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TW201319118A - 低熔融黏度液晶聚合物之熔融聚合 - Google Patents

低熔融黏度液晶聚合物之熔融聚合 Download PDF

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TW201319118A
TW201319118A TW101131048A TW101131048A TW201319118A TW 201319118 A TW201319118 A TW 201319118A TW 101131048 A TW101131048 A TW 101131048A TW 101131048 A TW101131048 A TW 101131048A TW 201319118 A TW201319118 A TW 201319118A
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aromatic
oligomer
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aryl
polymer
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TW101131048A
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English (en)
Inventor
Kamlesh P Nair
Steven D Gray
Original Assignee
Ticona Llc
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Abstract

本發明提供一種用於形成高分子量液晶聚合物之方法。該方法包括在芳族醯胺寡聚物存在下熔融聚合兩或更多種前驅物單體(例如乙醯化或非乙醯化)。本發明者已發現該寡聚物可在黏性聚合物形成時降低其熔融黏度。在熔融聚合期間原位降低熔融黏度之能力使得能夠形成展現低熔融黏度及在不於其中固化之情況下仍可從反應器容器中移除之高分子量聚合物。此不僅改良處理之便利性，而且可達成甚至高於常規實踐之分子量。

Description

低熔融黏度液晶聚合物之熔融聚合
熱向型液晶聚合物為具有相對刚性及直鏈聚合物鏈之縮合聚合物以使其熔融可形成液晶相。一種用於製備液晶芳族聚酯之典型方法包括將一或多種芳族二醇類及二羧酸類及/或羥基羧酸類與足量羧酸酐(例如乙酸酐)混合以使存在之二醇類及/或二羧酸類之羥基乙醯化。一旦形成，之後將經乙醯化之單體加熱至高溫以引發單體轉換成聚合物之縮合反應。為利於達到可將高分子量聚合物之製造最佳化之反應平衡，一般除掉縮合反應的副產物(例如乙酸、酚類衍生物等)。一般在後一階段，在真空下，將混合物最終加熱至相對高的溫度以製備最終液晶聚合物。此在處理混合物為液體(呈熔融物)時為完成。
因為其高熔融溫度及強度，通常要求形成具有更高分子量之液晶聚合物。然而，該類聚合物具有高黏性及因此傾向於在熔融聚合期間在所用反應器容器中固化，因此使其極難以從該反應器中除掉。為此原因，用於形成高分子量液晶聚合物之習知技術一般包括「固態聚合」。意即，在完全形成聚合物之前(分子量已經達到要求的水平)，冷卻液體及接著分解成小顆粒。在「固態」時，在惰性氣體(例如氮氣)流或在真空下加熱該等顆粒以將分子量升至要求的水平。儘管固態聚合技術可有助於達成要求的分子量，但是其可為過度複雜及昂貴的。
因此，需要一種熔融聚合具有更低熔融黏度之高分子量 液晶聚合物的方法。
根據本發明之一個實施例，揭示一種形成液晶聚合物之方法。該方法包括在芳族醯胺寡聚物存在下熔融聚合兩或多種單體。該等單體為該液晶聚合物之前驅物，及該芳族醯胺寡聚物具有如下通式(I)： 其中，環B為6員芳族環，其中1至3個環碳原子可視需要經氮或氧替代，其中各氮視需要被氧化，及其中環B可視需要稠合或連接至5或6員芳基、雜芳基、環烷基或雜環基；R5為鹵素、鹵代烷基、烷基、烯基、芳基、雜芳基、環烷基或雜環基；m為0至4；X1及X2獨立地為C(O)HN或NHC(O)；及R1及R2獨立地選自芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。
根據本發明之另一實施例，揭示一種包括在芳族醯胺寡聚物存在下熔融聚合之液晶聚合物的熱向型液晶聚合物組合物。如在1000秒-1之剪切速率及350℃之溫度下測定，該組合物具有約4 dL/g至約15 dL/g之固有黏度及約150 Pa-s或更小之熔融黏度。
以下將更詳細地闡明本發明之其他特徵及態樣。
在本說明書之餘下部分，包括參考之附圖，更特定地闡述本發明之全面且賦權的揭示內容，包括熟習此項技術者知曉之其最佳模式。
定義
應理解，文中所用之術語為僅出於敘述特定實施例的目的而不欲限制本發明之範圍。
「烷基」係指具有1至10個碳原子及在一些實施例中1至6個碳原子之單價飽和脂族烴基。「Cx-y烷基」係指具有x至y個碳原子之烷基。該術語包括例如直鏈及分支鏈烴基諸如甲基(CH3)、乙基(CH3CH2)、正丙基(CH3CH2CH2)、異丙基((CH3)2CH)、正丁基(CH3CH2CH2CH2)、異丁基((CH3)2CHCH2)、第二丁基((CH3)(CH3CH2)CH)、第三丁基((CH3)3C)、正戊基(CH3CH2CH2CH2CH2)及新戊基((CH3)3CCH2)。
「烯基」係指具有2至10個碳原子及在一些實施例中2至6個碳原子或2至4個碳原子且具有至少1個乙烯基不飽和位點(>C=C<)之直鏈或分支鏈烴基。例如，(Cx-Cy)烯基係指具有x至y個碳原子之烯基及表示包括例如乙烯基、丙烯基、1,3-丁二烯基等。
「炔基」係指具有至少一個三鍵之直鏈或分支鏈單價烴基。術語「炔基」亦可包括具有其他類型鍵(諸如雙鍵及三鍵)的彼等烴基。
「芳基」係指具有3至14個碳原子及無環雜原子且具有單一環(例如苯基)或多個縮合(稠合)環(例如萘基或蒽基)的芳族基。對於包括具有不含環雜原子之芳族及非芳族環之稠合、橋連及螺環體系的多環體系而言，當連接點在芳族碳原子處時，該術語「芳基」適用(例如，5,6,7,8-四氫萘-2-基為芳基，因為其連接點在芳族苯環之2-位置)。
「環烷基」係指具有3至14個碳原子及無環雜原子且具有單一環或包括稠合、橋連及螺環體系之多個環的飽和或部分飽和的環狀基團。對於具有不含環雜原子之芳族及非芳族環的多環體系而言，當連接點位於非芳族碳原子時，該術語「環烷基」適用(例如5,6,7,8，-四氫萘-5-基)。該術語「環烷基」包括環烯基諸如金鋼烷基、環丙基、環丁基、環戊基、環辛基及環己烯基。有時採用術語「環烯基」係指具有至少一個>C=C<環不飽和位點之部分飽和的環烷基環。
「鹵基」或「鹵素」係指氟、氯、溴及碘。
「鹵代烷基」係指經1至5個或在一些實施例中1至3個鹵素基取代之烷基。
「雜芳基」係指具有1至14個碳原子及1至6個選自氧、氮及硫之雜原子的芳族基及包括單環(例如咪唑基)及多環體系(例如苯并咪唑-2-基及苯并咪唑-6-基)。對於包括具有芳族及非芳族環之稠合、橋連及螺環體系之多環體系而言，若存在至少一個環雜原子及連接點位於該芳族環之一個原子處，該術語「雜芳基」適用(例如1,2,3,4-四氫喹啉- 6-基及5,6,7,8-四氫喹啉-3-基)。在一些實施例中，雜芳基之氮及/或硫環原子可視需要被氧化以提供N氧化物(N→O)、亞磺醯基、或磺醯基部分。雜芳基之實例包括但不限於吡啶基、呋喃基、噻吩基、噻唑基、異噻唑基、三唑基、咪唑基、咪唑啉基、異噁唑基、吡咯基、吡唑基、嗒嗪基、嘧啶基、嘌呤基、酞嗪基、萘啶基、苯并呋喃基、四氫苯并呋喃基、異苯并呋喃基、苯并噻唑基、苯并異噻唑基、苯并三唑基、吲哚基、異吲哚基、吲嗪基、二氫吲哚基、吲唑基、吲哚啉基、苯并噁唑基、喹啉基、異喹啉基、喹基(quinolizyl)、喹唑啉基、喹喔啉基、四氫喹啉基、異喹啉基、喹唑啉酮基(quinazolinonyl)、苯并咪唑基、苯并異噁唑基、苯并噻吩基、苯并嗒嗪基、蝶啶基、咔唑基、咔啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、啡噁嗪基、吩噻嗪基及酞內醯胺基。
