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TWI472003B - 顯示面板 - Google Patents

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TWI472003B
TWI472003B TW100129073A TW100129073A TWI472003B TW I472003 B TWI472003 B TW I472003B TW 100129073 A TW100129073 A TW 100129073A TW 100129073 A TW100129073 A TW 100129073A TW I472003 B TWI472003 B TW I472003B
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TW
Taiwan
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display panel
layer
connecting wire
dielectric layer
substrate
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TW100129073A
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English (en)
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TW201308557A (zh
Inventor
Yen Shih Huang
Chia Yuan Yeh
Bo Feng Lee
Ta Wei Chiu
Original Assignee
Au Optronics Corp
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Publication date
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Priority to CN201110342745.2A priority patent/CN102447075B/zh
Priority to US13/471,480 priority patent/US9070897B2/en
Publication of TW201308557A publication Critical patent/TW201308557A/zh
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
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    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

顯示面板
本發明係關於一種顯示面板,尤指一種具有由同一圖案化介電層形成之層間介電層與框膠底座之顯示面板。
一般而言,顯示面板主要包括一陣列基板、一上蓋基板、一發光陣列形成於陣列基板上,以及一框膠形成於陣列基板與上蓋基板之間,用以接合陣列基板與上蓋基板。在習知顯示面板中,框膠往往需要經由雷射照射加以固化以發揮黏著陣列基板與上蓋基板之作用。由於雷射照射會產生高溫,為了避免位於框膠下方之陣列基板的元件受到損傷,必須額外形成一層可耐高溫之材料層例如無機材料層作為框膠底座之用。然而,形成耐高溫之框膠底座會增加一道光罩製程,因此造成製作成本的增加,而不利於電激發光顯示面板的發展。
本發明之目的之一在於提供一種顯示面板,以減少製作成本並提升可靠度。
本發明之一較佳實施例提供一種顯示面板,包括一基板、至少一薄膜電晶體元件、一圖案化介電層、一圖案化金屬層以及至少一橋接導線。基板具有一顯示區與一周邊區。薄膜電晶體元件位於顯示區內。圖案化介電層包括一層間介電層位於顯示區內並位於薄膜電晶體元件上方,以及一框膠底座位於周邊區內並環繞顯示區。圖案化金屬層包括至少一訊號線位於顯示區內之層間介電層上方,以及至少一第一連接導線與至少一第二連接導線位於周邊區內。第一連接導線位於框膠底座面對顯示區之一內側並與訊號線電性連接,且第二連接導線位於框膠底座背對顯示區之一外側。橋接導線位於周邊區內,橋接導線至少位於框膠底座下方,且第一連接導線與第二連接導線係透過橋接導線彼此電性連接。
本發明之顯示面板利用框膠底座來作為框膠之承載平台。框膠底座與層間介電層由同一層圖案化介電層所構成,因此不會增加額外製程。此外,由於框膠底座之材料為可耐高溫之無機介電材料,因此框膠底座不會在框膠的雷射照射過程中受損。
為使熟習本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本發明,下文特列舉本發明之較佳實施例,並配合所附圖式,詳細說明本發明的構成內容及所欲達成之功效。
