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TWI509056B - 液晶組成物及液晶顯示元件 - Google Patents

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TWI509056B
TWI509056B TW099127449A TW99127449A TWI509056B TW I509056 B TWI509056 B TW I509056B TW 099127449 A TW099127449 A TW 099127449A TW 99127449 A TW99127449 A TW 99127449A TW I509056 B TWI509056 B TW I509056B
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TW
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liquid crystal
carbon atoms
compound
formula
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TW099127449A
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Inventor
Norikatsu Hattori
Shuichi Goto
Eiji Okabe
Original Assignee
Jnc Corp
Jnc Petrochemical Corp
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Description

液晶組成物及液晶顯示元件
本發明主要是有關於適於AM(active matrix，主動矩陣)元件等之液晶組成物及含有該組成物之AM元件等。特別是有關於介電異向性為負之液晶組成物，且有關於含有該組成物之IPS(in-plane switching，橫向電場切換)模式、VA(vertical alignment，垂直配向)模式或PSA(polymer sustained alignment，聚合物穩定配向)模式之元件。
於液晶顯示元件中，基於液晶之運作模式(operating mode)之分類為PC(phase change，相變化)、TN(twisted nematic，扭轉向列)、STN(super twisted nematic，超扭轉向列)、ECB(electrically controlled birefringence，電場控制雙折射)、OCB(optically compensated bend，光學補償雙折射)、IPS(in-plane switching，橫向電場切換)、VA(vertical alignment，垂直配向)、PSA(polymer sustained alignment，聚合物穩定配向)模式等。基於元件之驅動方式之分類為PM(passive matrix，被動矩陣)與AM(active matrix，主動矩陣)。PM可分類為靜態式(static)、多工式(multiplex)等，AM可分類為TFT(thin film transistor，薄膜電晶體)、MIM(metal insulator metal，金屬-絕緣層-金屬)等。TFT之分類為非晶矽(amorphous silicon)及多晶矽(polycrystal silicon)。多晶矽根據製造步驟而被分類為高溫型與低溫型。基於光源之分類為利用自然光之反射型、利用背光源(back light)之穿透型、以及利用自然光與背光源之兩者的半穿透型。
該些元件含有具有適當之特性的液晶組成物。該液晶組成物具有向列相。為了獲得具有良好之一般特性的AM元件，而使組成物之一般特性提高。將2者之一般特性的關聯彙總於下述表1。基於市售之AM元件而對組成物之一般特性進一步加以說明。向列相之溫度範圍與元件之可使用之溫度範圍相關聯。向列相之較佳之上限溫度為約70℃以上，且向列相之較佳之下限溫度為約-10℃以下。組成物之黏度與元件之響應時間相關聯。為了以元件顯示動態影像(moving image)，較佳的是響應時間短。因此，較佳的是組成物之黏度小。更佳的是於較低之溫度下之黏度小。
組成物之光學異向性與元件之對比度相關聯。組成物之光學異向性(△n)與元件之單元間隙(d)之積(△n×d)是以使對比度成為最大的方式進行設計。適當之積值依存 於運作模式(operating mode)之種類。於VA模式之元件中為約0.30μm~約0.40μm之範圍，於IPS模式之元件中為約0.20μm~約0.30μm之範圍。於此情形時，較佳的是於單元間隙小之元件中具有大的光學異向性的組成物。組成物之絕對值大的介電異向性有助於元件之低的臨界電壓、小的消耗電力與大的對比度。因此，較佳的是絕對值大的介電異向性。組成物之大的比電阻有助於元件之大的電壓保持率與大的對比度。因此，較佳的是於初始階段不僅在室溫下而且在高的溫度下具有大的比電阻的組成物。較佳的是於長時間使用後不僅在室溫下而且在高的溫度下具有大的比電阻的組成物。組成物對於紫外線及熱的穩定性與液晶顯示元件之壽命相關聯。該些之穩定性高時，該元件之壽命長。此種特性對於液晶投影機、液晶電視等中所使用之AM元件而言較佳。
於具有TN模式之AM元件中，使用具有正介電異向性之組成物。另一方面，於具有VA模式之AM元件中，使用具有負介電異向性之組成物。於具有IPS模式之AM元件中，使用具有正或負介電異向性之組成物。於具有PSA模式之AM元件中，使用具有正或負介電異向性之組成物。具有負介電異向性之液晶組成物的例子於如下所述之專利文獻1~專利文獻7中有所揭示。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開2009/034867說明書
[專利文獻2]日本專利特開2009-035630號公報
[專利文獻3]日本專利特開2008-088164號公報
[專利文獻4]日本專利特開2008-038109號公報
[專利文獻5]國際公開2007/108307說明書
[專利文獻6]國際公開2007/077872說明書
[專利文獻7]日本專利特開2000-053602號公報
理想的AM元件具有可使用之溫度範圍廣、響應時間短、對比度大、臨界電壓低、電壓保持率大、壽命長等特性。理想的是較1毫秒更短之響應時間。因此，組成物之理想的特性是向列相之上限溫度高、向列相之下限溫度低、黏度小、光學異向性適當、正或負介電異向性大、比電阻大、對紫外線穩定性高、對熱穩定性高等。
本發明的一個目的是在向列相之上限溫度高、向列相之下限溫度低、黏度小、光學異向性適當、負介電異向性大、比電阻大、對紫外線穩定性高、對熱穩定性高等特性中滿足至少一種特性的液晶組成物。其他目的是在至少兩種特性間具有適當之平衡的液晶組成物，特別是充分滿足光學異向性大、以及負介電異向性大的液晶組成物。其他目的是含有此種組成物之液晶顯示元件。其他目的是具有光學異向性適當(光學異向性小或光學異向性大)、負介電異向性大、對紫外線穩定性高等特性的組成物，以及具有響應時間短、電壓保持率大、對比度大、壽命長等特性之AM元件。
一種液晶組成物及含有該組成物之液晶顯示元件，所述液晶組成物含有作為第一成分的選自以式(1)所表示之化合物之群組的至少一種化合物、及作為第二成分的選自以式(2)所表示之化合物之群組的至少一種化合物，基於液晶組成物之總重量，第一成分之比例為5 wt%～95 wt%之範圍，且具有負介電異向性。
此處，R1 、R2 、R3 及R4 獨立為碳數為1～12之烷基、碳數為1～12之烷氧基、碳數為2～12之烯氧基、碳數為2～12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2～12之烯基；環A獨立為
X1 、X2 及X3 獨立為氫、氟或氯；Z1 獨立為單鍵、伸乙基、亞甲基氧基、或羰氧基；m為1、2或3；於式(1)中，X1 為氫時，X2 及X3 為氟或氯；於式(2)中，至少一個Z1 為亞甲基氧基或者至少一個環A為
[發明之效果]
本發明的優點是在向列相之上限溫度高、向列相之下限溫度低、黏度小、光學異向性適當、負介電異向性大、比電阻大、對紫外線穩定性高、對熱穩定性高等特性中滿足至少一種特性的液晶組成物。本發明的一個方面是在至少兩種特性間具有適當之平衡的液晶組成物。其他方面是含有此種組成物的液晶顯示元件。其他方面是具有適當的光學異向性、負介電異向性大、對紫外線穩定性高等特性的組成物，以及具有響應時間短、電壓保持率大、對比度大、壽命長等特性的AM元件。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
本說明書中之用語的使用方法如下所述。有時將本發明之液晶組成物或本發明之液晶顯示元件分別簡稱為「組成物」或「元件」。液晶顯示元件是液晶顯示面板及液晶顯示模組之總稱。「液晶性化合物」表示具有向列相、層列相等液晶相之化合物或者雖然不具液晶相但可用作組成物之成分的化合物。此種化合物例如具有如1,4-伸環己基或1,4-伸苯基之類的六員環，且具有棒狀(rod like)之分子結構。有時將光學活性化合物以及可聚合之化合物添加於組成物中。該些化合物即使是液晶性化合物，於此亦分類為添加物。有時將選自以式(1)所表示之化合物之群組的至少一種化合物簡稱為「化合物(1)」。「化合物(1)」表示以式(1)所表示之一種化合物或2種以上化合物。關於以其他式所表示之化合物亦相同。「任意之」不僅表示位置任意而且表示個數任意，但不包含個數為0之情況。
