TW200915908A

TW200915908A - Light emitting device and fabricating method thereof

Info

Publication number: TW200915908A
Application number: TW097128843A
Authority: TW
Inventors: Shin-Ya Tanaka; Shinichi Morishima
Original assignee: Sumitomo Chemical Co
Priority date: 2007-07-31
Filing date: 2008-07-30
Publication date: 2009-04-01
Also published as: WO2009017031A1; JP2009037799A

Description

200915908 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明是關於一種以有機電激發光元件（以下有時記為有機EL元件）為代表的發光元件及其製造方法。更詳細而言，本發明是關於一種藉由提高密封發光層的多層密封膜的層間絲㈣實現提高元件壽命的發光元件及其製造方法。【先前技術】有機EL元件、發光二極體顯示元件等發光元件中，於基板上誠著由陽極與陰_鱗的發光層，且以覆蓋該發光層的方式而積層❹層密封膜。於先前的發光元件中’基板制朗基板，但為了對應元件雜量化、耐衝擊性的提高、元件的大面積化、製造的效率化等的要求，而開始使㈣縣板（例如日本專獅表2GG3_53i745號塑膠絲具有可触（flex脇），可容易地獲得大面 '，膠基板在積層發光層之後分割為單元的作錢得容^ n师基板與玻璃基板相比，液體的透過性高。基板及上部多層密封膜所覆蓋的 L發光料賴示物質容鎌氧化，料與水接觸此’ *使用轉基板時，於基板上積層相對於 ί声體的阻隔性高的下部多層密封膜，其後於該下部 if 上積層發光層，如覆蓋已積相發光層的方式而積層上部多層密封臈。 200915908 上述下部多層密封膜通常利用與上述上部多層密封膜相同的構成、相同的材料而形成。該些下部多層密封膜及上部多層密封膜通常具有至少一個無機膜與至少一個有機膜’但S根據具體情況有時僅積層無顧*形成。積層數可視需要而決定，當由有機膜與無機膜構成時，基本上是交替積層無機膜與有機膜。發光兀件的光取出有：自基板側進行的情況，自上部多層费封膜側進行的情況，以及自基板侧與上部多層密封膜侧的兩織行的情況。自基板娜出光之型式的發光元件被稱為底部發細發光元件，自上部多層密封膜側取出光之型式的發光元件被稱為頂部發光型發光元件，自兩側取出光之型式的發光it件被稱為雙發光型發光元件。該些型式的發S元件中’共通的是絲出側的多層密封膜必^ 具有透光性’且存在祕其物理雜❿影響光的取出效之現象。因此，先前的發光元件中，絲膜由儘量透明且平坦的層構成。山封 ί) 封膜來密封發光層眾所周知，發光元件中的發光層若與氧或水分產生接觸，則於較短期間内其發光特性劣化。因此，如上技術所揭示般額積層了多層的有機膜與無機膜^ 如上所述’多層密封膜不僅由密封性高的 ==與有機膜的交替積層而構成，這是為;除確: 膜的讀性以外亦確保柔軟性。由如此有機觀 ^ 成的多層贿财，存在著在異種材料界面（主要有^ 200915908 膜與，，朗界面）的密著性變得不充分賴向，當該界 =的费著1±由於製造步驟或隨著時間經過而變得更不充分 %，存在如下的可能：空氣（氧及水分）容易自外部浸入至發光層巾，從而縮短元件壽命。【發明内容】玫本發明是鑒於上述先前的情況而成的，其課題在於提供二種多層密封膜的層間密著性優良、具有高密封性能、且壽命長的發光元件。一為解決上述課題，本發明提供採用了下述構成的發光元件及其製造方法。 Π]—種發光元件’其具有基板、於該基板上所設置的發光層、以及密封該發光層的多層密封膜，上述多層密封膜中包含至少一個密著性提高層。 [2] 如上述[1]所述的發光元件，其中上述多層密封膜具有至少一個第1膜與至少一個第2膜’於該至少一個第1 膜與至少一個第2膜之間具有上述密著性提高層。 [3] 如上述[2]所述的發光元件，其中上述第1膜及上述第2膜均為無機膜。 [4] 如上述[2]所述的發光元件’其中上述第1膜為有機膜’上述第2膜為無機膜。 [5] 如上述[2]所述的發光元件，其中上述第1膜及第2 膜均為有機膜，且進一步具有由無機膜形成的至少一個第 3臈。 [6] 如上述[1]〜[5]中任一項所述的發光元件，其中上 200915908 述雄者性提高層含有交聯高分子化合物。 [7] 如上述[6]所述的發光元件，其中上述交聯高分子化合物疋對聚合性化合物施加能量而獲得。 [8] 如上述[6]所述的發光元件，其中上述交聯高分子化合物是對兩種或兩種以上聚合性化合物施加能量而獲得。 [9] 如上述[6]所述的發光元件，其中上述交聯高分子化合物是對含有至少一種有機化合物及至少一種聚合性化合广、物的混合物施加能量而獲得。 [10] 如上述[7]〜[9]中任一項所述的發光元件，其中上述聚合性化合物具有8個或8個以上交聯基。 [11] 如上述[10]所述的發光元件，其中上述交聯基為丙烤酸S旨。 [12] 如上述[9]所述的發光元件，其中於設上述混合物的重量為100時，聚合性化合物的重量為10〜40。 [13] 如上述[1]〜[12]中任一項所述的發光元件，其中上述逸、者性提高層含有梦烧偶合劑。〇 [14]如上述[1]〜[13]中任一項所述的發光元件，其中上述基板為可撓性基板。 [15] 如上述[1]〜[14]中任一項所述的發光元件，其為有機EL元件。 [16] —種發光元件的製造方法，其是具有基板、於該基板上所設置的發光層、以及密封該發光層的多層密封膜的發光元件的製造方法，於上述多層密封膜中形成至少一個密著性提高層。 200915908 [17]如上述[16]所述的發光元件的製造方法，其中積層至^個第1膜與至少一個第2膜而形成上述多層密封膜於該些上述至少一個第！膜與至少一個第2膜之間形成上述密著性提高層。 ^ [18]如上述[17]所述的發光元件的製造方法，其中上述弟1膜及上述第2膜均為無機膜。 [19]如上述[π]所述的發光元件的製造方法，其中上述 ^ 第1膜為有機膜，上述第2膜為無機膜。 ^ 、 P〇]如上述[17]所述的發光元件的製造方法，其中上述第1膜及第2膜為有機膜，且進一步形成由無機膜形成的至少一個第3膜。 [21] 如上述[16]〜[20]中任一項所述的發光元件的製造方法，其中使用交聯高分子化合物來形成上述密著性提高層。 [22] 如上述[21]所述的發光元件的製造方法，其中對聚合性化合物施加能量而獲得上述交聯高分子化合物。〇 [23]如上述[21]所述的發光元件的製造方法，其中對兩種或兩種以上聚合性化合物施加能量而獲得上述交聯性高分子。 [24] 如上述[21]所述的發光元件的製造方法，其中對含有至少一種有機化合物及至少一種聚合性化合物的混合物施加能量而獲得上述交聯性高分子。 [25] 如上述[22]所述的發光元件的製造方法，其中使用具有8個或8個以上交聯基的聚合性化合物作為上述聚合 200915908 性化合物。 [26] 如上述P5]所述的發光元件的製造方法，其中上述交聯基為丙烯酸酯。 [27] 如上述[24]所述的發光元件的製造方法，其中使相對於上述混合物的聚合性化合物的調配量為10重量分比〜40重量百分比。 P8]如上述[16]〜p〇]中任一項所述的發光元件的製造方法，其中使用矽烷偶合劑來形成上述密著性提高層。 [29] 如上述[16]〜[28]中任一項所述的發光元件的製造方法，其中使用可撓性基板作為上述基板。 [30] 如上述[16]〜[29]中任一項所述的發光元件的製造方法，其中發光元件為有機EL元件。 [發明效果] 本發明的發光元件及其製造方法，可提高密封發光元，的發光層的多層密封層的層間密著性，由此起到可提供壽命長的發光元件的效果。於本發明中’多層密封膜的層間密著性得到提高，因此對使用可撓性基板作絲板的情況制有效。另外，密封膜的密封特性得到提高，因此對適用於由於與氧、水分的接觸而造成發光特性容衫化的有機EL元件的情況特別有效。 —^，於本發明中，多層密封膜的積層中所設置的密著性提高層铜是不使料㈣透雖劣化，因此本發明對於底部發光結構的發光元件、頂部發光結構的發光元 11 200915908 件、雙發光結構的發光元件均可同樣適用為讓本發明之上述和其他目的、易懂，下文特皋鲈祛音#也丨从特徵和優點能更明顯日^如下了灿舉較佳實_，並配合所附_，作詳細說【實施方式】加以t:έ :ί發明的發光7°件及其製造方法的實施形態二曰甘：’ 兄明。首先’對構成多層密封層的材料加以说月Ά對構成密著性提高層的材料加以說明。 (下部及上部多層密封膜的構成材料）作為構成上述下部及上部多層密封膜的無機層，例如可適當使用氧切（Si〇2)、氮切（謹）、氮氧化石夕 (SiON)、氧脉（Ai2〇3)特料。該無機膜的形成方法可使用贿法、電漿 CVD ( Chemical Vap〇r Dep〇sid〇n，化學氣相沈積）法等公知的薄膜形成方法。另外，本發明所使用的多層密封膜中，將由無機膜形成的層稱為無機層。

