TW494623B - Amplifier with variable gains - Google Patents
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Description
494623 五、發明說明(1) 發明背景: 本發明關於一種可改變放大增益之 器。 褶亞可變型放大 習知技術: 一個具有一大的放大增益或放大量 個串聯的放大哭雷狄έ日占 μ、+、%奴7 為,由複數
时私路組成,上述複數個放大哭诼牛以4I
一個信號。一般來說,上述複數個放 ς V 大器都具有增益控制功能,上述含有增中二每個放 器被,為增益可變型放大器。 θ皿控制功能的放大 第1圖為表示一傳統增益可變型放大器。灸去 -增益可變型放大器包括一第一放大電路u二弟一1:丄 電路12及一衰減電路13。 一 第大電路11連接到衰減電路13的輪出,上述 苐一放大电路與上述第一放大電路的輸出連接;一 號S1被供應到衰減電路i 3,第二放大電路輪出—個^ : 號S2。一電源供應電壓VDD及一控制電壓VA(Jc被/ 。 減電路1 3,上述電源供應電壓VDD也應用到上筮二二 電路11及第二放大電路12。 上述第一放大電路11包括一放大輸出信號之電晶體電 路,上述第二放大器包括一放大輸入信號之電晶體, 上述衰減電路1 3包括一衰減上述輸入信號之電晶體電路。 上述弟一放大電路11的放大量(Gpl)是固定於, 上述第一放大電路具有一 2dB的干擾量(NF1)。上述第二放 大電路的放大量(Gp2)是固定於12dB,上述第二放大電路
494623 五、發明說明(2) '~ 具有一3dB的干擾量(NF2)。上述衰減電路13之衰減量是依 據上述控制電壓VAGC的值在改變的。當上述控制電壓VAGC 在0· 5到2· 5V的範圍間變化時,上述衰減電路13的衰減量 在40到1 dB的範圍間變化。在增益可變型放大器1動作期 間,上述電源供應電壓VDD是保持固定的。在這方法之 中’增益可變型放大器i的增益是依據控制電壓%…來決 定的。 以下,增益可變型放大器1中的放大量(Gp —A)和上述 全部干擾量(NF-A)的關係,將隨著參考第7圖中全部干擾 量(NF-B)來如以描述。當上述控制電壓VAGC在2· 5V時,上 述衰減電路12之衰減量訂於ldB。在這情況中,上述整個 增益可變型放大器的整個干擾量(Gp_A),會被訂在23讥。 而且’增益可變型放大器1的整個干擾量(NF — A)被訂在 4·7dB 。 當上述控制電壓V AGC被減小到2 · Ο V時,上述衰減電路 13的衰減量訂於6dB,在這個情況中,上述整個增益可變 型放大器的整個干擾量(Gp-A),會被訂於i8dB。而且,增 血可、支型放大器1的整個干擾量(NF-A)被訂於7.7dB。
當上述控制電壓VAGC被減小到1· 5V時,上述衰減電路 1 3的衰減量訂於11 dB,在這個情況中,上述整個增益可變 型放大器的整個干擾量(GP-A),會被訂於i3dB。而且,增 益可變型放大器1的整個干擾量(NF —A)被訂於Η. 7dB。曰 關於増益可變型放大器的失真控制之技術,被揭露於 日本公開公報(jp — A-Showa 62-226705)中。在上述參考文
494623 五、發明說明⑶ '-- 件中,一衰減電路被安排在兩放大電路之間,然而,在上
述參考文件中,上述衰減電路的衰減量只能依據一控制電 壓來控制。 I 當一增益可變型放大器被提供在一手提電話的送話哭 部份之放大級中時,上述增益可變型放大器會對附近在& 收狀態下的手提電話產生一接收干擾波。上述接收頻^之 干擾量(dBm/Hz)表示接改干擾的程度,而且可以用Gp + NF + IM +熱干擾來表示。這裡,Gp為上述放大器的一總 放大里,NF為上述放大器的一干擾量,a為上述放大哭的 一内部調變失真,及上述被稱作ktb干擾的熱干擾,且係 以波滋曼常數、溫度、頻寬來計算。上述熱干擾在溫度' 250C 下為一常數-173· 9(dBm/Hz)。 又 當一手提電話被使用時,它是有必要去控制輸出信號 的強度’來符合距離基地台的位置而節省電源之消耗。當 上述使用的手提電話距離距基地台很遠時,既然其他使用 者幾手不在附近,這個接收頻寬干擾就不會導致任何問 題。在另一方面來說,當手提電話的位置是很接近基地台 時,因為很多其他的使用者會在附近,使得接收干擾的機 率會很咼’就導致有一個很大的問題。因此,在這個手提 電居被使用在距離基地台报近的情況下時,例如上述傳送 輸出端被做得很小時,該接收頻干擾應該就會很小。為了 這個目的’當提供在送話器部份放大級之增益可變型放大 裔中整個放大量減小時,它是有必要去減小接收頻寬的。 然而,如第7圖所示,甚至當上述整個放大量(Gp — A)
