SU649129A1 - Несимметричный управл емый мультивибратор - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использова в радиотехнических устройствах и си темах автоматики. Известны автоколебательные несим метричные мультивибраторы, содержащ транзисторы с резисторами в ко.гшекторных цеп х l . Однако такие мультивибраторы не позвол ют получить на плечах несимметричных по длительности импульсов не допускают линейной модул ций входными импульсами длительности и интервала времени между выходными импульсами. Кроме того, схемы этих мультивиб раторов не позвол ют значительно увеличить длительность и период пов торени  генерируемых импульсов при незначительной величине емкости вре м задающей цепи.. Наиболее близким техническим решением к изобретению  вл етс  несимметричный управл емый -мультивибратор , который содержит два транзистора с эмиттерной св зью, зар дный транзистор другого типа проводимости . Дл  линейного регулировани  длительности паузы между импульсами в общую эмиттерную цепь транзисторов мультивибратора включен коллекторно-эмиттерный переход дополнительного транзистора р-п-р типа, на базу которого подано управл ющее напр жение 2 . Однако.с помощью этого мультивибратора невозможно регулировать линейно в широких пределах независимо от паузы длительность выходных импульсов. Кроме того, известный мультивибратор исключает модул цию аходными импульсами, длительност ми паузы и выходных импульсов, а также не допускает значительного увеличени  длительности и уменьшени  частоты следовани  генерируемых импульсов при незначительной величине емкости врем задающей цепи. Цель изобретени  - генерирование импульсов большой длительности и модул ции их длительности пр моугольными импульсами. Достигаетс  зто тем, что в несимметричный управл емый мультивибратор содержащий два основных транзистора с резисторами нагрузки в коллекторных цеп х и резисторами смещени  в базовых цеп х, введены дополнительно инеграторы на составном транзисторе коллекторно-базовой отрицательной в зью. Эмиттер одного транзистора оединен с базой второго транзистора, эмиттер которого соединен с базой основного транзистора, а коллекторы, пом нутых транзисторов каждого интегратора объединены и через один иод соединены с коллектором основного транзистора противоположного плеча мультивибратора, через резистор - с шиной источника питани  , а через другой диод соединены с подвижным контактом переменного резистора, включенного между шинами источника питани , и с катодом диода, анод которого соединен с источником модулирующих импульсов.

в таком интеграторе обеспечиваетс  линейность зар да конденсатора, а врем  зар да пропорционально величине емкости обратной св зи, сопротивлению коллекторной нагрузки и произведению коэффициентов усилени  транзисторов по току (5 , вход щих в составной транзистор.

Практически это создает ьффективное увеличение посто нной времени мультивибратора вр раз, что позвол ет и сотни раз увеличить периодповторени  генерируемых импульсов и их длительность при одинаковых с прототипом емкост х конденсаторов времазадающих цепей, т.е. габаритах.

На чертеже представлена принци.пиальна  электрическа  схема несимметричного управл емого мультивибратора .

Он содержит транзисторы 1 и 2, в коллекторные цепи которых включены резисторы нагрузки 3,4 и корректирующие цепи из диодов 5,6 и резисторов 7,С, В базовые цепи эмиттерами включены транзисторы 9,10 и 11,12, у которых база одного св зана с эмиттером другого транзистора, а коллекторы их соединены вместе, выполн ющие функцию интеграторов на составном транзисторе с .юллекторно-базовоП емкостной отрицательной обратной св зью, образованной конденсаторами 13,14. Коллекторы этих транзисторов непосредственно соединены с анодами корректирующих диодов 5,6, а с источником питани -- через диоды 15, 16 и переменные резисторы 17 и 18, подвижный контакт которых через диоЯы 19, 20 св зан с источником модулирующих импульсов, Базы подключены к шине заземлени  посредством диодов 21, 22. Через резисторы 23,24 подаетс  смещение транзисторов.

Несимметричный управл емый мультивибратор работает следующим образом . Предположим, что при подаче напр жени  питани  транзистор 1 заперт, а. транзистор 2 открыт и насыщен . .Тогда напр жение на коллекторе транзистора 1 равно напр жению источника пихани . Транзисторы 11, 12 провод т в соответствии с исходным режимом. Диод 5 заперт благодар  падению нар жени  на резисторе 7. Сопротивлени  резисторов 7 и 24 выбраны так, что при открытом транзисторе 11 положительное напр жение от коллектррнрго источника превышает отрицательное напр жение от источника смещени  на базе транзистора 2. Происходит зар д конденсатора 14 от источника составного транзистора 11, 12, ток которого,  вл  сь суммой токов коллекторов и базы, одновременно  вл етс  током базы транзистора 2 и достаточен дл 

поддержани  последнего в состо нии насыщени  в течение всего временноустойчивого сост.о ни  мультивибратора . Причем базовый ток составного транзистора будет примерно в(Ь раз

меньше коллекторного. Следовательно, ток зар да конденсатора 14 составл ет лишь малую часть тока насыщени  транзистора 2.

Потенциал коллектора транзистора 2 близок к нулю. Диод 6 проводит

фиксиру  этот потенциал на коллекторе составного транзистора 9 и 10. Происходит разр д конденсатора 13 через диод 6, транзистор 2 и диод 21. Как станет  сно ниже,

0 конденсатор 13 был зар жен ранее подобно тому, как в описываемый момент времени зар жаетс  конденсатор 14.

Транзистор 1 заперт отрицательным напр жением источника смещени , поданного на .го базу через резистор-23 . Схема находитс  в таком СОСТ9ЯНИИ до тех пор, пока по мере зар да конденсатора 14 уменьшение -

0 тока базы транзистора 12 не приведет к такому уменьшению тока базы транзистора 2, при котором последний выйдет из режима насыщени .

Напр жение на коллекторе транзистора 2 повышаетс  скачком и начинаетс  лавинообразный процесс перехода схемы в другое временноустойчивое состо ние следующим образом .

0 Составные транзисторы 9 и 10, благодар  повышению потенциала на его коллекторе, станов тс  провод щими. База транзистора 1 приобретает положительный потенциал, что приводит

55 к его открытию и насыщению. Напр жение на коллекторе транзистора 1 становитс  близким нулю. Диод 5 открываетс , потенциал коллектора составного транзистора 11, 12 также становитс  близким нулю, вследствие чего последний становитс  непровод вдим . Транзистор-2 поддерживаетс  в закрытом состо нии источником базового смещени .

Начинаетс  зар д конденсатора 13

65 через базу транзистора 10 и разр д