TWI379438B - Zinc-oxide-based semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same - Google Patents
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Description
1379438 1 1 100年10月20日補充、修正 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體發光元件(Semic〇nduct〇r light_ emitting device)及其製造方法，且特別是關於一種氧化鋅*(Zn〇_ based)半導體發光元件及其製造方法。 【先前技術】 發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)，是一種半導體元 件’初時多用作為指示燈、顯示板等。隨著白光LED的出現， 也被用作照明。它被譽為21世紀的新型光源，具有效率高，壽 命長，不易破損等傳統光源無法與之比較的優點。 ^化鋅(ZnO)為II-VI族化合物半導體，能帶結構為直接能 Z 能量(bandgapenergy)約為3.37eV，發光範圍在紫外光的 波&。作為製造白光LED之材料來說，氧化鋅具有下列優點： I材料蘊藏豐富，且成本低廉。 2·氧^鋅的激子(exciton)之束缚能如响高達6〇 meV，可以達到相當高的發光效率。 3 ί化f之發ί*波長為 11111左右，用絲發RGB螢光材 率車又问’所以乳化鋅相當合適於作為白光LED之材料。 4.===光啦的其他~)容 對摻二用的施陷，此缺陷會 5 13,79438 也因此無法㈣出發光二極_核心結構—^充、修正 儘管氧化鋅非常適合用來作為白光LED材料，但 限制’使制賴鱗作為自紅ED㈣之技術發展 【發明内容】 件及明之：在於提供—種氧化鋅基半導_光元 件及其製造方法’以解決上述問題。 、去，f之1^半_發光元件之方 =首f，$基材(substrate)。接著，藉由—基_ ΪΓ多之錄，_社软上形成氧化 nabased muti_ayei> struetufe) ’ 氧鱗基多層結 構匕 S 發光區域(light-emitting region)。 ° 因此’根據本發明之製造半導體發光元件之方法，盆 子層沈積之製程製造半導體發光元件。藉此，可^成辨 度較低、精準的材料成份之= =吏=:=4，的介面品質_ 缺陷密度。 件有非常_晶體品很低的 所附圖 式得舖射叫^下触轉述及 【實施方式】 一較佳具體實施例之製 實施例之製造方法係利 導體發光元件。在此， 請參，圖一，圖—係繪示根據本發明 造方法的示意圖。根據本發明之較佳具體 用基於原子層沈積之製程製造氧化鋅基半 6 1379438 m ^ i〇〇年比月20曰補充、修正 =化鋅基半導體發光元件意指其包含氧化鋅層、MgxZn^O層、 eyZni-y〇層或其他含氧化鋅之化合物層，但不以此為限。
、如，一所示，首先，製備基材10，並且將基材10置入設計 作為執行原子層沈積製程的反應腔體(reacti〇n chamber)2〇内。於 =實施例中’基材10可為藍寶石基材、矽基材、SiC基材、GaN 土材.、A1GaN 基材、InGaN 基材、ZnO 基材、YSZ(yttria-stabdized Zirc0nia)基材、ScA1Mg〇4 基材、SrCu2〇2 基材、CuAi〇2 基材、LaCuOS基材、Ni0基材、LiGa〇2基材、LiA1〇2基材、 GaAs基材、玻璃基材或其他類似基材。 接著，藉由一基於原子層沈積之製程，於基材1〇上或之上 =成氧化鋅基多層結構12，其中氧化辞基多層結構12包含發光 區域(未顯示）。於實際應用中，該基於原子層沈積之製程可為原 子層沈積製程、電漿增強原子層沈積(plasma-enhanced ALD)製 私、電漿輔助原子層沈積^plasma_assisted ALD)製程、或上述製程 的組合，如原子層沈積製程加上電漿增強原子層沈積製程，或是 原子層沈積製程加上電漿輔助原子層沈積製程。使用電漿增強原 t層沈積製程或電漿輔助原子層沈積製程的目的是可以藉由將部 分原料離子化的方式，提高製程的品質。須注意的是，原子層沈 積製程又名原子層蠢晶(At〇mic Layer Epitaxy, ALE)製輕.或原.子層 化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition， ALCVD) ’上述製程實際上為同一種製程。 t 於此實施例中，發光區域可為一 P型摻雜ZnO/未摻雜 ZnO/N型摻雜Zn〇結構組合、一 p型摻雜Zn〇/N型摻雜Zn〇結 構組合、一 P型摻雜Zn0/未摻雜Zn〇結構組合、一 p型摻雜 MgxZn^O/未摻雜MgyZni y〇/N型摻雜Μ&Ζηι z〇結構組合、一 p 型摻雜MgxZn^O/N型摻雜MgyZn^O/N型摻雜MgzZi^-zO結構 組合、一 P型摻雜MgxZnix〇/p型摻雜MgyZniy〇/N型摻雜 MgzZn^O結構組合、一 P型摻雜MgxZn〗未換雜Ζη〇/Ν型換 7 1379438 100年10月20日補充、修正 雜MgzZni_z〇結構組合、一 p型摻雜MgxZni χ0/Ν型摻雜Zn〇/N 型#雜MgzZn^O結構組合、一 p型摻雜MgxZn^xO/P型摻雜 ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、一 P型摻雜MgxZn^O/N型 摻雜MgzZn^O結構組合、一 p型摻雜MgxZn^O/未摻雜 ]\%ΖηΗ0結構組合、一 p型摻雜MgxZni χ〇/未推雜Zn〇結構組 合、一 P型摻雜MgxZn^O/未摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組 合、一 P型摻雜MgxZnKxO/P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組 合、一 P型摻雜MgxZni_xO/N型摻雜ZnO結構組合、一 p型摻雜 ZnO/未摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、一 p型摻雜 ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、一 p型摻雜 ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、一 N型摻雜ZnO/P型摻雜基 材結構組合、一 N型摻雜MgzZiM—zO/P型摻雜基材結構組‘'、二 P型摻雜BexZni_x〇/未摻雜BeyZni