Cj· 上述所明錢鑛法是薄膜形成方法的一種，是指使原子或分子尺寸的微粒子與乾材（薄膜的材料）碰撞，使乾材成為微粒子而氣相放出，並使該靶材微粒子堆積於規定的基板表面上而形成薄膜的方法。並且，有時亦將使原子或分子尺寸的微粒子與靶材碰撞，使靶材成為微粒子氣相而放出的現象稱為濺鑛。另外’所謂 CVD ( Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積）法是薄膜形成方法的一種’是指將含有薄膜構成元素的原料氣體供給至反應室内，施加熱或電漿等能量而 12 200915908 產生化學反應，使反應產物堆積於規定的基板表面而形成薄膜的方法。一另方面，構成下部及上部多層密封膜的有機層可適當使用例如與上述無機層材料的密著性良好的具有（甲基) 丙烯基的有機單體，亦即將（甲基）丙烯酸系化合物聚合而成的丙烯酸系聚合物。另外，該些丙烯酸系化合物，是有機化合物中與上述無機材料的密著性良好的化合物，但仍 m 難以成為與上述無機材料的密著性充分的化合物。因此，在施形態中，如下所述，於使密著性提高層中含有物理，，性尚的矽烷偶合劑，或僅由一種丙烯酸系化合物形成密著性提高層之情形時，使用如下的丙烯酸系化合物：亦同樣為丙烯酸系化合物，具有8個或8個以上交聯基，於鄰接的膜間相互作用變密，由此獲得提高密著性之效果的高交聯性丙烯酸系化合物。並且，將於本實施形態中所使用的多層密封膜中由有機膜形成的層稱為有機層。另外，所謂（甲基)丙烯酸系化合物，是指包含丙烯酸、 / 甲基丙烯酸及該些化合物的酯作為構成單元的化合物。上述（甲基）丙烯酸系化合物，可利用溶液塗佈法、噴霧塗佈法等公知的塗膜形成方法來形成塗膜，對該塗膜照 2能量（電子線、電漿線、紫外線等化學線）或施加；月匕篁，由此而使其聚合，形成丙烯酸系聚合物。上述（曱基）丙烯酸系化合物並無特別限定，若為於分子内包含一個或一個以上（甲基）丙烯基的化合物即可。於 (曱基)丙烯基為-個時，可獲得與無機膜更高的密著性。、 13 200915908 (甲基)丙烯基為2個、3個時，交聯密度變高，有機層的膜強度變得更高。 ' 、上述（甲基）丙烯酸系化合物例如可列舉（甲基）丙烯酸 2罗工乙基酉曰、（甲基)丙稀酸_2_經丙基醋、（甲基)丙烯酸_2_ 羥丁基酯等具有羥基的化合物，（曱基）丙烯酸二甲胺基乙酯、基)两婦酸二乙胺基乙醋等具有胺基的化合物，（甲基)丙烯酸' 2-(甲基)丙烯醯氧基乙基伽酸、2_(甲基)丙稀〇巧基乙基六氫鄰苯二甲酸等具讀基的化合物，（甲基) 丙烯酸縮水甘油酯、（甲基)丙細t四氫義、（曱基)丙稀酸 %己酉曰、（甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、（甲基)丙烯酸異莰酯等具有環狀骨架的（甲基)丙烯酸酯、（甲基)丙烯酸異戊酯、（甲基）丙烯酸月桂基酯、（甲基）丙烯酸硬脂基酯、（甲基）丙烯酸丁氧基乙酯、乙氧基二乙二醇（甲基）丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇（甲基)丙烯酸醋、甲氧基二丙二醇（甲基)丙烯酸醋等丙烯酸系單官能化合物’或二乙二醇二（甲基）丙烯酸 S曰、1，4-丁一醇二（甲基）丙婦酸酯、丨，6_己二醇二（甲基)丙 ϋ 烯酸酯、1，9-壬二醇二（甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二（甲基）丙晞酸酯、PEG#200二（甲基)丙烯酸酯、pEG#4〇〇二（甲基)丙烯酸酯、PEG#600二（甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基)丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二（甲基)丙烯酸酯等丙烯酸系2官能化合物，2官能（甲基)丙稀酸環氧酯等、2官能 (甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等2官能（甲基)丙烯酸系化合物 ·#。另外，具有3個或3個以上（甲基)丙稀酸基的化合物可使用一季戊四醇六（曱基）丙婦酸醋、季戊四醇三（甲基） 200915908 丙，酸酯、季戊四醇四（甲基)丙稀動旨 ::丙四爾酿等丙烯“宫茲厚度構的有機層及無機層的則難以良好靖5 A ’ 則整體的膜厚變戽，於古德r 右厚度超過10 //m ’ 光層的Ϊ2Ϊ有機^元件等中有時會影響自發用( = ΪϋΪ高層的用以提高密著性的材料）化合物、^二她4 ’可如上所_舉交聯高分子首先，上述交聯高分子化合物交，化而== 或光能量、^聚人:ί化合物）具有可由於施加熱能量的取代基。所謂可聚合的可藉由產生聚合反應而於兩錄聯基）疋才曰間形成鍵結，生成化合物的取代I 刀子以上的分子 ΐ::爾 I St ί丙婦酸醋基、甲基丙埽酿胺基、乙_ i、=:====基:環丁基、内醋基、内醯胺基、或含有錢細的 200915908 aw人二上边基以外’亦可利用可形成醋鍵或酿胺鍵之土趟，且:。例如，醋基與胺基、酯基與經基等組合。其女上述材料中較好的是具有(甲基)丙烯酸酯 ;列：2。乙美?(if丙烯酸酯基的單官能單體的具體例 :列f 2_乙基己基卡必醇丙_醋、丙烯酸·2·經基乙醋 Ϊ二具有(甲基)丙烯酸S旨基的2官能單體的具體例 Γ 己二醇二(甲基)丙馳旨、乙二醇二(甲基)丙烯

