TW295678B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TW295678B TW295678B TW084110855A TW84110855A TW295678B TW 295678 B TW295678 B TW 295678B TW 084110855 A TW084110855 A TW 084110855A TW 84110855 A TW84110855 A TW 84110855A TW 295678 B TW295678 B TW 295678B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- mask
- item
- square
- area
- phase
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
ΑΊ Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 1 ) 1 1 發 明 領 域 1 1 本 發 明 偽 關 於 半 導 體 製 造 9 尤 其 是 俱 關 於 在 照 像 平 板 1 印 刷 上 所 用 之 移 相 光 罩 〇 N 請 先 1 ϋ. 明 背 景 閱 I 讀 1 1 在 製 造 包 括 半 導 m 積 體 電 路 晶 片 之 積 體 電 路 上 » 最 駸 背 1 I 之 1 苛 的 步 驟 之 一 僳 為 用 於 提 供 所 需 電 路 圖 樣 之 照 像 平 板 印 意 1 I 刷 程 序 〇 依 現 今 技 術 之 狀 態 * 為 了 達 成 百 前 工 業 上 之 高 拳 項 1 再 I 密 度 裝 置 包 封 之 需 求 半 導 體 裝 置 需 要 非 常 小 之 尺 寸 QSI 圖 填 寫 本 1 裝 樣 0 這 種 需 要 緊 密 相 郯 之 小 尺 寸 之 圖 樣 之 待 點 即 為 需 要 頁 '—/ 1 I 高 解 析 度 之 照 像 平 板 印 刷 程 序 〇 1 1 一 般 1 照 像 平 板 印 刷 利 用 光 束 9 如 紫 外 線 (UV) 波 9 1 | 將 圖 樣 白 照 像 平 板 印 刷 遮 罩 經 影 像 透 鏡 轉 移 至 光 阻 塗 層 1 訂 上 〇 遮 罩 % 包 括 不 透 明 及 透 明 區 域 以 使 在 光 阻 上 之 jdbfc 1 開 口 之 形 狀 配 合 所 需 之 既 定 圖 樣 0 1 I 現 今 被 用 來 改 良 照 像 平 板 印 刷 程 序 之 解 析 度 之 一 種 技 \ 1 I 術 係 為 移 相 石 印 術 〇 藉 移 相 石 印 術 参 光 射 線 之 干 擾 係 用 1 來 消 除 繞 射 及 改 良 投 射 於 百 標 上 之 光 影 像 之 解 析 度 與 焦 | 點 之 深 度 〇 在 移 相 石 印 術 上 t 物 體 上 之 曝 光 相 位 像 被 控 1 1 制 成 相 鄰 之 區 域 最 好 相 互 成 1 8 0 ° 之相位。 如此, 即使 1 1 因 繞 射 而 造 成 對 比 度 之 降 低 但 仍 能 增 強 這 區 域 之 界 面 1 I 處 之 對 比 度 〇 這 種 技 術 改 良 了 在 物 體 上 之 總 解 析 度 並 可 1 1 産 生 非 常 細 之 解 析 度 〇 1 | 利 用 這 種 移 相 技 術 之 優 點 t 移 相 遮 罩 已 廣 泛 地 被 用 來 1 增 進 照 像 平 板 印 刷 程 序 〇 -3 前 — 有 四 型 主 要 之 移 相 遮 罩 ( 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21 ΟΧ 29*7公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 五、發明説明 ( 2 ) 1 1 次 要 型 式 有 不 計 其 數 ) 〇 1 1 一 交 變 移 相 遮 罩 1 造 種 型 式 » 相 位 差 偽指 光 罩 上 之 兩 1 相 鄰 開 P 間 之 相 位 差 〇 這 開 口 係 被 不 透明 材 料 隔 開 〇 請 1. 先 1 交 變 移 相 遮 罩 具 有 持 殊 之 設 計 限 制 t 因 為要 增 進 對 比 度 閱 1 » 最 好 只 有 使 區 域 之 間 相 互 成 為 18 0° 之相位差。 貪 ιέ 1 I 之 1 移 相 器 αα 単 獨 或 相 位 緣 移 位 遮 罩 > 這 種型 式 要 被 增 意 1 I 強 之 圖 樣 僳 被 不 同 相 位 » 最 好 成 180° 相位差, 且其間 事 項 1 再 | 無 吸 收 區 域 之 開 Π 間 之 界 面 所 限 定 0 此 180° 相位差级 寫 本 1 印 出 ( 例 如 成 為 正 光 阻 ) 暗 線 (d a r k 1 i n e ) 〇 該暗線之 頁 1 I 寬 度 % 由 所 使 用 之 設 備 之 光 學 及 程 序 之 參數 決 定 〇 必 須 1 i 應 用 待 殊 之 設 計 策 略 以 在 相 同 之 曝 光 上 産生 不 同 之 暗 線 1 I 寬 度 〇 1 訂 邊 m 移 相 遮 罩 » 這 種 型 式 傜 在 開 □ 之緣 形 成 最 好 為 1 18 0 ° 相位差。 相位差级可增強在該開口之界面處之對 1 I 比 度 〇 於 垣 型 之 移 相 遮 罩 上 t 開 口 之 相 位差 级 與 緣 邊 間 1 1 之 距 離 僳 極 為 重 要 〇 __— 般 t 對 於 每 個 開 口之 尺 寸 9 不 同 1 之 距 離 皆 被 最 佳 化 0 ,旅 | 一 嵌 入 式 移 相 遮 罩 > 這 種 型 式 9 與 傳 統( 二 進 位 ) 之 1 1 光 罩 相 似 » 要 被 印 刷 之 圖 樣 係 被 吸 收 層 上之 開 Π 所 限 定 1 1 〇 與 傳 統 之 光 罩 相 反 的 是 吸 收 層 並 不 完 全吸 收 在 印 刷 程 1 I 序 上 所 使 用 之 所 有 光 輻 射 * 而 偽 傳 送 該 光輻 射 之 有 限 數 1 1 量 ( 典 型 者 為 在 3 X 至 2 0 %間之範圍) 〇 在通過吸收器傳 1 | 送 之 光 輻 射 與 經 光 罩 開 Ρ 傳 送 之 光 輻 射 之間 即 為 最 佳 之 1 I 18 0 ° 移相。 