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TWI416479B - 液晶顯示器及其驅動方法 - Google Patents

液晶顯示器及其驅動方法 Download PDF

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TWI416479B
TWI416479B TW097138268A TW97138268A TWI416479B TW I416479 B TWI416479 B TW I416479B TW 097138268 A TW097138268 A TW 097138268A TW 97138268 A TW97138268 A TW 97138268A TW I416479 B TWI416479 B TW I416479B
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crystal display
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Po Yang Chen
Po Sheng Shih
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Hannstar Display Corp
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Description

液晶顯示器及其驅動方法
本發明是有關於一種液晶顯示器,且特別是有關於一種液晶顯示器之半色調技術。
對於液晶顯示器廣視角技術,目前最普及的是垂直排列向列型彩色液晶顯示器(Vertically Aligned Mode, VA mode)。但是當垂直排列向列型彩色液晶顯示器由傾斜角度觀看時,會看到亞洲人的皮膚有偏藍或發白的現象。這個現象就稱為色偏(Color Wash-Out)。參閱圖1A、1B,其係繪示垂直排列向列型彩色液晶顯示器穿透率-電壓曲線圖(Transmittance-Voltage),其中縱軸為穿透率、橫軸為施加電壓。當電壓增加時,正視角曲線102穿透率亦增加,呈一單調函數,偏視角曲線104穿透率有則有彎曲現象,使得不同的灰階電位其穿透率卻相同。這是垂直排列向列型彩色液晶顯示器所特有現象,亦是造成色偏之原因。為了解決這一問題,富士通(Fujitsu Display Technologies Corporation)的H.Yoshidaet等人發表了改善的方法,方法是將一個畫素單元,分成兩種不同的伽瑪特性曲線來形成兩種包含不同穿透率-電壓特性區域,來做混色而改善,係為稱為半色調(Half-Tone)技術。圖1B之曲線106為具低臨界電壓之穿透率-電壓曲線,曲線108為具高臨界電壓之穿透率-電壓曲線,兩者混合形成一單調穿透率-電壓曲線110,消除了色偏現象。
請參閱圖2A及圖2B。半色調技術目前有兩種,CC型及TT型。圖2A係繪示CC型,圖2B係繪示TT型。基本的原理就是將原本的畫素單元分為兩個區域,分別為第一與第二次畫素(Sub-Pixel),使它們包含不同的伽瑪特性曲線,來達到上述所提到的半色調技術,消除色偏的現象。圖2C所示為CC型之伽瑪特性曲線,而圖2D所示為TT型之伽瑪特性曲線。以圖2C為例,在一灰階電壓下,一畫素單元所呈現之混合伽瑪特性曲線,為第一次畫素伽瑪特性曲線與第二次畫素伽瑪特性曲線之加總。
如圖2A所示,一畫素單元分為兩個區域,利用電容分壓的方式產生次畫素電容208和次畫素電容214兩個不同的珈碼特性曲線。其中次畫素電容208的電位是由資料線(Data Line)經由電晶體202直接寫入的。次畫素電容214電位是資料線經由一個串聯儲存電容210分壓之後所決定的,換言之就是次畫素電容214是一個浮接的狀態而電位是經由耦合的方式來決定的,它會因為面板的操作中而補捉電荷導致次畫素電容214電位的偏移,這會造成可靠度及畫面不均勻以及影像殘留等問題。
參閱圖2B,一畫素單元分為兩個區域,利用電晶體218及220,二條掃描線或二條資料線直接由系統給定二個不同的伽瑪特性曲線至次畫素電容226與次畫素電容228。這是最直接的方法,但如此會使開口率減少及系統電路複雜(需要增加另外一組伽瑪特性曲線),增加一倍的邏輯閘驅動或資料線驅動以及電源消耗增加等種種缺點。
