TWI304050B - Method of removing organic impurities from water - Google Patents

Description

1304050 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上係有關高純水中三鹵曱烷（THMs)之移除 。更詳言之，本發明係有關（但並非專指）藉由強化薄膜除 氣器的操作移除THMs。 【先前技術】 本發明之背景 由於若干理由，因此氣常用於水處理法中。氣係作為 消f劑，能去除氨及其他含氮有機化合物，氣也可以控制 水的味道、氣味和顏色，而且還能去除黏液和藻類。然而 當氯和水中存在的腐植酸、黃酸及其他天然有機物 (Natural Organic Material, Ν0Μ)反應時會產生三鹵曱烷 (THMs)。 三鹵甲烷 THMs為存在於大部分都市用水中的最大類消毒副產物 (Disinfection by-products，DBP)。四種常見的 THMs 為氯 仿（CHC13)、二溴一氯甲烷（CHBr2C1)、二氯一漠甲烧 (CHClJr)及溴仿（CHBrs)。總三鹵甲烷（TTHM)係以此四種成 分的總濃度進行測量。此四者為B組致癌物質（顯示會導致 實驗動物的癌症）。氣仿顯然是大部分水系統中最常見的 。二溴一氯甲烷為具有最嚴重的癌症風險者，接著按順序 為漠仿、氯仿及一氯一漠甲烧。已經有使人聯想到tthm與 1304050 特別是膀胱癌a可能性結腸癌# 主！ Μ + 且W備之間關聯的研究 表1係表示THM化合物的物理性質。 表1 : THM化合物的物埋性質

在數種工業争，已逐漸形成斟 戚對於具有特定性質之高純 水的要求。半導體工業的水纯产 从▲ ㈣水純度要求為所有工業中最嚴袼 純水處理步驟及實施此等步驟所需之設備既複雜又 〒貝。1991年6月授予Mahmud之美國專利第5,〇24，號 中所示的-種這類方法係以使用切子水的純化單元為^ 點。此專利係強調減少有機污染物。高純水處理設備係採 用各種技術以達到次ppb級的總有機碳（T〇tal

Carbon, TOC)濃度。在電子工業中，存在於清洗用水中的 有機化合物會影響裝置良率和電特性。有機物和導致“混濁 有關。不規則的閘極氧化層密度歸因於清洗用水中的有機 雜質。電子和半導體工業的現行超純水標準係規定在處理 過程中與晶圓表面接觸的去離子水中T〇c含量低於1 ppb 。重要的是應注意THM為欲處理之TOC中最難揮發的有機 成分。 三鹵甲烷係歸類為揮發性有機化合物（v〇latile

Organic Compounds, V0C)。V0C的分離，尤其是在微量等 1304050 、、及下移㉟係對於無法容許此種雜質的電子工業提出挑戰 。用於連續移除揮發性有機南化物之裝置係已知於例如美 國專利第 4, 892, 664 ; 5, 004, 484 ; 5,470, 478 ;和 5，490，941 號。 水中的THMs和其他齒化有機物濃度可用高埃價的㈣ 過滤器吸收使其降低至限制範圍内。其低分子量使盆能自 由通過逆滲透（Reverse 0_sis，R〇)薄膜。用來減少高純 水系、洗中的TOC所常用的uv 185nm技術亦無法使氯仿改質 生成能離子交換移除的離子體。含漠之係藉由㈣輻射 作用分解。其濟點相當接近水，以至於特別是在微量等級 下使八難以藉由蒸餾而自水中分離。真空除氣對於較輕 的THMs (具有較少漠原子者）相當可行，但是對於其較重 的類似物則較不可行。 PCT/US00/21422/ (wo 01/12559)(c〇ca_c〇ia 公司）中 揭示-種水處理（亦即移除微生物污染、碳酸氫鹽硬度、 VOCs/THMs、氯、濁度和重金屬）之合併方法，其係藉由加 熱破壞水中的碳酸氫鹽硬度使其成為可過遽沈澱物並且排 出良中氣冑以便收集在超出水接觸密 中。在此實例中，水能通過該薄膜，因此氣體無法藉= 薄膜4擇性地移除（不涉及任何氣體的薄膜分離）。 真空除氣 藉由真线氣移除施和溶氧之方法係示於議年 8月授予Halder等人之美國專利第6 277，175號。