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TWI699459B - 表面處理銅箔及使用其之積層板、附載體銅箔、印刷配線板、電子機器、以及印刷配線板之製造方法 - Google Patents

表面處理銅箔及使用其之積層板、附載體銅箔、印刷配線板、電子機器、以及印刷配線板之製造方法 Download PDF

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TWI699459B
TWI699459B TW107111440A TW107111440A TWI699459B TW I699459 B TWI699459 B TW I699459B TW 107111440 A TW107111440 A TW 107111440A TW 107111440 A TW107111440 A TW 107111440A TW I699459 B TWI699459 B TW I699459B
Authority
TW
Taiwan
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layer
copper foil
treated
less
measured
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Application number
TW107111440A
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English (en)
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TW201837243A (zh
Inventor
福地亮
Original Assignee
日商Ｊｘ金屬股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 filed Critical 日商Ｊｘ金屬股份有限公司
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Abstract

提供一種表面處理銅箔，其即便用於高頻電路基板中，也可良好地抑制傳輸損耗。一種表面處理銅箔，在至少一個表面形成有表面處理層，表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，表面處理層具有0.4個/μm2以上的具有三個以上突起的粒子，表面處理層側的以接觸式粗糙度計測定的表面粗糙度Rz為1.3μm以下。

Description

表面處理銅箔及使用其之積層板、附載體銅箔、印刷配線板、電子機器、以及印刷配線板之製造方法
本發明涉及一種表面處理銅箔及使用其的積層板、附載體銅箔、印刷配線板、電子機器、以及印刷配線板的製造方法。
歷經這半個世紀，印刷配線板得到了很大的進步，如今已達到幾乎用於所有的電子機器中的程度。隨著近年來的電子機器的小型化、高性能化需求的增大，搭載零件的高密度安裝化或信號的高頻化進步，對印刷配線板要求優異的高頻對應。
高頻用基板中，為了確保輸出信號的品質，要求傳輸損耗降低。傳輸損耗主要包括由樹脂(基板側)引起的介電損耗、以及由導體(銅箔側)引起的導體損耗。樹脂的介電常數及介電損耗角正切變得越小，介電損耗越減少。高頻信號中，導體損耗的主要原因為：由於頻率變得越高，電流越是僅在導體的表面流通的表皮效果，電流流通的截面積減少，電阻升高。
作為使高頻用銅箔的傳輸損耗降低的技術，例如，在專利文獻1中揭示了如下的高頻電路用金屬箔，其在金屬箔表面的單面或兩面上被覆銀或銀合金，且在該銀或銀合金被覆層上，以比上述銀或銀合金被覆層的厚度薄的厚度施加有銀或銀合金以外的被覆層。而且記載有，藉此可提供在衛星通信所使用的超高頻區域中也減小由表皮效果引起的損耗的金屬箔。
另外，專利文獻2中揭示了如下的高頻電路用粗糙化處理壓延銅 箔，其特徵在於：壓延銅箔的再結晶退火後的壓延面上的藉由X射線繞射來求出的(200)面的積分強度(I(200))相對於微粉末銅的藉由X射線繞射來求出的(200)面的積分強度(I0(200))，為I(200)/I0(200)>40，對該壓延面進行藉由電解鍍敷的粗糙化處理後的粗糙化處理面的算術平均粗糙度(以下設為Ra)為0.02μm~0.2μm，十點平均粗糙度(以下設為Rz)為0.1μm~1.5μm，且上述高頻電路用粗糙化處理壓延銅箔為印刷電路基板用原材料。而且記載有，藉此能夠提供可在超過1GHz的高頻率下使用的印刷電路板。
進而，專利文獻3中揭示了如下的電解銅箔，其特徵在於：銅箔的表面的一部分為包含瘤狀突起的表面粗糙度為2~4μm的凹凸面。而且記載有，藉此可提供高頻傳輸特性優異的電解銅箔。
[專利文獻1]日本專利第4161304號公報
[專利文獻2]日本專利第4704025號公報
[專利文獻3]日本特開2004-244656號公報
由導體(銅箔側)引起的導體損耗如上所述，是由於藉由表皮效果，電阻變大而引起，但該電阻不僅有銅箔自身的電阻的影響，而且有表面處理層的電阻的影響，上述表面處理層是在銅箔表面上，藉由為了確保與樹脂基板的接著性而進行的粗糙化處理來形成，具體而言獲知，銅箔表面的粗糙度為導體損耗的主要要因，粗糙度越小，傳輸損耗越減少。
另外，在進行粗糙化處理來作為銅箔的表面處理的情況下，使用Cu-Ni合金處理或Cu-Co-Ni合金處理，在進行耐熱處理及防銹處理的情況 下，通常使用Ni-Zn合金處理或Co-Ni合金處理。
然而，上述粗糙化處理、耐熱處理及防銹處理中通常使用的Co及Ni、進而Fe是在常溫下表現出強磁性的金屬，在作為成分而包含於表面處理層中的情況下，由於磁性的影響，導體內的電流分佈以及磁場分佈受到影響，產生銅箔的傳輸特性惡化的問題。
本發明的目的在於提供一種即便用於高頻電路基板中，也可良好地抑制傳輸損耗的表面處理銅箔。
本發明人發現，為了抑制強磁性金屬對傳輸特性帶來的影響，可藉由將銅箔的表面處理層中的Co、Ni、Mo的合計附著量控制為既定量以下，且在表面處理層上形成既定形狀的粒子，來進一步降低高頻傳輸損耗。
本發明是以上述見解為基礎而完成，一方面是一種表面處理銅箔，其在至少一個表面形成有表面處理層，上述表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，上述表面處理層具有0.4個/μm2以上的具有三個以上突起的粒子，上述表面處理層側的以接觸式粗糙度計測定的表面粗糙度Rz為1.3μm以下。
本發明在另一方面為如下的表面處理銅箔，其在至少一個表面形成有表面處理層，上述表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，上述表面處理層具有0.4個/μm2以上的上述具有三個以上突起的粒子，上述表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rp為1.59μm以下。
本發明在進而另一方面為如下的表面處理銅箔，其在至少一個表面形成有表面處理層，上述表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，上述表面處理層具有0.4個/μm2以上的上述具有三個以上突起的粒子，上述表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rv為1.75μm以 下。
本發明在進而另一方面為如下的表面處理銅箔，其在至少一個表面形成有表面處理層，上述表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，上述表面處理層具有0.4個/μm2以上的上述具有三個以上突起的粒子，上述表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rzjis為3.3μm以下。
本發明在進而另一方面為如下的表面處理銅箔，其在至少一個表面形成有表面處理層，上述表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，上述表面處理層具有0.4個/μm2以上的上述具有三個以上突起的粒子，上述表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rc為1.0μm以下。
本發明在進而另一方面為如下的表面處理銅箔，其在至少一個表面形成有表面處理層，上述表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，上述表面處理層具有0.4個/μm2以上的具有三個以上突起的粒子，上述表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Ra為0.4μm以下。
本發明在進而另一方面為如下的表面處理銅箔，其在至少一個表面形成有表面處理層，上述表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，上述表面處理層具有0.4個/μm2以上的上述具有三個以上突起的粒子，上述表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rq為0.5μm以下。
本發明的表面處理銅箔在一實施形態中，上述表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為800μg/dm2以下。
本發明的表面處理銅箔在一實施形態中，上述表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為600μg/dm2以下。
本發明的表面處理銅箔在另一實施形態中，上述表面處理層中的Co的附著量為400μg/dm2以下。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層中的Co的附著量為320μg/dm2以下。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層中的Co的附著量為240μg/dm2以下。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層中的Ni的附著量為600μg/dm2以下。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層中的Ni的附著量為480μg/dm2以下。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層中的Ni的附著量為360μg/dm2以下。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層中的Mo的附著量為600μg/dm2以下。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層中的Mo的附著量為480μg/dm2以下。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層中的Mo的附著量為360μg/dm2以下。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述表面處理層包含粗糙化處理層。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，在上述表面處理層上具備樹脂層。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，上述樹脂層包含介電體。
本發明的表面處理銅箔在進而另一實施形態中，用於1GHz以上的高頻電路基板。
本發明在進而另一方面為一種附載體銅箔，其依次具有載體、中間層、及極薄銅層，上述極薄銅層為本發明的表面處理銅箔。
本發明的附載體銅箔在一實施形態中，在上述載體的兩面包括上述極薄銅層。
本發明的附載體銅箔在另一實施形態中，在上述載體的與上述極薄銅層相反側具備粗糙化處理層。
本發明在進而另一方面為一種積層板，其是將本發明的表面處理銅箔或者本發明的附載體銅箔與樹脂基板積層而製造。
本發明在進而另一方面為一種印刷配線板的製造方法，其使用本發明的表面處理銅箔或者本發明的附載體銅箔。
本發明在進而另一方面為一種電子機器的製造方法，其使用利用本發明的方法來製造的印刷配線板。
本發明在進而另一方面為一種印刷配線板的製造方法，其包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟而形成覆銅積層板；然後，利用半加成(semi-additive)法、減成(subtractive)法、部分加成(partly additive)法或改良型半加成(modified semi-additive)法中的任一種方法來形成電路的步驟。
