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TW201714003A - 顯示面板及電子裝置 - Google Patents

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TW201714003A
TW201714003A TW104133650A TW104133650A TW201714003A TW 201714003 A TW201714003 A TW 201714003A TW 104133650 A TW104133650 A TW 104133650A TW 104133650 A TW104133650 A TW 104133650A TW 201714003 A TW201714003 A TW 201714003A
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崔博欽
朱夏青
孫銘謙
劉桂伶
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群創光電股份有限公司
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Abstract

顯示面板包含顯示介質層設置於第一與第二基板之間，第一掃描線、第二掃描線、第一資料線和第二資料線設置於第一基板上且交錯定義出畫素區域，畫素區域包含畫素電極設置於第一基板上，共用電極設置於畫素電極上，共用電極在畫素區域內包含鄰近第一資料線的第一狹縫與鄰近第二資料線的第二狹縫，第一狹縫具有最靠近第一資料線之第一邊緣，第二狹縫具有最靠近第二資料線之第二邊緣，畫素電極具有第三邊緣位於第一狹縫內和第四邊緣位於第二狹縫內，且第一邊緣至第三邊緣的距離與第二邊緣至第四邊緣的距離不相等。

Description

顯示面板及電子裝置
本發明係有關於顯示面板，特別有關於廣視角液晶顯示面板的畫素電極與共用電極之配置，以及含有顯示面板的電子裝置。
近年來，液晶顯示器因為具有薄型化、輕量化、低功率耗損等優勢，已經廣泛地應用在各種電子裝置，例如筆記型電腦、平板電腦、手機等。另外，對於大尺寸顯示器的應用，還需要具備快速應答、高對比、廣視角等特性，而平面切換(In-plane Switching，IPS)型液晶顯示器或邊界電場切換(Fringe Field Switching；FFS)型液晶顯示器等就是能夠滿足上述需求的廣視角液晶顯示器。
邊界電場切換(FFS)型液晶顯示器具有透明導電的畫素電極和共用電極，畫素電極和共用電極之間的距離小於兩個基板之間的間隔(cell gap)，藉此在畫素電極和共用電極之間產生邊緣電場效應，以驅動液晶旋轉，當光線穿透橫向排列液晶分子時，可以達到廣視角的顯示效果。
然而，一般的邊界電場切換(FFS)型液晶顯示器很難在每個視角上都可以滿足亮態穿透率的要求。
本揭示提供顯示面板的畫素電極與共用電極之配置方式，讓邊界電場切換(FFS)型顯示面板在每個視角上都能符合亮態穿透率的要求。本揭示之顯示面板藉由將畫素電極的邊緣設置在共用電極的狹縫內，以及調整畫素電極的邊緣、共用電極的狹縫邊緣和資料線邊緣之間的距離關係，使得顯示面板的亮態穿透率、暗態穿透率和視角維持率都可以在需要的設計範圍內，藉此提升顯示面板的顯示品質。
在本揭示的一些實施例中，提供顯示面板，此顯示面板包含第一基板與第二基板相對設置，顯示介質層設置於第一基板與第二基板之間。第一掃描線和與第一掃描線相鄰的第二掃描線，以及第一資料線和與第一資料線相鄰的第二資料線都設置於第一基板上，其中第一掃描線、第二掃描線、第一資料線與第二資料線交錯定義出畫素區域。此畫素區域包含畫素電極設置於第一基板上，共用電極設置於畫素電極上，共用電極對應此畫素區域內包含第一狹縫與第二狹縫，其中第一狹縫鄰近第一資料線，且第一狹縫具有最靠近第一資料線之第一邊緣；第二狹縫鄰近第二資料線，且第二狹縫具有最靠近第二資料線之第二邊緣；畫素電極具有第三邊緣位於第一狹縫內，和第四邊緣位於第二狹縫內，且第一邊緣至第三邊緣的第一距離不等於第二邊緣至第四邊緣的第二距離。
在本揭示的一些實施例中，還提供電子裝置，此電子裝置包含前述之顯示面板，以及觸控感測結構設置在此顯示面板的第二基板之面對第一基板的內側表面上，或設置 在第二基板之與內側表面相反的外側表面上。
100‧‧‧顯示面板
101‧‧‧第一基板
102‧‧‧第二基板
102F‧‧‧外側表面
102B‧‧‧內側表面
103‧‧‧顯示介質層
104‧‧‧間隔物
105‧‧‧第一絕緣層
106‧‧‧第二絕緣層
107‧‧‧第三絕緣層
108‧‧‧第四絕緣層
109‧‧‧黑色矩陣
110‧‧‧資料線
110-1‧‧‧第一資料線
110-2‧‧‧第二資料線
111‧‧‧源極電極
112‧‧‧第一配向層
114‧‧‧第二配向層
115、117、119、162、180‧‧‧接孔
120‧‧‧掃描線
121‧‧‧閘極電極
130‧‧‧共用電極線
140‧‧‧畫素電極
150‧‧‧共用電極
152、152-3、152-4‧‧‧狹縫
152-1‧‧‧第一狹縫
152-2‧‧‧第一狹縫
154‧‧‧開口
160‧‧‧汲極電極
170‧‧‧主動層
S1‧‧‧第一寬度
S2‧‧‧第二寬度
