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TWI653149B - Optical film - Google Patents

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TWI653149B
TWI653149B TW103126900A TW103126900A TWI653149B TW I653149 B TWI653149 B TW I653149B TW 103126900 A TW103126900 A TW 103126900A TW 103126900 A TW103126900 A TW 103126900A TW I653149 B TWI653149 B TW I653149B
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TW
Taiwan
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layer
film
retardation layer
polarizing plate
alignment film
Prior art date
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TW103126900A
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TW201509683A (zh
Inventor
幡中伸行
横田明�
小林忠弘
佐瀨光敬
小松慶史
Original Assignee
住友化學股份有限公司
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Publication date
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Publication of TW201509683A publication Critical patent/TW201509683A/zh
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Abstract

本發明之課題在於提供一種在抑制顯示黑時之漏光上優異的光學薄膜。
該解決手段為一種光學薄膜，其係具有第一相位差層與第二相位差層之光學薄膜，第二相位差層具有式(3)所表示之光學特性，且該光學薄膜具有式(1)及式(2)所表示之光學特性。
Re(450)/Re(550)≦1.00 (1)
1.00≦Re(650)/Re(550) (2)
nx≒ny<nz (3)
(式中，Re(450)表示波長450nm下之面內相位差值，Re(550)表示波長550nm下之面內相位差值，Re(650)表示波長650nm下之面內相位差值。nx表示在相位差層所形成之折射率橢圓體中，對於薄膜平面呈平行方向之主折射率，ny表示對於薄膜平面呈平行且對於該nx之方向呈正交方向之折射率，nz表示對於薄膜平面呈垂直方向之折射率。)

Description

光學薄膜
本發明係關於光學薄膜。
平板顯示裝置(FPD)中使用如偏光板、相位差板等之包含光學薄膜之構件。作為此般光學薄膜，已知有藉由將包含聚合性液晶之組成物塗佈於基材上所製造之光學薄膜。例如，專利文獻1中記載關於一種顯示逆波長分散性之該光學薄膜。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特表2010-537955號公報
然而，先前之光學薄膜在抑制顯示黑時之漏光，即所謂之光學補償特性上並未充足。
本發明係包含以下之發明者。
[1]一種光學薄膜，其係具有第一相位差層與第二相位差層之光學薄膜，第二相位差層具有式(3)所表示之光學特性，且該光學薄膜具有式(1)及式(2)所表示之光學特性。
Re(450)/Re(550)≦1.00 (1)
1.00≦Re(650)/Re(550) (2)
nx≒ny<nz (3)
(式中，Re(450)表示波長450nm下之面內相位差值，Re(550)表示波長550nm下之面內相位差值，Re(650)表示波長650nm下之面內相位差值。nx表示在相位差層所形成之折射率橢圓體中，對於薄膜平面呈平行方向之主折射率。ny表示在相位差層所形成之折射率橢圓體中，對於薄膜平面呈平行且對於該nx之方向呈正交方向之折射率。nz表示在相位差層所形成之折射率橢圓體中，對於薄膜平面呈垂直方向之折射率。)
[2]如[1]之光學薄膜，其中第一相位差層具有式(4)所表示之光學特性。
100<Re(550)<160 (4)
(式中，Re(550)係表示與前述相同之意義。)
[3]如[1]或[2]之光學薄膜，其中第一相位差層具有式(1)及式(2)所表示之光學特性。
Re(450)/Re(550)≦1.00 (1)
1.00≦Re(650)/Re(550) (2)
(式中，Re(450)、Re(550)及Re(650)係表示與前述相同之意義。)
[4]如[1]~[3]中任一項之光學薄膜，其中第一相位差層含有具有式(4)、(6)及式(7)所表示之光學特性之層A，與具有式(5)、(6)及式(7)所表示之光學特性之層B。
100<Re(550)<160 (4)
200<Re(550)<320 (5)
Re(450)/Re(550)≧1.00 (6)
1.00≧Re(650)/Re(550) (7)
(式中，Re(450)、Re(550)及Re(650)係表示與前述相同之意義。)
[5]如[1]或[2]之光學薄膜，其係更具有第三相位差層之光學薄膜，且第三相位差層具有式(5)所表示之光學特性。
200<Re(550)<320 (5)
(式中，Re(550)係表示與前述相同之意義。)
[6]如[5]之光學薄膜，其中第一相位差層及第三相位差層具有式(6)及式(7)所表示之光學特性。
Re(450)/Re(550)≧1.00 (6)
1.00≧Re(650)/Re(550) (7)
(式中，Re(450)、Re(550)及Re(650)係表示與前述相同之意義。)
[7]如[5]或[6]之光學薄膜，其中第三相位差層係藉由使1種以上之聚合性液晶進行聚合而形成之被覆層。
[8]如[5]~[7]中任一項之光學薄膜，其中第三相位 差層之厚度為5μm以下。
[9]如[5]~[8]中任一項之光學薄膜，其中第三相位差層係形成於配向膜上。
[10]如[1]~[9]中任一項之光學薄膜，其中第一相位差層係藉由使1種以上之聚合性液晶進行聚合而形成之被覆層。
[11]如[1]~[10]中任一項之光學薄膜，其中第二相位差層係藉由使1種以上之聚合性液晶進行聚合而形成之被覆層。
[12]如[1]~[11]中任一項之光學薄膜，其中第一相位差層之厚度為5μm以下。
[13]如[1]~[12]中任一項之光學薄膜，其中第二相位差層之厚度為5μm以下。
[14]如[1]~[13]中任一項之光學薄膜，其中第一相位差層及第二相位差層之厚度分別為5μm以下。
[15]如[1]~[14]中任一項之光學薄膜，其中第一相位差層係形成於配向膜上。
[16]如[1]~[15]中任一項之光學薄膜，其中第二相位差層係形成於配向膜上。
[17]如[9]、[15]或[16]之光學薄膜，其中配向膜係藉由光照射而產生配向調控力之配向膜。
[18]如[9]、[15]或[16]之光學薄膜，其中配向膜係產生垂直配向調控力之配向膜。
[19]如[15]~[18]中任一項之光學薄膜，其中配向膜 之厚度為500nm以下。
[20]如[1]~[19]中任一項之光學薄膜，其中於基材上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層，且於第一相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層。
[21]如[1]~[20]中任一項之光學薄膜，其中於基材上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，且於第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層。
[22]如[5]~[21]中任一項之光學薄膜，其中依此順序具有第一相位差層、第二相位差層及第三相位差層。
[23]如[20]~[22]之光學薄膜，其中在第一相位差層與第二相位差層之間具有保護層。
[24]如[22]之光學薄膜，其中在第二相位差層與第三相位差層之間具有保護層。
[25]如[1]~[19]中任一項之光學薄膜，其中於基材之一方之面上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層、於基材之另一方之面上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層。
[26]如[4]之光學薄膜，其中層A係藉由使1種以上之聚合性液晶進行聚合而形成之被覆層。
[27]如[4]之光學薄膜，其中層B係藉由使1種以上之聚合性液晶進行聚合而形成之被覆層。
[28]如[4]之光學薄膜，其中層A之厚度為5μm以下。
[29]如[4]之光學薄膜，其中層B之厚度為5μm以 下。
[30]如[4]之光學薄膜，其中層A及層B之厚度分別為5μm以下。
[31]如[4]之光學薄膜，其中於基材上介由或不介由配向膜而形成層A，於該層A之上介由或不介由配向膜而形成層B，且於該層B之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層。
[32]如[4]之光學薄膜，其中於基材上介由或不介由配向膜而形成層B，於該層B之上介由或不介由配向膜而形成層A，且於該層A之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層。
[33]如[4]之光學薄膜，其中於基材上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成層A，且於該層A之上介由或不介由配向膜而形成層B。
[34]如[4]之光學薄膜，其中於基材上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成層B，且於該層B之上介由或不介由配向膜而形成層A。
[35]如[4]之光學薄膜，其中於基材一方之面上介由或不介由配向膜而形成層A，於該層A之上介由或不介由配向膜而形成層B，且於基材之另一方之面上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層。
[36]如[4]之光學薄膜，其中於基材一方之面上介由 或不介由配向膜而形成層B，於該層B之上介由或不介由配向膜而形成層A，且於基材之另一方之面上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層。
[37]如[31]~[36]中任一項之光學薄膜，其中在層A與層B之間具有保護層。
[38]如[5]之光學薄膜，其中於基材上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層、於該第一相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層、於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層。
[39]如[5]之光學薄膜，其中於基材上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層，於該第三相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，且該於第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層
[40]如[5]之光學薄膜，其中於基材之一方之面上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層、於該第一相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層、於基材另一方之面上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層。
[41]如[5]之光學薄膜，其中於基材一方之面上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層，且於基材另一方之面上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層。
[42]如[5]之光學薄膜，其中於基材一方之面上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層，於該第三相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，且於基材 另一方之面上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層。
[43]如[5]之光學薄膜，其中於基材一方之面上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層，且於基材另一方之面上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層。
[44]一種圓偏光板，其係具備如[1]~[43]中任一項之光學薄膜與偏光板。
[45]如[44]之圓偏光板，其中以活性能量線硬化型接著劑或水系接著劑貼合光學薄膜與偏光板。
[46]一種有機EL顯示裝置，其係具備如[44]或[45]之圓偏光板。
[47]一種觸控面板顯示裝置，其係具備如[44]或[45]之圓偏光板。
根據本發明，可提供一種在抑制顯示黑時之漏光上優異之光學薄膜。
1‧‧‧第一相位差層
2‧‧‧第二相位差層
3、3’‧‧‧基材
100‧‧‧本光學薄膜
4‧‧‧層A
5‧‧‧層B
6‧‧‧偏光板
8‧‧‧第三相位差層
7‧‧‧有機EL面板
110‧‧‧本圓偏光板
200‧‧‧有機EL顯示裝置
30‧‧‧有機EL顯示裝置
31‧‧‧本圓偏光板
32‧‧‧基板
33‧‧‧層間絕緣膜
34‧‧‧畫素電極
35‧‧‧發光層
36‧‧‧陰極電極
37‧‧‧密封層
38‧‧‧薄膜電晶體
39‧‧‧肋部
[圖1]本發明之光學薄膜之剖面示意圖。
[圖2]本發明之光學薄膜之剖面示意圖。
[圖3]包含本發明之光學薄膜之圓偏光板之剖面示意圖。
[圖4]包含本發明之光學薄膜之圓偏光板之剖面示意圖。
[圖5]包含本發明之光學薄膜之有機EL顯示裝置之剖面示意圖。
[圖6]包含本發明之光學薄膜之有機EL顯示裝置之示意圖。
本發明之光學薄膜(以下，亦有稱為本光學薄膜)具有第一相位差層與第二相位差層。又，亦可具有第三相位差層。第一相位差層、第二相位差層及第三相位差層係指具有一定光學特性之相位差層，第一相位差層、第二相位差層及第三相位差層係分別亦可由2個以上之層所構成。
本光學薄膜具有式(1)及式(2)所表示之光學特性。本光學薄膜為了具有該光學特性，使第一相位差層、第二相位差層或第三相位差層具有式(1)及式(2)所表示之光學特性，或，藉由組合選自第一相位差層、第二相位差層及第三相位差層之至少2者而展現式(1)及式(2)所表示之光學特性即可。
Re(450)/Re(550)≦1.00 (1)
1.00≦Re(650)/Re(550) (2)
本說明書中，Re(450)表示波長450nm下之面內相位差值，Re(550)表示波長550nm下之面內相位差值， Re(650)表示波長650nm下之面內相位差值。
〔相位差層〕
作為相位差層，例如可舉出藉由使聚合性液晶進行聚合而形成之層及延伸薄膜。相位差層之光學特性係可藉由聚合性液晶之配向狀態或延伸薄膜之延伸方法而進行調節。
<藉由使聚合性液晶進行聚合而形成之層>
於本發明中，將聚合性液晶之光軸對於基材平面呈水平配向者定義為水平配向，且將聚合性液晶之光軸對於基材平面呈垂直配向者定義為垂直配向。光軸係意指在藉由聚合性液晶之配向所形成之折射率橢圓體中，在對於光軸呈正交方向下切出之剖面成為圓之方向，即意指3方向之折射率皆變為相等之方向。
作為聚合性液晶，可舉出如棒狀之聚合性液晶及圓盤狀之聚合性液晶。
棒狀之聚合性液晶在對於基材呈現經水平配向或垂直配向時，該聚合性液晶之光軸係與該聚合性液晶之長軸方向一致。
圓盤狀之聚合性液晶經配向時，該聚合性液晶之光軸係對於該聚合性液晶之圓盤面呈正交之方向存在。
延伸薄膜之慢軸方向係根據延伸方法而相異，有單軸、雙軸或斜面延伸等，因應其延伸方法而決定 慢軸及光軸。
為了使藉由使聚合性液晶進行聚合而形成之層展現面內相位差，使聚合性液晶配向成適宜方向即可。聚合性液晶為棒狀時，藉由將該聚合性液晶之光軸配向成與基材平面呈水平，即可展現面內相位差，於此情況時，光軸方向與慢軸方向為一致。聚合性液晶為圓盤狀時，藉由將該聚合性液晶之光軸配合成與基材平面呈水平，即可展現面內相位差，於此情況時，光軸與慢軸為正交。聚合性液晶之配向狀態係可藉由配向膜與聚合性液晶之組合而進行調整。
相位差層之面內相位差值係可依據相位差層之厚度而進行調整。面內相位差值由於係根據式(10)而決定，故為了取得所希望之面內相位差值(Re(λ))，只需調整△n(λ)與膜厚d即可。
Re(λ)=d×△n(λ) (10)
式中，Re(λ)表示波長λnm下之面內相位差值，d表示膜厚，△n(λ)表示波長λnm下之雙折射率。
雙折射率△n(λ)係可從測量面內相位差值，並除以相位差層之厚度而取得。具體測量方法係展示於實施例中，於此之際，藉由測量在玻璃基板般之基材自身不具有面內相位差之基材上所製膜而成者，即可測量實質之相位差層之特性。
本發明中，將藉由聚合性液晶之配向或薄膜之延伸所形成之折射率橢圓體中之3方向之折射率表示作 為nx、ny及nz。nx係表示在相位差層所形成之折射率橢圓體中，對於薄膜平面呈平行方向之主折射率。ny係表示在相位差層所形成之折射率橢圓體中，對於薄膜平面呈平行且對於該nx之方向呈正交方向之折射率。nz係表示在相位差層所形成之折射率橢圓體中，對於薄膜平面呈垂直方向之折射率。
棒狀之聚合性液晶之光軸係配向成與基材平面呈水平時，取得之相位差層之折射率關係成為nx>ny≒nz(正A板)，折射率橢圓體中之nx方向之軸係與慢軸一致。
又，圓盤狀之聚合性液晶之光軸係配向成與基材平面呈水平時，取得之相位差層之折射率關係成為nx<ny≒nz(負A板)，折射率橢圓體中之ny方向之軸係與慢軸一致。
為了使藉由使聚合性液晶進行聚合而形成之層展現厚度方向之相位差，只需將聚合性液晶配向成適合方向即可。本發明中，展現厚度方向之相位差係定義成在式(20)中，Rth(厚度方向之相位差值)變成負之特性者。Rth係可從使面內之快軸傾斜40度作成傾斜軸所測量之相位差值(R40)，與面內之相位差值(Re)所算出。即，Rth係從Re、R40、d(相位差層之厚度)、及n0(相位差層之平均折射率)，藉由以下之式(21)~(23)而求取nx、ny及nz，並將此等代入至式(20)中而可算出。
Rth=[(nx+ny)/2-nz〕×d (20)
Re=(nx-ny)×d (21)
R40=(nx-ny’)×d/cos() (22)
(nx+ny+nz)/3=n0 (23)
在此，=sin-1〔sin(40°)/n0〕
ny’=ny×nz/〔ny2×sin2()+nz2×cos2()〕1/2
又，nx、ny及nz係與前述之定義相同。
聚合性液晶為棒狀時，藉由將該聚合性液晶之光軸配向成與基材平面呈垂直，而展現厚度方向之相位差。聚合性液晶為圓盤狀時，藉由將該聚合性液晶之光軸配向成與基材平面呈水平，而展現厚度方向之相位差。在圓盤狀之聚合性液晶之情況，由於該聚合性液晶之光軸與基材平面呈平行，故決定Re時，則厚度變為固定，故可明確地決定Rth，在棒狀之聚合性液晶之情況，該聚合性液晶之光軸係與基材平面呈垂直，故藉由調節相位差層之厚度，即可不使Re變化而調節Rth。
棒狀之聚合性液晶之光軸在配向成與基材平面呈垂直時，取得之相位差層之折射率關係成為nx≒ny<nz(正C板)，在折射率橢圓體中之nz方向之軸係與慢軸方向一致。
又，圓盤狀之聚合性液晶之光軸在配向成與基材平面呈平行時，取得之相位差層之折射率關係成為nx<ny≒nz(負A板)，在折射率橢圓體中之ny方向之軸與慢軸方向為一致。
<聚合性液晶>
聚合性液晶係指具有聚合性基，且具有液晶性之化合物。聚合性基係意指參與聚合反應之基，以光聚合性基為佳。在此，光聚合性基係指藉由從後述之光聚合起始劑所產生之活性自由基或酸等而能參與聚合反應之基。作為聚合性基，可舉出如乙烯基、乙烯氧基、1-氯乙烯基、異丙烯基、4-乙烯基苯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、環氧乙烷基、環氧丙烷基等。其中，亦以丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、乙烯氧基、環氧乙烷基及環氧丙烷基為佳，以丙烯醯氧基為較佳。聚合性液晶所具有之液晶性可為向熱性液晶亦可為向液性液晶，以秩序度分類向熱性液晶時，可為向列液晶亦可為矩列液晶。
作為棒狀之聚合性液晶，例如可舉出，下述式(A)所表示之化合物(以下，亦有稱為聚合性液晶(A))，及包含下述式(X)所表示之基的化合物(以下，亦有稱為聚合性液晶(B))。
[式(A)中，X1表示氧原子、硫原子或NR1-。R1表示氫原子或碳數1~4之烷基。
Y1表示可具有取代基之碳數6~12之1價芳香族烴基或可具有取代基之碳數3~12之1價芳香族雜環式基。
Q3及Q4係各自獨立為氫原子、可具有取代基之碳數1~20之1價脂肪族烴基、碳數3~20之1價脂環式烴基、可具有取代基之碳數6~20之1價芳香族烴基、鹵素原子、氰基、硝基、-NR2R3或-SR2，或Q3與Q4互相結合而與此等所結合之碳原子一同形成芳香環或芳香族雜環。R2及R3係各自獨立表示氫原子或碳數1~6之烷基。
D1及D2係各自獨立表示單鍵、-C(=O)-O-、-C(=S)-O-、-CR4R5-、-CR4R5-CR6R7-、-O-CR4R5-、-CR4R5-O-CR6R7-、-CO-O-CR4R5-、-O-CO-CR4R5-、-CR4R5-O-CO-CR6R7-、-CR4R5-CO-O-CR6R7-或NR4-CR5R6-或CO-NR4-。
R4、R5、R6及R7係各自獨立表示氫原子、氟原子或碳數1~4之烷基。
G1及G2係各自獨立表示碳數5~8之2價脂環式烴基，且構成該脂環式烴基之亞甲基亦可被氧原子、硫原子或NH-所取代，構成該脂環式烴基之次甲基亦可被第三級氮原子所取代。
L1及L2係各自獨立表示1價有機基，L1及L2之中之至少一個具有聚合性基。]
聚合性液晶(A)中之L1係以式(A1)所表示之基為佳，又，L2係以式(A2)所表示之基為佳。
P1-F1-(B1-A1)k-E1- (A1)
P2-F2-(B2-A2)l-E2- (A2)
[式(A1)及式(A2)中，B1、B2、E1及E2係各自獨立表示-CR4R5-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-O-、-CS-O-、-O-CS-O-、-CO-NR1-、-O-CH2-、-S-CH2-或單鍵。
A1及A2係各自獨立表示碳數5~8之2價脂環式烴基或碳數6~18之2價芳香族烴基，構成該脂環式烴基之亞甲基亦可被氧原子、硫原子或NH-所取代，構成該脂環式烴基之次甲基亦可被第三級氮原子所取代。
k及l係各自獨立表示0~3之整數。
F1及F2表示碳數1~12之2價脂肪族烴基。
P1表示聚合性基。
P2表示氫原子或聚合性基。
R4及R5係各自獨立表示氫原子、氟原子或碳數1~4之烷基。]
作為較佳之聚合性液晶(A)，可舉出如日本特表2011-207765號公報中記載之化合物。
P11-B11-E11-B12-A11-B13- (X)
[式(X)中，P11表示聚合性基。
A11表示2價脂環式烴基或2價芳香族烴基。該2價脂環式烴基及2價芳香族烴基所包含之氫原子亦可被鹵素原子、碳數1~6之烷基、碳數1~6烷氧基、氰基或硝基所取代，該碳數1~6之烷基及該碳數1~6烷氧基所包含之氫原子亦可被氟原子所取代。
B11表示-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CO-NR16-、-NR16-CO-、-CO-、-CS-或單鍵。R16表示氫原子或碳數1~6之烷基。
B12及B13係各自獨立表示-C≡C-、-CH=CH-、-CH2-CH2-、-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-C(=O)-NR16-、-NR16-C(=O)-、-OCH2-、-OCF2-、-CH2O-、-CF2O-、-CH=CH-C(=O)-O-、-O-C(=O)-CH=CH-或單鍵。
E11表示碳數1~12之烷二基，該烷二基所包含之氫原子亦可被碳數1~5之烷氧基所取代，該烷氧基所包含之氫原子亦可被鹵素原子所取代。又，構成該烷二基之-CH2-亦可被-O-或-CO-所取代。]
A11之芳香族烴基及脂環式烴基之碳數係以3~18之範圍為佳，以5~12之範圍為較佳，以5或6為特佳。作為A11，以環己烷-1,4-二基、1,4-伸苯基為佳。
作為E11，以直鏈狀之碳數1~12之烷二基為佳。構成該烷二基之-CH2-亦可被-O-所取代。
具體而言，可舉出如亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基及十二烷-1,12-二基等之碳數1~12之直鏈狀烷二基；-CH2-CH2-O-CH2-CH2-、-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH2-CH2-及 -CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH2-CH2-等。
作為B11，以-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-為佳，其中亦以-CO-O-為較佳。
B12及B13係以各自獨立為-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-O-C(=O)-O-為佳，其中亦以-O-或-O-C(=O)-O-為較佳。