本發明在進而另一方面為印刷配線板的製造方法，其包括：在本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面上形成電路的步驟；以埋沒上述電路的方式，在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面上形成樹脂層的步驟；在上述樹脂層上形成電路的步驟；在上述樹 脂層上形成電路後，使上述載體或上述極薄銅層剝離的步驟；以及使上述載體或上述極薄銅層剝離後，將上述極薄銅層或上述載體去除，藉此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面上的埋沒於上述樹脂層中的電路露出的步驟。
本發明的印刷配線板的製造方法在一實施形態中，在上述樹脂層上形成電路的步驟是在上述樹脂層上，從極薄銅層側貼合另一附載體銅箔，使用貼合於上述樹脂層上的附載體銅箔來形成上述電路的步驟。
本發明的印刷配線板的製造方法在另一實施形態中，貼合於上述樹脂層上的另一附載體銅箔為本發明的附載體銅箔。
本發明的印刷配線板的製造方法在進而另一實施形態中，在上述樹脂層上形成電路的步驟是利用半加成法、減成法、部分加成法或者改良型半加成法中的任一種方法來進行。
本發明的印刷配線板的製造方法在進而另一實施形態中，在上述表面上形成電路的附載體銅箔在該附載體銅箔的載體側的表面或者極薄銅層側的表面具有基板或樹脂層。
依據本發明，可提供一種即便用於高頻電路基板中，也良好地抑制傳輸損耗的表面處理銅箔。
圖1是實施例3的表面處理層的表面的顯微鏡觀察照片。
圖2是比較例2的表面處理層的表面的顯微鏡觀察照片。
圖3是表示高低差的評價的圖。
圖4是表示粒子的重疊及谷的評價的圖。
圖5是表示粒子的例子的圖。
圖6是表示粒子的頂點部分的例子的圖。
圖7是表示包含粒子的被認為最高的部分且在周長的70%以上的部分具有高低差的粒子的部分(由虛線包圍的部分)的例子的圖。
圖8是表示包含粒子的被認為最高的部分且由谷所包圍的粒子的部分(由虛線包圍的部分)的例子的圖。
圖9是表示包含粒子的被認為最高的部分且由谷與高低差所包圍的粒子的部分(由虛線包圍的部分)的例子的圖。
圖10是表示粒子的凸部的長度的評價的圖。
圖11是表示突出於照片的框外的粒子的例子的圖。
圖12是表示粒子的凸部的寬度的評價的圖。
[表面處理層]
本發明的表面處理銅箔是在至少一個表面形成有表面處理層的表面處理銅箔，並且上述表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，表面處理層具有具有三個以上突起的粒子。
[銅箔]
對本發明中可使用的銅箔的形態並無特別限制，典型而言，可以壓延銅箔或電解銅箔的形態來使用。通常，電解銅箔是從硫酸銅鍍敷浴中向鈦或不銹鋼的桶上電解析出銅來製造，壓延銅箔是反復進行利用軋輥的塑性加工及熱處理 來製造。在要求彎曲性的用途中應用壓延銅箔的情況多。
作為銅箔的材料，除了通常作為印刷配線板的導體圖案來使用的精銅、磷去氧銅或無氧銅等高純度的銅以外，例如也可使用：加入Sn的銅、加入Ag的銅，添加有Cr、Zr或Mg等的銅合金，以及添加有Ni及Si等的卡遜系銅合金之類的銅合金。此外，本說明書中單獨使用用語“銅箔”時，也包括銅合金箔。在使用銅合金箔來作為高頻電路基板用銅箔的情況下，宜為與銅相比而言電阻率並不顯著上升者。
此外，本案發明的銅箔的厚度並無特別限定，典型而言為0.5~3000μm，優選為1.0~1000μm，優選為1.0~300μm，優選為1.0~100μm，優選為1.0~75μm，優選為1.0~40μm，優選為1.5~20μm，優選為1.5~15μm，優選為1.5~12μm，優選為1.5~10μm。
[表面處理層]
在銅箔的至少一個表面上形成有表面處理層。表面處理層優選為選自粗糙化處理層、防銹層、耐熱層、矽烷偶合處理層中的一種以上的層。本發明的表面處理層可如上所述形成在與樹脂的接著面(M面)上，可形成在與接著面(M面)相反側的面(S面)上，也可形成於兩面。
粗糙化處理例如可藉由利用銅或者銅合金來形成粗糙化粒子而進行。粗糙化處理可為微細者。另外，粗糙化處理後，也可進行覆蓋鍍敷處理。藉由這些粗糙化處理、防銹處理、耐熱處理、矽烷處理、在處理液中的浸漬處理或鍍敷處理而形成的表面處理層也可包含：選自由Cu、Ni、Fe、Co、Zn、Cr、Mo、W、P、As、Ag、Sn、Ge所組成組群中的任一者的單質或者任意1種以上的合金，或者有機物。
在使用粗糙化處理層、防銹層、耐熱層、矽烷偶合處理層中的 任一者來形成表面處理層的情況下，它們的順序並無特別限定，例如可在銅箔表面上形成粗糙化處理層，在該粗糙化處理層上設置Zn金屬層或者包含Zn的合金處理層來作為防銹‧耐熱層。另外，在Zn金屬層或者包含Zn的合金處理層上，也可設置鉻酸鹽處理層。進而，在鉻酸鹽處理層上，也可設置矽烷偶合處理層。
[金屬附著量]
本發明的表面處理銅箔在表面處理層中，將Co、Ni及Mo的合計附著量控制在1000μg/dm2以下。本發明的表面處理銅箔由於如上所述，成為傳輸損耗的原因的磁導率比較高且導電率比較低的Co、Ni及Mo的附著量得到抑制，故而可降低高頻傳輸損耗。表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量優選為800μg/dm2以下，更優選為600μg/dm2以下，進而更優選為500μg/dm2以下，進而更優選為300μg/dm2以下，進而更優選為0μg/dm2(表示分析的定量下限值以下)。表面處理層可包含選自由Co、Ni及Mo所組成的組群中的一種以上元素。另外，表面處理層也可包含選自由Co、Ni及Mo所組成的組群中的兩種以上元素。另外，表面處理層也可包含Co、Ni及Mo的三種元素。表面處理層也可包含Co及Ni。表面處理層也可包含Co及Mo。表面處理層也可包含Ni及Mo。
另外，關於表面處理層中的Co、Ni、Mo，就傳輸損耗的減少效果的方面而言，也優選為分別控制單獨的附著量。具體而言，表面處理層中的Co的附著量優選為400μg/dm2以下，更優選為320μg/dm2以下，進而更優選為240μg/dm2以下，進而更優選為160μg/dm2以下，進而更優選為120μg/dm2以下。另外，表面處理層中的Ni的附著量優選為600μg/dm2以下，更優選為480μg/dm2以下，進而更優選為360μg/dm2以下，進而更優選為240μg/dm2以下，進而更優選為180μg/dm2以下。另外，表面處理層中的Mo的附著量優選為600 μg/dm2以下，更優選為480μg/dm2以下，進而更優選為360μg/dm2以下，進而更優選為240μg/dm2以下，進而更優選為180μg/dm2以下。
表面處理層具有0.4個/μm2以上的具有三個以上突起的粒子。此處，所謂粒子，是包含藉由上述粗糙化處理(粗糙化鍍敷)、及/或後述粗糙化處理(粗糙化鍍敷)而形成的粗糙化粒子的概念。藉由如上所述的構成，不僅可使傳輸損耗良好，而且在利用增黏(anchor)效果而將樹脂基材與表面處理銅箔積層後，可確保從該樹脂基材上剝落表面處理銅箔時的剝離強度。及/或藉由如上所述的構成，將樹脂基材與表面處理銅箔積層而製成覆銅積層板後，可使將覆銅積層板加熱，然後在常溫下從該樹脂基材上剝落表面處理銅箔時的剝離強度良好。另外，該粒子優選為遍及銅箔的整個面而形成。藉由如上所述遍及銅箔的整個面而形成該粒子，則剝離強度更良好地提高。另外，就提高上述剝離強度的觀點而言，表面處理層優選為包含具有四個以上突起的粒子，更優選為具有五個以上的突起，進而更優選為包含具有六個以上突起的粒子。此外，上述突起如後所述，是指粒子的凸部的長度為0.050μm以上且粒子的凸部的寬度為0.220μm以下的粒子的凸部。若包含3個以上的上述突起的粒子存在既定的數量以上，則該具有3個以上突起的粒子容易陷入樹脂中，因此銅箔與樹脂的密接性提升。
進而，就使上述剝離強度提升的觀點而言，表面處理層優選為包含0.5個/μm2以上的具有三個以上突起的粒子，優選為包含0.6個/μm2以上，優選為包含0.7個/μm2以上，優選為包含0.8個/μm2以上，優選為包含0.9個/μm2以上，優選為包含1.0個/μm2以上，優選為包含1.1個/μm2以上，優選為包含1.2個/μm2以上，優選為包含1.3個/μm2以上。表面處理層的具有三個以上突起的粒子的個數的上限無需特別限定，典型而言，例如為50.0個/μm2以下、40.0個/μm2以下、30.0個/μm2以下、20.0個/μm2以下、15.0個/μm2以下、10.0個/μm2以下、5.0個 /μm2以下。
[表面粗糙度Rz]
表面處理銅箔表面的粗糙度為導體損耗的主要要因，粗糙度越小，傳輸損耗越減少。就上述觀點而言，本發明的表面處理銅箔優選為表面處理層側的以接觸式粗糙度計測定的表面粗糙度Rz控制在1.3μm以下。藉由如上所述的構成，可良好地減少傳輸損耗。本發明的表面處理銅箔優選為表面處理層側的以接觸式粗糙度計測定的表面粗糙度Rz控制在1.30μm以下，優選為控制在1.2μm以下，更優選為控制在1.1μm以下，更優選為控制在1.10μm以下，優選為控制在1.0μm以下，更優選為控制在1.00μm以下。另外，兩表面的表面粗糙度Rz優選為1.3μm以下。依據如上所述的構成，可進一步降低高頻傳輸損耗。兩表面的表面粗糙度Rz更優選為1.30μm以下，更優選為1.2μm以下，進而優選為1.1μm以下，進而優選為1.10μm以下，進而優選為1.0μm以下，進而優選為1.00μm以下。表面處理層側的以接觸式粗糙度計測定的表面粗糙度Rz的下限無需特別限定，典型而言為0.01μm以上，例如為0.02μm以上。另外，就使表面處理銅箔與樹脂的密接性進而良好的觀點而言，表面處理層側的以接觸式粗糙度計測定的表面粗糙度Rz優選為0.60μm以上，優選為0.65μm以上，優選為0.70μm以上，優選為0.75μm以上，優選為0.80μm以上，優選為0.85μm以上，優選為0.89μm以上。
[最大山高度Rp]
本發明的表面處理銅箔若將表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rp控制在1.59μm以下，則可良好地減少傳輸損耗，故而優選。表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rp優選為1.49μm以下，更優選為1.39μm 以下，更優選為1.29μm以下，更優選為1.09μm以下。表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rp的下限無需特別限定，典型而言為0.01μm以上，例如0.02μm以上。另外，就使表面處理銅箔與樹脂的密接性更良好的觀點而言，表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rp優選為0.70μm以上，優選為0.75μm以上，優選為0.80μm以上。
[最大谷深度Rv]
本發明的表面處理銅箔若將表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rv控制在1.75μm以下，則可良好地減少傳輸損耗，故而優選。表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rv優選為1.65μm以下，更優選為1.55μm以下，更優選為1.50μm以下，更優選為1.45μm以下，更優選為1.30μm以下。表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rv的下限無需特別限定，典型而言為0.01μm以上，例如0.02μm以上。另外，就使表面處理銅箔與樹脂的密接性更良好的觀點而言，表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rv優選為0.98μm以上。
[表面粗糙度Rzjis]
銅箔表面的粗糙度為導體損耗的主要要因，粗糙度越小，傳輸損耗越減少。就上述觀點而言，本發明的表面處理銅箔優選為表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rzjis控制在3.3μm以下。藉由如上所述的構成，可良好地減少傳輸損耗。本發明的表面處理銅箔優選為表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rzjis為3.30μm以下，優選為3.2μm以下，優選為3.1μm以下，更優選為3.0μm以下，優選為2.20μm以下，優選為2.10μm以下。表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rzjis的下限無需特別限定，典型而言 為0.01μm以上，例如0.02μm以上。另外，就使表面處理銅箔與樹脂的密接性更良好的觀點而言，表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rzjis優選為1.00μm以上，優選為1.10μm以上，優選為1.20μm以上，優選為1.30μm以上，優選為1.40μm以上，優選為1.50μm以上，優選為1.60μm以上，優選為1.70μm以上。