「雜環狀」或「雜環」或「雜環烷基」或「雜環基」係指具有1至14個碳原子及1至6個選自氮、硫或氧之雜原子的飽和或部分飽和的環狀基團及包括單環及包括稠合、橋連及螺環體系的多環體系。對於具有芳族及/或非芳族環的多環體系而言，當存在至少一個環雜原子及連接點位於非芳族環之一個原子處時，該等術語「雜環狀」、「雜環」、「雜環烷基」或「雜環基」適用(例如十氫喹啉-6-基)。在一些實施例中，雜環基之氮及/或硫原子可視需要被氧化以提供N氧化物、亞磺醯基、磺醯基部分。雜環基之實例包括但不限於氮雜環丁烷基、四氫吡喃基、哌啶 基、N-甲基哌啶-3-基、哌嗪基、N-甲基吡咯啶-3-基、3-吡咯啶基、2-吡咯啶酮-1-基、嗎啉基、硫代嗎啉基、咪唑啶基及吡咯啶基。
應理解，上述定義涵蓋未經取代之基團以及經一或多個如相關技術中已知的其他官能基取代之基團。例如，芳基、雜芳基、環烷基或雜環基可經1至8個，在一些實施例中1至5個，在一些實施例中1至3個及在一些實施例中1至2個選自如下之取代基取代：烷基、烯基、炔基、烷氧基、醯基、醯胺基、醯氧基、胺基、四級胺基、醯胺、亞胺基、甲脒基、胺基羰基胺基、甲脒基羰基胺基、胺基硫代羰基、胺基羰基胺基、胺基硫代羰基胺基、胺基羰氧基、胺基磺醯基、胺基磺醯氧基、胺基磺醯胺基、芳基、芳氧基、芳硫基、疊氮基、羧基、羧基酯、(羧基酯)胺基、(羧基酯)氧基、氰基、環烷基、環烷氧基、環烷硫基、胍基、鹵素、鹵代烷基、鹵代烷氧基、羥基、羥基胺基、烷氧基胺基、肼基、雜芳基、雜芳氧基、雜芳硫基、雜環基、雜環氧基、雜環硫基、硝基、側氧基、硫酮、磷酸酯、膦酸酯、亞膦酸酯、磷醯胺酸基、磷二醯胺酸基、磷醯胺酸單酯、環狀磷醯胺酸基、環狀磷二醯胺酸基、磷醯胺酸二酯、硫酸根、磺酸根、磺醯基、經取代之磺醯基、磺醯氧基、硫代醯基、硫代氰酸根、硫醇、烷硫基等以及此等取代基之組合。
「液晶聚合物」係指可具有容許其在其熔融態(例如，熱向型向列態)展現液晶行為之棒樣結構的聚合物。該聚 合物可包含芳族單元(例如芳族聚酯、芳族聚酯醯胺等)以使其為完全芳族的(例如僅包含芳族單元)或部分芳族的(例如包含芳族單元及其他單元，諸如環脂族單元)。該聚合物之性質亦可為完全結晶或半結晶的。
詳細敘述
一般技術者應理解，本發明之論述僅為示例性實施例之敘述，及不欲限制本發明之更廣範圍的態樣。
一般而言，本發明係關於一種用於形成高分子量液晶聚合物之方法。更特定言之，在具有如下通式(I)之芳族醯胺寡聚物存在下熔融聚合兩或多種前驅物單體(例如，乙醯化及非乙醯化)： 其中，環B為6員芳族環，其中1至3個環碳原子可視需要經氮或氧替代，其中各氮視需要被氧化，及其中環B可視需要稠合或連接至5或6員芳基、雜芳基、環烷基或雜環基；R5為鹵素、鹵代烷基、烷基、烯基、芳基、雜芳基、環烷基或雜環基；m為0至4；X1及X2獨立地為C(O)HN或NHC(O)；及R1及R2獨立地選自芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。
本發明者已經發現該寡聚物可在黏性聚合物形成時降低其熔融黏度。在熔融聚合期間原位降低熔融黏度之能力使得能夠形成可展現低熔融黏度及在無需於其中固化仍可從反應器容器中除掉之高分子量聚合物。此不僅改良處理之便利性，而且可達成甚至高於常規實踐之分子量。該寡聚物之另一好處在於其不易揮發或分解，其允許該寡聚物在聚合反應期間在相對高的溫度下進行處理。未欲受限於理論，據信該等醯胺官能基之活性氫原子可與液晶聚酯或聚酯醯胺之主鏈形成氫鍵。此氫鍵合強化該寡聚物與該液晶聚合物之連接及因此使其變得揮發的可能性降至最低。儘管提供所表明之好處，該芳族醯胺寡聚物一般不會與該液晶聚合物之聚合物主鏈反應至任何可觀的程度，以致不會不利地影響該聚合物之機械性質。
芳族醯胺寡聚物一般具有相對低的分子量，以致其可有效地充當該聚合物組合物之流動助劑。例如，該寡聚物一般具有約1,000克/莫耳或更小，在一些實施例中約50至約750克/莫耳，在一些實施例中約100至約600克/莫耳及在一些實施例中約150至約500克/莫耳的分子量。除了具有相對低的分子量外，該寡聚物一般亦具有高醯胺官能度，因此其能夠與液晶聚合物進行足夠程度的氫鍵合。針對給定分子之醯胺官能度可藉由其「醯胺當量」來表徵，其反映包含1分子醯胺官能基之化合物之量及可藉由將該化合物之分子量除以該分子中之醯胺基團的數目來計算。例如，該芳族醯胺寡聚物可包含1至10，在一些實施例中2至8及 在一些實施例中2至4個醯胺官能基/分子。該醯胺當量可同樣地為約10至約1,000克/莫耳或更小，在一些實施例中約50至約500克/莫耳及在一些實施例中約100至約300克/莫耳。
如上所表明，希望該醯胺寡聚物亦一般不具有反應性，以致其不會與液晶聚合物主鏈形成共價鍵。為有助於更佳地將反應性降至最低，該寡聚物一般包含由一或多個芳族環(包括雜芳族環)形成的核。該寡聚物亦可包含由一或多個芳族環及/或環烷基形成的端基。此「芳族」寡聚物因而具有極少的(若存在)與基質液晶聚合物的反應性。
在某些實施例中，上式(I)中之環B可選自如下： 其中，m為0、1、2、3或4，在一些實施例中m為0、1或2，在一些實施例中m為0或1，及在一些實施例中，m為0；及R5為鹵素、鹵代烷基、烷基、烯基、芳基、雜芳基、環烷基或雜環基。環B可為苯基。
在某些實施例中，該寡聚物為二官能團化合物，其中環B直接鍵連至僅2個醯胺基團(例如C(O)HN或NHC(O))。在此等實施例中，式(I)中之m可為0。當然，在某些實施例中，環B亦可直接鍵連至3或更多個醯胺基團。例如，藉由通式(II)提供該化合物之一個實施例： 其中，環B、R5、X1、X2、R1及R2係如上所定義；m為0至3；X3為C(O)HN或NHC(O)；及R3選自芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。
藉由通式(III)提供該化合物之另一實施例： 其中，環B、R5、X1、X2、X3、R1、R2及R3係如上所定義；X4為C(O)HN或NHC(O)；及R4選自芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。
在一些實施例中，以上表明之結構中之R1、R2、R3及/或R4可選自如下： 其中，n為0、1、2、3、4或5，在一些實施例中，n為0、1或2及在一些實施例中，n為0或1；及R6為鹵素、鹵代烷基、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、環烷基或雜環基。
在一個特定實施例中，該芳族醯胺寡聚物具有以下通式(IV)： 其中，X1及X2獨立地為C(O)HN或NHC(O)；R5、R7及R8獨立地選自鹵素、鹵代烷基、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、環烷基或雜環基；m為0至4；及p及q獨立地為0至5。
在另一實施例中，該芳族醯胺寡聚物具有以下通式(V)： 其中，X1、X2、R5、R7、R8、m、p及q係如上所定義。例如，在某些實施例中，式(IV)及式(V)中之m、p及q可等於0，以使核及末端芳族基未經取代。在其他實施例中，m可為0及p及q可為1至5。在此等實施例中，例如，R7及/或R8可為鹵素(例如氟)。在其他實施例中，R7及/或R8可為芳基(例如苯基)、環烷基(例如環己基)或經具有結構-C(O)R12N-或-NR13C(O)-之醯胺基團取代之芳基及/或環烷基，其中R12及R13獨立地選自氫、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。在一個特定實施例中，例如，R7及/或R8為經-C(O)HN-或-NHC(O)-取代之苯基。在其他實施例中，R7及/或R8可為雜芳基(例如吡啶基)。