此移相會增強圖樣緣邊之對比度。 -4- 嵌入式 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 3 ) 1 1 移 相 遮 罩 除 了 大 幅 簡 化 製 造 程 序 外 t 也 可 採 用 與 傳 統 光 1 1 罩 ( 僅 一 層 ) 相 同 之 程 式 及 設 計 資 料 設 計 及 製 造 〇 唯 一 1 須 要 修 正 的 是 開 Π ( 偏 倚 ) 大 小 之 差 異 〇 因 為 這 優 請 先 1 點 嵌 入 式 移 相 遮 罩 係 最 常 用 於 高 量 産 之 半 導 體 裝 置 之 閱 讀 1 製 造 上 0 背 1 I 之 1 現 今 有 兩 種 主 要 方 法 以 製 造 嵌 入 式 移 相 遮 罩 〇 — 種 方 注 意 1 I 法 係 使 用 遮 罩 胚 料 上 之 吸 收 層 以 改 變 光 輻 射 之 強 度 及 事 項 1 再 I 利 用 浸 蝕 於 遮 罩 胚 料 上 或 是 沉 積 於 遮 罩 胚 料 上 之 其 它 層 填 本 1 以 改 變 光 輻 射 之 相 位 〇 第 二 種 方 法 僳 在 αο 早 —- 層 上 進 行 強 頁 '— 1 I 度 調 變 及 移 相 兩 者 〇 但 是 這 兩 種 方 法 皆 在 最 終 之 光 罩 I 1 上 産 生 非 均 勻 之 表 面 形 態 〇 1 I 此 非 均 勻 表 面 之 形 態 分 散 光 輻 射 致 喪 失 使 用 這 種 移 1 訂 相 遮 罩 之 —«- 或 所 有 之 優 點 〇 另 外 t 非 均 勻 表 面 之 形 態 1 及 沉 積 在 遮 罩 上 之 不 同 材 料 之 多 層 之 事 實 導 致 在 清 潔 遮 I I 罩 時 産 生 問 題 〇 也 即 是 9 較 會 有 不 必 要 之 顆 粒 及 以 較 大 1 1 1 之 力 量 黏 箸 於 不 平 之 表 面 形 態 上 0 同 時 > 不 同 材 料 層 也 1 * I 限 制 了 採 用 有 效 率 之 清 潔 步 驟 及 化 學 物 〇 旅 I 因 此 I 為 了 使 移 相 技 術 廣 泛 被 採 用 * 製 造 程 序 必 須 與 1 1 既 存 之 製 造 條 件 相 容 9 也 即 是 9 這 些 製 造 程 序 必 須 價 廉 1 1 9 可 重 複 及 清 潔 〇 1 I 因 此 > 本 發 明 之 百 的 % 提 供 嵌 入 式 移 相 遮 罩 及 一 種 用 1 1 為 製 造 不 改 變 遮 罩 胚 料 之 表 面 形 態 且 光 滑 而 無 不 整 齊 > 1 | 同 時 還 能 享 有 移 相 石 印 術 技 術 之 優 點 之 遮 罩 之 方 法 〇 本 1 I 發 明 之 % 外 巨 的 % 生 産 種 -5 具 有 光 滑 表 面 之 移 相 光 罩 俾 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX 29*7公釐) A7 B7 經濟部中央標準局舅工消費合作社印製 五、發明説明 ( 4 ) 1 ! 使 不 必 要 之 顆 粒 較 不 黏 附 其 上 且 以 較 低 之 黏 合 力 黏 附 1 1 於 其 上 » m 此 * 以 製 造 比 該 型 之 其 它 遮 罩 容 易 清 潔 之 較 1 低 缺 陷 密 度 之 遮 罩 〇 r—S 請 先 1 m. 明 想 沭 閱 I 讀 1 | 本 發 明 之 移 相 光 罩 偽 藉 對 適 用 於 照 像 平 板 印 刷 之 遮 罩 背 1 I 之 1 胚 料 之 表 面 作 結 構 性 之 改 變 以 製 成 者 〇 離 子 植 入 » 擴 散 意 1 I 或 相 似 之 程 序 傺 被 利 用 來 以 下 述 方 式 改 變 遮 罩 胚 料 之 被 事 項 1 再 1 選 定 區 域 之 光 學 性 質 即 相 對 於 未 被 處 理 之 區 域 這 4 寫 本 1 裝 區 域 改 變 了 經 遮 罩 胚 料 基 片 之 被 處 理 區 域 而 傳 送 之 光 輻 頁 _> 1 I 射 之 強 度 及 相 位 〇 利 用 依 本 發 明 之 方 法 製 造 之 光 罩 可 增 1 1 進 解 析 度 及 程 序 窗 » 例 如 石 印 術 程 序 之 焦 點 深 度 與 曝 1 I 光 範 圍 〇 1 本 發 明 傷 藉 改 變 表 層 或 接 近 於 遮 罩 胚 料 之 表 面 之 其 它 吞丁 1 層 以 提 供 所 要 之 相 位 及 強 度 調 變 0 這 不 必 改 變 遮 罩 胚 料 1 I 之 實 際 表 面 而 保 留 遮 罩 胚 料 表 面 光 滑 無 化 學 上 之 改 變 〇 1 1 這 種 方 式 y 光 輻 射 不 在 不 同 材 料 之 界 面 上 散 射 9 且 不 1 -^1 必 要 之 顆 粒 較 不 黏 著 於 少 或 無 凹 凸 之 光 滑 表 面 上 〇 縱 旅 I 使 有 顆 粒 黏 著 於 這 樣 的 表 面 * 也 是 以 較 易 被 清 潔 之 較 低 1 1 黏 合 力 黏 著 〇 因 此 可 製 出 較 已 往 技 術 之 移 相 遮 罩 低 缺 陷 1 I 密 度 之 遮 罩 〇 因 為 本 發 明 之 移 相 光 罩 之 遮 罩 表 面 之 化 學 1 I 待 性 % 實 質 上 保 持 未 變 9 故 藉 所 述 之 方 法 製 造 之 成 品 移 1 1 相 遮 罩 可 利 用 那 些 在 進 行 材 料 沉 積 » 如 氣 化 熱 硫 酸 等 9 1 I 之 前 用 來 清 潔 遮 罩 胚 料 之 相 同 之 苛 刻 程 序 來 清 潔 〇 1 圖 式 簡 体 -6 - 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 5 ) 1 1 為 更 加 瞭 m 本 發 明 > 下 面 將 參 照 附 圖 說 明 一 實 施 例 1 1 > 其 中 1 圖 1 A偽 說 明 製 造 本 發 明 之 嵌 入 式 移 相 光 罩 之 第 1 步 驟; 請 先 1 圖 1 B偽 表 示 製 造 本 發 明 之 移 相 光 罩 之 中 間 步 驟 閱 ik 1 圖 1 C傈 表 示 製 造 程 序 上 之 最 後 步 驟 及 説 明 本 發 明 之 移 背 1 | 之 1 相 光 罩 之 第 1 良 