RU2306634C1 - Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура - Google Patents
Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура Download PDFInfo
- Publication number
- RU2306634C1 RU2306634C1 RU2006129223/28A RU2006129223A RU2306634C1 RU 2306634 C1 RU2306634 C1 RU 2306634C1 RU 2006129223/28 A RU2006129223/28 A RU 2006129223/28A RU 2006129223 A RU2006129223 A RU 2006129223A RU 2306634 C1 RU2306634 C1 RU 2306634C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- region
- type conductivity
- nitride material
- gan
- layer made
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 58
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 10
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- -1 nitride compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
- H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
- H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/816—Bodies having carrier transport control structures, e.g. highly-doped semiconductor layers or current-blocking structures
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlхInyGa1-(x+y)N (0≤х≤1, 0≤у≤1) с р-n переходом содержит последовательность эпитаксиальных слоев, образующих области n- и р-типа проводимости. В одной из этих областей сформирована активная область, имеющая по меньшей мере одну квантовую яму, а другая область включает токоограничивающий слой. Активная область размещена внутри области, имеющей р-тип проводимости, а токоограничивающий слой размещен в области, имеющей n-тип проводимости. Такая светоизлучающая гетероструктура обеспечивает повышение внешней квантовой эффективности. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, в частности к светодиодам на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы.
Известны светоизлучающие гетероструктуры на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlInGaN с p-n переходом, содержащие последовательность эпитаксиальных слоев, которые образуют область n-типа проводимости и область p-типа проводимости, при этом в области n-типа проводимости сформирована активная область, имеющая одну или несколько квантовых ям, а в области p-типа проводимости расположен широкозонный токоограничивающий слой, выполненный из нитридного материала, имеющего p-тип легирования (см., например, US 6515313, RU 2262155, RU 2277736).
При пропускании тока в прямом направлении дырки из p-эмиттера инжектируются в активную область, где происходит их излучательная рекомбинация с электронами. Обратный процесс инжекции электронов в p-область является паразитным, так как рекомбинация в этой области происходит безызлучательно. Размещенный в p-области токоограничивающий (барьерный, эмиттерный) слой, выполненный из нитридного материала p-типа проводимости с большой шириной запрещенной зоны, препятствует проникновению электронов в p-область, что способствует повышению эффективности инжекции дырок, и, как следствие, повышению внешней квантовой эффективности светоизлучающей гетероструктуры.
Отличительной особенностью рассматриваемых светоизлучающих гетероструктур на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlInGaN является наличие в них встроенных электрических полей сложной конфигурации на границе GaN/AlGaN, образующихся из-за пьезоэффекта и спонтанной поляризации. При этом оказывается, что способность токоограничивающего слоя препятствовать проникновению электронов в p-область значительно подавляется. Для повышения внешней квантовой эффективности указанных структур приходится использовать специальные приемы, направленные на увеличение энергетического барьера для электронов в токоограничивающем слое и/или на повышение концентрации дырок и увеличение эффективности их инжекции, что достигается, в частности, путем подбора состава нитридных соединений.
В качестве ближайшего аналога авторами заявляемого изобретения выбрана полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура, описанная в RU 2262155.
Данная полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlxInyGa1-(x+y)N (0≤х≤1, 0≤y≤1) с p-n переходом содержит последовательность эпитаксиальных слоев, образующих области n- и p-типа проводимости. При этом в направлении эпитаксиального роста гетероструктура последовательно содержит расположенные в области n-типа проводимости n-контактный слой и активный слой с одной квантовой ямой, выполненной из нитридного материала, имеющего n-тип легирования, а также расположенные в области p-типа проводимости широкозонный токоограничивающий (барьерный) слой, выполненный из нитридного материала AlGaN, имеющего p-тип легирования, и p-контактный слой.
Благодаря выбранным составу материала и ширине эпитаксиальных слоев в рассматриваемой гетероструктуре повышается концентрация дырок на границе активного слоя, что способствует увеличению ее внешней квантовой эффективности. Однако в данной гетероструктуре, как и в описанных выше гетероструктурах на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlInGaN, в которых область рекомбинации размещена в n-области, а токоограничивающий слой размещен в p-области, и которые характеризуются наличием сильных встроенных пьезоэлектрических полей, при увеличении плотности тока накачки снижается эффективность инжекции дырок в активную область, а следовательно, падает внешняя квантовая эффективность гетероструктуры.
