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TW201628134A - 元件修整方法以及以該方法修整之元件 - Google Patents

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TW201628134A
TW201628134A TW105100010A TW105100010A TW201628134A TW 201628134 A TW201628134 A TW 201628134A TW 105100010 A TW105100010 A TW 105100010A TW 105100010 A TW105100010 A TW 105100010A TW 201628134 A TW201628134 A TW 201628134A
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希穆斯 保羅 威斯登
柏納 派翠克 史坦森
麥克 努兒 魔力希
麥克 喬 芬恩
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亞德諾半導體環球公司
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Abstract

本發明提供一種修整元件之方法，其中該元件不受修整後之氧化作用或壓力改變所影響，於該方法中，一保護玻璃遮蔽物係於修整作業(例如雷射修整)前接合於一半導體基材之表面，此可保護該元件不受修整後之氧化作用所影響，該氧化作用可能改變該元件之數值或參數，亦可保護該元件不受包裝作業中，於其上或晶粒上所施以之壓力改變所影響，該等壓力改變亦可能改變該元件之一數值或參數。

Description

元件修整方法以及以該方法修整之元件
本發明係與一種電子或為電子機械元件之修整方法有關，用以於目標數值範圍內設定其數值或其他參數，本發明亦與用此方法修整之元件有關。
積體電路製成或利用積體電路組裝技術之微電子機械元件(MEMS)之製程所使用之加工流程，可能自一晶圓至下一晶圓間或是一元件跨越一晶圓至另一元件間之變數而產生負面影響。此等變數可能造成由微組裝技術所製成之元件寬度，或一元件內不同結構之相對校準上產生極細微之差距。各晶圓間之類似摻雜值可能有所不同。
基於此等變數造成之結果在於，元件之絕對值，例如電阻之阻抗，或共振結構之質量，例如懸浮樑或其他元件等，可能會於各積體電路間有所變化。即使是在力求分毫不差之積體電路之中皆可能發生如此差異。
積體電路以及為電子機械系統裝置(MEMS)之設計者常依循各元件間之相對差異來使電路或結構運作，而較非仰賴一元件之絕對值。如此技術使電路或為電子機械系統裝置對於加工差異之敏感度較低。
然而，有時仍有一元件需具有一已知且預定之參數值之情況，於此情況中，目前已知可進行修整元件，例如透過雷射修整之方式，將元件所需具備之參數設定為一目標值，或設於一可接受容忍值範圍之內。然而，於檢測階段進行修整元件，仍可能造成積體電路產生不同差異。舉例而言，一經修整元件之一參數之絕對值(例如其阻抗)可能在修整後產生差異，因為晶圓並未密封直到其封裝作業。再者，封裝半導體晶粒之作業可能使其受到壓力，進而改變經修整元件之參數。
本發明揭露一種修整元件之方法，其中該元件係置於一受保護之環境後再進行修整。受保護環境之形成，可將一遮蔽物覆於元件周圍，該元件可形成於一基材上，且該遮蔽物可設置於該基材，可間接設置或經由可形成一壁面之一中間結構，該壁面可利用半導體組裝技術自基材延伸，故其可視為該基材之一部分。