好 實 施 例 意 1 I 圖 2 像 表 示 用 於 製 造 本 發 明 之 移 相 光 罩 之 第 2 良 好 實 項 1 再 | 施 例 及 技 術 及 填 本 1 裝 圖 3 % 表 示 用 於 製 造 本 發 明 之 移 相 光 罩 之 第 2 良 好 實 頁 1 1 施 例 及 技 術 〇 1 1 明 詳 沭 1 I 本 發 明 偽 一 種 嵌 入 式 移 相 光 罩 ,其内遮 罩 胚 料 之 基 Μ 係 1 訂 以 實 質 上 未 改 變 基 Η 之 表 面 形 態 之 方 式 被 改 變 〇 此 改 變 1 可 藉 離 子 植 入 或 擴 散 而 進 行 t 刖 述 離 子 植 入 或 擴 散 係 可 1 I 使 欲 製 造 之 遮 罩 具 有 較 低 之 缺 陷 密 度 f 且 同 時 具 有 較 該 1 類 之 其 它 成 品 遮 罩 容 易 清 潔 〇 1 參 照 圖 1 A , 其 示 出 一 依 本 發 明 之 嵌 入 式 移 相 光 罩 之 製 旅 I 造 方 法 而 被 處 理 之 遮 罩 胚 料 1 2 〇 於 本 發 明 之 良 好 實 施 例 1 1 上 » 遮 罩 胚 料 1 2可 由 實 質 上 為 透 明 之 基 片 9 如 石 英 1 所 1 1 形 成 〇 石 英 % 為 — 種 具 有 適 用 於 照 像 平 板 印 刷 之 光 學 性 1 I 質 之 高 度 淨 化 玻 璃 〇 石 英 也 被 證 明 具 有 適 用 於 半 導 體 製 1 1 造 之 其 它 恃 性 9 如 高 溫 時 之 固 有 安 定 性 衛 生 及 容 易 1 I 被 清 潔 〇 石 英 在 紫 外 線 領 域 上 變 成 高 度 透 明 9 因 此 * 在 1 I 採 用 照 像 平 板 印 刷 之 % 統 裡 -7 典 型 地 被 用 為 遮 罩 材 料 〇 但 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2!OX 297公釐) 295678 A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 6 ) 1 1 是 t 須 瞭 解 者 是 遮 罩 胚 料 12 也 可 由 具 有 在 照 像 平 板 印 刷 1 1 應 用 上 所 需 之 光 學 上 與 機 械 上 之 待 性 之 其 它 適 當 材 料 所 1 形 成 〇 /·-V 讀 先 1 圖 1 A所 示 之 遮 罩 層 1 4係 覆 蓋 在 遮 罩 胚 料 1 2上 仍 保 留 其 閱 it 1 原 來 光 學 性 質 之 區 域 〇 也 即 是 » 使 用 這 種 技 藝 上 已 知 之 背 1 I 之 1 技 術 r 如 電 子 束 寫 入 或 雷 射 塑 型 9 將 遮 罩 層 14 覆 蓋 於 基 意 1 I 片 上 或 形 成 圖 樣 於 基 片 上 以 描 畫 所 需 之 電 路 圖 樣 〇 可 明 事 項 1 再 | 白 的 是 遮 罩 層 1 4偽 沉 積 於 其 上 有 遣 留 之 凹 陷 或 曝 光 區 域 填 % 本 1 裝 1 6 之 遮 罩 胚 料 1 2任 側 上 〇 作 為 遮 罩 層 14 者 有 光 阻 9 介 頁 1 I 電 或 金 屬 層 > 其 傜 依 用 以 改 變 遮 罩 胚 料 1 2之 方 法 而 定 〇 1 1 例 如 t 使 用 離 子 植 入 方 法 時 可 採 用 光 阻 作 為 遮 罩 層 14 > 1 | 而 利 用 在 古 同 溫 進 行 離 子 植 入 或 擴 散 之 方 法 時 可 採 用 介 電 1 訂 或 金 屬 層 作 為 遮 罩 層 14 〇 另 外 » 可 瞭 解 者 遮 罩 層 也 可 選 1 擇 地 覆 蓋 於 遮 罩 胚 料 1 2上 而 遣 留 下 代 表 所 需 之 電 路 圖 樣 I I 之 多 重 遮 罩 及 曝 光 之 區 域 〇 1 1 I 參 照 圖 1 B , 其 係 表 示 本 發 明 之 嵌 入 式 移 相 光 罩 1 0 之 中 1 間 步 驟 〇 該 圖 示 出 要 被 處 理 之 選 擇 性 地 被 遮 蔽 之 胚 料 基 旅 I 片 1 2 f 其 内 曝 光 區 域 1 6傷 被 改 變 以 變 更 遮 罩 胚 料 之 被 m 1 1 定 區 域 之 光 學 持 性 9 該 區 域 係 未 被 遮 蔽 者 0 下 面 將 説 明 1 1 可 藉 離 子 植 入 或 擴 散 以 變 更 遮 罩 胚 料 1 2 〇 於 離 子 植 入 時 1 I 遮 罩 胚 料 12傜 受 離 子 摻 雜 物 18之 高 電 壓 離 子 撞 擊 〇 離 子 1 1 摻 雜 物 在 遮 罩 層 1 4 間 之 曝 光 區 1 6 内 形 成 一 變 更 之 區 域 2 0 1 I 〇 此 變 更 之 區 域 2 0 之 功 能 傜 改 變 遮 罩 胚 料 1 2 之 光 學 待 性 1 I 9 其 内 > 相 對 於 基 片 之 未 變 _ Ϊ 更 區 域 通 過 已 變 更 之 區 域 之 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 7 ) 1 I 被 傳 送 之 光 偽 被 移 相 及 吸 收 〇 1 1 於 半 導 體 製 造 技 m 上 離 子 植 入 之 程 序 % 為 吾 人 所 熟 知 1 〇 大 體 上 9 離 子 植 入 傜 在 基 片 之 被 選 定 區 域 上 形 成 摻 雜 請 先 1 原 子 之 特 定 濃 度 與 分 佈 〇 此 即 在 離 子 植 入 區 域 上 改 變 基 閱 讀 1 片 或 遮 罩 胚 料 1 2之 化 學 結 構 及 物 理 特 性 0 於 本 發 明 之 良 背 1 | 之 1 好 實 施 例 上 » 摻 雜物濃 度 及 分 佈 係 達 到 使 遮 罩 胚 料 12 之 折 意 1 I 射 率 産 生 改 變 以 在 曝 光 之 波 長 上 提 供 1 8 0 ° 之移相及4 % 事 項 1 再 1 到 2 0 3;之傳送損失 (因被吸收或反射所致) 〇 寫 本 1 裝 遮 罩 胚 料 基 片 1 2也 可 藉 擴 散 程 序 予 以 變 更 9 擴 散 程 序 頁 1 | 係 廣 泛 被 用 來 將 數 量 受 控 制 之 雜 質 摻 入 基 片 之 方 法 〇 實 1 1 質 上 有 兩 種 