TWI436503B - 發光裝置及發光裝置封裝件 - Google Patents

Description

發光裝置及發光裝置封裝件

本發明主張關於2010年2月18日所申請的南韓專利案號10-2010-0014707的優先權，並在此以引用的方式併入本文中，以作為參考。

本發明實施例關於發光裝置和發光裝置封裝件。

發光二極體(LED)是一種將電流轉換成光線的半導體發光裝置。近年來，由於發光二極體的亮度逐漸增加，因此被用做顯示器、交通工具、或是照明系統的光源亦增多。此外，藉由使用螢光材料或是結合可發出三原色的個別發光二極體，可實現發出白光且具有較優發光效率的發光二極體。

發光二極體的亮度視各種情況而定，例如主動層的結構、可有效提取光線至外部的取光結構、發光二極體所使用的半導體材料、晶片大小、以及將發光二極體封閉的模製件(molding member)類型。

本發明實施例提供一發光裝置，以及具有新型結構的一發光裝置封裝件。

本發明實施例亦提供一發光裝置和具有加強可靠性的一發光裝置封裝件。

本發明實施例亦提供一發光裝置和可以減少光損失的一發光裝置封裝件。

在本發明一實施例中，一發光裝置包括：一支撐構件；一發光結構在此支撐構件上，該發光結構包括一第一導電型半導體層、一第二導電型半導體層、以及一主動層在該第一導電型半導體層和該第二導電型半導體層之間；一保護構件在該支撐構件上表面的周圍區域；一電極，其包括一上部在該第一導電型半導體層上，一側部從該上部延伸且位於該發光結構的一側面，和及一延伸部從該側部延伸且位在該保護構件上；以及一絕緣層在該發光結構的該側面和該電極之間。

本發明另一實施例中，一發光裝置封裝件包括一發光裝置、一封裝體、一引線電極(lead electrode)、以及一插座(socket)。該發光裝置包括：一發光結構，其包括一第一導電型半導體層、一第二導電型半導體層、和一主動層在該第一導電型半導體層和該第二導電型半導體層之間；一保護構件在該支撐構件上表面的周圍區域；一電極，其包括一上部位在該第一導電型半導體層上，一側部從該上部延伸且位於該發光結構的一側面上，以及一延伸部從該側部延伸且位於該保護構件上；以及一絕緣層在該發光結構的該側面和該電極之間。該發光裝置設置在該封裝體內。該引線電極在該封裝體上，且電性連接至該發光裝置。該插座電性連接至該發光裝置的電極和該引線電極。

在後續描述中，應被理解，當提及一層(或膜)是在另一層或基板時，則其可以是直接在另一層或基板上，或者可能出現中間層。再者，應被理解，當提及一層是，當指出一層在其他層之”下方”時，其可直接在另一層下方，且可能出現一或更多的中間層。此外，說明書中的”上”或”下方”將依附圖為基礎來進行說明。

在圖示中，為清楚與方便說明，層和區域的尺寸可能被加以誇大。此外，每個部份的尺寸並未反映實際大小。

以下將參照附圖，詳細敘述根據本發明實施例的一發光裝置、該發光裝置的製造方法、一發光裝置封裝件、和一照明系統。

<實施例>

圖1為根據本發明實施例發光裝置100的剖視圖，圖2為圖1發光裝置100的平面視圖。

參閱圖1、2，根據本發明實施例的發光裝置100包括一導電支撐構件160、一保護構件155在導電支撐構件160上表面的周圍區域、一發光結構145在導電支撐構件160和保護構件155上、一電極128在第一導電型半導體層上、以及一絕緣層125在發光結構145和電極128之間以將發光結構145和電極128絕緣。電極128包括一上部電性連接至發光結構145的上表面、一側部自該上部延伸並且形成在第一導電型半導體層的側面上、以及一延伸部自該側部延伸且形成在保護構件155上。

發光結構145是一可產生光的結構，且包括至少一第一導電型半導體層130、一主動層140在第一導電型半導體層130之下、以及一第二導電型半導體層150在主動層140之下。

