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TW201801513A - 顯示裝置及其動作方法，以及電子機器 - Google Patents

顯示裝置及其動作方法，以及電子機器 Download PDF

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TW201801513A
TW201801513A TW105137467A TW105137467A TW201801513A TW 201801513 A TW201801513 A TW 201801513A TW 105137467 A TW105137467 A TW 105137467A TW 105137467 A TW105137467 A TW 105137467A TW 201801513 A TW201801513 A TW 201801513A
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TW
Taiwan
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display
circuit
display data
function
area
Prior art date
Application number
TW105137467A
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English (en)
Inventor
岩城裕司
久保田大介
林健太郎
Original Assignee
半導體能源研究所股份有限公司
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Filing date
Publication date
Application filed by 半導體能源研究所股份有限公司 filed Critical 半導體能源研究所股份有限公司
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Abstract

提供一種能夠進行鮮明的顯示及低耗電量的顯示的顯示裝置。該顯示裝置具有：具有生成第一至第三顯示資料的功能的演算電路、第一顯示部、以及第二顯示部。
前述演算電路具有如下功能：在生成的第一顯示資料中，檢測出彩色區域及灰階區域，基於前述檢測出的結果，生成對應於顯示在第一顯示部上的影像的第二顯示資料、及對應於顯示在第二顯示部上的影像的第三顯示資料的功能。

Description

顯示裝置及其動作方法，以及電子機器
本發明的一態樣係有關於一種顯示裝置及其動作方法，以及電子機器。
然而，本發明的一態樣不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一態樣的技術領域係有關於物體、方法、或製造方法。另外，本發明的一態樣係有關於製程(process)、機器(machine)、製造(manufacture)、或者組合物(composition of matter)。因此，更具體而言，作為本說明書等所公開的本發明的一態樣的技術領域，例如可以是半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、這些裝置的驅動方法或這些裝置的製造方法。
已知有將進行面發光的光源作為背光源使用，並藉由與透過型液晶顯示裝置作組合，來達到降低耗電力且抑制顯示品質的下降的液晶顯示裝置(參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2011- 248351號公報
本發明的一態樣的目的之一是提供一種能夠以高明亮度進行顯示的顯示裝置以及其動作方法。另外，本發明的一態樣的目的之一是提供一種能夠以高對比度進行顯示的顯示裝置以及其動作方法。另外，本發明的一態樣的目的之一是提供一種能夠進行鮮明的顯示的顯示裝置以及其動作方法。另外，本發明的一態樣的目的之一是提供一種耗電量低的顯示裝置以及其動作方法。另外，本發明的一態樣的目的之一是提供一種具有能夠長期間保持顯示資料的畫素的顯示裝置以及其動作方法。另外，本發明的一態樣的目的之一是提供一種能夠經過簡易的製程來製造的顯示裝置以及其動作方法。另外，本發明的一態樣的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置以及其動作方法。
此外，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。此外，本發明的一態樣並不需要達到上述所有目的。另外，可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載得知並衍生出上述以外的目的。
本發明的一態樣是一種顯示裝置，該顯示裝置具有：第一電路、第二電路、第一顯示部以及第二顯示 部；其中，第一電路具有：生成第一顯示資料的功能、檢測出第一顯示資料的彩色區域及第一顯示資料的灰階區域的功能、基於與第一顯示資料的彩色區域有關的資料及與第一顯示資料的灰階區域有關的資料，來生成第二顯示資料及第三顯示資料的功能、將第二顯示資料發送到第二電路的功能、以及將第三顯示資料發送到第二電路的功能；第二電路具有：將從第一電路接收的第二顯示資料發送到第一顯示部的功能、以及將從第一電路接收的第三顯示資料發送到第二顯示部的功能；第一顯示部具有顯示對應於第二顯示資料的影像的功能；第二顯示部具有顯示對應於第三顯示資料的影像的功能；第一顯示部與第二顯示部係層積設置。
另外，該顯示裝置還可以具有第三電路及第四電路；其中第二電路具有：將從第一電路接收的第二顯示資料寫入到第三電路的功能、將從第三電路讀出的第二顯示資料發送到第一顯示部的功能、將從第一電路接收的第三顯示資料寫入到第四電路的功能、以及將從第四電路讀出的第三顯示資料發送到第二顯示部的功能；第三電路具有保持第二顯示資料的功能；第四電路具有保持第三顯示資料的功能。
另外，本發明的一態樣是一種顯示裝置，該顯示裝置具有：第一電路、第二電路、第三電路、第一顯示部以及第二顯示部；第一電路具有：生成第一顯示資料的功能、檢測出第一顯示資料的彩色區域及第一顯示資料 的灰階區域的功能、基於與第一顯示資料的彩色區域有關的資料及與第一顯示資料的灰階區域有關的資料，來生成第二顯示資料及第三顯示資料的功能、將第二顯示資料發送到第二電路的功能、以及將第三顯示資料發送到第三電路的功能；第二電路具有將從第一電路接收的第二顯示資料發送到第一顯示部的功能；第三電路具有將從第一電路接收的第三顯示資料發送到第二顯示部的功能；第一顯示部具有顯示對應於第二顯示資料的影像的功能；第二顯示部具有顯示對應於第三顯示資料的影像的功能；第一顯示部與第二顯示部係層積設置。
另外，該顯示裝置還可以具有第四電路及第五電路；其中第二電路具有：將從第一電路接收的第二顯示資料寫入到第四電路的功能、以及將從第四電路讀出的第二顯示資料發送到第一顯示部的功能；第三電路具有：將從第一電路接收的第三顯示資料寫入到第五電路的功能、以及將從第五電路讀出的第三顯示資料發送到第二顯示部的功能；第四電路具有保持第二顯示資料的功能；第五電路具有保持第三顯示資料的功能。
另外，第一顯示部可以具有排列為矩陣狀的複數第一畫素；第二顯示部可以具有與複數第一畫素的行數及列數相同的複數第二畫素；其中第一電路具有：將第一顯示資料分割為與第一畫素的個數及第二畫素的行數及列數相同的第一區域的功能、藉由光柵掃描檢測出灰階或彩色的第一區域的功能、對藉由光柵掃描檢測出的第一區 域進行標記的功能、藉由以進行了標記的第一區域為中心的k鄰近搜索(k為整數)，檢測出具有與第一區域不同的座標的灰階或彩色的第一區域的功能、以及對藉由k鄰近搜索所檢測出的第一區域進行標記的功能。
另外，k也可以為8或4。
另外，第一電路也可以具有對已進行標記的第一區域進行計數的功能。
另外，第二顯示資料也可以具有與第一顯示資料的彩色區域有關的資訊；第三顯示資料也可以具有與第一顯示資料的灰階區域有關的資訊。
另外，該顯示裝置還可以具有第六電路，該第六電路具有檢測出外光的照度的功能；當外光的照度為第一照度以上時，第二顯示資料及第三顯示資料具有與第一顯示資料的彩色區域有關的資訊；當外光的照度低於第一照度時，只有第二顯示資料具有與第一顯示資料的彩色區域有關的資訊；當外光的照度為第二照度以上時，只有第三顯示資料具有與第一顯示資料的灰階區域有關的資訊；當外光的照度低於第二照度時，第二顯示資料及第三顯示資料具有與第一顯示資料的灰階區域有關的資訊。
另外，第一電路也可以具有將第一顯示資料的彩色區域轉換為灰階區域，而基於轉換為灰階區域的第一顯示資料來生成第三顯示資料的功能。
第一電路也可以藉由NTSC加權平均法將第一顯示資料的彩色區域轉換為灰階。
另外，第一顯示部也可以具有第一顯示元件，第二顯示部也可以具有第二顯示元件，第一顯示元件也可以具有發光層；第二顯示元件也可以具有液晶層。
發光層也可以為有機EL層。
另外，本發明的一態樣是一種顯示裝置的動作方法，該顯示裝置使用變數及計數器，計數器由複數配列變數構成。該顯示裝置的動作方法具有如下步驟：在第一步驟中，生成顯示資料；在第二步驟中，將顯示資料分割為矩陣狀的區域；在第三步驟中，使變數及計數器初始化；在第四步驟中，藉由光柵掃描檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域；當在第四步驟所檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域的情況下，在第五步驟中，中斷光柵掃描；在第六步驟中，在第四步驟所檢測出的是灰階，且沒有進行標記的區域中，將變數作為標記號碼的標記，來進行標記；在第七步驟中，使變數包含在索引(index)中的配列變數增值；在第八步驟中，以第六步驟中已進行標記的區域為中心，並藉由進行八鄰近搜索或四鄰近搜索，來檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域；當在第八步驟中，檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域的情況，回到第六步驟；當在第八步驟沒有檢測是灰階，且沒有進行標記的區域的情況，在第九步驟中使變數增值；在第十步驟中，再次從第五步驟中斷光柵掃描的區域開始光柵掃描來檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域；當在第十步驟中檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域的情況下，回到第 五步驟。
另外，具有：本發明的一態樣的顯示置、操作鍵的電子機器，也屬於本發明的一態樣。
藉由本發明的一態樣，可以提供一種能夠以高明亮度進行顯示的顯示裝置以及其動作方法。或是，可以提供一種能夠以高對比進行顯示的顯示裝置以及其動作方法。或是，可以提供一種能夠進行鮮明的顯示的顯示裝置以及其動作方法。或是，可以提供一種耗電量低的顯示裝置以及其動作方法。或是，可以提供一種具有能夠長期間保持顯示資料的畫素的顯示裝置以及其動作方法。或是，可以提供一種能夠經過簡易的製程製造的顯示裝置以及其動作方法。或是，可以提供一種新穎的顯示裝置以及其動作方法。
此外，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。此外，本發明的一態樣並不需要具有上述所有效果。此外，從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載來看，也可以明白除了這些效果以外的效果，從而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中衍生出除了這些效果以外的效果。
10‧‧‧顯示裝置
11‧‧‧演算電路
12‧‧‧光感測器
13‧‧‧IC
13a‧‧‧IC
13b‧‧‧IC
14‧‧‧顯示部
14a‧‧‧顯示部
14b‧‧‧顯示部
15‧‧‧時序控制器
15a‧‧‧時序控制器
15b‧‧‧時序控制器
16a‧‧‧圖框記憶體
16b‧‧‧圖框記憶體
17a‧‧‧源極驅動器
17b‧‧‧源極驅動器
18a‧‧‧閘極驅動器
18b‧‧‧閘極驅動器
19‧‧‧畫素
19a‧‧‧畫素
19b‧‧‧畫素
20‧‧‧顯示元件
21‧‧‧電晶體
22‧‧‧電晶體
23‧‧‧電容元件
30‧‧‧顯示元件
31‧‧‧電晶體
32‧‧‧電容元件
40‧‧‧區域
51‧‧‧基板
61‧‧‧基板
64‧‧‧電路
65‧‧‧配線
72‧‧‧FPC
100‧‧‧顯示面板
111a‧‧‧導電層
111b‧‧‧導電層
112‧‧‧液晶
113‧‧‧導電層
117‧‧‧絕緣層
121‧‧‧絕緣層
130‧‧‧偏光板
132‧‧‧遮光層
133a‧‧‧配向膜
133b‧‧‧配向膜
134‧‧‧著色層
141‧‧‧黏著層
142‧‧‧黏著層
191‧‧‧導電層
192‧‧‧EL層
193a‧‧‧導電層
193b‧‧‧導電層
201‧‧‧電晶體
204‧‧‧連接部
205‧‧‧電晶體
206‧‧‧電晶體
207‧‧‧連接部
211‧‧‧絕緣層
212‧‧‧絕緣層
213‧‧‧絕緣層
214‧‧‧絕緣層
215‧‧‧絕緣層
216‧‧‧絕緣層
217‧‧‧絕緣層
220‧‧‧絕緣層
221‧‧‧導電層
222‧‧‧導電層
223‧‧‧導電層
224‧‧‧導電層
231‧‧‧半導體層
242‧‧‧連接層
243‧‧‧連接體
251‧‧‧開口
252‧‧‧連接部
705‧‧‧絕緣層
706‧‧‧電極
707‧‧‧絕緣層
708‧‧‧半導體層
710‧‧‧絕緣層
711‧‧‧絕緣層
714‧‧‧電極
715‧‧‧電極
722‧‧‧絕緣層
723‧‧‧電極
726‧‧‧絕緣層
727‧‧‧絕緣層
728‧‧‧絕緣層
729‧‧‧絕緣層
741‧‧‧絕緣層
742‧‧‧半導體層
744a‧‧‧電極
744b‧‧‧電極
746‧‧‧電極
755‧‧‧雜質
771‧‧‧基板
772‧‧‧絕緣層
810‧‧‧電晶體
811‧‧‧電晶體
820‧‧‧電晶體
821‧‧‧電晶體
825‧‧‧電晶體
830‧‧‧電晶體
831‧‧‧電晶體
840‧‧‧電晶體
841‧‧‧電晶體
842‧‧‧電晶體
843‧‧‧電晶體
844‧‧‧電晶體
845‧‧‧電晶體
846‧‧‧電晶體
847‧‧‧電晶體
1000‧‧‧顯示模組
1001‧‧‧上蓋
1002‧‧‧下蓋
1003‧‧‧FPC
1004‧‧‧觸控面板
1005‧‧‧FPC
1006‧‧‧顯示面板
1009‧‧‧框架
1010‧‧‧印刷電路板
1011‧‧‧電池
2000‧‧‧可攜式資訊終端
2001‧‧‧框體
2002‧‧‧框體
2003‧‧‧顯示部
2004‧‧‧顯示部
2005‧‧‧鉸鏈部
2010‧‧‧可攜式資訊終端
2011‧‧‧框體
2012‧‧‧顯示部
2013‧‧‧操作按鈕
2014‧‧‧外部連接埠
2015‧‧‧揚聲器
2016‧‧‧麥克風
2017‧‧‧相機
2020‧‧‧照相機
2021‧‧‧框體
2022‧‧‧顯示部
2023‧‧‧操作按鈕
2024‧‧‧快門按鈕
2026‧‧‧鏡頭
[圖1]說明顯示裝置的方塊圖。
[圖2]說明顯示裝置的方塊圖。
[圖3]說明顯示裝置的方塊圖。
[圖4]說明畫素電路的電路圖。
[圖5]說明顯示裝置的動作的流程圖。
[圖6]說明顯示裝置的動作的流程圖。
[圖7]說明顯示資料的狀態的圖。
[圖8]說明顯示資料的狀態的圖。
[圖9]說明顯示裝置的動作的流程圖。
[圖10]說明顯示資料的狀態的圖。
[圖11]說明四鄰近搜索的圖。
[圖12]說明顯示裝置的動作的流程圖。
[圖13]說明顯示裝置的斜視圖。
[圖14]說明顯示裝置的剖面圖。
[圖15]說明開口部的位置的俯視圖。
[圖16]說明電晶體的剖面圖。
[圖17]說明電晶體的剖面圖。
[圖18]說明電晶體的剖面圖。
[圖19]說明顯示模組的圖。
[圖20]說明電子機器的圖。
以下，參照圖式對本發明的一態樣進行說明。但是，本發明的一態樣可以藉由複數不同態樣而實 施，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解其形態和詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍下可以被變換成各似各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在下面所記載的內容中。
在本說明書等所添附的圖式中，根據構成要素的功能作分類，將方塊圖以互相獨立的方塊作表示，但是，實際上的構成要素難以根據其功能清楚地劃分，而一個構成要素有時也與複數功能相關。
在本說明書等中，電晶體所具有的源極和汲極的名稱，會根據電晶體的極性及施加到各端子的電位的高低互相調換。一般而言，在n通道型電晶體中，將施加低電位的端子稱為源極，而將施加高電位的端子稱為汲極。另外，在p通道型電晶體中，將施加低電位的端子稱為汲極，而將施加高電位的端子稱為源極。在本說明書等中，儘管為方便起見，在一些情況下假設源極和汲極是固定的來描述電晶體的連接關係，但是實際上會根據上述電位的關係來互換源極和汲極的名稱。
在本說明書等中，電晶體的源極，是指作為活性層作用的半導體膜的一部分的源極區域，或與上述半導體膜連接的源極電極。同樣地，電晶體的汲極，是指上述半導體膜的一部分的汲極區域，或與上述半導體膜連接的汲極電極。另外，閘極是指閘極電極。
在本說明書等中，電晶體串聯連接的狀態，是指例如第一電晶體的源極或汲極的僅一個，與第二電晶 體的源極或汲極的僅一個連接的狀態。此外，電晶體並聯連接的狀態，是指第一電晶體的源極或汲極的一個，與第二電晶體的源極或汲極的一個連接，且第一電晶體的源極或汲極的另一個與第二電晶體的源極或汲極的另一個連接的狀態。
在本說明書等中，連接是指電連接，並相當於能夠供應或傳送電流、電壓、或電位的狀態。因此，所謂的連接狀態並不一定必須是指直接連接的狀態，而在其範疇內還具有以能夠供應或傳送電流、電壓、或電位的方式，藉由配線、電阻、二極體、電晶體等電路元件間接地連接的狀態。
即使當在本說明書等中，在電路圖上獨立的構成要素彼此連接時，實際上，也有一個導電膜兼具有複數個構成要素的功能的情況，例如配線的一部分作為電極作用的情形等。本說明書等中的連接，其範疇內具有這種一個導電膜兼具有複數個構成要素的功能的情況。