[平均高度Rc]
本發明的表面處理銅箔若將表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rc控制在1.0μm以下，則可良好地減少傳輸損耗，故而優選。表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rc優選為1.00μm以下，優選為0.9μm以下，優選為0.90μm以下，優選為0.85μm以下，更優選為0.8μm以下，更優選為0.7μm以下，更優選為0.70μm以下。表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rc的下限無需特別限定，典型而言為0.01μm以上，例如0.02μm以上。另外，就使表面處理銅箔與樹脂的密接性更良好的觀點而言，表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rc優選為0.50μm以上，優選為0.55μm以上，優選為0.60μm以上。
[算術平均粗糙度Ra]
本發明的表面處理銅箔若將表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Ra控制在0.4μm以下，則可良好地減少傳輸損耗，故而優選。表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Ra優選為0.40μm以下，優選為0.39μm以下，更優選為0.38μm以下，更優選為0.37μm以下，更優選為0.30μm以下，更優選為0.28μm以下，更優選為0.26μm以下，更優選為0.24μm以下，更優選為0.23μm以下，更優選為0.22μm以下。表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表 面粗糙度Ra的下限無需特別限定，典型而言為0.01μm以上，例如0.02μm以上。另外，就使表面處理銅箔與樹脂的密接性更良好的觀點而言，表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Ra優選為0.20μm以上，優選為0.21μm以上。
[均方根高度Rq]
本發明的表面處理銅箔若將表面處理層側的雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rq控制在0.5μm以下，則可良好地減少傳輸損耗，故而優選。表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rq優選為0.50μm以下，更優選為0.49μm以下，更優選為0.48μm以下，更優選為0.47μm以下，更優選為0.34μm以下，更優選為0.33μm以下。表面處理層側的以接觸式粗糙度計測定的表面粗糙度Rq的下限無需特別限定，典型而言為0.01μm以上，例如0.02μm以上。另外，就使表面處理銅箔與樹脂的密接性更良好的觀點而言，表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rq優選為0.25μm以上，優選為0.26μm以上，優選為0.27μm以上，優選為0.28μm以上，優選為0.29μm以上，優選為0.30μm以上。
[表面處理銅箔的製造方法]
本發明中，在銅箔(壓延銅箔或電解銅箔)的其中一表面或兩表面上，優選為對未進行酸洗的銅箔的表面、或者酸洗後的銅箔的表面實施進行節瘤狀的電沉積的粗糙化處理。藉由粗糙化處理而獲得與樹脂(介電體)的密接性(剝落強度)。本發明中，該粗糙化處理例如可藉由選自由Cu、Ni、Fe、Co、Zn、Cr、Mo、W、P、As、Ag、Sn、Ge所組成組群中的任一者的單質或者任意1種以上的合金的鍍敷，或者有機物的表面處理等來進行。有時進行通常的鍍銅等來作為粗糙化前的預處理，在粗糙化後，作為表面處理，為了賦予耐熱 性、耐化學品性，有時也利用上述金屬進行覆蓋鍍敷。此外，也可不進行粗糙化處理，而是進行選自由Cu、Ni、Fe、Co、Zn、Cr、Mo、W、P、As、Ag、Sn、Ge所組成組群中的任一者的單質或者任意1種以上的合金的鍍敷。然後，作為表面處理，為了賦予耐熱性、耐化學品性，有時也利用上述金屬進行覆蓋鍍敷。在進行粗糙化處理的情況下，具有與樹脂的密接強度提高的優點。另外，在不進行粗糙化處理的情況下，由於表面處理銅箔的製造步驟簡略化，故而生產性提升，而且可降低成本，另外具有可減小粗糙度的優點。藉由調整如上所述的銅箔表面的鍍敷處理的液組成、電流密度、庫倫量，可控制本發明的表面處理層中的Co、Ni的合計附著量，可於表面處理層中控制粒子的形狀(具有三個以上突起的粒子的形狀)與具有三個以上突起的粒子的個數，進而可控制表面粗糙度Rz JIS、表面粗糙度Rz、最大山高度Rp、最大谷深度Rv、平均高度Rc、算術平均粗糙度Ra、均方根高度Rq。
本發明的表面處理可藉由對銅箔的表面進行6階段鍍敷來作為粗糙化處理，然後進行鉻酸鹽處理，進而進行矽烷塗布處理(矽烷偶合處理)來實施。此外，也可在上述粗糙化處理之後、且鉻酸鹽處理之前，進行設置耐熱層及/或防銹層的處理。
以下示出上述粗糙化處理(6階段鍍敷：依次進行下述鍍敷處理1~6)的條件。
(液組成)
Cu：10~30g/L
W：0~50ppm
十二烷基硫酸鈉：0~50ppm
硫酸：10~150g/L
液溫：15~60℃
(電流密度、鍍敷時間及庫倫量)
‧鍍敷處理1
電流密度：50~120A/dm2、鍍敷時間：1.0~2.0秒、庫倫量：70~120As/dm2
‧鍍敷處理2
電流密度：6~8A/dm2、鍍敷時間：3.1~5.8秒、庫倫量：19~35As/dm2
‧鍍敷處理3
電流密度：50~120A/dm2、鍍敷時間：1.0~2.0秒、庫倫量：70~120As/dm2
‧鍍敷處理4
電流密度：6~8A/dm2、鍍敷時間：3.1~5.8秒、庫倫量：19~35As/dm2
‧鍍敷處理5
電流密度：6~8A/dm2、鍍敷時間：3.1~5.8秒、庫倫量：19~35As/dm2
‧鍍敷處理6
電流密度：6~8A/dm2、鍍敷時間：3.1~5.8秒、庫倫量：19~35As/dm2
以下示出上述鉻酸鹽處理中使用的處理液的液組成及處理條件。
K2Cr2O7：1~10g/L
Zn：0~5g/L
pH：2~5
液溫：20~60℃
電流密度：0~3A/dm2
鍍敷時間：0~3秒
上述矽烷塗布處理可使用以0.1~10vol%的濃度含有公知矽烷 的處理液來進行。上述矽烷塗布處理優選為使用二胺基矽烷：0.1~10vol%的處理液，藉由噴淋塗布來進行。二胺基矽烷中可使用公知的二胺基矽烷。
[傳輸損耗]
在傳輸損耗小的情況下，以高頻來進行信號傳輸時的信號的衰減得到抑制，因此在以高頻來進行信號傳輸的電路中，可進行穩定的信號傳輸。因此，傳輸損耗的值小者適合用於以高頻來進行信號傳輸的電路用途(例如，信號的頻率為1GHz以上的高頻電路基板)。將表面處理銅箔與市售的液晶聚合物樹脂(可樂麗(股)製造的Vecstar CTZ-50μm)貼合後，藉由蝕刻，以特性阻抗達到50Ω的方式形成微帶線，在使用HP公司製造的網路分析儀HP8720C測定穿透係數，來求出頻率20GHz及頻率40GHz下的傳輸損耗的情況下，頻率20GHz下的傳輸損耗優選為小於5.0dB/10dB，更優選為小於4.1dB/10dB，進而更優選為小於3.7dB/10dB。
[耐熱性]
在耐熱性高的情況下，即便放置於高溫環境下，表面處理銅箔與樹脂的密接性也難以劣化，故而在高溫環境下也可使用，因此優選。
本發明中以剝離強度保持率來評價耐熱性。在將表面處理銅箔的經表面處理的一側的表面積層於樹脂基材(LCP：液晶聚合物樹脂(羥基苯甲酸(酯)與羥基萘甲酸(酯)的共聚物)膜，可樂麗股份有限公司製造的Vecstar(注冊商標)CTZ-50μm))上後，以及在150℃下加熱72小時(3天)、168小時(7天)及/或240小時(10天)後，依據IPC-TM-650，利用拉伸試驗機自動繪圖器100來測定常態剝離強度以及在150℃下加熱72小時(3天)、168小時(7天)及/或240小時(10天)後的剝離強度。
並且算出下式所表示的剝離強度保持率。
剝離強度保持率(%)=在150℃下加熱72小時(3天)、168小時(7天)或240小時(10天)後的剝離強度(kg/cm)/常態剝離強度(kg/cm)×100
該在150℃下加熱168小時(7天)後的剝離強度保持率優選為50%以上，更優選為60%以上，進而更優選為70%以上，進而更優選為75%以上，進而更優選為80%以上，進而更優選為85%以上。
該在150℃下加熱72小時(3天)後的剝離強度保持率優選為50%以上，更優選為60%以上，進而更優選為70%以上，進而更優選為75%以上，進而更優選為80%以上，進而更優選為85%以上。
該在150℃下加熱240小時(10天)後的剝離強度保持率優選為50%以上，更優選為60%以上，進而更優選為70%以上，進而更優選為75%以上，進而更優選為80%以上，進而更優選為85%以上。
[附載體銅箔]
作為本發明的另一實施形態的附載體銅箔包括載體、積層於載體上的中間層、以及積層於中間層上的極薄銅層。而且，上述極薄銅層是作為上述本發明的一實施形態的表面處理銅箔。另外，附載體銅箔也可依次具有載體、中間層及極薄銅層。附載體銅箔可在載體側的表面以及極薄銅層側的表面的任一者或兩者上包括粗糙化處理層等表面處理層。
在附載體銅箔的載體側的表面上設置粗糙化處理層的情況下，當將附載體銅箔從該載體側的表面側積層於樹脂基板等支持體上時，具有載體與樹脂基板等支持體難以剝離的優點。
[載體]
本發明中可使用的載體典型而言為金屬箔或樹脂膜或者無機物的板，例如以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜(例如聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚醯胺膜、聚酯膜、氟樹脂膜等)、陶瓷板、玻璃板的形態來提供。
本發明中可使用的載體優選為使用銅箔。其原因在於，銅箔由於導電度高，故而其後的中間層、極薄銅層的形成變得容易。載體典型而言是以壓延銅箔或電解銅箔的形態來提供。通常，電解銅箔是從硫酸銅鍍敷浴中向鈦或不銹鋼的桶上電解析出銅來製造，壓延銅箔是將利用軋輥的塑性加工與熱處理反復進行來製造。作為銅箔的材料，除了精銅或無氧銅等高純度的銅以外，例如也可使用：加入Sn的銅、加入Ag的銅，添加有Cr、Zr或Mg等的銅合金，添加有Ni及Si等的卡遜系銅合金之類的銅合金。
對於本發明中可使用的載體的厚度也並無特別限制，只要適當調節為適合於發揮作為載體的作用的厚度即可，例如可設為12μm以上。但，若過厚，則生產成本提高，故而通常優選為設為35μm以下。因此，載體的厚度典型而言為12~70μm，更典型而言為18~35μm。
[中間層]
在載體上設置中間層。也可在載體與中間層之間設置其他層。本發明中使用的中間層若為如下構成，則無特別限定：於附載體銅箔在絕緣基板上的積層步驟前，難以從載體上剝離極薄銅層，另一方面，在絕緣基板上的積層步驟後可從載體上剝離極薄銅層。例如，本發明的附載體銅箔的中間層可包含選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、它們的合金、它們的水合物、它們的氧化物、有機物所組成的組群中的一種或兩種以上。另外，中間層 也可為複數層。
另外，例如，中間層可藉由如下方式來構成：從載體側起形成包含選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素組群中的一種元素的單一金屬層，或者包含選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素組群中的一種或兩種以上元素的合金層，且在其上形成包含選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素組群中的一種或兩種以上元素的水合物或者氧化物的層。
另外，中間層可使用公知的有機物來作為上述有機物，另外，優選為使用含氮有機化合物、含硫有機化合物以及羧酸中的任一種以上。例如，具體的含氮有機化合物優選為使用：具有取代基的三唑化合物，即，1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-雙(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑以及3-胺基-1H-1,2,4-三唑等。
