TW202002277A - Display device - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 101
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 52
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
本發明是有關於一種顯示裝置。The invention relates to a display device.
隨著科技的進步,於有機發光二極體(ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE;OLED)顯示裝置的製程中,可使用噴墨印刷製程(Ink Jet Printing;IJP)形成發光層。噴墨印刷製程是將液化的有機發光材料噴射或注入到由堤岸(bank)定義出的開口中,以形成發光層。然而,位於顯示裝置的基板邊緣處或基板內部的開口中的有機發光材料之揮發速度不一,造成顯示裝置的基板邊緣處或基板內部的有機發光層的膜厚不均,進而影響顯示面板的顯示品質。With the advancement of technology, in the process of organic light emitting diode (ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE; OLED) display devices, an inkjet printing process (Ink Jet Printing; IJP) can be used to form a light emitting layer. The inkjet printing process is to spray or inject the liquefied organic light-emitting material into the opening defined by the bank to form a light-emitting layer. However, the volatilization rate of the organic light-emitting material at the edge of the substrate of the display device or in the opening inside the substrate is different, resulting in uneven film thickness of the organic light-emitting layer at the edge of the substrate of the display device or inside the substrate, which in turn affects the display panel Display quality.
本發明提供一種顯示裝置,性能佳。The invention provides a display device with good performance.
本發明的一種顯示裝置,包括基板以及多個畫素結構。基板具有內部區以及內部區外的周邊區。多個畫素結構設置於基板上。畫素結構的每一個包括第一電極、第一堤岸層、第二堤岸層、發光層以及第二電極。第一堤岸層設置於第一電極上,且具有與部分之第一電極重疊的第一開口。第二堤岸層設置於第一堤岸層上,且具有與第一開口重疊的第二開口。發光層設置於部分的第一電極上,且位於第一堤岸層的第一開口與第二堤岸層的第二開口。第二電極設置於發光層上。畫素結構包括設置於內部區的第一畫素結構以及設置於周邊區的第二畫素結構。第二畫素結構的第一開口與第二畫素結構的第二開口在第一方向上具有第一偏移量。A display device of the present invention includes a substrate and a plurality of pixel structures. The substrate has an inner area and a peripheral area outside the inner area. Multiple pixel structures are provided on the substrate. Each of the pixel structures includes a first electrode, a first bank layer, a second bank layer, a light emitting layer, and a second electrode. The first bank layer is disposed on the first electrode and has a first opening overlapping with a part of the first electrode. The second bank layer is disposed on the first bank layer and has a second opening overlapping with the first opening. The light emitting layer is disposed on part of the first electrode, and is located in the first opening of the first bank layer and the second opening of the second bank layer. The second electrode is disposed on the light emitting layer. The pixel structure includes a first pixel structure disposed in the inner area and a second pixel structure disposed in the peripheral area. The first opening of the second pixel structure and the second opening of the second pixel structure have a first offset in the first direction.
本發明的一種顯示裝置,包括基板以及多個畫素結構。基板具有內部區以及內部區外的周邊區。多個畫素結構設置於基板上。畫素結構的每一個包括至少一第一電極、第一堤岸層、第二堤岸層、發光層以及第二電極。第一堤岸層設置於第一電極上,且具有與部分之至少一第一電極重疊的至少一第一開口。第二堤岸層設置於第一堤岸層上,且具有與至少一第一開口重疊的第二開口。發光層設置於部分的第一電極上,且位於第一堤岸層的至少一第一開口與第二堤岸層的第二開口。第二電極設置於發光層上。畫素結構包括設置於內部區的第一畫素結構以及設置於周邊區的第二畫素結構。第二畫素結構之至少一第一開口於基板上的垂直投影面積大於第一畫素結構之至少一第一開口於基板上的垂直投影面積。A display device of the present invention includes a substrate and a plurality of pixel structures. The substrate has an inner area and a peripheral area outside the inner area. Multiple pixel structures are provided on the substrate. Each of the pixel structures includes at least a first electrode, a first bank layer, a second bank layer, a light emitting layer, and a second electrode. The first bank layer is disposed on the first electrode, and has at least one first opening overlapping with a portion of at least one first electrode. The second bank layer is disposed on the first bank layer and has a second opening overlapping with at least one first opening. The light emitting layer is disposed on part of the first electrode, and is located in at least one first opening of the first bank layer and the second opening of the second bank layer. The second electrode is disposed on the light emitting layer. The pixel structure includes a first pixel structure disposed in the inner area and a second pixel structure disposed in the peripheral area. The vertical projection area of the at least one first opening of the second pixel structure on the substrate is larger than the vertical projection area of the at least one first opening of the first pixel structure on the substrate.
基於上述,本發明一實施例的顯示裝置包括基板及多個畫素結構,其中基板具有內部區以及內部區外的周邊區,畫素結構包括設置於內部區的第一畫素結構以及設置於周邊區的第二畫素結構,且第二畫素結構的第一開口與第二畫素結構的第二開口在第一方向上具有第一偏移量。藉此,能改善顯示裝置的周邊區與內部區的畫素結構之發光層的固化速度不一的問題。另外,本發明另一實施例的顯示裝置藉由第二畫素結構之至少一第一開口於基板上的垂直投影面積大於第一畫素結構之至少一第一開口於基板上的垂直投影面積,亦能改善顯示裝置的周邊區與內部區的畫素結構之發光層的固化速度不一的問題。Based on the above, a display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate and a plurality of pixel structures, wherein the substrate has an inner area and a peripheral area outside the inner area, the pixel structure includes a first pixel structure disposed in the inner area, and a pixel structure The second pixel structure in the peripheral area, and the first opening of the second pixel structure and the second opening of the second pixel structure have a first offset in the first direction. Thereby, the problem that the curing speed of the light emitting layer of the pixel structure in the peripheral area and the inner area of the display device is not the same can be improved. In addition, in the display device according to another embodiment of the present invention, the vertical projection area of the at least one first opening on the substrate of the second pixel structure is larger than the vertical projection area of the at least one first opening of the first pixel structure on the substrate It can also improve the problem that the curing speed of the light emitting layer of the pixel structure in the peripheral area and the inner area of the display device is different.
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。In order to make the above-mentioned features and advantages of the present invention more obvious and understandable, the embodiments are specifically described below in conjunction with the accompanying drawings for detailed description as follows.
在下文中將參照附圖更全面地描述本發明,在附圖中示出了本發明的示例性實施例。如本領域技術人員將認識到的,可以以各種不同的方式修改所描述的實施例,而不脫離本發明的精神或範圍。Hereinafter, the present invention will be described more fully with reference to the accompanying drawings, in which exemplary embodiments of the present invention are shown. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
在附圖中,為了清楚起見,放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中,相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,「連接」可以指物理及/或電性連接。再者,「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Throughout the specification, the same reference numerals denote the same elements. It should be understood that when an element such as a layer, film, region, or substrate is referred to as being "on" or "connected" to another element, it can be directly on or connected to the other element, or Intermediate elements may also be present. In contrast, when an element is referred to as being "directly on" or "directly connected to" another element, there are no intervening elements present. As used herein, "connected" may refer to physical and/or electrical connections. Furthermore, "electrical connection" or "coupling" can mean that there are other components between the two components.