設置技術中較佳者，係為該基材與遮蔽物於元件周圍形成一氣體與水分所無法穿透之屏障，元件周圍之氣壓可於加工作業前先行調校或排除，以防止元件產生之變化，例如於其上產生氧化物，可能因此改變修整後之電子或物理性質。故，此一元件係經保護不受可能造成數值變化之環境因素所影響，且該等環境因素係於進行修整作業前先行排除。
該遮蔽物可由某種材料所形成，例如玻璃，其對於修整元件所使用之雷射光波長係為透明或實質透明。玻璃係為較佳選擇，因其熱擴張係數係與微電路組裝中所使用之一氧化矽(silicon oxide)之熱擴張係數相似。
該遮蔽物由於係於修整前設置於該基材或自其上所延伸之結構，可至少於該元件範圍內提供該基材額外之結構剛性以及/或強度。此有助於在修整過程中，或是後續加工過程如切分晶圓以分離各積體電路以及/或包裝或封裝該等電路，如積體電路製程中常用之塑膠包裝等作業中，保護經修整元件不受其他變化或元件內或基材之力度或壓力所影響。
依此揭露內容，本發明提供一種對於一基材上所設置一元件之修整方法，該方法包括對該基材或自該基材所延伸之結構設置一玻璃遮蔽物，藉以於該元件周圍提供一受保護容積，以及對該元件進行雷射修整，以調整該元件之一參數。
另一方面，本揭露內容包含一微電子電路，其具有設置於一基材上之至少一第一元件，且該第一元件具有一參數，其可產生變化為該微電子電路製程中所使用之組裝流程變化之函數，且其中該微電子電路具有一玻璃遮蔽物設置於該基材，藉以於修整該元件之作業前於該第一元件周圍形成一密閉空間。
10‧‧‧元件
12‧‧‧基材、晶粒、晶圓
14‧‧‧要件
16‧‧‧凹槽
20‧‧‧蓋體
22‧‧‧凹槽
30‧‧‧可修整件、元件
32‧‧‧上表面
40‧‧‧雷射光
42‧‧‧雷射光源
44‧‧‧控制器
48‧‧‧共振件
50‧‧‧平台
52‧‧‧定錨件
53‧‧‧支撐件
54‧‧‧定錨件
55‧‧‧支撐件
58‧‧‧公稱帶區
60‧‧‧電極
62‧‧‧電極
70‧‧‧氧化物層
72‧‧‧矽層
74‧‧‧鈦層
76‧‧‧氮化鋁層、壓電材料、氮層
100‧‧‧作業
104‧‧‧作業
106‧‧‧作業
110‧‧‧作業
120‧‧‧作業
122‧‧‧作業
124‧‧‧作業
126‧‧‧作業
128‧‧‧作業
140‧‧‧基部
142‧‧‧上部
150‧‧‧傳導件
152‧‧‧傳導件
154‧‧‧細導線
156‧‧‧細導線
150‧‧‧傳導件
152‧‧‧傳導件
160‧‧‧模封材料
透過下述詳細實施方式說明，並配合僅作為範例而非限定用途之說明圖式，可更詳知本發明其他目的、優點與創新特色。
圖1係為本發明所揭露一微電子機械系統元件一實施例之剖面示意圖。
圖2係為一基材以及一遮蔽物於相互設置前之示意圖。
圖3係為圖2中該基材及該遮蔽物相互設置之示意圖。
圖4係為對於該基材及遮蔽物結合後所進行之修整作業示 意圖。
圖5a係為一共振器設置以協助修整之立體外觀視圖。
圖5b係為圖5a所示共振器之平面視圖。
圖6係為圖5a及圖5b之共振器之剖面示意圖。
圖7係為另一共振器配置之立體外觀視圖。
圖8係為一流程圖，表示先前技術中對於元件之修整及包裝作業。圖9係為一流程圖，表示本發明所揭露一加工流程之一實施例。
圖10係為一積體電路包裝中一半導體元件示意圖。
於此所使用之敘述性詞語如「上方」、「下方」、「其一側」、「左側」等係描述於圖式中之相對位置，並非限定揭露內容中任何實施例之特徵。
如前所述，目前已知存在修整利用微電子電路相關技術所組裝之元件的方法，而該等技術包含材料沉積、遮罩及蝕刻加工。雖然該等技術可具有高精確度與準確性，但同一組裝廠中經由相同加工流程所製成之元件仍可能存在彼此差異。舉例而言，一電阻之阻抗極可能於各晶圓間存在5%之差異。
