TW201316583A - 白光有機發光二極體構造 - Google Patents

Abstract

一種白光有機發光二極體構造包含一電洞傳輸層、一主體發光層及一電洞阻礙及電子傳輸層。該主體發光層摻質至少一藍光客體材料及至少一紅光客體材料。該藍光客體材料及紅光客體材料之摻質使該主體發光層發出白光。本發明較佳實施例之該主體發光層係屬一藍光主體發光層或一Spiro-Pye主體發光層。

Description

白光有機發光二極體構造

本發明係關於一種白光有機發光二極體[WOLED]構造；特別是關於一種具單一發光層[single light-emission layer]之白光有機發光二極體構造。

一般而言，有機發光二極體[organic lighte mitting diode，OLED]係可廣泛應用於平面顯示器[flat panel display，FPD]，其具有一發射電致發光層[emission electroluminescence layer]，該發射電致發光層具有一有機化合物材料，在適當通入電流時，該有機化合物材料可供發光之用途。

在應用上，基於有機發光二極體主要具有較佳發光效率[high luminance efficiency]及低耗能[low power consumption]之特性，因而具有高亮度及省電的優點；此外，有機發光二極體具有輕薄、全彩[full color]、視角寬廣及高應答速度，其顯示速度僅需數微秒[micro second]而已。再者，有機發光二極體本身特性具有的優勢包含軟性[flexibility]及容易製造。最重要的優點是，有機發光二極體並不需要背光元件[backlighting member]。因此，有機發光二極體具有高度的潛在用途[potential applications]，特別是白光有機發光二極體具有高度的潛在用途。

有機發光二極體之基本架構主要包含一電洞傳輸層[hole-transporting layer，HTL]、一發光層[emissive layer，EL]及一電子傳輸層[electron-transporting layer，ETL]。在有機發光二極體內，電洞由陽極注入，而電子由陰極注入。當電洞與電子在發光層結合時，釋放的能量在預期的區域內產生激發光。事實上，有機發光二極體需要平衡電洞與電子之傳導，以期在預期的區域內產生激發光子。

有機發光二極體的載子[carrier]傳輸特性影響其激子形成區[position of exciton formation zone]、復合過程[recombination process]及電致發光[electroluminescence，EL]特性。因此，有機發光二極體材料的能階[energy level]及載子遷移率[carrier mobility]為製作有機發光二極體的主要考慮因素。此外，利用有機發光二極體的構造及客發光體掺質[guest doping]為主要用以修飾主發光體[host]之光物理性質及電子性質。

有關白光有機發光二極體技術僅揭示於部分專利內容。例如，中華民國專利公告第556968號之「兩波長光型之白光有機發光二極體」新型專利，其揭示一白光有機發光二極體，其包含一電子傳遞層、一電洞阻隔層、一紅/藍光發射層[發光層]、一電洞傳遞層及一光增強層或一光衰減層，該光增強層或光衰減層位於該紅/藍光發射層[發光層]之一側，使紅光與藍光的發光強度相當，以發出色純度較佳之白光。該光增強層或光衰減層具有量子井結構，其在該有機發光二極體內形成布拉格反射鏡[Bragg reflector]，以增強或衰減該紅/藍光發射層。

另一習用白光有機發光二極體技術，如中華民國專利公開第201115805號之「白光有機發光二極體構造」專利申請案，其揭示一種白光有機發光二極體構造包含一電洞傳輸層、至少一藍光發光層、數個電洞阻障層、至少一紅光發光層及一電子傳輸層。該電洞傳輸層、藍光發光層、電洞阻障層、紅光發光層及電子傳輸層形成一能帶，該能帶具有至少一類量子井結構，該類量子井結構可增益該有機發光二極體構造之發光特性。

另一習用白光有機發光二極體技術，如中華民國專利公開第201018306號之「具紅光摻雜層之白光有機發光二極體及其製作方法」專利申請案，其揭示一種具紅光摻雜層之白光有機發光二極體之製作方法，其步驟包含透明導電玻璃備置與圖形化、電漿表面處理、形成電洞傳輸層、形成藍光發光層、形成紅光摻雜層、形成電子注入層以及形成陰極電極，各步驟均可利用熱蒸鍍機台完成，而該紅光摻雜層係利用共蒸鍍方式將一紅光摻雜材料摻雜於一電子傳輸材料內。