y0/N型摻雜BezZni z〇結構組 合、一 P型摻雜BexZn^O/N型摻雜BeyZr^O/N型摻雜Bezzni z〇結構組合、一 P型摻雜BexZni x〇/P型摻雜BeyZni y〇/N ^ BezZni_zO結構組合、一 P型摻雜BexZni χ〇/未摻雜Zn〇/N ▲ 換雜BezZni_z〇結構組合、一 p型摻雜Β6χΖηι χ〇/Ν型摻雜Zn_ ，摻雜BezZru-zO結構組合、一 P型摻雜BexZnix〇/p型摻 nO/N型摻雜BezZi^O結構組合、一 p型摻雜BexZn〗 x〇爪型^ ϊ^ζΖ^ζ()結構組合、一 P型推雜BexZni_x〇/未摻雜 :構組合、一 P型摻雜BexZni_xO/未摻雜Zn〇結構組合、一 py ^雜BexZn1-x〇/未摻雜zn〇/]s^型掺雜ζη〇結構組合、一 p BexZni_x〇/P型摻雜Zn〇/N型摻雜Zn〇結構組合、一 p ‘雜 歸雜Zn〇結構組合、—P型摻雜Zn0/未^雜 Α/κτ巧雜BezZlll_Z〇結構組合、一 P型摻雜Zn0/N型‘雜 n型摻雜BezZrii-zO結構組合、一 p型摻雜Zn〇/N型^雜 Ϊίΐίί構f合、—N型摻雜Μη1，型摻雜基材結構缸 i$T〇 光區域，0< X，y，z幻，其中，p型摻雜基材ί為 8 1379438 100年10月20日補充、修正
Zn0結構的原料係採用DEZn (diethylzinc，Zn(C2H5)2)先驅物 (precursor)、DMZn(Dimethylzinc，Zn(CH3)2)先驅物或 ZnCi2 先驅物 與Ηβ先驅物、〇3先驅物、〇2先驅物或氧基，其中，DEZn、 DMZn或ZnCl2即為zn的來源，h20、〇3、〇2或氧基即為〇的 來源。
MgxZr^O結構的原料係採用DEZn先驅物、DMZn先驅物 或 ZnCl2 先驅物、MgCp2(Bis(^ydoperitadieiiyl>magnesium, Mg(C5H5)2)先驅物、Mg(thd)2(2,2,6,6-tetramethyl-heptanedionato- 3,5-magnesium(II)) 先 驅物或
Bis(pentamethylcyclopentadienyl)magnesium (C20H30Mg)先驅物以及 H2〇先驅物、〇3先驅物、〇2先驅物或氧基，其中，DEZn、 DMZn 或 ZnCl2 即為 Zn 的來源；MgCp2、Mg(thd)2 或
Bis(pentamethylcydopentadienyl)magnesium 即為 Mg 的來源； H2〇、〇3、〇2或氧基即為〇的來源。
BexZn^O結構的原料係採用DEZn先驅物、DMZn先驅物或 ZnCl〗先驅物、(beryllium acetyheetonate, (CHsCOCHKXC^CHABe)先驅物或BeCl2先驅物以及H20先驅 物、〇3先驅物、〇2先驅物或氧基，其令DEZn、DMZn或ZnC12 即為Zn的來源’ Be(acac)3或BeCl2即為Be的來源;Ή20、03、 〇2或氧基即為Ο的來源。 於此實施例中，利用原子層沈積製程製造ρ型摻雜Ζη〇之方 法係在製造ΖηΟ之原子層沈積縣巾加人ρ型摻雜娜啊t)， 其中P型換雜劑可為氮⑼、鱗(p)、_(As)或其他類似ρ型推雜 劑。作為P型摻雜劑之氮的原料可採用NH3先驅物、N〇先驅 物、N20 先驅物、i，i_Dimethylhydrazine ((CH3)2NNH2)先驅物、 TerM3utylamme ((CH3)3CNH2)先驅物或 Tert_butyl hydmzine ((CHACNHNH2)先驅物，但不以此為限。作為ρ型摻雜劑之墙的 原料可採用ΡΗ3先驅物、ρ"5先驅物、Ζη3ρ2先驅物或Diethyl 9 1379438 , ,.100年10月20日補充、修正 p osp ite ((QH5〇)2P(〇)H)先驅物’但不以此為限。作為該ρ型摻 雜劑之神的祕係採用-ASH3先驅物，但不以此為i / 於此實_巾’ 原子層沈難程製造N型獅Zn〇之 方法係在製造ZnO之原子層沈積製程中加人N型摻雜劑， N型摻雜劑可為紹⑽、鎵㈣、銦㈣或其他類似N型換雜劑， 仁不以此為限。作為N型摻雜劑之鋁的原料可採用 Thmethylalumi_(A1(CH3)3, TMA)先驅物或 ____ (=(¾¾)3)先驅物’但不以此為限。作為n型摻雜劑之鎵的原料 可採用 Tnmethylgallium (Ga(CH3)3)先驅物或 Triethylgamum (_^明5)3)先驅物，但不以此為限。..作為N型摻雜劑之銦的原料 可採用 Indmm acetylacetonate (In(OCCH3CH〇CCH3)3)先驅物 TnmethylmdiUm(In(CH3)3)先驅物，但不以此為限。 如圖-所7m棚原子層沈積製程成長Zn〇細為例，說 積製程。在一個原子層沈積的週期内的反應步驟可分 1 載將DEzn分子24導入反應腔體20中， Γ 2 ΐ進入反應腔體20後會吸附於基材10表 ^在基材10表面酬單—層DEZn，其曝氣時間為〇1 2. 氣幫浦咖呵)28將多餘未吸附於基材 10的DEZn分子24抽走，其抽氣時間為5秒。 3. ^載3體22將H2〇分子26導入反應腔體20 *，與原 ίϊίΐ量材二表7面3單一層DEZn反應，在基材10、工 in 副產物為有機分子’其曝氣時間 4. 通入載送氣體22且利用幫浦28，帶走多餘的 以及反應產生的有機分子副產物，其抽氣時間為5秒。 其中載送氣體22可以採用高純度的氬氣或氮氣。以上四個 步驟稱為一個原子層沈積的週期(ALD cycle)，一個原子層沈積的 ^ ^ l〇0年月20日補充、修正 ίίΐϊ在基材1G的全部表面上成長單—原子層(Gne m_layer) 尸二二膜’此特性，為『自限成膜』㈣f_Hmiting) ’此特性使 a沈積在控制薄膜厚度上，精準度可達一個原子層。利用 I制原子層沈積的週期次數即可精準地控制Zn〇薄膜的厚度。 ^務上’製造N师雜及p㈣雜ZnQ的製程，其摻雜方 ^在成長過程中將部分的ALD eyde置換成N雜_或P型 二”劑的ALD cycle，而其摻雜的濃度取決於被置換的从〇 去t例。例如：具有摻雜6%的A1之n型摻雜Zn〇，6%之摻雜 :50 個 DEZn 與 H2〇 的 ALD cycle 中使用 3 個 TMA 與 H20 2 ALD cycle來取代，或是1〇〇傭與H2〇的ald c^e中 吏用6個TMA與H2〇的ALD cycle來取代......等等。 於此實施例中’製程溫度設定範圍可從室溫至8⑻。匸。製程 溫度之較佳範圍係介於HXTC至綱。c之間。值得注意的是，由 溫度較低，可以減少高溫造成的設備故障及/或損壞，進而 楗兩製程可靠度以及設備妥善率。 ，了進-步降低缺陷密度、提高晶體品f，p型摻雜Zn〇/未 ^雜ZnO/N型摻雜Zn0結構組合、p雜雜Zn〇/N雜雜Zn〇 二構組合、P型摻雜Zn0/未摻雜Zn〇結構組合、p型摻雜 δχΖη^Ο/未摻雜MgyZi^yO/N型摻雜MgzZn^O結構组合、p型 $雜MgxZni_x0/N型摻雜MgyZni_y〇/N型摻雜Μ&Ζηΐ ζ〇結構組 1379438 100年10月20日補充、修正