使用薄 1304050 膜接觸器對南純水除氣係如同揭示於例如美國專利第 5, 264, 171 ’ 5, 352, 361 ; 5, 938, 922 ;和 6, 402, 818 號；日 本專利第 2, 725, 31 1 ; 2, 743,419 ;和 2, 949, 732 號；及以 商品名SeParel，RTM中空纖維薄膜除氣模組（Dainipp〇n Ink and Chemicals 股份有限公司，T〇ky〇， Japan)和 Liqui-Cel RTM薄膜接觸器（ceigard股份有限公司， Charlotte，N· C·)販售之市售產品所已知者。然而，薄膜 接觸器在習知的操作條件下係提供非常少的THMs移除。 【發明内容】 本發明之目的 本發明之目的係提供移除水中三_曱烷之改良方法， 附加或替代性地克服部分上述缺點，及附加或替代性地至 少提供公用的有利替代方案。 .本發明之摘沭 根據本發明之第一觀點，係提供一種移除水系統中 THMs之方法，其包括或包含下列步驟： - 使該水系統與氣體輸送接觸器薄膜接觸，同時 一 對該薄膜施加壓差，以經由該薄膜排出該水系統之 水中的THMs， 一 回收該純化水， 其中該水在與該薄膜接觸之前已進行去離子，且其中 遠水在與該薄膜接觸之前以及在去離子之後已加熱至高於 環境溫度及低於該薄膜分解之溫度。 1304050 較佳為該水已加熱至30°C和50°c之間的範圍内；更佳 為加熱至實質為45°C。 較佳為該壓差係分別或合併使用真空及/或惰性或無反 應性氣體之正壓來施加於該薄膜上。 較佳為該薄膜孔徑係容許溶解氣體通過但卻防止水通 過者。該薄膜較佳為疏水性聚丙烯薄膜。 較佳為該薄膜包含或包括複數個中空纖維，每個纖維 實質上具有管腔，其中每個管腔實質上能和該真空及/或 惰性氣源相通，其中該壓差係藉由在該中空纖維管腔内部 分別或合併施加真空及/或惰性或無反應性氣體之正壓來 進行施加。 該氣體較佳為氮氣，更佳為純度高於99· 995%之說氣 間 5亥真空較佳為介於100 mmHg和50 mmHg的絕對壓力 之 較佳為該纖維係利用中央擋板配置成纏繞於分配管之 陣列，作為接觸器薄膜單元。 較佳為可存在一個接觸器薄膜單元。或者，可存在一 個以^的接觸器薄膜單元，其可用串聯或並聯配置。 較佳為該水系統通過該接觸器薄膜單元之流率可 5至30gpm之間；更佳為該流率係實質上為7gpra。 離開和該薄膜接觸所移除的-種THMs為氣似 或等於進入水系統之水中的氣仿含量係實質上低於 飞專於進W相單元者的18%。 1304050 較佳為離開該薄膜單元之水 P 尺糸統之水中的總有機量係 貫貝上低於或專於進入該薄膜單元者的21%。 較佳為離開該薄膜單元之水 ° ^ μ^ ^^ 弋水糸統之水中的溶氧量係實 貝上低於或專於進入該薄膜單元者的〇 〇1%。 車父佳為在去離子之前，已經 ^ 、便0亥水系統之水中的有機 物及/或氯及/或其他雜質的量降低。 較佳為該有機物及/或氯及/或其他雜質的量已通過一 或多個活性碳過濾器加以降低。

較佳為在離子交換去離子之前，已經使該水系統之水 中的有機物及/或離子雜質（包括驗金屬或驗土金屬離子、 碳酸氫根、碳酸根、硫酸根、氯離子、石肖酸根、氣離子或 乳化矽之任何一種)及/或重金屬及/或微生物污染物及/或 其他雜質的量降低。 、較佳為該離子雜質及/或重金屬及/或微生物污染物及/ 或有機物及/或其他雜質的量已通過逆渗透系統加以降低。 % 逆透系統較佳為二次通過操作（tW〇_pass)的逆滲 透糸統。 較佳為在離子交換去離子之前，已進一步使該水系統 之水中有機污染物的量降低。 曰車父佳為該有機污染物的量已進一步藉由通過UV總有機 里減量器加以降低。 車又佳為該水系統的水在與該薄膜接觸之前已使用連續 气電去離子器及/或混合床去離子器之其中一種或兩者進 行去離子。 11 1304050 較佳為該水系統的水在 ^ ^ ^ 云離子之後以及在與該薄膜接 觸之則已通過浸沒加熱器進行加熱。 