TW493100B - Thin film transistor integrated device, method for manufacturing the same, and liquid crystal display apparatus - Google Patents

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五、發明說明（i ) [發明所屬之領域] 本發明係關於使用在例如 薄膜電晶體積體裝置及其製造 晶顯示裝置。 有源矩陣型液晶顯示裝置之 方法與具備該積體裝置之液 [以往之技術] 以往之有源矩陣型液晶顯示裝置主要係使用扭轉向列 (twlstednematlc)方法，即，將液晶夾持在表面形成有透明 電極的兩片對向的透明絕緣性基板之間，π對液晶施加對 此基板成垂直方向之電場，藉以驅動液晶顯示者。 、第11圖表示-種採用以往扭轉向列方式之有源矩陣型 液晶顯不裝置之液晶面板剖視圖。圖中，la為玻璃基板等 透明絕緣性基板，2為在透明絕緣性基板la上具有閘配線 之閘極，5為閘極絕緣膜，6為隔著閘極絕緣膜5形成在閘極 2上之非晶質矽，7為形成在非晶質矽6上之掺雜有磷等雜 質之非晶質矽，9、10為形成在摻雜有雜質的非晶質矽7上， 而具有與非晶質矽6共同構成半導體元件之源極之源極配 線和汲極，11為使用氮化矽或氧化矽等透明絕緣膜之保護 經 濟 部 智 慧 財 局 員， -工 消 費 合 作 社 印 製 膜，26為電性連接於汲極之像素電極，19為定向膜，基 板20係由上述各要素所構成。又，23為對向基板，係在透 月絕緣性基板la上形成遮光膜21、外塗（〇ver coat)層2 2及 對向電極27所構成。24為液晶、25為偏光板。採用扭轉向 列方式之液晶顯示裝置係對夾在TFT基板20與對向基板23 之間的液晶24施加相對於透明絕緣性基板丨a面成垂直方向 之電場。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 1 38751 493100 A7

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五、發明說明（ 經 濟 部 智 慧 財 局 員 -工 消 費 合 作 社 印 製 而且電極間隔愈變狹，則相對於電極間隔變化量之電場強 度變化量亦愈大，使顯示上之亮度偏差變大。 第12圖係表示在習知方式之液晶顯示裝置中將平行電 極間隔與中間質變等級（相當於50%期望透過率）顯示時的 局部性平行電極間隔（S)與面板透過率，沿掃描線方向測 定所得之結果。由圖中箭頭所示部分可知，平行電極-間隔 (S)較小部份，面板透過率會增高。由此結果即得以明瞭， 習知方式之液晶顯示裝置，其電極寬度（W)之變化係造成 面板透過率變化，進而造成顯示不均之原因。 第13圖係根據第12圖所示測定結果之例子，整理其平 行電極寬度（W)、變化量△ W(等於平行電極間隔（s)之變化 量）與面板透過率變化量之關係而得之圖表。由此即可知， 平行電極寬度（W)變化量△ w越大面板透過率變化量也越 大。由此圖也得知，例如，平行電極寬度（w)為時，為 使面板透過率之變動幅度控制在1〇%以下，則須將平行電 極寬度（w)完成尺寸之變化量△ w壓抑在〇 2/ζιη以下。 形成用以對基板面成平行方向電場之兩個電極之方法 以往曾經揭露出一些方法，但任何方法皆非有效。例如，就 對兩層不同層上分別形成兩個電極之方法而言，由於層間 之疊合對準位置之偏差，難於高精度下形成出數# m級之 電極間隔，又於藉分段曝光法形成液晶顯示面板之像素部 時，則因每一分割區域之層間疊合之偏移量互異，致存在 有以目視即可看出分段曝光部界線之問題。 又，就將二電極均以源極/汲極配線層形成之方法 --------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國豕·標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 3 38751 493100 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 38751 A7 B7 五、發明說明（4 ) 言，層間之疊合不一致所引起問題雖然不會發生，但由於 源極/汲極配線係形成在因下層之閘極等而造成凹凸之面 上，所以需要足以覆蓋其階梯差之厚度。