==Γ(甲基)_旨、三乙二醇二(甲基)丙稀甲基H(甲基)_酸酯等。其他具有（甲基）丙烯酸醋基的多官能單體的具體例可列舉三經甲基丙烧三 (甲基)丙烯酸醋、季戊四醇三(甲基)丙婦酸醋、季^四醇四 (甲基)丙烯酸醋、二季戊四醇五（甲基)丙烯酸醋、二季戊四醇六（甲基)丙烯酸醋、三季戊四醇八(甲基)丙婦酸醋等。宜中’ 2官能或2官能以上、較好的是5官能或5官能以上、、更好的是8官能或8官能以上衫官能單體硬化性，優良，可較好地使用。另外，其中所謂「官能數β 示上述「交聯基數」。即，所謂多官能單 = 該單體所具有的交聯基。 ^疋表不另外，關於上述聚合中所使用的交聯劑，例如於二5物手冊（工業調査會刊，1989年）第17〜56頁中有所 §己裁。另外，於上述材料具有氟原子之情形時，斥水起作用從而可提高密封膜的阻隔性。乂 ’、上述矽烷偶合劑是於界面顯示出物理吸著性的材料， 200915908 本實施形態中所使用的矽烷偶合劑可使用公知的矽烧偶合劑，並無特別限定。本實施形態的特徵在於發光元件的多層密封膜的層中设置岔著性提尚層。根據該技術思想，除了多層密封膜的層間密著性得到提高以外，在可實現新穎的多層密封膜構成方面亦應受到關注。所謂該新穎的多層密封膜構成，是才曰可夾著选著性提高層而連續積層兩層或兩層以上的交聯 p 度相互不同的有機膜。該構成的特徵在於將交聯度高且密 i 封特性優良、但柔軟性差的有機膜與交聯度低且柔軟性優良、但密封性差的有機膜一體組合，從而可於多層密封膜中形成密封性優良、且柔軟性優良的有機膜。因交聯度相互不同而彼此界面間的密著性不充分的兩個有機膜，藉由密著性提高層來提高的密著性，從而可獲得密封性及柔軟性優良的有機膜。 $ 一另1，於本實施形態中，由交聯高分子化合物構成密著性提向層時的材料單體，使用與先前的多層密封膜中所 CJ 使用的有機膜同類的丙烯酸系聚合性化合物，選擇性使用交聯基數比先前的有機膜中所使用的丙婦酸物多的化合物。 σ 於本s施形態的發光元件巾，藉由在歸密封膜的積層中設置密著性提高層的構成，可實㈣新連_ =的構成，除此以❹層密_的積層結構亦可為各触 &:如上所述’於由交聯高分子化合物構成密著性提高層之f月形時，其組成大致分為使—種聚合性化合物硬化^ 17 200915908 成’使有機化合物與聚合性化合物的混合物或者由兩種或兩種以上的聚合性化合物形㈣混合物硬麵成。若使前 -種情況為密著性提高層A，後_種情況為 B，則多層密賴的積層結構考紅下6種。〇曰 (1) 無機膜/密著性提高層A/無機膜 (2) 有機膜/密著性提高層A/無機膜 (3) 有機膜/密著性提高層A/有機膜 (4) 無機膜/密著性提高層B/無機膜 (5) 有機膜/密著性提高層B/無機膜 (6) 有機膜/密著性提高層B/有機膜古並且，在本實施形態中，亦可存在使用物理密著性提呵材料即⑦烧偶合劑來構成密著性提高層的密著性提高層 C此時的多層密封膜的積層結構考慮以下（7)〜（9) 3 種。 (7) 無機膜/密著性提高層c/無機膜

