TW508477B - Exposure apparatus, semiconductor device and photomask - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508477 ΚΙ Β7_____ 五、發明說明（1 ) 【技術領域】 本發明係有關曝光裝置，半導體裝置及光罩，尤其將 氟雷射光作爲曝光光源使用製造具有線寬爲丨〇 〇 nm以 下之微細圖案之積體電路所構成之半導體裝置所用之曝光 裝置，由其曝光裝置所得到之半導體裝置，及光罩。 【背景技術】 從以往，於光刻成像（p h 〇 t ο 1 i t h 〇 g r a p h y )技術，廣泛 利用在晶圓上轉印微細電路圖案製造由積體電路所構成之 半導體裝置所用之曝光裝置。隨著積體電路之高積體化及 高機能化，於曝光裝置爲了描繪線寬更窄之微細電路圖案 ，要求以深焦點深度將高解像度之電路圖案成像於晶圓上 而推動著曝光光源之短波長化。曝光光源係從習知之g線 (波長436nm)或i線（波長365nm)進展，而 擬使用Kr F準分子雷射（波長248 nm)或A r F準 分子雷射（波長1 9 3 n m )。又，作爲需要描繪更微細 之1 0 0 n m以下線寬之下世代光源舉出以氟雷射（波長 1 57nm)爲補。在將Kr F準分子雷射或Ar F準分 子雷射作爲光源之曝光裝置之光學系，從紅外區域及至真 空紫外區域之廣範圍之波長區域，因優於透明，而熱膨脹 係數極小優於尺寸安定性，高純度等之諸項特性，使用合 成石英玻璃。但是，使用於K r F準分子雷射或A r F準 分子雷射之〇Η含量爲多之合成石英玻璃’係在波長 1 6 5 nm以下之波長區域之透過率爲低，被認爲下世代 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ϋ ϋ 91 n ϋ cl ϋ n n I Bn n ϋ n n ti n JrJi ϋ n n I- n n I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ 508477 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2 ) 之光源之氟雷射爲不適用。 又，爲了提升於波長1 6 5 nm以下之波長區域之透 過率減低Ο Η含量之合成石英玻璃，係從透過光之波長 1 7 0 nm附近隨著變成短波長，其透過率會急驟減少。 因此，將氟雷射爲光源使用之曝光裝置作爲光學構件 使用合成石英玻璃時，改善其透過率成爲重要課題。 又，曝光裝置之光學系，係由多數之透鏡，稜鏡等之 光學構件組合所構成。因此，光學構件之每一片或1個之 透過率之提升，由全體光學系來累積時，將可提升大的透 過率。 但是，改善在屬於氟雷射之波長區域之波長1 6 5 n m以下之波長領域之透過率，將氟雷射作爲光源之曝光 裝置之光學構件可適用之合成石英玻璃有效率且簡便地製 造之方法尙未有人提案，在開發下世代之曝光裝置上成爲 大的課題。 本發明之目的係提供一種將氟雷射光作爲曝光光源而 製造具有線寬爲1 0 0 nm以下之微細圖案之積體電路之 半導體裝置之曝光裝置及由其曝光裝置所得到之半導體裝 置。 本發明之目的係提供一種使用於將氟雷射作爲光源之 曝光裝置，在晶圓上形成線寬1 〇 〇 nm以下之微細圖案 有用之光罩。 【發明之揭示】 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------—,--κ----^---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 508477 A7 B7___ 五、發明說明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係將氟雷射（以下，稱爲「F 2雷射」）作爲光 源使用’將構成曝光光源系，照明光學系及投影光學系之 光學構件之至少一個由光學構件用合成石英玻璃所形成而 成之曝光裝置，提供一種上述光學構件用合成石英玻璃， 爲於波長1 5 7 nm之吸收係數爲〇 · 7 0 cm·1以下之曝 光裝置。 又，本發明係將F 2雷射作爲光源使用之曝光光源系， 照明光學系，及投影光學系所構成之光學構件之至少1個 由光學構件用合成石英玻璃所形成而成之曝光裝置，而提 供一種對於上述光學構件用合成石英玻璃其Ο Η含量爲 5 0 0 p pm以下，且氫分子含量爲1 X 1 〇 "個/cm3 以上之合成石英玻璃，具有照射波長1 8 0 nm以下 之真空紫外光改善波長1 6 5 nm以下之波長區域透過率 製程之製造方法所得到之曝光裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明人等，係將波長1 5 7 n m之F 2雷射作爲光源 使用之曝光裝置，分別作爲構成曝光裝置之曝光光源系， 照明光源系，光罩及投影光學系所構成之光學構件，對於 F 2雷射要求具有高透過率，發現了於波長1 5 7 nm之吸 收係數在0.70cm“爲有效。