在又一實施例中，該芳族醯胺寡聚物具有以下通式 (VI)： 其中，X1、X2及X3獨立地為C(O)HN或NHC(O)；R5、R7、R8及R9獨立地選自鹵素、鹵代烷基、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、環烷基及雜環基；m為0至3；及p、q及r獨立地為0至5。
在再一實施例中，該芳族醯胺寡聚物具有以下通式(VII)： 其中，X1、X2、X3、R5、R7、R8、R9、m、p、q及r係如上所定義。
例如，在某些實施例中，式(VI)或式(VII)中之m、p、q及r可等於0，以使核及末端芳族基未經取代。在其他實施例中，m可為0及p、q及r可為1至5。在此等實施例中，例如，R7、R8及/或R9可為鹵素(例如氟)。在其他實施例中，R7、R8及/或R9可為芳基(例如苯基)、環烷基(例如環己基)或經具有結構-C(O)R12N-或-NR13C(O)-之醯胺基團取代之芳基及/或環烷基，其中R12及R13獨立地選自氫、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。在一個特定實施例中，例如，R7、R8及/或R9為經-C(O)HN-或-NHC(O)-取代之苯基。在其他實施例中，R7、R8及/或R9可為雜芳基(例如吡啶基)。
亦在下表中闡明本發明之芳族醯胺寡聚物的具體實施例：
如相關技術中已知，一般可以改變在形成液晶聚合物期間所用之前驅物單體。例如，適當的熱向型液晶聚合物可包括例如芳族聚酯、芳族聚(酯醯胺)、芳族聚(酯碳酸酯)、芳族聚醯胺等，及可同樣地包含由一或多種芳族或脂族羥基羧酸類、芳族或脂族二羧酸類、芳族或脂族二醇類、芳族或脂族胺基羧酸類、芳族或脂族胺類、芳族或脂族二胺類等以及其組合所形成之重複單元。
例如，可藉由聚合(1)兩或多種芳族羥基羧酸類；(2)至少一種芳族羥基羧酸、至少一種芳族二羧酸及至少一種芳族二醇；及/或(3)至少一種芳族二羧酸及至少一種芳族二醇來獲得芳族聚酯。適當芳族羥基羧酸類的實例包括4-羥基苯甲酸；4-羥基-4'-聯苯基羧酸；2-羥基-6-萘甲酸；2-羥基-5-萘甲酸；3-羥基-2-萘甲酸；2-羥基-3-萘甲酸；4'-羥基苯基-4-苯甲酸；3'-羥基苯基-4-苯甲酸；4'-羥基苯基- 3-苯甲酸等，以及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基。適當芳族二羧酸類的實例包括對苯二甲酸；間苯二甲酸；2,6-萘二羧酸；二苯基醚-4,4'-二羧酸；1,6-萘二羧酸；2,7-萘二羧酸；4,4'-二羧基聯苯；雙(4-羧基苯基)醚；雙(4-羧基苯基)丁烷；雙(4-羧基苯基)乙烷；雙(3-羧基苯基)醚；雙(3-羧基苯基)乙烷等，以及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基。適當芳族二醇類的實例包括氫醌；間苯二酚；2,6-二羥基萘；2,7-二羥基萘；1,6-二羥基萘；4,4'-二羥基聯苯；3,3'-二羥基聯苯；3,4'-二羥基聯苯；4,4'-二羥基聯苯基醚；雙(4-羥基苯基)乙烷等，以及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基。在一個特定實施例中，該芳族聚酯包含衍生自4-羥基苯甲酸及2,6-羥基萘甲酸的單體重複單元。衍生自4-羥基苯甲酸之單體單元可構成在一莫耳基礎上約45%至約85%(例如，73%)之該聚合物及衍生自2,6-羥基萘甲酸之單體單元可構成在一莫耳基礎上約15%至約55%(例如，27%)之該聚合物。此等芳族聚酯可在商標名VECTRA® A下從Ticona,LLC購得。此等及其他芳族聚酯之合成及結構更詳細地敘述於美國專利第4,161,470；4,473,682；4,522,974；4,375,530；4,318,841；4,256,624；4,219,461；4,083,829；4,184,996；4,279,803；4,337,190；4,355,134；4,429,105；4,393,191；4,421,908；4,434,262；及5,541,240中。
液晶聚酯醯胺可同樣地藉由聚合如下物質而獲得：(1)至少一種芳族羥基羧酸及至少一種芳族胺基羧酸；(2)至少 一種芳族羥基羧酸、至少一種芳族二羧酸及至少一種視需要具有酚類羥基之芳族胺及/或二胺；及(3)至少一種芳族二羧酸及至少一種視需要具有酚類羥基之芳族胺及/或二胺。適當芳族胺類及二胺類可包括例如3-胺基苯酚；4-胺基苯酚；1,4-苯二胺；1,3-苯二胺等，以及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基。在一個特定實施例中，該芳族聚酯醯胺包含衍生自2,6-羥基萘甲酸、對苯二甲酸及4-胺基苯酚的單體單元。衍生自2,6-羥基萘甲酸之單體單元可構成在一莫耳基礎上約35%至約85%(例如，60%)之該聚合物，衍生自對苯二甲酸之單體單元可構成在一莫耳基礎上約5%至約50%(例如，20%)之該聚合物及衍生自4-胺基苯酚之單體單元可構成在一莫耳基礎上約5%至約50%(例如，20%)之該聚合物。該類芳族聚酯醯胺可在商標名VECTRA® B下從Ticona,LLC購得。在另一實施例中，該芳族聚酯醯胺包含衍生自2,6-羥基萘甲酸及4-羥基苯甲酸及4-胺基苯酚之單體單元以及其他可選的單體(例如，4,4'-二羥基聯苯及/或對苯二甲酸)。此等及其他芳族聚(酯醯胺)之合成及結構更詳細地敘述於美國專利4,339,375；4,355,132；4,351,917；4,330,457；4,351,918；及5,204,443中。
不論其特定單體組分，可藉由將適宜單體(例如芳族羥基羧酸、芳族二羧酸、芳族二醇、芳族胺、芳族二胺等)引入反應器容器中以引發聚縮合反應，來製備該液晶聚合物。已熟知在此等反應中使用之特定條件及步驟，及更詳 細地敘述於頒予Calundann之美國專利4,161,470；頒予Linstid,III等人之美國專利5,616,680；頒予Linstid,III等人之美國專利6,114,492；頒予Shepherd等人之美國專利6,514,611；及頒予Waggoner之WO 2004/058851中，出於所有相關目的，以引用之方式將其全文併入本文。儘管一般要求使用在高黏度流體之反應中常用者，但是未專門限制該反應中所用之容器。此反應容器之實例可包括具有各種形狀之攪拌葉(諸如錨型、多階段型、螺旋帶型、螺旋桿型等或其改良之形狀)之攪拌器的攪拌槽型裝置。此反應容器之其他實例可包括在樹脂捏合中常用的混合裝置，諸如捏合器、滾軋機、班伯里混合機(Banbury mixer)等。
若需要，亦可經由如上引用及相關技術中已知的單體的乙醯化作用來進行該反應。此可以藉由將乙醯化試劑(例如乙酸酐)添加至單體而完成。一般在約90℃之溫度下引發乙醯化。在乙醯化之初始階段，可使用回流以維持低於乙酸副產物及酸酐開始蒸餾之點的氣相溫度。乙醯化期間之溫度一般在介於90℃至150℃之間及在一些實施例中，約110℃至約150℃之範圍內。若使用回流，氣相溫度一般超過乙酸的沸點，但保持足夠低以保留殘餘的乙酸酐。例如，乙酸酐在約140℃之溫度下汽化。因此，特別需要給反應器提供在約110℃至約130℃之溫度下之氣相回流。為確保實質上完成反應，可使用過量的乙酸酐。過量酸酐之量將依據使用之特定乙醯化條件而變，包括存在或不存在回流。基於存在之反應物羥基之總莫耳之約1至約10莫耳 百分比之乙酸酐的過量使用為常見的。
可在單獨的反應器容器中發生乙醯化或其可在聚合反應器容器中原位發生。當使用單獨的反應器容器時，可將一或多種單體引入乙醯化反應器及接著轉入聚合反應器。同樣地，亦可在不預先進行乙醯化下將一或多種單體直接引入反應器容器中。