積體電路設計者通常極為致力於確保對於一元件之絕對值之認知並非通常必須具備之要求；反之，電路常基於元件間之數值比率進行運作，而非一元件之絕對值。然而，於既定案例中，一元件之製成應具有介於一預定數值範圍中之值，於此情況下，可適用元件修整之作業。然而，若在晶圓上以及任何進一步加工或包裝步驟前將元件修整至一目標準 確度，不一定能在元件經包裝時帶來所欲達成之結果。
目前確實需要於修整前後足以保護元件之不同技術。
圖1所示係為一元件之剖面圖，標號為10，係由微電子組裝技術所組成。於此範例中，該元件10包含一基材12，其承載需要進行修整之一要件14。
該要件14係可為，舉例而言，一微電子機械系統元件，懸浮於基材12中所設之一凹槽16上方。要件14係可藉由至少一支撐架構設置於該基材12(未標於圖1)，該支撐架構係延伸於圖1所示之平面上方及下方，用以連接於要件14與基材12。
要件14可呈現為一樑狀結構，兩端受到其他結構支撐，或可呈現為一懸臂樑。要件14可經驅動產生共振；要件14可利用多種技術驅動產生共振。舉例而言，若欲使該樑狀結構偏斜，則該樑狀結構之一側適於以一脈衝雷射進行加熱，該脈衝係產生於一共振頻率。於其他方法中，該樑狀結構可透過電容性耦合，利用施加於其上之一機械力進行驅動。於其他變化中，該樑狀結構可與一壓電(piezoelectric)材料或磁致伸縮材料連結。利用適當電壓或磁場之應用方式可施加力度於該樑狀結構上，使其發生共振。於某些實施例中，該樑狀結構可形成一感應器之一部分，且該共振頻率可對應於外部參數如溫度、壓力或與該樑狀結構連結之材料而變化。於某些其他實施例中，該樑狀結構可設置以於一公稱恆定頻率上共振，實質上與如溫度等外部參數分離，以形成一震盪器或一濾波器電率之一部分。故，其可期望設定要件14之一共振頻率於特定條件下之一目標頻率或頻率範圍。於此情況下，要件14可進行修整已移除其經選定部分之質量或 誘發要件14或其一部份中至少一種組成材料之熱導性變化。
於圖1所示配置方式中，要件14係由其中設有一凹槽22之一蓋體20所遮蔽，當蓋體20相對準確配置於基材12時，凹槽16及22係相互對齊並於要件14周圍共同形成一腔室，該腔室係由基材12及蓋體20共同形成。
蓋體20及基材12中至少一者係由一對於用以修整要件14之雷射光為可穿透性質之材料。
於此揭露內容之施例中，舉例而言，蓋體係可由一雷射可穿透材料所製成，例如玻璃，且該基材係可為一半導體，例如摻雜矽。然而，仍有其他材料亦可用於製作雷射可穿透之遮蔽物以及基材。舉例而言，遮蔽物及基材兩者皆可由玻璃製成。如圖所示，蓋體20係經由，舉例而言，接合設置於該基材。於某些實施例中，蓋體之形狀、基材表面之形狀，以及接合方法可經由選定，以形成一氣體及水分所無法穿透之封閉結構，例如一密封結構。經通該領域技藝之人士可知有適當之接合工序，包含玻璃熔塊接合或半導體金屬共熔接合，例如矽金接合，其中一金質層可形成以覆蓋於蓋體20及基材12間接合區域之基材以及/或蓋體上。之後，蓋體20及基材12相互接合併精油加熱至共熔溫度，金與少量之矽形成共熔混合，其可將玻璃蓋體封於基材12之上。當共熔得以冷卻至其共熔溫度下時，即可固化並將蓋體20接合於基材12。
該腔室內之氣壓可藉由於一適當環境如一真空環境中，進行該接合程序而加以控制。其他環境包括乾燥及無氧化氣體之環境，自腔室中排除氧氣與水分可降低元件於修整後進一步發生氧化之風險，避免因此 改變其質量或其他性質。
故，若要件14於該腔室之一受控制氣壓中進行修整(包括一真空環境)，則：a)修整作業完成後不應發生任何進一步氧化作用，故，經修整數值之浮動情形應可顯著降低；以及b)於修整作業前將蓋體接合至基材，可機械性穩定要件14周圍之基材，藉以降低修整後之力度或力度所造成之改變所導致之後續變化。故，於包裝過程中，例如於塑膠包裝中充填接合材料時，所可能發生之元件數值浮動情形可顯著降低。