尤其於波長157nm之 吸收係數爲0 · 3 0 c m 〃爲較佳。 又，發現了光學構件，係依據S i OH之伸縮振動之 紅外吸收尖峰具有約略3 6 4 0 c m “爲有效。 本發明係作爲光學構件之一，提供一種使用於波長 157nm之吸收係數爲0 · 70cm“以下，且，依據 氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 508477 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) S i Ο Η伸縮振動之紅外吸收尖峰具有約略3 6 4 0 c m -1 之光學構件用合成石英玻璃之光罩。 又，本發明係提供一種OH含量爲5 0 p pm以下， 且對於氫分子含量爲1 X 1 0 17/cm3以上之合成石英玻 璃，照射波長1 8 0 n m以下之真空紫外光具有改善波長 1 6 5 nm以下之波長區域之透p率之製程之製造方法所 得到之光學構件用合成石英玻璃之光罩。 【實施發明之最佳形態】 於本發明，所謂光罩係指在透明基材表面配設有對應 於形成在晶圓上之電路圖案之圖案，使用於光刻成像用曝 光裝置（例如步進機（stepper)，掃描器等），也稱爲光 罩（光柵reticule)。於本發明，使用光學構件用合成石英 玻璃之所謂光罩或光柵，係指具有由光學構件用合成石英 玻璃所構成之透明基材，在表面配設有對應於形成於晶圓 上之電路圖案之圖案者。 又，本發明人等，係爲了改善將F 2雷射作爲光源之曝 光裝置之光學構件所使用之合成石英玻璃之波長1 6 5 n m以下之透過率，發現了對於控制◦ Η含量及氫分子含 量之合成石英玻璃照射處理波長1 8 0 nm以下之真空紫 外光爲有效。 於是檢討了照射處理前之合成石英玻璃（以下’稱「 照射前合成石英玻璃」）之OH含量及氫分子含量，對於 照射處理後之合成石英玻璃之波長1 6 5 nm以下之透過 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------1#?裝！|卜---訂------7!華· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 508477 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明§ ) 率所發生之影響。其結果，照射前合成石英玻璃中之〇Η 含量爲對於真空紫外區域之光透過性發生影響，〇Η含量 愈高光透過率會降低，但是若5 0 p pm以下時，藉由真 空紫外光之照射就可改善波長1 6 5 nm以下之透過率， 尤其3 0 p pm以下（更低爲1 〇p pm以下）時，發現 了對於波長1 6 5 nm以下之透過率之改善爲有效。 又，照射前合成石英玻璃中之氫分子，係具有抑制由 於紫外線照射之缺陷發生之作用，倘若氨分子含量爲1 X 1 0 17個/cm3以上時，發現了對於波長1 6 5 nm以下 之透過率之改善有效。尤其若具有1 X 1 〇 18個/cm3以 上時，從作爲光學構件用合成石英玻璃所使用時之耐紫外 線性（由於紫外線照射而透過率不會顯著降低之性能）之 觀點來說爲較佳。 又，於本發明，照射前合成石英玻璃，實質上不含有 還原型缺陷較佳。於本發明，所謂還原型缺陷係指ξ S i 一 S i三，具有以波長1 6 3 n m爲中心之吸收帶。於 16 3nm之內部透過率Ti63(%/cm)，係由合成石 英玻璃中之Ο Η含量C oh ( p p m )可從下式（1 )推測 〇

Ti63(%/cm)^ exp(-0.02COH〇.B5) X 100 ( 1 ) 於本發明，所謂實質上不含有還原型缺陷，係表示滿 足關於在16 3 nm之內部透過率之（式）1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I ϋ I n i 1 mmmmmm I ϋ· n n I * n n n ϋ n n —i )11一 I a··· aw mmmi Mn mm wm mm·· I i _ -I - 1:口 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508477 A7 B7__ 五、發明說明P ) 但是，若有還原型缺陷時，因具有1 6 3 nm爲中心 之吸收帶，於實際波長1 6 3 n m之透過率（T 163 )將變 成爲較式（1 )之右邊値爲小。於是，實質上不含有還原 型缺陷時，於波長1 6 5 n m以下欲得到高透過率爲有效 〇 在照射前合成石英玻璃中，也可含有氟。若照射前合 成石英玻璃中含有氟時，氟將可降低照射前合成石英玻璃 中之不安定構造，對於波長1 6 5 nm以下之透過率改善 爲有效。