TW521437B - Semiconductor device and process thereof - Google Patents

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521437 -經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 杜 印 製 A7 B7 五、發明說明（i ) 【技術背景】 1 ·發明之技術領域 本發明係關於半導體裝置及其製造方法，尤其關於抑 制驅動能力降低，及提高動作耐壓之技術。 2 ·關連技術之說明 第10圖為用以說明習用半導體裝置之剖面圖。 在第10圖中，51為一種導電型，例如P型之半導體 基板。在該基板51上，隔著閘極氧化膜52形成有閘極53， 且以與該閘極53鄰接之方式形成有單側ldd構造之源極-汲極領域。亦即，第1〇圖所示之半導體裝置具有：在源極 領域側，以與前述閘極53鄰接之方式形成有高濃度（N+型） 之源極領域55，在汲極領域側，以與前述閘極鄰接之 方式形成有低濃度（N-型）之汲極領域54，在該低濃度汲極 項域54内形成有南濃度（N+型）之沒極領域56的單側LDD 構造之源極-沒極領域。 在如上所述之只在〉及極領域側施加高電壓的單側 LDD構k之半導體裝置中，沒極領域側，為了緩和電場之 集中而形成如前所述之以低濃度的汲極領域54包圍高濃 度汲極領域56的構造，使不需高耐壓的源極領域側只有高 濃度之源極領域5 5。 如此構造的半導體裝置，在不動作時的耐壓方面，沒 有什麼特別的問題。但是，在動作時，會發生以下問題。 亦即，在源極領域（射極領域），基板（基極領域），及汲 極領域（集極領域）所形成雙極性（bipolar)構造中，射極領域 G氏張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（210x 297公爱）'J -3ΏΜ5-"" --------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521437 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7___ 五、發明說明（2 ) 由於高濃度的源極領域55露出，所以，載子（carrier)之 植入效率良好’小的基板電流sub)亦極容易使雙極性電 晶體導通。 換言之’為了提高雙極性電晶體之電流增益^，動作 時的沒極耐壓，會比兩側LDD構造之半導體裝置低。 此時’採用常用的兩側LDD構造，電流增益冷降低， 碟可具有财廢’但是，在原本不需耐壓的源極側，亦採用 通常的LDD構造，會如第i 〇圖所示，具有與汲極側相同 的漂移（drift)領域之距離（l)，使導通電阻上升，驅動能力 降低。 【發明之概要】 因此，針對上述課題，本發明半導體裝置的第1個樣 態，係具有以與在一導電型半導體基板上隔著第i及第2 閘極氧化膜而形成的閘極鄰接之方式形成的逆導電型的低 濃度及兩濃度之源極-汲極領域，其特徵在於：低濃度源極 -汲極領域之擴散領域寬度，源極領域側係至少比汲極領域 側窄，兩濃度之源極領域係以與前述閘極之一端鄰接之方 式形成，且尚濃度汲極領域係與前述閘極之另一端隔著預 定間隔而形成。 至於，其製造方法則包括：形成在前述基板上之源極 形成領域上具有第1開口，而在汲極形成領域上具有比前 述第1開口寬的第2開口之第！光阻(ph〇t〇-resist)膜，以 該第1光阻膜為光罩進行離子植入，在前述基板植入逆導 電型之第1不純物後，使該不純物擴散而形成逆導電型低 I ϋ ϋ 1· II ϋ n I βϋ n · n n l_i ·ϋ ϋ 11 *ϋ 一 ，a n ϋ n n an n ϋ I L i'* 口 冬 ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐" 2 312865 521437 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 五、發明說明（3 ) 濃度之源極-汲極領域。