含硫有機化合物中，優選為使用巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑鈉、硫代三聚氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。
羧酸特別優選為使用單羧酸，其中優選為使用油酸、亞油酸及亞麻酸等。
另外，例如，中間層可在載體上依次積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金以及鉻而構成。由於鎳與銅的接著力高於鉻與銅的接著力，故而當剝離極薄銅層時，會在極薄銅層與鉻的介面上剝離。另外，對於中間層的鎳期待阻隔效果，即，防止銅成分從載體上向極薄銅層中擴散。中間層中的鎳的附著量優選為100μg/dm2以上40000μg/dm2以下，更優選為100μg/dm2以上4000μg/dm2以下，更優選為100μg/dm2以上2500μg/dm2以下，更優選為100μg/dm2以上且小於1000μg/dm2，中間層中的鉻的附著量優選為5μg/dm2以上100μg/dm2以下。在將中間層僅設置於單面的情況下，優選為在載體的相反面上設置鍍Ni層等防銹層。
若中間層的厚度變得過大，則存在中間層的厚度對表面處理後的極薄銅層的粗糙化處理表面的光澤度以及粗糙化粒子的大小及個數造成影響的情況，因此極薄銅層的粗糙化處理表面的中間層的厚度優選為1~1000nm，優選為1~500nm，優選為2~200nm，優選為2~100nm，更優選為3~60nm。此外，也可在載體的兩側設置中間層。
[極薄銅層]
在中間層上設置極薄銅層。也可在中間層與極薄銅層之間設置其他層。另外，也可在載體的兩側設置極薄銅層。具有該載體的極薄銅層是作為本發明的一實施形態的表面處理銅箔。極薄銅層的厚度並無特別限制，通常比載體更薄，例如為12μm以下。典型而言為0.5~12μm，更典型而言為1.5~5μm。另外，在中間層上設置極薄銅層之前，也可為了減少極薄銅層的針孔而進行銅-磷合金的衝擊鍍。衝擊鍍中可列舉焦磷酸銅鍍敷液等。
另外，本申請案的極薄銅層是以下述條件來形成。
‧電解液組成
銅：80~120g/L
硫酸：80~120g/L
氯：30~100ppm
調平劑1(雙(3-磺基丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物中可使用以下化學式的胺化合物。
Figure 107111440-A0202-12-0023-1
(上述化學式中，R1及R2是選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一組群中。)
‧製造條件
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~65℃
電解液線速：1.5~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘(根據析出的銅厚、電流密度來調整)
[表面處理層上的樹脂層]
也可在本發明的表面處理銅箔的表面處理層上具備樹脂層。上述樹脂層可為絕緣樹脂層。上述樹脂層可為接著劑，也可為接著用的半固化狀態(B階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半固化狀態(B階段狀態)，包含如下狀態：即便以手指觸摸其表面，也無黏著感，可將該絕緣樹脂層重疊保管，若進而受到加熱處理則產生固化反應。
上述樹脂層可為接著用樹脂、即接著劑，也可為接著用的半固化狀態(B階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半固化狀態(B階段狀態)包含如下狀態：即便以手指觸摸其表面，也無黏著感，可將該絕緣樹脂層重疊保管，若 進而受到加熱處理則產生固化反應。
另外，上述樹脂層可包含熱固化性樹脂，也可為熱塑性樹脂。另外，上述樹脂層也可包含熱塑性樹脂。上述樹脂層可包含公知的樹脂、樹脂固化劑、化合物、固化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材等。另外，上述樹脂層例如也可使用國際公開編號WO2008/004399、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號中記載的物質(樹脂、樹脂固化劑、化合物、固化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置來形成。
另外，上述樹脂層並不特別限定其種類，例如可列舉包含選自 以下組群中的一種以上的樹脂來作為優選者：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚順丁烯二醯亞胺化合物、順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、胺酯(urethane)樹脂、聚醚碸、聚醚碸樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、多胺、芳香族多胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改性環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改性丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙順丁烯二醯亞胺三
Figure 107111440-A0202-12-0025-23
樹脂、熱固化性聚苯醚樹脂、氰酸酯酯系樹脂、羧酸的酐、多元羧酸的酐、具有可交聯的官能基的線狀聚合物、聚伸苯醚(polyphenylene ether)樹脂、2,2-雙(4-氰酸基苯基)丙烷、含磷的苯酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-環氧丙基苯基)丙烷、聚伸苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改性聚醯胺醯亞胺樹脂、磷腈(phosphazene)系樹脂、橡膠改性聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯基丁醛、苯氧基、高分子環氧、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚合聚醯亞胺樹脂以及氰基酯樹脂。
另外，上述環氧樹脂若為分子內具有2個以上的環氧基者，且可用於電氣‧電子材料用途，則可無特別問題地使用。另外，上述環氧樹脂優選為使用分子內具有2個以上環氧丙基的化合物，進行環氧化而成的環氧樹脂。另外，可將選自以下組群中的1種或2種以上混合使用：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改性雙酚A型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、三聚異氰酸三環氧丙酯、N,N-二環氧丙基苯胺等環氧丙基胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二環氧丙酯等環氧丙酯化合物、含磷的環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂；或者可使用 上述環氧樹脂的氫化體或鹵化體。
上述含磷的環氧樹脂可使用公知的含有磷的環氧樹脂。另外，上述含磷的環氧樹脂優選為：例如作為由分子內具備2個以上環氧基的9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲(phosphaphenanthrene)-10-氧化物而來的衍生物而獲得的環氧樹脂。
將上述樹脂層中所含的樹脂及/或樹脂組合物及/或化合物，溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基溶纖劑、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑中，製成樹脂液(樹脂清漆)，利用例如輥塗布機法等，將上述樹脂液塗布於上述表面處理銅箔的粗糙化處理表面上，繼而視需要進行加熱乾燥而去除溶劑，成為B階段狀態。乾燥中若使用例如熱風乾燥爐即可，乾燥溫度若為100~250℃，優選為130~200℃即可。也可使用溶劑，將上述樹脂層的組合物溶解，製成樹脂固體成分為3wt%~70wt%、優選為3wt%~60wt%、優選為10wt%~40wt%、更優選為25wt%~40wt%的樹脂液。此外，就環境的觀點而言，現階段最優選為使用甲基乙基酮與環戊酮的混合溶劑來溶解。此外，溶劑中優選為使用沸點為50℃~200℃的範圍的溶劑。
另外，上述樹脂層優選為依據MIL標準中的MIL-P-13949G來測定時的樹脂流量在5%~35%的範圍內的半固化樹脂膜。
本件說明書中，所謂樹脂流量，是依據MIL標準中的MIL-P-13949G，從將樹脂厚度設為55μm的附樹脂的表面處理銅箔上採樣10cm見方的試樣4片，在將該4片試樣重疊的狀態(積層體)下，以加壓溫度171℃、加壓壓14kgf/cm2、加壓時間10分鐘的條件來貼合，根據測定此時的樹脂流出重量的結果，基於數式1來算出的值。
Figure 107111440-A0202-12-0027-3
具備上述樹脂層的表面處理銅箔(附樹脂的表面處理銅箔)是以如下實施方式來使用：將該樹脂層重疊於基材上後，對整體進行熱壓接而使該樹脂層進行熱固化，繼而在表面處理銅箔為附載體銅箔的極薄銅層的情況下，將載體剝離而使極薄銅層露出(當然露出的是該極薄銅層的中間層側的表面)，從表面處理銅箔的與經粗糙化處理的一側相反側的表面來形成既定的配線圖案。
若使用該附樹脂的表面處理銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時的預浸料材的使用片數。而且，將樹脂層的厚度設為可確保層間絕緣的厚度，即便完全不使用預浸料材，也可製造覆銅積層板。另外，此時也可在基材的表面上底塗絕緣樹脂來進一步改善表面的平滑性。
此外，在不使用預浸料材情況下，節約預浸料材的材料成本，另外，積層步驟也變得簡略，因此在經濟性方面變得有利，而且，僅與預浸料材的厚度相應地製造的多層印刷配線基板的厚度變薄，具有可製造1層的厚度為100μm以下的極薄的多層印刷配線基板的優點。
該樹脂層的厚度優選為0.1~120μm。
若樹脂層的厚度薄於0.1μm，則接著力下降，當不介隔預浸料材，而將該附樹脂的表面處理銅箔積層於包括內層材的基材上時，存在變得難以確保與內層材的電路之間的層間絕緣的情況。另一方面，若使樹脂層的厚度厚於120μm，則難以藉由1次的塗布步驟來形成目標厚度的樹脂層，會花費多餘的材料費與工時工數，因此存在經濟上變得不利的情況。
此外，在具有樹脂層的表面處理銅箔用於製造極薄的多層印刷配線板的情況下，為了減多層印刷配線板的厚度，優選為將上述樹脂層的厚度設為0.1μm ~5μm，更優選為0.5μm~5μm，更優選為1μm~5μm。
另外，在樹脂層包含介電體的情況下，樹脂層的厚度優選為0.1~50μm，優選為0.5μm~25μm，更優選為1.0μm~15μm。
另外，與上述固化樹脂層、半固化樹脂層的總樹脂層厚度優選為0.1μm~120μm，優選為5μm~120μm，優選為10μm~120μm，更優選為10μm~60μm。而且，固化樹脂層的厚度優選為2μm~30μm，優選為3μm~30μm，更優選為5~20μm。另外，半固化樹脂層的厚度優選為3μm~55μm，優選為7μm~55μm，更理想為15~115μm。其原因在於：若總樹脂層厚度超過120μm，則存在難以製造薄厚的多層印刷配線板的情況，若小於5μm，則容易形成薄厚的多層印刷配線板，但內層的電路間的絕緣層即樹脂層變得過薄，存在產生使內層的電路間的絕緣性不穩定的傾向的情況。另外，若固化樹脂層厚度小於2μm，則存在必須考慮表面處理銅箔的粗糙化處理表面的表面粗糙度的情況。相反，若固化樹脂層厚度超過20μm，則存在由固化完畢的樹脂層帶來的效果並不特別提升的情況，總絕緣層厚變厚。
此外，在將上述樹脂層的厚度設為0.1μm~5μm的情況下，為了使樹脂層與表面處理銅箔的密接性提升，優選為在表面處理銅箔的經粗糙化處理的表面上設置耐熱層及/或防銹層及/或耐候性層後，在該耐熱層或防銹層或耐候性層上形成樹脂層。
此外，上述樹脂層的厚度是指在任意的10點中藉由剖面觀察來測定的厚度的平均值。
進而，該附樹脂的表面處理銅箔為附載體銅箔的極薄銅層的情況下的另一製品形態，也可在上述極薄銅層(表面處理銅箔)的粗糙化處理表面上設置樹脂層，使樹脂層成為半固化狀態後，繼而剝離載體，以不存在載體的附樹脂的極薄銅層(表面處理銅箔)的形式來製造。