導電支撐構件160和電極128從外部電源(未顯示)取得電力，並提供該電力至發光裝置100。

根據本發明實施例，為了將發光裝置100連接至外部電源，可連接一導線至電極128的延伸部。發光結構145發出的光線因導線而失去的量可因此降到最小，且可防止當接合導線時產生對發光結構145的損害。

以下將詳述發光裝置100的構件。

導電支撐構件160可包括選自由鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鉑(Pt)、金(Au)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、和一摻雜有摻雜物的半導體基板所組成之群組的至少一者。

反射層157可形成在導電支撐構件160上。反射層157反射從發光結構145輸入的光，因此可改善發光裝置100的取光效率。

反射層157可由具有高反射率的金屬製成。例如，反射層157可包括銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銅(Cu)、或其合金的至少一者。

一黏合層(未顯示)形成在反射層157和導電支撐構件160之間，藉以加強一界面接合力量，但並非限制於此。

保護構件155可形成在反射層157上表面的週邊區域。保護構件155防止發光結構145和導電支撐構件160之間的電氣短路。

保護構件155包括絕緣和透明材料以減少光損失。舉例而言，保護構件155可包括至少二氧化硅(SiO₂ )、SixOy、氮化硅(Si₃ N₄ )、SixNy、SiOxNy、三氧化二鋁(Al₂ O₃ )、二氧化鈦(TiO₂ )、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅鋁(aluminum zinc oxide,AZO)、和氧化鋅(ZnO)中的至少一者。

歐姆接觸層156可形成在反射層157上表面和保護構件155內部。歐姆接觸層156可在發光結構145和反射層157或導電支撐構件160之間形成歐姆接觸。舉例而言，歐姆接觸層156可包括至少氧化銦錫(ITO)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、銥(Ir)、銠(Rh)、和銀(Ag)中的至少一者。

當發光結構145與反射層157或導電支撐構件160帶有歐姆接觸時，可省略該歐姆接觸層156。

發光結構145可形成在歐姆接觸層156上。發光結構145可包括至少第一導電型半導體層130、主動層140在第一導電型半導體層130之下、以及第二導電型半導體層150在主動層140之下。

第一導電型半導體層130可包括一n型半導體層。該n型半導體層包括具有In_x Al_y Ga_1-x-y N(0x1,0y1,0x+y1)化學式的半導體材料，例如氮化銦鋁鎵(InAlGaN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁(AlN)、和氮化銦(InN)。此外，該n型半導體層可摻雜如矽(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)的n型摻雜物。

主動層140可包括具有In_x Al_y Ga_1-x-y N(0x1,0y1,0x+y1)化學式的半導體材料。主動層140可具有量子線結構(quantum wire structure)、量子點結構(quantum dot structure)、單量子井結構(quantum well structure)、或多重量子井結構(MQW)，但實施例並非限制於此。從第一導電型半導體層130注入的電子(或電洞)可與從第二導電半導體層150注入的電洞(或電子)在主動層140中再組合，因此主動層140發射出光。

第二導電型半導體層150包括一p型半導體層。該p型半導體層可包括具有In_x Al_y Ga_1-x-y N(0x1,0y1,0x+y1)化學式的半導體材料，例如氮化銦鋁鎵(InAlGaN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁(AlN)、和氮化銦(InN)。此外，該p型半導體層可摻雜如鎂(Mg)、鋅(Zn)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、或鋇(Ba)的p型摻雜物。

同時，第一導電型半導體層130可包括p型半導體層，而\第二導電型半導體層150可包括n型半導體層。同時，一第三導電型半導體層(未顯示)包括n型或p型半導體層可形成在第二導電型半導體層150上。據此，發光裝置100包括一N-P接合結構、一P-N接合結構、一N-P-N接合結構、和P-N-P接合結構的至少一種。亦即，實施例並非限制於此。

發光結構145的一側面進行一分離蝕刻(isolation etching)以將複數個晶粒分離為單元晶片。發光結構145的側面可藉由分離蝕刻而傾斜，保護構件155可因此露出。

在實施例中，電極128位於保護構件155的區域可藉由分離蝕刻而形成。

電極128可連接至發光結構145的上表面(亦即，第一導電型半導體層130)，而且至少部份的電極128形成在保護構件155上。亦即，電極128可包括第一導電型半導體層130的上部，電極128的側部從該上部延伸且形成在第一導電型半導體層130的側面上，而電極128的延伸部從該側部延伸且形成在保護構件155上。