然後，以形成於前述基板上之耐氧 化性模為光罩進行選擇氧化’於預定領域形成元件分離膜 並形成第1閘極氧化膜後，再於在該元件分離膜及第1間 極氧化膜以外之領域形成第2閘極氧化骐，然後形成從該 第1閘極氧化膜跨至第2閘極氧化膜上之閘極。接著，形 成在前述低濃度源極領域上具有第3開口，在前述低濃度 汲極領域上離開前述閘極之另一端的領域上具有第4開〇 的第2光阻膜後，以該第2光阻膜、前述閑極、前述元件 分離膜及前述第1閘極氧化膜為光罩進行離子植入，在前 述基板植入逆導電型第2不純物而形成逆導電型之高濃度 源極-沒極領域之步驟。 該形成前述低濃度源極-汲極領域之步驟，係以磷離子 所成之前述第1不純物做離子植入並使之擴散而成，形成 咼濃度源極-汲極領域之步驟，係以砷離子所成之前述第2 不純物做離子植入而成。 如此’可在低濃度之源極領域内的極近旁，形成高濃 度之源極領域，在所謂的LDD構造的低濃度領域内以保持 漂移領域之距離的狀態，形成高濃度者低相比，可抑制其 驅動能力的降低，並提高動作時的汲極耐壓。 本發明半導體裝置之第2個樣態，係具有在一導電型 之半導體基板上隔著第1及第2閘極氧化膜而形成的問 極’及以與該閘極鄰接之方式形成的逆導電型之低濃度及 高濃度之源極-汲極領域，其特徵在於：具備以與前述低濃 度及高濃度源極領域鄰接之方式形成的一導電型之低濃产 本紙張尺度適用中關家標準（_CNS)A4規格⑵Gx 297公餐) 3 3m65---- -------------裝.-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521437 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（4 j 領域及高濃度領域。 至於其製造方法，則包括：形成在前述基板上之源極-汲極形成領域上具有開口的光阻膜，以該光阻膜為光罩進 灯離子植入’在前述基板植入逆導電型之第1不純物而形 成第1不純物植入領域。然後，形成在前述基板上的前述 源極形成領域近旁具有開口的第2光阻膜，以該光阻膜為 光罩進行離子植入，在前述基板植入一導電型之第2不純 物而形成第2不純物植入領域。接著，使前述第1、第2 不純物擴散而形成逆導電型低濃度之源極_汲極領域，並形 成鄰接該低濃度的源極領域之一導電型低濃度領域。然 後，以形成於前述基板上之耐氧化性膜為光罩進行選擇氧 化，在預定領域形成元件分離膜並形成第1閘極氧化膜 後，在該，件分離膜及帛1閘極氧化膜以外之領域，形成 第2閘極氧化膜，再形成從前述第^間極氧化膜跨至第2 間極氧化膜上之閑極。χ，形成在前述基板上的高濃度源 極I極形成領域上具有開口的第3光阻膜，以該光阻膜、 前述閑極、前述元件分離膜及前述第i閘極氧化膜為光罩 進行離子植入，在則述基板植入逆導電型之第3不純物， 而以與前述閘極之一端部鄰接‘ ’州禪之方式在别述低濃度之源極 領域内的極近旁形成逆導電型高濃度之源極領域，並在離 開刖述閘極之$ $部的領域形成逆導電型高濃度之汲極 領域。然後，形成在前述一導電型之低濃度領域上具有開 口的第4光阻膜後’以該光阻“光罩進行離子植入，在 ，述基板植入一導電型丄第4不純物，而於前述低濃度領 ^纸張尺度適时關家鮮（CNS)A4規⑵ “I、 4 312865 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

訂---------線J 521437 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 312865 A7 五、發明說明（5 域内形成一導電型之高濃度領域之步驟。 此時’形成前述逆導電型之低濃度源極領域及前述一 導電型之低濃度領域之步驟，係以同一擴散步驟使植入前 述基板的導電型不同之第1及第2不純物同時擴散。 以此，以與逆導電型之高濃度源極領域鄰接之方式形 成一導電型之咼？農度領域，可使源極領域近旁之電位更強 固固定’可使其不易產生因基板電流而引起的雙極性動 作。而且，以分別包圍逆導電型高濃度之源極領域及一導 電型之高濃度領域之方式形成逆導電型之低濃度源極領域 及一導電型之低濃度領域，且使擴散深度Xj形成至彼此相 同的深度’所以可抑制達到基板較深處的源極領域近旁之 電位，使電位固定。 【圖式簡單說明】 第1圖為表示本發明第！實施形態之半導體裝置及製 造方法之剖面圖。 