擴 散 方 法 被 用 於 半 導 體 製 造 上 9 其 即 定 源 擴 1 | 散 (c ο η s t a η t- S 0 u r c e d i f f u si 0 η )及有限源( limited- 1 訂 S 0 U Γ c e )或高氏擴散(Ga u s si a η d i f f u s i ο η )〇 於定源擴 1 散 上 f 在 整 値 擴 散 週 期 裡 y 在 基 Η 表 面 上 之 雜 質 或 摻 雜 1 I 物 m 度 傜 被 維 持 在 定 常 之 準 位 上 0 在 基 片 表 面 上 之 定 常 1 1 1 雜 質 準 位 傷 依 擴 散 爐 之 溫 度 及 載 體 一 氣 體 (C a r r i e r -g as) 1 一 1 之 流 動 率 而 定 〇 於 大 多 數 之 連 缠 擴 散 % 統 上 * 使 雜 質 摻 旅 I 雜 物 之 表 面 濃 度 由 在 基 片 上 之 特 定 摻 雜 物 之 固 體 —- 溶 解 1 1 度 濃 度 極 限 來 決 定 傜 較 為 方 便 〇 於 有 限 源 或 高 氏 擴 散 上 1 1 » 在 擴 散 期 間 摻 入 於 基 Η 内 之 雜 質 之 總 量 % 被 限 定 〇 這 1 I 可 藉 在 實 際 擴 散 前 之 短 暫 ”前置沉積” 步 m 期 間 對 基 片 之 1 1 每 早 位 曝 光 表 面 區 域 沉 積 一 固 定 數 巨 之 雜 質 原 子 而 達 成 1 | 〇 在 此 刖 置 沉 積 週 期 之 後 接 著 像 驅 入 週 期 II 於此週期 1 I 内 在 前 置 沉 積 週 期 時 已 被 -9 沉 積 之 雜 質 則 擴 散 入 基 Η 内 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (8 ) 1 1 〇 如 同 用 離 子 植 入 程 序 每 一 次 進 行 這 種 擴 散 程 序 時 即 1 1 改 變 基 Η 之 光 學 待 性 及 折 射 率 〇 t I 可 藉 這 種 技 U 上 已 知 之 技 術 精 密 地 控 制 離 子 植 入 程 序 請 先 1 及 擴 散 程 序 以 達 到 改 箩 在 已 變 更 之 區 域 2 0上 之 折 射 率 〇 閱 讀 1 藉 精 確 地 控 制 程 序 之 參 數 9 如 植 入 能 量 ) 退 火 步 m 及 擴 背 1 I 之 1 散 溫 度 i 可 在 基 片 之 表 面 部或接近 於 表 面 部 上 達 到 所 要 之 注 意 1 I 相 位 及 強 度 調 變 1 同 時 使 遮 罩 胚 料 之 實 際 表 面 不 被 改 變 事 項 1 *v 1 再 1 I 而 呈 光 滑 〇 離 子 植 入 及 擴 散 能 在 半 導 體 製 造 業 上 採 用 之 填 % 本 1 裝 適 宜 離 子 植 入 及 擴 散 設 備 上 進 行 〇 摻 雜 離 子 及 ( 雜 質 ) 頁 '··_^ 1 I 原 子 可 為 任 何 能 改 變 遮 罩 胚 料 基 片 12 之 光 學 恃 性 之 物 質 1 1 1 例 如 > 硼 及 磷 〇 其 它 之 摻 雜 材 料 可 包 括 9 但 不 限 定 於 1 1 鋁 , 鎵 9 洇 9 砷 及 銻 0 1 訂 參 照 圖 1 C 1 其 像 表 示 本 發 明 之 嵌 入 式 移 相 光 罩 10 之 最 1 後 代 表 例 0 兀 成 之 移 相 光 罩 1 0 偽 白 遮 罩 胚 料 1 2剝 離 遮 罩 1 I 層 1 4 0 在 剝 離 遮 罩 層 1 4後 遮 罩 胚 料 1 2則 含 有 未 改 變 之 區 I 1 域 2 2及 己 改 變 之 區 域 2 0 〇 參 照 圖 1 C 之 擴 大 詳 細 區 域 » 可 1 瞭 解 藉 仔 細 地 控 制 離 子 植 入 » 擴 散 或 其 它 程 序 之 程 序 參 線 I 數 t 即 使 在 曝 光 之 程 序 區 域 1 6 内 也 能 在 遮 罩 胚 料 1 2上 獲 1 1 得 未 改 變 之 表 面 2 4 〇 如 此 已 改 變 之 區 域 2 0 實 際 變 成 嵌 1 I 入 在 遮 罩 胚 料 1 2 之 表 面 下 而 在 遮 罩 胚 料 1 2 之 表 面 與 已 改 1 I 愛 之 區 域 1 6 間 留 下 小 的 未 改 變 區 域 2 6 〇 此 表 面 之 體 積 之 1 1 深 度 能 淺 到 不 改 變 遮 罩 胚 料 1 2 之 光 學 性 質 * 但 卻 深 到 足 1 | 夠 使 胚 料 材 曝 露 於 周 圍 環 境 0 適 宜 地 控 制 程 序 參 數 9 即 1 | 擴 散 溫 度 > 植 入 策 略 及 / 或 退 火 步 驟 t 也 能 使 位 在 遮 罩 1 1 -1 0 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 9 ) 1 1 胚 料 12 之 已 改 變 區 域 2 0 及 未 改 變 區 域 2 2 間 之 過 渡 區 域 依 1 1 需 求 製 造 以 將 寄 生 效 應 降 至 最 少 〇 1 藉 製 造 被 改 變 之 移 相 區 域 2 0 實 際 嵌 入 於 遮 罩 胚 料 基 η 請 先 1 12 之 表 面 底 下 之 移 相 遮 罩 * 遮 罩 之 表 面 形 態 傜 實 質 上 未 閱 讀 1 改 變 而 保 持 光 滑 0 這 種 方 式 光 輻 射 在 不 同 材 料 之 界 面 處 背 1 I 之 1 不 分 散 而 不 必 要 之 顆 粒 也 較 不 黏 著 於 少 或 無 凹 凸 之 意 1 | 光 滑 表 面 0 如 果 有 顆 粒 黏 著 於 這 樣 之 表 面 上 9 也 是 以 小 事 項 1 1 再 I 黏 合 力 黏 箸 而 可 容 易 被 清 除 〇 因 此 能 製 出 較 已 往 技 術 之 填 寫 本 1 裝 移 相 遮 罩 容 易 清 除 之 低 缺 陷 密 度 之 遮 罩 〇 因 為 本 發 明 之 頁 'W^ 1 I 移 相 遮 罩 1 0 之 表 面 24仍 實 質 上 保 留 位 在 -Vrfj 俄 改 變 區 域 2 0 上 1 1 方 之 遮 罩 胚 料 1 2 之 化 學 性 質 9 故 藉 前 述 方 法 製 造 之 成 品 1 | 移 相 遮 罩 在 進 行 材 料 沉 積 如 氣 化 熱 硫 酸 » 之 •w» 刖 » 可 m 1 訂 被 用 於 與 清 潔 遮 罩 胚 料 1 2 之 相 同 苛 刻 步 驟 而 被 清 潔 〇 因 1 此 > 可 提 高 製 造 效 率 ♦ 因 為 遮 罩 胚 料 可 更 容 易 及 更 徹 底 1 I 地 被 清 潔 〇 1 1 1 從 下 述 可 瞭 解 遮 罩 胚 料 12 之 被 改 變 區 域 2 0 偽 以 與 遮 罩 1 胚 料 基 片 1 2 之 折 射 率 不 同 為 表 獻 > 同 時 也 以 與 遮 罩 胚 料 瘃 I 基 Η 之 光 傳 送 不 同 之 光 傳 送 為 表 激 〇 最 好 是 折 射 率 之 相 1 1 對 差 異 在 通 過 被 改 變 區 域 2 0 之 光 與 通 過 透 明 之 遮 罩 胚 料 1 1 1 2 之 其 它 部 分 之 光 之 間 提 供 1 8 0° 之移相。 