L (8) 有機膜/密著性提高層c/無機膜 (9) 有機膜/密著性提高層c/有機膜於本實施形態中，上述⑴⑵⑴的積層結構中， /好的是所使用的聚合性化合物，使用交聯基數為8個或個以上的聚合性化合物，增加與鄰接膜相互作用的取代土數，從而進一步提高與鄰接膜的密著性。、上述構成的本實施形態的發光元件及發光元件的製造 ^去_’對發光元件為有機EL元件時特別有用。於該有機 L 7L件中，於上述詳述的多層密封膜的構成亦相同。因 200915908 此’可適當應用本實施形態的有機a元件光層等其他的主要構成如以下詳述。土、發 (基板） ^機EL元件所使用的基板是形成電極 ==產=的基板即可，例如可使用破璃塑：同刀子薄膜、德板、將該些積層而成的基 (電極及發光層）有機EL元件的基本的結構，於至的透明或半透明的包含一對陽極（第i電極）^ 2電極）的電_具有至少—個發光層。上述發;層^ 低分子及/或高分子有機發光材料。極機:件中’作為發光層周邊的構成要素，陰極、％極、發光層以外的層可列舉設置於陰極與發光層之層’設置於陽極與發光層之間的層。設置於陰極：發間的層可列舉電子注人層、電子傳輸層、^阻ί Ο 子注，層是具有改善來自陰極的電子注入效率 Φ斥Μ上述電子傳輸層是具有改善來自電子注入層 Ϊ Ϊίΐ 好傳輸層的電子注人之魏的層。並二，層或電子傳輸層具有堵塞電洞傳輸的功能值二^ 日$將該些層稱為電洞阻擋層。具有堵塞電洞、例如可藉由製作僅流通電洞電流的元件，由其電k值的減少來確認堵塞效果。置於陽極與發光層之間的層可列舉電洞注入層、電 19 200915908 洞傳輸層、電子阻擋層等。处沾Ϊ祖人層是具有改善來自陰_電洞注人效率之功 =的層’所謂電洞傳輸層是具有改善來自電洞注入 ^近陽極的電洞傳輸層的電洞注人之功能的層。並且·;於傳輸層具有堵塞電子傳輸的功能之情形例如阻麟。具有堵塞電子傳輸的功能，由製作僅錢電子電流的元件，由其電流值 >來確認堵塞效果。發光層周邊的各種組合構成可列舉於陽極與發光層之_置電洞傳輪層的構成，於陰極盥發光間設置電子傳輸層的構成，於陰極與發光層之間設置^子傳輸層且於陽極與發^層之間設置電洞傳輸層的構成等。例如，具體可例示以下a)〜d)的結構。 a)陽極/發光層/陰極 b) 陽極/電洞傳輸層/發光層/陰極 c) 陽極/發光層/電子傳輸層/陰極 d) 陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輪層/陰極 (其中’/表示各層鄰接積層，以下相同。）其中，如上所述，所謂發光層是指具有發光功能的層，所謂電洞傳輸層是指具有傳輸電狀魏⑽，所謂電子傳輸層是減有傳輪電子之功能的層。另外，將電子傳輸層與電洞傳輸層總稱為電荷傳輸層。發光層、電洞傳輸層二電子傳輸層亦可分別獨立使用兩膚或兩層以上。又，鄰曰於電極而設置的電荷傳輸層中，具有改善來自電極的電荷 20 200915908 注效率之功犯、且具有降低元树叙 -般被特顧為電狀果的層