故，修整後之浮動情形可藉由於修整作業前蓋遮要件14之作法顯著降低。
如圖2至圖4所示，係表示接合與修整作業之順序階段。於該等圖示中，可修整件之標號為30，且並非形成於基材12中之一凹槽16中；反之，該可修整件30係形成於基材12之上。基材12可具有其他元件形成於其中，例如不同電晶體與形成鄰接於基材12一上表面32或其下方之金屬連接結構。上表面32可受一鈍化材料層所覆蓋，例如二氧化矽，且該可修整件30係設於其上。可修整件係可為一薄膜狀或厚膜狀元件，例如一電阻、一電感器，或該等元件之至少一組合。其他元件可包含磁感應器，例如磁電阻，其元件數值可能需要加以修整。如圖2所示，於蓋遮及修整作業之一第一階段，蓋體20係與基材12完成設置定位。基材12可包含直徑具有數英吋的一晶圓，其具有大量之個別積體電路設置於其上。相似地，蓋體20可設置於一對應尺寸之玻璃晶圓上或設置為其一部份。於此情況 下，各蓋體係可為玻璃晶圓中之子元件，經過蝕刻加工後形成較薄之支撐層，以相互連接於各不同蓋體20，使其等可與矽質晶圓12上之對應元件設置於正確之相對位置。該晶圓可經加工後以於可修整件周圍形成壁面，此可用以減少蓋體20中凹槽之深度，並使此結構亦可利用一平面蓋體。
再如圖3所示，蓋體20及基材12相互接觸並利用一適當接合工序相互接合，其中多種方式可為精通技藝者所知悉。
於完成接合工序後，元件30之一數值可經測得或以針測方式得知，或其物理性質，例如可測得元件30之共振頻率，元件30於其後可進行修整。修整作業可藉由於一控制器44之命令下，以適當雷射光源42所產生較小直徑之雷射光40選擇性照明元件30之部分來進行，如圖4所示之設置方式。
先前曾述，如圖1所示，要件14係可為一共振件，受延伸於圖1平面上方及下方之結構所支撐。此共振件48之一實施例係以示意方式表示於圖5a及圖5b。圖5a係為一共振件48知立體外觀視圖，其包含一平台50，其具有定錨件52及54，延伸自該平台50並設置於其相對端以連接基材12其餘部分或連接具懸臂樑之支撐件53及55，如圖5b所示，其並連接至基材12。如圖所示之平台50具有二電極60及62設置於其表面。於此範例中，一第一電極60係為一長形元件，設置於一呈現U形之第二電極62中央。第一電極60具有一傳導路徑沿伸超過第一定錨件52，而第二電極62具有一傳導路徑沿伸超過第二定錨件54。故，電極60極62可受驅動以於兩者間形成一電位差。用以形成電極60極62之傳導性材料係可為較薄之金屬或多晶矽層。該傳導性材料延伸超過定錨件52及54，並超過距懸臂樑 之支撐件53及55(如圖5b之剖面線所示)，以接合接點或透過基材之部分或全部深度以提供共振件48與其他元件間之電性連接。
凹槽16於基材12一上表面之範圍(如圖1內容所探討)亦表示於圖5b之平面圖中。用以於基材12及蓋體20間施以一接合材料之一公稱帶區58係標於圖5b中。
圖6顯示圖5a及5b中共振件之實施例細節，以及於基材12上所形成之層狀結構，圖6並非以實際尺寸繪製。一般而言，於基材12加工過程中，一鈍化層如一氧化物層70，其厚度常為1微米左右，係形成覆蓋於基材12之表面，以保護其與其中所設置之元件。再者，為求便利，可將一矽層形成覆蓋於氧化物層70之上，以提供可達成平台50結構剛性之材料。標號為72之該矽層厚度相對較厚，故矽層72厚度約可為10微米以上，且可經適當摻雜。舉例而言，變動其摻雜程度之作法可用以調整該結構之溫度係數，藉以調校其對於溫度之頻率穩定性。
矽層72可再覆蓋有一相對較薄之金屬層74，例如一鈦層或其他厚度約為0.1微米之適用金屬。一氮化鋁層76可沉積於該鈦層74。該等金屬電極60及62可藉由沉積並刻劃遮板之方式形成，以顯示電極60及62應設置之孔洞，再將如鋁或銅或該等之混合物之金屬陳基於氮化鋁層76上，遮板材料可再以蝕刻去除。