最好是被改 1 I 變 區 域 2 0 之 光 傳 送 傷 為 透 明 之 遮 罩 胚 料 1 2 之 任 何 其 它 部 1 1 分 之 光 傳 送 之 4 % 至 2 0 % 〇 這些相移遮罩增強了石印術程 1 | 序 之 解 析 度 與 焦 點 之 深 度 及 / 或 曝 光 範 圍 〇 1 I 參 照 圖 2 > 其 偽 表 示 依 本 發 明 製 造 之 嵌 入 式 移 相 光 罩 1 1 -1 1 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (10 ) 1 I 4 0 之 第 2 實 施 例 0 光 罩 4 0 含 有 遮 軍 胚 料 42及 被 改 變 之 區 1 1 域 4 6 » 其 中 被 改 變 區 域 4 6係 藉 將 基 片 曝 露 於 植 入 之 掃 描 I 離 子 束 4 8 0 如 此 t 遮 罩 旺 料 4 2 之 表 面 像 m 將 聚 焦 之 離 子 /·—^ 請 先 1 束 掃 描 過 欲 被 改 變 之 區 域 而 被 改 變 0 從 圖 2 可 看 出 離 子 閱 讀 1 束 最 初 傜 聚 集 於 被 改 變 之 區 域 4 5之 開 頭 » 然 後 逐 漸 遷 移 背 1 I 之 1 經 過 要 被 改 變 之 區 域 直 到 所 要 之 圖 樣 區 域 被 離 子 植 入 為 意 1 I 止 〇 藉 使 用 精 密 之 聚 焦 離 子 束 4 8以 確 實 地 改 變 在 選 定 之 項 1 再 I 區 域 上 之 遮 罩 胚 料 之 光 學 特 性 可 省 掉 在 進 行 離 子 植 入 前 填 寫 本 1 裝 遮 蔽 基 片 之 步 驟 〇 這 可 減 少 光 罩 之 製 造 步 驟 > 結 果 可 節 頁 'W^ 1 I 省 可 觀 之 費 用 0 1 1 參 昭 圖 3 > 其 偽 表 示 依 本 發 明 之 技 術 製 造 之 嵌 入 式 移 1 | 相 光 罩 6 0 之 第 3 最 佳 實 施 例 0 如 圖 2 所 示 之 實 施 例 光 1 訂 罩 6 0 含 有 遮 罩 胚 料 6 2及 被 改 變 之 區 域 6 6 t 但 是 » 本 實 施 1 例 被 改 變 之 區 域 係 藉 植 入 之 圖 樣 化 離 子 束 68而 産 生 〇 該 1 I 圖 樣 化 之 離 子 束 可 係 為 被 遮 蔽 之 離 子 束 或 為 離 子 植 入 所 1 I 産 生 之 離 子 束 兩 者 之 一 0 兩 者 任 —> 之 情 形 ) 圖 樣 化 之 離 1 子 束 皆 能 使 離 子 精 確 地 植 入 遮 罩 胚 料 6 2 之 選 定 區 域 〇 採 夕良 I 用 這 種 方 式 也 可 省 去 在 植 入 離 子 刖 之 遮 蔽 步 驟 〇 1 1 參 照 圖 2 及 3 > 可 明 白 將 程 序 參 數 ( 植 入 能 量 > 退 火 1 1 步 驟 等 ) 最 佳 化 後 被 改 變 之 區 域 4 6 6 6能 如 參 昭 圖 1 C所 1 I 述 那 樣 被 置 於 遮 罩 胚 料 之 表 面 下 之 淺 處 〇 這 種 情 形 實 質 I 1 上 使 遮 罩 之 被 處 理 之 表 .面 維 持 不 變 進 而 産 生 比 已 說 明 1 I 之 己 往 技 術 顯 著 之 優 點 0 也 可 明 白 依 應 用 所 需 1 也 許 須 1 I 要 在 進 行 先 前 已 述 及 之 離 子 植 入 之 前 將 胚 料 基 片 4 2 I 6 2 1 1 -1 2 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明( A7 B7 子不包 例而應 為更更 。 係變變内 夠及及圍 不變變範 只改改之 例做些明 施例這發 實施之本 之實有之 述之所定 所逑。限 圖前圍所 附對範項 照可及各 參者神圍 白術精範 明技之利 應項明專 述此發請 C 上悉本申 蔽從熟越於 遮 ,逾括 裝------訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 申請專利範圍 第84 1 1 08 55號「嵌入式移相光遮罩及其製造方法」專利案 * (85年11月修正) 杰申請專利範圍: 1. 一種製造照像平板印刷所用移相光罩之方法,該方法 包括下述步驟 提供一種照 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 以一 胚料表 將物 區域以 其中 域之位 剝除 光滑之 .如申請 嵌入區 底下, .如申請 從選出 .如申請 完成該 .如申請 束完成 遮罩層 面上形 質導入 改變各 通過該 置被移 該遮罩 表面, 專利範 域,一 其中該 專利範 之摻雜 專利範 離子植 專利範 該離子 像平板 遮蔽該 成曝光 該遮罩 該區域 遮罩胚 相及吸 層,因 没有任 圍第1 移相材 遮罩胚 圍第1 物作離 圍第3 入。 圍第3 植入。 印刷所用之 遮罩胚料之 及非曝光區 旺料各該曝 之光學性質 料而傳送之 收;及 而在該遮罩 何起伏凹凸 項之方法, 料在該曝光 料表面之化 項之方法, 子植入。 項之方法, 遮罩胚料; 選定部分而在該遮罩 域之圖型; 光區域表面緊下方之 t 光線只在各該曝光區 胚料上留下整體均句 缺陷。 其中各該區域含有之 區域遮罩胚料之表面 學性質維持不變。 