TWI437617B - 靜電卡盤及其基板加工裝置 - Google Patents

Description

靜電卡盤及其基板加工裝置

本發明的實施範例係關於一種靜電卡盤及其基板加工裝置，尤其是關於一種藉由靜電力來固定集成電路裝置如晶圓和玻璃板之基板的靜電卡盤及其基板加工裝置。

在一般情況下，集成電路裝置透過各種單元製程(Unit Process)而被製造於基板上，如製造於晶圓和玻璃板上。單元製程例如為沉積製程、蝕刻製程、光刻(photolithography)製程和離子植入(ion implantation)製程。舉例來說，集成電路裝置包括半導體記憶體裝置和用於平板顯示裝置的驅動電路。

上述單元製程通常執行在一種用以加工基板的裝置(以下簡稱加工裝置)。加工裝置包括：加工腔體，提供內部空間以用於各單元製程的進行；來源供應器，用以供應各單元製程之來源氣體至加工腔體；以及靜電卡盤，位於加工腔體中，用以在單元製程的執行過程中固定基板。舉例來說，蝕刻製程通常在蝕刻裝置中執行，而蝕刻裝置通常包括加工腔體、連接至加工腔體且供應蝕刻氣體至加工腔體的氣體供應器、以及用以固定要被蝕刻製程蝕刻的基板之靜電卡盤。

靜電卡盤傳統上包括具有用於產生靜電力的靜電電極之靜電部以及具有加熱電極且位於靜電部之下的加熱部。基板位於靜電部之上且透過加熱部被加熱。在加熱部中，熱能是由加熱電極所產生的。

加熱電極以螺旋狀或重複的凹凸狀(protrusion-and-recess)而形成，也就是不平坦的形狀。加熱電極均勻地設置在加熱部中。加熱電極具有高電傳導性以及熱傳導性，且因此能有效率地產生熱能。

相鄰的加熱電極在加熱部中需要被相互絕緣，故加熱部需要在鄰近加熱電極之間具有電性絕緣體的功能。因此，加熱部具有高電阻抗及低熱傳導。

基於上述原因，產生於加熱部中的熱能很難被傳導至靜電部上的基板，因此基板難以在傳統的靜電卡盤上被均勻地加熱。

實施例提供了一種靜電卡盤，用以固定及均勻加熱基板。

其他實施例則提供一種使用靜電卡盤之基板的加工裝置。

依據一些實施例，提供了包括靜電部部的靜電卡盤，用以透過靜電力使一基板固定於該靜電部之上靜電部，靜電部具有一靜電電極以產生該靜電力，靜電部具有一第一熱傳導係數靜電部。靜電卡盤也包括了加熱部部，係位於靜電部部之下，用以加熱基板，加熱部部具有加熱電極以產生熱能，加熱部具有一大於第一熱傳導係數的第二熱傳導係數。

在一些實施例中，加熱部的成分包括具有氮化鋁(AlN)、氧化鎂(MgO)、氧化釔(Y2O3)及其組合之一的陶瓷。第二熱傳導係數介於150W/(mK)至250W/(mK)之範圍。

在一些實施例中，加熱部以及加熱電極具有相同的厚度，且加熱電極的側表面以加熱部覆蓋。舉例來說，靜電部的厚度介於1mm至5mm。

在一些實施例中，靜電卡盤更包括絕緣部，絕緣部位於加熱部之下，絕緣部具有第三熱傳導係數，第三熱傳導係數小於第一熱傳導係數。舉例來說，絕緣部的厚度介於0.05mm至0.5mm。

在一些實施例中，加熱部的上表面與靜電部的下表面接觸，而絕緣部的上表面則與加熱部的下表面接觸。

依據一些實施例，提供了用以加工基板且包括加工腔體的裝置，基板在加工腔體內被加工。裝置也包括氣體供應器，其連接至加工腔體，用以供應氣體至加工腔體以加工該基板。裝置也包括靜電卡盤，位於加工腔體之中，用以固定基板。靜電卡盤包括靜電部，用以透過靜電力使基板固定於靜電部之上，靜電部具有靜電電極以產生靜電力，靜電部具有第一熱傳導係數。靜電卡盤也包括加熱部，位於靜電部下，用以加熱基板，加熱部具有加熱電極以產生熱能，加熱部具有大於第一熱傳導係數的第二熱傳導係數。