作為P11所示之聚合性基，從聚合反應性，尤其係從高光聚合反應性之觀點，則以自由基聚合性基或陽離子聚合性基為佳，從操作上容易，且液晶化合物之製造自身亦為容易之觀點，聚合性基係以下述之式(P-11)~式(P-15)所表示之基為佳。
[式(P-11)~(P-15)中，R17~R21係各自獨立表示碳數1~6之烷基或氫原子。]
作為式(P-11)~式(P-15)所表示之基之具體例，可舉出如下述式(P-16)~式(P-20)所表示之基。
P11係以式(P-14)~式(P-20)所表示之基為佳，以乙烯基、p-茋基、環氧基或環氧丙烷基為較佳。
P11-B11-所表示之基係以丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基為更佳。
作為聚合性液晶(B)，可舉出如式(I)、式(II)、式(III)、式(IV)、式(V)或式(VI)所表示之化合物。
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-A14-B16-E12-B17-P12 (I)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-A14-F11 (II)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-E12-B17-P12 (III)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-F11 (IV)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-E12-B17-P12 (V)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-F11 (VI)
(式中，A12~A14係各自獨立地與A11同義，B14~B16係各自獨立地與B12同義，B17係與B11同義，E12係與E11同義。
F11表示氫原子、碳數1~13之烷基、碳數1~13之烷氧基、氰基、硝基、三氟甲基、二甲基胺基、羥基、羥甲基、甲醯基、磺酸基(-SO3H)、羧基、碳數1~10之烷氧基羰基或鹵素原子，構成該烷基及烷氧基之-CH2-亦可被-O-所取代。)
作為聚合性液晶(B)之具體例，可舉出液晶便覽(液晶便覽編集委員會編、丸善(股)平成12年10月30日發行)之「3.8.6網路(完全交聯型)」、「6.5.1液晶材料b.聚合性向列液晶材料」中記載之化合 物之中具有聚合性基之化合物、日本特開2010-31223號公報、日本特開2010-270108號公報、日本特開2011-6360號公報及日本特開2011-207765號公報中記載之聚合性液晶。
作為聚合性液晶(B)之具體例，可舉出如下述式(I-1)~式(I-4)、式(II-1)~式(II-4)、式(III-1)~式(III-26)、式(IV-1)~式(IV-26)、式(V-1)~式(V-2)及式(VI-1)~式(VI-6)所表示之化合物。尚且，下述式中，k1及k2係各自獨立表示2~12之整數。此等聚合性液晶(B)係在其合成之容易度，或取得之容易度之點上為佳。
作為圓盤狀之聚合性液晶，例如可舉出包含式(W)所表示之基的化合物(以下，亦有稱為聚合性液晶(C))。
[式(W)中，R40表示下述式(W-1)~(W-5)。
X40及Z40表示碳數1~12之烷二基，該烷二基所包含之氫原子亦可被碳數1~5之烷氧基所取代，該烷氧基所包含之氫原子亦可被鹵素原子所取代。又，構成該烷二基之-CH2-亦可被-O-或-CO-所取代。
作為聚合性液晶(C)之具體例，可舉出如液晶便覽(液晶便覽編集委員會編、丸善(股)平成12年10月30日發行)之「6.5.1液晶材料b.聚合性向列液晶材料 圖6.21」中記載之化合物、日本特開平7-258170號公報、日本特開平7-30637號公報、日本特開平7-309807號公報、日本特開平8-231470號公報中記載之聚合性液晶。
具有式(1)及式(2)所表示之光學特性之相位差層係在使具有特定構造之聚合性液晶進行聚合之情況，延伸具有特定構造之高分子薄膜之情況，或，以特定之慢軸關係組合具有式(4)、(6)及式(7)所表示之光學特性之層與具有式(5)、(6)及式(7)所表示之 光學特性之層而可得。
Re(450)/Re(550)≦1.00 (1)
1.00≦Re(650)/Re(550) (2)
100<Re(550)<160 (4)
200<Re(550)<320 (5)
Re(450)/Re(550)≧1.00 (6)
1.00≧Re(650)/Re(550) (7)
相位差層因具有式(1)及式(2)所表示之光學特性，故可取得具有式(1)及式(2)所表示之光學特性之本光學薄膜。本光學薄膜在具有式(1)及式(2)所表示之光學特性時，對於可見光區域中各波長之光，可取得均同偏光變換之特性，且可抑制有機EL顯示裝置等之顯示裝置在顯示黑時之漏光。
作為具有前述特定構造之聚合性液晶，例如可舉出前述聚合性液晶(A)。藉由將聚合性液晶(A)之光軸配向成與基材平面呈水平，可取得具有式(1)及式(2)所表示之光學特性之相位差層，並再依據前述式(10)調節膜厚，可取得例如具有式(4)所表示之光學特性等之所希望之面內相位差值的相位差層。
100<Re(550)<160 (4)
作為以特定之慢軸關係組合具有式(4)、(6)及式(7)所表示之光學特性之層，與具有式(5)、(6)及式(7)所表示之光學特性之層的方法，可舉出如周知之方法。
例如，日本特開平10-68816號公報及日本特開平10-90521號公報中揭示，藉由層合具有各向異性之二枚之 聚合物薄膜而得之相位差薄膜。又，例如，日本特開2001-4837號公報、日本特開2001-21720號公報及日本特開2000-206331號公報中揭示至少具有2層由液晶化合物所構成之相位差層的相位差薄膜。又，該2個相位差層之中，可將1層作成聚合物薄膜，亦可將1層作成由液晶化合物所構成之相位差層。
具有上述式(6)及式(7)所表示之光學特性的相位差層係可由周知之方法所取得。即，以取得具有上述式(1)及式(2)所表示之光學特性之相位差層的方法以外之方法所取得之相位差層大致係具有式(6)及式(7)所表示之光學特性。
<延伸薄膜>
延伸薄膜通常係藉由延伸基材而得。作為延伸基材之方法，例如，準備將基材捲取於輥上之輥(捲取體)，從該捲取體使基材連續地退捲，將退捲之基材搬送至加熱爐。加熱爐之設定溫度係設在基材之玻璃轉移溫度附近(℃)~[玻璃轉移溫度+100](℃)之範圍，較佳設在玻璃轉移溫度附近(℃)~[玻璃轉移溫度+50](℃)之範圍。於該加熱爐中，在朝向基材之進行方向，或朝向與進行方向正交之方向進行延伸時，調整搬送方向或張力而以任意角度使其傾斜而施行單軸或雙軸之熱延伸處理。延伸之倍率通常為1.1~6倍，較佳為1.1~3.5倍。
又，作為朝向斜面方向延伸之方法，只要係能連續地 使配向軸傾斜成所希望之角度者，即無特別限定，可採用公知之延伸方法。此般延伸方法係例如可舉出在日本特開昭50-83482號公報或日本特開平2-113920號公報中記載之方法。在藉由延伸而賦予薄膜相位差性之情況，延伸後之厚度係由延伸前之厚度或延伸倍率所決定。
作為具有厚度方向之相位差的延伸薄膜，例如可舉出，日本特開2008-129465號公報中記載之具有nx<ny<nz之折射率關係的延伸薄膜，或公知之多層擠出薄膜。即使係具有nx<ny<nz之折射率關係的薄膜，由於nz相對性地變大，故仍可取得與nx≒ny<nz同等之效果。
延伸薄膜之面內相位差值，及厚度方向之相位差值係與藉由使聚合性液晶進行聚合而形成之層同樣地，可藉由△n(λ)及膜厚d而進行調整。
作為將前述具有式(1)及式(2)所表示之光學特性且具有特定構造之高分子薄膜延伸而成之延伸薄膜，例如可舉出由聚碳酸酯系樹脂所構成之市售之延伸薄膜，具體地可舉出如「Pure-Ace(註冊商標)WR」(帝人股份有限公司製)等。
前述基材通常為透明基材。透明基材係意指具有光，特別係可見光能穿透之透明性的基材，透明性係指對於波長380~780nm內之光線之穿透率為80%以上之特性。作為具體之透明基材，可舉出如透光性樹脂基材。作為構成透光性樹脂基材之樹脂，可舉出如聚乙烯、聚丙 烯等之聚烯烴；降莰烯系聚合物等之環狀烯烴系樹脂；聚乙烯醇；聚對酞酸乙二酯；聚甲基丙烯酸酯；聚丙烯酸酯；三乙醯基纖維素、二乙醯基纖維素、纖維素乙酸酯丙酸酯等之纖維素酯；聚萘二酸乙二酯；聚碳酸酯；聚碸；聚醚碸；聚醚酮；聚硫化苯及聚苯醚。從取得之容易度或透明性之觀點，則以聚對酞酸乙二酯、聚甲基丙烯酸酯、纖維素酯、環狀烯烴系樹脂或聚碳酸酯為佳。
纖維素酯係為纖維素所包含之羥基之一部分或全部受到酯化者，從容易從市場取得。又，纖維素酯基材亦可從市場容易取得。作為市售之纖維素酯基材，例如可舉出“FUJITAC(註冊商標)薄膜”(富士照相軟片(股))；“KC8UX2M”、“KC8UY”及“KC4UY”(Konica Minolta Opto(股))等。
聚甲基丙烯酸酯及聚丙烯酸酯(以下，亦有將聚甲基丙烯酸酯及聚丙烯酸酯總稱為(甲基)丙烯酸系樹脂)係可從市場容易取得。
作為(甲基)丙烯酸系樹脂，例如可舉出甲基丙烯酸烷酯或丙烯酸烷酯之均聚物，或甲基丙烯酸烷酯與丙烯酸烷酯之共聚物等。作為甲基丙烯酸烷酯，具體地可舉出如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯等，又作為丙烯酸烷酯，具體地可舉出如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯等。該(甲基)丙烯酸系樹脂係可使用市售作為泛用之(甲基)丙烯酸系樹脂者。作為(甲基)丙烯酸系樹脂，亦可使用稱之為耐衝撃(甲 基)丙烯酸樹脂者。
為了更加提升機械性強度，以使(甲基)丙烯酸系樹脂含有橡膠粒子為佳。橡膠粒子係以丙烯酸系者為佳。在此，丙烯酸系橡膠粒子係指使以丙烯酸丁酯或丙烯酸2-乙基己酯般之丙烯酸烷酯為主成分之丙烯酸系單體，在多官能單體之存在下進行聚合而得之具有橡膠彈性之粒子。丙烯酸系橡膠粒子可為由此般具有橡膠彈性之粒子以單層所形成者，亦可為只少具有一層橡膠彈性層之多層構造體。作為多層構造之丙烯酸系橡膠粒子，可舉出如將上述般具有橡膠彈性之粒子作為核，且其周圍係以硬質之甲基丙烯酸烷酯系聚合物所覆蓋者、將硬質之甲基丙烯酸烷酯系聚合物作為核且將其周圍以如上述般具有橡膠彈性之丙烯酸系聚合物所覆蓋者，又將硬質之核之周圍以橡膠彈性之丙烯酸系聚合物覆蓋且再於其周圍以硬質之甲基丙烯酸烷酯系聚合物所覆蓋者等。以彈性層所形成之橡膠粒子，其平均直徑通常在50~400nm程度之範圍。
(甲基)丙烯酸系樹脂中之橡膠粒子之含有量係以(甲基)丙烯酸系樹脂每100質量份而言，通常為5~50質量份程度。(甲基)丙烯酸系樹脂及丙烯酸系橡膠粒子係將此等予以混合之狀態下販售，故可使用其市售品。作為配合有丙烯酸系橡膠粒子之(甲基)丙烯酸系樹脂之市售品之例，可舉出如住友化學(股)所販售之“HT55X”或“TechnoRoy S001”等。“TechnoRoy S001”係以薄膜之形式販售。
環狀烯烴系樹脂可從市場容易取得。作為市售之環狀烯烴系樹脂，可舉出如“Topas”(註冊商標)[Ticona公司(德)]、“Arton”(註冊商標)[JSR(股)]、“Zeonor(ZEONOR)”(註冊商標)[日本ZEON(股)]、“Zeonex(ZEONEX)”(註冊商標)[日本ZEON(股)]及“Appel”(註冊商標)[三井化學(股)]。可將此般環狀烯烴系樹脂，藉由例如溶劑澆鑄法、熔融擠壓法等之公知手段進行製膜而作成基材。又，亦可使用市售之環狀烯烴系樹脂基材。作為市售之環狀烯烴系樹脂基材，可舉出如“Esushina”(註冊商標)[積水化學工業(股)]、“SCA40”(註冊商標)[積水化學工業(股)]、“Zeonor薄膜”(註冊商標)[Optes(股)]及“Arton薄膜”(註冊商標)[JSR(股)]。
環狀烯烴系樹脂係為環狀烯烴與具有鏈狀烯烴或乙烯基之芳香族化合物之共聚物時，源自環狀烯烴之構造單位之含有比例在相對於共聚物之全構造單位而言，通常為50莫耳%以下，較佳為15~50莫耳%之範圍。作為鏈狀烯烴，可舉出如乙烯及丙烯，作為具有乙烯基之芳香族化合物，可舉出如苯乙烯、α-甲基苯乙烯及烷基取代苯乙烯。環狀烯烴系樹脂係為環狀烯烴、鏈狀烯烴、與具有乙烯基之芳香族化合物之三元共聚物時，源自鏈狀烯烴之構造單位之含有比例在相對於共聚物之全構造單位而言，通常為5~80莫耳%，源自具有乙烯基之芳香族化合物之構造單位之含有比例在相對於共聚物之全構造單位而言， 通常為5~80莫耳%。此般三元共聚物係具有在其製造中可使高價之環狀烯烴之使用量較為減少之優點。
〔第一相位差層〕
第一相位差層係較佳具有式(4)所表示之光學特性，更佳具有式(4-1)所表示之光學特性。面內相位差值Re(550)係能以與上述相位差層之面內相位差值之調整方法相同之方法進行調整。
100<Re(550)<160 (4)
130<Re(550)<150 (4-1)
並且，第一相位差層較佳具有式(1)及式(2)所表示之光學特性。該光學特性係能以與上述相位差層同樣之方法取得。
Re(450)/Re(550)≦1.00 (1)
1.00≦Re(650)/Re(550) (2)
又，第一相位差層係較佳含有具有式(4)、(6)及式(7)所表示之光學特性之層A，與具有式(5)、(6)及式(7)所表示之光學特性之層B。該光學特性係能以與上述相位差層相同之方法取得。
100<Re(550)<160 (4)
200<Re(550)<320 (5)
Re(450)/Re(550)≧1.00 (6)
1.00≧Re(650)/Re(550) (7)
層A較佳為具有式(4-1)所表示之光學特性之層，層B較佳為具有(5-1)所表示之光學特性之層。
130<Re(550)<150 (4-1)
265<Re(550)<285 (5-1)
又，本發明之光學薄膜具有第三相位差層時，第一相位差層較佳係具有式(6)及(7)所表示之光學特性。該光學特性係能以與上述相位差層相同之方法取得。
Re(450)/Re(550)≧1.00 (6)
1.00≧Re(650)/Re(550) (7)
第一相位差層較佳係藉由使1種以上之聚合性液晶進行聚合而形成之被覆層。在第一相位差層係由1個相位差層所構成且具有式(1)及式(2)所表示之光學特性時，該相位差層係以藉由使聚合性液晶(A)聚合而形成之被覆層為佳。第一相位差層為具有式(6)及式(7)所表示之光學特性時，該相位差層係以使聚合性液晶(B)聚合而形成之被覆層為佳。
層A較佳係藉由使聚合性液晶(B)聚合而形成之被覆層。層B較佳係藉由使聚合性液晶(C)聚合而形成之被覆層。
第一相位差層為延伸薄膜時，其厚度通常在300μm以下，較佳為5μm以上100μm以下，更佳為10μm以上50μm以下。第一相位差層係為藉由使聚合性液晶進行聚合而形成之層時，其厚度通常在20μm以下，較佳為5μm以下，更佳為0.5μm以上3μm以下。第一相位差層之厚度係可藉由干涉式膜厚計、雷射顯微鏡或觸針式膜厚計之測量所求得。 層A為延伸薄膜時，其厚度通常在150μm以下，較佳為5μm以上100μm以下，更佳為10μm以上50μm以下。層A係為藉由使聚合性液晶進行聚合而形成之層時，其厚度通常在10μm以下，較佳為5μm以下，更佳為0.5μm以上3μm以下。層A之厚度係能與第一相位差層相同之方法求得。
層B為延伸薄膜時，其厚度通常在150μm以下，較佳為5μm以上100μm以下，更佳為10μm以上50μm以下。層B係為藉由使聚合性液晶進行聚合而形成之層時，其厚度通常在20μm以下，較佳為10μm以下，更佳為0.5μm以上5μm以下。層B之厚度係能與第一相位差層相同之方法而求得。
〔第二相位差層〕
第二相位差層係具有式(3)所表示之光學特性。
nx≒ny<nz (3)
第二相位差層之面內相位差值Re(550)通常為0~10nm之範圍，較佳為0~5nm之範圍。厚度方向之相位差值Rth通常在-10~-300nm之範圍，較佳為-20~-200nm之範圍。該面內相位差值Re(550)及厚度方向之相位差值Rth係能以與上述相位差層相同之方法進行調整。
第二相位差層較佳係使1種以上之聚合性液晶進行聚合而形成之被覆層。更佳為使聚合性液晶(B)進行聚合而形成之被覆層。
第二相位差層為延伸薄膜時，其厚度通常在300μm以下，較佳為5μm以上100μm以下，更佳為10μm以上50μm以下。第二相位差層係為藉由使聚合性液晶進行聚合而形成之層時，其厚度通常在10μm以下，較佳為5μm以下，更佳為0.3μm以上3μm以下。第二相位差層之厚度係能與第一相位差層相同之方法而求得。又，第一相位差層及第二相位差層之厚度分別係以5μm以下為佳。
〔第三相位差層〕
第三相位差層係具有式(5)所表示之光學特性，較佳具有式(5-1)所表示之光學特性。面內相位差值Re(550)係能以與上述相位差層之面內相位差值之調整方法相同之方法進行調整。
200<Re(550)<320 (5)
265<Re(550)<285 (5-1)
又，第三相位差層係較佳具有式(6)及(7)所表示之光學特性。該光學特性係能以與上述相位差層同樣之方法取得。
Re(450)/Re(550)≧1.00 (6)
1.00≧Re(650)/Re(550) (7)
第三相位差層較佳係為使1種以上之聚合性液晶進行聚合而形成之被覆層。更佳為使聚合性液晶(B)或(C)進行聚合而形成之被覆層。
第三相位差層為延伸薄膜時，其厚度通常在 300μm以下，較佳為5μm以上100μm以下，更佳為10μm以上50μm以下。第三相位差層係為藉由使聚合性液晶進行聚合而形成之層時，其厚度通常在10μm以下，較佳為5μm以下，更佳為0.5μm以上5μm以下。第三相位差層之厚度係能以與第一相位差層相同之方法求得。
<基材>
本發明之光學薄膜係較佳具有基材。基材係可舉出與前述者為相同者。
在形成配向膜、第一相位差層、第二相位差層及第三相位差層之側之基材面上，於形成配向膜或相位差層之前，亦可施予表面處理。作為表面處理之方法，可舉出如在真空下或大氣壓下以電暈或電漿處理基材表面之方法、雷射處理基材表面之方法、臭氧處理基材表面之方法、皂化處理基材表面之方法或火炎處理基材表面之方法；於基材表面塗佈耦合劑之底塗處理之方法；使反應性單體或具有反應性之聚合物附著於基材表面後，照射放射線、電漿或紫外線使其反應之接枝聚合法等。其中，亦以在真空下或大氣壓下電暈或電漿處理基材表面之方法為佳。
作為以電暈或電漿實施基材之表面處理的方法，可舉出如
在大氣壓附近之壓力下，於對向電極間設置基材，使電暈或電漿產生而實施基材表面處理之方法、 在對向電極間流入氣體，在電極間電漿化氣體，並將已電漿化之氣體吹向基材之方法、及、在低壓條件下使輝光放電電漿產生而實施基材表面處理之方法。
其中亦以在大氣壓附近之壓力下，於對向電極間設置基材，使電暈或電漿產生而實施基材表面處理之方法，或，於對向電極間流入氣體，在電極間電漿化氣體，並將已電漿化之氣體吹向基材之方法為佳。該電暈或電漿之表面處理通常係藉由市售之表面處理裝置進行實施。
基材係以相位差小之基材為佳。作為相位差小之基材，可舉出如ZeroTac(註冊商標)(Konica Minolta Opto(股))、Z-TAC(富士薄膜(股))等之不具有相位差之纖維素酯薄膜。又，亦以未延伸之環狀烯烴系樹脂基材為佳。
又，在未形成配向膜、第一相位差層、第二相位差層及第三相位差層之基材面上亦可施予硬塗覆處理、防帶電處理等。又，在不影響性能之範圍內，亦可含有紫外線吸收劑等之添加劑。
基材之厚度若過薄時則強度降低，而有加工性較差之傾向，故通常為5~300μm，較佳為10~200μm。
<聚合性液晶組成物>
藉由使聚合性液晶進行聚合而形成之層(相位差 層)，通常係藉由將含有1種以上之聚合性液晶之組成物(以下，亦有稱為聚合性液晶組成物)塗佈於基材、配向膜、保護層或相位差層之上，並使所得之塗膜中之聚合性液晶進行聚合而形成。
聚合性液晶組成物通常包含溶劑，溶劑係以能溶解聚合性液晶之溶劑，且對於聚合性液晶之聚合反應為不活性溶劑為較佳。
作為具體溶劑，可舉出如甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、丙二醇、甲基溶纖劑、丁基溶纖劑、丙二醇單甲基醚、酚等之醇溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等之酯溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、環庚酮、甲基戊基酮、甲基異丁基酮、N-甲基-2-吡咯啶酮等之酮溶劑；戊烷、己烷、庚烷等之非氯化脂肪族烴溶劑；甲苯、茬等之非氯化芳香族烴溶劑；乙腈等之腈溶劑；丙二醇單甲基醚、四氫呋喃、二甲氧基乙烷等之醚溶劑；及氯仿、氯苯等之氯化烴溶劑。此等其他溶劑係可單獨使用，亦可組合使用。
聚合性液晶組成物中之溶劑之含有量，通常相對於固形分100質量份而言，以10質量份~10000質量份為佳，較佳為50質量份~5000質量份。固形分係意指從聚合性液晶組成物去除溶劑後之成分之合計。
聚合性液晶組成物之塗佈，通常係藉由旋轉塗佈法、擠出法、凹版塗佈法、模塗法、狹縫塗佈法、棒塗法、塗刷法(applicator method)等之塗佈法或柔版印 刷法等之印刷法等之公知方法進行。塗佈後，通常係藉由在不使取得之塗佈膜中所含之聚合性液晶進行聚合之條件下去除溶劑，而形成乾燥被膜。作為乾燥方法，可舉出如自然乾燥法、通風乾燥法、加熱乾燥及減壓乾燥法。
<配向膜>
本發明中之配向膜係指具有使聚合性液晶進行液晶配向成所希望之方向的配向調控力者。
作為配向膜，以具有因聚合性液晶組成物之塗佈等而不溶解之溶劑耐性，又，具有去除溶劑或配向聚合性液晶之配向用之加熱處理之耐熱性者為佳。作為該配向膜，可舉出如包含配向性聚合物之配向膜、光配向膜及於表面形成凹凸圖型或使複數之溝形成且配向之溝槽配向膜等。
作為配向性聚合物，可舉出如於分子內具有醯胺鍵之聚醯胺或明膠類、於分子內具有醯亞胺鍵之聚醯亞胺及其水解物之聚醯胺酸、聚乙烯醇、烷基變性聚乙烯醇、聚丙烯醯胺、聚噁唑、聚乙烯亞胺、聚苯乙烯、聚乙烯基吡咯啶酮、聚丙烯酸及聚丙烯酸酯類。其中亦以聚乙烯醇為佳。亦可組合使用2種以上之配向性聚合物。
包含配向性聚合物之配向膜，通常係將於溶劑中溶解有配向性聚合物之組成物(以下，亦有稱為配向性聚合物組成物)塗佈於基材上，並去除溶劑，或，將可藉由將配向性聚合物組成物塗佈於基材上，去除溶劑，並進行摩擦(摩擦法)而得。
作為前述溶劑，可舉出如水、甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、丙二醇、甲基溶纖劑、丁基溶纖劑、丙二醇單甲基醚等之醇溶劑、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲基醚乙酸酯、γ-丁內酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、乳酸乙酯等之酯溶劑、丙酮、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、甲基戊基酮、甲基異丁基酮等之酮溶劑、戊烷、己烷、庚烷等之脂肪族烴溶劑、甲苯、茬等之芳香族烴溶劑、乙腈等之腈溶劑、四氫呋喃、二甲氧基乙烷等之醚溶劑、及、氯仿、氯苯等之氯化烴溶劑。此等溶劑係可單獨使用，亦可將二種以上組合使用。
配向性聚合物組成物中之配向性聚合物之濃度只要係配向性聚合物材料可完全溶解於溶劑之範圍內即可，相對於溶液以固形分換算係以0.1~20%為佳，以0.1至10%程度為更佳。
作為配向性聚合物組成物，亦可直接使用市售之配向膜材料。作為市售之配向膜材料，可舉出如Sunever(註冊商標、日產化學工業(股)製)、Optomer(註冊商標、JSR(股)製)等。
作為將配向性聚合物組成物塗佈於基材之方法，可舉出如旋轉塗佈法、擠出法、凹版塗佈法、模塗法、狹縫塗佈法、棒塗法、塗刷法等之塗佈法、柔版印刷法等之印刷法等之公知方法。本光學薄膜係藉由後述之捲對捲(Roll to Roll)形式之連續製造方法所製造時，該塗佈方法通常係採用凹版塗佈法、模塗法或柔版印刷法等之 印刷法。
作為去除配向性聚合物組成物中所含之溶劑的方法，可舉出如自然乾燥法、通風乾燥法、加熱乾燥及減壓乾燥法等。
為了賦予配向膜配向調控力，因應必要可實施摩擦(摩擦法)。
作為藉由摩擦法而賦予配向調控力之方法，可舉出如將配向性聚合物組成物塗佈於基材上並退火而在基材表面上形成之配向性聚合物之膜，與捲附有摩擦布且旋轉中之摩擦輥進行接觸之方法。
為了賦予配向膜配向調控力，因應必要可實施光配向(光配向法)。
光配向膜通常係將包含具有光反應性基之聚合物或單體與溶劑之組成物(以下，亦有稱為「光配向膜形成用組成物」)塗佈於基材上，並照射光(較佳為偏光UV)而得。光配向膜由於藉由選擇照射光之偏光方向，而可任意控制配向調控力之方向，故為較佳。
光反應性基係指因光照射而產生液晶配向能之基。具體而言，可舉出如參與因光照射所產生之分子之配向誘發或異構化反應、二聚化反應、光交聯反應或光分解反應等之成為液晶配向能起源之光反應的基。其中亦以參與二聚化反應或光交聯反應之基在配向性優異之面上為佳。光反應性基係以不飽和鍵，特別係以具有雙鍵之基為佳，以選自由碳-碳雙鍵(C=C鍵)、碳-氮雙鍵(C=N 鍵)、氮-氮雙鍵(N=N鍵)及碳-氧雙鍵(C=O鍵)所成群之至少一個之基為特佳。
作為具有C=C鍵之光反應性基，可舉出如乙烯基、多烯基、茋基、茋唑基、茋唑鎓基、查酮基及桂皮醯基。作為具有C=N鍵之光反應性基，可舉出如具有芳香族希夫鹼、芳香族腙等之構造之基。作為具有N=N鍵之光反應性基，可舉出如偶氮苯基、偶氮萘基、芳香族雜環偶氮基、雙偶氮基、甲(formazan)基，及具有偶氮氧苯構造之基。作為具有C=O鍵之光反應性基，可舉出如二苯甲酮基、香豆素基、蒽醌基及馬來醯亞胺基。此等基係以可具有烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基、氰基、烷氧基羰基、羥基、磺酸基、鹵化烷基等之取代基。
其中亦以參與光二聚化反應之光反應性基為佳，從光配向所必須之偏光照射量較少，且可容易取得熱安定性或經時安定性優異之光配向膜的觀點，以桂皮醯基及查酮基為佳。作為具有光反應性基之聚合物，以該聚合物側鏈之末端部具有如成為桂皮酸構造之桂皮醯基者為特佳。