以下，示出若干使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造步驟的例子。
本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；以極薄銅層側與絕緣基板對向的方式將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，經過將上述附載體銅箔的載體剝下的步驟而形成覆銅積層板，然後利用半加成法、改良型半加成法、部分加成法及減成法中的任一種方法來形成電路的步驟。絕緣基板也可設為加入有內層電路的基板。
本發明中，所謂半加成法，是指在絕緣基板或者銅箔籽層上進行薄的非電解鍍敷，形成圖案後，使用電解鍍敷及蝕刻來形成導體圖案的方法。
因此，使用半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，將剝下上述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；在藉由利用蝕刻來去除上述極薄銅層而露出的上述樹脂上設置導通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域進行去汙(desmear)處理的步驟；對上述樹脂以及包含上述導通孔或/及盲孔的區域設置非電解鍍敷層的步驟； 在上述非電解鍍敷層上設置抗鍍敷層(plating resist)的步驟；對上述抗鍍敷層進行曝光，然後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除的步驟；在去除了上述抗鍍敷層的上述形成電路的區域設置電解鍍敷層的步驟；去除上述抗鍍敷層的步驟；以及藉由閃蝕(flash etching)等，將位於上述形成電路的區域以外的區域的非電解鍍敷層去除的步驟。
使用半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的另一實施形態中包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，將剝下上述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；對藉由利用蝕刻來去除上述極薄銅層而露出的上述樹脂的表面設置非電解鍍敷層的步驟；在上述非電解鍍敷層上設置抗鍍敷層的步驟；對上述抗鍍敷層進行曝光，然後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除的步驟；在去除了上述抗鍍敷層的上述形成電路的區域設置電解鍍敷層的步驟；去除上述抗鍍敷層的步驟；以及藉由閃蝕等，將位於上述形成電路的區域以外的區域的非電解鍍敷層及極薄銅層去除的步驟。
本發明中，所謂改良型半加成法是指如下方法：在絕緣層上積層金屬箔，利用抗鍍敷層來保護非電路形成部，藉由電解鍍敷來進行電路形成部的鍍厚銅後，去除抗蝕劑，藉由(閃光(flash))蝕刻來去除上述電路形成部以外的金屬箔，藉此在絕緣層上形成電路。
因此，使用改良型半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層及絕緣基板上設置導通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域設置非電解鍍敷層的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層表面上設置抗鍍敷層的步驟；設置上述抗鍍敷層後，藉由電解鍍敷來形成電路的步驟；去除上述抗鍍敷層的步驟；以及藉由閃蝕，將藉由去除上述抗鍍敷層而露出的極薄銅層去除的步驟。
使用改良型半加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的另一實施形態中包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟； 在剝下上述載體而露出的極薄銅層上設置抗鍍敷層的步驟；對上述抗鍍敷層進行曝光，然後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除的步驟；在去除了上述抗鍍敷層的上述形成電路的區域設置電解鍍敷層的步驟；去除上述抗鍍敷層的步驟；以及藉由閃蝕等，將位於上述形成電路的區域以外的區域的非電解鍍敷層及極薄銅層去除的步驟。
本發明中，所謂部分加成法是指如下方法：在設置導體層而成的基板、視需要打出導通孔或通孔用的孔而成的基板上賦予催化劑核，進行蝕刻而形成導體電路，視需要設置阻焊層(solder resist)或者抗鍍敷層後，在上述導體電路上，藉由非電解鍍敷處理來對導通孔(through hole)或通孔(via hole)等進行厚鍍，藉此製造印刷配線板。
因此，使用部分加成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層及絕緣基板上設置導通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域賦予催化劑核的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層表面設置抗蝕刻層(etching resist)的步驟； 對上述抗蝕刻層進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，去除上述極薄銅層及上述催化劑核而形成電路的步驟；去除上述抗蝕刻層的步驟；在藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法來去除上述極薄銅層及上述催化劑核而露出的上述絕緣基板表面，設置阻焊層或抗鍍敷層的步驟；以及在未設置上述阻焊層或抗鍍敷層的區域設置非電解鍍敷層的步驟。
本發明中，所謂減成法是指如下方法：藉由蝕刻等，選擇性地去除覆銅積層板上的銅箔的不需要部分而形成導體圖案。
因此，使用減成法的本發明的印刷配線板的製造方法的一實施形態中包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層及絕緣基板上設置導通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域設置非電解鍍敷層的步驟；在上述非電解鍍敷層的表面設置電解鍍敷層的步驟；在上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層的表面設置抗蝕刻層的步驟；對上述抗蝕刻層進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，將上述極薄銅層、上述非電解鍍敷層及上述電解鍍敷層去除而形成電路的步驟；以及 去除上述抗蝕刻層的步驟。
使用減成法的本發明的印刷配線板的製造方法的另一實施形態中包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，剝下上述附載體銅箔的載體的步驟；在剝下上述載體而露出的極薄銅層及絕緣基板上設置導通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理的步驟；對包含上述導通孔或/及盲孔的區域設置非電解鍍敷層的步驟；在上述非電解鍍敷層的表面形成掩模的步驟；在未形成掩模的上述非電解鍍敷層的表面設置電解鍍敷層的步驟；在上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層的表面設置抗蝕刻層的步驟；對上述抗蝕刻層進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，將上述極薄銅層及上述非電解鍍敷層去除而形成電路的步驟；以及去除上述抗蝕刻層的步驟。
設置導通孔或/及盲孔的步驟、以及其後的去汙步驟也可不進行。
另外，本發明的印刷配線板的製造方法也可為包括以下步驟的印刷配線板的製造方法：在本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路的步驟； 以埋沒上述電路的方式，在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層的步驟；在上述樹脂層上形成電路的步驟；在上述樹脂層上形成電路後，將上述載體或上述極薄銅層剝離的步驟；以及將上述載體或上述極薄銅層剝離後，去除上述極薄銅層或上述載體，藉此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面的埋沒於上述樹脂層中的電路露出的步驟。
此處，對使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例進行詳細說明。此外，此處，以包括形成有粗糙化處理層的極薄銅層的附載體銅箔為例進行說明，但不限於此，也可使用包括未形成粗糙化處理層的極薄銅層的附載體銅箔，同樣地進行下述的印刷配線板的製造方法。
步驟1：首先，準備包括在表面形成有粗糙化處理層的極薄銅層、或者在表面形成有粗糙化處理層的載體的附載體銅箔(第1層)。
步驟2：接著，在極薄銅層的粗糙化處理層上、或者載體的粗糙化處理層上塗布抗蝕劑，進行曝光‧顯影，將抗蝕劑蝕刻為既定的形狀。
步驟3：接著，形成電路用的鍍敷層後，去除抗蝕劑，藉此形成既定形狀的電路鍍敷層。
步驟4：接著，以覆蓋電路鍍敷層的方式(以電路鍍敷層埋沒的方式)在極薄銅層上、或者載體上設置埋入樹脂，積層樹脂層，繼而從極薄銅層側、或者載體側接著另一附載體銅箔(第2層)。
步驟5：接著，從第2層的附載體銅箔上剝下載體。此外，第2層中也可使用不具有載體的銅箔。
步驟6：接著，在第2層的極薄銅層或銅箔以及樹脂層的既定位置上進行雷 射打孔，使電路鍍敷層露出而形成盲孔。
步驟7：接著，在盲孔中埋入銅而形成通孔填充(via fill)。
步驟8：接著，在通孔填充上，進而在必要的情況下，在其他的部分上，如上述步驟2及3般形成電路鍍敷層。
步驟9：接著，從第1層的附載體銅箔上剝下載體、或者極薄銅層。
步驟10：接著，藉由閃蝕來去除兩表面的極薄銅層(在第2層上設置有銅箔的情況下為銅箔，在將第1層的電路用鍍敷層設置於載體的粗糙化處理層上的情況下為載體)，使樹脂層內的電路鍍敷層的表面露出。
步驟11：接著，在樹脂層內的電路鍍敷層上形成凸塊，在該焊料上形成銅柱。如此來製作使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板。
上述另一附載體銅箔(第2層)可使用本發明的附載體銅箔，可使用現有的附載體銅箔，進而也可使用通常的銅箔。另外，在第2層的電路上，也可進而形成1層或複數層的電路，也可利用半加成法、減成法、部分加成法或者改良型半加成法中的任一種方法來進行這些電路形成。
此外，埋入樹脂(resin)中可使用公知的樹脂、預浸料。例如可使用：BT(雙順丁烯二醯亞胺三
Figure 107111440-A0202-12-0036-24
)樹脂或作為含浸有BT樹脂的玻璃布的預浸料、味之素精細化學股份有限公司製造的ABF膜或ABF。另外，上述埋入樹脂(resin)中可使用本說明書中記載的樹脂層及/或樹脂及/或預浸料。
另外，上述第一層中使用的附載體銅箔也可在該附載體銅箔的載體側的表面或者極薄銅層側的表面具有基板或樹脂層。藉由具有該基板或樹脂層，第一層中使用的附載體銅箔得到支持，難以產生褶皺，因此具有生產性提升的優點。此外，上述基板或樹脂層中，只要具有支持上述第一層中使用的附載體銅箔的效果，則所有的基板或樹脂層均可使用。例如可使用本申請案說明書中記載的載體、預浸料、樹脂層或公知的載體、預浸料、樹脂層、金屬 板、金屬箔、無機化合物的板、無機化合物的箔、有機化合物的板、有機化合物的箔來作為上述基板或樹脂層。
可將本發明的表面處理銅箔從粗糙化處理面側貼合於樹脂基板上來製造積層體。樹脂基板只要具有可適用於印刷配線板等的特性，則不受特別限制，例如，剛性PWB用途中可使用：紙基材苯樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布‧紙複合基材環氧樹脂、玻璃布‧玻璃不織布複合基材環氧樹脂以及玻璃布基材環氧樹脂等，FPC用途中可使用聚酯膜或聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、氟樹脂膜等。此外，在使用液晶聚合物(LCP)膜或氟樹脂膜的情況下，存在較使用聚醯亞胺膜的情況而言，該膜與表面處理銅箔的剝離強度變小的傾向。因此，在使用液晶聚合物(LCP)膜或氟樹脂膜的情況下，藉由在形成銅電路後，以覆蓋層來覆蓋銅電路，則該膜與銅電路難以剝落，可防止由剝離強度的下降所引起的該膜與銅電路的剝離。
