下文或申請專利範圍中所定義，定義（a3）乙烯與一或多種(C1-C10)-α-烯烴共聚單體之共聚物亦簡稱為「聚合物（a3）」，該共聚物不同於乙烯之聚合物（a1）及乙烯之聚合物（a2）。
如眾所周知，「共聚單體」係指可共聚合之共聚單體單元。
因此，在含有矽烷基之單元併入聚合物（a）作為共聚單體之情況下，含有矽烷基之單元在聚合物（a）之聚合過程期間與乙烯單體共聚合為共聚單體。在含有矽烷基之單元藉由接枝併入聚合物之情況下，含有矽烷基之單元在聚合物（a）之聚合之後與聚合物（a）以化學方式反應（亦稱為接枝）。化學反應（亦即接枝）典型地使用諸如過氧化物之自由基形成劑來進行。該化學反應可在本發明之層壓製程之前或期間發生。一般而言，含有矽烷基之單元之共聚合及接枝至乙烯為熟知的技術且良好記錄在聚合物領域中且在熟習此項技術者之技能內。
亦熟知，由於同時交聯反應，在接枝具體實例中使用過氧化物可降低乙烯聚合物之熔體流動速率（MFR）。因此，接枝具體實例可限制作為起始聚合物之聚合物（a）之MFR的選擇，該MFR之選擇可對最終用途應用下之聚合物的品質有不利影響。此外，在接枝製程期間由過氧化物形成之副產物可對最終用途應用下之聚合物組成物的使用壽命有不利影響。
因此較佳地，含有矽烷基之單元以共聚單體形式存在於聚合物（a）中。亦即，在聚合物（a1）之情況下，在聚合物（a1）之聚合製程期間，含有矽烷基之單元以共聚單體形式與乙烯單體一起共聚合。且在聚合物（a2）之情況下，在聚合物（a2）之聚合製程期間，含有矽烷基之單元以共聚單體形式與極性共聚單體及乙烯單體一起共聚合。
「含有矽烷基之共聚單體」在本文中在上文、下文或申請專利範圍中意謂含有矽烷基之單元以共聚單體形式存在。
乙烯之聚合物（a）之含有矽烷基之單元或較佳含有矽烷基之共聚單體較佳為由式（I）表示之可水解不飽和矽烷化合物：
Figure 02_image005
其中 R1為烯系不飽和烴基、烴氧基或(甲基)丙烯醯氧基烴基， 各R2獨立地為脂族飽和烴基， 可相同或不同的Y為可水解有機基團，且 q為0、1或2。
其他適合之含有矽烷基之單元、較佳共聚單體為例如γ-(甲基)丙烯基-丙氧基三甲氧基矽烷、γ(甲基)丙烯醯氧基三乙氧基矽烷及乙烯基三乙醯氧基矽烷或其中兩者或更多者之組合。
式（I）之矽烷化合物之一個適合的子組為不飽和矽烷化合物，或較佳為式（II）之共聚單體
Figure 02_image007
其中各A獨立地為具有1-8個碳原子、適合地具有1-4個碳原子之烴基。
當含有矽烷基之單元併入最終聚合物（a）作為共聚單體，較佳作為式（I）、較佳式（II）之共聚單體時，該共聚單體之不飽和、較佳乙烯基官能基經由自由基聚合方法併入聚合物中，由此該共聚單體之兩個C原子變成最終聚合物（a）之主鏈之一部分，如熟習此項技術者所熟知。儘管在接枝中聚合物（a）首先聚合至聚合物且最終聚合物藉由用過氧化物接枝而獲得，但含有矽烷基之單元較佳呈式（I）、較佳式（II）之矽烷化合物形式，其中乙烯基不飽和之C原子中之一者附接至聚合物主鏈，如熟習此項技術者所熟知。因此，如熟習所申請之聚合物中之熟習此項技術者顯而易知，與藉由接枝形成之分支相比，與矽烷基附接之分支短一個碳原子。此將具有以下暗示：接枝矽烷自聚合物主鏈進一步延伸出，且對於反應變得比共聚合之聚合物更易於獲得。
此外，與將單元接枝相比，將呈共聚單體形式之含有矽烷基之單元共聚合至聚合物主鏈中提供單元之更均勻併入。共聚合之矽烷基視矽烷、乙烯與其他單體之間的反應性比率而分佈，而接枝製程提供聚合物，其中矽烷基無法併入有任何受控分佈。換言之，當含有矽烷基之單元呈共聚單體形式併入聚烯烴共聚物（較佳聚乙烯共聚物）之聚合物主鏈時，則所形成之共聚物為均勻的「無規共聚物」，與含有接枝矽烷基之單元的更均勻分佈相比，該術語具有熟知意義。此外，與接枝相比，共聚合不需要在製造聚合物之後添加過氧化物。
本發明之含有矽烷基之單元或較佳共聚單體較佳為式（II）之化合物，其為乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基雙甲氧基乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷，更佳為乙烯基三甲氧基矽烷或乙烯基三乙氧基矽烷，更佳為乙烯基三甲氧基矽烷共聚單體。
當根據如根據「測定方法」在下文所述之「共聚單體含量」來測定時，存在於聚合物（a）中、較佳以共聚單體形式存在之含有矽烷基之單元的量（mol%）較佳為0.01至2.0 mol%，較佳為0.01至1.00 mol%，適合地為0.05至0.80 mol%，適合地為0.10至0.60 mol%，適合地為0.10至0.50 mol%。
在聚合物（a）之一個具體實例（A1）中，聚合物（a）為帶有含有矽烷基之共聚單體（a1）之乙烯之聚合物。在聚合物（a）之此具體實例（A1）中，聚合物（a1）不含有（亦即無）如關於聚合物（a2）所定義之極性共聚單體。較佳地，含有矽烷基之共聚單體為存在於聚合物（a1）中之唯一共聚單體。因此，聚合物（a1）較佳藉由在高壓聚合製程中在含有矽烷基之共聚單體存在下使用自由基引發劑來使乙烯單體共聚合來製得。較佳地，含有矽烷基之共聚單體為存在於乙烯之聚合物（a1）中之唯一共聚單體。
在聚合物（a）之該一個較佳具體實例（A1）中，如上文或申請專利範圍中所定義，聚合物（a1）較佳為乙烯與根據式（I）之含有矽烷基之共聚單體之共聚單體的共聚物，更佳地為乙烯與根據式（II）之含有矽烷基之共聚單體的共聚物，更佳地為乙烯與根據式（II）之選自以下之含有矽烷基之共聚單體的共聚物：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基雙甲氧基乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷或乙烯基三甲氧基矽烷共聚單體。最佳地，聚合物（a1）為乙烯與以下之共聚物：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基雙甲氧基乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷或乙烯基三甲氧基矽烷共聚單體，較佳為乙烯與乙烯基三甲氧基矽烷或乙烯基三乙氧基矽烷共聚單體之共聚物，最佳為乙烯與乙烯基三甲氧基矽烷共聚單體之共聚物。
在聚合物（a）之另一具體實例（A2）中，聚合物（a）為乙烯與一或多種選自丙烯酸(C1-C6)-烷酯或(C1-C6)-烷基丙烯酸(C1-C6)-烷酯共聚單體（a2）之極性共聚單體的共聚物，該共聚物（a2）帶有含有矽烷基之單元。在聚合物（a）之此具體實例（A2）中，聚合物（a2）為乙烯與一或多種、較佳一種選自丙烯酸(C1-C6)-烷酯或(C1-C6)-烷基丙烯酸(C1-C6)-烷酯共聚單體及含有矽烷基之共聚單體之極性共聚單體的共聚物。較佳地，乙烯之聚合物（a2）之極性共聚單體選自丙烯酸(C1-C6)-烷酯共聚單體中之一者，較佳選自丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯或丙烯酸丁酯共聚單體。更佳地，聚合物（a2）為乙烯與選自丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯或丙烯酸丁酯共聚單體之極性共聚單體及與含有矽烷基之共聚單體的共聚物。聚合物（a2）最佳為乙烯與選自丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯或丙烯酸丁酯共聚單體之極性共聚單體及與式（I）之化合物之含有矽烷基之共聚單體的共聚物。較佳地，在此具體實例中，極性共聚單體及較佳含有矽烷基之共聚單體為存在於乙烯之共聚物（a2）中的唯一共聚單體。