因此，同時形成 的二電極之厚度亦會變厚，致難於達成高精確度之圖案形 成（patterning)，以致僅數β m程度之電極間隔亦不能以良 好精確度形成。而且，由於難於使電極寬度細小化，所以 仍有決定液晶顯示裝置之顯示亮度的面板開口（aperture) 率不能確保之問題存在。 本發明係鑒於如上所述之問題而完成者，其目的乃在 於提供得以高精確度形成對基板面成平行方向電場所需之 電極，藉此獲得對基板面成平行方向之電場強度在基板内 為均等狀態，且配線及電極部分之面積小之一種薄膜電晶 體積體裝置。 —本發明之另一目的乃在藉由裝設有搭配對基板面成平 行方向之電場強度在基板内呈均等狀態，且配線及電極部 分之面積小的薄膜電晶體積體裝置，而提供於採用施加於 液晶之電場方向#基板面成平行方向之方式，❿冑乎不會 發生變化視角方向時之對比降低，以及作多質變等級顯示 時之質變等級位階翻轉，且無顯示不勾情事而具有高開口 率之一種液晶顯示裝置。 [解決問題之方案] 有關本發明之薄膜電晶體積體襄置，包括：與控 極同時形成在基板上以形成對基板面成平行方向之電場 呈梳形且互相對向配置之第一電極及第二電極；形成在控 ^張&度適用中國國家標準（CNSlA4規格（⑽χ 297公餐f -------------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 A7 緩 濟 部 智 慧 財 、產 局 消 費 合 作 社 印 製 5 38751 五、發明說明（ 一—第電極及第二電極上之絕緣膜；在控制電極上 I隔者絕緣膜形成之半導體層；以及-對電極，其中的任 一方係連接於與半導體層共同構成半導體元件 之第—電極或第二電極者。 又，對基板面成平行方向電場之區域兩側，設有在控 筮一，側之保持電容量用配線，及位於其相反侧而用~於對 電極或第二電極施加電壓之配線。 又，保持電容量用之配線和對第一電極或第二電極施 電壓之配線係至少由一支第一電極或第二電極電性連 接。 勺再者，本發明之薄膜電晶體積體裝置之製造方法，係 I括·在基板上同時以相同材料形成控制電極、第一電極 及第二電極之製程；在控制電極、第一電極及第二電極上 、成、、邑緣膜之製程，在控制電極上面隔著上述絕緣膜形成 半導體層之製程；以及形成與半導體層共同構成半導體元 件之一對電極之製程。 保持電谷量用之配線係由與控制電極、第一及第 二電極相同之材料同時形成。 又，包含至少對控制電極、第—電極或第^電極施加 電壓之配線及保持電容量用之配線令之任一者被覆低電阻 材料之製程。 又’本發明之液晶顯示裝置，係、包括：透明絕緣性基 板；上述結財，形成在透明絕緣性基板上之任-薄膜電 S曰體積艘裝置’以及與透明絕緣性基板共同夹持液晶材料 G氏張尺度_ t S Θ家標準（CNS)A4規格⑵Q x 297 )__ ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4^3100 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（6 之對向基板。 [實施例] 兹將本發明之薄膜電晶體積體裝置一實施例及裝設有 該積體裝置之液晶顯示裝置配合附圖說明如下。第1圖為本 發明薄獏電晶體積體裝置之一像素部俯視圖，第2圖為第i 圖之A-A線部分之製程剖面示意圖。圖中，1為基板，2為形 成在基板1上而具有閘配線之閘極，3、4為與閘極2同時形 成在基板1上以形成對基板i面成平行方向電場之汲極側電 極和對向電極，其分別具有梳形，且配置成互相對向。5 為全面形成在閘極2、汲極側電極3及對向電極4上之閘極絕 緣膜，ό為隔著閘極絕緣膜5形成在閘極2上之非晶質石夕，7 為形成在非晶質矽6上且摻雜有磷等雜質之非晶質矽，8為 形成在汲極側電極3上之閘極絕緣膜5的接觸孔，9、丨〇為形 成在摻雜有雜質的非晶質矽7上的源極配線和汲極，其 中，汲極10係經由接觸孔8電性連接於汲極側電極3。^為 使用氮化矽或氧化矽等透明絕緣膜之保護膜，12為對於對 向電極4施加電壓之配線，係隔著電場之形成區域而形成 在閘極2之相反側。又，藉汲極側電極3和對向電極4來保持 電壓之保持電容量，係藉由將梳形之對向電極4之一像素 内兩端電極之端部與汲極10相疊合而形成者。薄膜電晶體 積體裝置係令由以上要素所構成之像素排列成矩陣狀而形 成者。 其次，說明本實施例之薄膜電晶體積體裝置之製造 ϋ n n n I n n H ϋ n · ϋ n n I I I n 一I ϋ ϋ n n I I ϋ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 6 38751 493100 A7

