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TW202346025A - 基板研磨裝置 - Google Patents

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TW202346025A
TW202346025A TW112106037A TW112106037A TW202346025A TW 202346025 A TW202346025 A TW 202346025A TW 112106037 A TW112106037 A TW 112106037A TW 112106037 A TW112106037 A TW 112106037A TW 202346025 A TW202346025 A TW 202346025A
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TW
Taiwan
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polishing
module
substrate
grinding
modules
Prior art date
Application number
TW112106037A
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English (en)
Inventor
谷澤昭尋
小林賢一
大橋弘尭
石川翔
柏木誠
宮澤康之
Original Assignee
日商荏原製作所股份有限公司
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Publication date
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Abstract

本發明係關於研磨晶圓等基板的基板研磨裝置，尤其關於進行基板的凹口部、基板的斜面部、基板的元件面、及基板的背面的研磨的基板研磨裝置者。基板研磨裝置係具備：第1研磨模組、第2研磨模組、及第3研磨模組，第1研磨模組、第2研磨模組、及第3研磨模組係分別研磨基板的不同區域的研磨模組。

Description

基板研磨裝置
本發明係關於研磨晶圓等基板的基板研磨裝置，尤其關於進行基板的凹口（notch）部、基板的斜面（bevel）部、基板的元件面、及基板的背面的研磨的基板研磨裝置。
由製造半導體元件的成品率提升的觀點來看，基板的表面狀態的管理近年來備受矚目。在半導體元件的製造工序中，各種材料成膜在矽晶圓上。因此，在基板的周緣部係形成不必要的膜或表面粗糙。近年來，一般為僅以臂保持基板的周緣部來搬送基板的方法。在如上所示之背景之下，殘留在周緣部的不必要的膜在經由各種工序的期間剝離而附著在形成於基板的元件，使成品率降低。因此，為了去除形成在基板的周緣部的不必要的膜，進行藉由基板研磨裝置所為之基板的周緣部的研磨。
在基板的周緣部一般形成斜面部及凹口部。斜面部係指在基板的周緣部被去角的部分，形成為用以防止基板的破片或微粒的發生等。另一方面，凹口部係指為了特定結晶方位而形成在基板的周緣部的切口。上述研磨基板之周緣部的基板研磨裝置係可大致區分為研磨斜面部的斜面研磨裝置、及研磨凹口部的凹口研磨裝置。
此外，近年來，記憶體電路、邏輯電路、影像感測器（例如CMOS感測器）等元件係不斷加高積體化。在形成該等元件的工序中，係有微粒子或塵埃等異物附著在元件的情形。附著在元件的異物係會引起配線間的短路或電路的不良情形。因此，為了使元件的可靠性提高，必須將形成有元件的基板清洗，而將基板上的異物去除。
如上所述之微粒子或粉塵等異物亦有附著在基板的背面（非元件面）的情形。若如上所示之異物附著在基板的背面，基板由曝光裝置的載台基準面分離、或基板表面相對載台基準面呈傾斜，可能發生圖案化的偏移或焦點距離的偏移。為了防止如上所示之問題，進行藉由背面研磨裝置所為之基板的背面的研磨。
此外，為了去除附著在基板的元件面的黏著性的異物、或去除基板的元件面的微小刮痕，有將基板的元件面稍微研磨的情形。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2019-87655號公報
［發明所欲解決之課題］
進行上述之基板的斜面部的研磨、基板的凹口部的研磨、基板的背面的研磨、及基板的元件面的研磨時，使用斜面研磨裝置、凹口研磨裝置、背面研磨裝置、及元件面研磨裝置等4個類型的裝置來進行。移至不同類型的基板研磨裝置時，必須每次使基板清洗、乾燥，處理全體的處理量（throughput）提升成為課題。
因此，本發明係提供在進行複數類型的研磨時，可縮短全體的處理時間的基板研磨裝置。 ［解決課題之手段］
在一態樣中，提供一種基板研磨裝置，其係具備：第1研磨模組、第2研磨模組、及第3研磨模組，前述第1研磨模組、前述第2研磨模組、及前述第3研磨模組係分別研磨基板的不同區域的研磨模組。 在一態樣中，前述第1研磨模組、前述第2研磨模組、及前述第3研磨模組係當由前述基板研磨裝置之上觀看時，在一直線上排列配置。 在一態樣中，前述第1研磨模組係研磨前述基板的凹口部的凹口研磨模組、研磨前述基板的斜面部的斜面研磨模組、及研磨前述基板的背面的背面研磨模組之中的1個，前述第2研磨模組係前述凹口研磨模組、前述斜面研磨模組、及前述背面研磨模組之中的其他1個，前述第3研磨模組係前述凹口研磨模組、前述斜面研磨模組、及前述背面研磨模組之中的剩餘1個。 在一態樣中，前述第1研磨模組係研磨前述基板的元件面的元件面研磨模組、研磨前述基板的斜面部的斜面研磨模組、及研磨前述基板的背面的背面研磨模組之中的1個，前述第2研磨模組係前述元件面研磨模組、前述斜面研磨模組、及前述背面研磨模組之中的其他1個，前述第3研磨模組係前述元件面研磨模組、前述斜面研磨模組、及前述背面研磨模組之中的剩餘1個。 在一態樣中，前述基板研磨裝置係另外具備：殼體，前述第1研磨模組、前述第2研磨模組、及前述第3研磨模組係配置在前述殼體內。
在一態樣中，前述基板研磨裝置係另外具備：第1控制模組、第2控制模組、及第3控制模組，其係分別控制前述第1研磨模組、前述第2研磨模組、及前述第3研磨模組的動作，前述第1至第3研磨模組及前述第1至第3控制模組係配置成可在前述殼體內安裝卸下。 在一態樣中，前述第1至第3研磨模組係具有相同尺寸，前述第1至第3控制模組係具有相同尺寸。
在一態樣中，前述基板研磨裝置係另外具備：總括控制部，其係控制前述第1至第3研磨模組及前述第1至第3控制模組的動作，前述第1控制模組係具備可電性連接於前述總括控制部及前述第1研磨模組的第1配線連接器，前述第2控制模組係具備可電性連接於前述總括控制部及前述第2研磨模組的第2配線連接器，前述第3控制模組係具備可電性連接於前述總括控制部及前述第3研磨模組的第3配線連接器。 在一態樣中，前述基板研磨裝置係另外具備：第4研磨模組，其係配置在前述殼體內；第4控制模組，其係配置成可在前述殼體內安裝卸下，控制前述第4研磨模組的動作；異常檢測系統，其係檢測在前述第1至第4研磨模組所發生的異常；及總括控制部，其係控制前述第1至第4研磨模組及前述第1至第4控制模組的動作，前述第1研磨模組及前述第4研磨模組的各個係研磨前述基板的凹口部的凹口研磨模組、研磨前述基板的斜面部的斜面研磨模組、研磨前述基板的背面的背面研磨模組、及研磨前述基板的元件面的元件面研磨模組之中的1個，前述總括控制部係構成為當前述異常檢測系統檢測到前述第1研磨模組的異常時，作成使用前述第4研磨模組，而且不使用前述第1研磨模組的處理流程。
在一態樣中，前述基板研磨裝置係另外具備：第1控制模組、第2控制模組、及第3控制模組，其係分別控制前述第1研磨模組、前述第2研磨模組、及前述第3研磨模組的動作；及總括控制部，其係控制前述第1至第3研磨模組及前述第1至第3控制模組的動作，前述第1控制模組係具備可電性連接於前述總括控制部及前述第1研磨模組的第1配線連接器，前述第2控制模組係具備可電性連接於前述總括控制部及前述第2研磨模組的第2配線連接器，前述第3控制模組係具備可電性連接於前述總括控制部及前述第3研磨模組的第3配線連接器。 在一態樣中，前述基板研磨裝置係另外具備：第4研磨模組；第4控制模組，其係控制前述第4研磨模組的動作；及異常檢測系統，其係檢測在前述第1至第4研磨模組所發生的異常，前述第1研磨模組及前述第4研磨模組的各個係研磨前述基板的凹口部的凹口研磨模組、研磨前述基板的斜面部的斜面研磨模組、研磨前述基板的背面的背面研磨模組、及研磨前述基板的元件面的元件面研磨模組之中的1個，前述總括控制部係構成為控制前述第1至第4研磨模組及前述第1至第4控制模組的動作，且構成為前述異常檢測系統檢測到前述第1研磨模組的異常時，作成使用前述第4研磨模組，而且不使用前述第1研磨模組的處理流程。 ［發明之效果］
