TW202124630A

TW202124630A - 黏著劑膜

Info

Publication number: TW202124630A
Application number: TW109136033A
Authority: TW
Inventors: 黃教聖; 楊鏞釋; 金基先; 鄭圭振
Original assignee: 美商3M新設資產公司
Priority date: 2019-10-18
Filing date: 2020-10-16
Publication date: 2021-07-01
Also published as: CN114555355A; KR102788028B1; KR20210046381A; CN114555355B; US20230029583A1; US12252638B2; WO2021074793A1

Abstract

本發明係關於一種黏著劑膜，其包含黏著劑層；光熱轉換層，其含有光吸收劑及熱可分解樹脂；及黏著劑基膜層，其係設置在該黏著劑層與該光熱轉換層之間，其中該黏著劑基膜層含有多官能性環氧樹脂、黏合劑樹脂、固化劑、及固化催化劑。根據本發明之黏著劑膜能夠簡化基材的加工程序，且預防對基材與形成於基板上之電路或元件的損壞。

Description

黏著劑膜

本發明係關於一種黏著劑膜，且更特別地，係關於一種在加工基材之程序中設置在待加工的基材與支撐件之間的黏著劑膜。

在各種領域中，通常較佳的是使用薄基材或可撓性基材。已提出在形成此薄基材或使用撓性基材之程序中，該基材接合至硬支撐件，且接著在該基板之加工完成之後自該硬支撐件分離該基板之程序。

作為一實例，在石英裝置的領域中，較佳的是減少石英晶圓的厚度，以致增加振盪頻率。特別地，在半導體產業中，正在努力藉由晶片層壓技術及半導體封裝之厚度的減少來進一步減少半導體晶圓的厚度，以用於高密度製造。

藉由在與具有圖案形成的電路的表面相對的表面上的所謂的半導體晶圓的後表面研磨，來執行厚度減小。為了減少厚度，已經提出了一種方法，在該方法中，當晶圓以黏著劑牢固地固定在硬支撐件上時，研磨晶圓的底表面並且輸送，且接著自硬支撐件分離晶圓。藉由使用硬支撐件支撐晶圓，可能預防晶圓在後表面研磨期間破損且輸送，且將晶圓加工成薄的厚度位準(level)。

在另一方面，作為另一實例，已經開發了一種可撓性顯示裝置，其能夠增強美感功能且賦予使用中的多功能，且此時，較佳的是使用可撓性基材。已經期待可撓性顯示裝置作為下一代的顯示裝置，該顯示裝置置換可攜式電腦、電子報紙或智能卡、及印刷媒體，諸如書本、報紙、雜誌、及類似者。隨著此顯示裝置美感功能增強、厚度減少、及重量減少，需要各種材料，且施加和使用各種可撓性基材。例如，薄膜金屬片、塑料、及類似者可用作可撓性基材。

然而，導因於可撓性基材之良好的彎曲特性，其幾乎不應用於用於針對玻璃或石英基材設計之顯示裝置之現存製造設備。例如，難以藉由軌道設備(track equipment)或機器人予以輸送或存儲在匣(casette)中的限制。

因此，在元件形成之前，可撓性基材接合至硬支撐件上，當元件形成在可撓性基材上時，支撐件支撐可撓性基材，及在元件形成在基材上之後，將自可撓性基材分離支撐件。因此，即使使用可撓性基材，可以提供其中穩定地形成元件的可撓性顯示裝置。

然而，此程序的問題在於程序複雜，且藉由在基材與硬支撐件之間施加黏著劑、固化黏著劑等之程序而增加成本和時間。此外，在加工基材後自硬支撐件分離基材的程序中，有晶圓或基材本身會受損，或晶圓的電路及可撓性基材的元件受損的問題。

本發明之一目的係提供一種黏著劑膜，其能夠在加工程序期間維持高黏著性，且在加工程序之後輕易地自支撐件剝離固定在支撐件上的基材。導因於此，在本發明中，當基材自支撐件分離時，可能預防基材或基材上所形成之元件或電路遭受物理力時的損壞及破損。

本發明之另一目的係提供一種黏著劑膜，其導因於優異的耐熱性和優異的遮光功效而能夠預防對待加工的基材及形成在基材上的元件或電路的損壞，特別地，甚至在需要高真空/250℃或更高的高耐熱性的程序中使用。更具體地，本發明可應用於需要以非常快的速度斜坡升高(ramp-up)之程序，或排除斜波升高程序本身，且一次將材料暴露於高溫以使施加至該材料的熱衝擊係顯著的之程序。

本發明之又另一目的係提供一種黏著劑膜，其能夠藉由簡化將待加工的基材固定在支撐件上，且自支撐件剝離基材而能夠減少成本與時間。

為了解決上述先前技術的問題，本發明的黏著劑膜包含黏著劑層；光熱轉換層，其含有光吸收劑及熱可分解樹脂；及黏著劑基膜層，其係設置在該黏著劑層與該光熱轉換層之間，其中該黏著劑基膜層含有多官能性環氧樹脂、黏合劑樹脂、固化劑、及固化催化劑。

黏著劑層可係基於矽之黏著劑層。

熱可分解樹脂可含有兩種具有-COOH或-OH之官能基及不同的重量平均分子量的丙烯酸樹脂。

黏著劑基膜層可對黏著劑層與光熱轉換層兩者具有黏著性。

固化劑可係酚系固化劑。

黏合劑樹脂可具有500,000至1,500,000之重量平均分子量的彈性體樹脂。

黏合劑樹脂可係基於丙烯醯基或基於橡膠之彈性體樹脂。

黏合劑樹脂可在鏈中具有環氧基。

黏著劑基膜層可進一步包含填料。

填料可包括選自由TiO₂、矽石、銅粉、氧化鋁、及碳黑所組成之群組之至少一者。

黏著劑基膜層之黏合劑樹脂與環氧樹脂的重量比可係25：75至55：45。

根據本發明之黏著劑膜，可能在加工程序期間維持高黏著性，且在加工程序之後輕易地自支撐件剝離固定在支撐件上之基材。導因於此，當自支撐件分離基材時，可能預防基材及形成在基材上之元件或電路遭受物理力之損壞和破損。此外，根據本發明之黏著劑膜具有優異的耐熱性及優異的遮光效果，且特別地，係甚至能夠在需要高真空/250℃或更高的高耐熱性的程序中使用。此外，根據本發明的黏著劑膜，可能藉由簡化將待加工的基材固定在支撐件上且自支撐件剝離基材來減少成本與時間。

