JP2013221965A - 電気光学装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高品位な表示をする電気光学装置を提供すること。
【解決手段】画素２０は第一サブピクセル２１１と第二サブピクセル２１２と第三サブピクセル２１３とを含む。各サブピクセル２１には、発光素子ＬＥＤと電気泳動素子ＥＰＤとが設けられている。電気光学装置１５０は第一基板８０と第二基板９０とを備え、電気泳動素子ＥＰＤは、第一基板８０に形成された画素電極２２と、第二基板９０に形成された共通電極２３と、画素電極２２と共通電極２３との間に配置された電気泳動材料２４と、を含み、発光素子ＬＥＤは第一基板８０に形成され、画素電極２２は、発光素子ＬＥＤと平面視にて重なっていない。白黒表示の際には電気泳動素子ＥＰＤを利用し、カラー表示の際には発光素子ＬＥＤを発光させる。白黒表示では電気泳動表示装置として機能し、更に、カラーフィルターを用いる事なく、美しいカラー表示が可能な電気光学装置となる。
【選択図】図３

Description

本発明は、電気光学装置の技術分野に関する。

電気光学装置の一例としては、特許文献１に記載されている様に、電気泳動表示装置が知られている。電気泳動表示装置では、分散液を挟んで対向する画素電極及び共通電極間に電圧を印加して、帯電した黒粒子や白粒子等の電気泳動粒子を移動させる事で表示部に画像を形成している。具体的には、例えば、黒粒子が負に帯電し、白粒子が正に帯電し、表示面側に共通電極を設けた場合、白表示をする画素では画素電極の電位を共通電極の電位よりも高くした状態を維持して、白粒子を共通電極側に集めていた。反対に、黒表示をする画素では画素電極の電位を共通電極の電位よりも低くした状態を維持して、黒粒子を共通電極側に集めていた。

こうした電気泳動表示装置でカラー表示を行うには、電気泳動表示装置の画素に合わせて赤緑青のカラーフィルターを重ねていた。例えば赤表示させたい場合、赤のカラーフィルターに対応する画素（赤画素）では、白粒子を共通電極側に集め、緑と青とのカラーフィルターに対応する画素（緑画素と青画素）では、黒粒子を共通電極側に集めていた。こうすると、赤画素では、入射光が赤のカラーフィルターを経由して白粒子にて反射され、一方で、緑画素と青画素とでは、入射光が黒粒子にて吸収されるので、赤表示が実現していた。又、例えば白表示させたい場合には、赤画素と緑画素と青画素とで、白粒子を共通電極側に集めていた。

特開２００９−１４５８７３号公報

しかしながら、従来の電気泳動表示装置では、白表示が灰色にくすんでいるとの課題があった。白表示は真っ白となるのが理想であるが、実際は白表示させても灰色掛かった白となり、白表示の際に外光の反射率は４６％程度しかなかった。外光が強ければ、こうした低い反射率でも大きな問題にはならないが、外光が弱い暗い場所では表示内容を認識するのが困難であった。その一方で、電気泳動表示装置は電子書籍などに利用される為に、寝室や飛行機の中など、薄暗い場所での使用が望まれていた。即ち、従来の電気泳動表示装置では高い画像品位を得る事が困難であり、しかも使用環境に適した表示がされがたいという課題が有った。
更に、従来の電気泳動表示装置ではカラーフィルターを用いないと、白黒などの二色しか表示できないという課題があった。
一方、カラーフィルターを用いた場合、表示される色の彩度が低く、白表示が極めて暗いという課題があった。彩度が低い事は、以下の様に説明される。例えば赤表示した場合、緑画素と青画素とが黒表示なので、赤画素の割合は１／３となる。更に赤画素への入射光は、赤カラーフィルターを通過する事で、その光量は１／３以下に減ってしまう。加えて、白粒子の反射率は４６％程度と低い。従って、赤画素と緑画素と青画素とに入射した全光量の内で、最大でも３３．３％×３３．３％×４６％＝５％の光しか赤表示に利用されない。この為に彩度が低くなり、同じ理由で白表示の反射率は３３．３％×４６％＝１５％と低くなって、白表示が極めて暗くなっていた。
換言すると、従来の電気泳動表示装置では高い画像品位を得る事が困難であるという課題が有った。更に、多色表示が困難で、カラー表示の電気泳動表示装置では、画像品位が極めて低いという課題があった。

本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

（適用例１） 本適用例に係わる電気光学装置は、画素を有し、画素は第一サブピクセルと第二サブピクセルとを含み、第一サブピクセルには、第一の色を主として発光する第一発光素子と、電気泳動素子と、が設けられ、第二サブピクセルには、第一の色とは異なる第二の色を主として発光する第二発光素子と、電気泳動素子と、が設けられ、第一基板と第二基板とを備え、電気泳動素子は、第一基板に形成された画素電極と、第二基板に形成された共通電極と、画素電極と共通電極との間に配置された電気泳動材料と、を含み、第一発光素子と第二発光素子とは第一基板に形成され、第一サブピクセルにおける画素電極は、第一発光素子と平面視にて重なっておらず、第二サブピクセルにおける画素電極は、第二発光素子と平面視にて重なっていない事を特徴とする。
この構成によれば、電気泳動素子が明表示をした際に、発光素子を発光させる事ができる。電気泳動素子の明表示は外光を反射し、発光素子が更に追加的に光を放つので、明表示が極めて明るくなる。又、外光が弱い場合でも明表示と暗表示とを見分ける事が容易となり、薄暗い場所で電気光学装置を使用しても、見易い表示がなされる事になる。更に、第一の色と第二の色とが異なる為に、カラーフィルターを用いずとも多色表示が可能になる。自発光素子を各サブピクセルが備えているので、彩度が高く美しい多色表示が可能となる。換言すれば、多色表示の電気泳動表示装置で高い画像品位を得る事が可能となり、しかも使用環境に適した表示を行う事が可能となる。

（適用例２） 上記適用例に係わる電気光学装置において、画素は第三サブピクセルを更に含み、第三サブピクセルには、第一の色および第二の色とは異なる第三の色を主として発光する第三発光素子と、電気泳動素子と、が設けられ、第三発光素子は第一基板に形成され、第三サブピクセルにおける画素電極は、第三発光素子と平面視にて重なっていない事が好ましい。
この構成によれば、第一の色と第二の色と第三の色とを光の三原色にする事ができる。即ち、カラーフィルターを用いずとも、カラー表示が可能な電気光学装置を実現できる。

（適用例３） 上記適用例に係わる電気光学装置において、電気泳動材料は第一粒子と第二粒子とを含み、第一粒子は帯電しており、第二粒子は帯電していない事が好ましい。
この構成によれば、第一粒子を電気泳動させて特定箇所に集める一方で、第二粒子を拡散させているので、電気泳動素子は明暗の表示切り替えが可能となる。更に、拡散された第二粒子が発光素子から放たれた光（放出光）を散乱するので、放出光は効率的に電気光学装置の外部に取り出される。即ち、電気泳動素子が明表示をした際に、明表示をより明るくする事ができると共に、多色表示やカラー表示を実現させる事ができる。

（適用例４） 上記適用例２又は３に係わる電気光学装置において、第一発光素子は第一発光層を有する発光ダイオードであり、第二発光素子は第二発光層を有する発光ダイオードであり、第三発光素子は第三発光層を有する発光ダイオードである事が好ましい。
この構成によれば、通常の薄膜半導体製造工程を電気光学装置の製造に適応する事ができる。更に、発光素子が薄膜素子となるので、薄膜素子と電気泳動素子とを容易に組み合わせる事ができる。即ち、電気光学装置を簡単に製造する事ができる。

（適用例５） 本適用例に係わる電気光学装置は、サブピクセルに電気泳動素子と発光素子とが設けられた電気光学装置であって、電気泳動素子は、発光素子が非発光の際に、明表示と暗表示とを切り替え可能であり、発光素子は、電気泳動素子が明表示の際に発光と非発光とを切り替え可能である事を特徴とする。
この構成によれば、モノクロマティック表示（例えば白黒表示）の使用環境では発光素子を非発光として電気泳動素子の表示切り替えによって表示を行い、多色表示やカラー表示の使用環境では、サブピクセル毎に発光と非発光とを制御できる。従って、電気泳動素子によるモノクロマティック表示と発光素子によるカラー表示とを両立させる事ができる。又、外光が弱い薄暗い場所では電気泳動素子の明表示画素で、各サブピクセルに配置された発光素子を発光させて、明るい明表示とする事ができる。即ち、暗い使用環境下では、電気泳動素子が明表示している画素のサブピクセル（明表示サブピクセル）にて発光素子を発光させ、暗表示している画素のサブピクセル（暗表示サブピクセル）では発光素子を非発光とする事ができる。換言すれば、カラー表示の電気泳動表示装置で高い画像品位を得る事が可能となると共に、明るい使用環境下では、エネルギー消費を抑制する事ができ、暗い使用環境においては明暗のコントラスト比が大きく、明瞭な表示を行う電気光学装置とする事ができる。

（適用例６） 上記適用例５に係わる電気光学装置において、電気泳動素子が明表示の際に発光素子が発光すると、発光した光の一部がサブピクセルより出射される事が好ましい。
この構成によれば、明表示サブピクセルからは放出光の少なくとも一部が出射されるので、発光素子を用いた多色表示を実現する事ができる。更に明表示サブピクセルからは放出光と外光の反射光とが合わせて出射されるので、明表示サブピクセルをより明るくする事ができる。即ち、多色表示を実現すると共に、明暗のコントラスト比が大きく、明瞭な表示を行う電気光学装置とする事ができる。

