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TWI448826B - 將基板載於基板台上之方法，器件製造方法，電腦程式，資料載體及裝置 - Google Patents

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TWI448826B
TWI448826B TW097123271A TW97123271A TWI448826B TW I448826 B TWI448826 B TW I448826B TW 097123271 A TW097123271 A TW 097123271A TW 97123271 A TW97123271 A TW 97123271A TW I448826 B TWI448826 B TW I448826B
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substrate
article
clamp
action
lithography apparatus
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TW097123271A
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Jan-Jaap Kuit
Niek Snijders
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Asml Netherlands Bv
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Publication date
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Priority claimed from US11/896,600 external-priority patent/US8446566B2/en
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW200919102A publication Critical patent/TW200919102A/zh
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Description

將基板載於基板台上之方法，器件製造方法，電腦程式，資料載體及裝置
本發明係關於一種在微影過程中將第一物件裝載於第二物件上之方法、一種器件製造方法、一種電腦程式，及一種資料載體。本發明進一步係關於一種經建構以在微影裝置中將第一物件固持於第二物件上之裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
當將基板定位於基板台上時，在基板中可誘發熱應力及機械應力，其可負面地影響品質圖案轉印。因此，目標為 降低應力。
根據一態樣，提供一種在微影過程中將第一物件裝載於第二物件上之方法，其中方法包含：a)將第一物件裝載至第二物件上，b)等待一預定時間間隔，c)執行鬆弛動作以用於移除由包含第一物件及第二物件之群組中之至少一部件所經歷的應力。
根據本發明之一態樣，提供一種器件製造方法，其包含將圖案自圖案化器件轉印至基板上，其中器件製造方法包含執行方法。
根據本發明之另一態樣，提供一種電腦程式，其在載入於電腦配置上時經配置以執行方法。
又，提供一種資料載體，其包含電腦程式。