此外,諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係,如圖所示。應當理解,相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如,如果一個附圖中的裝置翻轉,則被描述為在其它元件的「下」側的元件將被定向在其它元件的「上」側。因此,示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向,取決於附圖的特定取向。類似地,如果一個附圖中的裝置翻轉,則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此,示例性術語「上面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。In addition, relative terms such as "lower" or "bottom" and "upper" or "top" may be used herein to describe the relationship between one element and another element, as shown. It should be understood that relative terms are intended to include different orientations of the device than those shown in the figures. For example, if the device in one drawing is turned over, the element described as being on the "lower" side of the other element will be oriented on the "upper" side of the other element. Thus, the exemplary term "lower" may include "lower" and "upper" orientations, depending on the particular orientation of the drawings. Similarly, if the device in one drawing is turned over, elements described as "below" or "beneath" other elements would then be oriented "above" the other elements. Thus, the exemplary terms "above" or "below" can include an orientation of above and below.
本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值,考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即,測量系統的限制)。例如,「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內,或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者,本文使用的「約」、「近似」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質,來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差,而可不用一個標準偏差適用全部性質。As used herein, "about", "approximately", or "substantially" includes the stated value and the average value within the acceptable deviation range of the specific value determined by those of ordinary skill in the art, taking into account the measurements and A certain amount of measurement-related errors (ie, measurement system limitations). For example, "about" may mean within one or more standard deviations of the stated value, or within ±30%, ±20%, ±10%, ±5%. In addition, "about", "approximately" or "substantially" used in this article can select a more acceptable range of deviation or standard deviation according to optical properties, etching properties or other properties, instead of applying one standard deviation to all properties .
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此,可以預期到作為例如製造技術及/或(and/or)公差的結果的圖示的形狀變化。因此,本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀,而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如,示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外,所示的銳角可以是圓的。因此,圖中所示的區域本質上是示意性的,並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀,並且不是旨在限制權利要求的範圍。Exemplary embodiments are described herein with reference to cross-sectional views that are schematic diagrams of idealized embodiments. Therefore, a change in the shape of the graph as a result of, for example, manufacturing techniques and/or tolerances can be expected. Therefore, the embodiments described herein should not be construed as being limited to the specific shapes of the regions as shown herein, but include deviations in shapes caused by manufacturing, for example. For example, an area shown or described as flat may generally have rough and/or non-linear characteristics. In addition, the acute angle shown may be round. Therefore, the regions shown in the drawings are schematic in nature, and their shapes are not intended to show the precise shapes of the regions, and are not intended to limit the scope of the claims.
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used herein have the same meaning as commonly understood by those of ordinary skill in the art to which this invention belongs. It will be further understood that terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having meanings consistent with their meanings in the context of the relevant technology and the present invention, and will not be interpreted as idealized or excessive Formal meaning unless explicitly defined as such in this article.
現將詳細地參考本發明的示範性實施例,示範性實施例的實例說明於所附圖式中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。Reference will now be made in detail to exemplary embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Wherever possible, the same element symbols are used in the drawings and description to denote the same or similar parts.
圖1A是依照本發明一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。圖1B是根據圖1A的剖線A-A’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖1C是根據圖1A的剖線C-C’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖1D是根據圖1A的剖線B-B’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖1E是根據圖1A的剖線D-D’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖1F是圖1A的顯示面板的畫素結構200B的放大示意圖。圖1A省略圖1B至圖1E之主動元件層210、電洞注入層250、電洞傳輸層260、發光層270、電子傳輸層280、電子注入層290及第二電極300的繪示。FIG. 1A is a schematic top view of some components of a display device according to an embodiment of the invention. FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of the pixel structure of the display device according to section line A-A' of FIG. 1A. 1C is a schematic cross-sectional view of the pixel structure of the display device according to the cross-sectional line C-C' of FIG. 1A. FIG. 1D is a schematic cross-sectional view of the pixel structure of the display device according to section line B-B' of FIG. 1A. FIG. 1E is a schematic cross-sectional view of the pixel structure of the display device according to the cross-sectional line D-D' of FIG. 1A. FIG. 1F is an enlarged schematic diagram of the