a1‧‧‧第五距離
a2‧‧‧第六距離
b1‧‧‧第一距離
b2‧‧‧第二距離
c1‧‧‧第三距離
c2‧‧‧第四距離
E1‧‧‧第一邊緣
E2‧‧‧第二邊緣
E3‧‧‧第三邊緣
E4‧‧‧第四邊緣
E5‧‧‧第五邊緣
E6‧‧‧第六邊緣
E7‧‧‧第一資料線之最靠近邊緣
E8‧‧‧第二資料線之最靠近邊緣
P‧‧‧畫素區域
A、B‧‧‧區域
300‧‧‧電子裝置
300A‧‧‧主動區
300B‧‧‧周邊區
200‧‧‧觸控感測結構
為了讓本揭示之目的、特徵、及優點能更明顯易懂，以下配合所附圖式作詳細說明如下：第1圖顯示依據一些實施例，顯示面板的局部平面示意圖。
第2圖顯示依據一些實施例，沿著第1圖的剖面線a1-a2，顯示面板的局部剖面示意圖。
第3圖顯示依據另一些實施例，顯示面板的局部平面示意圖。
第4圖顯示依據一些實施例，沿著第3圖的剖面線b1-b2，顯示面板的局部剖面示意圖。
第5A圖顯示依據一些實施例，第1圖的顯示面板之區域A和第3圖的顯示面板之區域B的平面放大示意圖。
第5B圖顯示依據另一些實施例，第1圖的顯示面板之區域A和第3圖的顯示面板之區域B的平面放大示意圖。
第6圖顯示依據一些實施例，顯示面板的亮態穿透率與第一比值參數和第二比值參數之等高圖。
第7圖顯示依據一些實施例，顯示面板的視角維持率與第一比值參數和第二比值參數之等高圖。
第8圖顯示依據一些實施例，顯示面板的亮態穿透率與第一偏移參數和第二偏移參數之等高圖。
第9圖顯示依據一些實施例，顯示面板的暗態穿透率與第一比值參數和第二比值參數之等高圖。
第10A圖顯示依據一些實施例，電子裝置的示意圖。
第10B圖顯示依據一些實施例，沿著第10A圖的剖面線B-B，電子裝置的剖面示意圖。
第10C圖顯示依據另一些實施例，沿著第10A圖的剖面線B-B，電子裝置的剖面示意圖。
第1圖為依據本揭示的一些實施例，顯示面板100的局部平面示意圖。顯示面板100包含多條資料線110，這些資料線110可為非直線佈線形式，例如具有彎折曲線的佈線形式，但大致上具有一實質上的延伸方向，例如近似於Y軸的延伸方向，並且這些資料線110大致上互相平行。此外，顯示面板100還包含多條掃描線120，這些掃描線120可為直線佈線形式或非直線佈線形式，但大致上具有一實質上的延伸方向，例如近似於X軸的延伸方向，並且這些掃描線120大致上互相平行。
相鄰的兩條資料線110與相鄰的兩條掃描線120交錯定義出一個畫素區域，顯示面板100具有多個畫素區域。畫素區域內包含畫素電極(pixel electrode)140和共用電極(common electrode)150，在一些實施例中，顯示面板100為邊界電場切換(FFS)型顯示面板，其具有的畫素電極140在一個畫素區域內為覆蓋部分畫素區域的完整區塊電極，且相鄰畫素的畫素電極140是互相隔開且電性分離的；而共用電極150 在一個畫素區域內則具有多個狹縫152，如第1圖所示，在一些實施例中，共用電極150在一個畫素區域內具有三個狹縫152，並且相鄰畫素的共用電極150是互相連接在一起。依據本揭示的一些實施例，共用電極150設置於畫素電極140上方，並且畫素電極140的邊緣位在共用電極150的兩個狹縫152內。
此外，如第1圖所示，在掃描線120下方還具有共用電極線130，共用電極線130大致上具有一實質上與掃描線120相同的延伸方向，例如近似於X軸的延伸方向，共用電極150經由接孔(contact hole)180與共用電極線130電性連接。另外，鄰近於掃描線120與資料線110的交錯處設置有薄膜電晶體(thin-film transistor；TFT)，薄膜電晶體係用以控制畫素區域，且為與資料線110電性連接之開關元件。
薄膜電晶體包含由掃描線120的一部分所構成的閘極電極(gate electrode)121、由資料線110的一部分所構成的源極電極(source electrode)111、汲極電極(drain electrode)160以及由半導體材料形成的主動層(active layer)170。如第1圖所示，畫素電極140經由接孔162電性連接至汲極電極160。另外，共用電極150還具有開口154對應於薄膜電晶體的位置，以避免共用電極150對薄膜電晶體產生電性干擾。
第2圖為依據本揭示的一些實施例，沿著第1圖的剖面線a1-a2，顯示面板100的局部剖面示意圖。如第2圖所示，掃描線120、由掃描線120的一部分所構成的閘極電極 121和共用電極線130形成在第一基板101上。在一些實施例中，掃描線120、閘極電極121和共用電極線130可由同一層導電層，例如金屬層，經由沈積、微影與蝕刻製程而形成。
如第2圖所示，第一絕緣層105形成在掃描線120、閘極電極121和共用電極線130上，位於閘極電極121上方的第一絕緣層105作為閘極介電層。主動層170形成在第一絕緣層105上，在一些實施例中，主動層170的材料為非晶矽(amorphous silicon)。在第2圖的實施例中，薄膜電晶體為底部閘極薄膜電晶體(bottom-gate TFT)。薄膜電晶體的源極電極111和汲極電極160形成在主動層170上，在一些實施例中，資料線110、由資料線110的一部分所構成的源極電極111以及汲極電極160是由同一層導電層，例如金屬層，經由沈積、微影與蝕刻製程而形成。
