1225665 A7 _ B7_ 五、發明説明（2 ) 的1/3之內。因此，舉例來說，如果目前的電路線之設計 寬度爲180 nm，則對齊之所需要的準確度係在60 nm之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 內。 除此之外，各式各樣的裝置結構已經被提出，並且因 商品化而正被硏發中，隨著使用中之個人電腦數目的增加 ，在電路小型化之後的主要驅動力已經從DRAM驅動之 記憶體改變成CPU晶片。有可能這樣的小型化將會隨著 資訊科技上未來的進步而增加，例如家用無線LANs、藍 芽通信系統裝置、以使用77 GHz頻率之車上安裝雷達爲 代表的（ITS)(智慧型運輸系統）、及在利用24-38 GHz頻率 之LMDS(區域多點分配系統）系統中所使用的MMIC(毫米 波單片式微波積體電路）。 況且，半導體裝置生產製程也做廣泛地改變，從已經 變成爲過去的事情之W-CMP(鎢化學機械硏磨）製程到銅雙 金屬鑲嵌製程，而此銅雙金屬鑲嵌製程目前正被注目做爲 平面化技術，用以解決半導體曝光裝置之投影光學系統缺 乏焦點深度的問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 最後’半導體裝置結構也做廣泛地改變，舉例來說， 從藉由組合化合物（例如GaAs及InP)所形成之所提出的 P-HEMT(假同晶高電子遷移率電晶體）及M — HEMT(變質-HEMT)到使用SiGe，SiGeC等等之所提出的HBT(異質接面 雙極電晶體）。 給出如上所述之半導體工業的目前狀態，祇要例如半 導體曝光裝置之半導體製造裝置被使用，應該被最佳化之 本紙張尺度適3中關家標準（CNS ) A4規格（21GX297公釐)一 1225665 A7 B7 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 時，驅動生產設備之參數値是否爲最佳的，及提供一種半 導體曝光裝置，其係這樣的控制之目標，以及半導體曝光 裝置控制方法做爲其特徵。 爲了解決上述問題，本發明之用以控制裝置的系統、 曝光裝置、半導體裝置製造方法、用以控制裝置的方法、 及曝光方法主要被提供有下面的組態。 也就是說，一種用以控制裝置的系統，此系統包括設 定機構，用以設定用來操作此裝置的參數値； 操作機構，用以根據由設定機構所決定之第一參數値 來操作裝置； 檢查機構，用以根據由設定機構所設定之第一參數値 來檢查此裝置的操作結果； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 決定機構，用以從第一評估索引（evaluation index)來 決定第二參數値，而第一評估索引指示根據藉由檢查機構 所得到之第一參數値來操作裝置的結果，以及第二評估索 引，第二評估索引指示根據和第一參數値不同的第二參數 値來操作裝置的預測結果，而第二參數値係沒有藉由檢查 機構之檢查所得到的參數値， 設定機構將參數値設定爲由決定機構所決定之參數値 5 操作機構根據由決定機構所決定之參數値來操作裝置 0 此外，一種曝光裝置包括通信機構，用以致能與一控 制裝置的通信，此控制裝置控制用來控制曝光的資訊；以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ -7- 1225665 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 及 控制機構，用以根據用來控制曝光之資訊來控制曝光 裝置’而該資訊係該控制機構經由通信機構來予以接收的 5 控制裝置經由通信機構來接收第一評估索引，而第一 評估索引指示根據用來控制第一曝光之資訊所控制之曝光 裝置的操作結果，此評估索引係藉由一測量機構來予以取 得的，而測量機構測量指示操作由控制機構所控制之曝光 裝置的結果，以及從第一評估索引及第二評估索引來決定 資訊，而第二評估索引指示根據和用來控制第一曝光之資 訊不同之用來控制第二曝光的資訊來操作由控制機構所控 制之裝置的結果， 控制機構使用爲控制第一及第二曝光所決定之資訊來 控制曝光裝置。 此外，一種半導體裝置製造方法包括步驟：將包含半 導體曝光裝置之多個半導體製造裝置安裝於一工廠中；以 及 使用多個半導體製造裝置來製造半導體裝置， 半導體曝光裝置包括通信機構，用以致能與一控制裝 置的通信，此控制裝置控制用來控制曝光的資訊；以及 控制機構，用以根據用來控制曝光之資訊來控制曝光 裝置，而該資訊係該控制機構經由通信機構來予以接收的 控制裝置經由通信機構來接收第一評估索引，而第一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） — -8 - ---^------0^----Γ---1T------0 (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225665 A7 ___ B7 五、發明説明（6 ) 評估索引指示根據用來控制第一曝光之資訊所控制之曝光 裝置的操作結果，此評估索引係藉由一測量機構來予以取 得的，而測量機構測量指示操作由控制機構所控制之曝光 裝置的結果，以及從第一評估索引及第二評估索引來決定 資訊’而第二評估索引指示根據和用來控制第一曝光之資 訊不同之用來控制第二曝光的資訊來操作由控制機構所控 制之裝置的結果， 控制機構使用爲控制第一及第二曝光所決定之資訊來 控制曝光裝置。 此外，一種用以控制裝置的方法，此方法包括步驟： 將用來操作裝置之參數値設定爲第一參數値； 檢查根據第一參數値所操作之裝置的操作結果； 從指示操作結果之第一評估索引及第二評估索引來決 定參數値，而第二評估索引指示依據和以檢查所取得之第 一參數値不同的第二參數値來操作裝置的操作結果；以及 根據在決定步驟中所決定之參數値來操作裝置。 此外，一種用以控制裝置的方法，此方法包括步驟： 預備一用以儲存用來操作裝置之多個控制資訊的資料庫， 此資料庫位於安裝有該裝置之工廠外面的外側網路上； 將裝置連接至工廠內的區域網路（LAN);