有時將向列相之上限溫度簡稱為「上限溫度」。有時將向列相之下限溫度簡稱為「下限溫度」。「比電阻大」表示組成物在初始階段不僅在室溫下而且在接近向列相之上限溫度的溫度下具有大的比電阻，而且在長時間使用後不僅在室溫下而且在接近向列相之上限溫度的溫度下也具有大的比電阻。「電壓保持率大」表示元件在初始階段不僅在室溫下而且在接近向列相之上限溫度的溫度下具有大的電壓保持率，而且在長時間使用後不僅在室溫下而且在接近向列相之上限溫度的溫度下也具有大的電壓保持率。於說明光學異向性等特性時，使用藉由實例中記載的方法進行測定而所得之值。第一成分是一種化合物或2種以上之化合物。「第一成分之比例」是以基於液晶組成物之總重量的第一成分之重量百分率(wt%)來表示。第二成分之比例等中亦同樣。於組成物中所混合之添加物之比例以基於液晶組成物之總重量的重量百分率(wt%)或重量百萬分率(ppm)來表示。
於成分化合物之化學式中，將R1 之記號用於多種化合物中。於該些中任意之2種化合物中，所選擇之R1 可相同亦可不同。例如，存在化合物(1)之R1 為乙基，化合物(1-1)之R1 為乙基之例子。亦存在化合物(1)之R1 為乙基，化合物(1-1)之R1 為丙基之例子。該規則亦適用於R2 、Z1 等。
本發明為下述項等。
1.一種液晶組成物，所述液晶組成物具有負介電異向性且含有作為第一成分的選自以式(1)所表示之化合物之群組的至少一種化合物、以及作為第二成分的選自以式(2)所表示之化合物之群組的至少一種化合物，基於液晶組成物之總重量，第一成分之比例為5 wt%～95 wt%之範圍，
此處，R1 、R2 、R3 及R4 獨立為碳數為1～12之烷基、碳數為1～12之烷氧基、碳數為2～12之烯氧基、碳數為2～12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2～12之烯基；環A獨立為
X1 、X2 及X3 獨立為氫、氟或氯；Z1 獨立為單鍵、伸乙基、亞甲基氧基、或羰氧基；m為1、2或3；於式(1)中，X1 為氫時，X2 及X3 為氟或氯；於式(2)中，至少一個Z1 為亞甲基氧基或者至少一個環A為
2.如第1項所述之液晶組成物，其中，第一成分是選自式(1-1)及式(1-2)所表示之化合物之群組的至少一種化合物，
此處，R1 及R2 獨立為碳數為1～12之烷基、碳數為1～12之烷氧基、碳數為2～12之烯氧基、碳數為2～12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2～12之烯基。
3.如第2項所述之液晶組成物，其中，第一成分是選自式(1-1)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
4.如第1項至第3項中任一項所述之液晶組成物，其中，第二成分是選自式(2-1)～式(2-10)所表示之化合物之群組的至少一種化合物，
此處，R3 及R4 獨立為碳數為1～12之烷基、碳數為1～12之烷氧基、碳數為2～12之烯氧基、碳數為2～12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2～12之烯基。
5.如第4項所述之液晶組成物，其中，第二成分是選自式(2-5)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
6.如第4項所述之液晶組成物，其中，第二成分是選自式(2-7)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
7.如第1項至第6項中任一項所述之液晶組成物，其中，基於液晶組成物之總重量，第一成分之比例為10 wt%～60 wt%之範圍，且第二成分之比例為10 wt%～90 wt%之範圍。
8.如第1項至第7項中任一項所述之液晶組成物，其更含有作為第三成分的選自以式(3)所表示之化合物之群組的至少一種化合物，
此處，R5 及R6 獨立為碳數為1～12之烷基、碳數為1～12之烷氧基、碳數為2～12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2～12之烯基；環B、環C及環D獨立為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、或3-氟-1,4-伸苯基；Z2 及Z3 獨立為單鍵、伸乙基、亞甲基氧基、或羰氧基；p為0、1或2；於p為1時，環B、環C及環D獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。
9.如第8項所述之液晶組成物，其中，第三成分是選自式(3-1)～式(3-11)所表示之化合物之群組的至少一種化合物，
此處，R5 及R6 獨立為碳數為1～12之烷基、碳數為1～12之烷氧基、碳數為2～12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2～12之烯基。
10.如第9項所述之液晶組成物，其中，第三成分是選自式(3-1)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
11.如第9項所述之液晶組成物，其中，於式(3-1)中，R5 為碳數為1～12之烷基，R6 為碳數為1～12之烯基。
12.如第9項所述之液晶組成物，其中，於式(3-1)中，R5 及R6 均為碳數為1～12之烷基。
13.如第9項所述之液晶組成物，其中，第三成分是選自式(3-1)所表示之化合物之群組的至少一種化合物、以及選自式(3-4)所表示之化合物之群組的至少一種化合物的混合物。
14.如第9項所述之液晶組成物，其中，第三成分是選自式(3-9)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
15.如第8項至第14項中任一項所述之液晶組成物，其中，基於液晶組成物之總重量，第三成分之比例為5 wt%～60 wt%之範圍。
16.如第1項至第15項中任一項所述之液晶組成物，其更含有作為第四成分的選自式(4-1)及式(4-2)所表示之化合物之群組的至少一種化合物，
此處，R7 及R8 獨立為碳數為1～12之烷基、碳數為1～12之烷氧基、碳數為2～12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2～12之烯基；環E、環F及環G獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基；Z4 為單鍵、伸乙基、或羰氧基；Z5 及Z6 獨立為單鍵、伸乙基、亞甲基氧基、或羰氧基；X4 及X5 為氟或氯；Y1 為氫或甲基；q為1、2或3；r及s獨立為0、1、2或3，且r與s之和為3以下。
17.如第16項所述之液晶組成物，其中，第四成分是選自式(4-1-1)～式(4-1-9)、及式(4-2-1)～式(4-2-5)所表示之化合物之群組的至少一種化合物，
此處，R7 及R8 獨立為碳數為1～12之烷基、碳數為1～12之烷氧基、碳數為2～12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2～12之烯基。
18.如第17項所述之液晶組成物，其中，第四成分是選自式(4-1-1)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
19.如第17項所述之液晶組成物，其中，第四成分是選自式(4-1-3)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
20.如第17項所述之液晶組成物，其中，第四成分是選自式(4-1-2)所表示之化合物之群組的至少一種化合物、以及選自式(4-1-5)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
21.如第17項所述之液晶組成物，其中，第四成分是選自式(4-2-4)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
22.如第16項至第21項中任一項所述之液晶組成物，其中，基於液晶組成物之總重量，第四成分之比例為5wt%~50wt%之範圍。
23.如第1項至第22項中任一項所述之液晶組成物，其中，向列相之上限溫度為70℃以上，於波長589nm下之光學異向性(25℃)為0.08以上，且於頻率1kHz下之介電異向性(25℃)為-2以下。
24.一種液晶顯示元件，所述液晶顯示元件含有如第1項至第23項中任一項所述之液晶組成物。
25.如第24項所述之液晶顯示元件，其中，液晶顯示元件之運作模式為VA模式、IPS模式、或PSA模式，液晶顯示元件之驅動方式為主動矩陣方式。
本發明亦包括如下之項。1)更含有光學活性化合物之所述組成物、2)更含有抗氧化劑、紫外線吸收劑、消泡劑等添加物之所述組成物。3)含有所述組成物之AM元件、4)含有所述組成物，且具有TN、ECB、OCB、IPS、VA或PSA之模式的元件、5)含有所述組成物之穿透型元件、6)將所述組成物用作具有向列相之組成物的用途、7)藉由於所述組成物中添加光學活性化合物而作為光學活性組成物的使用。
依照如下順序對本發明之組成物加以說明。首先，說明組成物中之成分化合物的構成。第二，說明成分化合物之主要特性、及該化合物對組成物帶來的主要效果。第三，說明組成物中之成分的組合、成分之較佳之比例及其根據。第四，說明成分化合物之較佳之形態。第五，表示成分化合物之具體例。第六，說明亦可混合於組成物中之添加物。第七，說明成分化合物之合成法。最後，說明組成物之用途。
首先，說明組成物中之成分化合物的構成。本發明之組成物可分類為組成物A與組成物B。組成物A亦可更含有其他液晶性化合物、添加物、雜質等。「其他液晶性化合物」是與化合物(1)、化合物(2)、化合物(3)、化合物(4-1)及化合物(4-2)不同之液晶性化合物。此種化合物是以進一步調整特性之目的而混合於組成物中的。於其他液晶性化合物中，自對熱或紫外線之穩定性之觀點考慮，較佳的是氰基化合物較少。氰基化合物之更佳之比例為0 wt%。添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、可聚合之化合物、聚合起始劑等。雜質是於成分化合物之合成等步驟中混入的化合物等。該化合物即使是液晶性化合物，於此處亦被分類為雜質。