如第2圖所示，第二絕緣層106形成在源極電極111和汲極電極160上，且位於主動層170和第一絕緣層105上。在一些實施例中，作為平坦層的第三絕緣層107形成在第二絕緣層106上(在另一些實施例中，也可以不形成第三絕緣層107)。在第二絕緣層106和第三絕緣層107中形成有接孔162，畫素電極140形成在第三絕緣層107上，並順應地形成在接孔162內，畫素電極140經由接孔162電性連接至汲極電極160。
如第2圖所示，第四絕緣層108形成在畫素電極140上，並順應地形成在接孔162內。此外，在第一絕緣層105、第二絕緣層106、第三絕緣層107和第四絕緣層108內 形成有接孔180，共用電極150形成在第四絕緣層108上，並順應地形成在接孔180內，使得共用電極150經由接孔180與共用電極線130電性連接。共用電極150在一個畫素區域內具有多個狹縫152，並且還可具有開口154對應至薄膜電晶體的位置，以避開薄膜電晶體通道區的位置。
在一些實施例中，畫素電極140和共用電極150由透明導電材料製成，例如為銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)，可採用沈積、微影與蝕刻製程形成畫素電極140或共用電極150。在一些實施例中，第一絕緣層105、第二絕緣層106、第三絕緣層107和第四絕緣層108的材料可以是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或前述之組合的無機絕緣材料，並且第一絕緣層105、第二絕緣層106、第三絕緣層107和第四絕緣層108的材料可相同或不相同；此外，第一絕緣層105、第二絕緣層106、第三絕緣層107和第四絕緣層108的材料之濃度比例亦可不同，例如可藉由調整製作各絕緣層的氮或氧氣體的濃度或製程時間，使得各絕緣層的材料之濃度比例不同。在一些實施例中，作為平坦層的第三絕緣層107可由有機材料製成，例如為聚氟烷氧基poly fluoro alkoxy，PFA)或是彩色濾光層(Color Filter)材料。
如第2圖所示，顯示面板100還具有第二基板102與第一基板101相對設置，在一些實施例中，第一基板101與第二基板102例如為玻璃基板、塑膠基板、可撓式基板(flexible substrate)或保護封裝層(barrier film)。在第一基板101與第二基板102之間夾設有顯示介質層103。在一些實施 例中，顯示介質層103可以是液晶層，並且第二基板102可以是彩色濾光片(color filter；CF)基板，而第一基板101則是薄膜電晶體陣列(TFT Array)基板。在另一些實施例中，彩色濾光層可設置於第一基板101上，例如第三絕緣層107可採用彩色濾光層材料取代之，或者可在第二絕緣層106和第四絕緣層108之間另加一層彩色濾光層。此外，在第一基板101與第二基板102之間還設置有間隔物104，例如為感光間隔物(photo spacer)，間隔物104伸入顯示介質層103內，藉由間隔物104可支撐並決定第一基板101與第二基板102之間的間隔(cell gap)，間隔物104可設置於第一基板101上，或者可設置於第二基板102上，此外，間隔物104可有不同的高度，端視設計需求而定。在間隔物104與第二基板102之間還設置有黑色矩陣(black matrix，BM)109，並且在共用電極150和第四絕緣層108上順應地形成第一配向層112；在間隔物104、黑色矩陣109和第二基板102上順應地形成第二配向層114，顯示介質層103介於第一配向層112與第二配向層114之間。另外，顯示面板100還可包含第2圖未繪出的其他元件，例如上下偏光板等。於其他實施例中，黑色矩陣109亦可設置於第一基板101上，端視設計需求。
第3圖為依據本揭示的另一些實施例，顯示面板100的局部平面示意圖。在第3圖的顯示面板100中，薄膜電晶體的主動層170是由低溫多晶矽(low-temperature polysilicon；LTPS)製成，並且薄膜電晶體為雙閘極的頂部閘極薄膜電晶體(top-gate TFT)。依據本揭示的一些實施例，第 3圖的顯示面板100為邊界電場切換(FFS)型液晶顯示面板，共用電極150設置於畫素電極140上方，並且畫素電極140之鄰近資料線110的邊緣位在共用電極150的兩個狹縫152內。在第3圖的顯示面板100中，掃描線120下方並未設置共用電極線。
第4圖為依據本揭示的一些實施例，沿著第3圖的剖面線b1-b2，顯示面板100的局部剖面示意圖。如第4圖所示，主動層170形成在第一基板101上，第一絕緣層105形成在主動層170上作為和閘極之間的絕緣介電層，由掃描線120的一部分所構成的雙閘極電極形成在第一絕緣層105上，第二絕緣層106形成在雙閘極上。如第4圖所示，由掃描線120的一部分所構成的雙閘極與主動層170重疊處所產生的通道區係位於主動層170上方，故此薄膜電晶體稱為頂部閘極薄膜電晶體(top-gate TFT)。此外，在第一絕緣層105和第二絕緣層106中形成有接孔115和117，由資料線110的一部分所構成的源極電極形成在第二絕緣層106上，且順應地形成在接孔115內而電性連接至主動層170。薄膜電晶體的汲極電極160也形成在第二絕緣層106上，並順應地形成在接孔117內而電性連接至主動層170。