110:第一襯墊

120:光熱轉換層

130:黏著劑基膜層

140:黏著劑層

150:第二襯墊

200:支撐件

300:基材

400:雷射

500:移除膠帶

〔圖1〕是根據本發明的黏著劑膜的截面圖。

〔圖2A〕至〔2C〕是繪示使用根據本發明的黏著劑膜加工基材的程序的圖。

本發明之優點與特徵以及用於達成其的方法自下文參考附圖所詳細之實施例將更明顯的。然而，本發明不限於下文之實施例，並且可依許多不同形式實施。實施例僅提供用以完成本揭露的發明，且完全地提供本發明的類別給與本發明相關之所屬技術領域中具有通常知識者，且本發明將恰如所附申請專利範圍的範疇來界定。

用於描述本發明之實施例之圖式中所繪示之形狀、尺寸、比率、角度、數字、及類似者為說明性的，且因此本發明並不限於圖式中所繪示之細節。在整份說明書中，相似元件符號指稱相似組件。此外，在描述本發明時，當判定已知的相關技術的詳細解釋會不必要地混淆本發明之標的時，將省略其詳細說明。

當本說明書中使用用語「包含(comprising)」、「具有(having)」等時，除非使用「僅(only)」的表述，否則可以添加除了所描述的細節以外的其他事項(matter)。當組件以單數形式表示時，該組件包括複數形式，除非另有明確說明。

除非另有明確說明，否則組件應解讀為包括錯誤範圍。

在位置關係之描述中，當使用用語諸如「上(on)」、「上方(above)」、「下方(below)」、與「旁邊(next)」描述兩個部件之間的位置關係時，一或多個其他部件亦可位於兩個部件之間，除非使用了「緊接著(immediately)」或「直接(directly)」的表述。

本發明之實施例的各別特徵可部分地或完全地彼此接合或組合，且可技術上互鎖或以各種方式驅動。

在下文中，將參考圖式詳述本發明之實施例。以下的實施例經提供作為實例，使得本發明之精神將完全傳達給所屬技術領域中具有通常知識者。因此，本發明不限於下文要描述的實施例，並可以用各種不同形成予以體現。

圖1係根據本發明之實施例之黏著劑膜的截面圖。參照圖1，根據本發明之實施例的黏著劑膜包含依次層壓的第一襯墊110、光熱轉換層120、黏著劑基膜層130、黏著劑層140、及第二襯墊150。

本發明之黏著劑膜係膜的形式，且係藉由將光熱轉換層120與黏著劑層140直接接合至以膜的形式形成的黏著劑基膜層130的兩個表面而形成。即，在本發明之黏著劑膜中，黏著劑基膜層130作為支撐件膜，且係形成於具有複數個層而不具有諸如PI膜或PEN膜之硬基膜的結構中。在稍後加工基材的程序中，黏著劑層140接合至基材，且光熱轉換層120接合至硬支撐件。

更詳細地說，當用輻射能(諸如雷射)輻照時，光熱轉換層120係經分割，且可自支撐件分離，而不會損壞基材或基材上的元件或電路。

光熱轉換層120包括光吸收劑與熱可分解樹脂。用雷射或類似者的形式施加至光熱轉換層120的輻射能係由光吸收劑吸收，且轉換成熱能。所產生的熱能使光熱轉換層120的溫度迅速升高，且該溫度達到光熱轉換層120中的熱可分解樹脂(有機組分)的熱分解溫度，從而造成樹脂的熱分解。熱分解所產生的氣體在光熱轉換層 120中形成孔隙層(諸如，空間)，且將光熱轉換層120分割成兩部分，結果支撐件與基材彼此分離。

光吸收劑可吸收輻射能，且將所吸收的輻射能轉換成熱能。此外，光吸收劑可作用於遮光，以預防基材受到雷射或類似者的損壞。

雖然光吸收劑視雷射的波長而改變，可用的光吸收劑的實例包括碳黑、石墨粉末、微粒金屬粉末(諸如，鐵、鋁、銅、鎳、鈷、錳、鉻、鋅、及碲)、金屬氧化物粉末(諸如，黑色氧化鈦)、及染料與顏料(諸如，芳族基於二胺基之金屬錯合物、脂族基於二胺之金屬錯合物、芳族基於二硫醇之金屬錯合物、基於巰基酚之金屬錯合物、基於方酸菁之化合物、基於花青素之染料、基於次甲基之染料、基於萘醌之染料、與基於蒽醌之染料)。光吸收劑可係包括氣相沉積之金屬膜的膜之形式。

在此等光吸收劑中，碳黑係特別有用的，且原因在於，在輻照之後，碳黑顯著減少了自支撐件分離基材所需的力量，且加速分離。

光熱轉換層120中的光吸收劑的粒子尺寸可係約20nm至約2000nm，較佳約50nm至約1000nm，更佳約100nm至約350nm。

當光吸收劑之粒子尺寸小於約20nm時，分散困難，且粒子尺寸越小，表面積越高，使得大量光吸收劑無法被裝載，且裝載量受到限制。另外，當光吸收劑的粒子尺寸多於約2000nm時，雷射阻斷性能降低，且雷射將光熱轉換層120分割的性能降低。另外，隨著光吸收劑的粒子尺寸增加，膜形成性降低，分散之後的分散穩定性會降低，且直到形成與塗佈粗製液體所需時間應縮短。

以光熱轉換層120的總重量計，光熱轉換層120中的光吸收劑的含量可係約5wt%至約80wt%，較佳約10wt%至約60wt%，更佳約20wt%至約50wt%。

當光吸收劑的含量小於約5wt%時，用雷射的分離是困難的。此外，當光吸收劑的含量多於約80wt%時，在用雷射分割光熱轉換層120之後，用雷射分離的光熱轉換層120的一部分殘留在黏著劑基膜層130的表面上，且此時，由於高碳含量，黏著性變得非常低。在此情況下，在稍後的以移除膠帶移除黏著劑基膜層130與黏著劑層140之程序中，黏著劑基膜層130未與該移除膠帶良好接合，且因此難以移除。此外，當光吸收劑的含量增加，光熱轉換層120的表面的黏著性變得太低，結果難以與支撐件層壓，且光吸收劑的分散不均勻。

光熱轉換層120中的熱可分解樹脂包括丙烯酸樹脂。較佳地，丙烯酸樹脂包括單體，該等單體選自由甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸羥乙酯(HEMA)、丙烯酸乙酯(EA)、丙烯酸丁酯(BA)、丙烯腈(AN)、以及其組合所組成之群組。較佳地，丙烯酸樹脂可選自由甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸羥乙酯(HEMA)、丙烯酸乙酯(EA)、丙烯酸丁酯(BA)、及丙烯腈(AN)之至少三者之組合。丙烯酸樹脂可具有合適的分子量、Tg、耐熱性、與官能基。