丨第2圖為表示本發明第1實施形態之半導體裝置及製 造方法之剖面圖。 第3圖為表示本發明第1實施形態之半導體裝置及製 造方法之剖面圖。 第4圖為表示本發明第i實施形態之半導體裝置及製 造方法之剖面圖。 第5圖為表示本發明第2實施形態之半導體裝置及製 造方法之剖面圖。 第6圖為表示本發明第2實施形態之半導體裝置及製 (cns)a4 ^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521437 A7 五、發明說明（ 造方法之剖面圖。 第7圖為表示本發明第2實施形態之半導體裝置及製 造方法之剖面圖。 第8圖為表示本發明第2實施形態之半導體裝置及製 造方法之剖面圖。 第9圖為表示本發明第2實施形態之半導體裝置及製 造方法之剖面圖。 第10圖為表示習知半導體裝置之剖面圖。 【符號說明】 11 51半導體基板 2、7、13、21、22 光阻膜 13A低濃度源極領域3B、13B、54低濃度汲極領域 第1閘極氧化膜4B、15B元件分離膜 第2閘極氧化膜6、17、53 閘極 8B、18A、55 高濃度源極領域 18B、56 高濃度汲極領域

3A 4A

8A 8B f請先閱讀背面之注*事項再填寫本頁) .¾ tr---------線—一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12 第1不純物植入領域 14 低濃度P型領域 15A 第1閘極氧化膜 16 第2閘極氧化膜 19 高濃度P型領域 52 閘極氧化膜 【本發明之實施形態】 以下參照附圖，說明本發明半導體裝置及其製造方法 的第1實施形態。本發明半導體裝置係如第4圖所示，在一導電型，例 如p型之半導體基板i上，以從第1閘極氧化膜4八跨至 Μ氏張尺度適用尹國國家標準（Cns)A4規格（2】0>< 297公釐） n n n n - 521437 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（7 第2閘極氧化膜5的方式形成閘極6。以與前述閘極6之 一端（第1閘極氧化膜4A之一端部）鄰接的方式形成低濃度 (LN型）之源極領域3A，並在該低濃度源極領域3a内之 極近旁形成高濃度（N+型）之源極領域8A。然後，以與前述 間極6之另一端（第丨閘極氧化膜4A之另一端部）鄰接之方 式形成低濃度（LN型）之汲極領域3B，並以與該低濃度汲 極領域3B内之刖述第1閘極氧化膜4A之一端部鄰接之方 式形成高濃度（N+型）之没極領域8B。 如上所述之本發明的半導體裝置的特徵在於：低濃度 源極-汲極領域3A及3B之擴散領域寬度，源極領域側係 至少比汲極領域側窄；高濃度源極領域8A係形成於源極 領域3A内之極近旁。 採用如此構成，與以往源極_汲極領域具有略對稱低濃 度源極-汲極領域的LDD構造之半導體裝置相比，因為沒 有漂移領域，所以可抑制其驅動能力之降低，而可只降低 電ML增盈点。從而，提高動作時之沒極耐壓。 以下參照附圖，說明上述半導體裝置之製造方法。 百先，如第1圖所示，以在p型半導體基板上形成之 光阻膜（PR)2為光罩，以離子植入方式植型不純物， 並在去除該光阻膜2後，使前述不純物熱擴散，形成低濃 度N型（LN型）之源極·汲極領域3 a、3B。此時，如第工 圖所示，前述光阻膜2採用其源極形成領域之開口寬度至 少比汲極形成領域之開口寬度窄者，以離子植入方式將磷 離子以約lOOKeV之加^電壓，及約6xlo〇12/cm2的植入量 本紙張&度適种關雜準（CNS)A4規格 ---------------------訂·--------*5^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 312865 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521437 A7 B7 五、發明說明（8 ) 植入後，施行1100°C，4小時之熱擴散處理。 其次，如第2圖所示，在前述基板1上，形成圖中未 顯示之在焊墊（pad)氧化膜及預定領域（第1閘極氧化膜形 成領域及元件分離膜形成領域）上具有開口之作為耐氧化 性膜的氮化矽膜後，以該氮化矽膜為光罩，以熟知的 LOCOS法選擇氧化，分別形成約i000nm膜厚之第1閘極 氧化膜4A及元件分離膜4B。