TWI391959B - 晶片電阻器及其製造方法 - Google Patents

Description

晶片電阻器及其製造方法

本發明係相關於晶片電阻器及晶片電阻器製造方法。

圖16為製造晶片電阻器之習知方法(見JP-A-2002-57009)。在此方法中，首先，如圖式中(a)所示，製備兩金屬板90’及91’。然後，如圖(b)所示，將金屬板91’接合至金屬板90’的下表面。然後，如圖(c)所示，藉由機械加工切掉部分金屬板91’以形成間隙93。然後，如圖(d)所示，將焊錫層92’形成在金屬板91’的下表面上。然後，將金屬板90’及91’切割成如圖(e)所示一般，藉以獲得晶片電阻器B。以此方式所製造的晶片電阻器B包括一對電極91，此對電極91位在透過間隙93彼此隔開之電阻器元件90的下表面上。為了增強安裝處理中的可焊性，將焊錫層92形成在各個電極91的下表面上。

通常，在將晶片電阻器併入電路中以製成一產品時，將部分焊錫黏附到晶片電阻器的電阻器元件之端表面以形成焊錫圓角較佳。形成焊錫圓角之接合部分具有高接合強度，及接合部分的導電是可靠的。因此，可容易地藉由從外面檢查焊錫圓角的存在與否來決定接合條件。也就是說，當從外面觀察到存在焊錫圓角時，可決定晶片電阻器被適當安裝。反之，當從外面未觀察到焊錫圓角的存在時，可決定晶片電阻器未被適當安裝。

在上述晶片電阻器B中，如、鎳銅為基的合金、銅錳為基的合金、或鎳鉻為基的合金被使用當作電阻器元件90的材料。然而，這些合金並未具有足夠的焊錫可濕性，使得難以直接在電阻器元件90的兩端表面上形成適當的焊錫圓角。雖然焊錫層92被設置在各個電極91的下表面上，但是設置焊錫層92仍不足以形成焊錫圓角。當藉由軟熔焊接將晶片電阻器B表面安裝於物體上時，將乳狀焊錫事先塗敷到欲安裝晶片電阻器B之物體的一部分。然而，當乳狀焊錫的量不足時，無法形成適當的焊錫圓角。以此方式，在習知方法中無法可靠地形成焊錫圓角。

另外，習知製造晶片電阻器B之方法需要將金屬板90’及91’接合在一起以及機械加工金屬板91’的步驟。這些是花費極長時間的麻煩工作，使得晶片電阻器B的製造效率退化。

在上述環境下所建議之本發明的目的係設置一晶片電阻器，此晶片電阻器確保在表面安裝時之焊錫圓角的適當形成。本發明的另一目的係提供適當且有效地製造此種晶片電阻器之方法。

根據本發明的第一觀點，提供有一晶片電阻器，其包含設置有第一電極和第二電極之一晶片電阻器元件。晶片電阻器元件係由金屬製成且具有第一到第六表面。第一表面和第二表面在第一方向彼此隔開。同樣地，第三表面和第四表面在垂直於第一方向的第二方向彼此隔開，及第五表面和第六表面在垂直於第一方向和第二方向二者的第三方向彼此隔開。形成在電阻器元件上之第一和第二電極在第二方向彼此隔開。第一電極係直接形成在電阻器元件上，以連續延伸在第一表面、第三表面、和第二表面上。第二電極係直接形成在電阻器元件上，以連續延伸在第一表面、第四表面、和第二表面上。