本發明提供一種液晶顯示器,藉以改善色偏現象。
本發明提供一種液晶顯示器驅動方法,藉由調變共通電壓,使第一畫素電容與第二畫素電容耦合出不同的跨壓,藉以改善色偏現象。
本發明提供一種液晶顯示器驅動方法,包含於第一週期內,提供共通電壓至共用電極,並調變共通電壓。此外,藉由第一畫素電容耦合第一電晶體之第一端,並藉由第二畫素電容耦合第二電晶體之第一端。另外,產生跨壓於第一電晶體之第一端與第二電晶體之第一端間。
從另一觀點來看,本發明提供一種液晶顯示器,包含基板、對向基板、偏壓電極、共通電極、第一畫素電極、第二畫素電極與共用電極。對向基板對應於基板。偏壓電極與共通電極配置於基板上。第一畫素電極與偏壓電極、共通電極部分重疊,分別形成具有電容值Cst1 之第一儲存電容與具有電容值Cst3 之第三儲存電容。第二畫素電極與偏壓電極、共通電極部分重疊,分別形成具有電容值Cst2 之第二儲存電容與具有電容值Cst4 之第四儲存電容。共用電極配置於對向基板上,且分別與第一畫素電極、第二畫素電極重疊,形成具有電容值Clc1 之第一畫素電容與具有電容值Clc2 之第二畫素電容。其中,
本發明利用調變共通電壓的技術,使第一畫素電容與第二畫素電容所耦合出的跨壓不同,因此可改善色偏現象。 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉幾個實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
第一實施例
圖3A是依照本發明之第一實施例之液晶顯示器之一種畫素的電路圖。畫素10包括畫素電容21、22、電晶體31、32與儲存電容41、42。畫素電容21、22之第二端耦接共用電極,且共用電極耦接共通電壓Vcom 。電晶體31之第一端、第二端與閘極端分別耦接畫素電容21之第一端、資料線DL與掃描線SL,且電晶體31之第一端與閘極端之間存在著寄生電容61。電晶體32之第一端、第二端與閘極端分別耦接畫素電容22之第一端、資料線DL與掃描線SL,且電晶體32之第一端與閘極端之間存在著寄生電容62。
承上述,儲存電容41之第一端與第二端分別耦接畫素電容21之第一端與偏壓線BL。儲存電容42之第一端與第二端分別耦接畫素電容22之第一端與偏壓線BL。在本實施例中,偏壓線BL為畫素10的前一列畫素所耦接之掃描線,但在其他實施例中偏壓線BL也可以是第二偏壓電極。
圖3B是依照本發明之第一實施例之調變共通電壓Vcom 的波形示意圖。本實施例中係透過調變共通電壓Vcom ,藉以使畫素電容21所耦合出的跨壓ΔVP1 (亦即畫素電容21之第一端與第二端之間的壓差)相異於畫素電容 22所耦合出的跨壓ΔVP2 (亦即畫素電容22之第一端與第二端之間的壓差)。其中,共通電壓Vcom 例如有兩個電壓準位,分別為高準位Vcom1 及低準位Vcom2
上述調變共通電壓Vcom ,例如可將共通電壓由高準位Vcom1 改變為低準位Vcom2 ,或將共通電壓Vcom 由低準位Vcom2 改變為高準位Vcom1 。更詳細地說,當跨壓ΔVP1 與ΔVP2 相對於共通電壓Vcom 是正極性時,則可將共通電壓Vcom 由高準位Vcom1 調變為低準位Vcom2 ;反之,當跨壓ΔVP1 與ΔVP2 相對於共通電壓Vcom 是負極性時,則可將共通電壓Vcom 由低準位Vcom2 調變為高準位Vcom1
圖3C是依照本發明之第一實施例之一種畫素之驅動方法的流程圖。圖3D是依照本發明之第一實施例之偶數畫框之共通電壓Vcom 、跨壓ΔVP1 與ΔVP2 的波形示意圖。圖3E是依照本發明之第一實施例之奇數畫框之共通電壓Vcom 、跨壓ΔVP1 與ΔVP2 的波形示意圖。請合併參照圖3A、圖3C、圖3D與圖3E,本實施例中,電晶體31的第一端電性連接畫素電容21的第一端,電晶體31的閘極端電性連接掃描線SL。電晶體32的第一端電性連接畫素電容22的第一端,電晶體32的閘極端電性連接掃描線SL。此外,畫素電容21的第二端電性連接共用電極,畫素電容22的第二端電性連接共用電極。以下先針對第二週期時,各元件之運作進行說明。
在第二週期時,首先由步驟S301,由液晶顯示器之掃描驅動電路提供高準位之掃描驅動訊號給掃描線SL,藉以 導通電晶體31的第一端與第二端,並導通電晶體32的第一端與第二端。接著由步驟S302,由液晶顯示器之資料驅動電路提供資料訊號至資料線DL,藉以對畫素電容21、22進行充電。以下再對第一週期時,各元件之運作進行說明。