將用以檢查操作裝置之結果的檢查機構連接至LAN 使用外側網路及LAN來接收，除了多個控制資訊以 外，第一控制資訊及第一評估索引，而第一評估索引指示 本紙張尺度適财關家縣（CNS ) A4規格（210X297公釐) ' ---------^辦衣----：---1T------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -9 - 1225665 A7 _____ B7 _ 五、發明説明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據藉由檢查機構所取得之第一控制資訊來操作裝置的結 果’並且從經由外側網路及LAN所接收到之第一控制資 訊及第一評估索引，及第二評估索引來決定控制資訊，而 第二評估索引指示根據和第一控制資訊不同的第二控制資 訊來操作裝置的結果，且第二控制資訊係沒有藉由檢查機 構之檢查所得到的控制資訊；以及 使用外側網路及LAN來設定由裝置中之決定機構所 決定的控制資訊。 此外，一種曝光方法方法包括步驟：將對齊參數設定 爲第一値，並且藉由偵測形成在晶圓上之對齊記號而取得 和該晶圓有關的第一資訊； 將對齊參數設定爲和第一値不同的第二値，並且藉由 偵測對齊記號而取得和該晶圓有關的第二資訊； 根據第一資訊而使該晶圓曝光； 檢查所曝光之晶圓並取得檢查結果；以及 從第一資訊及第二資訊和檢查結果來決定對齊參數的 値，而不需要根據第二資訊來實施曝光， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此所決定之對齊參數的値係選自第一値及第二値。 從下面的說明中，結合伴隨的圖形，本發明的其他目 的及優點將會變得明顯，其中，在其整個圖形中，相同的 參考文字表示相同或相似的部件。 附圖之簡略說明： 伴隨之圖形，在此被倂入且構成說明書的一部分，例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 1225665 A7 _B7 五、發明説明（8 ) 舉本發明之實施例，並且和敘述一起用來解釋本發明之原 理。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 圖1顯示使對齊參數値最佳化之OAP系統的組態； 圖2顯示使對齊參數値最佳化以便控制分劃板與晶圓 之對齊的程序； 圖3例舉本發明之第二實施例，其顯示裝置控制系統 架構之一例，此架構使用包含半導體曝光裝置做爲一例之 半導體生產設備； 圖4顯示含有設備控制參數之資料庫的一例； 圖5顯示含有設備控制參數之資料庫的另一例； 圖6例舉依據本發明之實施例，爲工業裝置之控制目 標之半導體曝光裝置的整體結構； 圖7係一裝置製造程序的流程圖，其使用依據本發明 之實施例的曝光裝置； 圖8係一晶圓處理程序的流程圖，其使用依據本發明 之實施例的曝光裝置； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖9係一顯示依據本發明實施例之對齊單元主要組件 的方塊圖； 圖10A及圖10B分別爲顯示對齊記號之表面圖及對 齊記號之剖面圖的圖形； 圖11係顯示對齊訊號的圖表；以及 圖12A，圖12B及圖12C分別爲顯示晶圓上之AGA 樣品拍攝位置、記號元件之平面圖、及圖11所示之對齊 訊號一部分的放大圖之示意圖形。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 1225665 A7 B7 半導體曝光裝置 對齊檢查裝置 主電腦 資料庫 區域網路 分劃板 晶圓 工廠 賣主 工業裝置 控制裝置 工廠側操作裝置（第一操作裝置） 賣主資料庫 資料通信網路 賣主操作裝置（第二操作裝置） 位置偵測條 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 元件對照表 1，2 3 4 5，35a，35b，35c 6 10 20 21， 22, 23 25 24a-i 25a-c 26a-c 27 28 30 32 602 611 612 613 614 615 617 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雷射產生器 晶圓臺 晶圓夾盤 投射系統 分劃板臺 照明光學系統 對齊單元 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 12- 1225665 A7 ________ B7 五、發明説明（1〇 ) 640 控制器 650 通信單元 919 第一分光鏡 920 第一透鏡 921 第二透鏡 922 第二分光鏡 923, 924 CCD感應器 較佳實施例之詳細說明： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 現在將參照伴隨之圖形來詳細敘述本發明之較佳實施 例。 (第一實施例） 在第一實施例之裝置控制系統中，控制標的裝置爲半 導體曝光裝置，並且參照圖1及圖2來敘述在曝光期間， 用以使晶圓與分劃板（遮罩）間之對齊最佳化的控制方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 應該注意到’在依據本發明之控制系統中，半導體曝 光裝置對齊控制系統（對齊參數値最佳化）被稱爲0AP(在 成批生產上用於對齊參數的最佳化）系統。在此說明書中 ，被敘述爲參數之參數並非限定於普通參數，而且也包含 用於對齊號等等之樣品拍攝位置、照明方法條件，其不 能直接轉換成數字値。 圖1顯示使對齊參數値最佳化之OAP系統的組態。 如圖形中所示，半導體曝光裝置1及2、對齊檢查裝置3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13 - 1225665 A7 ___ B7 _ 五、發明説明（11 ) 和資料庫5藉由LAN 6而被連接至主電腦（PC/WS) 4。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 主電腦4能夠經由LAN 6將資料發送至半導體曝光 裝置1，2 ...，η及對齊檢查裝置3以及從半導體曝光裝置 1, 2…，η及對齊檢查裝置3接收資料，並且能夠分別控 制半導體曝光裝置1及2及對齊檢查裝置3裝置群，（在 圖1中，有兩個半導體曝光裝置，但是當然，僅其中一個 這樣的半導體曝光裝置或兩個以上這樣的半導體曝光裝置 可以被連接至LAN 6)。如圖4所示，舉例來說，資料庫5 含有和對齊有關的條件，例如對齊訊號、對齊檢查結果、 對齊記號相關資訊、照明模式、發射配置、晶圓放大、晶 圓轉動及偏移，以及當根據那些條件來偵測對齊記號位置 的位置偵測結果和在曝光期間，根據那些位置偵測之真正 的對齊結果。 根據這些條件之多個對齊條件（對齊記號相關資訊、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 照明模式、拍攝配置等等）和對齊結果（例如晶圓放大、晶 圓轉動、偏移等等之晶圓相關資訊）得組合（條件1，2…，η) 被儲存在資料庫5中，所以有可能藉由參考資料庫中之此 資料來選擇用以取得所想要之對齊結果的最佳對齊條件。 當決定參數値設定及根據那些設定之曝光結果是否適 當時’主電腦4參考上述資料，並且以取得最想要之曝光 結果的値來取代（亦即，更新）設備對齊參數（對齊參數値 最佳化）。適合於最佳化之對齊參數可能包含，舉例來說 ’對齊記號線寬、對齊記號寬度、對齊記號元件間隙、整 體對齊樣品拍攝配置、對齊光學系統照明模式（中央波長 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）" --- -14 - 1225665 A7 B7 五、發明説明（12 ) 、波長間隔、σ )、訊號處理窗口寬度、及訊號處理窗口 中央距離。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖6例舉圖1所示之半導體曝光裝置的全部結構。如 圖6所示，半導體曝光裝置使分劃板1〇上之圖案曝光於 一晶圓20上。 又，圖6所示爲一雷射產生器602，被產生做爲曝光 光線之雷射光束係藉由照明光學系統61 5來予以形成，並 且照射分劃板1 0上之圖案。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 分劃板10被保持在一平臺614上，而此平臺能夠移 動於圖形中所示之x-y平面內的分劃板掃描方向上。參考 數字6 1 3表示一具有預定縮減比例的投射系統，經由照明 光學系統615所照射之分劃板10上的圖案藉由投射系統 613而被投射在晶圓20的其中一個拍攝區域上，並且以 該圖案而使晶圓20曝光。此曝光形成潛像在塗敷於晶圓 20上的光阻劑上，晶圓20經由晶圓夾盤6 1 2而被置於晶 圓臺611上。參考數字617表示一對齊單元（對齊顯示器） ，其能夠偵測到像在圖9中所描述之形成於晶圓20上的 那些對齊記號30。 晶圓臺611能夠使晶圓沿著所有的三維X，y，及z軸 而傾斜及轉動，以控制晶圓20的位置。因爲能夠沿著z 軸來控制晶圓臺611的垂直定位，所以，舉例來說，使投 射系統6 1 3能夠精確地聚焦在晶圓20上。 藉由使用測量平臺之位置及方向的感應器（未顯示於 圖形中）來實施分劃板臺6 14和晶圓臺6 11之移動及位置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -15- 1225665 A7 ___ B7 五、發明説明（13 ) 的控制。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 除此之外，分劃板臺614和晶圓臺611各自被連接至 一控制器640，而資料之即時接收致能同步控制。此外， 雷射產生器602也類似地連接至控制器640，以便能夠使 閃光和此二臺611及614的移動同步。 現在將參照圖9來敘述測量對齊記號之位置的原理。 圖9係顯示依據本發明實施例之對齊單元主要組件的 方塊圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖9所不，第一分光鏡9 19反射來自光源9 1 8的照 射光，其然後通過第一透鏡920而照射晶圓20上的對齊 記號30。來自對齊記號30的繞射光然後通過第一透鏡 9 20、第一分光鏡919及第二透鏡921，並且藉由第二分 光鏡922來予以分裂，如此所分裂之光然後分別被CCD 感應器923及924所偵測到。