^ 主入/提高與f極的密著性或改善來自電極的電广’亦可與電極鄰接而設置上述電荷注 J =:nr緣層，並且為了提高界面的密著ί -Γ土各〜， H增的順序或數1、及各層的厚声， °考慮lx光效率或元件壽命而適當使用。又的有η,ι有電何注入層(電子注入層、電洞注入層） =有機斤讀可列舉與陰極鄰接而設置電荷注入層的有 70，與陽極鄰接而設置電荷注入層的有機虹元件。例如β，具體可列舉以下Ο〜Ρ)的結構。 e)陽極/電荷注入層/發光層/陰極 0陽極/發光層/電荷注入層/陰極 g) ，極/電荷注入層/發光層/電荷注入層/陰極 h) 陽極/電荷注入層/電洞傳輸層/發光層/陰極 i) 陽極/電洞傳輸層/發光層/電荷注入層/陰極 j) 陽極/電荷注入層/電洞傳輸層/發光層/電荷注入層/ 陰極 1〇陽極/電荷注入層/發光層/電荷傳輸層/陰極 l) 陽極/發光層/電子傳輸層/電荷注入層/陰極 m) 陽極/電荷注入層/發光層/電子傳輸層/電荷注入層/ 陰極 η)陽極/電荷注入層/電洞傳輸層/發光層/電荷傳輸層/ 21 200915908 陰極〇)陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層，電荷注入層/ 陰極 P)陽極/電荷注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/ 電何注入層/陰極 <另外，上述（a)至（P)所示的層結構例亦可採用陽圣叹置於更接近基板之側的形態，及陰極設置於更接近基板之侧的形態中的任一形態。 (陽極） ^亡述陽極中’例如透明電極或半透明電極可使用電導係數N的金屬氧化物、金屬硫化物或金屬的薄膜，可適當利用透射率高者’且根據所使㈣有機層㈣當選擇使用。例如，可使用利用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、及該些，複合體即氧化銦錫（ITO，IndiumTin0xide)、氧化^ 鋅等而形成的導電性玻璃所製作的膜（NESA等）或者金、銘、、銀、銅等，較好的是IT0、氧化銦辞、氧化錫。製作方法可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、電鍍法等。另外，該陽極亦可使用聚苯胺或其衍生物，聚噻7 生物等之有機透明導電膜。 /八丁陽極的膜厚可考慮光的透過性與電導係數而適當選擇，例如為10nm〜10 //m，較好的是2〇nm〜1 #m，更好的是 50 nm〜500 nm。 (電洞注入層）電洞注入層如上所述，可設置於陽極與電洞傳輸層與 22 200915908 與發光層之間。形成電洞注入層的材 m 星射型胺系、賴、氧化飢、氧化晶形碳、聚笨胺、聚噻鉬、氧化釕、氧化鋁等氧化物，非吩衍生物等。 (電洞傳輸層）生物構斗例如可例示聚乙朴坐或其衍二生物、側鏈或主鏈上具有芳香族胺的、吡唾啉衍生物、芳基胺衍生物、笑衍生 ^二本基生物、聚笨胺或其衍生物、《吩或其二物、聚方，胺或其衍生物、聚鱗或其衍生物、聚(對本乙炔）υ生物、或聚塞吩乙烯⑽y(2,5也 vinylene))或其衍生物等。該些化合物中’電洞傳輸層所使用的電洞傳輸材料較好的是聚乙晞味唾或其衍生物、聚石夕院或其衍生物、侧鍵或主鏈上具有芳香族胺化合物基的聚石夕氧烧衍生物、聚苯胺或其衍生物、料吩或其魅物、料基胺或其衍生物、 G 聚(對苯乙块)或其衍生物、或聚塞吩乙烯或其衍生物等高分子電洞傳輸材料，更好的是聚乙料嗤或其衍生物^ 魏或其衍生物、側鏈或主鏈上具有芳香族胺的聚石夕氧院衍生物。於低分子電洞傳輸材料之情形時，較好的是將其分散於尚分子黏合劑（binder)中後使用。 (發光層）發光層於本實施形態中是有機發光層，通常具有主要發出螢光或磷光的有機物（低分子化合物及高分子化合 23 200915908 物）。另外，亦可推― 使用的發光層的材料例如 1^^·=形成本發明中可气素系材料）生物、四祕衍二嗤衍生物、和铜行生Q 1二苯基麟生物、噪琳衍生物、二苯乙埽絲彳μ香糖射物"tb°坐幷喧 _生物，:::生:二=芳，生物、物、謝物、寡嗟吩衍生物、=合物、派瑞酮衍生聚物等。物 w—唑二聚物、吡唑啉二 „成材料2:金屬錯合物系材料）金屬錯“勿糸材料例如可列舉銥發光的金屬錯合物、經基二==二:幷r鋅錯合物、_ 物等中心金屬具有A1合物' 销錯合 Ο 類金屬’配位基具有噪二唾、。塞二:坐、笨:咬=二咪唑、喹啉結構等的金屬錯合物等。土幷 (發光層形成材料3 :高分子系材料）高分子系材料例如可列舉聚對苯乙 =生物、聚魏衍生物、聚乙块衍= ，第何生物、t乙㈣唾衍生物、將上述色素體或俨 a物系發捕料高分子化而成之化合物等。、’、a 上述發光層形成材料中發出藍色光的材料例如可列舉 24 200915908 =苯乙^芳烴衍生物、噁二唑衍生物、及該些化合物的聚聚乙烯咔唑衍生物、聚對苯衍生物、聚苐衍生物等。〃較好的是高分子材料的聚乙烯咔唑衍生物、聚對苯衍生物或聚苇衍生物等。外，上述發光層形成材料中發出綠色光的材料例如二2啥丫°疋酮街生物、香豆素衍生物、及該些化合物的 ::八2對苯乙炔衍生物、聚第衍生物等。其中較好的疋回刀材料聚對苯乙炔衍生物、聚第衍生物等。可列=:卜：2發光層形成材料中發出紅色光的材料例如合物、聚物' 喧吩環化合物 '及該些化合物的聚豆中㈣的tί何生物、聚嘆吩衍生物、聚第衍生物等。二車乂好的w分子材料聚對苯物、聚第衍生物等。 Τ㈣I嗔吩何生 (發光層形成材料4 ··摻雜材料）光波=加纽率提高或改變發