再於去除前述焊墊氧化膜及 氮化矽膜後，於沒有形成前述第1閘極氧化膜4A及元件 分離膜4B之基板1上進行熱氧化，形成約15〇 nm膜厚之 第2閘極氧化膜5。然後，在前述基板J上形成約4〇〇 nm 膜厚之多晶矽膜，該多晶矽膜經導電化處理後，以圖中未 示出之光阻膜為光罩進行圖案（pattern)化，形成從前述第1 閘極氧化膜4A跨至第2閘極氧化膜5的閘極此時，可 去除形成閘極6以外之基板1上的第2閘極氧化膜5。 再如第3圖所示，以形成於前述基板〗上的光阻膜7 為光罩進行離子植入，以與前述閘極6之一端部鄰接的方 式將N型不純物植入，再以離開前述閘極6之另一端部且 與前述第1閘極氧化膜4A之一端部鄰接之方式植入N型 不純物，在前述低濃度源極領域3A内之極近旁，形成高 濃度（N+型）之源極領域8A，並以與前述低濃度汲極領域 3B内的前述第丨閘極氧化膜4A之一端部鄰接之方式形成 高濃度（N+型）之汲極領域8B。此時，以離子植入方式將砷 離子以約8〇KeV的加速電壓，及約6xl〇1Vcm2的植入量 植入0 -------------% (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂---------線J 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 312865 521437 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（9 ) 於是’除去前述光阻膜7後之半導體裝置就如第4圖 所示。以下的步驟（省略圖示），係在全面形成層間絕緣膜， 並以與前述源極-汲極領域接觸的方式在該層間絕緣膜形 成接觸孔後，經過該接觸孔形成源極_汲極。 上述本發明之製造方法，可在如前述的形成於前述基 板1表層的低濃度源極領域3 A之極近旁，形成高濃度之 源極領域8A(不具有第1〇圖所示的漂移距離（L))。如此， 即可防止以往兩側LDD構造的半導體裝置，因漂移領域之 距離（L)所引起之驅動能力降低（導通電阻上升）的問題，而 可只降低電流增益点。從而，可提高動作時的汲極耐壓。 又，本實施形態雖以本發明適用於N通道 MOS電晶體之例說明，但亦適用於p通道型M〇s電晶體。 以下參照附圖，說明本發明半導體裝置及其製造方法 之第2實施形態。 本發明半導體裝置係如第9圖所示，在一導電型，例 如P型之半導體基板11上形成從第j閘極氧化膜15八跨 至第2閘極氧化膜1 6之閘極1 7。並以與閘極1 7之一端（第 2閘極氧化膜16之一端部）鄰接之方式形成低濃度（LN型） 之源極領域13A，並在該低濃度源極領域nA内之極近旁 形成南濃度（N+型）之源極領域1 8A。再以與前述閘極1 7 之另一端（第2閘極氧化膜16之另一端部）鄰接之方式形成 低濃度（LN型）之汲極領域13B，以與該低濃度汲極領域 13B内之前述第丨閘極氧化膜15A之一端部鄰接之方式形 成高濃度（N+型）之汲極領域18B。然後，為本發明之特徵f 本紙張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐) ^~ --77^---- ^ 312865 m H —15 n I— I n i^i m .^1 n n I 1 I I -1 - — - - i m 一 口， ϋ ί — - - -- - - - - - m I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521437 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 作 社 印 製 A7 —_—_ _B7 五、發明說明（1〇) 以與前述低濃度之源極領域13A鄰接之方式形成一導電型

