RU2008130820A - Способ роста кристаллов нитрида галлия, подложки из кристаллов нитрида галлия, способ получения эпитаксиальных пластин и эпитаксиальные пластины - Google Patents
Способ роста кристаллов нитрида галлия, подложки из кристаллов нитрида галлия, способ получения эпитаксиальных пластин и эпитаксиальные пластины Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008130820A RU2008130820A RU2008130820/15A RU2008130820A RU2008130820A RU 2008130820 A RU2008130820 A RU 2008130820A RU 2008130820/15 A RU2008130820/15 A RU 2008130820/15A RU 2008130820 A RU2008130820 A RU 2008130820A RU 2008130820 A RU2008130820 A RU 2008130820A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gallium nitride
- substrate
- crystal
- growing
- sublayer
- Prior art date
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract 26
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims abstract 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
1. Способ роста кристаллов нитрида галлия, в котором используют газ-носитель, предшественник нитрида галлия и газ, содержащий кремний в виде легирующей примеси, кристалл нитрида галлия выращивают на подслое методом газофазной эпитаксии из гидридов, отличающийся тем, что температура точки росы газа-носителя в процессе роста кристалла нитрида галлия -60°С или ниже. ! 2. Способ роста кристаллов нитрида галлия по п.1, в котором парциальное давление газа-носителя в процессе роста кристаллов нитрида галлия составляет от 0,56 до 0,92 атм включительно. ! 3. Подложка из кристаллов нитрида галлия, полученная способом роста кристаллов нитрида галлия по п.1 или 2, включающая ! слой, расположенный под подложкой (подслой); ! кристалл нитрида галлия, сформированный на подслое. ! 4. Способ получения эпитаксиальной пластины, включающий ! этап роста кристалла нитрида галлия на подслое способом роста кристалла нитрида галлия по пп.1-2; ! этап удаления, по крайней мере, подслоя для формирования подложки, состоящей из кристалла нитрида галлия; ! этап формирования эпитаксиально растущего слоя на подложке и ! этап обработки поверхности подложки на стороне, противоположной той, на поверхности которой формируется эпитаксиально растущий слой, для уменьшения толщины. ! 5. Эпитаксиальная пластина, полученная способом получения эпитаксиальных пластин по п.4, включающая ! подложку и ! эпитаксиально растущий слой, формируемый на подложке.
Claims (5)
1. Способ роста кристаллов нитрида галлия, в котором используют газ-носитель, предшественник нитрида галлия и газ, содержащий кремний в виде легирующей примеси, кристалл нитрида галлия выращивают на подслое методом газофазной эпитаксии из гидридов, отличающийся тем, что температура точки росы газа-носителя в процессе роста кристалла нитрида галлия -60°С или ниже.
2. Способ роста кристаллов нитрида галлия по п.1, в котором парциальное давление газа-носителя в процессе роста кристаллов нитрида галлия составляет от 0,56 до 0,92 атм включительно.
3. Подложка из кристаллов нитрида галлия, полученная способом роста кристаллов нитрида галлия по п.1 или 2, включающая
слой, расположенный под подложкой (подслой);
кристалл нитрида галлия, сформированный на подслое.
4. Способ получения эпитаксиальной пластины, включающий
этап роста кристалла нитрида галлия на подслое способом роста кристалла нитрида галлия по пп.1-2;
этап удаления, по крайней мере, подслоя для формирования подложки, состоящей из кристалла нитрида галлия;
этап формирования эпитаксиально растущего слоя на подложке и
этап обработки поверхности подложки на стороне, противоположной той, на поверхности которой формируется эпитаксиально растущий слой, для уменьшения толщины.
5. Эпитаксиальная пластина, полученная способом получения эпитаксиальных пластин по п.4, включающая
подложку и
эпитаксиально растущий слой, формируемый на подложке.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007196318A JP4714192B2 (ja) | 2007-07-27 | 2007-07-27 | 窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハの製造方法およびエピウエハ |
| JP2007-196318 | 2007-07-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008130820A true RU2008130820A (ru) | 2010-01-27 |
Family
ID=40030329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008130820/15A RU2008130820A (ru) | 2007-07-27 | 2008-07-25 | Способ роста кристаллов нитрида галлия, подложки из кристаллов нитрида галлия, способ получения эпитаксиальных пластин и эпитаксиальные пластины |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8409350B2 (ru) |
| EP (1) | EP2025779A2 (ru) |
| JP (1) | JP4714192B2 (ru) |
| KR (1) | KR20090012091A (ru) |
| CN (1) | CN101353819A (ru) |
| RU (1) | RU2008130820A (ru) |
| TW (1) | TW200908098A (ru) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9064706B2 (en) | 2006-11-17 | 2015-06-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Composite of III-nitride crystal on laterally stacked substrates |
| JP5332168B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2013-11-06 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法 |
| CN101689523B (zh) * | 2007-07-17 | 2012-02-22 | 住友电气工业株式会社 | 电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、ⅲ族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底 |
| JP5045955B2 (ja) * | 2009-04-13 | 2012-10-10 | 日立電線株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体自立基板 |
| JP2011213557A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Hitachi Cable Ltd | 導電性ｉｉｉ族窒化物単結晶基板の製造方法 |
| CN103132140A (zh) * | 2011-11-23 | 2013-06-05 | 甘志银 | 氢化物气相外延装置 |
| CN102560676B (zh) * | 2012-01-18 | 2014-08-06 | 山东大学 | 一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法 |