此外，液晶聚合物(LCP)膜或氟樹脂膜由於介電損耗角正切小，故而使用液晶聚合物(LCP)膜或氟樹脂膜以及本申請案發明的表面處理銅箔的覆銅積層板、印刷配線板、印刷電路板適合於高頻電路(以高頻來進行信號傳輸的電路)用途。另外，本申請案發明的表面處理銅箔由於粗糙化處理的粒子的尺寸小、光澤度高，故而表面平滑，也適合於高頻電路用途。
關於貼合的方法，在剛性PWB用途的情況下，可藉由如下方式來進行：使玻璃布等基材中含浸樹脂，準備使樹脂固化至半固化狀態的預浸料。將銅箔從經粗糙化處理的一側的面重疊於預浸料上，進行加熱加壓。在FPC的情況下，可藉由在聚醯亞胺膜等基材上，經由接著劑，或者不使用接著劑，在高溫高壓下積層接著於銅箔上，或者將聚醯亞胺前體塗布‧乾燥‧固化等，來製造積層板。
本發明的積層體可用於各種印刷配線板(PWB)，並無特別限 制，例如，就導體圖案的層數的觀點而言，可應用於單面PWB、兩面PWB、多層PWB(3層以上)，就絕緣基板材料的種類的觀點而言，可應用於剛性PWB、柔性PWB(FPC)、軟硬PWB。
本發明中，“印刷配線板”中也包含安裝有零件的印刷配線板、印刷電路板以及印刷基板。另外，可將本發明的印刷配線板連接2個以上，來製造2個以上的印刷配線板連接而成的印刷配線板，另外，可將至少1個本發明的印刷配線板、與另一個本發明的印刷配線板或者和本發明的印刷配線板不相符的印刷配線板連接，也可使用如上所述的印刷配線板來製造電子機器。此外，本發明中，“銅電路”中也包含銅配線。進而，也可將本發明的印刷配線板與零件連接來製造印刷配線板。另外，也可藉由將至少1個本發明的印刷配線板、與另一個本發明的印刷配線板或者和本發明的印刷配線板不相符的印刷配線板連接，進而，將本發明的印刷配線板連接2個以上而成的印刷配線板、與零件連接，從而製造2個以上的印刷配線板連接而成的印刷配線板。此處，“零件”可列舉：連接器或LCD(Liquid Cristal Display，液晶顯示器)、LCD中使用的玻璃基板等電子零件，包含IC(Integrated Circuit，積體電路)、LSI(Large scale integrated circuit，大型積體電路)、VLSI(Very Large scale integrated circuit，超大型積體電路)、ULSI(Ultra-Large Scale Integration，超大型積體電路)等半導體積體電路的電子零件(例如IC晶片、LSI晶片、VLSI晶片、ULSI晶片)，用以遮蔽電子電路的零件以及為了在印刷配線板上固定外罩等而必需的零件等。
[實施例]
以下，基於實施例及比較例來進行說明。此外，本實施例始終僅為一例，並非僅僅限定於該例。即，包含本發明中所含的其他實施方式或者變形。此外，以下的實施例1~5、8~12以及比較例1~3、7、9的原箔中，使 用壓延銅箔TPC(JIS H3100 C1100所規定的精銅，JX金屬製造)18μm。實施例6、7、比較例4、5、11、12的原箔中使用厚度18μm的電解銅箔HLP箔，JX金屬製造。另外，比較例6、8、10使用厚度18μm的電解銅箔JTC箔，JX金屬製造。
另外，實施例13~15的原箔中使用利用以下方法來製造的附載體銅箔。
實施例15準備厚度18μm的電解銅箔(JX金屬製造的JTC箔)作為載體，實施例13、14準備上述厚度18μm的壓延銅箔TPC作為載體。而且，在下述條件下，在載體的表面形成中間層，在中間層的表面形成極薄銅層。此外，在載體為電解銅箔的情況下，在光澤面(S面)上形成中間層。
‧實施例13
<中間層>
(1)Ni層(鍍Ni)
藉由利用以下條件，在卷對卷(roll-to-roll)型的連續鍍敷線上，對載體進行電鍍，形成1000μg/dm2的附著量的Ni層。以下記載具體的鍍敷條件。
硫酸鎳：270~280g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
硼酸：30~40g/L
亮光劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：55~75ppm
pH：4~6
浴溫：55~65℃
電流密度：10A/dm2
(2)Cr層(電解鉻酸鹽處理)
接著，將(1)中形成的Ni層表面進行水洗及酸洗後，繼而，在卷對卷型的連續鍍敷線上，藉由利用以下條件進行電解鉻酸鹽處理，而在Ni層上附著11μg/dm2的附著量的Cr層。
重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0g/L
pH：7~10
液溫：40~60℃
電流密度：2A/dm2
<極薄銅層>
接著，將(2)中形成的Cr層表面進行水洗及酸洗後，繼而，在卷對卷型的連續鍍敷線上，藉由利用以下條件進行電鍍，在Cr層上形成厚度1.5μm的極薄銅層，製作附載體銅箔。
銅濃度：90~110g/L
硫酸濃度：90~110g/L
氯化物離子濃度：50~90ppm
調平劑1(雙(3-磺基丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
此外，使用下述胺化合物作為調平劑2。
Figure 107111440-A0202-12-0040-4
(上述化學式中，R1及R2是選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一組群中。)
電解液溫度：50~80℃
電流密度：100A/dm2
電解液線速：1.5~5m/sec
‧實施例14
<中間層>
(1)Ni-Mo層(鎳鉬合金鍍敷)
藉由利用以下條件，在卷對卷型的連續鍍敷線上對載體進行電鍍而形成3000μg/dm2的附著量的Ni-Mo層。以下記載具體的鍍敷條件。
(液組成)硫酸Ni六水合物：50g/dm3、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3、檸檬酸鈉：90g/dm3
(液溫)30℃
(電流密度)1~4A/dm2
(通電時間)3~25秒
<極薄銅層>
在(1)中形成的Ni-Mo層上形成極薄銅層。除了將極薄銅層的厚度設為2μm以外，以與實施例13相同的條件形成極薄銅層。
‧實施例15
<中間層>
(1)Ni層(Ni鍍敷)
利用與實施例13相同的條件來形成Ni層。
(2)有機物層(有機物層形成處理)
接著，將(1)中形成的Ni層表面進行水洗及酸洗後，繼而，藉由利用下述條件，對Ni層表面噴淋、噴霧包含濃度1~30g/L的羧基苯并三唑(CBTA)的液溫40℃、pH 5的水溶液20~120秒，從而形成有機物層。
<極薄銅層>
在(2)中形成的有機物層上形成極薄銅層。除了將極薄銅層的厚度設為5μm以外，以與實施例13相同的條件形成極薄銅層。
對上述壓延銅箔、電解銅箔或附載體銅箔的極薄銅層表面，在下述所示的條件範圍內進行粗糙化處理，視需要設置耐熱層、及/或防銹層，繼而進行鉻酸鹽處理，進而進行矽烷塗布處理(矽烷偶合處理)，藉此可實施與實施例、比較例相關的表面處理銅箔的製造。
對上述壓延銅箔、電解銅箔或附載體銅箔的極薄銅層表面進行以下的粗糙化處理。然後，對實施例4、5、7、9、10、13、比較例4、5、10、11設置以下的耐熱層。另外，對實施例12、15、比較例12設置以下的防銹層。其他的實施例、比較例中不設置耐熱層、防銹層。繼而進行以下的鉻酸鹽處理。然後進行以下的矽烷偶合處理。
此外，在使用HLP箔作為電解銅箔的情況下，對M面(析出面、與製造電解銅箔時的電解銅箔製造裝置的電解桶側相反側的面)進行上述的粗糙化處理等表面處理。另外，在使用JTC箔作為電解銅箔的情況下，對電解銅箔的S面(光澤面、製造電解銅箔時的電解銅箔製造裝置的電解桶側的面)進行上述的粗糙化處理等表面處理。
以下示出上述粗糙化處理(6階段鍍敷：依次進行下述鍍敷處理1~6)的條件。此外，將鍍敷處理1~6的各電流密度及庫倫量示於表1中。
‧鍍敷處理1及鍍敷處理3
(液組成)
Cu：10~20g/L
W：1~5ppm
十二烷基硫酸鈉：1~10ppm
硫酸：70~110g/L
液溫：20~30℃
電流密度：50~110A/dm2
鍍敷時間：1.0~2.0秒
‧鍍敷處理2及鍍敷處理4~6
(液組成)
Cu：10~20g/L
W：1~5ppm
十二烷基硫酸鈉：1~10ppm
硫酸：70~110g/L
液溫：20~30℃
電流密度：6~8A/dm2
鍍敷時間：3.1~5.8秒
此外，以下示出實施例9及15的上述粗糙化處理(6階段鍍敷：依次進行下述鍍敷處理1~6)的條件。此外，將鍍敷處理1~6的各電流密度及庫倫量示於表1中。
‧鍍敷處理1及鍍敷處理3
(液組成)
Cu：15g/L
W：3ppm
十二烷基硫酸钠：5ppm
硫酸：100g/L
液溫：25℃鍍敷時間：1.0秒(實施例9)、1.2秒(實施例15)
‧鍍敷處理2及鍍敷處理4~6
(液組成)
Cu：15g/L
W：3ppm
十二烷基硫酸钠：5ppm
硫酸：100g/L
液温：25℃
鍍敷時間：4.9秒(實施例9 鍍敷處理2)、4.8秒(實施例9 鍍敷處理4)、5.1秒(實施例9 鍍敷處理5)、4.8秒(實施例9 鍍敷處理6)、5.0秒(實施例15 鍍敷處理2)、4.9秒(實施例15 鍍敷處理4)、5.1秒(實施例15 鍍敷處理5)、4.8秒(實施例15 鍍敷處理6)
另外，在設置粗糙化處理層後，如以下的表2所記載，設置以下的耐熱層或防銹層。此外，表2的“耐熱層”欄的“Ni-Co鍍敷”、“Co-Mo鍍敷”、“Ni-Mo鍍敷”、“Co鍍敷”分別是指利用以下條件來進行Ni-Co鍍敷、Ni-Mo鍍敷、Co鍍敷。表2的“耐熱層”欄的“-”是指未設置耐熱層。另外，表2的“防銹層”欄的“Zn-Ni鍍敷”是指利用以下條件來進行Zn-Ni鍍敷。另外，表2的“防銹層”欄的“-”是指未設置防銹層。然後，設置鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層。
‧耐熱層形成處理
Ni鍍敷
液組成：鎳10~40g/L
pH：1.0~5.0
液溫：30~70℃
電流密度：1~9A/dm2
通電時間：0.1~3秒
Ni-Co鍍敷
液組成：鈷1~20g/L、鎳1~20g/L
pH：1.5~3.5
液溫：30~80℃
電流密度：1~20A/dm2
通電時間：0.5~4秒
Co鍍敷
液組成：鈷10~40g/L
pH：1.0~5.0
液溫：30~70℃
電流密度：1~9A/dm2
通電時間：0.1~3秒
Co-Mo鍍敷
液組成：鈷1~20g/L、鉬1~20g/L
pH：1.5~3.5
液溫：30~80℃
電流密度：1~20A/dm2
通電時間：0.5~4秒
Ni-Mo鍍敷
液組成：鉬1~20g/L、鎳1~20g/L
pH：1.5~3.5
液溫：30~80℃
電流密度：1~20A/dm2
通電時間：0.5~4秒
‧防銹層形成處理
Zn-Ni鍍敷
液組成：鋅10~30g/L、鎳1~10g/L
pH：3~4
液溫：40~50℃
電流密度：0.5~5A/dm2
通電時間：1~3秒
(鉻酸鹽處理)
以下示出上述鉻酸鹽處理中使用的處理液的液組成及處理條件。
K2Cr2O7：2~7g/L
Zn：0.1~1g/L
pH：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0.5~3A/dm2
鍍敷時間：1.5~3.5秒
(矽烷偶合處理)
上述矽烷塗布處理(矽烷偶合處理)是使用二胺基矽烷：1.0~2.0vol%的 處理液，藉由噴淋塗布來進行。
對所製作的樣品的表面處理層以及樣品的具有表面處理層的一側的表面進行以下評價。
(金屬附著量)
關於表面處理層的Cu以外的各種金屬的附著量的測定，是將50mm×50mm的銅箔表面的表面處理層的皮膜溶解於混合有HNO3(2重量%)與HCl(5重量%)的溶液(剩餘部分：水)中，利用ICP發光分光分析裝置(SII納米技術股份有限公司製造，SFC-3100)，將該溶液中的金屬濃度定量，算出每單位面積的金屬量(μg/dm2)而匯出。此時，為了使與所欲測定的面相反的面的金屬附著量不會混入，視需要加以掩蓋來進行分析。此外，對進行上述粗糙化處理、設置耐熱層的處理、設置防銹層的處理以及鉻酸鹽處理、進而矽烷塗布處理(矽烷偶合處理)後的樣品(進行了所有的表面處理後的樣品)進行測定。此外，在表面處理層不溶解於上述混合有HNO3(2重量%)與HCl(5重量%)的溶液中的情況下，也可適當使用表面處理層溶解的溶液，將表面處理層的皮膜溶解後，以與上述方法相同的方式來測定各種金屬的附著量。
(具有三個以上突起的粒子的個數)
對於各樣品的表面處理層的表面，使用日立高新技術股份有限公司製造的S4700(掃描型電子顯微鏡)，將加速電壓設為15kV，以20000倍的倍率，從正上方(即，將載有各樣品的平臺的角度設為0度(水平))進行粒子觀察及照片拍攝，基於所獲得的照片來測定具有三個以上突起的粒子的個數(個/μm2)。在3個6μm×5μm大小的視野中，測定具有三個以上突起的粒子的個數(個/μm2)，將3個視野的平均的具有三個以上突起的粒子的個數作為具有三個以上突起的粒子的個數的值。此外，為了容易評價後述的高低差或粒子的重 疊、谷，觀察照片時的對比度等可適當調整。