較佳的是，第一表面和第二表面可形成有一絕緣膜，此絕緣膜覆蓋第一電極和第二電極之間的區域。

較佳的是，第一電極和第二電極可由Cu(銅)製成。

較佳的是，晶片電阻器可在第三方向比在第二方向或在第二方向比在第三方向具有較大的尺寸。

根據本發明的第二觀點，提供有晶片電阻器的製造方法。根據此方法，製備一細長的電阻器元件棒，其具有矩形截面，以及包括在棒的厚度方向彼此隔開之第一表面和第二表面。然後，將細長的第一絕緣膜和細長的第二絕緣膜分別形成在第一表面和第二表面上，使得第一絕緣膜留有在第一表面的寬度方向彼此隔開之第一表面的未覆蓋兩邊緣區，第二絕緣膜留有在第二表面的寬度方向彼此隔開之第二表面的未覆蓋兩邊緣區。然後，藉由電鍍未被第一和第二絕緣膜覆蓋之電阻器元件棒的露出部分而形成一導電層。最後，藉由在棒的縱向方向間隔地切割而分割電阻器元件棒。

在較佳實施例中，沿著設置有一絕緣膜形成部和一導體層形成部之一操作線，在棒的該縱向方向傳送電阻器元件棒，絕緣膜形成部用以形成第一和第二絕緣膜，而導體層形成部用以形成導體層。在棒已通過絕緣膜形成部和導體層形成部之後，執行電阻器元件棒的分割。

根據本發明的第三觀點，提供有另一晶片電阻器的製造方法。根據此方法，製備一電阻器元件框，其包括複數細長的電阻器元件棒和用以連接個別電阻器元件棒的末端之一連接部，其中電阻器元件棒彼此平行且隔開，及電阻器元件棒的每一個具有在各個棒的厚度方向彼此隔開之第一表面和第二表面。然後，共同執行有關電阻器元件棒的絕緣膜形成、導電層形成、和縱向分割。尤其是，在絕緣膜形成中，將一細長的第一絕緣膜形成在各個電阻器元件棒的第一表面上，使得第一絕緣膜留有在第一表面的寬度方向彼此隔開之第一表面的未覆蓋兩邊緣區。同樣地，將一細長的第二絕緣膜形成在各個電阻器元件棒的第二表面上，使得第二絕緣膜留有在第二表面的寬度方向彼此隔開之第二表面的未覆蓋兩邊緣區。然後，在導電層形成中，藉由電鍍未被第一和第二絕緣膜覆蓋之各個電阻器元件棒的露出部分而形成一導體層。最後，在縱向分割中，藉由在各個電阻器元件棒的縱向方向間隔地切割而分割各個電阻器元件棒。

從下面參考附圖的詳細說明將可更加明白本發明的其他特徵和優點。

下面將參考附圖說明本發明的較佳實施例。

圖1及2為根據本發明的第一實施例之晶片電阻器圖。此實施例的晶片電阻器A1包括電阻器元件1、絕緣膜2A、2B，及一對電極3。

電阻器元件1係由金屬製成，為從平面觀看是矩形的晶片形式，且具有固定厚度。當作電阻器元件1的材料，可使用由鐵鉻為基的合金、鎳鉻為基的合金、或鎳銅為基的合金。然而，電阻器元件1的材料並不侷限於此，而是適當選擇具有適合電阻器元件1之尺寸和想要的電阻之特定電阻的金屬材料。

絕緣膜2A及2B二者為諸如環氧樹脂等樹脂所製成的塗佈膜。絕緣膜2A覆蓋成對電極3之間的電阻器元件1的下表面1a。絕緣膜2B覆蓋成對電極3之間的電阻器元件1的上表面1b。

成對電極3在X方向彼此隔開。電極3係由金屬所製成，此金屬具有比電阻器元件1高的焊錫可濕性。例如，電極3係由Cu製成。電極3的每一個包含端電極部31，其覆蓋電阻器元件1的X方向之端表面1c或1d；下電極部32，其覆蓋連接到端表面1c或1d之下表面1a的一部分；以及上電極部33，其覆蓋連接到端表面1c或1d之上表面1b的一部分。這些電極部31、32、及33通常彼此連接成U型。