例如，在本說明書等中，當明確地記載為“X與Y連接”時，X與Y電連接的情況、X與Y在功能上連接的情況、以及X與Y直接連接的情況都視為本說明書等所公開的內容。因此，規定的連接關係，不侷限於例如圖式或文中所示的連接關係，圖式或文中所示的連接關係以外的連接關係也視為記載於圖式或文中。
在此，X和Y為對象物(例如，裝置、元件、電路、配線、電極、端子、導電膜、層等)。
作為X與Y直接連接的情況的一個例子，是在X與Y之間能夠電連接的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)在X與Y之間未連接的情形，即不通過能在X與Y之間電連接的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)，使X與Y連接的情況。
作為X和Y電連接的情況的一個例子，是1個以上的在X和Y之間能夠電連接的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件、負載等)，被連接在X與Y之間的情形。此外，開關具有控制導通或關閉的功能。換言之，開關具有成為導通狀態(開啟狀態)或者是非導通狀態(關閉狀態)，因而控制電流流過或不流過的功能。或者，開關具有選擇並切換電流路徑的功能。另外，X和Y電連接的情況也包含X與Y直接連接的情況。
作為X和Y在功能上連接的情況的一個例子，可以是連接1個以上的在X和Y之間能夠在功能上連接的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉換電路(DA轉換電路、AD轉換電路、γ(伽瑪)校正電路等)、電位位準轉換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位位準的位準轉移器電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大 器、差動放大電路、源極跟隨器電路、緩衝器電路等)、信號生成電路、記憶體電路、控制電路等)在X與Y之間。此外，作為一例，即使在X與Y之間存在有其他電路，當從X輸出的訊號傳送到Y時，也可以視為X與Y是在功能上連接。另外，X與Y在功能上連接的情況也包含：X與Y直接連接的情況、及X與Y電連接的情況。
此外，當明確地記載為“X與Y電連接”時，X與Y電連接的情況(換言之，在X與Y中間存在有其他元件或其他電路連接的情況)、X與Y在功能上連接的情況(換言之，在X與Y中間存在有其他電路在功能上連接的情況)、以及X與Y直接連接的情況(換言之，在X與Y中間不存在有其他元件或其他電路連接的情況)都視為本說明書所揭示的內容。換言之，當明確記載為“電連接”的情況，與單純明確記載“連接”的情況相同的內容，都視為在本說明書等中公開的內容。
此外，例如，在電晶體的源極(或第一端子等)通過Z1(或沒有通過Z1)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)通過Z2(或沒有通過Z2)與Y電連接的情況，以及在電晶體的源極(或第一端子等)與Z1的一部分直接連接，Z1的另一部分與X直接連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Z2的一部分直接連接，Z2的另一部分與Y直接連接的情況，可以由以下的方式表現。
例如，可以表示為「X、Y、電晶體的源極 (或第一端子等)與汲極(或第二端子等)互相電連接，並依X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y的順序電連接」。或者，可以表示為「電晶體的源極(或第一端子等)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Y電連接，且是以X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y的順序電連接」。或者，可以表示為「X通過電晶體的源極(或第一端子等)及汲極(或第二端子等)與Y電連接，且是以X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y的順序設置」。藉由使用與該等例子相同的表示方法，規定有關電路構成中的連接順序，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)與汲極(或第二端子等)，因而決定其技術範圍。
或者，作為其他的表示方法，例如可以表示為「電晶體的源極(或第一端子等)，至少通過第一連接路徑與X電連接，上述第一連接路徑不具有第二連接路徑，上述第二連接路徑是通過電晶體的電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)之間的路徑，上述第一連接路徑是通過Z1的路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少通過第三連接路徑與Y電連接，上述第三連接路徑不具有上述第二連接路徑，上述第三連接路徑是通過Z2的路徑」。或者，也可以表示為「電晶體的源極(或第一端子等)至少在第一連接路徑上通過Z1與X電連接，上述第一連接路徑不具有第二連接路徑，上 述第二連接路徑具有通過電晶體的連接路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少在第三連接路徑上通過Z2與Y電連接，上述第三連接路徑不具有上述第二連接路徑」。或者，也可以表示為「電晶體的源極(或第一端子等)至少在第一電路徑上通過Z1與X電連接，上述第一電路徑不具有第二電路徑，上述第二電路徑是從電晶體的源極(或第一端子等)到電晶體的汲極(或第二端子等)的電路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少在第三電路徑上通過Z2與Y電連接，上述第三電路徑不具有第四電路徑，上述第四電路徑是從電晶體的汲極(或第二端子等)到電晶體的源極(或第一端子等)的電路徑」。藉由使用與這些例子同樣的表現方法，來規定有關電路構成中的連接路徑，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)和汲極(或第二端子等)，因而決定其技術範圍。
此外，這種表示方法僅為一個例子，不侷限於上述表示方法。在此，X、Y、Z1、及Z2為對象物(例如，裝置、元件、電路、配線、電極、端子、導電膜、及層等)。
另外，即使在電路圖上獨立的構成要素彼此電連接，也有一個構成要素兼有複數構成要素的功能的情形。例如，在配線的一部分作為電極功能時，一個導電膜兼有配線和電極的兩個構成要素的功能。因此，本說明書中的“電連接”的範疇內還具有這種一個導電膜兼有複數構成要素的功能的情況。
(實施形態1)
在本實施形態中，參照圖式對本發明的一態樣的顯示裝置的構成例進行說明。
本發明的一態樣係關於一種顯示裝置及其動作方法，具有：具有生成第一顯示資料至第三顯示資料的功能的演算電路、第一顯示部、第二顯示部。演算電路具有：在生成的第一顯示資料中，檢測出彩色區域、及灰階區域，基於該檢測出的結果，生成對應於顯示在第一顯示部的影像的第二顯示資料、及對應於顯示在第二顯示部的影像的第三顯示資料的功能。
圖1(A)是表示作為本發明的一態樣的顯示裝置即顯示裝置10的構成例的方塊圖。顯示裝置10具有：演算電路11、光感測器12、IC13a、IC13b、顯示部14a、顯示部14b。IC13a具有：時序控制器15a、圖框記憶體16a、源極驅動器17a、閘極驅動器18a。IC13b具有：時序控制器15b、圖框記憶體16b、源極驅動器17b、閘極驅動器18b。在顯示部14a中設置有排列成矩陣狀的複數畫素19a，在顯示部14b中設置有排列成矩陣狀的複數畫素19b。此外，在本說明書等中，將顯示部14a及顯示部14b合稱為顯示部14。
畫素19a具有第一顯示元件，畫素19b具有第二顯示元件。作為第一顯示元件，雖詳細將於後述，但例如可以使用具有發光層，且利用從該發光層所發出的光 來進行顯示的元件。因此上述元件所射出光，因其亮度及色度不被外光所左右，所以可以進行廣色域且高對比度的顯示。也就是說，可以進行鮮明的顯示。由此，特別是在進行彩色顯示時，較佳為藉由具有第一顯示元件的畫素19a來進行。此外，可以控制第一顯示元件的亮度使其不被外光的照度所左右。由此，特別是在外光暗的情況下，較佳為使用具有第一顯示元件的畫素19a來進行顯示。作為第一顯示元件，例如可以使用LED(Light Emitting Diode)、有機EL(Electro Luminescence)元件、及無機EL元件等。
具有畫素19a的顯示部14a，雖將於之後詳述，但例如使用呈現白色光的發光元件來作為第一顯示元件，且在畫素19a設置吸收特定顏色的光的著色層，可以進行彩色顯示。
畫素19a可以採用具有子畫素的構成。例如，如圖1(B)所示，畫素19a可以採用具有子畫素19a(R)、子畫素19a(G)、以及子畫素19a(B)的三種子畫素的構成。例如，在子畫素19a(R)、子畫素19a(G)、及子畫素19a(B)可以分別設置呈現白色發光的發光元件，再來可以對子畫素19a(R)設置透過紅色(波長為620nm以上且750nm以下)光的著色層，對子畫素19a(G)設置透過綠色(波長為500nm以上且小於570nm)光的著色層，對子畫素19a(B)設置透過藍色(波長為450nm以上且小於500nm)光的著色層。藉由實現如上情況，例如子畫素19a(R)具有發 射紅色光的功能，子畫素19a(G)具有發射綠色光的功能，子畫素19a(B)具有發射藍色光的功能。另外，可以設置例如具有射出紫色(波長為380nm以上且小於450nm)、黃色(波長為570nm以上且小於590nm)、橙色(波長為590nm以上且小於620nm)等光的功能的子畫素，來代替子畫素19a(R)、子畫素19a(G)或子畫素19a(B)中的任一者，也可以附加於子畫素19a(R)、子畫素19a(G)、及子畫素19a(B)來設置。
如圖1(C)所示，除了子畫素19a(R)、子畫素19a(G)、及子畫素19a(B)以外，還可以是具有子畫素19a(W)的構成。例如，在子畫素19a(W)中設置呈現白色發光的發光元件，而不設置著色層。藉由採用上述構成，子畫素19a(W)具有射出白色光的功能。由此，畫素19a可以以高明亮度進行顯示。
此外，如圖1(D)所示，顯示部14a所具有的畫素19a的一部分，也可以是不具有子畫素19a(R)、子畫素19a(G)、及子畫素19a(B)的構成。也就是說，可以將顯示部14a所具有的畫素19a的一部分作為具有只進行白色顯示功能的畫素。藉由採用上述構成，顯示部14a可以以高明亮度進行顯示。
此外，有關顯示部14a，例如可以使第偶數行的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可以使第奇數行的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可以使第偶數列的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可 以使第奇數列的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可以使第偶數行第偶數列的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可以使第奇數行第奇數列的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可以使第偶數行第奇數列的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可以使第奇數行第偶數列的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可以使第偶數行第偶數列及第奇數行第奇數行的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可以使第偶數行第奇數列及第奇數行第偶數行的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。
例如，可以使第(a的倍數)行(a為2以上的整數)的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可以使第(b的倍數)列(b為2以上的整數)的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可以使第(a的倍數)行第(b的倍數)列的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可以使第(a的倍數+c)行(c為整數)的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可以使第(b的倍數+d)列(d為整數)的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。例如，可以使第(a的倍數+c)行第(b的倍數+d)列的畫素19a具有如圖1(D)所示的構成。
作為第二顯示元件，雖將於之後詳述，但例如可以使用將外光反射而進行顯示的元件。因為這種元件不具有發光層，所以可以在進行顯示時消耗極小的電量。由此，特別是以灰階進行的顯示，較佳為使用具有第二顯 示元件的畫素19b來進行。另外，特別是在外光明亮時，較佳為使用具有第二顯示元件的畫素19b來進行顯示。作為第二顯示元件，例如可以使用反射式液晶元件。
具有畫素19b的顯示部14b，可以不進行彩色顯示，而只進行灰階的顯示。例如，雖詳細將於後述，但藉由採用不設置著色層的構成，可以僅進行灰階顯示。由此，例如從畫素19b射出的光不會被著色層所吸收，因此畫素19b可以射出高亮度的光，從而可以進行高明亮度及高對比度的顯示。另外，顯示部14b也可以藉由設置著色層而具有進行彩色顯示的功能。
另外，顯示裝置10具有：使源極驅動器17a與同一列的複數畫素19a電連接的複數配線S1。此外，顯示裝置10具有：使源極驅動器17b與同一列的複數畫素19b電連接的複數配線S2。此外，顯示裝置10具有：使閘極驅動器18a與同一行的複數畫素19a電連接的複數配線G1。此外，顯示裝置10具有：使閘極驅動器18b與同一行的複數畫素19b電連接的複數配線G2。
演算電路11與光感測器12、時序控制器15a、及時序控制器15b電連接。時序控制器15a與圖框記憶體16a、源極驅動器17a、及閘極驅動器18a電連接。時序控制器15b與圖框記憶體16b、源極驅動器17b、及閘極驅動器18b電連接。
演算電路11為具有生成對應於由顯示部14a所顯示的影像的顯示資料V1a以及對應於由顯示部14b所 顯示的影像的顯示資料V1b的功能的電路。例如，演算電路11可以生成顯示資料V1，並基於顯示資料V1而生成顯示資料V1a及顯示資料V1b。演算電路11可以檢測出例如顯示資料V1中的灰階區域及彩色區域，基於該檢測的結果而生成顯示資料V1a及顯示資料V1b。例如，顯示資料V1a具有與顯示資料V1的彩色區域有關的資訊，顯示資料V1b具有與顯示資料V1的灰階區域有關的資訊。
在本說明書等中，灰階區域是指例如在顯示資料V1中，表示色相的各顏色的灰階值都相等的區域。另一方面，彩色區域是指非灰階區域的區域。例如，在以紅色、綠色、及藍色這三種顏色表示色相的情況下，可以將紅色、綠色、及藍色的灰階值都相等的區域稱為“灰階區域”。另外，例如在紅色、綠色、及藍色的灰階值中，一色與其他兩色之中的一者或兩者不同的話，可以稱為“彩色區域”。
作為演算電路11，例如可以使用CPU(Central Processing Unit：中央處理器)、DSP(Digital Signal Processor：數位信號處理器)以及GPU(Graphics Processing Unit：圖形處理器)等。另外，也可以將該等藉由使用FPGA(Field Programmable Gate Array：現場可程式邏輯閘配列)及FPAA(Field Programmable Analog Array：現場可程式類比配列)等的PLD(Programmable Logic Device：可程式邏輯裝置)來作為實現的構成。
光感測器12為具有檢測出外光的照度，並將對應於該照度的電位的類比信號輸出到演算電路11的功能的電路。因為顯示裝置10具有光感測器12，雖然詳細將於後述，但演算電路11可以對應於外光的照度生成顯示資料V1a及顯示資料V1b。另外，也可以不設置光感測器12。
IC13a具有使顯示部14a所具有的畫素19a等動作的功能的電路。IC13b具有使顯示部14b所具有的畫素19b等動作的功能的電路。
顯示部14a具有顯示對應顯示資料V1a的影像的功能。顯示部14b具有顯示對應顯示資料V1b的影像的功能。
時序控制器15a為具有從演算電路11接收顯示資料V1a，並將接收的顯示資料寫入到圖框記憶體16a的功能的電路。時序控制器15a為具有以規定的時序，從圖框記憶體16a讀出顯示資料，並將該顯示資料發送到源極驅動器17a的功能的電路。時序控制器15a為具有控制源極驅動器17a及閘極驅動器18a的動作的功能的電路。
時序控制器15b為具有從演算電路11接收顯示資料V1b，並將接收的顯示資料寫入到圖框記憶體16b的功能的電路。時序控制器15b為具有以規定的時序，從圖框記憶體16b讀出顯示資料，並將該顯示資料發送到源極驅動器17b的功能的電路。時序控制器15b為具有控制源極驅動器17b及閘極驅動器18b的動作的功能的電路。
另外，時序控制器15a從圖框記憶體16a讀出顯示資料V1a的時序、及時序控制器15b從圖框記憶體16b讀出顯示資料V1b的時序，例如可以由對應於圖框頻率的時脈信號來規定。例如，在圖框頻率為60Hz的情況下，時序控制器15a可以以60次/每一秒從圖框記憶體16a讀出顯示資料V1a，時序控制器15b可以以60次/每一秒從圖框記憶體16b讀出顯示資料V1b。
圖框記憶體16a為具有保持顯示資料V1a的功能的電路。圖框記憶體16b為具有保持顯示資料V1b的功能的電路。
源極驅動器17a為具有將從時序控制器15a接收的顯示資料V1a作D/A轉換，並經由配線S1發送到畫素19a的功能的電路。源極驅動器17b為具有將從時序控制器15b接收的數位信號的顯示資料V1b作D/A轉換，並經由配線S2發送到畫素19b的功能的電路。
閘極驅動器18a為具有將選擇信號經由配線G1供應到畫素19a的功能的電路。閘極驅動器18b為具有將選擇信號經由配線G2供應到畫素19b的功能的電路。