以光熱轉換層120的總重量計，丙烯酸樹脂的含量可係約5wt%至約80wt%，較佳約15wt%至約60wt%，更佳約40wt%至約60wt%。當丙烯酸樹脂的含量小於約5wt%時，膜形成性降低，難以控制光熱轉換層120的厚度，且光熱轉換層120的表面的黏著性太低，以致難以與支撐件層壓。此外，當丙烯酸樹脂的含量大於約80wt%時，在雷射輻照之後，很大程度需要物理力來分割光熱轉換層120，難以自支撐件分離基材，且可能發生基材或形成在基材上的元件或電路之損壞。

丙烯酸樹脂較佳地包括具有不同重量平均分子量的兩種丙烯酸樹脂，更佳的是高分子量丙烯酸樹脂與低分子量丙烯酸樹脂。高分子量丙烯酸樹脂允許光熱轉換層120具有優異的耐熱性，且低分子量丙烯酸樹脂改善光熱轉換層120的黏著性並且有利於膜形成。

此時，高分子量丙烯酸樹脂的Tg(玻璃轉移溫度)係0℃至10℃，且低分子量丙烯酸樹脂的Tg可係-10℃至0℃。當高分子量丙烯酸樹脂的Tg高於10℃且低分子量丙烯酸樹脂的Tg高於0℃時，可改善光熱轉換層120的耐熱性，但表面黏著性可能減少。另一方面，當高分子量丙烯酸樹脂的Tg低於0℃且低分子量丙烯酸樹脂的Tg低於-10℃時，可改善接合性能，但是耐熱性可能減少。

高分子量丙烯酸樹脂的重量平均分子量可係約400,000g/mol至約15,000,000g/mol，較佳約500,000g/mol至約1,200,000g/mol，更佳約700,000g/m01至約1,000,000g/mol。當高分子量丙烯酸樹脂的重量平均分子量小於約400,000g/mol時，光熱轉換層120的耐熱性降低，且當其重量平均分子量大於約15,000,000g/mol時，光熱轉換層120的塗層與粗製溶液的混合不容易。

低分子量丙烯酸樹脂的重量平均分子量可係約50,000g/mol至約600,000g/mol，較佳約100,000g/mol至約500,000g/mol，更佳約400,000g/mol至約500,000g/mol。當低分子量丙烯酸樹脂的重量平均分子量小於約50,000g/mol時，光熱轉換層120的耐熱性降低，且當其重量平均分子量大於約600,000g/mol時，光熱轉換層120的層壓性能劣化。

高分子量丙烯酸樹脂與低分子量丙烯酸樹脂的重量比可係約1：4至約4：1，較佳約1：3至約3：1，更佳約1：2至約2：1。當低分子量丙烯酸樹脂的含量顯著小於高分子量丙烯酸樹脂的含量時，光熱轉換層120的層壓性能劣化。此外，當高分子量丙烯酸樹脂的含量顯著小於低分子量丙烯酸樹脂的含量時，光熱轉換層120的耐熱性降低，且在雷射輻照之後，光熱轉換層120的分割表面上的黏著性是強的，且因此需要大的物理力來分離。

熱可分解樹脂具有-COOH或-OH官能基。較佳地，熱可分解樹脂包括具有-COOH或-OH官能基的丙烯酸樹脂。包括具有-COOH或-OH官能基的熱可分解樹脂之光熱轉換層120不是壓敏性黏著劑類型。藉由具有-COOH或-OH官能基，光熱轉換層可藉由氫鍵結而來接合至支撐件，且例如可藉由氫鍵結來接合至玻璃製成之支撐件的玻璃表面上的矽醇基。此時，氫鍵結提供了用於接合黏著劑層至支撐件之間的初始黏著性，且導因於在接合程序之後的程序中產生的熱，光熱轉換層120與支撐件之間的黏著性大大增加。

-COOH或-OH官能基可具有至少約1mgKOH/g，較佳至少約5mgKOH/g的酸值。光熱轉換層120的層壓性能係基於-COOH或-OH官能基。當-COOH或-OH官能基的酸值低於約1mgKOH/g時，層壓性能劣化。-COOH或-OH的酸值的上限則不成問題。然而，導因於化學結構，-COOH或-OH官能基可具有較佳約1mgKOH/g至約50mgKOH/g，更佳約1mgKOH/g至約30mgKOH/g，最佳約10mgKOH/g至約20mgKOH/g的酸值。

光熱轉換層120可進一步包括無機填料。導因於熱可分解樹脂的熱分解所導致之孔隙層的形成，在光熱轉換層120經分割之後，無機填料作用於預防光熱轉換層的再黏附。因此，在加工基材之後，當以雷射輻照且分離光熱轉換層120時，可進一步減少基材與支撐件的分離所需的物理力。

該無機填料可選自由SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、與其組合所組成之群組。具體地，在TiO₂的情況下，對基材有額外的遮光功效。

光熱轉換層120中的無機填料的粒子尺寸可係約20nm至約2000nm，較佳約50nm至約1000nm，更佳約100nm至約350nm。當無機填料的粒子尺度小於約20nm時，在膜生產期間，無機填料的分散不容易，且對於可裝載的量有限制。此外，當無機填料的粒子尺寸大於約2000nm時，膜形成性降低，且分散之後的分散持久性降低。

以光熱轉換層120的總重量計，光熱轉換層120中的無機填料的含量可係約4wt%至約60wt%，較佳約5wt%至約50wt%，更佳約5wt%至約30wt%。當無機填料的含量小於約4wt%時，在藉由雷射輻照的分離程序之後，經分離的表面的黏著性大，因此光熱轉換層120可隨時間再接合。此外，當無機填料的含量大於約60wt%時，光熱轉換層120的黏著性太低，造成將光熱轉換層在支撐件上層壓困難，膜形成性降低，及分散不均勻。

光熱轉換層120可進一步包括分散劑。以光熱轉換層120的總重量計，分散劑的含量可係約0.1wt%至約10wt%，較佳約0.1wt%至約7wt%，更佳約0.1wt%至約5wt%。當分散劑的含量小於約0.1wt%時，光熱轉換層120中的光吸收劑與無機填料的分散性可降低，且分散之後的分散持久性亦可降低。另外，當分散劑的含量大於約10wt%時，光熱轉換層120的耐熱性劣化，待添加的添加劑在高溫下分解，且重量損失增加。