請參考第1圖與第2圖。第1圖繪示了本發明之第一較佳實施例之顯示面板之上視示意圖,第2圖繪示了本發明之第一較佳實施例之顯示面板之剖面示意圖。為了突顯本實施例之顯示面板之特徵,部分元件未繪示於第1圖或第2圖。如第1圖與第2圖所示,本實施例之顯示面板10包括一基板12、一上蓋基板14、複數條訊號線SL(signal line)、複數個薄膜電晶體元件16、至少一第一連接導線181、至少一第二連接導線182、至少一橋接導線20、一框膠底座22、一電路板24、一框膠26與複數個發光元件28。基板12可為例如一透明基板,其具有一顯示區12D,以及一周邊區12P環繞顯示區12D。上蓋基板14與基板12對向設置。在本實施例中,訊號線SL可包括複數條資料線DL與複數條電源線PL,設置於基板12之顯示區12D內,其中資料線DL與電源線PL可由同一圖案化金屬層構成並為交替設置。顯示面板10另包括複數條閘極線GL,閘極線GL可由另一圖案化金屬層所構成,且閘極線GL與資料線DL彼此交會而於顯示區12D內定義出複數個畫素區12S(如第2圖所示)。框膠底座22位於基板12之周邊區12P內並環繞顯示區12D。第一連接導線181與第二連接導線182設置於基板12之周邊區12P內,第一連接導線181位於框膠底座22面對顯示區12D之一內側並與訊號線SL電性連接。例如在本實施例中,第一連接導線181係與資料線DL電性連接,但不以此為限,第一連接導線181亦可與電源線PL電性連接。第二連接導線182位於框膠底座22背對顯示區12D之一外側,且第二連接導線182與電路板24上之驅動晶片(圖未示)電性連接。電路板24可為例如可撓式印刷電路板,但不以此為限。橋接導線20位於基板12之周邊區12P內,橋接導線20至少位於框膠底座22下方,且第一連接導線181與第二連接導線182係透過橋接導線20彼此電性連接。發光元件28係分別位於顯示區12D之各畫素區12S內。框膠底座22係設置於橋接導線20之表面上,而框膠26則係設置於框膠底座22上並與上蓋基板14接觸,用以黏合基板12與對向基板14,且框膠26並可阻絕環境中的水氣與氧氣侵入顯示面板10的內部,而增加顯示面板10的使用壽命。在本實施例中,框膠26可為例如玻璃膠(glass frit),其係為例如氧化矽與高分子材料之混合物。玻璃膠可利用雷射照射方式加以固化,在固化後其可有效阻絕水氣與氧氣並且發揮黏著性,但框膠26之材料並不以此為限。
本實施例之顯示面板10可為一電激發光顯示面板,例如一有機發光二極體顯示面板,但不以此為限。在本實施例中,框膠底座22係為一圖案化介電層30之一部分,且圖案化介電層30更包括一層間介電層32,位於顯示區12D內並位於薄膜電晶體元件16上方。圖案化介電層30較佳為可耐高溫之材料,例如氧化矽層、氮化矽層或氮氧化矽層等無機介電層,但不以此為限。顯示面板10之各畫素區12S內可設置有一開關薄膜電晶體元件162與一驅動薄膜電晶體元件161。開關薄膜電晶體元件162可為例如一N型薄膜電晶體元件,開關薄膜電晶體元件162包括一半導體通道層162C位於基板12上、兩個摻雜層162P位於基板12上並對應於半導體通道層162C之兩側、一閘極介電層17位於基板12、半導體通道層162C與摻雜層162P上、一閘極162G位於閘極介電層17上,以及兩個源/汲極162S,162D位於層間介電層32上並分別與摻雜層162P電性連接。此外,驅動薄膜電晶體元件161可為例如一P型薄膜電晶體元件,驅動薄膜電晶體元件161包括一半導體通道層161C位於基板12上、兩個摻雜層161P位於基板12上並對應於半導體通道層161C之兩側、閘極介電層17位於基板12、半導體通道層161C與摻雜層161P上、一閘極161G位於閘極介電層17上,以及兩個源/汲極161S,161D位於層間介電層32上並分別與摻雜層161P電性連接。開關薄膜電晶體元件162之閘極162G係與閘極線GL(第2圖未示)電性連接,源/汲極162S係與資料線DL之一端電性連接且資料線DL之另一端則與第一連接導線181電性連接,而源/汲極162D則係與驅動薄膜電晶體元件161之閘極161G電性連接。此外,驅動薄膜電晶體元件161之源/汲極161S與電源線PL(第2圖未示)電性連接,而源/汲極161D則與發光元件28電性連接。另外,源/汲極161D另可與一儲存電極15電性連接,而閘極161G可具有一延伸電極161E,且儲存電極15與延伸電極161E可形成一儲存電容。發光元件28可為一電激發光元件,例如一有機發光二極體元件,其包括一第一電極281、一發光層282與一第二電極283,其中第一電極281與源/汲極161D電性連接。在本實施例中,第一電極281係為一透明電極,例如一氧化銦錫(ITO)電極,且第一電極281係由一圖案化透明導電層27所構成。
