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TWI332708B - Thin film transistor array substrate and method for fabricating the same - Google Patents

Thin film transistor array substrate and method for fabricating the same Download PDF

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TWI332708B
TWI332708B TW095145650A TW95145650A TWI332708B TW I332708 B TWI332708 B TW I332708B TW 095145650 A TW095145650 A TW 095145650A TW 95145650 A TW95145650 A TW 95145650A TW I332708 B TWI332708 B TW I332708B
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TW
Taiwan
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layer
electrode
gate
mask
line
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TW095145650A
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English (en)
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TW200744215A (en
Inventor
In Park Yong
Young Oh Jae
Chul Han Sang
Original Assignee
Lg Display Co Ltd
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Publication date
Application filed by Lg Display Co Ltd filed Critical Lg Display Co Ltd
Publication of TW200744215A publication Critical patent/TW200744215A/zh
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Description

1332708 九、發明說明： / 【發明所屬技術領域】 關於一種薄膜電晶體 整個過程之曝光遮罩 本發明係有關一種液晶顯示(LCD)裝置。更尤其係有 (T=)陣列基板，與製造此基板之方法，其可以減少使用於 之數目，因此，可以降低此製程時間與單位製造成本。 _ 【先前技術】 在^種平面顯示器中，一種液晶顯示(LCD)裝置由於其高 1¾、尚品質移動晝面影像、以及低功率消耗，而吸引大量注意。 义 又 為動此LCD裝置’在LCD裝置之基板上設置_元件或線之各 案。通常LCD裝置之此等圖案藉由微影術而形成。
此微影術包括以下複雜步驟··以對於紫外線敏感之光阻將基板覆蓋一薄膜 層；在將-曝光遮罩定位於基板上後’對此基板實施曝光與顯影；藉由使用此 經圖案化之光阻作為遮罩而蝕刻此薄膜層；以及將此光阻剝離。 習知技術LCD裝置之TFT P車列基板包括:閘極線層、閘極絕緣層、半導體 層、資料線層、純化層、以及像素電極。為了在Μ p車列基板上形成上述元件 而須要5至7個遮罩。當此由微影術所使用遮罩數目增加時，錯誤機率增加。 為了克服此問題，在最近積極研究低遮罩技術，其可以藉由使用最數目 遮罩與微影術以製造基板，而改善生產力且獲得製程邊際。 以下參考所附圖式說明用於製造習知技術TFT陣列基板之方法、 第1A至1E圖說明習知技術TFT陣列基板之橫截面圖。 首先，如同於第1A圖中所示，將低電阻金屬材料沉積在基板u上且由 微影術處理’因此形成多個閘極線(未圖示）、閘極電極Ua、以及問極塾η。 在此例★中’此低電阻金屬材料對應於：銅(Cu)、銘⑽、銘敍(八膽）、翻⑽〇)、 絡(Cr)等。 此微影術以下财式實施：首先，在高溫τ將低雜金屬層沉積在具有良 好熱-電阻之透明玻璃基板上’且然後以光阻覆蓋。在將具有圖案層之第一遮罩 設置在此基板之光阻上後，將光線選擇性地施加至此基板上。因此，在光阻上 形成預設圖案，其中，此預設圖案與此第—遮罩之光阻層之圖案相同。其次， 藉由顯影液而去除光阻之預設部份，因而將此光阻圖案化。其中，以光線照射 此光阻之預設部分。然後’選擇性地侧此由圖案化光阻所曝露金屬層之預設 部份，以獲得此金屬層中所想要之圖案。 6 1332708 其次，如同於第1B圖中所示，在高溫下，將無機材料層沉積在此包括閘 極電極12a之基板之整個表面上，因此形成閘極絕緣層π。在此情形中，此 無機材料可以由石夕氮化物(SiNx)或石夕氧化物(SiOx)所形成。 然後，在此閘極絕緣層13上沉積非晶矽層，以及然後藉由微影術使用第 二遮罩將其圖案化。因此，在此閘極絕緣層13上形成島嶼形半導體層14,其 中，此半導體層14與閘極電極12a重疊。 參考第1C圖，將低電阻金屬層沉積在包括半導體層14之基板之整個表面 上。在此例中’此低電阻金屬層可以由銅(Cu)、鋁(A1)、鋁鈥(AINd)、鉬(Mo)、 鉻(Cr)等所形成。然後’藉由微影術使用第三遮罩將低電阻金屬層圖案化。因 此，形成資料線層。 此資料線層包括:資料線(未圖示）’其形成以垂直於閘極線，因此界定一單 元像素區域；源極與汲極電極15a與15b，其與半導體層14之兩側重疊；以及 墊區域之資料墊25。 此所沉積之閘極電極12a、閘極絕緣層13、半導體層14、源極與汲極電極 15a與l5b可以製成薄膜電晶體，其控制此施加至單位像素之電壓之導通^切斷 狀態。 其次’如同於第1D圖中所示’在此包括汲極電極15b之基板之整個表面 上形成BCB之有機絕緣層或SiNx之無機絕緣層，因而形成純化層16。然後， 藉由微影術使用第4遮罩將此鈍化層π之一些部分去除，以形成:用於將沒極 電極15b曝光之接觸孔71、用於將閘極墊22曝光之第一墊開口區81a、以及用 於將資料塾25曝光之第二塾開口區gib。 如同於第1E圖中所示，將此透明導電材料層、例如銦錫氧化物(IT〇)或銦 辞氧化物(ΙΖΟ)沉積在:此包括鈍化層16之基板之整個表面上，以及然後，藉由 微影術使用第5遮罩將其圖案化。