光熱轉換層120的厚度係約1μm至約30μm，較佳約3μm至約20μm，更佳約5μm至約15μm。當光熱轉換層120的厚度小於約1μm時，上黏著劑層可直接影響材料，且雷射阻斷性能可導因於光吸收劑而劣化。此外，當光熱轉換層120的厚度大於約30μm時，大量黏著劑殘餘物在雷射輻照之後可殘留在支撐件上。

光熱轉換層120係以膜形式形成在黏著劑基膜層130上。當光熱轉換層120直接施加在支撐件上且以液體形式形成時，若黏度低，則其厚度小於約1m，使得厚度可能無法為足夠厚。為此原因，難以充分使用能夠阻斷雷射的光吸收劑，且難以預防雷射對基材的損壞。

在本發明中，光熱轉換層120可直接施加在支撐件上且以液體形式形成，且在通過分開施用形成膜形式之後，光熱轉換層120可通過熱層壓程序接合至黏著劑基膜層130。

當根據本發明的光熱轉換層120以膜的形式形成時，容易控制其厚度，且在保護基材及其上形成的電路或元件方面可能更有利。此外，此光熱轉換層120可對於支撐件具有150gf/25mm至1600gf/25mm的黏著性。

同時，黏著劑層140係用於固定基材。在藉由分解光熱轉換層120來分離基材與支撐件之後，獲得在其上具有黏著劑層140之基材。因此，黏著劑層140應藉由剝離或類似者輕易地自基材分離。黏著劑層140係形成於黏著劑基膜層130上之膜的形式，且非直接施加在基材上的光可固化黏著劑。

黏著劑層140可係基於矽之黏著劑層。較佳地，基於聚矽氧之黏著劑層之黏著劑可包括自由基可固化之基於聚矽氧之黏著劑。

在基材加工程序(特別是半導體製程)中，需要在高溫及高真空條件下具有優異穩定性的黏著劑膜。然而，例如，在丙烯酸黏著劑層的情況下，耐熱性的溫度限制係230℃，且若程序在較高溫度下執行，或者該程序持續長時間，則黏著劑可係熔融及流動的。此外，由於丙烯酸黏著劑及類似者具有高CTE，但具有低模數且係可撓性，丙烯酸黏著劑及類似者可根據材料在高溫下變形而移動。因此，在高溫/高真空程序中，有丙烯酸黏著劑具有不足的耐熱性而無法使用，且在諸如高溫及類似者的條件下具有差的黏著性之問題。

另一方面，基於聚矽氧的黏著劑層在高溫下具有優異的穩定性及優異的耐熱性。此外，由於基於聚矽氧之黏著劑層係比以另一材料製成的黏著劑層(例如丙烯酸黏著劑層)更軟，當接合硬材料(諸如基材及支撐件)時，層壓性能係優異的。

此外，基於矽之黏著劑層之柔軟性質允許黏著劑層140在完成基材加工程序之後時輕輕移除，且可預防基材上的元件受損。此外，在完成基材加工程序之後，當剝離黏著劑層140時，可使用高溫，使得沒有殘餘物可殘留在基材上。

黏著劑層140可包括固化劑。較佳地，固化劑可係過氧化苯甲醯(BOP)固化劑。更佳地，過氧化苯甲醯(BOP)固化劑可係二-(2,4-二氯苯甲醯基)過氧化物或過氧化二苯甲醯。例如，過氧化苯甲醯(BPO)固化劑可以粉末形式或糊狀形式使用。

以黏著劑層140的總重量計，黏著劑層140中的固化劑的含量可係約1wt%至約4wt%，較佳約1wt%至約3wt%，更佳約2wt%至約3wt%。

當固化劑的含量小於約1wt%時，反應性可劣化。此外，當固化劑的含量大於約4wt%時，過量的固化劑可能不會反應且未反應的固化劑可能會殘留，且黏著劑層140之表面的透明度及粗糙度可在固化及乾燥之後降低。

黏著劑層140可進一步包括添加劑。添加劑係用以在基於聚矽氧之黏著劑層140中移除濕氣。即，添加劑移除黏著劑層140中之濕氣，以改善黏著劑層140之固化效率，從而進一步改善黏著劑層140之耐熱性。

較佳地，添加劑可係TiO₂。例如，在Al₂O₃、SiO₂、或類似者的情況下，分散性弱，且因此需要分散劑。然而，在基於聚矽氧之黏著劑層的情況下，因為使用芳族溶劑作為溶劑，其難以作為主要分散劑，且當添加該分散劑時，聚矽氧的耐熱性可導因於分散劑而劣化。

在TiO₂的情況下，分散性非常優異，且TiO₂係可在沒有特殊分散劑的情況下施加的填料。此外，可移除濕氣及類似者可以預防在矽之自由基反應期間濕氣降低固化反應。

黏著劑層140中的添加劑之尺寸係約100nm至約500nm，較佳約200nm至約400nm，更佳約200nm至約300nm。

當添加劑之尺寸小於約100nm時，分散性降低，且可裝載之量受到限制。此外，當添加劑之尺寸大於約500nm時，可能存在以下問題：添加劑在分散之後會隨時間沉澱並且當塗佈樹脂時表面粗糙度不佳。

以黏著劑層140的總重量計，黏著劑層140中的添加劑的含量可係約1wt%至約10wt%，較佳約1wt%至約8wt%，更佳約1wt%至約5wt%。

當添加劑的含量小於約1wt%時，難以展現添加劑的功效。此外，當添加劑的含量大於約10wt%時，黏著劑層140的表面上可能發生問題。黏著劑層140之厚度係約5μm至約100μm、較佳約5μm至約70μm、更佳約10μm至約60μm。當黏著劑層140的厚度小於約5μm時，當裝置導因於低黏著性而嚴重變形時，層間剝離可能發生。此外，當黏著劑層140的厚度大於約100μm時，在形成黏著劑層140時的乾燥效率降低，且可能有溶劑殘留，且黏著劑層140之內聚力降低，因此殘餘物可殘留。導因於黏著劑層140之柔軟性質，在基材加工程序期間可能難以固定黏著劑層140。

另一方面，當黏著劑層140係基於聚矽氧之黏著劑層時，光熱轉換層120包括丙烯酸組分，使得難以在基於聚矽氧之材料與丙烯酸材料之間直接塗佈光熱轉換層120。具體地，導因於基於矽之黏著劑的低表面能，光熱轉換層120可不塗佈在基於矽之黏著劑層140上。相反地，導因於基於聚矽氧之黏著劑的高固化溫度，光熱轉換層120的黏著性減少，且黏著劑層140可不塗佈在光熱轉換層120上。