ZnO/N型摻雜Zn0結構組合、P型摻雜MgxZni χ〇/Ν型摻雜Zn〇 結構組合、P型摻雜zn〇/未摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組 合、P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZni_z〇結構組合、 P型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZni_zO結構組合、N型摻雜ZnO/P型 f雜基材結構組合、N型摻雜MgzZni_z〇/P型摻雜基材結構組 合、P型摻雜BexZn^O/未摻雜BeyZn^yO/N型摻雜BezZn^O結 構組合、P型摻雜BexZni χ〇/Ν型掺雜BeyZni y〇/N型摻雜BezZni_ z〇結構組合、P型摻雜BexZni χ0/Ρ型摻雜BeyZni y0/N型摻雜 BezZn^O結構組合、p型摻雜BexZni x〇/未摻雜Zn〇/N型換雜 BezZn^O結構組合、p型摻雜Β^η^Ο/Ν型摻雜ZnO/N型摻雜 BezZn^O結構組合' P型摻雜Bex2ni_x〇/p型摻雜Zn〇/N型摻雜 BezZn^O結構組合、p型摻雜BexZni_x〇/N型摻雜BezZni z〇結構 組合、P型摻雜BexZnKxO/未摻雜BeyZnuyO結構組合、p型摻雜 BexZn^O/未摻雜Zn0結構組合、p型摻雜Β6χΖηΐχ0/未摻雜 ZnO/N型摻雜Zn0結構組合、p型摻雜Bexzni_x〇/p型摻雜 ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、p塑摻雜BexZn^O/N型摻雜ZnO 結構組合、P型摻雜Zn0/未摻雜Zn〇/N型摻雜BezZn^O結構組 合、P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜BezZni-z〇結構組合、 P型摻雜ZnO/N型摻雜BezZn^O結構組合、N型摻雜BezZni. z〇/P型摻雜基材結構組合或其他類似發光區域，'可於完成沈積後 進一步於範圍從400°C至1200°C中之一溫度下進行退火處理 (annealing) ’爐氛(atmosphere)則是通入氮氣、氧氣、氬氣或氮氬 氧氣之混合。 原子層沈積製程具有下列優點： 1. 材料成長溫度較低。 2. 精密的厚度控制，精密度可達個原子層(onem〇n〇iayer)。 3. 精準的材料成份之控制。 4. 可以達到高濃度的摻雜。 5. 材料缺陷密度低，無孔洞結構。 6. 具有平坦的表面與良好的介面品質，可以成長高品質的異 12 1379438 « 質接面(hete_nctions)以及多層量子井 wells)等結構。 4 7. 大面積、大產量的生產能力。 8. 極高的均勻度。 9. 極高的表面覆蓋能力。 1〇，製程穩定度與重複度極高。 請參閱圖二，圖二係繪示湘原子層沈積製程在藍寶石基材 上、長之ZnO薄膜的X光繞射(x_ray difg>actj〇n)特性圖。如圖二 =示，利用原子層沈積製程所成長之Zn〇 _具有良好的結晶^ 買。 請餘參閱圖四以及圖五，圖三係繪示利用原子層沈積製 粒在义寶石基材上成長之Zn〇薄膜在室溫下自發放射 3^7==011)的發光頻譜圖。圖四係繪示利用原子層沈積 et ί成長之Zn〇薄膜發生受激放射⑽―— 在光頻譜圖°圖五係繪示利用原子層沈積製程 係。度與激發強度的關 示使用;的發生。受激放射現象的發生顯 县、、田杜唯t由匕τ見彻原子層沈積製程具有材料成 、可以達到高濃度的接雜、 半導辦目：有良好的介面品質與均勻度等優點，進而使 外，利二2常南的晶體品質與很低的缺陷密度。此 ㈣谢雷射現 體發1亍K係據本㈣·具體實施例之一半導 於實際應財’該基於原子層沈積之製程可為原子層沈積製 13 1379438 5製層沈積製程、電漿輔助原子層二‘二正 ^ ^ 30 〇 Ζ為以有機^^匕學氣相蟲晶法(Metal 0rganie Chemical Va㈣ 構w 2技術在基材3G之上所成長之—氮化錄結 t liiH ^縣子層沈雛程成長於氮化鎵層32上 di 鋅層。經過在峨與&氣氛下高溫退 t 36，便製成—N魏崎π型氮化鎵 異f，面(heteroJunctlon)發光二極體，亦即半導體發光元件3，其 不思圖如圖六所示。 請參閱圖七，圖七係繪示圖六所示之半導體發光元 壓ΐ性ιΐϊΓ示之半導體發光元件3電流密度對電壓之 Γ 一有良好的整流(rectifying)效應。請*閱圖八，圖 ί 铸.統件3地刚34及氮化鎵 層32之X先％射(X_ray dl£fracti〇n)特性圖。如圖八所示化 (=峰之半高寬為ο.%。械猶_)峰料高寬為議。， 層34具有良好的結晶品質。請參閱圖九以及圖 if 六所示之半導體發光元件3中氧化鋅層34及 ^鎵層_32在至溫下ph〇t〇iuminescence的發光頻譜。圖拎 不圖六所示之半導體發光元件3隨注人電騎加的發光頻譜。^ ^圖十可注入電流時，發光主要來自氮化嫁層 ^在同'主入電〜時，氧化鋅層34的發光逐漸增強，進而超 越氮化鎵層32而成為發光頻譜的主要部分。由此可 子層沈積製程製造氧化鋅基半導體發光元件可以具有良 . ^質’並利用氧化鋅優秀的發光特性，進而形成良好的發^元 件0 相較於先前技術，根據本發明之製造半導體發光元件之方 法’其係利用基於原子層沈積之製程製造氧化鋅基半導體發光元 14 件 〇 iSL LL -p 糾Λ，一 100年10月20日補充、修正 外，=馬製，南品質的氧化辞基半導體發光元件。此
古:農卢θ捕餘具有鮮的㈣成份之控制、可以達到 同/辰度的摻雜、材料缺陷密度低、且:J 等優點，進而使半導體發光元件且^二▲、；丨口口、，、句勻度 更而達到更高的產量，使得相關產品有 成軌備故障及/或損壞，進而提高製程可靠咸以率皿r 發明之特徵與以具揭ί希望能更加清楚插述本 廣的解釋，峨使應該根據上述的說明作最寬 样致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。 100年丨〇月2〇曰補充、修正 【圖式簡單說明】 圖 圖-係繪示根據本發明—較佳具體實施例之製造方法的示意 薄膜収魏程在藍寶石基材上成長之zn〇
ZnO ㈣^係繪示糊原子層沈鋪程在藍寶石基材上成長之 薄膜在至溫下自發放射的發光頻譜圖。