請參考圖1A,顯示裝置10包括基板100以及多個畫素結構200A~200M。基板100具有內部區110以及周邊區120。周邊區120位於內部區110外。舉例而言,在本實施例中,周邊區120圍繞內部區110,周邊區120為內部區110至基板100邊緣100a、100b的區域。舉例而言,本實施例的周邊區120的形狀例如是口字型,但不以此為限。在本實施例中,基板100例如為硬質基板(rigid substrate)。然而,本發明不限於此,在其它實施例中,基板100也可以是可撓式基板(flexible substrate)。舉例而言,上述之硬質基板的材質可為玻璃、石英或其它適當材料;上述之可撓式基板的材質可以是塑膠或其它適當材料。Referring to FIG. 1A, the
請參考圖1A至圖1E,多個畫素結構200A~200M設置於基板100上。多個畫素結構200A~200M包括設置於內部區110的第一畫素結構200A以及設置於周邊區120的第二畫素結構200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200I、200J、200K、200L、200M。本實施例的每一畫素結構200A~200M包括第一電極220、第一堤岸層230、第二堤岸層240、發光層270以及第二電極300。在本實施例中,每一畫素結構200A~200M還可包括主動元件層210、電洞注入層250、電洞傳輸層260、電子傳輸層280以及電子注入層290,但本發明不以此為限。Please refer to FIGS. 1A to 1E, a plurality of
在本實施例中,主動元件層210設置於基板100上。舉例而言,在本實施例中,主動元件層210包括主動元件,主動元件包括至少一薄膜電晶體,具有閘極、半導體圖案、汲極與源極。In this embodiment, the
在本實施例中,第一電極220設置於主動元件層210上。第一電極220與主動元件層210中的主動元件電性連接。舉例而言,本實施例的第一電極220例如為畫素電極,電性連接於主動元件之至少一薄膜電晶體的汲極。In this embodiment, the
第一堤岸層230設置於第一電極220上。第一堤岸層230具有與部分之第一電極220重疊的第一開口232。第一堤岸層230的材料包含氧化矽、氮化矽或其它合適的材料。The
第二堤岸層240設置於第一堤岸層230上。第二堤岸層240具有與第一開口232重疊的第二開口242。在本實施例中,第二堤岸層240的材質與第一堤岸層230的材質可以不相同;舉例來說,對同一有機發光材料而言(例如簡稱為墨),第一堤岸層230例如為親墨性,而第二堤岸層240例如為疏墨性,但本發明不限於此。在本實施例中,第二堤岸層240的材料例如是光阻,但本發明不限於此。The
未被第二堤岸層240覆蓋之部分第一堤岸層230於基板100上的垂直投影在第一方向d1上可具有寬度L1及寬度L2,而未被第二堤岸層240覆蓋之部分第一堤岸層230在第二方向d2上具有寬度L3及寬度L4,其中第一方向d1與第二方向d2交錯。舉例而言,在本實施例中,第一方向d1與第二方向d2可垂直。請參考圖1A,值得注意的是,第一畫素結構200A設置於內部區110,第一畫素結構200A之未被第二堤岸層240覆蓋的部分第一堤岸層230在第一方向d1上的寬度L1與寬度L2實質上可相等,且第一畫素結構200A之未被第二堤岸層240覆蓋的部分第一堤岸層230在第二方向上的寬度L3與寬度L4實質上可相等;第二畫素結構200B設置於周邊區120,第二畫素結構200B之未被第二堤岸層240覆蓋的部分第一堤岸層230在第一方向d1上的寬度L1與寬度L2不相等,且第二畫素結構200B之未被第二堤岸層240覆蓋的部分第一堤岸層230在第二方向d2上的寬度L3與寬度L4不相等。請參考圖1D及圖1E,舉例而言,以第二畫素結構200B為例,第二畫素結構200B之未被第二堤岸層240覆蓋的部分第一堤岸層230在第一方向d1上的寬度L2大於寬度L1,而第二畫素結構200B之未被第二堤岸層240覆蓋的部分第一堤岸層230在第二方向上的寬度L4大於寬度L3。也就是說,第二畫素結構200B的第一開口232可偏離第二開口242的幾何中心,而第一畫素結構200A的第一開口232的幾何中心實質上可對齊於第二開口242的幾何中心。The vertical projection of the portion of the
發光層270設置於部分的第一電極220上,且位於第一堤岸層230的第一開口232與第二堤岸層240的第二開口242。舉例而言,在本實施例中,電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270依序設置於所述部分的第一電極220上。電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270位於第一堤岸層230的第一開口232與第二堤岸層240的第二開口242中。舉例而言,在本實施例中,電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270依序設置於部分的第一電極220上的方法例如是利用噴墨印刷製程(Ink Jet Printing;IJP),但本發明不限於此。在本實施例中,發光層270的材料例如是有機發光材料或量子點發光材料,但本發明不限於此。The
於垂直基板100的第三方向d3上,發光層270的頂面272具有與第二開口242之中心重疊的一點272a。發光層270的頂面272上的一點272a至第一電極220的頂面222的距離為第一距離T1。發光層270的頂面272與第二堤岸層240的交界邊270a至第一堤岸層230的頂面234的距離為第二距離T2。在本實施例中,第一距離T1小於或等於第二距離T2。舉例而言,第二距離T2小於或等於20倍的第一距離T1,即T1 ≤ T2 ≤ 20´T1,但本發明不以此為限。In the third direction d3 perpendicular to the
在本實施例中,電子傳輸層280與電子注入層290依序設置於發光層270與第二堤岸層240上。舉例而言,在本實施例中,電子傳輸層280與電子注入層290的形成方式例如是利用蒸鍍製程,但本發明不限於此。In this embodiment, the
第二電極300設置於發光層270上。舉例而言,在本實施例中,第二電極300設置於電子注入層290上。在本實施例中,於垂直基板100的第三方向d3上,第二電極300可具有大致上相同的膜厚。也就是說,於垂直基板100的第三方向d3上,發光層270的頂面272具有與第二開口242之中心重疊的一點272a,第二電極300的頂面302具有與第二開口242之中心重疊的一點302a。發光層270的頂面272上的一點272a位於與第一開口232及第二開口242重疊之部分的第一電極220的上方,第二電極300的頂面302上的一點302a位於一點272a的正上方,一點272a至一點302a在第三方向d3上的距離為第一距離H1。第二堤岸層240的頂面244與第二電極300的頂面302在第三方向d3上的距離為第二距離H2,第一距離H1約等於第二距離H2。也就是說,在本實施例中,由電子傳輸層280、電子注入層290及第二電極300構成的複合層具有大致上相同的膜厚,但本發明不以此為限。The
值得一提的是,第二畫素結構200B的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1。請參考圖1F,舉例而言,虛擬中心線232x穿過第一開口232的幾何中心且與第二方向d2平行,虛擬中心線242x穿過第二開口242的幾何中心且與第二方向d2平行,而第一開口232的虛擬中心線232x與第二開口242的虛擬中心線242x在第一方向d1上相隔第一距離,所述第一距離即為第一偏移量d1。另一方面,本實施例的第一畫素結構200A之第一開口232的幾何中心實質上對齊第一畫素結構200A之第二開口242的幾何中心,因此第一畫素結構200A的第一偏移量d1實質上為0。亦即,本實施例的第二畫素結構200B的第一偏移量d1大於第一畫素結構200A的第一偏移量d1。It is worth mentioning that the
在本實施例中,第二畫素結構200B的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上還可具有第二偏移量d2。請參考圖1F,舉例而言,以第二畫素結構200B為例,虛擬中心線232y穿過第一開口232的幾何中心且與第一方向d1平行,虛擬中心線242y穿過第二開口242的幾何中心且與第一方向d1平行,而第一開口232的虛擬中心線232y與第二開口242的虛擬中心線242y在第二方向d2上相隔第二距離,所述第二距離即為第二偏移量d2。另一方面,本實施例的第一畫素結構200A之第一開口232的幾何中心實質上對齊第一畫素結構200A之第二開口242的幾何中心,因此第一畫素結構200A的第二偏移量d2實質上為0。亦即,本實施例的第二畫素結構200B的第二偏移量d2大於第一畫素結構200A的第二偏移量d2。In this embodiment, the
請參考圖1A及圖1F,以第二畫素結構200B為例,其第一開口232的邊緣232s具有在第一方向d1上排列的第一點232a及第二點232b,第一點232a較第二點232b遠離基板100的邊緣100a;第一開口232的邊緣232s具有在第二方向d2上排列的第五點232c及第六點232d,第五點232c較第六點232d遠離基板100的邊緣100b;第二開口242之邊緣242s具有在第一方向d1上排列的第三點242a及第四點242b,第三點242a較第四點242b遠離基板100的邊緣100a;第二開口242之邊緣242s具有在第二方向d2上排列的第七點242c及第八點242d,第七點242c較第八點242d遠離基板100的邊緣100b。在第一方向d1上,第一點232a與第三點242a之間具有距離W1,第二點232b與第四點242b之間具有距離W2。在第二方向d2上,第五點232c與第七點242c之間具有距離W3,第六點232d與第八點242d之間具有距離W4。值得注意的是,在本實施例中,距離W2大於距離W1,且距離W4大於距離W3。也就是說,第二畫素結構200B之第一開口232的幾何中心相對於第二畫素結構200B之第二開口242的幾何中心朝基板100的內部區110偏移,而第二畫素結構200B之未被第二堤岸層240覆蓋之部分第一堤岸層230在靠近基板100邊緣100a及/或邊緣100b處具有較大的寬度。1A and 1F, taking the
請參考圖1A,本實施例的多個畫素結構200A~200M還可以包括設置於周邊區120的第二畫素結構200F、200I、200L以及設置於周邊區120的第三畫素結構200C、200D、200E、200G、200H、200J、200K、200M。Please refer to FIG. 1A. The plurality of