（適用例７） 上記適用例３に係わる電気光学装置において、第一粒子が画素電極の近傍に集められた際に第一発光素子が発光すると、発光した光は第二粒子により散乱され、発光した光の一部は第一サブピクセルより出射される事が好ましい。
この構成によれば、第一基板と第二基板との間でほぼ均質に拡散されている第二粒子によって放出光が散乱されるので明表示サブピクセルからは放出光の一部が均質に出射される。従って、多色表示を可能にし、加えて、明表示サブピクセルをより明るくし、明暗のコントラスト比が大きく、明瞭な表示を行う電気光学装置とする事ができる。

（適用例８） 本適用例に係わる電気光学装置は、サブピクセルを備え、サブピクセルには第一電源線と第二電源線とが配線され、サブピクセルは選択トランジスターと駆動トランジスターと画素電極とアノード電極とカソード電極とアノード電極およびカソード電極間に設けられた発光層とを含み、画素電極と選択トランジスターのドレインと駆動トランジスターのゲートとが電気的に接続され、第一電源線と第二電源線との間に駆動トランジスターとアノード電極とカソード電極とが配置され、第一電源線と第二電源線との電位差を発光層が発光する電位差と発光しない電位差に設定可能な電位が第一電源線および第二電源線にそれぞれ供給され得る事を特徴とする。
この構成によれば、発光層が発光しない電位差となる電位を第一電源線および第二電源線にそれぞれ供給した際には発光素子は非発光とされ、発光層が発光可能な電位差となる電位を第一電源線および第二電源線にそれぞれ供給した際には発光素子は発光とする事ができる。又、第一電源線と第二電源線との電位差が、発光素子を非発光とする値か、或いは発光素子を発光可能とする値か、に係わらず、電気泳動素子の明表示と暗表示とを切り替える事ができる。即ち、発光素子と電気泳動素子とを独立に制御でき、多色表示を実現すると共に、明暗のコントラスト比が大きく、明瞭な表示を行う電気光学装置とする事ができる。

（適用例９） 上記適用例８に係わる電気光学装置において、信号線と走査線とを備え、サブピクセルは信号線と走査線との交差に対応して配置され、選択トランジスターのソースと信号線とが電気的に接続され、選択トランジスターのゲートと走査線とが電気的に接続される事が好ましい。
この構成によれば、複数個のサブピクセルをそれぞれ独立に制御できるので、電気光学装置に画像を表示させる事ができる。

電子機器の斜視図。 電気光学装置の一つの画素を説明する平面図。 電気光学装置の一つのサブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図。 電気光学装置の動作状態を説明する断面図。 モノクロマティックモードにおける明表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図。 モノクロマティックモードにおける暗表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図。 カラーモードにおける明表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図。 カラーモードにおける暗表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図。 電子ペーパーの構成を示す斜視図。 電子ノートの構成を示す斜視図。 実施形態２に係わる電気光学装置のモノクロマティックモードにおける明表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図。 実施形態２に係わる電気光学装置のモノクロマティックモードにおける暗表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図。 実施形態２に係わる電気光学装置のカラーモードにおける明表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図。 実施形態２に係わる電気光学装置のカラーモードにおける暗表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図。 変形例１に係わる電気光学装置の表示領域の一部を説明する平面図。 変形例１に係わる電気光学装置の一つの画素を説明する平面図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。

（実施形態１）
「電子機器の概要」
先ず、実施形態１に係わる電子機器と電気光学装置との概要を、図１を参照して説明する。

図１は本実施形態における電子機器の斜視図である。図１に示す様に、本発明に係わる電子機器１００は、電気光学装置１５０と、電子機器１００を操作するためのインターフェイスとを備えている。インターフェイスとは、具体的には操作部１２０で、スイッチなどから構成される。電気光学装置１５０は表示領域１０を有するディスプレイモジュールである。表示領域１０には複数個の画素２０（図２参照）が行列状に規則的に配置され、一つの画素２０は複数個のサブピクセル２１（図２参照）を含んでいる。これらのサブピクセルが、電気的に、それぞれ独立に、制御される事で表示領域１０に所望の画像が表示される。

電子機器１００は、モノクロマティック表示（典型的には白黒表示）で使用されるモノクロマティックモードと、主として多色表示（典型的にはカラー表示）で使用されるカラーモードと、外光の明るさを光センサーが検知し自動的にモノクロマティックモードとカラーモードとを切り替える自動モードとを有している。カラーモードは暗い場所でのモノクロマティック表示にも使用され得る。使用者は操作部１２０を介してこれらのモードを選択する。モノクロマティックモードでは、電気光学装置１５０は電気泳動表示装置として使用され、各サブピクセル２１で少なくとも明表示と暗表示とが制御され、反射型ディスプレイとなる。一方、カラーモードでは、電気光学装置１５０は電気泳動表示装置兼自発光素子型表示装置となり、サブピクセル２１毎に発光と非発光とが制御されて、カラー表示が実現する。カラーモードの際に暗表示する画素（暗表示画素）をなすサブピクセル２１（暗表示サブピクセル）は、電気泳動表示装置として暗表示をし、自発光素子型表示装置として非発光表示又は弱い発光表示をする。一方、カラーモードの際に明表示する画素（明表示画素）をなすサブピクセル２１（明表示サブピクセル）は、電気泳動表示装置として明表示をし、自発光素子型表示装置として強い発光表示をする。

「画素構成」
図２は電気光学装置の一つの画素を説明する平面図である。次に、図２を参照して、画素２０の平面構造を説明する。図２は、一つの画素２０の平面形状を描いてある。画素２０は第一サブピクセル２１１と第二サブピクセル２１２とを少なくとも含み、本実施形態では更に第三サブピクセル２１３を含んでいる。各サブピクセル２１はほぼ同じサイズであり、画素の凡そ１／３を占めている。第一サブピクセル２１１には、第一の色を主として発光する第一発光素子ＬＥＤ１と、電気泳動素子ＥＰＤ（図３参照）と、が設けられ、第二サブピクセル２１２には、第一の色とは異なる第二の色を主として発光する第二発光素子ＬＥＤ２と、電気泳動素子ＥＰＤと、が設けられ、第三サブピクセルには、第一の色とも第二の色とも異なる第三の色を主として発光する第三発光素子ＬＥＤ３と、電気泳動素子ＥＰＤと、が設けられている。第一の色と第二の色と第三の色とは互いに異なり、本実施形態ではこれらに光の三原色を対応させている。具体的には第一の色は赤であり、第二の色は緑であり、第三の色は青である。従って、第一発光素子ＬＥＤ１は赤を主に発光し、そのスペクトルは凡そ６５０ｎｍの波長で強度が最大となっている。又、第二発光素子ＬＥＤ２は緑を主に発光し、そのスペクトルは凡そ５５０ｎｍの波長で強度が最大となっている。更に、第三発光素子ＬＥＤ３は青を主に発光し、そのスペクトルは凡そ４８５ｎｍの波長で強度が最大となっている。尚、第一サブピクセル２１１と第二サブピクセル２１２と第三サブピクセル２１３とを特に区別する必要がない場合、これらを総称してサブピクセル２１と称している。又、同様に、第一発光素子ＬＥＤ１と第二発光素子ＬＥＤ２と第三発光素子ＬＥＤ３とを特に区別する必要がない場合、これらを総称して発光素子ＬＥＤと称している。発光素子ＬＥＤから放たれた光は放出光と称される。

電気光学装置１５０は第一基板８０（図３参照）と第二基板９０（図３参照）とを備え、第一発光素子ＬＥＤ１と第二発光素子ＬＥＤ２と第三発光素子ＬＥＤ３とは第一基板８０に形成される。電気泳動素子ＥＰＤは、第一基板８０に形成された画素電極２２と、第二基板９０に形成された共通電極２３（図３参照）と、画素電極２２と共通電極２３との間に配置された電気泳動材料２４（図３参照）と、を含む。即ち、各サブピクセル２１に形成される電気泳動素子ＥＰＤは、サブピクセル２１毎に画素電極２２を備え、第一サブピクセル２１１における画素電極２２は、第一発光素子ＬＥＤ１と平面視にて重なっておらず、第二サブピクセル２１２における画素電極２２は、第二発光素子ＬＥＤ２と平面視にて重なっておらず、第三サブピクセル２１３における画素電極２２は、第三発光素子ＬＥＤ３と平面視にて重なっていない。

この様に画素電極２２は平面視にて発光素子ＬＥＤと重ならず、離間して発光素子ＬＥＤを囲んでいる。発光素子ＬＥＤの発光面は、本実施形態の場合、アノード電極Ａである（図３ｂ参照）。即ち、アノード電極Ａを囲む形で画素電極２２が形成されている。発光素子ＬＥＤはサブピクセル２１のほぼ中央に配置され、発光素子ＬＥＤの回りを上下又は左右で均等となる様に、画素電極２２が囲んでいる。原理は後に詳述するが、これは発光素子ＬＥＤからの放出光を第二粒子２４２（図３参照）にて散乱させて電気光学装置１５０から取り出すので、発光素子ＬＥＤを中央に位置させる事により、放出光を、隣のサブピクセルの状態に関わりなく、無駄なく効率的に取り出せると共に、明表示時にサブピクセル内における色調の均一性を高められる為である。但し、画素電極２２が発光素子ＬＥＤを取り囲むのは必須条件ではなく、レイアウトの都合から、画素電極２２が発光素子ＬＥＤを囲んでいなくても良い。又、発光素子ＬＥＤは必ずしもサブピクセル２１の中央に配置されていなくても良い。