如圖2更清楚的圖示，下電極部32的各別內端表面連接到絕緣膜2A的兩端表面21a。也就是說，下電極部32之間的距離係由絕緣膜2A的端表面21a所定義，且等於絕緣膜2A的寬度s1。X方向的下電極部32之尺寸大於X方向的上電極部33之尺寸。

例如，電阻器元件1的厚度可約為100-500μm，絕緣膜2A、2B的厚度可約為20μm，及電極3的厚度可約為30至200μm。電阻器元件1的長度和寬度每一個可約為2至7mm。然而，電阻器元件1的尺寸視想要的電阻而改變，可與上述不同。晶片電阻器A1被設計作低電阻電阻器，及成對電極3之間(安裝側上的下電極部32之間)的電阻約1至10mΩ。

圖3-6為根據本發明的第一實施例之晶片電阻器的製造方法圖。首先，在此方法中，製備如圖3所示之電阻器元件框1’。電阻器元件框1’係可由例如鐵鉻為基的合金、鎳鉻為基的合金、或鎳銅為基的合金製成，且包括複數電阻器元件棒1A和連接部11。電阻器元件棒1A為條狀形式，其具有矩形截面和被配置成彼此平行。連接部11將電阻器元件棒1A的各自一端彼此連接。

然後，如圖4所示，將絕緣膜2B’及2A’分別形成在各個電阻器元件棒1A的上表面和下表面上。尤其是，在除了下表面的寬度方向的相對末端之外，將絕緣膜2A’形成在電阻器元件棒1A的下表面上具有固定寬度。除了上表面的兩寬度方向的相對末端之外，將絕緣膜2B’形成在電阻器元件棒1A的上表面上具有固定寬度。在此實施例中，絕緣膜2B’的寬度稍微大於絕緣膜2A’的寬度。絕緣膜2A’，2B’係使用例如環氧樹脂、由諸如絲網印刷等厚膜印刷所形成。藉由厚膜印刷，能夠形成具有想要的寬度和厚度之絕緣膜2A’、2B’。可視需要而執行在絕緣膜2B’的表面上製作記號之處理。

然後，如圖5所示，將導體層3’形成在未被絕緣膜2A’及2B’覆蓋之電阻器元件棒1A的每一個上。導體層3’係可由例如Cu(銅)電鍍所形成。雖然可利用電鍍和無電電鍍任一個當作電鍍法，但是利用電鍍較佳。電鍍適合形成具有極大厚度之導體層3’。藉由電鍍，將導體層3’直接且同時形成在電阻器元件棒1A的所有露出部分上(未被絕緣膜2A’及2B’覆蓋的部分)，另外，藉由電鍍，能夠形成具有精密尺寸的導體層3’，而不必在導體層3’和絕緣膜2A’、2B’之間形成間隙。而且，藉由控制電鍍條件，能夠可靠地形成具有想要的厚度之導體層3’。

然後，如圖6所示，將電阻器元件棒1A的每一個分割。藉由沿著垂直於電阻器元件棒1A的縱向方向之切割線CL，而連續切割各個電阻器元件棒1A來執行此分割。藉由此分割步驟，獲得複數晶片電阻器A1。

藉由上述的晶片電阻器製造方法，可藉由改變如圖6所示之切割線之間的間隔來獲得具有不同長度/寬度比之晶片電阻器A1。例如，當切割線CL之間的間隔被設定的極大時，獲得如圖7所示之晶片電阻器A1。當切割線CL之間的間隔被設定的極小時，獲得如圖8所示之晶片電阻器A1。在如圖8所示之晶片電阻器A1中，垂直於X方向之方向的尺寸明顯小於X方向的尺寸。圖7所示之晶片電阻器A1和圖8所示之晶片電阻器A1的電阻彼此不同。尤其是，圖7所示之晶片電阻器A1的電阻明顯低於圖8所示之晶片電阻器A1。藉由進一步改變切割線CL之間的間隔，能夠獲得長度/寬度比不同於圖7及8所示之各種晶片電阻器。

下面將說明根據此實施例之晶片電阻器A1的製造方法和晶片電阻器A1的優點。

藉由例如軟熔焊接將此實施例的晶片電阻器A1表面安裝於想要的物體上。在軟熔焊接中，將乳狀焊錫塗敷於設置在欲安裝晶片電阻器A1之物體的區域中之端點。如此置放晶片電阻器A1，使得電極3的下電極部32接觸此部分及在軟熔爐中加熱。

Cu(銅)是電極3的材料，其具有比形成電阻器元件1的合金高之焊錫可濕性。在此實施例中，電極3連續延伸在電阻器元件1的下表面1a、端表面1c或1d、以及上表面1b上。因此，在表面安裝晶片電阻器A1中，焊錫又容易黏附到端電極部31和上電極部33。結果，適當形成圖1中以假想線所指出的焊錫圓角Hf。因此，依據焊錫圓角Hf存在與否來決定是否容易適當安裝晶片電阻器A1。另外，焊錫圓角Hf增強晶片電阻器A1的焊錫接合強度。而且，透過焊錫圓角Hf，能夠將操作晶片電阻器A1期間所產生的熱散逸到大氣或電路板。因此，能夠避免晶片電阻器A1的溫度過度上升。

藉由利用上述的電鍍技術，容易形成電極3，以覆蓋包括電阻器元件1的上表面1b和下表面1a與端表面1c或1d之寬廣區域。因為將電極3形成在此種寬廣區域上，所以能夠形成足夠大的焊錫圓角Hf。大的焊錫圓角Hf有利於增強接合強度，以及防止操作期間之晶片電阻器的溫度上升。

在此實施例的晶片電阻器A1中，在藉由厚膜印刷形成絕緣膜2A當作圖型時定義成對電極3之間的距離。如此，容易提高尺寸準確性。結果，在晶片電阻器A1中，獲得接近想要的值之定額電阻。

晶片電阻器A1的製造方法利用諸如厚膜印刷和電鍍等有效的技術，但不包含諸如接合不同種類的金屬或機械加工等複雜的工作。因此，利用此方法，有效地製造複數晶片電阻器A1。使用包括複數電阻器元件棒1A的電阻器元件框1’對有效製造大量晶片電阻器A1是有效的。另外，藉由改變切割線CL之間的距離，可適當設定X方向和垂直於X方向的方向之晶片電阻器A1的尺寸。如此，可從單一電阻器元件框1’獲得具有不同電阻之晶片電阻器A1。

而且，藉由改變圖6所示的切割線CL之間的距離，能夠製造包括圖7及8所示的那些之具有不同長/寬比的晶片電阻器A1。如此，能夠在不改變製造方法之下而有效地製造具有不同電阻之晶片電阻器A1。

圖9-15為本發明的其他實施例圖。在這些圖式中，藉由與上述實施例所使用的那些相同參考符號指明與上述實施例的元件相同或類似之元件。

圖9為製造參考圖3-6所說明的晶片電阻器之方法中所使用的電阻器元件框1’之另一例子。不像上述電阻器元件框1’圖9所示之電阻器元件框1’包括一對連接部11。電阻器元件棒1A被配置成彼此平行，以及藉由成對的連接部11在各自兩端彼此連接。在將此電阻器元件框1’用於製造圖3-6的製造方法時也能有效製造晶片電阻器A1。成對的連接部11增強電阻器元件框1’的剛性。

圖10為根據本發明的第二實施例之晶片電阻器圖。此實施例的晶片電阻器A2除了幾對第一實施例的晶片電阻器A1之外，還包括一對焊錫層4。從側面看來焊錫層4的每一個通常為U型，以及覆蓋對應電極3的表面。例如，焊錫層4係由Sn(錫)製成。焊錫層4具有例如約5至20μm的厚度。

利用此配置，欲形成的焊錫圓角Hf之所有表面被覆蓋有有利於形成焊錫圓角Hf之焊錫層4。Cu(銅)是電極3的材料，其具有比電阻器元件1的材料高的焊錫可濕性。如此，與將焊錫層4直接形成在電阻器元件1上之結構比較，能夠更可靠地形成焊錫層4。

圖11為根據本發明的晶片電阻器之製造方法的第二實施例圖。尤其是，此圖所示為上述晶片電阻器A2的製造方法。在此方法中，首先，如圖11(a)所示，製備棒形式的電阻器集合體A2’。為了製備電阻器集合體A2’，類似於第一實施例之製造方法，將絕緣膜2A’及2B’形成在電阻器元件棒1A的兩表面上，然後在電阻器元件棒1A的露出部分形成導體層3’。然後將焊錫層4’形成在導體層3’上，藉以獲得電阻器集合體A2’。可藉由電鍍形成焊錫層4’。然後，如圖11(b)所示，沿著切割線CL連續切割和分割電阻器集合體A2’，藉以獲得複數晶片電阻器A2。從圖式看來，在電阻器元件棒1A的縱向方向以等距設置切割線CL，及如從平面所示，各個線CL垂直於棒1A的縱向方向延伸。

圖12-15為根據本發明的晶片電阻器之製造方法的第三實施例圖。在此實施例中，如圖12所示，電晶體元件環箍1B被使用當作電阻器元件的材料。電阻器元件環箍1B係為具有矩形截面的條狀。例如，使用之前的環箍1B被儲存作纏繞在捲軸的四周(未圖示)。在製造處理中，從捲軸拉出電阻器元件環箍1B，及沿著複數滾軸所定義的路徑傳送。沿著此路徑連續設置絕緣膜形成都、導體層形成部、及分割部。

圖12為絕緣膜形成部中之絕緣膜2A’及2B’的形成步驟圖。在絕緣膜形成部中，設置用以塗敷例如環氧樹脂之機構。較佳的是，如圖式所示，塗敷機構可包含一對塗敷滾軸RL，被配置成夾置電阻器元件環箍1B。塗敷滾軸RL被設計成以固定寬度連續塗敷環氧樹脂。如此，當電阻器元件環箍1B通過塗敷滾軸RL之間時，具有固定寬度的條狀之絕緣膜2A’及2B’被形成在電阻器元件環箍1B的上和下表面上。

圖13顯示導體層形成部之例子。導體層形成部包括電鍍浴Pt和用以朝電鍍浴Pt傳送電阻器元件環箍1B之滾軸。電鍍浴Pt是用以執行如Cu的電鍍之部分，並且包含電鍍液體。圖14為在通過電鍍浴Pt之後的電阻器元件環箍1B。藉由在電鍍浴Pt中電鍍，Cu的導體層3’被形成在未被絕緣膜2A’、2B’覆蓋之電阻器元件環箍1B的部分。導體層3’係可藉由無電電鍍取代電鍍來形成。

如圖15所示，在執行電鍍步驟之後，將電阻器元件環箍1B傳送到分割部。此實施例的分割部包括一對切割刀片BL當作切割機構。切割刀片BL被設計成在規律的時間間隔中以固定速度傳送之處理中切割電阻器元件環箍1B。結果，電阻器元件環箍1B被分割成複數相同尺寸的晶片電阻器A1。藉由此製造方法，獲得如圖1所示之晶片電阻器A1。當在導體層形成部的下游額外設置用以執行Sn(錫)電鍍之部分時，獲得如圖10所示之晶片電阻器A2。

根據此實施例，晶片電阻器A1、A2非由分批生產而是由流程線生產所製造的。如此有利於增加晶片電阻器A1、A2的製造效率。

根據本發明的晶片電阻器之製造方法並不侷限於上述實施例。根據本發明的製造方法之特定結構在設計中可以許多方法加以變化。

在上述晶片電阻器A1、A2中，露出電阻器元件1的側表面1e及1f。然而，可另外設置絕緣膜來覆蓋側表面1e及1f以取代之。當側表面1e及1f被覆蓋有絕緣膜時，在表面安裝晶片電阻器A1、A2中，防止焊錫被過度黏附到電阻器元件1。

