TWI378443B - - Google Patents

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1378443 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明為關於薄膜，特別為芳香族聚醯胺薄膜、及使用 其做為基質薄膜的磁氣記錄媒體。 【先前技術】 隨著近年之數位記錄技術之進步及以電腦處理之數據為 急速性地增加，用以保存此些數據之磁帶的需要乃急速延 展。此類磁帶主要為將聚酯薄膜使用做為基質薄膜，最近， 磁帶之薄膜化及高密度記錄化之要求變強，使用具有優良 耐熱性、機械特性及尺寸安定性之芳香族聚醯胺薄膜變多。 又，如上述，磁帶隨著近年的高容量化，使得數據的記 錄密度為急速性地提高，些微的尺寸變化具有成為數據缺 落原因之傾向。此類尺寸變化可分成熱收縮等之不可逆的 變化和因溫度、濕度而膨脹、收縮等之可逆性變化。無不 可逆變化為佳，可在加工步驟中經由退火等處理而除去。 相對地，可逆性變化因為無法輕易除去，故於保存時若溫 度、濕度變化，則引起薄膜之膨脹和收縮，記錄數據由本 來位置偏離，變成無法讀取。 於芳香族聚醯胺薄膜中，控制如上述因溫度、濕度之變 化例為揭示於下述專利文獻 1 ~ 6。但是，任一者均為設定 可撓性印刷基板和薄膜連接器等之電路基板用途，且主要 為與銅貼合使用，故設計成配合銅的熱膨脹係數和薄膜的 熱膨脹係數。 相對地，設定使用做為磁氣記錄媒體之支撐體之例為揭 5 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 示於下述專利文獻7及8。專利文獻7為揭示控制濕度膨 脹係數且欲減小尺寸變化，並且濕度膨脹係數点必須滿足 召S 1 Ο Ο X 1 (Γ6 ( 1 / % R Η )，於實施例中亦揭示為 1 0 ~ 6 Ο X 1 0 -6 ( 1 / % / R Η )的薄膜。但是，對磁氣記錄媒體加工之步驟， 若設置磁性層和背面塗層，則經由此等層之影響，顯然使 得磁氣記錄媒體之尺寸變化和基質薄膜之尺寸變化為不 同。此類情況，磁氣記錄媒體之点為相對於基質薄膜增加 為多，且為了令磁氣記錄媒之尺寸變化為最小上，將基質 薄膜之冷設計成負值為佳。但是，若根據專利文獻 7，記 載「冷之下限並無特別限定，但於工業上以1 X 1 (Γ8左右為 製造界限」（第4頁、第1 8段落），則令冷為負值的想法及 技術並未揭示。更且，以沈積法形成磁性層時，必須將磁 性層形成後所發生之彎曲（以磁性面為内側且帶彎曲之現 象）部分予以熱處理弄平，此時，磁氣記錄媒體之寬度方向 的物性大為變化，且於長軸方向和寬度方向上物性產生差 異。因此'為了令磁氣記錄媒體之長轴方向和寬度方向之 尺寸變化一致，乃必須將基質薄膜的膨脹係數於長軸方向 和寬度方向所產生之差異加以控制，但此類想法仍未有揭 示。又，下述專利文獻8為揭示在改良縫隙性之目的上， 規定厚度方向的熱膨脹係數，但與專利文獻7同樣地，並 未揭示令磁氣記錄媒體加工後之長軸方向和寬度方向之尺 寸變化一致的想法。 更且，於下述專利文獻9中，揭示規定以芳香族聚醯胺 薄膜做為支撐體之磁帶的濕度膨脹係數之例，但依然未揭 6 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93丨34395 1378443 示令長轴方向和寬度方向之尺寸變化一致的想法。 [專利文獻1 ] 日本專利特開平2 - 8 4 3 2 8號公報 [專利文獻2 ] 日本專利特開平2 - 1 1 2 9 3 5號公報 [專利文獻3 ] 日本專利特開平3 - 6 0 1 8 1號公報 [專利文獻4 ] 日本專利特開平6 - 1 3 6 1 5 6號公報 [專利文獻5 ] 日本專利2 8 5 3 0 3 6號公報 [專利文獻6 ] 日本專利2 9 5 2 9 0 7號公報 [專利文獻7 ] 日本專利特開平8 - 2 9 7 8 2 9號公報 [專利文獻8 ] 日本專利特開2 0 0 3 - 1 6 0 6 7 6號公報 [專利文獻9 ] 日本專利特開平6 - 1 8 0 8 3 6號公報 【發明内容】 於是，本發明之目的為在於解決上述先前之問題，並且 提供抑制做為磁氣記錄媒體時之可逆的尺寸變化，且令長 軸方向與寬度方向之尺寸變化差為最小.般設計的薄膜及使 用其之磁氣記錄體。 . 為了達成上述目的，本發明之薄膜其特徵為於 180 °C下 30 分鐘、無張力下熱處理'時之寬度方向的熱收縮率為 1 . 0〜2 . 5 %、長軸方向及寬度方向之熱膨脹係數分別為α MD(xlO — 6/°C )、a TD(xl(T6/°C )，長軸方向及寬度方向之濕 度膨脹係數分別為 /3 M D ( X 1 0 _6 / % R Η )、yS T D ( X 1 0 ·6 / % R Η )時， 同時滿足下述式（1 ) - ( 4 )。 -10^ a MD ^ 10 ( 1 ) a MD- 1 0 ^ a TD^ a MD-3 ( 2 ) -1 0 ^ >5 MD ^ 1 0 ( 3 ) 7 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93 1 343 95 1378443 β MD- 1 Ο ^ yS TD ^ β MD-3 ( 4 ) 於此薄膜中，長軸方向及寬度方向之楊氏模量分別為 EMD(GPa)、ETD(GPa)時，同時滿足下述式（5)及（6)為佳。 8 ^ EMD ^ 20 (5) EMDxO. 7 ^ ETD ^ EMDxl. 7 (6) 又，構成薄膜之聚合物為芳香族聚醯胺為佳。 本發明之磁氣記錄媒體為於如上述之薄膜的至少單面 設置磁性層。 於此磁氣記錄媒體中，長軸方向及寬度方向之熱膨脹係 數分別為 α’ M D ( X 1 0 6 / °C ) ' a’TD(xl(T6/°C)，長軸方向 及寬度方向之濕度膨脹係數分別為yS ’ M D ( x 1 (Γ6 / % R Η ) ' 冷’TD(xl(T6/%RH)時，同時滿足下述式（7)〜（10)為佳。 -1 0 ^ a ' MD ^ 1 0 (7) -5 S a ’ MD- a ' TD ^ 5 ( 8) -10^/3' MD ^ 1 0 (9) -5^/3' MD- /3 ’ TD ^ 5 (10) 若根據本發明，則可取得如下之效果。本發明之薄膜為 經由令溫度、濕度所造成之尺寸變化規定在特定之範圍， 則可使得做為磁氣記錄媒體時之尺寸變化及長軸方向和寬 度方向之尺寸變化差極小。因此，於磁氣記錄媒體中，即 使提高記錄密度亦可確實讀出必要的數據。 【實施方式】 於本發明之薄膜中，於1 8 0 °C下3 0分鐘、無張力下熱處 理時之寬度方向的熱收縮率為1 . 