此外，需要支撐光熱轉換層120與黏著劑層140的支撐件膜層。

為了支撐光熱轉換層120與黏著劑層140，已經設計固體膜，例如，PI膜、或類似者。然而，PI膜具有高剛度及模數，但通常展現比支撐件或基材(諸如晶圓)的CTE更大的CTE。結果，在高溫下之PI膜的情況下，可能發生起皺、歪曲、翹曲、及類似者。導因於PI膜的起皺、歪曲、及翹曲，不規則表面可能影響基材加工，且可能發生程序缺陷。

此外，在使用剛性基膜(諸如PI膜)的情況下，有聚矽氧底漆需要在PI膜上處理的問題。導因於此，有程序增加，且成本與時間增加的問題。

此外，需要額外的黏著劑層以將PI膜與光熱轉換層120接合，結果，有膜之整體厚度增加且結構複雜的問題。

為了解決這些問題，在本發明中，黏著劑基膜層130係形成在光熱轉換層120與黏著劑層140之間，以支撐光熱轉換層120與黏著劑層140，且用以接合光熱轉換層120與黏著劑層140。即，本發明之黏著劑基膜層130可減少或預防由剛性基膜所造成的問題。具體地，導因於與PI膜相比之低模數，黏著劑基膜層130係根據材料或支撐件的熱行為膨脹或收縮，以預防諸如起皺、歪曲、及翹曲及類似者問題。

此外，當使用黏著劑基膜層130代替剛性膜時，光熱轉換層120、黏著劑基膜層130、及黏著劑層140皆係由黏著劑材料製成的可撓性層，以組態黏著劑膜。結果，黏著劑膜本身展現可撓性，且從而在層壓至支撐件與基材時係更有利的，且展現高黏著性。

黏著劑基膜層130包括環氧樹脂。較佳地，黏著劑基膜層130包括多官能性環氧樹脂。更佳地，多官能性環氧樹脂可係酚醛環氧樹脂或二環戊二烯環氧樹脂。多官能性環氧樹脂可藉由實施高交聯密度來增加化學抗性。

黏著劑基膜層130對光熱轉換層120中使用的溶劑，例如，甲基乙基酮(MEK)與丙烯酸乙酯(EA)、及黏著劑層140中使用的溶劑，例如，甲苯與二甲苯具有化學抗性。

此外，甚至在高溫下，黏著劑基膜層可能不會在光熱轉換層120與黏著劑層140之間膨脹或收縮。特別地，甚至在基於聚矽氧之黏著劑層140之固化溫度下，維持物理剛性且無收縮或膨脹。

此外，黏著劑基膜層130具有適合用於程序之CTE及模數，且在後續基材加工程序中不展現物理變化。

此外，包括環氧樹脂的黏著劑基膜層130與彼此不接合之光熱轉換層120與黏著劑層140兩者具有黏著性，且具有能夠支撐該兩層的硬度。

此外，黏著劑基膜層130本身具有黏著性，並且在製造程序中，代替形成與層壓各別膜層的程序，光熱轉換層120與黏著劑層140係直接塗佈與固化在黏著劑基膜層130上，且因此，在黏著劑基膜層130與光熱轉換層120之間之層間黏著性、及在黏著劑基膜層130與黏著劑層140之間之層間黏著性非常高。為此原因，黏著劑基膜層130具有優異的耐熱性，且即使在高溫及高真空程序下具有優異的程序穩定性。

此外，黏著劑基膜層130包括黏合劑樹脂。此黏合劑樹脂允許含有環氧樹脂的一層成膜。

黏合劑樹脂可係彈性體樹脂。較佳地，黏合劑樹脂之玻璃轉移溫度Tg可係至少0℃或更高。具有此玻璃轉移溫度之黏合劑樹脂可允許黏著劑基膜層130具有優異的耐熱性。

黏合劑樹脂可係基於丙烯醯基或基於橡膠之彈性體樹脂。黏合劑樹脂可包括基於橡膠之聚合物或丙烯酸聚合物。例如，黏合劑樹脂可包括腈丁二烯橡膠(nitrile butadiene rubber,NBR)或苯乙烯丁二烯橡膠(styrene butadiene rubber,SBR)。

較佳地，當黏合劑樹脂包括NBR時，以黏合劑樹脂之總重量計，黏合劑樹脂可包括30wt%或更高的丙烯腈基。在此情況下，黏合劑樹脂可容易地溶解於溶劑中。

較佳地，當黏合劑樹脂包括丙烯酸聚合物時，該丙烯酸聚合物可包括選自由丙烯酸乙酯(EA)、甲基丙烯酸羥乙酯(HEMA)、丙烯酸羥乙酯(HEA)、丙烯酸丁酯(BA)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、丙烯腈(AN)、及其組合所組成之群組之至少兩種或三種單體。

黏合劑樹脂具有約500,000至約1,500,000之重量平均分子量(Mw)，更佳約700,000至約1,000,000之重量平均分子量(Mw)，更佳800,000至1,000,000之重量平均分子量(Mw)。具有高分子量之黏合劑樹脂具有黏著劑基膜層130之耐熱性。

當黏合劑樹脂之重量平均分子量小於約500,000時，黏著劑基膜層130之化學抗性及耐熱性可能不足。此外，當黏合劑樹脂之重量平均分子量大於約1,500,000時，有黏著劑基膜層130難以成膜的問題，且因為黏合劑樹脂不容易溶解於溶劑中而難以施加。

此外，黏合劑樹脂可在其鏈中具有環氧基。黏合劑樹脂的鏈具有環氧基，從而改善環氧樹脂與黏合劑樹脂之相容性。

此時，較佳地，黏著劑基膜層之黏合劑樹脂與環氧樹脂的重量比可係25：75至55：45。即，當環氧樹脂及黏合劑樹脂的總重量係100重量份時，環氧樹脂係以30重量份至60重量份含有，且黏合劑樹脂係以40重量份至70重量份含有。黏著劑基膜層之黏合劑樹脂與環氧樹脂的重量比較佳係30：70至50：50，更佳係40：60。

當環氧樹脂與黏合劑樹脂的總重量係100重量份時，當環氧樹脂以小於30重量份使用時，化學抗性降低，且黏著劑樹脂膜層的剛性不足，使得稍後的光熱轉換層與黏著劑層的塗佈可能是困難的。此外，當環氧樹脂大於60重量份時，化學抗性及剛性係優異的，但黏著劑樹脂膜層係易脆，且幾乎不可用作為支撐膜層。

此外，包括環氧樹脂的黏著劑基膜層130對彼此不接合之光熱轉換層120與黏著劑層140兩者具有黏著性，且具有能夠支撐該兩層的硬度。

黏著劑基膜層130可包括固化劑。較佳地，可包括酚系固化劑。通常，胺及異氰酸酯可視為用於環氧樹脂之固化劑，但有此等固化劑難以成膜的問題。黏著劑基膜層130可藉由使用酚系固化劑作為固化劑且適當地控制硬化速率來成膜。

