SE444623B - Festanordning for att pa ett kretskort fasthalla ett hallelement i ett magnetfelt - Google Patents
Festanordning for att pa ett kretskort fasthalla ett hallelement i ett magnetfeltInfo
- Publication number
- SE444623B SE444623B SE8402562A SE8402562A SE444623B SE 444623 B SE444623 B SE 444623B SE 8402562 A SE8402562 A SE 8402562A SE 8402562 A SE8402562 A SE 8402562A SE 444623 B SE444623 B SE 444623B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- hall element
- magnetic field
- circuit board
- fastening device
- attaching
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 210000004197 pelvis Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/07—Hall effect devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
- G01R15/202—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using Hall-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/80—Constructional details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Description
10
15
20
25
8402562-6
F IGURF ÖR TECKNING
En föredragen utföringsform av Lppfimingen skall beskrivas nedan i anslutning
till en ritning där figur l visar mätning med Hallelement av magnetfält i en
järnkärna, figur 2 i perspektiv visar ett känt Hallelement, figur 3 visar en
tvärsektion av en fästanordning enligt uppfinningen med ett Hallelement, figur
4 schematiskt visar en magnetisk fältbild för fästanordningen vid mätning i en
järnkärna och figur 5 visar en alternativ utföringsforrn av uppfinningen med en
fästanordning tppbyggd pa en skiva.
FÖREDRAGEN UTFÖRINGSFORM
Figur 1 visar en känd användning av Hallelement för mätning av elektrisk
strömstyrka. En järnkärna 1 är försedd med en spole 2 vilken genomflytes av
strömmen lm som man önskar mäta. En spalt 3 i järnkärnan imehaller ett
Hallelement 4 genom vilket passerar ett magnetfält B, vars styrka beror av
strömmen Im. En känd ström lh tillföras Hallelementet, vars utsignal Vh beror
av denna ström och av magnetfältet 8. Utsignalen Vh ger därigenom ett matt
pa strömmen Im.
Det är ofta ett önskemål att utsignalen Vh är stor i förhållande till den ström
lm som skall mätas. Utsignalen Vh star i omvänd proportion till Hallelementets
tjocklek och ett väsentligt villkor är därför att Hallelementet är tmt. Figur 2
visar ett sadant känt Hallelement 15. En skiva S av halvledarmaterial, exem-
pelvis kisel eller galliumarsenid, har pa sin övre yta 6 elementets aktiva skikt 7.
Detta skikt har anslutningsytor 8 för strömmen ih och anslutningsytor 9 för att
mäta utsignalen Vh. Det aktiva skíktet 7 och uwslutningsytorna 8 och 9 har
astadkommits genom att ett dopningsämne har diffunderats in i grundmaterialet
i skivans yta. Skiktet 7 och arislumingsytorraa, vars tjocklek är endast omkring 1
jam, har lag resistivitet jämfört med grundmaterialet i skivan 5. Amlutnings-
ytorna ligger pà skivans S övne yta 6 för att amlumirugstradar med före-
kommande produktionsmässiga metoder skall kunna fästas vid ytorna.
För att erhålla stor utsignal Vh är det också ett väsentligt villkor att den
10
15
20
25
30
8402562-6
magnetiska fältstyrkan vid Hallelementet är stor. Härvid maste som nämnts
luftgapet vara litet och fältstyrkan kan ocksa paverkas genom att det magne-
tiska fältet koncentreras vid Hallelementet. I figur 3 visas ett utföringsexempel
för en fästanordning enligt uppfinningen vid vilken dessa önskemal uppfylles.
Tva polplattor 11 och 12 av ferromagnetiskt material har var sitt utsprang 13
respektive 14 vilka är belägna mitt för varandra och vars mot varandra vända
ytor är parallella. Mellan utsprangen, vars ytor är väsentligt mindre än
polplattornas ytor, bildas ett luftgap, i vilket det ovan beskrivna Hallelementet
15 är placerat. En ram 10 av dielektriskt material mellan polplattorna, vilken
omger utsprangen, bestämmer avståndet mellan polplattorna och hârigenom
även luftgapets vidd. Polplattorna är med hjälp av lim fästa vid ramen, vilken
är sammansatt av en underdel 10a och en överdel 10b. Hallelementet är vid sin
undre yta fäst vid utspranget lll med hjälp av exempelvis lim och har sin övre
yta 6 pa ett litet avstand fran utspranget 13. Grundmaterialet i skivan 5 utgör
isolerande skikt mellan det aktiva skiktet 7 och utspranget 14. Elektriska
anslutningstradar 16 förbinder anslutningsytorna 8 och 9 med anslutningsytor 17
pa ramens underdel 10a. Dessa är i sin tur elektriskt förbundna med yttre
anslutningsytor 18 pa ramens utsida genom ledare 19. Anslutningsytorria 17 och
18 samt ledarna 19 är genom exempelvis förfarande för tryckt ledningsdragning
anbragda pa ramens underdel 10a innan ramens överdel lll: fästes pa under»
delen.