| KR101946010B1 (ko) | 2012-10-23 | 2019-02-08 | 삼성전자주식회사 | 대면적 갈륨 나이트라이드 기판을 포함하는 구조체 및 그 제조방법 |
| US9987391B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-06-05 | St. Jude Medical Coordination Center Bvba | Injectable hydrogels |
| CN103196850A (zh) * | 2013-04-03 | 2013-07-10 | 中国兵器工业集团第五三研究所 | 铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法 |
| CN107815730A (zh) * | 2016-09-14 | 2018-03-20 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 掺杂气体缓冲装置、掺杂气体供给装置及方法 |
| CN113692459B (zh) * | 2019-03-29 | 2024-07-09 | 三菱化学株式会社 | GaN基板晶片和GaN基板晶片的制造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3279226B2 (ja) | 1997-08-08 | 2002-04-30 | 昭和電工株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| JP3525061B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2004-05-10 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP2001313259A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び半導体素子 |
| US6773504B2 (en) * | 2001-04-12 | 2004-08-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Oxygen doping method to gallium nitride single crystal substrate and oxygen-doped N-type gallium nitride freestanding single crystal substrate |
| US6734530B2 (en) * | 2001-06-06 | 2004-05-11 | Matsushita Electric Industries Co., Ltd. | GaN-based compound semiconductor EPI-wafer and semiconductor element using the same |
| JP3864870B2 (ja) * | 2001-09-19 | 2007-01-10 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法 |
| JP2004006568A (ja) | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体の製造方法 |
| US7098487B2 (en) * | 2002-12-27 | 2006-08-29 | General Electric Company | Gallium nitride crystal and method of making same |
| JP2004296640A (ja) | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Furukawa Co Ltd | ＧａＮ系半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体基板の製造方法、半導体装置の製造方法 |
| JP2005101475A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Hitachi Cable Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法 |
| US7045808B2 (en) * | 2003-12-26 | 2006-05-16 | Hitachi Cable, Ltd. | III-V nitride semiconductor substrate and its production lot, and III-V nitride semiconductor device and its production method |
| JP2005251961A (ja) | 2004-03-04 | 2005-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物単結晶ウエハおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2005298269A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイス |
| JP4691911B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2011-06-01 | 日立電線株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体自立基板の製造方法 |
| JP2007019052A (ja) | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sharp Corp | 窒化物半導体製造装置および窒化物半導体素子 |
| EP2003230A2 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN substrate, substrate with an epitaxial layer, semiconductor device, and GaN substrate manufacturing method |
-
2007
- 2007-07-27 JP JP2007196318A patent/JP4714192B2/ja active Active
-
2008
- 2008-07-09 TW TW097125945A patent/TW200908098A/zh unknown
- 2008-07-17 EP EP08012967A patent/EP2025779A2/en not_active Withdrawn
- 2008-07-18 KR KR1020080070111A patent/KR20090012091A/ko not_active Withdrawn
- 2008-07-25 US US12/179,587 patent/US8409350B2/en active Active
- 2008-07-25 RU RU2008130820/15A patent/RU2008130820A/ru not_active Application Discontinuation
- 2008-07-28 CN CNA2008101311040A patent/CN101353819A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090012091A (ko) | 2009-02-02 |
| US20090026417A1 (en) | 2009-01-29 |
| CN101353819A (zh) | 2009-01-28 |
| EP2025779A2 (en) | 2009-02-18 |
| JP4714192B2 (ja) | 2011-06-29 |
| US8409350B2 (en) | 2013-04-02 |
| JP2009032963A (ja) | 2009-02-12 |
| TW200908098A (en) | 2009-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008130820A (ru) | Способ роста кристаллов нитрида галлия, подложки из кристаллов нитрида галлия, способ получения эпитаксиальных пластин и эпитаксиальные пластины | |
| CN113235047B (zh) | 一种AlN薄膜的制备方法 | |
| JP2023525597A (ja) | 窒化物エピタキシャルウェーハ、その製造方法、および半導体デバイス | |
| CN110541157A (zh) | 一种Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法 | |
| KR101204029B1 (ko) | 질화갈륨 단결정 후막의 제조방법 | |
| EP2037013B1 (en) | Method for preparing substrate for growing gallium nitride and method for preparing gallium nitride substrate | |
| KR100728533B1 (ko) | 질화갈륨 단결정 후막 및 이의 제조방법 | |
| US10014436B2 (en) | Method for manufacturing a light emitting element | |
| CA2581856A1 (en) | Low micropipe 100 mm silicon carbide wafer | |
| RU2008145801A (ru) | Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii руппы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii руппы | |
| CN106544643B (zh) | 一种氮化物薄膜的制备方法 | |
| CN101661876B (zh) | 一种制备氮化物自支撑衬底的方法 | |
| WO2013078136A4 (en) | Semiconductor substrate and method of forming | |
| CN207116374U (zh) | 一种氮化镓薄膜和石墨烯薄膜 | |
| TW202323576A (zh) | 異質磊晶晶圓的製造方法 | |
| CN112242459A (zh) | 一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法 | |
| JPWO2023079880A5 (ru) | ||
| CN100564617C (zh) | 原位腐蚀降低HVPE GaN薄膜位错密度的方法 | |
| TWI379021B (en) | Method for forming group-iii nitride semiconductor epilayer on silicon substrate | |
| CN103741221A (zh) | 利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法 | |
| EP2668662B1 (en) | Semiconductor device and method for growing semiconductor crystal | |
| CN103943467A (zh) | 利用应力梯度分离氮化物自支撑衬底的方法 | |
| JP2017214232A (ja) | 窒化物化合物半導体基板の製造方法 | |
| CN113089091A (zh) | 氮化硼模板及其制备方法 | |
| CN111435694A (zh) | GaN外延片及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20110819 |