[go: up one dir, main page]

SU549039A1 - Autocathode manufacturing method - Google Patents

Autocathode manufacturing method

Info

Publication number
SU549039A1
SU549039A1 SU7502151042A SU2151042A SU549039A1 SU 549039 A1 SU549039 A1 SU 549039A1 SU 7502151042 A SU7502151042 A SU 7502151042A SU 2151042 A SU2151042 A SU 2151042A SU 549039 A1 SU549039 A1 SU 549039A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
autocathode
voltage
auto
manufacturing
reduce
Prior art date
Application number
SU7502151042A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Б.П. Бундза
Original Assignee
Институт Физики Ан Украинской Сср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Ан Украинской Сср filed Critical Институт Физики Ан Украинской Сср
Priority to SU7502151042A priority Critical patent/SU549039A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU549039A1 publication Critical patent/SU549039A1/en

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АВТОКАТОДА(54) METHOD FOR MANUFACTURING A ROLLER

Изобретение относитс  к области электронной микроскопии и может быть применено при изготовлении полупроводниковых авто- и автофотокатодов .The invention relates to the field of electron microscopy and can be applied in the manufacture of semiconductor auto- and auto-photocathodes.

Известен способ изготовлени  автокатода, заключающийс  в оплавлении испускающего электроны конца катода электронным или лазерным пучком с последующей шлифовкой в направлении вершины, образующейс  в результате оплавлени  разм гченной массы 1.A known method of making an autocathode involves melting the electron-emitting end of the cathode with an electron or laser beam, followed by polishing in the direction of the apex resulting from melting of the softened mass 1.

При оплавлении кончика остри  катод нагрваетс  до высоких температур, в св зи с чем способ не пригоден дл  обработки полупроводниковых автофотокатодов, так как приведет- к потере их фоточувствительности, а также этот способ не обладает достаточной стабильностью.When the tip of the tip is melted, the cathode is heated to high temperatures, and therefore the method is not suitable for processing semiconductor auto-photocathodes, as it will lead to a loss of their photosensitivity, and this method is not sufficiently stable.

Известен также способ изготовлени  автокатода путем термополевого воздействи  на острийный образец 2, согласно которому при положительной пол рности катода его нагревают при значени х температуры и пол , обеспечивающих перенос материала на рабочую поверхность катода с прилегающих к ней областей и образование на поверхности катода М1кроскопических наростов, диаметр основани  которых There is also known a method for producing an autocathode by means of a thermofield effect on a tip sample 2, according to which, when the cathode is positively polar, it is heated at temperatures and fields that ensure the material is transferred to the working surface of the cathode from the adjacent areas and forms M1 scopes the bases of which

соизмерим с рад 1усом кривизны рабочей поверхности катода, и выдерживают в этих услови х до fex пор, пока количество перенесенного материала не станет соизмеримо с объектом материала в сегменте под рабочей поверхностью катода.commensurate with the radius of curvature of the working surface of the cathode, and kept under these conditions until fex until the amount of transferred material becomes comparable with the object of the material in the segment under the working surface of the cathode.

В данном случае наблюдаетс  относительно низка  стабильность и воспроизводимость характеристик автокатодов, а также высокое рабочее напр жение.In this case, a relatively low stability and reproducibility of the characteristics of autocathodes, as well as a high operating voltage, are observed.

Цель изобретени  - умехлшение рабочего напр жени  и повьпиение стабильности автокатода ,The purpose of the invention is to twist the working voltage and to increase the stability of the autocathode

Цель достигаетс  тем, что острийный образец охлаждают до температур не Bbmie ()°С накладывают электрическое поле, достаточное дл  самопроизвольного роста автоэмиссионного тока, затем уменьшают напр жение при выбранwoM значении тока до необходимой величины, обеспечивающей поддержание посто нного автоэмиссионного тока.The goal is achieved by the fact that the tip sample is cooled to temperatures not Bbmie () ° C impose an electric field sufficient to spontaneously increase the field emission current, then reduce the voltage when the current value of twoM is chosen to the required value ensuring the maintenance of a constant field emission current.