如第4圖所示，第三絕緣層107形成在第二絕緣層106上，並覆蓋薄膜電晶體。在第三絕緣層107內形成有接孔119，暴露出汲極電極160的一部分。畫素電極140形成在第三絕緣層107上，且順應地形成在接孔119內，使得畫素電極140經由接孔119電性連接至汲極電極160。
如第4圖所示，第四絕緣層108形成在畫素電極140上，且順應地形成在接孔119內。共用電極150形成在第四絕緣層108上，且順應地形成在接孔119內。共用電極150在一個畫素區域內具有多個狹縫152。此外，顯示面板100還具有第二基板102與第一基板101相對設置，在第一基板101與第二基板102之間夾設有顯示介質層103，例如為液晶層。間隔物104可設置於第一基板101上，或者可設置於第二基板102上，此外，間隔物104可有不同的高度，端視設計需求而定。在間隔物104與第二基板102之間還設置有黑色矩陣(black matrix，BM)109，並且在共用電極150和第四絕緣層108上順應地形成第一配向層112；在間隔物104、黑色矩陣109和第二基板102上順應地形成第二配向層114，顯示介質層103介於第一配向層112與第二配向層114之間。另外，顯示面板100還可包含第4圖未繪出的其他元件，例如上下偏光板等。
第5A圖為依據本揭示的一些實施例，第1圖的顯示面板100之區域A和第3圖的顯示面板100之區域B的平面放大示意圖，矩形之區域A和區域B係以矩形的長邊垂直於一個畫素區域的兩個相鄰資料線110的延伸方向之方式取得，因此第5A圖中的各種距離也是由垂直於資料線110的延伸方向之方式來決定。
參閱第5A圖，第一資料線110-1與第二資料線110-2之間為畫素區域P，在一些實施例中，第1和3圖所示之共用電極150對應於一個畫素區域P內具有三個狹縫152-1 至152-3。在一些其他實施例中，如第5B圖所示，共用電極150對應於一個畫素區域P內可具有四個狹縫152-1至152-4。如第5A和5B圖所示，共用電極150對應於一個畫素區域P內至少包含鄰近第一資料線110-1的第一狹縫152-1和鄰近第二資料線110-2的第二狹縫152-2。第5A和5B圖所示，第一狹縫152-1具有最靠近第一資料線110-1的第一邊緣E1以及遠離第一資料線110-1的第五邊緣E5，該第一邊緣E1與該第五邊緣係指大約實質上平行於第一狹縫152-1的延伸方向的該區段邊緣；第二狹縫152-2具有最靠近第二資料線110-2的第二邊緣E2以及遠離第一資料線110-1的第六邊緣E6，該第二邊緣E2與該第六邊緣E6係指大約實質上平行於第一狹縫152-2的延伸方向的該區段邊緣。
依據本揭示的實施例，在一個畫素區域P中，畫素電極140具有第三邊緣E3位於第一狹縫152-1內，該第三邊緣E3係指大約實質上平行於第一狹縫152-1的延伸方向的該區段邊緣；且畫素電極140具有第四邊緣E4位於第二狹縫152-2內，該第四邊緣E4係指大約實質上平行於第一狹縫152-2的延伸方向的該區段邊緣。選擇畫素電極140的邊緣E3位在共用電極150的狹縫內，可以讓畫素電極140的邊緣E3不會與共用電極150的狹縫之兩個內外側邊緣E1、E5對齊或完全重疊。這是因為當畫素電極140的邊緣E3與共用電極150的狹縫之內側邊緣E5對齊或完全重疊時，在畫素電極140與共用電極150之間產生的邊緣電場無法有效驅動液晶，此時顯示面板的亮態穿透率與視角維持率皆不佳；當畫 素電極140的邊緣E3與共用電極150的狹縫之外側邊緣E1對齊時，則顯示面板的視角維持率較差。畫素電極140的邊緣E4之設置位置亦如同上述情況。
上述視角維持率是由θ夾角為45度且Φ夾角為45度時之顯示面板的亮度比上θ夾角為45度且Φ夾角為0度時之顯示面板的亮度的比值所定義，其中θ夾角為與垂直於顯示面板的基板平面方向的夾角(例如和Z軸方向之間的夾角)；而Φ夾角為與顯示面板的掃描線實質延伸方向的夾角(例如和X軸方向之間的夾角)。於此實施例中，當θ夾角為45度且Φ夾角為45度時，視角與顯示面板的偏光板吸收軸之間的夾角為45度；當θ夾角為45度且Φ夾角為0度時，視角與顯示面板的偏光板吸收軸之間的夾角為0度。顯示面板的亮度可使用光強度儀器來測量，例如型號為CA210、CS1000或CS2000的光強度儀器。當視角維持率越高，表示顯示面板在各種視角越能較為均勻的維持所需要的亮度，具有良好的顯示品質。
參閱第5A和5B圖，共用電極150具有較為接近第一資料線110-1的第一狹縫152-1，第一狹縫152-1具有與第一邊緣E1相反較為遠離第一資料線110-1的第五邊緣E5，第五邊緣E5至畫素電極140的第三邊緣E3之間的垂直距離為第五距離a1，且第一狹縫152-1具有第一寬度S1。同樣地，共用電極150具有較為接近第二資料線110-2的第二狹縫152-2，第二狹縫152-2具有與第二邊緣E2相反較為遠離第二資料線110-2的第六邊緣E6，第六邊緣E6至畫素電極 140的第四邊緣E4之間的垂直距離為第六距離a2，且第二狹縫152-2具有第二寬度S2。
參閱第5A和5B圖，第一狹縫152-1的第一邊緣E1至第一資料線110-1之最靠近邊緣E7之間的垂直距離為第三距離c1。同樣地，第二狹縫152-2的第二邊緣E2至第二資料線110-2之最靠近邊緣E8之間的垂直距離為第四距離c2。