2139-3517-PF-ptd 第6頁 494623 五、發明說明(4) 在傳統增益可變型放大器丨在減小時,上述整個干擾量 (Γ丄B)還是大量地増加。因此’上述接收頻寬干擾指數是 歲乎不的。因此,當傳統增益可變型放大器㈠皮用作手 ,電話中送話器部份之放大級時,該傳統增益可變型放大 器1會產生很大的接收内部干擾到基地台附近的直他 電話去。 /' 同樣地,在具有日本專利公開公報(JP —A —Sh〇wa 62:226705 )中的所揭露之結構的增益可變型放大器中,上 述衰減電路被安排在兩個電大電路之間。因此,: 減電路的衰減量大於上述放大旦 田 达衣 政夕兑μ #丄+ 里的減小時,提供在衰減電
路之月的放大電路的上诚給Φ 傲λ、e X 變失真UM)增加。==丄=輸出使得内部調 頻寬干擾也不會變:…整個放大量減小時,該接收 發明概述: 哭,2此一ϋ的一個目的為提供-增益可變型放大 :或;;:;電路的衰減量增加時,接收頻寬干擾可以減 本發明的另一個目的為提供一 合用於手提電話送話器的_放大級。八m益’適 為了達到本發明的一個 括:一第一放大電路.,开二恶,一增盃可變型放大器包 路的輪出;及-第二放大電:兔:拉連接上述第-放大電 !出第-放大電路的放大率是依據一控制 整,且衰減電路的衰減率 豕^制电&木调 τ風手也疋依據一控制電壓來調整。
2139-3517-PF-ptd 第8頁 五、發明說明(6) 同樣的, _ 且上述場效兩t述衰減電路會包括一N通道場效電晶體, 此外上•衰::體的汲極會經由—阻抗及—電容被接地。 電晶體的汲極I*路也可包括經由一第一電容及一第一場效 -第二阻抗的::連接’通過-第-阻抗、-第二電容及 體。 、平仃電路來接地之兩個N通道場效電晶 體,且:場ί Ϊ i述衰減電路包括一N通道場效電晶 為了達到本發明的s +丨且抗連接。 益可變型放大$ x以 形恶,一使用在手提電話的增 壓動作;4;電一第:放大電路,依據-控制電 -控制電壓動作;卜第::::放大器的輸出,且依據 路的輸出。在這個情況中 ::減j j到第-放大電 改變的。 電路的放大率是減少或是不 再者,上述當上述控制+厭 時,依據上述控制電壓衰減;路壓範圍中減小 第-放大電路的放大率大體::既定電壓範圍内改變時, 制電壓於一第二既定電壓範改變的。又,當上述控 放大率是減小的。’圍内减小時’第-放大電路的 符號說明: 11 :傳統增益可變放夫哭+姑 增益可變放大器之第二放大^ 一放大電路;12 :傳統 從大電路,1 3 ··傳統增益可變放大
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器之衰減電路;21 :本發明增益可變放大器之第一放大電 路;22 ··本發明增益可變放大器之第二放大電路23 :本發 明增益可變放大器之衰減電路;25 ··本發明實施例之第一 電晶體;2 6 :本發明實施例之第二電晶體;2 7 :發明實施 例之第三電晶體;40〜46、70〜74、90〜92 :電容;30〜38、 60〜67、80〜84 :電阻。 簡單圖示說明: 第1圖表示一傳統型增益可變型放大器。 第2圖表示本發明增益可變型放大器之例子之動作特 性〇 第3圖為表示本發明第一實施例之增益可變型放大器 的塊狀圖。 ^ 第4圖為表示本發明第一實施例之增益可變型放大器 的結構之電路圖。 第5圖為根據使用於本發明第一實施例的一第一電晶 體之電流特性的電流特性圖。 6圖為根據使用於本發明第一實施例的第一電晶體 之增益特性的增益特性圖。 ( 第1 2圖為根據使闬於本發明第一實施例的增益可變型 放大器的動作特性的動作特性圖。 第8圖為表示本發明第二實施例增益可變型放大 結構的電路圖。 1 g 圖為表示本發明第三實施例增益可變型放大器之 2 結構電路圖。 494623