根據本發明，亦可將芳族醯胺寡聚物添加至聚合裝置中。儘管可在任何時間將其引入，但是一般要求在引發熔融聚合之前，及一般與用於液晶聚合物之前驅物單體結合來應用寡聚物。可選擇添加至反應混合物中之芳族醯胺寡聚物的相對含量以有助於達成黏度與機械性質之間的平衡。更特定言之，高寡聚物含量可導致低黏度，但含量過高可將黏度減少至該寡聚物不利地影響反應混合物之熔融強度的程度。在大多數實施例中，例如，該芳族醯胺寡聚物或其混合物可以佔100重量份之該反應混合物的約0.1至約5重量份，在一些實施例中約0.2至約4重量份及在一些實施例中約0.3至約1.5重量份之含量使用。該等芳族寡聚物可構成例如約0.1重量%至約5重量%，在一些實施例中約0.2重量%至約4重量%及在一些實施例中約0.3重量%至約1.5重量%之聚合物組合物。液晶聚合物可同樣地構成約95重量%至約99.9重量%，在一些實施例中約96重量%至約98.8重量%及在一些實施例中約98.5重量%至約99.7重量%之該反應混合物。當以反應混合物提及時，亦應理解，該等比及重量百分比亦可適用於最終聚合物組合物。意即， 佔100重量份之液晶聚合物的該寡聚物的重量份及在最終聚合物組合物中之寡聚物的百分比可位於以上表明之範圍內。
除了單體、寡聚物及可選之乙醯化試劑之外，亦可將其他組分併入反應混合物中以助於促進聚合。例如，可視需要使用催化劑，諸如金屬鹽催化劑(例如，乙酸鎂、乙酸錫(I)、鈦酸四丁酯、乙酸鉛、乙酸鈉、乙酸鉀等)及有機化合物催化劑(例如，N-甲基咪唑)。此等催化劑一般以佔重複單元前驅物之總重量約50至約500份/百萬份的含量使用。當使用單獨的反應器時，一般要求將催化劑應用至乙醯化反應器而非聚合反應器中，儘管絕非一定要求如此。
一般將反應混合物加熱至在聚合反應器容器範圍內之高溫以引發反應物之聚縮合。聚縮合可例如在約210℃至約400℃及在一些實施例中約250℃至約350℃之溫度範圍內發生。例如，一種用於形成芳族聚酯之適當的技術可包括將前驅物單體(例如，4-羥基苯甲酸及2,6-羥基萘甲酸)、芳族醯胺寡聚物及乙酸酐加入至反應器中，將混合物加熱至約90℃至約150℃的溫度以使單體之羥基乙醯化(例如形成乙醯氧基)，及接著增加溫度至約210℃至約400℃的溫度以進行熔融聚縮合。隨著接近最終聚合溫度，亦可除掉反應之揮發性副產物(例如乙酸)，從而可容易達成所需分子量。一般在聚合期間將反應混合物進行攪拌以確保良好的熱及質量轉移，及進而確保良好的物質均質性。攪拌器之旋轉速度可以在反應過程期間變化，但一般位於約10至 約100轉/分鐘(「rpm」)及在一些實施例中約20至約80 rpm之範圍內。為構建熔融物的分子量，亦可在真空下進行聚合反應，該應用可有利地除掉在聚縮合之最後階段期間所形成之揮發物。可藉由應用抽吸壓力，諸如在約5至約30磅/平方英寸(「psi」)及在一些實施例中約10至約20 psi範圍內之抽吸壓力，來產生真空。
在熔融聚合之後，一般經由配有所需構型之壓模之擠製小孔從反應器排出熔融聚合物，冷卻及收集。通常將熔融物透過穿孔模排出以形成束，其在水浴中處理、粒化及乾燥。樹脂亦可為束、顆粒或粉末之形式。雖然非必要的，但是亦應理解可進行後續固相聚合以進一步增加分子量。當對藉由熔融聚合獲得之聚合物進行固相聚合時，一般需要選擇一種如下方法，其中固化藉由熔融聚合獲得之聚合物及接著粉碎以形成粉末狀或片狀聚合物，接著進行固體聚合法，諸如在200℃至350℃之溫度範圍中，在惰性氛圍(例如氮氣)下之熱處理。
不論所採用的特定方法，所得液晶聚合物一般可具有約2,000克/莫耳或更大，在一些實施例中約4,000克/莫耳或更大及在一些實施例中約5,000至約30,000克/莫耳之高數平均分子量(Mn)。當然，還可利用本發明之方法形成具有更低分子量的聚合物，諸如小於約2,000克/莫耳。一般與分子量成正比例之聚合物組合物之固有黏度亦可相對高。例如，該固有黏度可為約4分升/克(「dL/g」)或更大，在一些實施例中，約5 dL/g或更大，在一些實施例中，約6至約 20 dL/g及在一些實施例中，約7至約15 dL/g。如下將更詳細地敘述，可根據ISO-1628-5，利用五氟苯酚及六氟異丙醇之50/50(v/v)混合物測定固有黏度。儘管固有黏度一般直接與平均分子量成比例，但是本發明者已經出人意料地發現該組合物之熔融黏度不遵循相同的趨勢。換言之，已經發現在熔融聚合期間存在芳族寡聚物實質上降低熔融黏度，但僅導致固有黏度略微降低(若有)。
如上所強調，該低熔融黏度可改進可處理性及亦可達成非常規實踐之分子量。例如，如在1000秒-1之剪切速率下測定，該聚合物組合物可具有約200 Pa-s或更小，在一些實施例中，約150 Pa-s或更小，在一些實施例中，約0.5至約125 Pa-s及在一些實施例中，約1至約100 Pa-s之熔融黏度。可根據ISO測試號11443(相當於ASTM測試號1238-70)，在350℃之溫度下測定熔融黏度。
聚合物組合物之熔點亦可在約250℃至約400℃，在一些實施例中約270℃至約380℃及在一些實施例中約300℃至約360℃的範圍內。同樣地，結晶溫度可在約200℃至約400℃，在一些實施例中約250℃至約350℃及在一些實施例中約280℃至約320℃的範圍內。如相關技術中已熟知，可利用差示掃描量熱法(「DSC」)測定熔融及結晶溫度，諸如藉由ISO測試號11357測定。
若需要，所得聚合物組合物亦可與多種其他類型的組分組合以形成經填充之組合物。例如，可將填料物質併入該聚合物組合物以提高強度。填料組合物可包括填料物質諸 如纖維填料及/或礦物質填料及可選之一或多種如技術中一般已知的其他添加劑。
例如，可將礦物質填料用於聚合物組合物中以有助於達成要求之機械性質及/或外觀。當應用時，礦物質填料一般構成約5重量%至約60重量%，在一些實施例中約10重量%至約55重量%及在一些實施例中約20重量%至約50重量%之該聚合物組合物。黏土礦物質可尤其適合用於本發明中。此等黏土礦物質的實例包括例如滑石(Mg3Si4O10(OH)2)、埃洛石(Al2Si2O5(OH)4)、高嶺土(Al2Si2O5(OH)4)、伊利土((K,H3O)(Al,Mg,Fe)2(Si,Al)4O10[(OH)2,(H2O)])、蒙脫土(Na,Ca)0.33(Al,Mg)2Si4O10(OH)2．nH2O)、蛭石((MgFe,Al)3(Al,Si)4O10(OH)2．4H2O)、坡縷縞石((Mg,Al)2Si4O10(0H)．4(H2O))、葉蠟石(Al2Si4O10(OH)2)等，以及其組合。代替黏土礦物質或除其以外，亦可使用其他礦物質填料。例如，亦可使用其他適宜的矽酸鹽填料，諸如矽酸鈣、矽酸鋁、雲母、矽藻土、矽灰石等。例如，雲母尤其適合。存在在地質出現方面具有極大差異之若干化學上不同的雲母種類，但均具有實質上相同的晶體結構。文中所用之術語「雲母」意指一般包括任何此等種類，諸如白雲母(KAl2(AlSi3)O10(OH)2)、黑雲母(K(Mg,Fe)3(AlSi3)O10(OH)2)、金雲母(KMg3(AlSi3)O10(OH)2)、鋰雲母(K(Li,Al)2-3(AlSi3)O10(OH)2)、海綠石(K,Na)(Al,Mg,Fe)2(Si,Al)4O10(OH)2)等，以及其組合。
亦可使用纖維作為填料物質以改良機械性質。此等纖維 相對其質量一般具有高度的拉伸強度。例如，該等纖維之最終拉伸強度(根據ASTM D2101測定)一般為約1,000至約15,000兆帕(「MPa」)，在一些實施例中約2,000 MPa至約10,000 MPa及在一些實施例中約3,000 MPa至約6,000 MPa。為保持通常在電子組件應用中所需的絕緣性，高強度纖維可由在性質上亦一般為絕緣的材料形成，諸如玻璃、陶瓷(例如氧化鋁或矽石)、芳族聚醯胺類(例如，由E.I.duPont de Nemours,Wilmington,Del.出售之Kevlar®)、聚烯烴、聚酯類等，以及其混合物。玻璃纖維尤其適宜，諸如E-玻璃、A-玻璃、C-玻璃、D-玻璃、AR-玻璃、R-玻璃、S1-玻璃、S2-玻璃等及其混合物。
纖維之體積平均長度可為約50至約400微米，在一些實施例中約80至約250微米，在一些實施例中約100至約200微米及在一些實施例中約110至約180微米。該等纖維亦可具有狹窄的長度分佈。意即，至少約70體積%之纖維，在一些實施例中至少約80體積%之纖維及在一些實施例中，至少約90體積%之纖維具有位於約50至約400微米，在一些實施例中約80至約250微米，在一些實施例中約100至約200微米及在一些實施例中約110至約180微米之範圍內的長度。該等纖維亦可具有相對高的寬高比(標稱直徑除以平均長度)以有助於改良所得聚合物組合物之機械性質。例如，該等纖維可具有約2至約50，在一些實施例中約4至約40之寬高比及在一些實施例中約5至約20尤其有利。纖維可例如具有約10至約35微米及在一些實施例中約15至約 30微米的標稱直徑。