於後續加工步驟中，可再施加另一遮板並經刻劃以露出，並於平台50周圍蝕刻一通道，該通道可再經蝕刻穿透前述多層結構之氮層76、鈦層74、矽層72及氧化物層70，藉以連通基材12之大宗材料。於該通道邊元所顯露之層狀結構可再經一穩固沉積之氧化矽層所保護，並於其 後再進行蝕刻，以自平台50下方之基材12去除矽質，藉以使其懸浮於一凹槽16之上。平台50通常可具有150至200微米之一長度，以及150微米之一寬度。一平台之寬度一般係經選擇為在使共振器產生共振之目標頻率下於矽質(或其他用以形成該平台)中之聲波波長函數，於此範例中，該氮化鋁係做為一壓電材料，且第一電極60與第二電極62間之一交流電壓之應用可誘發圖6中沿箭頭方向所示之作用。故，該共振件不應於基材12表面之平面外振動，故即使存在於此封閉空間之氣壓中亦並未過於受粘滯阻尼作用影響。此一共振結構可視為壓電矽式板波共振器(piezo-on-silicon lamb wave resonator)。此一共振器於此可具有一中央頻率，其範圍約於100MHz內，溫度穩定性於-40℃至+85℃範圍內較200百萬分之一(200parts per million)佳。另外，Q值測試下達到超越5000之測試結果。
如前所述，理想目標係得以控制一元件如一共振器之絕對頻率，此可透過改變共振器之質量或改變形成共振器之材料之機械性質來達成，例如改變提供共振力之材料的「彈性係數」。由於平台50係為數層結構形成之複合結構，故選擇性去除氮化鋁層76之部分可具有改變平台50質量之影響。然而，選擇性去除材質之作法亦會改變平台之相對成分，其係作為一整體視之，故也會影響彈性係數。
於修整作業中，如圖4所示，平台50可經針測以測定其共振頻率，再利用一雷射以選擇性去除氮化鋁層76之部分。此可藉由將雷射瞄準暴露之氮化鋁部分，例如圖5a中「X」所指出之區域。該雷射可以間斷方式發射以於氮化鋁中產生一連串坑洞，或可以較連續方式發射，以於氮化鋁表面形成一條或數條紋路。
於圖5a所示配置中，電極60及62係設置於共振器之電極上，而蝕刻作業係於波腹位置進行。
於早期測試階段，圖5a所示種類之共振器(具有一公稱共振頻率約100MHz)係可於一時值為1MHz之頻率範圍進行修整，且元件經修整至於一公稱中心頻率±100KHz之準確度範圍內，該等數值係經期望可加以改善者。
由於圖5a所示之共振結構係仰賴平台50中駐波之形成，其可作為一濾波器使用。
圖7表示共振器/濾波器配置之一不同實施例，其中電極60及62皆係公稱長條狀地設置於平台50所支持之壓電材料76上，亦可使用其他電極圖版及共振器形狀。舉例而言，若電性連接係連接至鈦層74或矽層72係為高度摻雜者，則可於平台50中激發垂直聲波，此可取代並存於平行聲波，可構成相同濾波件於不同頻率展現共振之可能性，但此等共振係隨溫度之改變所影響，此提供了利用該差異以取得極準確頻率參考值之可能性。
確實，數種共振器/濾波器可存在於相同積體電路中，且皆可經修整或組裝以共振出不同共振頻率，即便不知其該等共振器中一者或多者之絕對頻率，但仍可得知相對頻率，並依循溫度或其他環境參數以提供具有較佳頻率穩定性之一結構。
如前所述，本發明揭露內容之原則及優點並非用以限定圖5a、圖5b、圖6及圖7所示共振器或濾波器結構之型態，而亦可適用於電阻如Si-Cr電阻，其可經雷射或電子修整。此等電阻可適用於電壓或電流供 應器，以提供一目標準確度，或可作為傳導線或類似裝置之終端電阻，該等裝置中準確設定終端電阻之阻抗值可顯著避免傳導線之訊號反射。