最佳實施例: 將再以下隨著參考附圖 本發明之增益可變型放大器 來坪加描述。 第3圖為表示本發明第一實施例之增益可變型 的塊狀圖。參考第3圖,上述增益可變型放大器2包括厂 第-放大電路21 ; 一第二放大電路22 ;及一衰減電路23 ε 上述哀減電路23和上述第一放大電路21的輸出端相 、丄述第一放大電路22和上述衰減電路23的輸出端相 連二一輸出信號sio被提供到上述第一放大電路21,上述
第一放大電路22輸出一輪屮作缺ςιι · L 叛出仏^S1 1,上述電源供應電壓 VDD被如供於上述第一放大電路及第二放大電路;上述 源供應電壓VDD及一控制電壓VAGC被供應到上述衰減電路 2 3 ° 上述第一放大電路21包括一電晶體電路用以放大一輸 入信號;上述第二放大電路22,包括一電晶體電路用以放 大一輸入信號·’上述衰減電路23,包括一電晶體電路用以 衰減一輸入信號。 、旦上述控制電壓VAGC係被用來控制上述衰減電路Μ的衰 ,里’上述衰減電路23之衰減量是依據控制電壓的電壓來 凋整或改變的;上述控制電壓也被供應到上述第一放大電 路21,上述第一放大電路21的放大量是依據控制 壓來調整或改變的。 ^ 一 當上述第一放大電路2 1於參考情況時,上述第一放大 電路21的放大量(Gp—A)被設於12dB。在這個情況中,當一
494623 五、發明說明(9) 參考放大量(Gp 10)被設定時,該上述第一放大電路21參考 干擾量(NF 10)被設在2dB。該第一放大電路21的放大量 (Gpl)會隨著控制電壓VAGC而改變,當上述衰減電路23的 衰減量增加時,該第一放大電路21的放大量(Gpl)會減 小。上述第二放大電路22的放大量(Gp2)被設在12dB,上 述第二放大電路22含有3dB的干擾量(NF2),上述衰減電路 2 3的衰減量會隨著控制電壓的值來改變;當上述控制電壓 在〇· 5到2· 5V的範圍改變時,上述衰減電路23的衰減量 (Ga)在40到ldB的範圍内變化。
當上述控制電壓VAGC符合2.5V-VAGC-1.5V時,上述 衰減電路的衰減量(Ga)表示在-ldB^GA^-lldB,在這個 情況中,上述第一放大電路21的放大量(Gpl)大體上是設 在12dB。當控制電壓在1.5¥>¥人〇〇^0.5\時,上述第一放 大電路的哀減亶(Ga)表不在- lldB〉GA>-40dB,在這情況 中,上述第一放大電路的放大量(Gpl)表示在Ga< 12 dB。 當本發明之增益可變型放大器2被裝在送話端上時, 假如整個放大量減小,上述整個干擾量的上升就可以被抑 制住。此外,因為這沒有内部調變失真的增加,該接收頻 寬干擾會減小。 第4圖表示根據本發明第一實施例之增益可變型放大 器2的結構。參考第4圖,上述增益可變型放大器2包括一 N 通道GaAs消耗型電晶體,即第一電晶體到第三電晶體(25 到2 7 );第一電容到第六電容(4 0到4 5 );及第一電阻到第 九電阻(3 0到3 8 )。
2139-3517-P?-ptd 第12頁 494623 五、發明說明(10) 上述第一放大電路21包括··一第_ 第二電容40、41 •,及一第一到第三電阻3〇日、日3ι、5、第—及 入端IN與電容40的輸入端相連,上述電容 2。輸 述第一電晶體2 5的閘極相連,再者,上、衆 輸出、與上 接到第一電阻30及第二電阻31之間的節^上奋4〇,輪出連 3〇的另一端接地;該第二電阻31的另一端供鹿=1阻 VAGC的控制電壓端相連接;第一電晶體25的;ς::壓 -供應電壓VDD1的第-電源端相連,上述第::應第 源極與上述第二電容41之一端及上述第三雷曰細日^把25的 相連接;上述第二電容41之另一第,=32之一端 一端都接地。 而及上述第二電阻32的另 上述哀減電路23包括一第三電晶體27、 27 38)。第五電谷43的-端連接到第三雷晶俨 27之汲極,上述第三電晶體27的汲 ^版 相連接;上述第五電容44的另一端與第 :連:盥r第九電阻37的另-端接地。=電㈣4 34的另二的没極相連接’上述第五電阻 -:Ϊ地;六電阻的一端相連接。第六電阻35的另 端相遠I肖者,帛六電阻35的另一端與第七電阻36的-的閘極相、袭i述第七電阻36的另一端與上述第三電晶體27 :端;連接,上述第六電容45的另一端接地:再m 弟二電晶體的源極與第九電阻38的一端及電壓控制端相連