在第一週期時,可由步驟S303,由掃描驅動電路提供低準位之掃描驅動訊號給掃描線SL,使電晶體31、32截止,藉以絕緣電晶體31的第一端與第二端,並絕緣電晶體32的第一端與第二端。如此一來,可避免畫素電容21、22之第一端的電壓互相干擾。此外,由於畫素電容21、22之兩端所耦接的電壓並不是浮接電壓,因此可改善習知影像殘留之問題。
在第一週期時,接著可由步驟S304,調變共通電壓Vcom ,使畫素電容21所耦合之跨壓ΔVP1 相異於畫素電容22所耦合之跨壓ΔVP2 。更詳細地說,可先提供共通電壓Vcom 至共用電極,並調變此共通電壓Vcom 。接著利用畫素電容21耦合電晶體31的第一端,並利用畫素電容22耦合電晶體32的第一端。如此一來,可產生跨壓於電晶體31的第一端與電晶體32的第一端間。亦即,畫素10之次畫素51與52分別會具有不同之「資料訊號-穿透率」的曲線。
在本實施例中,畫素10在偶數畫框(Even Frame)例如是以正極性驅動方式,畫素10在奇數畫框(Odd Frame)例如是以負極性驅動方式。其中跨壓ΔVP1 與ΔVP2 分別可依據下列公式(一)與公式(二)求得:
在公式(一)與(二)中,Clc1 與Clc2 分別為畫素電容21與22之液晶電容值,Cst1 與Cst2 分別為儲存電容41與42之儲存電容值,Cgs1 與Cgs2 分別為寄生電容61與62之寄生電容值,而ΔVcom (Vcom1 -Vcom2 或Vcom2 -Vcom1 )為共通電壓Vcom 之調變量。一般而言,電晶體31與32會採用相同規格之元件,因此Cgs1 通常會與Cgs2 相等,更進一步來說,Cgs1 與Cgs2 之值過小,故可予以忽略。
承上述,在本實施例中,可將畫素10設計成Clc1 =Clc2 ,且Cst1 ≠Cst2 。因此藉由步驟S304調變共通電壓Vcom ,則可使跨壓ΔVP1 相異於跨壓ΔVP2 。如此一來,可使畫素10之次畫素51與52分別具有不同之「資料訊號-穿透率」的曲線,進以改善色偏之問題。此外,本實施例中,次畫素51、52耦接至相同之掃描線,改善了習知各次畫素必須耦接至不同之掃描線。不僅如此,本實施例與習知圖2A相較之下,本實施例不但提升了可靠度,更改善了畫面不均勻與影像殘留等問題。此外,本實施例與習知圖2B相較之下,本實施例所使用的掃描線之數量僅是習知的一半,不但可大幅節省硬體成本,提升開口率、簡化系統電路複雜度、而且不需提升電路的操作頻率,因此具有省電的功能。
本實施例中雖將畫素10設計為Clc1 =Clc2 ,且Cst1 ≠ Cst2 ,但本發明並不以此為限。在其他實施例中,只要Clc1 、Clc2 、Cst1 與Cst2 ,具有之關係,藉由步驟S304調變共通電壓Vcom ,則可使跨壓ΔVP1 相異於跨壓ΔVP2
圖4A是依照本發明之第一實施例之第一種畫素結構的俯視圖。圖4B是圖4A沿T1 至T1' 之剖面圖。請合併參照圖3A、圖4A與圖4B。畫素10之結構包括基板410、偏壓電極420、介電層430、畫素電極441、442、液晶層450與共用電極460。在本實施例中,基板410以下玻璃411與偏光片412為例進行說明之。偏壓電極420配置於基板410之部分區域上。偏壓電極420例如可設計成具有多個開口,且各開口之位置分別對應於次畫素51與52。介電層430配置於偏壓電極420上。畫素電極441配置介電層430之部分區域上,且畫素電極441之部分區域與偏壓電極420之部分區域互相重疊而形成儲存電容41。畫素電極442配置介電層430之部分區域上,且畫素電極442之部分區域與偏壓電極420之部分區域互相重疊而形成儲存電容42。
本實施例中,偏壓電極420、畫素電極441、442與共用電極460可用不透明之材質實施之,例如鋁。但在其他實施例中,偏壓電極420、畫素電極441、442與共用電極460亦用透明之材質實施之,例如氧化銦錫(ITO)。
承上述,液晶層450配置於畫素電極441、442上。共用電極460配置於液晶層450上,共用電極460對應於 畫素電極441與442分別形成畫素電容21與畫素電容22。此外,更可配置基板470於共用電極460上。基板470例如包括上玻璃471與偏光片472。