因此，在像素區中形成像素電極17,因而將 ，素電極17與汲極電極15b電性連接，因而製成此TFT陣列基板。在此同時， 藉由覆蓋此第一與第二墊開口區域而形成透明導電層27。其中，此透明 27防止閘極與資料墊被氧化。 s 因此’習知技術TFT P車列基板須要5個曝光遮罩，以形成閘極線層、半導 體層、資層、鈍化層之接概、以及像素電極。當所使狀遮罩數目增加 時，會造成複雜製程、增加之時間與成本、以及低效率。 7 【發明内容】 ，此’本㈣有_抓_基板與驗製造此基板之雜， 避免由於習知技術之限制與缺點所造成一或更多個問題。 =明之目的紐供-種抓_基板與職製造此基板之方法。其中， 從素電極是由:金屬層與透明導電層之堆疊層所形成，且將金屬層 本發明之另-目的為提供-種TFT陣列基板期於製造此基板之方法。其 二，各閘極線層與共同電極是由:金屬層與透明導電層之堆疊層所形成，且^ ^層從共同雜絲，以及亦職與朗電極平行之像素電極，_，以三個 曝光遮罩製成此TFT陣列基板。 本發明之另一目的為提供一種TFT陣列基板與用於製造此基板之方法，此 土板並不具祕化騎資料騎與像素電鱗緣，以致於可崎域少所使用 曝光遮罩之數目，以減少製程時間與單位製造成本。 本發明額外之優點、目的、以及特性，其一部份將在以下描述中說明，其 :部份將在檢視以下說明之後對於在此技術中具有一般知識者為明顯，或可以 藉由實施本發明而得知。本發明其他目的與優點可以藉由:在此所撰寫說明、其 申請專利範圍、以及所附圖式中所特別指出之結構而實現與獲得。 為達成此根據本發明目的之此等目的與其他優點，如同在此實現與廣泛說明 者。此TFT陣列基板包括形成於基板上之:閘極線、閘極電極、以及閘極墊，其 中，各由第一金屬層與透明導電層之堆疊層所形成；形成於各閘極線間各別圖案 中之像素電極；閘極絕緣層，設置具有第一與第二開口區域，以曝露像素電極與 閘極塾，資料線，其形成垂直於在閘極絕緣層上之閘極線，以界定一次·像素； 源極電極’其從資料線分出；没極電極，形成距源極電極預設間隔，且與像素電 極連接；形成於資料線一端之資料墊；遮罩層，以覆蓋資料線、源極電極、以及 汲極電極；以及氧化防止層，以覆蓋閘極墊與資料墊。 在本發明之另一觀點中’此用於製造TFT陣列基板之方法包括：根據此依 序沉積在基板上之第一金屬層與透明導電層，而形成閘極線、閘極電極、閘極墊、 以及像素電極，以及藉由使用第一遮罩之微影術而圖案化；依據此在包括閘極電 1332708 極基板之整個表面上所依序沉積之閘極絕緣層、非晶矽層、以及第二金屬層，而 形成半導體層、資料線、源極與汲極電極'資料墊、以及第一與第二開口區域， 且藉由使用第二遮罩之微影術而圖案化，其中，此第一與第二開口區域曝露像素 電極與閘極墊；在各源極與汲極電極上形成第一與第二遮罩層，根據此沉積在包 括資料線基板之整個表面上導電層，在各閘極與資料墊上形成第一與第二氧化防 止層，以及錯由使用第三遮罩之微影術而圖案化；藉由蝕刻此曝露介於第一與第 二遮罩層間之第一金屬層，根據此彼此分開之源極與汲極電極以界定通道區域； 以及然後蝕刻此曝露於第一開口區域中像素電極之第二金屬層。 β在此時’設置用於TN模式之TFT陣列基板，其中各閘極線層與像素電極 是由L第一金屬層與透明導電層之堆疊層所形成，將此金屬層由像素電極去 除，猎由使用遮罩層將像素電極與汲極電極電性連接，因此，以三個曝光遮罩 製成TFT陣列基板。 在本發明之另一觀點中，此用於製造TPP陣列基板之方法包括：根據此依 序沉積在基板JlH屬層與朗導電層，而形賴極線、酿電極、閘極 塾、共同線、以及制電極，以及藉由使S第—遮罩之微影術賴案化；依據 此在包括閘極電極之基板之整錄面上所依序沉積之非㈣層、以及第二金屬 層，而形成半導體層、資料線、源極與没極電極、資料墊、以及第一與第二開 口區，，且藉由使用第二遮罩之微影術而圖案化，其中，此第—與第二開口區 域曝露共同電極與閘極塾；在各源減没極電極上形成第一與第二遮罩層，根 據此沉積在包括資料線之基板之整個表面上導電層，在各閘極墊與資料墊上形 成第-與第二氧化防止層，以及藉由使用第三遮罩之微影術而_化；形成像 素電極而與第二遮罩料—體’且平行於共同電極；以及藉由侧此曝露介於 第-與第二遮罩層間之第―金屬層，根據此彼此分開之祕與祕電極以界定 通道區域’以及織侧此曝露於第―開口區域巾共同電極之第二金屬層。 曰在此時’提供用於IPS模式之TFT陣列基板，其中各閘極線層與共同電 極是由：金屬層與翻導電層之堆疊層所形成，將此金屬層由共同電極去除， 且亦形成平行於朗電轉素電極，因此，以三婦光鮮製成TFT陣列基板。 而且丄形成遮罩之遮罩層，用於將資料線層之圖案圖案化。此外，此遮罩 層保遵此倾f層之圖案，且將在不同層上·成之各細紐此電性連接。 而且，此氧化防止層覆蓋且保護此閘極墊與資料墊，其中，此氧化防止層 9 1332708 與此遮罩層形成於相同層上。 應瞭解本發明以上一般性說明，以及以下詳細說明僅為典範與說明，其用 意在於提供所主張本發明進一步說明。 此等所附圖式’其包括於此以提供本發明進一步瞭解，且包括於本說明書 中以構成其一部份’以說明本發明之實施例，此等圖式與說明一起用於說明本 發明之原理。 【實施方式】 現在詳細說明本發明之較佳實施例，而在附圖中說明其例。當可能時，在附 圖中使用相同參考號碼以稱呼相同元件。 、以下參考所附圖式說明此根據本發明TFT陣列基板與用於製造此基板之方 国圖為平面圖，其說明根據本發明第一實施例之TFT陣列基板。第3 面圖，其說明根據本發明第一實施例之TFT陣列基板。第4A至4H Ϊ ^圖^明驗製造根據本發明第一實施例之Μ陣列基板之步驟 ίϋϋ圖為平關，其說觀於製造根據本發明第—實施例之Μ ^ β如同於第2與3圖中所示’此根據本發明用於：⑶裝置之聊陣列基板 疋以下列裝置界定:此包括像素電極117與薄膜電晶體TFT ^ 包括閘極墊(G.P)122與資料墊(D.P)125之墊區域。 ^ ^細而言’此活性區包括此等形成為—體之雜線112與_電極; Ϊ If 117 ’其與閑極線112形成於相同層上，且形成於次-像素之整個部份 lb 層113 ’其具有第—開口區域161 ’以曝露此等像素電極；資料線 tn’f Λ於^極f以界定此次-像素，且形成於閉極絕緣層113上；源極電 5分支而出；115b，其形成於距源極電極115a ^先叙間隔；以及遮罩層⑷、H2 ’其覆蓋此佩線、雜電極以及沒極電 士次·像素是由彼此垂直之閘極線與簡線所界定。而且 形成罪近閘極線與資料線相交部份，法 福电日日體（ 閘極電極122a、閉極絕緣層113、半導體體丨、二（TFT)疋由以下所構成: 與沒極電極l15a與115b。 +導體體層114、歐姆接觸層驰、以及源極 1332708 然後，在源極與沒極電極心與mb間之半導體層m之通道區上形成