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494623 五、發明說明(11) 接;上述第九電阻38的另一端與第七電容u 電晶體27相連接,上述第七電容46 # ώ的鈿及苐— 的-端相接。 “46的另-端與第七電阻36 裒49上述?亡放大電路22包括一第二電晶體26、一第三電 七♦ 5 一第二電阻33。上述第二電晶體26的閘極與上述第 電容4 6的一另一端相連接,上诚莖一 ” 上述第三電容42之-端及第四電㈣弟3 ;;電曰^體26的源極與 坌一 _ 包阻33的一端相連接,上述 第二=容42的另一端及上述第四電阻的另一端接地。上述 ουΓ矣體Γ的沒極與一輸出端0UT相連接,上述輸出端 ”表示:第二電!供應電壓彻2。在這個方法中第八 且37及第五電容44為上述衰減電路做阻抗匹配。 “ :^述第一放大一電路21放大來由輸入端IN供應來的該輸 作:號!1 V 一上述哀減電路23衰減第-放大電路21的輸出 妒匕’:亥第一放大電路22放大上述衰減電路23的輸出信 化,该第二放大電路輸出一輸出信號s j 1。 第5圖表示二本發明第一電晶體的電流特性。在第5圖 希忒水平軸表不閘極和源極之間的電壓vgs,第5圖中該 =直軸表示流在汲極和源極之間的電流IDS。汲極電流設 、· 55V,第5圖表不當在閘極和源極之間的該電壓V(JS從 • 6V增加呀,電流I Ds迅速增加的狀態,當閘極和源極之 的私壓VGS由-0· 4V到-〇· 2V改變時,該IDS電流由5mA變 到 10mA。 在第一貫施例中,閘極和源極之間的該vGS電壓根據 二兒$VAGC來設定,該控制電壓VAGC當上述衰減量被第
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:電晶? i7增加時,被用來處理該第-放大電路放大的 ί、i ί是說’當該控制電壓減少時’第三電晶體27產生的 衣減1會增加,再者,當控制電壓減少時,上述第一電晶 體25的該VGS電壓減少,使得第一電晶體25的放大率減 上述第一電晶體25的閡電壓yth設在0.6V、第一電源 供應電壓VDD1被設在3.0V、第二電源供應電壓被設在’、 3 · 3 V、控制電壓被設在〇 · 5 v到2 · 5 v之間。 上述第一電晶體25之汲極電壓VD1表示成 VD1=VDD = 3.0V,上述第一電晶體25及第二電晶體26在一自 偏壓系統内動作,上述電晶體可以在沒有負電壓的正電壓 下來驅動。
經過了第三電阻3 2 (該源極電阻)上述第一電晶體2 5的 源極電壓VS1會高於接地端的電壓。當第一電晶體汲極和 源極之間的電流被設在1 〇mA時,上述第三電阻32的電阻值 叹在45 Ω ’在第一電晶體沒極和源極之間的電壓^^^丨被設 在2.55V,上述第三電阻32的電值是依上述第一電晶體25 的閾電壓Vth、導通電流及由第一及第二電阻決定的時間 常數來決定。第一電晶體25的閘極電壓VG1表示當控制電 壓VAGC被第一電阻30及第二電阻31分壓時的電壓。第一電 阻30及第二電阻31的電阻值比設在1 : 9。因此,當上述控 制電壓VAGC的值在0.5V到1·〇ν的範圍時,上述放大量的增 加是由閘極電壓VG1引起的。第一電阻3〇被設定在一大於 或等於3 00Ω的值,來避免高頻干擾。當第一電阻3 〇的電
