SU549039A1 - Autocathode manufacturing method - Google Patents
Autocathode manufacturing methodInfo
- Publication number
- SU549039A1 SU549039A1 SU7502151042A SU2151042A SU549039A1 SU 549039 A1 SU549039 A1 SU 549039A1 SU 7502151042 A SU7502151042 A SU 7502151042A SU 2151042 A SU2151042 A SU 2151042A SU 549039 A1 SU549039 A1 SU 549039A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- autocathode
- voltage
- auto
- manufacturing
- reduce
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АВТОКАТОДА(54) METHOD FOR MANUFACTURING A ROLLER
Изобретение относитс к области электронной микроскопии и может быть применено при изготовлении полупроводниковых авто- и автофотокатодов .The invention relates to the field of electron microscopy and can be applied in the manufacture of semiconductor auto- and auto-photocathodes.
Известен способ изготовлени автокатода, заключающийс в оплавлении испускающего электроны конца катода электронным или лазерным пучком с последующей шлифовкой в направлении вершины, образующейс в результате оплавлени разм гченной массы 1.A known method of making an autocathode involves melting the electron-emitting end of the cathode with an electron or laser beam, followed by polishing in the direction of the apex resulting from melting of the softened mass 1.
При оплавлении кончика остри катод нагрваетс до высоких температур, в св зи с чем способ не пригоден дл обработки полупроводниковых автофотокатодов, так как приведет- к потере их фоточувствительности, а также этот способ не обладает достаточной стабильностью.When the tip of the tip is melted, the cathode is heated to high temperatures, and therefore the method is not suitable for processing semiconductor auto-photocathodes, as it will lead to a loss of their photosensitivity, and this method is not sufficiently stable.
Известен также способ изготовлени автокатода путем термополевого воздействи на острийный образец 2, согласно которому при положительной пол рности катода его нагревают при значени х температуры и пол , обеспечивающих перенос материала на рабочую поверхность катода с прилегающих к ней областей и образование на поверхности катода М1кроскопических наростов, диаметр основани которых There is also known a method for producing an autocathode by means of a thermofield effect on a tip sample 2, according to which, when the cathode is positively polar, it is heated at temperatures and fields that ensure the material is transferred to the working surface of the cathode from the adjacent areas and forms M1 scopes the bases of which
соизмерим с рад 1усом кривизны рабочей поверхности катода, и выдерживают в этих услови х до fex пор, пока количество перенесенного материала не станет соизмеримо с объектом материала в сегменте под рабочей поверхностью катода.commensurate with the radius of curvature of the working surface of the cathode, and kept under these conditions until fex until the amount of transferred material becomes comparable with the object of the material in the segment under the working surface of the cathode.
В данном случае наблюдаетс относительно низка стабильность и воспроизводимость характеристик автокатодов, а также высокое рабочее напр жение.In this case, a relatively low stability and reproducibility of the characteristics of autocathodes, as well as a high operating voltage, are observed.
Цель изобретени - умехлшение рабочего напр жени и повьпиение стабильности автокатода ,The purpose of the invention is to twist the working voltage and to increase the stability of the autocathode
Цель достигаетс тем, что острийный образец охлаждают до температур не Bbmie ()°С накладывают электрическое поле, достаточное дл самопроизвольного роста автоэмиссионного тока, затем уменьшают напр жение при выбранwoM значении тока до необходимой величины, обеспечивающей поддержание посто нного автоэмиссионного тока.The goal is achieved by the fact that the tip sample is cooled to temperatures not Bbmie () ° C impose an electric field sufficient to spontaneously increase the field emission current, then reduce the voltage when the current value of twoM is chosen to the required value ensuring the maintenance of a constant field emission current.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU7502151042A SU549039A1 (en) | 1975-07-01 | 1975-07-01 | Autocathode manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU7502151042A SU549039A1 (en) | 1975-07-01 | 1975-07-01 | Autocathode manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU549039A1 true SU549039A1 (en) | 1978-09-25 |
Family
ID=20624932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU7502151042A SU549039A1 (en) | 1975-07-01 | 1975-07-01 | Autocathode manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU549039A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5201992A (en) * | 1990-07-12 | 1993-04-13 | Bell Communications Research, Inc. | Method for making tapered microminiature silicon structures |
US5204581A (en) * | 1990-07-12 | 1993-04-20 | Bell Communications Research, Inc. | Device including a tapered microminiature silicon structure |
-
1975
- 1975-07-01 SU SU7502151042A patent/SU549039A1/en active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5201992A (en) * | 1990-07-12 | 1993-04-13 | Bell Communications Research, Inc. | Method for making tapered microminiature silicon structures |
US5204581A (en) * | 1990-07-12 | 1993-04-20 | Bell Communications Research, Inc. | Device including a tapered microminiature silicon structure |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH05332713A (en) | Probe for scanning tunnel microscope and its manufacture | |
KR970063337A (en) | Electron source and electron beam irradiation device provided with the electron source | |
SU549039A1 (en) | Autocathode manufacturing method | |
US4253221A (en) | Method of producing low voltage field emission cathode structure | |
Xie et al. | Field emission from ZrC films on Si and Mo single emitters and emitter arrays | |
GB1433944A (en) | Method and apparatus for producing electron emission from a field emission cathode | |
JPH11500259A (en) | Field emission cathode and method of manufacturing the same | |
GB538174A (en) | Improvements in and relating to x-ray apparatus | |
JPH0311054B2 (en) | ||
US3890533A (en) | Thermal emission type electron gun | |
JPH0628142B2 (en) | Stabilization method of thermal field emission electron gun | |
RU2240623C2 (en) | Point structures, devices built around them, and their manufacturing methods | |
JPS5845194A (en) | Method for forming single domain of lithium niobate single crystal | |
JPS54134964A (en) | Manufacture of carbide field emitter | |
JPS6335064B2 (en) | ||
US1667471A (en) | Glow cathode and electron tube containing same | |
JPS63265102A (en) | Scanning-tunnel microscope | |
SU1127020A1 (en) | Process for activating oxide thermionic cathode of electronic device | |
RU2792040C1 (en) | Method for manufacturing cathode-grid unit with field-emission cathodes | |
SU576598A1 (en) | Method of manufacturing carriers for thermomagnetic recording | |
US3452179A (en) | Electron optical system | |
SU1137568A1 (en) | Oxide thermionic cathode activation method | |
SU1027787A1 (en) | Method of producing autocathodes of carbon fibres | |
SU437809A1 (en) | The method of obtaining spikes on metal rods | |
JPS62206754A (en) | Linear electron beam generator |