經 濟 部 智 慧 財 '產 局 員 -工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（ 法如下。首先，如第2(A)圖所示，使用&、幻、m〇、Ta、 Cu、Ti、W、Al-Cu及Al-Si_Cu、及這些材料之合金以及 IT〇等透明導電材料中任—者所成之單層帛、或將這轉 疊層而成之多層膜中之任-者在基W上形成膜厚為〇〇3 至0.6# m程度之閘極2、用於形成對基板丨面成平行方 向之電場的汲極側電極3以及對向電極4。此時，將閘電極 2、汲極側電極3及對向電極4同時形成圖案（patterning)時 之蝕刻方法，係採用圖案剖面可成為台座狀之錐角蝕刻 (taper etching)方法，但亦可採用圖案剖面為長方形之蝕刻 方法。 接著，如第2圖（B)所示，連續沉積閘極絕緣膜5、非晶 質矽6以及摻雜雜質之非晶質矽7，並使用由照相製版所形 成之抗蝕刻劑將非晶質矽6及摻雜有雜質之非晶質矽7同時 加以蝕刻，俾在閘極2之上方形成非晶質矽6及摻雜有雜質 之非晶質矽7之圖案（pattern)。此時，閘極絕緣膜5係使用氮 化矽及氧化矽、及上述閘極2材料之氧化膜、及將此等膜疊 層而成之多層膜中之任一者來形成。又，亦可使用摻雜磷 等雜質之微晶矽等以替代摻雜有雜質之非晶質石夕7。 其次，如第2圖（C)所示，在汲極側電極3上之閘絕緣膜 5形成接觸孔8。接著，如第2圖（D)所示，將由Cr、A1、Mo、 Ta、Cn、Ti、W、Al-Cu及Al-Si-Cu、及這些材料之合金及 ITO等透明導電材料中任一者所成之單層膜，或由這些膜 疊層而成之多層膜中之任一者製成薄膜，並形成圖案，藉 此以在摻雜有雜質之非晶質矽7之圖案上形成互相保持間 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 7 38751 --------------.— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 丨線 493100 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 製 A7 五、發明說明（ 隔而分割成二之源極配線9及汲極1 〇。此種情形下，汲極i 〇 係經由接觸孔8電性連接於汲極側電極3。之後，留下由源 極配線9和汲極1〇所覆蓋之部分，以蝕刻除去掺雜有雜質 ，非晶質矽7。最後，如第2圖⑻所示，全面形成氮化矽或 氧化矽等透明絕緣膜作為保護膜丨丨。經由以上所述之製程 即可製得在基板1上具有可對基板丨面產生平行方向電場之 汲極側電極3和對向電極4之薄膜電晶體積體裝置。 此外，本實施例係就用以形成對於對基板1面生成平 行方向電場之電極與閘極2同時形成之薄膜電晶體積體裝 置形成方法，與通道蝕刻型薄膜電晶體形成方法相組合之 情形加以說明，但亦可與氮化矽等保護膜介裝在非晶質矽 6(通道部）上之通道保護膜型薄膜電晶體形成方法相組合， 以替代通道蝕刻型薄膜電晶體之方式形成薄膜電晶體積體 裝置。 根據本發明，由於在基板丨上同時形成用於對基板1面 產生平行方向電場之汲極側電極3和對向電極4，所以不會 造成下層之凹凸及層間之叠合偏差而引起電極間隔值之精 確度下降，且由於係形成在平坦基板1±，所以可使汲極側 電極3和對向電極4之膜厚薄化而形成微細狀，以製成對基 板1面成平行方向之電場強度在基板丨内為均等且電場形成 區域之電極部分之面積較小的薄膜電晶體積體裝4。又於 藉分段曝光來形成薄膜電晶體積體裝置時，由於分段曝光 部間之電極間隔不會產生偏差，所以難以目視辨認出分段 曝光所引起之界線。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） 38751 裝--------訂---- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) # 493100 經濟部智慧財局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（9 ) 實施例2 第3圖為本發明實施例2之薄膜電晶體積體裝置之一像 素4之俯視圖® t，13為由沒極側電極3和對向電極4所 形成之電場電壓，亦即，在液晶顯示裝置中用於保持施加 於液晶的電壓之保持電容量之共通配線，其係與間極2同 時形成在基板1上。