另一習用白光有機發光二極體技術，如美國專利公開第US20100253209號之「具高效能電子轉換之串聯式白光有機發光二極體[TANDEM WHITE OLED WITH EFFICIENT ELECTRON TRANSFER]」專利申請案，其揭示一種具有間隔的陽極和陰極之白光發射串聯式有機發光二極體裝置，包括：設置在陰極和陽極之間的第一和第二發光單元；中間連接器，包含設置在第一和第二發光單元之間的n型層和p型層；以及鄰接中間連接器的n型層的含熒蔥電子遷移層，包含至少25%的7,10-二芳基取代熒蔥[fluoranthene]化合物，該熒蔥化合物不具有芳香環以環狀形態結合至熒蔥核。

另一習用白光有機發光二極體技術，如美國專利公開第US20090146552號之「具有藍光發射層之白光有機發光二極體[WHITE OLED WITH BLUE LIGHT-EMITTING LAYERS]」專利申請案，其揭示一種有機白光發射裝置包括：基板；彼此隔開之陽極及陰極；發光層，其包括用於發射黃光之黃色摻雜劑；及第一及第二藍光發射層，每一藍光發射層具有至少一種不同於另一藍光發射層之材料。

另一習用白光有機發光二極體技術，如美國專利公開第US20080278066號之「高效能疊串式白光有機發光二極體[HIGH-PERFORMANCE TANDEM WHITE OLED]」專利申請案，其揭示具有兩個間隔電極之疊串式OLED裝置包含：配置於該等電極之間產生不同發射光譜之第一及第二發光單元，該第一發光單元產生在波長大於500奈米處具有多個峰且在波長小於480奈米處實質上無發射之光，且該第二發光單元產生在波長小於500奈米處實質上發射之光；及配置於該等發光單元之間之中間連接器。

另一習用白光有機發光二極體技術，如美國專利公開第US20060087225號之「具有色彩補償電激發光單元之白光有機發光二極體[WHITE OLEDS HAVING COLOR-COMPENSATED ELECTROLUMINESCENT UNIT]」專利申請案，其揭示一種串列白光有機發光二極體包含一陽極；一陰極；置放在該陽極與該陰極之間的至少一寬頻電激發光單元，其中該寬頻電激發光單元包含至少一個發光層並產生具有一小於需要的強度之至少一個色彩成分；置放在該陽極與該陰極之間的至少一個色彩補償電激發光單元，其中選擇該色彩補償電激發光單元以產生該至少一個色彩成分並增加色彩成分強度；以及置放在各鄰近電激發光單元之間的一中間連接器，其中該中間連接器沒有與一外部電源直接連接。

另一習用白光有機發光二極體技術，如美國專利公開第US20030124381號之「由結合的單體和聚集之放射物形成的白光有機發光二極體[WHITE LIGHT EMITTING OLEDS FROM COMBINED MONOMER AND AGGREGATE EMISSION]」專利申請案，其揭示關於有效率的有機發光二極體[OLED]、白光OLED[或WOLED]。其裝置運用在單一放射區內之二放射物以充分涵蓋可見光譜。白光係藉由單一放射區內之二放射物在其中之一放射中心經形成聚集而達成。可構成一呈現高演色性指數之簡單、明亮與有效率的WOLED。

另一習用白光有機發光二極體技術，如PCT專利公開第WO2007141702號之「具高流明效能的白光有機發光二極體[WHITE OLED WITH HIGH LUMEN EFFICACY]」專利申請案，其揭示一種包含具有小於0.15之一y色座標之一發藍光組件(10)的發白光有機發光二極體(100)。該有機發光二極體可進一步包含一發黃光、紅光、及/或綠光組件(20、30)並具有範圍介於2000與6000 K之間的色溫。該發藍光組件(10)之一特定設計包含一玻璃基板(40)、一ITO陽極(11)、一Ag層(12)、一HTL(13)、一發藍光層(14)與一陰極(15)的一層狀結構。該發藍光層(14)較佳地係實現成一能夠調諧波長的微空腔。