在一實施例中，加熱部及加熱電極具有相同的厚度，且加熱電極的側表面以加熱部覆蓋。

在一實施例中，靜電卡盤更包括絕緣部，絕緣部係位於加熱部之下，絕緣部具有第三熱傳導係數，第三熱傳導係數小於第一熱傳導係數，加熱部的上表面與靜電部的下表面接觸，而加熱部的下表面則與絕緣部的上表面接觸。

根據本發明之步驟的一些實施例，靜電卡盤可包括靜電部，基板位於靜電部之上，且加熱部位於靜電部之下。加熱部具有第二熱傳導係數，且可包括加熱電極以產生熱能。而靜電部具有第一熱傳導係數，且可包括靜電電極以產生靜電力。靜電卡盤可使用一配置來建構，使得第二熱傳導係數可大於第一熱傳導係數，且因此從加熱電極所產生的熱能首先可均勻地被傳導至加熱部，然後因為熱傳導係數的差異，熱能可從加熱部被傳導至靜電部。最後，熱能可被均勻地從靜電部傳導至基板，因此而均勻地加熱了基板。

據此，基板可在加工腔體中藉由加工氣體而被均勻地加工，因此最小化了在加工腔體中基板上的加工瑕疵，以及改進了在加工裝置中製造之集成電路裝置的裝置品質。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

在下文中將參照附圖來更完整地描述多種實施例，而在附圖中將顯示若干實施例。雖然本發明已以若干較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，相反地，這些實施例乃用於使本發明之揭露更透徹與完整，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。在圖式中，為了清楚表示，層與區的尺寸以及相對尺寸將被放大。

當一元件或層被稱為位於其他元件或層「之上」，或者「連接至」或「耦接至」其他元件或層，可表示直接位於其他元件或層之上，或者直接連接或耦接至其他元件或層，或者也可表示位於其他可能出現的中介元件或層之上，或者連接或耦接至其他可能出現的中介元件或層。相反地，當一元件或層被稱為「直接」位於其他元件或層「之上」，或者「直接連接至」或「直接耦接至」其他元件或層，則表示不會有中介元件或層的出現。各處相似的標號指的是相似的元件。如這裡所使用的，「和/或」的詞語包括了一個以上相關而列舉出之項目的任何一個及其所有組合。

雖然「第一」、「第二」、「第三」等詞語可在此用於描述多種元件、組成、區域、層和/或部件，但這些元件、組成、區域、層和/或部件並不受限於這些詞語。這些詞語僅用於將一元件、組成、區域、層或部件分辨於其他的元件、組成、區域、層或部件。因此，在本發明所教示的合理情況下，以下所討論的第一元件、組成、區域、層或部件也可被稱為第二元件、組成、區域、層或部件。

空間性關係詞語，例如「在...之下」、「較低」、「在...之上」、「較高」及類似的用語，在此可易於描述如圖式中繪示的元件或特徵與其他元件或特徵的關係。這些空間性關係詞語是用來在圖中所描繪的方向之外涵蓋所使用之裝置或功能的不同方向。舉例來說，如果在圖中的裝置是被翻轉的，則被描述為在其他元件或特徵「之下」的元件就被轉向成在其他元件或特徵「之上」。因此，在此所舉例的詞語「在...之下」皆可涵蓋「在...之下」與「在...之上」的方向。裝置可被反轉(旋轉90度或其他轉向)，且在此所使用的空間性關係描述詞語也隨之轉譯。

在此所使用的術語僅是為了描述特定的實施例而非用以限制本發明。如在此所使用的，「一個」及「該」的單數型態同樣用以包括複數型態，除非於文中明確指出。進一步要被了解的是，當在說明書中使用「包括」和/或「包含」的詞語時，是用於指定所述特徵、整數、步驟、方向、元件和/或組成的出現，但並不排除一個以上的其他特徵、整數、步驟、方向、元件、組成及/或其群組的出現或增設。