発光素子ＬＥＤと画素電極２２との関係は、これらが平面視で重なっておらず、発光面と画素電極２２とがほぼ同一の平面をなし、その平面上で発光素子ＬＥＤと画素電極２２とが離間されておれば良い。こうする事で、発光素子ＬＥＤから放たれた放出光は、電気泳動素子ＥＰＤによって遮られず、放出光は効率的に電気光学装置１５０の外部に取り出される。又、画素電極２２や発光素子ＬＥＤの平面視での形状は四角に限られず、様々な形状を取り得る。例えば、画素電極２２が六角形で有っても構わない。又、発光素子ＬＥＤも卵形や長円形、楕円形などのオーバル形状や円形、或いは陸上競技場の様な二つの平行線と二つの半円形とからなる角丸四角形や、六角形などの各種多角形などで有っても良い。尚、発光素子ＬＥＤは画素電極２２のほぼ中央に位置するのが好ましいが、これは発光素子ＬＥＤの平面視での重心位置と画素電極２２の平面視での重心位置とがほぼ一致するとの意味である。

モノクロマティックモードでは、電気光学装置１５０は電気泳動表示装置として使用されるので、発光素子ＬＥＤは非発光とされた状態で、サブピクセル２１毎に明表示（白表示）と暗表示（黒表示）とが切り替えられる。これによりモノクロマティックモードにおける実質的な解像度はカラーモードにおける解像度の３倍となる。カラーモードの際に暗表示画素では、この暗表示画素を構成する総てのサブピクセル２１（本実施形態では、第一サブピクセル２１１と第二サブピクセル２１２と第三サブピクセル２１３との３つ）で、電気泳動素子ＥＰＤは暗表示をし、発光素子ＬＥＤは原則として非発光となる。一方、カラーモードの際に明表示画素では、この明表示画素を構成する総てのサブピクセル２１（本実施形態では、第一サブピクセル２１１と第二サブピクセル２１２と第三サブピクセル２１３との３つ）で、電気泳動素子ＥＰＤは明表示をし、発光素子ＬＥＤ（本実施形態では、第一発光素子ＬＥＤ１と第二発光素子ＬＥＤ２と第三発光素子ＬＥＤ３との３つ）は発光する。カラーモードの際に特定の色を表示する画素２０では、この画素２０を構成する総てのサブピクセル２１の内で、その色を構成するのに光を放つ必要があるサブピクセル２１では、電気泳動素子ＥＰＤを明表示とすると共に発光素子ＬＥＤを発光させる。一方、その色を構成するのに光を放してはならないサブピクセル２１では、電気泳動素子ＥＰＤを暗表示とすると共に発光素子ＬＥＤを原則として非発光とする。例えば、黄色を表示したい画素２０の場合、黄色は赤と緑との加色混合で得られるので、赤の光を放つ第一サブピクセル２１１と緑の光を放つ第二サブピクセル２１２とで電気泳動素子ＥＰＤを明表示とすると共に第一発光素子ＬＥＤ１と第二発光素子ＬＥＤ２とを発光させ、青の光を放つ第三サブピクセル２１３で電気泳動素子ＥＰＤを暗表示とすると共に第三発光素子ＬＥＤ３を原則として非発光とする。

「サブピクセル構成」
図３は本実施形態に係わる電気光学装置の一つのサブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図である。次に図３を参照して、サブピクセル２１の構成を説明する。

電気光学装置１５０の表示領域１０には縦横に信号線４０と走査線３０とが複数本ずつ配線され、サブピクセル２１は信号線４０と走査線３０との交点毎に設けられている。従って、サブピクセル２１は表示領域１０で行列状に配置されており、具体的には、ｉ行目の走査線３０とｊ列目の信号線４０との交点にｉ行ｊ列目のサブピクセル２１が配置されている。ｉ行目の走査線３０とｊ列目の信号線４０とがｉ行ｊ列目のサブピクセル２１を特定するので、複数個のサブピクセル２１はそれぞれ独立に制御され、電気光学装置１５０に所望の画像が表示される。

図３（ａ）に示す様に、サブピクセル２１には第一電源線４１と第二電源線３１とが配線されると共に、共通電極２３が設けられている。又、サブピクセル２１には電気泳動素子ＥＰＤと発光素子ＬＥＤとが形成されている。電気泳動素子ＥＰＤは、画素電極２２と、共通電極２３と、これら画素電極２２と共通電極２３とに挟まれた電気泳動材料２４と、を有する。一方、発光素子ＬＥＤは、アノード電極Ａと、カソード電極Ｃと、これらアノード電極Ａとカソード電極Ｃとに挟まれた発光層２５（図３（ｂ）参照）と、を有する。サブピクセル２１は、更に、選択トランジスターＳＴと駆動トランジスターＤＴと容量素子Ｃｐとを含んでいる。本実施形態では選択トランジスターＳＴはＮ型の薄膜トランジスターで構成され、駆動トランジスターＤＴはＰ型の薄膜トランジスターで構成されている。

選択トランジスターＳＴのソースは信号線４０と電気的に接続され、選択トランジスターＳＴのゲートは走査線３０と電気的に接続され、選択トランジスターＳＴのドレインは駆動トランジスターＤＴのゲートと画素電極２２と容量素子Ｃｐの一方の電極に電気的に接続されている。容量素子Ｃｐの他方の電極は共通電極２３に電気的に接続されている。容量素子Ｃｐは、誘電体膜を介して対向配置された一対の電極からなり、一方の電極と他方の電極との間で誘電体膜を挟んでいる（図３（ｂ）参照）。この容量素子Ｃｐによって画像信号を一定期間だけ維持することができる。駆動トランジスターＤＴとアノード電極Ａとカソード電極Ｃとは第一電源線４１と第二電源線３１との間に配置される。具体的には、駆動トランジスターＤＴのソースが第一電源線４１と電気的に接続され、駆動トランジスターＤＴのゲートが選択トランジスターＳＴのドレインと画素電極２２と容量素子Ｃｐの一方の電極に電気的に接続され、駆動トランジスターＤＴのドレインが発光素子ＬＥＤのアノード電極Ａとに電気的に接続されている。発光素子ＬＥＤのカソード電極Ｃは第二電源線３１に電気的に接続されている。尚、物理的に厳密なトランジスターのソースとドレインとは、Ｎ型では両者を比較して電位の低い方がソースであり、Ｐ型では両者を比較して電位の高い方がソースである。従って、トランジスターの動作条件に応じて、ソースとドレインとは入れ替わるが、本明細書では説明を分かり易くする為に、一方をソースと命名し、他方をドレインと命名している。図３（ａ）にはこれらをｓとｄとで表している。又、端子１と端子２とが電気的に接続するとは、端子１と端子２とが配線により直に接続されている場合の他に、抵抗素子やスイッチング素子を介して接続されている場合を含む。即ち、端子１での電位と端子２での電位とが多少異なっていても、回路上で同じ意味を持たせる場合、端子１と端子２とは電気的に接続されている事になる。例えば、図３（ａ）でアノード電極Ａは第一電源線４１に電気的に接続されている。実際にはアノード電極Ａと第一電源線４１との間には駆動トランジスターＤＴが介在するが、駆動トランジスターＤＴが強いオン状態とされた場合に（駆動トランジスターＤＴのドレインコンダクタンスが発光素子ＬＥＤのコンダクタンスよりも十分に大きくされた場合に）、アノード電極Ａの電位は第一電源線４１の電位にほぼ等しくされるとの回路上の意味からして、アノード電極Ａと第一電源線４１とは電気的に接続されている、と言える。

図３（ａ）では、第一電源線４１が信号線４０と同様に縦方向に配線され、第二電源線３１が走査線３０と同様に横方向に配線されているが、配線構成はこれに限られない。第一電源線４１と第二電源線３１とは複数個のサブピクセル２１に対して同じ電位を取るので、複数個のサブピクセル２１で一本の第一電源線４１又は第二電源線３１を共用しても良い。例えば、ｊ列目のサブピクセル２１とｊ＋１列目のサブピクセル２１とで一本の第一電源線４１を共用し、２列の信号線４０に対して一本の第一電源線４１を配置しても良い。同様に、ｉ行目のサブピクセル２１とｉ＋１行目のサブピクセル２１とで一本の第二電源線３１を共用し、２行の走査線３０に対して一本の第二電源線３１を配置しても良い。更には、第二電源線３１を縦方向に配線し、第一電源線４１を横方向に配線しても良い。又、両電源線を縦方向に配線しても良いし、両電源線を横方向に配線しても良い。

次に、図３（ｂ）を参照して、電気光学装置１５０の断面構造を説明する。電気光学装置１５０は第一基板８０と第二基板９０と電気泳動材料２４とを備えている。使用者は電気光学装置１５０を第二基板９０側から見る。第一基板８０には、サブピクセル２１毎に画素電極２２が形成されており、共通電極２３は第二基板９０のほぼ全面に形成されている。画素電極２２と共通電極２３との間で（即ち、第一基板８０と第二基板９０とで）電気泳動材料２４が挟持されている。発光素子ＬＥＤは第一基板８０に形成され、画素電極２２と発光素子ＬＥＤの発光面（発光素子ＬＥＤで第二基板９０側に位置する面、本実施形態ではアノード電極Ａ）とが同じ層上に形成されている。発光層２５はアノード電極Ａとカソード電極Ｃとに挟まれており、第一発光素子ＬＥＤ１では第一の色に発光する有機半導体膜であり、第二発光素子ＬＥＤ２では第二の色に発光する有機半導体膜であり、第三発光素子ＬＥＤ３では第三の色に発光する有機半導体膜である。アノード電極Ａは画素電極２２と同じ層（第二層間絶縁膜）の上に同じ材料（インジウム錫酸化物）にて形成されている。第二層間絶縁膜はアクリル樹脂で形成され、発光素子ＬＥＤの外周では発光層２５に対するバンクとなっている。従って、正確には画素電極２２は第二層間絶縁膜の上に形成され、アノード電極Ａは発光層２５の上に形成され、発光層２５と第二層間絶縁膜とがほぼ同じ層となっている。カソード電極Ｃは信号線４０と第一電源線４１と同じ層（第一層間絶縁膜）の上に同じ材料（アルミニウム合金）にて形成されている。この様に、発光素子ＬＥＤが薄膜素子であるので、発光素子ＬＥＤと電気泳動素子ＥＰＤとは容易に組み合わせられ、電気光学装置１５０は簡単に製造される。第一層間絶縁膜は酸化硅素膜で形成されている。第二電源線３１と容量素子Ｃｐの他方の電極と走査線３０とは、同じ層（ゲート絶縁膜）の上に同じ材料（アルミニウム合金）にて形成されている。ゲート絶縁膜は酸化硅素膜で形成されており、容量素子Ｃｐの誘電体膜を兼ねている。選択トランジスターＳＴ及び駆動トランジスターＤＴの半導体膜（ソースやドレイン、及びこれらに挟まれたチャンネル形成領域）と容量素子Ｃｐの一方の電極は多結晶半導体膜にて、不図示の下地絶縁膜を介して、第一基板８０に形成されている。本実施形態では、選択トランジスターＳＴも駆動トランジスターＤＴも上ゲート型の薄膜トランジスターが採用されているが、これらは下ゲート型の薄膜トランジスターで有っても構わない。斯様な構造は、通常の薄膜半導体製造工程を適応する事で、容易に実現される。