電極128可包括導電材料，特別是可包括與第一導電型半導體層130形成歐姆接觸的金屬或導電性非金屬。舉例而言，電極128可包括選自由銅(Cu)、鈦(Ti)、鋅(Zn)、金(Au)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、銥(Ir)、銠(Rh)、銀(Ag)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO,In-ZnO)、氧化鎵鋅(GZO,Ga-ZnO)、氧化鋅鋁(AZO,Al-ZnO)、氧化鋅鋁鎵(AGZO,Al-Ga ZnO)、氧化鋅銦鎵(IGZO,In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、或ZnO所組成之群組的至少一者。電性連接至電極128的接合金屬層129藉由導線連線至外部電源。在考慮與外部電源的連接和電流轉換(current transfer)特質下，接合金屬層129因此可包括金屬。舉例而言，接合金屬層129可包括鎳、銅、或其合金。

同時，電極128可依其透明度而可有不同形狀。

如圖1和2所示，當電極128包括透明材料時，則可在發光結構145的整個區域和保護構件155上形成電極128。這是因為發光結構145所出的光中，被透明電極128所吸收的光量很小。

同時，電極128可有一預定圖案在發光結構145上，但並不限制於此。

圖3為根據本發明另一實施例發光裝置100A的平面視圖。

當電極128包括不透明材料時，例如具有高導電性的金屬，電極128可具有一預定圖案。

亦即，為了將功率(power)平均散佈至第一導電型半導體層130上表面的整個區域，且為了減少發光結構145發出光的光損失，電極128a可具有一預定圖案。

舉例而言，如圖3所示，在第一導電型半導體層130上的電極128a具有一開口圖案，例如格狀圖案、螺旋(spiral或helix)圖案。同時，帶有開口的圖案沿著發光結構145側面一直線部份連接至保護構件155上的延伸部。亦即，電極128的側面部份為線條狀(line shape)，但電極128a的形狀並不受限於此。

同時，電極128a可有複數層。舉例而言，電極128a可包括與第一導電型半導體層130形成歐姆接觸的一第一層，和在第一層上形成的一第二層。該第二層可包括一使導線易於接合的接合金屬。

此外，在一部份的電極128a上形成接合金屬層129。該導線可接合在接合金屬層129上，因此可從一外部電源提供電力至發光裝置100。根據本發明發光裝置100的設計而可提供複數個金屬接合層129。

在圖3中，分別形成電極128a的直線部份和接合金屬層129，且彼此電性連接。據此，電極128a和接合金屬層129可具有不同材料。因此電極128a包括一具有優越歐姆接觸性質的材料，而接合金屬層129則包括考量與外部電源連接和電流轉換特質的材料。但實施例並非限定於此。

因此，如圖4、5所示，電極128a直線部份和接合金屬層129a、129b可包括相同材料，且可整合成形。據此，電極128a和接合金屬層129a、129b可在同一步驟中形成，程序因此而簡化。在此，如圖4所示，接合金屬層129a的寬度可與電極128a直線部份的寬度相同。或者，如圖5所示，接合金屬層129b的寬度可大於電極128a直線部份的寬度，因此易於進行接合金屬層129b和外部電源之間的連接。

根據本發明實施例，導線接合至電極128或電極128a，或者在保護構件155上的接合金屬層129、129a、或129b，但並非接合至發光結構145。因此，因導線所致的光損失降至最低，而且可防止接合導線時所造成的發光結構145的損害。

絕緣層125形成在電極128或128a和發光結構145之間，以使它們彼此絕緣。因此絕緣層125形成在發光結構145的側面上，因此防止發光結構145和電極128或128a之間的電氣短路。

同時，絕緣層125更可形成在保護構件155和電極128之間，但並非限制於此。

絕緣層125可包括絕緣和透明材料，以將光損失減至最低。舉例而言，絕緣層125可包括選自由二氧化硅(SiO₂ )、SixOy、氮化硅(Si₃ N₄ )、SixNy、SiOxNy、三氧化二鋁(Al₂ O₃ )、和二氧化鈦(TiO₂ )所組成之群組的至少一者。

