[go: up one dir, main page]

NL150273B - Werkwijze voor het vervaardigen van een cryogene dunne lagenschakeling met ten minste een cryotron. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een cryogene dunne lagenschakeling met ten minste een cryotron.

Info

Publication number
NL150273B
NL150273B NL656500717A NL6500717A NL150273B NL 150273 B NL150273 B NL 150273B NL 656500717 A NL656500717 A NL 656500717A NL 6500717 A NL6500717 A NL 6500717A NL 150273 B NL150273 B NL 150273B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
cryogene
cryotron
manufacturing
thin layer
layer circuit
Prior art date
Application number
NL656500717A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6500717A (nl
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of NL6500717A publication Critical patent/NL6500717A/xx
Publication of NL150273B publication Critical patent/NL150273B/nl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/44—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using super-conductive elements, e.g. cryotron
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/30—Devices switchable between superconducting and normal states
    • H10N60/35—Cryotrons
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/09563—Metal filled via
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0023—Etching of the substrate by chemical or physical means by exposure and development of a photosensitive insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H05K3/064—Photoresists
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/80—Material per se process of making same
    • Y10S505/815—Process of making per se
    • Y10S505/818—Coating
    • Y10S505/82—And etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49014—Superconductor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49156—Manufacturing circuit on or in base with selective destruction of conductive paths

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
NL656500717A 1964-01-20 1965-01-20 Werkwijze voor het vervaardigen van een cryogene dunne lagenschakeling met ten minste een cryotron. NL150273B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US339018A US3366519A (en) 1964-01-20 1964-01-20 Process for manufacturing multilayer film circuits

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6500717A NL6500717A (nl) 1965-07-21
NL150273B true NL150273B (nl) 1976-07-15

Family

ID=23327107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL656500717A NL150273B (nl) 1964-01-20 1965-01-20 Werkwijze voor het vervaardigen van een cryogene dunne lagenschakeling met ten minste een cryotron.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3366519A (nl)
JP (1) JPS509400B1 (nl)
FR (1) FR1421155A (nl)
GB (1) GB1092071A (nl)
MY (1) MY6900271A (nl)
NL (1) NL150273B (nl)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3547725A (en) * 1965-10-14 1970-12-15 Sanders Associates Inc Method of fabricating an electrical resistance heating pad
US3450534A (en) * 1966-04-01 1969-06-17 Gen Electric Tin-lead-tin layer arrangement to improve adherence of photoresist and substrate
US3479736A (en) * 1966-08-31 1969-11-25 Hitachi Ltd Method of making a semiconductor device
US3540954A (en) * 1966-12-30 1970-11-17 Texas Instruments Inc Method for manufacturing multi-layer film circuits
US3835530A (en) * 1967-06-05 1974-09-17 Texas Instruments Inc Method of making semiconductor devices
US3643232A (en) * 1967-06-05 1972-02-15 Texas Instruments Inc Large-scale integration of electronic systems in microminiature form
US3510728A (en) * 1967-09-08 1970-05-05 Motorola Inc Isolation of multiple layer metal circuits with low temperature phosphorus silicates
US3523223A (en) * 1967-11-01 1970-08-04 Texas Instruments Inc Metal-semiconductor diodes having high breakdown voltage and low leakage and method of manufacturing
US3519901A (en) * 1968-01-29 1970-07-07 Texas Instruments Inc Bi-layer insulation structure including polycrystalline semiconductor material for integrated circuit isolation
FR2036207A5 (nl) * 1969-03-06 1970-12-24 Bull General Electric
US3649274A (en) * 1969-09-18 1972-03-14 Bunker Ramo Coaxial circuit construction method
US3693251A (en) * 1970-12-03 1972-09-26 Bell Telephone Labor Inc Method of forming closely spaced conductive layers
US3832769A (en) * 1971-05-26 1974-09-03 Minnesota Mining & Mfg Circuitry and method
AT337292B (de) * 1971-09-02 1977-06-27 Siemens Ag Verfahren zur herstellung einer leiterplatte
US3922479A (en) * 1971-09-15 1975-11-25 Bunker Ramo Coaxial circuit construction and method of making
US3767397A (en) * 1971-10-21 1973-10-23 Sony Corp Photographic treatment for semiconductor devices or the like
US3753046A (en) * 1971-11-03 1973-08-14 Univ Computing Co Multi-layer printed circuit board
US3786542A (en) * 1971-11-18 1974-01-22 Northrop Corp Method of forming circuit structures by photo etching-electroforming process
US3737824A (en) * 1972-08-11 1973-06-05 Nasa Twisted multifilament superconductor
GB1445591A (en) * 1973-03-24 1976-08-11 Int Computers Ld Mounting integrated circuit elements
US3934335A (en) * 1974-10-16 1976-01-27 Texas Instruments Incorporated Multilayer printed circuit board
GB1475031A (en) * 1975-01-18 1977-06-01 Marconi Co Ltd Curved rigid printed circuit boards
US4075756A (en) * 1976-06-30 1978-02-28 International Business Machines Corporation Process for fabricating above and below ground plane wiring on one side of a supporting substrate and the resulting circuit configuration
EP0062084A1 (en) * 1981-04-06 1982-10-13 Herbert Irwin Schachter Multi-level circuit and method of making same
JPS60138940A (ja) * 1983-12-27 1985-07-23 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4630081A (en) * 1984-12-19 1986-12-16 Eaton Corporation MOMOM tunnel emission transistor
US5198412A (en) * 1987-06-26 1993-03-30 Hewlett-Packard Company Method for making superconductor films
US5041420A (en) * 1987-06-26 1991-08-20 Hewlett-Packard Company Method for making superconductor films from organometallic precursors
US5466893A (en) * 1989-02-21 1995-11-14 Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. Printed circuit board having enhanced EMI suppression
JPH0795483B2 (ja) * 1989-05-18 1995-10-11 株式会社東芝 厚膜抵抗素子の製造方法
JP2777747B2 (ja) * 1990-11-26 1998-07-23 東亞合成株式会社 電磁波シールド層を有するプリント抵抗器内蔵多層プリント回路板
KR0165370B1 (ko) * 1995-12-22 1999-02-01 김광호 차아지 업에 의한 반도체장치의 손상을 방지하는 방법
US6576848B1 (en) 1996-11-22 2003-06-10 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip wiring structure with crossover capability and method of manufacturing the same
US5818110A (en) * 1996-11-22 1998-10-06 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip wiring structure with crossover capability and method of manufacturing the same
KR20120047596A (ko) * 2010-11-04 2012-05-14 삼성전자주식회사 반도체 소자의 배선 구조