電気泳動材料２４は第一粒子２４１と第二粒子２４２とを含み、第一粒子２４１は帯電しており、第二粒子２４２は帯電していない。第一粒子２４１は光の反射率が低い色調を有し、暗表示に寄与する。一例として第一粒子２４１は黒色であり、本実施形態では正に帯電している。第二粒子２４２は光の反射率が高い色調を有し、明表示に寄与する。一例として第二粒子２４２は白色であり、本実施形態では積極的な帯電処理は施されて居らず電気的にほぼ中性である。

「動作状態」
図４は本実施形態に係わる電気光学装置の動作状態を説明する断面図である。次に図４を参照して、電気光学装置１５０の動作と使用モードとの関係を説明する。前述の如く、電気光学装置１５０はモノクロマティックモードとカラーモードとを有し、表示状態は明表示と暗表示とが切り替えられる。明表示とは使用者が第二粒子２４２に依る散乱光を見る表示であり、暗表示とは使用者が第一粒子２４１の色を見る表示である。白黒モードにおける明表示では外光が第二粒子２４２に依って散乱され、カラーモードにおける明表示では外光と放出光とが第二粒子２４２に依って散乱される。図４（ａ）はモノクロマティックモードで明表示の状態を示し、図４（ｂ）はモノクロマティックモードで暗表示の状態を示し、図４（ｃ）はカラーモードで明表示の状態を示し、図４（ｄ）はカラーモードで暗表示の状態を示している。

電気光学装置１５０で、電気泳動素子ＥＰＤは、発光素子ＬＥＤが非発光の際に、明表示と暗表示とを切り替える事ができる。更に、電気泳動素子ＥＰＤが明表示の際に発光素子ＬＥＤは発光と非発光とを切り替える事ができる。図４はこれらの関係を説明している。図４（ａ）と図４（ｂ）とが示すモノクロマティックモードとは、外光が明るかったり、明表示反射率が電気光学装置１５０を使用するのに十分高かったりして、発光素子ＬＥＤを発光させる必要のない時に使用されるモードである。モノクロマティックモードでは、発光素子ＬＥＤを発光させないので、エネルギー消費量が低く、容量の小さなバッテリーでも電気光学装置１５０を長時間駆動させる事ができる。図４（ｃ）と図４（ｄ）とが示すカラーモードとは、カラー表示を行う時や、外光が暗かったり、或いは明表示反射率が電気光学装置１５０を使用するのに低かったりして、発光素子ＬＥＤを発光させた方が高品位な表示となる際に使用されるモードである。カラーモードでは、表示される色に対応するサブピクセル２１にて発光素子ＬＥＤを発光させるので、美しい多色表示が可能になる。又、暗所で使用する際には明表示画素を構成するサブピクセル２１にて発光素子ＬＥＤを発光させるので、コントラスト比の高い表示が可能になり、暗所でも電気光学装置１５０を快適に使用する事ができる。

図４（ａ）に示す様に、モノクロマティックモードで明表示サブピクセルでは、発光素子ＬＥＤを非発光とした状態で、帯電した第一粒子２４１を画素電極２２の近傍に集める。本実施形態では第一粒子２４１は正に帯電しているので、画素電極２２の電位を共通電極２３の電位よりも低くして、第一粒子２４１を画素電極２２付近に集める。帯電していない第二粒子２４２は第一基板８０と第二基板９０との間に均一に分散しているので、使用者は第二粒子２４２からの外光の反射光を目にする。

図４（ｂ）に示す様に、モノクロマティックモードで暗表示サブピクセルでは、発光素子ＬＥＤを非発光とした状態で、帯電した第一粒子２４１を共通電極２３の近傍に集める。本実施形態では第一粒子２４１は正に帯電しているので、共通電極２３の電位を画素電極２２の電位よりも低くして、第一粒子２４１を共通電極２３付近に集める。これにより、使用者は第一粒子２４１を見る事となる。

図４（ｃ）に示す様に、カラーモードの明表示サブピクセルでは、発光素子ＬＥＤを発光とした状態で、帯電した第一粒子２４１を画素電極２２の近傍に集める。第一粒子２４１は正に帯電しているので、先と同様、画素電極２２の電位を共通電極２３の電位よりも低くして、第一粒子２４１を画素電極２２の近傍に集める。画素電極２２は、発光素子ＬＥＤと平面視で離間しており、重なっていないので、第一粒子２４１が発光素子ＬＥＤには集まらない様に各種電位を設定する。電気泳動素子ＥＰＤが明表示の状態で発光素子ＬＥＤが発光すると、放出光の一部は明表示サブピクセルより出射される。これは第一粒子２４１が画素電極２２の近傍に集められているので、発光素子ＬＥＤが発光すると、放出光は第一基板８０と第二基板９０との間に均一に分散している第二粒子２４２により散乱され、発光した光の一部（散乱された光）が明表示サブピクセルより出射される為である。使用者は第二粒子２４２からの外光の反射光に加え、第二粒子２４２にて散乱された放出光をも目にするので、この明表示サブピクセルは明るい固有色の明表示となる。外光が弱い場合には、使用者は明表示画素を構成する第一サブピクセル２１１と第二サブピクセル２１２と第三サブピクセル２１３とで発光素子ＬＥＤを発光させて白色光とする。こうして、外光が弱くとも、明表示画素と認識する事ができる。結局、明表示画素はより明るくなり、それ故に、明暗のコントラスト比が大きく、電気光学装置１５０は明瞭な表示を行う事になる。

図４（ｄ）に示す様に、カラーモードで暗表示サブピクセルでは、発光素子ＬＥＤを非発光とした状態で、帯電した第一粒子２４１を共通電極２３の近傍に集める。第一粒子２４１は正に帯電しているので、共通電極２３の電位を画素電極２２の電位よりも低くして、第一粒子２４１を共通電極２３付近に集める。これにより、使用者は第一粒子２４１を見る事となる。但し使用条件に応じて発光素子ＬＥＤが弱く発光する事がある。この場合でも、発光した光は共通電極２３の近傍に集められた第一粒子２４１により遮られるので、暗表示サブピクセルから出射される事はない。どちらにせよ、使用者は第一粒子２４１を見る事になるので、暗表示サブピクセルは極めて暗い表示となる。これらの説明から判る様に、第二粒子２４２を第一粒子２４１よりも反射率が高い物とし、第一粒子２４１を帯電させて、第二粒子２４２を帯電させない事で、発光素子ＬＥＤからの放出光を明表示サブピクセルで効率的に取り出し、更に暗表示サブピクセルを暗い暗表示とする事が可能になる。換言すれば、第一粒子２４１は帯電して光を吸収し、第二粒子２４２は電気的に中正で光を良く散乱する物が望ましい。

「電位関係」
図５はモノクロマティックモードにおける明表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図である。図６はモノクロマティックモードにおける暗表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図である。図７はカラーモードにおける明表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図である。図８はカラーモードにおける暗表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図である。次に、上述の動作状態を実現するための電位関係を、図５乃至図８を参照して、説明する。尚、これらの図では、第一基板８０の様に符番が省略されている物があるが、符番は図２と同じである。又、電位として具体的な数字が記入されているが、これらの数字は説明を分かり易くする為の好ましい一例であって、以下に記述する条件を満たせば、無論これら具体例以外の電位関係も可能である。

（１）電気泳動素子ＥＰＤの表示条件
図５と図６とを参照して、電気泳動素子ＥＰＤの表示条件を説明する。電気泳動素子ＥＰＤを明表示とする為に信号線４０に供給される明信号Ｖ_s（Ｂ）を第二低電位Ｌ₂とする（Ｖ_s（Ｂ）＝Ｌ₂）。又、電気泳動素子ＥＰＤを暗表示とする為に信号線４０に供給される暗信号Ｖ_s（Ｄ）を第二高電位Ｈ₂とする（Ｖ_s（Ｄ）＝Ｈ₂）。更に、共通電極２３に供給される電位Ｖ_comを第三低電位Ｌ₃とする（Ｖ_com＝Ｌ₃）。こうすると、画素電極２２上での明表示条件は数式１となる。

一方、画素電極２２上での暗表示条件は数式２となる。

（２）モノクロマティックモード
図５と図６とを参照して、モノクロマティックモードでの電位関係を説明する。発光素子ＬＥＤが非発光の際に、第一電源線４１に供給される電位をＶ_P1（ＮＥ）とし、第二電源線３１に供給される電位をＶ_P2（ＮＥ）とする。こうすると、発光素子ＬＥＤの非発光条件は数式３となる。