另外,層間介電層32上可進一步設置至少一保護層,例如一第一保護層36與一第二保護層38。第一保護層36與第二保護層38之材質較佳可為有機材料,其可具有平坦化之效果。第一保護層36可具有一開口36A暴露出,藉此發光元件28之第一電極281可經由開口36A與源/汲極161D電性連接。第二保護層38係位於第一保護層36上,其具有開口38A暴露之第一電極281,藉此發光層282與第二電極283可設置於開口38A內並與第一電極281電性連接。另外,第二保護層38上可設置間隙物(spacer)40,其可使基板12與上蓋基板14之間維持固定的間隙。
在本實施例中,薄膜電晶體元件16(包括開關薄膜電晶體元件162與驅動薄膜電晶體元件161)係為頂閘型薄膜電晶體元件,但不以此為限。此外,資料線DL、電源線PL、源/汲極162S,162D、源/汲極161S,161D、第一連接導線181與第二連接導線182可由一圖案化金屬層18例如一第二金屬層(metal 2,M2)所構成,且圖案化金屬層18係位於層間介電層30上方。再者,閘極線GL、閘極162G、閘極161G與橋接導線20可由另一圖案化金屬層34例如一第一金屬層(metal 1,M1)所構成,且圖案化金屬層34係位於層間介電層32下方。
由上述可知,本實施例之顯示面板10利用框膠底座22來作為框膠26之承載平台。由於框膠底座22與層間介電層32由同一層膜層,亦即同一層圖案化介電層30所構成,因此不會增加額外製程。此外,由於框膠底座22之材料為可耐高溫之材料,例如無機介電材料,因此框膠底座22不會在框膠26的雷射照射過程中受損。另外,由於第一連接導線181與第二連接導線182係於框膠底座22之後形成,第一連接導線181與第二連接導線182並未設置於框膠底座22的表面,以避免雷射照射的高溫影響第一連接導線181與第二連接導線182的導電性。第一連接導線181與第二連接導線182的電性連接係透過設置於框膠底座22下方之橋接導線20加以達成,且橋接導線20、第一連接導線181與第二連接導線182係位於同一平面上。橋接導線20係與閘極線GL、閘極162G以及閘極161G由圖案化金屬層34所構成,因此亦不會增加額外製程。
本發明之顯示面板並不以上述實施例為限。下文將依序介紹本發明之其它較佳實施例之顯示面板,且為了便於比較各實施例之相異處並簡化說明,在下文之各實施例中使用相同的符號標注相同的元件,且主要針對各實施例之相異處進行說明,而不再對重覆部分進行贅述。
請參考第3圖,並請一併參考第1圖。第3圖繪示了本發明之第二較佳實施例之顯示面板之示意圖。如第3圖所示,不同於前述實施例,本實施例之顯示面板50之橋接導線20不是由圖案化金屬層所構成,而是與開關薄膜電晶體元件162之摻雜層162P以及驅動薄膜電晶體元件161之摻雜層161P由同一層圖案化摻雜層所構成。另外,本實施例之作法與前述實施例之作法亦可一併使用,亦即橋接導線20可為一複合層橋接導線,其可包括圖案化摻雜層與圖案化金屬層堆疊而成。
請參考第4圖,並請一併參考第1圖。第4圖繪示了本發明之第三較佳實施例之顯示面板之示意圖。如第4圖所示,不同於前述實施例,在本實施例中,顯示面板60之橋接導線20大體上係對應於框膠底座22之下方並更延伸至第一連接導線181與第二連接導線182之下方,藉此橋接導線20與第一連接導線181以及第二連接導線182具有較大的接觸面積,而可降低電阻。
請參考第5圖,並請一併參考第1圖。第5圖繪示了本發明之第四較佳實施例之顯示面板之示意圖。如第5圖所示,不同於前述實施例,在本實施例中,顯示面板70更包括一透明導電圖案271,位於周邊區12P之第一連接導線181與第二連接導線182上。透明導電圖案271暴露出框膠底座22並與第一連接導線181與第二連接導線182電性連接。透明導電圖案271較佳可與第一電極281由同一圖案化透明導電層27所構成,藉此不需增加額外製程。由於透明導電圖案271覆蓋於第一連接導線181與第二連接導線182上,因此可避免由金屬材料構成之第一連接導線181與第二連接導線182產生氧化或腐蝕而可確保第一連接導線181與第二連接導線182的導電性。另外,透明導電圖案271亦可一併覆蓋資料線DL。
本發明之顯示面板並不以上述實施例為限。舉例而言,顯示面板並不限於電激發光顯示面板,而亦可為其它各類型之顯示面板,例如液晶顯示面板。
綜上所述,本發明之顯示面板利用框膠底座來作為框膠之承載平台。框膠底座與層間介電層由同一層圖案化介電層所構成,因此不會增加額外製程。此外,由於框膠底座之材料為可耐高溫之無機介電材料,因此框膠底座不會在框膠的雷射照射過程中受損。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10...顯示面板
12...基板
12D...顯示區
12P...周邊區
12S...畫素區
14...上蓋基板
15...儲存電極
16...薄膜電晶體元件
162...開關薄膜電晶體元件
162C...半導體通道層
162P...摻雜層
162G...閘極