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2139-3517-PF*ptd 第15頁 494623 五、發明說明(13) " 阻值為50 0時,該第二電阻的電阻值被設在4· 5K Q。在這 =法中,_在2.5¥控制電壓VAGC下,第一電晶體25的閘極電 壓VG1表不〇· 25V,在〇· 5V的控制電壓不,第一電晶體25的 ,極電壓VG1表不〇. 05V ;在這個方法中,在2· 5V的控制電 壓VAGC下,第一電晶體25閘極和源極電壓VGSi表示 -0.2V,在0.5V的控制電壓VAGC下,第一電晶體25閘極和 源極笔壓VGS1表示- 〇·4ν ;在2.5V的控制電壓VAGC下,上 述第一電晶體25中流在汲極和源極之間的IDS1電流表示 10mA,且在〇· 5V的控制電壓VAGC下,上述IDS1電流表示 5mA 〇 控制電壓VAGC被當作第三電晶體27的源極電壓VS3, 上达I DS電流幾乎不流經過第三電晶體2 7的汲極和源極之 間。上述第三電晶體27的汲極電壓VD2表示相等於源極電 壓VS3的值。由上述第五電阻34及第六電阻35分壓的電壓 被通過第七電阻36被供應到第三電晶體的閘極。上述第五 電阻34及第六電阻35的電阻值比率為5 : 1,上述第六電阻 35的值被設在大於等於3 〇〇〇來避免高頻干擾。當第五電 阻3 4的電阻值為2 · 5 k Ω時,該第六電阻3 5的電卩且值設為 500 Ω。上述第七電阻36抑止第三電晶體27内閘極和源極
的電壓,當第七電阻36設為5 k Ω時,該閘極電壓VG2表示 為 0 · 5 V 〇 當該控制電壓VAGC被設在2· 5V時,上述第三電晶體27 中閘極和源極之間的VGS3電壓表示為—2· 〇V,在這方法 中 上述第二電晶體2 7被設在0 F F的狀態。當該控制電壓
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VAGC被設在0· 5V時, 的VGS3電壓表示為0V 設在ON的狀態。 上述第三電晶體2 7中閘極和源極之間 ,在坆方法中,上述第三電晶體27被 上述第二電晶體26在一自偏壓系統下動作,流 二電晶體26中汲極和源極之間ISD2電流被設在,=、言 個方法中,該第四電阻的電阻值設為45 Q,再者,第& 體26的源極電壓VS2表示為〇· 675 V,及該第二雷晶^體^ 中汲極和源極之間的電壓VGS表示在2· 625V。上】二 晶體26的閘極電壓VG3設在〇·5ν,在這情況下,上二 電晶體26中閘極和源極之間的電壓VGS2表示為—〇· ΐ75ν, 該第四電阻33的值會根據第二電晶體26的閾電壓及導 流做適當的選擇。 ' B曰
上述第一、第三及第六電容40、42、45限制該直電流 構件,上述電容的值根據該增益可變型放大器之動作頻率 來選擇。在該動作頻率在80 0MHz到1 GHz的情況下,上述值 被設在lpf到100PF之間;在該電容當作匹配電路的一部份 時,上述值被設在lpf到20pF之間。再者,上述第二、第 四及第七電容41、44、46連接該高頻構件到地。上述電容 的值會根據該增益可變型放大器之動作頻率來選擇,在該 動作頻率在8 0 0 Μ Η z到1 G Η z的情況下,上述值被設在1 p f到 1 00pF之間,上述電容值係考慮寄生感應構件來決定。 上述第四電容43及上述電阻35形成一分流器部份,當 上述第三電晶體27從ON狀態到OFF狀態時,該等電容及電 阻預防第一電晶體25及第二電晶體26發生阻抗改變。上述
2139-3517-FF-ptd 第17頁 494623 五、發明說明(15) 第四電容43被設在10pF到lOOOpF之間,該第六電阻的值被 設得小3 0 〇 Ω。尤其是上述電阻值設在1 〇 〇 Ω到1 5 0 Ω之 間。當上述電阻值超過3 0 〇 Ω時,上述高頻動作會退化。 當4動作退化時,產生阻抗改變的增加。當上述電阻值低 於1 0 0 Ω時,該阻尼效應使得高頻增加。當該阻尼效應增 加時,上述放大器的增益特性會退化。 第6圖表示本發明第一電晶體的增益特性。第6圖中的 水平軸表示第一電晶體25的汲極電流iDl(mA),第6圖中左 邊的垂直軸表示第一電晶體25的干擾量(NF1),第6圖中右 邊的垂直軸表示第二電晶體26的放大量(Gpl),在5mA到 1曰OmA的上述汲極電流ID1情況下,該第一電晶體託的干擾 量表不為一低值。干擾量表示的最低值為0· 78dB。在這情 況下’上述汲極電流表示於7mA到丨〇mA的範圍中。 本發明之增益可變型放大器可裝設於一手提 話端部份上;在該情況下的動作或功用,將在以 ② 述。 傳丄圖叮表二本發明之增益可變型放大器的動作特性及 型放大器的動作特性。第7圖水平軸表示增 ί上的整個放大量⑽),$整個放大量⑽是 個ΐϊ!:電壓ΐ比例的。第7圖左邊垂直軸表示上述整 _)^該符號” Α”表示本發明增益可變型數 且。亥=旒B”表示傳統增益可變型放大器的數值。、 在本發明之增益可變型放大器中,當上述整個放大量