在此，應該注意對齊記號 30在被聚焦於CCD感應器923, 924之前，藉由第一及第 二透鏡921，922而被放大100倍。CCD感應器923, 924 分別被用來測量X-軸方向及Y-軸方向上之對齊記號30的 位置，並且被配置以便互相繞著光軸而旋轉90度。 沿著X-Y軸之測量所根據的原理對X軸及Y軸兩者 來說是一樣的，所以下面的敘述集中在僅沿著X軸來測 量對齊記號30的位置。應該了解到相同的敘述可以均等 地應用於沿著Y軸來測量對齊記號30的位置。 圖10A及圖10B分別爲顯示對齊記號之表面圖及對 齊記號之剖面圖的圖形。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 1225665 Α7 Β7 五、發明説明（14 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖10A及圖10B所示，本發明之對齊記號30被組 構而使得多個位置偵測條32(有時候也被稱爲對齊記號”元 件”）彼此平行地間隔分開一段預定距離（距離=20 // m) ’ 該等多個位置偵測條32在對齊測量方向（X-軸方向）上測 量爲4/z m，而在非-對齊測量方向（Y-軸方向）上測量爲30 // m，圖1 0 A顯示4個這樣的位置偵測條3 2。如圖1 0 B所 示，在剖面圖中，以塗覆於位置偵測條32之頂部上的光 阻劑（未顯示於圖形中）來向上面向凹部的方式蝕刻位置偵 測條32。CCD感應器923, 924以圖11所示之光-電轉換 對齊訊號而偵測到藉由使此多個位置偵測條32曝光於照 射光所獲得之反射光，圖11所示之記號訊號進一步經歷 適當的訊號處理，並且偵測到個別的元件位置（在圖11中 從左到右依序爲：Ml，M2, M3, M4)，個別元件之間的間 隔距離在下文中被稱爲”記號元件間隔”（在圖11中從左到 右依序爲：Ll，L2, L3)。 接著，將參照圖2來敘述使對齊參數値最佳化以便控 制分劃板10與晶圓20之對齊的程序。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2顯示使對齊參數値最佳化以便控制分劃板1〇與 晶圓20之對齊的程序。 如圖2所示，首先，在步驟S200中，藉由運送晶圓 20並且將晶圓20插入半導體曝光裝置1，以及爲裝置中 之該晶圓20設定適當的分劃板1 0，以完成將分劃板上的 電路圖案投射在晶圓上之工作（被表示爲” JOB”）的準備。 接著，在步驟S 2 0 5中，用以使此工怍中之晶圓與分 本ϋ尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' - -17- 1225665 A7 _ B7 _ 五、發明説明（15 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 劃板對齊的對齊參數被設定爲特定値（其可以被設定於半 導體曝光裝置1之儲存單元（記憶體）中，未顯示於圖形中） ，連同對齊單元617及固持晶圓之晶圓臺611依據這些所 設定之參數而被驅動，晶圓臺611係配備有位置感應器， 用以感應平臺之位置。這些位置感應器（未顯示於圖形中） 可以是雷射干涉儀，其輸出和來自對齊單元617之對齊記 號位置資訊一起指示晶圓臺611上之晶圓20的偏移、轉 動及放大（比例）的範圍，使用眾所周知之AG A(先進的整 體對齊）方法來實施這些測量，AGA係指整體對齊，用以 以雷射干涉儀所配備之X-Y平臺準確度來實施晶圓上的 位置測量，並且包含獲得到晶圓放大、晶圓轉動及偏移， 以及這樣的統計處理之執行當作不正常値之去除。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在步驟S210中，上述結果的測量，以及被測量做爲 推導那些測量之程序的一部分所測量之訊號群（在下文中 被稱爲對齊訊號），然後經由一通信單元（ADUL) 650(顯示 於圖6中）而被轉送至主電腦4。半導體曝光裝置1主要 單元控制AGA測量及對齊訊號的偵測，並且被提供有一 發送單元（ADUL :對齊資料上載），用以將該資料發送至 主電腦4。此發送單元之使用致使資料被送到主電腦4， 以及從主電腦4接收到資料，並且讓控制器640接收用以 控制操縱於主電腦4側上之裝置的參數，以及控制裝置。 接著，爲如上所述之所討論的特別工作而將參數設定 爲除了在步驟S205中所設定之參數値以外的値之程序進 一步涉及重做AGA測量，及測量晶圓放大、晶圓轉動及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 1225665 A7 B7 五、發明説明（16 ) 偏移，以及對齊訊號（在步驟S 2 1 5中），並且將那些所測 量之値轉送至主電腦4(在步驟S210中）。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 應該注意到，除了所討論之特別工作用的參數値以外 之參數値可以是從分開之資料輸入介面（未顯示於圖形中） 所輸入的變數以及先前儲存在資料庫5中的資料。 除此之外，應該注意到，在步驟S205及S215中所執 行之由AGA測量所偵測到的對齊訊號並未限定於用以提 取像晶圓放大、轉動及偏移這樣的變數之訊號，但是也可 以包含其他訊號。 當在步驟S205及S215中所有的相關資料已經被收集 時，在步驟S220中，分劃板與晶圓根據在步驟S205中所 取得之對齊結果（晶圓放大、轉動及偏移）而被對齊及曝光 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在步驟S220期間所曝光之晶圓然後被顯影，並且在 步驟S225中，藉由對齊檢查裝置3來檢查所顯影之晶圓 。