此外，粒子是否具有三個以上突起是以如下方式來判定。
上述照片中，粒子的輪廓部分且較周圍部分更明亮的部分是指該表面較周圍部分而言，與掃描型電子顯微鏡(SEM)的觀察中使用的電子束的入射方向更接近於平行。
因此，粒子的輪廓部分且較周圍部分更明亮的部分是較周圍部分而言，傾斜度更陡峭的部分(較周圍部分而言，相對於銅箔表面更接近於垂直的部分)。即可以說，粒子的輪廓部分且較周圍部分更明亮的部分的內側部分較粒子的輪廓部分且較周圍部分更明亮的部分的外側部分而言，存在於更高的位置。
因此，如圖3(A)所示，粒子的輪廓部分且較周圍部分更明亮的部分判斷為高低差。
另外，較周圍部分更暗的部分是指較周圍部分更低的部分(谷)、或者由於粒子的重疊而電子束難以抵達的部分。
如圖4(A)所示，在較周圍部分更暗的部分的兩側均緩緩變得明亮的部分判斷為較周圍部分更低的部分，即，谷。谷判斷為一個粒子與其相鄰粒子的邊界。
如圖3(B)所示，較與高低差鄰接的周圍部分暗的部分判斷為由於高低差的突出，電子束難以抵達的部分。因此，在存在高低差1，且在較該高低差更低的部分進而存在高低差2的情況下，較與高低差鄰接的周圍部分暗的部分判斷為粒子的重疊。而且，高低差2也判斷為一個粒子的一部分。此處，所謂“低”，是包含以下兩者的概念：較其他部分而言，相對於銅箔更接近於垂直方向(銅箔的板厚方向)；或者較其他部分而言，相對於掃描型電子顯微鏡的試樣平臺更接近於垂直方向(銅箔的板厚方向)。
另外，在如圖4(B)所示，在較上述高低差1更低的部分未觀察到高低差2的情況下，較與高低差鄰接的周圍部分暗的部分判斷為一個粒子與其相鄰粒子的邊界。
1.粒子的確定
以下述方式來確定一個一個的粒子。
較周圍更明亮的部分由於是較周圍更高的部分，故而判斷為粒子。
而且，1個粒子的頂點部分是作為1個粒子來計數。
將看起來較周圍更高的部分作為粒子的頂點部分。
如圖6(A)所示，看起來較粒子的頂點部分更低的部分(即，看起來位於粒子的頂點部分之下的部分)判斷為粒子的一部分。
如圖6(B)所示，與看起來較一個粒子的頂點部分更低的部分鄰接、且與上述粒子的頂點部分不同的另一個看起來高的部分作為另一粒子的頂點部分，且作為另一粒子來計數。
如圖4(C)所示，由上述邊界所包圍的部分判斷為一個粒子。圖4(C)的由虛線包圍的粒子是由谷、以及在較上述高低差1更低的部分未觀察到高低差2的情況下的較與高低差鄰接的周圍部分暗的部分所包圍。
2.上述照片中，對上述1.中確定的各粒子進行以下測定。關於各粒子，在粒子的凸部的長度為0.050μm以上，且粒子的凸部的寬度為0.220μm以下的情況下，將該凸部判斷為粒子的突起。
(1)粒子的凸部的長度的測定
i.在上述照片中描畫粒子的上部部分中所包含的最大圓(以下記載為“最大圓”)。
‧此處所謂粒子的上部部分設為以下的任一部分。
i.包含粒子的被認為最高的部分且在周長的70%以上的部分具有上述高低 差的粒子的部分
ii.包含粒子的被認為最高的部分且由上述谷所包圍的粒子的部分
iii.包含粒子的被認為最高的部分且由上述谷及上述高低差所包圍的粒子的部分
此處所謂“高”是包含以下兩者的概念：較其他部分而言，在垂直方向(銅箔的板厚方向)上與銅箔更遠離；或者較其他部分而言，在垂直方向(銅箔的板厚方向)上與掃描型電子顯微鏡的試樣平臺更遠離。
‧通常在SEM照片中，在相對於電子束的入射方向而言的表面的角度相同的情況下，高的部分(與SEM的試樣平臺更遠離的部分)明亮地顯示。因此，在相對於電子束的入射方向而言的表面的角度相同的情況下，SEM照片中更明亮的部分是指更高的部分。同樣，在相對於電子束的入射方向而言的表面的角度相同的情況下，SEM照片中更暗的部分是指更低的部分。因此，可根據SEM照片的明暗度來判斷高低。
圖7中表示包含粒子的被認為最高的部分且在周長的70%以上的部分具有上述高低差的粒子的部分(由虛線包圍的部分)的例子。
圖8中表示包含粒子的被認為最高的部分且由上述谷所包圍的粒子的部分(由虛線包圍的部分)的例子。
圖9中表示包含粒子的被認為最高的部分且由上述谷及上述高低差所包圍的粒子的部分(由虛線包圍的部分)的例子。
ii.將從最大圓上突出的粒子的部分作為粒子的凸部。而且，從粒子的凸部的頂點向最大圓的中心引直線1。並且，將從粒子的凸部的頂點至最大圓為止的直線1的長度作為粒子的凸部的長度。
此處，粒子的凸部的頂點在各粒子的凸部中，設為較該粒子的凸部的頂點的兩側而言，與最大圓的中心的距離遠的點。
‧在由上述高低差、及/或谷、及/或粒子的重疊所包圍的部分中，存在上述高低差的部分的情況下，該高低差的部分也作為粒子的凸部之一。
圖10(A)中表示將最大圓的中心以黑圓點記載、且將粒子的凸部的頂點以白圓點記載的例子。從最大圓上突出的具有粒子凸部的頂點的部分為粒子的凸部。
將圖10(A)中記載有直線1的圖示於圖10(B)中。將黑圓點與白圓點連結的直線為直線1。
為了參考，將該圖中若干個粒子的凸部的長度示於圖10(C)中。
對於一部分突出於照片的框外的粒子也計數。
該情況下，在照片的框內，描畫存在於照片框內的部分的圓弧包含於粒子的上部部分中的最大圓。即，上述最大圓的一部分也可突出於照片的框外(圖11)。
(2)粒子的凸部的寬度的測定
引直線2，其是與上述直線1垂直的直線，且通過從上述直線1所通過的粒子的凸部的頂點起，在直線1上向最大圓的中心的方向移動0.050μm之處的點。而且，將直線2通過上述粒子的凸部的長度作為粒子的凸部的寬度。直線2通過上述粒子的凸部的長度設為從直線2與上述粒子的凸部的輪廓相交的點起，直至直線2與上述粒子的凸部的輪廓相交的另一點為止的長度。圖12的與將白圓點與黑圓點連結的直線(直線1)垂直相交的直線(實線)為直線2。
(3)而且，在粒子的凸部的長度為0.050μm以上且粒子的凸部的寬度為0.220μm以下的情況下，將該粒子的凸部判斷為突起。
並且，將具有3個以上的上述突起的粒子判定為“具有三個以上突起的粒子”。
實施例3的表面處理銅箔的表面處理層具有具有四個以上突起的粒子、具 有五個以上突起的粒子、以及具有六個以上突起的粒子。
(剝離強度)
將實施例及比較例的表面處理銅箔從具有表面處理層的一側，積層於樹脂基板(LCP：液晶聚合物樹脂(羥基苯甲酸(酯)與羥基萘甲酸(酯)的共聚物)膜，可樂麗股份有限公司製造的Vecstar(注冊商標)，CTZ-厚度50μm))上，製成覆銅積層板。接著，以90度剝落來測定以下的剝離強度：從上述樹脂基板上剝落表面處理銅箔時的常態剝離強度；以及將上述覆銅積層板在150℃下進行3天的熱處理、在150℃下進行7天的熱處理、以及/或者在150℃下進行10天的熱處理後，在室溫下從上述樹脂基板上剝落上述表面處理銅箔時的剝離強度。剝離強度是將電路寬度設為3mm，以90度的角度且以50mm/min的速度將上述樹脂基板與表面處理銅箔剝離的情況。測定2次，設為其平均值。
另外，基於上述剝離強度的平均值，利用以下式子來算出剝離強度保持率(%)。
剝離強度保持率(%)=在150℃下加熱72小時(3天)、168小時(7天)或240小時(10天)後的剝離強度(kg/cm)/常態剝離強度(kg/cm)×100
(傳輸損耗)
對於18μm厚的各樣品，與樹脂基板(LCP：液晶聚合物樹脂(羥基苯甲酸(酯)與羥基萘甲酸(酯)的共聚物)膜(可樂麗股份有限公司製造的Vecstar(注冊商標)，CTZ-厚度50μm)貼合後，藉由蝕刻，以特性阻抗成為50Ω的方式形成微帶線，使用HP公司製造的網路分析儀HP8720C來測定穿透係數，求出頻率20GHz下的傳輸損耗。此外，關於實施例13~15，將附載體銅箔的極薄銅層側的表面與上述樹脂基板貼合後，剝離載體，然後進行鍍銅，將 極薄銅層與鍍銅層的合計厚度設為18μm後，進行與上述相同的傳輸損耗的測定。作為頻率20GHz下的傳輸損耗的評價，將小於3.7dB/10cm作為◎，將3.7dB/10cm以上且小於4.1dB/10cm作為○，將4.1dB/10cm以上且小於5.0dB/10cm作為△，將5.0dB/10cm以上作為×。
(表面粗糙度)
-表面粗糙度Rz-
使用小阪研究所股份有限公司製造的接觸式粗糙度計SP-11，依據JIS B0601-1994，對表面處理銅箔的具有表面處理層的一側的表面測定十點平均粗糙度Rz。以測定基準長度為0.8mm、評價長度為4mm、截止值為0.25mm、進給速度為0.1mm/秒的條件來改變測定位置，進行10次，將10次測定的平均值作為Rz的值。對於壓延銅箔，藉由與壓延方向垂直的方向(TD)的測定，或者對於電解銅箔，藉由與電解銅箔的製造裝置中的電解銅箔的行進方向垂直的方向(TD)的測定，改變測定位置來進行10次，將十次測定的平均值作為各個樣品的粗糙度的值。
-均方根高度Rq、最大山高度Rp、最大谷深度Rv、平均高度Rc、十點平均粗糙度Rzjis以及算術平均粗糙度Ra-
另外，利用奧林巴斯公司製造的雷射顯微鏡OLS4000，依據JIS B0601 2001來測定表面處理銅箔的具有表面處理層的一側的表面的均方根高度Rq、最大山高度Rp、最大谷深度Rv、平均高度Rc、十點平均粗糙度Rzjis以及算術平均粗糙度Ra。在表面處理銅箔表面的倍率為1000倍的觀察中，以評價長度為647μm、截止值為零的條件，對於壓延銅箔，藉由與壓延方向垂直的方向(TD)的測定，或者對於電解銅箔，藉由與電解銅箔的製造裝置中的電解銅箔的行進方向垂直的方向(TD)的測定，改變測定位置來進行10次，將十次測定的平均 值作為各個粗糙度的值。此外，雷射顯微鏡的測定環境溫度設為23~25℃。
將各評價結果示於表1及2中。
Figure 107111440-A0202-12-0055-5
Figure 107111440-A0202-12-0056-8
表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，表面處理層具有0.4個/μm2以上的具有三個以上突起的粒子，且表面處理層側的以接觸式粗糙度計測定的表面粗糙度Rz為1.3μm以下，或者表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rp為1.59μm以下，或者表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rv為1.75μm以下，或者表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rzjis為3.3μm以下，或者表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rc為1.0μm以下，或者表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Ra為0.4μm以下，或者表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rq為0.5μm以下的實施例1~15中記載的表面處理銅箔或者附載體銅箔，其樹脂與表面處理銅箔的密接性及傳輸特性良好。
圖1中示出實施例3的表面處理層的表面的顯微鏡觀察照片。
圖2中示出比較例9的表面處理層的表面的顯微鏡觀察照片。
此外，本申請案主張基於2017年3月31日提出申請的日本專利申請第2017-73280號的優先權，將該日本專利申請的全部內容引用於本申請案中。

Claims (32)

  1. 一種表面處理銅箔，具有銅箔，以及在該銅箔的至少一個或兩個表面上具有表面處理層；該表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，該表面處理層具有0.4個/μm2以上的具有三個以上突起的粒子，該表面處理層側的以接觸式粗糙度計測定的表面粗糙度Rz為1.3μm以下，該突起為粒子之凸部，該粒子之凸部的長度為0.050μm以上，且該粒子之凸部的寬度為0.220μm以下。
  2. 一種表面處理銅箔，具有銅箔，以及在該銅箔的至少一個或兩個表面上具有表面處理層；該表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，該表面處理層具有0.4個/μm2以上的具有三個以上突起的粒子，該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rp為1.59μm以下，該突起為粒子之凸部，該粒子之凸部的長度為0.050μm以上，且該粒子之凸部的寬度為0.220μm以下。
  3. 一種表面處理銅箔，具有銅箔，以及在該銅箔的至少一個或兩個表面上具有表面處理層；該表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，該表面處理層具有0.4個/μm2以上的具有三個以上突起的粒子，該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rv為1.75μm以下，該突起為粒子之凸部，該粒子之凸部的長度為0.050μm以上，且該粒子之 凸部的寬度為0.220μm以下。