舉例而言,在本實施例中,方向d1與方向d2可劃分出四個象限,其中第二畫素結構200F與第三畫素結構200G位於第一象限,第二畫素結構200B與第三畫素結構200C位於第二象限,第二畫素結構200I與第三畫素結構200J位於第三象限,第二畫素結構200L與第三畫素結構200M位於第四象限。For example, in this embodiment, the direction d1 and the direction d2 can be divided into four quadrants, wherein the
位於第二象限之第一畫素結構200A、第二畫素結構200B以及第三畫素結構200C沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向d12依序排列。舉例而言,第三畫素結構200C的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1,且第三畫素結構200C的第一偏移量d1大於第二畫素結構200B的第一偏移量d1。此外,第三畫素結構200C的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上具有第二偏移量d2,且第三畫素結構200C的第二偏移量d2大於第二畫素結構200B的第二偏移量d2。The
位於第三象限之第一畫素結構200A、第二畫素結構200I以及第三畫素結構200J沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向d13依序排列。舉例而言,第三畫素結構200J的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1,且第三畫素結構200J的第一偏移量d1大於第二畫素結構200I的第一偏移量d1,第二畫素結構200I的第一偏移量d1大於第一畫素結構200A的第一偏移量d1。此外,第三畫素結構200J的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上具有第二偏移量d2,且第三畫素結構200J的第二偏移量d2大於第二畫素結構200I的第二偏移量d2,第二畫素結構200I的第二偏移量d2大於第一畫素結構200A的第二偏移量d2。The
位於第四象限之第一畫素結構200A、第二畫素結構200L以及第三畫素結構200M沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向(例如:方向d12的反方向)依序排列。舉例而言,第三畫素結構200M的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1,且第三畫素結構200M的第一偏移量d1大於第二畫素結構200L的第一偏移量d1,第二畫素結構200L的第一偏移量d1大於第一畫素結構200A的第一偏移量d1。此外,第三畫素結構200M的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上具有第二偏移量d2,且第三畫素結構200M的第二偏移量d2大於第二畫素結構200L的第二偏移量d2,第二畫素結構200L的第二偏移量d2大於第一畫素結構200A的第二偏移量d2。The
位於第一象限之第一畫素結構200A、第二畫素結構200F以及第三畫素結構200G沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向(例如:方向d13的反方向)依序排列。舉例而言,第三畫素結構200G的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1,且第三畫素結構200G的第一偏移量d1大於第二畫素結構200F的第一偏移量d1,第二畫素結構200F的第一偏移量d1大於第一畫素結構200A的第一偏移量d1。此外,第三畫素結構200G的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上具有第二偏移量d2,且第三畫素結構200G的第二偏移量d2大於第二畫素結構200F的第二偏移量d2,第二畫素結構200F的第二偏移量d2大於第一畫素結構200A的第二偏移量d2。The
在本實施例中,第一畫素結構200A與第三畫素結構200D沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向d1依序排列。舉例而言,在本實施例中,第三畫素結構200D的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1,且第三畫素結構200D的第一偏移量d1大於第一畫素結構200A的第一偏移量d1。另外,第三畫素結構200D的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上的第二偏移量d2實質上可為0。In this embodiment, the
在本實施例中,第一畫素結構200A與第三畫素結構200E沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向d2依序排列。舉例而言,在本實施例中,第三畫素結構200E的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上具有第二偏移量d2,且第三畫素結構200E的第二偏移量d2大於第一畫素結構200A的第二偏移量d2。另外,第三畫素結構200E的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上的第一偏移量d1實質上可為0。In this embodiment, the
在本實施例中,第一畫素結構200A與第三畫素結構200K沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向(例如:方向d1的反方向)依序排列。舉例而言,在本實施例中,第三畫素結構200K的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1,且第三畫素結構200K的第一偏移量d1大於第一畫素結構200A的第一偏移量d1。另外,第三畫素結構200D的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上的第二偏移量d2實質上可為0。In this embodiment, the
在本實施例中,第一畫素結構200A與第三畫素結構200H沿著由基板100之內部區110指向基板100之周邊區120的方向d2依序排列。舉例而言,在本實施例中,第三畫素結構200H的第一開口232與其第二開口242在第二方向d2上具有第二偏移量d2,且第三畫素結構200H的第二偏移量d2大於第一畫素結構200A的第二偏移量d2。另外,第三畫素結構200H的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上的第一偏移量d1實質上可為0。In this embodiment, the
值得一提的是,在本實施例中,由於位於周邊區120的第二、三畫素結構200B~200M的第一開口232與其第二開口242在第一方向d1上具有第一偏移量d1及/或第二偏移量d2,因此,顯示裝置10中設置於周邊區120的第二、三畫素結構200B~200M中的發光層270的固化速度可以與設置於內部區110的第一畫素結構200A中的發光層270的固化速度差異較小,進而改善顯示裝置10的顯示品質。It is worth mentioning that in this embodiment, since the
圖2A是依照本發明另一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。圖2B是根據圖2A的剖線E-E’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖2A省略圖2B之主動元件層210、電洞注入層250、電洞傳輸層260、發光層270、電子傳輸層280、電子注入層290及第二電極300的繪示。在此必須說明的是,圖2A與圖2B的實施例沿用圖1A與圖1B的實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重複贅述。2A is a schematic top view of some components of a display device according to another embodiment of the invention. 2B is a schematic cross-sectional view of the pixel structure of the display device according to the cross-sectional line E-E' of FIG. 2A. 2A omits the illustration of the
請參考圖2A及圖2B,在本實施例的顯示裝置20中,多個畫素結構200A、200N包括設置於基板100的內部區110的第一畫素結構200A以及設置於周邊區120的第二畫素結構200N。舉例而言,在本實施例中,第二畫素結構200N可設置於基板100的角落,但不以此為限。2A and 2B, in the
在本實施例中,第二畫素結構200N包括在第一方向d1上排列且相鄰的兩個子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2。在本實施例中,第二畫素結構200N之子畫素結構200N-1的第二開口242與子畫素結構200N-2的第二開口242相通。In this embodiment, the
在本實施例中,子畫素結構200N-1的第一開口232與子畫素結構200N-2的第一開口232彼此分離。也就是說,第二畫素結構200N的第一開口232為彼此分離的子畫素結構200N-1的第一開口232與子畫素結構200N-2的第一開口232。亦即,在本實施例中,第二畫素結構200N的至少一第一開口232於基板100上的垂直投影面積為子畫素結構200N-1的第一開口232與子畫素結構200N-2的第一開口232各自於基板100上的多個垂直投影面積的和。In this embodiment, the
需說明的是,由於子畫素結構200N-1的第二開口242與子畫素結構200N-2的第二開口242相通,因此可使用噴墨印刷製程的方法將一液滴同時配置於子畫素結構200N-1的第一電極220及子畫素結構200N-2的第一電極220上,進而形成子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2的發光層270。子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2的發光層270利用同一液滴形成,而子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2用以顯示相同的顏色。It should be noted that, since the
在本實施例中,由於第二畫素結構200N之至少一第一開口232(亦即,子畫素結構200N-1的第一開口232與子畫素結構200N-2的第一開口232)於基板110上的垂直投影面積大於第一畫素結構200A之第一開口232於基板110上的垂直投影面積,因此使用噴墨印刷製程的方法形成發光層270時,設置於第二畫素結構200N之至少一第一開口232的液滴量會多於設置於第一畫素結構200A之第一開口232的液滴量。In this embodiment, at least one