0〜2 . 5 %。寬度方向之熱收 8 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 縮率為未滿l. ο %時，對磁氣記錄媒體加工後之彎曲恢復效 果不夠充分，無法保持平面性。寬度方向之熱收縮率為超 過2 . 5 %時，即使進行彎曲恢復處理後亦經由熱收縮而引起 尺寸變化。由於彎曲恢復效果與尺寸變化之平衡為更加良 好，故寬度方向之熱收縮率為1.5〜2.0%為更佳。又，長軸 方向之熱收縮率為1 . 5 %以下為佳，且更佳為1 . 0 %以下，如 此，因為溫度變化所造成之帶的尺寸變4匕小，故為佳。熱 收縮率（％ )之測定為將試料以寬1公分、長度2 2公分切出， 並由長度方向之兩端1公分之部分加印，於200 °C之熱風 烤爐中 3 0 分鐘、以實質上未掛以張力之狀態下進行熱處 理，並使用下述式（1 1 )計算。 熱收縮率=((熱處理前之試長-熱處理後之試長）/熱處理 前之試長）X 1 0 0 (11) 本發明之薄膜之長軸方向之熱膨脹係數α M D ( X 1 (Γ V °C ) 為-1 0以上1 0以下。未滿-1 0或超過1 0時經由熱膨脹或熱 收縮所造成之變化大，作成磁氣記錄媒體時因環境之變化 而無法讀取所記錄的數據。由於熱所造成之變化小，故以 -7SaMD彡7為更佳，且以-5SaMDS5為更佳。又，如上 述形成磁性層後所發生之彎曲予以弄平的處置，主要為於 長軸方向加以張力之狀態下，以1 5 0〜2 5 0 °C左右加熱，令 基質薄膜於寬度方向上收縮則可進行。因此，長軸方向之 熱所造成的舉動並無大變化，但寬度方向之熱膨脹係數為 大至3〜10左右。因此，將磁氣記錄媒體之長軸方向和寬度 方向之熱變化差設計成接近0上，將基質薄膜減去此上升 9 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93丨34395 1378443 部分，並且設計成aMD-10SaTDSaMD-3(式（2))為佳。 aMD-3<aTD或aTD<aMD-10時，做為磁氣記媒媒體時之 因熱所造成之長軸方向和寬度方向之尺寸變化比例大為不 同。以此類薄膜作成基質薄膜時，特別於磁頭為螺旋掃描 時，因為磁頭的角度相對於磁帶（磁氣記錄媒體）被固定， 故令長軸方向與寬度方向之尺寸變化差所造成之數據書寫 方向的參差使得磁頭無法追從。由於做為磁氣記錄媒體時 之熱所造成之長轴方向和寬度方向之尺寸變化比例更為相 等，故以aMD-6S aTDS aMD-4為更佳。還有，熱膨脹係 數α為使用熱機械試驗機（Τ Μ A )，由磁氣記錄媒體實際使用 區域：3 0 °C — 4 0 °C之變位量使用下述式（1 2 )計算。 a = ( X 1 - X 0 ) / (溫度差X測定前的樣品長） （12) X 0 :於3 0 °C之樣品長（m m ) X 1 :於4 0 °C之樣品長（m m ) 又，本發明之薄膜為長軸方向之濕度膨脹係數召M D ( x 1(Γ6 /% RH)為-10以上10以下。未滿-10或超過10時經由 濕度造成之膨脹或收縮的變化大，且做為磁氣記錄媒體時 經由環境之變化而無法讀取所記錄的數據。由於濕度所造 成之變化小，故以-7 S卢M D S 7為較佳，且以-5 S冷M D S 5 為更佳。又，與熱膨脹同樣地，將彎曲弄平時長軸方向之 濕度舉動無大變化，但關於寬度方向則濕度膨脹係數為大 至3〜10左.右。因此，將磁氣記錄媒體之長轴方向和寬度方 向之濕度變化差設計成接近0上，將基質薄膜減去此上升 部分，並且設計成召MD-10S冷TDS冷MD-3(式（4))為佳。 10 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 成 成 方 轴 β MD —2 丨< 召TD 或 β TD< MD- 10 時 做 為 磁 氣 記 錄 媒 體 時 之 濕 度 所 造 成 之 長 轴 方 向 和 見 度 方 向 之 尺 寸 變 化 比 例 大 為 同 0 此 類 薄 膜 為 與 熱 膨 脹 同 樣 地 1 因 為 長 轴 方 向 與 寬 度 向 之 尺 寸 變 化 差 所 造 成 之 數 據 書 寫 方 向 的 參 差 使 得 磁 頭 法 追 從 〇 由 於 做 為 磁 氣 記 錄 媒 體 時 之 濕 度 所 造 成 之 長 車4 向 和 見 度 方 向 之 尺 寸 變 化 比 例 更 為 相 等 故 以 β MD -6 <; TD β MD -4 為較佳 0 還 有 » 濕 度 膨 脹 係 數 β 為 使 用 帶 伸 量 試 驗 機 j 由 環 境 氣 體 2 5〇C 25%RH 至 2 5〇C 、 8 5 % R Η 變 時 之 變 位 量 y 使 用 下 述 式 (1 3)計 算 〇 β : (Υ 1 - Y0 )/ (濕 .度差 X 測 定 前 之 樣 品 長 ) (1 3) 丨 Y0 :以 2 5〇C % 25%RH放置 24 小 時 後 之 樣 品 長 (m m ) Y 1 :以 2 5〇C 、 85%RH放置 24 小 時 後 之 樣 品 長 (m m ) 此 等 式 (1 )- 式 (4 )必須同時滿足， 即 1使 個 不 滿 足 時 j 作 磁 氣 記 錄 媒 體 時 > 則 經 由 尺 寸 變 化 而 無 法 讀 取 數 據 〇 又 > 本 發 明’ > 於 上 述 薄 膜 之 至 少 單 面 設 置 磁 性 層 可 作 磁 氣 記 錄 媒 體 〇 此 時 1 磁 氣 記 錄 媒 體 之 長 幸由 方 向 及 寬 度 向 之 轨 膨 脹 係 數 分 別 為 a » MD X a ) TD(x 1 0'6/ °C ) ’長 方 向 及 寬 度 方 向 之 濕 度 膨 脹 係 數 分 別 為 β MD 、 t TD(x 10 -6 / % R Η )時 > 同 時 滿 足 下 述 式 (Ί ·( 1 0) 為 佳 〇 - 10 a } MD ^ : 10 (7 ) _ 5 ^ i a 1 MD- a TD 5 (8 ) - 10 β » MD ^ ] [0 (9 ) - 5 ^ ' β y MD- β ' TD 5 (1 0) 經 由 滿 足 式 (7 )及式（ 9) > 則 可 令 溫 度 > 濕 度 分 別 造 成 之 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-03/93134395 11 β 因 不 方 無 方 β 展 化 1378443 尺寸變化的絕對值變小，經由滿足式（8 )及式（1 Ο ) ’則可減 小長軸方向和寬度方向之尺寸變化差。