組成物B實質上僅由選自化合物(1)、化合物(2)、化合物(3)、化合物(4-1)及化合物(4-2)之化合物構成。「實質上」是表示除了添加物及雜質以外，組成物並不含與該些化合物不同之液晶性化合物。組成物B與組成物A相比而言成分數較少。自降低成本之觀點考慮，組成物B較組成物A更佳。自可藉由混合其他液晶性化合物而進一步調整物性之觀點考慮，組成物A較組成物B更佳。
第二，說明成分化合物之主要特性、及該化合物對組成物之特性帶來之主要效果。基於本發明之效果將成分化合物之主要特性彙總於表2中。於表2之記號中，L表示大或高，M表示中等程度、S表示小或低。記號L、M、S是基於成分化合物之間的定性比較的分類，0(零)表示值基本為零。
於組成物中混合成分化合物時，成分化合物對組成物之特性帶來之主要效果如下所示。化合物(1)提高光學異向性、降低黏度。化合物(2)提高介電異向性之絕對值。化合物(3)降低黏度、調節適當之光學異向性、提高上限溫度、降低下限溫度。化合物(4-1)及化合物(4-2)提高介電異向性之絕對值、且降低下限溫度。
第三，說明組成物中之成分的組合、成分之較佳之比例及其根據。組成物中之成分的組合是第一成分+第二成分、第一成分+第二成分+第三成分、第一成分+第二成分+第四成分、以及第一成分+第二成分+第三成分+第四成分。
為了提高介電異向性之絕對值，組成物中之成分的較佳組合是第一成分+第二成分；為了降低黏度或者為了提高上限溫度，組成物中之成分的較佳組合是第一成分+第二成分+第三成分；以及為了進一步提高介電異向性之絕對值或者為了提高上限溫度，組成物中之成分的較佳組合是第一成分+第二成分+第三成分+第四成分。
為了提高光學異向性之絕對值，第一成分之較佳之比例為約10 wt%以上；為了降低下限溫度，第一成分之較佳之比例為約60 wt%以下。更佳之比例為約10 wt%～55 wt%之範圍。特佳之比例為約15 wt%～約50 wt%之範圍。
為了提高介電異向性之絕對值，第二成分之較佳之比例為約10 wt%以上；為了降低下限溫度，第二成分之較佳之比例為約90 wt%以下。為了降低黏度，更佳之比例為約20 wt%～約70 wt%之範圍。特佳之比例為約35 wt%～約65 wt%之範圍。
為了降低黏度，第三成分之較佳之比例為約5 wt%以上；為了提高介電異向性之絕對值，第三成分之較佳之比例為約60 wt%以下。更佳之比例為約10 wt%～50 wt%之範圍。特佳之比例為約15 wt%～約40 wt%之範圍。
為了提高介電異向性之絕對值，第四成分之較佳之比例為約5 wt%以上；為了降低下限溫度，第四成分之較佳之比例為約50 wt%以下。更佳之比例為約10 wt%～約50 wt%之範圍。特佳之比例為約10 wt%～約30 wt%之範圍。
第四，說明成分化合物之較佳之形態。
R1 、R2 、R3 及R4 獨立為碳數為1～12之烷基、碳數為1～12之烷氧基、碳數為2～12之烯氧基、碳數為2～12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2～12之烯基。R5 及R6 獨立為碳數為1～12之烷基、碳數為1～12之烷氧基、碳數為2～12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2～12之烯基。R7 及R8 獨立為碳數為1～12之烷基、碳數為1～12之烷氧基、碳數為2～12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2～12之烯基。
為了降低下限溫度以及為了降低黏度，較佳之R1 、R2 、R3 、R5 或R7 為碳數為1～12之烷基或碳數為2～12之烯基。為了降低下限溫度以及為了降低黏度，較佳之R4 、R6 或R8 為碳數為1～12之烷基；為了提高介電異向性之絕對值，較佳之R4 、R6 或R8 為碳數為1～12之烷氧基。為了提高對紫外線或熱穩定性等，更佳之R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 或R8 為碳數為1～12之烷基。
較佳之烷基為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、或辛基。為了降低黏度，更佳之烷基為乙基、丙基、丁基、戊基、或庚基。
較佳之烷氧基為甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、或庚氧基。為了降低黏度，更佳之烷氧基為甲氧基或乙氧基。
較佳之烯基為乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、或5-己烯基。為了降低黏度，更佳之烯基為乙烯基、1-丙烯基、3-丁烯基、或3-戊烯基。該些烯基中之-CH=CH-之較佳之立體構型(configuration)依存於雙鍵之位置。自為了降低黏度等而考慮，於如1-丙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1-己烯基、3-戊烯基、3-己烯基之類的烯基中，較佳的是反式。於如2-丁烯基、2-戊烯基、2-己烯基之類的烯基中，較佳的是順式。於該些烯基中，直鏈之烯基較分枝之烯基更佳。
較佳之烯氧基為乙烯基氧基、烯丙基氧基、3-丁烯基氧基、3-戊烯基氧基、或4-戊烯基氧基。為了降低黏度，更佳之烯氧基為烯丙氧基或3-丁烯基氧基。
任意之氫被氟取代之烯基之較佳之例為2,2-二氟乙烯基、3,3-二氟-2-丙烯基、4,4-二氟-3-丁烯基、5,5-二氟-4-戊烯基、及6,6-二氟-5-己烯基。為了降低黏度，更佳之例為2,2-二氟乙烯基及4,4-二氟-3-丁烯基。
m為1、2或3。為了提高上限溫度，較佳之m為2或3。p為0、1或2。為了提高上限溫度，較佳之p為2；為了降低黏度，較佳之p為0或1。q為1、2或3。為了提高上限溫度，較佳之q為2或3；為了降低黏度，較佳之q為1。r及s獨立為0、1、2或3，且r與s之和為3以下。為了提高上限溫度，較佳之r及s分別為2或3，為了降低黏度，較佳之r及s分別為1。
環A獨立為
於至少一個Z1 並不是亞甲基氧基時，至少一個環A為
於m為2或3時任意之2個環A可相同亦可不同。為了提高光學異向性，較佳之環A為1,4-伸苯基，為了提高介電異向性，較佳之環A為
環B、環C及環D獨立為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、或3-氟-1,4-伸苯基，於p為1時，環B、環C及環D為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，於p為2時2個環B可相同亦可不同。為了提高上限溫度或者為了降低黏度，較佳之環B、環C或環D為1,4-伸環己基；為了提高光學異向性，較佳之環B、環C或環D為1,4-伸苯基。環E、環F及環G獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，q為2或3時任意之2個環E可相同亦可不同，r為2或3時任意之2個環F可相同亦可不同，s為2或3時任意之2個環F及環G可相同亦可不同。為了提高上限溫度或者為了降低黏度，較佳之環E、環F或環G為1,4-伸環己基；為了提高光學異向性，較佳之環E、環F或環G為1,4-伸苯基。為了提高上限溫度，與1,4-伸環己基相關之立體構型，反式較順式更佳。
X1 、X2 及X3 獨立為氫、氟或氯，X1 為氫時，X2 及X3 為氟或氯。為了降低黏度，較佳之X1 、X2 或X3 為氫及氟。X4 及X5 獨立為氟或氯。為了降低黏度，較佳之X4 或X5 為氟。
Y1 為氫或甲基。為了降低黏度，較佳之Y1 為氫；為了提高對於紫外線、熱等之穩定性，較佳之Y1 為甲基。
Z1 、Z2 、Z3 、Z5 及Z6 獨立為單鍵、伸乙基、亞甲基氧基、或羰氧基，m為2或3時任意之2個Z1 可相同亦可不同，p為2時2個Z2 可相同亦可不同，r為2或3時任意之2個Z5 可相同亦可不同，s為2或3時任意之2個Z6 可相同亦可不同。為了降低黏度，較佳之Z1 、Z2 、Z3 、Z5 或Z6 為單鍵；為了提高介電異向性，較佳之Z1 、Z2 、Z3 、Z5 或Z6 為亞甲基氧基。Z4 為單鍵、伸乙基、或羰氧基，q為2或3時任意之2個Z4 可相同亦可不同。為了降低黏度，較佳之Z4 為單鍵；為了降低下限溫度，較佳之Z4 為伸乙基。
第五，表示成分化合物之具體例。
於下述之較佳之化合物中，R7 及R8 獨立為碳數為1～12之烷基、碳數為1～12之烷氧基、碳數為2～12之烯基、或任意之氫經氟取代之碳數為2～12之烯基。R9 及R10 獨立為具有碳數1～12之直鏈之烷基、碳數為1～12之烷氧基、碳數為2～12之烯氧基、具有碳數2～12之直鏈之烯基。R11 及R12 獨立為具有碳數1～12之直鏈之烷基、碳數為1～12之烷氧基、具有碳數2～12之直鏈之烯基。
較佳之化合物(1)為化合物(1-1-1)～化合物(1-2-1)。更佳之化合物(1)為化合物(1-1-1)。較佳之化合物(2)為化合物(2-1-1)～化合物(2-10-1)。更佳之化合物(2)為化合物(2-1-1)、以及化合物(2-5-1)～化合物(2-10-1)。特佳之化合物(2)為化合物(2-1-1)、化合物(2-5-1)、以及化合物(2-7-1)。較佳之化合物(3)為化合物(3-1-1)～化合物(3-11-1)。更佳之化合物(3)為化合物(3-1-1)～化合物(3-4-1)、以及化合物(3-7-1)～化合物(3-11-1)。特佳之化合物(3)為化合物(3-1-1)、化合物(3-4-1)、化合物(3-7-1)、化合物(3-9-1)、以及化合物(3-11-1)。較佳之化合物(4-1)為化合物(4-1-1-1)～化合物(4-1-9-1)。更佳之化合物(4-1)為化合物(4-1-1-1)以及化合物(4-1-5-1)。特佳之化合物(4-1)為化合物(4-1-1-1)以及化合物(4-1-3-1)。較佳之化合物(4-2)為化合物(4-2-1-1)～化合物(4-2-5-1)。特佳之化合物(4-2)為化合物(4-2-4-1)。
第六，說明亦可混合於組成物中之添加物。此種添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、可聚合之化合物、聚合起始劑等。為了誘導液晶之螺旋結構而賦予扭轉角，於組成物中混合光學活性化合物。此種化合物之例為化合物(5-1)～化合物(5-4)。光學活性化合物之較佳之比例為5 wt%以下。更佳之比例為約0.01 wt%～約2 wt%之範圍。