其中該導入步驟包括 其中藉一離子掃描束 項之方法,其中藉一圖樣化離子 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印袈 括 有 料群 該0°方 内之變之料。描 離 B. 含 胚族 之18該 域送改子材變掃 之 驟 料 罩等 料生 , :區傳而離變不子 化 步。胚 遮銻 胚産 法 Η 定域域入改持離 樣 入驟罩 該及 罩上 方 基選區區植生維一 圖 導步遮 入砷 遮射 之 料之該他該産質藉 0 該之該 導, .該輻 罩 胚下過其中下性中 中 中域中 中絪 中光 光 罩底通之其底學其 其 其區其 其, 其在 I 相 遮面使 Η -面化, , ,等, ,鎵 ,,|5^移 之表,基法表之法 法 員 法該法 法, 法域 W 用 用 Η 質該方料面方 方 方料方 方鋁 方區 Μ 所 所基性於之胚表之 之 之胚之 之, 之光 刷 刷該學對項罩 Η 項 項 項罩項 項磷 項曝 Ρ 印 印入光相10遮基1010。 1 遮 1 1· 1 未20板 板植之位第域該第 。第入 第該第 第硼 第於至平:平子域相圍區中圍入圍植 圍入圍 圍含 圍對4¾像驟像離區及範定其範植範子 範進範 範從 範相生照步照將定度利選,利子利離 利散利 利傷 利域産造列種物選強專等域專離專該 專擴專 專質 。專區及製下 一 雜該之請該區謓該請成 請子請 。請物出請光相種括供摻變射申在入申成申完 申原申英申該選申曝移一包提自改輻如驟嵌如完如束 如將如石如之中如等之 .法 以光 .步之 .束 .子 • · · · ftv li CNl oo Λο V. oo Qv IX 1X ix IX ^ ^------訂 ,(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公嫠) A8 DO 295678 g88 六、申請專利範圍 14. 如申請專利範圍第10項之方法,其中該遮罩胚料之 該等選定區屬相對於該基Η之其它區域在光輻射上産 生180°之移相及4S!至20S;之傳送損失。 15. —種照像平板印刷所用之移相光罩,該光罩包括: 一第1折射率之透明基Η,該基Η緊鄰其上表面含 有許多選定區域,該等選定區域具有實質上與該第1 折射率不同之第2折射率,其中通過該基Η傳送之光 輻射之強度及相位只在該基片選定區域上才改變。 16. 如申請專利範圍第15項之光罩,其中該等選定區域 嵌入於該基Η上表面底下,且其中該遮罩基Η表面之 化學性質維持不變,因此在該基Μ上表面上留下整體 光滑之表面而無任何起伏凹凸缺陷。 17 .如申請專利範圍第15項之光罩,其中將物質導入該 基Η内而結構性地改變該等選定區域,使該等選定區 域從該第1折射率改變為該第2折射率。 18. 如申請專利範圍第17項之光罩,其中導入該基片之 該物質偽自含有硼,磷,鋁,鎵,絪,砷及銻之族群 中選出。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 19. 如申請專利範圍第15項之光罩,其中該基片為石英。 2 0.如申謓專利範圍第17項之光罩,其中藉離子植入完 成該物質之導入。 21.如申請專利範圍第17項之光罩,其中藉擴散完成該 物質之導入。 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 2.如申請專利範圍第17項之光罩,其中該基Μ之該等 改變區域相對於該基Η之該未改變區域在光輻射上産 生180°之移相及U至20¾之傳送損失。 ^^^1 ^^^^1 m· n^i —BIBi ^—B^i mu flu nn a^i·^— nn HB^i 1 i J^i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/359,790 US5679483A (en) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | Embedded phase shifting photomasks and method for manufacturing same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW295678B true TW295678B (zh) | 1997-01-11 |
Family
ID=23415285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW084110855A TW295678B (zh) | 1994-12-20 | 1995-10-16 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5679483A (zh) |
EP (1) | EP0718691B1 (zh) |
JP (1) | JP3205241B2 (zh) |
KR (1) | KR100374207B1 (zh) |
AT (1) | ATE182411T1 (zh) |
DE (1) | DE69510902T2 (zh) |
TW (1) | TW295678B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115755517A (zh) * | 2022-11-18 | 2023-03-07 | 上海积塔半导体有限公司 | 掩模装置及其制造方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5897976A (en) * | 1996-05-20 | 1999-04-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Attenuating embedded phase shift photomask blanks |
US6555484B1 (en) * | 1997-06-19 | 2003-04-29 | Cypress Semiconductor Corp. | Method for controlling the oxidation of implanted silicon |
TW371327B (en) * | 1998-05-01 | 1999-10-01 | United Microelectronics Corp | Phase-shifting mask (PSM) and method for making the same |