根據另一態樣，提供一種經建構以在微影裝置中將第一物件固持於第二物件上之裝置，其中裝置包含-裝載構件，其用以將第一物件裝載於第二物件上，及-鬆弛構件，其用以執行鬆弛動作以用於移除由包含第一物件及第二物件之至少一部件所經歷的應力，其中裝置經配置以在裝載第一物件與執行鬆弛動作之間等待一預定時間間隔。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之 實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。 裝置包含：－照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；－支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至第一定位器PM，第一定位器PM經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件；－基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至第二定位器PW，第二定位器PW經組態以根據某些參數來精確地定位基板；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
應理解，其他微影裝置存在或可構想可包含其他元件。舉例而言，步進器或無光罩曝光工具可能無第一定位器PM。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台， 其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。
本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上執行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語"浸沒"不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整 器AD。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且由圖案化器件圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似 地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2及圖3分別展示根據一實施例之基板支撐件的側視圖及俯視圖。整體以參考數字1來指示基板支撐件。基板支撐件1包含支撐結構2(例如，鏡面區塊，亦被稱作夾盤)，其上置放(及可能地夾持)基板台WT。
基板支撐件1之頂側包含真空夾具4以將基板W夾持於基板支撐件1上。基板支撐件1進一步包含三個可收縮銷5(通常被稱作e銷)，其可在銷5自基板支撐件1延伸之延伸位置與銷5收縮於基板支撐件1中之收縮位置之間相對於基板支撐件1而移動。
應理解，圖2展示一可能實施例。根據另一實施例，e銷5可能不為基板支撐件1之一部分，但可為支撐結構及/或支撐基板支撐件1之結構的一部分。e銷5亦可(例如)為如參看圖1所描述之第二定位器PW的一部分。可收縮銷5可在大體上垂直方向上移動，亦即，在大體上垂直於待由銷5所支撐之基板W之主平面的方向上。可收縮銷5可用於在基板支撐件1與機器人或任何其他類型之基板處置器之間轉移基板W。可收縮銷5經提供成使得可將機器人置放於基板W下以用於支撐基板W。當機器人經組態以將基板W固持於側或頂部處時，可省略可收縮銷5。
機器人可在延伸位置中將基板W置放於銷5上。接著，可將銷5移動至收縮位置，使得基板W停置於基板支撐件1之支撐表面上。在由基板支撐件1所支撐之基板W曝光於 經圖案化輻射光束之後，可將其與另一基板交換。為了交換基板W，其由自收縮位置移動至延伸位置之可收縮銷5自基板台WT提昇。當銷5在延伸位置中時，可藉由機器人或任何其他類型之基板處置器來接管基板W。
真空夾具4係由凹進表面6形成，凹進表面6由密封輪緣7圍繞。空氣抽吸管道8經提供以在由凹進表面6、密封輪緣7及置放於或待置放於基板支撐件1上之基板W所定界的真空空間中形成低壓力。空氣抽吸管道8連接至空氣抽吸泵PU以將空氣牽引出真空空間。更低壓力提供真空力，真空力朝向基板支撐件1將基板W牽引至高於支撐表面。