值得一提的是,由於畫素電極441與偏壓電極420相互重疊之面積(寬度為a之環狀區域)相異於畫素電極441與偏壓電極420相互重疊之面積(寬度為b之環狀區域),因此儲存電容41之儲存電容值Cst1 則會相異於儲存電容42之儲存電容值Cst2 。此外,在本實施例中,畫素電極441與442之面積設計為相同,因此畫素電容21之液晶電容值Clc1 則會相同於畫素電容22之液晶電容值Clc2 。如此一來,當調變共通電壓Vcom 時,畫素電容21與22所耦合之跨壓則會不相同。
本實施例中,雖將畫素電極441與442之面積設計為相同,但在另一實施例中,亦可將畫素電極441與442之面積設計為不相同,以達成Clc1 ≠Clc2 。例如,圖4C是依照本發明之第一實施例之第二種畫素結構的俯視圖。圖4D是圖4C沿T1 至T1' 之剖面圖。熟習本領域技術者可將圖A與圖B的畫素結構以圖4C與圖4D的畫素結構取代。值得一提的是,圖4C與圖4D中,c大於d,亦即畫素電極441的面積大於畫素電極442的面積,因此可使Clc1 ≠Clc2
本實施例中,偏壓電極420雖以具有多個開口之不透明材質實施之,但在其他實施例中偏壓電極420亦可用不具開口之透明材質,或是具有多個開口之透明材質實施之。
熟習本領域技術者可依其需求,將畫素10設計為穿 透式之畫素,藉以應用於為穿透式液晶顯示器。此外,亦可將畫素10設計為反射式之畫素,藉以應用於為反射式液晶顯示器。再者,更可將畫素10之次畫素51設計為穿透式之畫素,並將畫素10之次畫素52設計為反射式之畫素,藉以應用於為半穿透-半反射式液晶顯示器。
第二實施例
圖5是依照本發明之第二實施例之液晶顯示器之一種畫素的電路圖。本實施例之畫素11與上述實施例之畫素10相類似,其中標號與上述圖1相同可參照上述之實施方式。值得注意的是,本實施例之畫素11更包括了儲存電容43、44。儲存電容43之第一端與第二端分別耦接電晶體31之第一端與第二偏壓電極。儲存電容44之第一端與第二端分別耦接電晶體32之第一端與第二偏壓電極。本實施例中,第二偏壓電極例如可耦接至接地電壓。因此當調變共通電壓Vcom 時,畫素電容21之跨壓ΔVP1 與畫素電容22之跨壓ΔVP2 分別可依據下列公式(三)與公式(四)求得:
在公式(三)與(四)中,Clc1 與Clc2 分別為畫素電容21與22之液晶電容值,Cst1 、Cst2 、Cst3 與Cst4 分別為儲存電容41、42、43與44之儲存電容值,Cgs1 與Cgs2 分別為寄生電容61與62之寄生電容值,而ΔVcom (Vcom1 -Vcom2 或Vcom2 -Vcom1 )為共通電壓Vcom 之調變量。
如此一來,本實施例不但可達成與上述實施例相類似之功效,本實施例透過儲存電容43與44更可加強穩定畫素電壓,且可使電路設計更具有彈性。以下提供一種可實現本實施例之畫素結構供熟習本領域技術者參詳。
圖6A是依照本發明之第二實施例之一種畫素結構的俯視圖。圖6B是圖6A沿T2 至T2' 之剖面圖。請合併圖5、圖6A與圖6B。本實施例畫素11之結構與上述實施例畫素10之結構相類似,其中標號與圖4A與圖4B相同者可參照上述之實施方式。值得注意的是,本實施例畫素11之結構更包括了共通電極480。共通電極480配置於基板410之部分區域與介電層430之間。共通電極480之部分區域與畫素電極441之部分區域491互相重疊形成儲存電容43,共通電極480之部分區域與畫素電極442之部分區域互相重疊形成儲存電容44。
承上述,本實施例將部分區域491的面積設計為相同於部分區域492的面積,因此Cst3 =Cst4 。但在另一實施例中亦可將部分區域491的面積設計為不同於部分區域492的面積,藉以使Cst3 ≠Cst4 。如此一來,當調變共通電壓Vcom 時,畫素電容21與22所耦合之跨壓則會不相同。
第三實施例
熟習本領域技術者亦可依其需求改變畫素之架構,例如圖7是依照本發明之第三實施例之液晶顯示器之一種畫素的電路圖。本實施例之畫素12與上述圖3A之畫素10相類似,其中標號與上述實施例相同者可參照前述之實施 方式。值得注意的是,本實施例之次畫素51、52分別位於資料線DL之兩側,其好處在於可減少線路之複雜度。此外,畫素12更將儲存電容42設計成與畫素電容22相並聯。如此一來亦可達成與上述實施例相類似之功效。
第四實施例
熟習本領域技術者亦可依其需求而增設不同數量之儲存電容並聯於各畫素電容。例如圖8A是依照本發明之第四實施例之液晶顯示器之一種畫素的電路圖。本實施例之畫素13與上述圖7之畫素12相類似,其中標號與上述實施例相同者可參照前述之實施方式。值得注意的是,本實施例增設了儲存電容43並聯於畫素電容21。如此一來,不但可達成與上述實施例相類似之功效,更可使電路設計更具有彈性。