L 杨摻_物可列㈣衍生物、香豆去、、她酮衍生物、角黨‘ί7 卜琳何生物、笨乙_色素、稠四苯了生物、生物、十環婦〇)ecacyclene)、朴_等。比唉相衍 (電子傳輸層）形成電子雜層的材射錢公不。惡）坐衍生物、蒽g昆二甲燒或其衍材=例如可例物、萘醌或其衍生物、苜航本‘或其衍生 H…恩酿或其衍生物、四#窗_ 生或/、何生物、第網衍生物、二苯基二氰乙^燒 25 200915908 dicyanoethylene)或其衍生物、也卩本®比（Diphenoquinone) 衍生物、或8-羥基喹啉或其衍生物的金屬錯合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹噁啉或其衍生物、聚苐或其衍生物等。該些化合物中，較好的是噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或8-羥基喹啉或其衍生物的金屬錯合物、聚啥琳或其衍生物、聚啥°惡琳或其衍生物、聚第或其衍生物，更好的是2-(4-聯苯基)-5-(4-第三-丁基苯基)-1，3,4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羥喹啉)鋁、聚喹啉。 (電子注入層）電子注入層可如上所述設置於電子傳輸層與陰極之間或設置於發光層與陰極之間。電子注入層，根據發光層的種類，可設置由Ca層的單層結構而形成的電子注入層，或者可設置由如下層與Ca層的積層結構而形成的電子注入層，上述層由除了 Ca以外的週期表（採用IUPAC (國際純正、應用化學連合））的1族與2族的金屬且功函數為 1.5〜3.0 eV的金屬及其金屬的氧化物、鹵化物及碳酸化物的任一種或兩種或兩種以上而形成。功函數為i 5〜3 〇eV 的週期表1族的金屬或其氧化物、鹵化物、碳酸化物的例，可列舉鋰、氟化鋰、氧化鈉、氧化鋰、碳酸鋰等。又，功 =為1.5〜3.G eV #除了 Ca以外的週期表2族的金屬或 2虱化物、_化物、碳酸化物的例，可列舉鳃、氧化鎂、鼠化鎂、氟化錄、氟化鋇、氧化錄、碳酸鎂 (陰極） ^ 陰極中’具有透光性的電極例如可列舉金屬、石墨或 26 200915908 石墨層間化合物、ZnO (氧化鋅）等無機半導體、IT〇化銦錫）或ΙΖΟ (氧化銦鋅）等導電性透明電極、氧化銘、氧化鋇等金屬氧化物等。金屬例如可列舉鐘、鋼、卸、細、飽等鹼金屬；皱、鎂、約、銷、鋇等驗土金屬；金、銀、麵、銅、猛、鈦'録、錄、鶴等過渡金屬；錫、銘、銳、釩、鋅、紀、銦、鈽、彭、銪、錢、镱；以及該些金屬中兩種或兩種以上的合金等。合金的例可列舉鎂_銀合金、鎂