藉由將光配向膜形成用組成物塗佈於基材上，即可在基材上形成光配向誘發層。作為該組成物所包含之溶劑，可舉出與上述配向性聚合物組成物所含之溶劑為相同者，可因應具有光反應性基之聚合物或單體之溶解性適宜選擇。
光配向膜形成用組成物中之具有光反應性基 之聚合物或單體之含有量係可根據聚合物或單體之種類或作為目的之光配向膜之厚度而適宜調節，但以作成至少0.2質量%為佳，以0.3~10質量%之範圍為較佳。在不顯著損及光配向膜特性之範圍內，光配向膜形成用組成物亦可含有聚乙烯醇或聚醯亞胺等之高分子材料或光增感劑。
作為將光配向膜形成用組成物塗佈於基材之方法，可舉出與將配向性聚合物組成物塗佈於基材之方法為相同之方法。作為從已塗佈之光配向膜形成用組成物中去除溶劑的方法，例如可舉出與從配向性聚合物組成物去除溶劑之方法為相同之方法。
照射偏光可為對從塗佈於基板上之光配向膜形成用組成物中已去除溶劑者直接照射偏光UV之形式，亦可為從基材側照射偏光，且使偏光穿透而照射之形式。又，該偏光係以實質上平行光者為特佳。照射偏光之波長係以在具有光反應性基之聚合物或單體之光反應性基能吸收光能量之波長區域內者為宜。具體而言，波長250~400nm之範圍內之UV(紫外線)為特佳。作為該偏光照射所使用之光源，可舉出如氙氣燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、KrF、ArF等之紫外線雷射等，以高壓水銀燈、超高壓水銀燈及金屬鹵素燈為較佳。此等之燈由於波長313nm之紫外線之發光強度大而為佳。藉由使來自前述光源之光通過適當偏光片而進行照射，即可照射偏光UV。作為該偏光片，可使用如偏光濾器獲格蘭-湯普遜、格蘭泰勒等之偏光稜鏡或線柵型之偏 光片。
尚且，在進行摩擦或偏光照射時，若施以掩蔽(masking)，亦可形成液晶配向之方向為相異之複數區域(圖型)。
溝槽配向膜係藉由膜表面之凹凸圖型或複數之溝而可取得液晶配向之膜。H.V.Kennel等已報告在具有並排複數等間隔之直線狀之溝(groove)的基材上放置液晶分子時，液晶分子即會配向成延著其溝之方向的事實(Physical Review A24(5)、2713頁、1981年)。
作為取得溝槽配向膜之具體例，可舉出如經由在感光性聚醯亞胺表面具有周期性圖型形狀之狹縫之曝光用遮罩進行曝光後，施行顯像及潤洗處理並去除不需要之聚醯亞胺膜而形成凹凸圖型之方法；於表面具有溝之板狀原盤上形成UV硬化樹脂層，將樹脂層轉移至基材薄膜後進行硬化之方法；搬送形成有UV硬化樹脂層之基材薄膜，將具有複數溝之輥狀原盤壓向UV硬化樹脂層表面而形成凹凸後進行硬化之方法等，可使用日本特開平6-34976號公報、日本特開2011-242743號公報中記載之方法等。
上述方法之中亦以將具有複數溝之輥狀原盤壓向UV硬化樹脂層表面而形成凹凸後進行硬化之方法為佳。從耐久性之觀點，可使用不鏽鋼(SUS)作為輥狀原盤。
作為UV硬化樹脂，可使用單官能丙烯酸酯之 聚合物、多官能丙烯酸酯之聚合物或此等混合物之聚合物。
單官能丙烯酸酯係指於分子內具有一個選自由丙烯醯氧基(CH2=CH-COO-)及甲基丙烯醯氧基(CH2=C(CH3)-COO-)所成群之基(以下，亦有記述為(甲基)丙烯醯氧基)的化合物。
作為具有1個(甲基)丙烯醯氧基之單官能丙烯酸酯，可舉出如碳數4至16之(甲基)丙烯酸烷酯、碳數2至14之(甲基)丙烯酸β羧基烷基酯、碳數2至14之烷基化苯基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯及異莰基(甲基)丙烯酸酯等。
多官能丙烯酸酯係指通常分子內具有2個至6個(甲基)丙烯醯氧基之化合物。
作為具有2個(甲基)丙烯醯氧基之2官能丙烯酸酯，可例示如1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯；1,3-丁(甲基)丙烯酸酯；1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯；乙二醇二(甲基)丙烯酸酯；二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯；新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯；三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯；四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二丙烯酸酯；雙酚A之雙(丙烯醯氧基乙基)醚；乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯；丙氧基化新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯；乙氧基化新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯及3-甲基戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等。
作為具有3個至6個(甲基)丙烯醯氧基之多官能丙烯酸酯，可舉出如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯；季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯；參(2-羥基乙基)異氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯；乙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯；丙氧基化三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯；季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯；二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯；二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯；三季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯；三季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯；三季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯；三季戊四醇七(甲基)丙烯酸酯；三季戊四醇八(甲基)丙烯酸酯；季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯與酸酐之反應物；二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯與酸酐之反應物；三季戊四醇七(甲基)丙烯酸酯與酸酐之反應物；己內酯變性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯；己內酯變性季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯；己內酯變性參(2-羥基乙基)異氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯；己內酯變性季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯；己內酯變性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯；己內酯變性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯；己內酯變性三季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯；己內酯變性三季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯；己內酯變性三季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯；己內酯變性三季戊四醇七(甲基)丙烯酸酯；己內酯變性三季戊四醇八(甲基)丙烯酸酯；己內酯變性季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯與酸酐 之反應物；己內酯變性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯與酸酐之反應物，及己內酯變性三季戊四醇七(甲基)丙烯酸酯與酸酐之反應物等。尚且，於此展示之多官能丙烯酸酯之具體例中，(甲基)丙烯酸酯係意指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。又，己內酯變性係意指(甲基)丙烯酸酯化合物之源自醇之部位與(甲基)丙烯醯氧基之間導入有己內酯之開環物或開環聚合物。
該多官能丙烯酸酯係亦可使用市售品。
作為該市售品，可舉出如A-DOD-N、A-HD-N、A-NOD-N、APG-100、APG-200、APG-400、A-GLY-9E、A-GLY-20E、A-TMM-3、A-TMPT、AD-TMP、ATM-35E、A-TMMT、A-9550、A-DPH、HD-N、NOD-N、NPG、TMPT(新中村化學股份有限公司製)、”ARONIX M-220”、同”M-325”、同”M-240”、同”M-270”同”M-309”同”M-310”、同”M-321”、同”M-350”、同”M-360”、同”M-305”、同”M-306”、同”M-450”、同”M-451”、同”M-408”、同”M-400”、同”M-402”、同”M-403”、同”M-404”、同”M-405”、同”M-406”(東亞合成股份有限公司製)、”EBECRYL11”、同”145”、同”150”、同”40”、同”140”、同”180”、DPGDA、HDDA、TPGDA、HPNDA、PETIA、PETRA、TMPTA、TMPEOTA、DPHA、EBECRYL系列(Daicel-Cytec股份有限公司製)等。
作為溝槽配向膜之凹凸，凸部之寬係以 0.05~5μm為佳，凹部之寬係以0.1~5μm為佳，凹凸之段差深度係在2μm以下，較佳為0.01~1μm以下。若在此範圍，即可取得配向紊亂小之液晶配向。
配向膜之厚度通常在10nm~10000nm之範圍，以10nm~1000nm之範圍為佳，較佳為500nm以下，更佳為10nm~500nm之範圍。
聚合性液晶之液晶配向係由配向膜及聚合性液晶之性質所控制。
例如，配向膜若配向調控力係展現水平配向調控力之材料，聚合性液晶可形成水平配向或混合配向，若為展現垂直配向調控力之材料，聚合性液晶則可形成垂直配向或傾斜配向。
配向調控力當配向膜係從配向性聚合物所形成時，根據表面狀態或摩擦條件而能任意地調整，當從光配向性聚合物所形成時，根據偏光照射條件等而能任意地調整。又，藉由選擇聚合性液晶之表面張力或液晶性等之物性，亦可控制液晶配向。
聚合性液晶之聚合係可藉由使具有聚合性官能基之化合物進行聚合之公知方法進行。具體地可舉出如熱聚合及光聚合，從聚合容易度之觀點，以光聚合為佳。藉由光聚合而使聚合性液晶進行聚合時，以在將塗佈含有光聚合起始劑之聚合性液晶組成物並乾燥而得之乾燥被膜中之聚合性液晶作成液晶相狀態後，保持該液晶狀態下使其光聚合為佳。
光聚合係通常藉由對乾燥被膜照射光而實施。作為照射之光，因應乾燥被膜所含之光聚合起始劑之種類、聚合性液晶之種類(尤其係聚合性液晶所具有之光聚合基之種類)及其量而適宜選擇，具體地可舉出如選自由可見光、紫外線及雷射光所成群之光，活性電子線。其中，從容易控制聚合反應進行之觀點，及，光聚合裝置係能使用本領域所廣泛使用者之觀點，則以紫外線為佳，並以為了能藉由紫外線進行光聚合而選擇聚合性液晶與光聚合起始劑之種類為佳。又，於聚合時，藉由適當冷卻手段使乾燥被膜冷卻並進行光照射，亦可控制聚合溫度。藉由採用此般冷卻手段，在較低溫下實施聚合性液晶之聚合，即使基材係使用耐熱性較低者，仍可適宜形成相位差層。於光聚合時，藉由實施掩蔽或顯像等，亦可取得經圖型化之相位差層。
聚合性液晶組成物亦可含有反應性添加劑。
作為反應性添加劑，以於其分子內具有碳-碳不飽和鍵與活性氫反應性基者為佳。尚且，在此所謂之「活性氫反應性基」係指對於羧基(-COOH)、羥基(-OH)、胺基(-NH2)等之具有活性氫之基為具有反應性之基，以環氧丙基、噁唑啉基、碳二醯亞胺基、吖丙啶基、醯亞胺基、異氰酸酯基、硫異氰酸酯基、無水馬來酸基等為其代表例。反應性添加劑所具有之碳-碳不飽和鍵及活性氫反應性基之個數，通常分別為1~20個，較佳係分別為1~10個。
於反應性添加劑中，活性氫反應性基係以至少存在2個為佳，於此情況，複數存在之活性氫反應性基可為相同亦可為相異者。
反應性添加劑所具有之碳-碳不飽和鍵係指碳-碳雙鍵或碳-碳三鍵，或可為此等之組合，以碳-碳雙鍵為佳。其中，反應性添加劑亦以包含乙烯基及/或(甲基)丙烯醯基作為碳-碳不飽和鍵為佳。並且，活性氫反應性基係以選自由環氧基、環氧丙基及異氰酸酯基所成群之至少一種者為佳，以具有丙烯醯基與異氰酸酯基之反應性添加劑為特佳。
作為反應性添加劑之具體例，可舉出如甲基丙烯醯氧基環氧丙基醚或丙烯醯氧基環氧丙基醚等之具有(甲基)丙烯醯基與環氧基之化合物；環氧丙烷丙烯酸酯或環氧丙烷甲基丙烯酸酯等之具有(甲基)丙烯醯基與環氧丙烷基之化合物；內酯丙烯酸酯或內酯甲基丙烯酸酯等之具有(甲基)丙烯醯基與內酯基之化合物；乙烯基噁唑啉或異丙烯基噁唑啉等之具有乙烯基與噁唑啉基之化合物；丙烯酸異氰酸根甲酯、甲基丙烯酸異氰酸根甲酯、丙烯酸2-異氰酸根乙酯及甲基丙烯酸2-異氰酸根乙酯等之具有(甲基)丙烯醯基與異氰酸酯基之化合物的寡聚物等。又，尚可舉出如甲基丙烯酸酐、丙烯酸酐、無水馬來酸及乙烯基無水馬來酸等之具有乙烯基或伸乙烯基與酸酐之化合物等。其中，亦以甲基丙烯醯氧基環氧丙基醚、丙烯醯氧基環氧丙基醚、丙烯酸異氰酸根甲酯、甲基丙烯酸 異氰酸根甲酯、乙烯基噁唑啉、丙烯酸2-異氰酸根乙酯、甲基丙烯酸2-異氰酸根乙酯及前述之寡聚物為佳，以丙烯酸異氰酸根甲酯、丙烯酸2-異氰酸根乙酯及前述之寡聚物為特佳。
具體而言，以下述式(Y)所表示之化合物為佳。
[式(Y)中，n表示1~10之整數，R1’表示碳數2~20之2價脂肪族或脂環式烴基、或碳數5~20之2價芳香族烴基。各重複單位中之2個R2’，一者為-NH-，另一者為>N-C(=O)-R3’所示之基。R3’表示具有羥基或碳-碳不飽和鍵之基。
式(Y)中之R3’之中，至少1個R3’為具有碳-碳不飽和鍵之基。]
前述式(Y)所表示之反應性添加劑之中，亦以下述式(YY)所表示之化合物(以下，亦有稱為化合物(YY))為特佳者(尚且，n係與前述相同意義)。
化合物(YY)係可直接使用市售品，或因應必要純 化後使用。作為市售品，例如可舉出如Laromer(註冊商標)LR-9000(BASF公司製)。
聚合性液晶組成物在含有反應性添加劑時，其含有量在相對於聚合性液晶100質量份而言，通常為0.1質量份~30質量份，較佳為0.1質量份~5質量份。
聚合性液晶組成物係以含有1種以上之平整劑為佳。平整劑係具有調整聚合性液晶組成物之流動性，且將藉由塗佈聚合性液晶組成物而得之塗佈膜予以平坦化之功能，具體地可舉出如界面活性劑。作為平整劑，以選自由以聚丙烯酸酯化合物為主成分之平整劑及以含氟原子化合物為主成分之平整劑所成群之至少1種為佳。
作為以聚丙烯酸酯化合物為主成分之平整劑，可舉出如”BYK-350”、”BYK-352”、”BYK-353”、”BYK-354”、”BYK-355”、”BYK-358N”、”BYK-361N”、”BYK-380”、”BYK-381”及”BYK-392”[BYK Chemie公司]。
作為以含氟原子化合物為主成分之平整劑，可舉出如”Megafac(註冊商標)R-08”、同”R-30”、同”R-90”、同”F-410”、同”F-411”、同”F-443”、同”F-445”、同”F-470”、同”F-471”、同”F-477”、同”F-479”、同”F-482”及同”F-483”[DIC(股)]；”Surflon(註冊商標)S-381”、同”S-382”、同”S-383”、同”S-393”、同”SC-101”、同”SC-105”、”KH-40”及”SA-100”[AGC SemiChemical(股)]；”E1830”、 ”E5844”[(股)大金精細化學研究所]；”Eftop EF301”、”Eftop EF303”、”Eftop EF351”及”Eftop EF352”[三菱材料電子化成(股)]。
聚合性液晶組成物在含有平整劑時，其含有量在相對於聚合性液晶100質量份而言，以0.01質量份以上5質量份以下為佳，以0.05質量份以上5質量份以下為較佳，以0.05質量份以上3質量份以下為更佳。平整劑之含有量若在前述範圍內時，可容易使聚合性液晶呈水平配向，且取得之偏光層有變得更平滑之傾向。對於聚合性液晶之平整劑之含有量若在前述範圍內時，則有在取得之相位差層不易產生不均的傾向。
聚合性液晶組成物係以含有1種以上之聚合起始劑為佳。聚合起始劑係為能起始聚合性液晶之聚合反應的化合物，在較低溫條件下，能起始聚合反應之觀點上，以光聚合起始劑為佳。具體而言，可舉出如因光之作用而能產生活性自由基或酸之光聚合起始劑，其中亦以因光之作用而產生自由基之光聚合起始劑為佳。
作為聚合起始劑，可舉出如安息香化合物、二苯甲酮化合物、烷基苯酮(alkylphenone)化合物、醯基膦氧化物化合物、三嗪化合物、錪鹽及鋶鹽。
作為安息香化合物，可舉出如安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚及安息香異丁基醚。
作為二苯甲酮化合物，可舉出如二苯甲酮、 o-苄醯基安息香酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、4-苄醯基-4’-甲基二苯基硫化物、3,3’,4,4’-四(tert-丁基過氧基羰基)二苯甲酮及2,4,6-三甲基二苯甲酮。
作為烷基苯酮化合物，可舉出如二乙氧基苯乙酮、2-甲基-2-嗎啉基-1-(4-甲基苯硫基)丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)丁烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1,2-二苯基-2,2-二甲氧基乙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]丙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮及2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙烷-1-酮之寡聚物。
作為醯基膦氧化物化合物，可舉出如2,4,6-三甲基苄醯基二苯基膦氧化物及雙(2,4,6-三甲基苄醯基)苯基膦氧化物。
作為三嗪化合物，可舉出如2,4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基苯基)-1,3,5-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基萘基)-1,3,5-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基苯乙烯基)-1,3,5-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-1,3,5-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-1,3,5-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(4-二乙基胺基-2-甲基苯基)乙烯基]-1,3,5-三嗪及2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(3,4-二甲氧基苯基)乙烯基]-1,3,5-三嗪。
聚合起始劑係可使用市售者。作為市售之聚合起始劑，可舉出如”Irgacure(Irgacure)(註冊商標) 907”、”Irgacure(註冊商標)184”、”Irgacure(註冊商標)651”、”Irgacure(註冊商標)819”、”Irgacure(註冊商標)250”、”Irgacure(註冊商標)369”(Ciba Japan(股))；”Seikuor(註冊商標)BZ”、”Seikuor(註冊商標)Z”、”Seikuor(註冊商標)BEE”(精工化學(股))；”KAYACURE(kayacure)(註冊商標)BP100”(日本化藥(股))；”KAYACURE(註冊商標)UVI-6992”(DOW公司製)；”Adeka Optomer SP-152”、”Adeka Optomer SP-170”((股)ADEKA)；”TAZ-A”、”TAZ-PP”(日本Siber Hegner公司)；及”TAZ-104”(三和化學公司)。
聚合性液晶組成物在含有聚合起始劑時，其含有量係可根據該組成物所含有之聚合性液晶之種類及其量而適宜調節，相對於聚合性液晶100質量份而言，以0.1~30質量份為佳，以0.5~10質量份為較佳，以0.5~8質量份為更佳。聚合性開始劑之含有量若在範圍內，則可在聚合性液晶之配向不紊亂下使其聚合。
聚合性液晶組成物在含有光聚合起始劑時，該組成物中亦可更含有光增感劑。作為光增感劑，可舉出如呫吨酮、噻吨酮等之呫吨酮化合物(例如，2,4-二乙基噻吨酮、2-異丙基醚噻吨酮等)；蒽、含烷氧基蒽(例如，二丁氧基蒽等)等之蒽化合物；吩噻嗪及紅螢烯。
聚合性液晶組成物在含有光聚合起始劑及光增感劑時，可更促進該組成物所含有之聚合性液晶之聚合 反應。光增感劑之使用量係可根據光聚合起始劑及聚合性液晶之種類及其量而適宜調節，相對於聚合性液晶100質量份而言，以0.1~30質量份為佳，以0.5~10質量份為較佳，以0.5~8質量份為更佳。
為了使聚合性液晶之聚合反應更安定地進行，聚合性液晶組成物亦可含有適量之聚合禁止劑，藉此，變得可容易控制聚合性液晶之聚合反應之進行狀況。
作為聚合禁止劑，可舉出如氫醌、含烷氧基氫醌、含烷氧基兒茶酚(例如，丁基兒茶酚等)、鄰苯三酚、2,2,6,6-四甲基-1-哌啶氧基自由基等之自由基捕捉劑；硫酚類；β-萘基胺類及β-萘酚類。
聚合性液晶組成物在含有聚合禁止劑時，其含有量係可因應聚合性液晶之種類及其量、以及光增感劑之使用量等而適宜調節，相對於聚合性液晶100質量份而言，以0.1~30質量份為佳，以0.5~10質量份為較佳，以0.5~8質量份為更佳。聚合禁止劑之含有量若在此範圍內，則可在聚合性液晶之配向不紊亂下使其聚合。
在製造本光學薄膜時，形成第一相位差層、第二相位差層及第三相位差層之順序可為任意者。又，形成第一相位差層中之層A與層B之順序亦為任意者。
可於基材上介由或不介由配向膜而形成層A，於該層A之上介由或不介由配向膜而形成層B，且於該層B之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層。
可於基材上介由或不介由配向膜而形成層B，於該層 B之上介由或不介由配向膜而形成層A，且於該層A之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層。
可於基材上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成層A，且於該層A之上介由或不介由配向膜而形成層B。
可於基材上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成層B，且於該層B之上介由或不介由配向膜而形成層A。
可於基材之一方之面介由或不介由配向膜而形成層A，於該層A之上介由或不介由配向膜而形成層B，且於基材之另一方之面介由或不介由配向膜而形成第二相位差層。
可於基材之一方之面介由或不介由配向膜而形成層B，於該層B之上介由或不介由配向膜而形成層A，且於基材之另一方之面介由或不介由配向膜而形成第二相位差層。
於層A之上介由或不介由配向膜而形成層B時，或，於層B之上介由或不介由配向膜而形成層A時，層A與層B之間亦可存有保護層。又，於第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成層A時，於第二相位差層之上介或不介由配向膜而形成層B時，於層A之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層時，或，於層B之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層時，在第二相位差層與層A或層B之間亦可存有保護層。
可於基材上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層，於該第一相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，且該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層。
可於基材上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層，於該第三相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，且於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層。
可於基材一方之面介由或不介由配向膜而形成第一相位差層，於該第一相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，且於基材之另一方之面介由或不介由配向膜而形成第三相位差層。
可於基材一方之面介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層，且於基材之另一方之面介由或不介由配向膜而形成第三相位差層。
可於基材一方之面介由或不介由配向膜而形成第三相位差層，於該第三相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，且於基材另一方之面介由或不介由配向膜而形成第一相位差層。
可於基材一方之面介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層，且於基材另一方之面介由或不介由配向膜而形成第一相位差層。
可於基材上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層，且於該第一相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層。
可於基材一方之面介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，且於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層。
可於基材一方之面介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，且於基材另一方之面介由或不介由配向膜而形成第一相位差層。
於第一相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層時，或，於第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層時，第一相位差層與第二相位差層之間亦可存有保護層。又，於第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層時，或，於第三相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層時，第二相位差層與第三相位差層之間亦可存有保護層。
<保護層>
保護層通常係以由含有由多官能丙烯酸酯(甲基丙烯酸酯)、胺基甲酸酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、環氧基丙烯酸酯等所構成之丙烯酸系寡聚物或聚合物，聚乙烯醇、乙烯-乙烯基醇共聚物、聚乙烯基吡咯啶酮、澱粉類、甲基纖維素、羧基甲基纖維素、海藻酸鈉等之水溶性聚合物與溶劑的保護層形成用組成物所形成為佳。
保護層形成用組成物所含有之溶劑，可舉出如與前述溶劑為相同者，由不使形成保護層之層溶解之觀點，其中亦以由水、醇溶劑及醚溶劑所成群之至少一種溶劑為佳。作為醇溶劑，可舉出如甲醇、乙醇、丁醇、乙二醇、異丙醇、丙二醇、乙二醇甲基醚、乙二醇丁基醚及丙二醇單甲基醚。作為醚溶劑，可舉出如乙二醇單甲基醚乙酸酯及丙二醇單甲基醚乙酸酯。其中亦以乙醇、異丙醇、丙二醇單甲基醚及丙二醇單甲基醚乙酸酯為佳。
保護層之厚度通常在20μm以下。保護層之厚度係以0.5μm以上10μm以下為佳，以1μm以上5μm以下為較佳。保護層之厚度通常係可藉由干涉式膜厚計、雷射顯微鏡或觸針式膜厚計之測量而求得。
其次，說明關於連續製造本光學薄膜之方法。作為此種連續製造本光學薄膜之適宜方法，可舉出如捲對捲形式之方法。在此，說明關於藉由使聚合性液晶進行聚合而形成之相位差層之製造方法，但亦可取代藉由使聚合性液晶進行聚合而形成之相位差層，而使用由延伸薄膜所構成之相位差層，於此情況時，只需將下述製造步驟中之「塗佈聚合性液晶組成物」取代解讀為「層合延伸薄膜」即可。
又，於下述例示代表性構成之製造方法，但其他之構成僅需根據下述製造方法進行實施即可。
可舉出依
(1)準備捲芯上捲取有基材之輥的步驟、 (2)從該輥連續送出該基材的步驟、 (3)於該基材上連續形成配向膜的步驟、(4)於該配向膜上塗佈聚合性液晶組成物而連續地形成第一相位差層的步驟、(5)於前述(4)所得之第一相位差層之上連續地形成保護層的步驟、(6)於前述(5)所得之保護層之上連續地形成配向膜的步驟、(7)於前述(6)所得之配向膜之上塗佈聚合性液晶組成物而連續地形第二相位差層的步驟、(8)連續地將取得之光學薄膜捲取於第2捲芯而得到第2輥的步驟
之順序施行的方法。尚且，步驟(3)、(5)及(6)係亦可因應需要省略，此時，將步驟(4)中之「該配向膜上」改讀為「該基材上」，將步驟(6)中之「前述(5)所得之保護層」改讀為「該第一相位差層」，將步驟(7)中之「前述(6)所得之配向膜」改讀為「該第一相位差層」或「前述(5)所得之保護層」。又，為了抑制搬送時之皺紋或捲曲，於各步驟中搬送薄膜時，亦可貼合保護薄膜。
又，亦可舉出依
(1a)準備捲芯上捲取有基材之輥的步驟、(2a)從該輥連續送出該基材的步驟、(3a)於該基材上連續形成配向膜的步驟、 (4a)於該配向膜上塗佈聚合性液晶組成物而連續地形成第二相位差層的步驟、(5a)於前述(4a)所得之第二相位差層上連續地形成保護層的步驟、(6a)於前述(5a)所得之保護層之上連續地形成配向膜的步驟、(7a)於前述(6a)所得之配向膜之上塗佈聚合性液晶組成物而連續地形成第一相位差層的步驟、(8a)連續地將取得之光學薄膜捲取於第2捲芯而得到第2輥的步驟
之順序施行的方法。尚且，步驟(3a)、(5a)及(6a)係可因應需要而省略，此時，將步驟(4a)中之「該配向膜上」改讀為「該基材上」，將步驟(6a)中之「前述(5a)所得之保護層」改讀為「該第二相位差層」，將步驟(7a)中之「前述(6a)所得之配向膜」改讀為「該第二相位差層」或「前述(5a)所得之保護層」。又，為了抑制搬送時之皺紋或捲曲，各步驟中搬送薄膜時亦可貼合保護薄膜。
又，亦可舉出依
(1b)準備捲芯上捲取有基材之輥的步驟、(2b)從該輥連續送出該基材的步驟、(3b)於該基材上連續形成配向膜的步驟、(4b)於該配向膜上塗佈聚合性液晶組成物而連續地形成第一相位差層的步驟、 (5b)與前述(4b)所得之第一相位差層為反面之基材面上連續地形成配向膜的步驟、(6b)於前述(5b)所得之配向膜上塗佈聚合性液晶組成物而連續地形成第二相位差層的步驟、(7b)連續地將取得之光學薄膜捲取於第2捲芯而得到第2輥的步驟
之順序施行的方法。尚且，步驟(3b)、及(5b)係可因應需要而省略，此時，將步驟(4b)中之「該配向膜上」改讀為「該基材上」，將步驟(6b)中之「前述(5b)所得之配向膜上」改讀為「與前述(4b)所得之第一相位差層為反面之基材面」。又，為了抑制搬送時之皺紋或捲曲，各步驟中搬送薄膜時亦可貼合保護薄膜。
又，亦可舉出依
(1c)準備捲芯上捲取有透明基材之輥的步驟、(2c)從該輥連續地送出該透明基材的步驟、(3c)於該透明基材上連續地形成配向膜的步驟、(4c)於該配向膜上塗佈聚合性液晶組成物而連續地形成第二相位差層的步驟、(5c)與前述(4c)所得之第二相位差層為反面之基材面上連續地形成配向膜的步驟、(6c)於前述(5c)所得之配向膜上塗佈聚合性液晶組成物而連續地形成第一相位差層的步驟、(7c)連續地將取得之光學薄膜捲取於第2捲芯而得到第2輥的步驟
之順序施行的方法。尚且，步驟(3c)、及(5c)係可因應需要而省略，此時，將步驟(4c)中之「該配向膜上」改讀為「該基材上」，將步驟(6c)中之「前述(5c)所得之配向膜上」該讀為「與前述(4c)所得之第二相位差層為反面之基材面」。又，為了抑制搬送時之皺紋或捲曲，各步驟中搬送薄膜時亦可貼合保護薄膜。
又，可舉出依
(1d)準備捲芯上捲取有基材之輥的步驟、(2d)從該輥連續送出該基材的步驟、(3d)於該基材上連續形成配向膜的步驟、(4d)於該配向膜上塗佈聚合性液晶組成物而連續地形成層A的步驟、(5d)於前述(4d)所得之層A上連續地形成保護層的步驟、(6d)於前述(5d)所得之保護層之上連續地形成配向膜的步驟、(7d)於前述(6d)所得之配向膜上塗佈聚合性液晶組成物而連續地形成層B的步驟、(8d)於前述(7d)所得之層B上連續地形成保護層的步驟、(9d)於前述(8d)所得之保護層之上連續地形成配向膜的步驟、(10d)於前述(9d)所得之配向膜之上塗佈聚合性液晶組成物而連續地形第二相位差層的步驟、 (11d)連續地將取得之光學薄膜捲取於第2捲芯而得到第2輥的步驟
之順序施行的方法。尚且，步驟(3d)、(5d)、(6d)、(8d)、及(9d)係可因應需要而省略，此時，將步驟(4d)中之「該配向膜上」改讀為「該基材上」，將步驟(6d)中之「前述(5d)所得之保護層」改讀為「該層A」，將步驟(7d)中之「前述(6d)所得之配向膜」改讀為「該層A」或「前述(5d)所得之保護層」，將步驟(9d)中之「前述(8d)所得之保護層」改讀為「該層B」，將步驟(10d)中之「前述(9d)所得之配向膜」改讀為「該層B」或「前述(9d)所得之保護層」。又，為了抑制搬送時之皺紋或捲曲，各步驟中搬送薄膜時亦可貼合保護薄膜。
又，亦可舉出依
(1e)準備捲芯上捲取有基材之輥的步驟、(2e)從該輥連續送出該基材的步驟、(3e)於該基材上連續形成配向膜的步驟、(4e)於該配向膜上塗佈聚合性液晶組成物而連續地形成第一相位差層的步驟、(5e)於前述(4e)所得之第一相位差層之上連續地形成保護層的步驟、(6e)於前述(5e)所得之保護層之上連續地形成配向膜的步驟、(7e)於前述(6e)所得之配向膜之上塗佈聚合性液 晶組成物而連續地形第二相位差層的步驟、(8e)與前述(4e)所得之第一相位差層為反面之基材面上連續地形成配向膜的步驟、(9e)於前述(8e)所得之配向膜上塗佈聚合性液晶組成物而連續地形成第三相位差層的步驟、(10e)連續地將取得之光學薄膜捲取於第2捲芯而得到第2輥的步驟之順序施行的方法。尚且，步驟(3e)、(5e)及(8e)係可因應需要而省略，此時，將步驟(4e)中之「該配向膜上」改讀為「該基材上」，將步驟(6e)中之「前述(5e)所得之保護層」改讀為「前述(4e)所得之第一相位差層」，將步驟(9e)中之「前述(8e)所得之配向膜上」改讀為「與前述(4e)所得之第一相位差層為反面之基材面」。又，為了抑制搬送時之皺紋或捲曲，各步驟中搬送薄膜時亦可貼合保護薄膜。又，為了抑制搬送時之皺紋或捲曲，各步驟中搬送薄膜時亦可貼合保護薄膜。
圖1展示本光學薄膜之示意圖。圖1(b)係依基材、第一相位差層及第二相位差層之順序層合而成之本光學薄膜100。圖1(c)係依基材、第二相位差層及第一相位差層之順序層合而成之本光學薄膜100。圖1(d)係依第一相位差層、基材及第二相位差層之順序層合而成之本光學薄膜100。
藉由從此等本光學薄膜去除基材，即可取得不具有基材之本光學薄膜。又，第一相位差層為延伸薄膜 時，藉由在該延伸薄膜之表面形成被覆層之第二相位差層，即可製造本光學薄膜，又，第二相位差層為延伸薄膜時，藉由在該延伸薄膜之表面形成被覆層之第一相位差層，即可製造本光學薄膜。將不具有基材之本光學薄膜之示意圖展示於圖1(a)。
又，將具有第一相位差層之基材，與具有第二相位差層之基材予以貼合，亦可製造本光學薄膜。作為具體例，可舉出如圖1(e)、圖1(f)及圖1(g)。貼合係可使用後述之接著劑。
將第一相位差層係由層A及層B所構成之情況，或，具有第三相位差層之情況之本光學薄膜之構成展示於圖2。圖2(c)係依基材、層A、層B及第二相位差層之順序層合而成之光學薄膜100。圖2(d)係基材、第一相位差層、第二相位差層及第三相位差層之順序層合而成之光學薄膜100。圖2(e)係依基材、層B、層A及第二相位差層之順序層合而成之光學薄膜100。圖2(f)係依基材、第三相位差層、第二相位差層及第一相位差層之順序層合而成之光學薄膜100。圖2(g)係依基材、第二相位差層、層B及層A之順序層合而成之光學薄膜100。圖2(h)係依基材、第二相位差層、層A及層B之順序層合而成之光學薄膜100。藉由從此等本光學薄膜剝離基材，亦可取得不具有基材之本光學薄膜，將不具有基材之本光學薄膜之示意圖展示於圖2(a)及圖2(b)。
在包含第一相位差層、層A及層B之構成的 情況，或，具有第三相位差層的情況，亦可於基材之兩面層合各自之層。作為具體例，例如，圖2(i)係依第二相位差層、基材、層A及層B之順序層合而成之光學薄膜100。圖2(j)係依第二相位差層、基材、層B及層A之順序層合而成之光學薄膜100。圖2(k)係依第一相位差層、基材、第三相位差層及第二相位差層之順序層合而成之光學薄膜100。圖2(1)係依第一相位差層、基材、第二相位差層及第三相位差層之順序層合而成之光學薄膜100。圖2(m)係依第三相位差層、基材、第一相位差層及第二相位差層之順序層合而成之光學薄膜100。圖2(n)係依第三相位差層、基材、第二相位差層及第一相位差層之順序層合而成之光學薄膜100。第二相位差層、層A及層B係可藉由直接塗佈於各層上而形成，亦可在製造各層後以貼合方式進行貼合，又依順序轉印各層進行層合亦可。
<接著劑>
作為接著劑，例如可舉出，黏著劑、水系接著劑及活性能量線硬化型接著劑。
作為黏著劑，一般係較佳使用含有丙烯酸系樹脂與交聯劑之丙烯酸系黏著劑，該丙烯酸系樹脂係以(甲基)丙烯酸酯為主成分，且藉由將少量含有具有官能基之(甲基)丙烯醯基單體的丙烯酸系單體混合物，在聚合起始劑之存在下進行自由基聚合而得之玻璃轉移溫度 Tg在0℃以下者。
(甲基)丙烯酸酯之中則以丙烯酸烷酯為佳，其中亦以丙烯酸n-丁酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯或丙烯酸乙氧基甲酯為佳。
構成丙烯酸系樹脂之另一個單體成分的具有官能基之(甲基)丙烯醯基單體係為分子內具有1個烯烴性雙鍵之(甲基)丙烯醯基，並且於同分子亦具有如羥基、羧基、醯胺基、胺基、或環氧基般之極性官能基之化合物。其中亦以丙烯醯基係為烯烴性雙鍵之丙烯醯基單體為佳。若舉出此般具有官能基之丙烯醯基單體之例，作為具有羥基者，以丙烯酸2-羥基乙酯為佳，又作為具有羧基者，以丙烯酸為佳。
成為丙烯酸系樹脂原料之丙烯醯基單體混合物亦可更含有上述(甲基)丙烯酸酯及具有官能基之(甲基)丙烯醯基單體以外之單體(以下，亦有稱為「第三單體」)。作為其例，可舉出如分子內具有1個烯烴性雙鍵與至少1個芳香環之單體、苯乙烯系單體、分子內具有脂環式構造之(甲基)丙烯酸酯、乙烯基系單體、分子內具有複數(甲基)丙烯醯基之單體等。
尤其，以分子內具有1個烯烴性雙鍵與至少1個芳香環之單體為較佳者之一。其中以2-苯氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-(2-苯氧基乙氧基)乙基(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷變性壬基酚之(甲基)丙烯酸酯、2-(o-苯基苯氧基)乙基(甲基)丙烯酸酯為佳，此等之中亦以 2-苯氧基乙基丙烯酸酯為更佳。
(甲基)丙烯酸酯及具有官能基之(甲基)丙烯醯基單體以外之單體(第三單體)係分別可單獨使用，亦可併用相異複數種類。源自此等第三單體之構造單位，在以丙烯酸系樹脂全體為基準時，通常可存在於0~20重量%之範圍內，較佳為0~10重量%。
構成丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系樹脂在藉由凝膠滲透層析(GPC)以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量Mw係以在100萬~200萬之範圍為佳。此重量平均分子量Mw在100萬以上時，有在高溫高濕下之接著性提升，且在構成液晶胞之玻璃基板與黏著劑層之間產生空隙或剝離之可能性變小之傾向，並且具重工性提高之傾向，故為佳。又，丙烯酸系樹脂之上述重量平均分子量Mw在200萬以下時，偏光板之尺寸即使產生變化，由於黏著劑會追隨該尺寸變化而變動，故有抑制顯示器之漏光或顏色不均之傾向而為佳。並且，由重量平均分子量Mw與數平均分子量Mn之比Mw/Mn所表示之分子量分布係以在3~7之範圍為佳。
丙烯酸系黏著劑所含有之丙烯酸系樹脂係亦可僅由如上述般之較高分子量者所構成，亦能為係由與其為相異之丙烯酸系樹脂之混合物所構成。若舉出能混合使用之丙烯酸系樹脂之例，則有以源自上述式(I)所示之(甲基)丙烯酸酯之構造單位為主成分，且重量平均分子量在5萬~30萬之範圍內者等。
構成丙烯酸系黏著劑之上述丙烯酸系樹脂係例如可藉由溶液聚合法、乳化聚合法、塊狀聚合法、懸濁聚合法等公知之各種方法進行製造。於此丙烯酸系樹脂之製造中，通常會使用聚合起始劑。作為聚合起始劑，可舉出如偶氮系化合物、有機過氧化物、無機過氧化物、併用過氧化物與還原劑之氧化還原系起始劑等。其中，亦以較佳使用2,2'-偶氮二異丁腈、過氧化苄醯基、過硫酸銨等。聚合起始劑相對於丙烯酸系樹脂原料之單體總量100質量份而言，通常係在0.001~5質量份程度之比例下使用。
對藉此所得之丙烯酸系樹脂配合交聯劑而作成黏著劑。交聯劑係為在分子內至少具有2個能與源自丙烯酸系樹脂中之具有極性官能基之單體的構造單位進行交聯反應之官能基的化合物，例如可舉出，異氰酸酯系化合物、環氧基系化合物、金屬螫合物系化合物、吖丙啶系化合物等。
此等交聯劑之其中較佳係使用異氰酸酯系化合物。異氰酸酯系化合物係在分子內至少具有2個異氰酸根基(-NCO)之化合物，除其自身以外，尚可在使其與聚醇反應而成之加合物、其二聚物、三聚物等之形態下使用。若舉出具體例，則有如亞苄基二異氰酸酯、使亞苄基二異氰酸酯與聚醇反應而得之加合物、亞苄基二異氰酸酯之二聚物、亞苄基二異氰酸酯之三聚物、六亞甲基二異氰酸酯、使六亞甲基二異氰酸酯與聚醇反應而得之加合物、 六亞甲基二異氰酸酯之二聚物、六亞甲基二異氰酸酯之三聚物等。
交聯劑係相對於丙烯酸系樹脂100質量份而言，通常以0.01~5質量份程度之比例配合，尤其以0.1~5質量份，並以0.2~3質量份之比例配合為佳。相對於丙烯酸系樹脂100質量份之交聯劑配合量若設在0.01質量份以上，尤其係設在0.1質量份以上，則有黏著劑層之耐久性提升之傾向。
黏著劑中因應必要亦可配合其他成分。作為能配合之其他成分，可舉出如金屬微粒子、金屬氧化物微粒子、或塗覆有金屬等之微粒子般之導電性之微粒子、離子導電性組成物、具有有機陽離子或陰離子之離子性化合物、矽烷耦合劑、交聯觸媒、耐候安定劑、增黏劑、塑化劑、軟化劑、染料、顏料、無機填料、上述丙烯酸系樹脂以外之樹脂、有機珠粒等之光擴散性微粒子等。又，亦可有用地對黏著劑配合紫外線硬化性化合物，在形成黏著劑層後照射紫外線使其硬化，而作成較硬之黏著劑層。
構成黏著劑之此等各成分通常係溶解於乙酸乙酯等之適當溶劑中之狀態下使用作為黏著劑組成物。將黏著劑組成物塗佈於適當基材上，並使其乾燥而可取得黏著劑層。雖有一部分之不會溶解於溶劑之成分，但該等係在系統中分散之狀態下即可。
作為將黏著劑層形成於本光學薄膜上之方法，例如可採用，使用剝離薄膜作為基材，塗佈上述之黏 著劑組成物形成黏著劑層，將取得之黏著劑層轉移至本光學薄膜之表面上之方法；於本光學薄膜表面直接塗佈上述黏著劑組成物而形成黏著劑層的方法等。又，亦可在1枚剝離薄膜上形成黏著劑層後，並在此黏著劑層之上貼合其他剝離薄膜，而作成兩面分離型黏著劑片。此般兩面分離型黏著劑片係在必要時期剝離單側之剝離薄膜，貼合在本光學薄膜上。作為兩面分離型黏著劑片之市售品，例如有Lintec股份有限公司或日東電工股份有限公司所販售之無載體黏著劑薄膜或無載體黏著劑片。
剝離薄膜係例如可為將由聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚丙烯或聚乙烯般之各種樹脂所構成之薄膜作為基材，並於此基材之與黏著劑層之接合面上，施以如矽膠處理之離型處理者。此種剝離薄膜亦稱為分離薄膜或分離器。
黏著劑層之厚度係以5~50μm為佳，並以5~30μm為較佳。藉由將黏著劑層之厚度設在30μm以下，則有高溫高濕下之接著性提升，顯示器與黏著劑層之間產生間隙或剝離之可能性變低之傾向，亦有重工性提高之傾向。又，藉由將其厚度設在5μm以上，貼合於其之偏光板之寸法即使產生變化，黏著劑層會追隨其尺寸變化而變動，對於尺寸變化之耐久性提高。
作為水系接著劑，一般例如係作成使用聚乙烯醇系樹脂或胺基甲酸酯樹脂作為主成分，且為了提高接著性而配合異氰酸酯系化合物或環氧化合物般之交聯劑或 硬化性化合物而成之組成物。
水系接著劑之主成分係使用聚乙烯醇系樹脂時，除可使用部分皂化聚乙烯醇及完全皂化聚乙烯醇之外，尚可使用如羧基變性聚乙烯醇、乙醯乙醯基基變性聚乙烯醇、羥甲基變性聚乙烯醇、及胺基變性聚乙烯醇般之經變性之聚乙烯醇系樹脂。此般聚乙烯醇系樹脂之水溶液係使用作為水系接著劑，而水系接著劑中之聚乙烯醇系樹脂之濃度在相對於水100質量份而言，通常為1~10質量份，以1~5質量份為佳。
由聚乙烯醇系樹脂之水溶液所構成之水系接著劑中，為了如前述般提高接著性，可配合如多價醛、水溶性環氧樹脂、三聚氰胺系化合物、氧化鋯系化合物、及鋅化合物般之硬化性化合物。若舉出水溶性環氧樹脂之例，則有使由二乙烯三胺或三乙烯四胺般之聚伸烷基聚胺與己二酸般之二羧酸之反應所得之聚醯胺聚胺，再與表氯醇反應而得知水溶性之聚醯胺環氧樹脂。作為此般聚醯胺環氧樹脂之市售品，如有住化康泰斯股份有限公司所販售之“Sumirez Resin 650”及“Sumirez Resin 675”、日本PMC股份有限公司所販售之“WS-525”等。在配合水溶性環氧樹脂時，其添加量係相對於聚乙烯醇系樹脂100質量份而言，通常為1~100質量份程度，較佳為1~50質量份。
又，在水系接著劑之主成分係使用胺基甲酸酯樹脂時，將聚酯系離聚物型胺基甲酸酯樹脂作為水系接著劑之主成分則為較有效者。在此所謂之聚酯系離聚物型 胺基甲酸酯樹脂係指具有聚酯骨架之胺基甲酸酯樹脂，且其中導入有少量離子性成分(親水成分)者。該離聚物型胺基甲酸酯樹脂係未使用乳化劑而直接在水中乳化而成為乳液，故可作成水系之接著劑。在使用聚酯系離聚物型胺基甲酸酯樹脂時，配合水溶性之環氧化合物作為交聯劑則為較有效者。將聚酯系離聚物型胺基甲酸酯樹脂作成偏光板之接著劑係例如記載於日本特開2005-70140號公報或日本特開2005-208456號公報中。
構成水系接著劑之此等各成分通常係在溶解於水之狀態下使用。將水系接著劑塗佈於適當基材上使其乾燥，而可取得接著劑層。不溶解於水之成分只需在系統中作成分散之狀態即可。
作為將前述接著劑層形成於本光學薄膜上之方法，可舉出如將上述接著劑組成物直接塗佈於本光學薄膜表面上而形成接著劑層之方法等。前述接著劑層之厚度通常為0.001~5μm程度，以0.01μm以上為佳，較佳為2μm以下，更佳為1μm以下。接著劑層若過厚時，則偏光板之外觀容易變得不良。
又，例如，將水系接著劑注入於偏光板與本光學薄膜之間後，以加熱使水蒸發，並使熱交聯反應進行而可賦予兩者充分之接著性。
活性能量線硬化型接著劑係受到活性能量線之照射而硬化，只要係能以足以實用之強度接著偏光板與本光學薄膜者即可。例如，可舉出，含有環氧化合物與陽 離子聚合起始劑之陽離子聚合性之活性能量線硬化型接著劑、含有丙烯酸系硬化成分與自由基聚合起始劑之自由基聚合性之活性能量線硬化型接著劑、含有環氧化合物般之陽離子聚合性之硬化成分及丙烯酸系化合物般之自由基聚合性之硬化成分之兩者且對此配合陽離子聚合起始劑及自由基聚合起始劑而成之活性能量線硬化型接著劑、及對不含有起始劑之活性能量線硬化型接著劑照射電子線而使其硬化之電子線硬化型接著劑等。較佳為含有丙烯酸系硬化成分與自由基聚合起始劑之自由基聚合性之活性能量線硬化型接著劑。又，以實質上能在無溶劑下使用之含有環氧化合物與陽離子聚合起始劑之陽離子聚合性之活性能量線硬化型接著劑為佳。
藉由選擇能陽離子聚合之環氧化合物且其自身在室溫下為液體，即使不存在溶劑仍具有適度流動性而賦予適宜硬化接著強度者，並對此配合適宜之陽離子聚合起始劑而成之活性能量線硬化型接著劑，即可省去在偏光板之製造設備中，接著偏光片與透明保護薄膜之步驟所通常必需之乾燥設備。又，藉由照射適當活性能量線量而促進硬化速度，亦可使生產速度提高。
此種接著劑所用之環氧化合物，例如可為具有羥基之芳香族化合物或鏈狀化合物之環氧丙基醚化物、具有胺基之化合物之環氧丙基胺基化物、具有C-C雙鍵之鏈狀化合物之環氧化物、直接與飽和碳環或介由伸烷基而與環氧丙基氧基或環氧基乙基結合，或在飽和碳環上直接 結合環氧基之脂環式環氧化合物等。此等環氧化合物係可分別單獨使用，亦可併用相異之複數種。其中，亦以脂環式環氧化合物由於陽離子聚合性優異，故可較佳使用。
具有羥基之芳香族化合物或鏈狀化合物之環氧丙基醚化物係例如，可藉由在鹼性條件下，對此等芳香族化合物或鏈狀化合物之羥基加成縮合表氯醇之方法而製造。此種具有羥基之芳香族化合物或鏈狀化合物之環氧丙基醚化物係包括雙酚類之二環氧丙基醚、多芳香環型環氧樹脂、伸烷基二醇或聚伸烷基二醇之二環氧丙基醚等。
作為雙酚類之二環氧丙基醚，例如可舉出雙酚A之環氧丙基醚化物及其寡聚物、雙酚F之環氧丙基醚化物及其寡聚物、3,3',5,5'-四甲基-4,4'-雙酚之環氧丙基醚化物及其寡聚物等。
作為多芳香環型環氧樹脂，例如可舉出苯酚酚醛樹脂之環氧丙基醚化物、甲酚酚醛樹脂之環氧丙基醚化物、苯酚芳烷基樹脂之環氧丙基醚化物、萘酚芳烷基樹脂之環氧丙基醚化物、酚二環戊二烯樹脂之環氧丙基醚化物等。並且，參酚類之環氧丙基醚化物及其寡聚物等亦屬於多芳香環型環氧樹脂。
作為伸烷基二醇或聚伸烷基二醇之二環氧丙基醚，例如可舉出乙二醇之環氧丙基醚化物、二乙二醇之環氧丙基醚化物、1,4-丁二醇之環氧丙基醚化物、1,6-己二醇之環氧丙基醚化物等。
具有胺基之化合物之環氧丙基胺基化物，例 如係可藉由在鹼性條件下對該化合物之胺基加成縮合表氯醇之方法而製造。具有胺基之化合物係同時亦可具有羥基。此種具有胺基之化合物之環氧丙基胺基化物係包括1,3-苯二胺之環氧丙基胺基化物及其寡聚物、1,4-苯二胺之環氧丙基胺基化物及其寡聚物、3-胺基酚之環氧丙基胺基化及環氧丙基醚化物以及其寡聚物、4-胺基酚之環氧丙基胺基化及環氧丙基醚化物以及其寡聚物等。
具有C-C雙鍵之鏈狀化合物之環氧化物係可藉由在鹼性條件下，使用過氧化物使該鏈狀化合物之C-C雙鍵環氧化之方法而製造。具有C-C雙鍵之鏈狀化合物係包括丁二烯、聚丁二烯、異戊二烯、戊二烯、己二烯等。又，具有雙鍵之萜烯類係亦可使用作為環氧化原料，作為非環式單萜烯，則有沉香醇等。環氧化所用之過氧化物係例如可為過氧化氫、過乙酸、tert-丁基過氧化物等。
直接與飽和碳環或介由伸烷基而與環氧丙基氧基或環氧基乙基結合之脂環式環氧化合物可為將以先前記述之雙酚類為代表例之具有羥基之芳香族化合物之芳香環予以氫化而得之氫化聚羥基化合物之環氧丙基醚化物、具有羥基之環烷化合物之環氧丙基醚化物、具有乙烯基之環烷化合物之環氧化物等。
以上說明之環氧化合物係能從市售品容易取得，例如由各自之商品名，可舉出如三菱化學股份有限公司所販售之“jER”系列、DIC股份有限公司所販售之“Epiclon”、東都化成股份有限公司所販售之“Epotote(註 冊商標)”、股份有限公司ADEKA所販售之“Adeka Resin(註冊商標)”、Nagase Chemtex股份有限公司所販售之“Denacol(註冊商標)”、陶氏化學公司所販售之“DowEpoxy”、日產化學工業股份有限公司所販售之“Tepic(註冊商標)”等。
另一方面，在飽和碳環上直接結合環氧基之脂環式環氧化合物係例如可藉由在鹼性條件下使用過氧化物而使於環內具有C-C雙鍵之非芳香族環狀化合物之C-C雙鍵環氧化之方法進行製造。作為於環內具有C-C雙鍵之非芳香族環狀化合物，例如可舉出，具有環戊烯環之化合物、具有環己烯環之化合物、環戊烯環或環己烯環上更結合至少2個碳原子而形成追加環之多環式化合物等。於環內具有C-C雙鍵之非芳香族環狀化合物在環外亦可具有其他C-C雙鍵。若舉出於環內具有C-C雙鍵之非芳香族環狀化合物之例，則有如環己烯、4-乙烯基環己烯、單環式單萜烯之檸檬烯及α-蒎烯等。
在飽和碳環上直接結合環氧基之脂環式環氧化合物係可為至少2個如以上所述般之具有在環上直接結合環氧基之脂環式構造係介由適當連結基而在分子內形成之化合物。在此所謂之連結基係包括例如酯鍵、醚鍵、伸烷基鍵等。
若舉出在飽和碳環上直接結合環氧基之脂環式環氧化合物之具體例，則有如以下者。
3,4-環氧基環己基甲基3,4-環氧基環己烷羧酸酯、 1,2-環氧基-4-乙烯基環己烷、1,2-環氧基-4-環氧基乙基環己烷、1,2-環氧基-1-甲基-4-(1-甲基環氧基乙基)環己烷、3,4-環氧基環己基甲基(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙(羥基甲基)-1-丁醇與4-環氧基乙基-1,2-環氧基環己烷之加成物、乙烯 雙(3,4-環氧基環己烷羧酸酯)、氧聯二乙基 雙(3,4-環氧基環己烷羧酸酯)、1,4-環己烷二甲基 雙(3,4-環氧基環己烷羧酸酯)、3-(3,4-環氧基環己基甲氧基羰基)丙基3,4-環氧基環己烷羧酸酯等。
以上所說明之在飽和碳環上直接結合環氧基之脂環式環氧化合物係亦能容易取得市售品，例如，由各自之商品名，可舉出如股份有限公司Daicel所販售之“Ceroxide”系列及“Cyclomer”、陶氏化學公司所販售之“Cyracure UVR”系列等。
含有環氧化合物之硬化性接著劑係亦更可含有環氧化合物以外之活性能量線硬化性化合物。作為環氧化合物以外之活性能量線硬化性化合物，例如可舉出環氧丙烷化合物或丙烯醯基化合物等。其中，從具有在陽離子聚合中促進硬化速度之可能性，亦以併用環氧丙烷化合物為佳。
環氧丙烷化合物係為於分子內具有4員環醚之化合物，例如可舉出如以下者。
1,4-雙[(3-乙基環氧丙烷-3-基)甲氧基甲基]苯、3-乙基-3-(2-乙基己氧基甲基)環氧丙烷、雙(3-乙基-3-環氧丙烷基甲基)醚、3-乙基-3-(苯氧基甲基)環氧丙烷、3-乙基-3-(環己基氧基甲基)環氧丙烷、苯酚酚醛環氧丙烷、1,3-雙[(3-乙基環氧丙烷-3-基)甲氧基]苯等。
環氧丙烷化合物係亦能容易取得市售品，例如，由各自之商品名，可舉出如東亞合成股份有限公司所販售之“Aronoxetane(註冊商標)”系列、宇部興產股份有限公司所販售之“ETERNACOLL(註冊商標)”系列等。
包括環氧化合物或環氧丙烷化合物之硬化性化合物在為了將此等配合而成之接著劑作成為無溶劑，以使用未以有機溶劑等稀釋者為佳。又，構成接著劑之其他成分且係包括後述之陽離子聚合起始劑或增感劑之少量成分，比起溶解於有機溶劑者，亦係以使用去除有機溶劑且受到乾燥之其化合物單獨之粉體或液體為佳。
陽離子聚合起始劑係受到活性能量線，例如紫外線之照射而產生陽離子種之化合物。只要係能賦予其所配合之接著劑所要求之接著強度及硬化速度者即可，例如可舉出芳香族重氮鹽；芳香族錪鹽或芳香族鋶鹽般之鎓鹽；鐵-芳烴錯合物等。此等陽離子聚合起始劑係可各自單獨使用，亦可併用相異之複數種類。
作為芳香族重氮鹽，例如可舉出以下者。
苯重氮 六氟銻酸鹽、苯重氮 六氟磷酸鹽、苯重氮 六氟硼酸鹽等。
作為芳香族錪鹽，例如可舉出以下者。
二苯基錪 肆(五氟苯基)硼酸鹽、二苯基錪 六氟磷酸鹽、二苯基錪 六氟銻酸鹽、雙(4-壬基苯基)錪 六氟磷酸鹽等。
作為芳香族鋶鹽，例如可舉出以下者。
三苯基鋶 六氟磷酸鹽、三苯基鋶 六氟銻酸鹽、三苯基鋶 肆(五氟苯基)硼酸鹽、二苯基(4-苯基苯硫基)鋶 六氟銻酸鹽、4,4'-雙(二苯基鋶基)二苯基硫化物 雙六氟磷酸鹽、4,4'-雙[二(β-羥基乙氧基苯基)鋶基]二苯基硫化物雙六氟銻酸鹽、4,4'-雙[二(β-羥基乙氧基苯基)鋶基]二苯基硫化物雙六氟磷酸鹽、7-[二(p-甲苯醯基)鋶基]-2-異丙基醚噻吨酮 六氟銻酸鹽、7-[二(p-甲苯醯基)鋶基]-2-異丙基醚噻吨酮 肆(五氟苯基)硼酸鹽、4-苯基羰基-4'-二苯基鋶基二苯基硫化物 六氟磷酸 鹽、4-(p-tert-丁基苯基羰基)-4'-二苯基鋶基二苯基硫化物 六氟銻酸鹽、4-(p-tert-丁基苯基羰基)-4'-二(p-甲苯醯基)鋶基-二苯基硫化物 肆(五氟苯基)硼酸鹽等。
作為鐵-芳烴錯合物，例如可舉出以下者。
茬-環戊二烯基鐵(II)六氟銻酸鹽、茴香素-環戊二烯基鐵(II)六氟磷酸鹽、茬-環戊二烯基鐵(II)參(三氟甲基磺醯基)甲烷化物等。
陽離子聚合起始劑之中，亦以芳香族鋶鹽即使在300nm以上之波長區域仍具有紫外線吸收特性，從而能賦予硬化性優異，具有良好機械強度或接著強度之接著劑層，故可被較佳使用。
陽離子聚合起始劑係亦可容易取得市售品，例如，由各自之商品名，可舉出如日本化藥股份有限公司所販售之“Kayarad(註冊商標)”系列、陶氏化學公司所販售之“Cyracure UVI”系列、San-Apro股份有限公司所販售之光酸產生劑“CPI”系列、綠化學股份有限公司所販售之光酸產生劑“TAZ”、“BBI”及“DTS”、股份有限公司ADEKA所販售之“Adeka Optomer”系列、Rhodia公司所販售之“RHODORSIL(註冊商標)”等。
在活性能量線硬化型接著劑中，陽離子聚合起始劑在相對於活性能量線硬化型接著劑之總量100質量 份而言，通常係以0.5~20質量份之比例配合，較佳為1~15質量份。其量若過少時，則硬化變得不充分，且有使接著劑層之機械強度或接著強度降低之情形。又，其量若過多時，因接著劑層中之離子性物質增加而接著劑層之吸濕性變高，而有取得之偏光板之耐久性能降低之情形。
活性能量線硬化型接著劑係使用電子線硬化型時，並不特別需要使組成物中含有光聚合起始劑，但在使用紫外線硬化型時，則以使用光自由基產生劑為佳。作為光自由基產生劑，可舉出如氫擷取型光自由基產生劑與開裂型光自由基產生劑。
作為氫擷取型光自由基產生劑，例如可舉出，1-甲基萘、2-甲基萘、1-氟萘、1-氯萘、2-氯萘、1-溴萘、2-溴萘、1-碘萘、2-碘萘、1-萘酚、2-萘酚、1-甲氧基萘、2-甲氧基萘、1,4-二氰基萘等之萘衍生物、蒽、1,2-苯并蒽、9,10-二氯蒽、9,10-二溴蒽、9,10-二苯基蒽、9-氰基蒽、9,10-二氰基蒽、2,6,9,10-四氰基蒽等之蒽衍生物、芘衍生物、咔唑、9-甲基咔唑、9-苯基咔唑、9-丙-2-烯-9H-咔唑、9-丙基-9H-咔唑、9-乙烯基咔唑、9H-咔唑-9-乙醇、9-甲基-3-硝基-9H-咔唑、9-甲基-3,6-二硝基-9H-咔唑、9-辛醯基咔唑、9-咔唑甲醇、9-咔唑丙酸、9-咔唑丙腈、9-乙基-3,6-二硝基-9H-咔唑、9-乙基-3-硝基咔唑、9-乙基咔唑、9-異丙基醚咔唑、9-(乙氧基羰基甲基)咔唑、9-(嗎啉基甲基)咔唑、9-乙醯基咔唑、9-烯丙基咔唑、9-苄基-9H-咔唑、9-咔唑乙酸、9-(2-硝基苯 基)咔唑、9-(4-甲氧基苯基)咔唑、9-(1-乙氧基-2-甲基-丙基)-9H-咔唑、3-硝基咔唑、4-羥基咔唑、3,6-二硝基-9H-咔唑、3,6-二苯基-9H-咔唑、2-羥基咔唑、3,6-二乙醯基-9-乙基咔唑等之咔唑衍生物、二苯甲酮、4-苯基二苯甲酮、4,4’-雙(二甲氧基)二苯甲酮、4,4’-雙(二甲基胺基)二苯甲酮、4,4’-雙(二乙基胺基)二苯甲酮、2-苄醯基安息香酸甲酯、2-甲基二苯甲酮、3-甲基二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、2,4,6-三甲基二苯甲酮等之二苯甲酮衍生物、芳香族羰基化合物、[4-(4-甲基苯硫基)苯基]-苯基甲酮、呫吨酮、噻吨酮、2-氯噻吨酮、4-氯噻吨酮、2-異丙基醚噻吨酮、4-異丙基醚噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、1-氯-4-丙氧基噻吨酮等之噻吨酮衍生物或香豆素衍生物等。
開裂型光自由基產生劑係藉由照射活性能量線而該化合物開裂產生自由基型之光自由基產生劑，作為其具體例，可舉出如安息香醚衍生物、苯乙酮衍生物等之芳基烷基酮類、肟酮類、醯基膦氧化物類、硫苯甲酸S-苯酯類、二茂鈦類、及將此等高分子量化之衍生物，但並非係受限於此等者。作為市售之開裂型光自由基產生劑，可舉出如1-(4-十二基苄醯基)-1-羥基-1-甲基乙烷、1-(4-異丙基醚苄醯基)-1-羥基-1-甲基乙烷、1-苄醯基-1-羥基-1-甲基乙烷、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苄醯基]-1-羥基-1-甲基乙烷、1-[4-(丙烯醯氧基乙氧基)-苄醯基]-1-羥基-1-甲基乙烷、二苯基酮、苯基-1-羥基-環己基酮、苄 基二甲基縮酮、雙(環戊二烯基)-雙(2,6-二氟-3-吡咯基-苯基)鈦、(η6-異丙基醚苯)-(η5-環戊二烯基)-鐵(II)六氟磷酸鹽、三甲基苄醯基二苯基膦氧化物、雙(2,6-二甲氧基-苄醯基)-(2,4,4-三甲基-戊基)-膦氧化物、雙(2,4,6-三甲基苄醯基)-2,4-二戊氧基苯基膦氧化物或雙(2,4,6-三甲基苄醯基)苯基-膦氧化物、(4-嗎啉基苄醯基)-1-苄基-1-二甲基胺基丙烷、4-(甲基硫苄醯基)-1-甲基-1-嗎啉基乙烷等，但並非係受限於此等者。
本發明所使用之活性能量硬化型接著劑之中，電子線硬化型所包含之光自由基產生劑，即氫擷取型或開裂型光自由基產生劑係皆可個別單獨使用之外，亦可將複數予以組合使用，在光自由基產生劑單體之安定性或硬化性之面上較佳者為開裂型光自由基產生劑之1種以上之組合。開裂型光自由基產生劑之中亦以醯基膦氧化物類為佳，較具體而言，以三甲基苄醯基二苯基膦氧化物(商品名「DAROCURE TPO」；Ciba Japan(股))、雙(2,6-二甲氧基-苄醯基)-(2,4,4-三甲基-戊基)-膦氧化物(商品名「CGI 403」；Ciba Japan(股))、或雙(2,4,6-三甲基苄醯基)-2,4-二戊氧基苯基膦氧化物(商品名「Irgacure819」；Ciba Japan(股))為佳。
活性能量線硬化型接著劑因應必要亦可含有增感劑。藉由使用增感劑，可使反應性提高，且更提升接著劑層之機械強度或接著強度。作為增感劑，可適宜使用前述者。
在配合增感劑時，其配合量係相對於活性能量線硬化型接著劑之總量100質量份而言，以設在0.1~20質量份之範圍為佳。
活性能量線硬化型接著劑中，在不損及其效果之範圍內，可配合各種添加劑。作為能配合之添加劑，例如可舉出離子捕捉劑、防氧化劑、鏈轉移劑、黏著賦予劑、熱可塑性樹脂、填充劑、流動調整劑、塑化劑、消泡劑等。
構成活性能量線硬化型接著劑之此等各成分，通常係在溶解於溶劑之狀態下使用。活性能量線硬化型接著劑在包含溶劑時，藉由將活性能量線硬化型接著劑塗佈於適當基材上，使其乾燥，即可得到接著劑層。未溶解於溶劑之成分只要係分散係在系統中之狀態即可。
作為將前述接著劑層形成於本光學薄膜上之方法，可舉出如在本光學薄膜表面直接塗佈上述接著劑組成物而形成接著劑層之方法等。前述接著劑層之厚度通常為0.001~5μm程度，以0.01μm以上為佳，較佳為2μm以下，更佳為1μm以下。接著劑層若過厚時，則偏光板之外觀容易變得不良。
活性能量線硬化型接著劑係可藉由前述塗佈方法而塗佈於薄膜上。此時，作為活性能量線硬化型接著劑之黏度，只要係具有能以各種方法進行塗佈之黏度者即可，溫度25℃下之該黏度係以10~30,000mPa‧sec之範圍為佳，以50~6,000mPa‧sec之範圍為較佳。此黏度若 過低時，則有變得難以取得無不均之均質塗膜的傾向。另一方面，此黏度過大時，變得難以流動，而同樣有變得難以取得無不均之均質塗膜的傾向。在此所指之黏度係使用B型黏度計將接著劑調整溫度至25℃後，以60rpm所測量之值。
上述活性能量線硬化型接著劑係能以電子線硬化型、紫外線硬化型之態樣使用。本發明之活性能量線係定義成可分解產生活性種之化合物而使活性種產生之能量線。作為此般活性能量線，可舉出如可見光、紫外線、紅外線、X線、α線、β線、γ線及電子線等。
電子線硬化型中，電子線之照射條件只要係能硬化上述活性能量線硬化型接著劑之條件，皆可採用任意之適宜條件。例如，電子線照射之加速電壓係以5kV~300kV為佳，較佳為10kV~250kV。加速電壓若未滿5kV時，則有電子線未抵達接著劑而變得硬化不足之憂慮，加速電壓若超過300kV時，則穿透試料之浸透力過強導致電子線回彈而損傷透明保護薄膜或偏光片之憂慮。作為照射線量，以5~100kGy為佳，更佳為10~75kGy。照射線量若未滿5kGy時，接著劑則變得硬化不足，若超過100kGy時，則會損傷透明保護薄膜或偏光片，產生機械性強度降低或黃變，而無法取得所希望之光學特性。
電子線照射通常係在惰性氣體中進行照射，若有必要亦可在大氣中或導入些許氧之條件下進行。雖根據透明保護薄膜之材料而不同，但藉由適宜導入氧，最初 電子線所接觸之透明保護薄膜面反而會產生氧阻礙，而可防止對透明保護薄之損傷，進而可有效率地僅對接著劑進行照射電子線。
紫外線硬化型中，活性能量線硬化型接著劑之光照射強度係根據各別接著劑之組成而決定者，雖並無特別限定，但以10~5000mW/cm2為佳。對樹脂組成物之光照射強度若未滿10mW/cm2時，則有反應時間變得過長，且若超過5000mW/cm2時，則有因由光源所輻射之熱及組成物在聚合時之發熱，而造成接著劑構成材料之黃變或偏光片之劣化的可能性。尚且，照射強度係在以能有效活性化光陽離子聚合起始劑之波長區域中之強度為佳，較佳係在波長400nm以下之波長區域中之強度，更佳為在波長280~320nm之波長區域中之強度。以此般之光照射強度照射1次或複數次，將其累算光量設為10mJ/cm2以上，較佳係設成10~5,000mJ/cm2。對於上述接著劑之累算光量若未滿10mJ/cm2時，則源自聚合起始劑之活性種之產生不足，且接著劑之硬化變得不充分。另一方面，其累算光量若超過5,000mJ/cm2時，照射時間變得非常長，而不利於生產性提升。此時，根據所使用之薄膜或接著劑種類之組合，在各種波長區域(UVA(320~390nm)或UVB(280~320nm)等)下之必須累算光量則為不同。
本發明中因活性能量線之照射而施行接著劑之聚合硬化用之光源並無特別限定，例如可舉出，低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、氙氣 燈、鹵素燈、碳弧燈、鎢燈、鎵燈、準分子雷射、發光出波長範圍380~440nm之LED光源、化學燈、黑光燈、微波激發水銀燈、金屬鹵素燈。從能量安定性或裝置簡便度之觀點，以在波長400nm以下具有發光分布之紫外線光源為佳。
〔圓偏光板〕
本光學薄膜藉由與偏光板組合，即可取得具備本光學薄膜與偏光板之圓偏光板(以下，亦有稱為本圓偏光板)。本光學薄膜與偏光板通常係以接著劑貼合。較佳係以活性能量線硬化型接著劑貼合。
在第一相位差層係僅由一層所構成，且慢軸僅只存在一個時，以將該偏光板之透過軸設定成對於本光學薄膜之第一相位差層之慢軸(光軸)呈實質上45°為佳。實質上45°係指通常45±5°之範圍。於圖3展示本圓偏光板110之示意圖。
圖3中展示之本圓偏光板所用之偏光板係為可在偏光片之單面具有保護薄膜者，亦可為在偏光片之兩面具有保護薄膜者。圖3(c)~圖3(h)係為由在基材上形成第一及第二相位差層之本光學薄膜所構成之圓偏光板，此等基材係在使用於偏光片之單面具有保護薄膜之偏光板之情形下亦能運用作為另一面之保護薄膜。圖3(a)及圖3(b)展示之構成係層合不具有基材之本光學薄膜而成，但可於偏光板上直接塗佈聚合性液晶組成物而 形成相位差層，亦可於偏光片面使用接著劑貼合相位差層，亦可於偏光板上使用接著劑貼合相位差層。
作為將不具有基材之本光學薄膜貼合至偏光片面或偏光板等之其他基材的方法，可舉出如將去除基材之本光學薄膜使用接著劑貼合於其他基材的方法，及，將本光學薄膜使用接著劑貼合於其他基材後再去除基材的方法等。此時，接著劑係可塗佈於本光學薄膜所具有之相位差層側，又，亦可塗佈於其他之基材側。基材與相位差層之間具有配向膜時，亦可與基材一同地將配向膜去除。
於表面具有與相位差層或配向膜等形成化學鍵之官能基的基材，則有與相位差層或配向膜等形成化學鍵而變得難以去除之傾向。故，在剝離基材移除時，以表面之官能基少之基材為佳，又，以未施有在表面形成官能基之表面處理的基材為佳。
又，具有與基材形成化學鍵之官能基的配向膜，由於基材與配向膜之密著力有變大之傾向，在剝離基材移除時，以與基材形成化學鍵之官能基少之配向膜為佳。又，以不含有使基材與配向膜交聯之試藥為佳，並且以配向性聚合物組成物及光配向膜形成用組成物等之溶液中不含有溶解基材之溶劑等之成分為佳。
又，具有與相位差層形成化學鍵之官能基的配向膜係具有相位差層與配向膜之密著力變大之傾向。故，與基材一同地去除配向膜時，以與相位差層形成化學鍵之官能基少之配向膜為佳。又，相位差層及配向膜中以包含使相位 差層與配向膜交聯之試藥為佳。
又，具有與配向膜形成化學鍵之官能基的相位差層係具有配向膜與相位差層之密著力變大之傾向。故，在去除基材時，或與基材一同地去除配向膜時，以與基材或配向膜形成化學鍵之官能基少的相位差層為佳。又，聚合性液晶組成物係以不含有使基材或配向膜與相位差層交聯之試藥為佳。
例如，在依基材、第二相位差層及第一相位差層之順序層合而成之本光學薄膜之第一相位差層之表面上塗佈接著劑，其次貼合偏光板，其後去除本光學薄膜之基材，即可製造依偏光板、第一相位差層及第二相位差層之順序層合而成之圖3(a)所示之構成之圓偏光板。又，在依基材、第一相位差層及第二相位差層之順序層合而成之本光學薄膜之第二相位差層之表面上塗佈接著劑，其次貼合偏光板，其後去除本光學薄膜之基材，即可製造依偏光板、第二之相位差祖及第一相位差層之順序層合而成之圖3(b)所示之構成之圓偏光板。
圖3(i)~圖3(n)所示之構成係將具有2枚基材之本光學薄膜予以層合而成者。
將第一相位差層包含層A及層B之情況，或，包含第三相位差層之情況之本圓偏光板之構成展示於圖4。在包含層A及層B，或，第三相位差層之構成時，層合偏光板之位置則具有限制。
具體而言，在層合具有λ/4相位差之層A，與具有 λ/2相位差之層B時，以相對於偏光板之吸收軸，首先將層B形成為層B之慢軸呈75°，其次將層A形成為層A之慢軸呈15°。
又，在具有λ/4相位差之第一相位差層，與具有λ/2相位差之第三相位差層時，以相對於偏光板之吸收軸，首先將第三相位差層形成為第三相位差層之慢軸呈75°，其次將第一相位差層形成為第一相位差層之慢軸呈15°。第二相位差層之位置雖並無限制，但必須以偏光板、層B及層A之順序進行層合，或，依偏光板、第三相位差層及第一相位差層之順序進行層合。藉此層合，取得之圓偏光板即變得能展現作為寬帶域λ/4板之功能。在此，形成層A與層B之軸角度並無限制，例如，如日本特開2004-126538號公報中所記載般，由於使層A與層B之慢軸角度相對於偏光板之吸收軸呈30°與-30°，或即使作成45°與-45°，亦能展現作為寬帶域λ/4板之功能已為周知，故能以所欲之方法進行層之層合。
圖4(a)及圖4(b)所示之構成係將不具有基材之本光學薄膜層合而成，具有此等構成之圓偏光板係可藉由與上述之圖3(a)及圖3(b)所示構成之圓偏光板之製造方法相同之方法而製造。
本圓偏光板係可使用於各式各樣之顯示裝置，特別係可有效使用於有機電致發光(EL)顯示裝置及無機電致發光(EL)顯示裝置、及具備觸控面板之有機電致發光顯示裝置。
<偏光板>
偏光板只要係具有偏光功能之薄膜即可。作為該薄膜，可舉出如使具有吸收各向異性之色素吸附而成之延伸薄膜，或，將塗佈具有吸收各向異性之色素而成之薄膜包含作為偏光片之薄膜等。作為具有吸收各向異性之色素，例如可舉出二色性色素。
將使具有吸收各向異性之色素吸附而成之延伸薄膜包含作為偏光片之薄膜，通常係在經由、使聚乙烯醇系樹脂薄膜單軸延伸之步驟、藉由以二色性色素染色聚乙烯醇系樹脂薄膜而使該二色性色素吸附之步驟、以硼酸水溶液處理經吸附二色性色素之聚乙烯醇系樹脂薄膜的步驟、及在硼酸水溶液之處理後進行水洗之步驟所製造之偏光片之至少一方之面上介由接著劑以透明保護薄膜夾住而製成。
聚乙烯醇系樹脂係藉由將聚乙酸乙烯酯系樹脂皂化而得。作為聚乙酸乙烯酯系樹脂，除可使用乙酸乙烯酯之均聚物之聚乙酸乙烯酯外，尚可使用乙酸乙烯酯及能與其共聚合之其他單體之共聚物。作為能與乙酸乙烯酯共聚合之其他單體，例如可舉出不飽和羧酸類、烯烴類、乙烯醚類、不飽和磺酸類、具有銨基之丙烯醯胺類等。
聚乙烯醇系樹脂之皂化度通常在85~100莫耳%程度，較佳為98莫耳%以上。聚乙烯醇系樹脂可受到變性，例如，亦可使用經醛類變性之聚乙烯甲醛或聚乙烯縮 醛。聚乙烯醇系樹脂之聚合度係通常在1,000~10,000程度，較佳在1,500~5,000之範圍。
此般將聚乙烯醇系樹脂予以製膜而成者係使用作為偏光板之原料薄膜。將聚乙烯醇系樹脂予以製膜之方法並非係受到特別限定者，能以公知之方法進行製膜。聚乙烯醇系原料薄膜之膜厚係例如可作成10~150μm程度。
聚乙烯醇系樹脂薄膜之單軸延伸係可在二色性色素之染色前、與染色同時、或在染色之後施行。在染色後進行單軸延伸時，此單軸延伸係可在硼酸處理前施行，亦可在硼酸處理中施行。又，亦能以此等複數之階段施行單軸延伸。單軸延伸之實施係可在周速相異之輥間在單軸延伸，亦可使用熱輥在單軸延伸。又單軸延伸可為在大氣中進行延伸之乾式延伸，亦可為使用溶劑在使聚乙烯醇系樹脂薄膜膨潤之狀態下進行延伸之濕式延伸。延伸倍率係通常為3~8倍程度。
聚乙烯醇系樹脂薄膜之以二色性色素之染色係例如藉由在含有二色性色素之水溶液中浸漬聚乙烯醇系樹脂薄膜之方法而施行。
作為二色性色素，具體而言係使用碘或二色性之有機染料。作為二色性之有機染料，可舉出如有C.I.DIRECT RED 39等之由雙偶氮化合物所成之二色性直接染料，及由參偶氮、肆偶氮等之化合物所構成之二色性直接染料等。聚乙烯醇系樹脂薄膜以在染色處理前預先施以在水中 之浸漬處理為佳。
使用碘作為二色性色素時，通常係採用在含有碘及碘化鉀之水溶液中浸漬聚乙烯醇系樹脂薄膜進行染色之方法。此水溶液中之碘之含有量係以水每100質量份，通常在0.01~1質量份程度。又碘化鉀之含有量係以水每100質量份，通常在0.5~20質量份程度。染色使用之水溶液之溫度，通常在20~40℃程度。又，此水溶液中之浸漬時間(染色時間)，通常為20~1,800秒程度。
另一方面，使用二色性之有機染料作為二色性色素時，通常係採用在含有水溶性二色性染料之水溶液中浸漬聚乙烯醇系樹脂薄膜進行染色之方法。此水溶液中之二色性有機染料之含有量係以水每100質量份，通常在1×10-4~10質量份程度，較佳為1×10-3~1質量份，更佳為1×10-3~1×10-2質量份。此水溶液亦可含有如硫酸鈉般之無機鹽作為染色助劑。染色使用之二色性染料水溶液之溫度，通常在20~80℃程度。又，此水溶液中之浸漬時間(染色時間)，通常在10~1,800秒程度。
二色性色素之染色後之硼酸處理通常係可藉由將已染色之聚乙烯醇系樹脂薄膜浸漬於硼酸水溶液之方法而施行。此硼酸水溶液中之硼酸之含有量係以水每100質量份，通常在2~15質量份程度，較佳為5~12質量份。使用碘作為二色性色素時，此硼酸水溶液係以含有碘化鉀為佳，此情形時之碘化鉀之含有量係以水每100質量份，通常為0.1~15質量份程度，較佳為5~12質量份。在硼酸 水溶液中之浸漬時間，通常在60~1,200秒程度，較佳為150~600秒，更佳為200~400秒。硼酸處理之溫度係通常在50℃以上，較佳為50~85℃，更佳為60~80℃。
硼酸處理後之聚乙烯醇系樹脂薄膜通常會受到水洗處理。水洗處理係可藉由例如將經硼酸處理之聚乙烯醇系樹脂薄膜浸漬於水中之方法而施行。水洗處理中之水之溫度係通常在5~40℃程度。又浸漬時間係通常為1~120秒程度。
水洗後施以乾燥處理而可取得偏光片。乾燥處理係可使用例如熱風乾燥機或遠紅外線加熱器進行。乾燥處理之溫度係通常在30~100℃程度，較佳在50~80℃。乾燥處理之時間係通常為60~600秒程度，較佳為120~600秒。藉由乾燥處理，而可將偏光片之水分率減低至實用程度。其水分率係通常為5~20重量%程度，較佳為8~15重量%。水分率若低於5重量%時，則偏光片之可撓性喪失，偏光片在此乾燥後會有受到損傷或斷裂之情況。又，水分率若高於20重量%時，則偏光片之熱安定性有變差之可能性。
如上述般對聚乙烯醇系樹脂薄膜施以單軸延伸、由二色性色素之染色、硼酸處理、水洗及乾燥而得知偏光片之厚度係較佳為5~40μm。
作為塗佈具有吸收各向異性之色素而成之薄膜，可舉出如塗佈包含具有液晶性之二色性色素的組成物，或，包含二色性色素與聚合性液晶之組成物而得之薄 膜等。該薄膜較佳係於其單面或兩面具有保護薄膜。作為該保護薄膜，可舉出與上述基材為相同者。
塗佈具有吸收各向異性之色素而成之薄膜係較薄為佳，但若過薄時則有強度降低、加工性差之傾向。該薄膜之厚度係通常在20μm以下，較佳在5μm以下，更加在0.5μm以上3μm以下。
作為前述塗佈具有吸收各向異性之色素而成之薄膜，具體地可舉出如日本特開2012-33249號公報等中記載之薄膜。
藉由在藉此而得之偏光片之至少一方之面上經由接著劑層合透明保護薄膜，即可取得偏光板。作為透明保護薄膜，可較佳使用與前述基材相同之透明薄膜，亦可使用本發明之光學薄膜。
本光學薄膜及本圓偏光板係可使用於各式各樣之顯示裝置。
顯示裝置係指具有顯示元件之裝置，包含發光元件或發光裝置作為其發光源。作為顯示裝置，可舉出如液晶顯示裝置、有機電致發光(EL)顯示裝置、無機電致發光(EL)顯示裝置、觸控面板顯示裝置、電子發射顯示裝置(例如電場發射顯示裝置(FED)、表面電場發射顯示裝置(SED))、電子紙(使用電子墨或電泳元件之顯示裝置、電漿顯示裝置、投射型顯示裝置(例如柵光閥(GLV)顯示裝置、具有數位微鏡裝置(DMD)之顯示裝置)及壓電陶瓷顯示器等。液晶顯示裝置係包括透過型液 晶顯示裝置、半透過型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、直視型液晶顯示裝置及投影型液晶顯示裝置等之任一者。此等顯示裝置可為顯示2次元畫像之顯示裝置，亦可為顯示3次元畫像之立體顯示裝置。尤其，本圓偏光板係能有效地使用於有機電致發光(EL)顯示裝置及無機電致發光(EL)顯示裝置，本光學補償偏光板係能有效地使用於液晶顯示裝置及觸控面板顯示裝置。
圖5為具備本圓偏光板之有機EL顯示裝置200之概略圖。
圖5(a)係依偏光板6、第一相位差層1、第二相位差層2及有機EL面板7之順序層合而成之有機EL顯示裝置200。圖5(c)係依偏光板6、基材3、第一相位差層1、第二相位差層2及有機EL面板7之順序層合而成之有機EL顯示裝置200。圖5(b)、(d)~(h)係與圖5(a)及(c)之層合順序相異。
作為層合偏光板、本光學薄膜與有機EL面板之方法，可舉出如將已層合偏光板與本光學薄膜之本圓偏光板貼合於有機EL面板之方法，及，於有機EL面板貼合本光學薄膜且再於該本光學薄膜之表面貼合偏光板之方法等。貼合通常係使用接著劑。
例如，圖5(a)所示之有機EL顯示裝置200係可藉由在圖3(a)所示之本圓偏光板之第二相位差層2之表面塗佈接著劑，其次貼合有機EL面板7而製造。又，圖5(a)所示之有機EL顯示裝置200係亦可由藉由在圖1 (b)所示之本光學薄膜之第二相位差層2之表面塗佈接著劑，其次貼合有機EL面板7，去除本光學薄膜之基材3，在去除基材後出現之第一相位差層1之表面塗佈接著劑，其後貼合偏光板6而製造。
圖6係展示有機EL顯示裝置30之概略圖。圖6(a)所示之有機EL顯示裝置30係為具備本圓偏光板31，介由層間絕緣膜33，在形成有畫素電極34之基板32上，層合發光層35及陰極電極36者。在夾住基板32且與發光層35為反對側上配置本圓偏光板31。藉由對畫素電極34施加正電壓，對陰極電極36施加負電壓，且在畫素電極34及陰極電極36間施加直流電流，而使發光層35發光。發光層35係由電子輸送層、發光層及電洞輸送層等所構成。從發光層35所射出之光係通過畫素電極34、層間絕緣膜33、基板32、本圓偏光板31。
製造有機EL顯示裝置30係首先在基板32上將薄膜電晶體38形成為所欲之形狀。且使層間絕緣膜33成膜，其次以濺鍍法成膜畫素電極34，進行圖型化。其後層合發光層35。
其次，在與基板32上設有薄膜電晶體38之面為相反之面上設置本圓偏光板31。此時，本圓偏光板31中之偏光板係係配置在外側(基板32之相反側)。
作為基板32，可舉出如藍寶石玻璃基板、石英玻璃基板、鈉玻璃基板及氧化鋁等之陶瓷基板；銅等之金屬基板；塑料基板等。雖未圖示，但於基板32上亦可 形成導熱性膜。作為導熱性膜，可舉出如金剛石薄膜(DLC等)等。將畫素電極34作成反射型時，光係射出成與基板32為反對方向。因此，不僅可使用透明材料，亦可使用不銹鋼等之非透過材料。基板可為從單一者形成，亦可以接著劑貼合複數之基板而形成作為層合基板。又，此等基板並非係受限為板狀者，亦可為薄膜。
作為薄膜電晶體38，例如，使用多結晶矽電晶體等即可。薄膜電晶體38係設置於畫素電極34之端部，且其大小為10~30μm程度。尚且，畫素電極34之大小為20μm×20μm~300μm×300μm程度。
基板32上係設有薄膜電晶體38之配線電極。配線電極之電阻為低，與畫素電極34電連接而具有將電阻值壓低之功能，一般而言，此配線電極係使用含有Al、Al及遷移金屬(但Ti除外)、Ti或氮化鈦(TiN)之任意一種或2種以上者。
薄膜電晶體38與畫素電極34之間設有層間絕緣膜33。層間絕緣膜33為以濺鍍或真空蒸鍍將SiO2等之氧化矽、氮化矽等之無機系材料予以成膜者、以SOG(旋塗式玻璃)所形成之氧化矽層、光阻、聚醯亞胺及丙烯酸樹脂等之樹脂系材料之塗膜等，只要係具有絕緣性者即可為任意一者。
於層間絕緣膜33上形成肋部39。肋部39係配置在畫素電極34之周邊部(鄰接畫素間)。作為肋部39之材料，可舉出如丙烯酸樹脂及聚醯亞胺樹脂等。肋 部39之厚度係以1.0μm以上3.5μm為佳，較佳為1.5μm以上2.5μm以下。
其次，說明關於由畫素電極34、發光層35與陰極電極36所構成之EL元件。發光層35係具有各別至少1層之電洞輸送層及發光層，例如，依序具有電子注入輸送層、發光層、電洞輸送層及電洞注入層。
做為畫素電極34，例如可舉出ITO(錫摻雜氧化銦)、IZO(鋅摻雜氧化銦)、IGZO、ZnO、SnO2及In2O3等，特別係以ITO或IZO為佳。畫素電極35之厚度只要係具有能充分進行電洞注入之一定以上之厚度即可，以作成10~500nm程度為佳。
畫素電極34係可藉由蒸鍍法(較佳為濺鍍法)而形成。濺鍍氣體並非係受到特別限制者，使用Ar、He、Ne、Kr及Xe等之惰性氣體，或此等之混合氣體即可。
作為陰極電極36之構成材料，例如，使用K、Li、Na、Mg、La、Ce、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Zn及Zr等之金屬元素即可，但為了提高電極之運轉安定性，則以使用選自例示之金屬元素之2成分或3成分之合金系統為佳。作為合金系統，例如以Ag‧Mg(Ag：1~20at%)、Al‧Li(Li：0.3~14at%)、In‧Mg(Mg：50~80at%)及Al‧Ca(Ca：5~20at%)等為佳。
陰極電極36係藉由蒸鍍法及濺鍍法等所形成。陰極電極37之厚度為0.1nm以上，較佳為1~500nm 以上。
電洞注入層係具有將來自畫素電極34之電洞之注入轉為較容易之功能，電洞輸送層具有輸送電洞之功能及妨礙電子之功能，而亦被稱為電荷注入層或電荷輸送層。
發光層之厚度、電洞注入層與電洞輸送層之合併厚度、及電子注入輸送層之厚度並無特別限定，雖亦係根據形成方法而不同，但以作成5~100nm程度為佳。電洞注入層或電洞輸送層係可使用各種有機化合物。在電洞注入輸送層、發光層及電子注入輸送層之形成上，從能形成均質薄膜之觀點，可使用真空蒸鍍法。
發光層35係可使用包括利用來自一重項激子之發光(螢光)者、利用來自三重態激子之發光(磷光)者、利用來自一重項激子之發光(螢光)者與利用來自三重態激子之發光(磷光)者；包括由有機物所形成者、由有機物所形成者與由無機物所形成者；包括高分子材料、低分子材料、高分子材料與低分子材料者等。但，並非係受限於此，可將使用EL元件用所公知之各種者而成的發光層35使用於有機EL顯示裝置30。
在陰極電極36與密封層37之空間中配置乾燥劑(無圖示)。而此係因發光層35對於濕度較弱所為者。因乾燥劑吸收水分而防止發光層35之劣化。
圖6(b)所示之本發明之有機EL顯示裝置30係為具備本圓偏光板31，介由層間絕緣膜33而在形成 有畫素電極34之基板32上層合發光層35、及陰極電極36者。於陰極電極上形成密封層37，在與基板32相反側上配置本圓偏光板31。從發光層35所射出之光係通過陰極電極36、密封層37、本圓偏光板31。
〔實施例〕
以下，根據實施例更加詳細說明本發明。例中之「%」及「份」在未特別註記時，意指質量%及質量份。
環烯烴聚合物薄膜(COP)係使用日本ZEON股份有限公司製之ZF-14。
電暈處理裝置係使用春日電機股份有限公司製之AGF-B10。
電暈處理係使用上述電暈處理裝置，在輸出0.3kW、處理速度3m/分之條件下施行1次。
偏光UV照射裝置係使用牛尾電機股份有限公司製之附偏光片單元之SPOT CURE SP-7。
雷射顯微鏡係使用奧林巴斯股份有限公司製之LEXT。
高壓水銀燈係使用牛尾電機股份有限公司製之Unicure VB-15201BY-A。
相位差值係使用王子計測機器公司製之KOBRA-WR進行測量。
實施例1 〔光配向膜形成用組成物之調製〕
藉由混合下述成分，且將取得之混合物在80℃攪拌1小時，而取得光配向膜形成用組成物(1)。
光配向性材料(5份)：
溶劑(95份)：環戊酮
〔配向性聚合物組成物(1)之調製〕
配向性聚合物組成物(1)之組成係如表1所示，對市售之配向性聚合物之Sunever SE-610(日產化學工業股份有限公司製)添加2-丁氧基乙醇而得到配向性聚合物組成物(1)。
〔配向性聚合物組成物(2)之調製〕
配向性聚合物組成物(2)之組成係如表1所示，對市售之聚乙烯醇(聚乙烯醇1000完全皂化型、和光純藥工業股份有限公司製)添加水，在100℃下加熱1小時而得到配向性聚合物組成物(2)。
表1中之值係表示相對於經調製之組成物之全量之各成分含有比例。SE-610之固形分量係從供貨規格書中記載之濃度所換算者。
〔組成物(A-1)之調製〕
藉由混合下述成分，且將取得之混合物在80℃下攪拌1小時而得到組成物(A-1)。
聚合性液晶A1及聚合性液晶A2係使用日本特開2010-31223號公報中記載之方法進行合成。
聚合性液晶A1(80份)：
聚合性液晶A2(20份)：
聚合起始劑(6份)：2-二甲基胺基-2-苄基-1-(4-嗎啉基苯基)丁烷-1-酮(Irgacure 369；汽巴精化公司製)
平整劑(0.1份)：聚丙烯酸酯化合物(BYK-361N；BYK-Chemie公司製)
溶劑：環戊酮(400份)
〔組成物(B-1)之調製〕
組成物(B-1)之組成係如表2所示。混合各成分，將取得之溶液在80℃下攪拌1小時後，冷卻至室溫而得到組成物(B-1)。
表2中之括弧內之值係表示相對於經調製之組成物全量之各成分含有比例。表2中之LR9000表示BASF日本公司製之Laromer(註冊商標)LR-9000，Irg907表示BASF日本公司製之Irgacure(註冊商標)907，BYK361N表示Bic-Chemy Japan製之平整劑，LC242表示下述式所示之BASF公司製之聚合性液晶，PGMEA表示丙二醇1-單甲基醚2-乙酸酯。
〔保護層形成用組成物之調整〕
混合二季戊四醇六丙烯酸酯(Aronix(註冊商標)M-403東亞合成股份有限公司製)50份、丙烯酸酯樹脂(Ebecryl 4858 Daicel-UCB股份有限公司製)50份、2-甲基-1[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮(Irgacure(註冊商標)907；汽巴精化公司製)3份，及丙二醇1-單甲基醚2-乙酸酯(PGMEA)250份，而取得保護層形成用組成物(1)。
〔第一相位差層(1-1)之製造〕
使用電暈處理裝置(AGF-B10、春日電機股份有限公司製)在輸出0.3kW、處理速度3m/分之條件下處理環烯烴聚合物薄膜(COP)(ZF-14、日本ZEON股份有限公司製)一次。將光配向膜形成用組成物(1)以棒式塗佈機塗佈於施有電暈處理之表面上在80℃下乾燥1分鐘，使用偏光UV照射裝置(SPOT CURE SP-7；牛尾電機股份有限公司製)，在100mJ/cm2之累算光量下實施偏光UV曝光。以雷射顯微鏡(LEXT、奧林巴斯股份有限公司製)測量取得之配向膜之膜厚，其為100nm。其次，使用棒式塗佈機將組成物(A-1)塗佈於配向膜上，在120℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈(Unicure VB- 15201BY-A、牛尾電機股份有限公司製)，照射紫外線(氮環境下、波長：365nm、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)形成第一相位差層(1-1)，而取得相位差薄膜(1)。測量取得之相位差薄膜(1)之相位差值，其為Re(550)=140nm、Rth(550)=68nm。又，測量波長450nm以及波長650nm之相位差值，則為Re(450)=121nm、Re(650)=145nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.86
Re(650)/Re(550)=1.04
即，第一相位差層(1-1)具有下述式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。尚且，由於COP在波長550nm下之相位差值約略為0，故不影響該面內相位差值之關係。
Re(450)/Re(550)≦1.00 (1)
1.00≦Re(650)/Re(550) (2)
100<Re(550)<160 (4)
〔第二相位差層(2-1)之製造〕
使用電暈處理裝置在輸出0.3kW、處理速度3m/分之條件下處理COP之表面1次。使用棒式塗佈機將配向性聚合物組成物(1)塗佈於施有電暈處理之表面，在90℃下乾燥1分鐘。以雷射顯微鏡測量取得之配向膜之膜厚，其為34nm。其次，使用棒式塗佈機將組成物(B-1)塗佈於配向膜上，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水 銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)形成第二相位差層(2-1)，而取得相位差薄膜(2)。以雷射顯微鏡測量取得之第二相位差層(2-1)之膜厚，膜厚為450nm。又，測量取得之相位差薄膜(2)在波長550nm下之相位差值，則為Re(550)=1nm、Rth(550)=-70nm。即，第二相位差層(2-1)具有下述式(3)所表示之光學特性。尚且，COP在波長550nm下之相位差值約略為0，故不影響該光學特性。
nx≒ny<nz (3)
〔光學薄膜(1)之製造〕
以黏著劑貼合相位差層薄膜(1)之COP面與相位差層薄膜(2)之第二相位差層面，而作成光學薄膜(1)。測量取得之光學薄膜(1)之相位差值，其為Re(550)=140nm、Rth(550)=2nm。又，測量波長450nm以及波長650nm之相位差值時，則為Re(450)=121nm、Re(650)=145nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.86
Re(650)/Re(550)=1.04
即，光學薄膜(1)具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例2 〔層A(A-1)之製造〕
電暈處理COP後，在已處理之面上塗佈配向性聚合物組成物(2)，進行加熱乾燥而取得厚度82nm之配向性聚合物之膜。在取得之配向性聚合物之膜表面上，從前述COP之長度方向以呈15°之角度施行摩擦處理，並於其之上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)形成層A(A-1)而取得相位差薄膜(3)。以雷射顯微鏡測量取得之層A(A-1)之膜厚，膜厚為973nm。測量取得之相位差薄膜(3)之相位差值，其為Re(550)=135nm，配向角係相對於前述COP之長度方向為15°。又，測量在波長450nm以及波長650nm之相位差值，則為Re(450)=145nm、Re(650)=132nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=1.07
Re(650)/Re(550)=0.98
即，層A(A-1)具有下述式(4)、(6)及(7)所表示之光學特性。
100<Re(550)<160 (4)
Re(450)/Re(550)≧1.00 (6)
1.00≧Re(650)/Re(550) (7)
〔層B(B-1)之製造〕
電暈處理COP並於其上塗佈配向性聚合物組成物 (2)，進行加熱乾燥而取得厚度80nm之配向性聚合物之膜。在取得之配向性聚合物之膜表面上，以從前述COP之長度方向呈75°之角度施以摩擦處理，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)形成層B(B-1)而得到相位差薄膜(4)。以雷射顯微鏡測量取得之層B(B-1)之膜厚，膜厚為1.94μm。測量取得之相位差薄膜(4)之相位差值，其為Re(550)=269nm，配向角係相對於前述COP之長度方向為75°。又，測量在波長450nm以及波長650nm之相位差值，則為Re(450)=290nm、Re(650)=265nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=1.08
Re(650)/Re(550)=0.99
即，層B(B-1)具有下述式(5)、(6)及(7)所表示之光學特性。
200<Re(550)<320 (5)
Re(450)/Re(550)≧1.00 (6)
1.00≧Re(650)/Re(550) (7)
〔光學薄膜(2)之製造〕
以黏著劑貼合相位差薄膜(3)之COP面與相位差薄膜(4)之層B(B-1)面，再以黏著劑貼合相位差薄膜(4)之COP面與相位差薄膜(2)之第二相位差層 (2-1)面，而作成光學薄膜(2)。因此，相對於前述COP之長度方向，層A(A-1)之慢軸為15°，層B(B-1)之慢軸為75°。又，測量此光學薄膜(2)之相位差值，其為Re(550)=137nm，又，測量在波長450nm以及波長650nm之相位差值，則為Re(450)=100nm、Re(650)=160nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.73
Re(650)/Re(550)=1.17
即，光學薄膜(2)具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例3 〔光學薄膜(3)之製造〕
以與實施例1之第一相位差層(1-1)之製造相同之方法，在COP上形成第一相位差層而得到第一相位差層(1-2)。其次，以與實施例1之第二相位差層(2-1)之製造相同之方法，使用棒式塗佈機將配向性聚合物組成物(1)塗佈於該第一相位差層(1-2)之上，在90℃下乾燥1分鐘而取得配向膜。使用棒式塗佈機將組成物(B-1)塗佈於取得之配向膜上，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)，在第一相位差層(1-2)上形成第二相位差層(2-2)，而取得光學薄膜(3)。測量取得之光學薄膜(3)之相位差值，其為Re(450) =120nm、Re(550)=139nm、Re(650)=146nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.87
Re(650)/Re(550)=1.05
即，光學薄膜(3)具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例4 〔光學薄膜(4)之製造〕
以與實施例1之第二相位差層(2-1)之製造相同之方法，於COP上形成第二相位差層而得到第二相位差層(2-3)。其次，於第二相位差層(2-3)之上，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘。其後，摩擦處理配向膜，使用棒式塗佈機將組成物(A-1)塗佈於處理面，在120℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)，在第二相位差層(2-3)之上形成第一相位差層(1-3)而取得光學薄膜(4)。測量取得之光學薄膜(3)之相位差值，則為Re(450)=121nm、Re(550)=139nm、Re(650)=146nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.87
Re(650)/Re(550)=1.05
即，光學薄膜(4)具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例5 〔光學薄膜(5)之製造〕
以與實施例2之層A(A-1)之製造相同之方法，在施有電暈處理裝置之COP上形成相位差層，而得到第一相位差層(1-4)。第一相位差層(1-4)之慢軸係相對於前述COP之長度方向呈15°。其次，於取得之第一相位差層(1-4)之上，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(1)，在90℃下乾燥1分鐘而取得配向膜。於取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)，而在第一相位差層(1-4)之上形成第二相位差層(2-4)。其後，電暈處理第二相位差層(2-4)後，於其上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘。在經乾燥之配向性聚合物之表面，以相對於前述COP之長度方向呈75°之角度施以摩擦處理而取得配向膜，於取得之配向膜之上，使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)而形成第三相位差層(3-1)。因此，相對於前述COP之長度方向，第一相位差層(1-3)之慢軸成為15°、第三相位差層(3-1)之慢軸成為75°，而取得依COP、第一相位差層(1-4)、第二相位差層(2-4)、第 三相位差層(3-1)之順序層合而成之光學薄膜(5)。測量取得之光學薄膜(5)之相位差值，則為Re(450)=101nm、Re(550)=138nm、Re(650)=160nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.73
Re(650)/Re(550)=1.16
即，光學薄膜(3)具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例6 〔光學薄膜(6)之製造〕
以與實施例1之第二相位差層(2-1)之製造相同之方法，於COP上形成第二相位差層而取得第二相位差層(2-5)。電暈處理取得之第二相位差層(2-5)面後，於其上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘。在從前述COP之長度方向呈15°之角度下對經乾燥之配向性聚合物表面施以摩擦處理，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)而形成層A(A-2)。電暈處理取得之層A(A-2)之表面後，於其上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘。在從長形狀薄膜之長度方向呈75°之角度下對經乾燥之配向性聚合物表面施以摩擦處理，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1 分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)形成層B(B-2)而取得光學薄膜(6)。
具有與光學薄膜(1)或光學薄膜(2)相同構成之光學薄膜(6)係與光學薄膜(1)及光學薄膜(2)同樣地具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例7 〔光學薄膜(7)之製造〕
與實施例2之層A(A-1)之製造相同地在COP上形成層A而取得層A(A-3)。電暈處理取得之層A(A-3)之表面後，於其上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘。以從前述COP之長度方向呈75°之角度對經乾燥之配向性聚合物表面施以摩擦處理，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)而形成層B(B-3)。電暈處理取得之層B(B-3)之表面後，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(1)，在90℃下乾燥1分鐘而取得配向膜。於取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)在層B(B-3)上形成第二相位差層(2-6)，進而形成光學薄膜(7)。測量 取得之光學薄膜(7)之相位差值，則為Re(450)=100nm、Re(550)=138nm、Re(650)=159nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.72
Re(650)/Re(550)=1.15
即，光學薄膜(3)具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例8 〔光學薄膜(8)之製造〕
除在第一相位差層(1-2)與配向膜之間形成保護層(1)以外，其他係與實施例3同樣實施製造光學薄膜，而取得光學薄膜(8)。
保護層(1)係藉由在電暈處理第一相位差層(1-2)後，於其上使用棒式塗佈機塗佈保護層形成用組成物，在90℃下乾燥1分鐘，且使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：500mJ/cm2)進行聚合所形成者。測量取得之光學薄膜(8)之相位差值，則為Re(450)=120nm、Re(550)=139nm、Re(650)=144nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.86
Re(650)/Re(550)=1.04
即，光學薄膜(8)具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例9 〔光學薄膜(9)之製造〕
以與實施例2之層A(A-1)之製造相同之方法，在施有電暈處理之COP上形成層A而取得層A(A-4)。其次，對層A(A-4)施以電暈處理後，於其上使用棒式塗佈機塗佈保護層形成用組成物，在90℃下乾燥1分鐘，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：500mJ/cm2)進行聚合而形成保護層(2)。於取得之保護層(2)之上，以與實施例2相同之方法形成層B(B-4)，再於此之上以黏著劑貼合相位差薄膜(2)之第二相位差層(2-1)面而取得光學薄膜(9)。
具有與光學薄膜(1)或光學薄膜(2)相同構成之光學薄膜(9)係與光學薄膜(1)及光學薄膜(2)同樣地具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例10 〔光學薄膜(10)之製造〕
除在第二相位差層(2-4)與配向膜(1)之間形成保護層(3)以外，其他係與實施例5同樣地實施製造光學薄膜，而取得光學薄膜(10)。
保護層(3)係藉由在第二相位差層(2-3)之上使用棒式塗佈機塗佈保護層形成用組成物，在90℃下乾燥1 分鐘，且使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：500mJ/cm2)進行聚合所形成者。配向膜(1)係對保護層(3)施以電暈處理後，於其上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘，以從COP之長度方向呈75°之角度對取得之配向性聚合物之膜表面進行摩擦處理所得者。
具有光學薄膜(1)或光學薄膜(2)相同構成之光學薄膜(10)係與光學薄膜(1)及光學薄膜(2)同樣地具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例11 〔光學薄膜(11)之製造〕
與實施例1之第一相位差層(1-1)同樣地實施，而在COP之上形成第一相位差層(1-5)。電暈處理與前述COP之形成有第一相位差層(1-5)之面為反對之面，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)形成第二相位差層(2-6)，而取得具有依第一相位差層(1-5)、基材及第二相位差層(2-6)之順序的光學薄膜(11)。測量取得之光學薄膜(11)之相位差值，則為Re(450)=120nm、Re(550)=139nm、Re(650)=146nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.86
Re(650)/Re(550)=1.05
即，光學薄膜(11)具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例12 〔光學薄膜(12)之製造〕
電暈處理COP後，以棒式塗佈機塗佈光配向膜形成用組成物(1)，在80℃下乾燥1分鐘，使用偏光UV照射裝置，以100mJ/cm2之累算光量實施偏光UV曝光。偏光UV處理係使直線偏光從前述COP之長度方向呈75°之角度實施。在施有偏光UV之面上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)形成層B(B-5)。層B(B-5)之慢軸方向係相對於前述COP之長度方向為75°。其次，電暈處理層B(B-5)後，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘而取得配向性聚合物之膜。以從前述COP之長度方向呈15°下摩擦處理配向性聚合物之膜表面，而取得配向膜。在取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)而形成層A(A-5)。其後，電暈處理層A(A-5)後，使用棒式塗佈機塗 佈配向性聚合物組成物(1)，在90℃下乾燥1分鐘而取得配向膜。於取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)在層A(A-5)上形成第二相位差層(2-7)，而取得光學薄膜(12)。測量取得之光學薄膜(12)之相位差值，則為Re(450)=100nm、Re(550)=138nm、Re(650)=160nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.72
Re(650)/Re(550)=1.16
即，光學薄膜(12)具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例13 〔光學薄膜(13)之製造〕
於已皂化之三乙醯基纖維素薄膜(TAC)(Konica Minolta股份有限公司製、KC4UY)上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(1)，在90℃下乾燥1分鐘而得到配向膜。在取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)而形成第二相位差層(2-8)。電暈處理取得之第二相位差層(2-8)，使用棒式塗佈機塗佈配向性 聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘而取得配向性聚合物之膜。以從前述TAC之長度方向呈75°之角度摩擦處理配向性聚合物之膜表面，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)而形成層B(B-6)。電暈處理取得之層B(B-6)，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘而取得配向性聚合物之膜。以從前述TAC之長度方向呈15°之角度摩擦處理配向性聚合物之膜表面，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)形成層A(A-6)，而取得光學薄膜(13)。
具有光學薄膜(1)或光學薄膜(2)相同構成之光學薄膜(13)係與光學薄膜(1)及光學薄膜(2)同樣地具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例14 〔光學薄膜(14)之製造〕
與實施例5同樣地在COP上形成層A(A-7)。層A之慢軸係相對於薄膜之長度方向為15°。其次，電暈處理層A(A-7)面後，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘而得到配向性聚合物 之膜。以從長形狀薄膜之長度方向呈75°之角度摩擦處理配向性聚合物之膜表面，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)而形成層B(B-7)。其後，在與形成有層A(A-7)及層B(B-7)之面為相反側之COP面上實施電暈處理後，使用棒式塗佈機塗佈配向性性聚合物組成物(1)，在90℃下乾燥1分鐘而取得配向膜。在取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)在COP上形成第二相位差層(2-9)，而形成光學薄膜(14)。測量取得之光學薄膜(14)之相位差值，則為Re(450)=101nm、Re(550)=138nm、Re(650)=160nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.73
Re(650)/Re(550)=1.16
即，光學薄膜(14)具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例15 〔光學薄膜(15)之製造〕
與實施例12同樣地在COP上形成層B(B-8)。層B(B-8)之慢軸相對於薄膜之長度方向為75°。其次，電暈處理層B(B-8)面後，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合 物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘而取得配向性聚合物之膜。對配向性聚合物之膜表面以從長形狀薄膜之長度方向呈15°之角度實施摩擦處理，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)而形成層A(A-8)。其後，電暈處理與形成有層A(A-8)及層B(B-8)之面為相反側之COP面後，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(1)，在90℃下乾燥1分鐘而取配向膜。在取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)在TAC上形成第二相位差層(2-10)，而形成光學薄膜(15)。測量取得之光學薄膜(15)之相位差值，則為Re(450)=101nm、Re(550)=138nm、Re(650)=160nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.73
Re(650)/Re(550)=1.16
即，光學薄膜(15)具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例16 〔光學薄膜(16)之製造〕
於TAC上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物 (2)，在100℃下乾燥1分鐘。對配向性聚合物之表面以從長形狀薄膜之長度方向呈75°之角度實施摩擦處理，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)而形成層B(B-9)。其次，電暈處理層B(B-9)面後，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(1)，在90℃下乾燥1分鐘而取得配向膜。在取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)而在層B(B-9)上形成第二相位差層(2-11)。其後，在第二相位差上(2-11)電暈處理後，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘而取得配向性聚合物之膜。對配向性聚合物之膜表面以從長形狀薄膜之長度方向呈15°之角度實施摩擦處理，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)形成層A(A-9)而取得光學薄膜(16)。
具有光學薄膜(1)或光學薄膜(2)相同構成之光學薄膜(16)係與光學薄膜(1)及光學薄膜(2)同樣地具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例17 〔光學薄膜(17)之製造〕
與實施例2同樣地在COP上形成層B(B-10)。電暈處理與形成有層B(B-10)之面為相反側之面後，於其上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘而取得配向性聚合物之膜。對配向性聚合物之膜表面以從長形狀薄膜之長度方向呈15°之角度實施摩擦處理，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)而形成層A(A-10)。其次，電暈處理層A(A-10)面後，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(1)，在90℃下乾燥1分鐘而取得配向膜。在取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)在層A(A-10)上形成第二相位差層(2-12)而取得光學薄膜(17)。
具有光學薄膜(1)或光學薄膜(2)相同構成之光學薄膜(17)係與光學薄膜(1)及光學薄膜(2)同樣地具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例18 〔光學薄膜(18)之製造〕
與實施例2同樣地在COP上形成層B(B-11)。電 暈處理與形成有層B(B-11)之面為相反側之面後，於其上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(1)，在90℃下乾燥1分鐘而取得配向膜。在取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)在COP上形成第二相位差層(2-13)。其次，電暈處理第二相位差層面後，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘而取得配向性聚合物之膜。對配向性聚合物之膜表面以從長形狀薄膜之長度方向呈15°之角度實施摩擦處理，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)形成層A(A-11)而取得光學薄膜(18)。
具有光學薄膜(1)或光學薄膜(2)相同構成之光學薄膜(18)係與光學薄膜(1)及光學薄膜(2)同樣地具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例19 〔光學薄膜(19)之製造〕
與實施例2同樣地在COP上形成層A(A-12)。電暈處理與形成有層A(A-12)之面為相反側之面後，於其上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘而取得配向性聚合物之膜。對配向性 聚合物之膜表面以從長形狀薄膜之長度方向呈75°之角度實施摩擦處理，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)形成層B(B-12)。其次，電暈處理層B(B-12)面後，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(1)，在90℃下乾燥1分鐘而取得配向膜。在取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)在層B(B-12)上形成第二相位差層(2-14)而取得光學薄膜(19)。
具有光學薄膜(1)或光學薄膜(2)相同構成之光學薄膜(19)係與光學薄膜(1)及光學薄膜(2)同樣地具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例20 〔光學薄膜(20)之製造〕
與實施例2同樣地在COP上形成層A(A-13)。電暈處理與形成有層A(A-13)之面為相反側之面後，於其上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(1)，在90℃下乾燥1分鐘而取得配向膜。在取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm 處之累算光量：1000mJ/cm2)而在COP上形成第二相位差層(2-15)。其次，電暈處理第二相位差層(2-15)面後，使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘而取得配向性聚合物之膜。對配向性聚合物之膜表面以從長形狀薄膜之長度方向呈75°之角度實施摩擦處理，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)形成層B(B-13)而取得光學薄膜(20)。
具有光學薄膜(1)或光學薄膜(2)相同構成之光學薄膜(20)係與光學薄膜(1)及光學薄膜(2)同樣地具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例21 〔光學薄膜(21)之製造〕
實施例1中，使用Pure-Ace(註冊商標)WR-S(帝人股份有限公司製)作為第一相位差層，並以黏著劑與形成有第二相位差層(2-1)之相位差薄膜(2)之液晶面進行貼合而得到光學薄膜(21)。在波長450nm、550nm、650nm下測量取得之光學薄膜(21)之相位差值，則為Re(450)=127nm、Re(550)=142nm、Re(650)=145nm、Rth(450)=-18.5nm、Rth(550)=-3.7nm、Rth(650)=4.1nm，| Rth(450)/Re(450) |=0.145、| Rth(550)/Re(550) | =0.026、| Rth(650)/Re(650) |=0.028。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.89
Re(650)/Re(550)=1.02
即，光學薄膜(21)具有式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。
實施例22 〔偏光片之製造〕
將平均聚合度約2,400、皂化度99.9莫耳%以上且厚度75μm之聚乙烯醇薄膜浸漬於30℃之純水後，於30℃下再浸漬於碘/碘化鉀/水之重量比為0.02/2/100之水溶液中進行碘染色(碘染色步驟)。將經過碘染色步驟之聚乙烯醇薄膜，在56.5℃下浸漬於碘化鉀/硼酸/水之重量比為12/5/100之水溶液中進行硼酸處理(硼酸處理步驟)。以8℃之純水洗淨經過碘染色步驟與其後之硼酸處理步驟的聚乙烯醇薄膜後，以65℃進行乾燥而取得在聚乙烯醇吸附配向有碘的偏光片(延伸後之厚度27μm)。此時，在碘染色步驟與硼酸處理步驟中進行延伸。該延伸之總延伸倍率為5.3倍。介由水系接著劑，以軋輥貼合取得之偏光片，與經皂化處理之三乙醯基纖維素薄膜(Konica Minolta製KC4UYTAC 40μm)。使貼合物之張力保持在430N/m，並以60℃乾燥2分鐘，而取得在單面上具有三乙醯基纖維素薄膜作為保護薄膜之偏光板(1)。尚且，前述水系接著劑係對水100份添加羧基變性聚乙烯醇 (Kuraray製Kuraray Poval KL318)3份、水溶性聚醯胺環氧樹脂(住化康泰斯製Sumirez Resin 650固形分濃度30%之水溶液]1.5份調製而成者。
〔紫外線硬化性接著劑組成物之製造〕
混合以下之各成分而調製成紫外線硬化性接著劑組成物。
3,4-環氧基環己基甲基
3,4-環氧基環己烷羧酸酯 40份
雙酚A之二環氧丙基醚 60份
二苯基(4-苯基苯硫基)鋶
六氟銻酸鹽(光陽離子聚合起始劑) 4份
〔圓偏光板(1)之製造〕
在實施例1中製造之光學薄膜(1)之第一相差層之面上施以電暈處理，塗佈紫外線硬化性接著劑組成物，與偏光板(1)之偏光片面重疊，通過2隻貼合輥之間而成為一體化。在此，使該偏光片(1)之吸收軸相對於第一相位差層(1-1)之慢軸的角度成為45°。2隻貼合輥之中，第一貼合輥係使用表面為橡膠之橡膠輥，第二貼合輥係使用在表面施有鍍鉻之金屬輥。貼合後，使用以金屬鹵素燈為光源之紫外線照射裝置，從前述光學薄膜(1)之COP面側，以使320~400nm之波長下之累算光量成為20mJ/cm2般地照射紫外線而使接著劑硬化，再與偏光片貼 合，而取得圓偏光板(1)。
實施例23 〔圓偏光板(4)製造〕
與實施例22同樣地電暈處理實施例4中製造之光學薄膜(4)之第一相位差層面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物與偏光板(1)貼合而取得圓偏光板(4)。此時，紫外線照射係從光學薄膜(4)之COP面側施行，又，以使該偏光片(1)之吸收軸係與該第一相位差層之慢軸之角度成為45°般地貼合。
實施例24 〔圓偏光板(3)及(8)之製造〕
與實施例22同樣地電暈處理實施例3及8中取得之光學薄膜(3)及(8)之第二相位差層面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物貼合偏光板(1)而得到圓偏光板(3)及(8)。此時，紫外線照射係從光學薄膜(3)或(8)之COP側實施，又，以使該偏光片(1)之吸收軸係與該第一相位差層之慢軸之角度成為45°般地貼合。
實施例25 〔圓偏光板(11)之製造〕
與實施例22同樣地電暈處理實施例11中取得之光學 薄膜(11)之第二相位差層面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物貼合偏光板(1)而取得圓偏光板(11)。此時，紫外線照射係從該光學薄膜(11)之第一相位差層側實施，又，以使該偏光片(1)之吸收軸係與該第一相位差層之慢軸之角度成為45°般地貼合。
實施例26 〔圓偏光板(21)之製造〕
與實施例22同樣地電暈處理實施例21中取得之光學薄膜(21)之COP面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物貼合偏光板(1)而取得圓偏光板(21)。此時，紫外線照射係從該光學薄膜(21)之第一相位差層側實施，且以使該偏光片(1)之吸收軸係與該第一相位差層之慢軸之角度成為45°般地貼合。
實施例27 〔圓偏光板(2)之製造〕
與實施例22同樣地電暈處理實施例2中取得之光學薄膜(2)之COP面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物貼合偏光板(1)而取得圓偏光板(2)。此時，紫外線照射係從該光學薄膜(2)之層A側實施，又，該圓偏光板(2)係依偏光片、第二相位差層、層B、層A之順序層合，又，以使該偏光板(1)之吸收軸與層B之慢軸所成之角度成為75°，且與層A之慢軸所成之角度成為 15°般地貼合。
實施例28 〔圓偏光板(9)之製造〕
與實施例22同樣地電暈處理實施例9中取得之光學薄膜(9)之COP面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物貼合偏光板(1)而取得圓偏光板(9)。此時，該圓偏光板(9)係依偏光片、第二相位差層、層B、層A之順序層合，且紫外線照射係從鄰近該層A之COP側施行，又，以使該偏光板(1)之吸收軸與層B之慢軸所成之角度成為75°，且與層A之慢軸所成之角度成為15°般地貼合。
實施例29 〔圓偏光板(5)、(6)及(10)之製造〕
與實施例22同樣地電暈處理實施例5、6及10中取得之光學薄膜(5)、(6)及(10)之層B面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物貼合偏光板(1)而得到圓偏光板(5)、(6)及(10)。此時，紫外線照射係從該光學薄膜(5)、(6)或(10)之COP側實施，該圓偏光板中第二相位差層以外之層係依偏光片、層B、層A之順序層合。又，以使該偏光板(1)之吸收軸與層B之慢軸所成之角度成為75°，且與層A之慢軸所成之角度成為15°般地貼合。
實施例30 〔圓偏光板(7)之製造〕
與實施例22同樣地電暈處理實施例7中取得之光學薄膜(7)之第二相位差層面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物貼合偏光板(1)而取得圓偏光板(7)。此時，紫外線照射係從COP側實施，又，該圓偏光板(7)中第二相位差層以外之層係依偏光片、層B、層A之順序層合。又，以使該偏光板(1)之吸收軸與層B之慢軸所成之角度成為75°，且與層A之慢軸所成之角度成為15°般地貼合。
實施例31 〔圓偏光板(15)及(19)之製造〕
與實施例22同樣地電暈處理實施例15及19中取得之光學薄膜(15)及(19)之第二相位差層面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物貼合偏光片而取得圓偏光板(15)及(19)。此時，紫外線照射係從該光學薄膜(15)及(19)之層A側實施，又，該圓偏光板中第二相位差層以外之層係依偏光片、層B、層A之順序層合。又，以使該偏光板(1)之吸收軸與層B之慢軸所成之角度成為75°，且與層A之慢軸所成之角度成為15°般地貼合。
實施例32 〔圓偏光板(12)之製造〕
與實施例22同樣地電暈處理實施例12中取得之光學薄膜(12)之COP面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物貼合偏光板(1)而取得圓偏光板(12)。此時，紫外線照射係從該光學薄膜(12)之第二相位差層側實施，又，該圓偏光板(12)中第二相位差層以外之層係依偏光片、層B、層A之順序層合。又，以使該偏光板(1)之吸收軸與層B之慢軸所成之角度成為75°，且與層A之慢軸所成之角度成為15°般地貼合。
實施例33 〔圓偏光板(14)及(17)之製造〕
與實施例22同樣地電暈處理實施例14及17中取得之光學薄膜(14)及(17)之層B面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物與偏光板(1)貼合而取得圓偏光板(14)及(17)。此時，紫外線照射係從該光學薄膜(14)或(17)之第二相位差層側實施，又，該圓偏光板中第二相位差層以外之層係依偏光片、層B、層A之順序層合。又，以使該偏光板(1)之吸收軸與層B之慢軸所成之角度成為75°，且與層A之慢軸所成之角度成為15°般地貼合。
實施例34 〔圓偏光板(18)及(20)之製造〕
與實施例22同樣地電暈處理實施例18及20中取得之光學薄膜(18)及(20)之層B面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物與偏光板(1)貼合而取得圓偏光板(18)及(20)。此時，紫外線照射係從該光學薄膜(18)之層A側實施，又，該圓偏光板中第二相位差層以外之層係依偏光片、層B、層A之順序層合。又，以使該偏光板(1)之吸收軸與層B之慢軸所成之角度成為75°，且與層A之慢軸所成之角度成為15°般地貼合。
實施例35 〔圓偏光板(13)及(16)之製造〕
電暈處理實施例13及16中得到之光學薄膜(13)及(16)之TAC面後，於其上使用與在製造偏光板(1)時所用者為相同之水系接著劑貼合偏光板(1)而取得圓偏光板(13)及(16)。此時，該圓偏光板中第二相位差層以外之層係依偏光片、層B、層A之順序層合。又，以使該偏光板(1)之吸收軸與層B之慢軸所成之角度成為75°，且與層A之慢軸所成之角度成為15°般地貼合。
參考例1 〔圓偏光板(參考1)之製造〕
電暈處理實施例1中作成之相位差薄膜(1)之COP面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物貼合偏光板 (1)而取得圓偏光板(參考1)。此時，以使偏光板(1)之吸收軸與相位差薄膜(1)之慢軸所成之角度成為45°般地貼合。
參考例2 〔圓偏光板(參考2)之製造〕
與實施例2之層A(A-1)之製造同樣地在COP上形成層A而取得層A(A-14)。前述層A(A-14)係在慢軸上具有從前述COP之長度方向呈15°之角度。電暈處理取得之層A(A-14)之表面後，於其上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(1)，在90℃下乾燥1分鐘而形成配向膜。在取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)而形成第二相位差層(2-16)。其後，電暈處理與形成有前述COP之層A(A-14)之面為相反側之面，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物貼合偏光板(1)而取得圓偏光板(參考2)。
參考例3 〔圓偏光板(參考3)之製造〕
與實施例2之層B(B-1)之製造同樣地在COP上形成層B而取得層B(B-14)。前述層B(B-14)係在慢軸上具有從前述COP之長度方向呈75°之角度。電暈處理取 得之層B(B-14)之表面後，於其上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(1)，在90℃下乾燥1分鐘而形成配向膜。在取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)而形成第二相位差層(2-17)。其後，電暈處理與形成有前述COP之層B(B-14)之面為相反側之面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物貼合偏光板(1)而取得圓偏光板(參考3)。
參考例4 〔圓偏光板(參考4)之製造〕
與實施例7之層A(A-1)之製造同樣地在COP上形成層A而取得層A(A-15)。前述層A(A-15)係在慢軸上具有從前述COP之長度方向呈15°之角度。電暈處理取得之層A(A-15)之表面後，於其上使用棒式塗佈機塗佈配向性聚合物組成物(2)，在100℃下乾燥1分鐘。對經乾燥之配向性聚合物表面以從前述COP之長度方向呈75°之角度施以摩擦處理，並於其上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在100℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈照射紫外線(氮環境下、波長365nm處之累算光量：1200mJ/cm2)而形成層B(B-15)。其後，電暈處理與形成有前述COP之層A(A-15)之面為相反側之面後，於其上使用紫外線硬化性接著劑組成物貼合偏光板 (1)而取得圓偏光板(參考4)。
使用感壓式黏著劑，將實施例22~35中取得之圓偏光板(1)~(21)，及參考例1~4中取得之圓偏光板(參考1)~(參考4)的各自之與偏光板(1)為相反側之面貼合於鏡上。從正面垂直方向在仰角60°之位置上由方位角全方向觀察經貼合之圓偏光板。從色相變化特大之方向2處檢視時之色展示於表3。無論從任何方向觀察圓偏光板(1)~(21)之任一者皆無著色，且取得良好之黑顯示。
從上述測量結果，亦可得知實施例之圓偏光板即便從各種方向觀察時，明亮處之防反射特性優異且為 有用者。
實施例36 〔配向性聚合物組成物(3)之調製〕
配向性聚合物組成物之組成係展示於表1，對市售之配向性聚合物Sunever SE-610(日產化學工業股份有限公司製)添加N-甲基-2-吡咯啶酮、2-丁氧基乙醇及乙基環己烷而取得配向性聚合物組成物(3)。
表4中之值係相對於調製成之組成物全量之各成分之含有比例。SE-610之固形分量係從供貨規格書中記載之濃度所換算者。
使用電暈處理裝置(AGF-B10、春日電機股份有限公司製)，在輸出0.3kW、處理速度3m/分之條件下處理環烯烴聚合物薄膜(COP)(ZF-14、日本ZEON股份有限公司製)之表面1次。使用棒式塗佈機在施有電暈處理之表面上塗佈配向性聚合物組成物(3)，在90℃下乾燥1分鐘。以雷射顯微鏡(LEXT、奧林巴斯股份有限公司製)測量取得之配向膜之膜厚，其為34nm。其後，於配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在 90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈(Unicure VB-15201BY-A、牛尾電機股份有限公司製)照射紫外線(氮環境下、波長：365nm、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)形成第二相位差層(2-1-01)而取得相位差薄膜(1-01)。以雷射顯微鏡測量取得之第二相位差層(2-1-01)之膜厚，膜厚為450nm。又，測量取得之相位差薄膜(1-01)在波長550nm下之相位差值，則為Re(550)=1nm、Rth(550)=-70nm。即，第二相位差層(2-1-01)具有下述式(3)所表示之光學特性。尚且，COP在波長550nm處之相位差值為約略0，故不影響該光學特性。
nx≒ny<nz (3)
並且，使用電暈處理裝置(AGF-B10、春日電機股份有限公司製)，在輸出0.3kW、處理速度3m/分之條件下處理形成有第二相位差層(2-1-01)之環烯烴聚合物薄膜之背面1次。在施有電暈處理之表面上以棒式塗佈機塗佈光配向膜形成用組成物(1)，在80℃下乾燥1分鐘，使用偏光UV照射裝置(SPOT CURE SP-7；牛尾電機股份有限公司製)以100mJ/cm2之累算光量實施偏光UV曝光。以雷射顯微鏡(LEXT、奧林巴斯股份有限公司製)測量取得之配向膜之膜厚，其為100nm。其後，使用棒式塗佈機將組成物(A-1)塗佈於配向膜上，在120℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈(Unicure VB-15201BY-A、牛尾電機股份有限公司製)照射紫外線(氮 環境下、波長：365nm、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)形成第一相位差層(1-1-01)，而取得光學薄膜(1-01)。以雷射顯微鏡測量取得之第一相位差層(1-1-01)之膜厚，膜厚為2.2μm。又，測量此光學薄膜(1-01)之相位差值，其為Re(550)=140nm、Rth(550)=2nm。又，測量在波長450nm以及波長650nm之相位差值，則為Re(450)=121nm、Re(650)=145nm。
實施例37
以與實施例36中第一相位差層之形成方法相同之方法，在環烯烴聚合物薄膜上形成第一相位差層(1-2-01)而取得相位差薄膜(2-01)。測量取得之相位差薄膜(2-01)之相位差值，其為Re(550)=140nm、Rth(550)=68nm。又，測量在波長450nm以及波長650nm之相位差值，則為Re(450)=121nm、Re(650)=145nm。由於厚度d為固定，故各波長下之雙折射率之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=△n(450)/△n(550)=0.87
Re(650)/Re(550)=△n(650)/△n(550)=1.04
即，第一相位差層(1-2-01)具有下述式(1)及(2)所表示之光學特性。尚且，COP在波長550nm處之相位差值為約略0，故不影響該光學特性。
△n(450)/△n(550)≦1.00 (1)
1.00≦△n(650)/△n(550) (2)
並且，在形成有第一相位差層(1-2-01)之環烯烴聚合物薄膜之背面，與實施例1同樣地形成第二相位差層(2-2-01)而取得光學薄膜(2-01)。測量取得之光學薄膜(2-01)之相位差值，其為Re(550)=140nm、Rth(550)=4nm。又，測量在波長450nm以及波長650nm之相位差值，則為Re(450)=121nm、Re(650)=145nm。
實施例38
以與實施例36中第二相位差層之形成方法相同之方法，在環烯烴聚合物薄膜上形成第二相位差層(2-3-01)而得到相位差薄膜(3-01)。在取得之第二相位差層上使用棒式塗佈機塗佈保護層形成用組成物，在90℃下乾燥1分鐘。並且，藉由使用高壓水銀燈(Unicure VB-15201BY-A、牛尾電機股份有限公司製)照射紫外線(氮環境下、波長：365nm、波長365nm處之累算光量：500mJ/cm2)進行聚合形成保護層(1-01)而取得相位差薄膜(3-2-01)。以雷射顯微鏡測量取得之第二相位差層(2-3-01)與保護層(1-01)之總膜厚，膜厚為2.5μm。測量相位差薄膜(3-2-01)在波長550nm下之相位差值，其為Re(550)=2nm、Rth(550)=-66nm。即，第二相位差層(2-3-01)具有下述式(3)所表示之光學特性。尚且，COP及保護層(1)在波長550nm處之相位差值由於約略0，故不影響該光學特性。
nx≒ny<nz (3)
並且，在保護膜(1-01)之上與實施例36同樣地實施形成第一相位差層(1-3-01)，而取得光學薄膜(3-01)。測量取得之光學薄膜(3-01)之相位差值，其為Re(550)=138nm、Rth(550)=2nm。又，測量在波長450nm以及波長650nm之相位差值，則為Re(450)=118nm、Re(650)=144nm。
實施例39
使用感壓式黏著劑，將實施例36中取得之光學薄膜(1-01)之第二相位差層(2-1-01)面，以使該偏光板之吸收軸與第一相位差層(1-1-01)之慢軸所成之角度成為45°般地貼合於碘-PVA偏光板(住友化學製SRW061A)，而取得圓偏光板(1-01)。
實施例40
使用感壓式黏著劑，將實施例36中取得之光學薄膜(1-01)之第一相位差層(1-1-01)面，以使該偏光板之吸收軸與第一相位差層(1-1-01)之慢軸所成之角度成為45°般地貼合於碘-PVA偏光板(住友化學製SRW061A)，而取得圓偏光板(2-01)。
實施例41
使用感壓式黏著劑，將實施例37中取得之光學薄膜 (2-01)之環烯烴聚合物薄膜面，以使該偏光板之吸收軸與第一相位差層(1-2-01)之慢軸所成之角度成為45°般地貼合於碘-PVA偏光板(住友化學製SRW061A)，而取得圓偏光板(3-01)。
實施例42
使用感壓式黏著劑，將實施例37中取得之光學薄膜(2-01)之第二相位差層(2-2-01)面，以使該偏光板之吸收軸與第一相位差層(1-2-01)之慢軸所成之角度成為45°般地貼合於碘-PVA偏光板(住友化學製SRW061A)，而取得圓偏光板(4-01)。
實施例43
使用感壓式黏著劑，將實施例38中取得之光學薄膜(3-01)之環烯烴聚合物薄膜面，以使該偏光板之吸收軸與第一相位差層(1-3-01)之慢軸所成之角度成為45°般地貼合於碘-PVA偏光板(住友化學製SRW061A)，而取得圓偏光板(5-01)。
實施例44
使用感壓式黏著劑，將實施例38中取得之光學薄膜(3-01)之第一相位差層(1-3-01)面，以使該偏光板之吸收軸與第一相位差層(1-3-01)之慢軸所成之角度成為45°般地貼合於碘-PVA偏光板(住友化學製 SRW061A)，而取得圓偏光板(6-01)。
使用感壓式黏著劑，將實施例39~44中取得之圓偏光板(1-01)~(6-01)之與各自之偏光板為相反之面貼合於鏡上，在從正面垂直方向且仰角60°之位置上，從第一相位差層之慢軸方向以及快軸方向進行觀察並評價光學補償特性。其結果係如表3所示。任一之圓偏光板從任何方向進行觀察皆無著色，而得到良好之黑顯示。尚且，參考例5係展示與實施例36相同地僅形成第一相位差層之圓偏光板(7-01)。
對於將參考例5以及實施例39之圓偏光板貼合於鏡上之樣本，從仰角60°方向使用亮度計測量色度座標(x、y)。尚且，光源係使用高演色CCFL光源(x,y)=(0.3494,0.3600)。
參考例5之圓偏光板(7-01)之色相：
慢軸方向(相對於偏光板吸收軸為+45°)上為(0.3292,0.3569)
慢軸方向(相對於偏光板之吸收軸為-45°)上為(0.3282,0.3561)
快軸方向(相對於偏光板吸收軸為+45°)上為(0.3651,0.3634)
快軸方向(相對於偏光板之吸收軸為-45°)上為(0.3641,0.3626)實施例39之圓偏光板(1-01)之色相：
慢軸方向(相對於偏光板吸收軸為+45°)上為(0.3457,0.3548)
慢軸方向(相對於偏光板之吸收軸為-45°)上為(0.3475,0.3533)
快軸方向(相對於偏光板吸收軸為+45°)上為(0.3445,0.3557)
快軸方向(相對於偏光板之吸收軸為-45°)上為(0.3626,0.3543)
從上述之測量結果，亦可敘明實施例39之圓偏光板(1-01)從來自光源之色相之偏差為小，光學補償特性受到改善。
實施例45 〔圓偏光板(8-01)之製造〕 〔組成物(C-1)之調製〕
藉由混合下述成分，並將取得之混合物在80℃下攪拌1小時，而取得組成物(C-1)。
聚合性液晶A3係以日本特開2010-24438號公報中記載之方法進行合成。
聚合性液晶A1(86份)：
聚合性液晶A3(14份)：
聚合起始劑(6份)： 2-二甲基胺基-2-苄基-1-(4-嗎啉基苯基)丁烷-1-酮(Irgacure 369；汽巴精化公司製)
平整劑(0.1份)：聚丙烯酸酯化合物(BYK-361N；BYK-Chemie公司製)
防氧化劑(1份)：二丁基羥基甲苯(和光純藥工業股份有限公司製)
溶劑：N-甲基-2-吡咯啶酮(160份)、環戊酮(240 份)
〔配向性聚合物組成物(4)之調製〕
配向性聚合物組成物之組成係如表1所示，對市售之配向性聚合物Sunever SE-610(日產化學工業股份有限公司製)添加N-甲基-2-吡咯啶酮、2-丁氧基乙醇及丙二醇1-單甲基醚2-乙酸酯(PGMEA)而得到配向性聚合物組成物(3)。
〔第一相位差層(2-4-01)之製造〕
在聚對酞酸乙二酯薄膜(三菱樹脂股份有限公司製、Diafoil T140E25)表面上塗佈光配向膜形成用組成物(1)，在80℃下乾燥1分鐘，使用偏光UV照射裝置(SPOT CURE SP-7；牛尾電機股份有限公司製)以100mJ/cm2之累算光量實施偏光UV曝光。取得之光配向膜之厚度為100nm。其後，在光配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(C-1)，在120℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈(Unicure VB-15201BY-A、牛尾電機股份有 限公司製)照射紫外線(氮環境下、波長：365nm、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)而形成第一相位差層(2-4-01)。取得具有聚對酞酸乙二酯薄膜與第一相位差層(2-4-01)之薄膜(2-4-10)。
電暈處理取得之第一相位差層(2-4-01)之表面後，對此藉由棒塗法塗佈紫外線硬化性接著劑組成物。其後，對接著劑面壓著表面受到電暈處理之COP薄膜，從該COP薄膜側，使用UV照射裝置(SPOT CURE SP-7；牛尾電機股份有限公司製)照射曝光量1000mJ/cm2(365nm基準)之紫外線使其硬化。藉由在COP薄膜上轉印第一相位差層(2-4-01)，去除聚對酞酸乙二酯，而得到具有第一相位差層之COP薄膜(2-4-02)。此時之包含接著劑層之第一相位差層之厚度為4.7μm。
測量具有第一相位差層之COP薄膜(2-4-02)之相位差值，則為Re(450)=119nm、Re(550)=137nm、Re(650)=141nm。各波長下之面內相位差值之關係係如以下所示。
Re(450)/Re(550)=0.87
Re(650)/Re(550)=1.03
即，第一相位差層(2-4-01)係具有下述式(1)、(2)及(4)所表示之光學特性。尚且，由於COP在波長550nm處之相位差值約略為0，故不影響該面內相位差值之關係。
Re(450)/Re(550)≦1.00 (1)
1.00≦Re(650)/Re(550) (2)
100<Re(550)<160 (4)
〔第二相位差層(2-4-03)之製造〕
在聚對酞酸乙二酯薄膜(三菱樹脂股份有限公司製、Diafoil T140E25)表面上，藉由棒塗法塗佈配向性聚合物組成物(4)，在90℃之烘箱中加熱乾燥1分鐘而形成配向膜。其後，在配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈(Unicure VB-15201BY-A、牛尾電機股份有限公司製)照射紫外線(氮環境下、波長：365nm、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)而形成第二相位差層(2-4-03)。
電暈處理取得之第二相位差層(2-4-03)之表面後，對此藉由棒塗法塗佈紫外線硬化性接著劑組成物。其後，對接著劑面壓著表面受到電暈處理之COP薄膜，從該COP薄膜側，使用UV照射裝置(SPOT CURE SP-7；牛尾電機股份有限公司製)照射曝光量1000mJ/cm2(365nm基準)之紫外線使其硬化。藉由在COP薄膜上轉印第二相位差層(2-4-03)且去除聚對酞酸乙二酯，而得到具有第二相位差層之COP薄膜(2-4-04)。此時之包含接著劑層之第二相位差層之厚度為3.0μm。
使用測量機(KOBRA-WR、王子計測機器公司製)測量具有第二相位差層之COP薄膜(2-4-04)之相位差值，測量在波長550nm處之相位差值時為Re(550) =1nm、Rth(550)=-85nm。即，具有第二相位差層之COP薄膜(2-4-04)係具有下述式(3)所表示之光學特性。尚且，由於COP在波長550nm處之相位差值約略為0，故不影響該光學特性。
nx≒ny<nz (3)
〔第一相位差層及第二相位差層之轉印〕
電暈處理薄膜(2-4-10)之第一相位差層面後，於其上藉由棒塗法塗佈配向性聚合物組成物(4)，在90℃之烘箱中加熱乾燥1分鐘而形成配向膜。其後，於取得之配向膜上使用棒式塗佈機塗佈組成物(B-1)，在90℃下乾燥1分鐘後，藉由使用高壓水銀燈(Unicure VB-15201BY-A、牛尾電機股份有限公司製)照射紫外線(氮環境下、波長：365nm、波長365nm處之累算光量：1000mJ/cm2)而形成第二相位差層。藉此，而取得具有依聚對酞酸乙二酯薄膜、光配向膜、第一相位差層(2-4-01)、配向膜及第二相位差層之順序的層合體。
電暈處理取得之第二相位差層之表面後，對此藉由棒塗法塗佈紫外線硬化性接著劑組成物。其次，對接著劑面壓著表面受到電暈處理之碘-PVA偏光板(住友化學製SRW061A)之TAC面，從聚對酞酸乙二酯薄膜側，使用UV照射裝置(SPOT CURE SP-7；牛尾電機股份有限公司製)照射曝光量1000mJ/cm2(365nm基準)之紫外線使其硬化。此時，以使偏光板之吸收軸與第一相 位差層(2-4-01)之慢軸所成之角度成為45°般地進行貼合。其後，同時去除聚對酞酸乙二酯薄膜及光配向膜，在偏光板上一次地轉印第二相位差層、配向膜層及第一相位差層(2-4-01)。藉此，得到依偏光板、接著劑層、第二相位差層、配向膜及第一相位差層(2-4-01)之順序層合而成之圓偏光板(8-01)。此時包含接著劑層、第二相位差層及第一相位差層之層之厚度為5.2μm。
實施例46
使用感壓式黏著劑將實施例45中取得之圓偏光板(8-01)之與偏光板為相反之面貼合於鏡上，在從正面垂直方向且仰角60°之位置上，從第一相位差層之慢軸方向以及快軸方向進行觀察，並評價光學補償特性。其結果係如表5所示。取得無著色無且良好之黑顯示。
〔產業上之可利用性〕
本發明之光學薄膜係有用作為抑制顯示黑時之漏光上優異之光學薄膜。

Claims (35)

  1. 一種圓偏光板，其係具備光學薄膜與偏光板；該光學薄膜具有第一相位差層與第二相位差層，第二相位差層具有式(3)所表示之光學特性，且該光學薄膜具有式(1)及式(2)所表示之光學特性，相對於該第一相位差層之慢軸，該偏光板之透過軸呈45±5°；Re(450)/Re(550)≦1.00 (1) 1.00≦Re(650)/Re(550) (2) nx≒ny<nz (3)(式中，Re(450)表示波長450nm下之面內相位差值，Re(550)表示波長550nm下之面內相位差值，Re(650)表示波長650nm下之面內相位差值；nx表示在相位差層所形成之折射率橢圓體中，對於薄膜平面呈平行方向之主折射率；ny表示相位差層所形成之折射率橢圓體中，對於薄膜平面呈平行且對於該nx之方向呈正交方向之折射率；nz表示相位差層所形成之折射率橢圓體中，對於薄膜平面呈垂直方向之折射率)。
  2. 如請求項1之圓偏光板，其中第一相位差層具有式(4)所表示之光學特性；100<Re(550)<160 (4)(式中，Re(550)係表示與前述相同之意義)。
  3. 如請求項1或2之圓偏光板，其中第一相位差層具有式(1)及式(2)所表示之光學特性； Re(450)/Re(550)≦1.00 (1) 1.00≦Re(650)/Re(550) (2)(式中，Re(450)、Re(550)及Re(650)係表示與前述相同之意義)。
  4. 如請求項1或2之圓偏光板，其中該光學薄膜更具有第三相位差層，且第三相位差層具有式(5)所表示之光學特性；200<Re(550)<320 (5)(式中，Re(550)係表示與前述相同之意義)。
  5. 如請求項4之圓偏光板，其中第一相位差層及第三相位差層具有式(6)及式(7)所表示之光學特性；Re(450)/Re(550)≧1.00 (6) 1.00≧Re(650)/Re(550) (7)(式中，Re(450)、Re(550)及Re(650)係表示與前述相同之意義)。
  6. 如請求項4之圓偏光板，其中第三相位差層係藉由使1種以上之聚合性液晶進行聚合而形成之被覆層。
  7. 如請求項4之圓偏光板，其中第三相位差層之厚度為5μm以下。
  8. 如請求項4之圓偏光板，其中第三相位差層係形成於配向膜上。
  9. 如請求項1或2之圓偏光板，其中第一相位差層係藉由使1種以上之聚合性液晶進行聚合而形成之被覆層。
  10. 如請求項1或2之圓偏光板，其中第二相位差層 係藉由使1種以上之聚合性液晶進行聚合而形成之被覆層。
  11. 如請求項1或2之圓偏光板，其中第一相位差層之厚度為5μm以下。
  12. 如請求項1或2之圓偏光板，其中第二相位差層之厚度為5μm以下。
  13. 如請求項1或2之圓偏光板，其中第一相位差層及第二相位差層之厚度係分別為5μm以下。
  14. 如請求項1或2之圓偏光板，其中第一相位差層係形成於配向膜上。
  15. 如請求項1或2之圓偏光板，其中第二相位差層係形成於配向膜上。
  16. 如請求項14之圓偏光板，其中配向膜係藉由光照射而產生配向調控力之配向膜。
  17. 如請求項15之圓偏光板，其中配向膜係產生垂直配向調控力之配向膜。
  18. 如請求項14之圓偏光板，其中配向膜之厚度為500nm以下。
  19. 如請求項15之圓偏光板，其中配向膜之厚度為500nm以下。
  20. 如請求項1之圓偏光板，其中於基材上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層，且於第一相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層。
  21. 如請求項1之圓偏光板，其中於基材上介由或不 介由配向膜而形成第二相位差層、於第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層。
  22. 如請求項4之圓偏光板，其係依此順序具有第一相位差層、第二相位差層及第三相位差層。
  23. 如請求項20之圓偏光板，其中在第一相位差層與第二相位差層之間具有保護層。
  24. 如請求項21之圓偏光板，其中在第一相位差層與第二相位差層之間具有保護層。
  25. 如請求項22之圓偏光板，其中在第二相位差層與第三相位差層之間具有保護層。
  26. 如請求項1之圓偏光板，其中於基材之一方之面上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層，且於基材之另一方之面上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層。
  27. 如請求項4之圓偏光板，其中於基材上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層，於該第一相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，且於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層。
  28. 如請求項4之圓偏光板，其中於基材上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層，於該第三相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，且於該於第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層。
  29. 請求項4之圓偏光板，其中於基材之一方之面上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層，於該第一相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，且於 基材另一方之面上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層。
  30. 如請求項4之圓偏光板，其中於基材一方之面上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層，且於基材另一方之面上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層。
  31. 如請求項4之圓偏光板，其中於基材一方之面上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層，於該第三相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，且於基材另一方之面上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層。
  32. 如請求項4之圓偏光板，其中於基材一方之面上介由或不介由配向膜而形成第二相位差層，於該第二相位差層之上介由或不介由配向膜而形成第三相位差層，且於基材另一方之面上介由或不介由配向膜而形成第一相位差層。
  33. 如請求項1之圓偏光板，其中以活性能量線硬化型接著劑或水系接著劑貼合光學薄膜與偏光板。
  34. 一種有機EL顯示裝置，其係具備如請求項1~33中任一項之圓偏光板。
  35. 一種觸控面板顯示裝置，其係具備如請求項1~33中任一項之圓偏光板。
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