同時，請參閱第6圖和第7圖，第6圖為依據本揭示的一些實施例，顯示面板100的亮態穿透率與縱軸的第一比值參數和橫軸的第二比值參數之等高圖。第一比值參數為第五距離a1除以第一寬度S1(a1/S1)的百分比，或者第六距離a2除以第二寬度S2(a2/S2)的百分比，本揭示之實施例並不限制上述兩種第一比值參數需同時成立或相等，可依設計需求分別設計兩種不同的第一比值參數，亦即上述兩種第一比值參數可相同或不同；第二比值參數為第三距離c1除以第一寬度S1(c1/S1)的百分比，或者第四距離c2除以第二寬度S2(c2/S2)的百分比，本揭示之實施例並不限制上述兩種第二比值參數需同時成立或相等，可依設計需求分別設計不同的兩種第二比值參數，亦即上述兩種第二比值參數可相同或不同。第7圖為依據本揭示的一些實施例，顯示面板100的視角維持率與縱軸的第一比值參數和橫軸的第二比值參數之等高圖。上述第一比值參數與第二比值參數可依設計需求分別設計，亦可互相搭配設計，於此並不限制。
如第6和7圖所示，當第一比值參數(a1/S1或a2/S2)等於0%時，亮態穿透率與視角維持率皆較為不佳；當 第一比值參數(a1/S1或a2/S2)等於100%時，則視角維持率較為不佳。因此，依據本揭示的實施例，選擇第一比值參數(a1/S1或a2/S2)不等於0%，也不等於100%，亦即使得a1或a2不為0、a1不等於S1，或a2不等於S2，即畫素電極140的第三邊緣E3或第四邊緣E4分別位在共用電極150的第一狹縫152-1和第二狹縫152-2內而沒有與共用電極的第一狹縫152-1和第二狹縫152-2大約實質平行狹縫延伸方向的區段邊緣重疊，可以讓顯示面板100具有較佳的亮態穿透率與視角維持率。
另外，參閱第7圖，在本揭示的一些實施例中，當第三距離c1除以第一寬度S1(c1/S1)的百分比大於10%至100%之間(不等於100%)時，顯示面板的視角維持率可大於0.90。於另一實施例中，當第四距離c2除以第二寬度S2(c2/S2)的百分比大於10%至100%之間(不等於100%)時，顯示面板的視角維持率可大於0.90。
參閱第7圖，在本揭示的另一些實施例中，當第三距離c1除以第一寬度S1(c1/S1)的百分比大於12.5%至100%之間(不等於100%)時，顯示面板的視角維持率可大於0.91。於另一實施例中，當第四距離c2除以第二寬度S2(c2/S2)的百分比大於12.5%至100%之間(不等於100%)時，顯示面板的視角維持率可大於0.91。
因此，可依據顯示面板的視角維持率之需求，來選擇第三距離c1除以第一寬度S1(c1/S1)的百分比，或第四距離c2除以第二寬度S2(c2/S2)的百分比。
參閱第7圖，在本揭示的一些實施例中，第五距離a1除以第一寬度S1(a1/S1)的百分比可介於17.5%至98%之間。同樣地，第六距離a2除以第二寬度S2(a2/S2)的百分比可介於17.5%至98%之間。這是因為當a1/S1和a2/S2的百分比介於17.5%至98%之間時，顯示面板的視角維持率可大於0.91，達到較佳的顯示品質。
參閱第5A和5B圖，第一邊緣E1至第三邊緣E3的垂直距離定義為第一距離b1，第二邊緣E2至第四邊緣E4的垂直距離定義為第二距離b2，依據本揭示的一些實施例，第一距離b1不等於第二距離b2。於另一實施例中，第一距離(b1)與第二距離(b2)的差距介於0.5μm至20μm之間。又另一實施例中，第一距離(b1)與第二距離(b2)的差距介於0.5μm至10μm之間。又另一實施例中，第一距離(b1)與第二距離(b2)的差距介於0.5μm至5μm之間。如此當顯示面板的製程產生些微變異，而使得顯示面板的元件之間發生偏移時，顯示面板的亮態穿透率仍位於穩定的區間不會急遽地變化，可維持顯示面板的顯示品質。
參閱第5A和5B圖，共用電極150的第一狹縫152-1具有第一寬度S1，第一狹縫152-1的第一邊緣E1至第一資料線110-1之最靠近邊緣E7之間的垂直距離為第三距離c1，第一資料線110-1之邊緣E7係指大約實質上平行於第一狹縫152-1延伸方向的該區段邊緣。第一寬度S1的二分之一減去第三距離c1後除以第一寬度S1定義為第一偏移量(M-shift 1)，亦即第一偏移量(M-shift 1)=(S1/2-c1)/S1。同樣 地，共用電極150的第二狹縫152-2具有第二寬度S2，第二狹縫152-2的第二邊緣E2至第二資料線110-2的最靠近邊緣E8之間的垂直距離為第四距離c2，第二資料線110-2之邊緣E8係指大約實質上平行於第一狹縫152-2延伸方向的該區段邊緣。第二寬度S2的二分之一減去第四距離c2後除以第二寬度S2定義為第二偏移量(M-shift 2)，亦即第二偏移量(M-shift 2)=(S2/2-c2)/S2。
參閱第5A和5B圖，共用電極150的第一狹縫152-1具有第一寬度S1，第一寬度S1的二分之一減去上述定義的第五距離a1後除以第一寬度S1定義為第三偏移量(P-shift 3)，亦即第三偏移量(P-shift 3)=(S1/2-a1)/S1。於另一實施例中，共用電極150的第二狹縫152-2具有第二寬度S2，第二寬度S2的二分之一減去上述定義的第六距離a2後除以第二寬度S2定義為第四偏移量(P-shift 4)，亦即第四偏移量(P-shift 4)=(S2/2-a2)/S2。