亦可選擇性地控制經填充之聚合物組合物之纖維的相對含量以有助於達成所需機械性質而不有害地影響該組合物之其他性質(諸如其可流動性)。例如，該等纖維可構成約2重量%至約40重量%，在一些實施例中約5重量%至約35重量%及在一些實施例中約6重量%至約30重量%之該聚合物組合物。雖然可在以上表明之範圍內使用該等纖維，但是可使用少量纖維同時仍達成所需機械性質。例如，可以諸如約2重量%至約20重量%，在一些實施例中約5重量%至約16重量%及在一些實施例中約6重量%至約12重量%之少量應用該等纖維。
可併入該組合物中之其他添加劑可包括例如抗菌劑、顏料(例如，碳黑)、抗氧化劑、穩定劑、界面活性劑、蠟、固體溶劑，及添加可提高性質及可處理性的其他物質。例如，可將潤滑劑併入聚合物組合物中。此等潤滑劑之實例包括脂肪酸酯、其鹽類、酯類、脂肪酸醯胺、有機磷酸酯、及在工程塑料材料之處理中通常用作潤滑劑之烴蠟類型，包括其混合物。適宜的脂肪酸一般具有約12至約60個碳原子之主鏈碳鏈，諸如肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、花生酸、褐煤酸、油酸、十八烷四烯酸等。適宜的酯類包括脂肪酸酯、脂肪醇酯、蠟酯、甘油酯、乙二醇酯及複酯。脂肪酸醯胺包括脂肪一級醯胺、脂肪二級醯胺、亞甲基及伸乙基雙醯胺及烷基醇醯胺諸如棕櫚酸醯胺、硬脂酸醯胺、油酸醯胺、N,N'-伸乙基雙硬脂醯胺等。亦適宜的為 脂肪酸之金屬鹽類，諸如硬脂酸鈣、硬脂酸鋅、硬脂酸鎂等；烴蠟，其包括石臘、聚烯烴及氧化聚烯烴蠟及微晶蠟。尤其適宜的潤滑劑為硬脂酸之酸類、鹽類或醯胺類，諸如硬脂酸季戊四醇酯、硬脂酸鈣或N,N'-伸乙基雙硬脂醯胺。當使用時，該(等)潤滑劑一般構成約0.05重量%至約1.5重量%及在一些實施例中約0.1重量%至約0.5重量%(按重量計算)之該聚合物組合物。
參考以下實例可更好地理解本發明。
測試方法
熔融黏度：根據ISO測試號11443，在350℃及在400 s-1及1000 s-1之剪切速率下，利用Dynisco 7001毛細管流變儀，測定熔融黏度(Pa-s)。流變儀小孔(模)具有1 mm之直徑、20 mm之長度、20.1之L/D比，及180°之入口角度。機筒直徑為9.55 mm±0.005 mm及棒長為233.4 mm。
固有黏度：根據ISO-1628-5，利用五氟苯酚及六氟異丙醇之50/50(v/v)混合物測定固有黏度(「IV」)。藉由稱量約0.02克加入22 mL小瓶中，以雙份製備各樣本。將10 mL五氟苯酚(「PFP」)添加至各小瓶及溶劑中。將小瓶放置在設定在80℃之恆溫器整夜。第二天將10 mL六氟異丙醇(「HFIP」)添加至各小瓶中。各樣本之最終聚合物濃度為約0.1%。可將樣本冷卻至室溫及利用PolyVisc自動黏度計分析。
熔融及結晶溫度：藉由相關技術中已知的差示掃描量熱法(「DSC」)測定熔融溫度(「Tm」)及結晶溫度 (「Tc」)。該熔融溫度為如藉由ISO測試號11357所測定之差示掃描量熱法(DSC)峰值熔融溫度。該結晶溫度係由冷卻週期中之冷卻放熱曲線所測定。在DSC步驟中，如ISO標準10350中所表明，利用在TA Q2000儀器上進行之DSC測量，以20℃/分鐘加熱及冷卻樣本。
GPC分析：將樣本溶於50/50 HFIP/PFP中至1.00 mg/ml的濃度及留在橢圓形振動器中達24小時。利用0.2 μm可棄式鐵弗龍濾紙過濾樣本。過濾之後，以雙份將樣本在相同溶劑中處理。在1.0 ml/min之流率下，於JORDI DVB混合床柱，250 mm×10 mm(ID)中處理該體系。柱溫維持在40℃。注射大小為50 μl之1.00 mg/ml樣本溶液。使用0.5 mg/ml濃度之聚甲基丙烯酸甲酯標準物(分子量如下：903K、701K、366K、110K、89.3K、31.6K、14.7K、5.09K、2.58K、402 & 202)，其中注射大小為50 μl。在8之靈敏度及20之比例因數下，利用WATERS 410示差折射器監測樣本。利用Jordi GPC軟體可進行數據之獲取及處理。
荷載變形溫度(「DTUL」)：根據ISO測試號75-2(技術上相當於ASTM D648-07)測定荷載變形溫度。更特定言之，將具有80 mm之長度、10 mm之厚度及4 mm之寬度的測試樣本條進行沿邊三點彎曲測試，其中規定負荷(最大外部纖維應力)為1.8兆帕。將樣本浸入溫度以2℃/分鐘上升之聚矽氧油浴中直到其變形0.25 mm(對於ISO測試號75-2，0.32 mm)。
N1,N4-二苯基對苯二甲醯胺化合物A之合成
可根據以下反應圖進行由對苯二甲醯氯及苯胺之化合物A之合成：
實驗裝置係由配有與頂部機械攪拌器相連之玻璃棒攪拌器的2 L玻璃燒杯所組成。將二甲基乙醯胺(「DMAc」)(3 L)添加至玻璃燒杯中及將該燒杯浸沒於冰浴中以冷卻體系至10至15℃。接著在恆定攪拌下將苯胺(481.6 g)添加至溶劑中，將所得混合物冷卻至10至15℃。將對苯二甲醯氯(300 g)逐漸添加至經冷卻之攪拌混合物中以使反應之溫度維持在低於30℃。歷時1至2小時添加醯氯，之後在10至15℃下再攪拌3小時及接著在室溫下攪拌整夜。反應混合物為牛奶白(產物在溶劑中之精細懸浮液)及利用過濾紙及布氏(Buchner)漏斗真空過濾。利用丙酮(2 L)洗滌粗產物及接著利用熱水(2 L)洗滌。接著在室溫下空氣中乾燥產物整夜及接著在150℃之真空烘箱中乾燥4至6小時。產物(464.2 g)為高度結晶的白色固體。如藉由差示掃描量熱法(「DSC」)所測定，熔點為346至348℃。在圖1中亦顯示該化合物之質子NMR表徵分析。
N1,N4-二苯基異對苯二甲醯胺化合物B之合成
可根據以下反應圖進行由間苯二甲醯氯及苯胺之化合物B之合成：
實驗裝置係由配有與頂部機械攪拌器相連之玻璃棒攪拌器的2 L玻璃燒杯所組成。將DMAc(1.5 L)添加至玻璃燒杯中及將該燒杯浸沒於冰浴中以冷卻溶劑至10至15℃。接著在恆定攪拌下將苯胺(561.9 g)添加至溶劑中，將所得混合物冷卻至10至15℃。將間苯二甲醯氯(350 g溶於200 g DMAc中)逐漸添加至經冷卻之攪拌混合物中以使反應之溫度維持在低於30℃。歷時1小時添加醯氯，之後在10至15℃下再攪拌3小時及接著在室溫下攪拌整夜。反應混合物在外觀上為牛奶白。藉由添加1.5 L蒸餾水沉澱及接著利用過濾紙及布氏漏斗真空過濾，來回收產物。接著利用丙酮(2 L)洗滌粗產物及接著再次利用熱水(2 L)洗滌。接著在室溫下空氣乾燥產物整夜及接著在150℃之真空烘箱中乾燥4至6小時。產物(522 g)為白色固體。如藉由DSC所測定，熔點為290℃。在圖2中亦顯示該化合物之質子NMR表徵分析。
N1,N4-雙(2,3,4,5,6-五氟苯基)對苯二甲醯胺化合物C之合成
可根據以下反應圖進行由五氟苯酚及苯二甲醯氯之化合物C之合成：
將五氟苯胺(10 g)溶於二甲基乙醯胺(DMAc)(50 mL)中及以一份式添加對苯二甲醯氯(3.7 g)。攪拌反應混合物及接著在120℃回流6小時。接著冷卻反應混合物及將200 mL水添加至混合物以沉澱粗產物。接著過濾及乾燥產物。接著利用丙酮(100 mL)洗滌粗產物及乾燥以產生作為最終產物之白色粉末(6.8 g)。藉由DSC測定之熔點為331.6℃。在圖3中顯示該化合物之質子NMR表徵分析。
N4-苯基-N1-[4-[[4-(苯基胺甲醯基)苯甲醯基]胺基]苯基]對苯二甲醯胺化合物E之合成
可根據以下反應圖進行由4-胺基苯甲醯苯胺及苯二甲醯氯之化合物E之合成：
實驗裝置係由配有與頂部機械攪拌器相連之玻璃棒攪拌器的1 L玻璃燒杯所組成。將4-胺基苯甲醯苯胺(20.9 g)溶於溫DMAc(250 mL)(或者亦可使用N-甲基吡咯啶酮)中。將對苯二甲醯氯(10 g)添加至維持在40至50℃之經攪拌之該二胺溶液，在添加醯氯時，反應溫度從50℃增加至80℃。在完成醯氯之添加之後，反應混合物升溫至70至80℃及在該溫度下維持約3小時及容許在室溫下靜置整夜。接著藉由添加水(500 mL)，再真空過濾，然後利用熱水(1 L)洗滌而單離產物。接著在150℃真空烘箱中乾燥產物約6至8小 時，產生淡黃色固體(產率約90%)。藉由DSC測定之熔點為462℃。