在凹進表面6中，配置許多瘤狀物(突出部)9。瘤狀物9之頂端向待置放於基板支撐件1上之基板W提供支撐表面。密封輪緣7及瘤狀物9之頂端可配置於大體上相同平面中以提供用於支撐具有相對較小接觸區域之基板W的大體平坦表面。密封輪緣7擔當密封件且無需與基板W進行接觸。極小間隙可存在於基板W與輪緣7之間以形成受控洩漏。
在基板支撐件1之實施例中，兩個或兩個以上真空夾具可經提供作為夾持器件。事實上，其他類型之夾持器件(諸如，靜電夾具、磁性夾具或電磁夾具)亦可經提供用於提供施加於基板W上之吸引力。
當基板W定位於基板台WT上且夾持至基板台WT時，基板W之溫度與基板台WT之溫度可能不同且總體上分布不同。又，溫差可存在於基板W內或基板台WT內。在將基 板W定位於基板台WT上之後，此等溫差將中和且溫度平衡將安定。由於此等改變溫度，基板W及基板台WT可變形且將經歷熱應力。因此，當基板W夾持至基板台WT上且其就在裝載之前的初始溫度自基板台WT之溫度偏離時，或當基板W及/或基板台WT在裝載之前具有內部溫差時，基板W可經歷熱應力。熱應力可導致基板W在基板台上(在瘤狀物9上)滑動，其導致定位誤差。
亦可藉由將基板W定位於基板台WT上來誘發基板W中之應力。舉例而言，當在延伸位置中將基板W置放於可收縮銷5上時，基板W可在觸碰另一銷5之前首先觸碰一銷5。此可導致機械應力(被稱作裝載誘發應力)。
應理解，當將基板W定位於(及可能地夾持於)基板台WT上時，在基板W中可誘發應力。基板裝載誘發應力及熱應力為大覆蓋促成者。
因為可以與所要形式不同之另一形式來夾持基板W，所以微影裝置之投影的覆蓋效能可能降低，其可對產品品質具有負面影響。
用以降低熱應力之可能方式為在將基板W裝載至基板台WT之前精確地控制基板W之溫度且使其匹配於基板台WT之溫度。然而，此為費時方法，其需要器件來量測及控制基板W(及可能地基板台WT)之溫度。精確地控制基板溫度因此相對複雜及昂貴且導致產出率損失。
實施例
實施例經提供以克服可如以上所描述而發生之熱應力及 裝載誘發應力。根據此處所提供之實施例，首先在微影裝置中將第一物件裝載於第二物件上，且在可使溫差平衡之預定安定時間間隔之後，執行鬆弛動作，其中允許第一物件及/或第二物件鬆弛或無應力。如以上所描述，第一物件在裝載於第二物件上及夾持至第二物件時可能歸因於第一物件與第二物件之間的摩擦而不能夠鬆弛。因此，鬆弛動作包含降低第一物件與第二物件之間的摩擦。第一物件可為基板，且第二物件可為基板台WT。根據一替代例，第一物件可為基板台WT，且第二物件可為支撐基板台WT之支撐結構2。支撐結構亦可被稱作夾盤或鏡面區塊。
可藉由降低由支撐第一物件之第二物件所施加的法線力來進行降低摩擦。以下將描述用於進行此操作之若干實施例。
提供一種在微影裝置中將第一物件裝載於第二物件上之方法，其中方法包含：a)將第一物件裝載於第二物件上，b)等待一預定時間間隔，c)執行鬆弛動作。
此外，提供一種經建構以將第一物件固持於第二物件上之微影裝置，其中微影裝置經配置以：a)將第一物件裝載於第二物件上，b)等待一預定時間間隔，及c)執行鬆弛動作。
第一物件可為基板W且第二物件可為基板台WT。根據 一實施例，第一物件可為基板台WT，且第二物件可為用於支撐基板台WT之支撐結構2。
此外，提供一種器件製造方法，其包含將圖案自圖案化器件轉印至基板W上，其中器件製造方法包含執行實施例中所描述之方法中的一者。
在以下實施例中提供該鬆弛動作之實例。
在一實施例中，用於在將第一物件裝載於第二物件上與執行鬆弛動作之間等待的等待時間經選擇以達成第一物件與第二物件之間的部分溫度平衡。舉例而言，在基板W與基板台WT之間的為少許克耳文之初始溫差需要安定至為大約100mK至150mK之差的情況下，為大約3秒之時間間隔可適於允許溫差平衡。此處，150mK可被視為可接受溫差之最大值。當然，此時間間隔視初始溫差及材料之熱性質而定。在一實施例中，用於等待之時間間隔係(例如)基於預期溫差或最壞情況溫差及用於溫差之安定的模型來預定。
執行鬆弛動作以降低第一物件及第二物件中之應力，包括熱應力及裝載誘發應力。
應理解，動作b)(亦即，等待一預定時間間隔)不意謂在此動作期間可能不執行另外或其他動作。舉例而言，在等待預定安定時間間隔期間，裝載有基板W之基板台WT可自裝載位置移動至可對基板W執行量測(量測形狀、定向、位置，等等)之量測位置或至曝光位置。