若尺寸變化之絕對 值為大則加工成磁帶等時，經由記錄數據之位置參差而無 法讀入數據，捲成滾筒狀使用時，發生捲繞肥胖和捲繞參 差。若長軸方向與寬度方向之尺寸變化有差異，則如上述 磁頭無法追隨數據書寫方向的參差，無法讀取數據。 又，本發明之薄膜於長轴方向及寬度方向之楊氏模量分 別為EMD、ETD(GPa)時，同時滿足下述式（5 )及（6 )為佳。 8 ^ EMD ^ 20 ( 5 ) EMDxO. ETD ^ EMDx 1 . 7 (6) EMD為未滿8GPa時，剛性不充分且不適於薄膜化。由適 於薄膜化來看，EMD以lOGPa以上為佳，且以12GPa以上 為更佳。EMD愈高則愈適於薄膜化，但若過高則伸度降低 且變成脆的薄膜，故上限為20GPa為佳。又’ EMDx0.7>ETD 時，於長軸方向過度配向且易變脆，寬度方向之楊氏模量 不夠充分，若重複行走則磁帶變形且磁氣特性變化。又， E T D > E M D X 1 . 7時，寬度方向之配向過強且狹縫性惡化，若 重複行走則端部變形。為了令狹縫性和楊氏模量之平衡更 加良好，令 EMDxO_8SETDSEMDxl.6 為佳，且以 EMDxl.O SETDSEMDxl.5為更佳。還有，楊氏模量為使用Tensilon 以拉引速度3 0 0 m m /分鐘予以拉引，並且由延伸度與延伸應 力所構成之曲線的初期梯度而求出。 又，本發明薄膜之延伸度為於全部方向上以5 %以上為 佳。延伸度為未滿5 °/◦時，薄膜變脆且易斷裂。由於磁帶加 12 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 工時可具有適度的柔軟性，故延伸度為1 〇 %以上為較佳， 且以2 0 %以上為更佳。 本發明薄膜之吸濕率為5 %以下、較佳為3 %以下、更佳 為2%以下，則可抑制濕度變化所造成之尺寸變化故為佳。 上述本發明之薄膜若構成之聚合物為芳香族聚醯胺，則 可滿足各種特性，故為佳。 此處，芳香族聚醯胺例如具有下列化學式（1 )([化1 ]) 和/或化學式（2 )([化2 ])所示之重複單位為佳。 [化1 ] —(—ΝΗ 一 Ar 1 — NHCΟ _ Αγ2 — CO-)— [化2] -^NH- Ars - C04— 此處，A r 1、A r 2、A r 3之基可列舉例如下列化學式（3 )([化 3 ])所示之物質等。 [化3]

又，上述 X、Y 之基為由_0_、·CH〗-、_C0_、_C〇2_、-S_、 -S〇2-、-C(CH3)2-等中選出，但並非限定於此。 更且，此等芳香環上之一部分氫原子為經氟和溴、氣等 之ii基（特別為氣）、硝基、甲基和乙基、丙基等之烷基（特 別是曱基）、曱氧基和乙氧基、丙氧基等之烷氧基等之取代 13 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 基所取代者，因為令吸濕率降低、濕度變化所造成之尺寸 變化變小故為佳。又，構成聚合物之醯胺鍵中之氫亦可經 其他取代基所取代。 本發明所用之芳香族聚醯胺以上述之芳香環為具有對向 配向性者，佔全芳香環之8 0莫耳％以上' 更佳為9 0莫耳％ 以上為佳。此處所謂對向配向性為指芳香環上構成主鏈之 二價鍵.結為彼此以同軸或平行之狀態。此對向配向性未滿 8 〇莫耳％時，薄膜之剛性及耐熱性為不夠充分。更且，芳 香族聚醯胺為含有下列化學式（4 )([化4 ])所示之重複單 位6 0莫耳％以上時，因為延伸性及薄膜物性為優良，故為 佳。 [化4]

(此處p、q為0~4之整數） 本發明所使用之芳香族聚醯胺由芳香族二醯氣和芳香族 二醯胺取得之情形中，可經由N -甲基-2-吡咯烷酮、二甲 基乙醯胺、二甲基甲醯胺等之非質子性有機極性溶劑中之 溶液聚合則可合成。 此時，為了抑制低分子量物之生成，乃避免阻礙反應之 水、其他物質的混入，且以採用有效率的攪拌手段為佳。 又，亦可添加氣化妈、氣化錢、氣化裡、漠化裡、硝酸裡 14 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 等做為溶劑輔助劑。 若使用單體之芳香族二醯氣和芳香族二胺則副 氫，但將其中和時，使用周期素I族至π族之陽 氧化物離子' 碳酸離子等之陰離子所構成之鹽所 機的中和劑 '或環氧乙炫、環氧丙烧、氨、三乙 醇胺、二乙醇胺等之有機的中‘和劑即可。又，於 薄膜之濕度特性的目的下，將苯曱醯氯、酞酸酐、 苯胺等添加至聚合完成之系中，將聚合物之終端 以封鎖亦可。 於取得本發明之薄膜上，聚合物之固有黏度（聚 克於硫酸中以1 0 0毫升之溶液型式於3 0 °C下測定 0 . 5以上為佳。 製膜原料液可將中和後之聚合物溶液就其原樣 者暫時將聚合物單離後，於溶劑中再溶解供使用 處理容易方面而言，以N -甲基-2-吡咯烷酮、二1 胺、二曱基曱醯胺等之有機極性溶劑為佳，但使用 濃硝酸、聚磷酸等之強酸性溶劑亦無妨。製膜厚 合物濃度為2〜20重量％之範圍内為佳。 又，於做為表層之芳香族聚醯中，在不損害薄 程度中摻雜滑劑、抗氧化劑等其他添加劑為佳。 又，於具有適當粗度之目的下令薄膜中存在粒 粒子之種類有 Si〇2、Ti〇2、AI2O3、CaSCK、BaSOi' 碳黑、沸石等其他金屬微粉末等之無機粒子、和 粒子、聚醯亞胺粒子、交聯共聚物粒子、交聯聚 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 生成氣化 離子和氫 代表之無 胺、三乙 改善基材 醋酸氯、 官能基予 合物0 . 5 之值）為 使用，或 。溶劑由 f基乙醮 濃硫酸、 液中之聚 膜物性之 子為佳。 * C a C 0 3 ' 聚矽氧烷 s旨粒子、 15 1378443 交聯聚笨乙烯粒子、鐵弗龍（註冊商標）粒子等之有機高分 子等，但由活用芳香族聚醯胺薄膜之耐熱性方面而言，以 耐熱性優良之無機粒子為更佳。粒徑為根據用途而具有選 擇幅度，但以0.01~2；czni之範圍内、較佳為0.05~l/zm之 範圍内為佳。又，含量在令薄膜表面之滑動良好上，以 0.01~10重量％之範圍内、較佳為0.1〜5重量％之範圍内為 佳。例如，使用於硫氧記錄媒體之情形中，平均粒徑為 0.01〜0.5# m範圍内之無機粒子含有0.1〜3重量％之範圍 内，則在令電磁轉換特性和行走性' 耐久性兩相成立上為 佳。薄膜表面之滑動不適當時，於製膜步驟和加工步驟中， 薄膜與滚筒接觸時，即使具有微小的異物亦易變成損傷之 原因。最終薄膜之表面粗度亦根據含有粒子同樣之用途而 適切設計，例如，使用於磁氣記錄媒體之情形中，中心線 平均粗度Ra為0.1〜lOOnm之範圍内、較佳為0.2〜50nm之 範圍内，十點平均粗度R z為2 ~ 5 0 0 n m之範圍内、較佳為 3〜4 0 0 n m ,之範圍内，難於令薄膜損傷故為佳。 