TWI248970B - Tantalum barrier removal solution - Google Patents

Description

1248970 玖、發明說明·· 玄互參照之相關申請i 申請之美國臨時專利申請 本申請案宣告2002年3月25日 案第60/367,402號之權利。 【發明所屬之技術領域】 化學機械式平坦化法 械式平坦化組成以及 中移除障蔽物質之方 本發明係有關於半導體晶圓材料之 (CMP)。更具體地，係有關於化學機 於基底介電質存在時，於半導體晶圓 法0 二般而言，半導體晶圓係含—石夕材質晶圓以及一介電層 。该介電層係含有多數排列成模組以利於介電層内形成電 路連結（circuit interconnect)之刻槽。該模組之排列通常具 有一鑲嵌結構（damascene structurp)或雙層鑲嵌結構（duai damascene structure)。一障蔽層覆蓋該模組化之介電層以 及一金屬層覆蓋該障蔽層。該金屬層至少需有足夠之厚度 使該模組化之刻槽填滿金屬以形成電路連結。 【先前技術】 化學機械式平坦化程序通常包括許多平坦化步驟。舉例 而言’第一步驟係自基底之障蔽介電層移除一金屬層。該 第一步驟之拋光係移除金屬層而在晶圓上留下一平整之平 面，該晶圓上含有填滿金屬之刻槽，可在拋光後之平面提 供電路連結物之用。第一步拋光步驟傾向於先期提供一高 速率以移除過量之連結金屬，如銅。舉例而言，Lee等人於 歐洲專利公開案第i 〇72 662 A 1號中提出使用胍作為一研 84546 Ϊ248970 磨加速劑’可以增加該研磨組成之介電層移除速率。接續 乐—V驟之移除’第二步驟之拋光可移除殘留於半導體晶 圓上之障蔽層。該第二步驟之拋光過程係自半導體晶圓之 基底介電層上移除障蔽物以提供介電層一平坦之拋光表 面。 不幸的是，化學機械式平坦化程序通常會造成電路連結 中不期主之金屬過度移除或是造成淺碟化（dishing)。此淺 碟化可能由第一步驟之拋光或第二步驟之拋光所造成。淺 碟化超過可接受範圍會導致電路連結之空間上之損失。該 電路連結中之”薄"（thin)區域會減弱電子訊號以及削減尚 未完成之雙層鑲嵌結構之製造。 一種IV蔽物通常為一金屬、金屬性合金或金屬間之化合 物’如组或氮化鈕。該障蔽物會在晶圓中形成一層狀結構 以防止層與層間之遷移或擴散。舉例而言，障蔽物會防止 連結金屬如銅或銀擴散至相鄰之介電層中。障蔽物必需對 於大部分的酸具抗腐蝕之能力，因此，可對於化學機械式 平坦化過程中所使用之拋光液成分具有抗溶解之能力。再 者，障蔽物具堅韌性，可對化學機械式平坦化研磨毅中之 研磨料具抗移除之能力並會形成固定的研磨墊。 侵蝕現象（erosion)係指在介電層上存在有不期望之凹陷 處，該凹陷處係由化學機械式平坦化程序中移除部分介電 層所造成。發生於刻槽内鄰近金屬上之侵蝕現象會造成電 路連結中空間結構上之缺陷。此類缺陷會造成相連電路所 傳遞之電子訊號的減弱或是削減後續產生之類似於淺碟化 84546 1248970 的雙層鑲嵌結構。障蔽物之移除速度比上連結金屬或介電 層之移除率即為所熟知的選擇性比率。 大部分之障蔽物很難經由化學機械式平坦化程序移除， 因為障蔽物具有抗研磨及抗溶解之特性。傳統障蔽物移除 研磨漿須具有高濃度之研磨料，例如在抛光液成分中含有 至少7.5個重量百分比之研磨料以去除障蔽物。但1有如此 高濃度研磨料之研磨製傾向於造成介電層中不利之侵敍現 象，進而導致銅連結物之淺碟化、侵敍及表面刮傷广此外 ，高研磨料濃度可能導致低介電常數介電質do — dieleCtHC)自半導體晶圓中剝離（peeling)或分# (delaminating)。 壞 對於-改良之化學機械式平坦化液組成，使其可選擇性 地移除组障蔽物存在著無法滿足之要求。特別是，需要一 具有選擇性之组障蔽物移除能力的化學機械式平坦化液组 成：其尚可減少介電質之侵蝕及金屬連結物之淺碟化、侵 敍以及到傷。再者’係要能在不會造成低介電常數之介電 層自半導體晶圓上剝離之情況下移除鈕障蔽物。 【發明内容】 本發明係提供-種化學機械平坦化溶液，其可用以移除 组障蔽物。該平坦化溶液包含有〇至25個重量百分比之氧化 劑；0曰至15個重量百分比’用於非鐵金屬之抑制劑；0至20 個重里百为比，用於非鐵金屬之複合劑，· 〇 至Μ個重量 百分比鈕移除劑，並# ，、係延自由皁甲脒、單甲脒鹽、單甲脒 衍生物、胍衍生物、胍鹽及其混合物組成之群組中；。至5 84546 1248970 之合金以及钽之金屬化合物。該溶液對於鈕、以钽為基礎 之,金以及组之金屬化合物如组碳化物、氮化物以及氧化 物等具有特殊之效用。該研磨聚對於自模組化之半導體晶 圓上移除鈕障蔽物具最大之效率。 該姐障蔽物移除劑可為單甲脒、—種單甲脒鹽、-種單 甲脒衍生物、I、-種胍衍生物、—種胍鹽或其混合物。 此類组移除劑對於组障蔽物具有高度的親合力m量 之研磨料存在下，或視情況而定，不使用任何研磨料時， 該種對组的親合力可增加組移除之速率。限量地使用研磨 枓可使该拋光過程以一大於介電層及金屬連結之移除速率 移除组障蔽物。具特別效用之胍衍生物以及其鹽類包括鹽 ，胍、硫酸胍、胺基鹽酸胍、醋酸胍、碳酸胍、石肖酸胍、 早甲肚、二氧化硫腺、醋酸單甲脒及其混合物 :兄=該溶液含有。.01至12個重量百分比之组移除劑。二 :日曰中’所有濃度皆以重量百分比表示之。最佳之情況 :，：溶液含有。.1至10個重量百分比之组移除劑。於大部 :之上’當鈕移除劑之濃度介於0.2至6個重量百分比 知，其可提供足夠之障蔽物移除速率。 該I旦移除劑在含有平槪 — ^曰 十衡尺之浴液中，可於廣範之pH值範 有效的组移，速率。該溶液之有效阳值範圍可至 之平衡λ1佳之情況為’㈣液使用—去離子水 平衡水以避免不必要之雜質。 視情況而定，該溶液含有 較佳的产、Η π 百分比之氧化劑。 為，“化劑係於0至15個重量百分比之範圍内 84546 1248970 。該氧化劑對於促進拋光液移除鈕氧化薄膜上具有特殊之 效用。此類组氧化薄膜可於酸性之pH值下形成；特別地， 此類薄膜可於pH值為5或更低之情況下形成。該氧化劑可為 多種氧化性化合物中之至少一種，如過氧化氫（H202)、單 過硫酸鹽（m〇nopersuifate)、碘酸鹽、過酞酸鎂（magnesium perphthalate)、過乙酸（peracetic acid)及其他過酸類 (per-acids)、過硫酸鹽、溴酸鹽、過碘酸鹽、硝酸鹽、鐵鹽 、鈽鹽、二價錳、四價錳及六價錳鹽、銀鹽、銅鹽、鉻鹽 、鈷鹽、鹵素次氯酸鹽及其混合物。再者，通常較佳之情 況為使用氧化劑化合物之混合物。較佳之障蔽金屬拋光漿 係包含一過氧化氫氧化劑。當拋光研磨漿含有不穩定之氧 化劑如過氧化氫時’最佳之情況為，在使用時才將氧化劑 與研磨漿混合。 代表性的非鐵金屬連結物包括銅、以銅為基礎之合金、 銀及以銀為基礎之合金。視情況而定，該溶液含有〇至15 個重量百分比之抑制劑，並以靜態钱刻或其他移除機制控 制連結物之移除速率。藉由調整抑制劑之濃度可以防止金 屬之靜態姓刻的方式來調整連結物之移除速率。較佳之情 況為’該溶液含有視情況而定之〇至】 主10個重量百分比的抑制 劑。該抑制劑可由多種抑制劑之混合物 匕口物所組成。唑類（azol 抑制劑對於銅或銀之連結物較為有效。代表性之嗤類抑制 劑包括了苯并三氮娜TA)、曱笨基三氣唾⑽ytriazole)、 咪唑（imidazole)及其他唑類化合物。芒 取彳土之情況為，該研 磨聚含有0.02至5個重量百分比之總 5負以抑制銅或銀連 84546 -10- 1248970 結物之靜態蝕刻。其中苯并三氮唑對於銅或銀為特別有效 之抑制劑。 除抑制劑外，對於非鐵金屬而言，該溶液可含有0至20 個重量百分比複合劑。當複合劑存在時，可防止因溶解非 鐵金屬連結物所形成之金屬離子沉澱。最佳之情況為，對 於非鐵金屬而言，該溶液含有〇至1 0個重量百分比之複合劑 。複合劑之實例包括乙酸、檸檬酸（citric acid)、乙醯乙酸 乙酯（ethyl acetoacetate)、甘醇酸（glycolic acid)、乳酸（lactic acid)、蘋果酸（malic acid)、草酸（oxalic acid)、水揚酸 (salicylic acid)、二硫代胺基甲酸納（sodium diethyl dithiocarbamate)、琥珀酸（SUCcinic acid)、酒石酸（tartaric acid)、硫基甘醇酸（thioglycolic acid)、甘胺酸（glycine)、 丙胺酸（alanine)、天門冬胺酸（aspartic acid)、乙二胺、三 甲基二胺（trimethyl diamine)、丙二酸（malonic acid)、戊二 酸（gluteric acid)、3_羥基丁酸（3-hydroxybutyric acid)、丙 酸（propionic acid)、苯二曱酸（phthalic acid)、間苯二曱酸 (isophthalic acid)、3-羥基水楊酸（3-hydroxy salicylic acid) 、3,5-二羥基水楊酸（3,5_dihydroxy salicylic acid)、沒食子 酸（gallic acid)、葡萄糖酸（gluconic acid)、鄰苯二酚 (pyrocatechol)、連苯三酚（pyr〇gaii〇1)、單寧酸（tannic acid) 、鹽類及其混合物。較佳之情況為，該複合劑係選自由乙 酸、檸檬酸、乙醯乙酸乙酯、甘醇酸、乳酸、蘋果酸、草 酸及其混合物組成之群組中。最佳之情況為，該複合劑為 檸檬酸。 84546 -11- 1248970 於低研磨料濃度下，如低於5個重量百分比時，使用鈕移 除劑可促進拋光作用。對於含有低於5個重量百分比研磨料 之拋光溶液，其可以至少三倍於介電質移除速率（以埃/分 鐘計）之速率，迅速地移除鈕障蔽物。而對於含有低於^固 重量百分比研磨料之拋光溶液，其可以至少五倍於介電質 矛夕除速率（以埃/分鐘計）之速率，迅速地移除鈕障蔽物。代 表性之研磨料包括鑽石顆粒及金屬氧化物、爛化物、碳化 物、氮化物及其混合物。最佳之情況為，若研磨料存在時 ，該研磨料係選自由氧化鋁、三氧化二鈽及二氧化矽或其 混合物組成之群中。為達到極小之介電侵姓速率，該溶液 較佳為含有低於0.09個重量百分比之研磨钭；最佳為含有 低於0 · 0 5個重晋石八+ & • 里百刀比之研磨料。雖然該溶液於無研磨料 時仍為有效，但县，你旦μ rTT &丨丨丄 、 -疋低里的研磨料存在時可有效地移除抛 先後之殘餘物。為減少刮傷，該溶液較佳為含有平均顆粒 大小小於200⑽之研磨料，·最佳為含有平均顆粒大小小於 1 00 nm之研磨料。 、 為移除抛光後之務% 4 俊之殘餘H容液可含有仏15 分比之聚合物戎平人μ & ^ 里里e 句次來合物塗佈顆粒。此類"聚合物”之 促進殘餘物之移除而π奋、生a、人 ^ 損、淺碟化或侵蝕。最佳 遼 舌曰百八“,取么之情況為’該溶液含有0至10個維 重Ϊ百分比之聚合铷十、取人。、人 lu、，心 物或來合物塗佈之顆粒。 聚合物如聚乙烯吡略p m r 1 1囬成性剡或 料钍入护成取人4疋（P〇lyVlnyi mroliclone)可與研磨 料結合形成聚合物塗佈顆粒。 、所越 該拋光液亦可包括巫敛W ^ 括千整劑㈣叫如氯化録，以控制連結 84546 -12- 1248970 金屬表面之平整性。此外，該溶液視情況而定可含有殺菌 劑（biocide)，以防止生物性污染。舉例而言，R〇hm and Haas 公司之Ne〇l〇neTM M-50殺菌劑（溶於丙二醇之八曱基_4_異 嗟唾琳-3-酮）對於許多應用上提供了有效的殺菌劑。 該溶液具有至少3比1之氮化鈕對TE0S選擇度，該數值係 由多微孔性之聚胺基曱酸乙酯拋光墊，以小K2〇 7kPa且正 向於晶圓之壓力測得。一種用於決定選擇性之特殊拋光墊 為Politex微孔性聚胺基甲酸酯拋光墊。較佳之情況為，該 溶液具有至少5比1之氮化鈕對TE0S選擇度，該數值係由微 孔性之聚胺基甲酸乙酯拋光墊，以小於2〇·7 kpa且正向於晶 圓之壓力測得；而最佳之情況為，該範圍為至少丨0比丨。該 溶液可具有超過100比i之氮化鈕對TE0S選擇度。藉由調整 pH值、氧化劑濃度以及鈕移除劑之濃度，即可調整鈕障蔽 物之移除速率。而藉由調整抑制劑、氧化劑、複合劑以及 平整劑之濃度，即可調整連結金屬之蝕刻速率。 實例 實例中，數字係代表本發明之實例，而字母係代表相對 實例。其次，所有實例中之溶液包括〇〇1個重量百分比 Ne〇l〇neTM M_5〇殺菌劑（溶於丙二醇之2_甲基_4•異噻唑啉 -3-酮）及〇·〇 1個重量百分比之氣化銨亮光劑。 f例1 本實驗係測量氮化鈕障蔽物、鈕障蔽物、一種丁E〇s之介 電層、一種於製備TE0S先趨物（precurs〇r)所得之低介電常 數介電質二氧化石夕材料及鋼之移除速率。特別地，該試驗 84546 -13- 1248970 中亦決定了於二步驟拋光操作中特定鈕移除劑、氧化劑及 抑制劑之效用。一種使用Politex聚胺基甲酸乙酯拋光墊 (Rodel，Inc.)之 Strausbaugh拋光器，於下壓力約 3 psi(20.7 kPa);拋光溶液流速為200 cc/min ;平壓速度為120 RPM及 輸送速度為114 RPM之情況下使試樣平坦化。該拋光溶液 係使用氫氧化鉀及硝酸以調整pH值至9，且所有溶液皆含有 去離子水。此外，該拋光溶液包含1個重量百分比之二氧化 矽研磨料，其平均顆粒大小為5 0 nm。 表1 溶液 添加物 Wt% BTA Wt% H202 Wt% TaN A/min TEOS A/min Cu A/min Ta A/min A 0 0.1 25, 11 30 146 1 GAA 3.0 0.2 1055 17 143 2 GS 3.0 0.2 1610 40 170 1340 3 GHCL 2.5 0.2 1758 70 68 4 GHCL 2.5 0.2 0.8 601 27 601 5 GHCL 2.5 0.2 1.8 563 24 195 6 GHCL 2.5 0.2 2.8 565 26 165 7 GHCL 2.0 0.8 2200 57 -19 1935 8 GHCL 1.0 0.8 2203 88 193 2034 9 AGHCL 2.5 0.8 1763 66 204 10 GHCL 2.0 0.05 1221 56 75 1765 11 FS 3.0 0.20 1123, 1153 142 12 FA 3.0 0.20 2197 -5 99 84546 -14- 1248970 其中G A A為醋酸脈，G S為硫酸脈；G H C L為鹽酸脈； AGHCL為胺基鹽酸脈，BTA為苯弁三氮唾；TaN為氮化组 ’ TEOS為TEOS(介電物質）；Cu為銅（金屬）；Ta為组障蔽物 ;F S為二氧化硫脲；F A為醋酸單甲脒。 上表中指出脈及單甲脒化合物可提供相對於介電物質及 連結金屬之鈕障蔽物一高移除選擇性。此外，本試驗證實 ，當以相同之拋光溶液進行拋光時，鈕障蔽物及氮化鈕之 移除具相似之程度（見溶液2、7、8及1〇)。然而，於溶液4 至6中，過氧化氫氧化劑於本試驗pH值下，降低了氮化鈕之 移除速率。然而，該速率遠比使用溶液A所達成之速率為大 ，其中溶液A缺少胍或單甲脒化合物。 該數據說明胍及單甲脒障蔽物移除劑可提供所有實例中 ㈣Λ層至少每分鐘刚埃之速率。表！中所記錄之 是，當苯并-…: 之移除速率。特別 本开一鼠唾》辰度自〇 〇5個 吾百八丄士 里里白刀比增加至0.8個重 里百刀比呀，氮化鈕之移 分鐘22〇。埃。 崎革自母分鐘咖埃增加至每 貫例2中之試驗係使用實例丨中之溶 並未含任何二氧化石夕研磨添加劑。 、，但該溶液 84546 1248970 表2 溶液 添加物 Wt% BTA Wt% TaN A/min TEOS A/min Cu A/min 13 GHCL 1.0 0.05 1072 -1 110 14 GHCL 1.0 0.20 1051 -1 49 15 GHCL 0.5 0.20 1373 -2 12 16 GHCL 1.0 0.20 1587 -3 9 17 GHCL 3.0 0.20 1042 4 6 上述數據表明，將研磨料自溶液中去除後可使介電移除 速率降至偵測不到之移除速率。該溶液中具有一氮化钽對 TEOS之選擇度，至少為100比1。 實例3 實例3中之試驗係使用實例1中之溶液及裝置，但該溶液 具不同程度之pH值。 表3 溶液 添加物 Wt% PH TaN A/min TEOS A/min Cu A/min 18 GHCL 1.0 11 1166 -4 32 19 GHCL 1.0 7 211 _4 37 20 GHCL 1.0 5 10 -4 26 21 GHCL 1.0 3 9 -3 29 上述數據闡明該拋光溶液於高pH值下之效用。於低pH值 時，該溶液需添加一氧化劑，如下述實例4所示。 84546 -16- 1248970 實例4 本貝例闡明添加一乳化劑於低pH值溶液中之效用。具體 而言，本試驗需一 2psi(13.8kPa)之下壓力；120RPM之平 壓速度’ 11 4 RPM之輸送速度及一 2〇〇 cc/min之漿料流速。 應用至pH值為3及5之溶液且含〇·6個重量百分比之過氧化 氫。 表4 溶液 h2o2 Wt% GHC Wt% pH Silica Wt% BTA Ta A/min TaN A/min Cu A/min B 0.6 0 3 2% 0.10% 45 183 132 22 06 0.5 3 2% 0.10% >1000 2060 77 C 0.6 0 5 2% 0.10% 29 107 148 23 0.6 0.5 5 2% 0.10% >1000 1537 107 24 0.6 1 5 2% 0.10% >1000 1753 109 上述數據闡明，Η2〇2可顯著增加移除速率，該移除速率 係經由添加氧化劑至低pH值溶液中達成。 實例5 貫例5中之試驗係使用實例1中之溶液及裝置，含有表$ 所表明之拋光條件。該溶液包含pH值為8之水、〇_20%笨并 二氮唾、1%鹽酸胍、0.5°/。檸檬酸、〇 〇1% Ne〇l〇ne M50及 0·01%平均顆粒大小為12 nm之膠態二氧化石夕。 84546 -17- 1248970 表5 下壓力 psi 下壓力 kPa 平壓 RPM 輸送 RPM 流速 ml/min ----- TaN A/min TEOS A/min Cu A/min (1)」 6.9 120 114 200 745 3 0-5 (2) 13.8 120 114 200 1658 4 28 (3) 20.7 120 114 200 2619 --------- i_ 57 表5所記錄之實驗指出一胍化合物以psi(6 9至2〇 7 kPa)之低下壓力’卩充分之移除速率及選擇性，可移除一 金屬氮化组（其為-種已知之障蔽金屬）。此外，〇 〇1個重量 百分比之膠H二氧切對移除速率之f獻並不顯著，但可 清除氮化鈕殘餘物以移除不平坦之氮化鈕表層。 根據本說明書之用途，介電物質係指一具有介電常數k 之半導體物質’包括低介電常數及極低介電常數之介電物 質。本方法係移除鈕障蔽物，且對於普通之介電物質或低 介電常數之介電物質無太大之影響。由於該溶液可於低壓 (亦即低於2UkPa)且含少量或不含研磨料之情況下，提供 有效之障蔽物移除速率及高度之鈕選擇性，因此其可促使 拋光程序具有低介電物質之侵蝕速率。該溶液及方法對於 防止複合晶圓成份之侵蝕具有極佳之效果，包括下述：多 孔性及非多孔性低介電常數之介電質、有機及無機低介電 常數之介電質、以化學標示siwCx〇yHz識別之有機二氧化矽 玻璃（OSG)，其+ w、x、乂及2表示原子之數量、氣石夕酸鹽 玻璃（FSG)、碳摻合氧化物（CD〇)' TE〇s，一得自正矽酸四 乙酯之矽化物及其他硬質罩幕層（hardmask)物質，如te〇s 84546 •18- 1248970 、slwCx〇yHz、SiCH、Si為、sixC具及扯。 較佳之情況為，該抛光溶液係含有低於5 研磨料以限制❹之產生，且該拋光程序係^百分比之 "電物質移除速率三倍之速率(以埃/分鐘計)移陝：：士於 。較佳的情況為’該抛光溶液係含有低於1個重1 =敝物 研磨料以進-步限制侵姓之產生，且該拋光程：係二：： 障=:電物質移除速率五倍之速率(以埃/分鐘計)移除组 該溶液及方法提供極佳之選擇性以移除组障蔽物，如組 、氮化鈕及氧化鈕。該溶液使介電物質之侵蝕降低而得以 選擇性地移除鈕障蔽物。舉例而言，該溶液可移除鈕障蔽 物且無可偵測到之TEOS損失，亦無低介電常數之介電層剝 離或分層之現象。此外，該溶液亦降低銅連結物淺碟化、 侵蝕及刮傷。 84546 19-

Claims (1)

1. fe6622號專利申請案 專利範圍替換本(93年12月) 拾、申請專利範圍：93·设4 1. 一種用以移除鈕障蔽物之化學機械平坦化溶液，包括〇 至25個重量百分比之氧化劑；〇至15個重量百分比，用 於非鐵金屬之抑制劑；〇至20個重量百分比，用於非鐵 金屬之複合劑；0.01至12個重量百分比之鈕移除劑，該 移除劑係選自由單甲脒、單甲脒鹽、單甲脒衍生物、胍 、胍衍生物、胍鹽及其混合物組成之群組中；〇至5個重 量百分比之研磨料；〇至15個重量百分比之總顆粒，其 係選自由聚合物顆粒與聚合物塗佈顆粒組成之群組中 及平衡水，·該溶液具有至少3比丨之氮化鈕對te〇s之選 擇度，該數值係由微孔性之聚胺基甲酸乙醋拋光墊，以 小於20.7 kPa且正向於晶圓之壓力測得。 2·如申口月專利範圍第j項之溶液，其中該组移除劑係為〇 ·工 至10個重量百分比。 汝申明專利範圍第！項之溶液，其中該抑制劑包括一唑 抑制劑。 《如申請專利範圍第旧之溶液，其中該短移除劑係選自 $孤酉夂胍、硫酸胍、胺基鹽酸脈、醋酸脈、碳酸脈、硝 、 單曱脒、—氧化硫脲、醋酸單甲脒及其混合物組 成之群組中。 84546 5· -種用以移除鈕障蔽物之化學機械平坦化溶液，包括〇 至15個重量百分比之氧化劑；〇至H)個重量百分比，用 ;非鐵金屬之抑制劑；0至1 0個重量百分比，用於非鐵 金屬之複合劑’· 〇.〗至10個重量百分比之鈕移除劑，該 1248970 移除劑係選自由單甲脒、單甲腺鹽 胍衍生物、胍鹽及其混合物組成之群組中 單甲脒衍生物、胍 個重量百分比之研磨料；〇至1〇個重 ，其係選自由聚合物顆粒與聚合物塗 中及平衡水。 0至 0.09 置百分比之總顆粒 佈顆粒組成之群組 6·如申請專利範圍第5項之滚、、杰，甘士斗A 固牙貝之，合液，其中該鈕移除劑係選自 由鹽酸胍、硫酸胍、胺基鹽酸胍、醋酸胍、碳酸脈、石肖 酸胍、早甲m化销、醋酸單甲脒及其混合物組 成之群組中，且該鈕移除劑係為02至6個重量百分比。 7. 如申請專利範圍第5項之溶液，其中該抑制劑係佔總嗤 抑制劑之0 · 0 2至5個重量百分比。 8. -種自半導體晶圓中移除鈕障蔽物之化學機械平坦化 方法，步驟包括： 將一晶圓基質與拋光溶液接觸，該晶圓基質包括一鈕 障蔽物及一介電物質；該拋光溶液包括-鈕移除劑，其 係選自由單甲脒、單甲脒鹽、單甲脒衍生物、胍、脈^ 生物、胍鹽及其混合物組成之群組中；及 以一拋光墊進行晶圓基質之拋光並自晶圓基質中移 除鈕障蔽物，其係以一大於介電物質移除速率之 率（以埃/分鐘計）進行。 除速 9·如巾凊專利範圍第8項之方法，其中該抛光溶液包含低 於5個重里百分比之研磨料，且該拋光程序係以一至少 大於介電物質移除速率三倍之速率（以埃/分鐘計）進卜 价如申明專利範圍第8項之方法，其中該拋光溶液包含低 1248970 於1個重量百分比之研磨料，且該拋光程序係以一至少 大於介電物質移除速率五倍之速率（以埃/分鐘計）進行。 84546 3-