其λ’純化層118是由以氧(〇2)電浆處理之薄膜所形成。此純化層 η以阻w部光線’贿於其可防止在通道區域巾產轉所欲之光學電流。 ^墊區域包括:閉極塾122，其傳送掃描信號，且從閘極線112延伸·以及 傳，訊信號，且從資料線115延伸。而且，此閉極塾與資料 ,、一氧化防止層151與152覆蓋。此閘極墊122經由：此藉由將 閘極絕緣層⑴去除所形成之第二開σ區域162而與第—氧化防止層接^ 在此時’各此等閘極線、閘極電極、以及間極墊是由:透明導電層⑽與第 $屬層101之堆疊層所形成。像素電極僅由透明導電層1〇2所形成。各此等閉 極線、源極與錄雜、以及諸墊是由第二鋪層碱。此第—與第二金屬層 可^由以下任-所形成：銅(Cu)、銅合金(CU合金)、雖D、減(AiNd) JH(M〇合金)、鉻(Cr)絡合金(Cr合金)、鈦合金(Ή合金)、銀(Ag)、銀合金⑽ 此遮罩層疋由以下所形成·第一遮罩層141，其形成於資料線出與雜 電極1士上且將其覆蓋；以及第二遮罩層142，其形成於祕電極出b上且 將其覆蓋。藉由使用第二遮照罩層，此没極電極115b與像素電極m可以彼此 電性連接，雖然它們是形成於不同之層上。 此氧化防止層是由以下所構成:第—氧化防止層⑸，其經由第二開口區域 162以覆蓋此閘極墊；以及第二氧化防止層152，其覆蓋此資料塾。 此第-與第二遮罩層、以及第—與第二氧化防止層形成於相同層上。而且， 此覆盍貧料線之第-遮罩層與此覆蓋f料塾之第二氧化防止層形成為一體，這 是由於資料線與資料墊為一體。 此遮罩層電性連接至：形成於不同層例如没極電極與像素電極上之兩個圖 案三此致於此遮罩肢由導電性質之材料所形成。為了防止此閘極塾與資料塾 被氧化，此氧化·層是㈣能雜與抗氧化㈣讀料所形成。有關於此， 此遮罩層與抗氧化層是由IT〇 4IZO之透明導電材料所形成，或可以由 或鈦(Ti)合金所形成。 ) 然後’一此下電容電極132與閘極線形成於相同層上。而且，此上電容器電 極135與資料線形成於相同層上，且與下電容器電極132重疊。因此，此儲存 電容器是由彼此重疊之下與上電容器電極形成，而在此狀態中將閘極絕緣層 11 1332708 113置於其間。 經由ί此ΐ ’第三遮罩層143形成於上電容器電極上，其中，上電容器電極135 塁廢^罩層而與像素電極117電性連接。此第三遮罩層與第-以及第二遮 罩層2於相同層上，且由與第—以及第二遮罩層相同材料形成。 考，此非晶石夕層形成於下列者之下:資料線、源極與祕電極、資料 1及上電綠電極。在此情形中’此非㈣層之圖妓與:資料線以及資料 么但與源極與祕電極以及上電容器電極之圖案不同。此為可能，因 二固姿於資料線材料之第二金屬層與非晶⑦層是在同時藉由使用繞射曝光遮罩 而圖案化。
咨姐ΐ此時，—n+a-si層104a形成於第二金屬層與非晶石夕層之間，其圖案與 ^料線、源極與没極電極、資料墊、以及上電容器電極之圖案相同。此薄膜電 曰曰體之非aB_層作為半導體層114，以及n+a_Si層作為歐姆接觸層11如。 雖然並未顯示，此包括像素電極與薄膜電晶體之TFT陣列基板接合至··此包 括共同1：極與濾色層之相面對基板。然後，液晶層形成與兩個相面對基板之間， 因此，π成此LCD裝置。在此情形中，此液晶層是由像素電極與共同電極間所 形成之垂直電場所驅動。 為了形成LCD裝置之TFT陣列基板，如同於第4A與5A圖中所顯示者， 此透明導電層1G2形成於:具有良好抗熱性之透明基板⑴上。然後，藉由賤鍍 在透明導電層102上沉積第一金屬層101，以及然後使用第一曝光遮罩藉由微 影術將其圖案化，因此形成閘極線112<>此71^區域之閘極電極122&與閘極線 112、儲存電谷器(Cst)區域之下電容器電極132、以及閘極墊區域(qj>)之閘極塾 122分開。在此情形中，此透明導電層1〇2可以由:銦錫氧化物(IT〇)、銦鋅氧化 物(ΙΖΟ)、ΑΖΟ、或ΖηΟ形成。以及，第一金屬層ιοί可以由：銅(cu)、銅合金、 紹(A1)、紹敍(AINd)、鉬(Mo)、鉬合金、鉻(Cr)、鉻合金、鈦(Ti)、鈦合金、銀 (Ag)、或銀合金所形成。此第一金屬層101較佳由M〇/A]Nd之堆疊層所形成。 為了將第一金屬層與透明導電層一起蝕刻，較佳應用濕性蝕刻。在此時， 可以各別地形成下電容器電極與閘極線。然而，如同於第5A圖中所示，此閘 極線之一些部份可以作為下電容器電極。 如同於第4B圖中所示，在高溫情況下，將矽I化物(SiNx)或矽氧化物(Si〇x) 之無機材料沉積在:包括閘極電極112a之基板之整個表面上，因此，形成閘極 12 1332708 絕緣層113。 然後’將非晶石夕(a-Si)104、以及此以雜質離子(n+a_si)i〇4a所掺雜之非晶石夕 依序地形成於閘極絕緣層113上。在其上藉由濺鍍形成第二金屬層ι〇3。此第 二金屬層103可以由銅(Cu)、銅合金、鋁(A1)、鋁鈥(AINd)、鉬(Mo)、鉬合金、 絡(Cr)、鉻合金、鈦(Ti) '鈦合金 '銀(Ag)、或銀合金所形成。在此時，此非晶 石夕(a-Si)可以1700A之厚度形成，此以雜質離子(n+a_si)所掺雜之非晶石夕可以細a 之厚度形成，以及此第二金屬層可以2000A之厚度形成。 然後’將此由閘極絕緣層113、非晶石夕104、n+a-Si l〇4a、以及第二金屬層 103所構成之堆疊層使用第二曝光遮照罩’藉由微影術而選擇地圖案化。 詳細而言’在藉由旋塗法或轉動塗佈法將可以紫外線(UV)固化之樹脂之光 阻108覆蓋在第二金屬層1〇3上後，將此光阻以具有預先確定圖案於其中之第 =曝光遮罩(未圖示)覆蓋。然後，將此以第二曝光遮罩覆蓋之光阻曝露於UV-光或χ_光’以及將此經曝光之光阻顯影，因此’形成具有步階覆蓋之光阻圖案。 在此If形中，此第一曝光遮罩可以為繞射曝光遮罩。為了形成繞射曝光遮 罩，在透明基板上形成:金屬材料之光線屏蔽層、與半透明層。因此，此繞射曝 光遮罩包括對應於:透明區域、半透明區域、以及光線屏蔽區域之三個區域。此 透明區域具有1〇0%之光線透射，此光線屏蔽區域具有〇%之光線透射，以及此 半，明區域具有〇%與100%間之光線透射。在將繞射曝光遮罩塗佈於光阻後， 將光阻108分割成二個區域：（c)區域，其與繞射曝光遮罩之透明區域對齊，以 及在顯影雜之後，將其完全去除；⑻區域，其與繞祕光遮罩之光線屏蔽區 域對齊’以及在膽雜之後，並不會被去除；以及⑻區域，其與繞射曝光遮 罩之半透·域對齊，且具有預先確定之厚度^在此情況中，此所形成之光阻 為正型式，其中將此曝露於光線之預先確定之部份去除。如果此為負型式之光 阻，則將未曝露於光線之預先確定之部份去除。 在此繞射曝光與顯影過程之後，此光阻1〇8具有步階式覆蓋。此等形成資 料線'源極與沒極電極、以及上電容器電極、以及資料塾之部份對應於㈧區域。 士等形成像素與_墊之部份對應於(c)區域，以及其碰域對應於⑼區 域0 ，同於第4C圖中所示，此閘極絕緣層113、此非晶矽1〇4、此n+aSil〇4a、 以及第—金屬層1G3在使用此具有步階式覆蓋之光阻⑽作為遮罩之狀態中一 13 1332708 ，侧，因此形成第-與第二開口區域161與162，以各 閉極塾122。在此情形中，第一開口區域161之尺寸小於像素電極 =27寸與 =及第J π區域162之尺寸小於閘極墊122之尺寸。因此，此非晶们〇4、 2+a-Si 104a、以及第二金屬層1〇3之堆疊層，與像素電極以及問極塾之角落