在此配合剖面圖來描述的實施例為理想化實施例的示意性範例(及中間的架構)。因此，因為例如製造技術和/或容差(tolerance)所造成圖式中形狀的變動是被預期的。因此，實施例不應用來限制在此所繪示區域的特殊形狀，而是用以包括因例如製造而產生的形狀偏差。舉例來說，一個被繪示為矩形的植入區域基本上具有圓弧或曲線的特徵，且/或其邊緣可具有漸變的(gradient)植入濃度，而非直接從植入區域轉換至非植入區的二元式變化。同樣地，藉由植入而形成的埋藏區(buried region)會在埋藏區與實行植入的表面之間的區域造成一些植入。因此，圖中所繪示的區域為示意性質，而其形狀並非用以繪示裝置之區域的真實形狀，且並非用以限制本發明之範圍。

除非另有定義，所有在此所使用的詞語(包括技術及科學術語)具有的意義相同於本發明所屬領域具有通常技藝者一般所能理解的意義。進一步須了解的是，這些詞語，例如定義在一般所使用的字典中的這些詞語，應被解譯為具有與相關技藝文獻一致的意義，而不應被解譯為理想化的或者過度正式的意義，除非在此明確地如此定義。

以下，將配合附圖詳細解說各實施例。

第1圖係繪示對應於本發明範例性實施例的靜電卡盤之剖面圖。第2圖係詳細繪示第1圖所示靜電卡盤的靜電部、加熱部及絕緣部之剖面圖。

請參照第1圖及第2圖，對應於本發明範例性實施例的靜電卡盤100可包括靜電部200、加熱部300、絕緣部400以及主體500。

靜電部200可支撐基板10，且因此基板10可位於靜電部200之上。舉例來說，基板10可包括用以製造半導體記憶體裝置的晶圓以及用以製造平板顯示裝置的玻璃板。

靜電電極210可安裝於靜電部200之中，而用以將基板固定至靜電卡盤100的靜電力可由靜電電極210產生。在一實施例中，靜電電極210可包括安裝在靜電部200中的寬板電極。靜電電極210可包括具有相對較低熱延展率的鎢(W)或鉬(Mo)。

靜電部200可包括具有氧化鋁(Al₂ O₃ )或氧化釔(Y₂ O₃ )的絕緣陶瓷。舉例來說，靜電部200可包括約90%至約96%的氧化鋁，其餘則為氧化鎂(MgO)或氧化矽(SiO₂ )。另外，靜電部200可包括約90%或更多的氧化釔(Y2O3)，而其餘則為氧化鋁。

在這樣的情況下，靜電部200可具有約10¹⁴ Ωcm 至約10¹⁶ Ωcm 的體積阻抗(volume resistance)，且因此可具有充分高的絕緣特性。進一步地，靜電部200可具有約10W/(mK)至約30W/(mK)的第一熱傳導係數。

加熱部300可位於靜電部200之上，且可包括用以產生熱能的加熱電極310。基板10可透過從加熱電極310產生的熱能而被加熱。

舉例來說，加熱電極310可以螺旋狀、重複的凹凸狀或不平坦的形狀而形成，且均勻地設置在加熱部300中。加熱電極310可具有約0.005mm至約0.3mm的厚度、約0.5mm至約10mm的寬度以及約3m至約30m的長度。於一些實施例中，加熱電極310可具有約1Ω至約100Ω的電阻抗，而基板則可被加熱至約0℃至100℃。

在本實施例中，加熱電極310可形成為金屬膏(metal paste)，可包括銀(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)、鎢、鉬、鈦(Ti)及其組合物。或者，加熱電極310可透過使用金屬粉末形成，金屬粉末可包括鎢、鉬、鈦及其組合物。或者，加熱電極310可形成為金屬薄膜，可包括金、鎳、鈦、氮化鈦(TiN)及其組合物。

加熱部300可覆蓋加熱電極310的側表面。於一些實施例中，加熱部300可具有與加熱電極310相同的厚度t1，且因此加熱電極310的側表面可被加熱部300完全覆蓋。在本實施例中，加熱部300的上表面可與加熱電極310的上表面共平面(coplanar)，而加熱部300的下表面則與加熱電極310的下表面共平面。因此，加熱部300的上表面以及加熱電極310可與靜電部200接觸，而加熱部300的下表面與加熱電極310可與絕緣部400接觸。