藉由本發明，基板研磨裝置係具備有：凹口研磨模組、斜面研磨模組、背面研磨模組、及元件面研磨模組之中至少3個類型的研磨模組，因此可連續進行藉由至少3個類型的研磨模組所為之研磨。藉此，每次藉由各研磨模組所為之研磨結束，無須清洗、乾燥基板，可縮短全體的處理時間。
此外，藉由本發明，基板研磨裝置係可按照處理流程或各研磨模組中的研磨時間，重組研磨模組的類型及配置。藉此，可在1個基板研磨裝置對應各種研磨工序，實現效率佳的處理流程。
此外，藉由本發明，基板研磨裝置係設有複數個同一類型的研磨模組，藉由異常檢測系統檢測到該設有複數個的類型的研磨模組的異常時，可變更為不使用檢測到異常的研磨模組的處理流程。藉此，無須使基板研磨裝置的全體的動作停止，即可繼續基板的處理。
以下參照圖面，說明本發明之實施形態。 圖1係顯示基板研磨裝置的一實施形態的平面圖。圖1中的箭號係表示基板的搬送方向。基板研磨裝置係具備有：殼體1、裝載埠2、研磨模組4A、研磨模組4B、研磨模組4C、研磨模組4D、第1暫置台6、第2暫置台7、第3暫置台8、清洗乾燥部9、第1搬送機器人11、第2搬送機器人12、第3搬送機器人13、第4搬送機器人14、及第5搬送機器人15。研磨模組4A、研磨模組4B、研磨模組4C、研磨模組4D、第1暫置台6、第2暫置台7、第3暫置台8、清洗乾燥部9、第1搬送機器人11、第2搬送機器人12、第3搬送機器人13、第4搬送機器人14、及第5搬送機器人15係配置在殼體1內。
晶圓等研磨對象基板係收容在基板匣盒16，基板匣盒16係載置於裝載埠2。第1搬送機器人11係鄰接裝載埠2作配置。第1搬送機器人11係將應研磨的基板由裝載埠2上的基板匣盒16取出，而載置於第1暫置台6。
4個研磨模組4A～4D係沿著殼體1的長邊方向作配列。4個研磨模組4A～4D係當由基板研磨裝置之上觀看時，排列在一直線上作配置。研磨模組4A係鄰接研磨模組4B，研磨模組4B係鄰接研磨模組4A、4C，研磨模組4C係鄰接研磨模組4B、4D，研磨模組4D係鄰接研磨模組4C。研磨模組4A～4D係包含有：研磨基板的凹口部的凹口研磨模組、研磨基板的斜面部的斜面研磨模組、及研磨基板的背面的背面研磨模組等3個類型的研磨模組。研磨模組4A～4D所包含的3個類型的研磨模組係分別研磨基板的不同區域的研磨模組。更具體而言，研磨模組4A、研磨模組4B係凹口研磨模組，研磨模組4C係斜面研磨模組，研磨模組4D係背面研磨模組。
在本實施形態中，基板研磨裝置係具備有4個研磨模組4A～4D，惟基板研磨裝置若具備：包含分別研磨基板的不同區域的凹口研磨模組、斜面研磨模組、背面研磨模組、及元件面研磨模組等4個類型的研磨模組之中至少3個類型的研磨模組的至少3個研磨模組，並非限定於本實施形態。例如，基板研磨裝置亦可具備：包含2個凹口研磨模組、2個斜面研磨模組、及2個背面研磨模組等3個類型的研磨模組的6個研磨模組。
研磨模組4A～4D係可安裝卸下地配置在殼體1內。此外，研磨模組4A～4D係具有相同的尺寸。因此，可改變構成研磨模組4A～4D的凹口研磨模組、斜面研磨模組、及背面研磨模組的配置。例如，亦可將研磨模組4A、研磨模組4B設為斜面研磨模組，將研磨模組4C設為背面研磨模組，將研磨模組4D設為凹口研磨模組。
在本實施形態中，藉由研磨模組4A及研磨模組4B的至少一方來研磨基板的凹口部。之後，藉由研磨模組4C來研磨基板的斜面部，另外藉由研磨模組4D來研磨基板的背面。該處理流程，亦即所使用的研磨模組的類型、及研磨模組的動作順序為一例，處理流程並非侷限於本實施形態。
第1暫置台6係在藉由研磨模組4A～4D研磨基板之前，暫時載置基板的暫置台。在一實施形態中，第1暫置台6亦可具備凹口對準器（未圖示）。凹口對準器係用以檢測基板的凹口（切口），並且將基板的凹口對合在預定的位置的裝置。凹口對準器的具體構成若為可檢測基板的凹口，且將基板的凹口對合在預定的位置者，並未特別限定。
第2搬送機器人12係鄰接研磨模組4A及研磨模組4B作配置。第2搬送機器人12係由第1暫置台6取出基板，將基板搬送至研磨模組4A及／或研磨模組4B，且由研磨模組4A及／或研磨模組4B收取基板。此外，第2搬送機器人12係將藉由研磨模組4A及／或研磨模組4B所研磨的基板載置於第2暫置台7。第2暫置台7係在藉由研磨模組4C研磨基板之前，暫時載置基板的暫置台。
第3搬送機器人13係鄰接研磨模組4C、4D作配置。第3搬送機器人13係由第2暫置台7取出基板，將基板搬送至研磨模組4C及研磨模組4D，且由研磨模組4C及研磨模組4D收取基板。此外，第3搬送機器人13係將藉由研磨模組4C、4D所研磨的基板載置於第3暫置台8。第3暫置台8係在藉由清洗乾燥部9清洗、乾燥基板之前，暫時載置基板的暫置台。
藉由研磨模組4A～4D被研磨的基板係藉由清洗乾燥部9予以清洗、乾燥。清洗乾燥部9係具備有：清洗藉由研磨模組4A～4D被研磨的基板的第1清洗模組17及第2清洗模組18；及使經清洗的基板乾燥的乾燥模組19。
第1清洗模組17、第2清洗模組18、及乾燥模組19係沿著殼體1的長邊方向作配列。第1清洗模組17係構成為進行藉由捲筒狀的海綿構件所為之刷洗清洗。第2清洗模組18係構成為進行藉由鉛筆狀的海綿構件所為之刷洗清洗。在本實施形態中，清洗乾燥部9係具備有：第1清洗模組17、及第2清洗模組18，惟在一實施形態中，清洗乾燥部9亦可具備有第1清洗模組17及第2清洗模組18之中任一方。
第4搬送機器人14係鄰接第3暫置台8而配置在第1清洗模組17與第2清洗模組18之間。第4搬送機器人14係由第3暫置台8取出基板，且搬送至清洗乾燥部9的第1清洗模組17。此外，第4搬送機器人14係在第1清洗模組17與第2清洗模組18之間進行基板的搬送。第5搬送機器人15係配置在第2清洗模組18與乾燥模組19之間。第5搬送機器人15係在第2清洗模組18與乾燥模組19之間進行基板的搬送。藉由清洗乾燥部9被清洗、乾燥的基板係藉由第1搬送機器人11而再次被送回至裝載埠2的基板匣盒16。
基板研磨裝置係另外具備有：與研磨模組4A～4D（更具體而言為凹口研磨模組、斜面研磨模組、及背面研磨模組）、清洗乾燥部9、第1搬送機器人11、第2搬送機器人12、第3搬送機器人13、第4搬送機器人14、及第5搬送機器人15作電性連接的總括控制部20。總括控制部20係構成為控制研磨模組4A～4D（更具體而言為凹口研磨模組、斜面研磨模組、及背面研磨模組）、清洗乾燥部9、第1搬送機器人11、第2搬送機器人12、第3搬送機器人13、第4搬送機器人14、及第5搬送機器人15的動作。
總括控制部20係具備有：儲存所使用的研磨模組的類型等資訊、及用以作成研磨模組的動作順序亦即處理流程的程式的記憶裝置20a；及按照程式來執行運算的運算裝置20b。記憶裝置20a係具備有：運算裝置20b可存取的主記憶裝置（例如隨機存取記憶體）；及儲存程式的輔助記憶裝置（例如硬碟驅動機或固體狀態驅動機）。運算裝置20b係包含按照儲存在記憶裝置20a的程式所包含的命令來進行運算的CPU（中央處理裝置）或GPU（圖形處理模組）等。
總括控制部20係具備有至少1台電腦。例如，總括控制部20亦可為以通訊線連接於基板研磨裝置的邊緣伺服器，亦可為藉由網際網路等網路而連接於基板研磨裝置的雲端伺服器。總括控制部20亦可為複數伺服器的組合。例如，總括控制部20亦可為藉由網際網路或區域網路等通訊網路而彼此相連接的邊緣伺服器與雲端伺服器的組合、或者亦可為未以通訊網路相連接的複數伺服器的組合。但是，總括控制部20的具體構成並非為限定於該等示例。
圖2係由以箭號A所示方向觀看圖1所示之基板研磨裝置的側面圖。基板研磨裝置係另外具備：分別控制研磨模組4A～4D的動作的4個控制模組30A～30D。控制模組30A係構成為控制研磨模組4A的動作。控制模組30B係構成為控制研磨模組4B的動作。控制模組30C係構成為控制研磨模組4C的動作。控制模組30D係構成為控制研磨模組4D的動作。控制模組30A～30D係電性連接於總括控制部20，控制模組30A～30D的全體係藉由總括控制部20予以控制。控制模組30A～30D係具有相同尺寸。
控制模組30A～30D係配置在殼體1內，沿著殼體1的長邊方向作配列。4個控制模組30A～30D係當由基板研磨裝置之上觀看時，在一直線上排列配置。控制模組30A～30D係分別配置在研磨模組4A～4D的上方。具體而言，控制模組30A係配置在研磨模組4A的上方，控制模組30B係配置在研磨模組4B的上方，控制模組30C係配置在研磨模組4C的上方，控制模組30D係配置在研磨模組4D的上方。
在本實施形態中，控制模組30A、控制模組30B係控制凹口研磨模組的動作的凹口研磨控制模組，控制模組30C係控制斜面研磨模組的動作的斜面研磨控制模組，控制模組30D係控制背面研磨模組的動作的背面研磨控制模組。
控制模組30A～30D係可安裝卸下地配置在殼體1內。控制模組30A～30D係分別具備有：配線連接器35A～35D。具體而言，控制模組30A係具備有配線連接器35A，控制模組30B係具備有配線連接器35B，控制模組30C係具備有配線連接器35C，控制模組30D係具備有配線連接器35D。
配線連接器35A～35D係連接於用以分別將控制模組30A～30D與研磨模組4A～4D相連結的研磨模組配線41A～41D。配線連接器35A～35D係另外連接於用以分別將控制模組30A～30D與總括控制部20相連結的本體配線42A～42D。配線連接器35A係透過研磨模組配線41A而電性連接於研磨模組4A，另外透過本體配線42A而電性連接於總括控制部20。配線連接器35B係透過研磨模組配線41B而電性連接於研磨模組4B，另外透過本體配線42B而電性連接於總括控制部20。配線連接器35C係透過研磨模組配線41C而電性連接於研磨模組4C，另外透過本體配線42C而電性連接於總括控制部20。配線連接器35D係透過研磨模組配線41D而電性連接於研磨模組4D，另外透過本體配線42D而電性連接於總括控制部20。
研磨模組配線41A～41D係電性連接於後述之研磨模組4A～4D（凹口研磨模組、斜面研磨模組、背面研磨模組）的各構成要素。因此，藉由將研磨模組配線41A～41D連接於配線連接器35A～35D，可總括將研磨模組4A～4D與控制模組30A～30D作電性連接。
本體配線42A～42D係電性連接於總括控制部20。因此，藉由將本體配線42A～42D連接於配線連接器35A～35D，可總括將總括控制部20與控制模組30A～30D作電性連接。
藉由如上所示之構成，控制模組30A～30D係在重組研磨模組4A～4D的配置時，可連同相對應的研磨模組4A～4D一起容易地重組控制模組30A～30D的配置。
圖3係顯示凹口研磨模組的一實施形態的模式圖。圖4係圖3所示之凹口研磨模組的平面圖。在圖4中係省略凹口研磨模組的部分圖示。凹口研磨模組係用以研磨形成在基板W的周緣部的凹口部N的裝置。如圖3所示，凹口研磨模組係具備有：研磨頭103、基板保持部105、基板擺動部110、研磨膠帶供給機構120、液體供給噴嘴130、凹口檢測機構140、研磨頭移動機構150、及傾斜機構170。
基板保持部105係保持研磨對象的基板W且使其旋轉。基板保持部105係具備有：藉由真空吸附來保持基板W的保持載台107；連結於保持載台107的中央部的第1軸108；及使保持載台107旋轉，而且使其上下動的保持載台驅動機構109。保持載台驅動機構109係構成為可使保持載台107以其軸心Cr為中心作旋轉，且沿著軸心Cr朝上下方向移動。
基板W係藉由第2搬送機器人12（參照圖1），以基板W的中心O1位於保持載台107的軸心Cr上的方式載置於保持載台107的基板保持面。基板保持部105係可使基板W以保持載台107的軸心Cr（亦即基板W的軸心）為中心作旋轉，而且使基板W沿著保持載台107的軸心Cr上升下降。
基板擺動部110係以基板W的凹口部N為中心，使基板W以順時針及逆時針以預定的角度在水平面內作旋轉（亦即使其擺動）。基板擺動部110係具備有：連結於保持載台驅動機構109的擺動臂112；連結於擺動臂112的第2軸113；及使擺動臂112擺動的擺動機構114。
第2軸113係貫穿底板160延伸。基板保持部105與第2軸113係透過擺動臂112而相連結。擺動機構114係使第2軸113以順時針及逆時針以預定的角度作旋轉。若藉由擺動機構114使第2軸113以順時針及逆時針作旋轉，基板保持部105亦以順時針及逆時針作旋轉。第1軸108的軸心與第2軸113的軸心呈偏移，保持在保持載台107的基板W的凹口部N位於第2軸113的軸心的延長線上。因此，如圖4的箭號所示，保持載台107上的基板W係藉由擺動機構114以凹口部N為中心以順時針及逆時針以預定的角度在水平面內予以旋轉（亦即予以擺動）。
研磨膠帶供給機構120係將研磨膠帶102供給至研磨頭103，而且由研磨頭103回收。研磨膠帶供給機構120係具備有：將研磨膠帶102供給至研磨頭103的膠帶放捲捲軸（reel）121；及回收原被使用在基板W的研磨的研磨膠帶102的膠帶收捲捲軸122。在膠帶放捲捲軸121及膠帶收捲捲軸122係分別連結未圖示的張力馬達。膠帶放捲捲軸121及膠帶收捲捲軸122係透過張力馬達而被固定在捲軸基座128。各自的張力馬達係可對膠帶放捲捲軸121及膠帶收捲捲軸122供予預定的轉矩，且對研磨膠帶102施加預定的張力。
研磨膠帶供給機構120係另外具備有用以支持研磨膠帶102的複數導輥124、125、126、127。導輥124、125、126、127係固定在捲軸基座128。研磨膠帶102係以研磨膠帶102的研磨面朝向基板W的凹口部N的方式被供給至研磨頭103。研磨膠帶102的行進方向係藉由導輥124、125、126、127予以導引。
液體供給噴嘴130係構成為朝向基板W的凹口部N供給液體。以被供給至基板W的液體之一例而言，列舉純水。基板W研磨中，由液體供給噴嘴130朝向基板W的凹口部N供給液體。液體供給噴嘴130係連結於擺動機構114的擺動臂112。因此，液體供給噴嘴130係藉由擺動機構114，與基板保持部105一體以基板W的凹口部N為中心以順時針及逆時針以預定的角度在水平面內予以旋轉（亦即予以擺動）。
凹口檢測機構140係構成為檢測形成在基板W的凹口部N。若藉由凹口檢測機構140來檢測凹口部N，保持載台107以凹口部N朝向研磨頭103的方式作旋轉。凹口檢測機構140係藉由第2搬送機器人12（參照圖1），基板W被載置於保持載台107的基板保持面之後，在研磨前檢測凹口部N，且進行對位。
研磨頭移動機構150係具備有：以與將保持載台107上的基板W的中心與凹口部N相連結的線相同的方向延伸的導軌154。導軌154係被固定在底板160。研磨頭103及研磨膠帶供給機構120的捲軸基座128係透過可動板152而連結於研磨頭移動機構150。研磨頭103及研磨膠帶供給機構120的全體係可與可動板152一體移動。
研磨頭移動機構150係具備有：透過連結軸156而連結在可動板152的空氣汽缸155。空氣汽缸155係被固定在底板160。研磨頭移動機構150係使空氣汽缸155驅動，沿著導軌154使可動板152移動，藉此使研磨頭103及研磨膠帶供給機構120相對基板W的凹口部N作近接及分離。
傾斜機構170係構成為使研磨頭103相對保持載台107的基板保持面進行傾動。更具體而言，傾斜機構170係具備有：連結於研磨頭103的曲柄臂172；及使曲柄臂172旋轉的臂旋轉裝置173。曲柄臂172的一端係位於與保持載台107的基板保持面為實質上相同的高度，連結於臂旋轉裝置173。曲柄臂172的另一端係連結於研磨頭103。
若臂旋轉裝置173使曲柄臂172旋轉，可使研磨頭103的全體以保持載台107的基板保持面上的基板W的凹口部N為中心進行傾動。此外，傾斜機構170係構成為可將研磨頭103維持為預定的傾斜角度。其中，若可使研磨頭103相對保持載台107的基板保持面及基板W進行傾動，傾斜機構170的具體構成並非侷限於圖4所示之實施形態。
凹口研磨模組係電性連接於控制凹口研磨模組的各構成要素的動作的凹口研磨控制模組。該凹口研磨控制模組係相當於圖2所示之控制模組30A、30B，因此在以下說明中係對凹口研磨控制模組標註符號30A。基板保持部105、基板擺動部110、研磨膠帶供給機構120、液體供給噴嘴130、凹口檢測機構140、研磨頭移動機構150、及傾斜機構170係電性連接於凹口研磨控制模組30A。基板保持部105、基板擺動部110、研磨膠帶供給機構120、液體供給噴嘴130、凹口檢測機構140、研磨頭移動機構150、及傾斜機構170的動作係藉由凹口研磨控制模組30A予以控制。
凹口研磨控制模組30A係具備有至少1台電腦。凹口研磨控制模組30A係具備有：儲存有程式的記憶裝置180a；及按照程式來執行運算的運算裝置180b。記憶裝置180a係具備有：運算裝置180b可存取的主記憶裝置（例如隨機存取記憶體）；及儲存程式的輔助記憶裝置（例如硬碟驅動機或固體狀態驅動機）。運算裝置180b係包含：按照儲存於記憶裝置180a的程式所包含的命令來進行運算的CPU（中央處理裝置）或GPU（圖形處理模組）等。但是，凹口研磨控制模組30A的具體構成並非為限定於該等示例。
基板W的凹口部N的研磨係如下進行。若基板W被搬送至凹口研磨模組，保持載台107上升，基板W係被載置於保持載台107的基板保持面，且藉由真空吸附予以保持。在該狀態下，凹口檢測機構140係檢測基板W的凹口部N的位置，基板保持部105係一邊使基板W下降至研磨位置，一邊以凹口部N朝向研磨頭103的方式使保持載台107旋轉。此外，由液體供給噴嘴130開始供給液體。
接著，藉由研磨頭移動機構150，使研磨頭103近接基板W的凹口部N，藉由研磨頭103，使研磨膠帶102的研磨面滑接至凹口部N來進行研磨。研磨中，藉由基板擺動部110使基板W以凹口部N為中心進行擺動，此外，藉由傾斜機構170，使研磨頭103以凹口部N為中心進行傾動。
凹口研磨控制模組30A係在按照預定的研磨配方研磨基板W之後，對凹口研磨模組發出指令而使基板W的研磨結束。具體而言，凹口研磨控制模組30A係使基板擺動部110及傾斜機構170的動作停止，且藉由研磨頭移動機構150使研磨頭103由基板W分離。之後，凹口研磨控制模組30A係使基板保持部105、研磨膠帶供給機構120、及液體供給噴嘴130的動作停止，而使基板W的研磨結束。
凹口研磨模組的具體構成若為可研磨基板W的凹口部N者，並非侷限於上述之實施形態。
圖5係顯示斜面研磨模組的一實施形態的模式圖。斜面研磨模組係用以研磨包含基板W的斜面部B的周緣部的裝置。如圖5所示，斜面研磨模組係具備有：研磨頭203、基板保持部205、研磨膠帶供給機構220、下側供給噴嘴231、上側供給噴嘴232、及傾斜機構（未圖示）。
基板保持部205係保持基板W，且使其旋轉。基板保持部205係具備有：保持載台207、軸208、及保持載台驅動機構209。保持載台207、軸208、及保持載台驅動機構209的構成係具有與參照圖3所說明的凹口研磨模組的保持載台107、第1軸108、及保持載台驅動機構109相同的構成，因此省略其重複說明。
研磨膠帶供給機構220係將研磨膠帶202供給至研磨頭203，而且由研磨頭203回收。研磨膠帶供給機構220係具備有：膠帶放捲捲軸221、膠帶收捲捲軸222、及複數導輥224、225、226、227。膠帶放捲捲軸221、膠帶收捲捲軸222、及複數導輥224、225、226、227係被固定在捲軸基座228。研磨膠帶202係以研磨膠帶202的研磨面朝向基板W的斜面部B的方式被供給至研磨頭203。
膠帶放捲捲軸221、膠帶收捲捲軸222、及複數導輥224、225、226、227的構成係具有與參照圖3所說明的凹口研磨模組的膠帶放捲捲軸121、膠帶收捲捲軸122、及複數導輥124、125、126、127相同的構成，因此省略其重複說明。
下側供給噴嘴231係構成為對基板W的下表面供給液體。上側供給噴嘴232係構成為對基板W的上表面供給液體。以被供給至基板W的液體之一例而言，列舉純水。基板W研磨中，由下側供給噴嘴231對基板W的下表面供給液體，且由上側供給噴嘴232對基板W的上表面供給液體。
研磨頭203係具備有：對基板W的斜面部B推壓研磨膠帶202的研磨面的按壓構件242；及使該按壓構件242朝向基板W的斜面部B移動的空氣汽缸（驅動機構）245。藉由控制供給至空氣汽缸245的空氣壓，調整研磨膠帶202對基板W的推壓力。按壓構件242係配置在研磨膠帶202的背面側（具有砥粒的研磨面的裏側）。
傾斜機構（未圖示）係具有與參照圖4所說明的凹口研磨模組的傾斜機構170相同的構成，因此省略其重複說明。斜面研磨模組的傾斜機構係構成為使研磨頭203對保持載台207的基板保持面進行傾動。
斜面研磨模組係電性連接於控制斜面研磨模組的各構成要素的動作的斜面研磨控制模組。該斜面研磨控制模組係相當於圖2所示之控制模組30C，因此在以下說明中，對斜面研磨控制模組標註符號30C。基板保持部205、研磨膠帶供給機構220、下側供給噴嘴231、上側供給噴嘴232、空氣汽缸245、及傾斜機構係電性連接於斜面研磨控制模組30C。基板保持部205、研磨膠帶供給機構220、下側供給噴嘴231、上側供給噴嘴232、空氣汽缸245、及傾斜機構的動作係藉由斜面研磨控制模組30C予以控制。斜面研磨控制模組30C係具備有：記憶裝置280a、及運算裝置280b。記憶裝置280a及運算裝置280b係具有與上述凹口研磨控制模組30A的記憶裝置180a及運算裝置180b相同的基本構成，因此省略其重複說明。
基板W的斜面部B的研磨係如下進行。若基板W被搬送至斜面研磨模組，保持載台207上升，基板W係被載置於保持載台207的基板保持面，藉由真空吸附予以保持。基板保持部205係使基板W下降至研磨位置，使保持載台207旋轉。此外，由下側供給噴嘴231及上側供給噴嘴232開始供給液體。
接著，使空氣汽缸245驅動而對基板W的斜面部B推壓研磨頭203的按壓構件242，研磨基板W的斜面部B。研磨中係藉由傾斜機構，使研磨頭203對保持載台207的基板保持面進行傾動。
斜面研磨控制模組30C係在按照預定的研磨配方研磨基板W之後，對斜面研磨模組發出指令而使基板W的研磨結束。具體而言，斜面研磨控制模組30C係使傾斜機構的動作停止，且使研磨頭203的空氣汽缸245的驅動停止而使按壓構件242由基板W分離。之後，斜面研磨控制模組30C係使基板保持部205、研磨膠帶供給機構220、下側供給噴嘴231、及上側供給噴嘴232的動作停止，而使基板W的研磨結束。
斜面研磨模組的具體構成若為可研磨基板W的斜面部B者，並非侷限於上述之實施形態。
圖6係顯示背面研磨模組的一實施形態的模式圖。背面研磨模組係用以研磨基板W的背面的裝置。如圖6所示，背面研磨模組係具備有：研磨頭303、基板保持部305、研磨膠帶供給機構320、清洗液供給噴嘴331、保護液供給噴嘴332、及研磨頭移動機構350。
基板保持部305係具備有：可接觸基板W的周緣部的複數輥輪308；及使複數輥輪308以各自的軸心為中心作旋轉的輥輪旋轉機構（未圖示）。研磨頭303係配置在被保持在基板保持部305的基板W的下側。在圖6中係省略基板保持部305的一部分圖示。本實施形態的基板保持部305係具備有4個輥輪308（其中2個未圖示）。
在本實施形態中，基板W的第1面S1係未形成有元件、或沒有預定形成元件的基板W的背面，亦即非元件面。與第1面S1為相反側的基板W的第2面S2係形成有元件、或預定形成元件的面，亦即元件面。在本實施形態中，基板W係在該第1面S1朝下的狀態下，水平保持在基板保持部305。
輥輪旋轉機構係構成為使4個輥輪308朝相同方向以相同速度作旋轉。基板W的第1面S1研磨中，基板W的周緣部係藉由輥輪308所把持。基板W係被水平保持，且藉由輥輪308的旋轉，基板W係以其軸心為中心作旋轉。基板W的第1面S1研磨中，4個輥輪308係以各自的軸心為中心作旋轉，惟輥輪308本身的位置係呈靜止。
研磨膠帶供給機構320係將研磨膠帶302供給至研磨頭303，而且由研磨頭303回收。研磨膠帶供給機構320係具備有：將研磨膠帶302供給至研磨頭303的膠帶放捲捲軸321；及回收基板W研磨所使用的研磨膠帶302的膠帶收捲捲軸322。在膠帶放捲捲軸321及膠帶收捲捲軸322係分別連結有未圖示的張力馬達。膠帶放捲捲軸321及膠帶收捲捲軸322係透過張力馬達而被固定在捲軸基座328，捲軸基座328係固定在可動板340。各自的張力馬達係可對膠帶放捲捲軸321及膠帶收捲捲軸322供予預定的轉矩，且對研磨膠帶302施加預定的張力。
研磨膠帶供給機構320係另外具備有：用以支持研磨膠帶302的複數導輥324、325、326、327。研磨膠帶302係以研磨膠帶302的研磨面朝向基板W的第1面S1的方式被供給至研磨頭303。導輥324、325、326、327係固定在未圖示的保持構件，且該保持構件係固定在可動板340。研磨膠帶302的行進方向係藉由導輥324、325、326、327被導引成包圍研磨頭303。更具體而言，配置在研磨頭303的上部的導輥325、326係以研磨膠帶302朝與基板W的第1面S1呈平行的方向行進的方式導引研磨膠帶302。
清洗液供給噴嘴331係構成為配置在被保持在基板保持部305的基板W的下方，朝向基板W的第1面S1的加工點供給清洗液。以被供給至基板W的第1面S1的清洗液之一例而言，列舉例如純水、或鹼性藥液。保護液供給噴嘴332係構成為配置在被保持在基板保持部305的基板W的上方，對基板W的第2面S2供給保護液。以被供給至基板W的第2面S2的保護液之一例而言，列舉純水。
研磨頭移動機構350係構成為使研磨頭303在基板W的第1面S1的中心O1與第1面S1的最外部之間移動。研磨頭移動機構350係在可動板340的下表面具備有複數直動導引355，可動板340係被支持在複數直動導引355。複數直動導引355係配置在底板360上。直動導引355係將可動板340的動作限制在朝向基板W的半徑方向的直線運動。
固定有研磨頭303、研磨膠帶供給機構320的捲軸基座328、及導輥324、325、326、327的保持構件係透過可動板340而連結於研磨頭移動機構350。研磨頭303及研磨膠帶供給機構320的全體係可與可動板340一體移動。
研磨頭移動機構350係具備有：連結於可動板340的滾珠螺桿機構352。滾珠螺桿機構352係固定在底板360。研磨頭移動機構350係藉由使滾珠螺桿機構352驅動，使研磨頭303及研磨膠帶供給機構320對基板保持部305相對朝基板W的半徑方向移動。基板W研磨中，研磨頭移動機構350係使研磨頭303在基板W的第1面S1的中心O1與第1面S1的最外部之間移動。
研磨頭303係支持在支持構件343，支持構件343係固定在可動板340。因此，研磨頭303的全體係可與可動板340一體移動。支持構件343係具有未圖示的通孔，研磨膠帶302係通過該通孔延伸。研磨頭303係具備有：對基板W的第1面S1推壓研磨膠帶302的研磨面的按壓構件342：及使該按壓構件342朝向基板W的第1面S1移動的空氣汽缸（驅動機構）345。藉由控制供給至空氣汽缸345的空氣壓，調整研磨膠帶302對基板W的推壓力。按壓構件342係配置在研磨膠帶302的背面側（具有砥粒的研磨面的裏側）。
背面研磨模組係電性連接於控制背面研磨模組的各構成要素的動作的背面研磨控制模組。該背面研磨控制模組係相當於圖2所示之控制模組30D，因此在以下說明中，對背面研磨控制模組標註符號30D。基板保持部305、研磨膠帶供給機構320、清洗液供給噴嘴331、保護液供給噴嘴332、研磨頭移動機構350、及研磨頭303的空氣汽缸345係電性連接於背面研磨控制模組30D。基板保持部305、研磨膠帶供給機構320、清洗液供給噴嘴331、保護液供給噴嘴332、研磨頭移動機構350、及研磨頭303的空氣汽缸345的動作係藉由背面研磨控制模組30D予以控制。背面研磨控制模組30D係具備有：記憶裝置380a、及運算裝置380b。記憶裝置380a及運算裝置380b係具有與上述之凹口研磨控制模組30A的記憶裝置180a及運算裝置180b相同的基本構成，因此省略其重複說明。
基板W的第1面S1的研磨係如下進行。若基板W藉由第3搬送機器人13（參照圖1）被搬送至背面研磨模組，基板保持部305係在第1面S1朝下的狀態下藉由輥輪308保持基板W，此外，使其以基板W的軸心為中心作旋轉。此外，由清洗液供給噴嘴331開始對基板W的第1面S1供給清洗液，由保護液供給噴嘴332開始對基板W的第2面S2供給保護液。
接著，研磨頭移動機構350係使研磨頭303朝基板W的第1面S1的中心O1的下方移動。一邊藉由研磨頭移動機構350使研磨頭303及研磨膠帶供給機構320朝基板W的半徑方向外側移動，一邊使空氣汽缸345驅動而對基板W的第1面S1推壓研磨頭303的按壓構件342，來研磨基板W的第1面S1。
研磨頭303到達基板W的第1面S1的最外部之時，背面研磨控制模組30D係對背面研磨模組發出指令而使基板W的研磨結束。具體而言，背面研磨控制模組30D係使研磨頭移動機構350的動作停止，使研磨頭303的空氣汽缸345的驅動停止來使按壓構件342下降，且使研磨膠帶302由基板W的第1面S1分離。之後，背面研磨控制模組30D係使基板保持部305、研磨膠帶供給機構320、清洗液供給噴嘴331、及保護液供給噴嘴332的動作停止，而使基板W的研磨結束。在一實施形態中，研磨頭移動機構350亦可使研磨頭303在基板W的第1面S1的最外部與中心O1之間往返。
背面研磨模組的具體構成若為可研磨基板W的背面（第1面S1）者，並非侷限於上述之實施形態。
圖7係顯示本實施形態之基板研磨裝置的處理流程之一例的圖。在本實施形態中，藉由作為凹口研磨模組的研磨模組4A或研磨模組4B，研磨基板W的凹口部N，藉由作為斜面研磨模組的研磨模組4C研磨基板W的斜面部B，且藉由作為背面研磨模組的研磨模組4D研磨基板W的背面（第1面S1）。經研磨的基板W係藉由第1清洗模組17予以清洗，此外，藉由第2清洗模組18予以清洗之後，藉由乾燥模組19予以乾燥。
若以時間單位T表示藉由各研磨模組所致之研磨時間，藉由凹口研磨模組所致之凹口部N的研磨時間為2T（時間單位T的2倍），藉由斜面研磨模組所致之斜面部B的研磨時間為1T，藉由背面研磨模組所致之背面的研磨時間為1T。此外，藉由第1清洗模組17、第2清洗模組18所致之清洗時間、及藉由乾燥模組19所致之乾燥時間分別為1T。
圖7係顯示首次處理的第1基板W1、及接下來處理的第2基板W2的處理流程。時間係表示由第1基板W1的研磨開始所經過的時間。 在步驟S101中，由時間0至時間2T，將第1基板W1的凹口部N在研磨模組4A（亦即凹口研磨模組）研磨。 在步驟S102中，由時間2T至時間3T，將第1基板W1的斜面部B在研磨模組4C（亦即斜面研磨模組）研磨。 在步驟S103中，由時間3T至時間4T，將第1基板W1的背面（第1面S1）在研磨模組4D（亦即背面研磨模組）研磨。 在步驟S104中，由時間4T至時間5T，將經研磨的第1基板W1在第1清洗模組17清洗。 在步驟S105中，由時間5T至時間6T，將藉由第1清洗模組17所清洗的第1基板W1在第2清洗模組18清洗。 在步驟S106中，由時間6T至時間7T，將藉由第2清洗模組18所清洗的第1基板W1在乾燥模組19乾燥。
在步驟S107中，由時間1T至時間3T，將第2基板W2的凹口部N在研磨模組4B（亦即凹口研磨模組）研磨。 在步驟S108中，由時間3T至時間4T，將第2基板W2的斜面部B在研磨模組4C（亦即斜面研磨模組）研磨。 在步驟S109中，由時間4T至時間5T，將第2基板W2的背面（第1面S1）在研磨模組4D（亦即背面研磨模組）研磨。 在步驟S110中，由時間5T至時間6T，將經研磨的第2基板W2在第1清洗模組17清洗。 在步驟S111中，由時間6T至時間7T，將藉由第1清洗模組17所清洗的第2基板W2在第2清洗模組18清洗。 在步驟S112中，由時間7T至時間8T，將藉由第2清洗模組18所清洗的第2基板W2在乾燥模組19乾燥。
藉由本實施形態，基板研磨裝置係在同一殼體1內具備有凹口研磨模組、斜面研磨模組、及背面研磨模組，因此可連續進行藉由不同類型的研磨模組所為之研磨。因此，不需要每次藉由各研磨模組所為之研磨結束即清洗、乾燥基板W，可縮短全體的處理時間。
基板研磨裝置係具備有：與其他工序相比，研磨時間較長的凹口研磨模組亦即研磨模組4A及研磨模組4B。因此，可在研磨模組4A與研磨模組4B並行進行第1基板W1與第2基板W2的凹口部N的研磨。因此，在接下來的斜面研磨模組中，不會有發生空閒時間的情形，可在研磨第1基板W1之後立即進行第2基板W2的研磨。藉此，可縮短處理複數基板時的全體的處理時間。
上述之處理流程為一例，在一實施形態中，處理流程亦可在藉由作為斜面研磨模組的研磨模組4C所為之斜面部B的研磨之後，進行藉由作為背面研磨模組的研磨模組4D所為之背面（第1面S1）的研磨，之後，藉由作為凹口研磨模組的研磨模組4A或研磨模組4B進行基板W的凹口部N的研磨。
基板研磨裝置係可按照處理流程或各研磨模組中的研磨時間，重組研磨模組4A～4D的研磨模組的類型及配置。因此，可在1個基板研磨裝置對應各種研磨工序，實現效率佳的處理流程。此外，在一實施形態中，基板研磨裝置亦可具備有：2個第1清洗模組17、2個第2清洗模組18、及2個乾燥模組19。例如，基板研磨裝置亦可藉由2個第1清洗模組17、2個第2清洗模組18、及2個乾燥模組19，對藉由研磨模組4A～4D所研磨的複數基板並行進行清洗、乾燥。
圖8係顯示基板研磨裝置的其他實施形態的模式圖。未特別說明的本實施形態的詳細內容與參照圖1至圖7所說明的上述實施形態相同，因此省略其重複說明。圖8所示之基板研磨裝置的控制模組30A～30D係具備有：檢測在對應的研磨模組4A～4D所發生的異常的異常檢測系統50A～50D。
該等異常檢測系統50A～50D係可根據由研磨模組4A～4D所取得的各種訊號等來檢測異常。以如上所示之異常檢測系統50A～50D而言，可使用具備周知的異常檢測手段的異常檢測系統。本實施形態的異常檢測系統50A～50D係對研磨模組4A～4D各設置1個，惟在一實施形態中，亦可異常檢測系統在總括控制部20設置1個，構成為檢測研磨模組4A～4D的異常。
異常檢測系統50A係構成為檢測在控制模組30A控制動作的研磨模組4A所發生的異常。異常檢測系統50B係構成為檢測在控制模組30B控制動作的研磨模組4B所發生的異常。異常檢測系統50C係構成為檢測在控制模組30C控制動作的研磨模組4C所發生的異常。異常檢測系統50D係構成為檢測在控制模組30D控制動作的研磨模組4D所發生的異常。
若藉由異常檢測系統50A～50D來檢測研磨模組4A～4D的異常，控制模組30A～30D係對總括控制部20傳送異常檢測訊號。總括控制部20係構成為若檢測到異常的研磨模組為設有複數個的類型的研磨模組，作成不使用檢測到異常的研磨模組的處理流程。
圖9係顯示異常檢測前的處理流程的圖。與參照圖7所說明的實施形態同樣地，複數基板的凹口部N的研磨係藉由研磨模組4A及研磨模組4B的2個凹口研磨模組並行進行。圖10係顯示研磨模組4B的異常檢測後經變更的處理流程的圖。若藉由異常檢測系統50B檢測到研磨模組4B的異常，控制模組30B係對總括控制部20傳送異常檢測訊號。總括控制部20係根據異常檢測訊號，作成不使用研磨模組4B的處理流程，由使用研磨模組4A、4B之雙方的圖9的處理流程，變更為使用研磨模組4A，而且不使用研磨模組4B的圖10的處理流程。
藉由本實施形態，檢測到異常的研磨模組4B的類型係設有複數個的凹口研磨模組。因此，當在研磨模組4B發生了異常時，藉由變更為僅使用研磨模組4A來研磨凹口部N的處理流程，無須使基板研磨裝置的全體的動作停止，可繼續基板的處理。
本實施形態的基板研磨裝置係設有2個凹口研磨模組，惟在一實施形態中係設有3個以上的凹口研磨模組，藉由異常檢測系統檢測到3個以上的凹口研磨模組之中至少1個凹口研磨模組的異常時，總括控制部20亦可變更為不使用檢測到異常的至少1個凹口研磨模組的處理流程。此外，在一實施形態中，基板研磨裝置係設有複數斜面研磨模組或背面研磨模組，藉由異常檢測系統檢測到設有複數個的斜面研磨模組或背面研磨模組的異常時，總括控制部20亦可變更為不使用檢測到異常的斜面研磨模組或背面研磨模組的處理流程。
上述之基板研磨裝置係包含凹口研磨模組、斜面研磨模組、及背面研磨模組等3個類型的研磨模組，惟基板研磨裝置的構成並非侷限於該等類型的研磨模組。例如，研磨模組亦可為取代研磨膠帶而使用砥石作為研磨具的研磨模組、或在研磨液（漿料）的存在下使用研磨墊（例如不織布等）作為研磨具的研磨模組（CMP模組）等。
圖11係顯示基板研磨裝置的另外其他實施形態的模式圖。未特別說明的本實施形態的構成及動作係與上述之實施形態相同，因此省略其重複說明。在本實施形態中，研磨模組4A、4B係取代凹口研磨模組，為研磨基板的元件面的元件面研磨模組。在本實施形態中，控制模組30A、30B係控制元件面研磨模組的動作的元件面研磨控制模組。
研磨模組4A～4D係配置成可在殼體1內安裝卸下。此外，研磨模組4A～4D係具有相同尺寸。因此，可改變構成研磨模組4A～4D的元件面研磨模組、斜面研磨模組、及背面研磨模組的配置。例如，亦可將研磨模組4A、研磨模組4B設為斜面研磨模組，將研磨模組4C設為背面研磨模組，將研磨模組4D設為元件面研磨模組。
在本實施形態中，藉由研磨模組4A及研磨模組4B的至少一方研磨基板的元件面。之後，藉由研磨模組4C研磨基板的斜面部，此外，藉由研磨模組4D研磨基板的背面。該處理流程，亦即所使用的研磨模組的類型、及研磨模組的動作順序為一例，處理流程並非侷限於本實施形態。
圖12係顯示元件面研磨模組的一實施形態的模式圖。元件面研磨模組係用以研磨基板W的元件面的裝置。如圖12所示，元件面研磨模組係具備有：拋光平台403、拋光頭405、液體供給噴嘴410、平台馬達415、拋光頭軸418、支軸420、及拋光臂421。
拋光平台403係構成為將基板W的元件面形成為朝上來保持。在本實施形態中，基板W的第1面S1係未形成有元件、或沒有預定形成元件的基板W的背面，亦即非元件面。與第1面S1為相反側的基板W的第2面S2係形成有元件、或預定形成元件的面，亦即元件面。在本實施形態中，基板W係在該第2面S2朝上的狀態下，水平保持在拋光平台403。
拋光平台403係透過平台軸403a而連結於配置在其下方的平台馬達415。平台馬達415係構成為以平台軸403a為中心，使拋光平台403及基板W朝以圖12的箭號所示方向作旋轉。
拋光頭405係構成為在其下表面保持拋光墊401。如圖12所示，拋光墊401的直徑係小於基板W的直徑。拋光墊401的下表面係構成研磨基板W的研磨面401a。拋光頭405係固定在拋光頭軸418的下端，可連同拋光頭軸418一起旋轉。拋光頭軸418係連結於拋光臂421，且連結於被配置在拋光臂421內的未圖示的頭旋轉機構。頭旋轉機構係構成為使拋光頭軸418及拋光頭405朝以圖12的箭號所示方向作旋轉。
拋光頭軸418係連結於被配置在拋光臂421內的未圖示的頭上下動機構。頭上下動機構係構成為使拋光頭軸418及拋光頭405對拋光臂421相對上下動。拋光臂421係連結於支軸420的上端，連結於被配置在支軸420內的未圖示的臂回旋機構。臂回旋機構係構成為使拋光臂421以支軸420為中心作回旋。藉由該拋光臂421的回旋，可使拋光頭軸418及拋光頭405在拋光平台403的上方與拋光平台403的外側之間移動。
液體供給噴嘴410係配置在拋光平台403的上方。液體供給噴嘴410係構成為朝向被保持在拋光平台403的基板W的第2面S2供給液體。以被供給至基板W的第2面S2的液體之一例而言，列舉純水、藥液（例如漿料）。
元件面研磨模組係電性連接於控制元件面研磨模組的各構成要素的動作的元件面研磨控制模組。該元件面研磨控制模組係相當於圖11所示之控制模組30A、30B，因此在以下說明中，對元件面研磨控制模組標註符號30A。平台馬達415、頭旋轉機構、頭上下動機構、臂回旋機構、及液體供給噴嘴410係電性連接於元件面研磨控制模組30A。平台馬達415、頭旋轉機構、頭上下動機構、臂回旋機構、及液體供給噴嘴410的動作係藉由元件面研磨控制模組30A予以控制。元件面研磨控制模組30A係具備有：記憶裝置480a、及運算裝置480b。記憶裝置480a及運算裝置480b係具有與上述之凹口研磨控制模組30A的記憶裝置180a及運算裝置180b相同的基本構成，因此省略其重複說明。
基板W的第2面S2的研磨係如下進行。若基板W被搬送至元件面研磨模組，拋光平台403係將基板W在其第2面S2朝上的狀態下進行保持。平台馬達415係使被保持在拋光平台403的基板W以平台軸403a為中心作旋轉。此外，由液體供給噴嘴410朝向基板W的第2面S2開始供給液體（例如漿料）。在該狀態下，被保持在拋光頭405的拋光墊401係藉由頭上下動機構，該研磨面401a被推壓至基板W的第2面S2，藉此，研磨基板W的第2面S2。
元件面研磨控制模組30A係按照預定的研磨配方研磨基板W的第2面S2之後，對元件面研磨模組發出指令而使基板W的研磨結束。具體而言，元件面研磨控制模組30A係對頭上下動機構發出指令而使拋光頭405由基板W分離。之後，元件面研磨控制模組30A係使平台馬達415、及液體供給噴嘴410的動作停止而使基板W的研磨結束。
元件面研磨模組的具體構成若為可研磨基板W的元件面（第2面S2）者，並非侷限於上述之實施形態。
圖13係顯示本實施形態之基板研磨裝置的處理流程之一例的圖。在本實施形態中，藉由作為元件面研磨模組的研磨模組4A或研磨模組4B研磨基板W的元件面（第2面S2），藉由作為斜面研磨模組的研磨模組4C研磨基板W的斜面部B，藉由作為背面研磨模組的研磨模組4D研磨基板W的背面（第1面S1）。經研磨的基板W係藉由第1清洗模組17予以清洗，此外，藉由第2清洗模組18予以清洗之後，藉由乾燥模組19予以乾燥。
若以時間單位T表示藉由各研磨模組所致之研磨時間，藉由元件面研磨模組所致之元件面的研磨時間為2T（時間單位T的2倍），藉由斜面研磨模組所致之斜面部B的研磨時間為1T，藉由背面研磨模組所致之背面的研磨時間為1T。此外，藉由第1清洗模組17、第2清洗模組18所致之清洗時間、及藉由乾燥模組19所致之乾燥時間分別為1T。
圖13係顯示首先處理的第1基板W1、與接下來處理的第2基板W2的處理流程。時間係表示由第1基板W1研磨開始所經過的時間。 在步驟S201中，由時間0至時間2T，將第1基板W1的元件面（第2面S2）在研磨模組4A（亦即元件面研磨模組）研磨。 在步驟S202中，由時間2T至時間3T，將第1基板W1的斜面部B在研磨模組4C（亦即斜面研磨模組）研磨。 在步驟S203中，由時間3T至時間4T，將第1基板W1的背面（第1面S1）在研磨模組4D（亦即背面研磨模組）研磨。 在步驟S204中，由時間4T至時間5T，將經研磨的第1基板W1在第1清洗模組17清洗。 在步驟S205中，由時間5T至時間6T，將藉由第1清洗模組17所清洗的第1基板W1在第2清洗模組18清洗。 在步驟S206中，由時間6T至時間7T，將藉由第2清洗模組18所清洗的第1基板W1在乾燥模組19乾燥。
在步驟S207中，由時間1T至時間3T，將第2基板W2的元件面（第2面S2）在研磨模組4B（亦即元件面研磨模組）研磨。 在步驟S208中，由時間3T至時間4T，將第2基板W2的斜面部B在研磨模組4C（亦即斜面研磨模組）研磨。 在步驟S209中，由時間4T至時間5T，將第2基板W2的背面（第1面S1）在研磨模組4D（亦即背面研磨模組）研磨。 在步驟S210中，由時間5T至時間6T，將經研磨的第2基板W2在第1清洗模組17清洗。 在步驟S211中，由時間6T至時間7T，將藉由第1清洗模組17所清洗的第2基板W2在第2清洗模組18清洗。 在步驟S212中，由時間7T至時間8T，將藉由第2清洗模組18所清洗的第2基板W2在乾燥模組19乾燥。
藉由本實施形態，基板研磨裝置係具備有：元件面研磨模組、斜面研磨模組、及背面研磨模組，因此可連續進行藉由不同類型的研磨模組所為之研磨。因此，每次藉由各研磨模組所為之研磨結束，無須清洗、乾燥基板W，可縮短全體的處理時間。
基板研磨裝置係具備有：與其他工序相比，研磨時間較長的元件面研磨模組亦即研磨模組4A與研磨模組4B。因此，可在研磨模組4A與研磨模組4B並行進行第1基板W1與第2基板W2的元件面（第2面S2）的研磨。因此，在接下來的斜面研磨模組中，不會有發生空閒時間的情形，可在研磨第1基板W1之後立即進行第2基板W2的研磨。藉此，可縮短處理複數基板時的全體的處理時間。
上述之處理流程為一例，在一實施形態中，處理流程亦可在藉由作為斜面研磨模組的研磨模組4C所為之斜面部B的研磨之後，進行藉由作為背面研磨模組的研磨模組4D所為之背面（第1面S1）的研磨，之後，藉由作為元件面研磨模組的研磨模組4A或研磨模組4B，進行基板W的元件面（第2面S2）的研磨。
本實施形態的控制模組30A～30D係如圖11所示，具備有：檢測在對應的研磨模組4A～4D所發生的異常的異常檢測系統50A～50D。異常檢測系統50A～50D的構成基本上與參照圖8所說明的異常檢測系統50A～50D的構成相同，因此省略其重複說明。在一實施形態中，控制模組30A～30D亦可未具備異常檢測系統50A～50D。
圖14係顯示圖11所示之基板研磨裝置中的異常檢測前的處理流程的圖。與參照圖13所說明的實施形態同樣地，複數基板的元件面的研磨係藉由研磨模組4A及研磨模組4B等2個元件面研磨模組並行進行。圖15係顯示圖11所示之基板研磨裝置中的研磨模組4B的異常檢測後經變更的處理流程的圖。藉由異常檢測系統50B檢測到研磨模組4B的異常時，控制模組30B係對總括控制部20傳送異常檢測訊號。總括控制部20係根據異常檢測訊號，作成不使用研磨模組4B的處理流程，由使用研磨模組4A、4B之雙方的圖14的處理流程，變更為使用研磨模組4A，而且不使用研磨模組4B的圖15的處理流程。
藉由本實施形態，檢測到異常的研磨模組4B的類型係設有複數個的元件面研磨模組。因此，在研磨模組4B發生了異常時，藉由變更為僅使用研磨模組4A來研磨基板的元件面的處理流程，無須使基板研磨裝置的全體的動作停止，可繼續基板的處理。
本實施形態的基板研磨裝置係設有2個元件面研磨模組，惟在一實施形態中係設有3個以上的元件面研磨模組，藉由異常檢測系統檢測到3個以上的元件面研磨模組之中至少1個元件面研磨模組的異常時，總括控制部20亦可變更為不使用檢測到異常的至少1個元件面研磨模組的處理流程。此外，在一實施形態中，基板研磨裝置係設有複數斜面研磨模組或背面研磨模組，藉由異常檢測系統檢測到設有複數個的斜面研磨模組或背面研磨模組的異常時，總括控制部20亦可變更為不使用檢測到異常的斜面研磨模組或背面研磨模組的處理流程。
在參照圖11至圖15所說明的實施形態中，基板研磨裝置係包含有元件面研磨模組、斜面研磨模組、及背面研磨模組等3個類型的研磨模組，惟基板研磨裝置若包含元件面研磨模組、凹口研磨模組、斜面研磨模組、及背面研磨模組等4個類型的研磨模組之中至少3個類型的研磨模組，並非限定於本實施形態。例如，基板研磨裝置亦可包含元件面研磨模組、凹口研磨模組、及斜面研磨模組等3個類型的研磨模組，在其他例中，基板研磨裝置亦可包含元件面研磨模組、凹口研磨模組、斜面研磨模組、及背面研磨模組等4個類型的研磨模組。
此外，在本實施形態中，基板研磨裝置係具備有4個研磨模組4A～4D，惟基板研磨裝置若具備：包含元件面研磨模組、凹口研磨模組、斜面研磨模組、及背面研磨模組等4個類型的研磨模組之中至少3個類型的研磨模組的至少3個研磨模組，並非限定於本實施形態。例如，基板研磨裝置亦可具備有：包含2個元件面研磨模組、2個凹口研磨模組、1個斜面研磨模組、及1個背面研磨模組等4個類型的研磨模組的6個研磨模組。
在一實施形態中，基板研磨裝置係設有複數個元件面研磨模組、凹口研磨模組、斜面研磨模組、及背面研磨模組之中2個以上的類型的研磨模組，檢測到該設有複數個的2個以上的類型的研磨模組的異常時，總括控制部20亦可變更為不使用檢測到異常的類型的研磨模組的處理流程。例如，基板研磨裝置係具備：包含2個元件面研磨模組、2個凹口研磨模組、1個斜面研磨模組、及1個背面研磨模組等4個類型的研磨模組的6個研磨模組，檢測到元件面研磨模組、或凹口研磨模組的異常時，總括控制部20亦可變更為不使用檢測到異常的元件面研磨模組或凹口研磨模組的處理流程。
圖16係顯示基板研磨裝置的另外其他實施形態的平面圖，圖17係由以箭號B所示方向觀看圖16所示之基板研磨裝置的側面圖。未特別說明的本實施形態的構成及動作係與參照圖1及圖2所說明的實施形態相同，因此省略其重複說明。本實施形態的基板研磨裝置亦可未具備上述之殼體1。4個研磨模組4A～4D的各個至少一部分係露出於基板研磨裝置的外部。4個研磨模組4A～4D係由基板研磨裝置之上觀看時，在一直線上排列配置。研磨模組4A係鄰接研磨模組4B，研磨模組4B係鄰接研磨模組4A、4C，研磨模組4C係鄰接研磨模組4B、4D，研磨模組4D係鄰接研磨模組4C。
本實施形態的研磨模組4A～4D係包含研磨基板的凹口部的凹口研磨模組、研磨基板的斜面部的斜面研磨模組、及研磨基板的背面的背面研磨模組等3個類型的研磨模組。研磨模組4A～4D所包含的3個類型的研磨模組係分別研磨基板的不同區域的研磨模組。更具體而言，研磨模組4A、研磨模組4B係凹口研磨模組，研磨模組4C係斜面研磨模組，研磨模組4D係背面研磨模組。
在本實施形態中，基板研磨裝置係具備有4個研磨模組4A～4D，惟若基板研磨裝置係具備：包含分別研磨基板的不同區域的凹口研磨模組、斜面研磨模組、背面研磨模組、及元件面研磨模組等4個類型的研磨模組之中至少3個類型的研磨模組的至少3個研磨模組，並非限定於本實施形態。例如，基板研磨裝置亦可具備有：包含2個凹口研磨模組、2個元件面研磨模組、1個斜面研磨模組、及1個背面研磨模組等4個類型的研磨模組的6個研磨模組。
研磨模組4A～4D係具有相同尺寸。因此，可改變構成研磨模組4A～4D的凹口研磨模組、斜面研磨模組、及背面研磨模組的配置。例如，亦可將研磨模組4A、研磨模組4B設為斜面研磨模組，將研磨模組4C設為背面研磨模組，將研磨模組4D設為凹口研磨模組。
在本實施形態中，藉由研磨模組4A及研磨模組4B的至少一方研磨基板的凹口部。之後，藉由研磨模組4C研磨基板的斜面部，此外，藉由研磨模組4D研磨基板的背面。該處理流程，亦即所使用的研磨模組的類型、及研磨模組的動作順序為一例，處理流程並非侷限於本實施形態。
基板研磨裝置係具備有：分別控制研磨模組4A～4D的動作的4個控制模組30A～30D。4個控制模組30A～30D當由基板研磨裝置之上觀看時，在一直線上排列配置。控制模組30A～30D係分別配置在研磨模組4A～4D的上方。具體而言，控制模組30A係配置在研磨模組4A的上方，控制模組30B係配置在研磨模組4B的上方，控制模組30C係配置在研磨模組4C的上方，控制模組30D係配置在研磨模組4D的上方。
在本實施形態中，控制模組30A、控制模組30B係控制凹口研磨模組的動作的凹口研磨控制模組，控制模組30C係控制斜面研磨模組的動作的斜面研磨控制模組，控制模組30D係控制背面研磨模組的動作的背面研磨控制模組。
控制模組30A～30D係分別具備有配線連接器35A～35D。具體而言，控制模組30A係具備有：可電性連接於總括控制部20及研磨模組4A的配線連接器35A，控制模組30B係具備有：可電性連接於總括控制部20及研磨模組4B的配線連接器35B，控制模組30C係具備有：可電性連接於總括控制部20及研磨模組4C的配線連接器35C，控制模組30D係具備有：可電性連接於總括控制部20及研磨模組4D的配線連接器35D。
在圖16及圖17所示之實施形態中，控制模組30A～30D亦可在重組研磨模組4A～4D的配置時，連同對應的研磨模組4A～4D一起輕易組裝控制模組30A～30D的配置。
本實施形態的控制模組30A～30D係如圖17所示，具備有：檢測在對應的研磨模組4A～4D所發生的異常的異常檢測系統50A～50D。異常檢測系統50A～50D的構成及動作係與參照圖8至圖10所說明的異常檢測系統50A～50D的構成及動作相同，因此省略其重複說明。在一實施形態中，控制模組30A～30D亦可未具備異常檢測系統50A～50D。
在圖16及圖17所示之基板研磨裝置中，當在研磨模組4A、4B的任一方發生了異常時，藉由變更為僅使用研磨模組4A、4B之中未發生異常的另一方的研磨模組的處理流程，無須使基板研磨裝置的全體的動作停止，可繼續基板的處理。
上述實施形態係以本發明所屬技術領域中具通常知識者可實施本發明為目的所記載者。上述實施形態之各種變形例若為該領域熟習該項技術者，自然可完成，本發明之技術思想亦可適用於其他實施形態。因此，本發明係以按照藉由申請專利範圍所定義的技術思想的最大範圍予以解釋，而非為限定於所記載的實施形態者。 ［產業上可利用性］
本發明係可利用在進行晶圓等基板的凹口部、基板的斜面部、基板的元件面、及基板的背面的研磨的基板研磨裝置。
1:殼體 2:裝載埠 4A,4B,4C,4D:研磨模組 6:第1暫置台 7:第2暫置台 8:第3暫置台 9:清洗乾燥部 11:第1搬送機器人 12:第2搬送機器人 13:第3搬送機器人 14:第4搬送機器人 15:第5搬送機器人 16:基板匣盒 17:第1清洗模組 18:第2清洗模組 19:乾燥模組 20:總括控制部 20a:記憶裝置 20b:運算裝置 30A,30B,30C,30D:控制模組 35A:配線連接器 35B:配線連接器 35C:配線連接器 35D:配線連接器 41A,41B,41C,41D:研磨模組配線 42A,42B,42C,42D:本體配線 50A,50B,50C,50D:異常檢測系統 102:研磨膠帶 103:研磨頭 105:基板保持部 107:保持載台 108:第1軸 109:保持載台驅動機構 110:基板擺動部 112:擺動臂 113:第2軸 114:擺動機構 120:研磨膠帶供給機構 121:膠帶放捲捲軸 122:膠帶收捲捲軸 124,125,126,127:導輥 128:捲軸基座 130:液體供給噴嘴 140:凹口檢測機構 150:研磨頭移動機構 152:可動板 154:導軌 155:空氣汽缸 156:連結軸 160:底板 170:傾斜機構 172:曲柄臂 173:臂旋轉裝置 180a:記憶裝置 180b:運算裝置 202:研磨膠帶 203:研磨頭 205:基板保持部 207:保持載台 208:軸 209:保持載台驅動機構 220:研磨膠帶供給機構 221:膠帶放捲捲軸 222:膠帶收捲捲軸 224,225,226,227:導輥 228:捲軸基座 231:下側供給噴嘴 232:上側供給噴嘴 242:按壓構件 245:空氣汽缸（驅動機構） 302:研磨膠帶 303:研磨頭 305:基板保持部 308:輥輪 320:研磨膠帶供給機構 321:膠帶放捲捲軸 322:膠帶收捲捲軸 324,325,326,327:導輥 331:清洗液供給噴嘴 332:保護液供給噴嘴 340:可動板 342:按壓構件 343:支持構件 345:空氣汽缸（驅動機構） 350:研磨頭移動機構 352:滾珠螺桿機構 355:直動導引 360:底板 401:拋光墊 401a:研面 403:拋光平台 403a:平台軸 405:拋光頭 410:液體供給噴嘴 415:平台馬達 418:拋光頭軸 420:支軸 421:拋光臂 480a:記憶裝置 480b:運算裝置 Cr:軸心 N:凹口部 O1:中心 S1:第1面 S2:第2面 1T~8T:時間
圖1係顯示基板研磨裝置的一實施形態的平面圖。 圖2係由以箭號A所示方向觀看圖1所示之基板研磨裝置的側面圖。 圖3係顯示凹口研磨模組的一實施形態的模式圖。 圖4係圖3所示之凹口研磨模組的平面圖。 圖5係顯示斜面研磨模組的一實施形態的模式圖。 圖6係顯示背面研磨模組的一實施形態的模式圖。 圖7係顯示本實施形態之基板研磨裝置的處理流程之一例的圖。 圖8係顯示基板研磨裝置的其他實施形態的模式圖。 圖9係顯示異常檢測前的處理流程的圖。 圖10係顯示研磨模組的異常檢測後經變更的處理流程的圖。 圖11係顯示基板研磨裝置的另外其他實施形態的模式圖。 圖12係顯示元件面研磨模組的一實施形態的模式圖。 圖13係顯示本實施形態之基板研磨裝置的處理流程之一例的圖。 圖14係顯示圖11所示之基板研磨裝置中的異常檢測前的處理流程的圖。 圖15係顯示圖11所示之基板研磨裝置中的研磨模組4B的異常檢測後經變更的處理流程的圖。 圖16係顯示基板研磨裝置的另外其他實施形態的平面圖。 圖17係以箭號B所示方向觀看圖16所示之基板研磨裝置的側面圖。
1:殼體
2:裝載埠
4A,4B,4C,4D:研磨模組
6:第1暫置台
7:第2暫置台
8:第3暫置台
9:清洗乾燥部
11:第1搬送機器人
12:第2搬送機器人
13:第3搬送機器人
14:第4搬送機器人
15:第5搬送機器人
16:基板匣盒
17:第1清洗模組
18:第2清洗模組
19:乾燥模組
20:總括控制部
20a:記憶裝置
20b:運算裝置

Claims (11)

  1. 一種基板研磨裝置，其係具備：第1研磨模組、第2研磨模組、及第3研磨模組， 前述第1研磨模組、前述第2研磨模組、及前述第3研磨模組係分別研磨基板的不同區域的研磨模組。
  2. 如請求項1之基板研磨裝置，其中，前述第1研磨模組、前述第2研磨模組、及前述第3研磨模組係當由前述基板研磨裝置之上觀看時，在一直線上排列配置。
  3. 如請求項1或2之基板研磨裝置，其中，前述第1研磨模組係研磨前述基板的凹口部的凹口研磨模組、研磨前述基板的斜面部的斜面研磨模組、及研磨前述基板的背面的背面研磨模組之中的1個， 前述第2研磨模組係前述凹口研磨模組、前述斜面研磨模組、及前述背面研磨模組之中的其他1個， 前述第3研磨模組係前述凹口研磨模組、前述斜面研磨模組、及前述背面研磨模組之中的剩餘1個。
  4. 如請求項1或2之基板研磨裝置，其中，前述第1研磨模組係研磨前述基板的元件面的元件面研磨模組、研磨前述基板的斜面部的斜面研磨模組、及研磨前述基板的背面的背面研磨模組之中的1個， 前述第2研磨模組係前述元件面研磨模組、前述斜面研磨模組、及前述背面研磨模組之中的其他1個， 前述第3研磨模組係前述元件面研磨模組、前述斜面研磨模組、及前述背面研磨模組之中的剩餘1個。
  5. 如請求項1之基板研磨裝置，其中，前述基板研磨裝置係另外具備：殼體， 前述第1研磨模組、前述第2研磨模組、及前述第3研磨模組係配置在前述殼體內。
  6. 如請求項5之基板研磨裝置，其中，另外具備：第1控制模組、第2控制模組、及第3控制模組，其係分別控制前述第1研磨模組、前述第2研磨模組、及前述第3研磨模組的動作， 前述第1至第3研磨模組及前述第1至第3控制模組係配置成可在前述殼體內安裝卸下。
  7. 如請求項6之基板研磨裝置，其中，前述第1至第3研磨模組係具有相同尺寸，前述第1至第3控制模組係具有相同尺寸。
  8. 如請求項6或7之基板研磨裝置，其中，另外具備：總括控制部，其係控制前述第1至第3研磨模組及前述第1至第3控制模組的動作， 前述第1控制模組係具備可電性連接於前述總括控制部及前述第1研磨模組的第1配線連接器， 前述第2控制模組係具備可電性連接於前述總括控制部及前述第2研磨模組的第2配線連接器， 前述第3控制模組係具備可電性連接於前述總括控制部及前述第3研磨模組的第3配線連接器。
  9. 如請求項6或7之基板研磨裝置，其中，另外具備： 第4研磨模組，其係配置在前述殼體內； 第4控制模組，其係配置成可在前述殼體內安裝卸下，控制前述第4研磨模組的動作； 異常檢測系統，其係檢測在前述第1至第4研磨模組所發生的異常；及 總括控制部，其係控制前述第1至第4研磨模組及前述第1至第4控制模組的動作， 前述第1研磨模組及前述第4研磨模組的各個係研磨前述基板的凹口部的凹口研磨模組、研磨前述基板的斜面部的斜面研磨模組、研磨前述基板的背面的背面研磨模組、及研磨前述基板的元件面的元件面研磨模組之中的1個， 前述總括控制部係構成為當前述異常檢測系統檢測到前述第1研磨模組的異常時，作成使用前述第4研磨模組，而且不使用前述第1研磨模組的處理流程。
  10. 如請求項1或2之基板研磨裝置，其中，另外具備： 第1控制模組、第2控制模組、及第3控制模組，其係分別控制前述第1研磨模組、前述第2研磨模組、及前述第3研磨模組的動作；及 總括控制部，其係控制前述第1至第3研磨模組及前述第1至第3控制模組的動作， 前述第1控制模組係具備可電性連接於前述總括控制部及前述第1研磨模組的第1配線連接器， 前述第2控制模組係具備可電性連接於前述總括控制部及前述第2研磨模組的第2配線連接器， 前述第3控制模組係具備可電性連接於前述總括控制部及前述第3研磨模組的第3配線連接器。
  11. 如請求項10之基板研磨裝置，其中，另外具備： 第4研磨模組； 第4控制模組，其係控制前述第4研磨模組的動作；及 異常檢測系統，其係檢測在前述第1至第4研磨模組所發生的異常， 前述第1研磨模組及前述第4研磨模組的各個係研磨前述基板的凹口部的凹口研磨模組、研磨前述基板的斜面部的斜面研磨模組、研磨前述基板的背面的背面研磨模組、及研磨前述基板的元件面的元件面研磨模組之中的1個， 前述總括控制部係構成為控制前述第1至第4研磨模組及前述第1至第4控制模組的動作，且構成為前述異常檢測系統檢測到前述第1研磨模組的異常時，作成使用前述第4研磨模組，而且不使用前述第1研磨模組的處理流程。
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