其他微電子元件亦可進行修整。舉例而言，固態陀螺儀常具有較為複雜之結構，其受力進行旋轉運動或振動。然而，此一結構之質量分布失準，例如因該結構上之蝕刻率差異或陀螺儀某些特徵之對齊失準，可能導致其產生意外之機械運動。如此之不良工藝品可經由選擇性雷射去除陀螺儀之部分而加以校正。此種質量去除作法可重新分布陀螺儀周圍之質量中心，可視為如同對輪子增加平衡重量，使其更平順轉動之作法。
當壓電材料如氮化鋁沉積為相對較薄之膜層，則自該膜層下方材料所產生之反射可能性即會升高。此可能提高雷射光內之駐波波紋形成之可能性，造成修整作業可靠度下降，因為不再可準確預測傳遞至壓電層之能量大小。若有此顧慮，則蓋體之一表面可經刻劃有規律間隔之低槽，其具有一深度係對應該雷射光波長之約四分之一，藉此阻礙任何駐波波紋，更精確言之，以確保當壓電層之一部份意外位於一波腹上時，則一鄰近部分將落於一節點上，而該等部分係由一小於該雷射光束直徑或較佳者小於該雷射光束半徑之一延伸空間所間隔。
圖8所示係為先前技術中修整及封裝作業之一流程圖，於先前技術之工序中，一晶圓係經由數項以之組裝步驟加工，以於其中產出至少一或多項元件，而其中一元件需要進行修整。作為此工序之一部份，可能需要至成不同電晶體並使其受金屬質層狀結構相互連接，再受一鈍化層所覆蓋。該等金屬層係可為基材上表面之一連接層，或可透過矽質與基材之一下表面連接。於此配置中，不需於各蓋體周圍留下防護層以作為接合 用途。
於作業100中形成元件後，流程進行至一針測及修整階段，其中對欲修整元件之電子或物理參數進行測量，再以雷射修整方式對元件進行修整。此係可為數次測量與修整循環之一重複性流程，直至元件達到一目標數值為止。自此，流程進行至作業104，將一個或多個蓋體設置於晶圓上各元件上方。作業104後，矽晶圓係於作業106經裁切或切為晶粒，以分離各矽電路及其所設置之蓋體，個別電路再於作業110進行包裝，例如至於塑膠包裝中，以成為完成品。故，於作業104、作業106或作業110中之任何氧化作用、汙染或壓力改變會造成經修整元件之修整數值產生偏差。
反之，如圖9所示，係為本揭露內容實施例之一流程，於作業120組裝元件，並進行至作業122增加一保護蓋體。再將蓋體接合至矽質基材(或基材表面之延伸結構)後，流程進行至作業124，一可修整元件係經針測並進行修整。此流程係可為一重複性流程。於修整作業後，流程進行至作業126，將晶圓進行裁切，亦為所稱之晶粒裁切，以分離各積體電路，再於作業128進行包裝。作業128之包裝程序可包含以成型材料封裝，或可包含以一獨立包裝基材(例如PCB、成型導線架、陶質基材等)腔室包裝，並加上蓋體，以於受遮蓋與修整之部分周圍產生額外腔室。於此工序中，蓋體係於作業122時增設，以保護元件不受氧化作用及汙染影響，亦提供晶圓或基材於裁切及封裝作業中之機械強度。
圖10所示係為一經包裝元件，此處一積體電路具有一可修整元件14，設置於一基材12之保護容積內，且一蓋體20係設於一包裝中，該包裝包含一基部140以及一相對應接合之上部142。基材上之電路係藉由 細導線154及156連接至傳導件150及152，傳導件150及152係延伸穿過基部140以達成與一電路板之電性連接，例如利用凸塊接點之方式。包裝之內層經一模封材料160充填而封閉。此流程可能於晶粒12上施以壓力，在缺少能提供晶粒結構剛性之蓋體20的情況下，可能導致共振件改變其頻率。
故，可能提供一改良工序，用以修整一晶圓或其上之元件，以及提供具有以此處教示內容所修整元件之一晶圓。
由於該元件係於由蓋體所形成之腔室內一受控制氣壓中進行修整，亦可能憑藉修整位置未出現氧化作用之特點，辨識以本揭露內容所進行修整之元件。修整位置係可辨識為處於透明蓋體之下，一般而言，修整位置亦會於其表面表現出因雷射造成元件表面材料熔損所形成之刻痕或坑洞。故，由本發明揭露方法所製成之產品，能與其他以先前技術方法所修整之產品相互區隔。