畫素19a具有顯示對應於顯示資料V1a的影像的功能。畫素19b具有顯示對應於顯示資料V1b的影像的功能。
顯示裝置10具有兩個顯示部，以及分別對應於該等兩個顯示部的兩個IC。也就是說，具有兩個時序 控制器、兩個圖框記憶體、兩個源極驅動器、及兩個閘極驅動器。由此，可以獨立地控制顯示部14a及顯示部14b，例如分別使顯示部14a及顯示部14b顯示不同的影像。例如，可以在對應於由演算電路11所生成的顯示資料的影像中，使彩色區域顯示在顯示部14a上，而使灰階區域顯示在顯示部14b上。另外，例如可以使彩色區域顯示在顯示部14a及顯示部14b的兩者上，而使灰階區域只顯示在顯示部14b上。另外，例如可以使彩色區域只顯示在顯示部14a上，而使灰階區域顯示在顯示部14a及顯示部14b的兩者上。
另外，雖詳細將於後述，但例如可以根據由光感測器12所檢測出的照度，來控制顯示在顯示部14a上的影像及顯示在顯示部14b上的影像。此外，顯示裝置10也可以具有不依賴於外光的照度而將顯示在顯示部14a上的影像和顯示在顯示部14b上的影像作任意地切換的功能。
在圖1(A)中，雖沒有層疊顯示部14a和顯示部14b，但是實際上如圖2所示，顯示部14a和顯示部14b彼此層疊。由此，畫素19a與畫素19b彼此層疊。在本說明書等中，將如圖2所示，將層疊的一組畫素19a和畫素19b稱為畫素19。此外，在圖2中省略除了顯示部14a、顯示部14b、畫素19a及畫素19b以外的要素。另外，雖在圖2中，顯示部14b設置在顯示部14a的上方，但是顯示部14b也可以設置在顯示部14a的下方。
在如圖1(A)所示的構成的顯示裝置10，雖具有：IC13a及IC13b這兩個IC，但是如圖3所示，也可以是僅具有IC13這一個IC的構成。該構成的IC13具有：時序控制器15、圖框記憶體16a、圖框記憶體16b、源極驅動器17a、源極驅動器17b、閘極驅動器18a、以及閘極驅動器18b。也就是說，是僅具有一個時序控制器的構成。由此，可以減少IC所占有的面積，從而使顯示裝置10小型化。
此外，時序控制器15與演算電路11、圖框記憶體16a、圖框記憶體16b、源極驅動器17a、源極驅動器17b、閘極驅動器18a、及閘極驅動器18b電連接。另外，時序控制器15具有如圖1(A)所示的構成的顯示裝置10中的時序控制器15a所具有的功能及時序控制器15b所具有的功能。
圖4(A)是表示出畫素19a所具有的子畫素19a(R)、子畫素19a(G)、子畫素19a(B)、及子畫素19a(W)等子畫素的構成例的電路圖。該子畫素具有：第一顯示元件20、電晶體21、電晶體22、及電容元件23等。第一顯示元件20如上所述可以是發光元件。另外，電晶體21只要具有開關功能的話，就不侷限於電晶體，而可以使用任意的元件。
電晶體21的閘極與配線G1電連接，電晶體21的源極或汲極的一個與配線S1電連接，電晶體21的源極或汲極的另一個與電容元件23的一個電極及電晶體 22的閘極電連接。電容元件23的另一個電極與配線ANODE電連接。電晶體22的源極或汲極的一個與配線ANODE電連接，電晶體22的源極或汲極的另一個與第一顯示元件20的一個電極電連接。第一顯示元件20的另一個電極與配線VCOM1電連接。另外，將電晶體21的源極或汲極的另一個、電容元件23的一個電極、及電晶體22的閘極電連接的節點稱為節點N1。
在圖4(A)中，表示出電晶體22具有夾著半導體的兩個閘極，並將該等電連接的例子。由此，可以使電晶體22所能夠流過的電流增大。
對配線G1，可以施加作為選擇信號的控制電晶體21為導通狀態或非導通狀態的信號。對配線S1，可以施加對應於顯示資料V1a，並控制電晶體22的導通狀態的信號。也就是說，藉由使電晶體21成為導通狀態，可以將節點N1的電位成為對應於顯示資料V1a的電位的配線S1的電位。由此，可以對畫素19a寫入顯示資料V1a。另外，藉由在對畫素19a寫入有顯示資料V1a的狀態，使得電晶體21成為非導通狀態，可以保持節點N1的電位。也就是說，可以保持寫入到畫素19a的顯示資料V1a。
可以分別對配線VCOM1及配線ANODE施加會生成使第一顯示元件20發光的電位差的電位。另外，藉由控制配線VCOM1的電位和配線ANODE的電位中的一者或兩者，可以控制第一顯示元件20的一個電極與另 一個電極之間的電位差。由此，可以控制由第一顯示元件20所顯示的影像的亮度。
因為當第一顯示元件20的一個電極與另一個電極之間的電位差變大時，流過第一顯示元件20的電流會變大，因此由第一顯示元件20所顯示的影像的亮度會變高。也就是說，藉由使配線VCOM1的電位與配線ANODE的電位之間的電位差變大，由第一顯示元件20所顯示的影像的亮度變高。另一方面，當第一顯示元件20的一個電極與另一個電極之間的電位差變小時，由第一顯示元件20所顯示的影像的亮度會變低。也就是說，藉由使配線VCOM1的電位與配線ANODE的電位之間的電位差縮小，使得第一顯示元件20所顯示的影像的亮度變低。
另外，可以藉由控制配線S1的電位，來控制由第一顯示元件20所顯示的影像的亮度。因為當配線S1的電位變大時，流過第一顯示元件20的電流會變大，因此由第一顯示元件20所顯示的影像的亮度會變高。另一方面，因為當配線S1的電位變小時，流過第一顯示元件20的電流會變小，因此由第一顯示元件20所顯示的影像的亮度會變低。由此，例如藉由將對應於顯示資料V1a的電位加上或減去定電位，可以控制由第一顯示元件20所顯示的影像的亮度。另外，例如藉由將對應於顯示資料V1a的電位乘以或除以常數，可以控制由第一顯示元件20所顯示的影像的亮度。
另外，配線VCOM1的電位、配線ANODE的電位、及配線S1的電位例如可以藉由圖1(A)所示的時序控制器15a、或者圖3所示的時序控制器15來控制。或者，配線VCOM1的電位及配線ANODE的電位也可以藉由圖1(A)或圖3所未圖示的電路來控制。
圖4(B)為表示畫素19b的構成例的電路圖。畫素19b具有：第二顯示元件30、電晶體31、及電容元件32等。第二顯示元件30可以如上所述使用液晶元件。另外，電晶體31只要是具有開關功能，就不侷限於電晶體，而可以使用任意的元件。
電晶體31的閘極與配線G2電連接，電晶體31的源極或汲極的一個與配線S2電連接，電晶體31的源極或汲極的另一個與電容元件32的一個電極及第二顯示元件30的一個電極電連接。電容元件32的另一個電極與配線CSCOM電連接。第二顯示元件30的另一個電極與配線VCOM2電連接。另外，將電晶體31的源極或汲極的另一個、電容元件32的一個電極、及第二顯示元件30的一個電極作電連接的節點稱為節點N2。
對配線G2，可以施加作為選擇信號將電晶體31控制成導通狀態或非導通狀態的信號。對配線S2，可以施加對應於顯示資料V1b，且控制第二顯示元件30所具有的液晶的配向狀態的信號。也就是說，藉由使電晶體31成為導通狀態，可以使節點N2的電位成為對應於顯示資料V1b的電位的配線S2的電位。由此，可以對畫素 19b寫入顯示資料V1b。另外，藉由在對畫素19b寫入有顯示資料V1b的狀態，使電晶體31成為非導通狀態，可以保持節點N2的電位。也就是說，可以保持寫入到畫素19b的顯示資料V1b。
另外，可以對配線VCOM2及配線CSCOM施加規定的電位。
畫素19b所具有的電晶體31，較佳為使用在通道形成區域中具有氧化物半導體的電晶體(以下，也稱為OS電晶體)。氧化物半導體，雖詳細將於後述，但因為與矽等半導體相比能隙較大，此外，也可以降低載子密度，因此OS電晶體的關閉電流(off-state current)極小。由此，在將OS電晶體用於電晶體31的情況下，與使用在通道形成區域中具有矽的電晶體(以下，也稱為Si電晶體)等的情況相比，可以長期間保持節點N2的電位。由此，可以減少重新對畫素19b寫入顯示資料V1b的動作的更新動作的頻率，從而可以降低顯示裝置10的耗電量。
另外，可以將OS電晶體用於畫素19a所具有的電晶體21。在此情況下，與將Si電晶體等用於電晶體21的情況相比，可以長期間保持節點N1的電位。由此，可以減少重新對畫素19a寫入顯示資料V1a的動作的更新動作的頻率，從而可以降低顯示裝置10的耗電量。
另外，也可以將OS電晶體用於畫素19a所具有的電晶體22。除了電晶體22以外，還將OS電晶體用 於上述電晶體21及電晶體31，因而可以將畫素19所具有的電晶體全部形成在同一層。由此，可以使顯示裝置10的製程簡化。
接著，使用圖5(A)所示的流程圖等對有關顯示裝置10的動作方法的一個例子作說明。
首先，藉由演算電路11生成顯示資料V1(步驟S01)。在此，顯示資料V1是對應於由顯示部14a所顯示的影像的顯示資料V1a及對應於由顯示部14b所顯示的影像的顯示資料V1b的成為基本的顯示資料。接著，藉由演算電路11對顯示資料V1進行掃描，檢測出彩色區域及灰階區域(步驟S02)。關於檢測出彩色區域及灰階區域的檢測方法的具體例子，後面將進行說明。
接著，藉由光感測器12檢測出外光的照度(步驟S03)。因應由光感測器12所檢測出的外光的照度，生成顯示資料V1a及顯示資料V1b。
圖5(B)是說明有關顯示顯示資料V1的彩色區域的顯示部的流程圖。如圖5(B)所示，判斷由步驟S03所檢測出的外光的照度是否在照度E1以上(步驟S11)，若在照度E1以上的情況，由顯示部14a及顯示部14b來顯示彩色區域(步驟S12)。也就是說，顯示資料V1a和顯示資料V1b的兩者都包含與顯示資料V1的彩色區域有關的資訊。另一方面，當由步驟S03所檢測出的外光的照度低於照度E1的情況，只由顯示部14a顯示彩色區域(步驟S13)。也就是說，顯示資料V1a只包含與顯示資料V1的 彩色區域有關的資訊。
在由顯示部14a及顯示部14b進行彩色區域的顯示的情況，較佳為在生成顯示資料V1b之前，就將顯示資料V1的彩色區域轉換為灰階區域。例如，較佳的是，在基於顯示資料V1生成顯示資料V1a之後，將顯示資料V1的彩色區域轉換為灰階區域，基於轉換為灰階的顯示資料V1來生成顯示資料V1b。另外，例如藉由演算電路11可以進行從顯示資料V1中的彩色區域到灰階區域的轉換。
在彩色區域中，雖表示色相的各顏色的灰階值不同，但是在灰階區域中，表示色相的各顏色的所有灰階值都相等。在這裡，例如可以藉由規定的計算式，使各顏色的灰階值成為相等，而轉換為灰階。例如，藉由NTSC(National Television System Committee)加權平均法，可以將顯示資料V1轉換成灰階的顯示資料。藉由利用NTSC加權平均法，可以在考慮被稱為“心理物理量”的根據顏色的差異，而使人感受到的明亮度的不同的情況下轉換為灰階的顯示資料。例如，在使用紅色(R)、綠色(G)、及藍色(B)的三種顏色表示色相的情況下，例如轉換成灰階之後的各顏色的灰階值Y，可以利用式(1)來計算，並對小數點後第一位進行四捨五入來求得。另外，將灰階轉換前的紅色的灰階值作為R，將灰階轉換前的綠色灰階值作為G，將灰階轉換前的藍色的灰階值作為B。
[式1]Y=0.298912×R+0.586611×G+0.114478×B (1)
例如，在以紅色256灰階(灰階值為0至255)、綠色256灰階(灰階值為0至255)、及藍色256灰階(灰階值為0至255)表示色相的情況下，例如，在利用式(1)將R=200、G=150、B=100的區域轉換為灰階時，轉換為灰階之後的灰階值Y可以如式(2)所示地求出。就是說，灰階轉換後成為R=G=B=159。
[式2]Y=0.298912×200+0.586611×150+0.114478×100=159.2…
Figure TW201801513AD00001
159 (2)
另外，在式(2)中，雖然對灰階值Y的計算值的小數點後第一位進行四捨五入，但是作為灰階值Y的計算值既可以對其小數點後第一位以下進行無條件捨去，也可以進行無條件進入。例如，在如式(2)所示的情況中，當將灰階值Y的計算值的小數點後第一位以下無條件進入時，灰階值Y為160。
另外，也可以不使用NTSC加權平均法而將彩色區域轉換成灰階區域。例如，藉由式(3)可以將彩色區域轉換成灰階區域。
Figure TW201801513AD00002
另外，在使顯示部14b具有著色層等而具有進行彩色的顯示的功能的情況下，例如當外光的照度為規定值以上時，可以將彩色區域只顯示在顯示部14b上。該規定值較佳為超過照度E1。
圖5(C)是說明有關將顯示資料V1顯示的灰階區域的顯示部的流程圖。判斷由步驟S03所檢測出的外光的照度是否在照度E’1以上(步驟S21)，在該照度為照度E’1以上的情況只由顯示部14b顯示灰階區域(步驟S22)。也就是說，只有顯示資料V1b包含與顯示資料V1的灰階區域有關的資訊。另外，在由步驟S03所檢測出的外光的照度低於照度E’1的情況時，由顯示部14a及顯示部14b顯示灰階區域(步驟S23)。也就是說，顯示資料V1a及顯示資料V1b的兩者包含與顯示資料V1的灰階區域有關的資訊。
在由顯示部14a顯示灰階區域的情況下，也可以只由圖1(C)、(D)所示的子畫素19a(W)來顯示。由此，可以降低顯示裝置10的耗電量。
在由顯示部14a及顯示部14b進行顯示之後，進行圖5(A)所示的步驟S01至步驟S03的動作，再次如圖5(B)、(C)所示，根據外光的照度由顯示部14a及顯示部14b來進行顯示。
另外，圖5(C)所示的照度E’1既可以為圖 5(B)所示的照度E1以上，也可以低於照度E1。另外，可以任意地改變照度E1及照度E’1。
藉由根據圖5(A)、(B)、(C)所示的動作方法使顯示裝置10動作，顯示裝置10即使在外光昏暗的情況下也可以進行鮮明的顯示，並且在外光明亮的情況下顯示裝置10可以使耗電量極小。
另外，在圖5(C)中，在外光的照度低於照度E’1的情況下，如圖5(D)所示，也可以進一步判斷外光的照度是否在照度E’2以上(步驟S25)。此外，使照度E’2低於照度E’1。另外，可以任意地改變照度E’2。
另外，在由步驟S03所檢測出的外光的照度低於照度E’1且在照度E’2以上的情況，由顯示部14a及顯示部14b顯示灰階區域(步驟S23)。也就是說，顯示資料V1a及顯示資料V1b的兩者包含與顯示資料V1的灰階區域有關的資訊。並且，在由步驟S03所檢測出的外光的照度低於照度E’2的情況，只由顯示部14a顯示灰階區域(步驟S26)。也就是說，只有顯示資料V1a包含與顯示資料V1的灰階區域有關的資訊。
藉由根據圖5(D)所示的動作方法使顯示裝置10動作，即使在外光昏暗的情況下也可以以高明亮度及高對比度的方式顯示灰階區域。
此外，也可以不進行利用光感測器12的外光照度檢測。在此情況下，例如較佳為只由顯示部14a來顯示彩色區域，且只由顯示部14b來顯示灰階區域。由此， 可以進行鮮明的彩色區域的顯示，並以低耗電量進行灰階區域的顯示。另外，由於可以是不設置光感測器12的構成，所以可以使顯示裝置10的製程簡化。
接著，對圖5(A)所示的步驟S02的具體動作例作說明。圖6是表示圖5(A)所示的步驟S02的具體動作例的流程圖。圖7(A)至圖7(H)及圖8(A)至圖8(F)是顯示按照圖6所示的順序使演算電路11動作時的顯示資料V1的狀態的圖。
首先，如圖7(A)所示，將由演算電路11生成的顯示資料V1分割為n行m列(n及m為自然數)的矩陣狀的區域40(步驟S02-01)。另外，在圖7(A)等所示的顯示資料V1中，將附有陰影的區域40作為灰階區域，而沒有附上陰影的區域40則作為彩色區域。
在本說明書等中，將第b行且第a列(b及a為自然數)的區域40表記為區域40(a，b)。另外，在表記為區域40(a，b)的情況下，有時會將(a，b)稱為區域40的座標。
顯示資料V1可以以對應於顯示部14所具有的畫素19的方式作分割。例如，可以一個畫素19對應於一個區域40。例如，在顯示部14中在行方向上設置有8000個畫素19且在列方向上設置有4000個畫素19的情況下，可以將顯示資料V1分割成在行方向上8000個且在列方向上4000個的區域40。
接著，藉由對分割成矩陣狀的區域40的顯示 資料V1進行光柵掃描，可以檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域40(步驟S02-02)。在本說明書等中所謂的光柵掃描是指如下動作：如圖7(B)的箭頭所示，例如，首先判斷區域40(1，1)是否為灰階，且沒有進行標記的區域，依次對同一行上的所有區域40進行相同的判斷，然後對下一行上的區域40進行相同的判斷。另外，關於標記將後面進行說明，但在這裡表示對灰階區域40附上標記的動作。
關於區域40是否為灰階區域的判斷，可以根據表示進行該判斷的區域40的色相的各顏色的灰階值來進行。例如使用紅色、綠色、及藍色這三種顏色表示區域40的色相的情況下，可以將紅色(R)、綠色(G)、及藍色(B)的灰階值都相等的區域40稱為灰階區域。例如，在使用紅色256灰階(灰階值為0至255)、綠色256灰階(灰階值為0至255)、及藍色256灰階(灰階值為0至255)表示區域40的色相的情況下，例如可以將R=200、G=200、B=200的區域40判斷為灰階區域。另外，例如可以將R=200、G=200、B=100的區域40判斷為不是灰階的區域，亦即判斷為彩色區域。
此外，不只是表示區域40的色相的各顏色的灰階值完全相等的情況，在各顏色的灰階值相近的情況下也可以將該區域40當作灰階區域。例如，在表示區域40的色相的各顏色中，灰階值最高的顏色的灰階值與灰階值最低的顏色的灰階值之間的差為規定值以下的情形，可以 將該區域40當作灰階區域。例如，與上面的說明一樣，在例如使用紅色256灰階、綠色256灰階、及藍色256灰階表示區域40的色相的情況，在三種顏色中灰階值最高的顏色的灰階值，與灰階值最低的顏色的灰階值之間的差在10以下時，可以將區域40當作灰階區域。在此情況下，例如可以將R=200、G=196、B=192的區域40當作灰階區域。
在檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域40(步驟S02-03)後，儲存該區域40的座標，並中斷光柵掃描(步驟S02-04)。將中斷光柵掃描的區域40稱為區域40(p，q)。接著，對區域40(p，q)進行標記(步驟S02-05)。另外，也可以將步驟S02-04的順序與步驟S02-05的順序調換。
在圖7(A)至圖7(H)及圖8(A)至圖8(F)等中，關於表示顯示資料V1的圖式，附有“R”的區域表示已進行了標記的區域。