前述中華民國專利公告第556968號、公開第201115805號、公開第201018306號、美國專利公開第US20100253209號、公開第US20090146552號、公開第US20080278066號、公開第US20060087225號、公開第US20030124381號及PCT專利公開第WO2007141702號僅為本發明技術背景之參考及說明目前技術發展狀態而已，其並非用以限制本發明之範圍。

然而，習用白光有機發光二極體仍存在有必要進一步改善其發光特性之需求，以提升其發光亮度或發光穩定度。因此，利用適當活化掺質方式掺質螢光材料之外，白光有機發光二極體亦可利用其它技術手段改善其發光特性，以滿足前述潛在需求。

有鑑於此，本發明為了滿足上述需求，其提供一種白光有機發光二極體構造，其於一主體[host]發光層內掺質一藍光客體[guest]材料及一紅光客體材料，以便使該主體發光層發出白光，以改善習用白光有機發光二極體之發光亮度及發光穩定度的問題。

本發明之主要目的係提供一種白光有機發光二極體構造，其於一主體[host]發光層內掺質一藍光客體[guest]材料及一紅光客體材料，以便使該主體發光層發出白光，以達成增益發光特性之目的。

為了達成上述目的，本發明之白光有機發光二極體構造包含：一電洞傳輸層；一主體發光層，其掺質至少一藍光客體材料及至少一紅光客體材料；及一電洞阻礙及電子傳輸層；其中該藍光客體材料及紅光客體材料之掺質使該主體發光層發出白光。

本發明較佳實施例之該主體發光層係屬一藍光主體發光層或一Spiro-Pye主體發光層。

本發明較佳實施例之該藍光客體材料選自：BCzVB

[1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene]材料。

本發明較佳實施例之該紅光客體材料選自：DCJTB

[4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethylju lolidin-4-ylvinyl)-4H-pyran]材料。

本發明較佳實施例另包含一電子注入層，其設置於該電洞阻礙及電子傳輸層及鋁金屬層之間。

本發明較佳實施例之該電子注入層係由氟化鋰[LiF]材料製成。

本發明另一實施例之白光有機發光二極體構造包含：一電洞傳輸層；一電洞阻礙層；一主體發光層，其掺質至少一藍光客體材料及至少一紅光客體材料；及一電洞阻礙及電子傳輸層；其中該藍光客體材料及紅光客體材料之掺質使該主體發光層發出白光。

本發明較佳實施例之該主體發光層係屬一藍光主體發光層或一Spiro-Pye主體發光層。

本發明較佳實施例之該藍光客體材料選自：BCzVB

[1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene]材料。

本發明較佳實施例之該紅光客體材料選自：DCJTB

[4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethylju lolidin-4-ylvinyl)-4H-pyran]材料。

本發明較佳實施例另包含一電子注入層，其設置於該電洞阻礙及電子傳輸層及鋁金屬層之間。

為了充分瞭解本發明，於下文將例舉較佳實施例並配合所附圖式作詳細說明，且其並非用以限定本發明。

本發明較佳實施例之白光有機發光二極體構造係可廣泛應用於平面顯示器或其相關技術領域，該相關技術領域係屬未脫離本發明之精神與技術領域範圍。

第1圖揭示本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造之架構示意圖。請參照第1圖所示，本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造1設置於一玻璃基板10上，但其並非用以限制本發明。另外，該玻璃基板10具有錫銦氧化物[indium tin oxide，ITO]披覆材料[ITO-coated material]，以形成一ITO基板層11或具有其它透明導電氧化物[transparent conductive oxide，TCO]材料，但其並非用以限制本發明。本發明第一較佳實施例之該ITO基板層11做為有機發光二極體之陽極，但其並非用以限制本發明。另外，本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造1具有一鋁金屬層17，該鋁金屬層17做為有機發光二極體之陰極，但其並非用以限制本發明。

請再參照第1圖所示，本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造1包含一電洞傳輸層12、一主體發光層14及一電洞阻礙及電子傳輸層15，其依序排列於該ITO基板層11[陽極]及鋁金屬層17[陰極]之間。

請再參照第1圖所示，本發明第一較佳實施例之該ITO基板層11、電洞傳輸層12、主體發光層14及電洞阻礙及電子傳輸層15較佳將原材料以物理氣相沉積[PVD，physic vapor deposition]方式形成，例如：熱蒸鍍[thermal evaporation]、共蒸鍍[co-evaporation]。