於測試過程中，修整作業係以波長為350奈米(紫外線)之雷射脈衝，以10微米點發射介於50至350奈耳(nano-joules)間之脈衝成功進行。此顯示被去除材料之去除量係具有可控制之變化，例如自氮化鋁產生之熔損險示出其可達成極佳之精確度。經通技藝之其他人士亦可使用其他波長。
除氮化鋁外之材料亦可用於壓電共振器中。
故，本發明可提供一改良之元件修整方法，以及經此改良之元件。本案申請專利範圍係以符合美國專利局所要求之格式表現；然而，為避免疑慮，申請專利範圍之解讀中，各請求項可依附於前述任一相同類 型之請求項，除非該種組合係為技術性上顯著無法達成者。
此處所述之系統、裝置以及/或方法可實施於各種電子裝置，包括但不限於消費性電子產品、消費性電子產品之零件、電子測試儀器、無線通訊基礎建設等。所述電子裝置亦可包括光學網路或其他通訊網路之電路，以及碟片驅動電路。所述消費性電子產品可包括但不限於測量儀器、醫療裝置、無線裝置、行動電話(例如智慧型手機)、行動電話基地台、電話、電視、電腦螢幕、電腦、手提電腦、平板電腦、個人數位助理(PDA)、微波驢、冰箱、音響系統、卡式錄音機或播放器、DVD播放器、CD播放器、數位錄影機(DVR)、VCR、MP3播放器、收音機、攝影機、項基、數位相機、可攜式記憶晶片、洗衣機、乾衣機、洗衣/乾衣機、影印機、傳真機、掃瞄機、多功能周邊設備、腕表、時鐘等。再者，所述電子裝置可包含未完成之產品。
除內文清楚限定外，說明書與申請專利範圍中所提及之「包含」、「包括」、「具有」與相似用詞係為一開放性用詞，而非封閉性用詞；亦即「包括但不限於」之意涵。於此概括使用之「耦合」或「連接」等用詞，係指兩個以上之元件可直接相接，或利用至少一種媒介元件相接。另外，用於本申請案中之「於此」、「上述」、「下述」以及近似涵義用詞，應將本案視為一整體指稱，而非僅指稱本案之特定部分。於內文允許狀況下，既定實施例之詳細說明中所利用之單數或複數單位用詞，可分別同時包括複數或單數涵義。本文中之「或」用詞係指稱清單中兩件以上之物體，目的在於涵蓋所有下述對此用詞之詮釋：清單中任一物品、清單中所有物品，以及清單中任意物品之組合。文內所有數值係包含誤差值在內之近似值。
本發明所提供之教示可適用於其他系統，而非限定實施於本案所述系統。此處所述不同實施例之元件及作用可經結合以提供進一步實施例。此處所述方法之作用可以任何適當次序進行實施。再者，此處所述方法之效用可以串聯或並聯方式加以實施。
此處用以說明之實施例僅係做為教示範例，非用於限定本案揭露內容。此處所述之創新方法及電路係可以其他不同方式加以實施。再者，精通技藝之人士可於不違背本發明精神範疇之前提下，對此處所述方法及系統形式進行各種省略、替代及變化性實施。申請專利範圍及其均等內容係涵蓋各種落入本案揭露內容範圍及精神之修改形式。依此，本發明之範圍係由申請專利範圍所界定。
120‧‧‧作業
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Claims (21)

  1. 一種對於一基材上所設置一元件之修整方法，包含：於該基材上進行一玻璃遮蔽物或一透明遮蔽物之設置作業，以於該元件周圍提供一受保護容積；以及對該元件進行修整作業，以調整該元件之一參數。
  2. 如請求項1所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該修整作業包括調整該元件之一質量。
  3. 如請求項1所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該修整作業包括調整該元件之一質量分布。