接著，藉由對以區域40(p，q)為中心進行八鄰近搜索，檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域40(步驟S02-06)。在八鄰近搜索中，以規定的順序對中心的區域40的周圍的8個方向上相鄰的區域40，進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域40的判斷。也就是說，在以區域40(p，q)為八鄰近搜索的中心時，將區域40(p-1，q-1)、區域40(p，q-1)、區域40(p+1，q-1)、區域40(p-1，q)、區域40(p+1，q)、區域40(p-1，q+1)、區域40(p， q+1)、及區域40(p+1，q+1)這八個區域40作為八鄰近的區域40，以規定的順序進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域40的判斷。例如，可以從在即將對成為八鄰近搜索的中心的區域40進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域40的判斷之前，從注目區域的區域40開始依順時針方向進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域40的判斷。另外，也可以依逆時針方向從即將進行判斷之前為注目區域的區域40開始進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域40的判斷。
在本說明書等中，注目區域表示：藉由光柵掃描而進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域的判斷的區域；或者成為八鄰近搜索的中心的區域。
圖7(C)表示剛在對區域40(p，q)進行標記之後的以區域40(p，q)為中心的八鄰近的區域40。另外，圖7(C)中附上的號碼表示在八鄰近搜索中，進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域40的判斷的順序的一個例子。另外，在其它圖式中，為了表示進行判斷的順序的一個例子等，有時會附上號碼。
在即將對區域40(p，q)進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域的判斷之前，對區域40(p-1，q)也進行同樣的判斷。也就是說，在即將對區域40(p，q)進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域的判斷之前，區域40(p-1，q)是注目區域。因此，例如可以按順時針方向從區域40(p-1，q)開始進行判斷。也就是說，例如如圖7(C) 所示，可以以區域40(p-1，q-1)為八鄰近搜索的開始地點，而以區域40(p，q-1)、區域40(p+1，q-1)、區域40(p+1，q)的順序進行判斷。此外，在即將對區域40(p，q)進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域的判斷之前屬注目區域的區域40(p-1，q)，較佳為不是八鄰近搜索的開始地點，但是八鄰近搜索的開始地點也可以。
在八鄰近搜索中檢測出為灰階，且沒有進行標記的區域40的情況下，如步驟S02-05所示，對該區域40進行標記，並結束八鄰近搜索。如圖7(C)所示，區域40(p-1，q-1)、區域40(p，q-1)、及區域40(p+1，q-1)不是灰階區域，區域40(p+1，q-1)的下個進行判斷的區域40(p+1，q)是灰階，且沒有進行標記的區域。因此，對區域40(p+1，q)進行標記，結束以區域40(p，q)為中心的八鄰近搜索。圖7(D)表示對區域40(p+1，q)進行標記之後的顯示資料V1的狀態。
接著，如步驟S02-06所示，藉由以之前的步驟S02-05中進行了標記的區域40(p+1，q)為中心而進行八鄰近搜索，檢測出為灰階，且沒有進行標記的區域40。圖7(E)表示圖7(D)的狀態中的以區域40(p+1，q)為中心的八鄰近的區域40。
在即將對區域40(p+1，q)進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域的判斷之前，區域40(p，q)為成為八鄰近搜索的中心區域。也就是說，在即將對區域40(p+1，q)進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域的判 斷之前，區域40(p，q)是注目區域。因此，例如可以以順時針方向從區域40(p，q)開始進行判斷。也就是說，例如如圖7(E)所示，可以以區域40(p，q-1)為八鄰近搜索的開始地點，而按區域40(p+1，q-1)、區域40(p+2，q-1)、區域40(p+2，q)、區域40(p+2，q+1)的順序進行判斷。
如圖7(E)所示，區域40(p，q-1)、區域40(p+1，q-1)、區域40(p+2，q-1)、及區域40(p+2，q)不是灰階區域，區域40(p+2，q)的下個進行判斷的區域40(p+2，q+1)是灰階，且沒有進行標記的區域。因此，如步驟S02-05所示，對區域40(p+2，q+1)進行標記，結束以區域40(p+1，q)為中心的八鄰近搜索。圖7(F)表示對區域40(p+2，q+1)進行標記之後的顯示資料V1的狀態。
接著，如步驟S02-06所示，藉由以之前的步驟S02-05中已進行標記的區域40(p+2，q+1)為中心而進行八鄰近搜索，檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域40。圖7(G)表示圖7(F)的狀態中的以區域40(p+2，q+1)為中心的八鄰近的區域40。
在即將對區域40(p+2，q+1)進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域的判斷之前，區域40(p+1，q)為八鄰近搜索的中心區域。也就是說，在即將對區域40(p+2，q+1)進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域的判斷之前，區域40(p+1，q)是注目區域。因此，例如可以以順時針方向從區域40(p+1，q)開始進行判斷。也就是說，例如如圖7(G)所示，可以以區域40(p+2，q)為八鄰近 搜索的開始地點，而以區域40(p+3，q)及區域40(p+3，q+1)的順序進行判斷。
如圖7(G)所示，區域40(p+2，q)及區域40(p+3，q)不是灰階區域，區域40(p+3，q)的下個進行判斷的區域40(p+3，q+1)是灰階，且沒有進行標記的區域。因此，如步驟S02-05所示，對區域40(p+3，q+1)進行標記，結束以區域40(p+2，q+1)為中心的八鄰近搜索。圖7(H)表示對區域40(p+3，q+1)進行標記之後的顯示資料V1的狀態。
反復進行步驟S02-05及步驟S02-06，而對灰階區域40進行標記。圖8(A)表示剛在對區域40(p-1，q+1)進行標記之後的顯示資料V1的狀態。在圖8(A)中，箭頭表示進行標記的順序。
藉由從圖8(A)的狀態開始，如步驟S02-06所示，以區域40(p-1，q+1)為中心而進行八鄰近搜索，檢測出為灰階，且沒有進行標記的區域40。圖8(B)表示圖8(A)的狀態中的以區域40(p-1，q+1)為中心的八鄰近的區域40。
在即將對區域40(p-1，q+1)進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域的判斷之前，區域40(p-1，q+2)是成為八鄰近搜索的中心的區域。也就是說，在即將對區域40(p-1，q+1)進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域的判斷之前，區域40(p-1，q+2)是注目區域。由此，例如可以以順時針方向從區域40(p-1，q+2)開始進行判 斷。也就是說，例如如圖8(B)所示，可以以區域40(p-2，q+2)為八鄰近搜索的開始地點，而以區域40(p-2，q+1)、區域40(p-2，q)、區域40(p-1，q)、區域40(p，q)、區域40(p，q+1)的順序進行判斷。
如圖8(B)所示，區域40(p-2，q+2)、區域40(p-2，q+1)、區域40(p-2，q)、及區域40(p-1，q)不是灰階區域。另外，區域40(p，q)雖然是灰階區域，但是已進行標記。另一方面，區域40(p，q)的下個進行判斷的區域40(p，q+1)是灰階，且沒有進行標記的區域。由此，如步驟S02-05所示，對區域40(p，q+1)進行標記，結束以區域40(p-1，q+1)為中心的八鄰近搜索。圖8(C)表示對區域40(p，q+1)進行標記之後的顯示資料V1的狀態。
反復進行步驟S02-05及步驟S02-06，而對灰階區域40進行標記。在處於圖8(D)所示的狀態的情況下，即便以最後已進行標記的區域40為中心而進行八鄰近搜索，也不能檢測出為灰階，且沒有進行標記的區域(步驟S02-07)。在圖8(D)中，箭頭表示進行標記的順序。在此情況下，從步驟S02-04中中斷了光柵掃描的區域重新開始進行光柵掃描(步驟S02-08)。也就是說，如圖8(E)的箭頭所示，從區域40(p，q)重新開始光柵掃描。由此，檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域40。當檢測出該區域40後，進行步驟S02-04至步驟S02-06的動作。如果藉由八鄰近搜索不能檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域40的話，如步驟S02-08所示，就從中斷了的光柵掃 描的區域重新開始光柵掃描。
藉由進行如上動作，在如圖8(F)所示對所有區域40進行光柵掃描後，結束步驟S02(步驟S02-09及步驟S02-10)。由此，可以將附有標記的區域40判斷為灰階區域，而將沒有附上標記的區域40判斷為彩色區域。
演算電路11也可以具有對中斷了光柵掃描以後直到重新開始進行光柵掃描為止，將進行標記的區域40進行計數的功能。圖9是如下流程圖：在對中斷了光柵掃描以後直到重新開始光柵掃描為止，將進行標記的區域40進行計數的情形的圖5(A)所示的步驟S02的具體動作。在圖9所示的動作中，使用變數NR及計數器。此外，計數器例如可以是由配列變數CR[0]至配列變數CR[t](t為自然數)所構成的配列。
如圖9所示，在步驟S02-01中，將顯示資料V1分割為矩陣狀的區域40之後，使變數NR及計數器初始化(步驟S02-01a)。在此，“使變數NR初始化”例如意味著將變數NR的值設定為0。另外，“使計數器初始化”例如意味著將配列變數CR[0]至配列變數CR[t]的所有值都設定為0。
另外，在檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域40的情況下，在步驟S02-05中，藉由對該區域40附上以變數NR為標記號碼的標記來進行標記。然後，例如使配列變數CR[NR]增值，因此對附有以變數NR為標記號碼的標記的區域40的個數進行計數(步驟S02-05a)。 另外，在圖9中，“CR[NR]++”表示使配列變數CR[NR]增值。另外，“增值”意味著增加一個變數的值。
並且，如果藉由八鄰近搜索不能檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域40時，在使變數NR增值之後(步驟S02-07a)，如步驟S02-08所示，就從中斷了光柵掃描的區域重新開始光柵掃描。另外，在圖9中，“NR++”表示使變數NR增值。以上所說明的是圖9所示的動作與圖6所示的動作之間的不同點。
圖10表示依圖9所示的順序進行圖5所示的步驟S02之後的顯示資料V1的狀態的一個例子。在圖10中，附有“R0”的區域表示附上標記號碼0的標記的區域，附有“R1”的區域表示附上標記號碼1的標記的區域。藉由依圖9所示的順序進行標記，如圖10所示，可以根據計數器所具有的配列變數的值來對包含在一塊灰階區域中的區域40個數進行計數。由此，例如可以對區域40的個數為規定值以下的一塊灰階區域採用與彩色區域同樣的處理。也就是說，可以對規定的大小以下的灰階區域採用與彩色區域同樣的處理。由此，例如在壓縮顯示資料V1、顯示資料V1a、及顯示資料V1b的情況下，可以提高壓縮率，從而使容量小。
在圖6至圖9中，雖藉由八鄰近搜索檢測出為灰階，且沒有進行標記的區域40，但是不侷限於此，可以藉由k鄰近搜索(k為整數)來檢測出。例如，藉由四鄰近搜索可以檢測出是灰階，且沒有進行標記的區域 40。在圖11中，表示以區域40(p，q)為中心的四鄰近的區域40。在圖11中，對中心的區域40附有陰影。
如圖11所示，作為中心的區域40的上下左右鄰接的區域40為四鄰近的區域40。也就是說，區域40(p-1，q)、區域40(p，q-1)、區域40(p+1，q)、及區域40(p，q+1)為四鄰近的區域40。例如，從區域40(p，q-1)開始以順時針方向進行是否為灰階，且沒有進行標記的區域的判斷的情況下，可以按區域40(p，q-1)、區域40(p+1，q)、區域40(p，q+1)、及區域40(p-1，q)的順序進行判斷。
在圖6至圖10中，雖表示以對灰階區域40附上標記，而對彩色區域40沒有附上標記的方式動作的情況，但是也可以是對彩色區域40附上標記，而對灰階區域40沒有附上標記的方式動作。在此情況下，圖5所示的步驟S02的具體動作也可以將“灰階”換讀成“彩色”而適當地參照圖6至圖10。
圖12(A)是示出圖1(A)所示的構成的IC13a的動作例子的流程圖，圖12(B)是示出圖1(A)所示的構成的IC13b的動作例子的流程圖。
對有關IC13a的動作例子進行說明。如圖12(A)所示，首先，時序控制器15a從演算電路11接收顯示資料V1a(步驟S11a)。接著，時序控制器15a將接收到的顯示資料V1a寫入到圖框記憶體16a(步驟S12a)。寫入到圖框記憶體16a的顯示資料V1a被保持(步驟S13a)，時 序控制器15a以規定的時序讀出保持在圖框記憶體16a中的顯示資料V1a(步驟S14a)。時序控制器15a讀出保持在圖框記憶體16a中的顯示資料V1a的時序，可以由如上所述地例如對應於圖框頻率的時脈信號來規定。
從圖框記憶體16a讀出的顯示資料V1a，由時序控制器15a發送到源極驅動器17a(步驟S15a)。接著，源極驅動器17a將顯示資料V1a作D/A轉換(步驟S16a)。經D/A轉換的顯示資料V1a，由源極驅動器17a發送到畫素19a，由顯示部14a顯示對應於顯示資料V1a的影像(步驟S17a)。然後，回到步驟S11a，時序控制器15a從演算電路11接收顯示資料V1a。以上為IC13a的動作例。
IC13b可以如圖12(B)所示，按照與IC13a同樣的順序動作。圖12(B)所示的步驟S11b至步驟S17b分別對應於圖12(A)所示的步驟S11a至步驟S17a。
在本實施形態中，其至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式作適當地組合而實施。
(實施形態2)
在本實施形態中，參照圖式對本發明的一態樣的顯示面板的構成進行說明。
圖13是本發明的一態樣的顯示面板100的斜視概略圖。顯示面板100具有將基板51和基板61貼合在一起的構成。在圖13中，以虛線表示基板61。
顯示面板100具有：顯示部14、電路64、及配線65等。例如，對基板51設置有電路64、配線65、及作為畫素電極作用的導電層111b等。另外，在圖13中表示將IC13a、IC13b、及FPC72實裝於基板51上的例子。由此，也可以說將圖13所示的構成為具有顯示面板100、FPC72、IC13a、及IC13b的顯示模組。
在圖13表示具有圖1所示的IC13a及IC13b的構成，但是也可以採用具有圖3所示的IC13來代替IC13a及IC13b的構成。
作為電路64，例如可以使用作為閘極驅動器作用的電路。
配線65具有對顯示部及電路64供給信號及電力的功能。該信號及電力通過FPC72從外部或者從IC13a及IC13b輸入到配線65。
另外，在圖13中表示以COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合封裝)方式等，對基板51設置IC13a及IC13b的例子。另外，也可以將IC13a及IC13b以COF(Chip On Film：薄膜覆晶封裝)方式等實裝於FPC72。
圖13表示顯示部14的一部分的放大圖。在顯示部14中，以矩陣狀配置有複數顯示元件所具有的導電層111b。導電層111b具有反射可見光的功能，因而作為後述的第二顯示元件30的反射電極作用。
另外，如圖13所示，導電層111b具有開 口。並且，在比導電層111b更靠近基板51側，設置有具有發光元件的功能的第一顯示元件20。從第一顯示元件20發出的光通過導電層111b的開口射出至基板61側。
在圖14，表示分別切斷圖13中所例示的顯示面板的包含FPC72的區域的一部分、包含電路64的區域的一部分、以及包含顯示部14的區域的一部分時的剖面時的一個例子。
在顯示面板中，在基板51與基板61之間具有絕緣層220。此外在基板51與絕緣層220之間具有：第一顯示元件20、電晶體201、電晶體205、電晶體206、以及著色層134等。此外在絕緣層220與基板61之間具有具備液晶元件的功能的第二顯示元件30等。基板61及絕緣層220隔著黏著層141作黏合，基板51及絕緣層220隔著黏著層142作黏合。
電晶體206與第二顯示元件30電連接，電晶體205與第一顯示元件20電連接。由於電晶體205及電晶體206都形成在絕緣層220的基板51側的面上，所以其等可以藉由同一製程來製造。
在基板61上設置有：遮光層132、絕緣層121、及作為第二顯示元件30的共用電極作用的導電層113、配向膜133b、及絕緣層117等。絕緣層117具有作為用來保持第二顯示元件30的單元間隙的間隔物的功能。
在絕緣層220的基板51側設置有：絕緣層 211、絕緣層212、絕緣層213、絕緣層214、及絕緣層215等的絕緣層。絕緣層211的一部分作為各電晶體的閘極絕緣層作用。絕緣層212、絕緣層213、及絕緣層214以覆蓋各電晶體的方式設置。另外，以覆蓋絕緣層214的方式設置有絕緣層215。絕緣層214及絕緣層215具有作為平坦化層的功能。此外，在此雖表示了作為覆蓋電晶體等的絕緣層具有：絕緣層212、絕緣層213、及絕緣層214這三層的情況，但是並不侷限於此，既可以為四層以上，又可以為單層或兩層。另外，如果不需要，也可以不設置作為平坦化層作用的絕緣層214。
此外，電晶體201、電晶體205、及電晶體206具有：其一部分作為閘極作用的導電層221、其一部分作為源極或汲極作用的導電層222、半導體層231。在此，對加工同一導電膜可以獲得的複數層附加有相同的陰影。