如同本發明另一實施例，在電極128a具有如圖3所示的預定圖案的情況下，絕緣層125可有與第一個電極128a圖案相對應的形狀。

以下將描述根據本發明實施例的一發光裝置100製造方法。

圖6至圖11顯示根據本發明一實施例發光裝置的製造方法之剖視圖。

參閱圖6，發光結構145可形成在一基板110上。

基板110可由藍寶石(Al₂ O₃ )、碳化矽(SiC)、矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、和鍺(Ge)的其中至少一者所製成，但並非限制於此。

發光結構145可形成在基板110上。發光結構145可包括複數個半導體層，且包括至少第一導電型半導體層130、在第一導電型半導體層130之下的主動層140、以及在主動層140之下的第二導電型半導體層150。

舉例而言，可使用金屬有機化學氣相沉積法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)、化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)、電漿增強化學氣相沉積法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、分子束磊晶法(Molecular Beam Epitaxy，MBE)、氫化物氣相磊晶法(Hydride Vapor Phase Epitaxy，HVPE)等方法來形成發光結構145，但並非限制於此。

參閱圖7，保護構件155可形成在發光結構145上表面的週邊區域上，而導電支撐構件160可形成在發光結構145和保護構件155上。

保護構件155可藉由沉積製程或微影蝕刻製程(photolithography)而形成，但並非限制於此。

導電支撐構件160可藉由沉積製程或電鍍製程而形成。或者，導電支撐構件160可為一片狀，且可被貼附。但實施例並非限定於此。

同時，反射層157可形成在導電支撐構件160之下，以加強取光效率(light extraction efficiency)。再者，歐姆接觸層156可形成在反射層157和第二導電型半導體層150之間。

參閱圖7和8，可移除基板110。利用雷射剝離法(laser lift-off，LLO)或蝕刻法可移除基板110，但並非限制於此。

同時，可進行另一種如電感式耦合電漿/離子蝕刻(ICP/RIE，Inductively Coupled Plasma/Reactive Ion Etch)的蝕刻程序，以研磨(polish)在移除基板110後暴露出的第一導電型半導體層130的表面。

參閱圖9，發光結構145接受隔離蝕刻，發光結構145因此分離成單元晶片，且形成絕緣層125。

藉由分離蝕刻而可使保護構件155上表面暴露出。

舉例而言，絕緣層125可藉由使用電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、電子束(e-beam)沉積法等方法而形成。

絕緣層125可包括絕緣和透明材料而將光損失減至最低。舉例而言，絕緣層125可包括選自由二氧化硅(SiO₂ )、SixOy、氮化硅(Si₃ N₄ )、SixNy、SiOxNy、三氧化二鋁(Al₂ O₃ )、和二氧化鈦(TiO₂ )所組成之群組的至少一者。

在發光結構145的側面形成絕緣層125的情況並非限制於此。因此，可在發光結構145上表面的一部份形成絕緣層125。

參閱圖10，電極128可形成與發光結構145接觸。至少一部份的電極128可形成在保護構件155上。亦即，電極128可包括該上部、該側部、以及該延伸部。該上部可形成在第一導電型半導體層130的上表面上。該側部從該上部延伸且形成在發光結構145一側面上。該延伸部從該側部延伸且形成在保護構件155上。

電極128可包括導電材料，而且更具體而言可包括與第一導電型半導體層130形成歐姆接觸的金屬或導電性非金屬。舉例而言，電極128可包括選自由銅(Cu)、鈦(Ti)、鋅(Zn)、金(Au)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、銥(Ir)、銠(Rh)、銀(Ag)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化鋅鋁(AZO)、氧化鋅鋁鎵(AGZO)、氧化鋅銦鎵(IGZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、或ZnO所組成之群組的至少一者。

電極128可形成在發光結構145的全部區域，或可具有預定圖案。電極128的形狀可根據發光裝置100的設計及/或電極128的材料而決定。

參閱圖11，接合金屬層129係至少形成在形成於保護構件15上部的電極128上，且導線127係連接至接合金屬層以連接至外部電源。據此，提供了根據本發明實施例的發光裝置100。