值得一提的是,設置於周邊區120的第二畫素結構200N的液滴的揮發速度快,設置於內部區110的第一畫素結構200A的液滴的揮發速度慢,但由於設置於周邊區120的第二畫素結構200N上的液滴量大於設置於內部區110的第一畫素結構200A上的液滴量,使得第二畫素結構200N的發光層270的固化所需時間與第一畫素結構200A的發光層270的固化所需時間的差異能縮小。藉此,可以改善顯示面板20之周邊區120的第二畫素結構200N之發光層270與內部區110的第一畫素結構200A之發光層270的膜厚不一的問題,進而改善顯示裝置20的顯示品質。It is worth mentioning that the droplets of the
在本實施例中,第一堤岸層230包括子堤岸230’。子堤岸230’位於子畫素結構200N-1的第一開口232與子畫素結構200N-2的第一開口232之間。在本實施例中,子堤岸230’在第一方向d1上具有寬度L5,且寬度L5不為0。In this embodiment, the
舉例而言,在本實施例中,第二畫素結構200N的至少一第一電極220可為彼此分離的多個第一電極220。具體而言,第二畫素結構200N的第一電極220為彼此分離的子畫素結構200N-1的第一電極220與子畫素結構200N-2的第一電極220。子畫素結構200N-1的第一電極220與子畫素結構200N-2的第一電極220可選擇性地各自連接到不同的薄膜電晶體。也就是說,在本實施例中,顯示裝置20於內部區110及周邊區120的解析度可以選擇性地一致,但不以此為限。子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2各自的第一電極220分別與子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2各自的第一開口232重疊。發光層270設置於子畫素結構200N-1的部分第一電極220上與子畫素結構200N-2的部分第一電極220上,且位於子畫素結構200N-1的第一開口232、子畫素結構200N-2的第一開口232、子畫素結構200N-1的第二開口242以及子畫素結構200N-2的第二開口242中。舉例而言,在本實施例中,由於子畫素結構200N-1的第二開口242與子畫素結構200N-2的第二開口242相通,因此子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2的電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270可分別利用分佈於子畫素結構200N-1之第一開口232與子畫素結構200N-2之第一開口232的液滴,依序形成電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270,形成於子畫素結構200N-1與子畫素結構200N-2的多個第一電極220上。電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270位於子畫素結構200N-1的第一開口232、子畫素結構200N-2的第一開口232、子畫素結構200N-1的第二開口242以及子畫素結構200N-2的第二開口242中。For example, in this embodiment, at least one
在本實施例中,電洞注入層250、電洞傳輸層260與發光層270還可形成於子堤岸230’上。於垂直基板100的第三方向d3上,發光層270的頂面272具有與第二開口之中心重疊的一點272a以及與子堤岸230’之中心重疊的一點272b。發光層270的頂面272上的一點272a至第一電極220的頂面222的距離為第一距離T1。發光層270的頂面272上的一點272b至子堤岸230’的頂面234’具有距離T1’。在本實施例中,第一距離T1約等於距離T1’。In this embodiment, the
電子傳輸層280、電子注入層290與第二電極300依序設置於發光層270與第二堤岸層240上。舉例而言,在本實施例中,電子傳輸層280、電子注入層290與第二電極300的每一者可以具有大致上相同的膜厚,但本發明不限於此。The
圖3A是依照本發明又一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。圖3B是根據圖3A的剖線F-F’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。圖3A省略圖3B之主動元件層210、電洞注入層250、電洞傳輸層260、發光層270、電子傳輸層280、電子注入層290及第二電極300的繪示。在此必須說明的是,圖3A與圖3B的實施例沿用圖2A與圖2B的實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重複贅述。3A is a schematic top view of some components of a display device according to yet another embodiment of the invention. 3B is a schematic cross-sectional view of the pixel structure of the display device according to the cross-sectional line F-F' of FIG. 3A. 3A omits the illustration of the
請參考圖3A及圖3B,在本實施例的顯示裝置30中,多個畫素結構200A、200P包括設置於基板100的內部區110的第一畫素結構200A以及設置於周邊區120的第二畫素結構200P。舉例而言,在本實施例中,第二畫素結構200P可設置於基板100的角落,但不以此為限。3A and 3B, in the
在本實施例中,第二畫素結構200P包括在第一方向d1上排列且相鄰的三個子畫素結構200P-1、子畫素結構200P-2以及子畫素結構200P-3。在本實施例中,第二畫素結構200P之子畫素結構200P-1的第二開口242、子畫素結構200P-2的第二開口242與子畫素結構200P-3的第二開口242相通。In this embodiment, the
在本實施例中,子畫素結構200P-1的第一開口232、子畫素結構200P-2的第一開口232與子畫素結構200P-3的第一開口232彼此分離。也就是說,第二畫素結構200P的第一開口232為彼此分離的子畫素結構200P-1的第一開口232、子畫素結構200P-2的第一開口232與子畫素結構200P-3的第一開口232。亦即,在本實施例中,第二畫素結構200P的至少一第一開口232於基板100上的垂直投影面積為第二畫素結構200P中的子畫素結構200P-1的第一開口232、子畫素結構200P-2的第一開口232以及子畫素結構200P-3的第一開口232各自於基板100上的多個垂直投影面積的和。In this embodiment, the
需說明的是,由於子畫素結構200P-1的第二開口242、子畫素結構200P-2的第二開口242與子畫素結構200P-3的第二開口242相通,因此可使用噴墨印刷製程的方法將一液滴同時配置於子畫素結構200P-1的第一電極220、子畫素結構200P-2的第一電極220及子畫素結構200P-3的第一電極220上,進而形成子畫素結構200P-1、子畫素結構200P-2與子畫素結構200P-3的發光層270。子畫素結構200P-1、子畫素結構200P-2及子畫素結構200P-3的發光層270利用同一液滴形成,而子畫素結構200P-1、子畫素結構200P-2及子畫素結構200P-3用以顯示相同的顏色。It should be noted that, since the
在本實施例中,由於第二畫素結構200P之至少一第一開口232(亦即,子畫素結構200P-1的第一開口232、子畫素結構200P-2的第一開口232與子畫素結構200P-3的第一開口232)於基板110上的垂直投影面積大於第一畫素結構200A之第一開口232於基板110上的垂直投影面積,因此使用噴墨印刷製程的方法形成發光層270時,設置於第二畫素結構200P之至少一第一開口232的液滴量會多於設置於第一畫素結構200A之第一開口232的液滴量。In this embodiment, since at least one
值得一提的是,設置於周邊區120的第二畫素結構200P的液滴的揮發速度快,設置於內部區110的第一畫素結構200A的液滴的揮發速度慢,但由於設置於周邊區120的第二畫素結構200P上的液滴量大於設置於內部區110的第一畫素結構200A上的液滴量,使得第二畫素結構200P的發光層270的固化所需的時間與第一畫素結構200A的發光層270的固化所需的時間的差異能縮小。藉此,可以改善顯示面板30之周邊區120的第二畫素結構200P之發光層270與內部區110的第一畫素結構200A之發光層270的膜厚不一的問題,進而改善顯示裝置30的顯示品質。It is worth mentioning that the droplets of the
舉例而言,在本實施例中,第一堤岸層230包括子堤岸230’、230”。子堤岸230’位於子畫素結構200P-1的第一開口232與子畫素結構200P-2的第一開口232之間,而子堤岸230”位於子畫素結構200P-2的第一開口232與子畫素結構200P-3的第一開口232之間。在本實施例中,子堤岸230’及子堤岸230”各自在第一方向d1上具有寬度L5及寬度L5’,且寬度L5與寬度L5’皆不為0。在本實施例中,發光層270的頂面272上的一點272b至子堤岸230”的頂面234”具有距離T1”。在本實施例中,第一距離T1、距離T1’與距離T1”實質上相等。For example, in this embodiment, the
在本實施例中,第二畫素結構200P中的子畫素結構200P-1的第一電極220、子畫素結構200P-2的第一電極220及子畫素結構200P-3的第一電極220彼此分離,子畫素結構200P-1、子畫素結構200P-2及子畫素結構200P-3各自的第一電極220分別與子畫素結構200P-1、子畫素結構200P-2及子畫素結構200P-3各自的第一開口232重疊。子畫素結構200P-1的第一電極220、子畫素結構200P-2的第一電極220與子畫素結構200P-3的第一電極220可選擇性地各自連接到不同的薄膜電晶體。也就是說,在本實施例中,顯示裝置30於內部區110及周邊區120的解析度可以選擇性地一致,但不以此為限。In this embodiment, the
圖4是依照本發明再一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。在此必須說明的是,圖4的實施例沿用圖2A的實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重複贅述。4 is a schematic top view of some components of a display device according to yet another embodiment of the invention. It must be noted here that the embodiment of FIG. 4 uses the element numbers and partial contents of the embodiment of FIG. 2A, wherein the same or similar reference numerals are used to indicate the same or similar elements, and the description of the same technical content is omitted. For the description of the omitted parts, reference may be made to the foregoing embodiments, and the following embodiments will not be repeated.