當姓刻此閘極絕緣層113、此非晶石夕1〇4、此n+a_si _、以及第二 2 103時，其可以在乾式姓刻室中一起银刻。在此情形中，須要提供不同麵 餘刻氣體。首先，如果_第二金屬層(M〇)，則此_氣體可以使用巩、α 或〇2。如果蝕刻非晶矽材料，則此蝕刻氣體可以使用SFe、C12或Η〗。如果姓2 閘極絕緣層’則此钱刻氣體可以使用SI?6、〇2或He。 如同於第4D冑中所示，可以將此光阻1〇8拋光，一直至此具有較低厚度 之光阻108之預先確定部分被完全去除為止。在將光p且1〇8抛光之後此非£ =104、此n+a-Si l〇4a '以及第二金屬層1〇3之由經拋光之*阻所曝露之預= 確定部份被一次去除，以及此閘極絕緣層113未被去除。為留下此閘極絕緣層 而實施乾式_雜，以致減聽_絕緣躲職體之、從侧氣體之蚀 刻選擇比，對於其他材料層不同。將此閘極絕緣層113從第一與第二開口區域 161與162去除’而將此閘極絕緣層113之其他部份留下，以保護此閘極線°層。 如同於第4E與5B圖中所示，當將光阻108完全去除時，則可以製成:此資 料線115 ; TFT區域之半導體| 1M、歐姆接觸層114a、源極與沒極電極n5a 與U5b之堆疊層；儲存電容器(Cst)之上電容器電極135 ;資料墊區域(D R)之資 料，125 ’曝露此像素電極117之第一開口區域161 ;以及曝露此閘極墊 之第二開口區域162。如同於第4F與5C ®中所示’將導電材料沉積在基板111 之整個表面上，以及然後使用第三曝光遮罩藉由微影術將其圖案化，因此形成 第一、第二、以及第三遮罩層141、142、143，以及第一與第二氧化防止層151 與152。在此時，此導電材料可以由透明導電材料例如：銦錫氧化 銦 錫氧化物(IZO)、AZO、或ZnO形成，或可以由不容易氧化或脑之鈦或鈦合 金之金屬層所形成。 ’ 第一遮罩層141覆蓋資料線115與源極電極115a。第二遮罩層142覆蓋汲 極電極115b，且亦與像素電極117之第—金屬層101接觸。第三遮罩層143覆 蓋上電容器電極135之一些部份，且亦與像素電極in之第—金屬層1〇1接觸。 1332708 為了防止上電容n電極藉由第三遮罩層侧而在_次像素之像素電極 短，第三遮罩層覆蓋上電容器電極之—些部份。 ‘… 此第-，第二氧化防止層151與152各覆蓋閘極塾122與龍塾125 第-與第二氧倾止層防止_塾與資料紐氧化，以及改善此閘極墊 墊與外部驅動電額之接雛質。在此時，第二氧㈣止層152與第—遮2 141形成為一體，以防止資料線us在以下過程中開啟。 如同於第4G與5D圖中所示’將此第一與第二金屬層在使用第一第二、 以及第三遮罩層14卜M2、以及⑷作為遮罩之狀態中選擇性地濕性钱刻。在 此時，此蝕刻劑可以使用磷酸、醋酸或硝酸為主之材料。 如果提供乾式钱刻過程，則钱刻此為翻之第二金屬層，而廳八麵 — 金屬層101由於AINd材料而未被侧。有關於此，使用濕性侧過程。 用銅之金屬糾，可賤靴絲騎程，這是目躲珊料未被乾性敍刻過 程钱刻。 因此，此通道區域是藉由將源極電極11$£1與汲極電極丨既間之第二 層姓刻而界定。當此上電容器電極出之一些部份從此儲存電容器區去^時， 將像素電極之第-金屬層1G1侧’像素電極m僅由透明導電層⑽形成。 如同以上提及’壯電容"極之—些部份錄，猶止虹電轉電極在相 =次像素之像素電極中為短。而且，由於非晶⑦1G4與下電容器電極足夠地重 疊’而可以無須擔心儲存電容之不足。 如同於第4H圖中所示，在將此設置於源極電極U5a與汲極電極 之歐姆接觸層(n+a_Si)實施乾式侧後，此經乾式侧之__層表面以^ (〇2)電漿處理’因* ’在通道區上开)成鈍化層118。藉由此以氧(〇2)電漿處理之 表面’可以藉由保護此半導體層之通道區祕止產生非所欲之光電流。因此， 可以防止TFT之性質劣化。在此時，亦侧儲存電容器區域(Cst)之n+a_Si丨〇4。 因此，此根據本發明第一實施例之用於製造TFT陣列基板之方法須要三個 曝光遮罩，其適用於使用小數目遮罩之技術。 第二實施例 本發明之第一實施例受限於此用於製造TN模式LCD裝置之奸丁鱼其 板之方法。以下說明本發明之第二實施例，其有關於此用於製造Ips模式 15 1332708 裝置之TFT陣列基板之方法。 圖為千ίί明月第二實施例之吓丁陣列基板。第7 …1主動區域包括：閑極線512與閉極電極512a，其在基板511 F1帝I 甘同線555，其平行地與閘極線512形成於相同層上；多個共 二3 共同線Μ5分開；閘極絕緣層513，其具有第一開口區域56卜 二Γΐ二;極之一次像素之開口；資料*515，其形成於閉極絕緣層 513上而觸極_直’·界定此絲素；_電極515&，其與諸線 及極電極515b ’其形成距源極電極預先確定間隔；遮罩層54ι與542、’，其覆蓋 ，設置在相同層上之資料線、源_極、以及汲極電極；以及像素電極爪， ，、接7及=電極’且與在次·像素開口中之共同電極平行，因此形成水平電場。 在此時’此次像素是由彼此垂直所形成之閘極線與資料線所界定。然 薄膜電晶體(TFT)形成靠近間極線與資料線之相交部份。薄膜電晶徵 以下組件之堆疊層所形成：閘極電極512a、閘極絕緣層513、半導體層、 歐姆接觸層5Ma、以及源極電極515a姐極電極似。如果此通道區對應於 此源極電極與没極f；極間之半導體層，則將此半導體層之表面以氧㈣電聚處 理，因此在其中薄地形成鈍化層518。此鈍化層518阻擋外部光線。因此，可 以防止在通道區域中產生非所欲之光_電流。 此墊區域包括:閘極墊522，其傳輸掃描信號，且從閘極線512延伸；以 ^資料墊525，其傳輸視訊信號，且從資料線515延伸。而且，此等閘極墊盥 資料墊各以第-與第二氧化防止層別與M2覆蓋。閘極塾522經由第二 口區域562與第-氧化防止層接觸，此第二開口區域俯藉由將間 = 513去除而形成。 、·&吻曰 在此時，各此等閘極線、閘極電極、閘極墊'以及共同線是由：透明 層502與第一金屬層501之堆疊層所形成。