Задачей изобретения является повышение внешней квантовой эффективности полупроводниковой светоизлучающей гетероструктуры.
Сущность изобретения заключается в том, что в полупроводниковой светоизлучающей гетероструктуре на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlxInyGa1-(x+y)N (0≤x≤1, 0≤у≤1) с p-n переходом, содержащей последовательность эпитаксиальных слоев, образующих области n- и p-типа проводимости, в одной из которых сформирована активная область, имеющая по меньшей мере одну квантовую яму, а другая включает токоограничивающий слой, согласно изобретению активная область размещена внутри области, имеющей p-тип проводимости, а токоограничивающий слой размещен в области, имеющей n-тип проводимости.
В частном случае выполнения изобретения полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура в направлении ее эпитаксиального роста последовательно содержит область n-типа проводимости и область p-типа проводимости, при этом область n-типа проводимости включает последовательно расположенные слой, выполненный из нитридного материала (GaN) n-типа проводимости, служащий для растекания тока, и токоограничивающий слой, выполненный из нитридного материала (AlxGa1-xN) n-типа проводимости, а область p-типа проводимости включает последовательно расположенные тонкий слой, выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости, активную область с квантовыми ямами, образованными слоями, выполненными из нитридного нелегированного материала (InyGa1-yN), и контактный слой, выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости.
В частном случае выполнения изобретения полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура в направлении ее эпитаксиального роста последовательно содержит область p-типа проводимости и область n-типа проводимости, при этом область p-типа проводимости включает последовательно расположенные слой, выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости, активную область с квантовыми ямами, образованную слоями, выполненными из нитридного нелегированного материала (InyGa1-yN), и тонкий слой, выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости, а область n-типа проводимости включает последовательно расположенные токоограничивающий слой, выполненный из нитридного материала (AlxGa1-xN) n-типа проводимости, и контактный слой, выполненный из нитридного материала (GaN) n-типа проводимости, причем расположенный перед активной областью слой, выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости, имеет в нижней своей части область с высокой степенью p+ легирования, а гетероструктура дополнительно содержит расположенный перед указанной областью с высокой степенью p+ легирования слой, выполненный из нитридного материала (GaN) с высокой степенью n+ легирования, служащий для растекания тока и образующий с областью с высокой степенью p+ легирования обратно-смещенный туннельный p-n переход.
Принципиальным отличием заявленной (инверсной) полупроводниковой светоизлучающей гетероструктуры является смещение в ней активной области в p-область с тем, чтобы интенсивность рекомбинации носителей в активной области определялась не инжекцией дырок, а инжекцией электронов. При этом широкозонный токоограничивающий слой препятствует проникновению дырок в n-область. Как показали проведенные авторами расчетные и экспериментальные исследования, в такой инверсной гетероструктуре на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlInGaN высота потенциального барьера для дырок, создаваемого токоограничивающим слоем, оказывается достаточно большой даже с учетом встроенных электрических полей, а доля дырок, проникающих в n-область и тем самым снижающих эффективность инжекции электронов, является незначительной. Таким образом, техническим результатом заявляемого изобретения является создание энергетического барьера для дырок, что в совокупности с эффективной инжекцией электронов способствует повышению концентрации носителей в активной области. Соответственно, повышается внешняя квантовая эффективность заявляемой гетероструктуры, при этом ее зависимость от тока накачки не испытывает падения при большой плотности тока.
Возможен частный случай выполнения заявляемой полупроводниковой светоизлучающей гетероструктуры с одним p-n переходом, которая в направлении своего эпитаксиального роста последовательно содержит сначала область n-типа проводимости, а затем область p-типа проводимости. При этом в области n-типа проводимости гетероструктура последовательно содержит слой, выполненный из нитридного материала (GaN) n-типа проводимости, служащий для растекания тока, и токоограничивающий слой, выполненный из нитридного материала (AlxGa1-xN) n-типа проводимости. В области p-типа проводимости гетероструктура последовательно содержит тонкий слой, выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости, активную область с квантовыми ямами, образованными слоями, выполненными из нитридного нелегированного материала (InyGa1-yN), и контактный слой, выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости.
