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TW201913910A - 電子元件封裝體以及顯示面板 - Google Patents

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TW201913910A
TW201913910A TW106145424A TW106145424A TW201913910A TW 201913910 A TW201913910 A TW 201913910A TW 106145424 A TW106145424 A TW 106145424A TW 106145424 A TW106145424 A TW 106145424A TW 201913910 A TW201913910 A TW 201913910A
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莊坤霖
郭燕靜
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Abstract

一種電子元件封裝體包括基板、至少一電子元件以及封裝層。基板具有元件區以及位於元件區以外的透光區。電子元件配置於基板的元件區上。封裝層配置於基板上且覆蓋電子元件。封裝層由元件區連續延伸至透光區，且封裝層在元件區上的氮元素含量高於在透光區上的氮元素含量。本發明還提供一種顯示面板。

Description

電子元件封裝體以及顯示面板
本發明是有關於一種封裝體以及顯示面板，且特別是有關於一種電子元件封裝體以及顯示面板。
隨著科技的進步，各種新型顯示面板不斷湧現。在一些顯示面板中本身具有一定程度的透光度，使用者除了可以看到顯示面板上所顯示的影像之外，還可以進一步看到顯示面板後方的景象。這些顯示面板因其透光的特性可適用於商業與車用抬頭顯示器等多種應用，而越來越受到市場關注。
若是顯示面板整體的透光度過低，使用者易於觀察到顯示面板本身的存在，而無法清楚觀看顯示面板後方的背景。此外，如何透過封裝技術提升電子元件與顯示面板對水氣及/或氧氣的阻絕特性，進而增進電子元件與顯示面板的可靠度及其壽命，實為關鍵。
本發明一實施例提供一種電子元件封裝體，可具有良好的阻障性質以及透光度。
本發明另一實施例提供一種顯示面板，可具有良好的阻障性質以及透光度。
本發明一實施例的電子元件封裝體包括基板、至少一電子元件以及封裝層。基板具有元件區以及位於元件區以外的透光區。電子元件配置於基板的元件區上。封裝層配置於基板上且覆蓋至少一電子元件。封裝層由元件區連續延伸至透光區，且封裝層在元件區上的氮(N)元素含量高於在透光區上的氮元素含量。
本發明另一實施例的電子元件封裝體包括基板、至少一電子元件以及封裝層。基板具有元件區以及位於元件區以外的透光區。電子元件配置於基板的元件區上。封裝層配置於基板上且覆蓋電子元件。封裝層在元件區上的氮元素含量大於等於7at%。
本發明又一實施例的顯示面板包括以所述電子元件封裝體所構成的顯示元件以及驅動線路。驅動線路對應配置於元件區並與顯示元件電性連接。
本發明實施例的電子元件封裝體以及顯示面板將封裝層進行改質，針對元件區以及透光區採取不同處理，以使在元件區提供理想的阻隔效果，並在透光區提供良好的可見光穿透率。電子元件以及顯示面板可具有理想的品質以及良好的透光性。
為使本發明能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A至圖1C為本發明第一實施例的電子元件封裝體的製程剖面示意圖。請參考圖1A，首先提供基板110，基板110具有元件區112以及位於元件區112以外的透光區114，基板110可為具有可見光穿透性的硬質基板或可撓性基板。舉例而言，前述之硬質基板的材料例如是玻璃或其他硬質材料，而前述之可撓性基板材料例如是聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚亞醯胺(polyimide, PI)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚醯胺(polyamide, PA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚乙烯亞胺(polyethylenimine, PEI)、聚氨酯(polyurethane, PU)、聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane, PDMS)、壓克力系(acrylic)聚合物例如是聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate, PMMA)等、醚系(ether)聚合物例如是聚醚碸(polyethersulfone, PES)或聚醚醚酮(polyetheretherketone, PEEK)、聚烯(polyolefin)、薄玻璃或其他可撓性材料，但本發明並不以此為限。
接著，在基板110上可選擇性的形成緩衝層120，緩衝層120可完整覆蓋基板110的上表面。緩衝層120的材料可包括氮化矽、氮氧化矽或其組合，或其他透明緩衝材料，但本發明並不限於此。
在緩衝層120上形成至少一電子元件130，電子元件130配置於基板110的元件區112上，電子元件130可包括半導體元件、感測元件、太陽能電池或顯示元件等，其中顯示元件可例如為液晶顯示元件、有機發光元件、無機發光元件、電泳顯示元件、量子點顯示元件等，本發明並不以此為限。