又例如圖8B是依照本發明之第四實施例之液晶顯示器之另一種畫素的電路圖。本實施例之畫素14與上述圖8A之畫素13相類似,其中標號與上述實施例相同者可參照前述之實施方式。值得注意的是,本實施例增設了儲存電容44並聯於畫素電容22。如此一來,不但可達成與上述實施例相類似之功效,更可使電路設計更具有彈性。
綜上所述,本發明利用調變共通電壓的技術,使畫素電容21與22所耦合出的跨壓不同,因此可改善色偏現象。
雖然本發明已以幾個實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾, 因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
102、104、106、108、110‧‧‧穿透率-電壓曲線
441、442‧‧‧畫素電極
10、11、12、13、14‧‧‧畫素
21、22、208、214、226、228‧‧‧次畫素電容
31、32、202、218、220‧‧‧電晶體
41、42、43、44、204、210、230、232‧‧‧儲存電容
51、52‧‧‧次畫素
61、62‧‧‧寄生電容
410、470‧‧‧基板
411、471‧‧‧下/上玻璃
412、472‧‧‧偏光片
420‧‧‧偏壓電極
430‧‧‧介電層
450‧‧‧液晶層
460‧‧‧共用電極
480‧‧‧共通電極
491、492‧‧‧畫素電極之部分區域
SL‧‧‧掃描線
DL‧‧‧資料線
BL‧‧‧偏壓線
Vcom1 、Vcom2 ‧‧‧共通電壓之電壓準位
Vcom ‧‧‧共通電壓
V0 ~V7 ‧‧‧灰階電壓
ΔVP1 、ΔVP2 ‧‧‧跨壓
ΔVcom ‧‧‧共通電壓之調變量
S301~S304‧‧‧一種畫素之驅動方法之各步驟
圖1A為一垂直排列向列型彩色液晶顯示器,其穿透率-電壓曲線圖。
圖1B為一垂直排列向列型彩色液晶顯示器,其包含兩組伽瑪曲線之穿透率-電壓曲線圖。
圖2A為一傳統之CC型畫素單元。
圖2B為一傳統之TT型畫素單元。
圖2C為一傳統之CC型畫素單元之伽瑪特性曲線圖。
圖2D為一傳統之TT型畫素單之伽瑪特性曲線圖。
圖3A是依照本發明之第一實施例之液晶顯示器之一種畫素的電路圖。
圖3B是依照本發明之第一實施例之調變共通電壓Vcom 的波形示意圖。
圖3C是依照本發明之第一實施例之一種畫素之驅動方法的流程圖。
圖3D是依照本發明之第一實施例之偶數畫框之共通電壓Vcom 、跨壓ΔVP1 與ΔVP2 的波形示意圖。
圖3E是依照本發明之第一實施例之奇數畫框之共通電壓Vcom 、跨壓ΔVP1 與ΔVP2 的波形示意圖。
圖4A是依照本發明之第一實施例之第一種畫素結構的俯視圖。
圖4B是圖4A沿T1 至T1' 之剖面圖。
圖4C是依照本發明之第一實施例之第二種畫素結構的俯視圖。
圖4D是圖4C沿T1 至T1' 之剖面圖。
圖5是依照本發明之第二實施例之液晶顯示器之一種畫素的電路圖。
圖6A是依照本發明之第二實施例之一種畫素結構的俯視圖。
圖6B是圖6A沿T2 至T2' 之剖面圖。
圖7是依照本發明之第三實施例之液晶顯示器之一種畫素的電路圖。
圖8A是依照本發明之第四實施例之液晶顯示器之一種畫素的電路圖。
圖8B是依照本發明之第四實施例之液晶顯示器之另一種畫素的電路圖。
S301~S304‧‧‧一種畫素之驅動方法之各步驟

Claims (20)

  1. 一種液晶顯示器驅動方法,包含:於一第一週期內,提供一共通電壓至一共用電極;於該第一週期內,調變該共通電壓;於該第一週期內,藉由一第一畫素電容及一第一儲存電容,耦合一第一電晶體之第一端;於該第一週期內,藉由一第二畫素電容及一第二儲存電容,耦合一第二電晶體之第一端,其中該第二畫素電容的電容值相同該第一畫素電容的電容值,該第二儲存電容的電容值不同該第一儲存電容的電容值;以及於該第一週期內,產生一跨壓於該第一電晶體之第一端與該第二電晶體之第一端間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器驅動方法,更包含:於該第一週期內,提供一第一掃描訊號至一掃描線;於該第一週期內,絕緣該第一電晶體之第一端與第二端;以及於該第一週期內,絕緣該第二電晶體之第一端與第二端。