此外，肖第！圖相同之部分則標註相同 符號並省略其說明。又，因本實施例之薄膜電晶體集體裝 置之製造方法乃與實施例]者相同，故省略其說明。 在實施例1中，保持電容量係藉由疊合對向電極4端部 和汲極1 0來形成之，所以為了使保持電容量提高，則須使 對向電極4端部之圖案加大，且因對向電極4係用於形成保 持電今里，因此，對於對向電極4施加電壓所用之電線丨^之 負載較大，致未便縮小其配線寬度。 惟，在本實施形態中，對於電場形成區域而言，形成 保持電容量所需之共通配線13,係位於與閘極2相同邊側， 且在閘極2和汲極側電極3之間，藉以使薄膜電晶體部分， 與經由接觸孔8連接汲極側電極部分的汲極丨〇疊合在共通 配線13上，故容易形成足夠的保持電容量。 實施例3 實施例2係單獨設置用於形成保持電容量之共通配線 13,惟如第4圖所示，藉由使共通配線13電性連接於梳形的 對向電極4 _之一條線狀電極，即使共通配線丨3或對於對 向電極4施加電壓之配線中之任一方發生斷線，因仍可由 對向電極4相連接，所以不會構成線缺陷。此外，與共通配 A-----------------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 9 38751 493100 A7 五、發明說明（10 ) 線13相連接之對向電極4亦可作成複數個。 又如第5圖所示，由藉由使共通配線13電性連接於梳 形的對向電極4中之一條線狀電極，則可不必使對於對向 電極4施加電壓之配線12連接於鄰接像素之配線12。 根據本實施例，藉由使共通配線1 3與對於對向電極4 施加電壓之配線12相連接即可提高配線之長度，且對於對 向電極4施加電壓之配線12並未與鄰接像素之配線12相連 接，因此，可減少配線12與源極配線9之交又部分，使得下 層之階梯差所造成之斷線或層間短路減少，以減少產品不 良率。 實施例4 第6圖為本發明實施例4之薄膜電晶體積體裝置之一像 素部之俯視圖，第7圖為沿第6圖Β·Β線部分之製程剖面示 思圖。圖中，14為使閘極2低電阻化之配線，15為使共通配 # 線13低電阻化之配線，16為使對於對向電極4施加電廢之 配線12低電阻化之配線，配線14、15、叫係同時形成在 基板1上。此外，關於與第3圖相同之部分則標註相同符號 並省略其說明。 其次，將本實施形態之薄膜電晶體積體裝置之製造 方法加以說明。 首先，如第7圖（Α)所示，使用由Cr、Ai、na、 :、：、A1-Cu及A1-Sl_Cu及這些材料之合金、以及ιτ〇等 透明導電材料中任一材料所成之單層膜9或將由這4b膜疊 層所成的多層膜中之任一者在其把 ,_—，在基板1上同時形成使閘極2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格_(210 x 297八f 10 38751 493100 A7 B7 五、發明說明（η ) 低電阻化之配線14、使共通配線1 3低電阻化之配線1 5、使 對於對向電極4施加電壓之配線12低電阻化之配線ι6(未圖 示），此處，將配線1 4、1 5、1 6同時形成圖案時所用之蝕刻 方法，係使用圖案剖面形成台座形之錐角餘刻法，但亦可 用圖案剖面呈長方形之蝕刻法。 其次，如第7(B)圖所示，對閘極2、共通配線13、—對向 電極4施加電壓之配線12(未圖示）以及對基板1面形成平行 方向電場之汲極側電極3及對向電極4，使用Cr、Al、Mo、 Ta、Cu、Ti、W、Al-Cu與Al_Si-Cu以及該等材料之合金以 及ITO等透明導電材料之任一者所成之單層膜，或該等膜 層疊而成之多層膜等任一者，以閘極2包含使閘極2低電阻 化之配線14、共通配線13包含使共通配線13低電阻化之配 線15 ’對於對向電極4施加電壓之配線12則包含使配線12 低電阻化之配線16(未圖示）的形態同時形成之。此層之膜 厚應儘可能地予以薄化，俾以高精確度形成汲極側電極3 及對向電極4。又，形成圖案時之蝕刻方法，雖係使用圖案 端部呈垂直之蝕刻法，但採用錐角蝕刻法亦可行。 接著，如第7圖（C)所示，連續沉積閘極絕緣膜5、非晶 質矽6及摻雜有雜質之非晶質矽7，並使用以照相製版所形 成之抗蝕刻劑，同時蝕刻非晶質矽6及摻雜有雜質之非晶 質矽7，使非晶質矽6及摻雜有雜質之非晶質矽7之圖案形 成在閘電極2之上方位置。此時，閘極絕緣膜5係使用氮化 矽及氧化矽、上述閘極2材料之氧化膜，以及由這些膜疊層 之多層膜中之任-者形成〇·“_·“ m左右之膜厚。