於電子元件130形成後，可以藉由溶液製程(solution process)在基板110以及電子元件130上形成封裝層140，再將封裝層140進行固化。封裝層140是由元件區112連續延伸至透光區114。封裝層140的材料可例如是包括聚矽氮烷(polysilazane)、聚矽氮氧烷(polysiloxazane)或其他適合的材料。
請參考圖1B，在本實施例中，可利用照光、加熱或電漿等處理方式局部對配置於元件區112上的封裝層140進行改質，以增進其阻障特性，其中封裝層140可採用硬遮罩(hard mask)或經微影蝕刻製程將光阻圖案化等方式，以實現在特定位置進行改質處理。在一實施例中，進行局部改質處理的位置可例如是在電子元件130的上方或者如圖1B所示進一步延伸至電子元件130的側壁周邊。照光處理可例如是使用真空紫外光(vacuum UV, VUV)；加熱處理可例如是利用加熱板(hot plate)、烘箱(oven)等方式進行加熱，使用的氣體可包括空氣、氮氣(N2 )、氧氣(O2 )等；電漿處理可例如是進行電漿離子佈植(plasma-based ion implantation, PBII)，電漿離子佈植所使用的氣體可包括惰性氣體、氫氣(H2 )、氮氣(N2 )、氧氣(O2 )、含氟氣體、氯氣(Cl2 )等，電漿能量例如是-2kV以上，電漿處理的時間例如是100秒以上。經過局部改質處理的封裝層140的材料可例如是包括氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)、氧化矽(silicon oxide)或其他適合的材料。
在一實施例中，於形成封裝層140之前可選擇性地在電子元件130上形成覆蓋層160，其中形成覆蓋層160的方法可例如是噴墨印刷(ink-jet printing，IJP)、電漿輔助化學氣相沈積(plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD）、濺鍍(sputter deposition)、原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)或其他適合的製程方法。覆蓋層160的材料可例如是包括氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧化鋁(AlOx)、氮氧化矽(SiON)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)、聚合物例如是壓克力(acrylic)或其他適合的材料。以下各實施例亦可依需求於形成封裝層140之前可選擇性地在電子元件130上形成覆蓋層160。
請接續參考圖1C，前述位於元件區112上的封裝層140在經處理後形成具有第一富氮區(nitrogen-rich area) 140a的封裝層140，其材料例如是氮化矽(silicon nitride)或氮氧化矽(silicon oxynitride)，第一富氮區140a可覆蓋電子元件130的上表面以及側壁；位於透光區114未被處理的封裝層140是具有第一富氧區(oxygen-rich area) 140b的封裝層140。第一富氮區140a相較於第一富氧區140b具有較高的氮(N)元素含量，其N元素含量例如是大於等於7原子百分比 (atom percent，at%)，因此封裝層140在元件區112上的N元素含量高於在透光區114上的N元素含量。藉由封裝層140中第一富氮區140a材料的阻障特性，可使第一富氮區140a的水氣穿透率(water vapor transmission rate,WVTR)例如是小於或等於10-2 公克/平方公尺-日，較佳的是小於或等於10-4 公克/平方公尺-日。
再者，位於透光區114未被處理的第一富氧區140b具有較高的氧(O)元素含量，相較於第一富氮區140a可具有更高的光穿透率，其光穿透率可例如是大於等於80%。因此，電子元件封裝體100可在元件區112具有阻障性且在透光區114具備高透光性。此外，考量電子元件封裝體100的可撓曲性，封裝層140的楊氏模數(Young’s modulus)可例如是3Gpa~10Gpa，以下各實施例亦可依需求設計調整之。
在一實施例中，可利用能量色散X-射線光譜(energy dispersive spectroscopy，EDS)、X-射線光電子光譜(X-ray photoelectron spectroscopy，XPS)或其他適合的方法對封裝層140的第一富氮區140a及/或第一富氧區140b進行成份分析。能量色散X-射線光譜儀可附加於掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscopy，SEM)或穿透式電子顯微鏡(Transmission electron microscopy，TEM)等儀器中，使用例如線掃描(line scan)或單點量測進行元素分析，在與量測區域內的其他元素成份相比得知N含量可大於7at%；X-射線光電子光譜儀可藉由例如單點量測或縱深量測進行元素分析，在與量測區域內的其他元素成份相比可得知N含量。
圖2為本發明第二實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。第二實施例的電子元件封裝體200與圖1A至圖1C的電子元件封裝體100類似，本實施例採用圖2針對電子元件封裝體200進行描述。在圖2中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖1A至圖1C中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，電子元件封裝體200的封裝層140可利用照光、加熱或電漿等處理方式局部在元件區112上進行改質，可透過降低處理能量及/或減少處理時間而使得封裝層140的改質深度減薄，形成由處理表面TS往靠近電子元件130方向漸減的N元素含量梯度，第一富氮區140a相較於第一富氧區140b具有較高的N元素含量，位於透光區114以及元件區112上靠近電子元件130之一側的第一富氧區140b具有較高的O元素含量，相較於第一富氮區140a可具有更高的光穿透率。電子元件封裝體200可在元件區112具有阻障性且在透光區114具備高透光性。