В данной гетероструктуре, поскольку она содержит активную область с несколькими квантовыми ямами, основная доля излучательной рекомбинации электронов, инжектируемых из n-области в p-область, с дырками приходится на нижнюю (первую в направлении эпитаксиального роста гетероструктуры) яму. Между тем, в многоямной активной области нижняя яма имеет наихудшее из всех прочих технологическое качество материала, а верхняя яма - наилучшее.
Для того чтобы основная часть излучательной рекомбинации электронов с дырками в многоямной активной области приходилась на верхнюю яму, обладающую наилучшим технологическим качеством материала, целесообразным является выполнение заявляемой полупроводниковой светоизлучающей гетероструктуры с двумя p-n переходами.
Такая гетероструктура содержит образующие в направлении ее эпитаксиального роста верхний p-n переход области p- и n-типа проводимости. При этом область p-типа проводимости включает последовательно расположенные слой, выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости, активную область с квантовыми ямами, образованными слоями, выполненными из нитридного нелегированного материала (InyGa1-yN), и тонкий слой, выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости, а область n-типа проводимости включает последовательно расположенные токоограничивающий слой, выполненный из нитридного материала (AlxGa1-xN) n-типа проводимости, и контактный слой, выполненный из нитридного материала (GaN) n-типа проводимости. Расположенный перед активной областью слой, выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости, имеет в нижней своей части область с высокой степенью p+ легирования. При этом гетероструктура дополнительно содержит расположенный перед указанной областью с высокой степенью p+ легирования слой, выполненный из нитридного материала (GaN) с высокой степенью n+ легирования, служащий для растекания тока и образующий с областью с высокой степенью p+ легирования обратно-смещенный туннельный p-n переход.
На фиг.1 представлена схема заявляемой гетероструктуры с одним p-n переходом; на фиг.2 представлена схема заявляемой гетероструктуры с двумя p-n переходами.
Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура, представленная на фиг.1, последовательно в направлении ее эпитаксиального роста включает:
толстый (3-4 мкм) слой 1, выполненный из нитридного материала (GaN) n-типа проводимости, служащий для растекания тока;
широкозонный токоограничивающий слой 2, выполненный из нитридного материала (AlxGa1-xN) n-типа проводимости;
тонкий (0,01-0,03 мкм) слой 3, выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости;
активную область 4 с пятью квантовыми ямами, образованными слоями, выполненными из нитридного нелегированного материала (InyGa1-yN);
слой 5 (толщиной 0,1-0,3 мкм), выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости (контактный).
В данной гетероструктуре слои 1 и 2 образуют область n-типа проводимости, слой 3, область 4 и слой 5 образуют область p-типа проводимости.
Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура, представленная на фиг.2, последовательно в направлении ее эпитаксиального роста включает:
толстый (3-4 мкм) слой 6, выполненный из нитридного материала (GaN) n-типа проводимости, служащий для растекания тока и имеющий область с высокой степенью n + легирования;
слой 7 (толщиной 0,05-0,1 мкм), выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости, в нижней части которого сформирована область с высокой степенью p + легирования;
активную область 4 с пятью квантовыми ямами, образованными слоями, выполненными из нитридного нелегированного материала (InyGa1-yN);
тонкий (0,01-0,03 мкм) слой 3, выполненный из нитридного материала (GaN) p-типа проводимости;
широкозонный токоограничивающий слой 2, выполненный из нитридного материала (AlxGa1-xN) n-типа проводимости;
слой 1, выполненный из нитридного материала (GaN) n-типа проводимости (контактный).
Верхние стрелки на фиг.1 и 2 обозначают инжекцию электронов в активную область, нижние стрелки обозначают инжекцию дырок в активную область. Стрелка, расположенная под фиг.1 и фиг.2, обозначает направление эпитаксиального роста гетероструктуры.
Заявляемая гетероструктура, частные случаи выполнения которой представлены на фиг.1 и 2, может быть получена методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на изолирующей подложке, в частности, выполненной из сапфира.
Полупроводниковая светоизлучающая структура работает следующим образом.