第一顯示元件20為底部發射型的發光元件。第一顯示元件20具有從絕緣層220側依次層積有：導電層191、EL層192、及導電層193b的層積構造。另外，以覆蓋導電層193b的方式設置有導電層193a。導電層193b包含反射可見光的材料，導電層191及導電層193a包含使可見光透過的材料。第一顯示元件20所發出的光通過著色層134、絕緣層220、開口251、及導電層113等向基板61側射出。
第二顯示元件30為反射式液晶元件。第二顯 示元件30具有層積：導電層111a、液晶112、及導電層113的層積構造。另外，設置有與導電層111a的基板51側相接，且反射可見光的導電層111b。導電層111b具有開口251。導電層111a及導電層113包含使可見光透過的材料。另外，配向膜133a設置在液晶112與導電層111a之間，配向膜133b設置在液晶112與導電層113之間。另外，在基板61的外側的面上具有偏光板130。
在第二顯示元件30中，導電層111b具有反射可見光的功能，導電層113具有使可見光透過的功能。從基板61側入射的光藉由偏光板130產生偏振，透過導電層113、及液晶112而被導電層111b反射。然後，再次經過液晶112、及導電層113到達偏光板130。此時，可以藉由施加到導電層111b與導電層113之間的電壓，來控制液晶112的配向，進而控制光的光學調變。也就是說，可以控制通過偏光板130而射出的光的強度。
另外，也可以設置著色層使之夾在基板61與絕緣層121之間。藉此，在具有第二顯示元件30的顯示部14b中可以進行彩色的顯示。
在此，如圖14所示，較佳為在開口251設置使可見光透過的導電層111a。藉此在與開口251重疊的區域中，也與該區域以外的區域同樣地使液晶112配向，因此可以抑制在該等區域的邊界部分中產生液晶的配向不良，因而產生非意圖的漏光。
在此，作為配置在基板61的外側的面上的偏 光板130，可以使用直線偏光板，但也可以使用圓偏光板。作為圓偏光板，例如可以使用將直線偏光板和四分之一波長相位差板層積而成的偏光板。由此，能夠抑制外光反射。此外，也可以藉由根據偏光板的種類來調整用於第二顯示元件30的液晶元件的單元間隙、配向、及驅動電壓等，來實現所希望的對比度。
此外，在覆蓋導電層191的端部的絕緣層216上設置有絕緣層217。絕緣層217具有作為間隙物以抑制絕緣層220與基板51之間的距離過近的的功能。另外，當使用遮蔽遮罩(金屬遮罩)形成EL層192及導電層193a時，也可以具有抑制該遮蔽遮罩接觸被形成面的功能。另外，如果不需要則可以不設置絕緣層217。
電晶體205的源極或汲極的一個通過導電層224與第一顯示元件20的導電層191電連接。
電晶體206的源極或汲極的一個，通過連接部207與導電層111b電連接。導電層111a與導電層111b相接設置，它們彼此電連接。在此，連接部207是使設置在絕緣層220的兩面上的導電層彼此通過設於絕緣層220中的開口相連接的部分。
在基板51的不與基板61重疊的區域中設置有連接部204。連接部204通過連接層242與FPC72電連接。連接部204具有與連接部207相同的構成。在連接部204的頂面上露出與導電層111a經相同的導電膜加工而獲得的導電層。因此，通過連接層242可以使連接部204 與FPC72電連接。
在設置有黏著層141的一部分的區域，設置有連接部252。在連接部252中，與導電層111a經相同的導電膜加工而獲得的導電層，藉由連接體243與導電層113的一部分電連接。由此，可以將從連接到基板51側的FPC72輸入的信號或電位，通過連接部252供給到形成在基板61側的導電層113。
作為連接體243例如可以使用導電粒子。作為導電粒子，可以採用表面覆蓋有金屬材料的有機樹脂或二氧化矽等的粒子。作為金屬材料，較佳為使用鎳或金，因為其可以降低接觸電阻。另外，較佳為使用如在鎳上還覆蓋有金等以層狀覆蓋有兩種以上的金屬材料的粒子。另外，作為連接體243較佳為採用能夠彈性變形、或塑性變形的材料。此時，有時導電粒子，亦即連接體243有成為圖14所示的在上下方向被壓扁的形狀的情形。藉此，可以增大連接體243與電連接於該連接體的導電層之間的接觸面積，除了可以降低接觸電阻以外，也可以抑制接觸不良等問題發生。
連接體243較佳為以被黏著層141覆蓋的方式配置。例如，在進行硬化之前的黏著層141中分散連接體243即可。
在圖14中，作為電路64的例子，表示設置有電晶體201的例子。
在圖14中，作為電晶體201及電晶體205的 例子，適用由兩個閘極夾著形成有通道的半導體層231的構成。一個閘極由導電層221構成，另一個閘極由隔著絕緣層212與半導體層231重疊的導電層223所構成。藉由這種構成，可以控制電晶體的臨界電壓。此時，也可以連接兩個閘極，並藉由對該等供給同一信號來驅動電晶體。這種電晶體與其他電晶體相比，能夠提高場效應移動率，而可以增大通態電流(on-state current)。其結果，可以製造能夠高速驅動的電路。再來能夠縮小電路部的佔有面積。藉由使用通態電流大的電晶體，即使在使顯示面板大型化或高清晰化時配線數會增多，也可以降低各配線的信號延遲，並且可以抑制顯示的不均勻。
電路64所具有的電晶體與顯示部14所具有的電晶體，也可以是相同的構造。此外，電路64所具有的複數電晶體，可以都是相同的構造，或者也可以組合構造不同的電晶體來使用。另外，顯示部14所具有的複數電晶體，可以都是相同的構造，或者也可以組合構造不同的電晶體來使用。
覆蓋各電晶體的絕緣層212和絕緣層213中的至少一個，較佳為使用水或氫等雜質不容易擴散的材料。亦即，可以使絕緣層212或絕緣層213作為障壁膜作用。藉由採用這種構成，可以有效地抑制雜質從外部擴散到電晶體中，從而能夠實現信賴性高的顯示面板。
在基板61側設置有覆蓋遮光層132的絕緣層121。絕緣層121可以具有作為平坦化層的功能。因為藉 由絕緣層121可以使導電層113的表面大致平坦，能夠使液晶112的配向狀態均勻化。
對有關顯示面板100的製造方法的一個例子進行說明。例如，在具有剝離層的支撐基板上依次形成：導電層111a、導電層111b、絕緣層220之後，在形成電晶體205、電晶體206、第一顯示元件20等後，使用黏著層142將基板51與支撐基板貼合在一起。然後，在剝離層與絕緣層220、以及剝離層與導電層111a各自的界面作剝離，去除支撐基板及剝離層。此外，另外準備預先形成有遮光層132、導電層113等的基板61。接著，對基板51或基板61滴下液晶112，並由黏著層141貼合基板51和基板61，從而可以製造顯示面板100。
作為剝離層，可以適當地選擇在絕緣層220與導電層111a之間的界面生成剝離的材料。特別是，作為剝離層，可使用層積包含鎢等的高熔點金屬材料的層和包含該金屬材料的氧化物的層，作為剝離層上的絕緣層220，較佳為使用層積有複數氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽等的層。當將高熔點金屬材料用於剝離層使用時，可以提高在形成剝離層之後形成的層的形成溫度，從而可以降低雜質的濃度，並實現可靠性高的顯示面板。
作為導電層111a，較佳為使用金屬氧化物、金屬氮化物、或低電阻化的氧化物半導體等的氧化物或氮化物。在使用氧化物半導體時，將氫濃度、硼濃度、磷濃度、氮濃度、及其他雜質的濃度以及氧缺陷量中的至少一 者比用於電晶體的半導體層還高的材料，用於導電層111a即可。
以下，說明有關上述所示的各構成要素。
顯示面板所具有的基板可以使用具有平坦面的材料。在取出來自顯示元件的光之側的基板，使用使該光透過的材料。例如，可以使用玻璃、石英、陶瓷、藍寶石以及有機樹脂等的材料。
藉由使用厚度薄的基板，可以實現顯示面板的輕量化、薄型化。再者，藉由使用其厚度允許其具有可撓性的基板，可以實現具有可撓性的顯示面板。
此外，作為不取出發光之側的基板，也可以不具有透光性，所以除了上面所舉的基板之外，還可以使用金屬基板等。由於金屬基板的導熱性高，並且容易將熱傳導到基板的全體，因此能夠抑制顯示面板的局部溫度上升，因此較佳。為了獲得可撓性或彎曲性，較佳為將金屬基板的厚度設定為10μm以上且200μm以下，更佳為20μm以上且50μm以下。
作為構成金屬基板的材料並沒有特別的限制，例如，可以使用鋁、銅、鎳等金屬、或者是鋁合金或不鏽鋼等的合金等。
此外，也可以使用使金屬基板的表面氧化，或在其表面上形成絕緣膜等施加絕緣處理的基板。例如，既可以採用旋塗法或浸漬法等的塗佈法、電沉積法、蒸鍍法、或濺射法等的方法形成絕緣膜，藉由在氧環境下放置 或加熱以外，或者採用陽極氧化法等，在基板的表面形成氧化膜。
作為具有可撓性以及對可見光具有透過性的材料，例如可以是如下材料：其厚度允許其具有可撓性程度的玻璃、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等的聚酯樹脂諸、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂或聚四氟乙烯(PTFE)樹脂等。尤其較佳為使用熱膨脹係數低的材料，例如較佳為使用熱膨脹係數為30×10-6/K以下的聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、以及PET等。另外，也可以使用將有機樹脂含浸於玻璃纖維中的基板、或將無機填料混合到有機樹脂中來降低熱膨脹係數的基板。由於使用這種材料的基板的重量輕，所以使用該基板的顯示面板也可以實現輕量化。
當上述材料中含有纖維體時，纖維體使用有機化合物或無機化合物的高強度纖維。所謂的高強度纖維具體上是指拉伸彈性模量或楊氏係數高的纖維。作為代表例為聚乙烯醇類纖維、聚酯類纖維、聚醯胺類纖維、聚乙烯類纖維、芳族聚醯胺類纖維、聚對苯撐苯并雙
Figure TW201801513AD00003
唑纖維、玻璃纖維或碳纖維。作為玻璃纖維可以舉出使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。將上述纖維體以織布或不織布的狀態使用，也可以使用在該纖維體中 含浸樹脂並使該樹脂硬化而成的構造物作為可撓性基板。藉由作為具有可撓性的基板，使用由纖維體和樹脂所構成的構造物，可以提高對彎曲或因局部按壓所引起的破損的可靠性，因此較佳。
或者，可以將薄得足以具有可撓性的玻璃、金屬等用於基板。或者，也可以使用利用黏著層貼合玻璃與樹脂材料的複合材料。
也可以在具有可撓性的基板上層積保護顯示面板的表面免受損傷等的硬塗層(例如，氮化矽、氧化鋁等)、能夠分散按壓力的材質的層(例如，芳族聚醯胺樹脂層等)等。另外，為了抑制水分等導致顯示元件的使用壽命降低等，也可以在具有可撓性的基板上層積低透水性的絕緣膜。例如，可以使用氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁等無機絕緣材料。
基板也可以使用層積複數層的基板。特別是，藉由採用具有玻璃層的構成，可以提高對水或氧的阻擋性，而提供可靠性高的顯示面板。
電晶體具有：作為閘極電極作用的導電層、半導體層、作為源極電極作用的導電層、作為汲極電極作用的導電層、以及作為閘極絕緣層作用的絕緣層。上述中，表示出適用底閘極構造的電晶體的情況。
此外，對本發明的一態樣的顯示裝置所具有的電晶體的構造並沒有特別的限制。例如，可以採用平面型電晶體、交錯型電晶體、或反交錯型電晶體。此外，還 可以採用頂閘極型或底閘極型的任一種電晶體構造。或者，也可以在通道的上下設置閘極電極。
對用於電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，可以使用非晶半導體、具有結晶性的半導體(微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體、或其一部分具有結晶區域的半導體)的任一者。當使用具有結晶性的半導體時，可以抑制電晶體的特性劣化，因此較佳。
另外，作為用於電晶體的半導體材料，例如可以將第14族元素(矽、鍺等)、化合物半導體、或氧化物半導體用於半導體層。代表的是，可以適用包含矽的半導體、包含砷化鎵的半導體或包含銦的氧化物半導體等。
特別是較佳為使用能帶間隙比矽還寬的氧化物半導體。藉由使用能帶間隙比矽還寬且載子密度比矽還小的半導體材料，可以降低電晶體的關態電流，因此較佳。
特別是，作為半導體層，較佳為使用具有複數結晶部，且該結晶部的c軸配向於大致垂直於半導體層的被形成面或對半導體層的頂面的方向，並且在相鄰的結晶部之間確認不到晶界的氧化物半導體。
這種氧化物半導體因為不具有晶界，所以可以抑制因使顯示面板彎曲時的應力所導致的在氧化物半導體膜中產生縫裂的情況。因此，可以將這種氧化物半導體適用於將其彎曲而使用的可撓性顯示面板等。
另外，藉由使用這種具有結晶性的氧化物半導體作為半導體層，可以抑制電特性的變動，並實現可靠性高的電晶體。
另外，使用能帶間隙比矽還寬的氧化物半導體的電晶體，由於其低關態電流，因此能夠長期間保持儲存於與電晶體串聯的電容元件中的電荷。藉由將這種電晶體適用於畫素，能夠在維持顯示在各顯示區域的影像的灰階的同時，也能停止驅動電路。其結果是，可以實現耗電量極小的顯示裝置。
半導體層較佳為包括例如至少包含：銦、鋅及M(鋁、鈦、鎵、鍺、釔、鋯、鑭、鈰、錫、釹或鉿等金屬)的表記為In-M-Zn類氧化物的膜。另外，為了減少使用該氧化物半導體的電晶體的電特性不均勻，除了上述元素以外，較佳為還包含穩定劑(stabilizer)。
作為穩定劑，可以是上述記載為M的金屬，例如有鎵、錫、鉿、鋁、或鋯等。另外，作為其他穩定劑，可以是鑭系元素的鑭、鈰、鐠、釹、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鎦等。
作為構成半導體層的氧化物半導體，例如可以使用In-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In- Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物、In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Ga-Zn類氧化物、In-Sn-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Hf-Zn類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物。
此外，在此，In-Ga-Zn類氧化物是指作為主要成分為具有In、Ga、和Zn的氧化物，對In、Ga、Zn的比例沒有限制。此外，也可以包含In、Ga、Zn以外的金屬元素。
另外，半導體層和導電層也可以具有上述氧化物中的相同的金屬元素。藉由使半導體層和導電層為相同的金屬元素，可以降低製造成本。例如，藉由使用由相同的金屬組成的金屬氧化物靶材，可以降低製造成本。另外，也可以在對半導體層和導電層加工時使用共通的蝕刻氣體或蝕刻劑。然而，即使半導體層和導電層具有相同的金屬元素，有時其組成也會互不相同。例如，在電晶體及電容元件的製程中，會有膜中的金屬元素脫離，而成為不同的金屬組成的情形。
構成半導體層的氧化物半導體的能隙較佳為2eV以上，再較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上。如此，藉由使用能隙寬的氧化物半導體，可以降低電晶體的關態電流。
當構成半導體層的氧化物半導體為In-M-Zn氧化物時，用來形成In-M-Zn氧化物膜的濺射靶材的金屬 元素的原子數比，較佳為滿足In
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M及Zn
Figure TW201801513AD00005
M。作為這種濺射靶材的金屬元素的原子數比，較佳為In：M：Zn=1：1：1、In：M：Zn=1：1：1.2、In：M：Zn=3：1：2、4：2：4.1等。此外，所形成的半導體層的原子數比分別包含上述濺射靶材中的金屬元素的原子數比的±40%的範圍內的誤差。
作為半導體層，可以使用載子密度低的氧化物半導體膜。例如，半導體層可以使用載子密度為1×1017/cm3以下，較佳為1×1015/cm3以下，更佳為1×1013/cm3以下，進一步較佳為1×1011/cm3以下，更進一步較佳為小於1×1010/cm3，1×10-9/cm3以上的氧化物半導體。將這種氧化物半導體稱為「高純度本質」或「實質上高純度本質」的氧化物半導體。因為雜質濃度低，且缺陷能階密度低，可以說是具有穩定的特性的氧化物半導體。
此外，本發明不侷限於上述記載，可以根據所需的電晶體的半導體特性及電特性(場效移動率、臨界電壓等)來使用具有適當的組成的材料。另外，為了得到所需的電晶體的半導體特性，適當地設定半導體層的載子密度或雜質濃度、缺陷密度、金屬元素與氧的原子數比、原子間距離、密度等較佳。
另外，在構成半導體層的氧化物半導體中，包含第14族元素之一的矽或碳時，半導體層中的氧缺陷會增加，因而使該半導體層變為n型。因此，將半導體層中的矽或碳的濃度(藉由二次離子質譜分析法所測得的濃 度)設定為2×1018atoms/cm3以下，較佳為2×1017atoms/cm3以下。
另外，會有當鹼金屬及鹼土金屬與氧化物半導體結合生成載子的情況，因而使電晶體的關態電流增大。因此，將藉由二次離子質譜分析法所測得的半導體層的鹼金屬或鹼土金屬的濃度設定為1×1018atoms/cm3以下，較佳為2×1016atoms/cm3以下。
另外，當構成半導體層的氧化物半導體含有氮時，生成作為載子的電子，因載子密度增加而容易n型化。其結果，使用具有含有氮的氧化物半導體的電晶體容易變為常開特性(Normally on)。因此，在半導體層中利用二次離子質譜分析法所測得的氮濃度，較佳為5×1018atoms/cm3以下。
另外，半導體層例如也可以是非單晶構造。非單晶構造例如包含：CAAC-OS(C-Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor或者C-Axis Aligned and A-B-plane Anchored Crystalline Oxide Semiconductor)、多晶構造、微晶構造、或非晶構造。在非單晶構造中，非晶構造的缺陷態密度最高，而CAAC-OS的缺陷態密度最低。
非晶構造的氧化物半導體膜例如原子排列是無秩序的，且不具有結晶成份。或者，非晶構造的氧化物膜例如是完全的非晶構造，且不具有結晶部。