アノード電極Ａの電位Ｖ_Aは数式３により、数式４と表される。

次に、図５を参照して、モノクロマティックモードにおけるアノード電極Ａ上での明表示条件を考える。アノード電極Ａの電位Ｖ_Aが共通電極２３の電位Ｖ_com以上であれば、第一粒子２４１は、数式１により、最も電位が低い画素電極２２の近傍に集められる。反対に、アノード電極Ａの電位Ｖ_Aが共通電極２３の電位Ｖ_comよりも低ければ、第一粒子２４１は、この条件と数式１とにより、画素電極２２の近傍又はアノード電極Ａの近傍に集められる。いずれにしても、第一粒子２４１は共通電極２３から遠ざけられるので、明表示状態が成り立つ。即ち、数式１が満たされていれば、アノード電極Ａの電位Ｖ_Aは問われず、明表示条件は満たされる。

次に、図６を参照して、モノクロマティックモードにおけるアノード電極Ａ上での暗表示条件を考える。アノード電極Ａの電位Ｖ_Aが共通電極２３の電位Ｖ_comよりも大きければ（数式５）、アノード電極Ａ上も暗表示となる。

数式４を鑑みると、数式６が成り立つと、数式５は満たされる。

従って、モノクロマティックモードにおけるアノード電極Ａ上での暗表示条件は数式７となる。

上述の数式１と数式２、及び数式７がモノクロマティックモードでサブピクセル２１を明表示や暗表示と切り替え可能とする条件である。

（３）カラーモード
図７と図８とを参照して、カラーモードでの電位関係を説明する。発光素子ＬＥＤが発光する際に第一電源線４１に供給される電位Ｖ_P1（Ｅ）を第三高電位Ｈ₃とする（Ｖ_P1（Ｅ）＝Ｈ₃）。又、発光素子ＬＥＤが発光する際に第二電源線３１に供給される電位Ｖ_P2（Ｅ）を第四低電位Ｌ₄とする（Ｖ_P2（Ｅ）＝Ｌ₄）。発光素子ＬＥＤの発光閾値電圧Ｖ_thELを用いると、発光素子ＬＥＤの発光条件は、発光素子ＬＥＤが順バイアスと表現される数式８となる。

一方、Ｐ型の駆動トランジスターＤＴがオン状態となる為の条件は数式９と表される。

次に、図７を参照して、カラーモードにおける明表示条件を考える。この場合、第一粒子２４１が画素電極２２の近傍に集められれば良いから、数式１と共にアノード電極Ａの電位Ｖ_Aが明信号Ｖ_s（Ｂ）よりも大きければ（数式１０）、アノード電極Ａ上に第一粒子２４１が集まる事はなくなり、放出光は第二粒子２４２に散乱されて、サブピクセル２１の外に出射される。

数式８を考慮すると、数式１１が成り立てば、数式１０は満たされる。

次に、図８を参照して、カラーモードにおける暗表示条件を考える。この場合、第一粒子２４１が共通電極２３の近傍に集められれば良いから、数式２と共にアノード電極Ａの電位Ｖ_Aが共通電極２３の電位Ｖ_comよりも高ければ良い（数式１２）。

数式８を考慮すると、数式１３が成り立てば、数式１２は満たされる。

数式１により、Ｌ₂＜Ｌ₃だから、数式１３が満たされると、自動的に数式１１も満たされる。

一方、Ｐ型の駆動トランジスターＤＴがオフ状態となって、発光素子ＬＥＤを非発光とする条件は数式１４と表される。

次に、Ｎ型の選択トランジスターＳＴが、選択信号Ｖ_g（Ｓ）として第一高電位Ｈ₁を受けた際に（Ｖ_g（Ｓ）＝Ｈ₁）、オン状態となる条件は数式１５である。

一方、Ｎ型の選択トランジスターＳＴが、非選択信号Ｖ_g（ＮＳ）として第一低電位Ｌ₁を受けた際に（Ｖ_g（ＮＳ）＝Ｌ₁）、オフ状態となる条件は数式１６である。

数式１６と数式１、数式２、数式１３、数式１４、数式１５を纏めると、数式１７が得られる。

数式１７は数式１８とも表現される。

数式１７又は数式１８と、数式７と、を満たす事で、モノクロマティックモードでもカラーモードでも明表示と暗表示とを自在に切り替える事が可能となり、更に、カラーモードでは明表示サブピクセル２１の発光素子ＬＥＤを発光させ、暗表示サブピクセル２１の発光素子ＬＥＤを非発光とする事ができる。

数式７に関して、余計な電流発生（発光素子ＬＥＤの漏れ電流）を抑制し、同時に暗表示サブピクセル２１をできる限り暗くする為に数式１９とするのが好ましい。

電源の数（電位の種類）は少ない方が好ましいので、数式２０に示す様に、Ｖ_p1（ＮＥ）とＶ_p2（ＮＥ）とはＶ_S（Ｄ）又はＶ_p1（Ｅ）と一致させるのが好ましい。

この様に、第一電源線４１には高電位（発光時に第三高電位、非発光時に第二高電位又は第三高電位）が供給され、第二電源線３１には高電位（非発光時に第二高電位又は第三高電位）又は低電位（発光時に第四低電位）が供給される。

数式１７（数式１８）と、数式１９及び数式２０と、を反映させた電位関係の一例は、Ｖ_thEL＝１０Ｖとして、次の様になる。Ｖ_g（ＮＳ）＝Ｌ₁＝０Ｖ、Ｖ_S（Ｂ）＝Ｌ₂＝０Ｖ、Ｖ_com＝Ｌ₃＝５Ｖ、Ｖ_P2（Ｅ）＝Ｌ₄＝６Ｖ、Ｖ_P1（Ｅ）＝Ｈ₃＝１９Ｖ、Ｖ_S（Ｄ）＝Ｈ₂＝２０Ｖ、Ｖ_g（Ｓ）＝Ｈ₁＝２５Ｖ、Ｖ_p1（ＮＥ）＝Ｖ_p2（ＮＥ）＝Ｖ_S（Ｄ）＝Ｈ₂＝２０Ｖ。これらの電位は、図５から図８に一例として記載されている。

図５に示す様に、モノクロマティックモード時にサブピクセル２１を明表示とするには、Ｖ_S（Ｂ）＝Ｌ₂＝０Ｖと、画素電極２２の電位を共通電極２３の電位やアノード電極Ａの電位よりも低くし、画素電極２２の近傍に第一粒子２４１を集めればよい。尚、Ｖ_p1（ＮＥ）＝Ｖ_p2（ＮＥ）＝Ｖ_S（Ｄ）＝Ｈ₂＝２０Ｖであるので、Ｖ_A＝２０Ｖである。

図６に示す様に、モノクロマティックモード時にサブピクセル２１を暗表示とするには、Ｖ_S（Ｄ）＝Ｈ₂＝２０Ｖと、共通電極２３の電位を画素電極２２の電位やアノード電極Ａの電位よりも低くし、共通電極２３の近傍に第一粒子２４１を集めればよい。尚、Ｖ_p1（ＮＥ）＝Ｖ_p2（ＮＥ）＝Ｖ_S（Ｄ）＝Ｈ₂＝２０Ｖであるので、Ｖ_A＝２０Ｖである。

図７に示す様に、カラーモード時にサブピクセル２１を明表示とするには、第二電源線３１に低電位（第四低電位）を供給して、発光素子ＬＥＤを発光可能な状態とした上で、画素電極２２の電位Ｖ_pxをＶｐ１（Ｅ）よりも低くして、駆動トランジスターＤＴをオン状態とし、発光素子ＬＥＤを発光させる。これにはＶ_S（Ｂ）＝Ｌ₂＝０Ｖとすればよく、この際に、画素電極２２の電位Ｖ_pxを共通電極２３の電位Ｖ_comやアノード電極Ａの電位よりも低くし、画素電極２２の近傍に第一粒子２４１を集める。尚、駆動トランジスターＤＴの線型動作時におけるオン抵抗が発光素子ＬＥＤの抵抗よりも十分小さくなる様に（即ち、発光素子ＬＥＤの発光時に駆動トランジスターＤＴが線型状態となる様に）駆動トランジスターＤＴの幅と長さとの比を大きく取る事が好ましい。こうすると、駆動トランジスターＤＴでの電位降下が非常に小さくなり、図７に示す様に、例えばＶ_Aが１８Ｖ程度と、発光時のアノード電極Ａの電位を第三高電位に近い電位とする事ができる。

図８に示す様に、カラーモード時にサブピクセル２１を暗表示とするには、Ｖ_S（Ｄ）＝Ｈ₂＝２０Ｖと、共通電極２３の電位を画素電極２２の電位やアノード電極Ａの電位よりも低くし、共通電極２３の近傍に第一粒子２４１を集めればよい。この際に、Ｖ_P2（Ｅ）＝Ｌ₄＝６Ｖであるので、Ｖ_A＞６Ｖとなり、第一粒子２４１は共通電極２３の近傍に集められる。Ｖ_P1（Ｅ）はＶ_P2（Ｅ）よりも大きいが、駆動トランジスターＤＴがオフ状態にあるので、発光素子ＬＥＤは非発光となる。これはＶ_S（Ｄ）＝Ｈ₂＞Ｖ_P1（Ｅ）＝Ｈ₃とし、駆動トランジスターＤＴをＰ型とした帰結である。サブピクセル２１が非選択期間にあると、選択トランジスターＳＴの漏れ電流の為に、画素電極２２の電位Ｖ_pxは少しずつ低下する恐れがある。その場合、駆動トランジスターＤＴの閾値電圧をＶ_thDTとして、Ｖ_px＜Ｖ_P1（Ｅ）＋Ｖ_thDTとなると、駆動トランジスターＤＴはオン状態になり得る。するとアノード電極Ａの電位Ｖ_Aは徐々に上昇して行き、アノード電極Ａの電位Ｖ_Aが発光素子ＬＥＤの発光閾値（Ｖ_P2（Ｅ）＋Ｖ_thEL）を超えると、発光素子ＬＥＤは発光してしまう（図４（ｄ）の状態）。但し、たとえ発光素子ＬＥＤが発光しても、アノード電極Ａの電位Ｖ_Aが上昇する程、第一粒子２４１は共通電極２３の近傍に強く追いやられるので放出光は共通電極２３の近傍で第一粒子２４１に遮られ、放出光が暗表示サブピクセル２１から出射される事が抑制される。即ち、暗表示サブピクセル２１は暗表示をそのまま維持する。