如上述所調製之製膜原液為根據乾式法、乾濕式法 '濕 式法等而進行薄膜化，而在取得高品質薄膜方面則以乾濕 式法為佳。 以下，以乾濕式法為例予以說明。 將上述製膜原液由管嘴於鼓、環帶等之支撐體上擠出成 薄膜，其次由此類薄膜層令溶劑飛散，取得可由支撐體剝 離的聚合體薄片。此處所謂聚合體薄片為指聚合物以外含 有溶劑、溶劑辅助劑等之具有自我支撐性的薄膜或薄片。 16 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 此時之乾燥溫度（熱風和支撐體之溫度）由薄膜表面 滑性良好而言，以8 0〜2 0 0 °C為佳。更且，以8 0〜1 2 0 °C 後，若將乾燥溫度提高至1 2 0〜2 0 0 °C，則平面性更為良 且乾燥時間亦可縮短故為佳。 又，聚合物薄片之溶劑含量以2 0 ~ 7 0重量％為佳。溶 量若超過7 0重量％，則聚合體薄片之自我支撐性不足 延伸性上易生斑，未滿2 0重量％則聚合物部分析出且 膜的延伸度降低。如此若於延伸性上有斑，則於薄膜 度和尺寸變化舉動上易發生斑。由薄膜之厚度和尺寸 舉動更加均勻而言，聚合體薄片之溶劑含量為3 0 - 7 Ο ί 為較佳，且以3 0〜6 0重量％為更佳。更且，由支撐體剝 之聚合體薄片溫度為8 0〜1 2 0 °C為佳。若超過1 2 0 °C則 體薄片軟化且於厚度和尺寸變化舉動易發生斑，尺寸 舉動於長軸方向和寬度方向上有差別。若未滿80 °C ， 乾燥時間變長且生產性降低。如上述控制聚合體薄片 度上，乾燥溫度於初期以低溫（8 0〜1 2 0 °C )、中期以高 (1 2 0〜2 0 0 °C ) '後期（剝離時）再以低溫（8 0〜1 2 0 °C )為佳 步驟中由輕易控制乾燥溫度而言，支撐體以環帶為佳 如此處理由支撐上剝離的聚合體薄片於3 0 ~ 6 0 °C冷」 後；於長軸方向上延伸1.1〜2.0倍。冷卻上，可接觸 冷水的滚筒，或使用冷風。聚合體薄片之溫度若超過 °C ，則尺寸變化舉動於長軸方向和寬度方向上有差別 為與濕式步驟之溫度差大，故導入濕式步驟時大為狹 寬度方向之熱收縮率變小，尺寸變化舉動於長軸方向 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 之平 預熱 好， 劑含 且於 令薄 之厚 變化 i量％ 離時 聚合 變化 則 之溫 溫 。各 0 印 通以 60 ，因 窄且 和寬 17 1378443 度方向之差別更大。又，未滿30 °C則聚合體薄片無柔 且延拉時聚合體薄片破裂故為不佳。又，延伸倍率未总 倍時，長轴方向之楊氏模量為未滿7GPa。又，延伸倍 超過2. 0倍則薄膜易變脆。 其次，將長軸方向之延伸步驟终了的聚合體薄片被 濕式.步驟，且進行脫鹽、脫溶劑等。若未通過濕式步 其原樣進行熱處理，則表面大為粗糙，發生彎曲。濕 之溫度以3 0 ~ 6 0 °C為佳。若超過6 0 °C則表面粗糙，未 °C ，則脫鹽、脱溶劑之時間變長。 經過濕式步驟之薄片為進行水分之乾燥、熱處理。 理溫度以2 0 0 ~ 4 0 0 °C之範圍為佳。更佳為2 4 0 ~ 3 2 0 °C。 理溫度未滿2 0 0 °C時，薄膜之楊氏模量降低，若超過 °C則薄膜冬結晶化過度進行且變成硬且脆的薄膜。 又，熱處理時，於寬度方向上進行延伸。延伸倍率 軸方向延伸倍率為RMD、於寬度方向延伸倍率為RTD E M D、E T D於滿足式（6 )之關係上，以 RMDxO. RTD^ RMDxl . 8 為佳。 其次，以150〜250 °C之溫度於寬度方向上再度延拉 1.0卜1.03倍，其後，以150〜250 °C之溫度於寬度方向 舊保持定長熱處理3 0秒鐘以上，且以作熱固定為佳。 此操作可賦予彎曲恢復上所必要之寬度方向的熱收縮 更且，將乾燥步驟之溫度調整和此熱處理予以組合， 令薄膜寬度方向之熱膨脹係數及濕度膨脹係數相對於 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 軟性 3 1.1 率若 導入 驟就 式浴 滿3 0 熱處 熱處 400 於長 時、 上依 經由 率。 則可 長軸 18 1378443 方向變小至3~10(可達成式（2)及式（4))，作成磁氣記 體時之長軸方向和寬度方向之尺寸變化差變小。若再 溫度為超過2 5 0 °C ，則無法取得必要的熱收縮率，且 恢復不足，未滿1 5 0 °C則延伸應力變大且尺寸變化增 若再延伸倍率為超過1 . 0 3倍，則熱收縮率過大，未滿 倍則無法取得必要的熱收縮率，彎曲恢復不足。又， 行熱固定時，於形成磁性層時薄膜受熱而打消再延伸 果。熱固定溫度為設定成比再延伸溫度更低30~50°C 於可更加縮小彎曲處理後之長軸方向和寬度方向的尺 化差故為佳。 還有，本發明法所製造之薄膜可為層合薄膜。例如 層之情形中，將聚合的芳香族聚醯胺溶液分成二份， 別添加不同粒子等之後疊層。更且，三層以上之情況 樣。此些層合方法為習知之方法，例如，於管嘴内之J 和於複合管之層合、和暫時形成一層並於其上形成其 之方法等。 本發明之薄膜為亦可使用於可撓性印刷基板、熱感 色帶、電容器等之用途，但以做為磁氣記錄媒體之基 膜為特別有用，於使用做為磁氣記錄媒體用基質薄膜 形中，可於單面或兩面設置磁性層作成磁氣記錄媒體 磁氣記錄媒體之較佳用途例如為8mm數位視頻匣等 生用、職業用、D-1、 2、 3等之廣播局用、DDS-2、 3 Q I C、數據8 m m、D L T等之數據貯藏用等，特別於重視 脫落等之信賴性的數據貯藏用途中為適於使用。 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 錄媒 延伸 彎曲 大。 1.01 未進 之效 ，由 寸變 於二 且分 亦同 合、 他層 轉印 質薄 之情 〇 之民 、4、 數據 19 1378443 本發明之磁氣記錄媒體為以基底薄膜之厚度為1〜5// m，作成磁氣記錄媒體時之厚度為2~8//m，因為可繼續維 持做為磁氣記錄媒體之較佳的磁氣特性和行走性，並且取 得大的體積記錄容里故為佳。 本發明之磁氣記錄媒體於磁性層之形成上，可列舉塗佈 法、沈積法、離子電鍍法、濺鍍法、團簇離子束法等，特 別若使用沈積法則可充分發揮本發明之效果故為佳。 沈積法為例如可使用以傾斜沈積或垂直沈積法所形 成、以Co、Ni、Fe等做為主體之金屬薄膜或其合金做為主 體的金屬薄媒。若例示，則可列舉C 〇、N i、F e等之強磁性 金屬和 Fe-C〇'Co-Ni'Fe-Co-Ni'Fe-Cu'Co-Au'Co-Pt'Mn-Bi' Mn-Al 、 Fe_Cr ' Co-Cr 、 Ni-Cr 、 Fe-Co-Cr ' Co-Ni-Cr 、 Fe-Co-Ni-Cr等之強磁性合金。