請再參照第1圖所示，該ITO基板層11結合於該電洞傳輸層12之一側。另外，該主體發光層14位於該電洞傳輸層12及電洞阻礙及電子傳輸層15之間，以便依序形成該電洞傳輸層12、主體發光層14及電洞阻礙及電子傳輸層15之發光二極體結構。

請再參照第1圖所示，本發明第一較佳實施例之該電洞傳輸層12係由：NPB[N,N’-di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenyl-benzidine]材料製成，其厚度約50nm，但其並非用以限制本發明。

請再參照第1圖所示，本發明第一較佳實施例之該主體[host]發光層14係屬一藍光主體發光層或一Spiro-Pye主體發光層，該Spiro-Pye主體發光層具有Spiro-Pye主發光材料，即[2,7-di-pyrenyl-9,9-spirobifluorene]材料。該主體發光層14之厚度約40nm，但其並非用以限制本發明。

請再參照第1圖所示，本發明第一較佳實施例之該主體發光層14掺質至少一藍光客體[guest]材料[例如：9 wt%]及至少一紅光客體材料。該藍光客體材料選自：BCzVB

[1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene]材料。

另外，該紅光客體材料選自：DCJTB

[4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethylju lolidin-4-ylvinyl)-4H-pyran]材料。

請再參照第1圖所示，本發明第一較佳實施例之該電洞阻礙及電子傳輸層15之厚度約30nm，但其並非用以限制本發明。該電洞阻礙及電子傳輸層15之材料選自：Bphen

[4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline]材料製成。

第2圖揭示本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造形成能帶分佈之示意圖。請參照第1及2圖所示，該ITO基板層11、電洞傳輸層12、主體發光層14、電洞阻礙及電子傳輸層15及鋁金屬層17形成一能帶，如第2圖所示。

第3圖揭示本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造之主體發光層以各種DCJTB濃度掺質下產生發光強度[luminance]與電壓關係之曲線圖。請參照第3圖所示，該主體發光層14分別以DCJTB濃度之0.08%、0.15%、0.20%、0.30%、掺質下產生電致發光強度，其中在0.15%DCJTB掺質濃度及9V驅動電壓下最大發光強度為5690cd/m²。

第4圖揭示本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造之主體發光層以各種DCJTB濃度掺質下電流密度與電壓關係之曲線圖。請參照第4圖所示，該主體發光層14分別以DCJTB濃度之0.08%、0.15%、0.20%、0.30%掺質下產生電流密度，其中在0.15%DCJTB掺質濃度下產生最大電流密度。

第5圖揭示本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造之主體發光層以各種DCJTB濃度掺質下效率與電流密度關係之曲線圖。請參照第5圖所示，該主體發光層14分別以DCJTB濃度之0.08%、0.15%、0.20%、0.30%掺質下產生效率與電流密度關係，其中在0.15%DCJTB掺質濃度下產生最大效率，且在電流密度超過200 mA/cm²時，其效率發生下降。

第6圖揭示本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造之主體發光層以各種DCJTB濃度掺質下產生電致發光正規強度[electroluminescence normalized intensity]與波長關係之曲線圖。請參照第6圖所示，該主體發光層14分別以DCJTB濃度之0.08%、0.15%、0.20%、0.30%掺質及9V驅動電壓下產生發光正規強度，其中在0.15%DCJTB掺質濃度增加時，在450nm至550nm波長之發光正規強度亦增加。

附照1揭本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造在各種DCJTB掺質濃度之C.I.E.色座標圖。請參照附照1所示，該主體發光層14分別以DCJTB濃度之0.08%、0.15%、0.20%、0.30%掺質製成四個裝置，且標示為Device D-1、Device D-2、Device D-3、Device D-4。