在聚合物（a）之另一具體實例（A3）中，聚合物（a）為聚合物（a3），其較佳為乙烯與一或多種、較佳一種選自(C1-C8)-α-烯烴共聚單體之共聚單體的聚合物。
最佳地，聚合物（a）選自聚合物（a1）或（a2）。
當根據如根據「測定方法」在下文中所述之「共聚單體含量」量測時，存在於聚合物（a2）中之極性共聚單體之含量較佳為0.5至30.0 mol%、2.5至20.0 mol%，較佳為4.5至18 mol%，較佳為5.0至18.0 mol%，較佳為6.0至18.0 mol%，較佳為6.0至16.5 mol%，更佳為6.8至15.0 mol%，更佳為7.0至13.5 mol%。
在聚合物（a）之該另一較佳具體實例（A2）中，如上文或申請專利範圍中所定義，聚合物（a2）較佳為具有如上文、下文或申請專利範圍中所定義之極性共聚單體及具有根據式（I）之含有矽烷基之共聚單體、更佳具有根據式（II）之含有矽烷基之共聚單體、更佳具有選自以下之根據式（II）之含有矽烷基之共聚單體的乙烯之共聚物：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基雙甲氧基乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷或乙烯基三甲氧基矽烷共聚單體。較佳地，聚合物（a2）為乙烯與丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯或丙烯酸丁酯共聚單體及與乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基雙甲氧基乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷或乙烯基三甲氧基矽烷共聚單體、較佳與乙烯基三甲氧基矽烷或乙烯基三乙氧基矽烷共聚單體之共聚物。更佳地，聚合物（a2）為乙烯與丙烯酸甲酯共聚單體及與乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基雙甲氧基乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷或乙烯基三甲氧基矽烷共聚單體、較佳與乙烯基三甲氧基矽烷或乙烯基三乙氧基矽烷共聚單體、更佳與乙烯基三甲氧基矽烷之共聚物。
因此，聚合物（a2）最佳為乙烯與丙烯酸甲酯共聚單體以及如上文、下文或申請專利範圍中所定義之含有矽烷基之共聚單體的共聚物，較佳為乙烯與丙烯酸甲酯共聚單體及與乙烯基三甲氧基矽烷或乙烯基三乙氧基矽烷共聚單體、較佳與丙烯酸甲酯共聚單體及與乙烯基三甲氧基矽烷共聚單體的共聚物。
在不與任何理論結合之情況下，丙烯酸甲酯（MA）為無法通過酯熱解反應之唯一丙烯酸酯，因為不具有此反應路徑。因此，具有MA共聚單體之聚合物（a2）在高溫下不形成任何有害酸（丙烯酸）降解產物，由此乙烯及丙烯酸甲酯共聚單體之聚合物（a2）有助於其最終物品之良好品質及生命週期。此並非例如EVA之乙酸乙烯酯單元之情況，因為EVA在高溫下形成有害的乙酸降解產物。另外，如丙烯酸乙酯（EA）或丙烯酸丁酯（BA）之其他丙烯酸酯可通過酯熱解反應，且若降解，則可形成揮發性烯烴副產物且在聚合物主鏈上產生酸性基團。
與先前技術相比，層元件（LE）之至少一個層中所存在之聚合物（a）必要時使得能夠降低聚合物（a）之MFR，且因此在製造本發明之較佳層元件（LE）期間提供更高流動阻力。因此，必要時，較佳MFR可進一步有助於層元件（LE）之品質，且有助於包含層元件（LE）之其物品。
聚合物組成物、較佳聚合物（a）之熔體流動速率MFR2 較佳小於20 g/10 min，較佳小於15 g/10 min，較佳為0.1至13 g/10 min，較佳為0.2至10 g/10 min，較佳為0.3至8 g/10 min，更佳為0.4至6 g/10 min（根據ISO 1133，在190℃下且在2.16 kg之負載下）。
必要時，聚合物組成物、較佳聚合物（a）之較佳MFR可進一步有助於本發明之較佳層元件（LE）之品質、物品、較佳包含較佳層元件（LE）之物品。另外，必要時，本發明之聚合物（a）可具有低MFR，例如比習用於光伏打（PV）模組領域中低的MFR，因為聚合物（a）具有有利流動性及可加工特性，以及極適合的黏著特性。
當根據如根據「測定方法」所述之ASTM D3418來量測時，組成物、較佳聚合物（a）之熔融溫度Tm較佳為120℃或更低，較佳為110℃或更低，更佳為100℃或更低且最佳為95℃或更低。較佳地，當如下文根據「測定方法」所述量測時，組成物、更佳聚合物（a）之熔融溫度為70℃或更高，更佳為75℃或更高，甚至更佳為78℃或更高。較佳熔融溫度對於例如本發明之較佳層元件（LE）之層壓製程有益，因為可減少熔融/軟化步驟之時間。
典型地且較佳地，夾層元件之乙烯（a）之組成物、較佳地聚合物之密度高於860 kg/m3。較佳地，根據ISO 1872-2，如下文根據「測定方法」所述，密度不高於970 kg/m3，且較佳為920至960 kg/m3。
較佳聚合物（a）為乙烯與乙烯基三甲氧基矽烷共聚單體之共聚物（a1）或乙烯與丙烯酸甲酯共聚單體及與乙烯基三甲氧基矽烷共聚單體之共聚物（a2）。最佳聚合物（a）為乙烯與丙烯酸甲酯共聚單體及與乙烯基三甲氧基矽烷共聚單體之共聚物（a2）。
組成物之聚合物（a）可為例如可商購的或可根據或類似於化學文獻中所述之已知聚合方法來製備。
在一較佳具體實例中，聚合物（a）（亦即聚合物（a1）或（a2））藉由在高壓（HP）方法中在一或多種引發劑之存在下使用自由基聚合且視情況使用鏈轉移劑（CTA）以控制聚合物之MFR而使乙烯與如上文所定義之含有矽烷基之共聚單體（=以共聚單體形式存在之含有矽烷基之單元）適合地聚合來製備，且在聚合物（a2）之情況下，亦藉由將乙烯與極性共聚單體聚合來製備。HP反應器可為例如熟知管式或高壓釜反應器或其混合物，適合地為管式反應器。高壓（HP）聚合及視所需最終應用而針對進一步定製聚合物之其他特性來調節加工條件為熟知的且描述於文獻中，且熟習此項技術者可易於使用。適合的聚合溫度範圍為至多400℃，適合地為80至350℃，且壓力為70 MPa、適合地100至400 MPa，適合地為100至350 MPa。高壓聚合一般在100至400 MPa之壓力及80至350℃之溫度下進行。該等方法為熟知的且良好記錄於文獻中且稍後將在下文中進一步描述。
併入共聚單體可以熟知方式執行且在熟習此項技術者之技能內，該併入當存在時包括將作為共聚單體之含有矽烷基之單元較佳形成為乙烯單體且控制共聚單體饋入以獲得該共聚單體之所需最終含量。
藉由高壓自由基聚合來製造乙烯（共）聚合物之其他細節可見於即Encyclopedia of Polymer Science and Engineering，第6卷 (1986)，第383-410頁以及Encyclopedia of Materials：Science and Technology，2001 Elsevier Science Ltd.:「Polyethylene：High-pressure」，R.Klimesch，D.Littmann及F.-O. Mahling 第7181-7184頁中。