在上述實施例中，發光裝置具有直立式拓撲(vertical topology)，但並非限制於此。因此，亦可應用至具有橫向式拓撲(lateral topology)的發光裝置。

<第一發光裝置封裝件>

圖12為具有根據本發明實施例發光裝置100的發光裝置封裝件之剖視圖。

參閱圖12，根據本發明實施例的發光裝置封裝件包括一封裝體20、一第一和一第二引線電極31、32安裝在封裝體20上、一根據本發明實施例的發光裝置100安裝在封裝體20且電性連接至第一和第二引線電極31、32、以及將發光裝置100封閉的一模製件40(molding member)。

封裝體20可形成具有矽材料、合成樹脂材料、或金屬材料，且在發光裝置100周圍具有一傾斜表面。

第一引線電極31和第二引線電極32為彼此電性分離，並提供一電力至發光裝置100。同時，第一和第二引線電極31、32可反射從發光裝置100產生的光，因此增加光效率，而且可將從發光裝置100產生的熱發散至外部。

發光裝置100可安裝在封裝體20，或安裝在第一引線電極31或第二引線電極32上。

舉例而言，藉由使用導線而可將發光裝置100電性連接至第一引線電極31和第二引線電極32。

根據本發明實施例，導線接合至電極128或128a，或者在保護構件155上的接合金屬層129、129a、或129b。因此因導線而致的光損失降至最低，而且可防止接合導線時造成發光結構145的損害。

模製件40封閉並保護發光裝置100。同時，模製件40可包括一螢光材料，以改變發光裝置100發出的光的波長。

<第二發光裝置封裝件>

以下將描述第二發光裝置封裝件。但是將簡述或省略與第一發光裝置封裝件相同或類似的內容。

圖13為包括根據本發明實施例之發光裝置102的第二發光裝置封裝件之剖視圖。圖14為圖13中第二發光裝置封裝件的發光裝置102和插座200的延伸剖視圖。圖15為在圖13第二發光裝置封裝件中發光裝置102和插座200的拆解透視圖。

參閱圖13至15，第二發光裝置封裝件可包括一封裝體20a、一引線電極31a在封裝體20a上、一貫穿電極(through electrode)32a從封裝體20a上表面穿入至其底面、一發光裝置102電性連接至貫穿電極32a、一插座200電性連接至發光裝置102和線電極31a、以及一模製件40封閉發光裝置100。

在第二發光裝置封裝件中，發光裝置102藉由插座200電性連接至線電極，而不是藉由導線。

特別是插座200包括一開口用以插入發光結構145、一插座電極210電性連接至發光裝置102的電極128、以及一絕緣體220將插座電極210與發光裝置102的導電支撐構件160絕緣。

當發光結構145插入至該開口時，電極128和插座電極210電性連接。亦即，插座電極210的一部份朝向絕緣體220的內部突起，插座電極210因此可與電極128接觸。為了電極128和插座電極210之間易於接觸，絕緣體220厚度與導電支撐構件160的厚度大致相同。

如圖13至15所示，插座電極210係形成在絕緣體220外部上，且插座電極210的一端與電極128接觸，而插座電極210的另一端則與引線電極31a接觸。但實施例並非限制於此。因此插座200可有各種形狀。

同時，如圖16所示，當插座電極210a與在電極128上形成的接合金屬層129接觸時，插座電極210a可包括一凹部212具有與接合金屬層129相對應的形狀。但實施例並非限制於此。

在圖15中，插座電極210係為在保護構件155上形成的電極128之上部(亦即，該延伸部)。但實施例並非限制於此。如同修正範例，如圖17所示，插座電極210b圍繞在發光結構145側面上形成的電極128的側部，且可延伸至第一導電型半導體層130上表面的一部份。

根據本發明實施例，由於利用插座200提供電源而非導線，與導線接合步驟相較之下，發光裝置102易於電性連接至引線電極31a和貫穿電極32a。同時，可穩固的固定發光裝置102且與封裝體20a接合。