實施例1
根據一實施例，鬆弛動作包含暫時降低由夾持器件所施加之夾持力。
如以上所描述，夾持器件可經提供且可在基板W裝載於基板台WT上時被應用。夾持器件藉由提供施加於基板上之吸引力而將基板W夾持至基板台WT。夾持器件可包含真空夾具、靜電夾具、磁性夾具及電磁夾具中之至少一者。
根據此實施例，鬆弛動作包含暫時降低夾持力。
提供一種如以上所描述之方法，其中動作a)包含使用夾持器件以藉由提供施加於基板上之吸引力而將基板夾持至基板台。夾持器件可包含真空夾具、靜電夾具、磁性夾具及電磁夾具中之至少一者。方法之動作c)可包含暫時降低夾持力。
此外，提供一種如以上所描述之微影裝置，其中微影裝置進一步包含夾持器件以藉由施加於基板W上之吸引力而將基板W夾持至基板台WT，且動作a)包含使用夾持器件而將基板W夾持至基板台WT。夾持器件可包含真空夾具、靜電夾具、磁性夾具及電磁夾具中之至少一者。如可由微影裝置執行之動作c)可包含暫時降低夾持力。
此實施例易於被建構之處在於其無需額外硬體特徵。實施例使用通常可用於微影裝置中之硬體，且因此建構簡易且具成本效益。在某些情況下，僅鬆開基板W可能不足以鬆弛基板W中之所有應力。然而，實施例提供極簡易之方式以至少鬆弛存在於基板W中之一些應力。
實施例2
根據一實施例，鬆弛動作可包含自基板台WT提昇基板W。此在已發生溫度平均化之後進行且經進行以給出用以鬆弛應力之空間。在已發生鬆弛之後，將基板W置放回於基板台WT上。
如以上所描述，基板台WT可包含可收縮銷5，其可用以藉由自基板台WT提昇基板W來執行鬆弛動作。圖4a描繪裝載於基板台WT上之基板W，銷在收縮位置中。圖4b展示在提昇位置中之基板W。在已執行鬆弛動作之後，再次將基板W置放於基板台WT上。
提供一種如所描述之方法，其中鬆弛動作可包含自基板台WT提昇基板W。此可藉由移動銷5來進行，銷5可在大體上垂直於基板台之主表面的方向上移動，銷5自銷收縮於基板支撐件1中之收縮位置移動至銷5自基板支撐件1延伸之延伸位置以自基板台WT提昇基板W。主表面為在夾持基板期間與基板進行接觸之表面。
此外，提供一種如以上所描述之微影裝置，其中微影裝置包含用以自基板台之主表面暫時提昇基板W之構件，且鬆弛動作c)包含自基板台WT提昇基板W。微影裝置可包含銷5，銷可在大體上垂直於基板台WT之主表面的方向上移動，且鬆弛動作包含將銷5自銷5收縮於基板台WT中之收縮位置移動至銷5自基板台WT延伸之延伸位置以自基板台WT提昇基板。在已自基板台WT提昇基板W之後，再次將基板W定位於基板台WT之主表面上。
應理解，可結合先前實施例來執行此實施例，其中鬆弛動作包含降低由夾持器件所施加之夾持力。夾持力可在自基板台WT提昇基板W之前降低，且可在鬆弛動作之後已於基板台上定位基板W之後經再次施加。
此實施例易於被建構之處在於其無需額外硬體特徵。實施例使用通常可用於微影裝置中之硬體，且因此建構簡易且具成本效益。
實施例3
根據另一實施例，藉由將正壓力施加於基板W上且藉此降低基板W與基板台WT之間的摩擦力來執行鬆弛動作。在使用夾持器件的情況下，可降低夾持力。
可藉由在基板台WT與基板W之間的隔室中於預定(短)時間週期內施加緊密受控之正壓力來執行鬆弛動作。藉由進行此過程，有可能降低基板W與基板台WT之間的摩擦力，且甚至自基板台WT提昇基板且因此使基板W能夠減輕內部應力。當單一脈衝不足以移除所有應力時，可重複過程。藉由使用許多相對較小脈衝代替一長脈衝，可避免基板之漂浮(亦即，移動)，其可能導致潛在基板損耗。可藉由以空氣來加壓小容器且接著使用簡單雙向閥來釋放空氣穿過基板台WT中之孔而產生空氣脈衝。