該HP聚合產生所謂之低密度乙烯之聚合物（low density polymer of ethylene；LDPE），本文中產生聚合物（a1）或聚合物（a2）。術語LDPE具有聚合物領域中之熟知意義且描述HP中製得的聚乙烯之性質（亦即典型特徵，諸如不同分支架構）以區分LDPE與在烯烴聚合催化劑（亦稱為配位催化劑）存在下製得之PE。儘管術語LDPE為低密度聚乙烯之縮寫，但該術語應理解為不限制密度範圍，而是涵蓋具有低、中等及較高密度之LDPE類HP聚乙烯。
聚合物（a3）可為可商購的或可以聚合製程使用配位催化劑，典型地齊格勒-納塔（Ziegler-Natta）或單位點催化劑製得，如文獻中所良好記錄。方法、方法條件及催化劑之選擇在熟習此項技術者之技能內。
在下文中，「按本發明之聚合物組成物之量（100 wt%）計」之量意謂存在於本發明之聚合物組成物中的組分之量總計100 wt%。
在一個具體實例中，本發明之組成物適合地包含不同於HALS（A）之添加劑。較佳地，按組成物之總量（100 wt%）計，組成物包含 - 0.0001至10.0 wt%之添加劑，較佳0.0001及5.0 wt%，如0.0001及2.5 wt%之不同於HALS（A）之添加劑，及視情況選用之 - 0至40.0 wt%顏料。
若存在，顏料較佳呈0.10至40.0 wt%、適合地0.20至40.0 wt%、較佳0.3至30.0 wt%、較佳0.3至25.0 wt%、較佳0.30至20.0 wt%、更佳0.30至15.0 wt%之量。
視情況選用之顏料較佳選自無機顏料，較佳選自無機白色顏料。更佳地，視情況選用之顏料為二氧化鈦TiO2 。二氧化鈦TiO2 較佳呈金紅石之形式。金紅石為主要基於二氧化鈦之礦物質，且具有如此項技術中熟知之四方單位晶胞結構。
在一個較佳具體實例中，聚合物組成物包含以下、較佳由以下組成： - 帶有含有矽烷基之單元之聚合物（P）； - 按聚合物組成物之量（100 wt%）計呈0.01至1.0 wt%之量的HALS（A）；及 - 視情況選用之添加劑，較佳0.0001至10 wt%之添加劑，較佳0.0001及5.0 wt%，如0.0001及2.5 wt%之不同於HALS（A）之添加劑。
天然地，較佳添加劑亦不同於聚合物（a）或視情況選用之顏料。
除HALS（A）或視情況選用之顏料外的視情況選用之添加劑為例如適用於所需最終應用且在熟習此項技術者之技能內之習知添加劑，包括但不限於較佳至少抗氧化劑、UV光穩定劑及/或UV光吸收劑，且亦可包括金屬去活化劑、澄清劑、增亮劑、除酸劑以及助滑劑等。視情況選用之添加劑較佳不包括任何含有亞磷酸鹽之添加劑。視情況選用之抗氧化劑通常不包括位阻酚抗氧化劑。各添加劑可例如以習知量使用，存在於本發明之聚合物組成物中之添加劑的總量較佳如上文所定義。該等添加劑通常為可商購的且描述於例如Hans Zweifel之「Plastic Additives Handbook」，第5版，2001中。
在一較佳具體實例中，聚合物組成物由作為唯一聚合組分之聚合物（a）組成。「聚合組分」不包括本文中任何HALS之載體聚合物、視情況選用之添加劑或視情況選用之顏料，例如載體聚合物（若HALS存在）、視情況選用之添加劑或視情況選用之顏料存在於組成物中之所謂的母體批料中。該（等）視情況選用之載體聚合物基於聚合物組成物之量（100 wt%）計算為相應HALS、添加劑及/或顏料之量。
必要時，可使聚合物組成物、較佳聚合物（a）交聯。
聚合物組成物、較佳聚合物（a）較佳不使用過氧化物交聯。較佳地，聚合物組成物無過氧化物。
必要時，視最終應用而定，在本發明之層壓製程之前或期間，物品之聚合物組成物、較佳層元件（LE）之聚合物組成物、較佳聚合物（a）可經由含有矽烷基之單元使用矽烷醇縮合催化劑（SCC）交聯，該催化劑較佳選自以下之群：錫、鋅、鐵、鉛或鈷之羧酸鹽或芳族有機磺酸。該等SCC為例如可商購的。
應理解，如上文所定義之SCC為習知供應以用於交聯目的之SCC。
可視情況存在於聚合物組成物中，較佳層元件（LE）之聚合物組成物中之矽烷醇縮合催化劑（SCC）更佳選自由諸如錫、鋅、鐵、鉛及鈷之金屬之羧酸鹽組成之群C；選自帶有可水解成布忍司特酸（Bronsted acid）之基團的鈦化合物（較佳如Borealis之WO 2011/160964中所述，作為參考包括於本文中），選自有機鹼；選自無機酸；且選自有機酸；適合地選自諸如錫、鋅、鐵、鉛及鈷之金屬之羧酸鹽，選自帶有可水解成布忍司特酸之基團的鈦化合物或選自有機酸，較佳選自二月桂酸二丁錫（DBTL）、二月桂酸二辛錫（DOTL）、特定言之DOTL；或芳族有機磺酸，其適合地為包含如下結構要素之有機磺酸：
Figure 02_image009
其中Ar為芳基，其可經取代或未經取代，且若經取代，則適合地經至少一個至多50個碳原子之烴基取代，且x為至少1；或式（III）之磺酸之前驅體包括其酸酐或式（III）之磺酸，其已具備可水解保護基，例如可藉由水解移除之乙醯基。該等有機磺酸描述於例如EP736065中或者EP1309631及EP1309632中。
若存在，則視情況選用之交聯劑（SCC）之量較佳為0至0.1 mol/kg，如0.00001至0.1 mol/kg、較佳為0.0001至0.01 mol/kg，更佳為0.0002至0.005 mol/kg，更佳為0.0005至0.005 mol/kg乙烯之聚合物（a）。較佳地，聚合物組成物中不存在交聯劑（SCC）。
在本發明之一較佳具體實例中，在聚合物組成物中不存在矽烷縮合催化劑（SCC），其選自由錫有機催化劑或芳族有機磺酸組成之群C的SCC群。在另一較佳具體實例中，在聚合物組成物中不存在如上文所定義之過氧化物或矽烷縮合催化劑（SCC）。亦即，聚合物組成物較佳無過氧化物且無「群C之矽烷縮合催化劑（SCC）」。如已提及，在本發明之聚合物組成物之情況下，可避免如上文、下文或申請專利範圍中所提及使用習知SCC或過氧化物使聚合物組成物交聯，其有助於實現其最終應用，例如本發明之層元件（LE）之良好品質。
本發明提供一種如前述申請專利範圍中任一項所述之聚合物組成物之用途，其用於製造包含一或多個層之層元件（LE），該一或多個層包含該聚合物組成物。
本發明亦提供聚合物組成物之用途，其用於製造包含層元件（LE）之物品。 本發明之層元件（LE）/物品及其最終應用
本發明亦提供包含一或多個層之層元件（LE），其中至少一個層包含本發明之聚合物組成物、較佳由其組成，該聚合物組成物包含 - 聚合物（P）； - 含有矽烷基之單元（b）；及 - 包含式（A0）之單元之受阻胺化合物（HALS）；如上文及申請專利範圍中所定義。
層元件（LE）較佳選自 - 單層元件，其包含如上文、下文或申請專利範圍中所定義之聚合物組成物，或 - 多層元件，其中至少一個層包含如上文、下文或申請專利範圍中所定義之聚合物組成物。
較佳地，本發明之層元件（LE）之一或多個層由本發明之聚合物組成物組成。更佳地，層元件（LE）之一個層包含聚合物組成物、較佳由其組成。一個較佳層元件（LE）為包含本發明之聚合物組成物、較佳由其組成之單層元件。
本發明亦提供一種包含本發明之聚合物組成物之物品。