162S,162D...源/汲極
161...驅動薄膜電晶體元件
161C...半導體通道層
161P...摻雜層
161G...閘極
161E...延伸電極
1621,161D...源/汲極
DL...資料線
17...閘極介電層
18...圖案化金屬層
181...第一連接導線
182...第二連接導線
20...橋接導線
22...框膠底座
24...電路板
26...框膠
27...圖案化透明導電層
271...透明導電圖案
28...發光元件
281...第一電極
282...發光層
283...第二電極
30...圖案化介電層
32...層間介電層
34...圖案化金屬層
36...第一保護層
36A...開口
38...第二保護層
38A...開口
40...間隙物
SL...訊號線
GL...閘極線
PL...電源線
50...顯示面板
60...顯示面板
70...顯示面板
第1圖繪示了本發明之第一較佳實施例之顯示面板之上視示意圖。
第2圖繪示了本發明之第一較佳實施例之顯示面板之剖面示意圖。
第3圖繪示了本發明之第二較佳實施例之顯示面板之示意圖。
第4圖繪示了本發明之第三較佳實施例之顯示面板之示意圖。
第5圖繪示了本發明之第四較佳實施例之顯示面板之示意圖。
10...顯示面板
12...基板
12S...畫素區
12P...周邊區
14...上蓋基板
15...儲存電極
16...薄膜電晶體元件
162...開關薄膜電晶體元件
162C...半導體通道層
162S...源/汲極
162D...源/汲極
162P...摻雜層
162G...閘極
161...驅動薄膜電晶體元件
161E...延伸電極
161C...半導體通道層
161P...摻雜層
161S...源/汲極
161D...源/汲極
161G...閘極
DL...資料線
17...閘極介電層
18...圖案化金屬層
181...第一連接導線
182...第二連接導線
20...橋接導線
22...框膠底座
26...框膠
27...圖案化透明導電層
28...發光元件
281...第一電極
282...發光層
283...第二電極
30...圖案化介電層
32...層間介電層
34...圖案化金屬層
36...第一保護層
36A...開口
38...第二保護層
38A...開口
40...間隙物

Claims (12)

  1. 一種顯示面板,包括:一基板,具有一顯示區與一周邊區;至少一薄膜電晶體元件,位於該顯示區內;一圖案化介電層,包括:一層間介電層,位於該顯示區內並位於該薄膜電晶體元件上方;以及一框膠底座,位於該周邊區內並環繞該顯示區;一圖案化金屬層,包括:至少一訊號線,位於該顯示區內之該層間介電層上方;以及至少一第一連接導線與至少一第二連接導線,位於該周邊區內,該第一連接導線位於該框膠底座面對該顯示區之一內側並與該訊號線電性連接,且該第二連接導線位於該框膠底座背對該顯示區之一外側;以及至少一橋接導線,位於該周邊區內,該橋接導線至少位於該框膠底座下方,且該第一連接導線與該第二連接導線係透過該橋接導線彼此電性連接。
  2. 如請求項1所述之顯示面板,其中該橋接導線更位於該第一連接導線與該第二連接導線下方。
  3. 如請求項1所述之顯示面板,其中該薄膜電晶體元件包括一頂閘型薄膜電晶體元件。
  4. 如請求項3所述之顯示面板,其中該薄膜電晶體元件包括:一半導體通道層,位於該基板上;兩個摻雜層,位於該基板上並對應於該半導體通道層之兩側;一閘極介電層,位於該基板、該半導體通道層與該等摻雜層上;一閘極,位於該閘極介電層上;以及兩個源/汲極,位於該層間介電層上並分別與該等摻雜層電性連接。
  5. 如請求項4所述之顯示面板,其中該等源/汲極係由該圖案化金屬層所構成,且該橋接導線與該閘極係由另一圖案化金屬層所構成。
  6. 如請求項4所述之顯示面板,其中該橋接導線與該等摻雜層係由同一圖案化摻雜層所構成。
  7. 如請求項1所述之顯示面板,更包括:一保護層,位於該層間介電層與該等源/汲極上;以及一發光元件,位於該保護層上,其中該發光元件包括一透明電極。
  8. 如請求項7所述之顯示面板,另包括一透明導電圖案,位於該周邊區之該第一連接導線與該第二連接導線上,其中該透明導電圖案暴露出該框膠底座並與該第一連接導線與該第二連接導線電性連接。
  9. 如請求項8所述之顯示面板,其中該透明電極與該透明導電圖案係由同一圖案化透明導電層所構成。
  10. 如請求項1所述之顯示面板,其中該圖案化介電層包括一無機介電層,該層間介電層與該框膠底座係由同一層膜層所形成。
  11. 如請求項1所述之顯示面板,更包括:一上蓋基板,與該基板對向設置;以及一框膠,位於該框膠底座上,用以接合該上蓋基板與該基板。
  12. 如請求項11所述之顯示面板,其中該框膠包括一玻璃膠(glass frit)。
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