圖5及圖6示意性地描繪根據該實施例之基板固持器1。如圖5所示，提供許多噴嘴10。如圖5及圖6所示，噴嘴10提供於瘤狀物9之間。然而，應理解，噴嘴亦可提供於許多瘤狀物9中。在圖5及圖6所示之實施例中，噴嘴10均勻 地分布於由密封輪緣7所定界之表面區域上。噴嘴10經由氣體供應管道11而連接至氣體供應單元，且經組態以在大體上垂直於凹進表面之方向上提供噴射或氣體脈衝，亦即，大體上垂直於待配置於基板台WT上之基板W的主平面。為了實際地提供噴射或氣體脈衝，氣體供應單元可為泵(未圖示)，或連接至供應管道11之加壓氣體的另一源。如圖5所示，提供容器CO，其包含具有相對於基板台WT附近之壓力為高之壓力的氣體。在供應管道11中，提供閥VA，其可經控制以打開及關閉供應管道11。注意到，針對噴射之提供，可使用任何類型之適當氣體，諸如，空氣。
提供一種如以上所描述之方法，其中鬆弛動作包含在基板W與基板台WT之間供應氣體。可藉由至少一氣體脈衝之序列來供應氣體。
此外，提供一種如以上所描述之微影裝置，其中基板台WT包含至少一噴嘴10，噴嘴10連接或可連接至氣體供應單元且經組態以在基板W與基板台WT之間供應氣體，且鬆弛動作可包含在基板與基板台之間供應氣體。微影裝置可經組態成以至少一氣體脈衝之序列來供應氣體。
應理解，可結合先前實施例來執行此實施例，其中鬆弛動作包含降低由夾持器件所施加之夾持力。可在鬆弛動作之後可再次應用供應氣體之前降低夾持力。
實施例4
根據另一實施例，鬆弛動作包含振動基板台WT。藉由 施加適當振動，基板W與基板台WT之間的摩擦力降低，從而允許基板鬆弛。可在任何適當頻率下且藉由任何適當振幅(例如，在為大約1μm之振幅及>500Hz或更多之頻率下)來進行振動。
圖7示意性地展示基板固持器1，包含基板台WT，其上裝載基板W。圖7進一步展示由可用以致動基板固持器1且因此振動基板台WT之兩個致動器AC所形成的振動器件。
可藉由以上參看圖1已經描述之第二定位器PW來形成振動器件。然而，亦可提供特殊專用致動器以執行振動。
可特別提供致動器，但亦有可能使用已經存在之致動器，諸如，驅動支撐結構之短衝程馬達。致動器可為具有nm精確度之勞侖茲(Lorentz)類型致動器，其具有高頻寬伺服迴路。此等馬達用以在曝光及量測期間定位支撐結構及基板W。藉由僅將抖動信號(ditter signal)添加至正常設定點，支撐結構可經命令以在目標方向上移動且同時提供振動移動。
在將基板W裝載於基板台WT上之後的一時間間隔內施加振動，以允許基板W及基板台WT至少部分地安定基板W及基板台WT中之每一者內或基板W與基板台WT之間的溫差。該時間間隔經選擇成使得預期差低於最大可接受溫差。可降低可能施加之夾持力，且可在高頻率下振動基板台WT。振動可具有小位置振幅及大加速度。此機械"抖動"運動可用以克服基板W與基板台WT之間的摩擦力。基板W將接著減輕其內部應力。
可在大體上垂直於基板台WT之表面的方向上施加振動，亦即，大體上垂直於待配置於基板台WT上之基板W的主平面。在向下運動期間，暫時降低由基板台WT施加於基板W上之法線力(且因此暫時降低摩擦力)，且可鬆弛基板W。
根據一變體，在大體上平行於基板台WT之表面的方向上施加振動，亦即，大體上平行於待配置於基板台WT上之基板W的主平面。由於此運動，基板W與基板台WT可相對於彼此而相對地移動，藉此降低摩擦力且允許基板W鬆弛(注意，靜摩擦係數高於動摩擦係數)。
在一替代實施例中，在與此處所描述之兩個方向不同的方向上(例如，在對角線方向上)施加振動，其具有平行及垂直於基板台WT之表面的分量。
在另一實施例中，將振動直接施加至基板。可藉由使用振動工具(諸如，彈簧或可撓性元件)來施加振動動作。可致動振動工具。可使用適當致動器。在一實施例中，將振動動作施加至基板上，其始於基板之中心部分中。可藉由中心抓持器而將振動動作施加至基板/物件。在另一步驟中，可將後續振動動作施加至物件之更多外部定位之部分。以此方式，將物件中之應力較佳地"移動"(較佳地為"釋放")至物件之外部部分。在一實施例中，將E銷用作振動器件以使物件振動。
振動動作可為極短動作，例如，僅一個或甚至半個週期。振動動作之特徵為至少一動作，較佳地為相對於平衡 位置之移動。其可為偏移移動。咸信，該振動動作將在物件中具有應力降低效應，因為振動動作可導致移動穿過物件材料之類波浪應力釋放凸起部。咸信，該類波浪運動在降低物件中之區域應力區域時更為有效。