黏著劑基膜層130可包括固化催化劑。固化催化劑係以使得黏著劑基膜層130對甲基乙基酮(MEK)、丙烯酸乙酯(EA)、甲苯、及二甲苯具有化學抗性，且維持耐熱性之量使用。例如，固化催化劑可係咪唑。

此外，黏著劑基膜層130可額外地包括填料。例如，填料可包括選自由TiO₂、矽石、銅粉、氧化鋁、及碳黑所組成之群組之至少一者。

填料可額外地預防黏著劑基膜層130之收縮與膨脹。此外，在完成基材加工程序之後，當光被輻照至光熱轉換層120時，基材上有額外的遮光功效。

黏著劑基膜層130可經製備，且經歷一段預定時期的老化。例如，可執行約4天的老化。導因於此，環氧基的反應係完全終止，且光熱轉換層120與黏著劑層140係稍後形成於黏著劑基膜層130上，或在基材加工程序中改善穩定性。

黏著劑基膜層130之厚度係約10μm至約50μm，較佳約20μm至約40μm，更佳約20μm至約30μm。當黏著劑層140的厚度小於約10μm時，難以獲得物理上足夠的強度，可能難以支撐光熱轉換層120與黏著劑層140，且可能受到在黏著劑層固化期間發生的收縮影響。此外，當黏著劑基膜層130的厚度大於約50μm時，溶劑在塗佈期間難以蒸發，不規則孔可形成在膜表面上，且當溶劑殘留時，溶劑可能影響黏著劑膜的物理性質。

第一襯墊110與第二襯墊150分別用於支撐與保護黏著劑層140與光熱轉換層120。當使用黏著劑膜時，移除第一襯墊110與第二襯墊150。

第一襯墊110與第二襯墊150可係經矽塗佈之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，但不限於此，且充分作為能夠支撐與保護黏著劑層140與光熱轉換層120的材料。

根據本發明之一實施例之黏著劑膜的製程如下。

黏著劑基膜層130係形成於第一襯墊上。之後，可藉由卷對卷方法，將第二襯墊層壓在黏著劑基膜層130上。

之後，在移除第二襯墊的同時，基於聚矽氧之黏著劑層140可直接形成於黏著劑基膜層130上，且第三襯墊可層壓在黏著劑層140上。

後來，在移除第一襯墊的同時，光熱轉換層120可直接形成於黏著劑基膜層130之其他表面上，且第四襯墊可層壓在光熱轉換層120上。即，在程序中，光熱轉換層120上的第四襯墊與黏著劑層140上的第三襯墊分別對應於圖1之第一襯墊110與第二襯墊150。

然而，本發明的黏著劑膜的製程不限於此，且以膜的形式在黏著劑基膜層130的兩個表面上分別形成光熱轉換層120與黏著劑層140的方法係足夠的。

當在基材與支撐件之間使用液體黏著劑材料與液體光熱轉換材料時，分別需要藉由將光熱轉換材料施加與固化在支撐件上來形成光熱轉換層之程序，以及藉由將黏著劑材料施加與固化在待加工的基材上來形成黏著劑層之程序。之後，需要在真空下接合黏著劑層與光熱轉換層之程序。即，當使用液體材料時，需要塗佈時間、固化時間、與接合時間。

另一方面，在使用根據本發明的膜的形式的黏著劑膜的情況下，移除第一襯墊、且將黏著劑層附接至基材、且移除第二襯墊、及將光熱轉換層附接至支撐件之程序就足夠了。因此，根據本發明，有可能顯著減少程序所需的時間，且減少施加程序、固化程序、真空程序、及類似者所需的成本。

圖2A至2C係繪示使用根據本發明的黏著劑膜的加工基材的圖。

參照圖2A，在根據本發明的黏著劑膜中，移除第一襯墊且將光熱轉換層120附接至支撐件200、及移除第二襯墊且將黏著劑層140附接至基材300。此時，程序較佳在約40℃至約80℃下執行，使得光熱轉換層120與支撐件200之間的黏著性增加。

支撐件200係能夠透射輻射能的材料，諸如本發明中使用的雷射，且需要此材料來將基材300保持為平坦狀態並且預防基材300在加工與輸送期間破損。較佳地，支撐件200係硬的且透射的。

為了使光熱轉換層120能夠分解，除非支撐件200的透射率預防輻射能透射入光熱轉換層120中，否則支撐件的透射率不受限制。然而，透射率可係較佳例如約50%或更高。

此外，為了預防基材在加工期間歪曲，較佳的是支撐件200具有足夠高的剛性，且支撐件200的撓曲強度較佳2×10^-3(Pa．m³)或更高，更佳3×10^-2(Pa．m³)或更高。

此外，為了預防導因於在基材上執行的程序期間可能發生的熱歷史所致的損壞，較佳的是支撐件200具有足夠的耐熱性，且支撐件200的熱偏轉溫度較佳550℃或更高、更佳700℃或更高。

支撐件200可係例如玻璃。此外，為了改善對相鄰層(諸如，光熱轉換層120)的黏著強度，(若需要)可以黏合劑或類似者來對支撐件200進行表面處理。

之後，在用以括光熱轉換層120的黏著劑膜固定基材300與支撐件200，將黏著劑基膜層130與黏著劑層140插置在其間之後，加工基材300。

基材300係固定至支撐件200並加工，且接著自支撐件200分離之基材，且例如，可係用於可撓性顯示裝置的晶圓或基材。

作為一實例，基材300可包括諸如矽與砷化鎵的半導體晶圓、晶片(crystal wafer)、藍寶石、或玻璃。基材300的電路表面可接合至黏著劑層140。之後，未接合至黏著劑層140之基材300的表面可藉由研磨機或類似者來研磨，以加工成薄化的基材。

作為另一實例，基材300可係環氧模製晶圓。基材300的模製表面可接合至黏著劑層140，且接著，藉由執行用於將電路連接至基材300的表面(其未接合至黏著劑層140)之預定程序，可將基材加工成完成的基材。

另一方面，作為又另一實例，基材300可係作為可撓性基材之塑料基材、或金屬薄膜、或類似者。例如，基材300可係PI。然而，本發明不限於此，且具有可撓性質的材料能足夠用作可撓性顯示裝置的基材之材料。

例如，「加工(processing)」可包括在基材300上形成元件層之程序。雖然未繪示，但是元件層係由複數個薄膜層與電氣元件所組成，且更具體地，元件層可包括薄膜電晶體，該薄膜電晶體包括閘極電極、半導體層、源極電極、與汲極電極。