此外，半導體層也可以為具有非晶構造的區 域、微晶構造的區域、多晶構造的區域、CAAC-OS的區域和單晶構造的區域中的兩種以上的混合膜。混合膜也有例如在上述區域中，包含兩種以上的區域的單層構造或層積構造的情形。
或者，較佳為將矽用於形成電晶體的通道的半導體中。作為矽可以使用非晶矽，特別較佳為使用具有結晶性的矽。例如，較佳為使用微晶矽、多晶矽、單晶矽等。特別是，多晶矽與單晶矽相比能夠在低溫下形成，並且與單晶矽相比其具備高場效移動率及高可靠性。藉由將這種多晶半導體用於畫素可以提高畫素的開口率。另外，即使在實現具有極高解析度的顯示部的情況下，也能夠將閘極驅動電路及源極驅動電路與畫素形成在同一基板上，從而能夠減少構成電子機器的構件數量。
本實施形態所例示的底閘極構造的電晶體，由於能夠減少製程，所以較佳。此外，此時藉由使用非晶矽，其與多晶矽相比可以在更低的溫度下形成，因此作為比半導體層還下層的配線或電極的材料、基板材料，因為可以使用耐熱性低的材料，由此可以擴大材料的選擇範圍。例如，可以適當地使用極大面積的玻璃基板等。另一方面，頂閘極型電晶體容易自對準地形成雜質區域，從而可以減少特性的不均勻等，所以較佳。此時，特別是較佳為使用多晶矽或單晶矽等。
作為可用於電晶體的閘極、源極及汲極以外，構成顯示裝置的各種配線及電極等導電層的材料，可 以是鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢等金屬、或者以上述金屬為主要成分的合金等。另外，可以以單層或層積構造使用含有該等材料之膜。例如，可以是包含矽的鋁膜的單層構造、在鈦膜上層積鋁膜的兩層構造、在鎢膜上層積鋁膜的兩層構造、在銅-鎂-鋁合金膜上層積銅膜的兩層構造、在鈦膜上層積銅膜的兩層構造、在鎢膜上層積銅膜的兩層構造、依次層積鈦膜或氮化鈦膜、鋁膜或銅膜、以及鈦膜或氮化鈦膜的三層構造、以及依次層積鉬膜或氮化鉬膜、鋁膜或銅膜、以及鉬膜或氮化鉬膜的三層構造等。另外，可以使用氧化銦、氧化錫、或氧化鋅等氧化物。另外，藉由使用包含錳的銅，可以提高蝕刻時的形狀的控制性，因此較佳。
另外，作為具有透光性的導電材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加鎵的氧化鋅等導電氧化物或石墨烯。或者，可以使用金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含該金屬材料的合金材料。或者，還可以使用該金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。另外，當使用金屬材料、合金材料(或者其等的氮化物)時，可以使其薄到具有透光性。此外，可以將上述材料的疊層膜用作導電層使用。例如，藉由使用銀和鎂的合金與銦錫氧化物的疊層膜等，可以提高導電性，所以較佳。該等也可以用於構成顯示裝置的各種配線及電極等的導電層、或顯示元件所具有的導電層(被作為畫素電極及共用電極作用的導電 層)。
作為可用於各絕緣層的絕緣材料，例如可以使用：丙烯酸樹脂或環氧樹脂等樹脂、具有矽氧烷鍵的樹脂、無機絕緣材料如氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽或氧化鋁等。
另外，發光元件較佳為設置於一對透水性低的絕緣膜之間。由此，能夠抑制水等雜質進入發光元件，從而能夠抑制裝置的可靠性下降。
作為透水性低的絕緣膜，可以是氮化矽膜、氮氧化矽膜等含有氮及矽的膜以及氮化鋁膜等含有氮及鋁的膜等。另外，也可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜以及氧化鋁膜等。
例如，將透水性低的絕緣膜的水蒸氣透過量設定為1×10-5[g/(m2．day)]以下，較佳為1×10-6[g/(m2．day)]以下，更佳為1×10-7[g/(m2．day)]以下，進一步較佳為1×10-8[g/(m2．day)]以下。
作為發光元件，可以使用能夠進行自發光的元件，並且在其範疇內包含藉由電流或電壓來控制亮度的元件。例如，可以使用LED、有機EL元件、無機EL元件等。
發光元件有頂部發射型、底部發射型、或雙面發射型等。作為取出光之側的電極，使用將可見光透過的導電膜。另外，作為不取出光之側的電極，較佳為使用將可見光反射的導電膜。
在本發明的一態樣中，特別是可以採用具有底部發射構成的發光元件。
EL層至少具有發光層。作為發光層以外的層，EL層可以還具有：電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質、或雙極性物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。
EL層可以使用低分子化合物或高分子化合物的任一者，還可以包含無機化合物。構成EL層的層分別可以藉由蒸鍍法(包含真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等方法來形成。
當在陰極與陽極之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時，電洞從陽極一側注入到EL層中，而電子從陰極一側注入到EL層中。被注入的電子和電洞在EL層中再結合，使包含在EL層中的發光物質發光。
當作為發光元件適用白色發光的發光元件時，較佳為使EL層包含兩種以上的發光物質的構成。例如藉由以使兩個以上的發光物質所發的光成為互補色關係的方式，來選擇發光物質，可以獲得白色發光。例如，較佳為包含如下發光物質中的兩個以上：分別呈現R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)、Y(黃色)、O(橙色)等發光的發光物質、或呈現包含R、G、B中的兩種以上的顏色的光譜成分的發光物質。另外，較佳為適用使來自發光元件的發光的光譜，在可見光區域的波長(例如 350nm以上且750nm以下)的範圍內具有兩個以上峰值的發光元件。另外，在黃色的波長範圍中具有峰值的材料的發射光譜，較佳為在綠色及紅色的波長範圍也具有光譜成分的材料。
EL層較佳為層積包含發出一種顏色的光的發光材料的發光層與包含發射其他顏色的光的發光材料的發光層的構成。例如，EL層中的複數發光層，既可以互相接觸而層積，也可以隔著不包含任何發光材料的區域而層積。例如，可以在螢光發光層與磷光發光層之間設置包含與該螢光發光層或磷光發光層相同的材料(例如主體材料、輔助材料)，並且不包含任何發光材料的區域的構成。藉此，發光元件的製造變得容易，另外，驅動電壓可以降低。
另外，發光元件既可以是具有一個EL層的單元件，也可以是複數EL層隔著電荷產生層層積的串聯元件。
作為液晶元件，可以採用適用VA(Vertical Alignment：垂直配向)模式的液晶元件。作為垂直配向模式，可以使用MVA(Multi-Domain Vertical Alignment：多象限垂直配向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式、ASV(Advanced Super View：高級超視覺)模式等。
另外，作為液晶元件，可以採用使用各種模式的液晶元件。例如，除了VA(Vertical Alignment：垂 直配向)模式以外，可以使用TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、IPS(In-Plane-Switching：平面切換)模式、FFS(Fringe Field Switching：邊緣電場切換)模式；ASM(Axially Symmetric Aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償彎曲)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電性液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal：反鐵電液晶)模式等的液晶元件。
另外，液晶元件是利用液晶的光學調變作用來控制光的透過或非透過的元件。液晶的光學調變作用由施加到液晶的電場(包含橫向電場、縱向電場或傾斜方向電場)來控制。此外，作為用於液晶元件的液晶可以使用：熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC：Polymer Dispersed Liquid Crystal：聚合物分散液晶)、強介電性液晶、反強介電性液晶等。這些液晶材料會根據條件呈現出膽固醇相、層列相、立方相、手向列相、均質相等。
另外，作為液晶材料，可以使用正型液晶或負型液晶的任一種，可以根據所適用的模式或設計採用適當的液晶材料。
另外，為了控制液晶的配向，可以設置配向膜。此外，在採用橫向電場方式的情況下，也可以使用不使用配向膜的呈藍相的液晶。藍相是液晶相的一種，是指 當使膽固醇液晶的溫度上升時，即將從膽固醇相轉變到均質相之前出現的相。因為發現藍相只在窄的溫度範圍內出現，所以為了改善溫度範圍，將其中混合了幾重量%以上的手性試劑的液晶組合物用於液晶層。包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物，其回應速度快，並且其具有光學各向同性。此外，包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物，不需要配向處理，並且視角依存性小。另外，由於不需要設置配向膜而不需要進行摩擦處理，因此可以防止因摩擦處理而引起的靜電破壞，並可以降低製程中的液晶顯示裝置的不良、破損。
另外，作為液晶元件，可以採用透過型液晶元件、反射式液晶元件、或半透過型液晶元件。
在本發明的一態樣中，特別是可以採用反射式液晶元件。
當採用透過型液晶元件或半透過型液晶元件時，以夾著一對基板的方式設置兩個偏光板。另外，在一個偏光板的外側設置背光源。作為背光源可以是直下型背光源，也可以是邊緣照明型背光源。當使用具備LED的直下型背光源時，容易進行局部調光(local dimming)處理，由此可以提高對比，所以較佳。另外，當使用邊緣照明型背光源時，可以將包含背光源的模組的厚度降低，所以較佳。
當採用反射式液晶元件時，將偏光板設置在顯示面側。此外，當在顯示面側設置光擴散板的話，因能 提高辨識性，所以較佳。
另外，當採用反射式或半透過式的液晶元件時，也可以將前光源設置在偏光板的外側。作為前光源，可以使用邊緣照明型前光源。當使用具備LED的前光源時，可以降低耗電量，所以較佳。
作為使可見光透過的導電膜，例如可以使用：氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等來形成。另外，也可以藉由將金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀、或鈦等金屬材料、包含這些金屬材料的合金、或這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等以薄到具有透光性的程度來形成使用。此外，可以將上述材料的疊層膜作為導電層使用。例如，當使用銀和鎂的合金與銦錫氧化物的層積膜等時，可以提高導電性，所以較佳。另外，也可以使用石墨烯等。
反射可見光的導電膜，例如可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、或鈀等金屬材料、或包含這些金屬材料的合金。另外，也可以在上述金屬材料或合金中添加鑭、釹或鍺等。此外，也可以使用包含鈦、鎳或釹及鋁的合金(鋁合金)。另外，也可以使用包含銅、鈀、鎂與銀的合金。包含銀和銅的合金因具有高耐熱性，所以較佳。並且，藉由以與鋁膜或鋁合金膜接觸的方式層積金屬膜或金屬氧化物膜，可以抑制氧化。作為這種金屬膜、金屬氧化物膜的材料，可以是鈦、氧化鈦等。另外，也可以層積上述使可見光透過的導電膜與由金 屬材料構成的膜。例如，可以使用銀與銦錫氧化物的疊層膜、銀和鎂的合金與銦錫氧化物的疊層膜等。
電極分別可以藉由利用蒸鍍法或濺射法形成。除此之外，也可以藉由利用噴墨法等噴出法、網版印刷法等印刷法、或者鍍膜法形成。
另外，上述發光層以及包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質、雙極性物質等的層可以分別包含量子點等的無機化合物或高分子化合物(低聚物、枝狀聚合物、或聚合物等)。例如，藉由將量子點用於發光層，也可以將其作為發光材料作用。
作為量子點材料，可以使用膠狀量子點材料、合金型量子點材料、核殼(Core Shell)型量子點材料、核型量子點材料等。另外，也可以使用包含第12族和第16族、第13族和第15族、第14族和第16族的元素組的材料。或者，可以使用包含鎘、硒、鋅、硫、磷、銦、碲、鉛、鎵、砷、鋁等元素的量子點材料。
作為黏著層，可以使用紫外線固化黏著劑等光固化黏著劑、反應固化黏著劑、熱固性黏著劑、厭氧黏著劑等各種固化黏著劑。作為這些黏著劑，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。特別是較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。另外，也可 以使用兩液混合型樹脂。此外，也可以使用黏合薄片等。
另外，在上述樹脂中也可以包含乾燥劑。例如，可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)這種藉由化學吸附來吸附水分的物質。或者，也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附來吸附水分的物質。當在樹脂中包含乾燥劑時，能夠抑制水分等雜質進入元件，從而提高顯示面板的可靠性，所以較佳。
此外，藉由在上述樹脂中混合折射率高的填料或光散射構件，可以提高光提出效率。例如，可以使用氧化鈦、氧化鋇、沸石、鋯等。
作為連接層，可以使用異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)、異方性導電糊(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
作為能夠用於著色層的材料，可以是金屬材料、樹脂材料、包含顏料或染料的樹脂材料等。
作為能夠作為遮光層使用的材料，可以是碳黑、鈦黑、金屬、金屬氧化物、或包含複數金屬氧化物的固溶體的複合氧化物等。遮光層也可以包含樹脂材料的膜、或包含金屬等無機材料的薄膜。另外，也可以在遮光層使用包含著色層的材料的膜的層積膜。例如，可以採用包含用於使某個顏色的光透過的著色層的材料的膜、與包含用於使其他顏色的光透過的著色層的材料的膜的層積構造。藉由使著色層與遮光層的材料共通化，除了可以用相同的裝置共通化以外，還可以簡化製程，因此較佳。
以上是關於各構成要素的說明。
接著，對使用具有可撓性的基板的顯示面板的製造方法的例子進行說明。
在此，將具有顯示元件、電路、配線、電極、著色層、及遮光層等光學構件以及絕緣層等的層總稱為元件層。例如，元件層包含顯示元件，除此以外還可以包含與顯示元件電連接的配線、用於畫素或電路的電晶體等元件。
另外，在此，將在顯示元件完成(製程結束)的階段中，將支撐元件層，且具有可撓性的構件稱為基板。例如，基板中也包含其厚度為10nm以上且300μm以下的極薄的薄膜等。
作為在具有可撓性且具備絕緣表面的基板上形成元件層的方法，代表性的有如下兩種方法。一個方法是在基板上直接形成元件層的方法。還有一個方法是在與基板不同的支撐基板上形成元件層之後，將元件層與支撐基板剝離，而將元件層轉置於基板的方法。另外，在此雖沒有詳細的說明，但是除了上述兩個方法以外，還有如下方法：在沒有可撓性的基板上形成元件層，藉由研磨等使該基板變薄而使該基板具有可撓性的方法。
當構成基板的材料對元件層的形成製程中的加熱具有耐熱性時，若在基板上直接形成元件層的話，則可使製程簡化，所以較佳。此時，若在以將基板固定於支撐基板的狀態下形成元件層的話，則可使裝置內及裝置之 間的搬送變得容易，所以較佳。
另外，當採用將元件層形成在支撐基板上後，將其轉置於基板的方法時，首先在支撐基板上層積剝離層和絕緣層，在該絕緣層上形成元件層。接著，將元件層與支撐基板之間進行剝離，並將元件層轉置於基板。此時，選擇在支撐基板與剝離層的界面、剝離層與絕緣層的界面、或剝離層中會發生剝離的材料即可。在該方法中，藉由將高耐熱性材料用於支撐基板及剝離層，可以提高形成元件層時所施加的溫度的上限，從而可以形成具有更高可靠性的元件的元件層，所以較佳。
作為剝離層將包含鎢等高熔點金屬材料的層、與包含該金屬材料的氧化物的層作積層並使用，作為剝離層上的絕緣層，使用層積複數氧化矽層、氮化矽層、氧氮化矽層、氮氧化矽層等的層。在本說明書中，“氧氮化物”是指在其組成中氧含量多於氮含量的材料，而“氮氧化物”是指在其組成中氮含量多於氧含量的材料。
作為剝離元件層與支撐基板的方法，作為一例可以舉出如下方法：施加機械力量的方法、對剝離層進行蝕刻的方法、使液體滲透到剝離界面的方法等。另外，可以藉由利用形成剝離界面的兩層的熱膨脹率的差異，進行加熱或冷卻而進行剝離。
另外，當能夠在支撐基板與絕緣層的界面進行剝離時，也可以不設置剝離層。
例如，也可以使用玻璃作為支撐基板，作為 絕緣層使用聚醯亞胺等有機樹脂。此時，也可以藉由使用雷射等對有機樹脂的一部分進行局部性加熱，或者藉由使用銳利的構件，物理性地切斷或貫穿有機樹脂的一部分等來形成剝離的起點，在玻璃與有機樹脂的界面進行剝離。
另外，也可以在支撐基板與由有機樹脂構成的絕緣層之間設置發熱層，藉由對該發熱層進行加熱，由此在該發熱層與絕緣層的界面進行剝離。作為發熱層，可以使用藉由電流流過而發熱的材料、藉由吸收光而發熱的材料、藉由施加磁場而發熱的材料等各種材料。例如，作為發熱層，可以從半導體、金屬、及絕緣體中作選擇。
在上述方法中，可以將由有機樹脂構成的絕緣層作為剝離後的基板。
以上是有關可撓性顯示面板的製造方法的說明。
接著，對圖2等所示的各畫素19中的第一顯示元件20及開口251的位置進行說明。
圖15(A)是表示畫素19所具有的導電層111b的構成例的俯視圖。如同前述，導電層111b作為畫素19的液晶元件的反射電極作用。另外，在導電層111b中如同前述設置有開口251。
在圖15(A)、(B)中，方向R表示平行於圖1(A)等所示的配線G1及配線G2的方向，方向C表示平行於圖1(A)等所示的配線S1及配線S2的方向。
在圖15(A)中，以虛線表示與導電層111b重 疊的區域中的第一顯示元件20。第一顯示元件20如上所述與導電層111b所具有的開口251重疊地配置。