照射前合成石英玻璃中之氟含量爲1 〇 〇〜 2000ppm較佳。更佳爲100〜600ppm之範 圍。 照射前合成石英玻璃中之鹼金屬，鹼土金屬，過渡金 屬（transit metal )等之金屬雜質，不僅是從紫外區域到真 空紫外區域之透過率，也會變成降低耐紫外線性之原因， 所以其含量儘量少較佳。具體上金屬雜質之合計量爲 lOOppb以下，尤其50ppb以下更佳。 作爲照射前合成石英玻璃之製造方法，若是〇 Η含量 及氫含量可位於前期既定之範圍之製造方法，則不特別加 以限定。例如，可舉出直接法，灰化（soot )法）（ V A D法，〇V D法），電漿法等。從製造時之溫度低， 氯及可避免金屬等雜質之摻混之觀點下，灰化法尤其較佳 〇 所照射之真空紫外光之波長爲1 8 0 n m以下，較佳 爲1 7 5 nm以下。又，真空紫外光係也可以爲連續光， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） l!l····裝 i !l·!丨訂------7!. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 508477 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明？) 或單色光。欲照射之真空紫外光之強度爲lm J/cm 2 以上較佳。欲在更短時間得到效果時則具5 m J / c m 2以上較佳。照射時間係依所使用之光源適當地決定。 總照射能量爲1 0 0 0 m J / c m 2以上，尤其3 0 0 0 mJ/cm2以上較佳。 照射處理之雰圍，若在雰圍中含有氧分子，水分等時 因會吸收真空紫外光，所以成爲氮雰圍或氦雰圍等較佳。 作爲真空紫外光源之具體例則可舉出將氙爲媒質之氙 準分子燈（主波長17 2 nm)，將氟爲媒質2F2雷射（ 主波長1 5 7 nm)等。及至廣範圍之領域需要改善波長 1 6 5 n m以下之透過率時，氙準分子燈爲較佳。又，從 生產力之觀點則F 2雷射較佳。 照射處理，係欲將合成石英玻璃成爲光學構件可在所 經過之各製程之前後任一階段進行都可以。按，所謂各製 程係指加熱製程，切斷製程，硏磨製程，或光製製程。也 可以成爲光學構件完成之後進行照射處理。又，照射處理 也可只在光透過領域（相當光線所透過光徑之領域）進行 〇 茲依據第1圖所示本發明之曝光裝置之實施態說明本 發明如下。但是，第1圖係表示本發明之曝光裝置一例之 槪略圖，其構成，配置等除非特別加以記載，並非限定本 發明者。第1圖所示曝光裝置基本上主要爲曝光光源系， 照明光源系及投影光學系之主要構成元件。 於曝光光源系，係在雷射室1內導入氟氣，由電源2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） • ^ ：----1---- 1- · I I I κ--lit---------. <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508477 A7 B7____ 五、發明說明@ ) 之放電產生F 2雷射。所發生之F 2雷射因一般爲振盪波長 具有寬度，所以由狹頻域化單元3使其具有既定波長半値 寬被狹頻帶化，經由窗材4發射於照明光學系。此時，從 F 2雷射由半反射鏡（half miiror ) 5所分光之部分雷射光 ，係射入於光束監視器6，來監視波長及輸出。 照明光學系係由聚光透鏡7 a及7 b，及複眼微透鏡 (fly eye lens )(未圖示）等所構成之光學系。從曝光光 源系所發射之F 2雷射光，係在聚光透鏡7 a及7 b形成屬 於光源像之2次光源面8，並且形成平行光而均勻地照明 被保持於光柵對準系之光柵9。 在光柵9之射出側表面，係因應形成於晶圓上之電路 圖案以既定倍率形成光柵圖案。通過光柵9之F 2雷射光， 將射入於投影光學系。 投影光學系係由組合複數光學構件所構成之縮小投影 透鏡1 0及光圈1 1等所構成之光學系。於投影光學系， 光柵圖案之荷立葉變換像（Fourrier transformation image ) 爲形成於光圈1 1之瞳面，並且，其荷立葉變換像爲在像 面位置，由XY - 0台等之晶圓對準裝置形成於配置於既 定位置之晶圓1 2上，來曝光電路圖案。 按，第1圖係槪略地表示曝光裝置之構成者，各光學 系係組合由複數透鏡群所成之光學構件，配置於既定位置 所構成。例如，照明光學系並非限定於聚光透鏡（第1圖 所示之7 a及7 b )，而由組合複眼微.透鏡等複數透鏡所 成之光學構件所構成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） J---------·)裝· i I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 I!