  4. 一種表面處理銅箔，具有銅箔，以及在該銅箔的至少一個或兩個表面上具有表面處理層；該表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，該表面處理層具有0.4個/μm2以上的具有三個以上突起的粒子，該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rzjis為3.3μm以下，該突起為粒子之凸部，該粒子之凸部的長度為0.050μm以上，且該粒子之凸部的寬度為0.220μm以下。
  5. 一種表面處理銅箔，具有銅箔，以及在該銅箔的至少一個或兩個表面上具有表面處理層；該表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，該表面處理層具有0.4個/μm2以上的具有三個以上突起的粒子，該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rc為1.0μm以下，該突起為粒子之凸部，該粒子之凸部的長度為0.050μm以上，且該粒子之凸部的寬度為0.220μm以下。
  6. 一種表面處理銅箔，具有銅箔，以及在該銅箔的至少一個或兩個表面上具有表面處理層；該表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，該表面處理層具有0.4個/μm2以上的具有三個以上突起的粒子，該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Ra為0.4μm以下，該突起為粒子之凸部，該粒子之凸部的長度為0.050μm以上，且該粒子之 凸部的寬度為0.220μm以下。
  7. 一種表面處理銅箔，具有銅箔，以及在該銅箔的至少一個或兩個表面上具有表面處理層；該表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為1000μg/dm2以下，該表面處理層具有0.4個/μm2以上的具有三個以上突起的粒子，該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rq為0.5μm以下，該突起為粒子之凸部，該粒子之凸部的長度為0.050μm以上，且該粒子之凸部的寬度為0.220μm以下。
  8. 如請求項1至7中任一項所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層具有0.7個/μm2以上的該具有三個以上突起的粒子。
  9. 如請求項1至7中任一項所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層具有1.0個/μm2以上的該具有三個以上突起的粒子。
  10. 如請求項1至7中任一項所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層滿足以下的(10-1)及(10-2)，(10-1)該表面處理層滿足：．具有0.5個/μm2以上的該具有三個以上突起的粒子；(10-2)該表面處理層滿足：．具有50.0個/μm2以下的該具有三個以上突起的粒子。
  11. 如請求項1至7中任一項所述的表面處理銅箔，其滿足以下的(11-1)~(11-7)的項目，(11-1)該表面處理層側的以接觸式粗糙度計測定的表面粗糙度Rz為1.3μm以下，(11-2)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rp為1.59μm以 下，(11-3)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rv為1.75μm以下，(11-4)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rzjis為3.3μm以下，(11-5)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rc為1.0μm以下，(11-6)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Ra為0.4μm以下，(11-7)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rq為0.5μm以下。
  12. 如請求項11所述的表面處理銅箔，其滿足以下的(12-1)~(12-7)的項目，(12-1)該表面處理層側的以接觸式粗糙度計測定的表面粗糙度Rz滿足以下的(12-1-1)及(12-1-2)：(12-1-1)該表面處理層側的以接觸式粗糙度計測定的表面粗糙度Rz滿足：．1.30μm以下，(12-1-2)該表面處理層側的以接觸式粗糙度計測定的表面粗糙度Rz滿足：．0.01μm以上；(12-2)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rp滿足以下的(12-2-1)及(12-2-2)：(12-2-1)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rp滿足： ．1.49μm以下，(12-2-2)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rp滿足：．0.01μm以上；(12-3)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rv滿足以下的(12-3-1)及(12-3-2)：(12-3-1)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rv滿足：．1.65μm以下，(12-3-2)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rv滿足：．0.01μm以上；(12-4)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rzjis滿足以下的(12-4-1)及(12-4-2)：(12-4-1)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rzjis滿足：．3.30μm以下，(12-4-2)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rzjis滿足：．0.01μm以上；(12-5)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rc滿足以下的(12-5-1)及(12-5-2)：(12-5-1)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rc滿足：．1.00μm以下，(12-5-2)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rc滿足：．0.01μm以上；(12-6)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Ra滿足以下的(12-6-1)及(12-6-2)：(12-6-1)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Ra滿足： ．0.40μm以下，(12-6-2)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Ra滿足：．0.01μm以上；(12-7)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rq滿足以下的(12-7-1)及(12-7-2)：(12-7-1)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rq滿足：．0.50μm以下，(12-7-2)該表面處理層側的以雷射顯微鏡測定的表面粗糙度Rq滿足：．0.01μm以上。
  13. 如請求項1至7中任一項所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為800μg/dm2以下。
  14. 如請求項13所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層中的Co、Ni及Mo的合計附著量為600μg/dm2以下。
  15. 如請求項1至7中任一項所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層中的Co的附著量為400μg/dm2以下。
  16. 如請求項15所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層中的Co的附著量為320μg/dm2以下。
  17. 如請求項16所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層中的Co的附著量為240μg/dm2以下。
  18. 如請求項1至7中任一項所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層中的Ni的附著量為600μg/dm2以下。
  19. 如請求項18所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層中的Ni的附著量為480μg/dm2以下。
  20. 如請求項19所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層中的Ni 的附著量為360μg/dm2以下。
  21. 如請求項1至7中任一項所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層中的Mo的附著量為600μg/dm2以下。
  22. 如請求項21所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層中的Mo的附著量為480μg/dm2以下。
  23. 如請求項22所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層中的Mo的附著量為360μg/dm2以下。
  24. 如請求項1至7中任一項所述的表面處理銅箔，其中，該表面處理層包含粗糙化處理層。
  25. 如請求項1至7中任一項所述的表面處理銅箔，其中，在該表面處理層上具備樹脂層。
  26. 如請求項1至7中任一項所述的表面處理銅箔，其用於1GHz以上的高頻電路基板。
  27. 一種附載體銅箔，依次具有載體、中間層、及極薄銅層，該極薄銅層為請求項1至26中任一項所述的表面處理銅箔。
  28. 一種積層板，具有：請求項1至26中任一項所述的表面處理銅箔或者請求項27所述的附載體銅箔；以及樹脂基板。
  29. 一種印刷配線板的製造方法，使用請求項1至26中任一項所述的表面處理銅箔或者請求項27所述的附載體銅箔。
  30. 一種電子機器的製造方法，使用利用請求項29所述的方法來製造的印刷配線板。
  31. 一種印刷配線板的製造方法，包括： 準備請求項27所述的附載體銅箔以及絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將該附載體銅箔的載體剝離的步驟而形成覆銅積層板；然後，利用半加成(semi-additive)法、減成(subtractive)法、部分加成(partly additive)法或改良型半加成(modified semi-additive)法中的任一種方法來形成電路的步驟。
  32. 一種印刷配線板的製造方法，包括：在請求項27所述的附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面上形成電路的步驟；以埋沒該電路的方式，在該附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面上形成樹脂層的步驟；在該樹脂層上形成電路的步驟；在該樹脂層上形成電路後，使該載體或該極薄銅層剝離的步驟；以及使該載體或該極薄銅層剝離後，將該極薄銅層或該載體去除，藉此使形成於該極薄銅層側表面或該載體側表面的埋沒於該樹脂層中的電路露出的步驟。
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