在圖15(A)中，在方向R上相鄰的畫素19為對應於不同顏色的畫素。此時，如圖15(A)所示，在方向R上相鄰的兩個畫素中，開口251較佳為以不配列為一列的方式設置在導電層111b的不同的位置上。由此，可以使兩個第一發光元件20分離，從而可以抑制第一發光元件20所發出的光入射到相鄰的畫素19所具有的著色層內的現象(也稱為串擾)。另外，可以使兩個第一發光元件20分離配置，因此即使利用陰影遮罩等分別形成第一發光元件20的EL層，也可以實現高解析度顯示面板。
另外，也可以採用圖15(B)所示的排列。
當開口251的總面積對於非開口部的總面積的比值過大時，使用液晶元件時的顯示會變暗。另外，當開口251的總面積相對於非開口部的總面積的比值過小時，使用第一發光元件20時的顯示會變暗。
另外，當設置於作為反射電極作用的導電層111b中的開口251的面積過小時，第一發光元件20所發出的光的取出效率會變低。
開口251的形狀例如可以為多角形、四角形、橢圓形、圓形、或十字狀等的形狀。另外，也可以為細長的條狀、狹縫狀、方格狀的形狀。另外，也可以以靠近相鄰的畫素的方式配置開口251。較佳的是，將開口251以靠近顯示相同的顏色的其他畫素配置。由此，可以 抑制串擾。
本實施形態的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式作適當地組合而實施。
(實施形態3)
在本實施形態中，參照圖式說明有關可以置換為上述實施形態所示的各電晶體而使用的電晶體的一個例子。
本發明的一態樣的顯示裝置可以使用底閘極型電晶體或頂閘極型電晶體等各種形態的電晶體來製造。因此，可以很容易地對應於既存的生產線，更換所使用的半導體層材料或電晶體構造。
圖16(A1)是底閘極型電晶體的一種的通道保護型電晶體810的剖面圖。在圖16(A1)中，電晶體810形成在基板771上。另外，電晶體810在基板771上隔著絕緣層772具有電極746。另外，在電極746上隔著絕緣層726具有半導體層742。電極746可以作為閘極電極。絕緣層726可以作為閘極絕緣層。
另外，在半導體層742的通道形成區域上具有絕緣層741。此外，在絕緣層726上具有與半導體層742的一部分接觸的電極744a及電極744b。電極744a可以作為源極電極或汲極電極的一個。電極744b可以作為源極電極或汲極電極的另一個。電極744a的一部分及電極744b的一部分形成在絕緣層741上。
絕緣層741可以作為通道保護層。藉由在通 道形成區域上設置絕緣層741，可以防止在形成電極744a及電極744b時所形成的半導體層742的露出。由此，可以防止在形成電極744a及電極744b時，半導體層742的通道形成區域被蝕刻。藉由本發明的一態樣，可以實現電特性良好的電晶體。
另外，電晶體810在電極744a、電極744b及絕緣層741上具有絕緣層728，在絕緣層728上具有絕緣層729。
例如，絕緣層772可以使用與絕緣層722或絕緣層705同樣的材料及方法形成。此外，絕緣層772也可以是複數絕緣層的層積。另外，例如，半導體層742可以使用與半導體層708同樣的材料及方法形成。此外，半導體層742也可以是複數半導體層的層積。另外，例如，電極746可以使用與電極706同樣的材料及方法形成。此外，電極746也可以是複數導電層的層積。另外，例如，絕緣層726可以使用與絕緣層707同樣的材料及方法形成。此外，絕緣層726也可以是複數絕緣層的層積。另外，例如，電極744a及電極744b可以使用與電極714或電極715同樣的材料及方法形成。此外，電極744a及電極744b也可以是複數導電層的層積。另外，例如，絕緣層741可以使用與絕緣層726同樣的材料及方法形成。此外，絕緣層741也可以是複數絕緣層的層積。另外，例如，絕緣層728可以使用與絕緣層710同樣的材料及方法形成。此外，絕緣層728也可以是複數絕緣層的層積。另 外，例如，絕緣層729可以使用與絕緣層711同樣的材料及方法形成。此外，絕緣層729也可以是複數絕緣層的層積。
本實施形態所公開的構成電晶體的電極、半導體層、絕緣層等可以使用其他實施形態所公開的材料及方法來形成。
當將氧化物半導體用於半導體層742時，較佳為使用能夠在電極744a及電極744b的至少與半導體層742接觸的部分，從半導體層742的一部分奪取氧，因而產生氧缺陷的材料。半導體層742中的產生氧缺陷的區域的載子濃度增加，該區域會n型化而成為n型區域(n+層)。因此，該區域能夠作為源極區域或汲極區域作用。當將氧化物半導體用於半導體層742時，作為能夠從半導體層742中奪取氧，而產生氧缺陷的材料的一個例子，可以是鎢、鈦等。
藉由在半導體層742中形成源極區域及汲極區域，可以降低電極744a及電極744b與半導體層742的接觸電阻。因此，可以提升場效移動率及臨界電壓等電晶體的電特性。
當將矽等半導體用於半導體層742時，較佳為在半導體層742與電極744a之間，及半導體層742與電極744b之間設置作為n型半導體或p型半導體作用的層。作為n型半導體或p型半導體的作用的層可以作為電晶體的源極區域或汲極區域作用。
另外，絕緣層729較佳為使用具有防止雜質從外部擴散到電晶體中，或者降低雜質的擴散的功能的材料。此外，根據需要也可以省略絕緣層729。
另外，當將氧化物半導體用於半導體層742時，也可以在絕緣層729形成之前、或形成之後，或者在絕緣層729形成前後進行加熱處理。藉由進行加熱處理，可以使絕緣層729或其他絕緣層中所包含的氧擴散到半導體層742中，來填補半導體層742中的氧缺陷。或者，藉由在對絕緣層729進行加熱的同時形成絕緣層729，可以填補半導體層742中的氧缺陷。
此外，一般來說，可以將CVD法分類為利用電漿的電漿CVD(PECVD：Plasma Enhanced CVD)法及利用熱的熱CVD(TCVD：Thermal CVD)法等。再者，根據所使用的原料氣體，可以分類為金屬CVD(MCVD：Metal CVD)法、有機金屬CVD(MOCVD：Metal Organic CVD)法等。
另外，一般來說，可以將蒸鍍法分類為電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、MBE(Molecular Beam Epitaxy：分子束磊晶)法、脈衝雷射沉積(PLD：Pulsed Laser Deposition)法、離子束輔助沉積(IAD：Ion Beam Assisted Deposition)法、及原子層沉積(ALD：Atomic Layer Deposition)法等。
電漿CVD法可以以較低的溫度得到高品質的膜。另外，在當成膜時利用不使用電漿的諸如MOCVD法 及蒸鍍法等的成膜方法的話，在被形成面將不容易產生損傷，由此可以獲得缺陷較少的膜。
另外，一般來說，可以將濺射法分類為DC濺射法、磁控濺射法、RF濺射法、離子束濺射法、電子迴旋共振(ECR：Electron Cyclotron Resonance)濺射法、及對向靶材式濺射法等。
在對向靶材式濺射法中，因為電漿被封閉在靶材之間，所以可以減輕對基板造成的電漿損傷。此外，根據靶材的傾斜可以使濺射粒子的相對於基板的入射角度變小，所以可以提高階段覆蓋性。
圖16(A2)所示的電晶體811在絕緣層729上具有可作為背閘極電極作用的電極723這點與電晶體810相異。電極723可以使用與電極746同樣的材料及方法來形成。
一般而言，背閘極電極使用導電層來形成，並以半導體層的通道形成區域被閘極電極與背閘極電極夾在中間的方式設置。因此，背閘極電極可以具有與閘極電極同樣的功能。背閘極電極的電位可以與閘極電極相等，也可以為接地電位(GND電位)、或任意電位。另外，藉由不跟閘極電極聯動而獨立地改變背閘極電極的電位，可以改變電晶體的臨界電壓。
電極746及電極723都可以被當成閘極電極作用。因此，絕緣層726、絕緣層728、及絕緣層729都可以被作為閘極絕緣層作用。另外，也可以將電極723設 置在絕緣層728與絕緣層729之間。
此外，當將電極746和電極723中的一個稱為“閘極電極”時，將另一個則稱為“背閘極電極”。例如，在電晶體811中，當將電極723稱為“閘極電極”時，將電極746稱為“背閘極電極”。另外，當將電極723作為“閘極電極”使用時，可將電晶體811想成是頂閘極型電晶體之一種。此外，也有將電極746和電極723中的一個稱為“第一閘極電極”，將另一個稱為“第二閘極電極”的情形。
藉由夾著半導體層742設置電極746以及電極723，並將電極746及電極723的電位設定為相同，因為半導體層742中，載子流過的區域在膜厚度方向上會變得更加擴大，所以載子的移動量增加。其結果，電晶體811的通態電流增大，並且場效移動率也增高。
因此，電晶體811是相對於佔有面積具有較大的通態電流的電晶體。也就是說，可以相對於所要求的通態電流，縮小電晶體811的佔有面積。根據本發明的一態樣，可以縮小電晶體的佔有面積。因此，根據本發明的一態樣，可以實現積體度高的半導體裝置。
另外，由於閘極電極及背閘極電極由導電層形成，因此具有使在電晶體的外部產生的電場不會影響到形成有通道的半導體層的功能(尤其是對靜電等的電場遮蔽功能)。此外，當將背閘極電極形成得比半導體層大，以藉由背閘極電極覆蓋半導體層時，能夠提高電場遮蔽功能。
另外，因為電極746及電極723分別具有屏蔽來自外部的電場的功能，所以在絕緣層772側或電極723上方所生成的帶電粒子等電荷不會影響到半導體層742的通道形成區域。其結果，可以抑制應力測試(例如，對閘極施加負的電荷的-GBT(Gate Bias-Temperature：閘極偏壓-溫度)應力測試)所導致的劣化。另外，可以減輕因汲極電壓的大小，而使通態電流開始流動的閘極電壓(上升電壓)變化的現象。而且，在電極746及電極723具有相同的電位時或不同的電位時會產生該效果。
此外，BT應力測試為加速試驗的一種，可以在短時間內評估因長時間使用所引起的電晶體的特性變化(隨時間變化)。特別是，BT應力測試前後的電晶體的臨界電壓的變動量，是用來檢查可靠性的重要指標。可以說臨界電壓的變動量越少，電晶體的可靠性則越高。
另外，藉由具有電極746及電極723，且將電極746及電極723的設定為同電位，降低臨界電壓的變動量。因此，複數電晶體中的電特性的不均勻也同時降低。
另外，具有背閘極電極的電晶體，其對閘極施加正電荷的+GBT應力測試前後的臨界電壓的變動，也比不具有背閘極電極的電晶體還小。
另外，藉由使用具有遮光性的導電膜來形成背閘極電極，能夠防止光從背閘極電極側入射到半導體層。由此，能夠防止半導體層的光劣化，並防止電晶體的 臨界電壓漂移等的電特性劣化。
根據本發明的一態樣，可以實現可靠性良好的電晶體。另外，可以實現可靠性良好的半導體裝置。
圖16(B1)表示作為底閘極型的電晶體之一的通道保護型電晶體820的剖面圖。電晶體820具有與電晶體810大致相同的構造，但在絕緣層741覆蓋半導體層742的端部這點並不相同。此外，在選擇性地去除與半導體層742重疊的絕緣層741的一部分，而形成的其他開口部，半導體層742與電極744a電連接。另外，在選擇性地去除重疊於半導體層742的絕緣層741的一部分而形成的其他開口，半導體層742與電極744b電連接。絕緣層729的與通道形成區域重疊的區域可以作為通道保護層作用。
圖16(B2)所示的電晶體821，在絕緣層729上具有可以作為背閘極電極作用的電極723這點，與電晶體820相異。
藉由設置絕緣層741，可以防止在形成電極744a及電極744b時所產生的半導體層742的露出。因此，可以防止在形成電極744a及電極744b時半導體層742的薄膜化。
另外，電晶體820及電晶體821的電極744a與電極746之間的距離及電極744b與電極746之間的距離，與電晶體810及電晶體811相比，其距離更長。因此，可以減小產生在電極744a與電極746之間的寄生電 容。此外，可以減小產生在電極744b與電極746之間的寄生電容。根據本發明的一態樣，可以實現一種電特性良好的電晶體。
圖16(C1)所示的電晶體825是底閘極型電晶體之一的通道蝕刻型電晶體。電晶體825不使用絕緣層741而形成電極744a及電極744b。因此，在形成電極744a及電極744b時所露出的半導體層742的一部分會有被蝕刻的情形。另一方面，因為不設置絕緣層741，可以提高電晶體的生產率。
圖16(C2)所示的電晶體825在絕緣層729上具有可以作為背閘極電極作用的電極723這點與電晶體825的不同。
圖17(A1)表示頂閘極型電晶體的一種的電晶體830的剖面圖。電晶體830在絕緣層772上具有半導體層742，在半導體層742及絕緣層772上具有與半導體層742的一部分相接的電極744a、以及與半導體層742的一部分相接的電極744b，在半導體層742、電極744a、及電極744b上具有絕緣層726，在絕緣層726上具有電極746。
因為在電晶體830中，電極746和電極744a不重疊，並且電極746和電極744b也不重疊，所以可以減小生成在電極746與電極744a之間的寄生電容，以及生成在電極746與電極744b之間的寄生電容。另外，在形成電極746之後，藉由將電極746作為遮罩使用並將雜 質755引入到半導體層742，可以在半導體層742中以自對準(Self-alignment)的方式形成雜質區域(參照圖17(A3))。根據本發明的一態樣，可以實現電特性良好的電晶體。
另外，可以使用離子植入裝置、離子摻雜裝置、或電漿處理裝置進行雜質755的引入。
作為雜質755，例如可以使用第13族元素和第15族元素中的至少一種元素。另外，在半導體層742使用氧化物半導體的情況下，作為雜質755，也可以使用稀有氣體、氫、和氮中的至少一種元素。
圖17(A2)所示的電晶體831具有電極723及絕緣層727這點與電晶體830相異。電晶體831具有形成在絕緣層772上的電極723、形成在電極723上的絕緣層727。電極723可以作為背閘極電極作用。因此，絕緣層727可以作為閘極絕緣層作用。絕緣層727可以使用與絕緣層726同樣的材料及方法來形成。
與電晶體811同樣，電晶體831是相對於佔有面積具有大通態電流的電晶體。亦即，可以對於所要求的通態電流，縮小電晶體831的佔有面積。根據本發明的一態樣，可以縮小電晶體的佔有面積。因此，根據本發明的一態樣，可以實現積體度高的半導體裝置。
圖17(B1)所例示的電晶體840是頂閘極型電晶體之一。電晶體840在形成電極744a及電極744b之後形成半導體層742這點與電晶體830相異。另外，圖 17(B2)所例示的電晶體841具有電極723及絕緣層727這點與電晶體840相異。在電晶體840及電晶體841中，半導體層742的一部分形成在電極744a上，半導體層742的另一部分形成在電極744b上。
與電晶體811同樣，電晶體841是相對於佔有面積具有大通態電流的電晶體。亦即，可以對於所要求的通態電流，縮小電晶體841的佔有面積。根據本發明的一態樣，可以縮小電晶體的佔有面積。因此，根據本發明的一態樣，可以實現積體度高的半導體裝置。
圖18(A1)所例示的電晶體842是頂閘極型電晶體之一。電晶體842在形成絕緣層729後形成電極744a及電極744b這點與電晶體830或840相異。電極744a及電極744b在形成在絕緣層728及絕緣層729中的開口，與半導體層742電連接。
另外，去除不與電極746重疊的絕緣層726的一部分，將電極746及剩餘的絕緣層726作為遮罩使用，將雜質755引入到半導體層742，由此可以在半導體層742中以自對準(Self-alignment)的方式形成雜質區域(參照圖18(A3))。電晶體842具有絕緣層726超過電極746的端部而延伸的區域。在對半導體層742引入雜質755時，半導體層742的藉由絕緣層726被引入雜質755的區域的雜質濃度，低於不藉由絕緣層726被引入雜質755的區域的雜質濃度。因此，在半導體層742中的與電極746鄰接的區域中形成LDD(Lightly Doped Drain：輕 摻雜汲極)區域。
圖18(A2)所示的電晶體843具有電極723這點與電晶體842相異。電晶體843具有形成在基板771上的電極723，該電極723隔著絕緣層772與半導體層742重疊。電極723可以作為背閘極電極作用。
另外，如圖18(B1)所示的電晶體844及圖18(B2)所示的電晶體845，也可以將不與電極746重疊的區域的絕緣層726全部去除。另外，如圖18(C1)所示的電晶體846及圖18(C2)所示的電晶體847，也可以留下絕緣層726。
在電晶體842乃至電晶體847，也可以在形成電極746之後，藉由將電極746作為遮罩使用而將雜質755引入到半導體層742，在半導體層742中自對準地形成雜質區域。根據本發明的一態樣，可以實現電特性良好的電晶體。另外，根據本發明的一態樣，可以實現積體度高的半導體裝置。
本實施形態的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式作適當地組合而實施。
(實施形態4)
在本實施形態中，對有關可用於本發明的一態樣所公開的電晶體中的CAC(Cloud-Aligned Composite)-OS的構成進行說明。
CAC-OS例如是指構成氧化物半導體的元素以 0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下，或者與其相近的尺寸不均勻地分佈的材料的一種構成。此外，在以下，也將在氧化物半導體中，一個或一個以上的金屬元素不均勻地分佈，且包含該金屬元素的區域以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下，或者與其相近的尺寸混合的狀態稱為馬賽克(mosaic)狀或補丁(patch)狀。
此外，氧化物半導體較佳為至少包含銦。特別是，較佳為包含銦及鋅。除此之外，也可以還包含選自鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種。
例如，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS(在CAC-OS中，特別是可以將In-Ga-Zn氧化物稱為CAC-IGZO)是指材料分成銦氧化物(以下，稱為InOX1(X1為大於0的實數))、或銦鋅氧化物(以下，稱為InX2ZnY2OZ2(X2、Y2及Z2為大於0的實數))、以及鎵氧化物(以下，稱為GaOX3(X3為大於0的實數))、或鎵鋅氧化物(以下，稱為GaX4ZnY4OZ4(X4、Y4及Z4為大於0的實數))等，而成為馬賽克狀，且馬賽克狀的InOX1或InX2ZnY2OZ2均勻地分佈在膜中的構成(以下，也稱為雲狀)。
