[go: up one dir, main page]

NL142526B - Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.

Info

Publication number
NL142526B
NL142526B NL696917810A NL6917810A NL142526B NL 142526 B NL142526 B NL 142526B NL 696917810 A NL696917810 A NL 696917810A NL 6917810 A NL6917810 A NL 6917810A NL 142526 B NL142526 B NL 142526B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor
distances
procedure
devices including
precisely determined
Prior art date
Application number
NL696917810A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6917810A (nl
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of NL6917810A publication Critical patent/NL6917810A/xx
Publication of NL142526B publication Critical patent/NL142526B/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes)
    • H01L23/485Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes) consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/049Equivalence and options
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/053Field effect transistors fets
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/085Isolated-integrated
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/106Masks, special

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
NL696917810A 1968-11-29 1969-11-26 Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen. NL142526B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US77996768A 1968-11-29 1968-11-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6917810A NL6917810A (nl) 1970-06-02
NL142526B true NL142526B (nl) 1974-06-17

Family

ID=25118147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL696917810A NL142526B (nl) 1968-11-29 1969-11-26 Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3560278A (nl)
DE (1) DE1959895A1 (nl)
NL (1) NL142526B (nl)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3648127A (en) * 1970-09-28 1972-03-07 Fairchild Camera Instr Co Reach through or punch{13 through breakdown for gate protection in mos devices
US3719535A (en) * 1970-12-21 1973-03-06 Motorola Inc Hyperfine geometry devices and method for their fabrication
US3776786A (en) * 1971-03-18 1973-12-04 Motorola Inc Method of producing high speed transistors and resistors simultaneously
DE2157633C3 (de) * 1971-11-20 1980-01-24 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Verfahren zum Herstellen von Zonen einer monolithisch integrierten Festkörperschaltung
US3800412A (en) * 1972-04-05 1974-04-02 Alpha Ind Inc Process for producing surface-oriented semiconducting devices
JPS524426B2 (nl) * 1973-04-20 1977-02-03
US3919005A (en) * 1973-05-07 1975-11-11 Fairchild Camera Instr Co Method for fabricating double-diffused, lateral transistor
US3979230A (en) * 1973-10-30 1976-09-07 General Electric Company Method of making isolation grids in bodies of semiconductor material
US3953875A (en) * 1974-01-02 1976-04-27 Motorola, Inc. Capacitor structure and circuit facilitating increased frequency stability of integrated circuits
US3966515A (en) * 1974-05-17 1976-06-29 Teledyne, Inc. Method for manufacturing high voltage field-effect transistors
FR2282162A1 (fr) * 1974-08-12 1976-03-12 Radiotechnique Compelec Procede de realisation de dispositifs semiconducteurs
DE2453134C3 (de) * 1974-11-08 1983-02-10 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Planardiffusionsverfahren
US4058419A (en) * 1974-12-27 1977-11-15 Tokyo Shibaura Electric, Co., Ltd. Method of manufacturing integrated injection logic semiconductor devices utilizing self-aligned double-diffusion techniques
US4151019A (en) * 1974-12-27 1979-04-24 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Method of manufacturing integrated injection logic semiconductor devices utilizing self-aligned double-diffusion techniques
US4153487A (en) * 1974-12-27 1979-05-08 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Method of manufacturing intergrated injection logic semiconductor devices utilizing self-aligned double-diffusion techniques
US4018627A (en) * 1975-09-22 1977-04-19 Signetics Corporation Method for fabricating semiconductor devices utilizing oxide protective layer
US4135954A (en) * 1977-07-12 1979-01-23 International Business Machines Corporation Method for fabricating self-aligned semiconductor devices utilizing selectively etchable masking layers
US4219369A (en) * 1977-09-30 1980-08-26 Hitachi, Ltd. Method of making semiconductor integrated circuit device
US4233337A (en) * 1978-05-01 1980-11-11 International Business Machines Corporation Method for forming semiconductor contacts
US4443932A (en) * 1982-01-18 1984-04-24 Motorla, Inc. Self-aligned oxide isolated process and device
DE4006478C2 (de) * 1990-03-02 1999-02-18 Klaus Wolf Hilfsgerät zum Betätigen von Absperrschiebern
DE19718861C2 (de) * 1996-04-30 2000-06-08 Weiss Gmbh & Co Leonhard Bagger, insbesondere Teleskop-Bagger

Also Published As

Publication number Publication date
NL6917810A (nl) 1970-06-02
US3560278A (en) 1971-02-02
DE1959895A1 (de) 1970-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL155983B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor en aldus vervaardigde transistor.
NL161305C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL161617C (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL161591B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm.
NL146983B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bimorfe piezo-elektrische inrichting en aldus vervaardigde inrichting.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL163369C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL162511B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL158298B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een gemigreerde seismische registratie, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
NL161515B (nl) Inrichting voor de vervaardiging van een volumineus garen, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van dit garen met behulp van deze inrichting.
NL155131B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL139874B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een liksteen en liksteen, vervaardigd met de werkwijze.
NL154945B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van katalysatorvormstukken.
NL149642B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektroluminescerende inrichting en aldus vervaardigde inrichting.
NL151558B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL142347B (nl) Inrichting voor het vervaardigen van vormlingen.