此設置在次像素開口中之共雷 極僅由透明導電層502形成。如果此像素電極是平行於在此次-像素開口、;之 1332708 共同電極，難像素電極是由透明導電材料所軸，且與鮮層形成於相同 層上》 各此等資料線、源極與沒極電極、以及資料墊是由第二金屬層所形成。 此第-與第二金屬層是由以下所選擇之任一材料所形成：銅(Cu)、銅合金、銘 (A1)、鋁敍(A1Nd)、鉬(Mo)、鉬合金、鉻(Cr)、鉻合金、鈦㈤、欽合金 或銀合金所形成。 此遮罩層是由以下所形成：第-遮罩層54卜其形成於資料線仍與源極 電極515a上；以及第二遮罩層542，其形成於汲極電極51%上。由於此第二 遮罩層形成為延伸雜，此第二遮罩層之延伸部份作為像素電極517而平行盘 朗電極。此氧化防止層是由以下所舰n赌止層识，其藉由使用、 第二開口區域562 &覆蓋閘極墊；以及第二氧化防止層说，其覆蓋資料塾。 在此時，此等第-與第二遮罩層541與542是與：第一與第二氧化防止層 551與552以及像素電極517形成於相同層上。此覆蓋資料線之第一遮罩層盘 此覆蓋資料墊之第二氧化防止層形成為一體。此覆蓋汲極電極之第二遮罩^ -與像素電極形成為一體。 由於此遮罩層與像素電極形成為一體，此遮罩層是由具有導電性質之材 料所形成。而且，此氧化防止層是由抗腐蝕與抗氧化之材料所形成，以致於 可以防止閘極墊與資料墊氧化。為了符合用於遮罩層與氧化防止層之須求， 此遮罩層與氧化防止層可以由例如銦錫氧化物(ITO)或銦辞氧化物(IZO)之透 • 明導電層所形成，或可以由鈦(Ti)或鈥(Ti)合金之金屬層所形成。如果形成金 屬層之遮罩層與像素電極，則此裝置之孔徑比降低。冑關於此，較佳形成透 明導電材料之遮罩層與像素電極。 此外，此下電容器電極532與閘極線形成於相同層上，以及此上電容器電 H35與資料線形成於相同層上。在此時’此上電容器電極535形成於此下電 谷器電極532上，且與此下電容器電極532重疊。因此，此儲存電容器是以下 與上電容器電極彼此重疊、而以閘極絕緣層513設置於其間之狀態中形成。 一在此時，將第三遮罩層543形成於上電容器電極上，其中，此延伸形狀之 第三遮罩層543與像素電極517形成為一體。此第三遮罩層與第一與第二遮罩 層形成於相同之層上’且由與第—與第二遮罩層相同材料所形成。如同於第6 圖中所不，如果此汲極電極515b與上電容器電極535形成為一體，則此用於覆 17 1332708 543形成為一體。最後，此第二與 蓋上述圖案之第二遮罩層542與第三遮罩層 第三遮罩層與像素電極形成為一體。 作為參考，此非晶石夕層是額外地形成於:資料線、源極與沒極電極、資料塾、 以電容轉極之下。在此情形中，此非晶魏之職與資料線以及資料墊 之圖案相同’而與源極與汲極電極、以及上電容器電極之圖案不同。此為可能， ，是因為此驗資料線材料之第二金屬層、以及非晶销是藉她射曝光遮罩
次在此時，一 n+a_Si層5〇4a形成於第二金屬層與非晶矽層之間，其圖案與 貧料線、雜與祕電極、歸墊、以及上電容^電極之圖案侧。此薄膜電 晶體之非晶妙層作為半導體層514，以及n+a_si層作為歐姆接觸層51如。' 雖然並未顯示，此包括共同電極、像素電極與薄膜電晶體之tft陣列基板 接合至:此包括濾色層之相面對基板。然後，液晶層形成與兩個 因此’製姐LCD裝置。在赠料，歧晶収由騎·與朗電極間所 形成水平電場驅動。 一為了升>成IPS模式LCD裝置之TFT陣列基板，如同於第8A與9A圖中所 顯示者，此透明導電層502形成於:具有良好抗熱性之透明基板511上。然後， 藉由賴在透明導電層5〇2上沉積第一金屬層別，以及然後使用第一曝光遮 罩藉由微影術將其圖案化，因此形成閘極線512 ;此TFT區域之閘極電極512& 與閘極線分開；此共同線555與閘極線平行；此與共同線分開之多個共同電極 524是彼此平行地形成；此儲存電容器(Cst)區域之下電容器電極幻2、以及閘極 墊區域(G.P)之閘極墊522。在此情形中，此透明導電層5〇2可以由:銦錫氧化物 (ITO)、銦鋅氧化物(IZ0)、azo、或Zn〇形成。以及，第一金屬層5〇1可以由: 銅(Cu)、銅合金、鋁(A1)、鋁鈥(A1Nd)、鉬(M〇)、鉬合金、鉻(Cr)、鉻合金、鈦 (Τι)、鈦合金、銀(Ag)、或銀合金所形成。此第一金屬層5〇1較佳由M〇/A1Nd 之堆疊層所形成。 為了將第一金屬層與透明導電層一起姓刻，較佳應用濕性蝕刻。在此時， 可以各別地形成下電容器電極與閘極線。然而，如同於第9A圖中所示，此閘 極線之一些部份可以作為下電容器電極。 如同於第8B圖中所示，將矽氣化物(SiNx)或矽氧化物(si〇x)之無機材料沉 積在:包括閘極電極512a之基板之整個表面上，因此，形成閘極絕緣層513。 18 1332708 然後，將非晶矽(a-Si)504、以及此以雜質離子(n+a-Si)504a所掺雜之非晶矽 依序地形成於閘極絕緣層513上《在其上藉由濺鍍形成第二金屬層503。此第 二金屬層503可以由銅(Cu)、銅合金、鋁(A1)、鋁鈦(AINd)、钥(Mo)、鉬合金、 鉻(Cr)、鉻合金、鈦(Ti)、鈦合金、銀(Ag)、或銀合金所形成。此第二金屬層503 較佳是由鉬(Mo)形成。在此時，此非晶矽(a-Si)可以1700A之厚度形成，此以雜 質離子(n+a-Si)所掺雜之非晶矽可以300A之厚度形成，以及此第二金屬層可以 2000A之厚度形成。 然後，將此由閘極絕緣層513、非晶矽504、n+a-Si 504a、以及第二金屬層 5〇3所構成之堆疊層使用第二曝光遮照罩，藉由微影術而選擇地圖案化。 詳細而言’在藉由旋塗法或轉動塗佈法將可以紫外線(UV)固化之樹脂之光 阻508覆蓋在第二金屬層503上後，將此光阻以具有預先確定圖案於其中之第 二曝光遮罩(未圖示)覆蓋。然後，將此以第二曝光遮罩覆蓋之光阻曝露於^ 光或X-光，以及將此經曝光之光阻顯影，因此，形成具有步階覆蓋之光阻圖案。 在此情形中，此第二曝光遮罩可以由繞射曝光遮罩形成。為了形成繞射曝光 遮罩，在透明基板上形成:金屬材料之光線屏蔽層、與半透明層。因此，此繞射 曝光遮罩包括對應於:透明區域、半透明區域、以及光線屏蔽區域之三個區域。 此透明區域具有100%之光線透射，此光線屏蔽區域具有〇%之光線透射，以及 此半透明區域具有〇%與100%間之光線透射。在將繞射曝光遮罩塗佈於光阻 後，將光阻108分割成三個區域:（〇區域，其與繞射曝光遮罩之透明區域對齊， =及在顯影過程之後，將其完全去除；（A)區域，其與繞射曝光遮罩之光線屏蔽 區域對齊，以及在對齊過程之後，並不會被去除；以及區域，其與繞射曝光 遮罩之半透明區域對齊，且具有預先確定之厚度。 、、 、一在此繞射曝光與顯影過程之後，此光阻508具有步階式覆蓋面積。