在其他實施例中，電子元件封裝體100、200可進行二次改質處理進一步提昇阻障性，亦即可利用照光、加熱或電漿等處理方式針對局部配置於透光區114上或全面封裝層140的表面再次進行改質，透過降低處理能量及/或減少處理時間而使得封裝層140的改質深度減薄，形成由處理表面TS往靠近電子元件130方向漸減的N元素含量梯度。在一實施例中，二次改質的深度可較如圖1C、圖2所示的電子元件封裝體100、200處理深度為淺，可使得在透光區114上的第一富氧區140b的厚度大於在元件區114上的第一富氧區140b的厚度。以下各實施例亦可依需求進行類似的二次改質處理。
圖3A至圖3E為本發明第三實施例的電子元件封裝體的製程剖面示意圖。在圖3A至圖3E中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖1A至圖1C中說明過的構件於此不再贅述。
請參考圖3A，在形成電子元件130之後，於電子元件130的周邊設置第一擋牆150，第一擋牆150位於元件區112並可覆蓋電子元件130的側壁。在一些實施例中，第一擋牆150的截面可具有矩形、梯形或其他合適的形狀；第一擋牆150的形成方法可例如是灑佈(spray)、網版印刷(screen printing)、微影蝕刻法、低溫燒結或其他合適的方法，本發明並不以此為限。
接著請參考圖3B，在電子元件130上以及第一擋牆150所圍繞的範圍內可選擇性的形成覆蓋層160，其中形成覆蓋層160的方法可例如是噴墨印刷(ink-jet printing, IJP)。覆蓋層160的材料可例如是包括壓克力系(acrylic)聚合物或其他適合的材料。
請參考圖3C，可以藉由例如是噴墨印刷在覆蓋層160上以及第一擋牆150所圍繞的範圍內形成封裝層140，再將封裝層140進行固化。封裝層140的材料可例如是包括聚矽氮烷(polysilazane)、聚矽氮氧烷(polysiloxazane)或其他適合的材料。如圖3C所示，覆蓋層160位於電子元件130以及封裝層140之間。
請參考圖3D，在本實施例中，可利用照光、加熱或電漿等處理方式對配置於元件區112上的封裝層140進行改質，以增進其阻障特性。照光處理可例如是使用真空紫外光(vacuum UV, VUV)；電漿處理可例如是進行電漿離子佈植(plasma-based ion implantation, PBII)。
請接續參考圖3E，前述位於元件區112上的封裝層140在經處理後形成具有第一富氮區140a的封裝層140，其材料例如是氮化矽(silicon nitride)或氮氧化矽(silicon oxynitride)。第一富氮區140a具有高的N元素含量，其N元素含量例如是大於等於7at%。藉由封裝層140中第一富氮區140a材料的阻障特性，可使第一富氮區140a的水氣穿透率(water vapor transmission rate,WVTR)例如是小於或等於10-2 公克/平方公尺-日，較佳的是小於或等於10-4 公克/平方公尺-日。再者，透光區114上未包含如元件區112上的構件，相較於元件區112可具有更高的光穿透率，其光穿透率可例如是大於等於80%。因此，電子元件封裝體300可在元件區112具有阻障性且在透光區114具備高透光性。
圖4為本發明第四實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。第四實施例的電子元件封裝體400與圖3A至圖3E的電子元件封裝體300類似，本實施例採用圖4針對電子元件封裝體400進行描述。在圖4中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖3A至圖3E中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，電子元件封裝體400更包括第二擋牆152，第二擋牆152位於元件區112並設置於第一擋牆150的外圍周邊。藉由例如是噴墨印刷在電子元件130上、第一擋牆150以及第二擋牆152所圍繞的範圍內形成封裝層140，再將封裝層140進行固化。封裝層140可覆蓋電子元件130以及第一擋牆150的上表面與側壁。之後，可利用照光、加熱或電漿等處理方式對配置於元件區112上的封裝層140進行改質，以增進其阻障特性。照光處理可例如是使用真空紫外光(vacuum UV, VUV)；電漿處理可例如是進行電漿離子佈植(plasma-based ion implantation, PBII)。在一實施例中，可透過降低處理能量及/或減少處理時間而使得封裝層140的改質深度減薄，形成由處理表面TS往靠近電子元件130方向漸減的N元素含量梯度。
前述位於元件區112上的封裝層140在經處理後形成具有第一富氮區140a的封裝層140，其材料例如是氮化矽(silicon nitride)或氮氧化矽(silicon oxynitride)。第一富氮區140a具有高的N元素含量，其N元素含量例如是大於等於7at%。再者，透光區114上未包含如元件區112上的構件，相較於元件區112可具有更高的光穿透率，其光穿透率可例如是大於等於80%。因此，電子元件封裝體400可在元件區112具有阻障性且在透光區114具備高透光性。