彩度が高い鮮明なカラー表示とするには、数式１７又は数式１８を満たしたまま、Ｈ₃やＨ₂、Ｈ₁の電位を高くする。例えば、Ｌ₁＝０Ｖ、Ｌ₂＝０Ｖ、Ｌ₃＝５Ｖ、Ｌ₄＝６Ｖ、Ｈ₃＝２４Ｖ、Ｈ₂＝２５Ｖ、Ｈ₁＝３０Ｖなどとする。こうすると、外光に対する放出光の強度の比が上がるので、美しいカラー表示が実現する。外光の明るさに応じて、数式１７又は数式１８を満たしたまま、Ｈ₃やＨ₂、Ｈ₁の電位を適宜変更する。

「電子機器」
次に、前述した電気光学装置１５０を適用した電子機器１００について、図９及び図１０を参照して説明する。以下では、前述した電気光学装置１５０を電子ペーパー及び電子ノートに適用した場合を例にとる。

図９は、電子ペーパーの構成を示す斜視図である。図９に示す様に、電子ペーパー４００は、本実施形態に係わる電気光学装置１５０を備えている。表示領域１０には高コントラストで画像保持性の高い表示がなされている。電子ペーパー４００は可撓性を有し、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を示す書き換え可能なシートから構成されている。

図１０は、電子ノートの構成を示す斜視図である。図１０に示す様に、電子ノート５００は、図９で示した電子ペーパー４００が複数枚束ねられ、カバー５０１に挟まれているものである。カバー５０１は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力する為の表示データ入力部を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパー４００が束ねられた状態のまま、表示内容の変更や更新を行うことができる。

前述した電子ペーパー４００及び電子ノート５００は、本実施形態に係わる電気光学装置１５０を備えるので、高品質な画像表示を行うことが可能である。尚、これらの他に、腕時計や携帯電話、携帯用オーディオ機器などの電子機器に、本実施形態に係わる電気光学装置１５０を適用する事ができる。

以上述べたように、本実施形態に係わる電気光学装置１５０に依れば、以下の効果を得る事ができる。
モノクロマティック表示の使用環境では発光素子ＬＥＤを非発光として電気泳動素子ＥＰＤの表示切り替えによって表示を行い、多色表示やカラー表示の使用環境では、サブピクセル２１毎に発光と非発光とを制御できる。従って、カラーフィルターを用いずとも多色表示が可能になる。自発光素子を各サブピクセル２１が備えているので、彩度が高く美しい多色表示が可能となる。こうして、電気泳動素子ＥＰＤによるモノクロマティック表示と発光素子ＬＥＤによるカラー表示とを両立させる事ができる。又、外光が強い明るい環境では発光素子ＬＥＤを非発光として電気泳動素子ＥＰＤの表示切り替えによって表示を行い、外光が弱い薄暗い場所では電気泳動素子ＥＰＤの明表示サブピクセルで発光素子ＬＥＤを発光させ、暗表示サブピクセルで発光素子ＬＥＤを非発光とする事ができる。即ち、明るい使用環境下では、エネルギー消費を抑制する事ができる。又、暗い使用環境下では、明表示サブピクセルにて発光素子ＬＥＤを発光させ、暗表示サブピクセルでは発光素子ＬＥＤを非発光とする事ができる。言い換えると、電気泳動素子ＥＰＤが明表示をした際に、発光素子ＬＥＤを発光させる事ができる。電気泳動素子ＥＰＤの明表示は外光を反射し、発光素子ＬＥＤが更に追加的に光を放つので、明表示が極めて明るくなる。又、外光が弱い場合でも明表示と暗表示とを見分ける事が容易となり、薄暗い場所で電気光学装置１５０を使用しても、見易い表示がなされる事になる。従って、暗い使用環境においても明暗のコントラスト比が大きく、明瞭な表示を行う電気光学装置１５０とする事ができる。換言すれば、多色表示の電気泳動表示装置で高い画像品位を得る事が可能となり、しかも使用環境に適した表示を行う事が可能となる。

（実施形態２）
「第一粒子が負に帯電した形態」
図１１は、実施形態２に係わる電気光学装置のモノクロマティックモードにおける明表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図である。図１２は、実施形態２に係わる電気光学装置のモノクロマティックモードにおける暗表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図である。図１３は、実施形態２に係わる電気光学装置のカラーモードにおける明表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図である。図１４は、実施形態２に係わる電気光学装置のカラーモードにおける暗表示サブピクセルを説明する図で、（ａ）は回路図、（ｂ）は断面図である。以下、本実施形態に係わる電気光学装置について説明する。尚、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。

本実施形態に係わる電気光学装置（図１１）は実施形態１に係わる電気光学装置（図２）と比べて、第一粒子２４１の帯電極性が異なっている。それ以外の構成は、実施形態１とほぼ同様である。実施形態１（図２）では第一粒子２４１は正に帯電していた。これに伴い、駆動トランジスターＤＴはＰ型が使用されていた。これに対して本実施形態（図１１）では、第一粒子２４１は負に帯電しており、駆動トランジスターＤＴはＮ型が使用される。以下、図１１を参照して、サブピクセル２１の構成を説明する。

図１１（ａ）に示す様に、サブピクセル２１には第一電源線４１と第二電源線３１とが配線されると共に、共通電極２３が設けられている。又、サブピクセル２１には電気泳動素子ＥＰＤと発光素子ＬＥＤとが形成されている。電気泳動素子ＥＰＤは、画素電極２２と、共通電極２３と、これら画素電極２２と共通電極２３とに挟まれた電気泳動材料２４と、を有する。一方、発光素子ＬＥＤは、アノード電極Ａと、カソード電極Ｃと、これらアノード電極Ａとカソード電極Ｃとに挟まれた発光層２５（図１１（ｂ）参照）と、を有する。サブピクセル２１は、更に、選択トランジスターＳＴと駆動トランジスターＤＴと容量素子Ｃｐとを含んでいる。本実施形態では選択トランジスターＳＴも駆動トランジスターＤＴもＮ型の薄膜トランジスターで構成されている。

選択トランジスターＳＴと容量素子Ｃｐの電気的な接続関係は実施形態１と同じである。アノード電極Ａとカソード電極Ｃと駆動トランジスターＤＴとは第一電源線４１と第二電源線３１との間に配置される。具体的には、駆動トランジスターＤＴのソースが第二電源線３１と電気的に接続され、駆動トランジスターＤＴのゲートが選択トランジスターＳＴのドレインと画素電極２２と容量素子Ｃｐの一方の電極に電気的に接続され、駆動トランジスターＤＴのドレインが発光素子ＬＥＤのカソード電極Ｃとに電気的に接続されている。発光素子ＬＥＤのアノード電極Ａは第一電源線４１に電気的に接続されている。尚、説明を分かり易くする為に、実施形態１と同様に、トランジスターのソースとドレインとの一方をソースと命名し、他方をドレインと命名している。図１１（ａ）乃至図１４（ａ）にはこれらをｓとｄとで表している。又、端子１と端子２とが電気的に接続するとの意味も実施形態１と同様で、例えば、図１１（ａ）でカソード電極Ｃは第二電源線３１に電気的に接続されている。

次に、図１１（ｂ）を参照して、電気光学装置１５０の断面構造を説明する。実施形態１と異なるのは、第一粒子２４１の帯電極性と発光素子ＬＥＤの構造とである。発光素子ＬＥＤは第一基板８０に形成され、画素電極２２と発光素子ＬＥＤの発光面（発光素子ＬＥＤで第二基板９０側に位置する面、本実施形態ではカソード電極Ｃ）とが同じ層上に形成されている。アノード電極Ａは画素電極２２と同じ層（第二層間絶縁膜）の上に同じ材料（インジウム錫酸化物）にて形成されている。一方、カソード電極Ｃはアルミニウムやマグネシウムにて発光層２５上に形成されている。図１１（ｂ）では、カソード電極Ｃと画素電極２２とが異なった層にあるように思えるが、発光層２５は数百ｎｍ未満と薄く、発光素子ＬＥＤは薄膜素子であるので、実質的には、カソード電極Ｃと画素電極２２とは同じ層（第二層間絶縁膜）に形成されている。これ以外の構成は実施形態１と殆ど同じである。

電気泳動材料２４は第一粒子２４１と第二粒子２４２とを含み、第一粒子２４１は帯電しており、第二粒子２４２は帯電していない。第一粒子２４１は光の反射率が低い色調を有し、暗表示に寄与する。一例として第一粒子２４１は黒色であり、本実施形態では負に帯電している。第二粒子２４２は光の反射率が高い色調を有し、明表示に寄与する。一例として第二粒子２４２は白色であり、本実施形態では積極的な帯電処理は施されて居らず電気的にほぼ中性である。電気泳動素子ＥＰＤは明表示と暗表示とを切り替える事ができる。明表示とは使用者が第二粒子２４２の色を見る表示であり、暗表示とは使用者が黒色を感ずる表示である。本実施形態では、第二粒子２４２が白色なので、明表示は白になるが、第二粒子２４２を赤とすれば、明表示は赤となる。