根據本發明之第-_麩 H點’係提供-種水純化之方法， 包括或包含下列操作： 使該水進行去離子， 加熱該水， 一 降低該水中THMs的量， 其中降低該水中THMs的量之操作係藉由使加熱的去離 子水與氣體輸送接觸器薄膜接觸，同時對該薄膜施加壓差 ，以經由該薄膜排出該水系統之水令的施而達成， 八中忒水係加熱至介於環境溫度與該薄膜分解溫度 之間的溫度。 較佳為該水已加熱至3(rc和50t之間的範圍内；更佳 為加熱至實質為45°C。 較佳為該壓差係分別或合併使用真空及/或惰性或無反 應性氣體之正壓來施加於該薄膜上。 車乂佳為該薄膜包含或包括複數個中空纖維，每個纖維 實質上具有管腔，其中每個管腔實質上能和該真空及/或 h丨生氣源相通’其中該壓差係藉由在該中空纖維管腔内部 刀別或合併施加真空及/或惰性或無反應性氣體之正壓來 進行施加。 該氣體較佳為氮氣，更佳為純度高於99. 995%之氮氣。 5亥真空較佳為介於1 〇 〇 和5 0 mmHg的絕對壓力之 間。 12 1304050 該纖維較佳為φ处 二艰丙烯纖維，更佳為利用中央浐妃 配置成纏繞於分配管之陣列，作為接觸n薄膜單元央擒板 杈佳為可存在-個㈣^薄料元 個以亡的接觸器薄膜單元，其可用串聯或並聯配置存在一 較佳為该水系統通過該接觸器薄膜單 在5至30卿之間；更佳為該流率實質上為？卿/㈣ 離開::=和該薄膜接觸所移除的-種施為氣仿及 戈等於谁女疋之水系統之水中的氯仿含量係實質上低於 次寺於進入該薄臈單元者的18%。 開該薄膜單元之水系統之水中的總 U上低㈣等於進人該薄膜單元者的21%。 =佳為離開該薄膜單元之水系統之水中的溶氧量係實 貝上低於或等於進入該薄膜單元者的〇 〇1%。 熱器較佳為該加熱操作係藉由使該水系統的水通過浸沒加 人广為4去離子操作係使用連續式電去離子ϋ及/或混 S床去離子器之其中一種或兩者。 較佳為該水純化之方法可包括在使水去離子之前的一 或多個下列操作·· 通過一種活性碳過濾器， 通過一種逆滲透系統， 〜 通過一種UV總有機量去除器， ，佳為該水純化之方法可包括在與該薄膜接觸之後的 或多個下列操作： 13 1304050 通過一種UV總有拖θ 为錢$去除器 通過一種精煉迴路。 較佳為該水純化之方法伟、 根據本發明之第三觀點， 所製備之純化水。 如第1圖所說明者。 係提供實質上根據上述方法 【實施方式】 璧iJg之詳細說明 本發明係設計為使用操作 為在大約饥之溫度下的 接：：之⑽度下，較佳 已發現利用薄膜接觸器在習二=::來移除隱。吾人 的移除效率而且可實現比 p下不但會提高™ 咐卿，D0)和總有機碳移除^止更㈣溶氧⑷㈣⑽ 第1圖說明包含本發明$ tA _例。…說明純水系統之- 重要的是欲純化THMS的水 。’水系統，其中 第8 FI由, 尤未加熱至尚於環境之溫度。在 2=8二次通過操作的逆滲透系統6、7至滲透 爹低接者至初級薄膜除氣器13以移除溶τ龍左 Π使水中的早70 1〇,接著通過初級混合床去離子器 土…广 質減少。該CEDi單元10和初級混合床 子益11不能操作在提升溫度下。 存和t考第1圖說明較佳具體實例。第1圖係顯示原水儲 曰、官線中的靜態混合器2、多介質過遽器3、活性碳 1304050 過濾裔4、1微米標稱尺寸筒式過濾器5、第一次通過 (firSt PaSS)的逆滲透薄膜過滤器6、第二次通過（second pass)的逆滲透薄膜過濾器7、滲透液儲存槽8、初級-TOC減虿态9、連續式電去離子器（CEDI) 1〇、初級混合床 去離子裔11、去離子水加熱器12、初級薄膜除氣器13、 去離子水儲存槽14、板式熱交換器15、二級UV T0C減量 為16、犧牲精煉混合床去離子器17、二級薄膜除氣器18 、UV请毒單疋19、〇·丨微米絕對尺寸筒式過濾器2〇、超濾 膜21、回流管線中的UV消毒單元22及泵P1至P5。 ， 此/、體實例之必需構成元件為存在及定位連續式電去 離子器（CEDI) 10、初級混合床去離子ϋ 11、去離子水加 熱态12和初級薄膜除氣器13。該初級薄膜除氣器13之較 佳形式係如第2圖所說明者。應了解除第丨圖以外，熟習 此項技術者還能設想到純化系統的許多不同具體實例，但 此等具體實例均落入本發明之範疇内。 