前述實施例的封裝層是以單層結構為例，亦可為多層堆疊結構，有利於提升電子元件封裝體的阻障效果。此外，多層堆疊結構的材料彼此相容性較高，可避免各層於堆疊時的界面問題。多層堆疊結構的封裝層可參考下述實施例。
圖5為本發明第五實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。第五實施例的電子元件封裝體500與圖1A至圖1C的電子元件封裝體100類似，本實施例採用圖5針對電子元件封裝體500進行描述。在圖5中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖1A至圖1C中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，電子元件封裝體500的封裝層540可包括第一阻障層541以及第二阻障層542，第一阻障層541以及第二阻障層542是由元件區112連續延伸至透光區114，且第一阻障層541以及第二阻障層542的材料可例如是包括聚矽氮烷(polysilazane)、聚矽氮氧烷(polysiloxazane)或其他適合的材料。
首先，可利用與第一實施例類似的處理方式(例如照光、加熱或電漿處理等)局部對配置於元件區112上的第一阻障層541進行改質，以增進其阻障特性。經處理後形成具有第一富氮區541a的第一阻障層541，其材料例如是氮化矽(silicon nitride)或氮氧化矽(silicon oxynitride)，第一富氮區541a可覆蓋電子元件130的上表面以及側壁；位於透光區114未被處理的第一阻障層541是具有第一富氧區541b的第一阻障層541。第一富氮區541a相較於第一富氧區541b具有較高的N元素含量，其N元素含量例如是大於等於7at%。藉由第一阻障層541中第一富氮區541a材料的阻障特性，可使第一富氮區541a的水氣穿透率(water vapor transmission rate,WVTR)例如是小於或等於10-2 公克/平方公尺-日，較佳的是小於或等於10-4 公克/平方公尺-日。再者，位於透光區114未被處理的第一富氧區541b具有較高的O元素含量，相較於第一富氮區541a可具有更高的光穿透率，其光穿透率可例如是大於等於80%。
之後，於第一阻障層541上形成第二阻障層542，可利用與第一阻障層541類似的處理方式(例如照光、加熱或電漿處理等)局部對配置於元件區112上的第二阻障層542進行改質，以增進其阻障特性。經處理後形成具有第二富氮區542a的第二阻障層542，其材料可例如與第一富氮區541a相類似；位於透光區114未被處理的第二阻障層542是具有第二富氧區542b的第二阻障層542。第二富氮區542a相較於第二富氧區542b具有較高的N元素含量。再者，位於透光區114未被處理的第二富氧區542b具有較高的O元素含量，相較於第二富氮區542a可具有更高的光穿透率。因此，電子元件封裝體500可在元件區112具有阻障性且在透光區114具備高透光性。
圖6為本發明第六實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。第六實施例的電子元件封裝體600與圖5的電子元件封裝體500類似，本實施例採用圖6針對電子元件封裝體600進行描述。在圖6中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖5中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，電子元件封裝體600的封裝層640可包括第一阻障層641以及第二阻障層642，第一阻障層641以及第二阻障層642是由元件區112連續延伸至透光區114。第一阻障層641可類似於第五實施例的第一阻障層541。之後，於第一阻障層641上形成第二阻障層642，可利用例如照光、加熱或電漿等處理方式局部對配置於元件區112上的第二阻障層642進行改質，以增進其阻障特性，並可透過降低處理能量及/或減少處理時間而使得第二阻障層642的改質深度減薄，形成由處理表面TS往靠近電子元件130方向漸減的N元素含量梯度，第二富氮區642a相較於第二富氧區642b具有較高的N元素含量，而位於透光區114以及元件區112上靠近電子元件130之一側的第二富氧區642b具有較高的O元素含量，相較於第二富氮區642a可具有更高的光穿透率。
圖7為本發明第七實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。第七實施例的電子元件封裝體700與圖5的電子元件封裝體500類似，本實施例採用圖7針對電子元件封裝體700進行描述。在圖7中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖5中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，電子元件封裝體700的封裝層740可包括第一阻障層741以及第二阻障層742，第一阻障層741以及第二阻障層742是由元件區112連續延伸至透光區114。第一阻障層741可類似於第五實施例的第一阻障層541。之後，於第一阻障層741上形成第二阻障層742，可利用例如照光、加熱或電漿等處理方式全面對第二阻障層742表面進行改質，以增進其阻障特性，並可透過降低處理能量及/或減少處理時間而使得第二阻障層742的改質深度減薄，形成由處理表面TS往靠近電子元件130方向漸減的N元素含量梯度，第二富氮區742a相較於第二富氧區742b具有較高的N元素含量，而位於靠近電子元件130之一側的第二富氧區742b具有較高的O元素含量，相較於第二富氮區742a可具有更高的光穿透率。