較佳地，物品包含層元件（LE），該層元件包含本發明之聚合物組成物、較佳由其組成，該聚合物組成物包含 - 聚合物（P）； - 含有矽烷基之單元（b）；及 - 包含式（A0）之單元之受阻胺化合物（HALS）；如上文及申請專利範圍中所定義。
層元件（LE）可為物品之一部分，例如模製物品（如瓶子或容器）中之任何形狀之一層，諸如標籤為該物品；或亦即，物品由層元件（LE）組成，其為例如用於封裝或熱成形之單或多層膜；或物品為兩個或更多個層元件之組件，其中一個層元件為本發明之層元件（LE）。
應瞭解，本發明之組件之層元件中之一部分或各者典型地且較佳為該組件提供一種不同功能。
較佳層元件（LE），較佳地物品之層元件（LE）為包含如上文、下文或申請專利範圍中所定義之聚合物組成物、較佳由其組成之單層元件。
物品較佳為包含兩個或更多個層元件之組件，其中至少一個層元件為層元件（LE）。光伏打（PV）模組為該組件之一個實例，其包含具有不同功能之層元件。
物品作為組件之另一非限制性實例為用於以下之物品：建築應用，如建築物中之元件，例如建築用元件，諸如外部/內部元件，如建築物外部的外牆、窗口元件、門元件或室內牆壁元件等；用於橋樑中之元件；用於載具中之元件，諸如汽車、火車、飛機或船中之窗口等；用於製造設備中之元件，如機器中之安全窗口等；用於製造設備中之元件，如機器中之安全窗口；用於家用裝置中之元件；用於投影應用，如平視顯示器，或用於傢俱中之元件等；不限於上文所提及之應用，包含如上文、下文或申請專利範圍中所定義層元件（LE）。圖2說明物品之組件之此類其他具體實例，其為例如用於安全、絕緣或熱應用之層壓玻璃元件，其皆具有熟知含義。在圖2中，層壓玻璃元件包含第一層元件（1）、包含本發明之聚合物組成物的本發明之層元件（LE）及第二層元件（2）。
物品、較佳組件較佳為包含光伏打元件及一或多個其他層元件之光伏打（PV）模組，其中至少一個層元件為包含聚合物組成物、較佳由其組成之本發明之層元件（LE），該聚合物組成物包含 - 聚合物（P）； - 含有矽烷基之單元（b）；及 - 包含式（A0）之單元之受阻胺化合物（HALS）；如上文及申請專利範圍中所定義。
較佳地，本發明之光伏打（PV）模組按給定順序包含保護性前部層元件、前部封裝層元件、光伏打元件、後部封裝層元件及保護性背部層元件，其中至少一個層元件為本發明之層元件（LE）。
應瞭解，在本文中，PV模組之保護性前部層元件及前部封裝層元件位於光伏打（PV）模組之光接收側上。
保護性背部層元件在本文中亦稱為背部薄片層元件。
「光伏打元件」意謂元件具有光伏打活性。光伏打元件可為例如光伏打電池之元件，其具有此項技術中熟知的意義。基於矽之材料（例如結晶矽）為用於光伏打電池之材料的非限制性實例。如熟習此項技術者熟知，結晶矽材料可隨結晶度及晶體尺寸而變化。可替代地，光伏打元件可為一個表面（上面有具有光伏打活性之另一層或沈積物）上的基板層，例如玻璃層，其中在其一側上列印具有光伏打活性之墨水材料，或其一側沈積有具有光伏打活性之材料的基板層。舉例而言，在光伏打元件之熟知薄膜溶液中，例如具有光伏打活性之墨水列印於基板之一側，該基板典型地為玻璃基板。
光伏打元件最佳為光伏打電池之元件。
本文中，「光伏打電池」意謂如上文所解釋之光伏打電池之層元件以及連接器。
PV模組可視情況按給定順序在背部薄片層元件之後包含保護蓋作為另一層元件，其可為例如金屬框架，諸如鋁框架（具有接線盒）。
所有該等術語具有此項技術中熟知之意義。
上文元件之除層元件（LE）之聚合物組成物外之材料在先前技術中熟知，且可藉由熟習此項技術者視所需PV模組而選擇。
如已熟知，本發明之光伏打模組之元件及層結構可視PV模組之所需類型而變化。光伏打模組可為剛性或可撓性的。剛性光伏打模組可例如含有剛性保護性前部層元件，諸如可為剛性或可撓性之玻璃元件、前部封裝層元件、光伏打層元件、後部封裝層元件及背部薄片層元件。在可撓性模組中，所有上述元件皆為可撓性的，其中保護性前部層元件及背部層元件以及前部封裝層元件及後部封裝層元件典型地基於聚合層元件。
另外，以上PV模組之層元件中之任一者可為單層元件或多層元件。較佳地，PV模組之前部封裝層元件及背部封裝層元件中之至少一者或兩者為封裝單層元件。
作為本發明之物品之光伏打（PV）模組之最佳具體實例為光伏打（PV）模組，其按給定順序包含保護性前部層元件、前部封裝層元件、光伏打元件、後部封裝層元件及保護性背部層元件，其中前部封裝層元件或後部封裝層元件、或前部封裝層元件及後部封裝層元件兩者為本發明之層元件（LE）。
在此具體實例中，PV模組之其他層元件較佳包含與本發明之聚合物組成物不同的聚合物組成物，較佳由其組成。
更佳地，前部封裝層元件及後部封裝元件較佳包含層元件（LE），較佳由其組成，該層元件較佳為包含本發明之組成物、較佳由其組成之單層元件。
僅作為非限制性實例，前部封裝層元件與後部封裝層元件之厚度典型地為至多2 mm、較佳至多1 mm、典型地0.3至0.6 mm。
僅作為非限制性實例，剛性保護性前部層元件（例如玻璃層）之厚度典型地為至多10 mm、較佳至多8 mm、較佳2至4 mm。僅作為非限制性實例，可撓性保護性前部層元件（例如聚合（多）層元件）之厚度典型地為至多700 μm，如90至700 μm，適合地為100至500 μm，諸如100至400 μm。
僅作為非限制性實例，光伏打元件（例如單晶光伏打電池之元件）之厚度典型地在100至500微米之間。
在一些具體實例中，如在此項技術中所熟知，在組件、較佳本發明之PV模組之不同層元件之間及/或在層元件（如層元件（LE））之多層元件之各層之間可存在黏著層。該等黏著層具有用於改良兩個元件之間的黏著性之功能，且具有層壓領域中之熟知意義。如熟習此項技術者顯而易知，黏著層區別於PV模組之其他功能層元件，例如如上文、下文或申請專利範圍中所指定之元件。較佳地，在保護性前部層元件與前部封裝層元件之間不存在黏著層，及/或較佳地，在保護性背部層元件與後部封裝層元件之間無黏著層。較佳地，在作為前部封裝元件之層元件（LE）與PV模組之光伏打元件之間不存在黏著層。較佳地，在作為後部封裝元件之層元件（LE）與PV模組之光伏打元件之間不存在黏著層。更佳地，在層元件（LE）之視情況選用之多層元件之各層之間不存在黏著層。在一個較佳具體實例中，層元件（LE）為單層元件。
圖1為本發明之較佳PV模組之一個實例之示意圖，其包含保護性前部層元件（1）、前部封裝層元件（2）、光伏打元件（3）、後部封裝層元件（4）及保護性背部層元件（5）。在一個較佳具體實例中，後部封裝層元件（4）或前部封裝層元件（2），或及較佳前部封裝層元件（2）及後部封裝層元件（4）包含本發明之聚合物組成物，較佳由其組成。
PV模組之單獨層元件可以光伏打領域或文獻中熟知之方式製得；或可以PV模組之層元件購得。可如下文所述製造層元件（LE）、較佳作為前部封裝層元件及較佳作為後部封裝層元件之層元件（LE）之PV層元件。
亦應理解，在進行本發明之下文所述之較佳層壓製程之前，層元件之一部分可呈整合形式，亦即該等PV元件中之兩者或更多者可例如藉由層壓整合在一起。
舉例而言，必要時，可藉由擠壓或層壓或藉由其任何組合將後部封裝層元件整合至保護性背部層元件（亦即，整合至背部薄片層元件），隨後將PV模組之層元件配置至組件中且將組件之該等PV元件整合在一起，典型地層壓在一起。