-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰_鋁合金、鋰-鎂合金、' 鐘·麵合金、料g合金等。又，亦可使陰極為兩層或兩層以上的積層結構。其例可列舉上述金屬、金屬氧化物化物、該些金屬的合金與紹、銀、鉻等金屬的積層結構等。實施例 β以下對本發明的實施例加以說明。以下所示的實施例疋用以對本發明進行說明的較佳例示，不對本發明進行任何限定。以下實施例的前提是發光元件為有機EL元件。本發明對有機EL元件的情形制有效，對其他發光亦同樣有效。另外，於以下的實施例的有機EL元件中如以上說明般’電極要素最簡易的是僅由陽極、陰極構成，亦存在該些陽極、陰極積層於發光層的兩個表面而形成發的情形’亦存在除陽極、陰極以外，將其他電極要^即洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層進行種組合’將該些要素於發光層上積層㈣成發^部形。於以下的實施例中’對於發光層的兩側所形成的電極 27 200915908 要素進行簡易記載，但是愛日日成AA 3 素積層於發光層上的情二任一種構成的電極要形均可同樣地適用。即，於發光層 =積^種組合的電極要素之後，於其上積層多層密封本發明中’所謂由多層密封膜來密封㈣層是表示上述構成。 (實施例1) (有機EL元件的製作方法）

將利用藏鑛法成膜的膜厚約15〇 nm的IT〇 (透明電極）圖案化而成的賴基板，时機溶劑、驗性洗劑、超純水來進行清洗，並加以乾燥。利用υν_〇3裝置（Techvisi〇n 股份有限公司製造，商品名rModel312uv_〇3清潔系統」) 對該基板進行UV-〇3處理（親液化處理）。於基板的ITO面侧將聚(3,4)亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸（HC Starck-V TECH公司製造，商品名r Bytron p τρ ΑΙ 4083」）的懸濁液利用直徑0.5 的過濾器進行過滤’並將懸濁液藉由旋塗而以70 nm的厚度進行成膜，於大氣中於加熱板（hotplate)上以200¾乾燥10分鐘。接者，使用以1. 1混合二甲苯與苯甲謎的溶劑來製作高分子有機發光材料（Sumation公司製造，商品名「LumationGP1300」）的1.5重量％的溶液。使用旋塗將該溶液於上述成膜了「Bytron P」的基板上成膜為80 11111的膜厚。去除取出電極部或密封區域部分的發光層，導入至真空腔室中，並移至加熱室（以後’於真空中或氮氣中進行 28 200915908 製程，從而製程中的元件不會暴露於大氣中）。接著，於真空中（真空度為lxl〇-4Pa或lxl0-4pa以下）、於約1〇〇。〇的溫度下加熱60分鐘。其後，將基板移至蒸鍍腔室中，與陰極遮罩對準，對發光部及取出電極部進行蒸鍍以成膜陰極。利用電阻加熱法對Ba金屬進行加熱，以蒸鍍速度約2 A/sec、膜厚5〇人進行絡鍍’並利用電子束蒸鑛法，以蒸鑛速度約2 A/sec、膜厚1500 A蒸鍍A1，從而形成陰極。 (有機/無機多層密封膜的形成）於元件製成後，將基板自蒸鍍室並不暴露於大氣中地移至膜密封裝置（美國VITEX公司製造，商品名「Guardian200」）。將遮罩對準設置於基板上。接著，將基板移至無機成膜室，利用濺鍍法進行第丨無機層即氧化鋁的成膜。利用純度5N的A1金屬靶材，導入氬氣與氧氣，於基板上成膜氧化鋁之膜。獲得厚約6〇 nm的透明且平坦的氧化紹膜。第1無機層成膜後，卸下無機層用遮罩，更換為有機層用遮罩，移至有機成膜室中。將於有機單體材料（νιΤΕχ 公司製造’商品名「Vitex Barix Resin System monomer material(Vitex701)」）中添加8官能丙烯酸酯即TpEA(三季戊四醇八丙稀酸酯）（廣榮化學公司製造）重量％作為提高密著性的材料而導入至氣化器中，使其氣化，自狹縫喷嘴喷出添加了上述密著性提高劑的單體蒸氣’使基板以固定速度通過喷嘴上，由此使單體以均勻的厚度附著於 29 200915908 $外嗥)'先而二附著了單體的基板照射UV ( Ultraviolet ’ 化，形成第1有機層（密著性形成第二：==琪’膜厚約1一益機成膜宕-二、在考性挺同層）之後，將基板移至氧化__。議鍍法進行第2無機層即膜。裳7“ ^成厚約11111的透明且平坦的氧化銘

機戶職’與第1有機層同樣地成膜第2有同^地^杰楚间層）’第2有機層成膜後，與第2無機層二& 3無機層。同樣地形成第3有機層（密著性 k冋層）、苐4無機層，從而獲得多層密封膜。另1，於上述實施例的多層密封膜的構成中，第1無機層與第2無制分別相#於本發明第、 2膜。同樣地，第2無機層與第3無機層的關ί亦分別^ 當於本發明所定義的第1膜與第2膜，此外，第3無機層與第4無機層的關係亦分別相當於本發明所定義的第丄膜與第2膜。而且，於各無機層之間形成著密著性提高層（第 1有機層、第2有機層、以及第3有機層），從而各無機層間的密著性提高。曰 (比較例1) 於上述實施例1中形成有機層的有機單體材料中並未添加密著性提高劑（三季戊四醇八丙烯酸酯），除此以外，以與上述實施例1相同之方式獲得有機EL元件。 (多層密封膜的層間密著性的評估）上述實施例、比較例中所製作的有機EL元件的多層 200915908 密封膜的層間密著性由以下方法來進行評估。 (評估方法），有機EL ^件上所形成的多層密封膜上以2顏間隔縱檢各11根線所製作的100個栅格（_)上，黏貼職― 製造的赛路凡(cellophane)膠帶，垂直地一下子剝離，重複進行此操作3次，·剝離的柵格的數量，由此進行評估。外’ Ϊ上述實施例中’藉由使多層密封膜的各有機曰中3有提尚密著性的材料而形成，亦可於多層密封膜的各無機層的界面直接塗佈提高㈣性的材料，使該塗膜硬化’由此於無機層與有機層之間形成密著性提高層。、 ^如上所述，本發明的發光元件及其製造方法，可提言费封發光元件的發光層的多層密封層的層間密著性，2 起到可提供壽命長的發光元件的效果。 Ο 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用r 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離;^發明 = 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明^ 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。〃瞍【圖式簡單說明】無【主要元件符號說明】益 4 31