可覆蓋加熱電極310側表面的加熱部300結構可增進加熱部300的熱傳導性，且因此加熱部300也可作用為另一個加熱電極。也就是說，覆蓋加熱電極310側表面的加熱部300可增大包括加熱電極310的熱源之面積。

於一些實施例中，加熱部300的厚度t1可大於加熱電極310的厚度。當加熱部300的厚度t1約為加熱電極310的1.5倍時，從加熱電極310所產生的熱能被傳導至基板10時效率會很差。在這種情況下，熱能可能需要被產生至超過加熱電極的熱容(thermal capacitance)來加熱基板10至約0℃至100℃的加工溫度，因而加熱電極310會因其過量的熱壓力造成的疲乏而破損。因為這些原因，加熱部300的厚度可小於加熱電極310的厚度約1.5倍。

加熱部300可包括絕緣陶瓷，且可以螺旋狀、重複的凹凸狀或不平坦的形狀而形成。因此，鄰近的加熱電極可透過加熱部300而彼此相互絕緣。進一步地，加熱部300可具有大於第一熱傳導係數的第二熱傳導係數，第二熱傳導係數的範圍約為10W/(mK)至30W/(mK)。

當第二熱傳導係數約小於150W/(mK)，從加熱電極310所產生的熱能會非常緩慢地透過加熱部300及靜電部200傳導至基板10，因而對基板10的加工會耗費很長的加工時間。相對地，當第二熱傳導係數約大於250W/(mK)時，從加熱電極310所產生的熱能會透過加熱部300以及靜電部200以足夠快的速度傳導至基板10。然而，靜電部200以及加熱部300的第一及第二熱傳導係數彼此間的差異，可能會使靜電部200以及加熱部300的溫度隨著加工的進行而出現差異性，導致熱壓力或熱衝擊會被集中至靜電部200。如此，隨著使用靜電卡盤100重複運行加工，靜電部200會因為重複的熱壓力而疲乏破損。

據此，第二熱傳導係數之範圍約為150W/(mK)至250W/(mK)，以使從加熱電極310所產生的熱能可被均勻地透過加熱部300傳導至基板10。

舉例來說，基於為了達成充足的熱傳導性，加熱部300可包括約90%的氮化鋁，其餘則為氧化鎂或氧化釔。

在本實施例中，加熱部300可透過黏合製程、膏印刷(paste printing)製程以及沉積製程相對地來形成為陶瓷塊(ceramic bulk)、陶瓷膏以及陶瓷薄層。加熱部300具有與靜電部200相似的體積阻抗，約為10⁸ Ωcm至10¹⁶ Ωcm。

因此，具有加熱電極310的加熱部300以及具有靜電電極210的靜電部200可依此方式設置：具有第二熱傳導係數的加熱部300位於具有第一熱傳導係數的靜電部200之下，且第二熱傳導係數大於第一熱傳導係數。因此，從加熱電極310所產生的熱能首先會均勻地傳導至加熱部300，然後熱能會再因為熱傳導係數的差異而從加熱部300傳導至靜電部200。最後，熱能會從靜電部200均勻地傳導至基板10。

當靜電部200的厚度t2小於1mm時，熱能難以被均勻地從靜電部200傳導至基板，而當t2大於5mm時，熱傳導效率會被大幅降低，使得要將基板加熱至加工溫度會耗費更長的時間。因此，靜電部200可具有約1mm至5mm的厚度。

絕緣部400可位於加熱部300之下，且防止從加熱電極310所產生的熱能向下傳導至主體500。也就是說，從加熱電極310所產生的熱能可被引導向上流動至靜電部200。因此，絕緣部400可具有小於第一及第二熱傳導係數的第三熱傳導係數。

絕緣部400可包括高溫塑料玻璃型陶瓷(high-temperature plastic glass type ceramics)，例如氧化矽、氧化鎂以及氧化鋅(ZnO)。或者，絕緣部400也可包括矽、聚合物以及矽與聚合物的混合，聚合物例如為丙烯樹脂(acryl resin)及環氧樹脂(epoxy resin)。

舉例來說，第三熱傳導係數的範圍約在0.5W/(mK)至5W/(mK)，且具有約10⁸ Ωcm至約10¹⁶ Ωcm的體積阻抗，其與靜電部200以及加熱部300的體積阻抗相似。