本發明進一步提供一種製造層元件（LE）之方法，其中層元件（LE）典型地使用如文獻中所述之習知擠壓機藉由擠壓製得。擠壓條件之選擇在熟習此項技術者之技能內。較佳地，作為層元件（LE）之單層或多層元件層元件，較佳單層元件藉由鑄膜擠壓製得。
本發明進一步提供一種製造本發明之物品之方法，其較佳藉由層壓製造如上文、下文或申請專利範圍中所定義之組件，該方法包含： （i）配置本發明之層元件（LE）之組裝步驟，較佳以形成具有至少一個另外層元件之組件； （ii）加熱步驟，其用於視情況且較佳地在抽真空條件下在腔室中加熱所形成之組件； （iii）加壓步驟，其用於在加熱條件下在組件上產生及保持壓力，以用於進行組件之層壓；及 （iv）回收步驟，其用於冷卻及移除包含層壓組件之所獲物品。
層壓製程之以下製程條件對於製造本發明之光伏打（PV）模組較佳，且可以任何順序組合。
製造本發明之PV模組之較佳製程為層壓製程，其中PV模組之不同功能層元件、典型地為預製層元件進行層壓以形成整合式最終PV模組。
本發明因此亦提供一種製造光伏打（PV）模組之較佳層壓製程，該光伏打（PV）模組按給定順序包含保護性前部層元件、前部封裝層元件、光伏打元件、後部封裝層元件及保護性背部層元件，其中至少前部封裝層元件或後部封裝層元件、較佳前部封裝層元件及後部封裝層元件兩者為本發明之層元件（LE），其包含聚合物組成物、較佳由其組成，該聚合物組成物包含 - 聚合物（P）； - 含有矽烷基之單元（b）；及 - 包含式（A0）之單元之受阻胺化合物（HALS）；如上文及申請專利範圍中所定義； 其中該方法包含以下步驟： （i）組裝步驟，其按給定順序配置保護性前部層元件、前部封裝層元件、光伏打元件、後部封裝層元件及保護性背部層元件以形成光伏打模組組件； （ii）加熱步驟，其視情況在抽真空條件下在腔室中加熱光伏打模組組件； （iii）加壓步驟，其用於在加熱條件下在光伏打模組組件上產生及保持壓力，以用於進行組件之層壓；及 （iv）回收步驟，其冷卻且移除所獲光伏打模組以用於後續使用。
本文中應理解，在對物品、較佳PV模組進行層壓製程之前，組件之層元件之一部分可整合在一起（例如藉由預層壓或（共）擠壓）。
層壓製程在可為例如適用於待層壓之多層之任何習知層壓機的層壓機設備中進行。層壓機之選擇在熟習此項技術者之技能內。典型地，層壓機包含其中進行加熱、視情況且較佳地抽真空、加壓及覆蓋（包括冷卻）步驟（ii）-（iv）之腔室。
在本發明之一較佳層壓製程中： - 當前部封裝或後部封裝層元件中之至少一者達至比該層元件（LE）中、較佳該後部封裝層元件中之該層元件（LE）中所存在之聚合物（P）、較佳乙烯之聚合物（a）之熔融溫度高至少3至10℃之溫度時，開始加壓步驟（iii）；且 - 該加壓步驟（iii）之總持續時間為至多15分鐘。
加熱步驟（ii）之持續時間較佳為至多10分鐘，較佳為3至7分鐘。加熱步驟（ii）可且典型地逐步進行。
當至少一個層元件達至比聚合物（P）、較佳層元件（LE）之聚合物（a）之熔融溫度高3至10℃之溫度時，較佳開始加壓步驟（iii）。
當層元件（LE）、較佳乙烯之聚合物（a）之層元件（LE）達至至少85℃、適合地85至150℃、適合地85至148℃、適合地85至140℃、較佳90至130℃、較佳90至120℃、較佳90至115℃、較佳90至110℃、較佳90至108℃之溫度時，較佳開始加壓步驟（iii）。
在加壓步驟（iii）下，壓力累積之持續時間較佳為至多5分鐘，較佳為0.5至3分鐘。在加壓步驟期間累積至所需水準之壓力可在一個步驟中進行或可在多個步驟中進行。
在加壓步驟（iii）下，保持壓力之持續時間較佳為至多10分鐘，較佳為3.0至10分鐘。
加壓步驟（iii）之總持續時間較佳為2至10分鐘。
加熱步驟（ii）及加壓步驟（iii）之總持續時間較佳為至多25分鐘，較佳為2至20分鐘。
加壓步驟（iii）中所用之壓力較佳為至多1000 mbar，較佳500至900 mbar。 測定方法
除非實施方式或實驗部分另外陳述，否則如正文或實驗部分中所指定，以下方法用於聚合物組成物、極性聚合物及/或其任何樣品製劑之特性測定。 熔體流動速率
熔體流動速率（MFR）根據ISO 1133測定且以g/10 min為單位指示。MFR為聚合物之流動性，且因此可加工性之指示。熔體流動速率愈高，聚合物之黏度愈低。在190℃下測定聚乙烯之MFR。可在諸如2.16 kg（MFR2 ）或5 kg（MFR5 ）之不同負載下測定MFR。 密度
低密度聚乙烯（LDPE）：根據ISO 1183-2量測聚合物之密度。根據ISO 1872-2表3Q（壓縮模製）製備樣品。 共聚單體含量： 聚合物中存在之極性共聚單體的含量（wt%及mol%）以及聚合物組成物（較佳聚合物）中存在之含有矽烷基之單元（較佳共聚單體）的含量（wt%及mol%）：
使用定量核磁共振（nuclear-magnetic resonance；NMR）光譜法定量如在本文上文或下文中所給出之聚合物組成物或聚合物之共聚單體含量。
使用在400.15 MHz下操作的Bruker Advance III 400 NMR光譜儀記錄呈溶液狀態之定量1 H NMR譜。所有光譜均在100℃下使用氮氣（對於所有氣動裝置）使用標準寬帶倒轉5 mm探頭記錄。將約200 mg材料溶解於1,2 -四氯乙烷-d 2 （TCE-d 2 ）中，使用二第三丁基羥基甲苯（BHT）（CAS 128-37-0）作為穩定劑。採用標準單脈衝激發，其利用30度脈衝，3 s馳緩延遲且無樣品旋轉。使用2次虛擬掃描獲得每個光譜總計16個瞬態。每FID收集總計32k資料點，停留時間60 μs，此對應於大致20 ppm之光譜窗。FID接著零填充至64k資料點且使用0.3 Hz線拓寬應用指數窗口功能。選擇此設定主要針對解析定量信號之能力，該等信號當存在於相同聚合物中時由丙烯酸甲酯及乙烯基三甲基矽氧烷共聚合產生。
定量1 H NMR譜使用定製光譜分析自動程式處理、整合及測定定量特性。所有化學位移均以5.95 ppm處之殘餘質子化溶劑信號為內部參考。
當在多種共聚單體序列中存在併入丙烯酸乙烯酯（VA）、丙烯酸甲酯（MA）、丙烯酸丁酯（BA）以及乙烯基三甲基矽氧烷（VTMS）產生的特徵信號時，對其進行觀測（Randell89）。關於所有其他單體計算聚合物中存在的所有共聚單體含量。
使用4.84 ppm處指派給*VA位置之信號的積分，對每個共聚單體報導之核數目進行解釋，且校正BHT之OH質子重疊（存在時），定量丙烯酸乙烯酯（VA）併入：
Figure 02_image011
使用3.65 ppm處指派給1MA位置之信號的積分，對每個共聚單體報導之核數目進行解釋，定量丙烯酸甲酯（MA）併入：
Figure 02_image013
使用4.08 ppm處指派給4BA位置之信號的積分，對每個共聚單體報導之核數目進行解釋，定量丙烯酸丁酯（BA）併入：
Figure 02_image015
使用3.56 ppm處指派給1VTMS位置之信號的積分，對每個共聚單體報導之核數目進行解釋，定量乙烯基三甲基矽氧烷併入：
Figure 02_image017
觀測到額外使用BHT作為穩定劑產生之特徵信號。使用6.93 ppm處指派給ArBHT位置之信號的積分，對每個分子報導之核數目進行解釋，定量BHT含量：
Figure 02_image019