JP2000206675A (ja) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Nikon Corp | 転写マスク用ブランクスおよび転写マスク |
US20030157415A1 (en) * | 2000-02-16 | 2003-08-21 | Ziger David H. | Apparatus and method for compensating critical dimension deviations across photomask |
US6566016B1 (en) * | 2000-06-28 | 2003-05-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Apparatus and method for compensating critical dimension deviations across photomask |
DE10131534B4 (de) * | 2001-06-29 | 2007-07-19 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer Maske zum Belichten |
KR100393230B1 (ko) * | 2001-08-16 | 2003-07-31 | 삼성전자주식회사 | 잔막율을 조절할 수 있는 포토레지스트 패턴의 형성방법 |
US6841311B1 (en) * | 2002-03-15 | 2005-01-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Cleaning process for phase shift masks |
US20040241554A1 (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-02 | Lsi Logic Corporation, Milpitas, Ca | Ion implantation phase shift mask |
US7276316B2 (en) * | 2004-02-02 | 2007-10-02 | International Business Machines Corporation | Common second level frame exposure methods for making embedded attenuated phase shift masks |
CN114859651A (zh) * | 2022-07-05 | 2022-08-05 | 上海传芯半导体有限公司 | 反射型掩模基板及制备方法、反射型掩模版及制备方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE31220E (en) * | 1977-11-30 | 1983-04-26 | Ppg Industries, Inc. | Electromigration method for making stained glass photomasks |
AT382040B (de) * | 1983-03-01 | 1986-12-29 | Guenther Stangl | Verfahren zur herstellung von optisch strukturierten filtern fuer elektromagnetische strahlung und optisch strukturierter filter |
CA1313792C (en) * | 1986-02-28 | 1993-02-23 | Junji Hirokane | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
US4902899A (en) * | 1987-06-01 | 1990-02-20 | International Business Machines Corporation | Lithographic process having improved image quality |
US5260150A (en) * | 1987-09-30 | 1993-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask with light shielding film buried in substrate |
EP0422614B1 (en) * | 1989-10-13 | 1996-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aperture pattern-printing plate for shadow mask and method for manufacturing the same |
US5217830A (en) * | 1991-03-26 | 1993-06-08 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating phase shifting reticles using ion implantation |
US5208125A (en) * | 1991-07-30 | 1993-05-04 | Micron Technology, Inc. | Phase shifting reticle fabrication using ion implantation |
US5300379A (en) * | 1992-08-21 | 1994-04-05 | Intel Corporation | Method of fabrication of inverted phase-shifted reticle |
-
1994