CL．．．切割線

Hf．．．焊錫圓角

RL．．．塗敷滾軸

Pt．．．電鍍浴

BL．．．切割刀片

B．．．晶片電阻器

A1．．．晶片電阻器

A2．．．晶片電阻器

A2’．．．電阻器集合體

1．．．電阻器元件

1’．．．電阻器元件框

1A．．．電阻器元件棒

1B．．．電阻器元件環箍

1a．．．下表面

1b．．．上表面

1c．．．端表面

1d．．．端表面

1e．．．側表面

1f．．．側表面

2A．．．絕緣膜

2B．．．絕緣膜

2A’．．．絕緣膜

2B’．．．絕緣膜

3．．．電極

3’．．．導體層

4．．．焊錫層

4’．．．焊錫層

11．．．連接部

21a．．．端表面

31．．．端電極部

32．．．下電極部

33．．．上電極部

90．．．電阻器元件

90’．．．金屬板

91．．．電極

91’．．．金屬板

92．．．焊錫層

92’．．．焊錫層

93．．．間隙

圖1為根據本發明的晶片電阻器之第一實施例的立體圖；

圖2為沿著圖1之線II-II所取的剖面圖；

圖3為用於根據本發明的晶片電阻器之製造方法的第一實施例之電阻器元件框的例子之立體圖；

圖4為根據本發明的晶片電阻器之製造方法的第一實施例中之絕緣膜形成步驟的立體圖；

圖5為根據本發明的晶片電阻器之製造方法的第一實施例中之導電層形成步驟的立體圖；

圖6為根據本發明的晶片電阻器之製造方法的第一實施例中之電阻器元件棒分割步驟的立體圖；

圖7為根據本發明的晶片電阻器之第一實施例的變化之平面圖；

圖8為根據本發明的晶片電阻器之第一實施例的另一變化之平面圖；

圖9為用於根據本發明的晶片電阻器之製造方法的第一實施例之電阻器元件框的另一例子之立體圖；

圖10為根據本發明的晶片電阻器之第二實施例的立體圖；

圖11為根據本發明的晶片電阻器之製造方法的第二實施例之立體圖；

圖12為根據本發明的晶片電阻器之製造方法的第三實施例中之絕緣膜形成步驟的立體圖；

圖13為根據本發明的晶片電阻器之製造方法的第三實施例中之導電層形成步驟的立體圖；

圖14為根據本發明的晶片電阻器之製造方法的第三實施例中之形成導電層的電阻器元件環箍之立體圖；

圖15為根據本發明的晶片電阻器之製造方法的第三實施例中之電阻器元件環箍分割步驟的立體圖；及

圖16為習知晶片電阻器之製造方法的立體圖。

Hf．．．焊錫圓角

A1．．．晶片電阻器

1．．．電阻器元件

1a．．．下表面

1b．．．上表面

1c．．．端表面

1d．．．端表面

1e．．．側表面

1f．．．側表面

2A．．．絕緣膜

2B．．．絕緣膜

3．．．電極

31．．．端電極部

32．．．下電極部

33．．．上電極部

Claims (9)

