SU681543A1 - Многофазный мультивибратор - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в устройствах, осуществл ющих генерирование сдвинутых по фазе импульсов , деление частоты следовани  импульсГов , распределение импульсов, в частности, в устройствах синхронизации телевизионных систем.

Известен мультивибратор, содержащий цепи зар да конденсаторов из токозЁщающих ключей и диодов l. Однако он имеет недостаточную стабильность частоты, определ емую стабильностью цепей зар да.

Наиболее близким техническим решением к изобретению  вл етс  многофазный мультивибратор, содержащий п  чеек по числу выходов, кажда  из которых содержит транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером , коллектор которого соединен с выходной клеммой, катодом диода и с обкладкой врем задающего конденсатора последующей  чейки, а база - с местом соединени  другой обкладки врем зад ающего конденсатора с врем задающим резистором, другой вывод которого соединен с шиной, объедин ющей выводы врем задающих резисторов все:  чеек 2 .

Целью изобретени   вл етс  повышение стабильности частоты генерируемых импульсов и помехоустойчивости .

Дл  этого в многофазном мультивибраторе , содержащем п  чеек по числу выходов, кажда  из которых содержит транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, коллектор

0 которого соединен с выходной клеммой , катодом диода и с обкладкой врем задающего конденсатора последующей  чейки, а база - с местом соединени  другой обкладки врем 5 задающего конденсатора с врем задающим резистором, вывод которого соединен с шиной, объедин ющей выводы врем задающих резисторов всех  чеек, анод диода кгиждой  чей0 ки соединен с базой транзистора предыдущей  чейки.

На фиг. 1 приведена схема п тифазного мультивибратора; на фиг.2 эпюры , характеризующие его работу.

5

П тифазный мультивибратор содержит п ть  чеек соответственно на транзисторах , включенных по схеме с общим эмиттером, их коллекторных резисторах , врем за0 дающих конденсаторах и ре Эисторах 4. 1-4-5, выходные клеммы и диоды , катоды которых соответственно подключены к ксхллекторам транзисторов и , а аноды - к базам транзисторов , пЕИсоединенным к одному из выводов резисторов и св занным через конденсаторы 3 1-3в5 с коллекторами транзисторов 1-5, , соединенных соответственно с клеммами , 5-1-5 4, непосредственно , а через резисторы , - с шиной источника питани  другие выводы резисторов 4 соединены между собой.

Мультивибратор работает следующи образом.

В момент включени  питающего напр жени  t (фиг.2) начинаетс  процесс зар да конденсаторов (фиг.1). Практически невозможны одинаковые скорости зар дов этих конденсаторов, так как всегда существует неидентичность параметров элементов, составл ющих цепи зар да Поэтому один из процессов зар дам будет протекать быстрее. Пусть быстрее начнет зар жатьс  конденсатор через резистор и переход база-эмиттер транзистора ток зар да и положительный потенциал, который подаетс  ,на базу через резистор « диод , приводит к отпиранию транзистора . К моменту времени t процесс отпирани  заканчиваетс . На коллекторе транзистора напр жение уменьшаетс  (фиг,2, эпюра а), а на базе увеличиваетс  (эпюра б). В момент t катод диода оказываетс  подключен через малое сопротивление открытого транзистора к обшей шине. С момента t до момента tg происходит разр д врем эадэющего конденсатора через открытый транзистор . По мере разр да конденсатора ток, протекающий через транзистор и удерживающий его в открытом состонии уменьшаетс . В момент времени tg. транзистор 1 1 выходит на активный участок вольтамперной характеристики . С этого момента начинаетс  процесс его закрывани  и отпирани  транзистора . Св зь между транзисторами и осуществл етс  не только через конденсатор , но и через диод . Благодар  подключению катода диода 6«1 через отпирающийс  транзистор к общей шине , потенциал на базе транзистора резко уменьшаетс , что приводит к его быстрому запиранию. К моменту времени Ц процесс переключени  тразисторов и 1«2 и заканчиваетс . Транзистор будет находитьс  в насыщенном состо нии до момента времени t3. Далее он выходит на актив43

ный участок вольтамперной характеристики и т.д.

В течение времени, когда открыт, например, транзистор , к базам остальных транзисторов lb2-J S через соответствующие резисторы приложено отрицательное /напр жение, вызванное током разр да конденсатора . Ввиду того, что в мультивибраторе всегда открыт один из транзисторов 14-1 5 и благодар  тому, что резисторы не св заны с шиной нулевого потенциала , к остальным закрытым транзисторам оказываетс  приложенным отрицательное напр жение, которое надежно их запирает и повышает помехоустойчивость мультивибратора.

Повышение стабильности мультивибратора при изменении питающего напр жени  достигаетс  взаимокомпенсирующим действием двух основных факторов,

С одной стороны, при изменении питающего напр жени  (например, при его увеличении) увеличиваетс  положительное смещение на базах

транзисторов , что должно приводить и увеличению периода генерируемых импульсов.

С другой стороны, увеличение питающего напр жени  приводит также к увеличению тока разр да конденсаторов и соответственно к увеличению по абсолютной величине отрицательной посто нной составл ющей , приложенной к базам транзисторов , что должно приводить к уменьшению периода генерируемых импульсов. Таким образом, эти два процесса взаимокомпенсируют друг

друга.

Кроме действи  указанных факторов стабильность частоты повышаетс  благодар  усилению положительной обратной св зи между переключающимис  фазами.

Claims (2)

1. Формула изобретени 

   Многофазный мультивибратор, содержащий п  чеек по числу выходов, кажда  из которых содержит транзистор , включенный по схеме с общим эмиттером, коллектор которого соединен с выходной клеммой, катодом диода и с обкладкой врем задающего конденсатора последующей  чейки, а база - с местом соединени  другой обкладки врем задающего конденсатора с врем задающим резистором, другой вывод которого соединен с шиной.

   объедин ющей выводы врем задающих резисторов всех  чеек, отличающийс  тем, что, с целью повышени  стабильности частоты генерируемых импульсов и помехоустойчи56815436

   Ъости, анод диода каждой  чейки1. Авторское свидетельство СССР

   соединен с базой транзистора преды-(1416832, кл. Н 03 22.11.71. душей  чейки.
2. 2. Авторское свидетельство СССР

   Источники информации, прин тые 376880, кл. Н 03 К 3/29, 26.0.4.71

   во внимание при экспертизе (прототип).

   г-} 1 |z I