在另一實施例中，可使用打擊器件而將振動施加至物件上。藉由打擊物件，將一次性干擾(在此情況下為過度干擾)轉移至物件上，該干擾可用以消散或釋放物件上之其他內部應力。打擊器件亦可起始物件中之類波浪運動。
在一實施例中，將振動部分地同時或逐一施加至基板及基板台。
提供一種方法及微影裝置，其中在高頻率及小振幅下振動基板台及/或基板。此外，提供一種如所描述之微影裝置，其中基板台包含振動器件，且鬆弛動作包含振動基板台。
應理解，可結合先前實施例來執行此實施例，其中鬆弛動作包含降低由夾持器件所施加之夾持力。可在鬆弛動作之後可再次應用供應氣體之前降低夾持力。
實施例5
以上所描述之實施例描述如何將基板W裝載於基板台WT上。然而，基板台WT自身可為定位於支撐結構2上之單獨部分。可使用夾持器件而將基板台WT夾持至支撐結構2，夾持器件包含真空夾具、靜電夾具、磁性夾具及電磁夾具中之至少一者。
當在基板台中發生應力時，可將與以上所描述之程序相 同的鬆弛程序應用於基板台，其最終導致基板台WT與支撐結構2之間的滑動。
應理解，將基板台WT裝載於支撐結構2上可涉及與將基板W裝載於基板台WT上之問題相同的問題，亦即，在基板台WT中可誘發熱應力及機械應力。
因此，以上所提及之實施例亦可用於將基板台WT裝載於支撐結構2上。
因此，可提供一種將基板台裝載於支撐結構上之方法，其中方法包含：a)將基板台裝載於支撐結構上，b)等待一預定時間間隔，c)執行鬆弛動作。
動作a)可包含使用夾持器件以藉由提供施加於基板台上之吸引力而將基板台夾持至支撐結構。夾持器件可包含真空夾具、靜電夾具、磁性夾具及電磁夾具中之至少一者。
動作c)可包含暫時降低夾持力及/或可包含在基板台與支撐結構之間供應氣體。可藉由至少一氣體脈衝之序列來供應氣體。
動作c)可進一步包含振動支撐結構。可在高頻率及小振幅下振動支撐結構。
在將基板台裝載於支撐結構上之後的短時間間隔施加振動。在一實施例中，降低夾持力。或者或另外，在高頻率下振動支撐結構。振動具有小位置振幅及大加速度。此機械"抖動"運動用以克服基板台WT與支撐結構之間的摩擦 力。基板台WT將接著減輕其內部應力。
動作c)可進一步包含(例如)藉由移動銷而自支撐結構2提昇基板台WT，銷可在大體上垂直於支撐結構之主表面的方向上移動，銷自銷收縮於支撐結構中之收縮位置移動至銷自支撐結構延伸之延伸位置以自支撐結構之主表面提昇基板台。
等待時間間隔可經選擇以允許基板W及基板台WT至少部分地安定基板W及基板台WT中之每一者內或基板W與基板台WT之間的溫差。
可執行動作c)以降低基板台WT中之應力。
此外，可提供一種包含經建構以固持基板台WT之支撐結構2的微影裝置，其中微影裝置經配置以：a)將基板台WT裝載於支撐結構2上，b)等待預定安定時間間隔，及c)執行鬆弛動作。
電腦
以上所描述之所有實施例均可使用如(例如)圖8所示之電腦CO而投入實踐。電腦CO可包含處理器PR，其經配置以與輸入輸出器件I/O及記憶體ME通信。
電腦CO可為個人電腦、伺服器、膝上型電腦。所有此等器件為不同種類之電腦。記憶體ME可包含可由處理器PR讀取及執行以使電腦CO執行所描述之實施例的指令。電腦CO可經配置以經由輸入輸出器件I/O而與微影裝置之其他部分相互作用以執行所描述之實施例。
圖8展示包含用於執行算術運算之處理器PR之電腦CO之實施例的示意性方塊圖。處理器PR連接至可儲存指令及資料之記憶體ME，諸如，磁帶單元、硬碟、唯讀記憶體(ROM)、電子可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)及隨機存取記憶體(RAM)。
輸入輸出器件I/O經配置以經由通信鏈路而與由微影裝置1(未圖示)所包含之其他電腦系統或器件通信。
然而，應理解，可提供更多及/或其他記憶體ME及處理器PR。此外，其中之一或多者可實體地位於遠端位置處。處理器PR經展示為一盒狀物，然而，如熟習此項技術者已知，其可包含並行地起作用或由一主處理器所控制之可彼此遠離而定位的若干處理器PR。
據觀測，儘管所有連接均經展示為實體連接，但可使此等連接中之一或多者為無線的。其僅意欲展示到，"經連接"單元經配置成以某種方式而彼此通信。