494623 五、發明說明(16) (Gp)在23dB到3dB的範圍之間變化時,該整個干擾量(nf) 的表示值在2. 2dB到9· 8dB的範圍中。在這個情況中,上述 接收頻寬干擾會在-148· 8dBm/Hz到-161· 2dBm/Hz的範圍 中,上述整個干擾量的變化大約是7dB。該接收頻寬干擾 量的變化大約是1 2dB。在傳統增益可變放大器中,當上述 整個放大量(Gp)在23dB到3dB的範圍之間變化時,該整個 干擾量(NF)的表示值在4· 7dB到21· 3dB的範圍中。在這個 情況中’上述接收頻寬干擾會在一 1463dBm/Hz到 - 149· 7dBm/Hz的範圍中,上述整個干擾量的變化大約是 1 7dB °該接收頻寬干擾量的變化大約是2dB。 士本發明之上述增益可變型放大器2,含有較傳統增益 可=型放大裔1小的整個干擾量。當上述整個放大量為很 小枯丄接收頻寬干擾的增加會被抑制,因此,當上述整個 ,大,為很小時,可以較傳統增益可變型放大器改善10心 或更多的上述接收頻寬干擾量。 路21 ΐ意本發明之增益可變型放大器2 ’第一放大電 _、·、一電晶體25之閘極和源極之間的電壓VGS,會根 ^電路23的控制電壓VAGC來變化。第2圖表示^該 如何的變^'時,内部調變失真1M及上述接收頻寬干擾txn
子,ί表示本發明之增益可變型放大器動作特性的例 Γ寺,;2Λ中’當上述第-電晶體25的vgs控制為不實行 大量。Χ Ϊ ί電路23的過度輸出,大約會導致—小的整個放 ,上述内部調變失真ΙΜ增加,與控制電壓VAGC
2139-3517-?F.Pu 第19頁 494623 五、發明說明(17) 為實行時的情況,即本發明結構的情況下做比較,結果 上述接收頻寬干擾量TXN是增加的。在日本公開公報 (JP - A-Showa 62-226705)中的電路是相等於上述第一電晶 體2 5的VAGC控制,根據控制電壓VAGC為不實行時的情況。 在此^載抓強度被用來參考時,該内部調變失真I μ增加 該分貝標記率。 〃 e 弟8圖表示本發明第一貫施例的增益可變型放大器2的 電路結構。參考第8圖,該增益可變型放大器2包括··一 N 通道GaAs耗盡型電晶體,即第一到第三電晶體託、26、 27,第一及第二電容4〇、41,第三到第五電容9〇、91、 92,第一到第四電阻3〇、31、 32、33及第五到第九電阻 80 、 81 、 82 、 83 、 84 ° 々上述第一放大電路21像表示於第4圖中的結構,包括 一第一電晶體25、第一及第二電容4〇、41及第一到第三電 阻30 〜31 > 32 〇
上述衰減電路2 3包括:上述第三電晶體27、上述第四 到第六電容90、91、92、上第五到第九電阻8〇、81、82、 83、84,第四電容9〇的一端與第一電晶體25的汲極連接; 第四電容的一端也連接到第五電阻8〇的一端。第五電阻8〇 的另一端與第六電阻81的一端連接;第六電阻81的另一端 接地。第四電容90的另一端與第三電晶體27的汲極連接; 第二電晶體27的閘極與第八電阻83的一端連接;第八電阻 83的另一端接地;第三電晶體27的源極與第五電容91連 接,第二電晶體27的汲極與第七電阻82的一端連接;第七