圖4的實施例與圖2A的實施例的主要差異在於:在圖4的實施例中,在第二方向d2上相鄰的兩子畫素結構200Q-1、200Q-2之各自的第二開口242彼此相通。圖4之顯示裝置40具有與前述圖2A之顯示裝置20類似的功效及優點,於此便不再重述。The main difference between the embodiment of FIG. 4 and the embodiment of FIG. 2A is that: in the embodiment of FIG. 4, the respective second
圖5是依照本發明另一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。在此必須說明的是,圖5的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重複贅述。5 is a schematic top view of some components of a display device according to another embodiment of the invention. It should be noted here that the embodiment of FIG. 5 uses the element numbers and partial contents of the embodiment of FIG. 4, wherein the same or similar reference numerals are used to indicate the same or similar elements, and the description of the same technical content is omitted. For the description of the omitted parts, reference may be made to the foregoing embodiments, and the following embodiments will not be repeated.
圖5的實施例與圖4的實施例的主要差異在於:在圖5的實施例中,第二畫素結構200R的至少一第一開口232與第二畫素結構200R的第二開口242在第一方向d1上具有不為0的第一偏移量d1。第二畫素結構200R的至少一第一開口232與第二畫素結構200R的第二開口242在第二方向d2上具有不為0的第二偏移量d2。The main difference between the embodiment of FIG. 5 and the embodiment of FIG. 4 is that in the embodiment of FIG. 5, at least one
具體而言,在本實施例中,設置於周邊區120的第二畫素結構200R包括在第二方向d2上相鄰的子畫素結構200R-1與子畫素結構200R-2,子畫素結構200R-1的第二開口242與子畫素結構200R-2的第二開口242相通,而子畫素結構200R-1的第一開口232與子畫素結構200R-2的第一開口232彼此分離。虛擬中心線232x穿過子畫素結構200R-1的第一開口232及子畫素結構200R-2的第一開口232之整體的幾何中心且平行於第二方向d2,虛擬中心線242x穿過第二畫素結構200R的第二開口242的幾何中心,而第一偏移量d1為虛擬中心線232x與虛擬中心線242x在第一方向d1上的距離。虛擬中心線232y穿過子畫素結構200R-1的第一開口232及子畫素結構200R-2的第一開口232之整體的幾何中心且平行於第一方向d1,虛擬中心線242y穿過第二畫素結構200R的第二開口242的幾何中心,而第二偏移量d2為虛擬中心線232y與虛擬中心線242y在第二方向d2上的距離。Specifically, in this embodiment, the
圖5的顯示裝置50兼具圖4之顯示裝置50及圖1A之顯示裝置10的優點及功效,於此便不再重述。The
圖6是依照本發明又一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。在此必須說明的是,圖6的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重複贅述。6 is a schematic top view of some components of a display device according to yet another embodiment of the invention. It must be noted here that the embodiment of FIG. 6 follows the element numbers and partial contents of the embodiment of FIG. 4, wherein the same or similar reference numerals are used to indicate the same or similar elements, and the description of the same technical content is omitted. For the description of the omitted parts, reference may be made to the foregoing embodiments, and the following embodiments will not be repeated.
圖6的實施例與圖4的實施例的主要差異在於:在圖6的實施例中,不但位於周邊區120之第二畫素結構200S的第二開口242於基板100上的垂直投影面積大於位於內部區110之第一畫素結構200A的第二開口242於基板100上的垂直投影面積,位於周邊區120之第二畫素結構200S的第一開口232於基板100上的垂直投影面積也大於位於內部區110之第一畫素結構200A的第一開口232於基板100上的垂直投影面積。此外,在本實施例中,顯示裝置60於內部區110及周邊區120的解析度可以選擇性地不一致,例如:內部區110的解析度可大於周邊區120的解析度,但不以此為限。圖6的顯示裝置60具有與圖4之顯示裝置40類似的優點及功效,於此便不再重述。The main difference between the embodiment of FIG. 6 and the embodiment of FIG. 4 is that in the embodiment of FIG. 6, the vertical projection area of the
圖7是依照本發明再一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。在此必須說明的是,圖7的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重複贅述。7 is a schematic top view of some components of a display device according to yet another embodiment of the present invention. It must be noted here that the embodiment of FIG. 7 uses the element numbers and partial contents of the embodiment of FIG. 4, wherein the same or similar reference numerals are used to indicate the same or similar elements, and the description of the same technical content is omitted. For the description of the omitted parts, reference may be made to the foregoing embodiments, and the following embodiments will not be repeated.
圖7的實施例與圖4的實施例的主要差異在於:在圖7的實施例中,顯示裝置70於內部區110及周邊區120的解析度可以選擇性地不一致,例如:周邊區120的解析度可大於內部區110的解析度,但不以此為限。The main difference between the embodiment of FIG. 7 and the embodiment of FIG. 4 is that in the embodiment of FIG. 7, the resolutions of the
綜上所述,本發明一實施例的顯示裝置,包括基板以及多個畫素結構。基板具有內部區以及內部區外的周邊區。多個畫素結構設置於基板上。畫素結構的每一個包括第一電極、第一堤岸層、第二堤岸層、發光層以及第二電極。第一堤岸層設置於第一電極上,且具有與部分之第一電極重疊的第一開口。第二堤岸層設置於第一堤岸層上,且具有與第一開口重疊的第二開口。發光層設置於部分的第一電極上,且位於第一堤岸層的第一開口與第二堤岸層的第二開口。第二電極設置於發光層上。畫素結構包括設置於內部區的第一畫素結構以及設置於周邊區的第二畫素結構。特別是,第二畫素結構的第一開口與第二畫素結構的第二開口在第一方向上具有第一偏移量,或者第二畫素結構之至少一第一開口於基板上的垂直投影面積大於第一畫素結構之至少一第一開口於基板上的垂直投影面積。藉此,能改善顯示裝置的周邊區與內部區的畫素結構之發光層的膜厚不一的問題,進而改善顯示裝置的顯示品質。In summary, the display device according to an embodiment of the invention includes a substrate and a plurality of pixel structures. The substrate has an inner area and a peripheral area outside the inner area. Multiple pixel structures are provided on the substrate. Each of the pixel structures includes a first electrode, a first bank layer, a second bank layer, a light emitting layer, and a second electrode. The first bank layer is disposed on the first electrode and has a first opening overlapping with a part of the first electrode. The second bank layer is disposed on the first bank layer and has a second opening overlapping with the first opening. The light emitting layer is disposed on part of the first electrode, and is located in the first opening of the first bank layer and the second opening of the second bank layer. The second electrode is disposed on the light emitting layer. The pixel structure includes a first pixel structure disposed in the inner area and a second pixel structure disposed in the peripheral area. In particular, the first opening of the second pixel structure and the second opening of the second pixel structure have a first offset in the first direction, or at least one first opening of the second pixel structure is on the substrate The vertical projection area is larger than the vertical projection area of at least one first opening of the first pixel structure on the substrate. In this way, the problem that the film thickness of the light-emitting layer of the pixel structure in the peripheral area and the inner area of the display device is not the same, thereby improving the display quality of the display device.