請參閱第8圖，第8圖為依據本揭示的一些實施例，顯示面板100的亮態穿透率與縱軸的第一偏移參數和橫軸的第二偏移參數之等高圖，第一偏移參數為第一偏移量(M-shift 1)=((S1/2)-c1)/S1或第二偏移量(M-shift 2)=((S2/2)-c2)/S2的百分比，第二偏移參數為第三偏移量(P-shift 3)=((S1/2)-a1)/S1或第四偏移量(P-shift 4)=((S2/2)-a2)/S2的百分比。
如第8圖所示，當第二偏移參數(P-shift 3或P-shift 4)等於0%時，亦即S1/2等於a1或S2/2等於a2，顯 示面板的亮態穿透率會位於等高線的峰值，只要顯示面板的製程發生些微變異，亮態穿透率就會產生急遽變化，因此選擇第二偏移參數(P-shift 3或P-shift 4)不等於0%較佳，亦即讓畫素電極140的第三邊緣E3或第四邊緣E4分別不要位在共用電極150的第一狹縫152-1和第二狹縫152-2的正中央位置，同時，讓第5A和5B圖所示之第一距離b1不等於第二距離b2，如此可以讓顯示面板100達到較佳的生產良率。
依據本揭示的一些實施例，第三偏移量(P-shift 3)或第四偏移量(P-shift 4)不等於0%，而且也不等於+50%或不等於-50%(不等於+/-50%)。這是因為當第三偏移量(P-shift 3)或第四偏移量(P-shift 4)等於0%時，亦即畫素電極140的邊緣位於共用電極150的第一狹縫152-1或第二狹縫152-2內的正中央位置時，只要顯示面板的製程產生些微變異造成元件之間發生偏移時，則顯示面板的亮態穿透率會產生急遽地變化，因此選擇第三偏移量(P-shift 3)或第四偏移量(P-shift 4)不等於0%。
另外，當第三偏移量(P-shift 3)或第四偏移量(P-shift 4)等於+/-50%時，表示畫素電極140的邊緣與共用電極150的第一狹縫152-1或第二狹縫152-2的內側或外側區段邊緣對齊，此時顯示面板的亮態穿透率與視角維持率皆不佳，因此選擇第三偏移量(P-shift 3)或第四偏移量(P-shift 4)不等於+/-50%，可使得顯示面板具有較佳的顯示品質。
參閱第8圖，在本揭示的一些實施例中，選擇縱軸的第一偏移量(M-shift 1)在+25%至-25%之間，或第二偏移 量(M-shift 2)也在+25%至-25%之間，可以讓顯示面板的亮態穿透率維持在變異程度小的平坦區，如此當顯示面板的製程發生變異時，仍可以讓顯示面板的亮態穿透率保持在所需數值範圍內。這是因為在一個畫素區域中，左右資料線的極性通常是不同的，因此左右資料線對整個畫素的耦合(coupling)量程度也會不同，容易有串音干擾(cross-talk)現象，而當上述第一偏移量(M-shift 1)或第二偏移量(M-shift 2)控制在+25%至-25%之間時，顯示面板的亮態穿透率的差異程度比較緩和，可維持顯示面板的顯示品質，亦可視設計需求互相混用搭配上述所有設計數值，於此並不限制。
參閱第9圖，第9圖為依據本揭示的一些實施例，顯示面板100的暗態穿透率與縱軸的第一比值參數(a1/S1或a2/S2)和橫軸的第二比值參數(c1/S1或c2/S2)之等高圖，暗態穿透率係越低越好。如第9圖所示，當第二比值參數(c1/S1或c2/S2)越接近0%時，亦即共用電極150的第一狹縫152-1或第二狹縫152-2分別越靠近第一資料線110-1或第二資料線110-2時，暗態穿透率會急遽地變化，並且顯示面板容易發生漏光現象。顯示器之需求希望可以有相對較為穩定的穿透率變化，以降低製程變異的影響，因此，選擇第二比值參數(c1/S1或c2/S2)大於25%至100%之間(不等於100%)，可使得顯示面板100具有較佳的顯示品質。
參閱第9圖，在本揭示的另一些實施例中，當第三距離c1除以第一寬度S1(c1/S1)的百分比大於25%至100%(不等於100%)時，顯示面板的暗態穿透率可在0.0至0.1 之間。同樣地，當第四距離c2除以第二寬度S2(c2/S2)的百分比大於25%至100%(不等於100%)時，顯示面板的暗態穿透率可在0.0至0.1之間，如此可使得顯示面板具有良好的顯示品質，不會發生漏光現象。這是因為當共用電極150的第一狹縫152-1的第一邊緣E1越靠近第一資料線110-1，或第二狹縫152-2的第二邊緣E2越靠近第二資料線110-2時，c1/S1或c2/S2的百分比越接近0%，此時顯示面板的亮度會產生急遽變化，使得相鄰畫素之間的串音干擾(cross-talk)現象容易看到，導致顯示品質不良，因此將c1/S1或c2/S2的百分比控制在大於25%可達到較低的暗態穿透率。
第10A圖為依據本揭示的一些實施例，電子裝置300的示意圖。在一些實施例中，電子裝置300為具有觸控與顯示功能的電子產品，例如手機、平板電腦、行車電腦、影音設備等。如第10A圖所示，電子裝置300具有主動區300A和位於主動區300A外側的周邊區300B，在主動區300A內可執行觸控與顯示功能，而電子裝置300的外框則位在周邊區300B。於一實施例中，周邊區300b可儘設至於主動區300A的三外側而無需圍繞主動區300A。