^係繪示利用原子層沈積製程在石 薄膜發生受級射現㈣的發光頻譜圖。何敲之ZnO 圖f係繪示個原子層沈積製程在藍寶石基材上成長之AO 薄膜之發光強度與激發強度的關係。 示意^ f係繪示根據本發明—具體實施例之-半導體發光元件之 圖七係繪示圖六所示之半導體發光元件之電流-電塵特性。 層之穌之半賴料树巾加相及祕 示圖六所示之半導體發^t件中Zn〇層及_層 牡至/皿下photoluminescence的發光頻譜。 光頻譜 ^十係繪示圖六所示之半導體發光元件隨注人電流增加的發 【主要元件符號說明】 1379438 100年10月20日補充、修正 10 :基材 12 :氧化鋅基多層結構 20 :反應腔體 22 :載送氣體 24 : DEZn 分子 26 : H20分子 28 :幫浦 3:半導體發光元件 30 :基材 32 :氮化鎵層 34 :氧化鋅層 36 :電極 17
Claims (1)
- ^/9438 100年10月20曰補充、修正 十、申請專利範圍： 、一種製造一半導體發光元件(semiconductor light-emitting device) 之方法，該方法包含下列步驟： 製備一基材(substrate);以及 藉由一基於原子層沈積(Atomic Layer Deposition, ALD)之製 程，於該基材上或之上形成一氧化辞基多層結構(ZnO-based multi-layer structure)，該氧化鋅基多層結構包含一發 - 光區域(light-emitting region)，其中該發光區域係選自由一 p 型摻雜ZnO/未摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜 ZnO/未摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結 構組合、一P型摻雜MgxZn^O/未摻雜MgyZn^O/N型摻雜 MgzZnkO結構組合、一P型摻雜MgxZnkO/N型摻雜MgyZnb yO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、一P型摻雜MgxZn^O/P型 摻雜MgyZnyO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、一P型摻雜 MgxZn^O/未摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、一P型 摻雜MgxZni_xO/N型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、 一 P型摻雜MgxZnkO/P型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構 組合、一P型摻雜MgxZrii-xO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、 一P型摻雜MgxZnkO/未摻雜MgyZni_yO結構組合、一P型摻 雜MgxZn^O/未摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜MgxZn^O/ 未摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜Mg/r^O/P . 型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜MgxZn^O/N 型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜ZnO/未摻雜ZnO/N型摻雜 MgzZn^O結構組合、一P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜 MgzZn^O結構組合、一P型摻雜ZnO/N型掺雜Mg/n^O結 構組合、一N型摻雜ZnO/P型摻雜該基材結構組合、一N型 摻雜MgzZn^O/P型摻雜該基材結構組合、一p型摻雜 BexZnhO/未摻雜Be/i^O/N型摻雜BezZn^O結構組合、一 P型摻雜BexZn^O/N型摻雜BeyZr^O/N型掺雜BezZn^O結 18 137943.8 100年10月20日補充、修正 構組合、一P型摻雜BexZn^O/p型摻雜BeyZi^O/N型摻雜 BezZn^O結構組合、一p型摻雜Bexzni_x〇/未摻雜ZnO/N型 摻雜BezZnuzO結構組合、一p型摻雜BexZnix〇/N型摻雜 ZnO/N型摻雜BezZn^O結構組合、一p型摻雜BexZn^O/P型 摻雜ZnO/N型摻雜BezZnkO結構組合、一p型摻雜Bexzni_ xO/N型摻雜BezZn^O結構組合、一p型摻雜BexZn^O/未摻 雜BeyZn^O結構組合、一p型摻雜BexZni_xO/未摻雜ZnO結 構組合、一P型摻雜BexZn^O/未摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構 組合、一P型摻雜BexZn^O/P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構 組合、一P型摻雜BexZn^O/N型摻雜ZnO結構組合、一p型 摻雜ZnO/未掺雜ZnO/N型摻雜BezZn^O結構組合、一p型摻 雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜Β6ζΖημζ0結構組合、一p型換 雜ZnO/N型摻雜BezZr^-zO結構組合以及一 N型摻雜BezZnK zO/P型摻雜該基材結構組合所組成之一群組中之其一，〇<χ， y, ζ 仝1。 2、 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基於原子層沈積之製 程包含選自由一原子層沈積製程、一電漿增強原子層沈積 (plasma-enhanced ALD)製程以及一電漿辅助原子層沈積(piasma_ assisted ALD)製程所組成之一群組中之至少其一。 3、 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基材係選自由一藍寶 石基材、一矽基材、一 SiC基材、一 GaN基材、一 AlGaN基材、 一InGaN基材、一ZnO基材、一 ScAlMg〇4基材、一 Ysz(yttria-stabilized zirconia)基材、一SrCu2〇2基材、一CuA102基材、一 LaCuOS基材、一NiO基材、一 LiGa02基材、一LiA102基材、一 GaAs基材以及一玻璃基材所組成之一群組中之其一。 