NL160983C - Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor met een collectorgebied voorzien van een sterk gedoteerd begraven gebied. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor met een collectorgebied voorzien van een sterk gedoteerd begraven gebied.Info
- Publication number
- NL160983C NL160983C NL6800572.A NL6800572A NL160983C NL 160983 C NL160983 C NL 160983C NL 6800572 A NL6800572 A NL 6800572A NL 160983 C NL160983 C NL 160983C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- transistor
- manufacturing
- area
- collector
- strongly
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/137—Collector regions of BJTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/2205—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities from the substrate during epitaxy, e.g. autodoping; Preventing or using autodoping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/037—Diffusion-deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/151—Simultaneous diffusion
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60943867A | 1967-01-16 | 1967-01-16 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6800572A NL6800572A (nl) | 1968-07-17 |
NL160983B NL160983B (nl) | 1979-07-16 |
NL160983C true NL160983C (nl) | 1979-12-17 |
Family
ID=24440801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL6800572.A NL160983C (nl) | 1967-01-16 | 1968-01-12 | Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor met een collectorgebied voorzien van een sterk gedoteerd begraven gebied. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3479233A (nl) |
FR (1) | FR1548858A (nl) |
GB (1) | GB1194752A (nl) |
NL (1) | NL160983C (nl) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3655457A (en) * | 1968-08-06 | 1972-04-11 | Ibm | Method of making or modifying a pn-junction by ion implantation |
BE758683A (fr) * | 1969-11-10 | 1971-05-10 | Ibm | Procede de fabrication d'un dispositif monolithique auto-isolant et structure de transistor a socle |
FR2092730A1 (en) * | 1970-06-12 | 1972-01-28 | Radiotechnique Compelec | Boron diffusion in silicon - from diborane, oxygen nitrogen mixtures |
IT947674B (it) * | 1971-04-28 | 1973-05-30 | Ibm | Tecnica di diffusione epitassiale per la fabbricazione di transisto ri bipolari e transistori fet |
DE2131993C2 (de) * | 1971-06-28 | 1984-10-11 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Verfahren zum Herstellen eines niederohmigen Anschlusses |
US3967307A (en) * | 1973-07-30 | 1976-06-29 | Signetics Corporation | Lateral bipolar transistor for integrated circuits and method for forming the same |
US4170501A (en) * | 1978-02-15 | 1979-10-09 | Rca Corporation | Method of making a semiconductor integrated circuit device utilizing simultaneous outdiffusion and autodoping during epitaxial deposition |
US4571275A (en) * | 1983-12-19 | 1986-02-18 | International Business Machines Corporation | Method for minimizing autodoping during epitaxial deposition utilizing a graded pattern subcollector |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3183178A (en) * | 1961-06-06 | 1965-05-11 | Hydrocarbon Research Inc | Two stage hydrogenating process employing two different particle sizes |
NL297820A (nl) * | 1962-10-05 | |||
US3268374A (en) * | 1963-04-24 | 1966-08-23 | Texas Instruments Inc | Method of producing a field-effect transistor |
US3340598A (en) * | 1965-04-19 | 1967-09-12 | Teledyne Inc | Method of making field effect transistor device |
-
1967
- 1967-01-16 US US609438A patent/US3479233A/en not_active Expired - Lifetime
- 1967-12-07 FR FR1548858D patent/FR1548858A/fr not_active Expired
-
1968
- 1968-01-12 NL NL6800572.A patent/NL160983C/nl not_active IP Right Cessation
- 1968-01-12 GB GB1861/68A patent/GB1194752A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3479233A (en) | 1969-11-18 |
FR1548858A (nl) | 1968-12-06 |
NL6800572A (nl) | 1968-07-17 |
NL160983B (nl) | 1979-07-16 |
GB1194752A (en) | 1970-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL160143C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een afgesloten neutro- nengenerator. | |
NL161591B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm. | |
NL159124B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een hydrofiel polysiloxan. | |
NL161616C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL156631B (nl) | Inrichting voor het vervaardigen van biaxiaal verstrekte slangfoelies. | |
NL161164B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een sequestreermiddel. | |
NL148654B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL142526B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen. | |
NL147499B (nl) | Werkwijze voor het versterken van een bodemgebied. | |
NL158541B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van laminaten. | |
NL148079B (nl) | Werkwijze voor het bekleden van kunststofoppervlakken met een geleidende metaallaag. | |
NL157749C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
NL162011B (nl) | Inrichting voor het opbouwen van een banddeel. | |
NL160983C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor met een collectorgebied voorzien van een sterk gedoteerd begraven gebied. | |
NL140101B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL146522B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van georienteerde foelies van polyethyleentereftalaat. | |
NL162710C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ladder en een met behulp van de werkwijze vervaardigde ladder. | |
NL162865B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ritssluiting. | |
NL158623B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een fotogeleidend registreermateriaal. | |
NL141401B (nl) | Werkwijze voor het disproportioneren van alkenen. | |
NL157095B (nl) | Werkwijze voor het bekleden van een buis en zo verkregen buis. | |
NL145001B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een poreuze foelie. | |
NL151558B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL159771B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een zelfsmerend voor- werp en aldus vervaardigd voorwerp. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee | ||
NL80 | Information provided on patent owner name for an already discontinued patent |
Owner name: IBM |