次に、電位関係を、図１１乃至図１４を参照して、説明する。尚、これらの図では、第一基板８０の様に符番が省略されている物があるが、符番は図２と同じである。又、電位として具体的な数字が記入されているが、これらの数字は説明を分かり易くする為の好ましい一例であって、以下に記述する条件を満たせば、これら以外の電位関係も可能である。

（１）電気泳動素子ＥＰＤの表示条件
図１１と図１２とを参照して、電気泳動素子ＥＰＤの表示条件を説明する。電気泳動素子ＥＰＤを明表示とする為に信号線４０に供給される明信号Ｖ_s（Ｂ）を第一二高電位Ｈ₁₂とする（Ｖ_s（Ｂ）＝Ｈ₁₂）。又、電気泳動素子ＥＰＤを暗表示とする為に信号線４０に供給される暗信号Ｖ_s（Ｄ）を第一二低電位Ｌ₁₂とする（Ｖ_s（Ｄ）＝Ｌ₁₂）。更に、共通電極２３に供給される電位Ｖ_comを第一三高電位Ｈ₁₃とする（Ｖ_com＝Ｈ₁₃）。こうすると、画素電極２２上での明表示条件は数式２１となる。

一方、画素電極２２上での暗表示条件は数式２２となる。

（２）モノクロマティックモード
図１１と図１２とを参照して、モノクロマティックモードでの電位関係を説明する。発光素子ＬＥＤが非発光の際に、第一電源線４１に供給される電位をＶ_P1（ＮＥ）とし、第二電源線３１に供給される電位をＶ_P2（ＮＥ）とする。こうすると、発光素子ＬＥＤの非発光条件は数式２３となる。

カソード電極Ｃの電位Ｖ_Cは数式２３により、数式２４と表される。

次に、図１１を参照して、モノクロマティックモードにおけるカソード電極Ｃ上での明表示条件を考える。カソード電極Ｃの電位Ｖ_Cが共通電極２３の電位Ｖ_com以下であれば、第一粒子２４１は、数式２１により、最も電位が高い画素電極２２の近傍に集められる。反対に、カソード電極Ｃの電位Ｖ_Cが共通電極２３の電位Ｖ_comより高ければ、第一粒子２４１は、この条件と数式２１とにより、画素電極２２の近傍又はカソード電極Ｃの近傍に集められる。いずれにしても、第一粒子２４１は共通電極２３から遠ざけられるので、明表示状態が成り立つ。即ち、数式２１が満たされていれば、カソード電極Ｃの電位Ｖ_Cは問われず、明表示条件は満たされる。

次に、図１２を参照して、モノクロマティックモードにおけるカソード電極Ｃ上での暗表示条件を考える。カソード電極Ｃの電位Ｖ_Cが共通電極２３の電位Ｖ_comよりも低ければ（数式２５）、カソード電極Ｃ上も暗表示となる。

数式２４を鑑みると、数式２６が成り立つと、数式２５は満たされる。

従って、モノクロマティックモードにおけるカソード電極Ｃ上での暗表示条件は数式２７となる。

上述の数式２１と数式２２、及び数式２７がモノクロマティックモードでサブピクセル２１を明表示や暗表示と切り替え可能とする条件である。

（３）カラーモード
図１３と図１４とを参照して、カラーモードでの電位関係を説明する。発光素子ＬＥＤが発光する際に第一電源線４１に供給される電位Ｖ_P1（Ｅ）を第一四高電位Ｈ₁₄とする（Ｖ_P1（Ｅ）＝Ｈ₁₄）。又、発光素子ＬＥＤが発光する際に第二電源線３１に供給される電位Ｖ_P2（Ｅ）を第一三低電位Ｌ₁₃とする（Ｖ_P2（Ｅ）＝Ｌ₁₃）。発光素子ＬＥＤの発光閾値電圧Ｖ_thELを用いると、発光素子ＬＥＤの発光条件は、発光素子ＬＥＤが順バイアスと表現される数式２８となる。

一方、Ｎ型の駆動トランジスターＤＴがオン状態となる為の条件は数式２９と表される。

次に、図１３を参照して、カラーモードにおける明表示条件を考える。この場合、第一粒子２４１が画素電極２２の近傍に集められれば良いから、数式２１と共にカソード電極Ｃの電位Ｖ_Cが明信号Ｖ_s（Ｂ）よりも小さければ（数式３０）、カソード電極Ｃ上に第一粒子２４１が集まる事はなくなり、放出光は第二粒子２４２に散乱されて、サブピクセル２１の外に出射される。

数式２８を考慮すると、数式３１が成り立てば、数式３０は満たされる。

次に、図１４を参照して、カラーモードにおける暗表示条件を考える。この場合、第一粒子２４１が共通電極２３の近傍に集められれば良いから、数式２２と共にカソード電極Ｃの電位Ｖ_Cが共通電極２３の電位Ｖ_comよりも低ければ良い（数式３２）。

数式２８を考慮すると、数式３３が成り立てば、数式３２は満たされる。

数式２１により、Ｈ₁₂＞Ｈ₁₃だから、数式３３が満たされると、自動的に数式３１も満たされる。

一方、Ｎ型の駆動トランジスターＤＴがオフ状態となって、発光素子ＬＥＤを非発光とする条件は数式３４と表される。

次に、Ｎ型の選択トランジスターＳＴが、選択信号Ｖ_g（Ｓ）として第一高電位Ｈ₁を受けた際に（Ｖ_g（Ｓ）＝Ｈ₁）、オン状態となる条件は数式３５である。

一方、Ｎ型の選択トランジスターＳＴが、非選択信号Ｖ_g（ＮＳ）として第一低電位Ｌ₁を受けた際に（Ｖ_g（ＮＳ）＝Ｌ₁）、オフ状態となる条件は数式３６である。

数式３６と数式２１、数式２２、数式３３、数式３４、数式３５を纏めると、数式３７が得られる。

数式３７は数式３８とも表現される。

数式３７又は数式３８と、数式２７と、を満たす事で、モノクロマティックモードでもカラーモードでも明表示と暗表示とを自在に切り替える事が可能となり、更に、カラーモードでは明表示サブピクセル２１の発光素子ＬＥＤを発光させ、暗表示サブピクセル２１の発光素子ＬＥＤを非発光とする事ができる。

数式２７に関して、余計な電流発生（発光素子ＬＥＤの漏れ電流）を抑制し、同時に暗表示サブピクセル２１をできる限り暗くする為に数式３９とするのが好ましい。

電源の数（電位の種類）は少ない方が好ましいので、数式４０に示す様に、Ｖ_p1（ＮＥ）とＶ_p2（ＮＥ）とはＶ_S（Ｄ）又はＶ_p2（Ｅ）と一致させるのが好ましい。

この様に、第二電源線３１には低電位（発光時に第一三低電位、非発光時に第一二低電位又は第一三低電位）が供給され、第一電源線４１には低電位（非発光時に第一二低電位又は第一三低電位）又は高電位（発光時に第一四高電位）が供給される。

数式３７（数式３８）と、数式３９及び数式４０と、を反映させた電位関係の一例は、Ｖ_thEL＝１０Ｖとして、次の様になる。Ｖ_g（ＮＳ）＝Ｌ₁＝０Ｖ、Ｖ_S（Ｄ）＝Ｌ₁₂＝０Ｖ、Ｖ_P2（Ｅ）＝Ｌ₁₃＝１Ｖ、Ｖ_P1（Ｅ）＝Ｈ₁₄＝１３Ｖ、Ｖ_com＝Ｈ₁₃＝１６Ｖ、Ｖ_S（Ｂ）＝Ｈ₁₂＝２０Ｖ、Ｖ_g（Ｓ）＝Ｈ₁＝２５Ｖ、Ｖ_p1（ＮＥ）＝Ｖ_p2（ＮＥ）＝Ｖ_S（Ｄ）＝Ｌ₁₂＝０Ｖ。これらの電位は、図１１から図１４に一例として記載されている。

図１１に示す様に、モノクロマティックモード時にサブピクセル２１を明表示とするには、Ｖ_S（Ｂ）＝Ｈ₁₂＝２０Ｖと、画素電極２２の電位を共通電極２３の電位やカソード電極Ｃの電位よりも高くし、画素電極２２の近傍に第一粒子２４１を集めればよい。尚、Ｖ_p1（ＮＥ）＝Ｖ_p2（ＮＥ）＝Ｖ_S（Ｄ）＝Ｌ₁₂＝０Ｖであるので、Ｖ_C＝０Ｖである。

図１２に示す様に、モノクロマティックモード時にサブピクセル２１を暗表示とするには、Ｖ_S（Ｄ）＝Ｌ₁₂＝０Ｖと、共通電極２３の電位を画素電極２２の電位やカソード電極Ｃの電位よりも高くし、共通電極２３の近傍に第一粒子２４１を集めればよい。尚、Ｖ_p1（ＮＥ）＝Ｖ_p2（ＮＥ）＝Ｖ_S（Ｄ）＝Ｌ₁₂＝０Ｖであるので、Ｖ_C＝０Ｖである。

図１３に示す様に、カラーモード時にサブピクセル２１を明表示とするには、第一電源線４１に高電位（第一四高電位）を供給して、発光素子ＬＥＤを発光可能な状態とした上で、画素電極２２の電位Ｖ_pxをＶｐ２（Ｅ）よりも高くして、駆動トランジスターＤＴをオン状態とし、発光素子ＬＥＤを発光させる。これにはＶ_S（Ｂ）＝Ｈ₁₂＝２０Ｖとすればよく、この際に、画素電極２２の電位Ｖ_pxを共通電極２３の電位Ｖ_comやカソード電極Ｃの電位よりも高くし、画素電極２２の近傍に第一粒子２４１を集める。尚、駆動トランジスターＤＴの線型動作時におけるオン抵抗が発光素子ＬＥＤの抵抗よりも十分小さくなる様に（即ち、発光素子ＬＥＤの発光時に駆動トランジスターＤＴが線型状態となる様に）駆動トランジスターＤＴの幅と長さとの比を大きく取る事が好ましい。こうすると、駆動トランジスターＤＴでの電位降下が非常に小さくなり、図１３に示す様に、例えばＶ_Cが２Ｖ程度と、発光時のカソード電極Ｃの電位を第一三低電位に近い電位とする事ができる。