1. 一種晶片電阻器，包含：一晶片電阻器元件，係由一金屬製成且包括第一至第六表面，該第一表面和該第二表面在第一方向彼此隔開，該第三表面和該第四表面在垂直於該第一方向的第二方向彼此隔開，該第五表面和該第六表面在垂直於該第一方向和該第二方向二者的第三方向彼此隔開；一第一電極和一第二電極，係形成在該電阻器元件上，且在該第二方向彼此隔開；一第一絕緣膜，係形成在該第一表面以僅覆蓋該第一表面介於第一電極和第二電極之間的一區域；及一第二絕緣膜，係形成在該第二表面以僅覆蓋該第二表面介於該第一電極和該第二電極之間的一區域；其中該第一電極係直接形成在該電阻器元件上，且連續延伸在該第一表面、該第三表面、和該第二表面上，其中該第二電極係直接形成在該電阻器元件上，且連續延伸在該第一表面、該第四表面、和該第二表面上。
2. 如申請專利範圍第1項之晶片電阻器，其中該第一電極和該第二電極由一電鍍金屬所製成。
3. 如申請專利範圍第1項之晶片電阻器，其中該第一電極和該第二電極係由Cu(銅)製成。
4. 如申請專利範圍第1項之晶片電阻器，其中該晶 片電阻器在該第三方向比在該第二方向具有較大的尺寸。
5. 如申請專利範圍第1項之晶片電阻器，其中該晶片電阻器在該第二方向比在該第三方向具有較大的尺寸。
6. 一種晶片電阻器的製造方法，該方法包含：製備一細長的電阻器元件棒，其具有一矩形截面，以及包括一第一表面和一第二表面，該第一表面和該第二表面在該棒的厚度方向彼此隔開；將一細長的第一絕緣膜和一細長的第二絕緣膜分別形成在該第一表面和該第二表面上，該第一絕緣膜留有在該第一表面的寬度方向彼此隔開之該第一表面的未覆蓋兩邊緣區，該第二絕緣膜留有在該第二表面的寬度方向彼此隔開之該第二表面的未覆蓋兩邊緣區；在形成該第一絕緣膜和該第二絕緣膜之後，形成一導體層，係藉由電鍍未被該第一和該第二絕緣膜覆蓋之該電阻器元件棒的露出部分；及分割該電阻器元件棒，係藉由在該棒的縱向方向間隔地切割該棒。
7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中沿著設置有一絕緣膜形成部和一導體層形成部之一操作線，在該棒的該縱向方向傳送該電阻器元件棒，該絕緣膜形成部用以形成該第一和該第二絕緣膜，而該導體層形成部用以形成該導體層，且其中在該棒已通過該絕緣膜形成部和該導體層形成部之後，執行該電阻器元件棒的該分割。
8. 一種晶片電阻器的製造方法，該方法包含： 製備一電阻器元件框，其包括複數細長的電阻器元件棒和一連接部，該連接部用以連接該個別電阻器元件棒的末端，該電阻器元件棒彼此平行且隔開，該電阻器元件棒的每一個具有一第一表面和一第二表面，該第一表面和該第二表面在該各個棒的厚度方向彼此隔開；共同執行有關該電阻器元件棒的絕緣膜形成；在執行該絕緣膜形成之後，共同執行有關該電阻器元件棒的導體層形成；共同執行有關該電阻器元件棒的縱向分割；其中在該絕緣膜形成中，將一細長的第一絕緣膜形成在各個電阻器元件棒的該第一表面上，而該第一絕緣膜留有在該第一表面的寬度方向彼此隔開之該第一表面的未覆蓋兩邊緣區，及將一細長的第二絕緣膜形成在各個電阻器元件棒的該第二表面上，而該第二絕緣膜留有在該第二表面的寬度方向彼此隔開之該第二表面的未覆蓋兩邊緣區，其中在該導體層形成中，藉由電鍍未被該第一和該第二絕緣膜覆蓋之各個電阻器元件棒的露出部分而形成一導體層；其中在該縱向分割中，藉由在該各個電阻器元件棒的縱向方向間隔地切割而分割各個電阻器元件棒。
9. 如申請專利範圍第1項之晶片電阻器，其中該第一電極和該第二電極之每一者包含一銅層，係直接形成在該電阻器元件上，以及一含錫層，係形成在該銅層上，該含錫層藉由該第一絕緣層和該第二絕緣層分別的介入，具 有分別與該電阻器元件之該第一表面和該第二表面隔開的內緣。