第1圖之具體實例的操作係由下列實驗敘述加以說明 實驗配置 將都市用水接收在原水儲存槽1中，利用多段立式離 心栗Ρ1沒取，使其通過多介質過濾器3以減少懸浮固體。 在夕"貝過濾器3之前添加凝聚劑（PAC)以凝聚懸浮固體， 提供管線中的靜態混合器2以確保凝聚劑和水適當混合。 夕；丨貝過濾器3的過濾水係通過活性碳過濾器4以移除有 機物和殘氣。在活性碳過濾器4之前提供亞硫酸氫鈉用劑 15 1304050 以移除游離氯和溶氧。然後將活性碳過濾器4之處理過的 水輸送至1微米筒式過濾器5以移除細微固體。 二次通過操作之R0系統係由高壓溢流吸入多段立式離 心果P2和P3、第一通過的逆滲透薄膜過濾器6及第二次 通過的逆滲透薄膜過濾器7所組成。在雙通道之間添加苛 性鈉，以便於第二通道逆滲透薄膜過濾器7中提高該薄膜 過濾器排除弱離子化之氧化矽、硼和有機物的效能。1986 年3月4日針對逆渗透系統授予pi ttner之美國專利第 4’ 574’ 049號係揭示在串聯操作的兩個逆滲透單元之間使 用化學處理劑，例如氫氧化鈉。1 999年7月20曰針對高 效率逆滲透（high efficiency reverse osmosis，HERO)操 作授予 Debasish Mukhopadhyay 之美國專利第 5, 925, 255 號係藉由將給水的pH值提高至大約1〇·5來達到弱離子化 物種（例如硼、氧化矽和T〇c)的高排除效果。此專利係揭 示一種獨特的預處理法，其係使用弱酸陽離子交換器去除 硬度及非氫氧化物之鹼度。螺旋纏繞聚醯胺複合物逆滲透 薄膜係用於6和7之中。第二次通過的逆滲透薄膜過遽器 7的排除物流係循環回到第一次通過的進料流。雙通道逆 滲透系統的滲透液係輸送至滲透液儲存槽8。藉由多段立 弋離。泵P4從滲透液儲存槽8汲取水，使其通過初級— T〇C減量器9以降低水中的有機物含量。來自初級叭抓 減量器9的水係、通過CEDI單元1()，接著通過初級混合床 去離子器11使水中的離子雜質減少。最後使該水通過初級 薄膜除氣|§ 13以移除溶氧和tjjms。 16 1304050 從潔淨處理迴路將水輸送至去離子水儲存槽1 4。此槽 14為氮氣包覆以確保此槽内部的水不會受到外面空氣的污 染。藉由高壓溢流吸入多段立式離心泵P5汲取水，使其通 過熱交換器15以降低溫度，然後通過二級uv T0C減量器 1 6以移除有機物。此二級uv T0C單元1 6出口的水係通過 犧牲精煉混合床去離子器17，接著通過二級薄膜除氣器i 8 。該犧牲精煉混合床去離子器17中的樹脂為犧牲型。來自 第二薄膜除氣器18的水係通過UV消毒單元19，接著通過 °· 1 m絕對尺寸筒式過濾器20 。超過滤 (Ultrafiitration，UF)單元21為精煉迴路中的最終設備 ，連續監測此UF單元21之生成水的流量、壓力、溫度、 電阻、粒子數、toc和溶氧。來自使用點（p〇int—〇卜Use pou)的回水係經由回程uv消毒單元22送回去離子水儲存 去離子水浸沒電熱器12通常為耐腐餘的電抛光不錄_ 316 L結構。纟THM的去離子水在大約肌下進人加熱器 ’而加熱至大㉟肌的溫度。初級薄膜除氣器13為美 專利第5,352,361號所示的播板裒置，如第2圖所示。、 此^又汁中’中空纖維23為氣體輸送薄膜之一實例 織成織物陣列。兮純輪在# #丄 你、局 放在纖維束中央央分配管24。將擋板巧 迫使其以徑向方 二:央分配管24，藉由擋板25 I此種涉及纖維束外部但 集s 26 會提供較快的質量料纖維束—㈣何形狀 里傳运在細作過程中，去離子水會流過 17 1304050 該中空纖維之殼側。純氮氣或真空係分別或合併施加於該 中空纖維之腔側上。由於中空纖維的疏水性，因此該薄膜 係作為可容許氣相和液相之間密切接觸而不具分散效果的 惰性支撐體。藉由對去離子水流施加比氮氣流更高的壓力 而使界面固定在孔隙處。當去離子水流過該纖維外部時， 氮氣和真空會在該中空纖維内部逆向流動。其結果為溶解 氣體及揮發性有機物會從該液相快速擴散轉移出來或是快 速擴散轉移至該液相。 