SE469653B - Poroest implantat - Google Patents

Description

469 653 10 15 20 25 30 35 Generellt kan sägas att ändamålet med uppfinningen är att erbjuda implantat med följande karakteristik: hög hållfasthet, utmärkt biokompatibilitet med i porer eller i ytpartier deponerade bentill- växtstimulerande medel för tidsstyrning av beninväxten för bättre reproducerbar förankring av implantat.

Dessa och andra syften kan uppnås genom att kommunicerande mikroporer mindre eller lika med 10 pm upptar högst 10% av den totala porvolymen i nämnda åtminstone ett parti av implantatet, och minst 5% av åtminstone ett parti av ytan på implantatet täcks av väsentligen jämnt fördelade porer med en porstorlek överstigande 50 pm.

Med porstorlek förstås, när det gäller porer med porstorlekar mindre eller lika med 50 pm, storlekar bestämda med traditionell Hg-porosi- metri, där relationen mellan pordiameter (2r) erhålls ur uttrycket 2 s cosF p ' där r p = trycket s = Hg's ytspänning vid aktuell temperatur F = meniskvinkel (randvinkel (ref L C Ritter and R L Drake, Ind. Eng. Chem. lz 782 (1945)) För porstorlekar överstigande 50 um förstås storlekar erhållna genom optisk bestämning i ljusmikroskåp på ett tvärsnitt av proverna i ett snitt taget på O,l pm djup, respektive i ett snitt vinkelrätt provytan.

De större porerna begränsas med fördel till ytskiktet, mer bestämt till ett ytskikt som är 3 mm, företrädesvis 2 mm och lämpligen 0,3 mm tjockt. Genom att i övrigt begränsa porositeten till mikroporositet, dvs till porer med högst 10 um i diameter och med en total volym av mikroporer av max 10% kan hög hållfasthet upprätthållas.

I porositeten deponeras före implantering ett eller flera av de ämnen som innefattar benstimulerande medel, ämnen för benuppbyggnad eller bentillväxt, vilka ämnen kan föreligga i en bärare, som kan bestå av 10 15 20 25 30 35 J cm Cr: Cæl en polymer, en hydrogel eller liknande. Genom att porerna helt kan fyllas med bärare och ingående aktiva medel, vilka båda med tiden utlöses, sker efter hand utbildning av porer för beninväxt. På detta sätt kan olika profiler för beninväxt skapas genom lämpliga koncentra- tionsnivåer och fördelning av aktiva medel. Vidare kan utlösnings- hastigheten styras genom val av olika grad av svårlöslig bärare. Olika bärare kan utnyttjas i skikt och/eller i olika delar av implantatet för att ge en optimal inväxt, t ex en snabb initial inväxt (förhöjd korttidsutlösning) för snabb förankring och en därefter långsammare ínväxt för utbildning av mer kompakt och hållfast benvävnad.

Ytterligare aspekter och kännetecken på uppfinningen framgår av de efterföljande patentkraven.

Claims (14)

25k l0 l5 20 25a 30 35 ON (TI PATENTKRAV

1. l. Implantat av poröst icke toxiskt material med en total öppen porositet överstigande 5 volym-% men ej överstigande 80 volym-% inom åtminstone ett parti av implantatet, k ä n n e t e c k n a t av - att det uppvisar en mikroporositet i form av kommunicerande mikroporer mindre eller lika med l0 um upptar högst 10% av den totala porvolymen i nämnda åtminstone ett parti av implantatet, - att minst 5% av åtminstone ett parti av ytan på implantatet täcks av väsentligen jämnt fördelade porer med en porstorlek överstigande 50 um, och - att implantatet innehåller bentillväxtstimulerande medel, som tillsatts via bärare som helt eller delvis uppfyller såväl mikroporer som porer i ytskiktet.

2. ; 2. Implantat enligt krav l, k ä n n e t e c k n a t av att mikro- porernas storlek understiger 5 um och företrädesvis understiger 2 um.

3. Implantat enligt något av kraven l och 2, k ä n n e t e c k n a t av att mikroporerna upptar maximalt 5 volym-% av implantatet.

4. Implantat enligt något av kraven l-3, k ä n n e t e c k n a t av att ytan/ytskiktet inom nämnda åtminstone ett parti av implantatet täcks av porer (hålrum) med en diameterstorlek inom intervallet 50-500 um.

5. Implantat enligt något av kraven l-4, k ä n n e t e c k n a t av att huvuddelen av de stora porerna i ytskiktet har en diameterstorlek inom området 75-400 um, företrädesvis inom området l00-300 um och lämpligen inom området l50-250 um.

6. Implantat enligt något av kraven l-5, k ä n n e t e c k n a t av att de stora porera (hålrummen) förekommer i ett ytskikt som är 3 mm, företrädesvis 2 mm och lämpligen 0,3 mm tjockt. 10 l5 20 '25 30 35

7. Implantat enligt något av kraven l-6, k ä n n e t e c k n a t av att nämnda åtminstone ett parti av implantatet huvudsakligen består av ett eller flera material tillhörande de material som innefattar kalciumfosfatmaterial, titan, kobolt-kromlegeringar, rostfria stål, kiselnitrid och andra keramer samt polymerer.

8. Implantat enligt något av kraven l-7, k ä n n e t e c k n a t av att porer eller ytpartier av implantatytan eller delar därav inne- håller deponerade ämnen med önskvärda medicinska och/eller biologiska funktioner.

9. Implantat enligt något av kraven l-8, k ä n n e t e c k n a t av att det deponerade ämnet utgörs av ett eller flera bentillväxt- faktorer, företrädesvis något eller nâgra av ämnena IGF, PDGF, BMP och TGF.

10. l0. Implantat enligt något av kraven l-8, k ä n n e t e c k n a t av att det deponerade ämnet utgörs av ett eller flera antibiotika.

11. ll. Implantat enligt något av kraven l-8, k ä n n e t e c k n a t av att det deponerade ämnet utgörs av Ca-föreningar av fosfattyp eller fluorider.

12. l2. Implantat enligt något av kraven l-8, k ä n n e t e c k n a t av att hyaleronsyra är deponerad i porerna.

13. l3. Implantat enligt något av kraven l-l2, k ä n n e t e c k n a t av att deponerade ämnen föreligger var för sig eller i kombination fritt eller i en bärare av gel och/eller polymer.

14. l4. Implantat enligt något av kraven l-l3, k ä n n e t e c k n a t av att deponeringen av ämnen är differentierad till olika zoner för styrning av tillväxthastighet och benvävnadskvalitet.