華- Ί 508477 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明€ ) 又，投影光學系，也例如組合折射力爲正之透鏡群， 與折射力爲負之透鏡群如校正色像差（color aberration ) 所構成。 本發明之曝光裝置，係至少構成這些曝光光源系，照 明光源系，光柵及投影光學系之光學構件之1個由上述光 學構件用合成石英玻璃所形成者。亦即，構成曝光光源之 狹頻帶化單元（etalon校準器），半反射鏡，窗材；構成 照明光學系之聚光透鏡等之各種透鏡；構成投影光學系之 折射力爲正之透鏡群，折射力爲負之透鏡群等光學構件， 及光柵之至少1個由上述光學構件用合成石英玻璃所形成 者。 於本發明之曝光裝置，也可將所有光學構件由上述光 學構件用合成石英玻璃形成，也可以只將一部分由上述光 學構件用合成石英玻璃形成。作爲其他光學構件之材料， 例如可舉出螢石等。 尤其，於本發明之曝光裝置，在曝光光源系有狹頻帶 化單元（校準器），半鏡，窗材，於照明光學系，係透過 雷射配置於光強度爲0 · l〇mJ/cm2以下部位之透鏡 ’於投影光學系，係將透過雷射配置於光強度爲〇 . 〇 5 m J / c m 2以下部位之透鏡之光學構件，由上述之光學構 件用合成石英玻璃形成較佳。 又’若由上述光學構件用合成石英玻璃來構成光學構 件時，較使用螢石等結晶材料時相比，會增加設計之自由 度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） •7 n n —1 ϋ n ϋ ϋ 1· ί 1 ϋ H ϋ n n ϋ 一0, · a— I ϋ I I ϋ n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 508477 Α7 Β7 五、發明說明（10 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，若將光罩（例如，光柵）由上述光學構件用合成 石英玻璃形成時，製作光柵所需之各製造工程，因與現行 之A r F雷射，K r F雷射用光柵之製造工程約略變成相 同，所以，生產力，成本上極爲有利。 使用本發明之曝光裝置所得到之半導體裝置，係具有 線寬1 0 0 n m以下之微細圖案，例如，可構成具有1 G 位元以上之存儲單元之DRAM。 以下，依據實施例更加具體地說明本發明，但是，本 發明並非限定於這些例子。 (合成例1 ) 由公知之灰化法，將S i C 1 4在氧氫火焰中加以加熱 水解作用，將所形成之石英玻璃微粒子堆積於基材，製作 了直徑3 5 cm，長度1 0 0 cm之多孔質石英玻璃。將 所得到之多孔質石英玻璃設置於可控制雰圍之電爐，在室 溫下減壓到1 0 Τ ο I* r保持1小時後，將H e / S i F 4 =9 9/1 (體積比）之混合氣體導入直到變成常壓，於 此雰圍中藉在常壓及常溫保持數小時進行摻雜氟。接著， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在H e 1 〇 〇 %雰圍下升溫至1 4 5 0 °C，在此溫度保持 5小時，得到了含有氟之透明玻璃。 從所得到之透明石英玻璃體切出1 0 0 P X 3 0 m m .之圓盤狀塊件。將塊件在氫100%，10氣壓，500 • » °C之雰圍下保持2 5 0小時，進行摻雜氫處理，得到了照 射前合成石英玻璃。所得到之合成石英玻璃之〇Η含量及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -Ί3- 508477

五、發明說明（11 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 氫含量分別爲 4 · 8ppm，17 · 4x10 17/cm。 又’由上述式（1)就有關評價有無還原型缺陷之結果， 確認了實質上未含有還原型缺陷。 並且’將圓盤狀之合成石英玻璃兩面進行光學硏磨之 後’於氮雰圍下，由氤準分子燈（主波長1 7 2 nm)施 加照射處理6 5 0小時（總照射能量··約1 3 0 0 0 J / c m 2)得到了光學構件用合成石英玻璃。 此時，測定了對於照射處理前後之合成石英玻璃之波 長1 5 7 n m之紫外光之吸收係數（將「對於波長1 5 7 π m之紫外光之吸收係數」，只稱「1 5 7 n m吸收係數 」），依據於照射後之合成石英玻璃之S i〇Η伸縮振動 之紅外吸收尖峰（將「依據S i Ο Η伸縮振動之紅外吸收 尖峰」只稱S i〇Η吸收尖峰）之位置（c m 〃）。 (合成例2 ) 與合成例1同樣方法，準備〇Η含量爲1 9 p pm， 氫分子含量爲10 · 3X10 17個/ cm3’實質上未含有 還原型缺陷之照射前合成石英玻璃’在氮雰圍內照射F 2雷 射得到了光學構件用合成石英玻璃。照射條件係1 〇 m J /cm2x4〇HzXl 5〇mi η。