Luftgapet hos den beskrivna fästanordningen kan vara litet da isolerings-
material kring Hallelementet saknas och avstandet mellan utsprangen 13 och ll:
_endast behöver vara sa stort att skivan S inrymmes däremellan med plats för
anslutningstraderna 16. Den magnetiska fältbilden 'vid Hallelementet visas
schematiskt i figur 4. Polplattorna 11 och 12 anligger med sina utat vända ytor
mot polerna hos järnkärnan 1 och genom att polplattorna har sitt minsta
avstand fran varandra vid utsprangen 13 och 14 koncentreras det magnetiska
fältet B vid dessa.
Ramen enligt utföringsexemplet bestar av tva delar lfla och 10b men kan
givetvis utföras i ett stycke med öppningar för elektriska lechingar till
Hallelementet. Den i exemplet beskrivna fästanordriingeri är som framgår en
kapsel som kan slutas och mycket höga krav pa täthet kan uppfyllas. Ramen 10
är härvid av diffusionstätt material, exempelvis keramik, och polplattorna är
10
8402562-6
fästa vid ramen med exempelvis glasmassa eller lödtenn. l sistnämnda fallet har
ramen metallbeläggning vid polplattorna för att lödtennent skall fästa vid
PHITIBFI.
Figur 5 visar en alternativ utföringsform av uppfinningen där en fästanordning
20 är uppbyggd pa en skiva 21 vilken uppbär elektriska kretsar 22 med skivan
som en del av fästanordningen. Pa skivans undersida är polplattan 12 fäst med
sitt utsprang 14 i ett hal i skivan. Pa skivans översida är en ramdel 24 fäst sa
att den omger detta hal och polplattan 11 är fäst vid ramen med sitt utsprang
13 mitt emot utspranget 14. Hallelementet 15 pa utspranget 14 är genom
anslutníngstradarna 16 och tryckta ledningar 23 pa skivans yta förbundet med
de elektriska kretsarna 22 pa skivan 21.
Claims (3)
- 8402562-6 PATENTKRAV 1 F âstanordníng för att pa ett kretskort fasthálla ett Hallelement í ett magnetfält k ä n n e t e c k n a d därav att kretskortet (21) är försett med ett genomgående hal varvid på kretskortets ena sida är fastsatt en av ferro- magnetlskt material bestående polplatta (12) med ett utspràng (14) som in- skjuter i nämnda hal och pa vars ändyta Hallelementet (15) är anordnat och att en andra polplatta (11) av ferromagnetiskt material är med hjälp av ett avstândsstycke (211) fastsatt vid kretskortets (21) andra sida mittemot hålet för, att fâ ett definierat luftgap mellan den andra polplattan (11) och ut- spranget (14) pa den första polplattan (12).
- 2 F ästanordning enligt patentkray 1, k ä n n e t e ok n a d därav att avstândsstycket (24) är en sluten ram.