N1,N3-雙(4-苯甲醯胺基苯基)苯-1,3-二甲醯胺化合物F2之合成
可根據以下反應圖進行由1,4-苯二胺、苯二甲醯氯及苯甲醯氯之化合物F2之合成：
實驗裝置係由配有磁性攪拌器的500 mL玻璃燒杯所組成。將1,4-苯二胺(20 g)溶於40℃之溫NMP(200 mL)中。歷時30分鐘將苯甲醯氯(26.51 g)滴加至經攪拌之該二胺溶液。在完成苯甲醯氯之添加之後，反應混合物升溫至70至80℃及接著可冷卻至50℃。在冷卻至要求溫度之後，以小部分添加間苯二甲醯氯(18.39 g)以使反應混合物之溫度不會增加至超過70℃。在70℃，接著再攪拌該混合物1小時，及容許在室溫下靜置整夜。接著藉由添加水(200 mL)至反應混合物，再過濾及利用熱水(500 mL)洗滌而回收產物。接著在150℃真空烘箱中乾燥產物約6至8小時，產生 淡黃色固體(51 g)。藉由DSC測定之熔點為329℃。在圖4中亦顯示該化合物之質子NMR表徵分析。
N1,N3-雙(3-苯甲醯胺基苯基)苯-1,3-二甲醯胺化合物G2之合成
可根據以下反應圖進行由1,3-苯二胺、間苯二甲醯氯及苯甲醯氯之化合物G2之合成：
實驗裝置係由配有磁性攪拌器的500 mL玻璃燒杯所組成。將1,3-苯二胺(20 g)溶於40℃之溫DMAc(200 mL)中。歷時30分鐘將苯甲醯氯(26.51 g)滴加至經攪拌之該二胺溶液。在完成苯甲醯氯之添加之後，反應混合物升溫至70至80℃及接著可冷卻至50℃。在冷卻至要求溫度之後，以小部分添加間苯二甲醯氯(18.39 g)以使反應混合物之溫度不會增加至超過70℃。接著在70℃，再攪拌該混合物1小時，及容許在室溫下靜置整夜。接著藉由添加水(200 mL)至反應混合物，再過濾及利用熱水(500 mL)洗滌而回收產物。接著在150℃真空烘箱中乾燥產物約6至8小時，產生 淡黃色固體(45 g)。在圖5中亦顯示該化合物之質子NMR表徵分析。
N1,N3,N5-三苯基苯-1,3,5-三甲醯胺化合物J之合成
可根據以下反應圖進行由均苯三甲醯氯及苯胺之化合物J之合成：
實驗裝置係由配有與頂部機械攪拌器相連之玻璃棒攪拌器的2 L玻璃燒杯所組成。將均苯三甲醯氯(200 g)溶於二甲基乙醯胺(「DMAc」)(1 L)中及藉由冰浴冷卻至10至20℃。歷時1.5至2小時滴加苯胺(421 g)至經攪拌之醯氯溶液。在完成該胺之添加之後，再攪拌反應混合物45分鐘，之後歷時約1小時，溫度增加至90℃。在室溫下可靜置該混合物整夜。藉由添加1.5 L蒸餾水沉澱及接著利用過濾紙及布氏漏斗真空過濾，來回收產物。利用丙酮(2 L)洗滌粗產物及接著再次利用熱水(2 L)洗滌。接著在室溫下空氣乾燥產物整夜及接著在150℃之真空烘箱中乾燥4至6小時。產物(250 g)為白色固體及如藉由差示掃描量熱法(「DSC」)所測定，具有319.6℃之熔點。在圖6中亦顯示該化合物之質子NMR表徵分析。
1,3-苯二甲醯胺，N1,N3-二環己基化合物N1之合成
可根據以下反應圖進行由間苯二甲醯氯及環己胺之化合物N1之合成：
實驗裝置係由配有與頂部機械攪拌器相連之玻璃棒攪拌器的1 L玻璃燒杯所組成。在室溫下將環己胺(306 g)在二甲基乙醯胺(1 L)(或者亦可使用N-甲基吡咯啶酮)及三乙胺(250 g)中混合。接著，在恆定攪拌下，歷時1.5至2小時將間苯二甲醯氯(250 g)緩慢添加至該胺溶液中。維持該醯氯之添加速率以使反應溫度維持在小於60℃。在完成苯甲醯氯之添加之後，反應混合物逐漸升溫至85至90℃及接著可冷卻至約45至50℃。在室溫下可靜置該混合物整夜(至少3小時)。藉由添加1.5 L蒸餾水沉澱及接著利用過濾紙及布氏漏斗真空過濾，來回收產物。利用丙酮(250 mL)洗滌粗產物及再次利用熱水(500 mL)洗滌。接著在室溫下空氣乾燥產物整夜(產率：約90%)及接著在150℃之真空烘箱中乾燥4至6小時。產物為白色固體。質子NMR表徵分析如下：1H NMR(400 MHz d6-DMSO)：8.3(s,2H,CONH),8.22(s,1H,Ar),7.9(d,2H,Ar),7.5(s,1H,Ar),3.7(寬峰，2H，環己基)，1.95-1.74寬峰，4H，環己基)及1.34-1.14(m,6H,環己基)。
對照實例1
向2 L燒瓶中加入4-羥基苯甲酸(562.0 g)、2,6-羥基萘甲 酸(61.2 g)、對苯二甲酸(174.9)、4,4'-聯苯酚(135.6 g)、乙醯胺苯酚(49.1 g)及乙酸鉀(43 mg)。接著，為該燒瓶配備C型攪拌器、熱電偶、氣體入口及蒸餾頭。將該燒瓶放置在低氮氣鼓吹下及添加乙酸酐(99.7%分析，651.9 g)。在75 rpm攪拌牛奶白漿液及利用流體化沙浴歷時95分鐘加熱至140℃。在該時間之後，接著歷時290分鐘將混合物逐漸穩定地加熱至350℃。一旦反應超過140℃可見回流及隨著從體系中除去乙酸副產物(754 g)，頂部溫度增加至約115℃。在加熱期間，混合物變黃及略微更黏及蒸汽溫度逐漸降至90℃。一旦混合物達到350℃，停止氮氣流。在低於20 psi抽真空燒瓶及歷時45分鐘將攪拌減至30 rpm。在99分鐘之後，如藉由攪拌電機中之應變(30單位之扭矩值)所測量，達到最終黏度目標。冷卻該燒瓶及接著回收呈固體濃稠棕黃色栓型物的聚合物。藉由機械尺寸減少獲得用於分析測試的樣本。產量=796.56 g。
對照實例2
向2 L燒瓶中加入4-羥基苯甲酸(562 g)、2,6-羥基萘甲酸(61.2 g)、對苯二甲酸(174.9 g)、4,4'-聯苯酚(135.6 g)、4-羥基乙醯苯胺(49.1 g)、2,6-二苯基吡咯并[3,4-f]異吲哚-1,3,5,7(2H,6H)-四酮(25 g)及21 mg乙酸鉀。添加劑2,6-二苯基吡咯并[3,4-f]異吲哚-1,3,5,7(2H,6H)-四酮具有下列結構：
該燒瓶配有C型攪拌器、熱電偶、氣體入口及蒸餾頭。將燒瓶放置在低氮氣鼓吹下及添加乙酸酐(99.7%分析，648 g)。在75 rpm攪拌牛奶白漿液及利用流體化沙浴歷時95分鐘加熱至133℃。接著歷時310分鐘將混合物逐漸穩定地加熱至350℃。一旦反應超過140℃可見回流及隨著從體系中除去乙酸副產物，頂部溫度增加至約115℃。在加熱期間，混合物變黃及略微更黏及蒸汽溫度逐漸降至97℃。一旦混合物達到350℃，停止氮氣流。在低於20 psi抽真空燒瓶及歷時45分鐘將攪拌減至30 rpm。在真空下，隨著時間進展，混合物變黏。在90分鐘之後，如藉由攪拌電機中之應變(30 in/oz之扭矩值)所測量，達到最終黏度目標。打破真空及藉由將燒瓶冷卻至室溫而停止反應，接著回收呈固體栓型物的聚合物。藉由機械尺寸減少獲得用於分析測試的樣本。
對照實例3
向2 L燒瓶中加入4-羥基苯甲酸(562 g)、2,6-羥基萘甲酸(61.2 g)、對苯二甲酸(174.9 g)、4,4'-聯苯酚(135.6 g)、4-羥基乙醯苯胺(49.1 g)、對三聯苯(25 g)及21 mg乙酸鉀。添加劑對三聯苯具有下列結構：
該燒瓶配有C型攪拌器、熱電偶、氣體入口及蒸餾頭。 將該燒瓶放置在低氮氣鼓吹下及添加乙酸酐(99.7%分析，648 g)。在75 rpm攪拌牛奶白漿液及利用流體化沙浴歷時95分鐘加熱至133℃。接著歷時310分鐘將混合物逐漸穩定地加熱至350℃。一旦反應超過140℃可見回流及隨著從體系中除去乙酸副產物，頂部溫度增加至約115℃。在加熱期間，混合物變黃及略微更黏及蒸汽溫度逐漸降至97℃。繼續加熱直到350℃之最終溫度。在約320至350℃下，可見在體系中產生稠密的白「煙」，推測為4B的揮發物。一旦混合物達到350℃，停止氮氣流。在低於20 psi抽真空燒瓶及歷時45分鐘將攪拌減至30 rpm。在真空下，隨著時間進展，混合物變黏。在150分鐘之後，如藉由攪拌電機中之應變(32 in/oz之扭矩值)所測量，達到最終黏度目標。破壞真空及藉由將燒瓶冷卻至室溫而停止反應，接著回收呈固體栓型物的聚合物。藉由機械尺寸減少獲得用於分析測試的樣本。