可撓性顯示裝置可係選自由有機發光二極體顯示器、液晶顯示器、及電泳顯示器所組成之群組之任一者。然而，可撓性顯示裝置不限於此，且可包括使用可撓性基材的所有可撓性顯示裝置。

參照圖2B，在所欲的加工位準之後，藉由雷射400輻照，支撐件200與經加工的基材300彼此分離。從支撐件200側輻照雷射400。

光熱轉換層120的光吸收劑吸收雷射400的輻射能，且將輻射能轉換為熱能。產生的熱能使光熱轉換層120的溫度迅速升高，且溫度造成光熱轉換層120中的熱可分解樹脂的分解。熱分解所產生的氣體在光熱轉換層120中形成孔隙層，將光熱轉換層120分割成兩部分，且結果以支撐件200與經加工之基材300彼此分離。

光熱轉換層120中的熱可分解樹脂藉由雷射400的輻照而分解，以在層內部形成裂紋，以分離光熱轉換層本身。由樹脂分解所產生的空氣(氣體)最終引入兩層之間，以將兩層分離。因此，為了促進氣體的引入，較佳從光熱轉換層120的邊緣執行將雷射400輻射至光熱轉換層120的內部。

為了從光熱轉換層120的邊緣使用雷射400，可使用施加雷射400同時從邊緣線性往復運動之方法，或替代地，從邊緣螺旋地輻照雷射400至中心之方法(諸如留聲機)。

雷射400通常具有約300至約11,000nm的波長，較佳約300至約2,000nm的雷射，且其具體實例包括YAG雷射(在1,064nm的波長)、產生第二諧波之YAG雷射(在532nm的波長)、及半導體雷射(具有780至1,300nm的波長)。

參照圖2C，支撐件200移除之後，移除經加工的基材300上的黏著劑基膜層130和黏著劑層140。為了移除黏著劑基膜層130與黏著劑層140，較佳地使用移除膠帶500，移除膠帶與黏著劑基膜層130具有比經加工的基材200與黏著劑層140之間的黏著性更強的黏著性。

移除膠帶500係經設置以接合至黏著劑基膜層130上，且然後與黏著劑基膜層130及黏著劑層140一起剝離以從經加工的基材300移除黏著劑基膜層130及黏著劑層140。

雖然在圖中未清楚繪示，光熱轉換層120在黏著劑基膜層130上分割之後，光熱轉換層120的一部分可殘留。當使用移除膠帶500時，亦將剩餘部分一起移除。

同時，雖然在圖中未繪示，支撐件200移除之後，可使用移除溶液來移除黏著劑基膜層130與黏著劑層140。較佳地，黏著劑基膜層130與黏著劑層140(其中光熱轉換層部分地殘留)可浸入移除溶液中，以移除黏著劑基膜層130與黏著劑層140。較佳地，黏著劑層140可浸入移除溶液中約10秒至60秒。

此外，此移除溶液可包括反-1,2-二氯乙烯與氫氟醚。

當經加工的基材200的尺寸或面積係大的時，可能難以以移除膠帶500一次就移除黏著劑基膜層130與黏著劑層140。然而，當使用移除溶液時，移除具有大面積的黏著劑基膜層130及黏著劑層140係有利的。此外，不需要額外的外部物理力，且具有在短時間內移除黏著劑基膜層130及黏著劑層140而不會有殘餘物之功效。

根據本發明的加工基材的方法係生態友善的，因為當藉由使用經製備之黏著劑膜加工基材時，就不需要溶劑。此外，在使用經製備之黏著劑膜的情況下，當加工基材時，支撐件及基材對熱及UV的暴露減少，從而預防額外的損壞。

另外，直接施加並固化黏著劑材料或光熱轉換材料在支撐件或基材上之程序可省略，且因此，該程序可簡化，從而減少程序成本與時間。此外，加工方法對於形成均勻厚度的黏著劑層與光熱轉換層係有利的，且亦可使用在大面積基材的加工中。

以下，通過實驗性實例，更詳細地說明本發明，但是下述的實驗性實例僅意欲說明本發明，且不意欲限制本發明。即，本發明之實施例可以多種形式修改，且本發明之範疇不應說明為受限於將於下述之實驗性實例。

實例

製備實例

製備實例1-黏著劑基膜層之製備

製備40g的溶劑(MEK/EA)。將11g的環氧樹脂及9g的酚系樹脂固化劑添加至溶劑中。以當量計，環氧樹脂與酚系樹脂固化劑之比率係1：1。將溶液用攪拌器在30RPM下攪拌15分鐘，以完全溶解固體環氧樹脂及酚樹脂。

將80g的彈性體樹脂的固體含量進一步添加至溶液中。將溶液用相同攪拌器在30RPM下充分攪拌30分鐘，以形成環氧樹脂/彈性體混合物。

將作為固化催化劑的0.1g的咪唑以等分試樣加入分開的容器中，接著額外地添加10g的溶劑(MEK/EA)以完全溶解。

將經溶解之咪唑溶液加入經製備的環氧/彈性體混合物。將溶液用相同攪拌器在30RPM下攪拌15分鐘。

將經製備之溶液用真空泵和真空乾燥器除氣30分鐘，以形成混合物。之後，混合物係用250至300篩目之過濾器過濾。

將經過濾的溶液塗佈在PET襯墊上，其50μm厚的兩個表面係經聚矽氧離型處理(release-treated)。塗層係在緊密的離型表面上進行。乾燥及固化係在130℃下執行2分鐘，乾燥後之經塗佈之膜的厚度係25μm。將經塗佈之膜捲繞成卷形式並製備。

將經製備之黏著劑基膜層在45℃下的老化爐中老化4天。

製備實例2-黏著劑層之製備

製備80g的溶劑(甲苯/二甲苯)。將過氧化苯甲醯(BPO)(Pergan)添加至溶劑中。相較於稍後添加之自由基可固化聚矽氧樹脂之固體含量，添加量係3.5wt%。將BPO用攪拌器在10RPM下攪拌15分鐘以完全溶解。

將100g的聚矽氧樹脂Q2-7406(Dow corning,56.5wt%)添加至經溶解的BPO溶液中，且以相同方式再次攪拌30分鐘。將溶液用真空泵和真空乾燥器除氣30分鐘，以形成混合物。之後，混合物係用250至300篩目之過濾器過濾。