  4. 如請求項1所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該修整作業包括調整該元件之一電子性質。
  5. 如請求項1所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該元件係以一可熔損材料或搭配一可熔損材料製成，且該可熔損材料中之選定部分係經選擇性加熱以去除該材料。
  6. 如請求項5所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該元件具有一氮化鋁層形成於該元件之一表面上。
  7. 如請求項1所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該修整作業係由一雷射修整進行。
  8. 如請求項1所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該設置作業之進行，係先於將個別積體電路自基材切分之一切鋸作業之進行。
  9. 如請求項8所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該修整作業包含雷射修整，且該雷射修整之進行係先於該切鋸作業之進行。
  10. 如請求項1所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該元件係為一共振器，且該共振器係經雷射修整以調整該共振器之一共振頻率。
  11. 如請求項1所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該元件係為一加速儀或一陀螺儀，且該元件係經修整以調校其質量或質量分布。
  12. 如請求項1所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該元件係為一濾波器，且該元件係經修整以調整其中央頻率。
  13. 如請求項1所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該元件係為一電阻，且該電阻係經修整以調整其阻抗。
  14. 如請求項1所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該元件係為一微電子機械系統元件。
  15. 如請求項1所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該元件係為一矽質基材。
  16. 如請求項2所述之對於一基材上所設置一元件之修整方法，其中該設置作業包含將該蓋體接合至該基材或該基材一表面之延伸結構。
  17. 一種微電子電路，其包含：至少一第一元件，設置於一基材上，其中該第一元件具有一參數，其可變化作為用於製成該微電子電路之一組裝程序變化之一函數，其中該微電子電路具有一雷射可穿透之遮蔽物，其設置於該基材，以於該第一元件周圍形成一密封之密閉空間，且其中該第一元件之一修整位置未具有氧化作用。
  18. 一種微電子電路，其係由一種加工流程所製成，該加工流程包含當該元件位於由一雷射可穿透材料耦合至一基材以形成之一密封之密閉空間中時，對該基材上之一元件進行雷射修整，其中該元件具有一參數，其可變化作為用於製成該微電子電路之一組裝程序變化之一函數。
  19. 如請求項18所述之微電子電路，其中該元件包含由一共振器及一電阻所構成之群組中之至少一者。
  20. 如請求項18所述之微電子電路，其中該元件包含一氮化鋁層。
  21. 如請求項18所述之微電子電路，其中該雷射可穿透材料係為玻璃。
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