為了防止由於在大氣中進行加熱所造成之比電阻降低或者為了即使在長時間使用元件後不僅在室溫下而且在接近向列相之上限溫度之溫度下均維持大的電壓保持率，於組成物中混合抗氧化劑。
抗氧化劑之較佳之例是w為1～9之整數的化合物(6)等。於化合物(6)中，較佳之w為1、3、5、7或9。更佳之w為1或7。w為1之化合物(6)之揮發性大，因此於防止由於在大氣中進行加熱所造成之比電阻降低時有效。w為7之化合物(6)之揮發性小，故而在如下方面有效：即使在長時間使用元件後，不僅在室溫下而且在接近向列相之上限溫度之溫度下均維持大的電壓保持率。為了獲得該效果，抗氧化劑之較佳之比例為約50 ppm以上；為了不降低上限溫度或者為了不提高下限溫度，抗氧化劑之較佳之比例為600 ppm以下。更佳之比例為約100 ppm～300 ppm之範圍。
紫外線吸收劑之較佳之例為二苯甲酮衍生物、苯甲酸酯衍生物、三唑衍生物等。如具有立體阻礙之胺之類的光穩定劑亦較佳。為了獲得該效果，該些吸附劑或穩定劑之較佳之比例為約50 ppm以上；為了不降低上限溫度或者為了不提高下限溫度，該些吸附劑或穩定劑之較佳之比例為約10000 ppm以下。更佳之比例為約100 ppm～約10000 ppm之範圍。
為了適合於賓主(guesthost，GH)模式之元件，於組成物中混合如偶氮系色素、蒽醌系色素等之類的二色性色素(dichroic dye)。色素之較佳之比例為約0.01 wt%～約10 wt%之範圍。為了防止起泡，於組成物中混合二甲基矽油(dimethyl silicone oil)、甲基苯基矽油等消泡劑。為了獲得該效果，消泡劑之較佳之比例為約1 ppm以上；為了防止顯示不良，消泡劑之較佳之比例為1000 ppm以下。更佳之比例為約1 ppm～約500 ppm之範圍。
為了適合於聚合物穩定配向(polymer sustained alignment，PSA)模式之元件，於組成物中混合可聚合之化合物。可聚合之化合物之較佳之例為具有丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙烯基氧基、丙烯基醚、環氧基(環氧乙烷、環氧丙烷)、乙烯基酮等可聚合之基的化合物。特佳之例為丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯之衍生物。為了獲得該效果，可聚合之化合物之較佳之比例為約0.05 wt%以上；為了防止顯示不良，可聚合之化合物之較佳之比例為約10 wt%以下。更佳之比例為約0.1 wt%～2 wt%之範圍。可聚合之化合物較佳的是於光聚合起始劑等適當之起始劑之存在下藉由UV照射等而聚合。用以聚合之適當之條件、起始劑之適當之類型及適當之量對於本領域技術人員而言為已知的，於文獻中有所記載。例如作為光聚合起始劑之Irgacure651(註冊商標)、Irgacure184(註冊商標)或Darocure1173(註冊商標)(Ciba Japan K.K.)對於自由基聚合而言較為適當。光聚合起始劑之較佳比例為可聚合之化合物的約0.1 wt%～約5 wt%之範圍，特佳之比例為約1 wt%～約3 wt%之範圍。
第七，說明成分化合物之合成法。該些化合物可藉由已知之方法而合成。對合成法加以例示。化合物(1-1-1)可藉由日本專利特表2006-503130號公報中揭示之方法而合成。化合物(2-5-1)可藉由日本專利特開2000-008040號公報中揭示之方法而合成。化合物(3-1-1)可藉由日本專利特開昭59-176221號公報中揭示之方法而合成。化合物(4-1-1-1)可藉由日本專利特表平2-503441號公報中記載之方法而合成。抗氧化劑有所市售。式(6)之w為1之化合物可自Aldrich公司(Sigma-Aldrich Corporation)而獲得。w為7之化合物(6)等可藉由美國專利3660505號說明書中記載之方法而合成。
未記載合成法之化合物可藉由有機合成(Organic Syntheses,John Wiley & Sons,Inc)、有機反應(Organic Reactions,John Wiley & Sons,Inc)、綜合有機合成(Comprehensive Organic Synthesis,Pergamon Press)、新實驗化學講座(丸善)等書籍中記載之方法而合成。組成物可由如此而所得之化合物，藉由公知之方法而調製。例如，將成分化合物加以混合，繼而藉由加熱使其相互溶解。
最後，說明組成物之用途。大部分組成物具有約-10℃以下之下限溫度、約70℃以上之上限溫度，且具有約0.07～約0.20之範圍之光學異向性。含有該組成物之元件具有大的電壓保持率。該組成物適於AM元件。該組成物特別適於穿透型之AM元件。藉由控制成分化合物之比例或者藉由混合其他液晶性化合物，可調製具有約0.08～約0.25之範圍之光學異向性之組成物。該組成物可作為具有向列相之組成物而使用，藉由添加光學活性化合物而作為光學活性組成物而使用。
該組成物可使用於AM元件中。另外亦可使用於PM元件中。該組成物可使用於具有PC、TN、STN、ECB、OCB、IPS、VA、PSA等模式之AM元件及PM元件中。特佳的是使用於具有IPS或VA模式之AM元件中。該些元件可為反射型、穿透型或半穿透型。較佳的是使用於穿透型之元件中。亦可使用於非晶矽-TFT元件或多晶矽-TFT元件中。亦可使用於將該組成物微膠囊化而製作之NCAP(nematic curvilinear aligned phase)型元件、或者於組成物中形成三維網狀高分子的PD(polymer dispersed)型元件中。
[實例]
為了評價組成物及組成物中所含有之化合物，將組成物及該化合物作為測定目標物。測定目標物為組成物時直接進行測定，記載所得之值。測定目標物為化合物時，藉由將該化合物(15 wt%)混合於母液晶(85 wt%)中而調製測定用試樣。自測定所得之值，藉由外推法而算出化合物之特性值。(外推值)={(測定用試樣之測定值)-0.85×(母液晶之測定值)}/0.15。於該比例下，於25℃下析出層列相(或結晶)時，將化合物與母液晶之比例順次變更為10 wt%：90 wt%、5 wt%：95 wt%、1 wt%：99 wt%。藉由該外推法求出與化合物相關之上限溫度、光學異向性、黏度及介電異向性之值。
母液晶之組成如下所示。
依照下述方法進行物性之測定。該些測定方法多為日本電子機械工業會規格(Standard of Electric Industries Association of Japan)EIAJ‧ED-2521A中記載之方法或者對其進行修改而成之方法。
向列相之上限溫度(NI；℃)：於具有偏光顯微鏡之熔點測定裝置的加熱板上放置試樣，以1℃/min之速度進行加熱。測定試樣之一部分自向列相變化為等向性液體時之溫度。有時將向列相之上限溫度簡稱為「上限溫度」。
向列相之下限溫度(TC ；℃)：將具有向列相之試樣放入至玻璃瓶中，於0℃、-10℃、-20℃、-30℃及-40℃之製冷器中保管10日後，觀察液晶相。例如，試樣於-20℃下為向列相，於-30℃下變化為結晶或層列相時，將TC 記載為≦-20℃。有時將向列相之下限溫度簡稱為「下限溫度」。
黏度(整體黏度；η；於20℃下測定；mPa‧s)：測定中使用E型旋轉黏度計。
光學異向性(折射率異向性；Δn；於25℃下測定)：使用波長為589 nm之光，藉由於接目鏡上安裝了偏光板的阿貝折射計進行測定。於一個方向對主稜鏡之表面進行摩擦(rubbing)後，將試樣滴加至主稜鏡上。於偏光方向與摩擦方向平行時測定折射率n∥。於偏光方向與摩擦方向垂直時測定折射率n⊥。根據Δn=n∥-n⊥之式計算出光學異向性之值。
介電異向性(Δε；於25℃下測定)：根據Δε=ε∥-ε⊥之式計算出介電異向性之值。介電常數(ε∥及ε⊥)以如下方式進行測定。
1)介電常數(ε∥)之測定：於經充分清洗之玻璃基板上塗佈十八烷基三乙氧基矽烷(0.16 mL)之乙醇(20 mL)溶液。藉由旋轉器使玻璃基板旋轉後，於150℃下加熱1小時。於2枚玻璃基板之間隔(單元間隙)為4 μm之VA元件中放入試樣，以可藉由紫外線而硬化之接著劑密封該元件。對該元件施加正弦波(0.5 V、1 kHz)，於2秒後測定液晶分子之長軸方向之介電常數(ε∥)。
2)介電常數(ε⊥)之測定：於經充分清洗之玻璃基板上塗佈聚醯亞胺溶液。對該玻璃基板進行煅燒後，對所得之配向膜進行摩擦處理。於2枚玻璃基板之間隔(單元間隙)為9 μm、扭轉角為80度之TN元件中放入試樣。對該元件施加正弦波(0.5 V、1 kHz)，於2秒後測定液晶分子之短軸方向之介電常數(ε⊥)。
臨界電壓(Vth；於25℃下測定；V)：測定使用大塚電子股份有限公司製造之LCD5100型輝度計。光源為鹵素燈。於2枚玻璃基板之間隔(單元間隙)為4 μm、摩擦方向為反平行之常黑模式(normally black mode)VA元件中放入試樣，使用可藉由紫外線而硬化之接著劑而密封該元件。使對該元件所施加之電壓(60 Hz、矩形波)自0V每次0.02 V階段性地增加至20 V。此時，自垂直方向對元件照射光，測定穿透元件之光量。製作該光量為最大時穿透率為100%、該光量為最小時穿透率為0%之電壓-穿透率曲線。臨界電壓為穿透率成為10%時之電壓。
電壓保持率(VHR-1；25℃；%)：測定中所使用之TN元件具有聚醯亞胺配向膜，且2枚玻璃基板之間隔(單元間隙)為5 μm。該元件於放入試樣後以可藉由紫外線而聚合之接著劑加以密封。對該TN元件施加脈衝電壓(5 V、60微秒)而進行充電。用高速電壓計於16.7毫秒之間測定衰減之電壓，求出單位週期之電壓曲線與橫軸間的面積A。面積B為未衰減時之面積。電壓保持率為面積A相對於面積B之百分率。
電壓保持率(VHR-2；80℃；%)：測定中所使用之TN元件具有聚醯亞胺配向膜，且2枚玻璃基板之間隔(單元間隙)為5 μm。該元件於放入試樣後以可藉由紫外線而聚合之接著劑加以密封。對該TN元件施加脈衝電壓(5 V、60微秒)而進行充電。用高速電壓計於16.7毫秒時測定衰減之電壓，求出單位週期之電壓曲線與橫軸間的面積A。面積B為未衰減時之面積。電壓保持率為面積A相對於面積B之百分率。