其可為單層膜或多層膜。 又，沈積之方法以在減壓下令強磁性材料加熱蒸發，並 於薄膜上堆積的真空沈積法為佳，但亦可使用於放電中進 行強磁性材料之蒸發的離子電鍍法、以氬做為主成分之環 境氣體中引起輝光放電，並以生成的氬離子叩出濺鍍表面 之原子的濺鍍法等所謂的P V D技術。於磁性薄膜形成後， 較佳施以1 5 0 °C ~ 2 5 0 °C之熱處理做為彎曲對策。此時，於 長軸方向上加以0.5~10MPa之張力為佳。又，於金屬磁性 薄膜所構成之磁性層表面，於提高磁氣記錄媒體之耐久性 和耐候性之目的下，可根據濺鍍法和CVD法視需要設置硬 質碳膜，更且，經由設置濶滑層，則亦可根據磁性材料之 粒狀突起的形狀而更加提高行走性。潤滑劑可列舉例如脂 20 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 肪酸及脂肪酸酯。 於本發明之磁氣記錄媒體之基質薄 塗層為佳。此硬塗層為基本上由非磁 構成，且含有碳黑做為非磁性粉末為 質粉末之碳酸鈣，及莫氏硬度5〜9之 〈實施例〉 以下，說明關於本發明之實施例。 以下實施例中之物性測定、效果評 行。 (1 ) 聚合體薄片之溫度 使用佐藤計量器（股）製接觸式溫度 度方向中央部" (2) 熱收縮率（％ ) 將芳香族聚醯胺薄膜切出寬1公分 度方向之兩端1公分之部分加印。於 3 0分鐘、以實質上未掛以張力之狀態 式（1 1 )計算。測定5回，求出平均值 熱收縮率=((熱處理前之試長-熱處 前之試長）X 1 0 0

(3) 楊氏模量E 於 25°C 、60%RH 中，使用 Robot T< R T A - 1 0 0 ( 0 r i e n t a 1 公司製）測定。樣， 間之長度為50mm般固定，且拉引速方 定5回並求出平均值。 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 膜的另一側，設置硬 性粉末和黏合材料所 佳。更且，含有無機 無機質粉末為佳。 價為根據下列方法進 計SK-2000MC測定寬 、長22公分，並由長 200 °C之熱風烤爐中 進行熱處理，並使用 〇 理後之試長）/熱處理 (11) :n s i Ion S為以寬10mm、卡盤 i為3 0 0 m m /分鐘，測 21 1378443 (4 ) 熱膨脹係數α 由薄膜切出寬4mm、長度15mm之切片，使用下列裝置， 於氮環境氣體f，於升溫-降溫速度：1 °C /分鐘下以2 0 °C — 5 0 °C — 2 0 °C — 5 0 °C變化，並由再升溫時之3 0 °C — 4 0 °C的變 位量使用式（1 2 )計算。負荷加重為5克。測定3回求出平 均值。還有，對於方向（M D、T D)，以測定方向之樣品長為 1 5 m m實施。 裝置：真空理工股份有限公司製 熱機械試驗機 TM-94Q0:天平部及加熱爐 MTS-9000:Multi 熱分析 Station a = ( X 1 - X 0 ) / (溫度差X測定前之樣品長） （12) X 0 : 3 0 °C下之樣品長（m m ) X 1 : 4 0 °C下之樣品長（m m ) 溫度差=1 0 (°C ) 測定前之樣品長=1 5 ( m m ) (5 ) 濕、度膨脹係數 由薄膜切出寬10mm、長度200mm之切片，並將大倉 Industry股份有限公司製「Tape延伸量試驗機」1TTM1放 入N a g a η 〇科學機械製作所製恆溫恆室槽L Η 2 0 - 1 4且以下列 條件測定變化量，使用式（1 3 )計算。負荷加重為1 0克。測 定2回求出平均值。還有，對於方向（M D、T D)，測定方向 之樣品長為2 0 0 m m實施。 條件：（a )於2 5 °C 、2 5 % R Η放置2 4小時 (b )由2 5 °C、2 5 % R Η令濕度於8 5 % R Η中歷1 5 0分鐘變 22 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 化 (C)於25°C 、8 5%RH放置24小時 /3 = ( Y 1 - Y Ο ) / (濕度差x測定前之樣品長） （13) Y 0 :於2 5 °C 、2 5 % R Η放置2 4小時後之樣品長（m m ) Y 1 :於2 5 °C 、8 5 % R Η放置2 4小時後之樣品長（m m ) 濕度差=6 Ο ( % R Η ) 測定前之樣品長=2 Ο Ο ( m m ) (6 ) 弯曲恢複之測定 由磁帶，每1 0公分切出5根寬1公分、長度1 0公分的 樣品，放置於水平台上，測定由水平面至最大變形度部分 之高度並求出平均值。評價為以下列基準進行.。△以上為 實用範圍内。X者為在彎曲之影響下而無法正確測定，故未 進行尺寸變化等之測定。 〇：變形量為未滿1 m m △:變形量為l-2mm X:變形量為超過2mm (7 ) 尺寸變化之測定及評價 由薄膜切出寬10mm、長度200mm之切片，並將大倉 I n d u s t r y股份有限公司製「T a p e延伸量試驗機」1 Τ Τ Μ 1放 入Ν a g a η ο科學機械製作所製恆溫恆室槽L h 2 Ο - 1 4且以下列 條件測定變化量。負荷加重為1 0克。 條件：實際以磁氣記錄媒體所使用之溫度濕度條件為圖 1所示之五角形區域的内部。其中，下述條件1 ~ 3之變化 對於磁氣記錄媒體之尺寸影響為大。自此以此三條件以下 23 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 列（a ) ~ ( c )所示之手續令溫度、濕度變化，測定尺寸變化。 初期狀態 變化後之狀態 條件 1 A : 1 0 °C 、1 0 % R Η — C : 2 9 °C 、8 0 % R Η 條件 2 A : 1 0 °C、1 Ο % R Η — D : 4 5 °C、2 4 % R Η 條件 3 E : 4 5 °C、1 0 °/。R Η — B : 1 Ot、8 Ο % R Η (a )於初期狀態放置2 4小時 (b)由初期狀態歷1 5 0分鐘以變化後之狀態變化 (c )於變化後之狀態放置2 4小時 以條件1 ~ 3進行測定，分別使用下述式（1 4 )計算尺寸變 化。測定2回求出平均值 尺寸變化（％ ) = ( Y 1 - Y 0 ) X 1 0 0 / (測定前之樣品長） （17) Y 0 :於初期狀態放置2 4小時後之樣品長（m m ) Y 1 :於變化後之狀態放置2 4小時後之樣品長（m m ) 測定前之樣品長=2 Ο 0 ( m m ) 評價為以下列基準進行，△以上為實用範圍内。 〇：M D、T D任一者之變化量均未滿0 . 0 7 %，且差為未滿 0.02 △ : M D、T D任一者之變化量均未滿0 . 0 7 %，且差為0. 0 2 以上未滿0 . 0 3 x:MD、TD任一者之變化量為0.07%以上，或差為0.03 以上 (8 ) 端部之變形 將實施例記載之方法所製作的磁帶，使用DDS2驅動機， 以行走速度0 . 2 m /秒鐘行走5 0小時後，觀察端部。每1 0 m 24 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93 1 343 95 1378443 切出5根長度1 0公分的樣品，放置於水平台上，測定由水 平面至最大變形度部分的高度並求出平均值。評價為以下 列基準進行，△以上為實用範圍内。 〇：變形量為未滿lmm △:變形量為1 ~ 2 m m x:變形量為超過2mm (9 )行走耐久性 以使用DDS2驅動機之ECMA規格規定的TM1進行 10,000P(Pass)的評價。以錯誤率上升而產生行走停止的通 過次數予以評價。△以上為實用範圍。 〇：至ΙΟ,ΟΟΟΡ為止無停止 △:5,000〜10,000卩停止 X :未滿5 , 0 0 0 Ρ停止 以下，根據實施例更加具體說明本發明，但本發明並非 限定於此。又，以下實施例·中記載之「份」為表示「重量 份」。 〈實施例1 > (聚合物原液之調整） 於經脫水之Ν -甲基-2 -吡咯烷酮中，令相當85莫耳％之 2-氣基對苯二胺與相當15莫耳％之4,4’ -二胺基二苯醚溶 解，並於其中添加相當9 8. 5莫耳％之2 -氣基對酞醯氯，以 2小時攪拌聚合後，以碳酸鋰進行中和，取得聚合物濃度 為1 1重量％的芳香族聚醯胺溶液。 (芳香族聚醯胺薄膜之製造） 25 3】2ΧΡ/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 將此聚合物原液由寬830mm之管嘴以表面為鏡面狀之速 度8 . 0 m /分鐘迴轉，於不銹鋼製帶上流涎至最终薄膜厚度 為4 // m。將此流延之聚合物溶液以最初1 0 0 °C (初期溫 度）、其次以1 8 0 °C (中期溫度）之熱風下分別加熱1分鐘令 溶劑蒸發，其後將1 0 0 °C (後期溫度）之熱風吹送3 0秒鐘令 聚合體薄片之溫度冷卻至1 2 0 °C後剝離。再以5 0 °C之冷卻 輥令聚合體薄片之溫度冷卻至6 0 °C後，於長軸方向上延伸 1 . 1 5倍。其次，於5 0 °C之水槽内通過2分鐘進行殘存溶劑 和中和所生成之無機鹽的水萃取。其後，於拉幅機中，以 溫度280 °C下於TD上進行1.44倍延伸和熱處理。更且， 以溫度2 0 0 °C下於T D上進行1 . 0 1 5倍再延伸後，以1 5 0 °C 進行熱固定4 5秒鐘。 〈磁氣記錄媒體（磁帶）之作成〉 將連續捲繞式之沈積裝置，以其内部為10xl0_3Pa左右 之減壓狀態般排氣，並且安裝基質薄膜。於微量之氧環境 氣體中經由連續真空傾斜沈積法，於基質薄膜之表面上形 成Co之強磁性金屬薄膜所構成的磁性層。沈積之條件為以 傾斜沈積之入射角為由基質薄膜之法線方向4 5 °之角度， 以薄膜之送入速度50m/分鐘，調節電子束之強度至沈積厚 度為0.2vm。其次，將磁控管濺鍍裝置以内部為10xl(T4Pa 左右為止減壓後，導入Ar氣，至0.8Pa左右。其次，於此 磁控管濺鍍裝置中安裝強磁性金屬薄膜所構成之磁性層形 成的薄膜，並於-4 0 °C冷卻之冷卻箱上以5 m /分鐘之送入速 度行走且於磁性層上形成碳保護膜。其次，於形成基質薄 26 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 膜之磁性層面之反側面上，將下列組成所構成之硬塗層以 乾燥後之厚度為0.5"m般塗佈。 〈硬塗層形成用成分〉 微粒子狀碳黑粉末 ：1 0 0份 (Cabot公司製、BP-800、平均粒子大小：17m") 粗粒子狀碳黑粉末 ：1 0份 (Cancalb 公司製 'Thermal Black、平均粒子大小：270m;z) 碳酸鈣 ：8 0份 (白石工業（股）製、白艶華0、平均粒子大小：40m仁） α -氧化铭 ：5份 (住友化學工業（股）製、Η1Τ55、平均粒子大小：200m//、莫氏硬 度：8·5) 硝基纖維素樹脂 :1 4 0 份 聚胺基甲酸酯樹脂 :15份 聚異氰酸酯樹脂 :40份 聚S旨樹脂 __5份 分散劑：油酸銅 :5份 酞菁酮 :5份 硫酸鋇 :5份 曱基乙基酮 :2200 份 醋酸丁酯 :3 0 0 份 曱苯 :600 份 將形成上述硬塗層之各成分以連續捏和機予以混練後， 使用砂磨令其分散。所得之分散液使用具有1 // m之平均孔 27 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 徑的濾紙過濾，調製硬塗層形成用塗佈液供使用。 更且，於碳保護膜上形成由全氟聚醚所構成之滑劑的頂 塗層後，一邊調整加以2MPa之張力，一邊於200 °C之加熱 箱上進行2 0秒鐘熱處理，形成磁氣記錄媒體。其後，將此 磁氣記錄媒體裁斷，並裝入卡匣本體中作成卡帶。 基質薄膜之製造條件整理於表1、基質薄膜與磁氣記錄 媒體之尺寸變化率整理於表2 '做為磁氣記錄媒體之評價 整理於表3 (以下之實施例 '比較例亦同樣）。 做為磁氣記錄媒體之評價為全部在實用範圍内。 〈實施例2 ~ 1 1 > 於實施例1中，除了令延伸及熱處理條件如表1般變化 製膜以外，同實施例1處理製造薄膜及磁帶。 做為磁氣記錄媒體之評價為全部在實用範圍内。 〈實施例1 2 > 於實施例1中，除了令乾燥條件之中期溫度以1 0 0 °C 、 乾燥時間為3分鐘變化製膜以外，同實施例1處理製造薄 膜及磁帶。 做為磁氣記錄媒體之評價為全部良好。 〈實施例1 3 > 於實施例1中，除了令乾燥條件之中期溫度以1 0 0 °C 、 乾燥時間為3分鐘、後期溫度以7 0 °C 、乾燥時間為3 0秒 鐘變化調製以外，同實施例1處理製造薄膜及磁帶。做為 磁氣記錄媒體之評價為全部良好。 〈比較例 1 > 28 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93 ] 34395 1378443 於實施例1中，除了令寬度方向再延伸溫度以2 6 0 °C變 更製膜以外，同實施例1處理製造薄膜及磁帶。彎曲恢復 不夠充分，且磁帶並未保持平面性。 〈比較例2 > 於實施例1中，除了令寬度方向再延伸溫度以1 4 0 °C變 更製膜以外，同實施例1處理製造薄膜及磁帶。尺寸變化 惡化。 〈比較例3 > 於實施例1中，除了令寬度方向再延伸溫度以1 . 0倍變 更製膜以外，同實施例1處理製造薄膜及磁帶。彎曲恢復 不夠充分，且磁帶並未保持平面性。 〈比較例4 > 於實施例1中，除了令寬度方向再延伸倍率以1 . 0 3 5倍 變更製膜以外，同實施例1處理製造薄膜及磁帶。熱收縮 變大，且，尺寸變化惡化。 〈比較例5 > 於實施例1中，除了令熱固定時間變更成2 0秒鐘且製 膜以外，同實施例1處理製造薄膜及磁帶。尺寸變化惡化。 〈比較例6 > 於實施例1中，除了令熱固定溫度變更成2 6 0 °C且製膜 以外，同實施例1處理製造薄膜及磁帶。彎曲恢復不夠充 分，且磁帶並未保持平面性。 〈比較例7 > 於實施例1中，除了令熱固定溫度變更成1 3 0 °C且ΐ膜 29 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 以外，同實施例1處理製造薄膜及磁帶。尺寸變化惡化 〈比較例8 > 以 變 燥 理 平 於實施例1中，除了令後期溫度變更成1 8 0 °C且製膜 外，同實施例1處理製造薄膜及磁帶。彎曲恢復及尺寸 化惡化。 〈比較例9 > 於實施例1中，除了令後期溫度變更成1 8 0 °C ，且乾 後未接觸冷卻輥且導入水槽並製膜以外，同實施例1處 製造薄膜及磁帶。彎曲恢復不夠充分，且磁帶並未保持 面性。 30 312XP/發明說明書(補件)/94-03/93134395 1378443 熱固定 時間 〔秒） to L〇 寸 m 寸 Ο LO 呀 s Ο σ> »〇 廿 JO 呀 LO 呀 LO 呀 LO 寸 5 LO LO LO 呀 LO Ο ιη 呀 LO 倍率1 (倍）丨 L000 CD «〇 Ο Ο ο τ-Η ο < ο ο < ι-Η ， ο => CD ◦ Ο ◦ => ◦ ο ο 1—4 ο < ο < ο < Η Ο -Η Ο Ο r-H Ο <=5 Ο u ο ο < τ—Η ζ> —Η ◦ ο ο ο ο ο ◦ < Ο < c^> 〇> S度 :°〇 — 〇 LO 〇 L〇 ο οο Ο ιτ> ι 1—< ， =ϊ Ο C3 _〇 ο Ο Ο οο t—ι ο < Λ -Η => Ο ◦ LO ◦ _〇 ο < LO 1 1—^ 1 =) Λ ο _〇 Ο Ο ο LO ο L〇 <ζ> CD < <ΝΙ， 3) ?〇 ο» ΙΟ 〇> L〇 έ伸條件 TD再延伸| 倍率·; (倍）< LO C5 iT> ί—^ m — LD 1 »—Η Ο < •Ο —· LO (Ν1 Ο ι—Η Ο 1—^ LO ο < Λ ‘ ο < Γ"^ 3> c=> UO S »—Η LO ι »—Η ο < ♦—Η 1 Ο =5 -Ο >3 LO S => ιο ?〇 LTJ U J 1 H <=> < •Ο LO r—1 > < r—^ T·^ 盈度 :°〇 〇 <=? 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CO Η離後?' 溫度 (00 〇> (NI o <NI ο CSI ο 03 ο <Νϊ ο CO ο CS) ο <Μ ο 03 ο 03 〇> <ΝΙ ◦ ο οο S ο <ΝΪ ο <ΝΪ <3> CN1 〇> <ΝΙ o CNJ ο C<i cr> r—^ o 卜 ato( β 耸？ 〇 Q CD 〇 ο ο Ο ο Ο ο ο ο ο Ο 2 Q ◦ C5 Ο cr> 。 C5 〇> <ζ> 卜 ο Ο ◦ ο» Ο ο ο <Ζ> Ο 05 o ο 〇► <z> 〇0 o 2 5 «5? »#3 :踩甸G .h ° C=> 00 CD 00 »—*< ο 00 <=) οο C3 00 ο 00 ο 00 Ο» 00 τ—* Ο ΟΟ Ο οο ◦ οο τ-^ <=> ο ο ο r—^ Ο» 00 〇> 00 »—»1 Ο 00 ο 0C 1— ο 00 c=> OO ο 00 G? 00 一 OO 1»—· S pi ° ;j c: c ο > ο 4 S r—< C CZ ο > cr > c£ ικ ^ c C 4 τ— >卜 ”4 κ挣 <ζ> > ο 4 f—^ ο ο »—Η <r C： c > c C )ο ο ο 4 ^ C c Ο > C C： C > C > <ζζ > c > ο o o 4 »—< C： > C 〇c it ^ p. l d o < >① -r •ΤΤ' ί « Η •代· Γ·5 < <N <龟 3 CC BC命 ^ί 革 % κ ♦ ιτ :写 Μ -0C κ Ψ σί κ ίρ ；2 ι 5 ί— ^ Λ4 Β：御 ^ CV ^ Α4 «命 1 OJ * ·τ· κ # ί - Η CV D Λ 1 (Τ ：4 iU ι ^ )^ < Af f ·« Γ* LT i % 1 i )cc » —= l *i 卜 ^ ςΟΝεκ 一 ε6/εο46/(φ}ϋ)_κΒίί§κ:Β^/*^(Νρ; 1378443 磁帶 〇a 發 <； 、 〇 1 〇 X O οα CO CO l- H CO T CO LO CO CO 1 τ—Η 1 o <NI > < 1 Ξ \r- 1 Q S c〇 CO C£) CO CO c〇 (NI CO CO CO 卜 t—H LO 寸 1 〇〇 1 CD CO 1 lO oo 1 福 發 P > <=> X S-^ Q f—H CO CN CO ?j〇 T" i—H LO γ > < CjO 1 1 1 C£> 1 LO 1 呀 CD 1 Q CO CO CO (N1 c<i CO r < CO ?〇 L〇 to CT) ΓΟ 1 03 1 CO CO 1 CO 了 1 η 浓 Q Q E- CjO CjO CJ C3 CO CO CO 卜 c<l i—4 CNI CNI τ LO LO 1 r-H CO CO CO 發f ®g; X Q 芝 CO c〇 CD CO c〇 c〇 CO 1—^ CO c— L〇 寸 c〇 LO CO c〇 c〇 LO LO OO cx> « 勒ϋ 雄<S 痤d ^ χ Q CO CO CD LO cr> oo *T LO oo CjJ r < 1 m 1 in CO ο τ—Η 1 »—Η 1 oo »—H t o LO (NI CO C<1 〇 CO CO CO <N1 CO CO CO (>3 L〇 c〇 *T CO CO CO 1 ^ CO CO CO CO CO 了 t—H 铁收縮¥ (%) Q 卜 r— 卜 LO rvi cn LO ♦—< L〇 t—H LO CO oi CO t—( oo 卜 1—4 卜 r~i c〇 03 U J o 卜 03 1—4 o r—< d 〇 05 Ξ； 05 05 oo o Oi 03 CO to 05 o oo o 05 o 卜 ο 卜 o U J o 05 o oo o O·^ o r-H r- 麵、 卜 1.36 C 1.36 C CD CO t—^ 1.36 ： 1.36 1 1.36 1.00 5 cr> 0¾ CO C I 1.801 L〇 CO o 1.36 CO CO CO CO c〇 CO 1—Η CO CO CO CO π 一 c〇 CO ” H CO CO CO CO r-™< CD r—^ c CD C3 琏c 繫空 3〇 m LO IT3 iD L〇 IT： CO r—^ CO r—< oo 卜 m Lf： ΙΟ m LTD LO LT： in CO CT> 'S 二 ：： r-H r···^ r— CO r—' L〇 cc> CT> 4£] o T—^ 一 1— r—^ T—1 ?