根據藉由對齊檢查裝置3之對齊檢查的結果，能夠判定 在步驟S205中所取得之對齊結果是否接近真正的晶圓放 大、轉動及偏移。 藉由由對齊檢查裝置3所實施之檢查的結果來檢查依 據最初所設定之參數値（在上面的步驟S21 5中所設定之參 數）的對齊條件和根據曝光關係之對齊條件，更明確地說 ，如果檢查結果係好的，則能夠知道在步驟S205中所取 得之對齊結果係接近於真正的晶圓放大、轉動及偏移，且 因此，能夠知道在步驟S205中所設定之參數値係好的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 1225665 A7 ____ B7 _ 五、發明説明（17 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 相反地，如果檢查結果係壞的，則能夠知道在步驟S205 中所取得之對齊結果係不同於真正的晶圓放大、轉動及偏 移，且因此，能夠知道在步驟S205中所設定之參數値係 壞的。 在步驟S230中，主電腦4將對齊訊號及對齊結果儲 存在資料庫5中，例如，在步驟S205及S215中藉由AGA 測量所取得之晶圓放大、轉動及偏移。 此外，在步驟S235中，主電腦4使用除了那些爲在 步驟S205中所討論之特別工作所設定之參數値以外的參 數値來訊號處理在步驟S205及/或步驟S215中藉由AGA 測量所偵測到之對齊訊號，以便取得近似的晶圓放大、轉 動及偏移，其然後在步驟S240中儲存於資料庫5中。在 步驟S235中，主電腦4改變那些當測量對齊訊號時所未 被使用之參數的値，並且一個這樣的參數爲有效訊號處理 窗口寬度，其限制當處理訊號時所使用之訊號帶。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖12A，圖12B及圖12C分別爲顯示晶圓上之AGA 樣品拍攝位置、記號元件之平面圖、及圖11所示之對齊 訊號一部分的放大圖之示意圖形。 圖1 2C中所示之對齊訊號經歷訊號處理而獲得到晶 圓放大、轉動及偏移對齊結果，但是，此時，改變表示取 得做爲有效訊號之部分的有效訊號處理窗口寬度WW，以 及介於窗口中央與對齊訊號中央之間的距離WC(處理窗口 中央距離）改變了所取得之晶圓放大、轉動及偏移。因此 ，有效訊號處理窗口寬度WW及處理窗口中央距離WC也 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 1225665 A7 _________ B7_ 五、發明説明（彳8) 能夠變成對齊參數。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在步驟S245中，由對齊檢查裝置3所產生之檢查結 果資料係藉由主電腦4來予以轉移，並且在步驟S250中 ’以在上述步驟S230及S240中所儲存之資料與他們個別 的參數値之間對應的方式而被儲存於資料庫5中。 在步驟S255中，主電腦4爲所指定之晶圓判定藉由 AGA測量所取得之對齊結果（在步驟S205及S215中所取 得之晶圓放大、轉動及偏移）、來自對齊訊號之近似的對 齊結果（在步驟S235中所取得之晶圓放大、轉動及偏移） 與對齊檢查結果之間的相互關係，並且判定目前所設定之 參數値（爲在步驟S250中所討論之特別工作所設定的參數 値）是否提供最佳的曝光結果。更明確地說，使用在步驟 S250中所取得之對齊結果（A)當作基準，主電腦4表示在 步驟S21 5中所取得之對齊結果（B)(真正的測量結果），及 在步驟S235中藉由近似法所取得之對齊結果（C)(所估計 之測量結果）（也就是說，計算在從結果（B)減去結果（A)所 剩下的東西和在從結果（C)減去結果（A)所剩下的東西）， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 能夠知道，假設在步驟S225中所取得之對齊結果係好的 ，目前所設定之參數値係最佳的。況且，如果對齊結果係 最接近於從結果（B)減去結果（A)所剩下的東西，則能夠知 道，在步驟S215中所設定之參數値係最佳的，而且如果 對齊結果係最接近於從結果（C)減去結果（A)所剩下的東西 ，則能夠知道，在步驟S23 5中所設定之參數値係最佳的（ 這未被顯示於圖2中，並且係以此實施例來予以實施的） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） 1225665 A7 B7 五、發明説明（19 ) 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 除此之外，更明確地說，做爲另一方法，主電腦4具 有基準臨界値，用以判定對齊檢查結果是否係適當的，並 且判定如果（i)對齊檢查結果當作由根據對齊結果（A)之 對齊的執行而產生之真正的曝光結果，（Π)可能在曝光 期間根據對齊結果（B)而產生之任何的對齊誤差（公差）， 以及（iii)可能在曝光期間根據對齊結果（C)而產生之任何 的對齊誤差（公差）係在如同由臨界値所建立之容許限度。 應該注意到也可以藉由從對齊檢查結果分別減去（B) - (A)， (C) — (A)而知道上面的（ii)，（iii)，在上面的⑴，（ii)，及（iii) 中，主電腦4然後提取對齊參數値，用以獲得超過此基準 臨界値之結果（但是，其係在容許限度之內），將這些所提 取出之參數値視爲能夠提供最佳的曝光結果。