第10B圖為依據本揭示的一些實施例，沿著第10A圖的剖面線B-B，電子裝置300的剖面示意圖。如第10B圖所示，電子裝置300包含顯示面板100，以及觸控感測結構200設置在顯示面板100的第二基板102之外側；於一實施例中，觸控感測結構200設置在顯示面板100的第二基板102之外側表面102F上(On-cell touch)，第二基板102的內側表 面102B則朝向顯示面板100的顯示介質層103。於一實施例中，觸控感測結構200更包括一保護層(圖未示)設至於第二基板102遠離顯示介質層103之外側，觸控感測結構200係設置於第二基板102與一保護層(圖未示)之間。於一實施例中，觸控感測結構200可以是外掛式觸控面板(Out-cell Touch)，經由黏著方式與顯示面板100接合。
第10C圖為依據本揭示的另一些實施例，沿著第10A圖的剖面線B-B，電子裝置300的剖面示意圖。如第10C圖所示，電子裝置300包含顯示面板100，以及觸控感測結構200設置在顯示面板100的第二基板102之面對第一基板101的內側表面102B上，在此實施例中，觸控感測結構200為設置在顯示面板100內的觸控層(In-cell Touch)。於另一實施例中，觸控感測結構200亦可僅設置在顯示面板100的第一基板101上(圖未示)，此實施例亦為設置在顯示面板100內的觸控層(In-cell Touch)。於另一實施例中，觸控感測結構200可分別同時設置於第二基板及第一基板上，於此實施例中，係為混合式觸控結構(Hybrid Touch)。
綜上所述，依據本揭示的一些實施例，讓顯示面板的畫素電極之邊緣位在共用電極的狹縫內，並且藉由調整畫素電極的邊緣、共用電極的狹縫邊緣與資料線的邊緣之間的距離關係，可使得顯示面板的亮態穿透率和視角維持率都能夠保持在相對較為穩定或是較高數的值範圍內，或者也讓顯示面板的暗態穿透率在相對較為穩定或較低數值範圍內，藉此可提升顯示面板的顯示品質。上述該些實施例於不衝突 的前提下可以互相搭配使用，並不限制只能設計單一實施例之設計值。
雖然本發明已揭露較佳實施例如上，然其並非用以限定本發明，在此技術領域中具有通常知識者當可瞭解，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。
100‧‧‧顯示面板
110‧‧‧資料線
111‧‧‧源極電極
162、180‧‧‧接孔
120‧‧‧掃描線
121‧‧‧閘極電極
130‧‧‧共用電極線
140‧‧‧畫素電極
150‧‧‧共用電極
152‧‧‧狹縫
154‧‧‧開口
160‧‧‧汲極電極
170‧‧‧主動層
A‧‧‧區域

Claims (20)

  1. 一種顯示面板，包括：一第一基板；一第二基板，與該第一基板相對設置；一顯示介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間；一第一掃描線及與該第一掃描線相鄰的一第二掃描線，設置於該第一基板上；以及一第一資料線及與該第一資料線相鄰的一第二資料線，設置於該第一基板上；其中該第一掃描線、該第二掃描線、該第一資料線與該第二資料線交錯定義出一畫素區域，該畫素區域包括：一畫素電極，設置於該第一基板上；一共用電極，設置於該畫素電極上，該共用電極對應該畫素區域內包含一第一狹縫與一第二狹縫，其中該第一狹縫鄰近該第一資料線，且該第一狹縫具有一最靠近該第一資料線之一第一邊緣；該第二狹縫鄰近該第二資料線，且該第二狹縫具有一最靠近該第二資料線之一第二邊緣；該畫素電極具有一第三邊緣位於該第一狹縫內，該畫素電極具有一第四邊緣位於該第二狹縫內，且該第一邊緣至該第三邊緣的一第一距離不等於該第二邊緣至該第四邊緣的一第二距離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一狹縫 具有一第一寬度，該第一狹縫的該第一邊緣至該第一資料線的最靠近邊緣之間為一第三距離，該第一寬度的二分之一減去該第三距離後除以該第一寬度為一第一偏移量，且該第一偏移量在+25%至-25%之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第二狹縫具有一第二寬度，該第二狹縫的該第二邊緣至該第二資料線的最靠近邊緣之間為一第四距離，該第二寬度的二分之一減去該第四距離後除以該第二寬度為一第二偏移量，且該第二偏移量在+25%至-25%之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一狹縫具有一第一寬度，該第一狹縫的該第一邊緣至該第一資料線的最靠近邊緣之間為一第三距離，且該第三距離除以該第一寬度的百分比大於10%到100%之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第二狹縫具有一第二寬度，該第二狹縫的該第二邊緣至該第二資料線的最靠近邊緣之間為一第四距離，且該第四距離除以該第二寬度的百分比大於25%到100%之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一狹縫具有與該第一邊緣相反的一第五邊緣，該第五邊緣至該畫素電極的該第三邊緣之間為一第五距離，該第一狹縫具有一第一寬度，該第五距離除以該第一寬度的百分比介於17.5%至98%之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第二狹縫具有與該第二邊緣相反的一第六邊緣，該第六邊緣至該畫素電極的該第四邊緣之間為一第六距離，該第二狹縫具有一第二寬度，該第六距離除以該第二寬度的百分比介於17.5%至98%之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一狹縫具有與該第一邊緣相反的一第五邊緣，該第五邊緣至該畫素電極的該第三邊緣之間為一第五距離，該第一狹縫具有一第一寬度，該第一寬度的二分之一減去該第五距離後除以該第一寬度為一第三偏移量，且該第三偏移量不等於0%，且不等於+/-50%。