圖8為本發明第八實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。第八實施例的電子元件封裝體800與圖5的電子元件封裝體500類似，本實施例採用圖8針對電子元件封裝體800進行描述。在圖8中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖5中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，電子元件封裝體800的封裝層840可包括第一阻障層841以及第二阻障層842。於電子元件130上形成第一阻障層841，可利用例如照光、加熱或電漿等處理方式局部對配置於元件區112上的第一阻障層841進行改質，以增進其阻障特性，並可透過降低處理能量及/或減少處理時間而使得第一阻障層841的改質深度減薄，形成N元素含量梯度，第一富氮區841a相較於第一富氧區841b具有較高的N元素含量，而位於透光區114以及元件區112上靠近電子元件130之一側的第一富氧區841b具有較高的O元素含量，相較於第一富氮區841a可具有更高的光穿透率。之後，於第一阻障層841上形成第二阻障層842，第二阻障層842可類似於第五實施例的第二阻障層542。因此，電子元件封裝體800可在元件區112具有阻障性且在透光區114具備高透光性。
圖9為本發明第九實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。第九實施例的電子元件封裝體900與圖8的電子元件封裝體800類似，本實施例採用圖9針對電子元件封裝體900進行描述。在圖9中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖8中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，電子元件封裝體900的封裝層940可包括第一阻障層941以及第二阻障層942，第一阻障層941可類似於第八實施例的第一阻障層841。之後，於第一阻障層941上形成第二阻障層942，可利用例如照光、加熱或電漿等處理方式局部對配置於元件區112上的第二阻障層942進行改質，以增進其阻障特性，並可透過降低處理能量及/或減少處理時間而使得第二阻障層942的改質深度減薄，形成N元素含量梯度。第二富氮區942a相較於第二富氧區942b具有較高的N元素含量，而位於透光區114以及元件區112上靠近電子元件130之一側的第二富氧區942b具有較高的O元素含量，相較於第二富氮區942a可具有更高的光穿透率。
圖10為本發明第十實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。第十實施例的電子元件封裝體1000與圖8的電子元件封裝體800類似，本實施例採用圖10針對電子元件封裝體1000進行描述。在圖10中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖8中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，電子元件封裝體1000的封裝層1040可包括第一阻障層1041以及第二阻障層1042，第一阻障層1041可類似於第八實施例的第一阻障層841。之後，於第一阻障層1041上形成第二阻障層1042，可利用例如照光、加熱或電漿等處理方式全面對第二阻障層1042表面進行改質，以增進其阻障特性，並可透過降低處理能量及/或減少處理時間而使得第二阻障層1042的改質深度減薄，形成N元素含量梯度。第二富氮區1042a相較於第二富氧區1042b具有較高的N元素含量，而位於靠近電子元件130之一側的第二富氧區1042b具有較高的O元素含量，相較於第二富氮區1042a可具有更高的光穿透率。
圖11為本發明第十一實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。第十一實施例的電子元件封裝體1100與圖5的電子元件封裝體500類似，本實施例採用圖11針對電子元件封裝體1100進行描述。在圖11中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖5中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，電子元件封裝體1100的封裝層1140可包括第一阻障層1141以及第二阻障層1142。於電子元件130上形成第一阻障層1141，可利用例如照光、加熱或電漿等處理方式全面對第一阻障層1141進行改質，以增進其阻障特性。之後，於第一阻障層1141上形成第二阻障層1142，第二阻障層1142可類似於第五實施例的第二阻障層542。因此，電子元件封裝體1100可在元件區112具有阻障性且在透光區114具備高透光性。
圖12為本發明第十二實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。第十二實施例的電子元件封裝體1200與圖11的電子元件封裝體1100類似，本實施例採用圖12針對電子元件封裝體1200進行描述。在圖12中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖11中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，電子元件封裝體1200的封裝層1240可包括第一阻障層1241以及第二阻障層1242，第一阻障層1241可類似於第十一實施例的第一阻障層1141。之後，於第一阻障層1241上形成第二阻障層1242，可利用例如照光、加熱或電漿等處理方式局部對配置於元件區112上的第二阻障層1242進行改質，以增進其阻障特性，並可透過降低處理能量及/或減少處理時間而使得第二阻障層1242的改質深度減薄，形成N元素含量梯度。第二富氮區1242a相較於第二富氧區1242b具有較高的N元素含量，而位於透光區114以及元件區112上靠近電子元件130之一側的第二富氧區1242b具有較高的O元素含量，相較於第二富氮區1242a可具有更高的光穿透率。