4、 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基材為一圖案化基材 (patterned substrate)0 19 1379438 ς , i , ^ 100年⑴月20日補充、修正 5、如申4專利fe圍第1項所述之方法，其中該P型摻雜Zn〇/未摻雜 ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該p型摻雜Zn0/未摻雜Ζηα_^組 合、該Ρ型摻雜ΖηΟ/Ν型摻雜ΖηΟ結構組合、該ρ型摻雜MgxZni. xO/未摻雜MgyZi^O/N型摻雜MgzZnNzO結構組合、該p型^^ MgxZni_x〇/N型摻雜MgyZni-y〇/N型摻雜MgzZni-z〇結構組合/該P 型摻雜MgxZni_x〇/P型摻雜MgyZni-y〇/N型摻雜MgzZni_z〇結構組 合、該P型摻雜MgxZni-x〇/未摻雜Zn0/N型摻雜Μ&Ζηΐ ζ〇結構組 合、該P型摻雜MgxZn^O/N型摻雜ΖηΟ/Ν型摻雜MgzZni_z〇結構 組合、該P型摻雜MgxZn^O/P型摻雜ΖηΟ/Ν型摻雜MgzZni_z〇結 構組合、該P型摻雜MgxZn^O/N型摻雜MgzZn^O結構組合、"該？ 型摻雜MgxZni-xO/未摻雜MgyZn^O結構組合、該ρ型摻雜 MgxZn^O/未摻雜ΖηΟ結構組合、該ρ型摻雜MgxZn^O/未摻雜 ΖηΟ/Ν型摻雜ΖηΟ結構組合、該ρ型掺雜MgxZnNxO/P型摻雜 ΖηΟ/Ν型摻雜ΖηΟ結構組合、該ρ型換雜MgxZn^O/N型摻雜ΖηΟ 結構組合、該Ρ型摻雜ΖηΟ/未摻雜ΖηΟ/Ν型摻雜MgzZn^O結構組 合、該P型摻雜ΖηΟ/Ν型摻雜ΖηΟ/Ν型摻雜MgzZni_zO結構組合、 該P型換雜ΖηΟ/Ν型摻雜MgzZn^O結構組合、該n型#雜ZnO/P 型摻雜該基材結構組合、該N型掺雜MgzZi^zO/P型摻雜該基材結 構組合、該P型掺雜ΒεχΖημχ〇/未摻雜BeyZni_yO/N型摻雜BezZn丨. zO結構組合、該P型摻雜BexZn^O/N型摻雜BeyZn^yO/N型摻雜 BezZn^O結構組合、該P型摻雜BexZn^O/P型摻雜Be/i^O/N型 摻雜BezZni_z0結構組合、該P型掺雜BexZni x〇/未摻雜Zn〇/N型摻 雜BezZn^O結構組合、該P型摻雜BexZi^-χΟ/Ν型摻雜ΖηΟ/Ν型摻 雜BezZn^O結構組合、該P型摻雜BexZnNxO/P型摻雜ΖηΟ/Ν型摻 雜BezZn^O結構組合、該P型摻雜BexZn^O/N型摻雜BezZni.zO結 構組合、該P型摻雜BexZn^O/未摻雜BeyZi^O結構組合、該ρ型 摻雜BexZn^O/未摻雜ΖηΟ結構組合、該ρ型摻雜Bexzni_xO/未摻 雜ΖηΟ/Ν型摻雜ΖηΟ結構組合、該ρ型摻雜Β^ΖημχΟ/Ρ型摻雜 ΖηΟ/Ν型摻雜ΖηΟ結構組合、該P型摻雜BexZn^O/N型摻雜ΖηΟ 結構組合、該Ρ型摻雜ΖηΟ/未摻雜ΖηΟ/Ν型摻雜BezZnNzO結構組 20 1379438 100年10月20日補充、修正 合、該P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜BezZn^O結構組合、 該P型摻雜ZnO/N型摻雜BezZn^O結構組合或該N型摻雜BezZni_ zO/P型摻雜該基材結構組合之沉積係於範圍從室溫至800°c中之 一製程溫度下執行。 6、如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該p型摻雜zn〇/未摻雜 ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該p型摻雜ZnO/未摻雜ZnO結構組 合、該P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該P型摻雜MgxZni_ x〇/未摻雜MgyZn^O/N型摻雜MgzZn^O結構組合、該P型摻雜 MgxZn^O/N型摻雜MgyZr^yO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、該p 型摻雜MgxZni_x〇/P型摻雜MgyZni_yO/N型掺雜MgzZn^O結構組 合、該P型摻雜MgxZn^O/未摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組 合、該P型摻雜MgxZn^O/N型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構 組合、該P型摻雜MgxZn^O/P型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結 構組合、該P型摻雜MgxZni_x〇/N型摻雜MgzZn^O結構組合、該p 型掺雜MgxZn^O/未#雜MgyZni-yO結構組合、該p型摻雜 MgxZn〗_x〇/未摻雜ZnO結構組合、該p型摻雜MgxZnuxO/未摻雜 ZnO/N型掺雜ZnO結構組合、該p型摻雜MgxZn^O/P型摻雜 ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該p型摻雜MgxZn^O/N型摻雜ZnO 結構組合、該P型摻雜ZnO/未摻雜ZnO/N型摻雜MgzZni_zO結構組 合、該P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、 該P型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、該N型摻雜ZnO/P 型摻雜該基材結構組合、該N型摻雜MgzZn^O/P型摻雜該基材結 構組合、該P型摻雜BexZn^O/未摻雜BeyZni-yO/N型摻雜BezZni_ zO結構組合、該P型摻雜BexZiVxO/N型摻雜BeyZnryO/N型摻雜 BezZn^O結構組合、该P型摻雜BexZnNxO/P型摻雜BeyZi^-yO/N型 摻雜BezZn^O結構組合、該P型摻雜BexZni χ〇/未摻雜Zn〇/N型摻 雜BezZn^zO結構組合、該p型摻雜ΒθχΖημχΟ/Ν型摻雜ZnO/N型摻 雜BezZi^O結構組合、該P型摻雜Β6χΖημχ〇/ρ型摻雜ZnO/N型摻 雜BezZrii-zO結構組合、該P型摻雜BexZni-χΟ/Ν型摻細ezZnUz〇結 21 137943.8 . , A 1〇0年10月20日補充、修正 構組合、該P型摻雜BexZr^xO/未摻雜BeyZni y0結構組合、該p型 摻雜BexZn^O/未摻雜ZnO結構組合、該p型摻雜ΒβχΖηΐ χ〇/未摻 雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該p型摻雜BexZnix〇/pX型摻^ ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該p型摻雜Bexzni_x〇/N型摻雜ZnO 結構組合、該P型摻雜Zn〇/未摻雜ZnO/N型摻雜BezZni_z〇結構組 合、該P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜BezZni-z〇結構組合’、 該P型摻雜ZnO/N型摻雜BezZn! ·ζΟ結構組合以及該n型摻雜 BezZn^O/P型摻雜該基材結構組合中之任一結構於完成沈積後進 一步於範圍從400X：至1200〇C中之一溫度下進行退火處理 (annealing) ° 7、 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該氧化鋅結構的原料係 採用一DEZn (diethylzinc，Zn(C2H5)2)先驅物(precursor)、一DMZn (dimethylzinc，Zn(CH3)2)先驅物或一 ZnCl2 先驅物與一 h20 先驅 物、一〇3先驅物、一02先驅物或一氧基。 8、 =申凊專利範圍第1項所述之方法，其中該MgxZn^O結構的原料 係採用一DEZn先驅物、一DMZn先驅物或一ZnCl2先驅物、一 MgCp2 (Bis(cyclopentadienyl)magnesium，Mg(C5H5)2)先驅物、一 Mg(thd)2 (2,2,6,6-tetramethyl-heptanedionato-3,5-magnesium(II))先 驅物或一 Bis(pentamethylcyclopentadienyl)magnesium (C2〇H30Mg) 先驅物以及一H2〇先驅物、一〇3先驅物、一〇2先驅物或一氧基。 9、 如申請專利範圍第1項所述之方法’其中該Β6χΖηΐχ〇結構的原料 係採用一DEZn先驅物、一DMZn先驅物或一ZnCl2先驅物、一 Be(acac)3 (beryllium acetylacetonate, (CH3C0CH=C(0-)CH3)2Be)先 驅物或一BeCL先驅物以及一H20先驅物、一〇3先驅物、一〇2先 驅物或一氧基。 10、 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中一p型摻雜劑(d〇pant^^、 選自由氮(N)、磷(P)以及砷(As)所組成之一群組中之其一。 22 1379438 • · . 100年丨0月20日補充、修正 11、 如申知專利範圍第1〇項所述之方法，其中作為該p型摻雜劑之^ 的原料係採用一NH3先驅物、一NO先驅物、一n2〇先驅物、一 l，l-Dimethylhydrazine ((CH3)2NNH2)先驅物、一Tert-butylamine ((CH3)3CNH2)先驅物或一Tert-butyl hydrazine ((CH3)3CNHNH2)先 驅物，作為該p型摻雜劑之磷的原料係採用一Ph3先驅物、2 一 P2〇5 先驅物、一 Zn3P2 先驅物或一 Diethyl phosphite ((C2H5〇)2P(〇)h)先驅物’作為該p型摻雜劑之砷的原料係採用一 AsH3先驅物。 12、 如申請專利範圍第丨項所述之方法，其中—N型摻雜劑係選自由 銘(A1)、鎵(Ga)以及銦(In)所組成之一群組中之其二。 13、 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中作為該N型摻雜劑之鋁 的原料係採用一 Trimethylaluminum (A1(CH3)3)先驅物或一 Triethylaluminum(Al(C2H5)3)先驅物，作為該n型摻雜劑之鎵的原 料係採用一 Trimethylgallium (Ga(CH3)3)先驅物或一 Triethylgallium (Ga(C2H5)3)先驅物，作為該N型摻雜劑之銦的原 料係採用一Indium acetylacetonate (hi(OCCH3CHOCCH3)3)先驅物 或一 Trimethylindium (In(CH3)3)先驅物。 14、 一種半導體發光元件(semiconductor收扮·印谢㈣device)，包 含： 一基材(substrate);以及 一氧化鋅基多層結構(ZnO-based multi-layer structure)，該氧化 辞基多層結構係形成於該基材上或之上，該氧化鋅基多層 結構包 Ί^一 發光區域(light-emitting region); 其中該氧化辞基多層結構係藉由一基於原子層沈積(Atomic Layer Deposition, ALD)之製程形成於該基材上或之上； 其中該發光區域係選自由一P型摻雜Zn〇/未摻雜ZnO/N型摻雜 ZnO結構組合、一p型摻雜Zn0/未摻雜Zn〇結構組合、一p 型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜MgxZn^O/ 23 137943.8 100年10月20日補充、修正 未摻雜MgyZr^O/N型摻雜MgzZn^O結構組合、一p型摻雜 MgxZiM-χΟ/Ν 型摻雜 MgyZni-yO/N 型摻雜 MgzZni_zO 結構組 合、一 P型摻雜MgxZni.x〇/P型摻雜MgyZr^-yO/N型摻雜 MgzZn^O結構組合、一p型摻雜MgxZnkO/未摻雜ZnO/N型 摻雜MgzZn^O結構組合、一p型摻雜MgxZn^O/N型摻雜 ZnO/N型摻雜MgzZnkO結構組合、一P型掺雜Mg/nkO/P 型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZni_zO結構組合、一 p型摻雜 MgxZnkO/N型摻雜MgzZi^O結構組合、一P型摻雜MgxZi^ xO/未摻雜MgyZn^yO結構組合、一p型摻雜MgxZn^O/未摻 雜ZnO結構組合、一P型摻雜MgxZn^O/未摻雜ZnO/N型摻 雜ZnO結構組合、一P型摻雜MgxZnbOZP型·摻雜ZnO/N型摻 雜ZnO結構組合、一P型摻雜MgxZn^O/N型摻雜ZnO結構組 合、一P型摻雜ZnO/未摻雜ZnO/N型摻雜MgzZnuzO結構組 合、一P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組 合、一P型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、一N型摻 雜ZnO/P型掺雜該基材結構組合、一N型摻雜MgzZn^O/P型 摻雜該基材結構組合、一P型摻雜BexZn^O/未摻雜Be/h yO/N型摻雜BezZn^O結構組合、一P型摻雜BexZn^O/N型 摻雜BeyZn丨-yO/N型摻雜BezZnkO結構組合、一p型摻雜 BexZn^O/P型摻雜BeyZr^O/N型摻雜BezZn.