RU2536317C1 - Способ изготовления магниторезистивного датчика - Google Patents
Способ изготовления магниторезистивного датчика Download PDFInfo
- Publication number
- RU2536317C1 RU2536317C1 RU2013118368/28A RU2013118368A RU2536317C1 RU 2536317 C1 RU2536317 C1 RU 2536317C1 RU 2013118368/28 A RU2013118368/28 A RU 2013118368/28A RU 2013118368 A RU2013118368 A RU 2013118368A RU 2536317 C1 RU2536317 C1 RU 2536317C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photolithographic etching
- sputtering
- sensor
- vacuum
- formation
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229910017813 Cu—Cr Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005404 magnetometry Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии. Способ изготовления магниторезистивного датчика заключается в формировании на изолирующей подложке моста Уинстона путем вакуумного напыления магниторезистивной структуры с последующим формированием магниторезистивных полосок методом фотолитографического травления и напылении первого проводящего слоя с последующим формированием перемычек, проводников и контактных площадок методом фотолитографического травления, нанесении первого изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении второго проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «set/reset» методом фотолитографического травления, нанесении второго изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении третьего проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «offset» методом фотолитографического травления, нанесении конструктивной защиты с последующим вскрытием контактных площадок первого проводящего слоя,при этом проводящие слои получают путем вакуумного напыления структуры Cr-Cu-Cr, которую травят послойно и селективно, а на контактных площадках, находящихся на первом проводящем слое, дополнительно формируют пленку Al путем его напыления на датчик после нанесения конструктивной защиты с последующим фотолитографическим травлением. Изобретения способа лбеспечивает повышение технических характеристик: повышение удельной чувствительности, уменьшение разбаланса и снижение стоимости датчика. 3 ил.
Description
Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков перемещений, устройств измерения электрического тока и магнитных полей, а именно при изготовлении датчиков угла поворота, устройств с гальванической развязкой, магнитометров, электронных компасов и т.д.
Известен магниторезистивный датчик, описанный в патенте США 5247278, кл. H01L, 43/00 от 11 июля 1989 г. Его формируют методом вакуумного напыления на кремниевую пластину магниторезистивных и проводящих слоев с последующим фотолитографическим травлением рисунка схемы. Для получения магниторезистивных полосок напыляют кобальтсодержащий сплав NiFeCo, а для проводящих дорожек, перемычек между магниторезистивными полосками и контактных площадок напыляют Al+4% Cu. Для изоляции кремниевой пластины и верхнего проводящего слоя наносят SiO2+Si3N4 соответственно.
Недостатком такого способа является невозможность создания надежной изоляции, т.к. пленки оксида и нитрида кремния имеют высокий уровень внутренних напряжений и растрескиваются в процессе изготовления датчика. Особенно это заметно, когда изготавливается более сложная структура датчика с двумя плоскими катушками индуктивности «set/reset» и «offset», где требуется три слоя более толстой изоляции, чем толщина, указанная в этом патенте (~1 мкм).
Этот недостаток учтен в «Способе изготовления магниторезистивного датчика», патент РФ 2463688 C1, кл. H01L 43/12 от 23.06.2011 г., взятый за прототип.
В этом способе в качестве изоляции используется полиимидный лак, который имидизируется при нагреве в вакууме при приложении магнитного поля в плоскости подложки в направлении ОЛН, а в качестве электропроводящего материала используют структуру V-Cu-Ni, вместо Al, т.к. последний травится в травителе для полиимида при формировании переходных отверстий и вскрытии контактных площадок.
Данный способ существенно повысил надежность датчика и выход годных, однако и он не лишен недостатков.
Прежде всего, это относится к точности воспроизведения рисунка шаблона на проводящем слое. Так травление структуры V-Cu-Ni не обеспечивает необходимой точности в силу того, что подтрав может достигать 10 мкм и более. Это приводит к увеличению зазоров при изготовлении полюсов Барбера, что ведет к уменьшению поля смещения, а тем самым к уменьшению чувствительности датчика, а также к увеличению разбаланса моста Уинстона.