提供一種電腦程式，其在載入於電腦配置上時經配置以執行所提供方法中之任一者。又，提供一種資料載體，其包含該電腦程式。資料載體可為任何種類之電腦可讀媒體。
另外注意
以上所描述之實施例提及降低夾持力之選擇。應理解，此可結合所有其他實施例來進行。又，降低夾持力包含將夾持力降低至大體上零，亦即，完全不施加夾持力。
可在相對較小之產出率損耗的情況下應用提供氣體及施 加振動之實施例。又，不存在對於可將鬆弛動作執行成現有度量衡序列所在之基板台位置的限制。
在自基板台WT提昇基板W(實施例2)時，此可具有對預對準精確度之負面影響。此外，出於機器/基板安全原因，提昇基板(實施例2)可僅在基板台WT之非產出率最佳的極特定位置處進行。
基於以上描述，應理解，鬆弛動作經執行以暫時降低基板W與基板台WT之間的摩擦，從而允許基板W鬆弛且允許應力消除。提供用以執行鬆弛動作之許多方式，諸如，降低夾持力、提昇基板W、在基板W與基板台WT之間提供氣體，及振動基板台WT。
應理解，將以使得在鬆弛動作之後相對於基板台WT而精確地定位基板W以便使能夠進行基板W之精確處理的方式來執行鬆弛動作。事實上，基板W應在用以量測基板W之位置及定向之感測器的捕獲範圍內，諸如，用以量測基板之水平定向的對準感測器及用以量測基板之表面剖面的位準感測器。捕獲範圍為大約數十微米。
在鬆弛動作之後，另一量測動作可經執行以量測基板W之位置及定向。
又，應理解，可結合一或多個其他實施例來使用所有實施例。舉例而言，可結合供應氣體及/或降低夾持力來進行振動。
實施例可經執行以暫時克服第一物件與第二物件之間的摩擦力以允許第一物件安定。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長) 及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5 nm至20 nm之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見到，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
1‧‧‧基板支撐件
2‧‧‧支撐結構
4‧‧‧真空夾具
5‧‧‧可收縮銷
6‧‧‧凹進表面
7‧‧‧密封輪緣
8‧‧‧空氣抽吸管道
9‧‧‧瘤狀物
10‧‧‧噴嘴
11‧‧‧氣體供應管道
AC‧‧‧致動器
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束傳送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧容器/電腦/聚光器
I/O‧‧‧輸入輸出器件
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
ME‧‧‧記憶體
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PR‧‧‧處理器
PS‧‧‧投影系統
PU‧‧‧空氣抽吸泵
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
VA‧‧‧閥
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2示意性地描繪根據一實施例之基板支撐件的橫截面圖；圖3示意性地描繪根據一實施例之基板支撐件的俯視圖；圖4a及圖4b示意性地展示根據一實施例之基板台的橫截面圖；圖5示意性地描繪根據一實施例之基板支撐件的橫截面圖； 圖6示意性地描繪根據一實施例之基板支撐件的俯視圖；圖7示意性地描繪根據一實施例之基板支撐件；圖8示意性地描繪根據一實施例之電腦。
1‧‧‧基板支撐件
2‧‧‧支撐結構
5‧‧‧可收縮銷
6‧‧‧凹進表面
7‧‧‧密封輪緣
9‧‧‧瘤狀物
10‧‧‧噴嘴
11‧‧‧氣體供應管道
CO‧‧‧容器/電腦/聚光器
VA‧‧‧閥
WT‧‧‧基板台

Claims (26)