^0結構組合、 一 P型摻雜BexZnKxO/未摻雜ZnO/N型摻雜BezZni_zO結構組 合、一P型摻雜BexZn^O/N型摻雜ZnO/N型摻雜BeeZn^O結 構組合、一P型摻雜BexZnhO/P型摻雜ZnO/N型摻雜BezZnN zO結構組合、一P型摻雜BexZn^O/N型#雜BezZni_zO結構 組合、一P型摻雜BexZnNxO/未摻雜BeyZi^O結構組合、一P 型摻雜BexZn^O/未摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜BexZn!-xO/未摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型掺雜ΒεχΖη!-xO/P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜BexZn丨· xO/N型摻雜ZnO結構組合、一P型摻雜ZnO/未摻雜ZnO/N型 摻雜BezZi^O結構組合、一P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型 24 137943.8 100年10月20日補充、修正 摻雜BezZi^—zO結構組合、一P型掺雜ZnO/N型摻雜BezZnlz〇 結構組合以及一N型掺雜BezZni.zO/P型摻雜該基材結^纟7合 所組成之一群組中之其一，〇<X，y，Z$l。 15、 如申请專利範圍第14項所述之半導體發光元件，其中該基於原子 層沈積之製程包含選自由一原子層沈積製程、一電漿增強原子 層沈積(plasma-enhanced ALD)製程以及一電漿輔助原子層沈積 (plasma-assisted ALD)製程所組成之一群組中之至少其一。 16、 如申請專利範圍第14項所述之半導體發光元件，其中該基材係選 自由一藍寶石基材、一石夕基材、一Sic基材、一GaN基材、一 AlGaN基材、一 inGaN基材、一 ZnO基材、一 ScAlMg04基材、一 YSZ(yttria-stabilizedzirconia)基材、一 SrCu202基材、一 CuA102基 材、一LaCuOS基材、一NiO基材、一LiGa02基材、一LiA102基 材、一GaAs基材以及一玻璃基材所組成之一群組中之其一。 17、 如申請專利範圍第14項所述之半導體發光元件，其中該基材為一 圖案化基材(patterned substrate)。 18、 如申請專利範圍第14項所述之半導體發光元件’其中該p型摻雜 ZnO/未摻雜ZnO/N型掺雜ZnO結構組合、該P型摻雜ZnO/未摻雜 ZnO結構組合、該p型摻雜Zn0/N型摻雜Zn〇結構組合、該p型摻 雜MgxZn^O/未摻雜MgyZi^-yO/N型摻雜MgzZrikO結構組合、該 P型摻雜MgxZn^O/N型摻雜MgyZi^O/N型摻雜MgzZn^O結構組 合、該P型摻雜MgxZni.xO/P型摻雜MgyZn^O/N型摻雜MgzZn^O 結構組合、該P型摻雜MgxZn^O/未摻雜ZnO/N型摻雜MgzZi^O 結構組合、該P型摻雜MgxZn^O/N型摻雜ZnO/N型摻雜Mg/i^ zO結構組合、該P型摻雜MgxZni x〇/p型摻雜Zn〇/N型摻雜 MgzZn^O結構組合、該P型摻雜MgxZni χ〇/Ν型摻雜Μ&Ζηι 2〇結 構組合、該P型摻雜MgxZn^O/未摻雜MgyZni_yO結構組合、該P 型摻雜MgxZnkO/未摻雜ZnO結構組合、該P型摻雜MgxZn^O/未 25 1379438 100年10月20日補充、修正 摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該p型摻雜MgxZn^O/P型摻雜 ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該P型摻雜MgxZn^O/N型摻雜ZnO 結構組合、該P型摻雜ZnO/未摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組 合、該P型掺雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、 該P型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、該N型摻雜ZnO/P 型摻雜該基材結構組合、該N型摻雜MgzZnuzO/P型摻雜該基材結 構組合、該P型摻雜BexZni_xO/未摻雜BeyZn丨_yO/N型摻雜BezZni_ zO結構組合、該P型摻雜ΒβχΖη^Ο/Ν型摻雜BeyZn^O/N型摻雜 BezZn^O結構組合、該p型摻雜Β6χΖηι χ0/ρ型摻雜BeyZni y0/Ns 摻雜BezZn^O結構組合、該p型掺雜Bexzni_xO/未摻雜ZnO/N型摻 雜BezZnkO結構組合、該p型摻雜Bexzni_xO/N型摻雜ZnO/N型摻 雜BezZn^O結構組合、該p型摻雜Bexzni_x0/P型摻雜ZnO/N型摻 雜BezZn^O結構組合、該p型摻雜Bexzni_xO/N型摻雜BezZni_zO結 構組合、該P型摻雜BexZni_xO/未摻雜BeyZi^O結構組合、該p型 摻雜BexZn^O/未摻雜ZnO結構組合、該p型摻雜BexZn^O/未摻 雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該p型摻雜BexZn^O/P型摻雜 ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該p型掺雜Β^ΖημχΟ/Ν型摻雜ZnO 結構組合、該P型摻雜ZnO/未摻雜ZnO/N型摻雜BezZn^O結構組 合、該P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜BezZn^O結構組合、 該P型摻雜ZnO/N型摻雜BezZni_zO結構組合或該N型摻雜 zO/P型摻雜該基材結構組合之沉積係於範圍從室溫至800〇c中之 一製程溫度下執行。 