較佳之初級薄膜除氣器13的細部係提供於表2中： 表2-薄膜除氣器細部 設計流率 11 .Ogpm 供應商 Hoechst Celanese 公司(13800 South Lakes Drive， Charlotte, North Carolina 28273) 型號 Liqui-Cel®4x28 纖維種類 X-40微孔PP中空纖維 有效薄膜表面積 19.5 m2 有效面積渾位體積 3600 m2/m3 薄膜纖維有效長度 62.48 cm 薄膜纖維外徑 300 m 壁厚 25 m 分配/收集管徑 1吋 串聯的接觸器數目 二(2) 設計溫度 25〇C 設計真空度 50.0mmHg的絕對壓力 每個接觸器的氮氣掃掠速率 0.066 scfm@60°F? 14.7 psig 最大可容許進料壓力 106.27 psig 氮氣純度 99.995 % 18 1304050 實驗細節 以包含THMs的有機物彡倉_ ▲丄 頁機物，辰度叶，本發明之實驗研究所使 用之新加坡市用水的i刑胜料Λ 生特徵如下，係示於表3中： 表3—實驗之水內容物 有機碳(T〇dT~-— 平均氯仿 ~ 丄 Uppm γ7Λ __________ 7Κ4^Ι 一追一每田拾 一~*-- /Uppb Tpv-f^T Μ—*道田控 " 20 ppb w ppb 千均溪仂 由於在活性碳過濾器4之前添加亞硫酸氫鈉，因此在 初級薄膜除氣器13之入口處的實際溶氧濃度遠低於其飽和 度。在初級薄膜除氣器13之入口處的實際T〇c和THMs濃 度係退低於都市用水中所發現的濃度。在較佳具體實例中 的下列單元操作係涉及在初級薄膜除氣器13之前移除包含 THMs的有機物： - 活性碳過濾器4

一 弟一次通過的逆渗透薄膜過渡6 - 第二次通過的逆滲透薄膜過濾器7 一初級UV T0C減量器9 一連續式電去離子器（CEDI) 10 一 初級混合床去離子器11 使用上述較佳具體實例，在初級薄膜除氣器13附近， 於各種溫度、所施加之通量率和真空度下進行一連串的實 驗。每個接觸器的氮氣掃掠速率固定保持在0.066 scfm。 19 1304050 觀測到在初級薄膜除氣器13之入口處的二漠一氯甲燒 · 、二氯一溴甲烷和溴仿的濃度恆低於0· 5 ppb的儀器偵測 極限。初級薄膜除氣器13的入口氣仿濃度介於14〇和 Π· 0 ppb 之間。 在吾人的實驗中已發現溫度、所施加之通量率和真处 度會強烈影響初級薄膜除氣器13對氯仿的移除。此初步試 驗單元的操作結果可參考第3至7圖而得到更好的瞭解。 第3圖說明在初步試驗設備中，歷時一個月期間，於 7 gpm的流率下之薄膜接觸器產物流中的氯仿濃度。第4 _ 至7圖分別說明在初步試驗設備中，歷時一個月期間，於 8· 5、10、12和14 gpm的流率下之薄膜接觸器產物流中的 氯仿濃度。這些濃度係以試驗單元中的算術平均氣仿濃度 — 為基準。在較低通量率及較高溫度和真空度下對於移除氣 ' 仿的改善可歸因於和初級薄膜除氣器丨3中的質傳操作效率 · 有關的排出效果。在本發明的實驗研究中觀測到給水溫度_ 斤方也加之真空度的效應比通過初級薄膜除氣器1 3之通量 率對於氣仿移除效率的影響更大。因此，建議施加高溫（45 % C或更南）和高真空度（_700 mmHg的錶壓力或更高）以脫除 水机中的氯仿。然而，降低通過該單元之通量率也能使初 級薄膜除氣器13的氯仿移除效率提高至相#大的程度。 THMs的量測係藉由用於THMs在5 ppb級以上的沖洗 捕捉之GC-MS系統及用於冗氈在〇·5至5 〇 ppb範圍内的 冲洗捕捉之GC-ECD系統在離線下進行。沖洗捕捉之GC_MS 系統係由HP 6890 GC所組成，其配備有受胛chemstati〇n 20 1304050 軟體控制的HP 5973 MSD。此系統使用氦作為載體及沖洗< 氣體。沖洗捕捉之GC-ECD系統係由HP 689〇 Gc所組成， 其配備有受HP Chemstation軟體控制的Hp—EC])偵測器。 此糸統亦使用氣作為載體及沖洗氣體。 、 在本發明的實驗研究過程中，初級薄膜除氣器13的入 口 T0C濃度介於10.0和18· 〇 ppb之間。在本發明的實驗 中’已發現溫度、所施加之通量率和真空度會強烈影響初 級薄膜除氣器13對T0C的移除。