此時’測定了照射處 理前後之合成石英玻璃之1 5 7 n m吸收係數’照射後於 合成石英玻璃之Si〇Η吸收尖峰之位置（cn^1)。 (合成例3 ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） --------裝-----^----訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 508477 A7 B7_ 五、發明說明〇2 ) 與合成例1同樣方法，準備〇Η含量爲3 1 p pm， 氫分子含量爲2 · 1 X 1 0 17個/ cm3，實質上未含有還 原型缺陷之照射前合成石英玻璃，在氮雰圍內將氙作爲媒 質之施加準分子燈照射處理6 5 0小時（合計照射能量： 約1 3 0 0 0 J/cm2)，得到了光學構件用合成石英玻 璃。此時，測定了照射處理前後之合成石英玻璃之1 5 7 n m吸收係數，於照射後之合成石英玻璃之S i 〇 η吸收 尖峰之位置（cm'1)。 (評價方法） 從所得到之光學構件用合成石英玻璃塊件之中心部， 切出3 0 p X 1 0mm之評價用樣品，硏磨加工後，由以 下之方法求取氫分子含量，OH含量，S i OH吸收尖峰 ，及1 5 7 nm吸收係數。 (氫分子含量） 進行拉曼（Raman )分光測定，從雷射拉曼光譜之 4 1 3 5 c m·1之亂射尖峰所檢出之強度I 4135，與屬於矽 和氧間之基本振動之8 0 0 c m 〃之強度I 8。。之強度比（ =I 4135/I 8Q。）求取氫分子含量（分子/ cm3) ( V.S .Khotimchenko et. al; Zhurnal Priklad noi Spektroskopii,46 ( 6 ) ，987〜997 ( 1986 ) ) ° (〇H含量及S i — OH吸收尖峰） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1-tf n It mmammm l I t n n I · I I IBS ϋ 1 n ·1 J 、·> am· mm I ^ 言 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 508477 A7 B7 m ia 2 年月日/補免: 五、發明說明（3 ) 一般之合成石英玻璃，係於紅外分光法之透過光譜， 若含有OH基時將在3 6 7 3 cm·1出現尖峰。從·此尖峰之 吸收率求取實質上之尖峰高度（Η )，並且，在測定時求 取紅外光所透過之合成石英玻璃之厚度（L，單位c m ) ’由下式求取OH含量。 OH含量（ppm)=95xH/L 此手法，係被稱爲OH，求取玻璃中之〇Η含量 時爲一般所用（例如，J.P.Wiiliams，et，al;Ceram，Bull;55 ( 5 )，524 ( 1976 ))。 (157nm吸收係數） 使用真空紫外分光光度計，測定於厚度l〇mm之試 料與厚度2、mm之試料之1 5 7 nm之透過率，將這些透 過率算出1 5 7 nm吸收係數。1 5 7 nm吸收係數之値 小者呈現高透過率。將於合成例3之真空紫外光照射處理 前後之分光透過率測定結果表示於第2圖。 (請先閱讀背面之注意事:填寫本頁) *裝 訂： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -1Λ. 508477 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（4 ) 表1 例 〇H含有 量（ppm) 水素分子含有 量（X 1017個 /cm3 ) 1 5 7nm吸收係數 Si〇H吸 收尖峰 (cm·1) 照射前 照射後 1 4.8 17.4 0.223 0.196 3642 2 19 10.3 0.565 0.293 3641 3 31 2.1 0.787 0.574 3643 (實施例） 使用於合成例1〜3所得到之合成石英玻璃製作了光 柵（6英吋角X 1/4英吋厚）。其次，將形成曝光圖案 之光柵，組配於第1圖槪略構成之曝光裝置。使用此曝光 裝置，作爲曝光光源使用輸出爲5W2F 2雷射光，保持於 晶圓對準器，在表面塗布抗触劑厚度〇 · 5 //m之晶圓上 ，縮小投影形成於光柵之曝光圖案進行曝光。此時，於光 柵之雷射光之能量密度係具有〇 · 〇lmJ/cm2。又， 晶圓上之能量密度爲〇·15mJ/cm2。 將所得到之完成曝光之晶圓，由公知之方法加以顯像 ，就所形成之電路圖案評價線寬，線寬之再現性時，線寬 爲1 0 0 n m以下，線寬之再現性爲良好。 