圖13為本發明第十三實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。第十三實施例的電子元件封裝體1300與圖5的電子元件封裝體500類似，本實施例採用圖13針對電子元件封裝體1300進行描述。在圖13中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖5中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，電子元件封裝體1300的封裝層1340可包括第一阻障層1341以及第二阻障層1342。於電子元件130上形成第一阻障層1341，可利用例如照光、加熱或電漿等處理方式全面對第一阻障層1341進行改質，以增進其阻障特性，並可透過降低處理能量及/或減少處理時間而使得第一阻障層1341的改質深度減薄，形成N元素含量梯度。第一富氮區1341a相較於第一富氧區1341b具有較高的N元素含量，而位於靠近電子元件130之一側的第一富氧區1341b具有較高的O元素含量，相較於第一富氮區1341a可具有更高的光穿透率。之後，於第一阻障層1341上形成第二阻障層1342，第二阻障層1342可類似於第五實施例的第二阻障層542。
圖14為本發明第十四實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。第十四實施例的電子元件封裝體1400與圖13的電子元件封裝體1300類似，本實施例採用圖14針對電子元件封裝體1400進行描述。在圖14中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖13中說明過的構件於此不再贅述。
在本實施例中，電子元件封裝體1400的封裝層1440可包括第一阻障層1441以及第二阻障層1442，第一阻障層1441可類似於第十三實施例的第一阻障層1341。之後，於第一阻障層1441上形成第二阻障層1442，可利用例如照光、加熱或電漿等處理方式局部對配置於元件區112上的第二阻障層1442進行改質，以增進其阻障特性，並可透過降低處理能量及/或減少處理時間而使得第二阻障層1442的改質深度減薄，形成N元素含量梯度。第二富氮區1442a相較於第二富氧區1442b具有較高的N元素含量，而位於透光區114以及元件區112上靠近電子元件130之一側的第二富氧區1442b具有較高的O元素含量，相較於第二富氮區1442a可具有更高的光穿透率。
本發明實施例的電子元件封裝體可應用於例如是顯示面板。圖15為本發明一實施例的顯示面板的上視示意圖。顯示面板10可包括電子元件封裝體所構成的顯示元件12以及驅動線路(未繪示)，驅動線路可對應配置於元件區112並與顯示元件12電性連接。在本實施例中，由電子元件封裝體600所構成的顯示元件12為例，電子元件封裝體600包括至少一電子元件130，電子元件130可例如是有機發光元件，多個電子元件封裝體600可依需求排列(例如陣列式)；或者，電子元件封裝體600的電子元件130的數量為多個，多個電子元件130的位置排列亦可依需求調整之。此外，驅動線路可與電子元件130水平並列或上下堆疊。藉由將電子元件封裝體600/顯示元件12的封裝層640進行改質，針對元件區112以及透光區114採取不同處理，可在元件區112提供阻隔效果，並在透光區114提供良好的可見光穿透率。
在一實施例中，各封裝層140~1440可具有平坦表面，於後續形成之元件/膜層可以製作於前述的平坦表面上。在其他實施例中，顯示面板10可更包括觸控元件(未繪示)，觸控元件可用於偵測使用者在觸碰顯示面板10時所產生的訊號，此訊號類型可例如是電容變化、電阻變化等。在另一實施例中，顯示面板10可更包括保護層(未繪示)，保護層可配置於前述的觸控元件上。保護層的材料例如是強化玻璃、石英玻璃或其他適用的材料，且其硬度例如高於1H可避免顯示面板10的磨損或受到撞擊而損壞。
本發明實施例的電子元件封裝體以及顯示面板將封裝層進行改質，針對元件區以及透光區採取不同處理，以使在元件區提供理想的阻隔效果，並在透光區提供良好的可見光穿透率。電子元件以及顯示面板可具有理想的品質以及良好的透光性。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍及其均等範圍所界定者為準。
10‧‧‧顯示面板
12‧‧‧顯示元件
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400‧‧‧電子元件封裝體
110‧‧‧基板
112‧‧‧元件區
114‧‧‧透光區
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧電子元件
140、540、640、740、840、940、1040、1140、1240、1340、1440‧‧‧封裝層
140a、541a、641a、741a、841a、941a、1041a、1141a、1241a、1341a、1441a‧‧‧第一富氮區
140b、541b、641b、741b、841b、941b、1041b、1341b、1441b‧‧‧第一富氧區
150‧‧‧第一擋牆
152‧‧‧第二擋牆
160‧‧‧覆蓋層
541、641、741、841、941、1041、1141、1241、1341、1441‧‧‧第一阻障層