除此之外， 假如用以獲得超過臨界値之結果的多個可能性存在，則主 電腦4決定將最好的結果（對齊結果）提供做爲最佳的對齊 參數之參數，使得在步驟S260中，爲後續的工作（亦即， 爲新的批量或新的晶圓）而設定那些參數。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如果在步驟S255中沒有任何獲得超過基準臨界値之 結果的東西，則主電腦4因爲沒有參數値被設定於步驟 S205，S215及S235中而設定參數値，採取新的AGA測量 ’並且找尋新的可能性，以獲得超過在步驟S260中之基 準臨界値的結果。 藉由重複上面所述的程序，即使在過程中發生改變， 或者如果曝光條件發生改變並且物體暴露出，則爲最初（ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -22 - 1225665 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____ B7 五、發明説明（20 ) 或前一）批量（或者前一晶圓）收集資料，並且，根據該所 收集之資料，能夠選擇最佳的對齊參數値，而且這些經最 佳化之參數値可以爲後續的批量（或後續的晶圓）而能夠被 連續地反射於半導體曝光裝置中。 應該注意到，上面所述的參數最佳化操作能夠適於使 多個參數最佳化，並且這些値能夠被改變於步驟S205及 S215(以及步驟S235)中。除此之外，可以用多個不同的參 數値來實施AGA測量多次以取得多個對齊訊號，使得在 步驟S235中，可以用多個不同的參數値來實施訊號處理 多次以取得多個對齊結果。 依據圖2所示之處理常例，最佳的參數値能夠被取得 並且被設定於大量生產的程序之內，而不需要準備及檢查 除了大量生產程序以外的特別晶圓。如此之能力的優點在 於在生產力上沒有減少，而且有能夠改善半導體曝光裝置 之有效容量的結果。 在前面的敘述中，參考當在步驟S235中測量對齊訊 號時所未被使用之參數的値（訊號處理窗口寬度及訊號處 理窗口中央距離等等）被改變，並且藉由近似法而獲得晶 圓放大、轉動及偏移的情況，但是，也有可能在步驟 S215中實施此近似程序（此時，步驟S235及步驟S240變 成不需要）。 除此之外，在僅當測量對齊訊號時所使用之那些參數 的値被最佳化的情況中，不需要實施步驟S235及步驟 S240 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（21〇χ297公釐） IT] ' "" ------------------裝----：---訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225665 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（21 ) 除此之外，在僅當測量對齊訊號時所未被使用之那些 參數的値被最佳化的情況中，不需要實施步驟3215。 應該注意到，上述對齊參數包含一整體對齊之樣品拍 攝配置，其將如圖1 2 A所示之拍攝A到拍攝L的組合考 慮進去。在此’ ”整體對齊”係指一整體系統’其根據依據 位置資訊之估計計算而從晶圓臺移動至曝光位置’圖1 2 A 係顯示晶圓上之AGA樣品拍攝位置的示意圖。 除此之外，對齊參數也包含記號元件3 2寬度及線寬 ，圖10A及圖10B中所示之對齊記號30的記號元件32 係凹下的，但是，最近的裝置程序使用記號元件3 2，其 中，僅外形輪廓爲凹下的，以便消除從晶圓表面到可能的 範圍之凹狀。爲此原因，如圖12B所示，一記號寬度ML 以及一記號線寬MLW也可以變成對齊參數，記號寬度 ML表示記號元件32在對齊測量方向上的長度，而記號線 寬MLW表示記號元件32之輪廓線的寬度。在此，圖12B 爲記號元件32之示意平面圖。 除此之外，雖然在前面的敘述中，控制的目的爲成半 導體曝光裝置形式之工業設備的對齊，工業裝置的控制並 非限定在這樣的情況，但是，舉例來說，可以適於用以管 理CMP裝置等等之裝置，以及半導體曝光裝置之各種合 成元件’例如（舉例來說），晶圓焦點功能。又，爲了校正 掃描電子顯微鏡等等，本系統及方法能夠被用來使參數最 佳化做爲基準。 如1上所述’依據本實施例之裝置控制系統及控制程序 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（21〇χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 -24 - 1225665 A7 ____ B7 五、發明説明（22 ) ’能夠使參數最佳化，而同時裝置正在操作，因此維持高 的生產力，並且提供優異的所有權成本（CoO)裝置管理。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由上述裝置控制系統及控制程序所控制之曝光裝置能 夠提供提升之真正性能，使其可能改善生產力及良率。 (第二實施例） 現在將提出本發明之第二實施例的敘述，其中，遠端 地接收來自工業裝置的操作結果，並且操作參數被最佳化 以及設定給裝置。 圖3例舉本發明之第二實施例，半導體曝光裝置被安 裝於半導體製造商的工廠（在圖3中，半導體生產設備A， B及C)，並且被用來生產。但是，控制裝置之參數的最 佳化可以藉由半導體生產者、半導體生產設備製造商（亦 即，裝置使用者）、或者做爲顧問之賣主的任一者來予以 實施，在任一情況中，能夠取得有效結果。因爲有賣主與 聞不能讓使用者知道之資訊的情況，所以讓賣主實施參數 控制有時候可能是更有效的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 假如賣主使參數最佳化，則半導體生產者不需要實施 這樣的資料處理，並且產生伴隨之資料庫。替代地，賣主 能夠使用資料通信網路（例如，網際網路或專用線路）來接 收和在遠端位置所含有之設備有關的資訊，存取其本身的 資料庫以將參數微調至最佳狀態，並且在資料通信網路上 重送最近所建立之參數以重新設定設備。 圖3顯示裝置控制系統架構之一例，其使用包含半導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -25- 1225665 A7 _ B7 五、發明説明（23 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 體曝光裝置之半導體生產設備來當作輒子，其中，多個工 廠21，22，23與一位於遠離該群工廠之遠端位置處的賣主 25經由資料通信網路28(例如，網際網路或專用線路）來 予以連接，而該多個工廠21，22，23使包含半導體曝光裝 置之裝置群運行以生產半導體裝置。 工業裝置24a-c，24d-f及24g-i、相關之控制裝置 25 a-c和經由控制裝置25a-c來操作工業裝置之工廠側操 作裝置26a-c被安裝在各個工廠21，22, 23處，爲控制之 目標的工業裝置，舉例來說，可以包含像是半導體曝光裝 置、CVD裝置、光阻劑塗敷裝置、顯影裝置、灰化裝置 、及檢查裝置這樣的半導體生產裝置。但是，習於此技者 可以領會到本發明並不僅限於上面所表列的裝置。 工廠側操作裝置26a-c能夠經由控制裝置25a-c來操 作工業裝置24a-i。 應該注意到，雖然工業裝置24a-i和工廠側操作裝置 26a-c，以及控制裝置25a-c被顯示於圖3中當作構成的分 開單元，但是這些裝置可以被局部組合或全部組合。工廠 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 側操作裝置26a-c典型上當作監視器，用以監視工業裝置 24的操作狀態及檢查參數；以及輸入機構，用以輸入用 來操作工業裝置24之資訊（例如參數、命令、程式等等） ;和執行程式，其控制工廠側操作裝置及控制設備的操作 〇 工廠係設置有工廠資料庫（35a，35b，35 c)，他們被用 來儲存像是工廠側這樣的資訊，希望防止賣主知道秘密， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -26 - 1225665 A7 ____B7__ 五、發明説明（24 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 這樣的資訊，舉例來說，可以包含工業設備的操作歷史及 工廠爲該工業設備所設定之參數。典型上，控制裝置 26a-c禁止賣主25(亦即，經由賣主操作裝置30)對工廠記 憶體進行存取。但是，依據工廠所准予的許可，可以准許 賣主25對儲存在工廠記憶體中的部分或所有資訊進行存 取。 賣主操作裝置（第二操作裝置）30被設置在賣主處，而 賣主係位於遠離工廠21，22, 23之遠端位置處，賣主操作 裝置30經由資料通信網路28而分別連接至工廠21，22， 23的控制裝置26a，26b,及26c，賣主操作裝置30經由控 制裝置來操作工業裝置24a-i，並且能夠取得表示工業設 備之操作條件的資訊。 賣主25經由資料通信網路28而接收到的資訊包含爲 了控制在工廠所個別控制之工業裝置的資訊，以及用以評 估工業裝置之操作條件的管理資料。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 賣主25，舉例來說，可以接收和在公司A之工廠21 的位置之工業裝置24a-c有關的控制資訊，以及根據該控 制資訊，顯示裝置之操作結果的評估値，在該點處，賣主 25判定該控制資訊是否爲適當的資料，而且如果不是則 設定不同的控制資料，用以獲得較好的裝置控制，並且將 該新的控制資訊經由資料通信網路28而傳送至公司A的 工廠21，使得控制裝置26a及操作裝置25a設定新的參數 於工業裝置24a-c中。 賣主操作裝置30包括一個人電腦或工作站，並且相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -27- 1225665 A7 _ B7 _ 五、發明説明（25 ) 對於第一實施例，能夠執行用以使像那些參照圖2所解釋 之指令參數的指令參數最佳化之程序。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用資料通信網路28之通信接著封包通信協定 (TCP/IP)之後，在所給定的公司之內，這些通信可以使用 LAN，而在公司之間，這些通信可以使用網際網路。在半 導體曝光裝置的對齊控制中，舉例來說，對齊訊號經由資 料通信網路28而被傳送至賣主25，並且能夠被處理於賣 主操作裝置30。 賣主操作裝置30典型上用作監視器，用以監視工業 裝置24的操作狀態及檢查參數，並且包含一輸入機構， 用以輸入用來操作工業裝置24之資訊（例如參數、命令、 程式等等），以及一賣主資料庫27，用以判定操作程式及 控制賣主操作裝置30之參數的最佳化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 賣主資料庫27，舉例來說，可以被用來從像是工業 裝置24a-i之操作歷史及由賣主25所設定之用於工業裝 置24的參數這些類型的資料中，儲存被保持機密當作不 會對工廠2 1揭露之特殊技術知識之獨一無二的技術資訊 。典型上，禁止工廠對此記憶體進行存取，賣主25視需 要可以准予工廠21對儲存在賣主記憶體中之部分或所有 的資訊進行存取。 賣主操作裝置30操作一控制器指示單元以及一資訊 控制器，此控制器指示單元設定條件，而在該等條件下， 控制工業裝置24a-i之個人操作設備，且資訊控制器控制 對工廠資料庫35a-c及對賣主資料庫27的存取。賣主操 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28- 1225665 A7 ____ B7 _ 五、發明説明（26 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 作裝置30也依據來自工廠操作裝置25a-c及賣主操作裝 置30之指令來操作工業裝置，而且，能夠收集根據該操 作之操作資訊、根據在賣主資料庫27中所儲存之資訊來 選擇較好的操作條件，及爲工廠處之設備設定最佳的操作 條件。 如上所述，依據本實施例之裝置控制系統及方法，滿 足設備之最高標準性能要求的條件能夠被決定，並且結果 經由資料通信網路28而被傳送至工廠，而且被設定入各 件設備之中，藉以在設備的操作期間，不是藉由固定的參 數，而是藉由調整性能來致能設備操作的控制，並反映在 後續操作的控制中任何對結果的改變。 前面所述敘述了使用上述曝光裝置及裝置控制系統之 半導體裝置生產程序。 圖7係一整個裝置製造程序的流程圖，其使用依據本 發明之實施例的曝光裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此圖形中所示，步驟S1(電路設計）係有關設計半導 體裝置之電路，步驟S2(曝光控制資料生產）係有關根據步 驟S1中所設計之電路圖案來生產曝光裝置用的曝光控制 資料，此時，步驟S3(晶圓生產）係有關使用例如矽等等之 材料來生產晶圓。步驟S4(晶圓處理）被稱爲前處理，並且 係有關使用如上所述所製備之遮罩及外殼，及藉由微影法 來形成真正的電路於晶圓中。後續的S5(組裝）被稱爲後處 理，係有關使用在步驟S4中所生產之晶圓來製作半導體 晶片，並且包含像是組裝（切割、黏合）及封裝（使晶片密 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -29- 1225665 A7 ______B7 五、發明説明（27) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 封）這樣的組裝程序。步驟S6(檢查）係有關測試在步驟S5 中所生產之半導體裝置的操作及可靠度，藉由這樣的步驟 來完成半導體裝置，並且，在步驟S7中，運送至客戶。 前處理及後處理，舉例來說，可以被實施於分開的工廠中 ’在此情況中，在各工廠之裝置如上所述地藉由裝置控制 系統來予以遠端控制的。又，裝置控制用的資訊也可以經 由網際網路或專用的通信網路而被交換於前處理工廠與後 處理工廠之間。 圖8係上述晶圓處理程序之更詳細的流程圖，其使用 依據本發明之實施例的曝光裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此圖形中所示，在步驟S 11 (氧化）中，晶圓的表面 被氧化。在步驟S12(CVD)中，一絕緣膜被覆蓋於晶圓的 表面上。在步驟S13(電極形成）中，電極被蒸氣-形成於晶 圓上。在步驟S14(離子噴射）中，以離子來噴射晶圓。在 步驟S15(光阻劑程序）中，晶圓被塗敷以感光劑。在步驟 S16(曝光）中，使用上面所述之半導體曝光裝置，電路圖 案被鈾刻（曝光）於晶圓的表面上。在步驟S17(顯影）中， 所曝光之晶圓被顯影。在步驟S18(蝕亥11 )中，除了所顯影 之光阻劑影像以外的東西通通被刮除掉。在步驟S 19(光 阻劑剝離）中，既然完成了蝕刻，不再需要的光阻劑被去 除掉。藉由重複這些步驟，多層電路被形成於晶圓上。在 這些步驟中所使用之生產設備係藉由上面所述之裝置控制 系統來予以遠端控制的。結果，即使在生產規格上有各種 的變化，在生產力方面沒有衰退，並且裝置控制參數能夠 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30 - 1225665 A7 ____ B7 五、發明説明（28 ) 被設定，而相較於習知技術，使其可能改善半導體裝置生 產力。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上所述，依據本發明之裝置控制系統及方法，參數 値能夠被最佳化，而同時正在操作裝置，因此維持高的生 產力，並且提供優異的所有權成本（CoO)裝置管理。 由上述裝置控制系統及控制程序所控制之曝光裝置能 夠提供提高的真正性能，使其可能改善生產力及良率。 除此之外，有了在如上所述的某些實施例中之本發明 的遠端控制特性，滿足設備之最高標準性能要求的條件能 夠被決疋’並且結果經由資料通信網路2 8而被傳送至工 廠，而且被設定入各件設備之中，藉以在設備的操作期間 ，不是藉由固定的參數，而是藉由調整性能來致能設備操 作的控制，並反映在後續操作的控制中任何對結果的改變 〇 因爲能夠做成本發明之許多明顯廣泛不同的實施例， 而沒有違離其精神及範疇，所以能夠了解到，除了如在申 請專利範圍中所界定的以外，本發明並不僅限於其特定的 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 例 施 實 準 標 家 國 -國 i中 i用 一適 |釐 公 31