При пропускании тока в прямом направлении электроны из области n-типа проводимости инжектируются в активную область 4, расположенную внутри области p-типа проводимости. В указанную активную область 4 также поступают дырки из области p-типа проводимости. При этом токоограничивающий слой 2, расположенный в области n-типа проводимости, препятствует проникновению дырок из p-области в n-область проводимости. Движущиеся навстречу друг другу электронно-дырочные носители рекомбинируют в активной области 4, передавая свою энергию квантам света.
Рекомбинация носителей происходит в квантовых ямах активной области 4, материал которых имеет ширину запрещенной зоны, меньшую, чем остальной материал активной области 4.
В гетероструктуре, представленной на фиг.1, основная доля излучательной рекомбинации носителей приходится на нижнюю в направлении ее эпитаксиального роста (ближнюю к подложке, на которой выращивается гетероструктура) яму, которая имеет наихудшее технологическое качество материала.
В гетероструктуре с двумя p-n-переходами, представленной на фиг.2, излучательная рекомбинация осуществляется в активной области 4 верхнего p-n-перехода, причем основная доля рекомбинации носителей происходит в верхней в направлении эпитаксиального роста гетероструктуры яме, которая, как правило, имеет наилучшее технологическое качество материала. Благодаря указанному фактору данная гетероструктура обладает лучшими светоизлучательными характеристиками. При этом, поскольку в рабочем режиме гетероструктуры нижний p-n переход оказывается обратно-смещенным, он должен быть туннельно-прозрачным, для чего он образован сильно-легированными n+ и p+ областями, расположенными в нижней части гетероструктуры соответственно в слоях 6 и 7.
Claims (3)
1. Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlхInyGa1-(x+y)N (0≤х≤1, 0≤у≤1) с р-n переходом, содержащая последовательность эпитаксиальных слоев, образующих области n- и р-типа проводимости, в одной из которых сформирована активная область, имеющая по меньшей мере одну квантовую яму, а другая включает токоограничивающий слой, отличающаяся тем, что активная область размещена внутри области, имеющей р-тип проводимости, а токоограничивающий слой размещен в области, имеющей n-тип проводимости.
2. Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура по п.1, отличающаяся тем, что в направлении ее эпитаксиального роста она последовательно содержит область n-типа проводимости и область р-типа проводимости, при этом область n-типа проводимости включает последовательно расположенные слой, выполненный из нитридного материала (GaN) n-типа проводимости, служащий для растекания тока, и токоограничивающий слой, выполненный из нитридного материала (AlхInyGa1-xN) n-типа проводимости, а область р-типа проводимости включает последовательно расположенные тонкий слой, выполненный из нитридного материала (GaN) р-типа проводимости, активную область с квантовыми ямами, образованными слоями, выполненными из нитридного нелегированного материала (InyGa1-yN), и контактный слой, выполненный из нитридного материала (GaN) р-типа проводимости.
3. Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура по п.1, отличающаяся тем, что в направлении ее эпитаксиального роста она последовательно содержит область р-типа проводимости и область n-типа проводимости, при этом область р-типа проводимости включает последовательно расположенные слой, выполненный из нитридного материала (GaN) р-типа проводимости, активную область с квантовыми ямами, образованными слоями, выполненными из нитридного нелегированного материала (InyGa1-yN), и тонкий слой, выполненный из нитридного материала (GaN) р-типа проводимости, а область n-типа проводимости включает последовательно расположенные токоограничивающий слой, выполненный из нитридного материала (InyGa1-xN) n-типа проводимости, и контактный слой, выполненный из нитридного материала (GaN) n-типа проводимости, причем расположенный перед активной областью слой, выполненный из нитридного материала (GaN) р-типа проводимости, имеет в нижней своей части область с высокой степенью р + легирования, а гетероструктура дополнительно содержит расположенный перед указанной областью с высокой степенью р + легирования слой, выполненный из нитридного материала (GaN) с высокой степенью n + легирования, служащий для растекания тока и образующий с областью с высокой степенью р + легирования обратно-смещенный туннельный р-n переход.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006129223/28A RU2306634C1 (ru) | 2006-08-08 | 2006-08-08 | Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура |
| PCT/RU2007/000441 WO2008018817A1 (en) | 2006-08-08 | 2007-08-01 | Semiconductor light-emitting heterostructure |
| EP07834967.7A EP2071638A4 (de) | 2006-08-08 | 2007-08-01 | Lichtemittierende halbleiter-heterostruktur |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006129223/28A RU2306634C1 (ru) | 2006-08-08 | 2006-08-08 | Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2306634C1 true RU2306634C1 (ru) | 2007-09-20 |
Family
ID=38695423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006129223/28A RU2306634C1 (ru) | 2006-08-08 | 2006-08-08 | Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2071638A4 (ru) |
| RU (1) | RU2306634C1 (ru) |
| WO (1) | WO2008018817A1 (ru) |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1653524A1 (en) * | 1995-11-06 | 2006-05-03 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| SG63757A1 (en) * | 1997-03-12 | 1999-03-30 | Hewlett Packard Co | Adding impurities to improve the efficiency of allngan quantum well led's |
| US6515313B1 (en) | 1999-12-02 | 2003-02-04 | Cree Lighting Company | High efficiency light emitters with reduced polarization-induced charges |
| KR101002271B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2010-12-20 | 나이트라이드 세마이컨덕터스 코포레이션, 리미티드 | 질화갈륨계 화합물 반도체장치 |
| US6835957B2 (en) * | 2002-07-30 | 2004-12-28 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light emitting device with p-type active layer |
| US6822991B2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-11-23 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting devices including tunnel junctions |
| RU2262155C1 (ru) | 2004-09-14 | 2005-10-10 | Закрытое акционерное общество "Нитридные источники света" | Полупроводниковый элемент, излучающий свет в ультрафиолетовом диапазоне |
| US20060076574A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-13 | Liang-Wen Wu | Gallium-nitride based light-emitting diodes structure with high reverse withstanding voltage and anti-ESD capability |
| RU2277736C1 (ru) | 2005-02-02 | 2006-06-10 | Закрытое акционерное общество "Нитридные источники света" | Полупроводниковый элемент, излучающий свет в синей области видимого спектра |
-
2006
- 2006-08-08 RU RU2006129223/28A patent/RU2306634C1/ru not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-08-01 EP EP07834967.7A patent/EP2071638A4/de not_active Withdrawn
- 2007-08-01 WO PCT/RU2007/000441 patent/WO2008018817A1/ru active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2008018817A1 (en) | 2008-02-14 |
| EP2071638A1 (de) | 2009-06-17 |
| EP2071638A4 (de) | 2014-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5940069B2 (ja) | 発光するナノワイヤー系光電子デバイス | |
| US8330174B2 (en) | LED having current spreading layer | |
| US7737451B2 (en) | High efficiency LED with tunnel junction layer | |
| US6526082B1 (en) | P-contact for GaN-based semiconductors utilizing a reverse-biased tunnel junction | |
| US9257599B2 (en) | Semiconductor light emitting device including hole injection layer | |
| KR101488846B1 (ko) | 다중 양자 우물 구조를 포함한 광전 반도체칩 | |
| US10153393B2 (en) | Light emitting diode of which an active area comprises layers of inn | |
| US9362445B2 (en) | Light-emitting device | |
| KR100542720B1 (ko) | GaN계 접합 구조 | |
| EP2919282B1 (en) | Nitride semiconductor stacked body and semiconductor light emitting device comprising the same | |
| WO2018205733A1 (zh) | 发光二极管 | |
| KR100604406B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
| KR20130096991A (ko) | 자외선 발광소자 | |
| KR20090002199A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| Liu et al. | Efficiency enhancement of InGaN LEDs with an n-type AlGaN/GaN/InGaN current spreading layer | |
| CN103782399B (zh) | 氮化物半导体发光元件 | |
| US20130228740A1 (en) | Light-emitting diode device | |
| RU2306634C1 (ru) | Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура | |
| KR100638729B1 (ko) | ３족 질화물 발광 소자 | |
| Su et al. | Nitride-based LEDs with n/sup-/-GaN current spreading layers | |
| KR101392218B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
| CN109671825B (zh) | 一种极性半导体发光二极管 | |
| KR100687527B1 (ko) | 발광다이오드 및 그 형성 방법 | |
| RU2370857C1 (ru) | Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура | |
| KR101772815B1 (ko) | 고효율 Ga-polar 수직 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20080809 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180809 |