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第二狹縫具有與該第二邊緣相反的一第六邊緣，該第六邊緣至該畫素電極的該第四邊緣之間為一第六距離，該第二狹縫具有一第二寬度，該第二寬度的二分之一減去該第六距離後除以該第二寬度為一第四偏移量，且該第四偏移量不等於0%，且不等於+/-50%。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一距離與該第二距離的差距介於0.5μm至20μm之間。
  11. 一種電子裝置，包括：一顯示面板，包含：一第一基板； 一第二基板，與該第一基板相對設置；一顯示介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間；一第一掃描線及與該第一掃描線相鄰的一第二掃描線，設置於該第一基板上；以及一第一資料線及與該第一資料線相鄰的一第二資料線，設置於該第一基板上；其中該第一掃描線、該第二掃描線、該第一資料線與該第二資料線交錯定義出一畫素區域，該畫素區域包括：一畫素電極，設置於該第一基板上；一共用電極，設置於該畫素電極上，該共用電極對應該畫素區域內包含一第一狹縫與一第二狹縫，其中該第一狹縫鄰近該第一資料線，且該第一狹縫具有一最靠近該第一資料線之一第一邊緣；該第二狹縫鄰近該第二資料線，且該第二狹縫具有一最靠近該第二資料線之一第二邊緣；該畫素電極具有一第三邊緣位於該第一狹縫內，該畫素電極具有一第四邊緣位於該第二狹縫內，且該第一邊緣至該第三邊緣的一第一距離不等於該第二邊緣至該第四邊緣的一第二距離；以及一觸控感測結構，設置在該顯示面板的該第二基板上，或設置在該第一基板上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該第一狹縫具有一第一寬度，該第一狹縫的該第一邊緣至該第一資料 線的最靠近邊緣之間為一第三距離，該第一寬度的二分之一減去該第三距離後除以該第一寬度為一第一偏移量，且該第一偏移量在+25%至-25%之間。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該第二狹縫具有一第二寬度，該第二狹縫的該第二邊緣至該第二資料線的最靠近邊緣之間為一第四距離，該第二寬度的二分之一減去該第四距離後除以該第二寬度為一第二偏移量，且該第二偏移量在+25%至-25%之間。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該第一狹縫具有一第一寬度，該第一狹縫的該第一邊緣至該第一資料線的最靠近邊緣之間為一第三距離，且該第三距離除以該第一寬度的百分比大於10%到100%之間。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該第二狹縫具有一第二寬度，該第二狹縫的該第二邊緣至該第二資料線的最靠近邊緣之間為一第四距離，且該第四距離除以該第二寬度的百分比大於25%到100%之間。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該第一狹縫具有與該第一邊緣相反的一第五邊緣，該第五邊緣至該畫素電極的該第三邊緣之間為一第五距離，該第一狹縫具有一第一寬度，該第五距離除以該第一寬度的百分比介於17.5%至98%之間。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該第二狹縫 具有與該第二邊緣相反的一第六邊緣，該第六邊緣至該畫素電極的該第四邊緣之間為一第六距離，該第二狹縫具有一第二寬度，該第六距離除以該第二寬度的百分比介於17.5%至98%之間。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該第一狹縫具有與該第一邊緣相反的一第五邊緣，該第五邊緣至該畫素電極的該第三邊緣之間為一第五距離，該第一狹縫具有一第一寬度，該第一寬度的二分之一減去該第五距離後除以該第一寬度為一第三偏移量，且該第三偏移量不等於0%，且不等於+/-50%。
  19. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該第二狹縫具有與該第二邊緣相反的一第六邊緣，該第六邊緣至該畫素電極的該第四邊緣之間為一第六距離，該第二狹縫具有一第二寬度，該第二寬度的二分之一減去該第六距離後除以該第二寬度為一第四偏移量，且該第四偏移量不等於0%，且不等於+/-50%。
  20. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中該第一距離與該第二距離的差距介於0.5μm至20μm之間。
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