將Device D-1分別在6V、7V、8V、9V電壓下其色座標分別為(0.28，0.30)、(0.29，0.31)、(0.29，0.31)、(0.30，0.31)，如黑點所示。接著，將Device D-2分別在6V、7V、8V、9V電壓下其色座標分別為(0.33，0.33)、(0.33，0.33)、(0.33，0.34)、(0.33，0.34)，如黑點所示，其發出純白光。接著，將Device D-3分別在6V、7V、8V、9V電壓下其色座標分別為(0.42，0.36)、(0.40，0.35)、(0.40，0.35)、(0.40，0.36)，如黑點所示。接著，將Device D-4分別在6V、7V、8V、9V電壓下其色座標分別為(0.50，0.41)、(0.49，0.40)、(0.48，0.40)、(0.47，0.39)，如黑點所示。

第7圖揭示本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造之架構示意圖。請參照第7圖所示，本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造1包含一電洞傳輸層12、一主體發光層14、一電洞阻礙及電子傳輸層15及一電子注入層16，其依序排列於該ITO基板層11[陽極]及鋁金屬層17[陰極]之間。相對於第一實施例，第二較佳實施例增加設置該電子注入層16，其餘對照於第一實施例，於此併入參考，不予一一贅述。

請再參照第7圖所示，該電子注入層16設置於該電洞阻礙及電子傳輸層15及鋁金屬層17之間。該電子注入層16係由氟化鋰[LiF]材料製成，其具有適當厚度，例如：0.5nm、1.0 nm、2.0 nm、3.0 nm。

第8圖揭示本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造形成能帶分佈之示意圖。請參照第7及8圖所示，該ITO基板層11、電洞傳輸層12、主體發光層14、電洞阻礙及電子傳輸層15、電子注入層16及鋁金屬層17形成一能帶，如第8圖所示。

第9圖揭示本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電子注入層[LiF]之各種厚度下產生發光強度與電壓關係之曲線圖。請參照第9圖所示，該電子注入層16之厚度分別為0.5nm、1.0 nm、2.0 nm、3.0 nm。在8V驅動電壓下，該電子注入層16選擇為1.0 nm厚度時，其產生最大發光強度為21800cd/m²。

第10圖揭示本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電子注入層[LiF]之各種厚度下電流密度與電壓關係之曲線圖。請參照第10圖所示，該電子注入層16之厚度分別為0.5nm、1.0 nm、2.0 nm、3.0 nm。在該電子注入層16選擇為1.0 nm厚度時，其產生最大電流密度。一旦該電子注入層16之厚度超過1.0 nm時，其電流密度發生下降。

第11圖揭示本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電子注入層[LiF]之各種驅動電壓[偏壓]下產生電致發光正規強度與波長關係之曲線圖。請參照第11圖所示，在該電子注入層16之厚度為1.0 nm下，其分別以5V、6V、7V、8V驅動電壓產生各種電致發光正規強度。

第12圖揭示本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電子注入層[LiF]之各種厚度下產生電致發光正規強度與波長關係之曲線圖。請參照第12圖所示，該電子注入層16在8V驅動電壓下分別以0.5nm、1.0 nm、2.0 nm、3.0 nm厚度產生各種電致發光正規強度。當該電子注入層16增加厚度時，其藍光強度降低。反之，當該電子注入層16增加厚度時，其紅光強度增加。

附照2揭本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造在各種電子注入層厚度之C.I.E.色座標圖。請參照附照2所示，該電子注入層16分別以0.5nm、1.0 nm、2.0 nm、3.0 nm厚度製成四個裝置，且標示為Device E-1、Device E-2、Device E-3、Device E-4。

將Device E-1分別在5V、6V、7V、8V電壓下其色座標分別為(0.29，0.35)、(0.25，0.31)、(0.23，0.30)、(0.22，0.28)，如黑點所示。接著，將Device E-2分別在5V、6V、7V、8V電壓下其色座標分別為(0.29，0.34)、(0.27，0.33)、(0.27，0.32)、(0.27，0.32)，如黑點所示。接著，將Device E-3分別在5V、6V、7V、8V電壓下其色座標分別為(0.35，0.39)、(0.33，0.37)、(0.31，0.36)、(0.30，0.34)，如黑點所示。另外，將Device E-4分別在5V、6V、7V、8V電壓下其色座標分別為(0.34，0.37)、(0.32，0.36)、(0.31，0.36)、(0.31，0.35)，如黑點所示。