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。Although the present invention has been disclosed as above with examples, it is not intended to limit the present invention. Any person with ordinary knowledge in the technical field can make some changes and modifications without departing from the spirit and scope of the present invention. The scope of protection of the present invention shall be subject to the scope defined in the appended patent application.
10、20、30、40、50、60、70‧‧‧顯示裝置 100‧‧‧基板 100a、100b‧‧‧邊緣 110‧‧‧內部區 120‧‧‧周邊區 200A‧‧‧第一畫素結構 200B、200F、200I、200L、200N、200P、200Q、200R、200S、200T‧‧‧第二畫素結構 200C、200D、200E、200G、200H、200J、200K、200M‧‧‧第三畫素結構 200N-1、200N-2、200P-1、200P-2、200P-3、200Q-1、200Q-2、200R-1、200R-2、200T-1、200T-2‧‧‧子畫素結構 210‧‧‧主動元件層 220‧‧‧第一電極 222‧‧‧頂面 230‧‧‧第一堤岸層 230’、230”‧‧‧子堤岸 232‧‧‧第一開口 232a‧‧‧第一點 232b‧‧‧第二點 232c‧‧‧第五點 232d‧‧‧第六點 232s‧‧‧邊緣 232x、232y‧‧‧虛擬中心線 234、234’、234”‧‧‧頂面 240‧‧‧第二堤岸層 242‧‧‧第二開口 242a‧‧‧第三點 242b‧‧‧第四點 242c‧‧‧第七點 242d‧‧‧第八點 242s‧‧‧邊緣 242x、242y‧‧‧虛擬中心線 244‧‧‧頂面 250‧‧‧電洞注入層 260‧‧‧電洞傳輸層 270‧‧‧發光層 270a‧‧‧交界邊 272‧‧‧頂面 272a、272b‧‧‧點 280‧‧‧電子傳輸層 290‧‧‧電子注入層 300‧‧‧第二電極 302‧‧‧頂面 302a‧‧‧點 A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’‧‧‧剖線 d1‧‧‧第一方向 d12、d13‧‧‧方向 d2‧‧‧第二方向 d3‧‧‧第三方向 H1‧‧‧第一距離 H2‧‧‧第二距離 L1、L2、L3、L4、L5、L5’‧‧‧寬度 T1‧‧‧第一距離 T1’、T1”、W1、W2、W3、W4‧‧‧距離 T2‧‧‧第二距離 d1‧‧‧第一偏移量 d2‧‧‧第二偏移量10, 20, 30, 40, 50, 60, 70 ‧‧‧ display device 100‧‧‧ substrate 100a, 100b‧‧‧edge 110‧‧‧Inner area 120‧‧‧ surrounding area 200A‧‧‧The first pixel structure 200B, 200F, 200I, 200L, 200N, 200P, 200Q, 200R, 200S, 200T ‧‧‧ second pixel structure 200C, 200D, 200E, 200G, 200H, 200J, 200K, 200M ‧‧‧ third pixel structure 200N-1, 200N-2, 200P-1, 200P-2, 200P-3, 200Q-1, 200Q-2, 200R-1, 200R-2, 200T-1, 200T-2 210‧‧‧Active component layer 220‧‧‧First electrode 222‧‧‧Top 230‧‧‧The first embankment 230’、230”‧‧‧Zidi Bank 232‧‧‧First opening 232a‧‧‧First point 232b‧‧‧Second point 232c‧‧‧The fifth point 232d‧‧‧Sixth point 232s‧‧‧edge 232x, 232y‧‧‧ Virtual centerline 234, 234’, 234” ‧‧‧ top 240‧‧‧Second embankment 242‧‧‧Second opening 242a‧‧‧The third point 242b‧‧‧point four 242c‧‧‧Point 7 242d‧‧‧Eighth 242s‧‧‧edge 242x, 242y ‧‧‧ virtual centerline 244‧‧‧Top 250‧‧‧hole injection layer 260‧‧‧Electric transmission layer 270‧‧‧luminous layer 270a‧‧‧Boundary 272‧‧‧Top 272a, 272b‧‧‧ point 280‧‧‧Electronic transmission layer 290‧‧‧Electron injection layer 300‧‧‧Second electrode 302‧‧‧Top 302a‧‧‧point A-A’, B-B’, C-C’, D-D’, E-E’, F-F’ d1‧‧‧First direction d12, d13‧‧‧ direction d2‧‧‧Second direction d3‧‧‧third direction H1‧‧‧ First distance H2‧‧‧Second distance L1, L2, L3, L4, L5, L5’‧‧‧Width T1‧‧‧ First distance T1’, T1”, W1, W2, W3, W4‧‧‧ distance T2‧‧‧Second distance d1‧‧‧ First offset d2‧‧‧Second offset
圖1A是依照本發明一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。
圖1B是根據圖1A的剖線A-A’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。
圖1C是根據圖1A的剖線C-C’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。
圖1D是根據圖1A的剖線B-B’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。
圖1E是根據圖1A的剖線D-D’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。
圖1F是圖1A的顯示面板的畫素結構200B的放大示意圖。
圖2A是依照本發明另一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。
圖2B是根據圖2A的剖線E-E’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。
圖3A是依照本發明又一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。
圖3B是根據圖3A的剖線F-F’繪示的顯示裝置的畫素結構的剖面示意圖。
圖4是依照本發明再一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。
圖5是依照本發明另一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。
圖6是依照本發明又一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。
圖7是依照本發明再一實施例的顯示裝置的部分元件的上視示意圖。FIG. 1A is a schematic top view of some components of a display device according to an embodiment of the invention.
FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of the pixel structure of the display device according to section line A-A' of FIG. 1A.
1C is a schematic cross-sectional view of the pixel structure of the display device according to the cross-sectional line C-C' of FIG. 1A.
FIG. 1D is a schematic cross-sectional view of the pixel structure of the display device according to section line B-B' of FIG. 1A.
FIG. 1E is a schematic cross-sectional view of the pixel structure of the display device according to the cross-sectional line D-D' of FIG. 1A.