  1. 一種在一微影裝置中將一第一物件裝載於一第二物件上之方法，其中該方法包含：將該第一物件裝載至該第二物件上；等待一預定時間間隔；及於等待該預定時間間隔之後，其中該預定時間間隔經選擇以達成該第一物件與該第二物件間之一溫度平衡，透過執行一鬆弛動作以降低該第一物件及該第二物件間之一摩擦力，其中該鬆弛動作包含振動該第二物件。
  2. 如請求項1之方法，其中該第一物件為一基板且該第二物件為一基板台。
  3. 如請求項1之方法，其中該第一物件包含一基板台，且該第二物件包含一用於支撐該基板台之支撐結構。
  4. 如請求項1之方法，其中該裝載包含使用一夾持器件以藉由提供一施加於該第一物件上之吸引力而將該第一物件夾持至該第二物件。
  5. 如請求項4之方法，其中該夾持器件包含一真空夾具、一靜電夾具、一磁性夾具及一電磁夾具中之至少一者。
  6. 如請求項4之方法，其中該鬆弛動作包含暫時降低該夾持力。
  7. 如請求項1之方法，其中在一高頻率及一小振幅下振動該第二物件。
  8. 如請求項1之方法，其中該鬆弛動作包含移動銷，該等銷可在一實質上垂直於該第二物件之一主平面的方向上 移動，該等銷自該等銷收縮於該第二物件中之一收縮位置移動至該等銷自該第二物件延伸之一延伸位置以自該第二物件暫時提昇該第一物件。
  9. 如請求項1之方法，其中該鬆弛動作經執行以降低該第一物件中之應力。
  10. 如請求項1之方法，其中降低該第一物件及該第二物件間之該摩擦力包含添加一抖動信號至一致動器以振動該第二物件。
  11. 如請求項1之方法，其中該鬆弛動作包含自該第二物件暫時提昇該第一物件。
  12. 如請求項1之方法，其中該鬆弛動作包含於該第一物件與該第二物件之間供應一氣體。
  13. 如請求項1之方法，其中該氣體係透過至少一氣體脈衝之一序列來供應。
  14. 一種微影系統，其包含：一種經組態以將一第一物件固持於一第二物件上之微影裝置，其中該微影裝置係經配置以：將該第一物件裝載於該第二物件上；等待一預定時間間隔；及於等待該預定時間間隔之後，其中該預定時間間隔經選擇以達成該第一物件與該第二物件間之一溫度平衡，透過執行一鬆弛動作以降低該第一物件及該第二物件間之一摩擦力，其中該鬆弛動作包含振動該第二物件。
  15. 如請求項14之系統，其中該第一物件為一基板且該第二 物件為一基板台。
  16. 如請求項14之系統，其中該第一物件為一基板台，且該第二物件為一用於支撐該基板台之支撐結構。
  17. 如請求項14之系統，其中該微影裝置進一步包含一夾持器件，其經組態以藉由提供一施加於該第一物件上之吸引力而將該第一物件夾持至該第二物件，且該裝載包含使用該夾持器件而將該第一物件夾持至該第二物件。
  18. 如請求項17之系統，其中該夾持器件包含一真空夾具、一靜電夾具、一磁性夾具及一電磁夾具中之至少一者。
  19. 如請求項17之系統，其中該鬆弛動作包含暫時降低該夾持力。
  20. 如請求項14之系統，其中該微影裝置經配置以在一高頻率及一小振幅下振動。
  21. 如請求項14之系統，其中：該微影裝置包含經組態用於自該第二物件暫時提昇該第一物件之提昇器件；且該鬆弛動作包含自該第二物件暫時提昇該第一物件。
  22. 如請求項21之系統，其中：該微影裝置包含銷，該等銷可在一實質上垂直於該第二物件之一主表面的方向上移動；且該鬆弛動作包含將該等銷自該等銷收縮於該第二物件中之一收縮位置移動至該等銷自該第二物件延伸之一延伸位置以自該第二物件暫時提昇該第一物件。
  23. 如請求項14之系統，其中該鬆弛動作經執行以降低該第 一物件中之應力。
  24. 如請求項16之系統，進一步包含命令該支撐結構於一目標方向上移動且同時提供該等振動移動。
  25. 如請求項14之系統，其中該第二物件至少一噴嘴，該噴嘴經組態以連接至一氣體供應單元並於該第一物件與該第二物件之間供應一氣體，且其中該鬆弛動作包含於該第一物件與該第二物件之間供應該氣體。
  26. 如請求項25之系統，其中該系統係經組態成以至少一氣體脈衝之一序列來供應該氣體。
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