此等形 ，資料線、源極與汲極電極、以及上電容器電極、以及資料墊之部份對應於(A) 區域。此等形成像素電極與閘極墊之部份對應於(c)區域，以及兑他區域對應於 (B)區域。 、 如同於第8C圖中所示，此閘極絕緣層513、此非晶矽5〇4、此n+a Si 5〇乜、 以及第二金屬層503在使用此具有步階式覆蓋之光阻5〇8作為遮罩之狀態中一 =敍刻’因此形成第-與第二開口區域⑹與⑹，以各曝露共極524與 閘極墊522。 19 1332708 在此情形中’第一開口區域561形成於次像素中開口之整個區域中，以致於 在以下過程中所提供之像素電極'與共同電極形成於第一開口區域561中。 菖儀刻此閘極絕緣層513 '此非晶梦504、此n+a-Si 504a、以及第二金屬層 ^03時，其可以在乾式钮刻室中一起姓刻。在此情形中，須要提供不同種類钱刻 氣體。首先，如果蝕刻第二金屬層(]^〇)，則此蝕刻氣體可以使用或〇2。 如果蝕刻非晶矽材料，則此蝕刻氣體可以使用SF6、Cl2或h2。如果蝕閘極絕緣 層，則此蝕刻氣體可以使用SF6、〇2或He。
“如同於第8D圖中所示，可以將此光阻508拋光，一直至此具有較低厚度之 光阻508之預先確定部分被完全去除為止。在將光阻5〇8拋光之後此非晶矽 504、此n+a-Si 504a、以及第二金屬層503之由經拋光之光阻所曝露之預先確定 部伤被一次蝕刻，以及此閘極絕緣層513未被去除。為留下此閘極絕緣層而實施 乾式蝕刻過程，以致於此用於閘極絕緣層蝕刻氣體之、從蝕刻氣體之蝕刻選擇 比，對於其他材料層不同。將此閘極絕緣層513從第一與第二開口區域561與 562去除，而將此閘極絕緣層513之其他部份留下，以保護此閘極線層。 如同於第8E與9B ®中所示，當將光阻5〇8完全去除時，則可以製成:此資 料線M5 ;半導體;|別之堆疊層、所區域之歐姆接觸層仙、源極與没極 電極5以與Μ%之堆疊層；儲存電容器區域(Cst)之上電容器電極535 ;資料 塾區域(D.P.)之資料塾525 ;曝露此像素電極517與共同電極似之第一開口區 域561，以及曝露此閘極塾522之第二開口區域562。 如同於第8F與9C圖中所示’將導電材料沉積在基板511之整個表面上，以 ，然後使用第二曝光遮罩藉*微影術將其圖案化，因此形*第―、第二、以及第 ς遮罩層54卜542、543，以及第一與第二氧化防止層551與奴。在此時，此 ¥電材料可以由透明導電材料例如：銦錫氧化物(ΙΤ〇)、姻辞氧化物卿)、細、 f ΖηΟ形成’或可以由不容易氧化或腐钱之鈥或鈦合金之金屬層所形成。此設 置於次-像賴α巾之騎電極触由翻導電材料卿成。這是 材料有利於此裝置之良好孔徑比。 τ 第-遮罩層541覆蓋資料線515與源極電極仙。第二遮罩層％ ^電極511 ’其中’第二遮罩層542之延伸圖案與像素電極π 弟三遮罩層543覆蓋上電容器電極535之一些部份，其中，第三遮罩層⑷之 延伸圖案與像素電極517形成為—體。如果此祕賴與上電容器電極形成為 20 1332708 一體’，此第二與第三遮罩層與像素電極形成為一體。在此情形中，此第三遮 f層覆蓋上電容器電極之一些部份，以便防止此由第三遮罩層所蝕刻之上電容 器電極形成於此次-像素開口上。 此第一與第二氧化防止層551與552各覆蓋閘極墊522與資料墊525。此 第一與第二氧化防止層防止閘極墊與資料墊被氧化，以及改善此閘極墊與資料 墊與外部驅動電路間之接觸性質。在此時’第二氧化防止層552與第一遮罩層 541形成為一體’以防止資料線515在以下過程中開啟。
一如同於第8G與9D圖中所示，將此經曝露之第一與第二金屬層在使用第 一、第二、以及第三遮罩層541、542、以及543作為遮罩之狀態中選擇性地濕 性蝕刻。在此時，此钱刻劑可以使用磷酸、醋酸或硝酸為主之材料。如果提供 乾式蝕刻過程，則蝕刻此為鉬之第二金屬層，但M〇/A1Nd之第一金屬層由於 料而未被飯刻。有關於此，使用濕性蝕刻過程。當使用銅之金屬層時， 不可能使用乾式钱刻過程’這是因為此銅材料未被乾性蝕刻過程蝕刻。 因此’此通道區域是藉由將源極電極51允與没極電極515b間之第二金屬 層姓刻而界夂。當此上電容器電極535之一些部份從此儲存電容器區去除時， 將共同電極之第-金屬層5()1侧，共同電極524僅由第一透明導電層5〇2形 成0 、如同於第8H目中所示’在將此設置於源極電極池與及極電極⑽間 之歐姆接觸層(n+a_Si)實施乾賴職，舰乾絲狀歐姆接觸層表面以氧 (^2)電聚處理’因巾，在通道區上形成鈍化層518。藉由此以氧(〇2)電漿處理之 ^面’可以藉自保護此半導縣之通道區祕絲通道區巾產生麵欲之光電 二因此’可以防止TFT之性能劣化。在此時，在蝕刻歐姆接觸層之過程， 亦钱刻儲存電容器區域(Cst)之n+a_Si 5〇4a。 因此，此根據本發明第二實施例之用於製造吓了陣列基板之方 個曝光遮罩，其適用於使用小數目遮罩之技術。 /、一 在此鋪本發鄕二實_之鎌製造抓p翔紐之綠巾，此共 ，、閘極線層形成於相同層上’且此像素電極與遮罩層形成於相同層上。二而， 去蕾t成像素極’此祕電極藉由使用此覆蓋汲極電極之遮罩層而與像 素電極電性連接，這是因級㈣極與像素雜讀本發明第—實麵相同方 21 1332708 式形成於不同層上。 之方娜本發攸πτ _基板與肋製造此抓陣列基板 成。;=Μ==::=:導電層之_所形 連接。因此，可以三個曝光遮罩完成此_式[置=^^=性 j。在以下過程中，將共同電極之金屬層去除，且形;:=二=: 電極。因此’可以三個曝光遮罩完成此IPS模式L置/之象素 成本因此，由於所使用之遮罩數目減少，而可以減少製造時間與造 並無^提供此將資料線層與像素電極絕緣之純化層，因此降低成本。 而-導體層、以及用於資料線之金屬層，可以藉由繞射曝光 圖牵層時，y以無須曝露而姓刻下層材料，以保護m陣列基板之 '、外力，且將设置在不同層上之圖案彼此電性連接。 僬錐2熟習此技術人士為_ ’可財本發明巾作各種修正錢化，而不會 範f。因此，其用意為，本發明包括在所附中請專利範圍 ，、其等冋物之範圍中之本發明之此等修正與變化。 【圖式簡單說明】 | 1A至m圖為橫戴面圖，其說明用於製造在習知技術^裝置中^丁 列基板之步驟； ϊ 其ί明根據本發明第—實施例2TFT陣列基板； ϊ 截圖m說阁明，據本發明第一實施例之TFT陣列基板；
陣列·圖為k截面圖’其說明用於製造根據本發明第一實施例之TFT 陣列圖為平面圖’其說明用於製造根據本發明第一實施例之Μ 第6圖為平面圖’其說明根據本發明第二實施例之TFT P車列基板； 22 1332708 第7圖為橫截面圖，其說明根據本發明第二實施例之TFT陣列基板； 第8A至8H圖為橫截面圖，其說明根據本發明第二實施例之TFT陣列基 板；以及 第9A至9D圖為平面圖，其說明根據本發明第二實施例之ρτ陣列基板。 【主要元件符號說明】