- 3 Fästanordning enligt patentkrav 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a d därav att kretskortet (21) och avstandsstycket (214) är av keramiskt material. l: F ästanordníng enligt patentkrav 2 eller 3, k ä n n e t e c k n a d därav att polplattoma (11,12) är fästa vid avstandsstycket (24) respektive kretskortet (21) med diffusionstâtt material.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8402562A SE444623B (sv) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | Festanordning for att pa ett kretskort fasthalla ett hallelement i ett magnetfelt |
DE19853514059 DE3514059A1 (de) | 1984-05-11 | 1985-04-18 | Befestigungsvorrichtung zum halten einer hall-platte in einem magnetfeld |
GB08511532A GB2158642A (en) | 1984-05-11 | 1985-05-07 | Hall plate encapsulations |
FR8507094A FR2564246A1 (fr) | 1984-05-11 | 1985-05-10 | Dispositif de fixation pour maintenir une plaquette de hall dans un champ magnetique |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8402562A SE444623B (sv) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | Festanordning for att pa ett kretskort fasthalla ett hallelement i ett magnetfelt |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8402562D0 SE8402562D0 (sv) | 1984-05-11 |
SE8402562L SE8402562L (sv) | 1985-11-12 |
SE444623B true SE444623B (sv) | 1986-04-21 |
Family
ID=20355846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8402562A SE444623B (sv) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | Festanordning for att pa ett kretskort fasthalla ett hallelement i ett magnetfelt |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3514059A1 (sv) |
FR (1) | FR2564246A1 (sv) |
GB (1) | GB2158642A (sv) |
SE (1) | SE444623B (sv) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3614236A1 (de) * | 1986-04-26 | 1987-10-29 | Vdo Schindling | Anordnung zur beruehrungslosen messung des elektrischen stroms in einem leiter |
CH669852A5 (sv) * | 1986-12-12 | 1989-04-14 | Lem Liaisons Electron Mec | |
DE4442852A1 (de) * | 1994-12-01 | 1996-06-05 | Siemens Ag | Hallsensor mit verringertem Einfluß mechanischer Spannungen auf den Offset |
DE19549181A1 (de) * | 1995-12-30 | 1997-07-03 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zur Messung eines in einem Leiter fließenden Stromes |
DE19828089A1 (de) * | 1998-06-24 | 1999-12-30 | Univ Schiller Jena | Magnetometer |
US6175229B1 (en) * | 1999-03-09 | 2001-01-16 | Eaton Corporation | Electrical current sensing apparatus |
JP2000321309A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-11-24 | Yazaki Corp | 固定型電流検知装置 |
JP6268799B2 (ja) | 2013-08-07 | 2018-01-31 | アイシン精機株式会社 | 電流センサ |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3845445A (en) * | 1973-11-12 | 1974-10-29 | Ibm | Modular hall effect device |
GB2081505A (en) * | 1980-08-05 | 1982-02-17 | Itt Ind Ltd | Hall effect device |
-
1984
- 1984-05-11 SE SE8402562A patent/SE444623B/sv not_active IP Right Cessation
-
1985
- 1985-04-18 DE DE19853514059 patent/DE3514059A1/de not_active Withdrawn
- 1985-05-07 GB GB08511532A patent/GB2158642A/en not_active Withdrawn
- 1985-05-10 FR FR8507094A patent/FR2564246A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2564246A1 (fr) | 1985-11-15 |
SE8402562L (sv) | 1985-11-12 |
DE3514059A1 (de) | 1985-11-14 |
GB2158642A (en) | 1985-11-13 |
SE8402562D0 (sv) | 1984-05-11 |
GB8511532D0 (en) | 1985-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US12210040B2 (en) | Systems and methods for integrated shielding in a current sensor | |
US11394312B2 (en) | Coreless current sensor for high current power module | |
US6545456B1 (en) | Hall effect current sensor package for sensing electrical current in an electrical conductor | |
US5049809A (en) | Sensing device utilizing magneto electric transducers | |
US10811598B2 (en) | Current sensor packages | |
US4385273A (en) | Transducer for measuring a current-generated magnetic field | |
US7977934B2 (en) | High bandwidth open-loop current sensor | |
EP1691204B1 (en) | A surface-mounted integrated current sensor | |
WO2007101916A1 (en) | Device and method for measuring electrical power | |
JPS5991371A (ja) | 電流センサ | |
US10788546B2 (en) | Magnetic sensor with integrated solenoid | |
GB2064140A (en) | Measuring transducers for measuring magnetic fields | |
SE444623B (sv) | Festanordning for att pa ett kretskort fasthalla ett hallelement i ett magnetfelt | |
US11662232B2 (en) | Sensor package and method for producing a sensor package | |
US11085977B2 (en) | Method and apparatus for integrating current sensors in a power semiconductor module | |
US11549969B2 (en) | Low-noise, large dynamic-range sensor for measuring current | |
WO1998020357A1 (en) | Magnetic field sensor | |
US11422167B2 (en) | Integrated current sensor with magnetic flux concentrators | |
JP3206027B2 (ja) | 微小電流センサ | |
JPS6166104A (ja) | 金属薄膜膜厚測定方法 | |
RU2465609C1 (ru) | Бесконтактный измеритель тока | |
JPH02238372A (ja) | 電流検出器 | |
AU2001100615A4 (en) | Terminal arrangement for electricity meter | |
JP2712206B2 (ja) | 電流検出装置 | |
Andrä et al. | Current measurements based on thin-film magnetoresistive sensors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8402562-6 Effective date: 19921204 Format of ref document f/p: F |