在較低通量率及較高溫产 和真空條件下對於移除T0C的改善可歸因於和初級_ 氣器13中的質傳操作效率有關的排出效果。在本發明的實 驗研究中觀測到給水溫度和所施加之真空度的效應比通過 該單兀之通量率對於T0C移除效率的影響更大。因此，建 議施加高溫（45°c或更高）和高真空度（―700 mmHg的錶壓力 ' 或更高）以脫除水流中的有機物。然而，降低通過該單元_ 之通量率也能使初級薄膜除氣器13的有機物移除效率提高 至相當大的程度。Anatel A 1 000 χρ線上T〇c分析儀係於 初級薄膜除氣器13附近進行T0C的量測。 t 實施例 本發明係利用下列實施例進一步加以敘述和說明，並 教示如何使用本發明。然而，此等實施例並不意圖以任何 方式限制或限定本發明之範疇且此等實施例不應視為專門 為了貫知本發明所必須採用的規定條件、參數或數值。 21 1304050 實施例l 、根、據本發明在7 gpm的去離子水給水流率下，於上述 初y式驗叹備進仃試驗。所施加之真空度固定保持在—⑽ 關Hg。經此處理過之去離子水的分析結果係列於下列表4 中〇 表4 ·在7 gpm的流率下串聯的兩個4吋接觸器之效能 丨參數 —：——— 溫度，c 給水 處理過的水 %移除 |SVI>0, ppb 25.0 A -- 16^9 ~~ 7.5 ,v \zy\f/4\ 55.6 J · \J 41Ό " 15.7 6.3 59.9 TOC3 ppb OC f\ 14.0 2.5 82.1 . Λ-- 11.3 4.9 56.6 A(： A 16.8 6.6 60.7 13.7 2.9 70 ' J-fer Ppb 25.0 Q C rv " -- 2730 2.0 99.93 A C f\ 3010 0.6 99.98 45.0 ^280_ 0.4 99.99 實施例2 根據本發明在1 〇 gpm的去離子水給水流率下，於上述 初步試驗設備進行試驗。所施加之真空度固定保持在—700 mmHg。經此處理過之去離子水的分析結果係列於下列表5 中〇 表5 :在10 gpm的流率下串聯的兩個4吋接觸器之效能 參數 i度，。c 給水 處理過的水 ~1 氯仿，ppb 25.0 15.2 8.2 —--——* ^ 46.0 35.0 148 H 7.4 50.0 45.0 16.6 5.5 66.9 TOC, ppb 25.0 14.3 7.9 44.8 35.0 17.8 9.1 48^9 45.0 11.5 3.9 66.1 ί谷氧，ppb 25.0 2590 6.1 99.76 35.0 2910 2.0 99.93 45.0 2740 0.9 99.97 22 1304050 實施例3 根據本發明在14 gpm的去離子水給水流率下，於上述 初步试驗设備進行試驗。所施加之真空度固定保持在-6 5 〇 mmHg。經此處理過之去離子水的分析結果係列於下列表6 中〇 表6 :在14 gpm的流率下串聯的兩個4吋接觸器之效能 ^數 溫度，。C ^ c r\ — 給水 處理過的水 0/〇移除 25.0 14.1 10.9 22.7 ~ 35.0 45^~~ 15.4 14 6 11.7 0 ο 24.0 — llTOC, ppb 12.4 y.y 9.7 32.2 2L8 35.0 45Ό ΙΪ6.1 I〇.2 ίΪ2.4 7 q 22.9 /"> 〇 A ""— -. 溶氧，ppb 25.0 ' n c f\ 2810 26.1 28.4 99.07' 35.0 2620 8.9 99.66 45.0 3340 6T~ 99^2 '~~ 【圖式簡單說明】 本發明係參考圖式加以說明，其中： 第1圖說明本發明之較佳的水純化整體系統； 第2圖說明本發明之方法中所使用之較佳的薄膜除 器； ..... 第3圖說明在7gpm的給水流率下之氣仿移除率對真处 度； 、二 第4圖說明在8. 5gpm的給水流率下之氯仿移除率 空度； 、、具 第5圖說明在丨0gpm的給水流率下之氯仿移除率對真 空度， 23 1304050 第6圖說明在12gpm的給水流率下之氣仿移除率對真 空度； 第7圖說明在14gpm的給水流率下之氯仿移除率對真 空度； 、 第8圖說明典型先前技術的水純化系統。 【元件符號說明】 1 原水儲存槽

