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JPS63293934A - 半導体素子検査装置 - Google Patents

半導体素子検査装置

Info

Publication number
JPS63293934A
JPS63293934A JP12818187A JP12818187A JPS63293934A JP S63293934 A JPS63293934 A JP S63293934A JP 12818187 A JP12818187 A JP 12818187A JP 12818187 A JP12818187 A JP 12818187A JP S63293934 A JPS63293934 A JP S63293934A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode pin
movable electrode
pins
coil spring
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12818187A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Akiba
豊 秋庭
Minoru Tanaka
稔 田中
Susumu Kasukabe
進 春日部
Masafumi Okubo
雅史 大久保
Ryuichi Takagi
隆一 高木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP12818187A priority Critical patent/JPS63293934A/ja
Publication of JPS63293934A publication Critical patent/JPS63293934A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高密度多ピン用の半導体素子検figVC係
り、特に半導体素子の電極との接fi信頼性を確保する
のに好適な半導体素子検査装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の装置は、特開昭58−73129号に記載のよう
に、内部に信号配線、電源層を有する多重配線基板から
なるプローブカードを用い、このプローブカードに設け
たタングステンの突起電極により、半導体素子の電極と
電気的9機械的接続を行なっていた。これらの電極間の
接続は、プロー1カードの突起電極から熱を加えてはん
だポールを溶融させて行なりていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は、半導体素子のはんだ浴融によりはんだ
の一部が突起電極に付層する点について配慮されておら
ず、プローブカードの接Mqi租性につい℃問題があっ
た。更に、半導体素子の電極が、はんだボールのないメ
タライズ部のみで形成されている場合についても配慮さ
れておらず、プローブカードの適用範囲が限定されると
いう問題があった。
本発明の目的は、半導体素子の電極形状によらず接続部
の信頼性を確保できる高密度多ピン用の半導体素子検査
装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、プローブカードのヘッド部全スプリングを
有する可動電極ピンで形成し、かつ(高密度多ピン化を
実現するため)上記可動電極ピンを電極ピンとコイルバ
ネの組合せ全基本要素として形成し、これらを支持する
だめの複数個の透孔を有する基板を用いて一体形とする
ことにより、達成される。
〔作用〕
半導体素子のはんだボール電極にコイルバネ全有する可
動電極ピンを接触させることにより、はんだボールを溶
融させる必要がなく、電極ピンへのはんだ付着がなくな
り接続信頼性が向上する。
更に、はんだボールのないメタライズ部のみの電極に対
しても適用可能となり、プローブカードの適用@曲が拡
がる。
一方、プローブカードの先端部に形成される可動電極ピ
ンのピッチは、電極ピンとコイルバネの組合せからなる
基本要素を構造上支持するために必要な個々の5筒状支
持体を全て除去し、複数個の透孔な有する一体形の構造
基板を用いて支持することにより減少させることかでき
る。これにより、晟缶度多ピン化を容易に実現できる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を説明する。
第1図は、半導体ウェーハ1の1チンプ2エリア上に配
置されたはんだボール3に、ヘッド部4゜ピッチ仏犬用
多層厚膜基板5.補強板6.及びピッチ拡大用多層プリ
ント基板7から構成されるプローブカード(4,5,6
,7)をヘッド部4に設けられた可動゛電極ピン9によ
り、電気的9機械的に接触させた部分を示す半導体素子
検査装置の断面構造を示す。プローブカードは、テスタ
鄭(図示せず)との信号の授受を行なう同軸コネクタ1
0、及びピッチ拡大用多層プリント基板7の表面に設け
られた電極パターン(図示せず)と電気的・機械的に接
触させる同軸形スプリングコンタクトピン11を配置し
た支持基板12と、位置決め用基板13を介して電気的
に接続されている。この時、プロー1カードは、支持基
板12を開閉することにより滑脱される。更に、プロー
ブカードのヘッド部4は、補修時等において補強板6を
取りはずして交換される。
第2図は、上記したヘッドs4の断面構造を示す。可動
電極ピン9 (14、15)は、コイルバネ14と上下
に配置した同一形状の電極ピン15−1゜15−2で構
成され、複数個の段差付き透孔16を有する上下2枚の
リジット基板17により一体形構造で支持されている。
この時、上下2枚のリジット基板はピン交換等が可能な
ように端部においてボルト1B、ナツト19により固定
され℃いる。
電気特性については、上記ヘッド部4の可動電極ピン9
を通して、チップ2とピッチ拡大用多層厚膜基板5との
間に高速電気信号の授受が行なゎれる。コイルバネ14
のインダクタンス成分を減少させるためリジッド基板1
70段差付き透孔16の内壁面20をNi 、 Auで
メタライズしである。こつ時リジット基板17の材質は
、微細エツチング加工が容易で、かつ低誘電率のガラス
セラミックである。電極ピン15闇のピッチ21とヘッ
ド部4の厚さ22は、高速電気信号の波形ひずみ等に影
響を与える。そこで一定のピッチ21に対しては、可動
電極ピン9を細形化して内壁面20のギャップ23を太
きくし、かつリジッド基板17の厚さ22で規定される
可動電極ピン9の長さを小さくすることにより、上記し
た波形ひすみ等に与える影響を小さくしている。特に、
可動電極ピン9は、構造上コイルバネ14と電極ピン1
5を支持するための支持体(図示せず)が必要であり、
多ピン化を図る場合、史に各支持体を与えるためのも5
1つの支持体(図示せず)が必要となる。そこで、ヘッ
ド部4では。
上記2種類の支持体を段差付き透孔16を有するリジッ
ド基板17により兼用し、ギャップ23を犬ぎくするこ
とにより高速電気信号を通している。ヘッド部4の厚さ
22は、可動電極ピン9が適正な接触fr重を得、はん
だバンプ3との接触信頼性を確保できる範囲で出来るだ
け小さくされている。
IJ ジット基板17の材質としては、ガラスセラミッ
クス等の絶縁体以外に銅板、アルミ板等の導体を使用す
ることもできる。この場合、可動電極ピン9間の絶縁を
とるため、リジッド基板17に形成された内壁面20の
表面に絶縁皮膜を形成する必要がある。
第3図は、ピッチ拡大用多層厚膜基板5の断面構造を示
す。ピッチ拡大用多層膜基板5は、アルミナ絶嫌層24
の中にタングステン等からなる導体材料で信号配#i2
5.電源廖26が形成され、さら罠上下面には一部の信
号配線25と接続されたグランドパターン27 、28
と、信号部II!A25 、電源層26と接続された電
極パターン29 、30が各々形成されている。上記し
たグランドパターン27 、28 。
を極パターン29 、50上には、Ni 、 Aμのメ
タライズが施され(図示せず)、ピン接触やはんだ接続
に対する侶幀度を向上させてい゛る。特に、上面に形成
された電極パターン29には、ピッチ拡大用多層プリン
ト基板7と電気的接続を行なうためAyろう(又は高融
点はんだ)31を介してリード湘子32が接続される。
この時、下面に形成された電極パターン30間のピッチ
33の長さは、上面に形成されたリード端子32間のピ
ッチ34の長さに拡大(10倍程度)されている。一方
、侶号配脈25は、高速電気信号の授受を行なうため電
源層26.グランドパターン27 、28をレファレン
ス層としてストリップ線路又はマイクロストリップ疎略
となっており、一定の特性インピーダンスを有している
6同様に、ピッチ拡大用多層プリント基板7(g1図に
示す)も、反射雑音等による波形ひずみを生じないよう
にするため、一定の特性インピーダン・スを有している
第4図は、ピッチ拡大用多層厚膜基板5の下面(ヘッド
部4911 )の平面図である。電極パターン30は、
ヘッド部4の電極ピン15−1(第2図に示す)の配置
に合せて中央部に形成される。この電極パターン30の
周辺には、高速電気信号の波形ひずみ等を防止するため
一定のギャップを設けてグランドパターン28が形成さ
れている。グランドパターン28の外周部4辺には、各
種電源層26−1゜26−2 、26−5 (第3図は
、3棟類の場合)に対応する電極パターン55−1 、
35−2 、35−5が形成され、高速電気信号に対し
てグランドパターン28と導通状態となるようにバイパ
スコンデンサ36−1 、36−2 、56−5が接続
されている。
これにより、電源インピーダンス(インダクタンス分)
を減少させて、信号部11M25の高速電気信号に及ぼ
す誘起雑音の影響を小さくしている。
〔発明の効果〕
本発明によれば、はんだボールの溶融が不要で高密度多
ピン化ができる可動を極ピンを形成できるプローブカー
ドのヘッド部を提供できるので、半導体素子のはんだボ
ール電極との接触信頼性を向上できると共に、はんだボ
ールのないメタライズ部のみの電極に対しても適用する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、は、本発明に係る半導体検査i@の断面図、1
1g21Wは、第1図におけるヘッド部を拡大した断面
図、第5図は、第1図のピッチ拡大用多層厚膜基板5を
具体的に示す断面図、第4図は、第5図を下方からみた
ときの平面図である。 1・・・半導体ウェーハ  5・・・はんだボール4・
・・ヘッド部 5・・・ピッチ拡大用多層厚膜基板 14・・・コイルバネ    15・・・電極ピン16
・・・段差付き透孔   17・・・リジット基板山 
 1 図 尤 2L  ■ 4 へ−/口部    +5腎1び7 、q つ、;、V番組   Iら坪匁イす二6jし真 
3 図 1α 駕 42

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体素子の電極に対応する位置に配置される電極
    ピンを有するプローブカードのヘッド部が、上記電極ピ
    ンとコイルバネ、及びこれらの組合せを基本要素とする
    可動電極ピンを支持するための複数個の透孔を有する一
    体形構造の基板とで構成され、上記ヘッド部の電極ピン
    により上記半導体素子の電極と電気的、機械的に接触さ
    せて、検査のための信号の授受を行なえるようにしたこ
    とを特徴とする半導体素子検査装置。 2、コイルバネの長手方向の両端を同一の電極ピンでは
    さみ込む構造を基本要素とし、上記ヘッド部の上面と下
    面の両面に上記電極ピンを配置した構造を特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の半導体素子検査装置。
JP12818187A 1987-05-27 1987-05-27 半導体素子検査装置 Pending JPS63293934A (ja)

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JP12818187A JPS63293934A (ja) 1987-05-27 1987-05-27 半導体素子検査装置

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