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝---------訂·！ 丨線 經濟部智慧財逢局員工消費合作社印製 冬紙張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公发) 11 38751 493100 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（η ) 又’使用摻雜磷等雜質之微晶矽等替代摻雜雜質之非晶質 矽7亦可行。 接著，如第7圖（D)所示，在汲極側電極3上之閘極絕緣 膜5形成接觸孔8。其次，如第7圖（Ε)所示，將由Cr、A1、 Mo、Ta、Cu、Ti、W、Al-Cu 及 A1_Si_Cu、及這些材料之合 金、及ITO等透明導電材料中之任一材料所成之單層膜，或 由這些膜疊層而成之多層膜中之任一者以 m左右之膜厚製成膜並形成圖案，藉以在摻雜有雜質之非 晶質矽7圖案上形成互相保持間隔地分割成二之源極配線9 及汲極10。此時，汲極10係藉接觸孔8與汲極側電極3構成 電性連接。之後，留下由源極配線9和汲極丨〇所覆蓋之部分， 以蝕刻除去摻雜有雜質之非晶質矽7。最後，如第7圖（1；)所 示，全面形成氮化矽或氧化矽等透明絕緣膜作為保護膜 11 〇 此外，在本實施例中，係就對基板丨面成平行方向電場 之電極與閘極2同時形成之薄膜電晶體積體裝置形成方法 與通道蝕刻型薄膜電晶體形成方法相組合之情形加以說明， 但與通道保護膜型薄膜電晶體之形成方法相組合以替代通 道蝕刻型薄膜電晶體形成方法來形成薄獏電晶體積體裝置 亦可。 又在本實施例中，係使用實施例3之薄膜電晶體積體 裝置結構來說明，但在實施例1或2之薄膜電晶體積體裝置 結構令也可同樣地形成閘極2、對於對向電極4施加電壓之 配線12、及在共通配線13之下層形成低電阻配線，而獲 .-----------裝 *-------訂·----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 12 38751 五、發明說明（13 ) 相同效果。 根據本實施例，由於可僅對須要使配線電組變小之配 線部分使用低電阻材料或予厚膜化來形成低電阻配線，所 以得以對需要高精確度且微細的圖案之基板1面形成平行 方向電場之汲極側電極3和對向電極4予以薄膜化之狀態下 使需要低電阻之配線部分之圖案寬度縮小。 - t施例5 第8圖為本發明實施例5之薄膜電晶體積體裝置之一像 素部之俯視圖，第9圖為沿第8圖C-C線部分之斷面圖。圖中 17為在梳形之汲極側電極3和對向電極4互相面對而形成對 於基板1面成平行方向電場的區域中，已除去閘極絕緣膜5 及保護膜11之部分。此外，與第6圖相同之部分則標註相同 符號並省略其說明。又因本實施例之薄膜電晶體積體裝置 之製造方法乃與實施例4相同，故省略其說明。 經 濟 部 智 慧 財 、產 局 員 .工 消 費 合 作 社 印 製 由於在形成電場之汲極側電極3和對向電極4上形成有 閘極絕緣膜5或保護膜11，所以由汲極侧電極3和對向電極 4所形成之電場強度會減損，因此，如欲使電場強度提高， 則須提尚驅動電壓或使沒極側電極3與對向電極4之電極間 隔變窄，且需要高精確度之圖案。在本實施例之薄膜電晶 體積體裝置，則藉由除去用以形成電場之汲極側電極3和 對向電極4上之閘極絕緣膜5或保護膜丨丨來防止電場強度之 減損。 本實施例之薄膜電晶體積體裝置，係在與實施例1、 2、3、及4同樣方法所形成薄膜電晶體積體裝置中，經形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 13 38751 493100 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（14 ) 保護膜11後，在電場形成區域中，使欲除去部分丨7之閘極 絕緣膜及保護膜11予以蝕刻除去。除去部分17之構成有諸 如··如第9圖（A)所示，除去全部閘極絕緣膜5及保護膜^之 方法’·如第9圖（B)所示，除去保護膜u後留下部分閘極絕 緣膜5而予以除去之方法，以及如第9圖（c)所示，除去閘極 絕緣膜5及保護膜11後，再形成薄層保護膜丨8之方法乙 根據本實施例，藉由將對基板丨面成平行方向電場之 形成區域之汲極側電極3和對向電極4上之閘極絕緣膜5及 保護膜11予以除去，即不至於使所形成之電場強度減損， 所以可以用相同驅動電壓且不會使汲極側電極3與對向電 極4之電極間隔變窄，而能有效率地形成電場。 