542、642、742、842、942、1042、1142、1241、1342、1442‧‧‧第二阻障層
542a、642a、742a、842a、942a、1042a、1142a、1241a、1342a、1442a‧‧‧第二富氮區
542b、642b、742b、842b、942b、1042b、1142b、1241b、1342b、1442b‧‧‧第二富氧區
TS‧‧‧處理表面
圖1A至圖1C為本發明第一實施例的電子元件封裝體的製程剖面示意圖。 圖2為本發明第二實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。 圖3A至圖3E為本發明第三實施例的電子元件封裝體的製程剖面示意圖。 圖4為本發明第四實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。 圖5為本發明第五實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。 圖6為本發明第六實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。 圖7為本發明第七實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。 圖8為本發明第八實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。 圖9為本發明第九實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。 圖10為本發明第十實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。 圖11為本發明第十一實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。 圖12為本發明第十二實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。 圖13為本發明第十三實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。 圖14為本發明第十四實施例的電子元件封裝體的剖面示意圖。 圖15為本發明一實施例的顯示面板的上視示意圖。

Claims (20)

  1. 一種電子元件封裝體，包括： 一基板，具有一元件區以及位於該元件區以外的一透光區； 至少一電子元件，配置於該基板的該元件區上；以及 一封裝層，配置於該基板上且覆蓋該至少一電子元件，其中該封裝層由該元件區連續延伸至該透光區，且該封裝層在該元件區上的氮(N)元素含量高於在該透光區上的N元素含量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該封裝層在該元件區上的N元素含量大於等於7at%。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該封裝層具有一第一富氮區以及一第一富氧區，該第一富氧區位於該透光區，該第一富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第一富氧區上方。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該封裝層包括: 一第一阻障層，具有一第一富氮區以及一第一富氧區，該第一富氧區位於該透光區，該第一富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第一富氧區上方；以及 一第二阻障層，該第二阻障層配置於該第一阻障層上，且具有一第二富氮區以及一第二富氧區，該第二富氧區位於該透光區，該第二富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第二富氧區上方。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該封裝層包括: 一第一阻障層，具有一第一富氮區以及一第一富氧區，該第一富氧區位於該透光區，該第一富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第一富氧區上方；以及 一第二阻障層，該第二阻障層配置於該第一阻障層上，且具有一第二富氮區以及一第二富氧區，該第二富氧區位於該透光區以及該元件區上靠近該至少一電子元件之一側，且該第二富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第二富氧區上方。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該封裝層包括: 一第一阻障層，具有一第一富氮區以及一第一富氧區，該第一富氧區位於該透光區，該第一富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第一富氧區上方；以及 一第二阻障層，該第二阻障層配置於該第一阻障層上，且具有一第二富氮區以及一第二富氧區，其中該第二富氧區位於靠近該至少一電子元件之一側，且該第二富氮區位於該第二富氧區上。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該封裝層具有一第一富氮區以及一第一富氧區，該第一富氧區位於該透光區以及該元件區上靠近該至少一電子元件之一側，且該第一富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第一富氧區上方。