實例1
向2 L三頸燒瓶中加入4-羥基苯甲酸(562.0 g)、2,6-羥基萘甲酸(61.2 g)、對苯二甲酸(174.9)、4,4'-聯苯酚(135.6 g)、乙醯胺苯酚(49.1 g)、乙酸鉀(43 mg)及化合物A(17 g)。接著，為該燒瓶配備C型攪拌器、熱電偶、氣體入口及蒸餾頭。將該燒瓶放置在低氮氣鼓吹下及添加乙酸酐(99.7%分析，651.9 g)。在75 rpm攪拌牛奶白漿液及利用流體化沙浴歷時95分鐘加熱至140℃。在該時間之後，接著歷時290分鐘將混合物逐漸穩定地加熱至350℃。一旦反 應超過140℃可見回流及隨著從體系中除去乙酸副產物(760 g)，頂部溫度增加至約115℃。在加熱期間，混合物變黃及略微更黏及蒸汽溫度逐漸將至90℃。一旦混合物達到350℃，停止氮氣流。在低於20 psi抽真空燒瓶及歷時45分鐘將攪拌減至30 rpm。在102分鐘之後，接著藉由釋放真空及停止熱氣流至反應器而停止反應-未記錄扭矩讀數。與對照實例1相比，該反應混合物具有極低黏度。冷卻該燒瓶及接著回收呈固體濃稠棕黃色栓型物的聚合物。藉由機械尺寸減少獲得用於分析測試的樣本。產量=821.39 g。
接著測試上述實例之樣本的熱性質。以下闡明結果。
如上所表明，儘管峰值分子量未顯示降低，但是添加化合物A未實質上降低數平均分子量。據信，峰值分子量之降低導致固有黏度之降低。
實例2
為評估化合物A對部件之機械性質的影響，如對照實例1及實例1中所述之方式合成聚合物及接著注射模制以產生 用於機械測試的測試樣本。以下闡明結果。
如上所表明，化合物A之添加未實質上改變機械性質。
實例3
如實例1中所述之方式，以0、1、2、3及5重量%之化合物A的濃度形成各種聚合物。按照以上敘述之方式測試該等聚合物之熱性質。以下闡明結果。
如上所表明，化合物A之濃度的增加導致熔點及熔融黏度降低。
對照實例4
向2 L燒瓶中加入HBA(432.3 g)、HNA(47 g)、TA(134.6 g)、BP(104.3 g)及APAP(37.8 g)及33 mg乙酸鉀。該燒瓶配備有C型攪拌器、熱電偶、氣體入口及蒸餾頭。將該燒瓶放置在低氮氣鼓吹下及添加乙酸酐(99.7%分析，501.5 g)。在75 rpm攪拌牛奶白漿液及利用流體化沙浴歷時95分鐘加熱至140℃。在該時間之後，接著歷時290分鐘將混合物逐漸穩定地加熱至350℃。一旦反應超過140℃可見回流 及隨著從體系中除去乙酸副產物，頂部溫度增加至約115℃。在加熱期間，混合物變黃及略微更黏及蒸汽溫度逐漸降至90℃。一旦混合物達到350℃，停止氮氣流。在低於20 psi抽真空燒瓶及歷時45分鐘將攪拌減至30 rpm。在真空下，隨著時間進展，混合物變黏。在84分鐘之後，如藉由攪拌電機中之應變(31單位之扭矩值)所測量，達到最終黏度目標。接著藉由釋放真空及停止熱氣流向反應器而停止反應。冷卻該燒瓶及接著回收呈固體濃稠棕黃色栓型物的聚合物。藉由機械尺寸減少獲得用於分析測試的樣本。
實例4
向2 L燒瓶中加入HBA(432.3 g)、HNA(47 g)、TA(134.6 g)、BP(104.3 g)、APAP(37.8 g)、化合物E(19.65 g)及33 mg乙酸鉀。該燒瓶配備有C型攪拌器、熱電偶、氣體入口及蒸餾頭。將該燒瓶放置在低氮氣鼓吹下及添加乙酸酐(99.7%分析，501.5 g)。在75 rpm攪拌牛奶白漿液及利用流體化沙浴歷時95分鐘加熱至140℃。在該時間之後，接著歷時290分鐘將混合物逐漸穩定地加熱至350℃。一旦反應超過140℃可見回流及隨著從體系中除去乙酸副產物，頂部溫度增加至約115℃。在加熱期間，混合物變黃及略微更黏及蒸汽溫度逐漸降至90℃。一旦混合物達到350℃，停止氮氣流。在低於20 psi抽真空燒瓶及歷時45分鐘將攪拌減至30 rpm。在真空下，隨著時間進展，混合物變黏。在84分鐘之後，反應停止，未觀察到扭矩。接著藉 由釋放真空及停止熱氣流向反應器而停止反應。冷卻該燒瓶及接著回收呈固體濃稠棕黃色栓型物的聚合物。藉由機械尺寸減少獲得用於分析測試的樣本。
實例5
向2 L燒瓶中加入HBA(432.3 g)、HNA(47 g)、TA(134.6 g)、BP(104.3 g)、APAP(37.8 g)、化合物J(19.65 g)及33 mg乙酸鉀。接著，該燒瓶配備有C型攪拌器、熱電偶、氣體入口及蒸餾頭。將該燒瓶放置在低氮氣鼓吹下及添加乙酸酐(99.7%分析，501.5 g)。在75 rpm攪拌牛奶白漿液及利用流體化沙浴歷時95分鐘加熱至140℃。在該時間之後，接著歷時290分鐘將混合物逐漸穩定地加熱至350℃。一旦反應超過140℃可見回流及隨著從體系中除去乙酸副產物，頂部溫度增加至約115℃。在加熱期間，混合物變黃及略微更黏及蒸汽溫度逐漸降至90℃。一旦混合物達到350℃，停止氮氣流。在低於20 psi抽真空燒瓶及歷時45分鐘將攪拌減至30 rpm。在真空下，隨著時間進展，混合物變黏。在84分鐘之後，反應停止，未觀察到扭矩。接著藉由釋放真空及停止熱氣流向反應器而停止反應。冷卻燒瓶及接著回收呈固體濃稠棕黃色栓型物的聚合物。藉由機械尺寸減少獲得用於分析測試的樣本。
實例6
向2 L燒瓶中加入HBA(432.3 g)、HNA(47 g)、TA(134.6 g)、BP(104.3 g)、APAP(37.8 g)、化合物A(19.65 g)及33 mg乙酸鉀。該燒瓶配備有C型攪拌器、熱電偶、氣 體入口及蒸餾頭。將燒瓶放置在低氮氣鼓吹下及添加乙酸酐(99.7%分析，501.5 g)。在75 rpm攪拌牛奶白漿液及利用流體化沙浴歷時95分鐘加熱至140℃。在該時間之後，接著歷時290分鐘將混合物逐漸穩定地加熱至350℃。一旦反應超過140℃可見回流及隨著從體系中除去乙酸副產物，頂部溫度增加至約115℃。在加熱期間，混合物變黃及略微更黏及蒸汽溫度逐漸降至90℃。一旦混合物達到350℃，停止氮氣流。在低於20 psi抽真空燒瓶及歷時45分鐘將攪拌減至30 rpm。在真空下，隨著時間進展，混合物變黏。在84分鐘之後，反應停止，未觀察到扭矩。接著藉由釋放真空及停止熱氣流向反應器而停止反應。冷卻該燒瓶及接著回收呈固體濃稠棕黃色栓型物的聚合物。藉由機械尺寸減少獲得用於分析測試的樣本。
按照以上敘述之方式，測試對照實例4及實例4至6之聚合物的熱性質。以下闡明結果。
如其所表明，化合物A、E及J導致熔融黏度降低。
實例7
形成第一樣本(樣本1)。向2 L燒瓶中加入4-羥基苯甲酸(415.7 g)、2,6-羥基萘甲酸(32 g)、對苯二甲酸(151.2 g)、 4,4'-聯苯酚(122.9 g)、乙醯胺苯酚(37.8 g)及50 mg乙酸鉀。該燒瓶配備有C型攪拌器、熱電偶、氣體入口及蒸餾頭。將燒瓶放置在低氮氣鼓吹下及添加乙酸酐(99.7%分析，497.6 g)。在75 rpm攪拌牛奶白漿液及利用流體化沙浴歷時95分鐘加熱至140℃。在該時間之後，接著歷時300分鐘將混合物逐漸穩定地加熱至360℃。一旦反應超過140℃可見回流及隨著從體系中除去乙酸副產物，頂部溫度增加至約115℃。在加熱期間，混合物變黃及略微更黏及蒸汽溫度逐漸降至90℃。一旦混合物達到360℃，停止氮氣流。在低於20 psi抽真空燒瓶及歷時45分鐘將攪拌減至30 rpm。在真空下，隨著時間進展，混合物變黏。在72分鐘之後，反應停止，未觀察到扭矩。如藉由攪拌電機中之應變(30單位之扭矩值)所測量，達到最終黏度目標。接著藉由釋放真空及停止熱氣流向反應器而停止反應。冷卻該燒瓶及接著回收呈固體濃稠棕黃色栓型物的聚合物。藉由機械尺寸減少獲得用於分析測試的樣本。
除了亦將19.65克化合物D引入反應器外，按照針對樣本1所述之方式形成第二樣本(樣本2)。據察，與樣本1相比，在餾出物中存在更少的殘質。在72分鐘之後停止反應-在攪拌電機中未觀察到扭矩。
除了亦將19.76克化合物J引入反應器外，按照針對樣本1所述之方式形成第三樣本(樣本3)。據察，與樣本1相比，在餾出物中存在更少的殘質。在72分鐘之後停止反應-在攪拌電機中未觀察到扭矩。
按照以上敘述之方式測試樣本1至3之熔融聚合之聚合物之熱性質。在下表中闡明結果。