當絕緣部400的厚度t3約小於0.05mm時，基板10的溫度分佈會變得不平均，肇因於位於絕緣部400之下的主體500中流通於通道510的冷卻液。進一步地，將熱能傳導至基板10的效率也因為冷卻液而被降低，也因此加熱電極310要產生更多熱能來補償降低的熱傳導效率。更進一步地，因為絕緣部400的厚度t3並不足以防止熱能向下傳導至主體500，所以需要更大量的冷卻液或者冷卻時間來充分冷卻主體500。

相對地，當絕緣部400的厚度約大於0.5mm時，即使再增加絕緣部400的厚度，絕緣部400的熱能阻擋效應也不會再提升。因此，絕緣部400的厚度t3的範圍約為0.05mm至0.5mm，使得能絕緣部400在沒有額外厚度的情況下也能阻擋熱能傳導至主體。

主體500可位於絕緣部400之下，而黏合層600可插設在主體500以及絕緣部400之間。因此，絕緣部400以及主體500可透過黏合層600互相黏合。主體500以及黏合層600可彼此共同支撐絕緣部400，因此主體500與黏合層600的結合可作為用以支撐絕緣部400的支撐件。

主體500可包括通道510，使冷卻液流通於通道510中。通道510可被均勻地設置在主體500中，而主體500可防止被從加熱部300傳導來的熱能加熱。

第3圖係繪示用以加工基板且包括第1圖中所示之靜電卡盤的裝置之剖面圖。在第3圖中，與第1圖及2相同的標號表示標示著相同的元件，因此將省略對於相同元件的詳細描述。透過使用第1圖中所示的靜電卡盤100來加工基板的裝置現於下文中稱之加工裝置。

請參照第3圖，加工裝置1000可包括加工腔體700、氣體供應器800以及靜電卡盤100。

加工腔體700可包括內部空間，以使基板10於其中被裝載與加工，以製造集成電路裝置如半導體記憶體裝置以及用在平板顯示裝置的驅動電路裝置。舉例來說，蝕刻製程可在加工腔體700中實行於基板10。在蝕刻製程之例中，加工腔體的內部空間可形成真空狀態。

氣體供應器800可連接至加工腔體700，而加工氣體20可被供應進加工腔體700。舉例來說，氣體供應器800可連接至加工腔體700的上部分。

加工氣體20會隨著在加工腔體700中執行的加工製程而改變。在蝕刻製程之例中，用以產生等離子態(plasma state)的非主動(inactive)氣體、以及用在蝕刻製程的來源氣體，可做為加工氣體20而供應進加工腔體700。高頻率電源可供應至氣體供應器800，以在加工腔體700中產生等離子態。

靜電卡盤100可位於加工腔體700的下部分，而基板10可被裝載及固定在靜電卡盤100之上。

基板10可透過參照第1圖及第2圖中所詳細描述的靜電卡盤100而被均勻地加熱，因此基板10可在加工腔體700中透過加工氣體20被均勻地加工，如此可降低或最小化加工腔體700中基板10上的加工瑕疵，且可增進在加工裝置1000中製造的集成電路裝置之裝置品質。

根據本發明的範例性實施例，靜電卡盤可包括用來放置基板的靜電部靜電部、與加熱部位於靜電部之下的加熱部部。具有第二熱傳導係數的加熱部可包括用以產生熱能的加熱電極，而具有第一熱傳導係數的靜電部則可包括用以產生靜電力的靜電電極。靜電卡盤可使用如此的設置來建構：第二熱傳導係數可大於第一熱傳導係數。因此，從加熱電極所產生的熱能首先可被均勻地傳導至加熱部，然後，因為熱傳導係數的差異，熱能會再從加熱部傳導至靜電部。最後，熱能可被均勻地從靜電部傳導至基板，藉以均勻地加熱基板。

據此，基板可透過加工氣體在加工腔體中被均勻地加工，因此最小化了在加工腔體中基板上的加工瑕疵，且增進了在加工裝置中製造之集成電路裝置的裝置品質。

綜上所述，雖然本發明已以若干較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。據此，所有的這些更動與潤飾皆如同在專利申請範圍中所定義的被包括在本發明的範圍中。在專利申請範圍中，功能(means-plus-function)子句是用以涵蓋在此所描述的結構能執行所述的功能，且不僅涵蓋結構上的等效，也涵蓋了等效的結構。因此，雖然本發明已以若干較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定所揭露的特定實施例，對於所揭露及其他的實施例之更動皆被包括在專利申請範圍的範圍之內。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧基板