上述電性連接結構係為一範例，因此包括引線電極31a和貫穿電極32a的結構之實施例並非用以限制本發明。

根據本實施例的發光裝置封裝件可安裝至少在根據前述多個實施例的發光裝置之一，但本發明並非限制於此。發光裝置封裝件可包括排列在一基板上的複數個發光裝置封裝件。複數個光學構件，例如導光板、稜鏡片、擴散片、螢光片、及類似物，可排列在發光裝置封裝件發光的路徑上。發光裝置封裝件、基板、和光學構件的作用如同背光單元或照明單元，且照明系統可包括，例如，背光單元、照明單元、指示單元、發光體(lamp)、街燈，等等。

圖18為根據本發明一實施例具有發光裝置或發光裝置封裝件的背光單元之拆解透視圖。圖18的背光單元1100為照明系統的一範例，但本發明並非限制於此。

參閱圖18，背光單元1100可包括一底蓋1140、一導光構件1120設置在底蓋1140內、以及一發光模組1110設置在導光構件1120的至少一側面或者在導光構件1120下方。同時，一反射片1130設置在導光構件1120下方。

底蓋1140可以以頂部表面開放的盒子形狀形成，以接收導光構件1120、發光模組1110、以及反射片1130。底蓋1140可由一金屬材料或樹脂材料所形成，但本發明並非限制於此。

發光模組1110可包括一基板700和複數個發光裝置封裝件600安裝在基板700上。該複數個發光裝置封裝件600可提供光至導光構件1120。在根據本實施例的發光模組1110中，其為示範性顯示發光裝置封裝件600安裝在基板700上，但根據本發明多個實施例，發光裝置可直接安裝在基板700上。

如圖18所示，發光模組1110可設置在底蓋1140的至少一內側表面上，且可因此提供光至導光構件1120的至少一側面上。

同時必須說明，發光模組1110可設置在底蓋1140內部的導光構件1120下方，使其可以朝向導光構件1120底面提供光。然而，由於可根據背光模組1100的設計而修改此結構，因此但本發明並非限制於此。

導光構件1120可設置在底蓋1140內部。導光構件1120可將發光模組提供的光轉換成一平面光源(plannar light source)並將轉換後的平面光源導至一顯示面板(未顯示)。

舉例而言，導光構件1120可為一導光面板(LGP)。導光面板可由如聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)、聚對苯二甲酸二乙酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、環狀烯烴共聚物(COC)、及聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)樹脂等類的丙烯醯基系列(acryl-series)樹脂形成。

一光學膜片1150可設置在導光構件1120上。

光學膜片1150可包括例如擴散片、聚光片、增光片和螢光片的至少一者。舉例而言，光學膜片1150可由擴散片、聚光片、增光片和螢光片堆疊建構而成。在此情況下，擴散片1150將發光模組1110發出的光均勻擴散，且藉由聚光片將被擴散的光聚集至顯示面板(未顯示)。此時，從聚光片發出的光為一隨機的偏光，且增光片會增加聚光片發出的光的偏極化(polarization)。例如，聚光片可為一水平及/或垂直的稜鏡片。同時，例如增光片可為一雙增光膜(dual brightness enhancement film)。另外，螢光片可為包括螢光材料的一透明板或膜。

反射板1130設置在導光構件1120下方。反射板1130將導光構件1120底部發出的光朝向導光構件1120發光表面反射。

反射板1130可由具良好反射性的樹脂材料所形成，例如聚對苯二甲酸二乙酯(PET)樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚氯乙烯(PVC)樹脂、或類似物，本發明並非限制於此。

圖19為根據本發明一實施例具有發光裝置或發光裝置封裝件的照明單元之透視圖。圖19之照明單元1200為照明系統的一範例，而本發明並非限制於此。

參閱圖19，照明單元1200包括一殼體1210、一發光模組1230安裝在殼體1210中、以及一連接端部安裝在殼體1210中且提供來自外部電源的電力。

殼體1210最好由具有良好熱屏蔽(heat shielding)特性的材料製成，例如金屬材料或樹脂材料。

發光模組1230可包括一基板700，以及一發光裝置封裝件600安裝在基板700上。根據本實施例，發光模組1230示範說明了發光裝置封裝件600安裝在基板700上，但根據本發明多個實施例，發光裝置可直接安裝在基板700上。