2 靜態混合器 3 多介質過濾器 4 活性碳過濾器 5 筒式過濾器 6 第一次通過的逆滲透薄膜過濾器 7 苐二次通過的逆渗透薄膜過渡器 8 滲透液儲存槽

9 初級UV T0C減量器 1〇 連續式電去離子器 11 初級混合床去離子器 12 去離子水加熱器 13 初級薄膜除氣器 14 去離子水儲存槽 15 板式熱交換器 24 1304050 16 二級UV TOC減量器 17 犧牲精煉混合床去離子器 18 二級薄膜除氣器 19 UV消毒單元 20 筒式過濾器 21 超濾膜 22 回流管線中的UV消毒單元 23 中空纖維 24 中央分配管 2 5 播板 26 收集管 P卜 P2 、 P3 、 P4 、 P5 ^ 25

Claims (1)

1. 申請專利範圍： Ιϊΐϊ _修(更)正本i 步 1 · 一種移除水系統中THMs之方法，其包括或包含下 列 -使該水系統與接觸器薄膜接觸，同時 一對該薄膜施加壓差，以經由該薄膜使THMs從該水 系統之水中排出， - 回收該純化水， 其中該水在與該薄膜接觸之前已進行去離子，且其中 該水在與該薄膜接觸之前以及在去離子之後已加熱至高於 環境溫度及低於該薄膜分解之溫度。 2.如申請專利範圍第1項之方法，其中該水已加熱至 3 0 °C和5 0 °C之間的範圍内。 3 ·如申請專利範圍第2項之方法，其中該水已加熱至 實質上為45°C。 4.如申請專利範圍第3項之方法，其中該壓差係分別 或合併使用真空及/或惰性或無反應性氣體之正壓來施加 於該薄膜上。 5·如申請專利範圍第4項之方法，其中該薄膜孔徑係 谷许 >谷解氣體通過但卻防止水通過。 6 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中該薄膜為疏水 性聚丙烯薄膜。 7·如申請專利範圍第6項之方法，其中該薄膜包含或 包括複數個中空纖維，每個纖維實質上具有管腔，其中每 個管腔實質上能和該真空及/或惰性氣源相通，其中該壓 26 1304050 差係藉由在該中空纖維管腔内部分別或合併施加真空及 或惰性或無反應性氣體之正壓來進行施加。 8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該氣體為氮氣。 9. 如申請專利範圍帛8項之方法’其中該氣體為純度 高於99· 995%之氮氣。 & 其中該真空介於 其中該纖維係利 作為接觸器薄膜 其中係存在一個 1 〇·如申請專利範圍第9項之方法 1 00 ramHg和50 _Hg的絕對壓力之間。 Π·如申請專利範圍第1〇項之方法 用中央擋板配置成纏繞於分配管之陣列 單元。 1 2.如申睛專利範圍第11項之方法 接觸器薄膜單元。 13.如申請專利刪u項之方法，其中係存在一個 以上的接觸器薄膜單元’該單元係串聯或並聯配置。 …14.如申請專利範圍第U項之方法，其中該水系統通 過该接觸器薄膜單元之流率可控制在5至3Qg⑽之間。 15.如申請專利範圍帛14項之方法，其中該流率更實 質上為7gpm。 1 6 ·如申請專利範圍第1 4 膜接觸所移除的THMs其中一 之水系統之水中的氯仿含量係 膜單元者的18〇/0。 項之方法，其中藉由和該薄 種為氣仿及離開該薄膜單元 貫質上低於或等於進入該薄 i丨.戈口曱請專利範圍 沖一 ^ …π、刀沄，头甲離開該 早兀之水系統之水中的總有機量係實質上低於或等於 27 1304050 該薄膜單元者的21〇/。 18.如申請專利範圍第14項之方法，其中離開該薄膜 單元之水系統之水中的溶氧量係實質上低於或等於進入該 薄膜單元者的0.01%。 1 9 ·如申清專利範圍第14項之方法，其中在離子交換 去離子之别’可進行與沈殿有關的純化方法，使該水系統 與違接觸為薄膜接觸之步驟的特徵為沈澱並非移除 法的一部分。 