使用0.00-3.00 ppm之間的整體脂族（整體）信號的積分，定量乙烯共聚單體含量。此積分可包括獨立乙酸乙烯酯併入之1VA（3）及αVA（2）位置、獨立丙烯酸甲酯併入之*MA及αMA位置、1BA（3）、2BA（2）、3BA（2）、*BA（1）及αBA（2）位置、獨立乙烯基矽烷併入之*VTMS及αVTMS位置，及BHT之脂族位置以及聚乙烯工序之位置。基於整體積分及所觀測之共聚單體序列及BHT之補償來計算總乙烯共聚單體含量：
Figure 02_image021
應注意，整體信號中之一半信號表示乙烯且不表示共聚單體，且由於不可能補償兩個不具有相關分支位置之飽和鏈末端而引入不顯著誤差。
如下計算聚合物中給定單體（M）之總莫耳分數：
Figure 02_image023
以標準方式自莫耳分數計算以莫耳百分比為單位的給定單體（M）之總共聚單體併入：
Figure 02_image025
以標準方式自莫耳分數及單體之分子量（MW）計算以重量百分比為單位的給定單體（M）之總共聚單體併入：
Figure 02_image027
randall89：J. Randall，Macromol. Sci.，Rev. Macromol. Chem. Phys. 1989，C29，201。
若觀測到來自其他特定化學物種之特徵信號，則可以與用於特定地描述化學物種類似之方式擴展定量及/或補償之邏輯。亦即，鑑別特徵信號、藉由整合一或多個特異性信號定量、按比例調整所報導核數目以及主體積分補償以及相關計算。儘管此方法對所討論之特異性化學物種具有特異性，但方法係基於聚合物之定量NMR光譜法之基本原理且因此可由熟習此項技術者按需要實施。 黏著性測試：
對層壓帶進行黏著性測試，在拉伸測試設備中剝離密封劑膜及背部薄片，同時量測此舉所需之力。
首先層壓由玻璃、2個密封劑膜及背部薄片組成之層壓物。在玻璃與第一密封劑膜之間，在末端中之一者處插入較小的鐵氟龍（Teflon）薄片，此將產生密封劑及未黏著於玻璃之背部薄片之小部分。此部分將用作拉伸測試裝置之錨定點。在145℃下，使用2分鐘抽空時間及6分鐘之用膜向下在800毫巴之壓力下之保持時間來執行所有真空層壓。
接著將層壓物沿層壓物切割以形成13 mm寬條帶，切割穿過背部薄片及密封劑膜一直降至玻璃表面。
將層壓物安裝於拉伸測試設備中且將拉伸測試裝置之夾具連接於條帶末端。
相對於層壓物之拉動角為90°且拉動速度為50 mm/min。
黏著性為向條帶中開始25 mm且結束於75 mm時每50 mm剝離之平均力。
50 mm上之平均力在條帶之寬度為13 mm時除以1,3且呈現為黏著強度（N/cm）。 熔融溫度、結晶溫度（Tcr ）及結晶度
根據ASTM D3418量測所用聚合物之熔融溫度Tm。用Mettler TA820差示掃描熱量測定（DSC）在3+至0.5 mg樣品上量測Tm及Tcr。在-10至200℃之間在10℃/min冷卻及加熱掃描期間獲得結晶與熔融曲線。熔融及結晶溫度視為吸熱及放熱峰。與相同聚合物類型之完全結晶聚合物之熔解熱相比較計算結晶度，例如對於聚乙烯為290 J/g。實驗部分 製備所有測試實施例之聚合物實施例 （ 乙烯與丙烯酸甲酯共聚單體及與乙烯基三甲氧基矽烷共聚單體之共聚物 ）
使用習知過氧化物引發乙烯單體、丙烯酸甲酯（MA）極性共聚單體及乙烯基三甲氧基矽烷（VTMS）共聚單體（含有矽烷基之共聚單體（b））以習知方式添加至反應器系統中，在壓力2500至3000 bar及最大溫度250至300℃下在商業高壓管式反應器中製得聚合物。如熟習此項技術者所熟知，使用CTA調節MFR。在具有本發明之最終聚合物（a）所需的特性平衡之資訊之後，熟習此項技術者可控制方法以獲得本發明聚合物（a）。
表1中給定乙烯基三甲氧基矽烷單元、VTMS（=含有矽烷基之單元）之量、MA及MFR2 之量。 表1：儲存穩定性測試及黏著性測試之所有實施例中所用之基質聚合物之特性
Figure 108104602-A0304-0001
在上表1中，MA表示存在於聚合物中之丙烯酸甲酯共聚單體之含量，且分別地，VTMS含量表示存在於聚合物中的乙烯基三甲氧基矽烷共聚單體之含量。以下測試中使用聚合物。 儲存穩定性
HALS可對聚合物組成物之儲存穩定性有不良影響，其表示為例如隨儲存時間而變之MFR降低。MFR之降低意謂聚合物組成物之熔體之黏度增加。因此，MFR之變化可在製造所需最終應用中有不利影響。舉例而言，在將含有HALS之聚合物組成物之層整合（例如層壓）至不同材料之基板（例如玻璃基板）的應用中，含有HALS之聚合物組成物與該基板之黏著性可能不足以滿足最終應用所需之需求。 膜之製造
將本發明HALS 1及比較HALS1-4以1600 ppm濃度添加至基質聚合物中。使用兩輥筒研磨機將化合物均質化。在140℃下使化合物均質化5分鐘。隨後在140℃下將化合物擠壓成0.45 mm厚膜。
將用於儲存穩定性研究之膜放入鋁封裝中，隨後放入烘箱中以儲存於70℃下。
如黏著性測試中所述進行黏著樣品之層壓。 表2：本發明HALS 1及比較HALS1-4之特徵化
Figure 108104602-A0304-0002
如圖1中所見，所用添加劑之類型對MFR下降速率有很大影響。低的下降速率指示膜之較長存放期。 表3：在70℃下儲存於鋁封裝中期間之MFR值
Figure 108104602-A0304-0003
表3展示視所用HALS之類型而明顯展示膜存放期之影響。 潮濕加熱老化之後玻璃之黏著性 表4.在曝露於潮濕熱（DH）條件（85℃，85%相對濕度）後量測之條帶力（三個層壓物之平均值）
Figure 108104602-A0304-0004
1‧‧‧保護性前部層元件 2‧‧‧前部封裝層元件 3‧‧‧光伏打元件 4‧‧‧後部封裝層元件 5‧‧‧保護性背部層元件 （1）‧‧‧第一層元件 （2）‧‧‧第二層元件 （i）‧‧‧包含本發明之聚合物組成物的本發明之層元件（LE）
圖1說明作為本發明之層元件（LE）之一個較佳物品之光伏打（PV）模組，其中PV模組以給定順序包含以下層元件（在圖1中分離的）：光伏打模組之保護性前部層元件（1）、前部封裝層元件（2）、光伏打元件（3）、後部封裝層元件（4）及保護性背部層元件（5），其中至少後部封裝層元件（4）包含本發明之聚合物組成物，較佳地，其中前部封裝層元件（2）及/或後部封裝層元件（4）中之至少一個層元件、較佳一個或兩個、較佳兩個包含本發明之層元件（LE），較佳由其組成。 圖2說明例如用於安全、絕緣或熱應用之層壓玻璃元件，其皆具有此項技術中熟知之意義。在圖2中，層壓玻璃元件包含第一層元件（1）、包含本發明之聚合物組成物的本發明之層元件（LE）及第二層元件（2）。
1‧‧‧保護性前部層元件
2‧‧‧前部封裝層元件
3‧‧‧光伏打元件
4‧‧‧後部封裝層元件
5‧‧‧保護性背部層元件

Claims (20)

  1. 一種包含一個層之層元件(LE)，其中該一個層包含一種聚合物組成物，其包含-聚合物(P)；-含有矽烷基之單元(b)；及-受阻胺化合物(hindered amine compound，HALS)，其包含式(A0)之單元：
    Figure 108104602-A0305-02-0044-2