第13圖揭示本發明第三較佳實施例之白光有機發光二極體構造之架構示意圖。請參照第13圖所示，本發明第三較佳實施例之白光有機發光二極體構造1包含一電洞傳輸層12、一電洞阻礙層13、一主體發光層14、一電洞阻礙及電子傳輸層15及一電子注入層16，其依序排列於該ITO基板層11[陽極]及鋁金屬層17[陰極]之間。相對於第二實施例，第三較佳實施例增加設置該電洞阻礙層13，其餘對照於第二實施例，於此併入參考，不予一一贅述。

請再參照第13圖所示，該電洞阻礙層13設置於該電洞傳輸層12及主體發光層14之間。該電洞阻礙層13之材料選自：CBP[4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl]，其具有適當厚度，例如：0.5 nm、1.0 nm、2.0 nm、3.0 nm。

第14圖揭示本發明第三較佳實施例之白光有機發光二極體構造形成能帶分佈之示意圖。請參照第13及14圖所示，該ITO基板層11、電洞傳輸層12、電洞阻礙層13、主體發光層14、電洞阻礙及電子傳輸層15、電子注入層16及鋁金屬層17形成一能帶，如第14圖所示。

第15圖揭示本發明第三較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電洞阻礙層[CBP]之各種厚度下產生發光強度與電壓關係之曲線圖。請參照第15圖所示，該電洞阻礙層13之厚度分別為0.5nm、1.0 nm、2.0 nm、3.0 nm。在8V驅動電壓下，該電洞阻礙層13選擇為1.0 nm厚度時，其產生最大發光強度為17100cd/m²。一旦該電洞阻礙層13之厚度超過1.0 nm時，其發光強度發生下降。

第16圖揭示本發明第三較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電洞阻礙層[CBP]之各種厚度下電流密度與電壓關係之曲線圖。請參照第16圖所示，該電洞阻礙層13之厚度分別為0.5 nm、1.0 nm、2.0 nm、3.0 nm。該電洞阻礙層13選擇為0.5 nm厚度[最薄]時，其產生最大電流密度。

第17圖揭示本發明第三較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電洞阻礙層[CBP]之各種驅動電壓[偏壓]下產生電致發光正規強度與波長關係之曲線圖。請參照第17圖所示，該電洞阻礙層13之厚度為1.0 nm下，其分別以5V、6V、7V、8V、9V驅動電壓產生各種電致發光正規強度。當該電洞阻礙層13增加厚度時，其藍光強度增加。

附照3揭示本發明第三較佳實施例之白光有機發光二極體構造在各種電洞阻礙層厚度之C.I.E.色座標圖。請參照附照3所示，該電洞阻礙層13分別以0.5 nm、1.0 nm、2.0 nm、3.0 nm厚度製成四個裝置，且標示為Device F-1、Device F-2、Device F-3、Device F-4。

將Device F-1分別在5V、6V、7V、8V電壓下其色座標分別為(0.41，0.38)、(0.38，0.36)、(0.35，0.34)、(0.34，0.33)，如黑點所示。接著，將Device F-2分別在5V、6V、7V、8V電壓下其色座標分別為(0.36，0.37)、(0.35，0.37)、(0.33，0.36)、(0.33，0.35)，如黑點所示。接著，將Device F-3分別在5V、6V、7V、8V電壓下其色座標分別為(0.50，0.42)、(0.47，0.41)、(0.43，0.39)、(0.41，0.38)，如黑點所示。接著，將Device F-4分別在5V、6V、7V、8V電壓下其色座標分別為(0.52，0.43)、(0.48，0.42)、(0.44，0.40)、(0.41，0.39)，如黑點所示。

上述實驗數據為在特定條件之下所獲得的初步實驗結果，其僅用以易於瞭解或參考本發明之技術內容而已，其尚需進行其他實驗。該實驗數據及其結果並非用以限制本發明之權利範圍。

前述較佳實施例僅舉例說明本發明及其技術特徵，該實施例之技術仍可適當進行各種實質等效修飾及/或替換方式予以實施；因此，本發明之權利範圍須視後附申請專利範圍所界定之範圍為準。