FIG. 1F is an enlarged schematic diagram of the
10‧‧‧顯示裝置 10‧‧‧Display device
100‧‧‧基板 100‧‧‧ substrate
100a、100b‧‧‧邊緣 100a, 100b‧‧‧edge
110‧‧‧內部區 110‧‧‧Inner area
120‧‧‧周邊區 120‧‧‧ surrounding area
200A‧‧‧第一畫素結構 200A‧‧‧The first pixel structure
200B、200F、200I、200L‧‧‧第二畫素結構 200B, 200F, 200I, 200L ‧‧‧ second pixel structure
200C、200D、200E、200G、200H、200J、200K、200M‧‧‧第三畫素結構 200C, 200D, 200E, 200G, 200H, 200J, 200K, 200M ‧‧‧ third pixel structure
220‧‧‧第一電極 220‧‧‧First electrode
230‧‧‧第一堤岸層 230‧‧‧The first embankment
232‧‧‧第一開口 232‧‧‧First opening
240‧‧‧第二堤岸層 240‧‧‧Second embankment
242‧‧‧第二開口 242‧‧‧Second opening
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’‧‧‧剖線 A-A’, B-B’, C-C’, D-D’
d1‧‧‧第一方向 d1‧‧‧First direction
d12、d13‧‧‧方向 d12, d13‧‧‧ direction
d2‧‧‧第二方向 d2‧‧‧Second direction
d3‧‧‧第三方向 d3‧‧‧third direction
Claims (15)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862688635P | 2018-06-22 | 2018-06-22 | |
US62/688,635 | 2018-06-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202002277A true TW202002277A (en) | 2020-01-01 |
TWI733078B TWI733078B (en) | 2021-07-11 |
Family
ID=69188922
Family Applications (18)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107137602A TWI678009B (en) | 2018-06-22 | 2018-10-24 | Display panel and manufacturing method thereof |
TW107138760A TWI684810B (en) | 2018-06-22 | 2018-11-01 | Display panel |
TW107142834A TWI679789B (en) | 2018-06-22 | 2018-11-30 | Organic light emitting diode display apparatus |
TW107142955A TWI684815B (en) | 2018-06-22 | 2018-11-30 | Display panel and method of fabricating the same |
TW107143785A TWI685702B (en) | 2018-06-22 | 2018-12-05 | Display apparatus |
TW107144587A TWI678802B (en) | 2018-06-22 | 2018-12-11 | Display panel and method for manufacturing the same |
TW107144975A TWI679765B (en) | 2018-06-22 | 2018-12-13 | Display device and manufacturing method thereof |
TW107146598A TWI695527B (en) | 2018-06-22 | 2018-12-22 | Display panel |
TW107146906A TWI679792B (en) | 2018-06-22 | 2018-12-25 | Display panel and method of fabricating the same |
TW108101440A TWI733078B (en) | 2018-06-22 | 2019-01-15 | Display device |
TW108102163A TWI696870B (en) | 2018-06-22 | 2019-01-19 | Display device |
TW108102272A TWI683375B (en) | 2018-06-22 | 2019-01-21 | Light emitting device |
TW108103467A TWI690753B (en) | 2018-06-22 | 2019-01-30 | Display panel and its manufacturing method |
TW108104630A TWI694626B (en) | 2018-06-22 | 2019-02-12 | Pixel structure |
TW108104827A TWI683168B (en) | 2018-06-22 | 2019-02-13 | Pixel structure and manufacturing method thereof |
TW108106211A TWI680589B (en) | 2018-06-22 | 2019-02-25 | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
TW108109084A TWI710832B (en) | 2018-06-22 | 2019-03-18 | Quantum dot display panel |
TW108119483A TWI714115B (en) | 2018-06-22 | 2019-06-05 | Display panel |
Family Applications Before (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107137602A TWI678009B (en) | 2018-06-22 | 2018-10-24 | Display panel and manufacturing method thereof |
TW107138760A TWI684810B (en) | 2018-06-22 | 2018-11-01 | Display panel |
TW107142834A TWI679789B (en) | 2018-06-22 | 2018-11-30 | Organic light emitting diode display apparatus |
TW107142955A TWI684815B (en) | 2018-06-22 | 2018-11-30 | Display panel and method of fabricating the same |
TW107143785A TWI685702B (en) | 2018-06-22 | 2018-12-05 | Display apparatus |
TW107144587A TWI678802B (en) | 2018-06-22 | 2018-12-11 | Display panel and method for manufacturing the same |
TW107144975A TWI679765B (en) | 2018-06-22 | 2018-12-13 | Display device and manufacturing method thereof |
TW107146598A TWI695527B (en) | 2018-06-22 | 2018-12-22 | Display panel |
TW107146906A TWI679792B (en) | 2018-06-22 | 2018-12-25 | Display panel and method of fabricating the same |
Family Applications After (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108102163A TWI696870B (en) | 2018-06-22 | 2019-01-19 | Display device |
TW108102272A TWI683375B (en) | 2018-06-22 | 2019-01-21 | Light emitting device |
TW108103467A TWI690753B (en) | 2018-06-22 | 2019-01-30 | Display panel and its manufacturing method |
TW108104630A TWI694626B (en) | 2018-06-22 | 2019-02-12 | Pixel structure |
TW108104827A TWI683168B (en) | 2018-06-22 | 2019-02-13 | Pixel structure and manufacturing method thereof |
TW108106211A TWI680589B (en) | 2018-06-22 | 2019-02-25 | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
TW108109084A TWI710832B (en) | 2018-06-22 | 2019-03-18 | Quantum dot display panel |
TW108119483A TWI714115B (en) | 2018-06-22 | 2019-06-05 | Display panel |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (18) | TWI678009B (en) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI738430B (en) * | 2020-07-22 | 2021-09-01 | 友達光電股份有限公司 | Organic light emitting diode display panel |
TWI742977B (en) * | 2020-08-21 | 2021-10-11 | 友達光電股份有限公司 | Stretchable pixel array substrate |
TWI762136B (en) * | 2020-12-31 | 2022-04-21 | 財團法人工業技術研究院 | Display apparatus |
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TWI769817B (en) * | 2021-05-17 | 2022-07-01 | 友達光電股份有限公司 | Display device and manufacturing method thereof |
TWI779631B (en) * | 2021-05-27 | 2022-10-01 | 友達光電股份有限公司 | Light emitting device |
CN113363302B (en) * | 2021-06-02 | 2023-09-08 | 南京昀光科技有限公司 | Display panel and manufacturing method thereof |
TWI793921B (en) * | 2021-12-13 | 2023-02-21 | 友達光電股份有限公司 | Display panel |
TWI843567B (en) * | 2023-05-17 | 2024-05-21 | 凌巨科技股份有限公司 | Display panel |
TWI848873B (en) * | 2023-12-12 | 2024-07-11 | 友達光電股份有限公司 | Active component substrate |
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-
2018
- 2018-10-24 TW TW107137602A patent/TWI678009B/en active
- 2018-11-01 TW TW107138760A patent/TWI684810B/en active
- 2018-11-30 TW TW107142834A patent/TWI679789B/en active
- 2018-11-30 TW TW107142955A patent/TWI684815B/en active
- 2018-12-05 TW TW107143785A patent/TWI685702B/en active
- 2018-12-11 TW TW107144587A patent/TWI678802B/en active
- 2018-12-13 TW TW107144975A patent/TWI679765B/en active
- 2018-12-22 TW TW107146598A patent/TWI695527B/en active
- 2018-12-25 TW TW107146906A patent/TWI679792B/en active
-
2019
- 2019-01-15 TW TW108101440A patent/TWI733078B/en active
- 2019-01-19 TW TW108102163A patent/TWI696870B/en active
- 2019-01-21 TW TW108102272A patent/TWI683375B/en active
- 2019-01-30 TW TW108103467A patent/TWI690753B/en active
- 2019-02-12 TW TW108104630A patent/TWI694626B/en active
- 2019-02-13 TW TW108104827A patent/TWI683168B/en active
- 2019-02-25 TW TW108106211A patent/TWI680589B/en active
- 2019-03-18 TW TW108109084A patent/TWI710832B/en active
- 2019-06-05 TW TW108119483A patent/TWI714115B/en active
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