11 基板 12a 閘極電極 13 閘極絕緣層 14 半導體層 15a 源極電極 15b 汲極電極 16 純化層 17 像素電極 22 閘極墊 25 資料墊 27 透明導電層 71 接觸孔 81a 第一墊開口區 81b 第二墊開口區 101 第一金屬層 102 透明導電層 103 第二金屬層 104 非晶矽 104a 雜質離子(n+a-Si) 108 光阻 111 透明基板 112 閘極線 112a 閘極電極 113 閘極絕緣層 114 半導體層 114a 歐姆接觸層 115 資料線 115a 源極電極 115b >及極電極 117 像素電極 118 鈍化層 23 1332708
122 閘極墊 122a 閘極電極 125 資料墊 132 下電容器電極 135 上電容器電極 141 第一遮罩層 142 第二遮罩層 143 第三遮罩層 151 第一氧化防止層 152 第二氧化防止層 161 第一開口區域 162 第二開口區域 501 第一金屬層 502 透明導電層 503 第二金屬層 504 非晶矽(a-Si) 504a 雜質離子(n+a-Si) 508 光阻 511 基板 512 閘極線 512a 閘極電極 513 閘極絕緣層 514 半導體層 514a 歐姆接觸層 515 資料線 515a 源極電極 515b 没極電極 517 像素電極 518 純化層 522 閘極塾 524 共同電極 525 資料墊 532 下電容器電極 535 上電容器電極 541 第一遮罩層 542 第二遮罩層 543 第三遮罩層 551 第一氧化防止層 24 1332708 552 第二氧化防止層 555 共同線 561 第一開口區域 562 第二開口區域
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Claims (1)

  1. ,~472y·—~-月日修(¾)正替換頁 ^---- '申請專利範圍： h〜種薄膜電晶體(TFT)陣列基板，包括： 形成於一基板上之閘極線、閘極電極、以及閘極墊，其 屬層與透明導電層之堆疊層所形成； ，、甲，各由第一金 像素電極，由透明導電層所形成； 閘極絕緣層，設置具有第一與第二開口區域，以曝露 半導體層，形成於閘極絕緣層上； ’、％極.、閘極墊； 聽線，其垂直於閘極線而形成，以界定一次_像素 力 _ 料線分出；_電極’軸距源極電極職間隔，且與像&極遠:貝 =及形成於資料線-端之資料塾，其中該半導、含形 桎 線、源極與汲極電極、以及資料墊下之一非晶石夕層，开: 層之圖案與資料線與資料墊之圖案相同；以及 八T忒非Β曰矽 遮罩層，以覆蓋資料線、源極電極、以及沒極電極 以覆蓋閘極塾與資料墊。 及乳化防止層’ 2. 如申請專利範圍第i項之薄膜電晶體(TFT)陣列基板，&中 賴成:第一遮罩層，其覆蓋資料線與源極電極；以及 弟一遮罩層，其覆盍汲極電極。 3. 如申請專利範圍第2項之薄臈電晶體氓乃陣列基板，直中 氣及極電極藉由使用第二遮罩層而與像素電極電性連接。 4· ^申請專利範圍第！項之薄膜電晶體(τ叩陣列基板，其中 ^門=層Ϊ由^下所構成:第—氧化防止層，其經由第二開口區域而 後盍閘鋪，[氧化防止層，其覆蓋資料墊。 如申^專利範圍第4項之薄膜電晶體(τρτ)陣列基板，其中 4-乳傭止層其與覆蓋資料線之遮罩層形成為一體。 6.如申請專利範圍第4項之薄膜電晶體(ιττ)陣列基板，其中 26 1332708 gg a - 今-Λ日修(务)正發換頁 匕 “ -，丨 I ·-— - . ----------- - . s亥氧化防止層與遮罩層形成於相同層上。 7_ =申清專利範圍帛1項之薄膜電晶體(TFT)P車列基板，其中 5亥遮罩層與該氧化防止層是由透明導電材料或金屬層所形成。 8·如申晴專利範圍帛7項之薄膜電晶體(TFT脾列基板，其中 =電層是由町任何之—所形成：銦錫氧化物㈣）、 (ΙΖΟ)、鈦(Ti)或鈦合金。 奶
    9如申tt^利範圍第1項之薄膜電晶體(TFT)陣列基板，更包括 下電，器電極，與閘極線形成於相同層上；以及 上電容器電極，與資料線形成於相同層上，且與此下電容器電極重疊。 1〇·如申凊專利範圍第9項之薄膜電晶體(TFT)陣列基板，更包括 電谷器電極上之第三遮罩層，其中，像素電極藉由第三遮罩層 而與上電容器電極電性連接。 C皁曰 U如申ίί利範圍第9項之薄膜電晶體(TFT)陣列基板，更包括 2電容器電極與下電容H電極之間之閘極絕緣層與非砂層之堆疊
    12.如申f專利範圍第1項之薄膜電晶體(TFT)P車列基板，更包括 ；其形成於該包括㈣線之資料線層下、雜電極、 ' 極、以及資料墊，其與資料線層具有相同圖案。 13·如申凊專利範圍第1項之薄膜電晶體ΟΤΤ}陣列基板，其中 層之表面聽於:細氧(〇2)t·理之職無極電極間之 27 丄 (¾)正替换頁 ，第11項之薄膜電晶體(tft)陣列基板，其中 。玄像素電極與閘極線形成於相同層上。 耗圍第1項之薄膜電晶體(τρτ)陣列基板，其中 -像素％極形成於該單元像素之整個區域中。 利乾圍ί1項之_電晶體(TFT)_基板，更包括 ”电ί ’其平行雜素電極而軸，因此碱水平電場。
    月專利|巳圍第16項之薄膜電晶體(TFT)陣列基板直中 I、同電極與該平行於閘極線之共同線分開。 ’、 =申。月專利範圍第15項之薄膜電晶體(暫)陣列基板，盆中 j同電極由透明導電層形成，以及該共同線是 金 電層之堆疊層所形成。 胃迷月等 19. ，申5月專利範圍第1?項之薄膜電晶體(前〕陣列基板，其中 5亥共同電極由第一開口區域曝露。
    20. 如申清專利|色圍第17項之薄膜電晶體仰τ)陣列基板，其中 =同^極與問極線形成相同層上’以及該像素電極與遮罩層 21. ，申睛專利範圍第2〇項之薄膜電晶體听乃陣列基板，其中 该像素電極與該覆蓋汲極電極之遮罩層形成為一體。 22. 如申清專利範圍第17項之薄膜電晶體(TFT)陣列基板，其中 該共同線、共同電極、以及像素電極，與閘極線形成相同層上。 23·如申请專利範圍第22項之薄膜電晶體(ypT)陣列基板，其中 A 28 τ Λ %修便)正替换頁 上 一 —— --— 亥像素屯極藉由使用覆蓋汲極電極之遮罩層，而與汲極電極電性連接。 24_ 一種用於製造薄膜電晶體(TFT)陣列基板之方法，其包括以下步驟 在基依序沉積第一金屬層與透明導電層，以形成閘極線；極電極、 閉極墊、以及像素電極； f基板上沉積絕緣層、非晶矽層、以及第二金屬層； 稭由去除在像素電極與閘極塾上之絕緣層、非晶石夕層、以及第 之堆疊層，而形成開口區域； “ 藉由^，销與第二金麟_化，而形成半導制、熱線、源極 與及極電極、以及資料塾； 在資，線、源極與沒極電極上形成遮罩層，以及在閘極與資料墊上形成 氧化防止層；以及 7 依據彼此分開之源極與沒極電極、藉由姓刻在此等遮罩層間所曝露之 二金屬層’以界定通道區，以及織_曝露在此第—開口 像素電極之第一金屬層。 25.如申請專利範圍第24項之方法，其中 躺叫錢道^猶，將崎應於通雜之層表面 26.如申請專利範圍第24項之方法，其中 實 刻第—金屬層、且藉由侧第二金屬層以界定通道區域時， 施濕性蝕刻過程。 〜 27.如申請專利範圍第26項之方法，其中 屬層是由包括以下任—之金屬材料形成：_、__、 金屬層是由包括以下任-之金屬材料形成-㈣ 28.如申請專利範園第％項之方法其中 1332708