20·如申請專利範圍第14項之方法，其中在去離子之f、 則，已經使該水系統之水中的有機物及/或氣及/或離子雜 質及/或重金屬及/或微生物污染物及/或其他雜質的量降 21·如申請專利範圍第14項之方法，其中該有機物及/ _ : 或軋及/或其他雜質的量已通過一或多個活性碳過濾器加· 以降低。 · _ 22.如申請專利範圍第14項之方法，其中該離子雜質 =/或重金屬及/或微生物污染物及/或有機物及/或其他雜· 質的量已通過逆滲透系統加以降低。 ^ 23.如申請專利範圍帛14項之方法，其中該逆滲透系 統為二次通過（tw〇_pass)的逆滲透系統。 24. 如申請專利则14項之方法，其中該有機污染 物的量已進一步藉由通過UV總有機量減量器加以降低。 25. 如中請專利範圍帛14項之方法，其中該水系㈣ 水在與該薄膜接觸之前已使用連續式電去離子器及/或混 28 1304050 α床去離子g之其中_種或兩者進行去離子。 26. 如中請專利範圍第14項之方法，其中該水系統的 水在去離子之德以Μ ^ _ σσ、v 在人该溥膜接觸之前已通過浸沒加熱 器進行加熱。 27. -種水純化之方法，包括或包含下列操作： - 使该水進行去離子， - 加熱該水， -降低該水中THMs的量， -其中降低該水中施的量之操作係藉由使加熱的 去離子水與氣體輸送接觸器薄膜接觸，同時對該薄膜施加 壓差，以經由該薄膜# Tmi //x ^ 潯Μ使丁HMs從該水系統之水中排出， 〃中亥水係加熱至介於環境溫度與該薄膜分解 溫度之間的溫度。 其中該水係加熱 28.如申請專利範圍第27項之方法 至30°C和50°C之間的範圍内。 其中該水係加熱 29·如申請專利範圍第28項之方法 至實質上為45°C 其中該壓差係分 30·如申請專利範圍第29項之方法，、，…^二丨1刀 別或合併使用真空及/ ^ 〃工及/或惰性或無反應性氣體之正壓來施 加於該薄膜上。 31•、如申請專利_ 3〇項之方法，其中該薄膜包含 或匕括複數個中空纖維，每個纖維實質上具有管腔，苴中 每個管腔實質上能和哕亩介努/斗、& ^ α Θ真二及/或惰性氣源相通，其中該 壓差係藉由在該中空输祕$晚& A Y二纖維官腔内部分別或合併施加真空及 29 1304050 /或惰性或無反應性氣體之正壓來進行施加。 32·如申請專利範圍第31項之方法，其中該氣體實質 上為純氮氣。 ' 其中該真空介於 其中該纖維為中 33·如申請專利範圍第32項之方法 1 00 ramHg和50 mmHg的絕對壓力之間。 34. 如申請專利範圍第33項之方法m纖 空聚丙稀纖維’更佳為利用中央播板配置成纏繞於分配管 之陣列’作為接觸器薄膜單元。 t 35. 如申請專利範圍第34項之方法，其 接觸器薄膜單元。 ^個 36. 如申請專利範圍第35項之方 L7 l· hh m . /、r 货、存在一個 、益㈣單元，該單元係串聯或並聯配置。 37. 如申請專利範圍第33項之方法，其中 過該接觸器薄膜單71之流㈣控制在5至3G_之間Γ i I相早7"之流率係實質上控制在7_。 39. 如申請專利範圍第38項之 腺技總私々 法’ /、中精由和該薄 膜接觸所移除的THMs其中一 A/寻 ^ ^ 為^仿及離開該薄膜單元 之水糸統之水中的氣仿含量存膜早儿 膜單元者的18%。 ''貝上低於或等於進入該薄 40. 如申請專利範圍第39 單元之水夺統貝之方去，其中離開該薄膜 扒糸、、先之水中的總有機量係實 該薄膜單元者的21%。 、低於或荨於進入 41. 如申請專利範圍第4〇 貝之方法，其中離開該薄膜 30 1304050 早兀之水系統之水中的溶氧量係實質上低於或 薄膜單元者的0. 〇 1 %。 等於進入該 如申請專利範圍第41 係藉由使該水系統的水通過浸沒加熱器。 43.如申請專利範圍第42項之方法，其中該去離 作係使用連續式雷本^ 二 史貝式電去離子益及/或混合床去 一種或兩者。 杰之其中 4.如申請專利範圍第4 3項 方法可句括力估^ 、 再中該水純化之 括在使水去料之前的―或多個下列操作： —通過一種活性碳過濾器， ” -通過一種逆滲透系統， -通過一種UV總有機量去除器， 及/或在與該薄膜接觸之後的—或多個 '通過一種UV總有機量去除器， - 通過一種精煉迴路。 下列操作： 拾壹、圖式： 如次頁。 31