19、如申請專利範圍第14項所述之半導體發光元件，其中該p型摻雜 ZnO/未摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該P型摻雜ZnO/未摻雜 ZnO結構組合、該p型摻雜Zn〇/N型摻雜ZnO結構組合、該P型摻 雜MgxZn^O/未摻雜MgyZi^yO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、該 P型摻雜MgxZni_x〇/N型掺雜MgyZnuyO/N型掺雜MgzZn^O結構組 合、該P型摻雜MgxZn^O/P型摻雜MgyZn^O/N型摻雜MgzZn^O 結構組合、該P型摻雜MgxZni_xO/未摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O 26 1379438 100年10月20日補充、修正 結構組合、該P型摻雜MgxZn^O/N型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZr^ z〇結構組合、該P型摻雜MgxZnUxO/P型摻雜ZnO/N型摻雜 MgzZni_z〇結構組合、該p型摻雜MgxZni χ0/Ν型摻雜Μ&Ζηι z〇結 構組合、該P型摻雜MgxZn^O/未摻雜MgyZnNyO結構組合、該p 型摻雜MgxZn^O/未摻雜ZnO結構組合、該P型摻雜MgxZn^O/未 摻雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該p型摻雜MgxZn^O/P型摻雜 ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該p型摻雜MgxZn^O/N型摻雜ZnO 結構組合、該P型摻雜ZnO/未摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組 合、該P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZnUzO結構組合、 該P型摻雜ZnO/N型摻雜MgzZn^O結構組合、該N型摻雜ZnO/P 型摻雜該基材結構組合、該N型摻雜MgzZlli z〇/p型摻雜該基材結 構組合、該P型摻雜BexZn^O/未摻雜BeyZni_yO/N型摻雜BezZnN z〇結構組合、該P型摻雜BexZn^O/N型摻雜BeyZn^yO/N型摻雜 BezZn^O結構組合、該p型摻雜BexZni x〇/p型摻雜BeyZni y〇/I^ 掺雜BezZn^O結構組合、該p型摻雜Bexzni-x〇/未摻雜ZnO/N型摻 雜BezZn^O結構組合、該p型摻雜Bexzni x〇/N型摻雜ZnO/N型摻 雜BezZn^O結構組合、該p型摻雜Β6χζηΐ χ〇/ρ型摻雜zn〇/N型摻 雜BezZn^O結構組合、該p型摻雜BexZnl x〇/N型摻雜BezZni_CH士 構組合、該P型摻雜BeZn』/未摻雜BeyZi^O結構組合、該p型 摻雜BexZni_x〇/未摻雜Zn〇結構組合、該p型摻雜BexZni x〇/未摻 雜ZnO/N型摻雜ZnO結構組合、該p型掺雜型摻雜 ΖηΟ/Ν型摻雜ΖηΟ結構組合、該ρ型摻雜BexZni x〇/N型摻雜^η〇 結構組合、該Ρ型摻雜ΖηΟ/未摻雜ΖηΟ/Ν型摻細ezzni_zO結構組 合、該P型摻雜ZnO/N型摻雜ZnO/N型摻雜BezZni_zO結構組合' 該P型摻雜ZnO/N型摻雜BezZn^O結構組合以及該n型摻雜 BezZni_zO/P师_基材結構組合中之任—結構於完成沈積後進 一步於範圍從400 X：至1200 °C中之一溫度下進行退火處理 (annealing) 〇 20、 如申請專利範圍第14項所述之半導體發光元件，其中該氧化辞結 27 I37943S ^ 100年10月20日補充、修正 構的原料係採用一 DEZn (diethylzinc, Zn(C2H5)2)先驅物 (prceufsoi〇、一DMZn (dimethylzinc，Zn(CH3)2)先驅物或一ZnCl2 先驅物與一Hz〇先驅物、一〇3先驅物、一〇2先驅物或一氧基。 21、 如申請專利範圍第14項所述之半導體發光元件，其中該Μ^Ζηι xO結構的原料係採用一DEZn先驅物、一DMZn先驅物或一ZnCl2 先驅物、一MgCp2(Bis(cyclopentadienyl)magnesium，Mg(C5H5)2)先 驅物、一 Mg(thd)2 (2,2,6,6-tetramethyl-heptanedionato-3,5-magnesium(II)) 先驅 物或一 Bis(pentamethylcyclopentadienyl)magnesium (C2〇H3〇Mg)先驅物以 及一H20先驅物、一〇3先驅物、一〇2先驅物或一氧^基。 22、 如申請專利範圍第14項所述之半導體發光元件，其中該BeχZnl_ xO結構的原料係採用一DEZn先驅物、一DMZn先驅物或一ZnCl2 先驅物、一Be(acac)3(beryllium acetyiacetonate，（CH3c〇ch=c(〇_ KHABe)先驅物或一BeCk先驅物以及一h2〇先驅物、一〇3先驅 物、一〇2先驅物或一氧基。 23、 如申請專利範圍第14項所述之半導體發光元件，其中一p型摻雜 劑(dopant)係選自由氮⑼、磷(P)以及砷(As)所組成之一群組^之 其一。 24、 如申請專利範圍第23項所述之半導體發光元件，其中作為該p型 摻雜劑之氮的原料係採用一NH3先驅物、一No先驅物、一n2〇先 驅物、一 l，l-Dimethylhydrazine ((CH3)2NNH2)先驅物、一Tert- butylamine ((CH3)3CNH2)先驅物或一 Tert_butyi hydrazine ((CH3)3CNHNH2)先驅物，作為該P型摻雜劑之構的原料係採用一 PH3先驅物、一 ρζ〇5先驅物、一 Zn3p2先驅物或一 Diethyl phosphite ((C2H5〇)2P(0)H)先驅物，作為該p型摻雜劑之神的原料 係採用一 AsH3先驅物。 25、 如申請專利範圍第14項所述之半導體發光元件，其中—N型摻雜 28 1379438 , , 100年⑴月20日補充、修正 d係選自由鋁(Α1)、鎵(Ga)以及銦(in)所組成之一群組中之其 26、如申請專利範圍第25項所述之半導體發光元件，其中作為該^^型 摻雜劑之铭的原料係採用一 Trimethylaluminum(Al(CH3)3)先驅物 或一Triethylaluminum(Al(C2H5)3)先驅物，作為該n型摻雜劑之鎵 的原料係採用一 Trimethylgallium (Ga(CH3)3)先驅物或一 Triethylgallium (Ga(C2H5)3)先驅物，作為該N型摻雜劑之銦的原 料係採用一Indium acetylacetonate (In(OCCH3CHOCCH3)3)先驅物 或一 Trimethylindium (In(CH3)3)先驅物。 29
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