- 1994-12-20 US US08/359,790 patent/US5679483A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-10-16 TW TW084110855A patent/TW295678B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-10-20 EP EP95116582A patent/EP0718691B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-10-20 AT AT95116582T patent/ATE182411T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-10-20 DE DE69510902T patent/DE69510902T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-18 JP JP32901195A patent/JP3205241B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-20 KR KR1019950052442A patent/KR100374207B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115755517A (zh) * | 2022-11-18 | 2023-03-07 | 上海积塔半导体有限公司 | 掩模装置及其制造方法 |
CN115755517B (zh) * | 2022-11-18 | 2024-04-26 | 上海积塔半导体有限公司 | 掩模装置及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0718691A3 (en) | 1996-10-30 |
EP0718691B1 (en) | 1999-07-21 |
JP3205241B2 (ja) | 2001-09-04 |
DE69510902D1 (de) | 1999-08-26 |
JPH08240902A (ja) | 1996-09-17 |
ATE182411T1 (de) | 1999-08-15 |
EP0718691A2 (en) | 1996-06-26 |
DE69510902T2 (de) | 2000-02-17 |
KR100374207B1 (ko) | 2004-05-10 |
US5679483A (en) | 1997-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW295678B (zh) | ||
US8124319B2 (en) | Semiconductor lithography process | |
KR100639079B1 (ko) | 패턴 미세화용 피복 형성제 및 이를 사용한 미세 패턴의형성방법 | |
US7718348B2 (en) | Photolithography process and photomask structure implemented in a photolithography process | |
TW546702B (en) | Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device | |
TW556052B (en) | Exposure method | |
CN101427348A (zh) | 用于降低图案中的最小间距的方法 | |
CN104181781A (zh) | 用于清洁光掩模的设备和方法 | |
US20090219496A1 (en) | Methods of Double Patterning, Photo Sensitive Layer Stack for Double Patterning and System for Double Patterning | |
TW447082B (en) | Method for increasing the line width window in a semiconductor process | |
JP2003015275A (ja) | グレイスケールマスク作製法とそれを用いた3次元微細加工方法 | |
TW554403B (en) | Apparatus and method for forming photoresist pattern with target critical dimension | |
CN107643651B (zh) | 一种光刻辅助图形的设计方法 | |
US20050112476A1 (en) | Phase-shift mask and fabrication thereof | |
US6670646B2 (en) | Mask and method for patterning a semiconductor wafer | |
US20100209824A1 (en) | Photomask | |
CN100468210C (zh) | 使用浸没光刻工艺制造半导体器件的方法 | |
CN1971428B (zh) | 使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法 | |
JPS5839463Y2 (ja) | 転写装置 | |
JPH0527413A (ja) | 露光装置用ホトマスク | |
TWI240303B (en) | Method to enhance the photo process window in IC manufacturing | |
TWI222670B (en) | Immersion lithography process and mask layer structure applied in the same | |
TW473976B (en) | Method for forming alignment mark on semiconductor substrate | |
KR20080062752A (ko) | 위상반전마스크 제조방법 | |
TW200300961A (en) | Multiple photolithographic exposures with different clear patterns |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |