JP5006053B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
本発明の第2の目的は、基板研磨の処理効率を向上させると共に、メンテナンスを短時間で効率良く行なえ、メンテンナンス負担を軽減できる基板研磨方法を提供することにある。
本発明の第3の目的は、基板研磨の処理効率を向上させると共に、メンテナンスを短時間で効率良く行なえ、メンテンナンス負担を軽減できる基板処理方法を提供することにある。
用スペースを挟んで互いに対称になるように設置されてもよい。研磨ユニットのベベル研
磨部又はノッチ研磨部の動作がメンテナンス用スペースを挟んで互いに対称な動作をするように設置されてもよい。
前記ベベル研磨部又はノッチ研磨部のいずれか一方で、前記基板の周縁部又はノッチ部の第一の研磨が行われる。前記基板に純水のみを供給して前記第一の研磨後前記基板の表面を覆う水膜が形成される。前記基板の表面に水膜を形成した状態で、前記移動機構によって前記基板を前記ベベル研磨部又はノッチ研磨部のいずれか他方へ移動させて配置する。前記ベベル研磨部又はノッチ研磨部の前記いずれか他方で、前記基板の周縁部又はノッチ部の第二の研磨が行われる。
図2は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の全体構成を示す概略平面図である。図2に示す基板処理装置1は、ウエハ供給回収装置101を設置したロードアンロードポート100と、ウエハを載置するウエハステージ300及び/又はウエハ周縁部の形状、表面状態、欠陥部位の有無等の測定を行う測定ユニット310と、主にロードアンロードポート100とウエハステージ300又は測定ユニット310、又は下記する2次洗浄・乾燥ユニット610との間でウエハを搬送する第1搬送ロボット200Aと、ウエハ周縁部の研磨を行う第1研磨ユニット400A及び第2研磨ユニット400Bの二台の研磨ユニットと、研磨後のウエハの洗浄を行う1次洗浄ユニット600と、1次洗浄されたウエハの2次洗浄及び乾燥を行う2次洗浄・乾燥ユニット610と、主に第1、第2研磨ユニット400A,400Bと1次洗浄ユニット600と2次洗浄・乾燥ユニット610の各ユニット間でウエハを搬送する第2搬送ロボット200Bを備えている。また、測定ユニット310によるウエハ周縁部の形状、表面状態、欠陥部位の有無等の測定結果に基づいて、第1、第2研磨ユニット400A,400Bにおける研磨条件を決定する研磨条件決定手段(図示せず)を備えている。なお、図2において、符号4は電源及び制御装置であり、符号6はコントロールパネルである。ここでは、基板処理装置1内に設置された各処理装置の組立体(モジュール)をユニットと称す。以下、基板処理装置1が備える各ユニットの構成、及び各ユニットにおける処理工程を詳細に説明する。
ロードアンロードポート100の構成を説明する。図2の基板処理装置1では、搬送領域Fに隣接する側壁3aの外側にロードアンロードポート100が設けられている。そして、ウエハカセット102を載置するロードアンロードステージとして、SMIF(Standard Mechanical Interface)ポッド、もしくはFOUP(Front Opening Unified Pod)101を用いている。SMIFポッド又はFOUP101は、ウエハカセット102を収納する容器状の隔壁を備えて構成され、内部に外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。ロードアンロードポート100は、SMIFポッド又はFOUP101が基板処理装置1の壁面3aに外付けできるようになっており、該壁面3aには開閉式のシャッター5が設置されている。ウエハを収容したウエハカセット102をSMIFポッド又はFOUP101に載置すると、基板処理装置1のシャッター5とSMIFポッド又はFOUP101の容器側面に設けたシャッター102aとが開いて、開口部同士が連通した状態で基板処理装置1とウエハカセット102が一体化し、ウエハカセット102内のウエハを外部の雰囲気に曝すことなく基板処理装置1内に搬入できる状態となる。
(1)ウエハが収納されたウエハカセット103をそのままロードアンロードステージ104へ載置する方法である。これはクリーンルーム2のロードアンロードポート100に面している空間が比較的清浄な状態にある場合、例えば、クラス100以下の時に採られる手段である。なお、この場合には、ロードアンロードポート100(100−2)にフィルタファンユニット116を設置することで、ロードアンロードポート100内のロードアンロードステージ104の周囲の雰囲気を清浄な状態に保つ必要がある。
(2)ウエハカセット103をクラス100程度に清浄度が管理された収納箱の中に収納してクリーンルーム2内を搬送し、そのままロードアンロードステージ104へ載置する方法である。これはクリーンルーム2のロードアンロードポート100に面した空間が比較的ダーティ(汚れた)な状態にある場合、例えば、クラス1000以上の時に採られる方法である。
図4は、ロードアンロードポート100の他の構成例を示す正面図である。このロードアンロードポート100−3は、水平方向に設置した隔壁120によって上部空間121と下部空間122に仕切られている。ウエハを収納したウエハカセット123は、密閉した収納箱124に入れられて上部空間121に設けたロードアンロードステージ125上に載置される。収納箱124は、取外し可能な底板124aを備え、搬送中は底板124aが収納箱124の底部に密閉状態で固定されている。そして収納箱124がロードアンロードステージ125上に載置されると、ロック機構(図示せず)によりロードアンロードステージ125の載置板125aに対して底板124aが固定される。一方、載置板125aと底板124aが固定されると同時に、収納箱124の下端部がロードアンロードステージ125に対して密着固定されると共に、底板124aの収納箱124に対する固定が解除され、底板124aは載置板125aと共に上下移動できる状態になる。
次に、第1搬送ロボット200Aの構成を説明する。図5は、第1搬送ロボット200Aを示す側面図である。第1搬送ロボットは、図5に示すように水平面内で回転可能な回転機構を備えた基台201と、基台201の上面に設置された一対のハンドリング機構204a,204bを具備している。基台201は、上面の高さ位置を調節する上下移動機構も備えている。ハンドリング機構204a,204bは、伸縮可能なアーム機構202a,202bの先端部にウエハを保持する上下ハンド203a,203bを取り付けてなり、上下ハンド203a,203bは所定間隔で上下に配置されている。基台201の上下動作及び回転動作とアーム機構202a,202bの伸縮動作(水平方向移動)により、上下ハンド203a,203bが目標位置へ向けて自由に移動することができ、ウエハを所定位置に搬送可能になっている。
次に、第2搬送ロボット200Bの構成を説明する。図6は、第2搬送ロボット200Bを示す斜視図である。図6において図5に示す第1搬送ロボット200Aと共通する部分には同一の符号を付してここではその詳細な説明は省略する。
ウエハステージ300は、図2に示すように第1、第2搬送ロボット400A,400Bの双方からアクセス可能な位置に設置され、ロードアンロードポート100から搬送された処理前のウエハ、及び2次洗浄・乾燥ユニット610から搬送された処理後のウエハを一時的に載置し、次の搬送ロボットへ受け渡す載置台として用いるものである。このウエハステージ300は、ウエハ周縁部を複数の載置ピン301で支持する構造である。なお、ウエハステージ300にはウエハ有無検知用のセンサ(図示せず)を設置することもできる。
次に第1、第2研磨ユニット400A,400Bの構成を説明する。第1、第2研磨ユニット400A,400Bは、図2で示すように各々の筐体内における構成部が、一点鎖線で示す中心線Lを軸として互いに対象となるように、すなわち、中心線Lが線対称の対称軸になるように配置されている点以外は相互に共通する構成を備えたユニットであるため、以下、第1、第2研磨ユニット400A,400Bに共通の構成としての研磨ユニットを説明する。
次に、研磨ユニット400の他の実施形態を説明する。図23は本発明の第2実施形態による研磨ユニット400−2の概略平面図であり、図24は図23に示す研磨ユニット400−2の一部を示す概略側断面図である。以下、研磨ユニット400−2において研磨ユニット400−1と共通する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。また、研磨ユニット400−2について下記で説明する事項以外の事項は、研磨ユニット400−1と同じである。
次に、基板処理装置1における第1、第2研磨ユニット400A,400Bの配置構成について説明する。図2に示すように、互いに同一の構成部を備える第1、第2研磨ユニット400A,400Bは、基板処理装置1のハウジング3の角部3eを挟んでその両側に設置されると共に、互いの内部装置の平面上配置が、両研磨ユニット400A,400Bの間の中間線Lに対して略線対称配置になる状態で設置されている。即ち、第2研磨ユニット400Bは、第1研磨ユニット400Aの平面配置が中間線Lを軸として反転した平面配置を備えている。具体的には、第1研磨ユニット400Aと第2研磨ユニット400Bの筐体403A,403Bの形状、及び基板保持回転機構410A,410B、ベベル研磨部450A,450B、ノッチ研磨部480A,480B、基板受渡機構440A,440B等の互いに同一構成の各部同士が中間線Lに対して線対称に配置されている。さらにベベル研磨部450A,450Bやノッチ研磨部480A,480B等については、その水平面内における動作方向も中間線Lに対して互いに対称な方向になっている。即ち、ベベル研磨時のウエハWの回転方向も、第1研磨ユニット400Aと第2研磨ユニット400Bとで互いに逆方向に回転するようにプログラムされている。
次に、1次洗浄ユニット600の構成を説明する。図33は1次洗浄ユニット600を示す概略斜視図である。図33に示すように、1次洗浄ユニット600は、ウエハWの周縁部を保持する複数のスピンドル(回転機構を具備する保持部材)601と、スピンドル601に保持されたウエハWの上下位置に設置した一対のロール型の洗浄部材(ロールスポンジ)602a,602bを備えたいわゆるロール/ロール(R/R)型の低速回転型洗浄ユニットである。図33に示すように、スピンドル601は、保持するウエハWを取り囲む位置に複数本(図では6本)設置されており、各々のスピンドル601は駆動機構(図示せず)によりウエハWに対して外方及び内方に移動自在に設置されている。また各スピンドル601の側面の上端部近傍には保持溝601aが形成されており、ウエハWの外周部をこの保持溝601aに係合させてウエハWを保持する。またスピンドル601は回転機構(図示せず)により回転自在に構成されており、各スピンドル601が一定方向に回転することによって保持されたウエハWが回転するようになっている。
2次洗浄・乾燥ユニット610の構成を説明する。図34は、2次洗浄・乾燥ユニット610である洗浄機能付きスピン乾燥ユニットの構成例を示す図である。図34に示す洗浄機能付きスピン乾燥ユニット610は、基板保持回転機構611と、ペンシル型洗浄機構614と、洗浄液供給ノズル619を備えて構成されている。基板保持回転機構611は、ウエハWの外周部を数箇所で挟持する爪部612aを備えた保持部612と、該保持部612の下部に連接された回転軸613と、回転軸613に連結された回転駆動機構(図示せず)からなり、保持したウエハWを所定の回転数で回転させることができる。なおこの基板保持回転機構611は、ウエハWを授受する際に爪部612aを開閉する開閉機構(図示せず)を備えている。
次に、基板処理装置1での処理におけるウエハ搬送パターンを説明する。図35および図36はウエハ搬送パターンを説明するフロー図である。図35および図36において、CL1〜CL4はそれぞれ第1研磨ユニット400A、第2研磨ユニット400B、1次洗浄ユニット600、2次洗浄・乾燥ユニット610を示すものとする。第1搬送パターン(a)では、まずCMP工程やCu成膜工程を終えたウエハが収容されたウエハカセット102がロードアンロードポート100に載置されると、第1搬送ロボット200Aによって、ウエハカセット102からウエハが取り出されて測定ユニット310へ搬送される。測定ユニット310で、研磨前のウエハの直径、周縁部の断面形状、表面状態などの必要なデータが測定される。一方、研磨前のウエハを測定する必要がない場合は、測定ユニット310へ搬送する代わりにウエハステージ300へ搬送すればよい。測定を終えたウエハは、第2搬送ロボット200Bによって測定ユニット310から第1研磨ユニット400Aへ搬送される。第1研磨ユニット400Aでウエハ周縁部(ベベル部及びノッチ部)の研磨が行なわれる。第1研磨ユニット400Aでの研磨を終えたウエハは、第2搬送ロボット200Bで、第2研磨ユニット400Bへ搬送され、さらに研磨が行なわれる。第2研磨ユニット400Bでの研磨を終えたウエハは、第2搬送ロボット200Bによって1次洗浄ユニット600へ搬送され、1次洗浄が行われる。1次洗浄ユニット600で洗浄されたウエハは、第2搬送ロボット200Bで2次洗浄・乾燥ユニット610へ搬送され、2次洗浄・乾燥処理がされる。乾燥処理を終えたウエハは、第1、第2搬送ロボット200A,200Bのいずれかにより測定ユニット310へ搬送されて処理後の測定が行なわれる。なお処理後のウエハを測定する必要がない場合は、2次洗浄・乾燥ユニット610からウエハステージ300へ搬送する。その後、第1搬送ロボット200Aにより測定ユニット310又はウエハステージ300からウエハカセット102へ搬送する。あるいは、第1搬送ロボット200Aによって2次洗浄・乾燥ユニット610から直接元のウエハカセット102に戻すこともできる。
Claims (14)
- 研磨ユニットを少なくとも2台備え、
前記2台の研磨ユニットは、前記基板の周縁部を研磨するベベル研磨部及び/又は前記基板のノッチ部を研磨するノッチ研磨部を備え、
前記2台の研磨ユニットの間にメンテナンス用スペースが配設され、
前記2台の研磨ユニットの前記ベベル研磨部及び/又は前記ノッチ研磨部が、前記メンテナンス用スペースに面した位置に配置され、前記メンテナンス用スペースから前記2台の研磨ユニットのベベル研磨部及び/又はノッチ研磨部にアクセスできることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記2台の研磨ユニットは各々前記メンテナンス用スペースに面した部分に開閉扉が設けられた筐体内に配置され、
該開閉扉を開くことで前記メンテナンス用スペースから前記2台の研磨ユニットのベベル研磨部及び/又はノッチ研磨部にアクセスできることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1又は2に記載の基板処理装置において、
前記ベベル研磨部は、
(i)研磨テープと、
(ii)前記基板の周縁部に研磨テープを接触させるベベル研磨ヘッドと、
(iii)該ベベル研磨ヘッドに研磨テープを供給し回収する研磨テープ供給回収機構とを備え、前記研磨テープ供給回収機構の前記研磨テープは前記スペースから研磨テープを交換可能であり、
前記ノッチ研磨部は、
(i)研磨テープと、
(ii)前記基板のノッチ部に研磨テープを接触させるノッチ研磨ヘッドと、
(iii)該ノッチ研磨ヘッドに研磨テープを供給し回収する研磨テープ供給回収機構とを備え、前記研磨テープ供給回収機構の前記研磨テープは前記スペースから研磨テープを交換可能であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記筐体は四方に側壁を有し、
前記筐体の第一の側壁側に前記ベベル研磨部又はノッチ研磨部のいずれか一方が配置され、前記筐体の第一の側壁が前記スペースに面して配置され、
前記筐体の前記第一の側壁に隣接する前記筐体の第二の側壁側に前記ベベル研磨部又はノッチ研磨部のいずれかもう一方が配置され、前記筐体の前記第二の側壁が前記基板処理装置のハウジングに面して配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置において、
前記筐体の前記第二の側壁に開閉扉が設けられると共に、前記基板処理装置の前記ハウジングの前記第二の側壁に面した部分に開閉扉が設けられ、
前記基板処理装置の前記ハウジングの前記開閉扉及び前記筐体の前記開閉扉を開くことで、前記基板処理装置の外部から前記ベベル研磨部又は前記ノッチ研磨部にアクセスできるように構成したことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4又は5に記載の基板処理装置において、
前記基板を前記研磨ユニットへ搬送する搬送装置をさらに備え、
前記基板を前記研磨ユニットへ搬入出する搬入出口が前記筐体の前記第三の側壁に設けられ、該搬入出口は前記搬送装置に面して配置され、
前記搬入出口のためにシャッターが設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記少なくとも2台の研磨ユニットの前記ベベル研磨部同士又は前記ノッチ研磨部同士は、その平面配置が前記メンテナンス用スペースを挟んで互いに対称になるように設置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7に記載の基板処理装置において、
前記少なくとも2台の研磨ユニットの前記ベベル研磨部同士又は前記ノッチ研磨部同士は、その平面内における動作が前記スペースを挟んで互いに対称な動作をするように設置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記各研磨ユニットは、
(i)前記ベベル研磨部及び/又はノッチ研磨部の少なくともいずれか一方で研磨される前記基板を保持する基板保持テーブルと、
(ii)該基板保持テーブルを水平面で揺動させる揺動機構又は前記基板保持テーブルを水平面内で直線移動させる基板保持テーブル水平移動機構の少なくともいずれか一方を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記ベベル研磨部及び/又は前記ノッチ研磨部は、研磨テープの表面を前記基板の周縁部に摺接させて該基板を研磨するように構成され、
前記各研磨ユニットの前記ベベル研磨部及び/又はノッチ研磨部に、砥粒を分散させた化学的に不活性な樹脂材料をテープ基材の表面に塗布することで研磨層を形成する研磨テープを設置したことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項10に記載の基板処理装置において、
前記各研磨ユニットは、
(i)前記ベベル研磨部及び/又はノッチ研磨部の少なくともいずれか一方で研磨される前記基板を水平に保持する基板保持手段と、
(ii)前記基板保持手段に保持された基板の研磨位置付近に向けて純水、超純水、または脱イオン水の少なくとも1つを供給する第1の供給ノズルと、
(iii)前記基板の上面の中央部付近に向けて純水、超純水、または脱イオン水の少なくとも1つを供給する第2の供給ノズルとを備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 基板を、基板の周縁部を研磨するベベル研磨部及び基板のノッチ部を研磨するノッチ研磨部に、移動機構によって移動させる基板研磨方法であって、
前記ベベル研磨部又はノッチ研磨部のいずれか一方で、前記基板の周縁部又はノッチ部の第一の研磨を行い、
前記基板に純水のみを供給して前記第一の研磨後前記基板の表面を覆う水膜を形成し、
前記基板の表面に水膜を形成した状態で、前記移動機構によって前記基板を前記ベベル研磨部又はノッチ研磨部のいずれか他方へ移動させて配置し、
前記ベベル研磨部又はノッチ研磨部の前記いずれか他方で、前記基板の周縁部又はノッチ部の第二の研磨を行うことを特徴とする基板研磨方法。 - 基板の周縁部を研磨するベベル研磨部及び基板のノッチ部を研磨するノッチ研磨部の少なくともいずれか一方を具備する少なくとも2台の研磨ユニットと、前記少なくとも2台の研磨ユニットに前記基板を搬送する搬送装置とを備えた基板処理装置における基板処理方法であって、
前記少なくとも2台の研磨ユニットの前記ベベル研磨部又は前記ノッチ研磨部の平面配置が前記搬送装置から見て互いに対称になるように配置し、
(i)前記搬送装置で、前記少なくとも2台の研磨ユニットにそれぞれ別の基板を搬送して、前記少なくとも2台の研磨ユニットで並行して前記各基板を研磨して各基板の周縁部の汚染除去及び/又は表面荒れの除去を行うか、
(ii)前記搬送装置で、前記少なくとも2台の研磨ユニットに基板を連続して搬送し
て、前記少なくとも2台の研磨ユニットで前記基板を連続して研磨して前記基板の周縁部
の汚染除去及び/又は表面荒れの除去を行うか、
を含む2つの研磨処理もいずれか一方を選択的に行うことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項13に記載の基板処理方法において、前記少なくとも2台の研磨ユニット内における前記ベベル研磨部又は前記ノッチ研磨部の動作が前記搬送装置から見て互いに対称な動作をすることを特徴とする基板処理方法。
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JP2008306179A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-12-18 | Applied Materials Inc | バッキングパッドを使用して基板の両面の縁部から膜及び薄片を除去する方法及び装置 |
JP2009004765A (ja) * | 2007-05-21 | 2009-01-08 | Applied Materials Inc | 基板研磨のためにローリングバッキングパッドを使用する方法及び装置 |
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JP5274993B2 (ja) | 2007-12-03 | 2013-08-28 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
JP5393039B2 (ja) | 2008-03-06 | 2014-01-22 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
JP5400469B2 (ja) * | 2009-05-08 | 2014-01-29 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置の動作レシピの作成方法 |
JP5325681B2 (ja) * | 2009-07-08 | 2013-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
KR101110268B1 (ko) * | 2010-04-30 | 2012-02-16 | 삼성전자주식회사 | 로터리 유니온을 구동하는 공압 공급관의 꼬임을 방지하는 화학 기계식 연마시스템 |
JP5449239B2 (ja) * | 2010-05-12 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体 |
JP5572575B2 (ja) * | 2010-05-12 | 2014-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板位置決め装置、基板処理装置、基板位置決め方法及びプログラムを記録した記憶媒体 |
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JP5474853B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2014-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US20130101372A1 (en) * | 2011-10-19 | 2013-04-25 | Lam Research Ag | Method and apparatus for processing wafer-shaped articles |
KR101879228B1 (ko) * | 2012-02-15 | 2018-08-20 | 주식회사 케이씨텍 | 반도체 기판 연마용 가공 장치 |
KR101905399B1 (ko) * | 2012-02-15 | 2018-10-10 | 주식회사 케이씨텍 | 반도체 기판 연마용 가공 장치 |
JP6113960B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2017-04-12 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法 |
DE102012216632A1 (de) * | 2012-09-18 | 2014-03-20 | Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg | Bearbeitungsmaschine und Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
WO2014087762A1 (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | リソテックジャパン株式会社 | 昇降装置および小型製造装置 |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
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US20140263275A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Rotation enabled multifunctional heater-chiller pedestal |
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KR20150034866A (ko) | 2013-09-25 | 2015-04-06 | 삼성전자주식회사 | 연마 장치 |
US20150087208A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor wafer |
JP6113624B2 (ja) * | 2013-10-11 | 2017-04-12 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2015137072A1 (ja) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | 株式会社シンク・ラボラトリー | モジュール式処理ユニット及びそれを用いたグラビアシリンダーの全自動製造システム |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US20170312880A1 (en) * | 2014-10-31 | 2017-11-02 | Ebara Corporation | Chemical mechanical polishing apparatus for polishing workpiece |
JP2016165768A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの面取り加工装置及びウェーハの面取り加工方法 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
JP6555587B2 (ja) * | 2015-10-28 | 2019-08-07 | 日本電気硝子株式会社 | 板ガラスの製造方法及び製造装置 |
US10074472B2 (en) | 2015-12-15 | 2018-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | InFO coil on metal plate with slot |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
JP6614978B2 (ja) * | 2016-01-14 | 2019-12-04 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨方法 |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
CN106128989B (zh) * | 2016-08-25 | 2022-11-11 | 麦斯克电子材料股份有限公司 | 一种用于硅片片盒间错位倒片的倒片器 |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
EP3335832B1 (en) * | 2016-12-15 | 2021-02-03 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and pressing pad for pressing polishing tool |
JP6974117B2 (ja) * | 2016-12-15 | 2021-12-01 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、および研磨具を押圧する押圧パッド |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP6327329B1 (ja) * | 2016-12-20 | 2018-05-23 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法およびシリコンウェーハの製造方法 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
KR101971150B1 (ko) * | 2017-08-18 | 2019-04-22 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼의 에지 연마부, 이를 포함하는 웨이퍼의 에지 연마 장치 및 방법 |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10368467B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-07-30 | Facebook, Inc. | System and method for data center heat containment |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
TWI660444B (zh) * | 2017-11-13 | 2019-05-21 | 萬潤科技股份有限公司 | 載台及使用載台之晶圓搬送方法及加工裝置 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TWI852426B (zh) | 2018-01-19 | 2024-08-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
WO2020049616A1 (ja) | 2018-09-03 | 2020-03-12 | コンドーエフアルピー工業株式会社 | 排水トラップ |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) * | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP7603377B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-12-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR102762833B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-02-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200141931A (ko) | 2019-06-10 | 2020-12-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210015655A (ko) | 2019-07-30 | 2021-02-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 방법 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
KR20210018761A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
JP7325913B2 (ja) * | 2019-11-22 | 2023-08-15 | 株式会社ディスコ | ウェーハ加工装置 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
TW202142733A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
KR20210089077A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR20210093163A (ko) | 2020-01-16 | 2021-07-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
CN113284789A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-20 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括钒或铟层的结构的方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
JP7355670B2 (ja) * | 2020-02-05 | 2023-10-03 | 株式会社荏原製作所 | 研磨ヘッドおよび研磨装置 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
KR20210103956A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR102775390B1 (ko) | 2020-03-12 | 2025-02-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202143328A (zh) | 2020-04-21 | 2021-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於調整膜應力之方法 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
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JP2021181612A (ja) | 2020-04-29 | 2021-11-25 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 固体ソースプリカーサ容器 |
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US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
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US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
KR20220002123A (ko) | 2020-06-30 | 2022-01-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI864307B (zh) | 2020-07-17 | 2024-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構、方法與系統 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20220021863A (ko) | 2020-08-14 | 2022-02-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
TW202228863A (zh) | 2020-08-25 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
TW202217045A (zh) | 2020-09-10 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202218049A (zh) | 2020-09-25 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
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US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
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US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
KR102482687B1 (ko) * | 2020-12-24 | 2022-12-28 | 동명대학교산학협력단 | 스윙 암과 통합된 패드 프로파일 측정 시스템 |
CN112720130B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-09-06 | 内蒙古长城计算机系统有限公司 | 一种计算机外壳毛刺打磨装置 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
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Family Cites Families (5)
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JP2000158309A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-13 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 端面研磨装置における周面研磨部の搬送部材配列 |
JP2003077872A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Speedfam Co Ltd | 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法 |
JP3949941B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2007-07-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
JP4125148B2 (ja) * | 2003-02-03 | 2008-07-30 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
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