電壓保持率(VHR-3；25℃；%)：照射紫外線後，測定電壓保持率，評價對於紫外線之穩定性。測定中所使用之TN元件具有聚醯亞胺配向膜，且單元間隙為5 μm。於該元件中注入試樣，以光照射20分鐘。光源為超高壓水銀燈USH-500D(Ushio電機製造)，元件與光源之間隔為20 cm。於VHR-3之測定中，於16.7毫秒時測定衰減之電壓。具有大的VHR-3的組成物對於紫外線具有大的穩定性。VHR-3較佳的是90%以上，更佳的是95%以上。
電壓保持率(VHR-4；25℃；%)：將注入了試樣之TN元件於80℃之恆溫槽內加熱500小時後，測定電壓保持率，評價對於熱之穩定性。於VHR-4之測定中，測定16.7毫秒時之衰減之電壓。具有大的VHR-4的組成物對於熱具有大的穩定性。
響應時間(τ；於25℃下測定；ms)：測定中使用大塚電子股份有限公司製造之LCD5100型輝度計。光源為鹵素燈。低通濾波器(Low-pass filter)設定為5 kHz。於2枚玻璃基板之間隔(單元間隙)為4 μm、摩擦方向為反平行之常黑模式(normally black mode)之VA元件中放入試樣，使用可藉由紫外線而硬化之接著劑密封該元件。對該元件施加矩形波(60 Hz、10 V、0.5秒)。此時，自垂直方向對元件照射光，測定穿透元件之光量。該光量為最大時穿透率為100%，該光量為最小時穿透率為0%。響應時間是穿透率自90%變化為10%而所需要的時間(下降時間；fall time；毫秒)。
比電阻(ρ；於25℃下測定；Ωcm)：於具有電極之容器中注入試樣1.0 mL。對該容器施加直流電壓(10 V)，測定10秒後之直流電流。根據下式算出比電阻。(比電阻)={(電壓)×(容器之電容)}/{(直流電流)×(真空之介電常數)}。
氣相層析分析：測定中使用島津製作所製造之GC-14B型氣相層析儀。載體氣體為氦(2 mL/min)。將試樣氣化室設定為280℃，將偵測器(FID)設定為300℃。於成分化合物之分離中使用Agilent Technologies Inc.製造之毛細管柱DB-1(長度為30 m、內徑為0.32 mm、膜厚為0.25 μm；固定液相為二甲基聚矽氧烷，無極性)。該管柱於200℃下保持2分鐘後，以5℃/min之比例升溫至280℃。將試樣調製為丙酮溶液(0.1 wt%)後，將其1 μL注入至試樣氣化室中。紀錄器使用島津製作所製造之C-R5A型Chromatopac或其同等品。所得之氣相層析圖中顯示與成分化合物對應之峰值之保持時間及峰值之面積。
用以稀釋試樣之溶劑亦可使用氯仿、己烷。為了分離成分化合物，亦可使用如下之毛細管柱。Agilent Technologies Inc.製造之HP-1(長度為30 m、內徑為0.32 mm、膜厚為0.25 μm)、Restek Corporation製造之Rtx-1(長度為30 m、內徑為0.32 mm、膜厚為0.25 μm)、SGE International Pty. Ltd製造之BP-1(長度為30 m、內徑為0.32 mm、膜厚為0.25 μm)。為了防止化合物峰值之重疊，亦可使用島津製作所製造之毛細管柱CBP1-M50-025(長度為50 m、內徑為0.25 mm、膜厚為0.25 μm)。
組成物中所含有之液晶性化合物之比例可藉由如下之方法而算出。液晶性化合物可藉由氣相層析儀而檢測出。氣相層析圖中之峰值之面積比相當於液晶性化合物之比例(莫耳數)。於使用如上所述之毛細管柱時，將各液晶性化合物之校正係數視為1。因此，液晶性化合物之比例(重量百分比)可根據峰值之面積比而算出。
藉由實例對本發明加以詳細之說明。本發明並不受下述實例限定。比較例及實例中之化合物基於下述表3之定義以記號進行表示。於表3中，與1,4-伸環己基相關之立體構型為反式。於實例中，於記號後之括號內的編號與較佳化合物之編號對應。記號(-)表示其他液晶性化合物。液晶性化合物之比例(百分率)是基於液晶組成物之總重量的重量百分率(wt%)，液晶組成物中包含其他雜質。最後，彙總組成物之特性值。
[比較例1]
自國際公開2009/034867說明書中揭示之組成物中選擇組成物例7。其根據是：該組成物含有化合物(1-1-1)、化合物(3)、化合物(3-4-1)、化合物(4-1)、化合物(4-1-2-1)及化合物(4-1-4-1)，且介電異向性之絕對值最大。該組成物之成分及特性如下所述。
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　5%
3-HHB-3　(3-4-1)　5%
2-H2H-3　(3)　15%
3-H2H-V　(3)　5%
3-H2B(2F,3F)-O2　(4-1-2-1)　20%
5-H2B(2F,3F)-O2　(4-1-2-1)　15%
3-HH2B(2F,3F)-O2　(4-1-4-1)　10%
5-HH2B(2F,3F)-O2　(4-1-4-1)　10%
5-BBEB(2F,3F)B-3　(4-1)　5%
5-HEB(2F,3F)HH-3　(4-1)　5%
5-BEB(2F,3F)HH-3　(4-1)　5%
NI=84.9℃；Tc≦-20℃；Δn=0.096；Δε=-3.5。
[比較例2]
自日本專利特開2009-035630號公報中揭示之組成物中選擇實例4。
其根據是：該組成物含有化合物(1-1-1)、化合物(1-2-1)、化合物(3-1-1)、化合物(3-2-1)、化合物(3-3-1)、化合物(3-11-1)、化合物(4-1-2-1)、化合物(4-1-4-1)及化合物(4-1-5-1)。該組成物之成分及特性如下所述。
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　3%
3-BB(3F,6F)B-2　(1-2-1)　3%
V2-BB(3F)B-1　(-)　3%
3-HH-V　(3-1-1)　20%
3-HB-O2　(3-2-1)　5%
V2-BB-1　(3-3-1)　5%
5-HBB(3F)B-3　(3-11-1)　5%
3-H2B(2F,3F)-O2　(4-1-2-1)　9%
5-H2B(2F,3F)-O2　(4-1-2-1)　5%
3-HH2B(2F,3F)-O2　(4-1-4-1)　5%
2-HBB(2F,3F)-O2　(4-1-5-1)　5%
3-HBB(2F,3F)-O2　(4-1-5-1)　7%
3-Ch2B(2F,3F)-O2　(-)　5%
3-Ch1OB(2F,3F)-O2　(-)　5%
3-ChEB(2F,3F)-O2　(-)　5%
3-HChB(2F,3F)-O2　(-)　5%
3-HChEB(2F,3F)-O2　(-)　5%
NI=78.9℃；Tc≦-20℃；Δn=0.118；η=17.5 mPa‧s；Δε=-2.9。
[比較例3]
自日本專利特開2008-088164號公報中揭示之組成物中選擇實例20。
其根據是：該組成物含有化合物(1-1-1)、化合物(3-5-1)、化合物(3-7-1)、化合物(3-11-1)及化合物(4-1)，且介電異向性之絕對值最大。該組成物之成分及特性如下所述。
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　5%
2-BB(3F)B-3　(-)　5%
3-HBB-2　(3-5-1)　10%
3-HHEBH-5　(3-7-1)　7%
5-HBB(3F)B-2　(3-11-1)　5%
3-HB(2CL,3F)-O2　(4-1)　7%
5-HB(2CL,3F)-O2　(4-1)　7%
3-HBB(2CL,3F)-O2　(4-1)　7%
3-HHB(2CL,3F)-O2　(4-1)　5%
3-ChB(2F,3CL)-O2　(-)　10%
3-ChB(2CL,3F)-O2　(-)　10%
5-HChB(2F,3CL)-O2　(-)　7%
3-HChB(2CL,3F)-O2　(-)　5%
3-ChBB(2F,3CL)-O2　(-)　5%
5-ChBB(2CL,3F)-O2　(-)　5%
NI=99.6℃；Δn=0.136；η=48.3 mPa‧s；Δε=-3.5。
[比較例4]
自日本專利特開2008-038109號公報中揭示之組成物中選擇實例13。
其根據是：該組成物含有化合物(1-1-1)、化合物(1-2-1)、化合物(4-1-1-1)及化合物(4-1-3-1)。該組成物之成分及特性如下所述。
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　4%
5-BBB(2F)-2　(1-1-1)　4%
2-BB(3F,6F)B-2　(1-2-1)　4%
2-BB(3F,6F)B-3　(1-2-1)　4%
3-HB(2F,3F)-O2　(4-1-1-1)　14%
5-HB(2F,3F)-O2　(4-1-1-1)　14%
3-HHB(2F,3F)-O2　(4-1-3-1)　11%
5-HHB(2F,3F)-O2　(4-1-3-1)　11%
2-HHB(2F,3F)-1　(4-1-3-1)　10%
3-HHB(2F,3F)-1　(4-1-3-1)　10%
3-HVdh-3　(-)　14%
NI=84.8℃；Tc≦-30℃；Δn=0.113；η=30.2 mPa‧s；Δε=-3.6；Vth=2.20 V。
[比較例5]
自國際公開2007/108307說明書中揭示之組成物中選擇實例17。
其根據是：該組成物含有化合物(1-1-1)、化合物(1-2-1)、化合物(3-1-1)、化合物(3-2-1)、化合物(4-1)、化合物(4-1-6-1)及化合物(4-1-7-1)，且黏度最小。該組成物之成分及特性如下所述。
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　4%
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　3%
2-BB(3F,6F)B-2　(1-2-1)　3%
3-BB(3F,6F)B-3　(1-2-1)　3%
2-BB(3F)B-3　(-)　8%
3-HH-4　(3-1-1)　10%
3-HB-O2　(3-2-1)　5%
3-HHB(2F,3CL)-O2　(4-1-6-1)　5%
5-HHB(2F,3CL)-O2　(4-1-6-1)　5%
3-HB(2F,3CL)-O2　(4-1)　10%
5-HB(2F,3CL)-O2　(4-1)　10%
3-BB(2F,3CL)-O2　(4-1)　10%
3-HBB(2CL,3F)-O2　(4-1)　8%
3-HBB(2F,3CL)-O2　(4-1-7-1)　8%
5-HBB(2F,3CL)-O2　(4-1-7-1)　8%
NI=81.8℃；Tc≦-20℃；Δn=0.141；Δε=-3.1。
[實例1]
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　3%
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　5%
5-BBB(2F)-2　(1-1-1)　6%
1-BBB(2F)-2V　(1-1-1)　7%
3-BBB(2F)-2V　(1-1-1)　5%
V2-BBB(2F)-1　(1-1-1)　3%
V2-BBB(2F)-2　(1-1-1)　3%
V2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　3%
2-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　5%
3-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　5%
5-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　8%
8-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　5%
3-HH1OB(2F,3F)-O2　(2-5-1)　5%
3-HH1OB(2F,3F)-1　(2-5-1)　8%
3-HH1OB(2F,3F)-2　(2-5-1)　8%
5-DhH2B(2F,3F)-O2　(2-8-1)　8%
5-DhH1OB(2F,3F)-O2　(2-9-1)　8%
3-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　5%
NI=97.1℃；Tc≦-20℃；Δn=0.155；η=39.0 mPa‧s；Δε=-4.0；VHR-1=99.3%；VHR-2=98.2%；VHR-3=98.1%。
[實例2]
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　5%
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　5%
5-BBB(2F)-2　(1-1-1)　5%
1-BBB(2F)-2V　(1-1-1)　6%
3-BBB(2F)-2V　(1-1-1)　7%
V2-BBB(2F)-1　(1-1-1)　7%
V2-BBB(2F)-2　(1-1-1)　5%
V2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　5%
3-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　10%
5-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　10%
V-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　8%
V-DhH1OB(2F,3F)-O2　(2-9-1)　6%
3-DhH1OB(2F,3F)-O2　(2-9-1)　8%
5-DhH1OB(2F,3F)-O2　(2-9-1)　8%
3-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　5%
NI=92.1℃；Tc≦-20℃；Δn=0.171；η=37.8 mPa‧s；Δε=-4.0；VHR-1=99.5%；VHR-2=98.5%；VHR-3=98.1%。
[實例3]
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　5%
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　5%
5-BBB(2F)-2　(1-1-1)　7%
1-BBB(2F)-2V　(1-1-1)　8%
V2-BBB(2F)-2　(1-1-1)　5%
V2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　5%
5-BB(3F,6F)B-5　(1-2-1)　7%
5-BB(3F,6F)B-O6　(1-2-1)　7%
3-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　8%
5-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　10%
8-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　10%
3-HH1OB(2F,3F)-O2　(2-5-1)　3%
5-HH1OB(2F,3F)-O2　(2-5-1)　7%
3-DhHB(2F,3F)-O2　(2-6-1)　5%
5-DhH1OB(2F,3F)-O2　(2-9-1)　8%
NI=94.5℃；Tc≦-20℃；Δn=0.169；η=38.7 mPa‧s；Δε=-4.0；VHR-1=99.6%；VHR-2=98.1%；VHR-3=98.0%。
[實例4]
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　5%
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　5%
5-BBB(2F)-2　(1-1-1)　7%
1-BBB(2F)-2V　(1-1-1)　5%
1-BBB(2F)-2V1　(1-1-1)　7%
V2-BBB(2F)-2　(1-1-1)　4%
V2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　4%
5-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　8%
8-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　8%
V-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　7%
5-HH1OB(2F,3F)-O2　(2-5-1)　8%
1V2-HDhB(2F,3F)-O2　(2-7-1)　7%
3-DhH1OB(2F,3F)-O2　(2-9-1)　8%
5-DhH1OB(2F,3F)-O2　(2-9-1)　8%
3-HH-V　(3-1-1)　5%
3-HH-V1　(3-1-1)　4%
NI=96.7℃；Tc≦-20℃；Δn=0.156；η=34.8 mPa‧s；Δε=-4.0。
[實例5]
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　3%
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　5%
1-BBB(2F)-2V　(1-1-1)　5%
1-BBB(2F)-2V1　(1-1-1)　5%
V2-BBB(2F)-1　(1-1-1)　5%
V2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　5%
3-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　5%
5-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　8%
8-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　8%
V-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　5%
3-Dh2B(2F,3F)-O4　(2-3-1)　5%
3-HH1OB(2F,3F)-O2　(2-5-1)　5%
5-HH1OB(2F,3F)-O2　(2-5-1)　3%
V2-HDhB(2F,3F)-O2　(2-7-1)　5%
3-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　8%
5-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　5%
3-HB-O2　(3-2-1)　5%
1V-HBB-2　(3-5-1)　7%
1O1-HBBH-4　(-)　3%
NI=96.3℃；Tc≦-20℃；Δn=0.160；η=38.2 mPa‧s；Δε=-4.0。
[實例6]
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　5%
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　5%
1-BBB(2F)-2V　(1-1-1)　4%
3-BBB(2F)-2V　(1-1-1)　5%
1-BB(3F,6F)B-2V　(1-2-1)　5%
2-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　6%
3-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　6%
V-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　5%
5-Dh2B(2F,3F)-O2　(2-3-1)　5%
3-HH1OB(2F,3F)-O3V　(2-5-1)　5%
3-DhHB(2F,3F)-O2　(2-6-1)　3%
1V2-HDhB(2F,3F)-O2　(2-7-1)　5%
3-DhH1OB(2F,3F)-O2　(2-9-1)　5%
3-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　8%
5-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　8%
3-HB-O1　(3-2-1)　5%
V2-BB-1　(3-3-1)　5%
3-HHB-O1　(3-4-1)　5%
5-HBB(3F)B-3　(3-11-1)　5%
NI=92.1℃；Tc≦-20℃；Δn=0.155；η=37.5 mPa‧s；Δε=-4.1。
[實例7]
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　3%
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　3%
1-BBB(2F)-2V1　(1-1-1)　3%
V2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　6%
2-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　3%
3-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　5%
V-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　7%
1V2-HDhB(2F,3F)-O2　(2-7-1)　4%
V-DhH1OB(2F,3F)-O2　(2-9-1)　3%
3-DhH1OB(2F,3F)-O2　(2-9-1)　5%
3-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　4%
5-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　5%
3-HH-V　(3-1-1)　8%
V2-BB-1　(3-3-1)　5%
1V-HBB-2　(3-5-1)　3%
3-HHEBH-3　(3-7-1)　3%
5-HBB(3F)B-3　(3-11-1)　3%
5-H2B(2F,3F)-O2　(4-1-2-1)　5%
5-HHB(2F,3F)-O2　(4-1-3-1)　5%
3-HBB(2F,3F)-O2　(4-1-5-1)　4%
1V2-HBB(2F,3F)-O2　(4-1-5-1)　5%
5-HHB(2F,3CL)-O2　(4-1-6-1)　3%
2-BB(2F,3F)B-4　(-)　5%
NI=102.3℃；Tc≦-20℃；Δn=0.151；η=34.3 mPa‧s；Δε=-4.1。
[實例8]
5-BB(3F,6F)B-5　(1-2-1)　10%
V2-BB(3F,6F)B-2V　(1-2-1)　3%
V-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　9%
3-HH1OB(2F,3F)-1　(2-5-1)　3%
1V2-HDhB(2F,3F)-O2　(2-7-1)　3%
5-DhH2B(2F,3F)-O2　(2-8-1)　3%
3-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　10%
5-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　10%
3-HB-O1　(3-2-1)　3%
V2-BB-1　(3-3-1)　10%
V-HHB-1　(3-4-1)　3%
1V-HBB-2　(3-5-1)　3%
3-HHEH-4　(3-6-1)　3%
3-HBBH-3　(3-8-1)　3%
V-HB(2F,3F)-O2　(4-1-1-1)　5%
3-HBB(2F,3F)-O2　(4-1-5-1)　6%
3-HBB(2F,3CL)-O2　(4-1-7-1)　3%
3-HH1OB(2F,3F,6Me)-O2　(4-1-9-1)　5%
2-BB(2F,3F)B-4　(-)　5%
NI=93.7℃；Tc≦-20℃；Δn=0.152；η=37.9 mPa‧s；Δε=-4.0。
[實例9]
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　5%
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　5%
5-BBB(2F)-2　(1-1-1)　4%
V2-BBB(2F)-1　(1-1-1)　3%
V2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　7%
3-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　7%
V-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　8%
5-DhB(2F,3F)-O2　(2-2-1)　3%
5-Dh1OB(2F,3F)-O2　(2-4-1)　3%
3-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　4%
5-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　8%
5-HB-O2　(3-2-1)　3%
V2-BB-1　(3-3-1)　7%
3-HBB-2　(3-5-1)　5%
3-HHEBH-3　(3-7-1)　5%
5-HB(2F,3F)-O2　(4-1-1-1)　5%
1V2-HHB(2F,3F)-O2　(4-1-3-1)　3%
3-HBB(2F,3F)-O2　(4-1-5-1)　3%
1V2-HBB(2F,3F)-O2　(4-1-5-1)　3%
4O-Cro(7F,8F)H-3　(4-2)　3%
3-HH2Cro(7F,8F)-5　(4-2-3-1)　3%
3-HH1OCro(7F,8F)-5　(4-2-4-1)　3%
NI=92.6℃；Tc≦-20℃；Δn=0.155；η=36.5 mPa‧s；Δε=-4.0。
[實例10]
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　5%
5-BBB(2F)-2　(1-1-1)　4%
1-BBB(2F)-2V　(1-1-1)　3%
3-BBB(2F)-2V　(1-1-1)　5%
V2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　6%
3-H1OB(2F,3F)-O2　(2-1-1)　10%
3-Dh2B(2F,3F)-O4　(2-3-1)　5%
5-DhH1OB(2F,3F)-O2　(2-9-1)　6%
3-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　5%
5-dhBB(2F,3F)-O2　(2-10-1)　4%
V2-BB-1　(3-3-1)　9%
1V-HBB-2　(3-5-1)　4%
3-HB(3F)HH-5　(3-9-1)　3%
3-HB(3F)BH-3　(3-10-1)　3%
V-HB(2F,3F)-O2　(4-1-1-1)　3%
5-H2B(2F,3F)-O2　(4-1-2-1)　3%
5-HH2B(2F,3F)-O2　(4-1-4-1)　3%
5-HBB(2F,3F)-O2　(4-1-5-1)　6%
3-HH2B(2F,3F,6Me)-O2　(4-1-8-1)　4%
3-H2Cro(7F,8F)-5　(4-2-1-1)　3%
3-H1OCro(7F,8F)-5　(4-2-2-1)　3%
5-HB1OCro(7F,8F)-5　(4-2-5-1)　3%
NI=93.2℃；Tc≦-20℃；Δn=0.154；η=38.3 mPa‧s；Δε=-3.9。
[實例11]
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　7%
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　7%
5-BBB(2F)-2　(1-1-1)　5%
1-BBB(2F)-2V1　(1-1-1)　5%
V2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　3%
3-HH1OB(2F,3F)-O2　(2-5-1)　10%
5-HH1OB(2F,3F)-O2　(2-5-1)　15%
3-dhBB(2F,3F)-O2　(2)　5%
2-HH-3　(3-1-1)　10%
3-HH-5　(3-1-1)　5%
V-HB(2F,3F)-O2　(4-1-1-1)　7%
2-HHB(2F,3F)-O2　(4-1-3-1)　11%
5-HHB(2F,3F)-O2　(4-1-3-1)　5%
2-BB(2F,3F)B-4　(-)　5%
NI=113.7℃；Δn=0.148；η=29.0 mPa‧s；Δε=-3.8。
[實例12]
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　7%
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　5%
5-BBB(2F)-2　(1-1-1)　5%
3-HH1OB(2F,3F)-O2　(2-5-1)　8%
3-HH1OB(2F,3F)-O3V　(2-5-1)　12%
2-HH-3　(3-1-1)　15%
3-HH-5　(3-1-1)　5%