    yy. 4.29 ----.年月曰修(¢)正替換頁 該遮罩層與氧化防止層是崎明導電龍齡屬㈣所形成。 29.如申請專利範圍第28項之方法，其中 5亥遮罩層與氧化防止層是由以下任—所形成：銦錫氧化物 化物(IZO)、鈦(Ti)或鈦合金。 30.如申請專利範圍第24項之方法，其中 該遮罩層與氧化防止層藉由微影術同時形成。 31.如申請專利範圍第24項之方法，其中 、銦鋅氧 咖電極重 32.如申請專利範圍第31項之方法，其中 該閘極絕緣層與非晶矽層之堆疊層是沉積在 電極之間。 下電谷益電極與上電容琴 33. 如申請專利範圍第31項之方法，更包括 ^罩層’其在形成鱗遮罩層之步财職於上電容器電極上 至具有像素電極之上電容器電極。 34. 如申請專利範圍第24項之方法，其中 該汲極電極藉由使用遮罩層而與像素電極連接。 ，以連接 35·如申請專利範圍第24項之方法，其中 該形成於資料線上之遮罩層是與形成於# 上之氧化層形成為— 36.如申請專利範圍第24項之方法其中 4;^成=口區域之步驟是與該該用—遮罩藉由微影術形成半導體声 枓線、源極與汲《極、以及資料墊之步驟同時實施。 曰 體 資 30 4>i29日修(楚)正替换頁 37·如申請專利範圍第36項之方法，其中 °亥遮罩為繞射曝光遮罩。 38.如申請專利範圍第36項之方法，其中 該形成開口區域、半導體層、資料線、源極與沒極 ^ 步驟可以形成··在第二金縣上具有步階錢錄、以及麟墊之 藉由使用光阻層作為遮罩之狀態中，選擇 f 之光阻層； 以及第二金屬層之堆疊層，而形成二緣層、非晶石夕層、 猎由:=層抛光’以去除該具有較小厚度之光阻層之預先確定部 在使用^^光之光阻層作為遮罩之狀態中，藉由姓刻非晶卵 ^金屬層，而形成半導體層、資料線、源極與祕電極^ 39.如申請專利範圍第38項之方法，其中 ^式姓刻方法中，將閑極絕緣層、非晶石夕層、以及第二金屬層-起 4〇·如申請專利範圍第24項之方法，其中 該像素電極形成於次-像素之整個面積中。 .如申請專利範圍第24項之方法，其中 形^個像素電極形成於該次_像素中，且該共同電極平行於該像素電極而 •，申4專利範圍第41項之方法，其中 該共同電極與閘極線同時形成。’、 •如申清專梅Μ 41奴方法，其中 1332708
    99. 4. 29 : 年月日修(¾)正替換頁 該共同電極形成於第一開口區域上。 44. 如申請專利範圍第43項之方法，其中 =曝露於第-開口區中共同之第二金屬層，亦在該_此曝露於 開口區中像素電極之第二金屬層之步驟中被侧。 45. 種用於製造薄膜電晶體(TFT)陣列基板之方法，其包括以下步驟： 在基板上依序沉積第一金屬層與透明導電層，以形成閘極線、間極電極、 閘極墊、共同線、以及共同電極； 藉由去除在像素電極與閘極墊上之絕緣層、非晶石夕層、以及第二金 之堆疊層’而形成開口區域； 錯由將非晶销與第二金屬層_化，而形成半導體層、資料線、源極 與汲極電極、以及資料墊； 在貧料線、源極與汲極電極上形成遮罩層，以及在閘極墊與資料墊上 成氧化防止層； ^ 將像素電極與此覆蓋祕電極之料層形成為—體，且平行於 極；以及 电 依據彼此分開之源極與汲極電極、藉由蝕刻在該等遮罩層間所曝露之第 二金屬層，以界定通道區，以及然後蝕刻曝露在此第一開口區域 共同電極之第一金屬層。 46·如申請專利範圍第45項之方法，其中 »亥遮罩層、氧化防止層、以及像素電極是形成於相同層上且同時形成。 47. 如申請專利範圍第Μ項之方法，其中 在藉由侧第-金屬層以界定通道區域後，以氧(A)電漿處理此通道區 之層表面。 ° 48. 如申請專利範圍第45項之方法，其中 此等藉由蝕刻第二金屬層，以蝕刻第一金屬層且界定通道區域之步驟是 32 1332708 藉由濕性蝕刻方法而實施
    49. 如申請專利範圍第48項之方法，其令 該第一金屬層是由包括以下任一或翻合金(Mo合金）。 之金屬材科形成，钥(Mo) 50. 如申請專利範圍第45項之方法，其中 該遮罩層與氧化防止層是由透明導電材料或金屬材料所形成。 51·如申請專利範圍第50項之方法，其中 下任—所形成：_氧化物_)、銦鋅氧 52·如申請專利範圍第46項之方法，其中 下電容n雜是在職_線之步射 之上電容器電極是在形成資料線之步驟中形成。-下電令~電極重豐 53·如申請專利範圍第52項之方法，其中 閘極絕緣層與非晶矽層之堆疊層是沉積在： 極之間。 下電容器電極與上電容器雷 54. 如申請專利範圍第52項之方法，更包括 遮罩層，其在該形成遮罩層之步驟中形成於上電 電極形成為一體。 器電極上，而與像素 SS.如申請專利範圍第45項之方法，其中 該形成於資料線上之遮罩層是與形成於資料墊 體。 上之氧化防止層形成為— 33 1332708 f〜·----------------------- 99.4.29 I Jr J-! 乾正# 56.如申請專利範圍第45項之方法，其中 ......— 該形成開口區域之步驟是與該制—縣藉由微影術形 料線、源極與汲極電極、以及資料墊之步驟同時實施。 3 、 57·如申請專利範圍第45項之方法，其中 5亥遮罩為繞射曝光遮罩。 58.如申請專利範圍第57項之方法，其中 該形成開口區域、半導體層、資料線、源極與沒極 步驟可以： 形成在第二金屬層上具有步階覆蓋之光阻層； 藉由使用光阻層作為遮罩之狀態中，去除絕緣層、非晶石夕層、以及第二 ^金屬層之堆疊層，而形成該等開口區域； 曰 藉由將該光阻層拋光，以去除該具有較小厚度之光阻層之預先確定部 份；以及 在使用該經拋光之光阻層作為遮罩之狀態中，藉由蝕刻非晶矽層、與第 一金屬層’而形成半導體層、資料線、源極與汲極電極、以及資料 墊。 59,如申請專利範圍第58項之方法，其中 藉由乾式侧方法，將該閘極絕緣層、非晶補、以及第二金屬層 钱刻。 60.如申請專利範圍第45項之方法，其中 °亥閘極線、閘極電極、以及閘轉形成為—體，且該共_與共同電極 形成為一體。 34
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