(LP型）之低濃度領域14，以與前述高濃度之源極領域18A 鄰接之方式形成一導電型（P+型）之高濃度領域19。 於是’採用上述構成，因為與以往具有與源極-汲極領 域略對稱之低濃度源極-汲極領域的LDD構造之半導體裝 置相比’不具有漂移領域，所以可抑止其驅動能力之降低， 而可只降低電流增益万。從而，可提高動作時的汲極耐壓。 而且’以與高濃度（N+型）之源極領域18A鄰接之方式 形成一導電型（P+型）之高濃度領域19，所以可使源極領域 近旁之電位更強固固定，而不易因基板電流而引起雙極性 動作。 而且，以分別包圍高濃度（N+型）之源極領域i8a及一 導電型（p+型）之高濃度領域19的方式形成低濃度（ln型） 之源極領域13 A及一導電型（LP型）之低濃度領域14，且 如後述施行同一熱處理，將擴散深度Xj形成至彼此相同的 深度，因此可抑制達到基板之較深處之源極領域近旁的電 位，而可更加固定電位。 以下，參照附圖，說明上述半導體裝置之製造方法。 首先，如第5圖所示，以在P型半導體基板u上形 成之光阻臈為光罩，以離子植入方式植入不純物而形成/不 純物植入領域。又，第5圖表示’以使源極形成領域側之 開口寬度至少比汲極形成領域之開口寬度窄之方式形成光 阻膜，以此光阻膜為光罩’再以離子植入方式將鱗離子以 約lOOKeV之加速電麼，及6X l〇〇〗2/cm2之植入量植入， 1本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Gx 297公爱） 10 312865 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521437

形成第1不純物植入領域12後，再形成第2不純物植入領 域14A之製造步驟。亦即，表示在形成第1不純物植入領 域12後，以在第2不純物植入形成領域上具有開口的光阻 膜（PR)13為光罩，以離子植入方式將_ +_ % 0 之加速電壓，及約Κ9Χ 100i3/cm2之植入量植入，形成第2 不純物植入領域14之狀態。 接著，如第6圖所示，在去除前述光阻膜（pR)i3後， 施行前述磷離子及硼離子之熱擴散，形成低濃度（ln型） 之源極-汲極領域13A , 13B ,並以與該低濃度（LN型）之源 極領域13A鄰接之方式形成一導電型（Lp型）之低濃度領域 (低濃度之P型領域）14。此時，因係同一熱處理，所以低 濃度（LN型）之源極領域13A與一導電型（lp型）之低濃度 領域14，形成至擴散深度Xj彼此相同之深度。此時，再 施行11 00°C，4小時之熱擴散處理。 其次，如第7圖所示，在前述基板丨丨上形成圖中未顯 示之在焊墊氧化膜及預定領域（第丨閘極氧化膜形成領域 及元件分離膜形成領域）具有開口之作為耐氧化性膜之氮 化矽膜後，以該氮化矽膜為光罩，以眾所周知之LOCOS 法選擇氧化’分別形成約l〇〇〇nm膜厚之第1閘極氧化膜 15A及元件分離膜15B。然後，於去除前述焊墊氧化膜及 氮化矽膜後’在未形成前述第1閘極氧化膜丨5 A及元件分 離膜15B之基板11上，以熱氧化形成約i5〇 nm膜厚之第 2閘極氧化膜16。然後，在前述基板丨丨上，形成約4〇〇 膜厚之多晶石夕膜’該多晶石夕膜經導電化處理後，以圖中未 --------------裝·！ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· -丨線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 11 312865 521437 A7

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（13 ) 述基板1表層的低濃度源極領域i 3 A内之極近旁，形成高 濃度之源極領域18A(不具有如第1〇圖所示之漂移領域的 距離（L))，而防止可在以往兩側LDD構造半導體裝置見到 的，因漂移領域的距離（L)所引起的驅動能力降低（導通電 阻上升）的問題，而可只降低電流增益石。從而，可提高動 作時的沒極耐壓。 而且，以分別包圍高濃度（N+型）之源極領域18A及一 導電型（p+型）之高濃度領域19的方式形成低濃度（LN型） 之源極領域13A及一導電型（LP型）之低濃度領域14A，可 使達到基板較深處之源極領域近旁之電位更強固固定，而 不易因基板電流而引起雙極性動作。 進一步說，在所謂單側LDD構造的半導體裝置中，即 使只以與高濃度（N+型）之源極領域18A鄰接之方式形成一 導電型（P+型）之南濃度領域19，亦可使源極領域近旁之電 位固定，而不易因基板電流而引起雙極性動作。 