494623 五、發明說明(18) 電阻82的另一端與第三電晶體27的源極連接;第五電容… 的另一端與第六電容的一端連接;第六電容的另一端盥第 九電阻84的一端連接;第九電阻84的另一端接地;第五電 容91的另一端與第二電晶體26的閘極連接。 第一放大電路22如第4圖中表示,含有一第二電晶體 26、第三電容4 2及第三電阻33。 、,表示於第8圖中的增益可變型放大器比表示於第4圖中 的增盈可變型放大器有較廣的衰減量範圍。 抑第9圖中表示之本發明第三實施例的增益可變型放大 器的電路結構。表示於第9圖中的增益可變型放大器2包 括:一N通道GaAs耗盡型電晶體,即第一到第電 25、26、27,,第一到第三電容4。、41"4二 八電容70、71、72、74,第一到第四電阻3〇、31、 32、 33及第四到第十二電阻6〇、61、62 ' 63、64、65、66、 6 7 ° 斤上述第一放大電路21像表示於第4圖中的結構,包括 一第一電晶體25、第一及第二電容4〇、41及第一到第三電 阻 3 0 ' 3 1 >32° 士述衰減電路23包括第第三電晶體27、第四電晶體 28雨Ϊ四到第八電容70〜74、第五到第十二電阻60〜67。第· 四龟谷7〇的一端與第一電晶體25的沒極連接,第四雷容 的另> 一端與第三電晶體27的汲極連接;第五電阻6〇的一端 與第一電晶體25的汲極連接;第五電阻6〇的另一端與第六 電阻61連接,第六電阻61與三電晶體27的閘極及第四電晶
明()23
五、發明說明(19) 體2 8的閘極連接;篦丄 27的汲極與第五電1 J ::另-端接地;第三電晶體 電_的-阻:;電容71的另-端與第八 的-端與第三電晶體27的阻ΪΓ:64 體27的源極連接3二二J容7山2的:端與第三電晶 汲極連接;第四電曰體28 ^饩一端與第四電晶體28的 笔日日體28的源極與第七電容73 · 電容73的另-端接地;第 ^連接,弟七 技·楚- + a a 毛日日體2 8的源極與控制電壓連 接,弟二電晶體27的沒極與第十—電阻66連接 j :66的:一端與第十二電阻67連接;第十二電阻⑺的―】 :、第四电晶體28的汲極連接;第十二電阻 :電壓端連接;第三電晶體27的沒極與第十電阻“接控 ,十電阻65的另一端接地;第三電晶體27的汲極與第八 容Μ連第八電容74的另一端與第七電阻62的另一端 連接y第八電容的另一端與第二電晶體26的閘極連接。而 苐一放大黾路22如第4圖表示的第二放大電路22,包 括·第二電晶體26、第三電容42及第三電阻33。 表示在第9圖中的增益可變型放大器,會比表示在第4 圖中的增益可變型放大器含有較高精準度的衰減量控制。 本發明的增益可變型放大器,可以使用p通道電晶 體,本發明增益可變型放大器之衰減電路不限制用冗型衰 減電路’本發明之增益可變型放大器不僅可以使用做送話 器,也可以為一可要求可變增益的放大級。 本發明之增益可變型放大器,可以分別地控制第一放
2139-3517-PF-ptd 第22頁
494623 五、發明說明(20) 大電路的放大量及 以用來控制第一放 制電壓VAGC只被用 根據本發明之 減量增加,整個干 可變型放大器中, 路前級的放大電路 時,可以避免過度 避免時,該輸出信 當本發明之增 送話端部份時,在 寬干擾可以減小。 時,對附近手提電 衰減量。 大量。在 電路的衰 放大器, 大量增加 的衰減量 減少。當 電路。於 減小。 大器,被 減少的情 提電話在 擾就可以 衰減電路的 大電路的放 來控制衰減 增益可變型 擾量也不會 當衰減電路 的放大量會 輸出到衰減 號的失真會 益可變型放 整個放大量 因此,當手 活的接收干 一第二控制 這方法下, 減量。 即使衰減電 。在本發明 增加時,在 上述放大量 是當過度輪 安裝於手提 況下,上述 基地台的附 被避免了。 電壓可 上述控 路的衰 之增益 衰減電 減小 入可以 電話的 接收頻 近使用
第23頁
Claims (1)