20‧‧‧加工氣體

100‧‧‧靜電卡盤

200‧‧‧靜電部

210‧‧‧靜電電極

300‧‧‧加熱部

310‧‧‧加熱電極

400‧‧‧絕緣部

500‧‧‧主體

510‧‧‧通道

600‧‧‧黏合層

700‧‧‧加工腔體

800‧‧‧氣體供應器

t1‧‧‧第一厚度

t2‧‧‧第二厚度

t3‧‧‧第三厚度

第1圖係繪示對應於本發明範例性實施例的靜電卡盤之剖面圖。

第2圖係詳細繪示第1圖中所示靜電卡盤的靜電部、加熱部以及絕緣部之剖面圖。

第3圖係繪示用以加工基板且包括第1圖中所示靜電卡盤的裝置之剖面圖。

10．．．基板

20．．．加工氣體

100．．．靜電卡盤

200．．．靜電部

210．．．靜電電極

300．．．加熱部

310．．．加熱電極

400．．．絕緣部

500．．．主體

510．．．通道

600．．．黏合層

700．．．加工腔體

800．．．氣體供應器

Claims (10)

1. 一種靜電卡盤，包括：一靜電部，用以透過靜電力使一基板固定於該靜電部之上，該靜電部具有一靜電電極以產生該靜電力，該靜電部具有一第一熱傳導係數；以及一加熱部，係位於該靜電部之下，用以加熱該基板，該加熱部具有一加熱電極以產生熱能，該加熱部具有一大於該第一熱傳導係數的第二熱傳導係數，其中該加熱部以及該加熱電極係具有相同厚度，且該加熱電極的側表面係以該加熱部覆蓋。
2. 如專利申請範圍第1項所述之靜電卡盤，其中該加熱部的成份包括具有氮化鋁(AlN)、氧化鎂(MgO)、氧化釔(Y2O3)及其組合之一的陶瓷。
3. 如專利申請範圍第1項所述之靜電卡盤，其中該第二熱傳導係數介於150W/(mK)至250W/(mK)之範圍。
4. 如專利申請範圍第1項所述之靜電卡盤，其中該靜電部的厚度介於1mm至5mm。
5. 如專利申請範圍第1項所述之靜電卡盤，其中該加熱部的一上表面係與該靜電部的一下表面接觸。
6. 如專利申請範圍第1項所述之靜電卡盤，更包括一絕緣部，該絕緣部係位於該加熱部之下，該絕緣部具有一第三熱傳導係數，該第三熱傳導係數係小於該第一熱傳導係數。
7. 如專利申請範圍第6項所述之靜電卡盤，其中該絕緣部的厚度介於0.05mm至0.5mm。
8. 如專利申請範圍第6項所述之靜電卡盤，其中該絕緣部的一上表面係與該加熱部的一下表面接觸。
9. 一種加工裝置，用於加工一基板，該裝置包括：一加工腔體，該基板係於其中被加工；一氣體供應器，係連接至該加工腔體，用以供應氣體至該加工腔體以加工該基板；以及一靜電卡盤，係位於該加工腔體之中，用以固定該基板，其中該靜電卡盤包括：一靜電部，用以透過靜電力使該基板固定於該靜電部之上，該靜電部具有一靜電電極以產生該靜電力，該靜電部具有一第一熱傳導係數；以及一加熱部，係位於該靜電部下，用以加熱該基板，該加熱部具有一加熱電極以產生熱能，該加熱部具有一大於該第一熱傳導係數的第二熱傳導係數，其中該加熱部以及該加熱電極具有相同的厚度，且該加熱電極的側表面係以該加熱部覆蓋。
10. 如專利申請範圍第9項所述之裝置，其中該靜電卡盤更包括一絕緣部，該絕緣部係位於該加熱部之下，該絕緣部具有一第三熱傳導係數，該第三熱傳導係數係小於該第一熱傳導係數，該加熱部的一上表面係與該靜電部的一下表面接觸，而該加熱部的一下表面則與該絕緣部的一上表面接觸。