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2711983A (en) * 1953-04-14 1955-06-28 Electronics Res Corp Printed electric circuits and method of application
US3115423A (en) * 1955-06-13 1963-12-24 Ass Elect Ind Manchester Ltd Manufacture of printed electrical circuits
US3059196A (en) * 1959-06-30 1962-10-16 Ibm Bifilar thin film superconductor circuits
US2966647A (en) * 1959-04-29 1960-12-27 Ibm Shielded superconductor circuits
US3219749A (en) * 1961-04-21 1965-11-23 Litton Systems Inc Multilayer printed circuit board with solder access apertures
FR1345163A (fr) * 1962-10-29 1963-12-06 Intellux Circuits électriques en couches multiples et procédé pour leur fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
DE1474523B2 (de) 1976-02-05
NL6500717A (nl) 1965-07-21
US3366519A (en) 1968-01-30
JPS509400B1 (nl) 1975-04-12
GB1092071A (en) 1967-11-22
DE1474523A1 (de) 1971-02-04
MY6900271A (en) 1969-12-31
FR1421155A (fr) 1965-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL150273B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een cryogene dunne lagenschakeling met ten minste een cryotron.
NL143482B (nl) Werkwijze voor het bekleden van een substraat.
NL144201B (nl) Werkwijze voor het bekleden van het oppervlak van een substraat.
NL161620C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling.
NL146035B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een tabaksfoelie.
NL159124B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een hydrofiel polysiloxan.
NL161591B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm.
NL162246B (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderweerstand en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
NL141750B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een, uit dunne lagen opgebouwde, geintegreerde schakeling, alsmede geintegreerde schakeling verkregen door toepassing van de werkwijze.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL148079B (nl) Werkwijze voor het bekleden van kunststofoppervlakken met een geleidende metaallaag.
NL139079B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een cellulair voorwerp met een relief oppervlak.
NL157103B (nl) Werkwijze voor het vergelijken van een object met een standaard.
NL150052B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een inktopbrengorgaan en inktopbrengorgaan vervaardigd met deze werkwijze.
NL159532B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een, van een geisoleerde stuurelektrode voorziene veldeffecttransistor van het verrijkingstype, alsmede veldeffecttransistor, vervaardigd met deze werkwijze.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL144520B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gemetalliseerde foelies.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL154869B (nl) Werkwijze tot het vervaardigen van een veldeffecttransistor met een geisoleerde stuurelektrode, benevens veldeffecttransistor vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149562B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een massieve plaat.
NL139874B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een liksteen en liksteen, vervaardigd met de werkwijze.
NL148435B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gesinterde elektroden.
NL144778B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.
NL150171B (nl) Werkwijze voor het elektrolytisch bekleden van een substraat en werkwijze voor het vervaardigen van een laminaat.