綜上所述，本發明可在低濃度之源極領域内之極近 旁’形成高濃度的源極領域（沒有以往的漂移領域的距 離），而防止存在於以往的兩側LDD構造的半導體裝置， 因漂移領域的距離而引起之驅動能力降低之問題，而可只 降低電流增益/9，使動作時的汲極耐壓提高。 且，以與逆導電型之高濃度源極領域鄰接之方式形成 一導電型之高濃度領域，所以可固定源極領域近旁之電 位’而不易引起因基板電流所導致之雙極性動作，可提高 動作時之汲極耐壓。 --------^ --------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 五、發明說明（14) 又，以分別包圍逆導 ^之向濃度領域的方i泌、 τ^濃度源極領域及^一導電 y戍逆遂 一導電型之低濃度領域 等電型低濃度之源極領域及 領域近旁之電…所以可使達到基板較深處的源極 更強固固定，而不容易引起因基板電流 致之雙極性動作。 ------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

—訂---------線J 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（cns)a4規格（21〇χ 297公爱） 14 312865

Claims (1)

1. 521437 綠濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1· 一種半導體裝置，具有在一導電型之半導體基板上隔著 第1 '第2閘極氧化膜而形成的閘極，及以與該閑極鄰 接之方式形成的逆導電型之低濃度及高濃度之源極·汲 極領域，其特徵在於： 低濃度源極-汲極領域之擴散領域寬度，源極領域 側係至少比汲極領域側窄。 2· —種半導體裝置，具有在一導電型之半導體基板上隔著 ► 第1、第2閘極氧化膜而形成的閘極，及以與該閘極鄰 接之方式形成的逆導電型之低濃度及高濃度之源極_汲 極領域，其特徵在於：具備 以與前述閘極的兩端鄰接且其擴散領域寬度，源極 領域側至少比汲極領域側窄之方式形成的低濃度源極-汲極領域；以及 以與前述閘極之一端鄰接之方式形成的高濃度源極 領域，及以與前述閘極之另一端隔有預定間隔之方式形 I 成的高濃度汲極領域。 3. —種半導體裝置之製造方法，包括： 形成在一導電型之半導體基板上之源極形成領域 上具有第1開口，在汲極形成領域上具有比前述第i開 口寬之第2開口的第1光阻膜之步驟； 以前述第1光阻膜為光罩進行離子植入，在前述基 板植入逆導電型之第丨不純物後，使該不純物擴散而形 成逆導電型之低濃度源極_沒極領域之步驟； 以形成於前述基板上之耐氧化性膜為光罩進行選 ^--------^---------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度·巾_家標準（⑶S)A4規格（21〇 X 297公爱） 15 312865 521437 A8S5D8 t'申請專利範圍 ''_ 擇軋化’在預定領域形成元件分離膜並形成第！閘極負 化膜後，在該元件分離膜及第i閘極氧化膜以 成第2閘極氧化膜之步錄； ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成從前述第1閘極氧化膜跨至第2閘極氧化膜上 之閘極的步驟； 、 形成在前述低濃度源極領域上具有第3開口，在矿 述低濃度汲極領域上離開前述閘極之另一端部的領域別 上具有第4開口的第2光阻膜之步驟；以及 以則述第2光阻膜、前述閘極·、前述元件分離膜及 前述第1閘極氧化膜為光罩進行離子植入，在前述基板 植入逆導電型之第2不純物而形成逆導電型之高濃^ 源極·没極領域之步驟。 4,依據申請專利範圍第3項之半導體裝置之製造方法，其 中，形成前述低濃度源極_汲極領域之步驟，係以磷離 子所成之前述第1不純物做離子植入，再使之擴散而 成，形成高濃度源極-汲極領域之步驟，係以坤離子所 成之前述第2不純物做離子植入而成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5· —種半導體裝置，具有在一導電型之半導體基板上隔著 第1、第2閘極氧化膜而形成的閘極，及以與該閑極鄰 接之方式形成的逆導電型之低濃度及高濃度之源極_及 極領域其特徵在於：具備 以與低濃度及南濃度之源極領域鄰接之方式形成 的一導電型之低濃度領域及高濃度領域。 