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該封裝層包括: 一第一阻障層，具有一第一富氮區以及一第一富氧區，該第一富氧區位於該透光區以及該元件區上靠近該至少一電子元件之一側，且該第一富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第一富氧區上方；以及 一第二阻障層，該第二阻障層配置於該第一阻障層上，且具有一第二富氮區以及一第二富氧區，該第二富氧區位於該透光區，該第二富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第二富氧區上方。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該封裝層包括: 一第一阻障層，具有一第一富氮區以及一第一富氧區，該第一富氧區位於該透光區以及該元件區上靠近該至少一電子元件之一側，且該第一富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第一富氧區上方；以及 一第二阻障層，該第二阻障層配置於該第一阻障層上，且具有一第二富氮區以及一第二富氧區，其中該第二富氧區位於該透光區以及該元件區上靠近該至少一電子元件之一側，且該第二富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第二富氧區上方。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該封裝層包括: 一第一阻障層，具有一第一富氮區以及一第一富氧區，該第一富氧區位於該透光區以及該元件區上靠近該至少一電子元件之一側，且該第一富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第一富氧區上方；以及 一第二阻障層，該第二阻障層配置於該第一阻障層上，且具有一第二富氮區以及一第二富氧區，其中該第二富氧區位於靠近該至少一電子元件之一側，且該第二富氮區位於該第二富氧區上。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該封裝層包括: 一第一阻障層，具有位於該元件區以及該透光區的一第一富氮區；以及 一第二阻障層，配置於該第一阻障層上，且具有一第二富氮區以及一富氧區，該富氧區位於該透光區，該第二富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該富氧區上方。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該封裝層包括: 一第一阻障層，具有位於該元件區以及該透光區的一第一富氮區；以及 一第二阻障層，配置於該第一阻障層上，且具有一第二富氮區以及一富氧區，其中該富氧區位於該透光區以及該元件區上靠近該至少一電子元件之一側，且該第二富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該富氧區上方。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該封裝層包括: 一第一阻障層，具有一第一富氮區以及一第一富氧區，其中該第一富氧區位於靠近該至少一電子元件之一側，且該第一富氮區位於該第一富氧區上；以及 一第二阻障層，配置於該第一阻障層上，且具有一第二富氮區以及一第二富氧區，該第二富氧區位於該透光區，該第二富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第二富氧區上方。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該封裝層包括: 一第一阻障層，具有一第一富氮區以及一第一富氧區，其中該第一富氧區位於靠近該至少一電子元件之一側，且該第一富氮區位於該第一富氧區上；以及 一第二阻障層，配置於該第一阻障層上，且具有一第二富氮區以及一第二富氧區，其中該第二富氧區位於該透光區以及該元件區上靠近該至少一電子元件之一側，且該第二富氮區位於該元件區或該元件區以及該透光區上的該第二富氧區上方。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件封裝體，其中該電子元件封裝體更包括一覆蓋層，該覆蓋層位於該至少一電子元件以及該封裝層之間。
  16. 一種電子元件封裝體，包括： 一基板，具有一元件區以及位於該元件區以外的一透光區； 至少一電子元件，配置於該基板的該元件區上；以及 一封裝層，配置於該基板上且覆蓋該至少一電子元件，其中該封裝層在該元件區上的N元素含量大於等於7at%。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之電子元件封裝體，其中該電子元件封裝體更包括一覆蓋層，該覆蓋層位於該至少一電子元件以及該封裝層之間。
  18. 一種顯示面板，包括： 如申請專利範圍第1項至第17項中任一項所述的電子元件封裝體構成的一顯示元件；以及 一驅動線路，對應配置於該元件區並與該顯示元件電性連接。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示面板，其中該顯示面板更包括一觸控元件，該觸控元件配置於該顯示元件上。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之顯示面板，其中該顯示面板更包括一保護層，該保護層配置於該觸控元件上。
TW106145424A 2017-08-18 2017-12-22 電子元件封裝體以及顯示面板 TWI678771B (zh)

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