     其中R1為經取代或未經取代之(C1-C20)伸烴基；或經取代或未經取代之(C1-C20)伸烴基，其間雜有一或多個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；或選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；R2、R3、R4及R5各自獨立地選自經取代或未經取代之(C1-C20)烴基；或經取代或未經取代之(C1-C20)烴基，其間雜有一或多個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；R6選自經取代或未經取代之(C1-C20)伸烴基；或經取代或未經取代之(C1-C20)伸烴基，其間雜有一或多個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；其限制條件為R6經由除氧-O-外之原子附接至式(A0)之單元之環原子；其中R1至R6中之各者之取代基之數目，當存在時，獨立地選自1、2或3 個；且各R1至R6之取代基獨立地為選定之(C1-C20)烴基，其可間雜有一或多個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子，且其可經(C1-C20)烴基取代，該(C1-C20)烴基可間雜有一或多個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；或=O基團；或-N(R)2；R獨立地選自H或直鏈(C1-C8)烷基；且n為1至20。
  2. 如請求項1所述之層元件，其中獨立地R1為經取代或未經取代之(C1-C20)伸烴基，其間雜有一或多個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；或選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；R2、R3、R4及R5各自獨立地選自經取代或未經取代之(C1-C20)烴基，其間雜有一或多個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；R6選自經取代或未經取代之(C1-C20)伸烴基，其間雜有一或多個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；其限制條件為R6經由除氧-O-外之原子附接至式(A0)之單元之環原子；R獨立地選自H或直鏈(C1-C8)烷基。
  3. 如請求項1所述之層元件，其中該聚合物(P)為聚乙烯聚合物。
  4. 如請求項1所述之層元件，其中該式(A0)之受阻胺化合物(HALS)為式(A1)之化合物，其中R1選自經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)伸烷基；經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)伸烷基，其間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)伸烷基；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)伸烷基，其具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸芳基；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸芳基，其具有1、2或3 個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-環狀(C5-C8)伸烷基；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-環狀(C5-C8)伸烷基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-(C5-C8)伸芳基；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-(C5-C8)伸芳基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸烷基-(C1-C20)伸烷基；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸烷基-(C1-C20)伸烷基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C5-C8)伸芳基-(C1-C20)伸烷基；經取代或未經取代之(C5-C8)伸芳基-(C1-C20)伸烷基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；或選自-O-或-NR-之雜原子；R2、R3、R4及R5各自獨立地選自經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)烴基；或經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)烴基，其間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；R6選自經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)伸烷基；經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)伸烷基，其間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)伸烷基；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)伸烷基，其具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸芳基；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸芳基，其具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-環狀(C5-C8)伸烷基；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-環狀(C5-C8)伸烷基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-(C5-C8)伸芳基；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-(C5-C8)伸芳基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸烷基-(C1-C20)伸烷基；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸烷基-(C1-C20)伸烷基，其間雜有-O-、-N=或-NR-； 經取代或未經取代之(C5-C8)伸芳基-(C1-C20)伸烷基；經取代或未經取代之(C5-C8)伸芳基-(C1-C20)伸烷基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；且其中R1至R6中之各者之取代基之數目，當存在時，獨立地選自1、2或3個；且各R1至R6之取代基獨立地選自飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)烴基；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)烴基；經取代或未經取代之(C5-C8)芳基；或=O基團；或-N(R)2；R獨立地選自H或直鏈(C1-C8)烷基；且n為2至20。