實例8
向300 L Hastalloy C反應器中加入4-羥基苯甲酸(65.9 lbs.)、6-羥基-2-萘甲酸(7.2 lbs.)、對苯二甲酸(2.8 lbs.)、4,4'-聯苯酚(18.8 lbs.)、4-羥基乙醯苯胺(5.8 lbs.)、N,N-二苯基對苯二甲醯胺(化合物A)(2.8 lbs.)及3.4 g乙酸鉀。
該反應器配備有槳型機械攪拌器、熱電偶、氣體入口及蒸餾頭。在緩慢氮氣鼓吹下添加乙酸酐(99.7%分析，76.1 lbs.)。在120 rpm下攪拌牛奶白漿液及歷時130分鐘加熱至190℃。在該時間期間，約42磅乙酸從該反應器蒸餾出。接著將混合物轉入190 L不銹鋼聚合反應器及以1℃/分鐘加熱至245℃。在該時點，建立副產物乙酸的穩定回流，其將加熱速率減至~0.5℃/min。當反應混合物達到305℃時，關閉回流及可以約1℃/min之速率加熱該批料。在加熱期間，隨著副產物乙酸之蒸餾接近終點，該混合物變黃及略微更黏及蒸汽溫度逐漸將至低於100℃。繼續加熱直到該批料達到350℃的目標溫度。停止氮氣鼓吹及應用真空以歷時45分鐘緩慢降低壓力至小於5 mm。在真空下，隨著時間進展，除掉殘留乙酸及該批料變得更黏。在30分鐘完全 真空(小於5 mm)下之後，可將氮氣引入體系及在3 PSIG壓力下，經由3孔模板將熔融聚合物從反應器擠製。藉由水浴處理冷卻及固化該聚合物束及接著短切成球粒。
如藉由毛細管流變儀在350℃的溫度下測量，該聚合物在1000 sec-1之剪切速率下具有325.6℃之熔融溫度(Tm)及5.0 Pa-s之熔融黏度。
在不脫離本發明之實質及範圍下，一般技術者可實踐本發明之該等及其他修改及變動。此外，應理解不同實施例之態樣可以全部或部分互換。而且，一般技術者應理解，此前敘述僅為實例而不欲限制在該等附加申請專利範圍中進一步敘述之本發明。
圖1為N1,N4-二苯基對苯二甲醯胺(化合物A)之質子NMR表徵分析；圖2為N1,N4-二苯基異對苯二甲醯胺(化合物B)之質子NMR表徵分析；圖3為N1,N4-雙(2,3,4,5,6-五氟苯基)對苯二甲醯胺(化合物C)之質子NMR表徵分析；圖4為N1,N3-雙(4-苯甲醯胺基苯基)苯-1,3-二甲醯胺(化合物F2)之質子NMR表徵分析；圖5為N1,N3-雙(3-苯甲醯胺基苯基)苯-1,3-二甲醯胺(化合物G2)之質子NMR表徵分析；及圖6為N1,N3,N5-三苯基苯-1,3,5-三甲醯胺(化合物J)之質子NMR表徵分析。

Claims (36)

  1. 一種形成液晶聚合物之方法，該方法包括在芳族醯胺寡聚物存在下熔融聚合兩或多種單體，其中該等單體為該液晶聚合物之前驅物，此外其中該芳族醯胺寡聚物具有以下通式(I)： 其中，環B為6員芳族環，其中1至3個環碳原子可視需要經氮或氧替代，其中各氮視需要經氧化，及其中環B可視需要經稠合或連接至5或6員芳基、雜芳基、環烷基或雜環基；R5為鹵基、鹵代烷基、烷基、烯基、芳基、雜芳基、環烷基或雜環基；m為0至4；X1及X2獨立地為C(O)HN或NHC(O)；及R1及R2獨立地選自芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。
  2. 如請求項1之方法，其中該液晶聚合物為完全芳族的。
  3. 如請求項1之方法，其中該環B為苯基。
  4. 如請求項1之方法，其中該環B為萘基。
  5. 如請求項1之方法，其中該芳族醯胺寡聚物具有如下通式(IV)： 其中，X1及X2獨立地為C(O)HN或NHC(O)；R5、R7及R8獨立地選自鹵基、鹵代烷基、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、環烷基及雜環基；m為0至4；及p及q獨立地為0至5。
  6. 如請求項5之方法，其中m、p及q為0。
  7. 如請求項5之方法，其中m為0，p為1至5及q為1至5。
  8. 如請求項7之方法，其中R7、R8或該兩者為鹵基。
  9. 如請求項7之方法，其中R7、R8或該兩者為未經取代之芳基、未經取代之環烷基、經具有結構-C(O)R12N-或-NR13C(O)-之醯胺基團取代之芳基及/或環烷基，其中R12及R13獨立地選自氫、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。
  10. 如請求項9之方法，其中R7及R8為經-C(O)HN-或-NHC(O)-取代之苯基。
  11. 如請求項9之方法，其中R7、R8或該兩者為雜芳基。
  12. 如請求項1之方法，其中該芳族醯胺寡聚物具有如下通式(V)： 其中，X1及X2獨立地為C(O)HN或NHC(O)；R5、R7及R8獨立地選自鹵基、鹵代烷基、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、環烷基及雜環基；m為0至4；及p及q獨立地為0至5。
  13. 如請求項12之方法，其中m、p及q為0。
  14. 如請求項12之方法，其中m為0，p為1至5及q為1至5。
  15. 如請求項14之方法，其中R7、R8或該兩者為鹵基。
  16. 如請求項14之方法，其中R7、R8或該兩者為未經取代之芳基、未經取代之環烷基、經具有結構-C(O)R12N-或-NR13C(O)-之醯胺基團取代之芳基及/或環烷基，其中R12及R13獨立地選自氫、烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、環烷基及雜環基。
  17. 如請求項16之方法，其中R7及R8為經-C(O)HN-或-NHC(O)-取代之苯基。
  18. 如請求項16之方法，其中R7、R8或該兩者為雜芳基。
  19. 如請求項1之方法，其中該寡聚物係選自由如下化合物組成之群：
  20. 如請求項1之方法，其中該寡聚物為N1,N4-二苯基對苯二甲醯胺。
  21. 如請求項1之方法，其中該寡聚物包含2至4個醯胺官能基/分子。
  22. 如請求項1之方法，其中該寡聚物具有約50至約500克/莫耳之醯胺當量。
  23. 如請求項1之方法，其中該寡聚物具有約50至約750克/莫耳之分子量。
  24. 如請求項1之方法，其中該等前驅物單體係選自由如下組成之群：芳族羥基羧酸類、芳族二羧酸類、芳族二醇類、芳族胺類、芳族二胺類及其組合。
  25. 如請求項24之方法，其中該等前驅物單體包括兩或更多種芳族羥基羧酸類。
  26. 如請求項24之方法，其中該等前驅物單體包括芳族羥基羧酸、芳族胺及芳族二羧酸。
  27. 如請求項1之方法，其進一步包括：將該等單體及該寡聚物供應至反應器容器中以形成反應混合物；及加熱該反應混合物以引發熔融聚縮合反應。
  28. 如請求項27之方法，其中該等單體中至少一者在供應至該反應器容器之前經乙醯化。
  29. 如請求項27之方法，其中將該反應混合物加熱至在約210℃至約400℃範圍內的溫度以引發該熔融聚縮合反應。
  30. 如請求項27之方法，其進一步包括將乙醯化試劑供應至該反應器容器，以使該反應混合物包括該乙醯化試劑、該等單體及該寡聚物。
  31. 如請求項27之方法，其中該等芳族醯胺寡聚物係以相對於100重量份之該反應混合物約0.1至約5重量份的含量使用。
  32. 一種熱向型液晶聚合物組合物，其包括在芳族醯胺寡聚物存在下熔融聚合之液晶聚合物，其中如在1000秒-1之剪切速率及350℃之溫度下所測定，該組合物具有約4 dL/g或更大之固有黏度及約150 Pa-s或更小之熔融黏度。
  33. 如請求項32之聚合物組合物，其中該液晶聚合物為完全芳族的。
  34. 如請求項32之聚合物組合物，其中如在1000秒-1之剪切速率及350℃之溫度下所測定，該聚合物具有約1至約100 Pa-s之熔融黏度。
  35. 如請求項32之聚合物組合物，其中該聚合物具有約2,000克/莫耳或更大之數平均分子量。
  36. 如請求項32之聚合物組合物，其中該聚合物具有約250℃至約400℃之熔融溫度。
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