換言之，CAC-OS是具有：以GaOX3為主要成分的區域，和以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域所混合在一起的構成的複合氧化物半導體。此外，在本說 明書中，例如，當第一區域的In與元素M的原子個數比大於第二區域的In與元素M的原子個數比時，第一區域的In濃度高於第二區域。
此外，IGZO是通稱，會有包含In、Ga、Zn、及O的化合物的情形。作為代表例，可以是以InGaO3(ZnO)m1(m1為自然數)、或In(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1
Figure TW201801513AD00006
x0
Figure TW201801513AD00007
1，m0為任意數)表示的結晶性化合物。
上述結晶性化合物具有單晶構造、多晶構造、或CAAC(C-Axis Aligned Crystalline)構造。此外，CAAC構造是複數IGZO的奈米晶具有c軸配向性，且在a-b面上以不配向的方式連接的結晶構造。
另一方面，CAC-OS與氧化物半導體的材料構成有關。CAC-OS是指在包含In、Ga、Zn、及O的材料構成中，一部分觀察到以Ga為主要成分的奈米粒子狀的區域、以及一部分觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀的區域，分別以馬賽克狀隨機分散的構成。因此，在CAC-OS中，結晶構造是次要的因素。
此外，CAC-OS為不包含組成不同的二種以上的膜的層積構造。例如，不包含由以In為主要成分的膜與以Ga為主要成分的膜的兩層形成的構造。
此外，有無法觀察到以GaOX3為主要成分的區域、與以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域之間的明確的邊界的情形。
此外，在CAC-OS中包含選自鋁、釔、銅、 釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種來代替鎵的情況下，CAC-OS是指一部分觀察到以該金屬元素為主要成分的奈米粒子狀的區域、以及一部分觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀的區域，分別以馬賽克狀隨機分散。
CAC-OS例如可以藉由以對基板不意圖地加熱的條件下，利用濺射法來形成。在利用濺射法形成CAC-OS的情況，作為沉積氣體，可以使用選自：惰性氣體(代表的是氬)、氧氣、和氮氣中的一種或複數種。另外，相對於成膜時的成膜氣體的總流量的氧氣的流量比則越低越好，例如，將氧氣的流量比設定為0%以上且低於30%，較佳為0%以上且10%以下。
CAC-OS具有如下特徵：藉由根據X射線繞射(XRD：X-ray diffraction)測定法之一的out-of-plane法利用θ/2θ掃描進行測定時，具有觀察不到明確的峰值的特徵。也就是說，從X射線繞射，可知在測定區域中沒有a-b面方向及c軸方向的配向。
另外，CAC-OS在藉由照射束徑為1nm的電子束(也稱為奈米電子束)而取得的電子繞射圖案中，觀察到環狀的亮度高的區域、以及在該環狀區域內的複數亮點。由此，從電子繞射圖案，可知CAC-OS的結晶構造具有在平面方向、及在剖面方向沒有配向的nc(nano-crystal)構造。
另外，例如在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS 中，根據使用能量分散型X射線分光法(EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy)所取得的EDX面分析影像，可確認到以GaOX3為主要成分的區域、及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域，具有不均勻地分佈且混合的構造。
CAC-OS為與金屬元素均勻地分佈的IGZO化合物不同的構造，具有與IGZO化合物不同的性質。換言之，CAC-OS具有以GaOX3等為主要成分的區域、及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域互相分離，且以各元素為主要成分的區域為馬賽克狀的構造。
在此，以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域與以GaOX3等為主要成分的區域相比較，為導電性高的區域。換言之，當載子流過以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域時，呈現氧化物半導體的導電性。因此，當以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域在氧化物半導體中以雲狀分佈時，可以實現高場效移動率(μ)。
另一方面，以GaOX3等為主要成分的區域與以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域相比較，為絕緣性高的區域。換言之，當以GaOX3等為主要成分的區域在氧化物半導體中分佈時，可以抑制洩漏電流，而實現良好的切換動作。
因此，當將CAC-OS用於半導體元件時，藉由GaOX3等所引起的絕緣性，與因InX2ZnY2OZ2或InOX1所引起的導電性的互補作用，可以實現高通態電流(Ion)， 及高場效移動率(μ)。
另外，使用CAC-OS的半導體元件具有高可靠性。因此，CAC-OS適用於顯示器等各種半導體裝置。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式作適當地組合而實施。
(實施形態5)
在本實施方式中，說明有關可以使用本發明的一態樣製造的顯示模組。
圖19所示的顯示模組1000在上蓋1001與下蓋1002之間，具有：連接於FPC1003的觸控面板1004、連接於FPC1005的顯示面板1006、框架1009、印刷電路板1010、以及電池1011。
可以將使用本發明的一態樣所製造的顯示裝置，例如用於顯示面板1006。由此，不管外光的強度如何，都可以實現高辨識性。
上蓋1001及下蓋1002可以根據觸控面板1004及顯示面板1006的尺寸適當地改變其形狀或尺寸。
作為觸控面板1004，可以使用重疊於顯示面板1006的電阻膜式觸控面板或靜電容量式觸控面板。另外，也可以不設置觸控面板1004，而使顯示面板1006具有觸控面板的功能。
框架1009除了具有保護顯示面板1006的功能以外，還具有用來遮斷因印刷電路板1010的動作而產 生的電磁波的電磁屏蔽的功能。此外，框架1009也可以具有作為散熱板的功能。
印刷電路板1010具有：電源電路、以及用來輸出視訊信號及時脈信號的信號處理電路。作為對電源電路供應電力的電源，既可以使用外部的商業電源，又可以使用另行設置的電池1011的電源。當使用商業電源時，可以省略電池1011。
此外，在顯示模組1000中還可以設置偏光板、相位差板、稜鏡片等構件。
本實施形態的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式作適當地組合而實施。
(實施形態6)
在本實施方式中，說明有關可以適用本發明的一態樣的顯示裝置的電子機器。
本發明的一態樣的顯示裝置不管外光的強度如何，都可以實現高辨識性。由此，可以適當地應用於可攜式電子機器、裝載式電子機器(穿戴式機器)、以及電子書閱讀器終端等。
圖20(A)、(B)表示可攜式資訊終端2000的一個例子。可攜式資訊終端2000具有：框體2001、框體2002、顯示部2003、顯示部2004、以及鉸鏈部2005等。藉由將本發明的一態樣的顯示裝置用於可攜式資訊終端2000，不管外光的強度如何，都可以實現高辨識性。
框體2001與框體2002藉由鉸鏈部2005連接。可攜式資訊終端2000可以從圖20(A)所示的折疊狀態轉換成圖20(B)所示的框體2001和框體2002展開的狀態。
例如，可以將文件資訊顯示在顯示部2003及顯示部2004，並可作為電子書閱讀器終端使用。另外，也可以將靜態影像或動態影像顯示在顯示部2003及顯示部2004上。
如此，當攜帶時可以使可攜式資訊終端2000成為折疊狀態，因此通用性優越。
另外，在框體2001及框體2002中，也可以具有：電源按鈕、操作按鈕、外部連接埠、揚聲器、麥克風等。
圖20(C)顯示可攜式資訊終端的一個例子。圖20(C)所示的可攜式資訊終端2010具有：框體2011、顯示部2012、操作按鈕2013、外部連接埠2014、揚聲器2015、麥克風2016、以及相機2017等。藉由將本發明的一態樣的顯示裝置用於可攜式資訊終端2010，不管外光的強度如何，都可以實現高辨識性。
可攜式資訊終端2010在顯示部2012中具備觸控感測器。藉由用手指或觸控筆等觸摸顯示部2012可以進行打電話或輸入文字等各種操作。
此外，藉由操作按鈕2013的操作，可以進行電源的ON、OFF動作、或切換顯示在顯示部2012上的影 像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換成主功能表畫面。
另外，藉由在可攜式資訊終端2010內部設置陀螺儀感測器或加速度感測器等檢測裝置，可以判斷可攜式資訊終端2010的方向(縱向或橫向)，而對顯示部2012的螢幕顯示方向進行自動切換。此外，螢幕顯示的方向切換也可以藉由觸摸顯示部2012、操作操作按鈕2013、或者使用麥克風2016輸入聲音來進行。
可攜式資訊終端2010例如具有：電話機、筆記本、和資訊閱讀裝置等中的一種或多種功能。明確而言，可以將該可攜式資訊終端2010作為智慧手機作用。可攜式資訊終端2010例如可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編寫、音樂播放、動態圖片播放、網路通訊、電腦遊戲等的各種應用程式。
圖20(D)表示照相機的一個例子。照相機2020具有：框體2021、顯示部2022、操作按鈕2023、快門按鈕2024等。另外，照相機2020安裝有可裝卸的鏡頭2026。藉由將本發明的一態樣的顯示裝置用於照相機2020，不管外光的強度如何，都可以實現高辨識性。
在此作為照相機2020具有能夠從框體2021拆卸下鏡頭2026而交換的構成，但是鏡頭2026及框體也可以一體成形。
藉由按下快門按鈕2024，照相機2020可以拍攝靜態影像或動態圖片。另外，也可以使顯示部2022具 有作為觸控面板的功能，藉由觸摸顯示部2022進行攝像。
照相機2020還可以具備另外安裝的閃光燈裝置及取景器等。另外，這些構件可以組裝於框體2021。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式作適當地組合而實施。
10‧‧‧顯示裝置
11‧‧‧演算電路
12‧‧‧光感測器
13a、13b‧‧‧IC
14‧‧‧顯示部
14a、14b‧‧‧顯示部
15a、15b‧‧‧時序控制器
16a、16b‧‧‧圖框記憶體
17a、17b‧‧‧源極驅動器
18a、18b‧‧‧閘極驅動器
19a、19b‧‧‧畫素
19a(B)、19a(G)、19a(R)、19a(W)‧‧‧子畫素
G1、G2、S1、S2‧‧‧複數配線
V1a、V1b‧‧‧顯示資料

Claims (15)

  1. 一種顯示裝置，具有：第一電路；第二電路；第一顯示部；以及第二顯示部；其中，前述第一電路具有生成第一顯示資料的功能；前述第一電路具有檢測出前述第一顯示資料的彩色區域、及前述第一顯示資料的灰階區域的功能；前述第一電路具有基於與前述第一顯示資料的彩色區域有關的資料、及與前述第一顯示資料的灰階區域有關的資料，來生成第二顯示資料及第三顯示資料的功能；前述第一電路具有將前述第二顯示資料發送到前述第二電路的功能；前述第一電路具有將前述第三顯示資料發送到前述第二電路的功能；前述第二電路具有將從前述第一電路接收的前述第二顯示資料發送到前述第一顯示部的功能；前述第二電路具有將從前述第一電路接收的前述第三顯示資料發送到前述第二顯示部的功能；前述第一顯示部具有顯示對應於前述第二顯示資料的影像的功能；前述第二顯示部具有顯示對應於前述第三顯示資料的影像的功能； 前述第一顯示部與前述第二顯示部係層疊設置。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，還具有：第三電路、第四電路；其中，前述第二電路具有將從前述第一電路接收的前述第二顯示資料寫入到前述第三電路的功能；前述第二電路具有將從前述第三電路讀出的前述第二顯示資料發送到前述第一顯示部的功能；前述第二電路具有將從前述第一電路接收的前述第三顯示資料寫入到前述第四電路的功能；前述第二電路具有將從前述第四電路讀出的前述第三顯示資料發送到前述第二顯示部的功能；前述第三電路具有保持前述第二顯示資料的功能；前述第四電路具有保持前述第三顯示資料的功能。
  3. 一種顯示裝置，具有：第一電路；第二電路；第三電路；第一顯示部；以及第二顯示部；其中，前述第一電路具有生成第一顯示資料的功能；前述第一電路具有檢測出前述第一顯示資料的彩色區域、及前述第一顯示資料的灰階區域的功能；前述第一電路具有基於與前述第一顯示資料的彩色區域有關的資料、及與前述第一顯示資料的灰階區域有關的 資料，來生成第二顯示資料及第三顯示資料的功能；前述第一電路具有將前述第二顯示資料發送到前述第二電路的功能；前述第一電路具有將前述第三顯示資料發送到前述第三電路的功能；前述第二電路具有將從前述第一電路接收的前述第二顯示資料發送到前述第一顯示部的功能；前述第三電路具有將從前述第一電路接收的前述第三顯示資料發送到前述第二顯示部的功能；前述第一顯示部具有顯示對應於前述第二顯示資料的影像的功能；前述第二顯示部具有顯示對應於前述第三顯示資料的影像的功能；前述第一顯示部與前述第二顯示部係層疊設置。
  4. 如申請專利範圍第3項之顯示裝置，還具有：第四電路、第五電路；前述第二電路具有將從前述第一電路接收的前述第二顯示資料寫入到前述第四電路的功能；前述第二電路具有將從前述第四電路讀出的前述第二顯示資料發送到前述第一顯示部的功能；前述第三電路具有將從前述第一電路接收的前述第三顯示資料寫入到前述第五電路的功能；前述第三電路具有將從前述第五電路讀出的前述第三顯示資料發送到前述第二顯示部的功能； 前述第四電路具有保持前述第二顯示資料的功能；前述第五電路具有保持前述第三顯示資料的功能。
  5. 如申請專利範圍第1至4中任一項之顯示裝置，其中，前述第一顯示部具有排列成矩陣狀的複數第一畫素；前述第二顯示部具有與前述複數第一畫素的行數及列數相同的複數第二畫素；前述第一電路具有將前述第一顯示資料分割為與前述第一畫素及前述第二畫素的行數及列數相同的第一區域的功能；前述第一電路具有藉由光柵掃描來檢測出灰階或彩色的前述第一區域的功能；前述第一電路具有對藉由前述光柵掃描所檢測出的第一區域進行標記的功能；前述第一電路具有藉由以已進行前述標記的第一區域為中心的k鄰近搜索(k為整數)，檢測出與前述第一區域不同的座標的灰階或彩色的第一區域的功能；前述第一電路具有對藉由前述k鄰近搜索檢測出的前述第一區域進行標記的功能。
  6. 如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中，k為8或4。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之顯示裝置，其中，前述第一電路具有對已進行標記的前述第一區域進行計數的功能。
  8. 如申請專利範圍第1至7中任一項之顯示裝置，其中，前述第二顯示資料具有與前述第一顯示資料的前述彩色區域有關的資訊；前述第三顯示資料具有與前述第一顯示資料的前述灰階區域有關的資訊。
  9. 如申請專利範圍第1至7中任一項之顯示裝置，還具有：第六電路；其中，前述第六電路具有檢測出外光的照度的功能；當前述外光的照度為第一照度以上時，前述第二顯示資料及前述第三顯示資料具有與前述第一顯示資料的彩色區域有關的資訊；當前述外光的照度低於前述第一照度時，只有前述第二顯示資料具有與前述第一顯示資料的彩色區域有關的資訊；當前述外光的照度為第二照度以上時，只有前述第三顯示資料具有與前述第一顯示資料的灰階區域有關的資訊；當前述外光的照度低於前述第二照度時，前述第二顯示資料及前述第三顯示資料具有與前述第一顯示資料的灰階區域有關的資訊。
  10. 如申請專利範圍第1至9中任一項之顯示裝置，其中，前述第一電路具有將前述第一顯示資料的彩色區域轉換為灰階區域，並基於轉換為灰階區域後的前述第 一顯示資料，來生成前述第三顯示資料的功能。
  11. 如申請專利範圍第10項之顯示裝置，其中，前述第一電路具有藉由NTSC加權平均法，將前述第一顯示資料的彩色區域轉換為灰階的功能。
  12. 如申請專利範圍第1至11中任一項之顯示裝置，其中，前述第一顯示部具有第一顯示元件；前述第二顯示部具有第二顯示元件；前述第一顯示元件具有發光層；前述第二顯示元件具有液晶層。
  13. 如申請專利範圍第12項之顯示裝置，其中，前述發光層為有機EL層。
  14. 一種顯示裝置的動作方法，其中，前述顯示裝置使用變數及計數器；前述計數器由複數配列變數所構成；該動作方法具有如下步驟：在第一步驟中，生成顯示資料；在第二步驟中，將前述顯示資料分割為矩陣狀的區域；在第三步驟中，使前述變數、及前述計數器初始化；在第四步驟中，藉由光柵掃描檢測出是灰階，且沒有進行標記的前述區域；在前述第四步驟中，當檢測出是灰階，且沒有進行標記的前述區域的情況，在第五步驟中，中斷光柵掃描；在第六步驟中，在前述第四步驟所檢測出的是灰階， 且沒有進行標記的前述區域中，藉由附加以前述變數作為標記號碼的標記，來進行標記；在第七步驟中，使前述變數包含在索引中的前述配列變數增值；在第八步驟中，以前述第六步驟中已進行標記的前述區域為中心來進行八鄰近搜索或四鄰近搜索，檢測出是灰階，且沒有進行標記的前述區域；當前述第八步驟中，檢測出是灰階，且沒有進行標記的前述區域的情況，回到前述第六步驟；當前述第八步驟中，沒有檢測是灰階，且沒有進行標記的前述區域的情況，在第九步驟中，使前述變數增值；在第十步驟中，再次從在前述第五步驟中斷光柵掃描的前述區域開始光柵掃描，來檢測出是灰階，且沒有進行標記的前述區域；以及在第十步驟中，檢測出是灰階，且沒有進行標記的前述區域的情況，回到前述第五步驟。
  15. 一種電子機器，具有：如申請專利範圍第1至13中任一項之顯示裝置；以及操作鍵。
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