實施例6 第10圖為表示裝設有本發明薄膜電晶體積體裝置之液 晶顯示裝置之液晶面板剖面圖。圖中，丨&為玻璃基板等透 明絕緣性基板，19為定向膜，20為TFT基板，21為遮光膜，22 為外敷層，23為對向基板，24為液晶，25為偏光板。此外，與 實施例1相同之部分則標註相同符號並省略其說明。 經由與實施例1、2、3、4及5相同方法在透明絕緣性基 板la上形成薄膜電晶體積體裝置後，全面形成定向膜19以 構成TFT基板20。在另一透明絕緣性基板ia上依序形成用 以遮蔽會造成顯示不良之光線的遮光膜21、外敷層22、定 向膜19，以構成對向基板23。將如此形成之tft基板20與 對向基板23互相面對，在其間注入液晶24，並在兩基板外 側貼以偏光板25，即可構成液晶面板。 ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張&度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 14 38751 493100 A7

經 濟 部 智 慧 財 •產 局 員 -工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（15 ) 根據本實施例，對透明絕緣性基板la面成平行方向之 電場強度在基板内為均等狀態，@且採用藉由搭配線及電 極邛刀之面積較小的薄膜電晶體積體裝置，使施加於液晶 24之電場方向對基板面成平行方向之方式，因此，可提供 變化視角方向時之對比降低，以及以多質變等級顯示時之 質變等級位階之翻轉幾乎會消失，無顯示不勻情事，且具 有高開口率之液晶顯示裝置。[發明之效果] 如上所述，根據本發明，由於可以高精確度且微細地 形成對基板面成平行方向電場之電極，所以可獲得一種不 但對基板面成平行方向之電場強度在基板内為均等狀態， 且配線及電極部分之面積較小之薄膜電晶體積體裝置。 其·人，依實施例4所示之方法，形成梳型之汲極側電極 與對向電極之寬度偏差得以縮小，亦即，由於濕式蝕刻時 間得以縮短，故可將過蝕刻（〇ver etching)所產生之電極寬 度偏差減少至習知技術之大約1/3以下，在實施錐角蝕刻 (taper etching)時，電極越厚，電極寬度越難縮小，但由於 電極薄膜化，其寬度容易縮小。具體而言，若以習知方法 形成時，電極寬度必須在大約5vm以上，在對角15忖程度 之晝面内，偏差達± 〇.7#m。若依實施例4之方法，電極寬 度可以縮小至2〜3em程度，偏差量可以抑制在± 〇 2em 程度。結果’如由第13圖也可知，因電極寬度偏差所產生 之畫面内壳度之偏差可由15%減少至1〇%，因而，可實現電 極寬度之細線化，同時，開口率（亮度）得以大約提高至】〇0/〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公楚） 15 38751 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 二π· •線 493100 A7 B7 五、發明說明（16 ) 程度。 又藉由裝設對基板面成平行方向之電場強度在基板内 马均等狀態，且配線及電極部分 積_獎要, |刀之面積較小之薄膜電晶體 檟骽裝置，採用使施加於液晶之電 方向之t4 方向對基板面成平行 方白之方式，所以可提供-種於變化視攻十灯 低，及以多質變等級顯示時之質變等級向時之對比降 失，且無顯示不勻情事而具有高開 之翻轉幾乎消 [圖面之簡單說明] 日日顯示裝置。 第1圖為本發明實施例1之薄獏電晶 圖。 積體裝置俯視 第2圖為本發明實施例丨之薄膜電晶體 剖面圖。 、體裝置之製程 第3圖為本發明實施例2之薄獏電晶體積體裝 圖 置俯視 圖。第4圖為本發明實施例3之薄膜電晶體積體裝置俯視 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖 圖 第5圖為本發明實施例3之薄膜電晶體積體袭 第6圖為本發明實施例4之薄膜電晶體積體裝 第7圖為本發明實施例4之薄膜電晶體 圖。 艰裝置之製程 置俯視 置俯視 剖面圖 第8圖為本發明實施例5之薄膜電晶體積體裝 第9圖為本發明實施例5之薄膜電晶體積體裳 本紙張尺度適时關家標準（CNS)A4規格⑵Q x 297公爱） 置俯視圖 置剖面圖 38751 第13圖為根據實驗結果而整理電極寬度之變動量-與面 板透過率變動量之關係所得之圖表。 [符號之說明] 493100 , -' •麵 A7 -------B7_______ 五、發明說明（Π ) • 第1 0圖為本發明實施例6之薄膜電晶體積體裝置之液 晶面板剖面圖。 第11圖為以往此種液晶顯示裝置之液晶面板剖面圖。 • 第12圖為以往此種液晶顯示裝置於顯示時之局部性電 ’ 極間隔與面板透過率的測定結果之圖表。 -------------裝---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填K本頁) 1 基板 2 閘極 3 汲極側電極 4 對向電極 5 閘極絕緣膜 6 非晶質梦 7 摻雜有雜質之非晶質矽 8 接觸孔 9 源極配線 10 汲極 11 保護膜 12 對於對向電極施加電壓之配線 W 13 共通配線 14 用於使閘極低電阻化之配線 經 15 使共通配線低電阻化之配線 濟 部 智 16 使對於對向電極施加電壓之配線低電阻化之配線 慧 財 17 除去部分 18 保護膜 ，產 局 員 19 定向膜 20 TFT基板 ，工 消 21 遮光膜 22 外敷層 費 合 作 23 對向基板 24 液晶 社 印 25 偏光板 製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 17 38751

Claims (1)

1. 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 合 作 社 印 製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297^^" 18 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 h -種薄膜電晶體積體裝置，其特徵為具有： 與控制電極同時形成在基板上，以形成對上述基 板面成平行方向的電場，且分別呈梳形，並配置成互相 對向之第一電極及第二電極； 形成在上述控制電極、第一電極及第二電極上之絕 緣膜； - 在上述控制電極上面隔著上述絕緣膜形成之半導 體層；以及 一對電極，其中的任一係連接於與上述半導體層 共同構成半導體元件之上述第一電極或第二電極。 2·如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體積體裝置，其中， 對基板面成平行方向電場之形成區域兩側設有：在控制 電極側之保持電容量狀配線，及位在其相反側而用於 對第一電極或第二電極施加電壓之配線。 3·申請專利範圍第2項之薄獏電晶體積體裝置，其中，保 持電容量用之配線和對第_電極或第二電極施加電壓 之配線，係至少由-支第一電極或第二電極電性連接 者。 4. 一種薄膜電晶體積體裝置之製造方法，包括： 在基板上同時以相同材料形成控制電極、分別呈梳 形且配置成互相對向之第—電極及第二電極的製程； 在上述控制電極、第—電極及第二電極上形成絕緣 膜之製程； 在上述控制電極上面隔著上述絕緣膜形成车道牌 38751 -----------^^裝--------訂·丨丨—丨丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   六、 申請專利範圍 層之製程；以及 5 a 6 形成與上述半導體層共同構成半導體元件之一對 電極之製程。 申"月專利粑圍第4項之薄獏電晶體積體裝置之製造 法…'中，保持電谷量用之配線係由與控制電極、第 -電極及第2電極㈣之材料同時形成^ _ :申請專利範圍第4或第5項之薄膜電晶體積體裝置之 造方法，其中’包含至少對控制電極、第一電極或第 -電極施加電壓之配線及保持電容量用之配線中之任 一者被覆低電阻材料之製程。 一種液晶顯示裝置，其特徵為具有： .透明絕緣性基板； 在上述透明絕緣性基板± #彡成如_請I 項所記載之薄膜電晶體積體裝置；以及 圍第1 與上述透明絕緣性基板共同夾潘 基板。 龙持液晶材料之對向 -------------裝 • n n I —i n n n 心δι，β n n n ϋ m··— n I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局’ 員 X 消 費 合 作 社 印 製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 38751 19