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示器驅動方法,更包含:於一第二週期內,提供一第二掃描訊號至該掃描線;於該第二週期內,導通該第一電晶體之第一端與第二端;以及 於該第二週期內,導通該第二電晶體之第一端與第二端。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示器驅動方法,更包含:於該第二週期內,提供一資料訊號至一資料線;以及於該第二週期內,對該第一畫素電容與該第二畫素電容充電。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器驅動方法,更包含:電性連接該掃描線與該第一電晶體之閘極;以及電性連接該掃描線與該第二電晶體之閘極。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器驅動方法,更包含:電性連接該第一電晶體之第一端與該第一畫素電容之一端;以及電性連接該第二電晶體之第一端與該第二畫素電容之一端。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器驅動方法,更包含:電性連接該共用電極與該第一畫素電容之另一端;以及電性連接該共用電極與該第二畫素電容之另一端。
  8. 一種液晶顯示器,包含:一基板與一對向基板對應於該基板;一偏壓電極與一共通電極配置於該基板上; 一第一畫素電極與該偏壓電極、該共通電極部分重疊,分別形成一具有電容值Cst1 之第一儲存電容、一具有電容值Cst3 之第三儲存電容;一第二畫素電極與該偏壓電極、該共通電極部分重疊,分別形成一具有電容值Cst2 之第二儲存電容、一具有電容值Cst4 之第四儲存電容;以及一共用電極,配置於該對向基板上,且分別與該第一畫素電極、該第二畫素電極重疊,形成一具有電容值Clc1 之第一畫素電容與一具有電容值Clc2 之第二畫素電容;其中,
  9. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示器,其中該第一畫素電極與該偏壓電極重疊的面積,相異於該第二畫素電極與該偏壓電極重疊的面積。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示器,其中該第一畫素電極與該共通電極重疊的面積,相異於該第二畫素電極與該共通電極重疊的面積。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示器,其中該共用電極與該第一畫素電極重疊的面積,相異於該共用電極與該第二畫素電極重疊的面積。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示器,其中該第三儲存電容之電容值Cst3 為零,且該第四儲存電容之電容值Cst4 亦為零。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示器,其中該偏壓電極具有一第一開口與一第二開口。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之液晶顯示器,其中該第一畫素電極對應於該第一開口。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之液晶顯示器,其中該第二畫素電極對應於該第二開口。
  16. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示器,其中該第一畫素電極具有一第三開口。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之液晶顯示器,其中該第三開口係位於該第一畫素電極之中心位置。
  18. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示器,其中該第二畫素電極具有一第四開口。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之液晶顯示器,其中該第四開口係位於該第二畫素電極之中心位置。
  20. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示器,其中該第一畫素電極為透明電極,且該第二畫素電極為不透明電極。
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