  5. 如請求項4所述之層元件，其中獨立地R1選自經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)伸烷基，其間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)伸烷基，其具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸芳基，其具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-環狀(C5-C8)伸烷基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-(C5-C8)伸芳基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸烷基-(C1-C20)伸烷基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C5-C8)伸芳基-(C1-C20)伸烷基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；或選自-O-或-NR-之雜原子；R2、R3、R4及R5各自獨立地選自經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)烴基，其間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；R6選自經取代或未經取代、飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)伸烷基，其間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)伸烷基，其具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環 雜原子；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸芳基，其具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-環狀(C5-C8)伸烷基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C1-C20)伸烷基-(C5-C8)伸芳基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之環狀(C5-C8)伸烷基-(C1-C20)伸烷基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；經取代或未經取代之(C5-C8)伸芳基-(C1-C20)伸烷基，其間雜有-O-、-N=或-NR-；且其中R1至R6中之各者之取代基之數目，當存在時，獨立地選自1、2或3個；且各R1至R6之取代基獨立地選自飽和或不飽和、直鏈或支鏈(C1-C20)烴基，其間雜有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之雜原子；經取代或未經取代、不飽和或部分飽和環狀(C5-C8)烴基，其具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；經取代或未經取代之(C5-C8)芳基，其具有1、2或3個選自-O-、-N=或-NR-之環雜原子；或=O基團；或-N(R)2；R獨立地選自H或直鏈(C1-C8)烷基。
  6. 如請求項1所述之層元件，其中在該式(A0)之受阻胺化合物(HALS)中，pH為9或更低。
  7. 如請求項1所述之層元件，其中該式(A0)之受阻胺化合物(HALS)之分子量為300至6000。
  8. 如請求項1所述之層元件，其中該式(A0)之受阻胺化合物(HALS)之Tm為180℃或更低。
  9. 如請求項1所述之層元件，其中該聚合物(P)選自乙烯之聚合物(a)，其選自-(a1)帶有含有矽烷基之共聚單體之乙烯的聚合物；-(a2)乙烯與一或多種選自丙烯酸(C1-C6)-烷酯或(C1-C6)-烷基丙烯酸 (C1-C6)-烷酯共聚單體之極性共聚單體的共聚物，該共聚物(a2)帶有含有矽烷基之單元，且該共聚物(a2)不同於該乙烯之聚合物(a1)；或-(a3)乙烯與一或多種(C1-C10)-α-烯烴共聚單體之共聚物，其不同於乙烯之聚合物(a1)及乙烯之聚合物(a2)。
  10. 如請求項1所述之層元件，其中該乙烯之聚合物(a)為(a2)乙烯與一或多種選自丙烯酸(C1-C6)-烷酯或(C1-C6)-烷基丙烯酸(C1-C6)-烷酯共聚單體及與含有矽烷基之共聚單體的共聚物。
  11. 如請求項1所述之層元件，其中該乙烯之共聚物(a2)中之該極性共聚單體之量為0.5至30.0mol%。
  12. 如請求項中1所述之層元件，其中乙烯之聚合物(a)之該含有矽烷基之單元或該含有矽烷基之共聚單體為由式(I)表示之可水解不飽和矽烷化合物：R1SiR2qY3-q (I)其中R1為烯系不飽和烴基、烴氧基或(甲基)丙烯醯氧基烴基，各R2獨立地為脂族飽和烴基，可相同或不同的Y為可水解有機基團，且q為0、1或2。
  13. 如請求項1所述之層元件，其中乙烯之聚合物(a)以任何順序具有以下中之一或兩者：-小於20g/10min之熔體流動速率MFR2(根據ISO 1133，在190℃下及在2.16kg之負載下)；或-在如本說明書中所述根據「測定方法」量測時，熔融溫度Tm為120℃或更低。
  14. 如請求項1所述之層元件，其選自-單層元件，其由該一個層組成；或-多層元件，其中至少一個層為該一個層。
  15. 一種物品，其包含如請求項1至14中任一項所述之層元件(LE)。
  16. 如請求項15所述之物品，其為包含兩個層元件之組件，其中至少一個層元件為如請求項1至14中任一項所述之層元件(LE)。
  17. 如請求項15所述之物品，其為包含光伏打元件及一或多個其他層元件之光伏打(PV)模組，其中至少一個層元件為如請求項1至14中任一項所述之層元件(LE)。
  18. 如請求項17所述之光伏打(PV)模組，其按給定順序包含保護性前部層元件、前部封裝層元件、光伏打元件、後部封裝層元件及保護性背部層元件，其中該前部封裝層元件及該後部封裝層元件為如請求項1至14中任一項所述之層元件(LE)。
  19. 如請求項17所述之光伏打(PV)模組，其中該保護性前部層元件為剛性層元件。
  20. 一種用於製造包含兩個層元件之物品之方法，其中至少一個層元件為如請求項1至14中任一項之層元件(LE)，該方法包含以下步驟：-將該如請求項1至14中任一項之層元件(LE)及一或多個其他層元件組裝成組件；-在高溫下層壓該組件之該等層元件以使該等元件黏著在一起；及-回收該所獲物品。
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