Изобретение относитс к области полупроводниковой фотографии и предназначено дл систем, регистрирующих распределение интенсивности света по площади фотоприемнйка, например, в полупроводниковых фотокондуктографических системах, Известны фотоприемники - электрохимические фотодиоды, на основе обобщенного р -п-перехода полупроводник - жидкий электролит с омическим контактом к полупроводниковой пластине и контрэлектродом к электролиту, которые превышают по чувствительности поверхностно-барьерные структуры и фотоприемники на основе р -tfпepexoдa. Основным недостатком таких фотоприемников вл ютс низка стабильность, св занна с протеканием электрохимических и коррозионных процессов на гра нице раздела, низкий срок службы. Растекание тока в толще электролита вслед ствие его большой электропроводности и сложность соединени такого фотодиода с регистрирующей чейкой затрудн ет использование таких фотоприемников в системах, регистрирующих распределение интенсивност-и света по площади фотоприемника ,. Цель изобретени - повышение стабильности характеристик фотоприемника. .Цли устранени указанных недостатков предложено выполн ть слой электролита электрохимического фотодиода из вещества, обладающего как ионной, так и электронной проводимостью (так называемого , твердого электролита), при этом слой снабжен герметизирующим покрытием , имеющим анизотропную электрическую проводимость. Такой слой твердого вещества дает возможность сочетать достоинство твердотельной системы с высокой фрточувствительностью, обусловленной сильным изгибом зон в области контакта полупроводник. - ионный проводник (твердый электролит). Фотоприемник состоит из полупроводниковой . пластины, на одну из повеохностей которой нанесен сплошной полупрозрачный или кольцевой омический контакт , на противоположную поверхность пластины, предварительно механически и химически: полированную, вакуумным распылением нанесена пленка вещества с ионной и электронной проводимостью, поверх которой нанесено герметизирующее электропровод щее покрытие. ФотоприемНик освещаетс светом в направлении , перпендикул рном плоскости фотоприёмника . Фотоприемник может работать либо в вентильном режиме, либо в фотодиодном/ причем дл работы в фотодиодном режиме нет необходимости во внешнем источнике питани , посколь ку питание может осуществл тьс за сче гальванической разности потенциалов, образуемой полупроводниковым электродом и электропровод щим покрытием в контакте с твердым электролитом. В темноте в отсутствии внешнего нап р жени и при гальванической разности потенциалов, равной нулю, что возможно при определенном разборе материалов электропровод щего покрыти и вещества твердого электролита, ток в фотоприемнике равен нулю. При величине напр же ни на фотоприемнике, отличной от нул в фотоприемнике (при замыкании внешней цепи) протекает темновой ток. При осве щении фотоприемника вследствие инжекции светом неосновных носителей сопротивление поверхностного барьера уменьшаетс , что приводит к по влению фототока . Если на поверхности фотоприемника задано распределение интенсивности света, то оно приводитс к распределению фототока по площади фотоприемника что может быть зафиксировано какой-либо регистрирующей системой. Необходимые услови дл использова ни вещества в качестве пленки твердог эл« ктролита в предлагаемых фотодиодах следующие: достаточно высока ионна проводимость, неагрессивность к материалу герметизирующего покрыти и материалу полупроводника, самдпроизвольное восстановление исходного вещества во врем прохождени тока из продуктов электрохимической реакции, образунхцихс на. электродах, одним из которых служит поверхность полупроводника , а другим - электропровод щее пок рытие, которое в СБОЮ очередь преп тствует удалению продуктов электрохимической реакции. Фотрприемник может быть изготовлен на основе контакта германий - галогениды серебра с добавками двухвалентных металлов. Галогенйды серебра напыл ютс в вакууме на поверхность пластин монокристаллическо .го германи п -типа ( Ом предварительно отшлифованные и химически полированные в СР-4. Толщина сло галогёнида серебра составл ет менее 1 мкм, так что растекание фототока в слое отсутствует. После напылени на поверхность сло галогёнида серебра нанос т лакосажевое электропровод щее защитное покрытие. К свободной поверхности ПЛА СТИНЦ германи изготавливают омический контакт с помоШЬЮ олов нного ПРИПОЯ. Но врем прохождени электрического тока через гетеропереход на отрицательном по отношению к слоюгалогёнида серебра электроде системы германий - галогенид серебра - лакосажевое покрытию выдел етс серебро, на положительном электроде выдел етс бром, который диффундирует по межкристаллическим гран м сло галогёнида серебра, причем защитное покрытие преп тствует диффузии брома за пределы галогёнида серебра. Диффундирующий к отрицательному электроду бром окисл ет восстановленное сереоро , в результате чего вновь образуетс бромистое серебро. Процесс окислени электрического серебра бромом заканчиваетс после размыкани внешней цепи . Полученные фотодиоды обладают выпр мл ющим действием, причем запорное направление соответствует отрицательной пол рности германи . При этой же пол рности наблюдаетс значительно больший Лотоответ. Сравнение полученных фотодиодов с фотодиодами на основе поверхностно-барьерных переходов с металлическими контактами показало, что отношение светового тока к току насыщени в полученных фотодиодах.более, чем на пор док, превышает соответствующую величину в фотодиодах с поверхностным барьером и металлическим контактом, С помощью полученных фотодиодов и регистрирующей чейки, содержащей токочувствительную электрохимическую бумагу , было зарегистрировано распределение интенсивности света по площади фотодиода в спектральной области до 1,7 мкм. Формула изобретени Фотоприемник на основе полупроводника и прилегающего к нему сло электролита с герметизирующим покрытием, отличающийс тем, что, с целью повышени стабильности его характеристик , в качестве электролита использоваво вещество, .обладающее ионной и электронной проводимостью, например , ,и герметизирующее покрытие имеет анизотропную электрическую проводимость ,