Claims (2)

Длительность процесса заострени  острий катода зависит от велиины тока при его самопроизвольнолТ росте и скорости, а также; уменьшени  приложенного напр же1та  при выбранном значешш посто нного тока. Остри  полученного таким способом автокатода из полупро водникового материала (кремни ) имеют идеал ную коническую форму с радиусом кртвизны 0,01 мкм. Рабочие напр жени  составл ют 200300 В. Формула изобретени  Способ изготовлени  автокатода путем термополевого воздействи  на острийный образец, отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  рабочего напр жени  и повышени  5 94 стабильности, острийный образец охлаждают до температур не выше (-196)°С, прикладьгаают электрическое поле, достаточте дл  самопроизвольного роста автозмиссиошюго тока, затем уменьшают напр жение при выбранном значении тока до необходимой величины, обеспечивающей поддержание посто нного автоэмиссионного тока. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1.Патент США N 3711908, кл. Н 01 J9/16, 1972. The duration of the process of sharpening the tips of the cathode depends on the magnitude of the current during its spontaneous growth and speed, as well as; decreasing the applied voltage with the selected direct current value. The edges of the autocathode obtained in this way from a semiconductor material (silicon) have an ideal conical shape with a radius of 0.01 µm. The operating voltages are 200300 V. Claims The method of manufacturing the autocathode by means of a thermal field effect on a tip sample, characterized in that, in order to reduce the operating voltage and increase 5 94 stability, the tip sample is cooled to temperatures not higher than (-196) ° C , apply an electric field, sufficient for a spontaneous growth of the auto-emission current, then reduce the voltage at the selected current value to the required value, ensuring the maintenance of a constant auto-emission current. Sources of information taken into account in the examination: 1. US Patent N 3711908, cl. H 01 J9 / 16, 1972. 2.Авторское свидетельство СССР № 425239, кл. Н 01 J 9/02, 1974.2. USSR author's certificate number 425239, cl. H 01 J 9/02, 1974.
SU7502151042A 1975-07-01 1975-07-01 Autocathode manufacturing method SU549039A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7502151042A SU549039A1 (en) 1975-07-01 1975-07-01 Autocathode manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7502151042A SU549039A1 (en) 1975-07-01 1975-07-01 Autocathode manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU549039A1 true SU549039A1 (en) 1978-09-25

Family

ID=20624932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU7502151042A SU549039A1 (en) 1975-07-01 1975-07-01 Autocathode manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU549039A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5201992A (en) * 1990-07-12 1993-04-13 Bell Communications Research, Inc. Method for making tapered microminiature silicon structures
US5204581A (en) * 1990-07-12 1993-04-20 Bell Communications Research, Inc. Device including a tapered microminiature silicon structure

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5201992A (en) * 1990-07-12 1993-04-13 Bell Communications Research, Inc. Method for making tapered microminiature silicon structures
US5204581A (en) * 1990-07-12 1993-04-20 Bell Communications Research, Inc. Device including a tapered microminiature silicon structure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05332713A (en) Probe for scanning tunnel microscope and its manufacture
KR970063337A (en) Electron source and electron beam irradiation device provided with the electron source
SU549039A1 (en) Autocathode manufacturing method
US4253221A (en) Method of producing low voltage field emission cathode structure
Xie et al. Field emission from ZrC films on Si and Mo single emitters and emitter arrays
GB1433944A (en) Method and apparatus for producing electron emission from a field emission cathode
JPH11500259A (en) Field emission cathode and method of manufacturing the same
GB538174A (en) Improvements in and relating to x-ray apparatus
JPH0311054B2 (en)
US3890533A (en) Thermal emission type electron gun
JPH0628142B2 (en) Stabilization method of thermal field emission electron gun
RU2240623C2 (en) Point structures, devices built around them, and their manufacturing methods
JPS5845194A (en) Method for forming single domain of lithium niobate single crystal
JPS54134964A (en) Manufacture of carbide field emitter
JPS6335064B2 (en)
US1667471A (en) Glow cathode and electron tube containing same
JPS63265102A (en) Scanning-tunnel microscope
SU1127020A1 (en) Process for activating oxide thermionic cathode of electronic device
RU2792040C1 (en) Method for manufacturing cathode-grid unit with field-emission cathodes
SU576598A1 (en) Method of manufacturing carriers for thermomagnetic recording
US3452179A (en) Electron optical system
SU1137568A1 (en) Oxide thermionic cathode activation method
SU1027787A1 (en) Method of producing autocathodes of carbon fibres
SU437809A1 (en) The method of obtaining spikes on metal rods
JPS62206754A (en) Linear electron beam generator