2-HHB(2F,3F)-O2　(4-1-3-1)　5%
2-HBB(2F,3F)-O2　(4-1-5-1)　10%
3-HBB(2F,3F)-O2　(4-1-5-1)　8%
5-HBB(2F,3F)-O2　(4-1-5-1)　8%
V-HBB(2F,3F)-O2　(4-1-5-1)　12%
NI=115.7℃；Tc≦-20℃；Δn=0.147；η=31.2 mPa‧s；Δε=-4.1。
[實例13]
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　5%
3-BBB(2F)-5　(1-1-1)　5%
5-BBB(2F)-2　(1-1-1)　5%
V2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　3%
3-HH1OB(2F,3F)-O2　(2-5-1)　10%
5-HH1OB(2F,3F)-O2　(2-5-1)　10%
3-HB(2F,3F)-O2　(2-11-1)　5%
V-HB(2F,3F)-O2　(2-11-1)　5%
2-HHB(2F,3F)-O2　(2-13-1)　5%
3-HBB(2F,3F)-O2　(2-15-1)　7%
5-HBB(2F,3F)-O2　(2-15-1)　7%
1V2-HBB(2F,3F)-O2　(2-15-1)　5%
2-HH-3　(3-1-1)　7%
5-HB-O2　(3-2-1)　3%
V2-BB-1　(3-3-1)　6%
3-HHB-1　(3-4-1)　5%
3-dhBB(2F,3F)-O2　(2)　7%
NI=110.9℃；Δn=0.150；η=29.6 mPa‧s；Δε=-4.1。
[實例14]
2-BBB(2F)-3　(1-1-1)　5%
2-BBB(2F)-5　(1-1-1)　5%
3-BBB(2F)-5　(1-1-1)　5%
3-HH1OB(2F,3F)-O2　(2-5-1)　8%
5-HH1OB(2F,3F)-O2　(2-5-1)　8%
5-H2B(2F,3F)-O2　(2-12-1)　8%
5-HHB(2F,3F)-O2　(2-13-1)　5%
3-HBB(2F,3F)-O2　(2-15-1)　7%
5-HBB(2F,3F)-O2　(2-15-1)　7%
1V2-HBB(2F,3F)-O2　(2-15-1)　7%
2-HH-3　(3-1-1)　5%
3-HH-V　(3-1-1)　5%
3-HB-O2　(3-2-1)　5%
V2-BB-1　(3-3-1)　5%
3-HHB-O1　(3-4-1)　5%
3-dhBB(2F,3F)-O2　(2)　5%
5-dhBB(2F,3F)-O2　(2)　5%
NI=115.5℃；Tc≦-20℃；Δn=0.148；η=29.4 mPa‧s；Δε=-4.0。
實例1～實例14之組成物與比較例1～比較例5相比具有較大的介電異向性以及較大的光學異向性。因此，本發明之液晶組成物具有較專利文獻1～專利文獻5中所示之液晶組成物更優異之特性。
[產業上之可利用性]
本發明之液晶組成物在向列相之上限溫度高、向列相之下限溫度低、黏度小、光學異向性適當、負介電異向性大、比電阻大、對紫外線穩定性高、對熱穩定性高等特性中滿足至少一種，或在至少兩種特性間具有適當之平衡。含有此種組成物之液晶顯示元件成為響應時間短、電壓保持率大、對比度大、壽命長等特性之AM元件，因此可用於液晶投影機、液晶電視等中。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (14)

  1. 一種液晶組成物，所述液晶組成物具有負介電異向性且含有作為第一成分的選自以式(1-1)及式(1-2)所表示之化合物之群組的至少一種化合物、以及作為第二成分的選自以式(2-1)或式(2-5)所表示之化合物之群組的至少一種化合物，基於液晶組成物之總重量，第一成分之比例為5wt%~95wt%之範圍， 此處，R1 、R2 、R3 及R4 獨立為碳數為1~12之烷基、碳數為1~12之烷氧基、碳數為2~12之烯氧基、碳數為2~12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2~12之烯基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中，第一成分是選自式(1-1)所表示之化合物之群組的至少一種化合物。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中，基於液晶組成物之總重量，第一成分之比例為10wt%~60 wt%之範圍，且第二成分之比例為10wt%~90wt%之範圍。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其更含有作為第三成分的選自以式(3)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 此處，R5 及R6 獨立為碳數為1~12之烷基、碳數為1~12之烷氧基、碳數為2~12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2~12之烯基；環B、環C及環D獨立為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、或3-氟-1,4-伸苯基；Z2 及Z3 獨立為單鍵、伸乙基、亞甲基氧基、或羰氧基；p為0、1或2；於p為1時，環B、環C及環D獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之液晶組成物，其中，第三成分是選自式(3-1)~式(3-11)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 此處，R5 及R6 獨立為碳數為1~12之烷基、碳數為1~12之烷氧基、碳數為2~12之烯基、或任意之氫經氟取代之碳數為2~12之烯基。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之液晶組成物，其中，基於液晶組成物之總重量，第三成分之比例為5wt%~60 wt%之範圍。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其更含有作為第四成分的選自式(4-1)及式(4-2)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 此處，R7 及R8 獨立為碳數為1~12之烷基、碳數為1~12之烷氧基、碳數為2~12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2~12之烯基；環E、環F及環G獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基；Z4 為單鍵、伸乙基、或羰氧基；Z5 及Z6 獨立為單鍵、伸乙基、亞甲基氧基、或羰氧基；X4 及X5 為氟或氯；Y1 為氫或甲基；q為1、2或3；r及s獨立為0、1、2或3，且r與s之和為3以下。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之液晶組成物，其中，第四成分是選自式(4-1-1)~式(4-1-9)、及式(4-2-1)~式(4-2-5)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 此處，R7 及R8 獨立為碳數為1~12之烷基、碳數為1~12之烷氧基、碳數為2~12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2~12之烯基。
  9. 如申請專利範圍第4項所述之液晶組成物，其更含有作為第四成分的選自式(4-1)及式(4-2)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 此處，R7 及R8 獨立為碳數為1~12之烷基、碳數為1~12之烷氧基、碳數為2~12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2~12之烯基；環E、環F及環G獨立為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基；Z4 為單鍵、伸乙基、或羰氧基；Z5 及Z6 獨立為單鍵、伸乙基、亞甲基氧基、或羰氧基；X4 及X5 為氟或氯；Y1 為氫或甲基；q為1、2或3；r及s獨立為0、1、2或3，且r與s之和為3以下。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之液晶組成物，其中，第四成分是選自式(4-1-1)~式(4-1-9)、及式(4-2-1)~式(4-2-5)所表示之化合物之群組的至少一種化合物， 此處，R7 及R8 獨立為碳數為1~12之烷基、碳數為1~12之烷氧基、碳數為2~12之烯基、或任意之氫被氟取代之碳數為2~12之烯基。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之液晶組成物，其中，基於液晶組成物之總重量，第四成分之比例為5wt%~50wt%之範圍。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之液晶組成物，其中，向列相之上限溫度為70℃以上，於波長589nm下之光學異向性於25℃下為0.08以上，且於頻率1kHz下之介電異向性於25℃下為-2以下。
  13. 一種液晶顯示元件，含有如申請專利範圍第1項 所述之液晶組成物。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之液晶顯示元件，其中，液晶顯示元件之運作模式為垂直配向模式、橫向電場切換模式、或聚合物穩定配向模式，液晶顯示元件之驅動方式為主動矩陣方式。
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