Кроме того, напыление верхнего слоя никеля предполагает приварку золотой проволоки к контактным площадкам, что, во-первых, дорого, а во-вторых, нетехнологично, т.к. при высокой теплопроводности кремния требуется приложение большой мощности, что зачастую приводит к перегоранию электрода и не обеспечивает необходимую прочность сварного соединения. Это снижает выход годных, а тем самым увеличивает себестоимость датчика.
Техническим результатом предлагаемого способа является повышение технических характеристик (повышение удельной чувствительности, уменьшение разбаланса), а также снижение его стоимости.
Указанный технический результат достигается тем, что в способе изготовления магниторезистивного датчика, заключающемся в формировании на изолирующей подложке моста Уинстона путем вакуумного напыления магниторезистивной структуры с последующим формированием магниторезистивных полосок методом фотолитографического травления и напылении первого проводящего слоя с последующим формированием перемычек, проводников и контактных площадок методом фотолитографического травления, нанесении первого изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении второго проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «set/reset» методом фотолитографического травления, нанесении второго изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении третьего проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «offset» методом фотолитографического травления, нанесении конструктивной защиты с последующим вскрытием контактных площадок первого проводящего слоя, проводящие слои получают путем вакуумного напыления структуры Cr-Cu-Cr, которую травят послойно и селективно, а на вскрытых контактных площадках, находящихся на первом проводящем слое, формируют пленку Al путем его напыления на датчик с последующим фотолитографическим травлением.
На фиг.1а, 1б и 1в представлена топология датчика:
1а - мост Уинстона, сформированные на первом проводящем слое контактные площадки и проводящие дорожки трех функциональных элементов (моста Уинстона, катушки индуктивности «set/reset» и катушки индуктивности «offset»):
1 - контактная площадка с проводящей дорожкой катушки индуктивности «set/reset»;
2 - контактная площадка с проводящей дорожкой моста Уинстона;
3 - контактная площадка с проводящей дорожкой моста Уинстона;
4 - контактная площадка с проводящей дорожкой моста Уинстона;
5 - контактная площадка с проводящей дорожкой катушки индуктивности «offset»;
6 - контактная площадка с проводящей дорожкой катушки индуктивности «set/reset»;
7 - контактная площадка с проводящей дорожкой моста Уинстона;
8 - контактная площадка с проводящей дорожкой катушки индуктивности «offset».
1б - мост Уинстона и катушка индуктивности «set/reset», сформированная на втором проводящем слое.
1в - мост Уинстона, катушка индуктивности «set/reset» и катушка индуктивности «offset», сформированная на третьем проводящем слое.
На фиг.2 показана топология одного из плеч моста Уинстона:
9 - магниторезистивные полоски с заостренными концами;
10-перемычки;
11 - полюса Барбера.
На фиг.3 приведена структура датчика в разрезе:
12 - подложка;
13 - изоляция из SiO2;
14 - изоляция из Si3N4;
15 - магниторезистивная структура;
16 - первый проводящий слой;
17 - полюса Барбера (Cr-Cu-Cr), сформированные на первом проводящем слое;
18 - первая изоляция из полиимида;
19 - катушка индуктивности «set/reset» (Cr-Cu-Cr), сформированная на втором проводящем слое;
20 - вторая изоляция из полиимида;
21 - катушка индуктивности «offset» (Cr-Cu-Cr), сформированная на третьем проводящем слое;
22 - конструктивная защита;
23 - контактные площадки (Al);
24 - межуровневые соединения.
Пример реализации способа.
Предлагаемый способ был реализован при изготовлении магниторезистивного датчика, имеющего нечетную ВЭХ.
Датчик состоит из моста Уинстона (контактные площадки 2, 3, 4, 7 фиг.1а), катушки индуктивности «set/reset» (контактные площадки 1, 6 фиг.1а) и катушки индуктивности «offset» (контактные площадки 5, 8 фиг.1а).
Мост Уинстона содержит четыре плеча (фиг.2), каждое из которых состоит из магниторезистивных полосок с заостренными концами 9, перемычек 10 и полюсов Барбера 11, позволяющих смещать ВЭХ датчика в линейную область.
Содержание и последовательность технологических операций по изготовлению датчика можно понять из рассмотрения фиг.3.
На кремниевую пластину 12, содержащую изоляцию из SiO2 13 толщиной 0,3 мкм и Si3N4 14 толщиной 0,15 мкм, напыляли магниторезистивную структуру Fe(15%)Ni(65%)Co(20%)-Ta-Fe(15%)Ni(65%)Co(20%) 15 толщиной ~50-60 нм и формировали магниторезистивные полоски 9 (фиг.2) методом фотолитографии и травления в составе:
| Кислота азотная | 100 мл |
| Натрий фтористый | 10 г |
| Калий азотнокислый | 30 г |
| Вода дистиллированная | 20 мл |
Температура травления (18-23)°C, время травления 40-60 с.
Далее наносили первый проводящий слой Cr-Cu-Cr общей толщиной ~0,5 мкм, методом фотолитографии создавали маску и формировали контактные площадки и проводящие дорожки трех функциональных элементов - моста Уинстона 2, 3, 4, 7 (фиг.1а), катушки индуктивности «set/reset» 1, 6 (фиг.1а), катушки индуктивности «offset» 5, 8 (фиг.1a), а также полюса Барбера 17 (фиг.3) и перемычки 10 (фиг.2).
Травление хрома проводили в травителе HCl:H2O=1:1 при температуре (40±5)°C. Этот травитель является селективным по отношению к меди и выступает в качестве металлорезиста при ее травлении в составе:
| Кислота фосфорная | 60 мл |
| Кислота уксусная | 10 мл |
| Кислота азотная | 10 мл |
| Вода дистиллированная | 20 мл |
Температура травления (40±5)°C.
После травления меди снова стравливали хром в соляной кислоте, которая стравливала верхний тонкий слой кобальтсодержащего сплава до тантала, оставляя его только под полюсами Барбера и перемычками. Такое раздельное травление позволило уменьшить подтрав структуры Cr-Cu-Cr и получить полюса Барбера и зазоры между ними необходимого размера (17×17 мкм соответственно).
Далее нанесение лака АД 910318, 20 и его имидизацию в вакууме проводили по прототипу (патент RU 2463688 C1).
На поверхность подложки со сформированным мостом Уинстона наносили первый изоляционный слой лака АД-9103 18 толщиной 2-4 мкм методом центрифугирования.
Далее проводили сушку изоляционного слоя ступенчато: при температуре 60°C в течение 10 мин, при температуре 80°C в течение 10 мин, при температуре 100°C в течение 10 мин, при температуре 120°C в течение 30 мин.
Имидизацию изоляционного слоя в вакуумной установке проводили при температуре 350-380°C в магнитном поле величиной 120-140Э, приложенном в плоскости подложки в том же направлении, что и при напылении магниторезистивной структуры «FeNi(FeNiCo)-Ta-FeNi(FeNiCo)».
Для изготовления катушки индуктивности «set/reset» 19 напыляли второй проводящий слой Cr-Cu-Cr толщиной ~2 мкм и проводили фотолитографическое травление рисунка в соответствии с фиг.16.
Далее повторяли операцию по нанесению лака АД 9103 18 и его имидизации в вакууме по режиму, указанному ранее.
Для изготовления катушки индуктивности «offset» 21 напыляли третий проводящий слой Cr-Cu-Cr толщиной ~2 мкм и проводили фотолитографическое травление рисунка в соответствии с фиг.1в.
В качестве конструктивной защиты наносили лак АД-9103 23, а затем проводили его термообработку на воздухе при температуре 200°C в течение 30 мин. Далее вскрывали лак на контактных площадках 1-8 первого проводящего слоя.
Последними операциями являлись напыление на готовый датчик (со вскрытыми контактными площадками 1-8 первого проводящего слоя) пленки алюминия ~1 мкм и его фотолитографическое травление по рисунку, позволяющему оставить алюминий 23 только на контактных площадках 1-8 первого проводящего слоя.
Межуровневые соединения 24 от катушек индуктивности 19, 21 на проводящие дорожки соответствующих контактных площадок датчика получали, так называемым «каскадным методом», заключающимся в том, что межуровневые соединения 24 формируют путем пропыления переходных окон одновременно с напылением проводящего слоя соответствующего уровня и изготовления рисунка схемы методом фотолитографии, причем межуровневые соединения формируют большего размера, чем размер переходных окон в плане, а в каждом последующем изоляционном слое вытравливают переходные окна большего размера, чем в предыдущем (см. патент №2474004 на изобретение RU 2474004 C1 от 16 августа 2011 г.).
Таким образом, в предлагаемом способе использование известных материалов и приемов изготовления датчика, но при изменении очередности операций и использовании селективных свойств травителей Cr и Cu при изготовлении элементов рисунка из первого, второго и третьего проводящих слоев дало новый положительный эффект, заключающийся в повышении технических характеристик датчика и уменьшении его стоимости.
Так, возможность более точного воспроизведения рисунка шаблона на структуре Cr-Cu-Cr позволило повысить чувствительность датчика с полюсами Барбера с 0,5 мВ/(В×Э) до 0,8-0,9 мВ/(В×Э), уменьшить разбаланс моста Уинстона в среднем с 8-12 мВ до 4-6 мВ, что позволило отказаться от подгоночного сопротивления и тем самым уменьшить размеры датчика и исключить из технологии операцию подгонки моста Уинстона.
Использование Al сверху контактных площадок позволило применить ультразвуковую приварку алюминиевой фольги, при этом прочность сварного соединения увеличилась с 20-22 г для золотой проволоки до 50 г для алюминиевой фольги (определялась динамометрическим методом путем отрыва алюминиевой фольги от алюминиевой КП). Кроме того, в этом случае очевидно удешевление этой операции, а в целом и датчика по сравнению с приваркой золотой проволоки.
Аналогичным образом был изготовлен датчик, мост Уинстона которого содержит наклонные полоски. Выход годных датчиков с разбалансом 4 мВ увеличился на 30% по сравнению с прототипом.
Claims (1)
- Способ изготовления магниторезистивного датчика, заключающийся в формировании на изолирующей подложке моста Уинстона путем вакуумного напыления магниторезистивной структуры с последующим формированием магниторезистивных полосок методом фотолитографического травления и напылении первого проводящего слоя с последующим формированием перемычек, проводников и контактных площадок методом фотолитографического травления, нанесении первого изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении второго проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «set/reset» методом фотолитографического травления, нанесении второго изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении третьего проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «offset» методом фотолитографического травления, нанесении конструктивной защиты с последующим вскрытием контактных площадок первого проводящего слоя, отличающийся тем, что проводящие слои получают путем вакуумного напыления структуры Cr-Cu-Cr, которую травят послойно и селективно, а на вскрытых контактных площадках, находящихся на первом проводящем слое, дополнительно формируют пленку Al путем его напыления на датчик с последующим фотолитографическим травлением.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013118368/28A RU2536317C1 (ru) | 2013-04-19 | 2013-04-19 | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013118368/28A RU2536317C1 (ru) | 2013-04-19 | 2013-04-19 | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013118368A RU2013118368A (ru) | 2014-10-27 |
| RU2536317C1 true RU2536317C1 (ru) | 2014-12-20 |
Family
ID=53286329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013118368/28A RU2536317C1 (ru) | 2013-04-19 | 2013-04-19 | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2536317C1 (ru) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2601360C1 (ru) * | 2015-07-14 | 2016-11-10 | федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ | Магниторезистивный элемент |
| RU2617454C1 (ru) * | 2016-02-17 | 2017-04-25 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
| RU2659877C1 (ru) * | 2017-08-16 | 2018-07-04 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
| RU2767593C1 (ru) * | 2021-07-19 | 2022-03-17 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления магниторезистивных наноструктур |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5247278A (en) * | 1991-11-26 | 1993-09-21 | Honeywell Inc. | Magnetic field sensing device |
| RU2066504C1 (ru) * | 1994-07-20 | 1996-09-10 | Институт проблем управления РАН | Магниторезистивный датчик |
| US6295718B1 (en) * | 1999-08-16 | 2001-10-02 | Headway Technologies, Inc. | Method for fabricating a non-parallel magnetically biased multiple magnetoresistive (MR) layer magnetoresistive (MR) sensor element |
| RU2320051C1 (ru) * | 2006-10-27 | 2008-03-20 | Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" | Способ изготовления магниторезистивных датчиков |
| RU2347302C1 (ru) * | 2007-09-11 | 2009-02-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" | Магниторезистивный датчик |
| RU2463688C1 (ru) * | 2011-06-23 | 2012-10-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
-
2013
- 2013-04-19 RU RU2013118368/28A patent/RU2536317C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5247278A (en) * | 1991-11-26 | 1993-09-21 | Honeywell Inc. | Magnetic field sensing device |
| RU2066504C1 (ru) * | 1994-07-20 | 1996-09-10 | Институт проблем управления РАН | Магниторезистивный датчик |
| US6295718B1 (en) * | 1999-08-16 | 2001-10-02 | Headway Technologies, Inc. | Method for fabricating a non-parallel magnetically biased multiple magnetoresistive (MR) layer magnetoresistive (MR) sensor element |
| RU2320051C1 (ru) * | 2006-10-27 | 2008-03-20 | Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" | Способ изготовления магниторезистивных датчиков |
| RU2347302C1 (ru) * | 2007-09-11 | 2009-02-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" | Магниторезистивный датчик |
| RU2463688C1 (ru) * | 2011-06-23 | 2012-10-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2601360C1 (ru) * | 2015-07-14 | 2016-11-10 | федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ | Магниторезистивный элемент |
| RU2617454C1 (ru) * | 2016-02-17 | 2017-04-25 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
| RU2659877C1 (ru) * | 2017-08-16 | 2018-07-04 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
| RU2767593C1 (ru) * | 2021-07-19 | 2022-03-17 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления магниторезистивных наноструктур |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2013118368A (ru) | 2014-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7078238B2 (en) | Method for manufacturing magnetic sensor | |
| US10066940B2 (en) | Single-chip differential free layer push-pull magnetic field sensor bridge and preparation method | |
| RU2536317C1 (ru) | Способ изготовления магниторезистивного датчика | |
| JP6380521B2 (ja) | 電子装置 | |
| TW200906260A (en) | Circuit board structure and fabrication method thereof | |
| CN103904052A (zh) | 后钝化结构中的电容器及其形成方法 | |
| US8988073B2 (en) | Magnetoresistive sensor | |
| US20130241684A1 (en) | Method for manufacturing common mode filter and common mode filter | |
| KR102343804B1 (ko) | 자기 센서 및 그 제조 방법 | |
| US20160313375A1 (en) | Chip scale current sensor package and method of producing a current sensor package | |
| JPS63293934A (ja) | 半導体素子検査装置 | |
| WO2024022300A1 (zh) | 电阻结构及其制作方法 | |
| CN107424978A (zh) | 一种化合物半导体层间介电导线及其制备方法 | |
| RU2463688C1 (ru) | Способ изготовления магниторезистивного датчика | |
| RU2474004C1 (ru) | Способ изготовления многоуровневых тонкопленочных микросхем | |
| CN105977240A (zh) | 一种单片集成微型变压器 | |
| JP2004186439A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| RU2617454C1 (ru) | Способ изготовления магниторезистивного датчика | |
| RU2659877C1 (ru) | Способ изготовления магниторезистивного датчика | |
| TWI576871B (zh) | 電感結構及其製作方法 | |
| JP2013128053A (ja) | 半導体素子検査方法およびテスト素子 | |
| JP2007019333A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS59182586A (ja) | ジヨセフソン接合素子 | |
| CN105470276A (zh) | 一种高性能磁阻器件及制造工艺 | |
| JPH0766263A (ja) | 多層金属配線の接触抵抗測定方法並びに半導体装置及び半導体ウェハ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20190507 |