NL7906996A - Werkwijze voor het reinigen van een reaktor. - Google Patents

Description

* PHN 9578 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te EINDHOVEN.

"Werkwijze voor het reinigen van een reaktor”.

De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het reinigen van een reaktor nadat daarin vanuit een gasfase tenminste één laag op substraten is aangebracht en de substraten uit de reaktor zijn verwijderd.

5 Werkwijzen voor het aanbrengen van lagen worden algemeen, bijvoorbeeld in de halfgeleidertechnologie, toegepast ter verkrijging van bijvoorbeeld isolerende, maskerende of passiverende lagen, bestaande uit bijvoorbeeld si-liciumnitride of siliciumdioxyde.

10 Dergelijke lagen kunnen in metalen of kwartsreak- toren vanuit een gasfase worden afgezet bijvoorbeeld onder verlaagde druk en eventueel onder toepassing van een gasplasma.

Het is daarbij in de praktijk moeilijk te ver-15 mijden dat het materiaal, waaruit de lagen zijn opgebouwd, zich ook op de reaktorwand afzet en, hetzij bij het verwijderen van de substraten uit de reaktor hetzij bij het inbrengen van een nieuwe charge substraten in de reaktor, van de reaktorwand op de substraten valt hetgeen aanleiding 20 geeft tot onreproduceerbare en andere ongewenste resultaten.

Een methode voor het reinigen van reaktoren bestaat in het spoelen van de reaktor met een oplossing die de afzetting verwijdert. Een dergelijke behandeling is tijdrovend en vereist veelal demontage van de reaktor.

25 Ook is getracht de reaktor te reinigen in een plasma met behulp van tetrafluormethaan. Ook dit proces vergt veel tijd en levert niet altijd een schone reaktor op.

Met de uitvinding wordt onder meer beoogd de genoemde ongewenste resultaten en tijdrovende reinigings-30 methoden althans in belangrijke mate te vermijden.

De uitvinding berust onder meer op het inzicht dat onder bepaalde voorwaarden reiniging van reaktoren vanuit een gasfase toch bijzonder goede resultaten kan geven.

7906996 PHN 9578 2

Volgens de uitvinding wordt de in de aankef* vermelde werkwijze derhalve daardoor gekenmerkt, dat het reinigen met een droge fluorwaterstof bevattende gasfase wordt uitgevoerd.

5 Het blijkt dat met de werkwijze volgens de uit vinding reaktoren snel en volledig gereinigd kunnen worden. Verdere voordelen van droge fluorwaterstof zijn dat het niet corrosief is en vluchtige reaktieprodukten levert.

Het is voor de werkwijze volgens de uitvinding 50 geen bezwaar indien het bij de reiniging te verwijderen materiaal tevoren is afgezet bij-aanwezigheid van een plasma.

Bij voorkeur wordt voor het reinigen de druk in de reaktor verlaagd en wordt vervolgens de droge fluorwater-55 stof in de reaktor gebracht. Deze uitvoering van de werkwijze volgens de uitvinding blijkt in de praktijk bijzonder handig te zijn.

Afhankelijk bijvoorbeeld van de dikte van de op de reaktorwand afgezette laag wordt het verlagen van de 2Q druk en het toevoeren van droge fluorwaterstof herhaald totdat de reaktorwand schoon is.

Bij voorkeur wordt het reinigingsproces begeleid door meting van de druk in de reaktor. Aan het konstant worden van de druk in het verloop van het reinigingsproces 25 kan worden vastgesteld dat 5f de gasfase is uitgeput wat betreft droge fluorwaterstof of het reinigingsproces is beëindigd.

Bijzonder goede resultaten worden verkregen wanneer siliciumnitride of siliciumdioxide bevattende lagen, 30 bijvoorbeeld in een plasma gedeponeerd, moeten worden verwijderd. Daarbij bedraagt de temperatuur van de wand van de reaktor minstens 160°.

De uitvinding zal nu worden toegelicht aan de hand van een voorbeeld.

35 Een ronde, vlakke reaktor van aluminium of roest vrij staal met een diameter van circa 0,75 m en een hoogte van circa 0,10 m wordt gebruikt voor het aanbrengen met behulp van een plasma vanuit een gasfase van een laag, bij- 7906996 PHN 9578 3 voorbeeld van sillciumnitride, op een aantal substraten voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen,

De betreffende gasfase wordt door de reaktor over naast elkaar liggende substraten gevoerd. Bij het op 5 een gebruikelijke wijze aanbrengen van een 1yum dikke si-liciumnitridelaag uit bijvoorbeeld silaan en ammoniak bij 300°C op de substraten wordt tevens een lyum dikke sili-ciumnitridelaag op de wand van de reaktor afgezet.

Volgens de uitvinding wordt na het verwijderen 10 van de substraten uit de reaktor de laag van de reaktor- wand verwijderd met behulp van een droge fluorwaterstof bevattende gasfase.

Hiertoe laat men voor het reinigen de druk in de reaktor dalen tot circa 1500 Pa en wordt vervolgens droge 15 fluorwaterstof aan de reaktor toegevoerd tot ca. 2500 Pa is bereikt.

Bij een reaktorwandtemperatuur van 200-300°C, verkregen met behulp van een in de reaktor ingebouwde weer-standsoven, wordt in circa 3 minuten een schone reaktor-20 wand verkregen.

Het beëindigen van het etsproces wordt gevolgd door drukmeting, deze wordt konstant bij circa 1500 Pa.

In dit geval behoeft slechts één maal droge fluorwaterstof aan de reaktor te worden toegevoerd.

25 Bij andere lagen dan sillciumnitride bijvoorbeeld zulke die siliciumdioxide of meerdere stoffen bevatten, worden overeenkomstige resultaten verkregen.

De uitvinding is niet beperkt tot het gegeven voorbeeld. Binnen het raam van de uitvinding staan de vak-30 man vele variaties ten dienste.

Zo kan bijvoorbeeld in plaats van een metalen reaktor een kwartsreaktor worden toegepast.

Behalve halfgeleiderinrichtingen kunnen andere inrichtingen, zoals geïntegreerde magneetkoppen voor het 35 inschrijven en uitlezen van informatie worden vervaardigd.

7906996

Claims (7)

1. Werkwijze voor het reinigen van een reaktor nadat daarin vanuit een gasfase tenminste één laag op substraten is aangebracht en de substraten uit de reaktor 5 zijn verwijderd, met het kenmerk, dat het reinigen met een droge fluorwaterstof bevattende gasfase wordt uitgevoerd.

2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat voor het reinigen de druk in de reaktor wordt verlaagd en vervolgens de droge fluorwaterstof aan de reaktor wordt 10 toegevoerd.

3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het verlagen van de druk en het toevoegen van droge fluorwaterstof wordt herhaald totdat de reaktorwand schoon is.

4. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclu sies, met het kenmerk, dat het reinigingsproces begeleid wordt door meting van de druk in de reaktor.

5. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat een siliciumnitride bevattende 20 laag bij de reiniging wordt verwijderd.

6. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat een siliciumdioxyde bevattende laag bij de reiniging wordt verwijderd.

7. Werkwijze volgens conclusie 5> met bet kenmerk, 25 dat tijdens het reinigen de temperatuur van de wand van de reaktor tenminste 160°C bedraagt. 30 35 7906996