Claims

200915908 十、申請專利範圍： 1. 一種發光元件，其具有基板、於該基板上所設置的發光層、以及密封該發光層的多層密封膜，上述多層密封膜中包含至少一個密著性提高層。 2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中上述多層密封膜具有至少一個第}膜與至少一個第，於^ f少一個第1膜與至少一個第2膜之間具有上述密著性提 & 高層。 I ! 3·如申請專利範圍第2項所述之發光元件，其中上述第1膜及上述第2膜均為無機膜。 4. 如申請專利範圍第2項所述之發光元件，其中上述第1膜為有機膜’上述第2膜為無機膜。 5. 如申請專利範圍第2項所述之發光元件，其中上述第1膜及第2膜均為有機膜，且進一步具有由無機膜形成的至少一個第3膜。 6. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中上述 ty 後者性提尚層含有交聯高分子化合物。 7·如申請專利範圍第6項所述之發光元件，其中上述交聯高分子化合物是對聚合性化合物施加能量而獲得。 8. 如申請專利範圍第6項所述之發光元件，其中上述交聯高分子化合物是對兩種或兩種以上聚合性化合物施加能量而獲得。 9. 如申請專利範圍第6項所述之發光元件，其中上述交聯高分子化合物是對含有至少一種有機化合物及至少一 32 200915908 種聚合性化合物的混合物施加能量而獲得。 10. 如申請專利範圍第7項所述之發光元件，其中上述聚合性化合物具有8個或8個以上交聯基。 11. 如申請專利範圍第1〇項所述之發光元件，其中上述交聯基為丙浠酸酯。 12. 如申請專利範圍第9項所述之發光元件，其中於設上述混合物的重量為100時，聚合性化合物的重量為10〜 40。 ’ 13·如申請專利範圍第丨項所述之發光元件，其中上述禮者性提高層含有石夕烧偶合劑。 14. 如申請專利範圍第丨項所述之發光元件，其中上述基板為可撓性基板。 15. 如申請專利範圍第丨項所述之發光元件，其為有機 EL元件。 16:—種發光元件的製造方法，其是具有基板、於該基板上所設置的發光層、以及密封該發光層的多層密封膜的發光元件的製造方法，於上述多層密封膜中形成至少一個密著性提高層。、I7.如申請專利範圍第16項所述之發光元件的製造方法，其中積層至少一個第丨膜與至少一個第2膜而形成上述多層密封膜’於該些上述至少—個第〗膜與至少一個 2膜之間形成上述密著性提高層。、18·如申請專利範圍第17項所述之發光元件的製造方法，其中上述第1膜及上述第2膜均為無機膜。 33 200915908 、19.如申請專纖㈣17項所述之發技件的製造方法，其中上述第1膜為有機膜，上述第2膜為無機膜。 20.如申請專利範圍第17項所述之發光元件的製造方法，其中上述第1膜及第2膜為有機膜，且進一步形成由無機膜形成的至少一個第3膜。 V 、21.如申請專利範圍第16項所述之發光元件的製造方法’其中使用交聯高分子化合物來形成上述密著性提高層。 22. 如申請專利範圍第21項所述之發光元件的製造方法’其中對聚合性化合物施加能量錢得上述交聯高分子化合物。 ° 23. 如申請專利範圍第21項所述之發光元件的製造方法，其中對兩種或兩種以上聚合性化合物施加能量而獲得上述交聯高分子化合物。又 24. 如申請專利範圍第21項所述之發光元件的製造方 /去，其中對含有至少一種有機化合物及至少一種聚合性化合物的混合物施加能量而獲得上述交聯高分子化合物。 25. 如申請專利範圍第22項所述之發光元件的製造方法，其中使用具有8個或8個以上交聯基的聚合性化合物作為上述聚合性化合物。 26. 如申請專利範圍第25項所述之發光元件的製造方法，其中上述交聯基為丙烯酸酯。、 27. 如申請專利範圍第24項所述之發光元件的製造万法’其中使相對於上述混合物的聚合性化合物的調配量為 10重量百分比〜4〇重量百分比。 34 200915908 28. 如申請專利範圍第16項所述之發光元件的製造方法，其中使用矽烷偶合劑來形成上述密著性提高層。 29. 如申請專利範圍第16項所述之發光元件的製造方法，其中使用可撓性基板作為上述基板。 30. 如申請專利範圍第16項所述之發光元件的製造方法，其中發光元件為有機EL元件。 35 200915908 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：無 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：無八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：無