6·如申請專利範圍第5項之半導體裝置，其中，前述逆導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 312865 521437 A8SC8D8 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 電型之低濃度源極領域與前述一導電型之低濃度領 域，係使植入前述基板之導電型不同的_2種不純物同時 擴散而成。 7· —種半導體裝置之製造方法，包括： 形成在一導電型之半導體基板上之源極-汲極形成 領域上具有開口的第1光阻膜，以該光阻膜為光蕈進行 離子植入，在前述基板植入逆導電型之第1不純物而形 > 成第1不純物植入領域之步雜； 在前述基板上的源極形成領域近旁具有開口的第2 光阻膜，以該光阻膜為光罩進行離子植入，在前述基板 植入一導電型之第2不純物而形成第2不純物植入領域 之步驟； 使前述第1、第2不純物擴散而形成逆導電型之低 濃度源極-汲極領域，並形成鄰接該低濃度之源極領域 之一導電型之低濃度領域之步驟； _ 以形成於前述基板上的財氧化性膜為光罩進行選 擇氧化，於預定領域形成元件分離孩並形成第1閘極氧 化膜後，於該元件分離膜及第1閘極氧化膜以外領域形 成第2閘極氧化膜之步驟； 形成從第1閘極氧化膜跨至第2閉極氧化膜上之閘 極的步驟； 在前述基板上的高濃度源極-汲極形成領域上具有 開口之第3光阻膜之步驟； 以前述第3光阻膜、前述閘極、前述元件分離膜及 ____I I ! I____I I --I JCV 、齊.41^37 資 ti荑 ml· 露 > 訂： •線. 本紙張尺度適用中國國家“準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 17 312865 521437 tl C8 —---- -D8____ 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 則述第1閘極氧化膜為光罩進行離子植入，在前述基板 植入逆導電型之第3不純物，而以與前述閘極之一端部 鄰接之方式在前述低濃度源極領域内之極近旁形成逆 導電型之高濃度源極領域，並在離開前述閘極之另一端 部的領域形成逆導電型之高濃度汲極領域之步驟；以及 形成在前述一導電型之低濃度領域上具有開口之 第4光阻膜，再以該光阻膜為光罩進行離子植入，在前 述基板植入一導電型之第4不純物，而在前述低濃度領 域内形成一導電型之高濃度領域之步驟。 8·如申請專利範圍第7項之半導體裝置之製造方法，其 中’形成前述逆導電型之低濃度源極-汲極領域與前述 一導電型之低濃度領域之步驟，係以同一搔散步驟使植 入前述基板之不同導電型之第1及第2不純物同時擴 散。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9.如申請專利範圍第8項之半導體裝置之製造方法，其 中’形成前述逆導電型之低濃度源極-汲極領域之步 驟，係以磷離子所成之前述第1不純物做離子植入並使 之擴散者，而形成一導電型低濃度領域之步驟，為以硼 離子所成之第2前述不純物做離子植入並使之擴散 者。 10·如申請專利範圍第7項之半導艘裝置之製造方法，其 中’形成前述逆導電型之低濃度源極-汲極領域之步 驟’係以雄離子所成之前述第1不純物做離子植入並使 之擴散者，形成一導電型之低濃度領域之步驟，係以硼 本紙張尺度細+關家鮮（CNS)A4規格(21G X 297公爱) " Ϊ8 —312865 521437 A8 i v ___ D8 _ 六、申請專利範圍 離子所成之前述第2不純物做離子植入並使之擴散 者，形成前述高濃度源極-汲極領域之步驟，係以砷離 子所成之前述第3不純物做離子植入者，而形成前述一 導電型高濃度領域之步驟，係以二氟化硼離子所成之前 述第4不純物做離子植入者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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