- 494623 Ι^ΗΠ -----塞號 8Q191Q91 六、申請專利範圍 1 · 一種增益可變型放大器,包括: 一第一放大電路,其中上述放大電路的放大量用一控 制電壓來調整; 一衣減電路,連接到上述第一放大電路的輸出,其中 上述衰減電路的衰減量用上述控制電壓來調整;及 一第二放大電路,連接到上述衰減電路的輸出。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之增益可變型放大器, 其中▲上述控制電壓在一既定電壓範圍内減少時,上述衰 減電路之上述衰減量會隨著上述控電壓來增加。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之增益可變型放大器, 其中當上述控制電壓在上述既定電壓範圍内一第一範圍中 變化時’上述一放大電路的放大量大體上不改變。 4 ·>如申晴專利範圍第3項所述之增益可變型放大器, 其中當上述控制電壓在上述既定電壓範圍内一第二範圍中 變化時,上述第一放大電路該放大量會減少。 5 ·如申明專利範圍第1、2、3或4項所述之增益可變裂 放大器,其中第一放大電路為一自偏壓型放大電路。 6 ·如,請專利範圍第5項所述之增益可變型放大器, 其中上述第一放大電路,包含一場效電晶體,且上述場效 電a曰體的閘極偏壓由上述控制電壓來決定。 7 ·如,请專利範圍第β項所述之增益可變型放大器, ,、中上述第一放大電路為一電源追隨型放大電路。 t如申請專利範圍第1、2、3或4項所述之增益可變 ’其中上述第二放大電路為一使用電源 自偏壓放大電路。 型 之4^4()23 修正一 曰 —案號8912搬1 六、申請專利範圍 9 ·如申請專利範圍第8項所述之增益可變型放大器, 其中上述第二放大電路為一電源追隨型放大電路。 I 0 ·如申請專利範圍第1、2、3或4項所述之增益可變 型放大器,其中上述衰減電路為一 7Γ型電路。 II ·如申請專利範圍第1 〇項所述之增益可變型放大 、/、中上述衣減電路包含一場效電晶體’且上述場效電 曰曰體的閘極偏壓由一電源供應電壓來決定。 ^ 12·如申請專利範圍第10項所述之增益可變型放大 器’其中上述衰減電路包含一場效電晶體,且上述場效電 曰曰體的閘極偏壓由上述控制電壓來決定。 口 13·如申請專利範圍第丨0項所述之增益可變型放大 5 ’其中上述衰減電路包含兩個場效電晶體,且上述每個 场效電晶體的一閘極偏壓由一電源供應電壓來決定。 ^ 14·如申請專利範圍第1 〇項所述之增益可變型放大 5 ’其中上述衰減電路包含一N通道場效電晶體,且上述 场效電晶體的一源極偏壓由上述控制電壓來決定。 σ 15·如申請專利範圍第1 〇項所述之增益可變型放大 器二其中上述衰減電路包括兩個Ν通道場效電晶體,且上 述每個場效電晶體的一汲極偏壓由上述控制電壓來決定。 σ 16·如申請專利範圍第1 〇項所述之增益可變型放大 器’其中上述衰減電路包括一 Ν通道場效電晶體,且上述 場效電晶體之汲極偏壓會經由一電限及一電容接地。 口 17 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之增益可變型放大 ^ ’其中上述衰減電路包括兩個Ν通道場效電晶體,通過 第一電容串上述場效電^晶體之第一電晶體的一 2139-3517-PFl.ptc 第25頁 494623汲極通過一第一電阻、 平行電路接地。 一第二電容及一第二電阻之電路的 1 8·如申請專利範圍第1 0項所述之增益可變型放大 =,其中上述衰減電路包括一 1^通道場效電晶體,且上述 场效電晶體之汲極及源極用一電阻連接。 ·19· 一種適用於手提電話的增益可變型放大器,包 一第一放大電路,依據一控制電壓動作; 一衰減電路,連接到上述第一放大電路的輸出,且依 據一控制電壓動作;及 一第二放大電路,連接到上述第一放大電路的輸出, 其中依據上述控制電壓當上述衰減電路之衰減量增加 時’上述第一放大器的放大量會減少或不改變。 σ 2 0 ·如申請專利範圍第1 9項所述之增益可變型放大 器’其中當上述控制電壓在上述既定電壓範圍增加時,上 述放大電路的放大量會依據上述控制電壓而增加。 % 2 1 ·如申請專利範圍第2 〇項所述之增益可變型放大 裔’其中當上述控制電壓在上述既定電壓範圍内一第一範 圍中變化時,上述一放大電路的放大量大體上不改變。 ^ 22·如申請專利範圍第21項所述之增益可變型放大 器’其中當上述控制電壓在上述既定電壓範圍内一第二範 圍中減少時,上述一放大電路的放大量會減少。
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