將經過濾的溶液塗佈於製備實例1中製備的黏著劑基膜層上。在180℃下乾燥2分鐘之後，將經過濾之溶液塗佈成具有30μm之厚度之經塗佈之膜。乾燥經塗佈之膜之後，接合經氟處理之50μm離型PET襯墊，且接著捲繞成卷形式以製備。

製備實例3-光熱轉換層之製備

將6wt%的碳黑(Cancarb)(有240nm的粒子尺寸)、4wt%的二氧化鈦(Huntsman)(具有240nm的粒子尺寸)、及1wt%的分散劑(BYK Chemie Japan Co.,Ltd.)添加至75wt%的甲基乙基酮(MEK,Samchun Chemical Co.,Ltd.)，且使用超音波分散器分散30分鐘，以製備分散有光吸收劑的溶液。將7wt%的代替PSA之高分子量丙烯酸聚合物彈性體(具有1,000,000g/mol的重量平均分子量與含有10mgKOH/g或更高的COOH/OH官能基)以及7wt%的代替PSA之低分子量丙烯酸聚合物彈性體(具有500,000g/mol的重量平均分子量與含有5mgKOH/g或更高的COOH/OH官能基)混合，並用攪拌器攪拌30分鐘，以製備熱可分解樹脂。將熱可分解樹脂添加至分散有光吸收劑的溶液，且接著再次攪拌20分鐘。然後，添加甲基乙基酮(MEK)，使得混合物具有適合塗佈的黏度(200CPS至5,000CPS)。

將溶液塗佈於製備實例1中製備的黏著劑基膜層上。然而，黏著劑層係塗佈在與經塗佈之表面相對的表面上，並在塗佈之前將黏著劑基膜層之PET襯墊移除之後進行塗佈。在90℃下乾燥1分鐘之後，將溶液塗佈成具有10μm之厚度之經塗佈之膜，且乾燥。

之後，將黏著劑膜在45℃下的烘箱中老化15小時以完成黏著劑膜。

實例

在製備實例1中，黏著劑膜係藉由施加如下表中所示之各組分的類型及含量來製備。各實例的組分及含量示於下表1。

用於上表中之材料如下。

多官能性環氧樹脂：YDCN-500-4P(KUKDO)、YDCN-500-8P(KUKDO)、KDCP-100(KUKDO)、KDCP-150(KUKDO)、及KDCP-200(KUKDO)。

雙官能性環氧樹脂：YD-011(KUKDO)、YD-012(KUKDO)、YD-017(KUKDO)

晶形環氧樹脂：YX4000H(Mitsubishi Chemical Corporation)、YSLV-80XY(Nippon Steel & Sumitomo Metal)、或YSLV-120TE(Nippon Steel & Sumitomo Metal)

核殼型環氧樹脂：MX-136(Kaneka)、MX-138(Kaneka)與B-tough-A3(Croda)、YP-50(KUKDO)

固化劑(酚系酚醛清漆)：KPH-2001(Kolon)、TD2131(DIC Corporation)、MEH-7800-SS(MEIWA)與MEH-7800-4S(MEIWA)、MEH-800-SSKC(MEIWA)

彈性體(Mw：300,000至1,000,000)：NBR(丙烯腈40%，Kumho Petrochemical)、WS-023(Nagase Chemtex)、SG-708-6(Nagase Chemtex)、SG-P3-TEA(Nagase chemtex)

固化催化劑(咪唑)：2PZ-CN(Shikoku)、2PZ-PW(Shikoku)、2PHZ-PW(Shikoku)

填料：CUSP03(JoinM)、CUSP05(JoinM)、Sterlling1120(Cabot)、Thermax N990(Cancab)、TR72(Huntsman)與TR92(Huntsman)、R972、SO31R

分散劑：BYK111(BYK)、DISPERBYK-161(BYK)、BYK2131(BYK)、BYK2150(BYK)、KD6(Croda)、KD8(Croda)、KD9(Croda)

下表2中示出實例1至實例9的實驗結果。

參照表2，在未施加黏合劑樹脂的實例1中，已確認單獨的環氧樹脂非常易碎、難以塗佈、且本身不能成膜。此外，即使如同實例9中在沒有多官能性環氧樹脂之比率的情況下，膜非常易碎且未成膜。此外，在其中不包括環氧樹脂的實例2與3中，化學抗性不足，因此，當塗佈光熱轉換層時，黏著劑基膜層溶解。此外，如同實例7中，經確認即使包括環氧樹脂，當多官能性環氧樹脂太少時，則環氧樹脂之硬度低，因此，膜在諸如甲基乙基酮(MEK)之溶劑中不具有足夠的化學抗性。

另一方面，參照實例4及5，當額外地包括填料時，可能賦予膜剛性及抑制收縮。

雖然上文已描述根據本發明之實施例，其等僅為實例，且所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解可自其實現各種修飾及等效實施例。因此，本發明之保護範疇應詮釋為不僅包括下述申請專利範圍，而是亦包括其等效物。

110:第一襯墊

120:光熱轉換層

130:黏著劑基膜層

140:黏著劑層

150:第二襯墊

Claims

一種黏著劑膜，其包含：

黏著劑層；

光熱轉換層，其含有光吸收劑及熱可分解樹脂；及

黏著劑基膜層，其係設置在該黏著劑層與該光熱轉換層之間，

其中該黏著劑基膜層含有多官能性環氧樹脂、黏合劑樹脂、固化劑、及固化催化劑。
如請求項1之黏著劑膜，其中該黏著劑層係基於矽之黏著劑層。
如請求項1之黏著劑膜，其中該熱可分解樹脂含有兩種具有-COOH或-OH之官能基及不同的重量平均分子量的丙烯酸樹脂。
如請求項1之黏著劑膜，其中該黏著劑基膜層對該黏著劑層與該光熱轉換層兩者具有黏著性。
如請求項1之黏著劑膜，其中該固化劑係酚系固化劑。
如請求項1之黏著劑膜，其中該黏合劑樹脂係具有500,000至1,500,000之重量平均分子量的彈性體樹脂。
如請求項1之黏著劑膜，其中該黏合劑樹脂係基於丙烯醯基或基於橡膠之彈性體樹脂。
如請求項6之黏著劑膜，其中該黏合劑樹脂在鏈中具有環氧基。
如請求項1之黏著劑膜，其中該黏著劑基膜層進一步包含填料。
如請求項9之黏著劑膜，其中該填料包括選自由TiO₂、矽石、銅粉、氧化鋁、及碳黑所組成之群組之至少一者。
如請求項1之黏著劑膜，其中該黏著劑基膜層之該黏合劑樹脂與該環氧樹脂的重量比係25：75至55：45。
如請求項1之黏著劑膜，其中該黏著劑基膜層之該固化催化劑係咪唑。