【產業上之利用可能性】 本發明之曝光裝置，係可製造將F 2雷射光作爲曝光光 源使用而線寬係具有1 0 0 n m以下之微細圖案之積體電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） l·-----------^ i ^---r I--訂--------- (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) -17- 508477 A7 B7 五、發明說明（5 ) 路所構成之半導體裝置。 本發明之半導體裝置，係具有線寬1 0 0 nm以下之 微細圖案，例如，可構成具有1 G位元以上之存儲單元之 D R A Μ 等。 本發明之光罩係使用MF 2雷射光作爲光源使用之曝光 裝置，在晶圓上形成線寬1 0 0 n m以下之微細圖案爲有 益者。 圖式之簡單說明 第1圖係表示本發明曝光裝置一例之槪略構成圖。 第2圖係表示於本發明之合成例3在照射前後之分光 透過率測定結果之圖。 主要元件對照表 1 電射室 2 電源 3 狹頻域化單元 4 窗材 5 半反射鏡 6 光束監視器 7 a，7 b 聚光透鏡 8 2次光源面 9 光柵 10 縮小投影透鏡 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） J.---：--------Φ·-裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) l·—訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18- 508477 A7B7 ίό ΠΠ 圈 圓說光晶 明 發 1 2 、 IX IX 五 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----：----訂----------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -ΙΟ -

Claims (1)

1. 508477 告 A8B8C8D8 、申請專利範圍 1 · 一種曝光裝置，其係將氟雷射作爲光源使用，將 構成曝光光源系，照明光學系，光罩及投影光學系之光學 構件之至少1個由光學構件用合成石英玻璃所形成者，上 述光學構件用合成石英玻璃爲於波長1 5 7 n m之吸收係 數爲0 · 70 cm·1以下。 2 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中光學構 件用合成石英玻璃爲依據S i Ο Η伸縮振動之紅外吸收尖 峰具有約略3 6 4〇c m -1。 3 · —種曝光裝置，其係將氟雷射作爲光源使用之將 構成曝光光源系，照明光學系，光罩及投影光學系之光學 構件之至少1個由光學構件用合成石英玻璃所形成者，對 於上述光學構件用合成石英玻璃，〇Η含量爲5 〇 p pm 以下，並且，氫含量爲1 X 〇 η個/cm3以上之合成石 央玻璃照射波長1 8 0 nm以下由具有真空紫外光來改善 波長1 6 5 nm以下波長區域透過率之製程之製造方法所 得到者。 4 ·如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中波長 1 8 0 η m以下之真空紫外光爲氙準分子雷射燈（主波長 1 7 2 n m )。 5 ·如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中波長 1 8 0 nm以下之真空紫外光爲氟雷射（主波長1 5 7 n m )。 δ ·如申請專利範圍第3 ，第4及第5項之任 一項之曝光裝置，其中作爲照射波長1 8 〇 n m以 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂-------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 508477 A8 B8 C8 _ D8 、申請專利範圍 下之真空紫外光前之合成石英玻璃，使用實質上不含有還 原型缺陷之合成石英玻璃。 7 · —種半導體裝置，其係使用申請專利範圍第1項 〜第6項之任一項之曝光裝置所得到之半導體裝置。 8 · —種光罩，其係使用於波長1 5 7 nm之吸收係 數爲0 · 7 0 cm·1以下，並且將依據S i〇Η伸縮振動之 紅外吸收尖峰具有約略3 6 4 0 c m·1之光學構件用合成石 英玻璃。 9 ·—種光罩，其係使用OH含量爲5 0 p pm以下 ，並且對於氫分子含量爲1 X 1 0 17個/cm3以上之合成 石英玻璃，照射波長1 8 0 n m以下之真空紫外光具有改 善波長1 6 5 nm以下之波長區域透過率之製程之製造方 法所得到之光學構件用合成石英玻璃。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 -ϋ n ϋ n 一 I 1 I n i>— n ·1 .¾. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -?1 -