図１４に示す様に、カラーモード時にサブピクセル２１を暗表示とするには、Ｖ_S（Ｄ）＝Ｌ₁₂＝０Ｖと、共通電極２３の電位を画素電極２２の電位やカソード電極Ｃの電位よりも高くし、共通電極２３の近傍に第一粒子２４１を集めればよい。この際に、Ｖ_P1（Ｅ）＝Ｈ₁₄＝１３Ｖであるので、Ｖ_C＜１３Ｖとなり、第一粒子２４１は共通電極２３の近傍に集められる。Ｖ_P1（Ｅ）はＶ_P2（Ｅ）よりも大きいが、駆動トランジスターＤＴがオフ状態にあるので、発光素子ＬＥＤは非発光となる。これはＶ_S（Ｄ）＝Ｌ₁₂＜Ｖ_P2（Ｅ）＝Ｌ₁₃とし、駆動トランジスターＤＴをＮ型とした帰結である。即ち、暗表示サブピクセル２１は暗表示をそのまま維持する。

以上述べたように、本実施形態に係わる電気光学装置１５０によれば、実施形態１と同様な効果を得る事ができる。

尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良を加えることが可能である。以下に変形例を述べる。

（変形例１）
「画素形状が異なる形態」
実施形態１（図２）では、一つの画素２０は、一例として、正方形で、３つの長方形のサブピクセル２１から構成されていたが、画素２０の形状はこれに限られず、様々な形態が可能である。図１５は電気光学装置の表示領域の一部を説明する平面図である。又、図１６は電気光学装置の一つの画素を説明する平面図である。次に図１５と図１６とを参照して、画素２０とサブピクセル２１との平面形状を説明する。

サブピクセル２１の平面形状は、表示領域１０を平面充填可能であれば（平面的に隙間なく覆い尽くせる形ならば）、いずれであっても良い。即ち、サブピクセル２１は三角形や四角形、六角形であっても良い。例えば、図１５に示す様に、サブピクセル２１は正六角形とする事も可能である。これらサブピクセル２１が複数個集まって、一つの画素２０を構成する。図１５では、３個のサブピクセル２１（２１１、２１２、２１３）が互いに接する様に集められて、一つの画素２０をなしている。こうして、フルカラー表示が実現されている。各サブピクセルの中心には発光素子ＬＥＤが配置されている。実施形態１で詳述した様に、発光素子ＬＥＤの平面形状も任意である。重要なのは発光素子ＬＥＤと画素電極２２とが平面視で重ならぬ事である。発光素子ＬＥＤと画素電極２２とが平面視で離間されていれば、画素２０やサブピクセル２１の形状は任意に設定する事ができる。

図１５では一つの画素２０を３つのサブピクセル２１で構成したが、画素２０を構成するサブピクセル２１の数はこれに限られない。例えば、一つの画素２０を赤表示する第一サブピクセル２１１と緑表示する第二サブピクセル２１２との二つのサブピクセル２１で構成しても良い。この場合、フルカラー表示は実現しないものの、赤と緑とで加色混合される多数の色が表示可能となり、多色表示が実現する。又、例えば、図１６（ａ）に示す様に、一つの画素２０を赤表示する第一サブピクセル２１１と緑表示する第二サブピクセル２１２と青表示する第三サブピクセル２１３と黄表示する第四サブピクセル２１４との４つのサブピクセル２１で構成しても良い。この場合、豊富な色表現が可能になる美しいフルカラー表示が実現する。又、例えば、一つの画素２０を赤表示する第一サブピクセル２１１と緑表示する第二サブピクセル２１２と青表示する第三サブピクセル２１３と白表示する第四サブピクセル２１４との４つのサブピクセル２１で構成しても良い。この場合、フルカラー表示の際の白表示を明るくする事ができる。又、例えば、図１６（ｂ）に示す様に、一つの画素２０を赤表示する第一サブピクセル２１１と緑表示する第二サブピクセル２１２と青表示する第三サブピクセル２１３と黄表示する第四サブピクセル２１４と白表示する第五サブピクセル２１５との５つのサブピクセル２１で構成しても良い。この場合、豊富な色表現が可能になる美しいフルカラー表示と明るい白表示とを達成する事ができる。又、例えば、図１６（ｃ）に示す様に、一つの画素２０を赤表示する第一サブピクセル２１１と緑表示する第二サブピクセル２１２と青表示する第三サブピクセル２１３とシアン表示する第四サブピクセル２１４とマゼンダ表示する第五サブピクセル２１５とイェロー表示する第六サブピクセル２１６との６つのサブピクセル２１で構成しても良い。この場合、極めて豊富な色表現が可能になる美しいフルカラー表示が実現する。又、例えば、図１６（ｄ）に示す様に、一つの画素２０を赤表示する第一サブピクセル２１１と緑表示する第二サブピクセル２１２と青表示する第三サブピクセル２１３とシアン表示する第四サブピクセル２１４とマゼンダ表示する第五サブピクセル２１５とイェロー表示する第六サブピクセル２１６と白表示する第七サブピクセル２１７との７つのサブピクセル２１で構成しても良い。この場合、極めて豊富な色表現が可能になる美しいフルカラー表示と明るい白表示とを達成する事ができる。この様に一つの画素２０を構成するサブピクセル２１の数は３つに限られず、２又は４以上の複数で有っても構わない。

１０…表示領域、２０…画素、２１…サブピクセル、２２…画素電極、２３…共通電極、２４…電気泳動材料、２５…発光層、３０…走査線、３１…第二電源線、４０…信号線、４１…第一電源線、８０…第一基板、９０…第二基板、１００…電子機器、１５０…電気光学装置、２１１…第一サブピクセル、２１２…第二サブピクセル、２１３…第三サブピクセル、２１４…第四サブピクセル、２１５…第五サブピクセル、２１６…第六サブピクセル、２１７…第七サブピクセル、２４１…第一粒子、２４２…第二粒子、ＤＴ…駆動トランジスター、ＥＰＤ…電気泳動素子、ＬＥＤ１…第一発光素子、ＬＥＤ２…第二発光素子、ＬＥＤ３…第三発光素子、ＳＴ…選択トランジスター。

Claims (9)

1. 画素を有し、
   前記画素は第一サブピクセルと第二サブピクセルとを含み、
   前記第一サブピクセルには、第一の色を主として発光する第一発光素子と、電気泳動素子と、が設けられ、
   前記第二サブピクセルには、前記第一の色とは異なる第二の色を主として発光する第二発光素子と、前記電気泳動素子と、が設けられ、
   第一基板と第二基板とを備え、
   前記電気泳動素子は、前記第一基板に形成された画素電極と、前記第二基板に形成された共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に配置された電気泳動材料と、を含み、
   前記第一発光素子と前記第二発光素子とは前記第一基板に形成され、
   前記第一サブピクセルにおける前記画素電極は、前記第一発光素子と平面視にて重なっておらず、
   前記第二サブピクセルにおける前記画素電極は、前記第二発光素子と平面視にて重なっていない事を特徴とする電気光学装置。
2. 前記画素は第三サブピクセルを更に含み、
   前記第三サブピクセルには、前記第一の色および前記第二の色とは異なる第三の色を主として発光する第三発光素子と、前記電気泳動素子と、が設けられ、
   前記第三発光素子は前記第一基板に形成され、
   前記第三サブピクセルにおける前記画素電極は、前記第三発光素子と平面視にて重なっていない事を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記電気泳動材料は第一粒子と第二粒子とを含み、
   前記第一粒子は帯電しており、前記第二粒子は帯電していない事を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記第一発光素子は第一発光層を有する発光ダイオードであり、
   前記第二発光素子は第二発光層を有する発光ダイオードであり、
   前記第三発光素子は第三発光層を有する発光ダイオードである事を特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
5. サブピクセルに電気泳動素子と発光素子とが設けられた電気光学装置であって、
   前記電気泳動素子は、前記発光素子が非発光の際に、明表示と暗表示とを切り替え可能であり、
   前記発光素子は、前記電気泳動素子が前記明表示の際に発光と非発光とを切り替え可能である事を特徴とする電気光学装置。
6. 前記電気泳動素子が前記明表示の際に前記発光素子が発光すると、前記発光した光の一部が前記サブピクセルより出射される事を特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記第一粒子が前記画素電極の近傍に集められた際に前記第一発光素子が発光すると、前記発光した光は前記第二粒子により散乱され、前記発光した光の一部は前記第一サブピクセルより出射される事を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
8. サブピクセルを備え、
   前記サブピクセルには第一電源線と第二電源線とが配線され、
   前記サブピクセルは選択トランジスターと駆動トランジスターと画素電極とアノード電極とカソード電極と前記アノード電極および前記カソード電極間に設けられた発光層とを含み、
   前記画素電極と前記選択トランジスターのドレインと前記駆動トランジスターのゲートとが電気的に接続され、前記第一電源線と前記第二電源線との間に前記駆動トランジスターと前記アノード電極と前記カソード電極とが配置され、
   前記第一電源線と前記第二電源線との電位差を前記発光層が発光する電位差と発光しない電位差に設定可能な電位が前記第一電源線および前記第二電源線にそれぞれ供給され得る事を特徴とする電気光学装置。
9. 信号線と走査線とを備え、
   前記サブピクセルは前記信号線と前記走査線との交差に対応して配置され、
   前記選択トランジスターのソースと前記信号線とが電気的に接続され、
   前記選択トランジスターのゲートと前記走査線とが電気的に接続される事を特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。

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