— r—I —< r— 二 CO \S^ ψ^* 1 ω ~ 1 t-H 隹Ώ CO Αί (御 cr. :3 !劳 ί|« ，寸 l；%3 Lf： -ΪΓ 4¾ <« s{^ CC :裏 )Ai » « 卜 ：i OO * • ^ ) • 的 <^0 o 革 ¥? 二 4£ 03 T-^ ，-=r> CO -r·' 1— ，士 CO * *3Τ )-1： k «υ cc * r , k *i kw * *- tb較例5 cC 卜 ， • ^ 丨溶 • ·*©τ l-£ oc 比較例ε 呕拎^械01,夜柃眾砵‘-cm 行走安定性 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 <] 〇 0 〇 〇 1 1 〇 〇 1 〇 <] 1 端部之變形 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 < 〇 〇 〇 1 〇 1 〇 〇 1 〇 〇 1 變位（％) 評價 1_ 〇 <3 < 〇 < 〇 〇 〇 <] 〇 0 〇 〇 1 X 1 X X 1 X X 1 條件3 0. 017 0. 016 0. 025 Η Ο ο 0. 025 0. 014 0. 019 0. 009 0. 028 0. 010 0. 021 0. 019 0. Oil 1 |0. 028| 1 LO 呀 c=> oo C5 CD 1 0. 014 0. 022 1 0. 032 0. 027 CO o o 0. 038 03 οα ο ο LO CO CZ? Ο 0. 004 CO C3 Ο 0. 014 0. 023 0. 042 <35 Ο CO CZ> CD 1 0. 018 1 CD o C— <=> o 1 卜 ¢3 0.049 1 Ο 0.049 0.043 CT> m o c=> 0. 039 ο ο 0. 023 Ο ο 0.042 0.033 0.021 CQ s Ο CO 〇 1 0. 046 1 呀 CO CD 05 to o 1 LO C> '0.071 1 條件2 圳 Τ—4 Ο 〇> ί—ί CO c=> o o 0. 002 0. 001 0. 001 0. 016 0. 003 0. 002 0. 000 0. 009 0. 002 CO <z> c—? 1 0. 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:^^1ΨΩ1 , 器 ΐ-Ωιί 1378443 (產業上之可利用性） 等之磁 寸安定 圍並非 媒體時 本發明之薄膜可使用做為電腦之數據保存用磁帶 氣記錄媒體用基質薄膜。特別，由於具有優良的尺 性，故可適合使用於高密度記錄用途，但其應用範 限定於此。 【圖式簡單說明】 圖1為示出本發明之薄膜實際使用做為磁氣記錄 之溫度-濕度條件之範圍的線圖。 34 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-03/93 1 343 95

Claims (1)

1378443 DEC 2 2 2011 替換本 十、申請專利範圍： 1. 一種薄膜，其特徵為於180 °C下30分鐘、無張力下熱 處理時之寬度方向的熱收缩率為1.0~2.5%，長軸方向及寬 度方向之熱膨脹係數分別為α M D ( X 1 (Γ6 / °C )、α T D ( X 1 (Γ6 / °C )，長轴方向及寬度方向之濕度膨脹係數分別為/5 Μ D ( χ 1(T6/%RH)、点 TD(xlO_6/%RH)時，同時滿足下述式（1)〜（4): -10^ a MD ^ 10 ( 1 ) a MD- 1 0 ^ a TD ^ a MD-3 (2) -10S/3MDS10 (3) β MD- 1 β β MD-3 (4 ) 構成上述薄膜之聚合物為以 2 -氯基對苯二胺、4, 4’ - 二胺基二苯醚及 2 -氯基對酞醯氣作為原料之芳香族聚醯 胺； 於製造上述薄膜之步驟中係於寬度方向經再延伸。 2 .如申請專利範圍第1項之薄膜，其中，長軸方向及寬 度方向之楊氏模量分別為EMD(GPa)、ETD(GPa)時，同時滿 足下述式（5)及（6): 8 ^ EMD ^ 20 ( 5 ) EMDxO. ETD^ EMDxl . 7 (6) 。 3 . —種磁氣記錄媒體，其特徵為於薄膜的至少單面設置 磁性層，上述薄膜於180 °C下30分鐘、無張力下熱處理時 之寬度方向的熱收縮率為1.0~2. 5%，長軸方向及寬度方向 之熱膨脹係數分別為a MD(xl 0_6/°C )、a TD(xl (T6/°C )，長 軸方向及寬度方向之濕度膨脹係數分別為沒MD( x 35 93134395 1378443 1(T6/%RH)、A TD(xl(T6/%RH)時，同時滿足下述式（1)〜（4) -10^ a MD ^ 10 (1 ) a MD-10^ a TD^ a MD-3 (2) -10$ yS MDS 10 (3) β MD-10^ β TD^ β MD-3 (4) ； 構成上述薄膜之聚合物為以 2 -氯基對苯二胺'4, 4’ 二胺基二苯醚及 氣基對酞醯氣作為原料之芳香族聚醯 胺； 於製造上述薄膜之步驟中係於寬度方向經再延伸。 4.如申請專利範圍第3項之磁氣記錄媒體，其中，長軸 方向及寬度方向之熱膨脹係數分別為a ’ M D ( X 1 0'6 / °C ) ' α ’ T D ( x 1 (Γ6 / °C )，長軸方向及寬度方向之濕度膨脹係數分 別為/3 10(父10_6/%1^)、万’丁0(父10_6/%1^)時，同時滿足下 述式（7)〜（10): -10^ α 1 MD ^ 10 (7) -5^ a ' MD - α ’ TDS 5 (8) -1 0 ^ yS 1 MD ^ 10 (9) -5^/3’ MD- β ’ TD^ 5 (10) 93134395 36