基板700可以是一印有線路圖案的絕緣體基板，而且，舉例之言，可包括一般印刷電路板(PCB)、金屬核心印刷電路板、軟性印刷電路板、陶磁印刷電路板等等。

同時，基板700由一可以有效反射光線的材料形成，而且其中一表面由可以有效反射光線的顏色形成，例如白色、銀色或之類。

至少一發光裝置封裝件600可安裝在基板700上。每個發光裝置封裝件600可包括至少一發光二極體(LED)。發光二極體可包括一發出紅、綠、藍、或白光的發光二極體，及一發出紫外光(UV)的紫外光發光二極體。

發光模組1230可以為具有數個發光二極體的組合，以此獲得所需的顏色和輝度。舉例而言，發光模組1230可有白色發光二極體、紅色發光二極體、及綠色發光二極體的組合，以此獲得高現色性指數(CRI)。一螢光板更可設置在發光模組1230發射出光的路徑上。該螢光板轉換發光模組發出的光的波長。舉例而言，當發光模組1230發出的光有一藍色波長帶，該螢光板可包括一黃色螢光材料，因此從發光模組1230發出、且通過該螢光板的光最後呈現為白光。

連接端部1220可電性連接至發光模組1230，為發光模組1230提供電源。如圖19所示，連接端部1220可螺接至一外部電源，本發明並非限制於此。舉例而言，連接端部1220可以製成一插針式且插入一外部電源，或可藉由一電源線連接至該外部電源。

如上所述，照明系統在光線的行進路徑包括導光構件、擴散片、聚光片、增光片和螢光片中的至少一者，以獲得所需的光學效果。

如上所述，由於根據本發明此實施例的照明系統包括具有已加強可靠性和減少光損失的發光裝置或發光裝置封裝件，照明系統因此顯示較優越特性。

在本說明書中指稱任何「一實施例」、「一個實施例」、「示範實施例」等等，意指與實施例結合而描述的一特定特徵、結構、或特色包括在本發明之至少一實施例中。在本說明書各處出現的此類名稱不一定都指稱同一實施例。再者，當與任何實施例結合而描述特定特徵、結構、或特色時，則結合該等實施例中之其他者來實現此特徵、結構或特性是在熟習此項技術者之能力範圍內。

雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技術者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改為可能的。除了零部件及/或配置之變化及修改外，對於熟習此項技術者而言替代用途亦將顯而易見。