1．．．白光有機發光二極體構造

10．．．玻璃基板

11．．．ITO基板層

12．．．電洞傳輸層

13．．．電洞阻礙層

14．．．主體發光層

15．．．電洞阻礙及電子傳輸層

16．．．電子注入層

17．．．鋁金屬層

第1圖：本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造之架構示意圖。

第2圖：本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造形成能帶分佈之示意圖。

第3圖：本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造之主體發光層以各種DCJTB濃度掺質下產生發光強度與電壓關係之曲線圖。

第4圖：本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造之主體發光層以各種DCJTB濃度掺質下電流密度與電壓關係之曲線圖。

第5圖：本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造之主體發光層以各種DCJTB濃度掺質下效率與電流密度關係之曲線圖。

第6圖：本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造之主體發光層以各種DCJTB濃度掺質下產生電致發光正規強度與波長關係之曲線圖。

第7圖：本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造之架構示意圖。

第8圖：本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造形成能帶分佈之示意圖。

第9圖：本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電子注入層之各種厚度下產生發光強度與電壓關係之曲線圖。

第10圖：本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電子注入層之各種厚度下電流密度與電壓關係之曲線圖。

第11圖：本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電子注入層之各種電壓下產生電致發光正規強度與波長關係之曲線圖。

第12圖：本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電子注入層之各種厚度下產生電致發光正規強度與波長關係之曲線圖。

第13圖：本發明第三較佳實施例之白光有機發光二極體構造之架構示意圖。

第14圖：本發明第三較佳實施例之白光有機發光二極體構造形成能帶分佈之示意圖。

第15圖：本發明第三較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電洞阻礙層之各種厚度下產生發光強度與電壓關係之曲線圖。

第16圖：本發明第三較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電洞阻礙層之各種厚度下電流密度與電壓關係之曲線圖。

第17圖：本發明第三較佳實施例之白光有機發光二極體構造在電洞阻礙層之各種電壓下產生電致發光正規強度與波長關係之曲線圖。

附照1：本發明第一較佳實施例之白光有機發光二極體構造在各種DCJTB掺質濃度之C.I.E.色座標圖。

附照2：本發明第二較佳實施例之白光有機發光二極體構造在各種電子注入層厚度之C.I.E.色座標圖。

附照3：本發明第三較佳實施例之白光有機發光二極體構造在各種電洞阻礙層厚度之C.I.E.色座標圖。

1．．．白光有機發光二極體構造

10．．．玻璃基板

11．．．ITO基板層

12．．．電洞傳輸層

14．．．主體發光層

15．．．電洞阻礙及電子傳輸層

17．．．鋁金屬層

Claims (10)

1. 一種白光有機發光二極體構造，其包含：一電洞傳輸層；一主體發光層，其掺質至少一藍光客體材料及至少一紅光客體材料；及一電洞阻礙及電子傳輸層；其中該藍光客體材料及紅光客體材料之掺質使該主體發光層發出白光。
2. 依申請專利範圍第1項所述之白光有機發光二極體構造，其中該主體發光層係屬一藍光主體發光層或一Spiro-Pye主體發光層。
3. 依申請專利範圍第1項所述之白光有機發光二極體構造，其中該藍光客體材料選自BCzVB材料。
4. 依申請專利範圍第1項所述之白光有機發光二極體構造，其中該紅光客體材料選自DCJTB材料。
5. 依申請專利範圍第1項所述之白光有機發光二極體構造，另包含一電子注入層，其設置於該電洞阻礙及電子傳輸層及鋁金屬層之間。
6. 一種白光有機發光二極體構造，其包含：一電洞傳輸層；一電洞阻礙層；一主體發光層，其掺質至少一藍光客體材料及至少一紅光客體材料；及一電洞阻礙及電子傳輸層；其中該藍光客體材料及紅光客體材料之掺質使該主體發光層發出白光。
7. 依申請專利範圍第6項所述之白光有機發光二極體構造，其中該主體發光層係屬一藍光主體發光層或一Spiro-Pye主體發光層。
8. 依申請專利範圍第6項所述之白光有機發光二極體構造，其中該藍光客體材料選自BCzVB材料。
9. 依申請專利範圍第6項所述之白光有機發光二極體構造，其中該紅光客體材料選自DCJTB材料。
10. 依申請專利範圍第6項所述之白光有機發光二極體構造，另包含一電子注入層，其設置於該電洞阻礙及電子傳輸層及鋁金屬層之間。