20．．．封裝體

20a．．．封裝體

31．．．第一引線電極

31a．．．引線電極

32．．．第二引線電極

32a．．．貫穿電極

40．．．模製件

100．．．發光裝置

100A．．．發光裝置

102．．．發光裝置

110．．．基板

125．．．絕緣層

127．．．導線

128．．．電極

128a．．．電極

129．．．接合金屬層

129a．．．接合金屬層

129b．．．接合金屬層

130．．．第一導電型半導體層

140．．．主動層

145．．．發光結構

150．．．第二導電型半導體層

155．．．保護構件

156．．．歐姆接觸層

157．．．反射層

160．．．導電支撐構件

200．．．插座

210．．．插座電極

210a．．．插座電極

210b．．．插座電極

212．．．凹部

220．．．絕緣體

600．．．發光裝置封裝件

700．．．基板

1100．．．背光單元

1110．．．發光模組

1120．．．導光構件

1130．．．反射片

1140．．．底蓋

1150．．．光學膜片

1200．．．照明單元

1210．．．殼體

1220．．．連接端部

1230．．．發光模組

圖1顯示根據本發明一實施例發光裝置的剖視圖。

圖2為圖1中發光裝置之平面視圖。

圖3為根據本發明另一實施例的發光裝置之平面視圖。

圖4為根據本發明修正範例的發光裝置之平面視圖。

圖5為根據本發明另一修正範例的發光裝置之平面視圖。

圖6至圖11顯示根據本發明一實施例發光裝置的製造方法之剖視圖。

圖12為具有根據本發明實施例之發光裝置的第一發光裝置封裝件之剖視圖。

圖13為具有根據本發明實施例之發光裝置的第二發光裝置封裝件之剖視圖。

圖14為圖13第二發光裝置封裝件中發光裝置和插座之延伸剖視圖。

圖15顯示圖13第二發光裝置封裝件中發光裝置和插座之拆解透視圖。

圖16為第二發光裝置封裝件的第一修正範例之剖視圖。

圖17為第二發光裝置封裝件的第二修正範例之剖視圖。

圖18為具有根據本發明實施例之發光裝置或發光裝置封裝件的背光單元之拆解透視圖。

圖19為具有根據本發明實施例之發光裝置或發光裝置封裝件的照明單元之透視圖。

125．．．絕緣層

127．．．導線

128．．．電極

129．．．接合金屬層

130．．．第一導電型半導體層

140．．．主動層

145．．．發光結構

150．．．第二導電型半導體層

155．．．保護構件

156．．．歐姆接觸層

157．．．反射層

160．．．導電支撐構件

Claims (15)

1. 一種發光裝置，包括：一導電支撐構件；一發光結構在該導電支撐構件上，該發光結構包括一第一導電型半導體層、一第二導電型半導體層、和一主動層在該第一導電型半導體層和該第二導電型半導體層之間；一反射層位於該導電支撐構件之一上表面上；一保護構件在該反射層之一上表面的一週邊區域；一電極包括一上部在該第一導電型半導體層上，一側部從該上部延伸且位在該發光結構的側面上，和一延伸部從該側部延伸且位在該保護構件上；以及一絕緣層在該發光結構的側面和該電極之間，其中該發光結構位於該保護構件上，其中該絕緣層形成於該保護構件及該電極之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括一接合金屬層在該延伸部的至少一部份上。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之發光裝置，其中該電極包括一金屬具有導電性且與該第一導電型半導體層形成一歐姆接觸。
4. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該電極之該上 部包括一圖案及一開口。
5. 如申請專利範圍第2項所述之發光裝置，其中該電極包括一透明材料。
6. 如申請專利範圍第4項所述之發光裝置，更包括一接合金屬層在該延伸部的至少一部份上，其中該上部和該接合金屬層藉由一直線部份而與至該接合金屬層連接。
7. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置，其中該接合金屬層和該直線部份為整合成形。
8. 如申請專利範圍第5項所述之發光裝置，其中該電極形成在該發光結構的全部區域和該保護構件上。
9. 一種發光裝置封裝件，包括：一發光裝置，包括：一導電支撐構件；一發光結構位於該導電支撐構件上，且該發光結構包括一第一導電型半導體層、一第二導電型半導體層、和一主動層在該第一導電型半導體層和該第二導電型半導體層之間；一反射層位於該導電支撐構件之一上表面上；一保護構件在該反射層之一上表面的一週邊區域； 一電極包括一上部在該第一導電型半導體層上，一側部從該上部延伸且在該發光結構的側面上，和一延伸部從該側部延伸且位在該保護構件上；以及一絕緣層在該發光結構的側面和該電極之間，其中該發光結構位於該保護構件上，其中該絕緣層位於該保護構件及該電極之間；一封裝體其中設置有該發光裝置；一引線電極在該封裝體上，該引線電極電性連接至該發光裝置；以及一插座電性連接至該發光裝置的該電極和該引線電極。
10. 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置封裝件，其中該發光裝置封裝件更包括一貫穿電極電性，該貫穿電極穿透該封裝體以與至該導電支撐構件連接。
11. 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置封裝件，其中該插座包括一開口用以插入該發光結構。
12. 如申請專利範圍第10項所述之發光裝置封裝件，其中該插座包括一插座電極與該發光結構之該延伸部電性連接，和一絕緣體將該插座電極和該導電支撐構件絕緣。
13. 如申請專利範圍第12項所述之發光裝置封裝件，更包括一接合金屬層在該延伸部的至少一部份上。
14. 如申請專利範圍第13項所述之發光裝置封裝件，其中該插座電極包括一凹部具有一形狀與該接合金屬層相對應。
15. 如申請專利範圍第9至14項任一者所述之發光裝置封裝件，其中該插座圍繞該側部。